1.7 电力电子器件器件的保护

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第 1 章第 1页PEN EC

1.7 电力电子器件器件的保护

1.7 电力电子器件器件的保护

1.7.1 过电压的产生及过电压保护

1.7.2 过电流保护

1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）



1.7 电力电子器件器件的保护1.7.1 过电压的产生及过电压保护电力电子装置可能的过电压—外因过电压和内因过电压

外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 (2) 雷击过电压：由雷击引起内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1) 换相过电压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极

管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压

(2) 关断过电压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压

■



1.7.1 过电压的产生及过电压保护过电压保护措施

图 1-34 　过电压抑制措施及配置位置

F 避雷器　 D 变压器静电屏蔽层　 C 静电感应过电压抑制电容RC1 阀侧浪涌过电压抑制用 RC 电路　 RC2 阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式 RC 电路

RV 压敏电阻过电压抑制器　 RC3 阀器件换相过电压抑制用 RC 电路RC4 直流侧 RC 抑制电路　 RCD 阀器件关断过电压抑制用 RCD 电路

电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种其中 RC3 和 RCD 为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴

■



1.7.1 过电压的产生及过电压保护外因过电压抑制措施中， RC 过电压抑制电路最为常见，典

型联结方式见图 1-35 RC 过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称

网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧

图 1-35 　 RC 过电压抑制电路联结方式a) 　单相　 b) 　三相

■



1.7.1 过电压的产生及过电压保护大容量电力电子装置可采用图 1-36 所示的反向阻

断式 RC 电路

图 1-36 　反向阻断式过电压抑制用 RC 电路保护电路参数计算可参考相关工程手册其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、

硒堆和转折二极管（ BOD ）等非线性元器件限制或吸收过电压

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1.7.2 过电流保护过电流——过载和短路两种情况常用措施（图 1-37 ）快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保

护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作

图 1-37 　过电流保护措施及配置位置

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1.7.2 过电流保护快速熔断器电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保

护措施选择快熔时应考虑：

(1) 电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定

(2) 电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定

(3) 快熔的 I 2t 值应小于被保护器件的允许 I 2t 值

■



1.7.2 过电流保护(4) 为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间

电流特性快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种

全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合

短路保护方式：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用

对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护

常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快

■



1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）缓冲电路（吸收电路）：抑制器件的内因过电压、

du/dt 、过电流和 di/dt ，减小器件的开关损耗关断缓冲电路（ du/dt 抑制电路）——吸收器件的

关断过电压和换相过电压，抑制 du/dt ，减小关断损耗

开通缓冲电路（ di/dt 抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和 di/dt ，减小器件的开通损耗

将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起——复合缓冲电路

其他分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路）

通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做 di/dt 抑制电路

■



1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）缓冲电路作用分析无缓冲电路： V 开通时电流迅速上升， di/dt

很大关断时 du/dt 很大，并出现很

高的过电压有缓冲电路 V 开通时： Cs通过 Rs 向 V 放

电，使 iC先上一个台阶，以后因有 Li ， iC上升速度减慢

V 关断时：负载电流通过 VDs

向 Cs 分流，减轻了 V 的负担，抑制了 du/dt 和过电压

图 1-38 　 di/dt 抑制电路和充放电型 RCD 缓冲电路及波形a) 电路 b) 波形

■



1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）关断时的负载曲线无缓冲电路时： uCE 迅速升， L 感应电压使VD通，负载线从

A移到B ，之后 iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C 有缓冲电路时： Cs 分流使 iC 在 uCE 开始上升时就下降，负载线经过 D到达C

负载线 ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低

图 1-39 　关断时的负载线

■



1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）充放电型 RCD 缓冲电路（图 1-38 ），适用于中等容量

的场合图 1-40 示出另两种，其中 RC 缓冲电路主要用于小容量

器件，而放电阻止型 RCD 缓冲电路用于中或大容量器件

图 1-40 　另外两种常用的缓冲电路a) 　 RC 吸收电路　 b) 　放电阻止型 RCD 吸收电路

■



1.7.3 缓冲电路（ Snubber Circuit ）缓冲电路中的元件选取及其他注意事项

Cs 和 Rs 的取值可实验确定或参考工程手册VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电

路器件的 1/10尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设

一个 du/dt 抑制电路对 IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断

过电压，关断时也没有较大的 du/dt ，一般采用 RC 吸收电路即可

■



1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用

1.8.1 晶闸管的串联

1.8.2 晶闸管的并联

1.8.3 电力 MOSFET 和 IGBT 并联运行的特

点



1.8.1 晶闸管的串联目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使

器件电压分配不均匀静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等

承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用

反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿

■

1.8 电力电子器件器件的串联和并联使用



1.8.1 晶闸管的串联静态均压措施选用参数和特性尽量一致的器件采用电阻均压， Rp 的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多

图 1-41 　晶闸管的串联a) 　伏安特性差异　 b) 　串联均压措施

■



1.8.1 晶闸管的串联

动态均压措施动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成

的不均压动态均压措施：

选择动态参数和特性尽量一致的器件用 RC 并联支路作动态均压采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异

■



1.8.2 晶闸管的并联目的：多个器件并联来承担较大的电流问题：会分别因静态和动态特性参数的差异

而电流分配不均匀均流措施

挑选特性参数尽量一致的器件采用均流电抗器用门极强脉冲触发也有助于动态均流当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串

后并的方法联接

■



1.8.3 电力 MOSFET 和 IGBT 并联运行的特点

电力 MOSFET 并联运行的特点Ron 具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容

易并联注意选用 Ron 、 UT 、 Gfs 和 Ciss尽量相近的器件并联电路走线和布局应尽量对称可在源极电路中串入小电感 , 起到均流电抗器的作

用 IGBT 并联运行的特点

在 1/2 或 1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负的温度系数

在以上的区段则具有正温度系数并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联 ■



本章小结主要内容

全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等

集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用

电力电子器件类型归纳单极型：电力 MOSFET

和 SIT

■

图 1-42 　电力电子器件分类“树”



本章小结双极型：电力二极管、晶闸管、 GTO 、 GTR 和 SITH 复合型： IGBT 和 MCT 电压驱动型：单极型器件和复合型器件，双极型器件中

的 SITH

特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高电流驱动型：双极型器件中除 SITH 外特点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导

通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大 , 驱动电路较复杂

■



本章小结当前的格局 :

IGBT 为主体，第四代产品，制造水平 2.5kV / 1.8kA ，兆瓦以下首选。不断发展，与 IGCT 等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代 GTO

GTO ：兆瓦以上首选，制造水平 6kV / 6kA

光控晶闸管：功率更大场合， 8kV / 3.5kA ，装置最高达 300MVA ，容量最大

电力 MOSFET ：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固

■



图 1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成

返回 ■



图 1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号

外形

结构

电气图形符号

返回



图 1-3 PN 结的形成

-。 -。 -。

-。 -。 -。

-。 -。 -。

-。 -。 -。

-。 -。 -。

+· +· +·

+· +· +·+· +· +·

+· +· +·+· +· +·

+-

+-

+-

+-

+-

空间电荷区P型区 N型区

内电场

返回



图 1-4 电力二极管的伏安特性

I

O

IF

U TO U F U

返回



图 1-5 电力二极管的动态过程波形

正向偏置转换为反向偏置零偏置转换为正向偏置

返回



图 1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号

外形结构电气图

形符号返回



图 1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理

双晶体管模型

工作原理返回



图 1-8 晶闸管的伏安特性

正向导通

雪崩击穿

O + U A- U A

- IA

IA

IH

IG2 IG1 IG=0

U bo

U DSM

U DRM

U RRMU RSM

IG2>IG1>IG

返回



图 1-9 晶闸管的开通和关断过程波形

100%90%

10%

u AK

t

tO

0 td t r

t rr tgrU RRM

IRM

iA

返回



图 1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性

电气图形符号伏安特

性返回



图 1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性

b)a)

UO

I

KG

A

IG=0

电气图形符号伏安特性返回



图 1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性

光强度强弱

b)

A

G

K

a)

O U AK

IA

电气图形符号伏安特性

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图 1-13 GTO 的内部结构和电气图形符号

c) 电气图形符号a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图

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图 1-14 GTO 的开通和关断过程电流波形

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图 1-15 GTR 的结构、电气图形符号和内部载流子的流动

内部结构断面示意图

电气图形

符号内部载流子的流动

返回



图 1-16 共发射极接法时 GTR 的输出特性

返回



图 1-17 GTR 的开通和关断过程电流波形

返回



图 1-18 GTR 的安全工作区

S O A

O

Ic

Ic MP S B

P c M

U c eU c eM

返回



图 1-19 电力 MOSFET 的结构和电气图形符号


电气图形

符号返回



图 1-20 电力 MOSFET 的转移特性和输出特性

转移特性

输出特性

返回



图 1-21 电力 MOSFET 的开关过程

测试电路

开关过程波形up— 脉冲信号源， Rs— 信号源内阻，

返回 RG— 栅极电阻， RL— 负载电阻， RF— 检测漏极电

流



图 1-22 IGBT 的结构、简化等效电路和电气图形符号

返回


简化等效电路

电气图形符号



图 1-23 IGBT 的转移特性和输出特性

转移特性输出特

性返回



图 1-24 IGBT 的开关过程

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图 1-25 光耦合器的类型及接法

普通型高速型高传输比型

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图 1-26 　理想的晶闸管触发脉冲电流波形

I

t

IM

t1 t2 t3 t4

t1~t2脉冲前沿上升时间（ <1s ）　 t1~t3强脉冲宽度　IM强脉冲幅值（ 3IGT~5IGT ） t1~t4脉冲宽度　　I脉冲平顶幅值（ 1.5IGT~2IGT ）

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图 1-27 常见的晶闸管触发电路

T M

R 1

R 2

R 3

V 1

V 2

VD 1

VD 3

V D 2 R 4+ E 1 + E 2

返回



图 1-28 　推荐的 GTO 门极电压电流波形

返回

O t

tO

u G

iG



图 1-29 　典型的直接耦合式 GTO 驱动电路

50 kHz50 V

GTO

N 1

N 2

N 3

C 1 C 3

C 4

C 2 R 1

R 2

R 3

R 4

V 1

V 3

V 2

LVD 1

VD

2

VD 3

VD 4

返回



图 1-30 　理想的 GTR 基极驱动电流波形

tO

ib

返回



图 1-31 　 GTR 的一种驱动电路

VD 1

A

V

VS0V

+10V+15V

V 1

VD 2

VD 3

VD 4

V 3

V 2

V 4

V 5

V 6

R 1

R 2

R 3R 4

R 5

C 1

C 2

返回



图 1-32 　电力 MOSFET 的一种驱动电路

A+-

MOSFET

20V

20V

u i

R 1 R 3R 5

R 4R 2

R G

V 1V 2

V 3C 1

- V CC

+ V CC

返回



图 1-33 　 M57962L 型 IGBT 驱动器的原理和接线图

13故障指示

检测端

V CC

接口电路

门极关断电路

定时及复位电路

检测电路

4

1

5

8

6

14

13

u o

V EE

81

5

4

6- 10 V

+ 15 V

30 V+5 V

M 57962 L

14

u i1

快恢复t rr ¡Ü0.2 s

4.7k

3.1

100 F

100 F

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图 1-34 　过电压抑制措施及配置位置

F 避雷器　 D 变压器静电屏蔽层　 C 静电感应过电压抑制电容RC1 阀侧浪涌过电压抑制用 RC 电路　RC2 阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式 RC 电路RV 压敏电阻过电压抑制器　 RC3 阀器件换相过电压抑制用 RC 电路RC4 直流侧 RC 抑制电路　 RCD 阀器件关断过电压抑制用 RCD 电路

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图 1-35 　 RC 过电压抑制电路联结方式

单相三相返回



图 1-36 　反向阻断式过电压抑制用 RC电路

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图 1-37 　过电流保护措施及配置位置

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图 1-38 　 di/dt 抑制电路和充放电型 RCD 缓冲电路及波形

电路

波形

返回



图 1-39 　关断时的负载线

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图 1-40 　另外两种常用的缓冲电路

放电阻止型吸收电路

RC 吸收电路

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图 1-41 　晶闸管的串联

伏安特性差异串联均压措施

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图 1-42 　电力电子器件分类“树”

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