Dispozitive Electronice

Embed Size (px)

Citation preview

  • 1 / 11

    DISPOZITIVE ELECTRONICE 2 C Prof.dr.ing. Gabriel Oltean

  • 2 / 11

    Obiectivul cursului

    Dezvoltarea abilitilor pentru:

    analiza i nelegerea principiilor de funcionare ale dispozitivelor electronice

    utilizarea dispozitivelor n diverse circuite electronice analiza i (re)proiectarea de circuite electronice

    simple

  • 3 / 11

    Descriere curs

    structur unitar - aceeai metodologie de tratare pentru dispozitivele electronice : diode, tiristoare, amplificatoare operaionale i tranzistoare.

    principiul de funcionare - model puternic simplificat (ideal).

    se revine cu modele mai complexe, sau se studiaz efectele proprietilor neideale i eventuale mijloace de contracarare a lor.

  • 4 / 11

    sunt deduse modurile de utilizare ale fiecrui dispozitiv: n comutare (toate dispozitivele), respectiv n conducie permanent (diode) sau ca amplificator (amplificatoare operaionale i tranzistoare).

    pentru fiecare dispozitiv este analizat mai nti modul de utilizare n comutare, iar mai apoi modul de utilizare n conducie permanent sau ca amplificator.

    utilitatea dispozitivelor electronice: aplicaii reprezentative.

    Descriere curs

  • 5 / 11

    ContinutFUNDAMENTE

    Semnale electrice Relaii si teoreme de circuite electriceCondensatorul i bobina Generalizarea relaiilor si teoremelor de circuite electrice Circuite RC - rspunsul n frecven si in timp

    Diode: Tipuri, principiul de functionare, caracteristici,

    parametri. Circuite cu diode. Dioda ZenerTIRISTOARE

  • 6 / 11

    Continut

    Amplificatorul operational (AO): AO ideal, principiul de functionare,

    caracteristici, parametri. Moduri de utilizare Comparatoare de tensiune cu AO.

    Amplificatoare cu AO.

  • 7 / 11

    Continut

    Tranzistoare (cu efect de camp sibipolare): Tipuri, principiul de functionare,

    caracteristici, parametri. Circuite cu tranzistoare in comutare. Polarizarea tranzistoarelor (PSF). Amplificatoare fundamentale cu

    tranzistoare.

  • 8 / 11

    Desfasurare activitate curs

    Implicare cat mai mare a studentilor Fiecare student pregateste (invata) apriori tematica cursului Curs: prezentare teorie, dezbatere, intrebari, comentarii, schimburi

    de idei, rezolvare probleme, etc.

    http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/de/de.htm prezentari de curs lucrari de laborator tematica pentru examenexemple de probleme date la examenediverse

  • 9 / 11

  • 10 / 11

    Examen scris final (E) + Laborator (L) + Teste (T) E: scris teorie 30% + probleme 70%: 010 puncte L: prezenta integrala + activitate: 010 puncte T: 3 teste la curs: 010 puncte

    Notare

    E 4 pL 5 p

    Nota =1 4.49respins

    0,6E+0,2L+0,2T 4.5

    DaDa

    Nota=0,6E+0,2L+0,2T+1Admis

    Da

    10 /10

  • 11 / 11

  • 1 / 20

    Fundamente

    Text integral

  • 2 / 20

    Scopul capitolului:

    S fim narmai cu mijloace iinstrumente de lucru tocmai potrivitepentru nelegerea principiilor defuncionare ale dispozitivelor electronice ia principalelor lor aplicaii.

  • 3 / 20

    Coninut

    semnale electrice

    relaiile i teoremele utilizate n circuitele electronice

    surse de tensiune i curent

    componentele pasive

    circute RC - comportare in frecventa si in timp

  • 4 / 20

    Semnale electrice

  • 5 / 20

    Surse. Notaii

  • 6 / 20

    Relatii si teoreme de circuite electrice

    Legea lui Ohm Teoremele lui Kirchhoff (TKV si TKI) Conectarea rezistoarelor Divizoare rezistive

  • 7 / 20

    Metoda suprapunerii efectelor

    V0 = V01+V02

  • 8 / 20

    Teorema lui Thevenin (generatorul echivalent de tensiune)

  • 9 / 20

    Teorema lui Millman (poteniale la noduri)

    ?=NV

    Teorema lui Millman (poteniale la noduri)

  • 10 / 20

    Puterea. Transferul de putere

  • 11 / 20

    Condensatorul si bobina

    Relaia tensiune curentConectarea serie i paralelComportarea n ccComportarea n ca

  • 12 / 20

    Circuit RC cu sursa de tensiune

    )()1()0()( +=

    C

    tt

    CC veevtv

    ttitdvC CC = )()(Ecuaia condensatorului

  • 13 / 20

    Circuit RC cu sursa de tensiune

    )()1()0()( +=

    C

    tt

    CC veevtv

  • 14 / 20

    Circuit RC - rspunsul n timp

    ( ) ( ) ( )tvtvdt

    tdvRC IOO =+

    ?)( =tvO

    )()()( tvtvti OI =

    dttdvCti

    dttitCdv

    O

    O

    )()(

    ;)()(

    ==

    ( ) ( )tvtvtRi IO =+)(

  • 15 / 20

    10;

    25 TT

  • 16 / 20

    A

    A

    B

    B

    T>> Calculeaza valoarea medie a tensiunii de intrare

  • 17 / 20

    ncrcarea C la curent constant

    ItC

    tvC1)( =

  • 18 / 20

    Comportarea n c.a.

    bobinpentru ;X

    rcondensatopentru ;1

    L LC

    XC

    ==

    Reactana

    Impedana ( )CL XXjRZ +=LLCC jXRZ;jXRZ +==

    LjZCj

    Zc L == ;1

    Elemente reactive ideale

  • 19 / 20

    Circuit RC - rspunsul n frecven

    RCjjF += 1

    1)(2)(1

    1)(RC

    jF +=

    )()( RCarctg =

  • 20 / 20

    Reprezentarea rspunsului n frecven

    RCjjF += 1

    1)(

    FTJ

  • 1/5

    Dioda semiconductoare

  • 2/5

    Introducere

    Simbol Asocierea

    sensurilor pentru

    curent

    i

    tensiune

  • 3/5

    Dioda

    idealModelul

    ideal (dioda

    ideal ) conine

    doar

    proprietatea

    de conducie

    unilateral

    a curentului

    Caracteristica diodei ideale

  • 4/5

    Dioda

    ideal

    se comport

    ca un comutator

    automat

    care interzice

    total trecerea

    curentului

    dac

    tensiunea

    la borne este

    negativ

    (b), respectiv

    permite

    trecerea

    curentului

    dac

    tensiunea

    la borne tinde

    s

    devin

    pozitiv

    (c).

    Dioda

    ideal

    Modele

    echivalente

    ale D ideale

    Conductie Blocare

  • 5/5

    Regimuri

    de functionare

    Regim

    de comutare

    -

    dispozitivul comut (automat, semicomandat

    sau comandat) ntre dou stri extreme:

    blocare, cnd mpiedic complet trecerea curentului

    conducie puternic cnd permite trecerea curentului, valoarea acestuia fiind stabilit de alte elemente din circuit (surse, R, C,etc.)

    Regim

    de conducie permanent (moderat)

    cnd dispozitivul controleaz (determin) valoarea diferit de zero a curentului ce trece prin el.

  • 1/12

    Dipori DR n comutare

    Analiza diporilor

    DR

    CSTV

    -

    caracteristica static de transfer n tensiune

    se consider toate situaiile posibile din combinarea strilor de conducie i blocare ale diodelor n circuit

    pentru fiecare situaie se determin :

    schema echivalent

    valoarea vO

    domeniul de valori ale

    vI

    pentru situaia respectiv

    se deseneaz CSTV.

  • 2/12

    Exemplificare

    0=Ov0Iv

    0=Di 0=Dv

  • 3/12

    =Ov0Iv0

    CSTV Caracteristica statica

    de transfer in

    tensiune

  • 4/12

  • 5/12

    Alte

    modaliti de conectare Inversarea locului diodei si rezistenei Iesirea de pe D

    Important

    Niciodat nu vom conecta o surs de tensiune astfel nct n timpul functionrii normale a circuitului s fie pus n scurtcircuit

    ?Diport DR, conectare paralel

    ?

    Structura echivalent pentru 0>Ivsituaie de avarie

  • 6/12

    Dipori cu rezisten de sarcina

    Aceasi

    CSTV

    Comparatie

  • 7/12

    Modelul

    diodei

    cu cdere

    de tensiune

    constant

    in conductie

    Pentru

    polarizarea direct vD

    >0:

    cnd vD0

  • 8/12

    Efectul

    cderii

    de tensiune

    pe

    dioda

    in conducie

  • 9/12

  • 10/12

    Aplicaii ale diporilor

    DR

    Redresoare monoalternan

  • 11/12

    Selector de impulsuriAplicaii ale diporilor

    DR

  • 12/12

    Aplicaii ale diporilor

    DR

    Limitatoare de tensiune

  • 1/8

    Multipori

    DR n

    comutareMultipori

    de maxim spaial

    vA < vB

    vO = vB vA > vB

    vO = vAvO (t)= max(vA(t); vB

    (t))

  • 2/8

    vO = max(vA , vB , 0).

    vO = max(vA 0,7; vB 0,7V; 0).

    D-

    idealaD

    cu cadere

    de tensiune

  • 3/8

    Multipori de

    minim spaial

    vO (t) ?

    vO = min(vA, vB , VAl )

    vO = min(vA + 0.7V, vB + 0.7V, VAl )

  • 4/8

    Aplicaii ale multiporilor

    DR

    Redresare

    dubl

    alternanta

    VI

    >0V VI

  • 5/8

    Alimentarea de rezerv de la acumulator

  • 6/8

    Circuite

    logice

    DRSemnal

    analogic

    logic

    0 logic fals

    sczut

    sau

    sau

    1 logic adevrat

    ridicat

    0V

    0logic10V1logic

  • 7/8

    Circuit SAU

    cu dou

    intrri

  • 8/8

    Circuit si

    cu trei

    intrri

  • 1 /13

    Dipori DC n comutare

    Propriettile de regim static (cum ar fi CSTV) ale diportului DC nu prezint interes n aplicaii.

    Este util s studiem comportarea lor n domeniul timp n regim variabil

    Dipori DC de extrem temporal

    vD

    tinde s fie pozitiv, dioda conduce, vC

    (t) crete

    vD

  • 2 /13

    vD (t) = vI

    (t) vO

    (t)

    Detector de varf pozitiv

  • 3 /13

    Dipori DC de translatie

    vO(t)=vI(t)-vC

    (t)

    Translatie spre valori negative

  • 4 /13

    Translatie spre valori pozitive

    vO =

    vI+vCVC > 0

  • 5 /13

    Aplicaii ale diporilor DC

    Dublor de tensiune varianta

    1

  • 6 /13

    Dublor de tensiune varianta

    2

  • 7 /13

    V01

    V

    -

    V02

    D1D1N4448

    Vi

    PER = 1ms

    V1 = +5VV2 = -5V

    D2

    D1N4448

    V

    +

    C222n

    0

    V V

    C1

    22n

    V

  • 8 /13

    C1

    22n

    0

    C222n

    V01

    V

    -

    V

    Vi

    PER = 1ms

    V1 = +5VV2 = -10V

    V

    V02D2

    D1N4448

    V

    D1D1N4448

    V

    +

  • 9 /13

    Triplorul de tensiune - facultativ

  • 10 /13

    Redresoare cu filtru capacitiv

    RC >> T

    pentru IVv

  • 11 /13

    Exemplificare

    VVI 10 = f=50Hz, =100LR 5.1

  • 12 /13

    Demodulator pentru modularea

    n amplitudine

  • 13 /13

    Restabilirea componentei continue - facultativ

    Ca i aplicaie considerm un semnal dreptunghiular care a fost transmis pe o linie cu cuplare capacitiv. Datorit cuplrii capacitive semnalul i-a pierdut componenta continu iniial. Dup trecerea prin circuitul de translaie spre valori pozitive nivelul de curent continuu al semnalului este restabilit.

  • 1 /14

    Circuite cu diode n conducie permanent

    Curentul prin diod i tensiunea pe diod sunt legate prin ecuaia de funcionare a diodei

    o cdere de tensiune pe diod determin valoarea curentului prin ea

    o valoare a curentului prin diod determin cderea de tensiune pe ea

  • 2 /14

    Caracteristica diodei

    Caracteristica

    curent-tensiune, pentru o diod semiconductoare cu Si.

  • 3 /14

    )1( = TD

    nVv

    SD eIiIS

    -

    curentul de saturaie

    qKTVT = tensiunea

    termica

    mV25=TV la temp ambianta (aprox

    20O

    C)

    n=2 pentru diode discrete n=1 pentru diode din CI

    SD Ii >>

    T

    D

    nVv

    SD eIi

    Polarizare

    direct

    Ecuatia

    este

    valabila

    in regiunea

    de polarizare

    directa, vD

    > 0.

  • 4 /14

    T

    D

    nVv

    SD eIi IS , VT -

    depind

    direct de temperaturala curent constant, la o cretere a temperaturii cu

    10C , tensiunea pe diod

    scade cu 2mV

    C2mV/=CT

    cstIDD DTTCTTvTv += )()()( 1212

    Dependena de temperatur

  • 5 /14

    ID =?

    VD =?

    Ecuaie

    transcendent

    Dou

    metode

    aproximative

    de rezolvare:

    1.

    Metoda

    grafic

    2.

    Metoda

    analitic

    (aproximri

    succesive)

    Analiza circuitelor cu diode

    T

    DnVV

    SD eII =DDI VRIV +=

    T

    DnVV

    SDI eRIVV =

  • 6 /14

    Metoda grafic

    T

    DnVV

    SD eII =

    DDI VRIV +=Ecuatia

    dreptei

    de sarcina:

    Ecuatia

    diodei:

  • 7 /14

    Metoda

    graficEfectul

    rezistentei

    asupra

    PSF (punct

    static de functionare)

  • 8 /14

    1.

    Se consider

    o valoare iniial a tensiunii pe diod, de ex.

    VD(0)

    =0,7V

    i

    se determin

    curentul

    prin

    diod

    ID(0)

    folosind

    ecuaia

    dreptei

    de sarcin.

    (VD(0), ID(0))

    soluia

    initiala

    2.

    Cu valoarea

    ID(0)

    se calculeaz

    tensiunea

    pe

    diod

    din ecuaia

    diodei

    VD(1), apoi

    curentul

    ID(1)

    din ecuaia

    dreptei

    de sarcin.

    (VD(1)

    , ID(1))

    soluia

    dupa

    prima iteraie

    Astfel

    am parcurs

    o iteraie. Dac

    este

    necesar

    o precizie mai bun se mai efectueaz alte interaii.

    Metoda

    analitic

    In analiza manuala, rapida se utilizeaza

    in general solutia initiala !

  • 9 /14

    VVD 7,0)0( =

    V635,0nA14mA6,4ln025,02ln

    )0()1( ===

    S

    DTD I

    InVV

    mA73,45,0635,03)1()1( ===

    RVVI DID

    Se considera

    VI

    =3V, R=0,5K, iar

    D este 1N400x cu IS

    =14nA i n=2.

    RVVI DID

    =S

    DTD I

    InVV ln=

    6,45,0

    7,03)0( ==DI mA

    Metoda

    analitic

    - Exemplu

    V637,0nA14mA73,4ln025,02ln

    )1()2( ===

    S

    DTD I

    IVnV

    mA726,45,0637,03)2()2( ===

    RVVI DID

  • 10 /14

    Parametrii statici se definesc in regim static (c.c.)

    Parametrii difereniali se definesc in regim variabil(parametrii de semnal mic)

    Parametrii diodei

    Parametrii

    se definesc

    in punctul

    static de functionare

    (PSF)

  • 11 /14

    Parametrii statici

    rezistena static

    a diodei

    D

    D

    DD V

    Ir

    g == 1

    Exemplu:

    Q1

    (0,7V; 16,8mA)

    Q2

    (0,65V; 2,3mA)

    == 428,16

    7,01Dr

    == 2833,2

    65,02Dr

    gD1

    =24mS

    gD2

    =3,5mS

    conductana static

    a diodei

    Cu cresterea curentului, dioda este in conductie mai

    puternica, asadar rezistenta statica este mai redusa.

    D

    DD I

    Vr =Q

  • 12 /14

    Aproximarea

    de semnal

    mic: regiune

    liniar

    in jurul

    lui

    Q

    Parametrii difereniali

    (de semnal

    mic)

    vD

    (t)=

    VD

    +vd

    (t)iD

    (t)=ID

    +id

    (t)

    Un semnal

    variabil

    mic

    este

    suprapus

    peste

    marimile

    de cc

    Qd

    dd i

    vr =

    D

    Td I

    nVr =

    Rezistenta diferentiala:

    QD

    Dd i

    vr =

    OPTIONAL

  • 13 /14

    Interpretarea rD

    i rd

    Modelarea

    diodei

    in PSF

    semnal

    mic

    (variatii)curent

    continuu

    OPTIONAL

  • 14 /14

    Exemplificare

    a)

    Care este

    circuitul

    echivalent

    in curent

    continuu?

    b)

    Considerand

    Q(0,64V; 4,7mA), ce

    valoare

    are rezistenta

    statica?

    c)

    Ce

    valoare

    are rezistenta

    de semnal

    mic

    in Q?

    d)

    Care este

    circuitul

    echivalent

    pentru

    variatii?

    e)

    Cum arata

    cronogramele

    vD

    (t), si

    iD

    (t)?

    vi

    OPTIONAL

  • 1 /8

    Dioda

    Zener

    Z

    Z

    Z

    Z

    Z

    Ii

    Vv

    F

    =

    Z

    zZ r

    rF =

    Factorul relativ de stabilizare al DZ

  • 2 /8

    Pentru

    trei

    diode de 0,4 W la acelai

    curent

    nominal IZ = 5 mA avem

    :

    1) DZ 3V6 VZ = 3,6V; rzmax = 95; rZ = 0,72 K2) DZ 5V1 VZ = 5,1V; rzmax = 60; rZ = 1,02 K3) DZ 10 VZ = 10V; rzmax = 15; rZ = 2 K

    132,072095

    1 ==ZF

    059,01020

    602 ==ZF

    0075,0200015

    3 ==ZF

    Exemplu

  • 3 /8

    Z

    dZ V

    PI maxmax =

    Domeniul

    de stabilizare

    al DZ

  • 4 /8

    Diodele Zener au un coeficient de temperatur CT care depindeatt de tensiune ct i de curentul la care lucreaz. Diodele cu efect Zener (25V) au un coeficient de temperaturnegativ (la creterea temperaturii scade VZ,). Diodele cu multiplicare n avalan au coeficient de temperaturpozitiv.

    n particular diodele Zener cu VZ = 5,1V, au CT~0mV/C la curent mic. Pe de alt parte pentru DZ de 6,8V, au CT ~ 2mV/C.

    Dependena

    de temperatur

    Echivalentul

    unei

    diode Zener de 7,5V cu coeficientul

    de temperatur

    foarte

    sczut.

  • 5 /8

    Stabilizator parametric de tensiune studiem la CEF

    Referinta de tensiune

    Limitatoare duble de tensiune

    Ajustarea nivelului de curent continuu al unuisemnal variabil

    Aplicaii

    ale DZ

  • 6 /8

    Io

  • 7 /8

    Limitatoare

    duble

    de tensiune

  • 8 /8

    Ajustarea

    componentei

    continue a unui

    semnal

    variabil

  • 1 / 5

    Amplificatoare

    operationale

    (AO)

    CI ce conin un numr relativ mare de tranzistoare icomponente pasive (n general rezistoare) pe aceeaipastil de siliciu (popularul 741 conine 24 T, 12 R, 1C);

    Sunt mpachetate n diverse capsule de plastic sau metal ce prezint mai multe terminale (8,14 sau 16);

    Foarte populare datorita versatiliatii lor; AO are caracteristici la terminale care il fac sa se

    comporte ca un amplificator (aproape) ideal;

    Optimizate pentru vitez / precizie / zgomot redus / consum redus / amplificare mare / excursia maxim a ieiri (linie la linie) / stabilitate termic / tensiuni reduse de alimentare, etc;

    Studiul din p.d.v. al caracteristicilor la terminale si al principalelor aplicatii

  • 2 / 5

    Terminalele

    AO

    Conectarea

    in circuit

    n multe circuite nu se deseneaz terminalele de alimentare ale AO ci doar intrrile i ieirea, considerndu-se implicit c exist o alimentare corect.

    Observatie:

  • 3 / 5

    Funcionarea AO_vvvD = +

    DO avv =Modelul

    pentru

    variatii

    tensiunea

    de intrare

    dac nici una dintre intrri nu este legat la mas nu avem un terminal comun ntre intrare i ieire

    rezistenta

    de intrare

    rezistenta

    de iesire

    sursa de tensiune comandata in tensiune(STCT) - pseudosursa

    Dv

  • 4 / 5

    AO ideal

    Rezisten de intrare ri=. Aceasta are ca efect faptul c AO nu absoarbe curent pe intrri: i+=i-=0

    Rezistena de ieire ro=0. Aceasta nseamn c tensiunea de ieire este independent de curentul furnizat n sarcin.

    Banda de frecven infinit B=, adic amplificarea a este constant n tot domeniul de frecvene, inclusiv n cc.

    Amplificarea infinit: a=

  • 5 / 5

    ?

    Care este valoarea tensiunii de iesire, avnd n vedere ecuaia de funcionare a AO, care devine: vO

    =avD

    =vD

    ?

    Utilizarea ca si comparator, n comutare. vD

    >0; vO +, vO

    va fi limitat vO

    =VOH

    +VAl

    vD

  • 1 / 11

    AO

    comparatorAO este

    utilizat

    in comutare

    => comparatoare cu AO

    Comparator

    de tensiune:

    circuit care semnalizeaz prin dou valori diferite ale tensiunii de ieire starea relativ a dou tensiuni aplicate la intrare

    9 compararea tensiunilor: prin semnul diferentei dintre ele9 in functie de semn, comparatorul raspunde cu una sau altadintre cele doua valorile disponibile la iesire

    9 pentru comparator putem considera o singur intrare i anume diferena ntre v+ i v-, adic vD

    vD >0, adic v+>v- , vO =vOHvD

  • 2 / 11

    Potrivit

    pentru

    AO linie-la-linie

    Modelare

    AO in comutare

    CSTV ?

  • 3 / 11

    Comparatoare

    simple

    Comparatoare simple, fara reactie, cu o singuratensiune de prag;

    Comparatoare cu histerezis (cu reactie pozitiva), cu douatensiuni de prag;

    Tensiunea

    de prag VP

    :

    acea valoare particular a tensiunii de intrare

    vI

    pentru care are loc comutarea tensiunii

    de iesire, (pentru care vD

    =0).

    Determinarea

    tensiunii

    de prag:

    se determina

    expresia

    vD se pune

    conditia

    vD

    =0

    si

    se inlocuieste

    vI

    cu VP se determina

    VP

  • 4 / 11

    neinversor

    Comparatoare cu VP

    = 0

    0;0

    0;

    ===

    ===+

    +

    PD

    ID

    I

    D

    Vv

    vv

    vvv

    vvv

  • 5 / 11

    inversor

    Comparatoare cu VP

    = 0

    Cum arata

    tensiunea

    de iesire

    daca

    tensiunea

    de intrare

    este

    o tensiune

    sinusoidala

    cu amplitudine

    de

    3V si

    alimentarea

    este ?V12= AlV

  • 6 / 11

    Comparatoare cu VP

    0

    AlREF VRRRV

    21

    1

    +=

    i+

  • 7 / 11

    Exemplificare

    Reproiectare:

    9 inversor9 Vp= +6V

    ? CSTV

    ? vO

    (t)

  • 8 /11

    AO speciale

    pentru

    comparatoare

    amplificatoarele operaionale uzuale comparatoare clas special de AO destinate utilizrii ca i

    comparatoare, cum ar fi: LM 306, LM 311 ,LM 399, LM 393, LM 339 :

    tensiuni difereniale de intrare mari rspuns foarte rapid (vitez foarte mare de cretere

    a tensiunii de ieire)

    uzual comparatoarele au ieirea de tip colector ngol (necesita conectarea la ieire a unei rezisteneexterne R ctre un potenial pozitiv)pot prezenta terminal de mas, care nu se

    ntlnete la AO uzuale

  • 9 /11

    Aplicaii

    ale comparatoarelor

    simple

    Circuite logice Interfaare ntre circuite analogice i circuite

    logice Formarea de semnal dreptunghiular din semnalul

    sinusoidal (sau triunghiular) Indicator optic de nivel Modularea n durat a impulsurilor Circuitele de semnalizare i comand, convertoare

    analog-digitale, circuite de modulare a impulsurilor n lime, etc.

  • 10 /11

    Indicator optic de nivel

  • 11 /11

    Interfaare

    ntre

    circuite

    analogice

    i

    circuite

    logice

    Circuit logic

  • 1/8

    Comparatoare

    cu histerezis

    Comparatoarele

    simple, fr

    reacie

    au dou

    dezavantaje:

    Pentru un semnal de intrare cu variaie lent comutareaieirii dintr-o valoare n alta poate fi lent.

    Dac semnalul de intrareconine zgomot la ieire vomavea comutri multiple nedorite, cnd semnalul de intrare trece prin valoarea de prag.

    Nu mai

    sunt

    comutari

    nedoriteCum implementam

    aceasta

    CSTV

    ?

  • 2/8

    Solutie:

    Doua praguri de comparare VPH si VPL Doua valori distincte ale vO: VOH si VOL comutarea are loc la VPH numai daca vO=VOH comutarea are loc la VPL numai daca vO=VOL

    Valorile

    tensiunilor

    de prag

    sa

    depinda

    de valoarea

    tensiunii de iesire

    Tensiunea

    de iesire

    adusa

    la intrare: reactie

    pozitiva

    (sa

    intareasca

    efectul):

    aducerea unei fraciuni din tensiunea de ieire la intrareaneinversoare a AO prin intermediul unui divizor rezistiv

  • 3 / 8

    Comparator inversor cu histerezis

    I

    O

    vv

    vRR

    Rv

    =+=

    +

    _21

    1

    IOD vvRRR

    v += 211

    OHPH VRRRV

    21

    1

    +=

    OLPL VRRRV

    21

    1

    +=

    POD VvRRRv =+= 21

    10

    CSTV ?

    Iv

    Ov

  • 4 / 8

    ( )OLOHPLPHP VVRRRVVV +== 21

    1

    sensul de parcurgere al histerezisului la un anumit moment este activ doar un singur prag comparatoarele cu histerezis sunt circuite bistabile semnalul de intrare declaneaz aciunea de comutare a ieirii, procesul de comutare fiind continuat de reacia pozitiv:consideram

    vO

    =VOL

    , vI

    >VPL

    vI ; cand

    vI trece

    prin

    VPL:vI , vD

    , vO ,

    v+, vD

    ,

    vO

    RP

    procesul

    va

    continua de la sine datorit

    RP pn

    cnd

    ieirea

    ajunge n

    cealalta

    stare, VOH

    comutare

    rapid

    circuite basculante bistabile (CBB) sau trigger Schmitt

  • 5 / 8

    CSTV ?

    Exemplificare

  • 6 / 8

    REFO VRRRv

    RRRv

    21

    2

    21

    1

    +++=+

    IREFOD vVRRRv

    RRRvvv +++==

    +21

    2

    21

    1

    REFOHPH VRRRV

    RRRV

    21

    2

    21

    1

    +++=

    REFOLPL VRRRV

    RRRV

    21

    2

    21

    1

    +++=

    Circuit ?

    Comparator inversor

    cu praguri

    nesimetrice

    Comparator inversor

    cu praguri

    nesimetrice

  • 7 / 8

    Comparator neinversor cu histerezis

    021

    2

    21

    1 +++==+

    IOD vRRRv

    RRRvvv

    021

    2

    21

    1 =+++ PO VRRRv

    RRR

    OP vRRV

    2

    1=

    OHPL VRRV

    2

    1=

    OLPH VRRV

    2

    1=

  • 8 / 8

    REFIOD VvRRRv

    RRRvvv +++==

    +21

    2

    21

    1

    Exemplificare

  • 1/11

    AMPLIFICATOARE ELECTRONICEAmplificatorul electronic:

    triport

    activ ce furnizeaz la ieire un

    semnal xo

    (t) (tensiune sau curent) cu aceeai form de variaie

    n timp ca

    a semnalului de intrare xi

    (t) i care este capabil s furnizeze o putere mai mare

    dac lucreaz pe o sarcin adecvat..

    )t(xA)t(x io =

    Circuit liniar: x0 proportional cu xi

    A0 neinversor

    A - amplificare

  • 2/11

    Alimentarea amplificatoarelor cu surse de tensiune continu i/sau surse de curent continuu. mai frecvent cu surse de tensiune

    Alimentare

    unipolara

    Alimentare

    bipolara

    (diferentiala

    simetrica)

  • 3/11

    Circulaia i bilanul puterilor puterea medie a semnalului de ieire Pout este mai mare dect puterea medie a semnalului de intrare Pin.

    Surplusul de putere la ieire este preluat din sursele de alimentare

    Palim

    +Pin

    =Pout

    +Pdisipat

    Palim

    Pout

    +Pdisipat

    =Pout

    /Palim

    un transformatorridictor de tensiunenu este amplificator

  • 4/11

    Tipuri de amplificatoare

  • 5/11

    CSTV amplificator in tensiune, alimentat diferential simetric

    ( )OHOLOv

    OH

    v

    OLI

    V;Vv

    ;A

    V;

    AV

    v

    regiunea activa (de amplificare):

    VOL

    =-VAl

    VOH

    =+VAl

    AO linie la linie (barala bara, rail-to-rail):

    ( )AlAlO V;Vv +

    AO uzuale

    V)2V1

    V2V1(

    ...V

    ;...Vv

    Al

    AlO

    ++

    QI

    Ov dv

    dvA = amplificator ideal:

  • 6/11

    Observaie:

    Semnalul de intrare suficient de mic pentru ca

    amplificatorul s lucreze n regiunea liniar din jurul PSF: aproximare de semnal mic

    Transferul semnalului de amplificat

  • 7/11

    Modele ale amplificatoarelor diport: se refer explicit doar la comportarea la porile de intrare iieire, alimentarea fiind considerat implicit valabile indiferent de complexitatea intern a amplificatoarelor pecare le modeleaz valabile n domeniul frecvenelor din banda de trecereSurse

    comandate

    liniare

    (SCL)

    dipori activi - un singur parametru finit i nenul: transferul direct semnalul de iesire este comandat de semnalul de intrare pseodosurse

    Exemplu: STCT

    vO

    = av

    vi

  • 8/11

    Modelarea amplificatorului in tensiuneRi

    -

    va

    absoarbi

    curent

    de la sursa

    de semnal,Ro -

    diminuarea

    tensiunii

    de iesise

    la lucrul

    in sarcina

    i

    ov v

    va =

    s

    ov v

    vA =

    voL

    L

    is

    iv aRR

    RRR

    RA ++=

    Conectarea amplificatorului cu o sursa reala de semnal si cu sarcina

    Amplificator ideal ?

  • 9/11

    Av

    este cu att mai apropiat de amplificarea la mers n gol av

    cu ct se reduc pierderile de tensiune la intrare (pe Rs

    ) i la ieire (pe Ro

    )

    Ri>>Rs - toat tensiunea sursei sa ajung la intrarea amplificatorului Ro

  • 10/11

    Determinarea parametrilor amplificatoarelor

    amplificarea (factorul de transfer direct) rezistenta de intrare rezistenta de iesire

    Amplificarea analiza circuitului folosind teoreme i relaii de circuite electrice (Kirchhoff, Ohm, etc.) i ecuaii ce descriu funcionarea dispozitivelor active. se determin mrimea de ieire n funcie de cea de intrare i prin raportul lor se deduce amplificarea

    Rezistenta

    de intrare

    i

    ii i

    vR =

  • 11/11

    Rezistena de ieire Se pasivizeaza sursa de semnal de intrare Se aplica la iesire o sursa de test

    test

    testo i

    vR =

    sco

    goloo i

    vR

    ,

    ,=

    1.

    2.gol scurtcircuit

  • 1/16

    AO

    amplificator

    Utilizarea ca amplificator vO(VOL ; VOH) este necesar ca vD=0. Apare o nedeterminare:

    vO=avD=0 vD poate fi inut la 0 prin conectarea unor impedante n

    exteriorul AO ntr-o configuraie cu reacie negativ. Aceste impedante mpreun cu AO menin vD la zero i stabilesc valoarea tensiunii de ieire amplificatoare cu AO

    vO

    =avD

    =vD

  • 2/16

    AO cu reactie

    negativa

    -

    amplificator

    Ce

    posibilitati

    avem

    pentru

    conectarea

    intrarilor

    ?

    RN, mentine

    automat

    vD

    la zero

    = DODD vvvvv ,,,0

  • 3/16

    CSTV ?

    Amplificator neinversor

    OvRRRv

    21

    1

    +=

    021

    1 =+==+

    OID vRRRvvvv

    OI vRRRv

    21

    1

    += 121

    RR

    vvA

    I

    Ov +==

  • 4/16

    i

    i

    Alta metoda

    de a determina

    amplificarea

    amplificarea este dat doar de raportul a dou rezistene valoare precis a amplificrii amplificarea este independent de AO, nefiind

    influenat de dispersia tehnologic a valorilor parametrilor AO.

    consecin direct a folosirii RN n cazul unui amplificator cu amplificare proprie foarte mare ( a in cazul AO)

    0=DvIvv =+ Ivv =

    acelai curent prin R1

    i R2

    1

    21RR

    vv

    AI

    Ov +==

  • 5/16

    Rezistentele

    de intrare

    si

    de iesire

    se determina

    pe

    modelul

    echivalent

    vI

    vede ntrerupere, deci

    Ri

    =

    0===gol

    sc

    gol O

    O

    Oo

    v

    i

    vR

  • 6/16

    Exemplificare

    Modelul

    echivalent

    al amplif.

    vO

    (t) pentru

    vI

    (t) triunghiulara

    cu amplitudunea

    1,5V axata

    pe

    zero

    vO

    (t) pentru

    vI

    (t) triunghiulara

    cu

    amplitudinea

    2V

    axata

    pe

    0,5V ?

    CSTV

    Av =?Av

    =6

  • 7/16

    Reglarea

    amplificarii

    Ce

    se obtine

    pentru

    valori

    extreme (0 sau

    ) ale rezistentelor

    pentru

    amplificatorul

    inversor

    ?

    1

    21R

    PRAmaxv

    ++=PR

    RAminv ++= 1

    21

    1

    21max R

    RAv +=

    0min=vA

    stanga extrema la cursorul

    0 daca? 1 == RvO

  • 8/16

    Repetor

    de tensiune

    RN total nu exist amplificare n tensiune amplificare infinit n curent etaj tampon pentru a conecta o surs (sau ieirea unui

    circuit electronic) cu rezistena de ieire mare (poate debita curent redus) cu o rezistent de sarcin sczut (care solicit curent mare).

    IO vv =

  • 9/16

    Amplificator inversor

    Circuit ? CSTV ?

    Amplificare

    ?

    0=+v OI vRRRv

    RRRv

    21

    1

    21

    2

    +++=

    0021

    1

    21

    2 =++==+

    OID vRRRv

    RRRvvv

    1

    2

    RR

    vvAI

    Ov ==

  • 10/16

    Alternativ

    pentru nelegerea funcionrii

    amplificatorului

    inversor

    + = vv0=+v0=v

    22

    0R

    vi O

    =21 ii =

    11

    0R

    vi I =21 R

    vRv OI =

    1

    2

    RR

    vv

    AI

    Ov ==

    masa virtuala

  • 11/16

    Rezistenele de intrare i ieire

    n comparaie cu amplificatorul neinversor la careRi pentru amplificatorul inversor avem o rezisten mai mic de intrare.

    Uzual aceasta este de ordinul K, zeci de K. Dac ntr-o aplicaie se solicit o rezisten mare de

    intrare vom folosi conexiunea neinversoare.

    ?Ri =1RRi =?Ro =0=oR

  • 12/16

    Exemplificare R1

    =10K, R2

    =100K, alimentare

    12V9 Ri, Ro, Av9Modelul echivalent9 Domeniul vi, a.i. AO amplificator

    k101 == RRi 0=oR10

    10100

    1

    2 ===RRAv

    Domeniul

    vI

    : )V2,1;V2,1( +

  • 13/16

    Exemplu

    de proiectare

    Proiectai un amplificator inversor cu

    Ri

    >8k

    si amplificarea |Av|

    reglabil n domeniul

    [10,18]

    101

    2min

    ==RRAv

    181

    2max

    =+=R

    PRAv

    12 10RR = 12 18RPR =+Din condiia pentru

    Ri

    : k81 = RRi k101 =RAlegemk10010102 ==R k801001018 ==P

    Deoarece nu exist poteniometru de 80K, alegem 100K i refacem calculele. Pstrnd

    R2

    =100K, rezult:

    k1,1118

    100100182

    1 =+=+= PRR R2

    =100k P=100k

    Verificare: Acceptabil

    ?1.9

    min=vA 18max =vA

  • 14/16

    Exemplu

    de proiectare

    (cont.)

    101

    2min

    ==RRAv

    181

    2max

    =+=R

    PRAv

    12 18RPR =+k100=P

    12 10RR =

    12 10 RR =12 18k100 RR =+

    k5.121 =Rk1252 =R

    Verificare: 10min =vA 18max =vA

  • 15/16

    Repetor

    de tensiune inversor

    1==I

    Ov v

    vA

    RRi =

  • 16/16

    Amplificare

    si

    rezistenta

    mare de intrare

    1RRi =1

    2

    RRAv =

    1020101

    10101

    1010 =

    ++=

    ,Av

    +=

    31

    2221

    1

    21

    RRRR

    RR

    vvA

    I

    Ov

    1010vA

    Acelasi

    curent

    prin

    R1 si

    R21

    Aceasi

    tensiune

    pe

    R3 si

    R21

    ++==

    31

    2221

    1

    2221

    RRRR

    RRR

    vvA

    I

    Ov

    OPTIONAL

  • 1 / 7

    Sumatorul inversor

    RRR 221 ==Ce

    relatie

    trebuie

    sa

    existe

    intre

    rezistente

    pentru

    a obtine

    media aritmetic a tensiunilor de intrare

    ?

    Expresia

    tensiunii de iesire

    ?

    += 2

    21

    1IIO vR

    RvRRv

  • 2 / 7

    Problemaa) Expresia

    vO (vi1

    , vi2

    ) considerand

    ca AO lucreaza

    in regiunea

    liniara? Ce

    aplicatie

    realizeaza

    circuitul?

    b) Considerand

    vi1

    =2V, cum arata

    CSTV vO (vi2

    ) a circuitului

    pentru

    vi2

    [-5V; 5V]? In aceasta

    situatie

    pentru

    ce

    interval de valori

    ale vi2

    avem

    functionare

    in regiunea

    activa?

    c) Pentru valorile rezistentelor din figura, cum arata vO (t) pentru tensiunile din figura alaturata?

    d) Dimensionati R1

    , R2

    , R3

    , R4

    a.i. circuitul sa realizeze functia de sumator inversor vO = -(vi1

    + vi2

    ). Cum trebuie modificat circuitul pentru a obtine functia de sumator neinversor, vO = vi1

    + vi2

    ?

  • 3 / 7

    Sumatorul neinversor

    +++

    += 2

    21

    11

    21

    2

    3

    41 IIO vRRRv

    RRR

    RRv?=Ov

    21 IIO vvv +=Relatia

    intre

    rezistoare

    pentru

    4321 RRRR ===4321 si RRRR ==

    Uzual:

  • 4 / 7

    Amplificatorul diferential

    11

    2

    43

    41 1 IO vR

    RRR

    Rv

    ++= 21

    22 IO vR

    Rv =

    21

    21

    1

    2

    43

    421 1 IIOOO vR

    RvRR

    RRRvvv

    ++=+=

    Aplicam

    suprapunerea

    efectelor

  • 5 / 7

    1

    2

    1

    2

    43

    4 1RR

    RR

    RRR =

    ++

    4

    3

    2

    1

    RR

    RR = ( )21

    1

    2IIO vvR

    Rv =

    pentru

    vI1

    =vI2

    se obine

    vO =0

    circuitul

    amplific

    doar

    diferena

    tensiunilor

    irejecteaz

    semnalele

    de mod comun.

    in cazurile

    practice se pune

    R1

    =R3 i

    R2

    =R4

    21

    21

    1

    2

    43

    4 1 IIO vRRv

    RR

    RRRv

    ++=

    Cum amplificam

    vI1

    -vI2 ?

  • 6 / 7

    ExemplificareDe la un senzor

    se primeste

    un semnal

    variabil

    vi cu componenta

    continua VI =5V.

    Dorim

    sa

    amplificam

    doar partea

    variabila

    a semnalului

    (cea

    care contine

    informatie), de 10 ori. Ce

    solutie

    se poate

    utiliza

    ? REFIO VRRtv

    RR

    RRRtv

    1

    2

    1

    2

    43

    4 )(1)(

    ++=

    ( )( ) IiIO VRRtvV

    RR

    RRRtv

    1

    2

    1

    2

    43

    4 1)( +

    ++=

    011

    2

    1

    2

    43

    4 =

    ++ R

    RRR

    RRR 101

    1

    2

    43

    4 =

    ++ R

    RRR

    R

    4

    3

    2

    1

    RR

    RR =

    101

    4

    3

    2

    1 ==RR

    RR k5,231 == RR

    k2542 == RR)(10)( tvtv io =

  • 7 / 7

    Amplificator de instrumentatie standard rezisten mare de intrare rejecie ct mai bun a semnalului de mod comun

    AO1 i AO2:rezistena

    de intrare

    mare

    asigur

    amplificarea,

    AO3:amplificarea

    unitar

    trecerea

    de la dou

    tensiuni

    vO1

    i

    vO2

    la o singur

    tensiune

    vO

    . rejecie

    suplimentar

    a

    tensiunii

    de mod comun

    ( )211

    221 IIO vvRR

    v

    +=

    Optional

  • 1 / 9

    Dispozitive semiconductoareactive (cu trei terminale)

    Principiul de funcionare: utilzarea unei tensiuni ntre doudin terminale (de comand) pentru a controla intensitateacurentului prin al treilea terminal (de execuie).

    Tranzistoarele: surse de curent comandate n tensiune

    TRANZISTOARE

  • 2 / 9

    Categorii

    de tranzistoare

  • 3 /9

    Tip pTECMOS cu canal pTB pnp

    Tranzistorul

    surs

    de curent

    comandat Modelul

    in cc

    sursa

    ideala

    de curent

    comandata

    in tensiune

    Tip nTECMOS cu canal nTB npn

    Surse

    comandate

    neliniare:

    exponentiala

    TB

    patratica

    -

    TMOS

    Principiul si regiuni de functionare

    Tensiune

    de prag

  • 4 /9

    De ce

    este

    necesara

    R ?

    Marimi

    de iesire: IO

    , VO CST: IO

    (VCT), VO

    (VCT

    )

    Utilizarea

    in circuit a tranzitorului

    Tn

    alimentare

    serie

    cu sursa

    de tensiune

    alimentare

    paralel

    cu sursa

    de curent

  • 5 /9

    Caracteristici

    de transfer VCT

    VPn, Tn

    conduce, IO=IT

    >0

    VAl=RIO+VO

    ; VO

    = VAl

    - RIO

    VCT , IO , VO VO,min

    =0RVI AlOex =

  • 6 /9

    Dou

    regiuni extreme,

    regiuni pasive:-

    blocare (b)

    IT=0; VO

    >0; comutator ideal blocat-

    conducie extrem (cex)

    IT

    =IOex

    ; VO

    =0; comutator ideal n conducie.Dac

    VCT

    VCTex

    tranzistorul

    -

    regim de comutare

    O regiune

    intermediar,

    regiunea

    activ

    direct

    aF

    VCT

    (Vpn

    ; VCTex

    ), - tranzistorul - regim de amplificare

  • 7 /9

    Utilizarea

    Tp

    . Circuit. CST

    -

    blocare (b)

    - conducie extrem (cex)

    - regiunea

    activa

    (aF

    )

    PPCT VV >CTexCT VV vDssat

    , T este

    n

    (aF

    ).

    vGD

    =vGS

    -vDS

    =1,5-6,5= -4V < VP

  • 17 / 18

    iD

    =2(4-1)2 =18mAvDS

    =20-318= -34V

    3. vGS

    =4V>VP

    , deci T (cex) sau (aF

    )

    presupunerea

    T -

    (aF

    )

    este

    falsT

    este

    n

    (cex)

    Alt

    modalitate: compararea

    valorii

    iD

    in (aF

    ) cu iDex

    67,6320, ===

    RV

    RvV

    i AlexDSAlDex mA

    iD

    =18mA > iDex

    =6,67mA

    T -

    (cex)

  • 18 / 18

    b) valoarea

    minim

    vGSmin

    pentru

    care T este

    n

    (cex) corespunde plasrii

    lui

    T

    pe

    curba

    vDSsat

    vDSsat

    =VAl -RiDvDSsat

    =vGSmin

    -VPVAl -RiD

    =vGsmin

    VPiD

    =(vGSmin

    -VP

    )2

    R (vGSmin

    VP

    )2+ (vGSmin

    -VP

    ) -VAl = 0

    din soluia

    vGSmin

    VP >0

    VGSmin =2,744V

  • 1/13

    In cazul tranzistoarelor n comutare, apar dou stri extreme:

    (b) (cex)curentul

    de iesire

    (iD

    ) zerostabilit

    (aproape) n

    totalitate

    de circuitul extern tranzistorului

    tensiunea

    de ieire

    (vDS

    )

    stabilita

    de circuitul extern tranzistorului (alimentare)

    foarte

    apropiata

    de zero

    (ideal zero)

    regiunea specifica

    de

    functionare

    TECMOS: blocat

    TECMOS: regiunea

    liniara

    TECMOS IN

    COMUTARE

  • 2/13

    Modelul intrerupator comandat

    vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO 0vCT VPp ; T- (b) ; iOT =0

    vCT 0 ; vO 0Intrerupatoarele

    comandate

    sunt

    complementare

    Tn

    VCTex,n

    Tp

    VCTex,p

  • 3/13

    Comutatoare

    analogiceCA este

    un circuit care permite

    sau

    blocheaz

    trecerea

    semnalului

    de intrare

    ctre

    ieire

    n

    funcie

    de un semnal

    de comand.

    vCo -

    dou

    nivele:VCoL VCTex,n

    vCo =VCoL ; Tn -(b) ; vO =0 blocheaza

    trecerea

    vIvCo =VCoH ; Tn - (cex) ; vO = vI permite

    trecerea

    vI

  • 4/13

    CA cu dou

    ntreruptoare comandate

    complementare

    vCo =VCoL ; CA-(b) ;

    vCo =VCoH ; CA- (c) ;

    vCo =VCoH

  • 5/13

    C=0; CA-blocat; vO

    =0C=1; CA-conduce; vO=vI

    CA implementare

    CMOS VCoH

    =VDD

    ; VCoL

    =VSSvI

    (VSS

    ; VDD

    )

    CI 4066 -

    4 pori de

    transfer;

    alimentat

    la10V, ron

    =150

    DG400 de la Siliconicsron

    =20

  • 6/13

    Aplicatie: MUX cu trei

    canale

  • 7/13

    Circuite

    logice

    cu tranzistoare MOS

    Modelul ntreruptor comandat ideal

    Implementare cu tranzistoareMOS complementare

    circuite

    logice

    CMOS

  • 8/13

    Inversorul

    logic

    Cu Tn si

    R

    Cu Tp si

    R

    0 logic -

    0V

    1 logic -

    VAl

  • 9/13

    Analiza

    critica

    a inversorului

    cu intrerupator comandat

    si

    R

    Diminuarea

    dezavantajului

    R ct mai

    mic, ideal R0;

    Solutie: nlocuirea

    R cu ntrerupator

    comandat

    Tn (b)

    Tn (c)

    R ct

    mai

    mare, ideal

    R

  • 10/13

    Dou

    solutii:ntreruptoare

    comand

    complementare

    complementar

    Specifica

    TMOS Specifica

    TB

  • 11/13

    Inversorul

    CMOS

    VGSn =vI ;

    vGSp =vI -VDD

  • 12/13

    CSTV a inversorului

    CMOS

    Ideala

    din punct de vedere

    al

    intrariiReala

    Optional

  • 13/13

    Margini

    de zgomot

    maxmax

    minmin

    OLILL

    IHOHH

    VVNMVVNM

    ==

    Nivelele

    tensiunii

    i marginile

    de zgomot

    pentru

    familia

    logic CMOS alimentata

    la

    +5V

    V1V50V51 == ,,NM LV1V53V54 == ,,NM H

  • 1 / 14

    Simbolurile Structura simplificataCaracteristici de intrare, transfer, iesire Principiul de functionareRegiunile de funcionareCurentii prin TB Saturatia TB

    pentru TB

    npn

    i pnp

    Tranzistoare bipolare (TB)

  • 2 / 14

    Simboluri

    SimboluriSimboluri

    uzualeuzuale

    CeCe

    vedevede

    un un ohmmetruohmmetru

    la la

    terminaleleterminalele

    TBTB

    npn pnp

    Exist interaciune ntre cele dou diode

  • 3 / 14

    Terminalele TB se numesc:B baz (corespondent G la TECMOS)C

    colector (corespondent D)

    E

    emitor (corespondent S)

    Sgeata indic sensul pozitiv

    al curentului prin tranzistor de la C la

    E

    (npn) i de la E la

    C

    (pnp).

    npn pnp

  • 4 / 14

    Structura simplificata,

    tranzistor

    npn

    Efectul

    de tranzistor:Trecerea

    curentului

    printr-o

    regiune

    polarizat

    invers

    (baz-

    colector) datorit

    interaciunii

    ei

    cu o jonciune

    polarizat

    direct (baz-emitor) situat

    n

    imediata

    ei

    vecintate.

    regiunea

    bazei

    foarte

    ngust; considerabil

    mai

    ngust

    dect lungimea

    de difuzie

    a purttorilor

    minoritari

    n

    baz;

    regiunea

    de emitor mai

    puternic

    dopat

    dect

    regiunea bazei;

    regiunile

    de emitor i

    colector

    mai

    late dect

    lungimea

    de difuzie

    a purttorilor

    minoritari

    n

    aceste

    regiuni.

  • 5 / 14

    Caracteristici statice la

    terminalele

    T

    BEVv

    SB e

    Ii = iC

    =iB

    Caracteristica de transferCaracteristica de intrare

    T

    BEVv

    SC eIi =Valabila

    in regiunea

    activa

  • 6 / 14

    Caracteristici de ieire

    Regiunea activ:

    iC

    =iB

    Saturaie:iC

  • 7 / 14

    Regiunile de funcionare ale TB, npn

    vBE

    0,6Vrareori

    folosit

    Tranzistorul

    s

    nu fie polarizat

    foarte

    aproape

    de originea

    sistemului

    de axe sau

    de una

    dintre

    axe.

    Moduri

    de utilizare

    in comutare

    (b) (cex)

    ca amplificator

    (aF

    ), eventual (aR

    )

  • 8 / 14

    Curenii prin TB

    iE

    =iC

    +iB

    n regiunea activ

    (aF ), cu iC

    =iB

    )11(1 +=+= CCCE iiiiiE

    =(+1)iB iB

    Relaiile

    nu

    sunt

    valabile

    la saturaia

    TB (cex) unde

    iC

  • 9 / 14

    Limitarea

    curentului

    de comanda

    prin

    TB

    deosebire TB TECMOS: jonciune n circuitul de comand se impune folosirea unei rezistene serie pentru stabilirea

    (limitarea) curentului de baz, fie n baz, fie n emitor

  • 10 / 14

    Saturaia TB9valorile rezistoarelor i surselor de alimentare astfelnct tranzistorul s lucreze n regiunea dorit9 TB poate fi privit ca o surs de curent comandat princurent dup relaia iC=iB n regiunea activ (aF).

    Cex

    Bsatii =

  • 11 / 14

    ExemplificareA.n ce regiune se afl T

    pt

    RB

    =50k cui)

    vCo

    =0,4V; ii)

    vCo

    =1,7V;iii)

    vCo

    =5V

    B. Se dau vco

    =2,7V

    i (25200)Domeniul

    RB

    astfel

    nct

    Ti) (aF

    ); ii) (cex).

    Rezolvare: i)

    deoarece vCo

    =0,4V < VP

    =0,6V T-(b)

    ii) vCo

    >VP

    T

    fie n (aF

    ) fie n (cex). Vom considera vBE

    =0,7V

    n conducie i =100. Presupunem T n (aF

    )

    astfel ca iC

    =iB

    .

    Vom compara iB

    cu iCex

    /. Dac iB

    >iCex

    /, T

    - (cex), dac iB

  • 12 / 14

    952

    2012 ,,R

    vVi

    C

    CEsatAlCex === mA

    02050

    7071 ,,,R

    vviB

    BECoB === mA

    0590100

    95 ,,iCex == mA

    Cum iB

    =20A A, T

    este

    n

    (aF

    )59=< Cexi

    V6,03,787,0

  • 13 / 14

    mA086,050

    7,05 ===B

    BECoB R

    vviiii)

    Cum iB

    =86A>iCex

    /=59A, rezult

    c

    T

    este

    n

    (cex);

    vBE

    0,8V; vBC

    =vBEsat

    -vCEsat

    0,8V-0,2V=0,6V=VP

    Puteam rezolva problema presupunnd T

    n (aF

    )

    iC

    =iB

    =8,6mA

    vCE

    =VAl

    - RC

    iC

    =12-28,6=-5,2VEvident o valoare

    imposibil

    (vCE

    nu poate

    fi

    dect

    pozitiv) deci

    presupunerea

    fcut

    este

    fals. Aadar

    T

    este

    n

    (cex)

  • 14 / 14

    B.

    i) Pentru T n (aF

    ) trebuie s ne asigurm c iB

    K8,679,5

    7,07,2200maxCex

    BECoB i

    vvR ii) Pentru saturaie trebuie ndeplinit condiia:

    min

    CexB

    ii >min

    Cex

    B

    BEsatCo iR

    vv>

    ==< K249,5

    8,07,275minCex

    BEsatCoB i

    vvR

  • 1 / 8

    In cazul tranzistoarelor n comutare, apar dou stri extreme:

    (b) (cex) (sat)

    curentul

    de iesire (iC

    ) zerostabilit

    (aproape) n

    totalitate

    de circuitul extern tranzistorului

    tensiunea

    de ieire

    (vCE

    )

    stabilita

    de circuitul extern tranzistorului (alimentare)

    foarte

    apropiata

    de zero

    (VCE,sat

    0,2V)

    regiunea specifica

    de

    functionare

    TB: blocat

    TB: saturatie

    TB IN

    COMUTARE

  • 2 / 8

    Modelul intrerupator comandat

    vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO 0vCT

  • 3 / 8

    Inversorul

    logic

    SAU -

    NU

    Tehnologie RTL

    Circuite

    logice

    bipolare 0 logic - 0V1 logic - VCC

  • 4 / 8

    Circuite

    logice

    bipolare

    TTL (Tranzistor-Tranzistor

    Logic)

    Inversorul

    logic

    din motive tehnologice

    n

    circuitele

    logice

    integrate este

    preferat

    folosirea

    doar

    a tranzistoarelor npn.

    se adopt

    varianta

    cu tranzistoare identice

    comandate complementar

  • 5 / 8

    Poarta

    TTL standard OPTIONAL

  • 6 / 8

    Nivelele

    tensiunilor

    i

    marginile

    de zgomot

    pentru

    familia

    logic

    TTL

  • 7 / 8

    Subfamilii

    TTL cu performane mbuntite:

    viteze

    mai

    mari, disipare

    (consum) redusa

    de putere

    Tranzistor Schottky Dioda

    Schottky: jonciune

    metal semiconductor, n conductie

    0,5V

    vBE

    =0,8V; vBC

    =0,5V; vCE

    =0,3V

    tranzistorul

    Schottky

    nu intra n saturatie

    creste

    viteza

    de comutare

    OPTIONAL

  • 8 / 8

    Structura

    simplificat

    a porii

    I-NU n tehnologie

    Schottky

    de mic

    putere

    OPTIONAL

  • PolarizareaPolarizarea

    tranzistoarelor tranzistoarelor

    in in curentcurent

    continuucontinuu

  • 2/19

    tranzistorul lucreaz n regiunea activ (aF) in jurul PSF alimentare n curent continuu (surse de tensiune / curent)

    Amplificatoare

    fundamentale

    cu un tranzistor: Conexiunile SC

    i EC

    Conexiunile GC

    i BC Conexiunile DC

    i CC

    Conexiunea cu degenerare n emitor

    Caracteristici

    importante: amplificarea in tensiune (curent) rezistenta de intrare rezistenta de iesire banda de frecventa

  • 3/19

    Functionarea

    amplificatorului

    cu un tranzistor (SC sau

    EC)

    polarizarea polarizarea n n cccc::

    PSF

    aproximativ la mijlocul regiunii active

    VAl

    alimentare

    in ccVI

    stabilirea

    PSF: (IO

    ,VO

    )vi

    tensiune

    de amplificat (de intrare)

    vo

    tensiune

    amplificata (de iesire)

    Suprapunerea semnalului variabil peste regimul de curent continuu

  • 4/19

    Functionarea

    amplificatorului

    (SC, EC)

    Cine determina

    amplificarea

    ?

  • 5/19

    Caracteristica de transfer n tensiune vO

    (vI

    ) a unui amplificator inversor

    Semnal

    mic:

    functionarea amplificatorului

    n regiunea liniar

    ngust din jurul PSF

    Excursia maxim a semnalului de intrare: adeseori determinat din considerente de liniaritate

  • 6/19

    Polarizarea n curent continuu

    fixarea

    PSF

    Functionarea

    tranzistorului

    ca amplificator:

    tranzistorul

    polarizat ct mai aproape de mijlocul regiunii active

    punctul instantaneu

    (mobil)

    de funcionare s fie inut n

    regiunea activ

    (liniara

    in jurul

    PSF)

    semnalul de intrare s fie pstrat suficient de mic.

    PSF:

    stabil i predictibil independent de parametrii tranzistorului

  • 7/19

    Polarizarea TECMOS

    AlGG

    GGS VRR

    RV21

    2

    +=2)( PGSD VVI =

    DDAlDS IRVV =

    Varianta

    1

    foarte simpl

    / curentul din PSF, ID depinde puternic de parametrii tranzistorului, si VP/ nu asigur stabilitatea punctului static de funcionare

  • 8/19

    Varianta

    2

    AlGG

    GGG VRR

    RV21

    2

    +=

    DSGGGS IRVV =2)( PGSD VVI =

    necunoscute: VGS i ID sistem de ecuaii de gradul 2 se alege dupa calcul valoarea convenabila a ID

    DSDAlDS IRRVV )( +=

    Polarizarea TECMOS

  • 9/19

    Varianta

    2 -

    continuare

    DSGGGS IRVV =

    VGS este determinat i de curentul de dren ID ID , RSID, VGS , ID circuitul se opune tendinei de modificare a ID. reacreacie negativie negativ

    datorita

    prezentei

    RS

    asigur stabilitateastabilitatea

    PSFPSF

    la variaia diverilor parametrii/ crete complexitatea relaiilor de calcul.

    2)( PGSD VVI =

    Polarizarea TECMOS

  • 10/19

    Exemplificare

    1

    RG1

    =3M; RG2

    =1M;RD

    =3K; RS

    =1K;

    VAl

    =20VVP =2V;

    =0,5mA/V2.

    ? Care este PSFCare este PSF

    ?

    SDGGGS RIVV =520

    131

    21

    2 =+=+= AlGGG

    GG VRRRV V

    2)( PGSD VVI = ID2-8ID

    +9=0; ID

    in mA

    V6,14)13(35,120)(

    =+==+= SDDAlDS RRIVV ID1

    =6,65mA i ID2

    =1,35mA

    ID1

    nu convine; ar

    rezulta

    VGS

  • 11/19

    ? ? Cum Cum dimensionamdimensionam

    circuitulcircuitul

    pentrupentru

    PSF PSF cu Icu I

    DD

    =1mA =1mA ??

    2)( PGSD VVI = V4

    25,012 =+=+=

    DPGS

    IVV

    VDSsat

    =VGS

    -Vp

    =2V

    T- regiunea activ VDS

    (2V; 20V).PSF :

    VDS

    =7V

    DSDAlDS IRRVV )( += K131720 ===+

    D

    DSAlSD I

    VVRR

    Exemplificare

    2TMOS: VP

    =2V;

    =0,25mA/V2, VAl

    =20V

  • 12/19

    TMOS: VP

    =2V;

    =0,25mA/V2, VAl

    =20V

    RD

    i n funcie de amplificarea dorita. Neavnd

    valoarea amplificrii putem

    considera VVSS

    ==4V4V

    pe RS :

    K414 ===

    D

    SS I

    VR

    K9413 ==DRV844 =+=+= SGSGG VVV

    == K200;K300 21 GG RR

    Exemplificare

    2 cont.

    ? ? Cum Cum dimensionamdimensionam

    circuitulcircuitul

    pentrupentru

    PSF PSF cu Icu I

    DD

    =1mA =1mA ??

  • 13/19

    Polarizarea TECMOSVarianta

    3

    Uzual

    in circuitele integrate:

    polarizare cu sursesurse de curentde curent

    ID

    independent de parametrii tranzistorului amplificator

    GGGSDAlDS VVIRVV +=GSDAlDS VIRVV +=Tensiunea

    pe

    sursa

    de curent: VGG -VGS

  • 14/19

    Polarizarea TB,

    varianta

    uzuala

    in circuite

    discrete

    Fa de analiza pentru TECMOS, la TB apare:-

    curentul de baz IB

    , diferit de zero-

    prin colector i emitor

    nu trece exact acelai curent

    CBBCE IIIII 1)1( +=+=+=

    EC II Se poate

    aproxima

    BC II =

    CalculCalcul exactexact: se utilizeaza

    IB

    CalculCalcul aproximataproximat: se neglizeaza

    IB

    fata

    de curentul

    prin

    divizorul din baza

    (nu se considera

    IB

    =0)

  • 15/19

    CalculCalcul aproximataproximat

    IB

    mult mai mic dect curentul prin divizorul din baz

    AlBB

    BBB VRR

    RV21

    2

    +=

    E

    BEBBEC R

    VVII =

    )( ECCAlEECCAlCE

    RRIVRIRIVV

    +=

    RE

    este deosebit de important n stabilirea

    si

    stabilizarea

    PSF, prin

    mecanismul de RNRN introdus

    IC

    ; IE

    ; VRE

    ; VBE

    ; IC

  • 16/19

    CalculCalcul exactexact

    Teorema

    Thevenin: VBB

    , RB

    IC

    =IE

    +IB

    IE

    )1/( ++= BE

    BEBBE RR

    VVI

    IE

    insensibil la variaiile :

    )1( +>> B

    ERR

    BE

    RR 10>RB1

    , RB2

    valori

    mici

    cerute de

    independena PSF de RB1

    i RB2

    valori

    mari

    cerute de

    rezistena de intrare

    IE

    insensibil la variaiile temperaturii

    (VBE

    )

    V1,0>>BBVo variaie VBE

    de 0,1V poate fi neglijat fa de VBB

    =35V

    IE

    =(+1)IB

    )( ECCAlEECCAlCE

    RRIVRIRIVV

    +=

    EEBEBBBB IRVIRV ++=

  • 17/19

    VAl

    =15V; RB1

    =10k; RB2

    =4,7k;

    RE

    =1,5k; RC

    =1,8k;

    =150

    Calcul

    aproximat

    Calcul

    exact

    IC = ?

    VCE =?VC = ?

    VE = ?

    IC = 2,73mA

    VCE = 6VVC = 10,1V

    VE = 4,1V

    IC = ? IC = 2,7mA

    Exemplificare

    3

  • 18/19

    ValorileValorile rezistentelorrezistentelor astfel

    incat

    T in aF

    la IC

    =2mA.

    VAl

    =12V, =100

    Uzual

    alegem:V412

    31

    31 === AlBB VV

    === K6,165,12

    7,012)3/1(

    E

    BEBBE I

    VVR

    A20100

    2 === C

    BII

    K6002,010

    121021

    ==

  • 19/19

    EECCAlCE

    BE

    BEAlE

    IRIRVV

    RRVVI

    =

    ++=

    2

    )1/(

    Polarizarea TB, alimentare

    diferentiala

    IRVIRVV

    II

    BBECCAlCE

    E

    1+++=

    =

    IR

    VV BBEAl 1+ Tensiunea

    pe

    sursa

    de curent:

  • ModeleModele

    de de semnalsemnal

    micmic ale tranzistoarelorale tranzistoarelor

    funcfuncionareaionarea la la semnalsemnal micmic ((variatiivariatii)) parametriiparametrii de de semnalsemnal micmic modelemodele de de semnalsemnal micmic

  • 2/13

    Modelul

    de semnal

    mic

    necesar

    pentru

    a deduce vo in functie de vi

  • 3/13

    TranzistorulTranzistorul

    pentrupentru

    regimulregimul

    de de semnalsemnal

    micmic::

    parametrii difereniali (sau parametrii de semnal mic) valorile parametrilor difereniali depind de PSF modelul de semnal mic al tranzistorului.

    Modelul

    tranzistorului

    la frecvente

    joase: rezistentarezistenta de de intrareintrare rezistentarezistenta de de iesireiesire sursasursa comandatacomandata care arata transferul intrare-iesire

    La frecvente

    inalte

    modelul

    se completeaza

    cu capacitatilecapacitatile paraziteparazite dintre

    terminale

    FuncFuncionareaionarea

    la la semnalsemnal

    micmic

  • 4/13

    TECMOS la semnal

    mic

    Schema

    completa

    a amplificatorului

    cu

    1 TMOS (polarizare

    + semnal

    variabil)

    Schema echivalenta

    pentru

    semnal

    mic:

    -- pasivizareapasivizarea surselor

    de tensiune

    continua sau

    curent

    continuu

    Conexiunea

    SC

  • 5/13

    Parametrii

    de semnal

    mic Transconductana diferenial

    cstvgs

    dcstv

    GS

    Dm DSDS v

    ivig == ==

    QPGSQGS

    PGSm Vvv

    Vvg )(2)((2

    ==

    DPGS

    Dm IVV

    Ig 22 ==

    Dm ILWKg 2=tranzistoare integrate:

    gsmd vgi = TECMOS: surs de curent comandat n tensiune (SCCT)

    pentru semnal mic

    ( )2PGSD Vvi =

  • 6/13

    Rezistenta

    diferentiala

    de intrare grila este izolat electric de restul structurii: rezistenadiferenial de intrare este infinitinfinit ((intrerupereintrerupere))

    Rezistenta

    diferentiala

    de iesire

    cstvd

    dscstv

    D

    DS

    oo GSGS i

    vi

    vg

    r == === 1

    caracteristicile

    de iesire

    nu sunt

    perfect orizontale, curentul

    de dren

    crete

    uor

    cu tensiunea

    dren-surs

    lavGS

    = cst.

    VA

    tensiunea

    Early

    +=

    A

    DSPGSD V

    vVVi 1)( 2D

    Ao I

    Vr =

  • 7/13

    TMOS: TMOS: regimregim

    static static regimregim

    variabilvariabil

    2)( PGSD VVI =

    gsmd vgi =

    D

    Ao I

    Vr =

    gsPGSd vVVi )(2 =

    D

    DSO I

    VR =

    ( )D

    PGS

    D

    PGSm

    IVv

    IVVg

    222

    ====

  • 8/13

    Modelul

    de semnal

    mic

    al TECMOS

    la frecvente

    joase

    :

    ( )D

    PGS

    D

    PGSm

    IVv

    IVVg

    222

    ====

    D

    Ao I

    Vr = la frecvente

    inalte:

    apar

    capacittilecapacittile paraziteparazite interne

    ntre

    terminale; tipic

    de ordinul

    pF

    sau

    fractiuni

    de pF

  • 9/13

    Parametrii

    de semnal

    mic

    ai

    TB Transconductana diferentiala

    cstvbe

    ccstv

    BE

    Cm CECE v

    ivig == ==

    TBE VvSC eIi

    /=

    qKTVT =

    CVTo20 @ mV25

    mg.temp

    Amplificarea

    n

    curent

    cstvb

    ccstv

    B

    CCECE i

    iii

    == ==

    Dei pot exista diferene ntre amplificarea n curent continuu i amplificarea diferenial

    in curent, vom folosi aceeai notaie i aceeai valoare (orientativ =100).

    C20@40 oCT

    Cm IV

    Ig =

  • 10/13

    Parametrii

    de semnal

    mic

    ai

    TB -

    continuare

    Rezistena de ieire

    cstvc

    cecstv

    C

    CEo BEBE i

    vi

    vr = ==

    +=

    A

    CEVv

    SC VveIi T

    BE

    1

    C

    Ao I

    Vr =

    Rezistena

    de intrare

    cstvb

    becstv

    B

    BEbe CECE i

    vi

    vr == ==

    mbe g

    r =

  • 11/13

    Modele

    de semnal

    mic

    ale TB

    la la joasajoasa frecventafrecventa

    Cm Ig 40=

    mbe g

    r =

    modelele

    hibridhibrid

    simplificatsimplificat

    C

    Ao I

    Vr =

  • 12/13

    Modele

    de semnal

    mic

    ale TB

    la la inaltainalta frecventafrecventa

    modelul

    hibridhibrid

    apar capacitatilecapacitatile paraziteparazite intre terminalele tranzistorului efectul acestor capacitati: reducerea amplificarii la frecvente inalte

    se poate folosi si modelul cu sursa de curentcomandata in curent

  • 13/13

    Exemplul

    numeric pentru

    TECMOS

    TECMOS : K=100A/V2

    , W/L=1, VA

    =100V ; polarizat

    la ID

    =100A. Care sunt

    valorile

    parametrilor

    de semnal

    mic

    i joas

    frecven?

    mS14.0100110022 === Dm ILWKg

    M11,0

    100 ===D

    Ao I

    Vr

    Exemplul

    numeric pentru

    TB

    TB

    polarizat

    n

    PSF la IC

    =100A, VA

    =100V, =100.Care sunt

    valorile

    parametrilor

    de semnal

    mic

    i joas

    frecven?

    gm

    =40IC

    =400,1=4mSM1

    1,0100 ===

    C

    Ao I

    VrK25

    4100 ===

    mbe g

    r

    00_intro_roDISPOZITIVE ELECTRONICEObiectivul cursuluiDescriere cursDescriere cursContinutContinutContinutDesfasurare activitate cursSlide Number 9NotareSlide Number 11

    01_fundamenteFundamenteScopul capitolului:ConinutSemnale electriceSurse. NotaiiRelatii si teoreme de circuite electriceSlide Number 7Slide Number 8Slide Number 9Slide Number 10Condensatorul si bobinaSlide Number 12Slide Number 13Slide Number 14Slide Number 15Slide Number 16Slide Number 17Slide Number 18Slide Number 19Slide Number 20

    02_diode_roDioda semiconductoareIntroducere Dioda ideal Dioda idealRegimuri de functionare

    03_diportiDR_roDipori DR n comutareSlide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Alte modaliti de conectareSlide Number 6Modelul diodei cu cdere de tensiune constant in conductieEfectul cderii de tensiune pe dioda in conducieSlide Number 9Aplicaii ale diporilor DRAplicaii ale diporilor DRAplicaii ale diporilor DR

    04_multiportiDR_roMultipori DR n comutare Slide Number 2Slide Number 3Aplicaii ale multiporilor DR Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8

    05_DC_roSlide Number 1Slide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8Slide Number 9Slide Number 10Slide Number 11Demodulator pentru modularea n amplitudine Slide Number 13

    06_D_cond_perm_roCircuite cu diode n conducie permanentCaracteristica diodei Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8Slide Number 9Slide Number 10Slide Number 11Slide Number 12Slide Number 13Exemplificare

    07_DZ_roSlide Number 1Slide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8

    08_AO_roAmplificatoare operationale (AO)Terminalele AOFuncionarea AO AO idealSlide Number 5

    09_AO_ComparatoareSimple_roAO comparatorSlide Number 2Comparatoare simple Comparatoare cu VP = 0Slide Number 5Comparatoare cu VP 0Slide Number 7AO speciale pentru comparatoareAplicaii ale comparatoarelor simpleSlide Number 10Slide Number 11

    10_AO_ComparatoareHisterezis_roComparatoare cu histerezisSolutie:Comparator inversor cu histerezis Slide Number 4Slide Number 5Comparator inversor cu praguri nesimetriceComparator neinversor cu histerezis Slide Number 8

    11_AmplifElectronice_roAMPLIFICATOARE ELECTRONICE Alimentarea amplificatoarelor Circulaia i bilanul puterilor Tipuri de amplificatoare CSTV amplificator in tensiune, alimentat diferential simetricSlide Number 6Modele ale amplificatoarelorModelarea amplificatorului in tensiuneSlide Number 9Determinarea parametrilor amplificatoarelor Rezistena de ieire

    12_AO_amplificatoareAO amplificatorAO cu reactie negativa - amplificatorAmplificator neinversorAlta metoda de a determina amplificareaRezistentele de intrare si de iesireExemplificareReglarea amplificariiRepetor de tensiuneAmplificator inversorAlternativ pentru nelegerea funcionrii amplificatorului inversorRezistenele de intrare i ieireExemplificareExemplu de proiectareExemplu de proiectare (cont.)Repetor de tensiune inversorAmplificare si rezistenta mare de intrare

    13_AO_amplif_sum_difSumatorul inversorProblemaSumatorul neinversorAmplificatorul diferentialSlide Number 5ExemplificareAmplificator de instrumentatie standard

    14_tranzistoare_roSlide Number 1Slide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8Slide Number 9

    15_tecmos_functionareTECMOSStructura fizicacanal n indusSlide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Curentul prin tranzistorSimboluriPrincipiul de funcionareCaracteristici de transfer Caracteristici de iesireExemplificareSlide Number 13Plasarea PSF: Q(ID, VDS)Regiuni de functionareSlide Number 16Slide Number 17Slide Number 18

    16_tecmos_comutare_roSlide Number 1Modelul intrerupator comandatComutatoare analogiceCA cu dou ntreruptoare comandate complementareSlide Number 5Aplicatie: MUX cu trei canaleCircuite logice cu tranzistoare MOSInversorul logicSlide Number 9Slide Number 10Slide Number 11CSTV a inversorului CMOSMargini de zgomot

    17_tb_functionareSlide Number 1SimboluriSlide Number 3Structura simplificata, tranzistor npnCaracteristici statice la terminaleleCaracteristici de ieireRegiunile de funcionare ale TB, npnCurenii prin TBLimitarea curentului de comanda prin TBSlide Number 10Slide Number 11Slide Number 12Slide Number 13Slide Number 14

    18_tb_logice_roSlide Number 1Modelul intrerupator comandatCircuite logice bipolare Circuite logice bipolare TTL (Tranzistor-Tranzistor Logic) Poarta TTL standardNivelele tensiunilor i marginile de zgomot pentru familia logic TTLSubfamilii TTL cu performane mbuntite:Structura simplificat a porii I-NU n tehnologie Schottky de mic putere

    19_polarizare_tranzistoare_roSlide Number 1Slide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6Slide Number 7Slide Number 8Slide Number 9Slide Number 10Slide Number 11Slide Number 12Slide Number 13Slide Number 14Slide Number 15Slide Number 16Slide Number 17Slide Number 18Slide Number 19

    20_T_modele_semnal_mic_roModele de semnal mic ale tranzistoarelorSlide Number 2Slide Number 3Slide Number 4Slide Number 5Slide Number 6TMOS: regim static regim variabilSlide Number 8Slide Number 9Slide Number 10Slide Number 11Slide Number 12Slide Number 13