CURRICULUM VITAE

Nombre: Julio Gregorio Mendoza Alvarez

Lugar y Fecha de Nacimiento: Puebla, Pue. Marzo 12, 1952.

Adscripción: Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios

Avanzados del Instituto Politécnico Nacional Apdo. Postal 14-740, México, D. F. 07000. MEXICO. Tels.: 5061-3800 ext.6167 ; 5061-3832; Fax: 5061-3800 ext.6167

Nombramiento: Investigador Cinvestav 3E Domicilio Particular: Blvd. Fray Antonio de Monroy e Híjar No. 117. Juriquilla Sec.

Tolimán. 76230 Querétaro, Qro. Nacionalidad: Mexicana Máximo Grado de Estudios: Doctor en Ciencias. Especialidad en Física. Idiomas: Inglés, Portugués y Español. EDUCACION: II/59 - VII/64 Esc. Himno Nacional. Puebla, Pue. México. (Primaria). IX/64 - VII/67 Instituto Normal del Estado. Puebla, Pue. México. (Secundaria). IX/67 - X/69 Escuela Vocacional No. 3 del Instituto Politécnico Nacional (IPN).

México. Bachillerato en Física y Matemáticas. I/70 -I/74 Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. México.

Licenciatura en Física y Matemáticas.

II/74 - XII/75 Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. México. Maestría en Ciencias. Especialidad en Física.

Tesis: "Descarga Xerográfica en Monocristales de Azufre Ortorrombico". II/76 - XI/79 Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas. São Paulo.

Brasil. Doctor en Ciencias. Especialidad en Física. Tesis: "Indice de Refracción y Guías de Ondas en Láser de GaAs".

BECAS:

1974/1975 Beca del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, para estudios de Maestría.

1976/1979 Beca del Consejo Nacional de Ciencia y Tecnología, para estudios de

Doctorado en la Universidad Estatal de Campinas, Brasil. 1976/1979 Complemento de Beca por el Centro de Investigación y de Estudios

Avanzados del I.P.N., para estudios de Doctorado. 1977/1978 Beca del "Conselho Nacional de Pesquisa e Desenvolvimento (CNPq)"

del Brasil. DISTINCIONES:

Mejor estudiante de la Generación 70/74 de la Escuela Superior de Física y Matemáticas del I.P.N. Promedio más alto en la historia de la Escuela Superior de Física y Matemáticas del I.P.N. en el período 61/77. Investigador Nacional Nivel III. Miembro del Sistema Nacional de Investigadores desde 1984. Miembro de la Academia Mexicana de Ciencias desde 1985. Miembro del "Electronic Materials Committee" de la "International Union for Vacuum Science Technique and Applications" (IUVSTA) 1990-1992. Premio 1991 de la Academia de la Investigación Científica en el Area de Ciencias Exactas. Arbitro Regular de las revistas: Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Revista Mexicana de Física. Miembro del Jurado del "Premio México" de Ciencia y Tecnología 1992.

Chairman en el Simposio “Optoelectronic Materials and Conjugated Polymers” de la IV International Conference on Advanced Materials. Cancun, Q.R. Agosto 27- Septiembre 1, 1995. Premio de Investigación “Francisco Mejía Lira” de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío, A.C. Sept. 2001.

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MEMBRESIA EN ORGANIZACIONES PROFESIONALES: Sociedad Mexicana de Física.

American Physical Society

Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y Vacío

Academia Mexicana de Optica, A.C.

Academia Mexicana de Materiales

American Association for the Advancement of Science.

ACTIVIDADES DIDACTICAS: 1974.- Laboratorio de Electricidad y Magnetismo. ESFM del IPN. México. 1975.- Cálculo II. Fac. de Química, UAP. Puebla, México. 1975.- Seminario de Física Moderna. Fac. de Ingeniería, UAP. México. 1979.- Curso de Física General y Experimental II (1er. Sem.). Inst. de Física. UNICAMP. Campinas, SP.

Brasil. 1979.- Curso de Física General y Experimental II (2do. Sem.). Inst. de Física. UNICAMP. Campinas,

S.P. Brasil. 1980.- Curso de Física General y Experimental III, Inst. de Física. UNICAMP. Campinas, SP. Brasil.

1980.- Física Moderna. Maestría. Departamento de Física. Centro de Investigación y de Estudios

Avanzados del IPN (Cinvestav-IPN). México. 1980.- Intr. a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México. 1981.- Teoría de Sólidos. Maestría. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México. 1981.- Celdas Solares I. Maestría. ESFM/IPN. México. 1981.- Intr. a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México. 1981.- Intr. a Celdas Solares. Licenciatura. ESFM/IPN. México. 1982.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1982.- Celdas Solares, Maestría. ESFM/IPN. México. 1982.- Física Estadística. Maestría. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.

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1983.- Introducción a Métodos Matemáticos. Licenciatura. ESFM/IPN. México. 1983.- Física Estadística. Maestría. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1984.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1985.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1986.- Electromagnetismo. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1988.- Electromagnetismo. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1989.- Seminario de Física. ECFM. Universidad Autónoma de Puebla. México. 1990.- Estado Sólido I. ECFM. Universidad Autónoma de Puebla. México. 1990.- Estado Sólido I. Maestría. Depto. de Física- ICUAP. Universidad Autónoma de Puebla. México 1991.- Métodos Matemáticos. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1996.- Termodinámica. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México. 1998.- Termodinámica. Propedéuticos. Departamento de Física. Cinvestav-IPN. México.

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EXPERIENCIA PROFESIONAL: --- Asistente de Investigador. Escuela Superior de Física y Matemáticas (ESFM) del IPN. MEXICO.

1973/1974. Investigación Básica en Física del Estado Sólido. --- Profesor en Tiempo Parcial. ESFM del IPN. MEXICO. 1974/1975. Enseñanza en el Laboratorio

de Electromagnetismo. --- Profesor de Medio Tiempo. Facultad de Química de la Universidad Autónoma de Puebla (UAP).

MEXICO. 1975/1976. Enseñanza en Física Básica y Matemáticas. --- Profesor Visitante. Facultad de Ingeniería de la UAP. MEXICO. 75/76. Seminario en Física

Moderna. --- Professor Assistente. Instituto de Física. Universidad Estatal de Campinas. BRASIL. 78/79.

Investigación básica en dispositivos semiconductores. Estudios teóricos en láseres de GaAs. Enseñanza en Física Experimental.

--- Professor Assistente-Doutor. Instituto de Física. Univ. Estatal de Campinas. BRASIL. 79/80.

Láseres semiconductores. Investigación en Fotodetectores rápidos para sistemas de comunicaciones ópticas. Enseñanza en Física Básica

--- Profesor Titular en tiempo parcial. ESFM del IPN. MEXICO. 80/83; 85/89. Investigación básica en

Física de Semiconductores. Enseñanza en cursos de licenciatura y posgrado. --- Investigador Cinvestav 3E. Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios

Avanzados del IPN. MEXICO. 80/ . Caracterización óptica y eléctrica de semiconductores: Fotoluminiscencia, Conductividad, Absorción Optica, Espectroscopía de Desviación Fototérmica, Fotoacústica. Crecimiento de Películas de CdTe por CSVT y de Cd(Fe,In,Sb,Ni)Te por Sputtering. Crecimiento de películas delgadas de GaAs, AlGaAs y GaInAsSb por Epitaxia en Fase Líquida. Investigación en dispositivos optoelectrónicos: Láseres Semiconductores y Moduladores Opticos. Enseñanza en cursos de posgrado.

--- Visiting Fellow. Applied Physics and Materials Laboratory. Princeton University. USA. Junio-Julio

1982. Sept.-Octubre 1983. --- Professor Visitante. Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas. Sao Paulo. BRASIL.

Julio-Agosto 1984. --- Scientific Consultor. Energy Conversión Devices. Troy, Mich. USA. 1984 --- Coordinador Académico del Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios

Avanzados del IPN. MEXICO. 1984-1985. --- Miembro del Comité de Becas del CONACYT . 1985. --- Visiting Research Associate. Electrical and Computer Engineering Department. University of

California, Santa Barbara. USA. Sept.86-Ago.87.

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--- Coordinador de Admisión del Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. MEXICO. 1988-1989.

--- Miembro de la Comisión del Promoción y Becas de Exclusividad y Productividad

(COPBEP) del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. MEXICO. 1988-1989. --- Secretario de la Sociedad Mexicana de Ciencias de Superficies y de Vacío, A.C. de México para el

bienio 1988-1990. --- Investigador Tiempo Completo E (Profesor Titular). Departamento de Física del Instituto de

Ciencias de la Universidad Autónoma de Puebla. 1989/1990. Caracterización óptica de Semiconductores: Fotoluminiscencia. Raman, Fotoconductividad. Crecimiento de Películas Semiconductoras III-V. Enseñanza en cursos de Licenciatura y Posgrado.

--- Miembro del Comité Organizador del IX y X Congreso Nacional de Física de Superficies e

Interfaces. Zacatecas, Zac. MEXICO. Agosto 1989; Jalapa, Ver. MEXICO. Agosto 1990. --- Consultor Científico.Laboratorio de Pesquisa e Desenvolvimento - TELEBRAS. Campinas, S.P.

BRASIL. Nov. 1990. --- Miembro de la Comisión Dictaminadora del Instituto de Física de la Universidad Nacional

Autónoma de México . MEXICO. 1991- 1993. --- Miembro del Comité Organizador del VI Simposio Nacional de Estado Sólido.

Tequisquiapan, Qro. MEXICO. Julio 8-11, 1991. --- Miembro del Comité Organizador de la II Escuela Latinoamericana de Física Aplicada.

Cancún, Q.R. MEXICO. Julio 28-Agosto 2, 1991. --- Secretario Académico del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto

Politécnico Nacional. MEXICO. 1991- 1994. --- Miembro del Consejo Directivo del Centro Latinoamericano de Física (CLAF). Río de

Janeiro, RJ. BRASIL. 1994 – 1996. --- Presidente de la Sociedad Científica del Cinvestav, A.C. MÉXICO. 1998- --- Coordinador de Investigación y Planeación del Instituto Politécnico Nacional. MEXICO.

1999-2000. --- Miembro del Comité Evaluador de Ciencias Exactas del Conacyt. MEXICO. 1999-2002. --- Professor Visitante, Laboratorio de Semicondutores da CETUC, Pontificia Universidade

Católica do Río de Janeiro. BRASIL. Octubre-Noviembre 2004.

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PUBLICACIONES:

1.- "Xerographic Discharge of Orthorhombic Sulfur Single Crystals". C. Falcony, J. Mendoza, F.Sánchez-Sinencio, A. Many, J.S.Helman, Proc. of the International Symposium on Electrets and Dielectrics, Sao Carlos, (SP), Brasil. Sept. 1-6, 1975, p. A17.

2.- "Photoinduced Discharge in Sulfur Crystals using Strongly and Weakly Absorbed Light". C.

Falcony, J. Mendoza, F.Sánchez-Sinencio, A. Many, and J.S. Helman, Journal of Applied Physics, Vol. 47, p.4381 (1976).

3.- "Refractive Index Profile and Resonant Modes in GaAs Lasers". F.D. Nunes, N.B. Patel, J.G.

Mendoza-Alvarez, and J.E. Ripper. Journal of Applied Physics, Vol. 50, p. 3852 (1979). 4.- "Refractive Index Dependence on Free Carriers for GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes,

N.B. Patel, Journal of Applied Physics, Vol. 51, p. 4365 (1980).

5.- "Laseres de Semiconductor: Características y Funcionamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, Física y Tecnología de Semiconductores, Vol. 1, p. 11 (1982).

6.- "Optical Properties of CdTe Thin Films Studied by Photothermal Deflection Spectroscopy". J.G.

Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, C. Menezes, R. Triboulet, Thin Solid Films, Vol. 102, p. 259 (1983).

7.- "Photoluminiscent Properties of Films of CdTe on Glass Grown by a Hotwall-Close Space Vapour

Transport Method". M. Cardenas, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, C. Menezes. Journal of Applied Physics, Vol. 56, p. 2977 (1984).

8.- "Influencia del Recocido Térmico en la Fotoluminiscencia de Películas de a-Si:H:F". Julio G.

Mendoza-Alvarez, Gerardo Torres D.,Jesús González H., Anais do Simposo Latininoamericano de Fisica dos Sistemas Amorfos, Niteroi (RJ), Brasil, Feb. 27-Marzo 2, 1984, p.377.

9.- "Optical Characterization of Doped CdTe Films for Photovoltaic Devices". J.G.Mendoza-Alvarez,

F.Sánchez-Sinencio, M.Cárdenas, O.Zelaya, B.S.H.Royce, Technical Digest of the International PVSEC-1, Kobe, Japan, p.249 (1984).

10.- "Concepto Básicos, Funcionamiento y Aplicaciones de los láseres". Julio G. Mendoza Alvarez,

Elementos, Vol. 1, No. 3, p.3 (1985). 11.- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas Delgadas Semiconductoras". Julio G. Mendoza

Alvarez. Trabajo Invitado. Memorias del Tercer Taller de Física de Superficies, Eds. R. G. Barrera, W. L. Mochan y L.E. Regalado. México, D.F. 1986, p.129.

12.- "Caracterization of CdTe Films, Useful in All Thin-Films Solar Cells. I. Cd Vacancies and

Photoluminiscent Spectra". J.M.Figueroa, C.Vázquez-López, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya, Thin Films-Interfaces and Phenomena, (MRS Vol. 54), Eds. R.J. Nemanich, P.S. Ho and S.S. Lau. Elsevier Science Publish. Co., New York 1986, p.379.

13.- "Photoluminescence and Photoconductivity Studies on a-Si:H". J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres,

J.González-Hernández, Semiconductor-on-Insulator and Thin Film Transistor Technology

7

(MRS Vol. 53), Eds. A. Chiang, M.W.Geis and L.Pfeiffer. Elsevier Science Publish. Co. New York 1986, p.465.

14.- "Influence of Cd-Vacancies on the Photoluminescence of CdTe". Juan M. Figueroa, F.Sánchez-

Sinencio, J.G.Mendoza-Alvarez, O.Zelaya, C.Vázquez-López, J.S.Helman, Journal of Applied Physics, Vol. 60, p. 452 (1986).

15.- "Sugerencias sobre los Criterios de Evaluación del SNI". Ciro Falcony Guajardo, Gerardo González

de la Cruz, Isaac Hernández-Calderón, Julio Mendoza-Alvarez, Juan Luis Peña-Chapa y Feliciano Sánchez-Sinencio, Ciencia, Vol. 37, p.3 (1986).

16.- "Structure and Electrical Properties of r.f. Sputtered Cd1-xFexTe Thin Films". O.A. Fregoso, J.G.

Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, Lectures on Surface Science, Eds. M. Cardona, G.R. Castro (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1987), p. 52.

17.- "Growth of Polycrystalline CdTe Films by Hot Walls Close-Spaced Vapor Transport Technique".

O.Zelaya, F.Sánchez-Sinencio, J.G.Mendoza-Alvarez, J.L.Peña, Lectures on Surface Science, Eds. M. Cardona, G.R. Castro (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg 1987), p. 60.

18.- "Use of Depletion-Edge-Translation for High Speed Modulation and Switching of Lightwaves".

L.A. Coldren, J.G. Mendoza-Alvarez, T.C. Huang, T.R. Hausken, K.W. Lee, R.H. Yan, Interim Report of the Air Force Office for Scientific Research, Contract #85-0323, 8/86-2/87, May 1987.

19.- "Thermal Annealing Effects on Amorphous Radio Frequency Sputtered Cd0.95Fe0.05Te Thin Films".

O. Alvarez-F., J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Saul Romero, M.A. Vidal, Journal of Vacuum Science & Technology A, Vol. 5 (4), p. 1798 (1987).

20.- "Use of Photoluminescence Spectroscopy to Characterize the Crystalline Quality of CdTe Films

Grown by a Modified CSVT Technique". J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, O.Zelaya, J.González-Hernández, M. Cárdenas, S.S.Chao, Modern Optical Characterization Techniques for Semiconductors and Semiconductor Devices, Eds. O.J. Glembocki, Fred H. Pollak, J.J. Song, Proc. of the SPIE, Vol. 794, p. 38 (1987).

21.- "Design of Optimized High-Speed Depletion-Edge-Translation Optical Waveguide Modulators in

III-V Semiconductors". L.A. Coldren, J.G. Mendoza-Alvarez, R.H. Yan, Applied Physics Letters, Vol. 51, p. 792 (1987).

22.- "Contribution of the Band-Filling Effect to the Effective Refractive Index Change in Double

Heterostructure GaAs/AlGaAs Phase Modulators". J.G. Mendoza-Alvarez, R.H. Yan, L.A. Coldren, Journal of Applied Physics, Vol 62, p. 4548 (1987).

23.- "Optical Waveguide Phase Modulators in AlGaAs/GaAs with Very High Figures-of-Merit". T.R.

Hausken, K. Lee, R. Simes, R. Yan, J. Mendoza-Alvarez, N.Dagli, L.A. Coldren, K. Pedrotti, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. Ed-34, p. 2363 (1987).

24.- "Estudio de Problemas de Homogeneidad en el Crecimento de Películas Delgadas de CdTe por la

Técnica GREG", J. Landa García, M. Cárdenas García, G. Contreras Puente, A. Díaz Góngora, J.G. Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, Memorias del VII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Morelia, Mich. México, Sept. 1987, p. 91.

8

25.- "Influencia de la Temperatura de Crecimiento y de Tratamientos Térmicos en las Propiedades Opticas de Películas Delgadas de CdTe". S.Jiménez-Sandoval, M.Meléndez-Lira, I.Hernández-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias del VII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Morelia, Mich., México, Sept. 1987, p. 166.

26.- "Moduladores de Radiación Optica de GaAs/AlGaAs basados en la Traslación de la Región de

Agotamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldren, T. Hausken, R. H. Yan, K. Lee, Memorias del VII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Morelia, Mich. México, Sept. 1987, p. 55.

27.- "Optical Waveguide Phase-Shifters for High-speed Signal Processing." L.A. Coldren, J.G.

Mendoza-Alvarez, T. R. Hausken, K.W. Lee, T.C. Huang and R. H. Yan, Annual Report to Rockwell International Science Center, Jan. 1988.

28.- "Microcrystalline Grain Size Growth in Cd0.95Fe0.25Te Thin Films" Octavio Alvarez-Fregoso, A.

Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, Journal of Crystal Growth, Vol. 86, p. 401 (1988).

29.- "Luminescence and Particle Size in Microcrystalline CdTe Thin Films". J.G. Mendoza-Alvarez, J.

González-Hernández, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, S.S. Chao, Journal of Crystal Growth, Vol. 86, p. 391 (1988).

30.- "Large Grain Size CdTe Films Grown on Glass Substrates". O. Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J.G.

Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G.Hirata-Flores, Journal of Applied Physics, Vol. 63, p. 410 (1988).

31.- "Analysis of Depletion Edge Translation Lightwave Modulators", J.G. Mendoza-Alvarez, L.A.

Coldren, A. Alping, R.H. Yan, T. Hausken, K. Lee, K, Pedrotti, Special Issue on Integrated optics, IEEE Journal of Lightwave Technology, Vol. 6, p. 793 (1988).

32.- "Use of Depletion Edge Translation for High-Speed Modulation and Switching of Lightwaves".

L.A. Coldren, J.G. Mendoza, T.R. Hausken, K.W.Lee, R.J. Simes, and R.H. Yan, AFOSR #85-0323 INTERIM REPORT, 3/1/87-2/29/88, UCSB, May 1988.

33.- "High Speed Quantum-Well Optoelectronic Devices by MBE", L.A. Coldren, H.Kroemer, J.L.

Merz, I. Suemune, J.G. Mendoza-Alvarez, R.J. Simes R.S. Geels, R.H. Yan, Progress Report to the Air Force Research Office-SDIO Program, May 1988.

34.- "The Growth and Structure of Cd0.95Fe0.05Te Thin Films Grown by Radio Frecuency Sputtering". O.

Alvarez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, A. Huanosta, Journal of Applied Physics Vol. 64, p. 3928 (1988).

35.- "Estudio de la Reflectividad en Películas de GaAs Crecidas por la Técnica LPE en el Rango de 2.4 a

6.2 eV". C. Mejía García, G. Contreras Puente, M. Cárdenas García, J.A. Díaz Góngora, G. Torres Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias del VIII Congreso Nacional de Fisica de Superficies e Interfaces, Guanajuato, Gto. Agosto 1988, p. 47.

36.- "Propiedades Eléctricas de Capas Cristalinas del Ferroeléctrico Bi4Ti3O12". A. Huanosta, O.

Alvarez-Fregoso, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, J.G. Mendoza-Alvarez, Memorias

9

del VIII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces, Guanajuato, Gto., Agosto 1988, p. 154.

37.- "Photoreflectance of r.f. Sputtered Cd1-xFexTe Thin Films". C. Vázquez-López, F. Cerdeira,

F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, Octavio Alvarez-Fregoso, Journal of Materials Science, Vol. 24, p. 1053 (1989).

38.- "La Microelectrónica Optica", Julio G. Mendoza Alvarez, Avance y Perspectiva, Vol. 8, Num. 37,

p. 15, Mayo 1989. 39.- "Amorphous and Polycrystalline Cd0.95Fe0.05Te Thin Films Studied by Conversion Electron

Mossbauer Spectroscopy". E. Galvão da Silva, R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, Octavio Alvarez-F., and J.G. Mendoza-Alvarez, Solid State Communications, Vol. 72, p. 1059 (1989).

40.- "Photoluminescence Spectra and Carrier Mobilities in Polycrystalline Films of CdTe". J.M.

Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, Belo Horizonte, MG (Brazil). Jan23-Feb.4, 1989. Eds. A.S. Chaves, A.G. de Oliveira, C.T.E. Goncalves da Silva. World Scientific Publish., p. 244.

41.- "AES Analysis of CdTe:In and CdTe:Sb" O. Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, J.G.

Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G. Soto, Fourth Brazilian School of Semiconductor Physics, Belo Horizonte, MG (Brazil). Jan.23-Feb.3 1989. Eds. A.S. Chaves, A.G. deOliveira, C.E.T. Goncalves da Silva. World Scientific Publish., p. 252.

42.- "R.F. Sputtering Growth and Characterization of CdTe:In Thin Films". Alberto Herrera, Francisco

Larios, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, O. Alvarez-F., M.H. Farias, L. Cota-Araiza, G. Soto. Proc. of the 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference, Freiburg, RFA. Sept. 25-29, 1989. Eds. W. Palz, G.T. Wrixon and P. Helm. Kluwer Academic Publish. Dordrecht/Boston/London 1989. p.490.

43.- "Optimización de Moduladores Opticos de tipo GaAs/AlGaAs" G. González de la Cruz, J.G.

Mendoza-Alvarez, Superficies y Vacío, Vol. 1, p 118 (1989). 44.- "Conductividad Electrica, Estructura y Composición de Películas Delgadas de CdSbTe". O.

Alvarez-Fregoso, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, Superficies y Vacío, Vol. 1, p. 77 (1989).

45.- "The Photoreflectance Spectra of AlxGa1-xAs/GaAs Junctions". M. Meléndez-Lira, I. Hernández-

Calderón, G.Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, Superficies y Vacío, Vol. 1, p. 66 (1989). 46.- "Efecto de la Temperatura de Substrato sobre la Estructura de Cd1-xFexTe en Película Delgada".

Octavio Alvarez-F., Alfonso Huanosta, J.G.Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Revista Cubana de Fisica, Vol. IX, p. 169 (1989).

47.- " Analysis of Growth Inhomogeneities in CdTe Films by SEM and Photoluminescence Studies". J.

Landa-García, M. Cárdenas, G. Contreras-Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, Journal of Vacuum Science & Technology, Vol. A8, p. 79 (1990).

10

48.- "Photoluminescence Characterization of the Surface Layer of Chemically Etched CdTe". J. García-García, J. González-Hernández, J.G. Mendoza-Alvarez, Elías López-Cruz, Gerardo Contreras-Puente, Journal of Applied Physics, Vol. 67, p. 3810 (1990).

49.- “Conversión Electrón Mossbauer-Spectroscopy of rf-Sputtered Cd0.95Fe0.05Te Thin Films”. E.G. da

Silva, R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, O.A. Alvarez-Fregoso, and J.G. Mendoza-Alvarez, Hyperfine Interactions, Vol. 57, p. 1839 (1990)

50.- "CdTe and CdMTe (M=Fe, In, Sb) Thin Films Studied by Mossbauer Spectroscopy and Other

Techniques" Feliciano Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, A. Herrera, F. Larios, O. Alvarez-Fregoso, J.M. Figueroa, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, E. Galvão da Silva, R.B. Scorzelli, M.H. Farias, L. Cota-Araiza, G. Soto, Thin Solid Films, Vol. 193/194, p. 382 (1990).

51.- "Photoluminescence Spectra and Carrier Mobilities in Polycrystalline Films of CdTe". J. M.

Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, Journal of Crystal Growth, Vol. 106, p. 651 (1990).

52.- "Películas de CdTe Crecidas por Erosión por Radio Frecuencia en Atmósfera de Ar-N". F.J.

Espinoza-Beltrán, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez, C. Vázquez-López, C. Alejo-Armenta, M. Farías, L. Cota-Araiza, Superficies y Vacío, Vol. 2, p. 22 (1990).

53.- "AC Impedance Analysis on Crystalline Layered and Polycrystalline Bismuth Titanate". A.

Huanosta, O. Alvarez-Fregoso, E. Amano, C. Tabares-Muñoz, M.E. Mendoza-Alvarez, J.G. Mendoza-Alvarez. Journal of Applied Physics, Vol. 69, p. 404 (1991).

54.- "Variable Energy Gap in Oxigenated Amorphous Cadmium Telluride". F.J. Espinoza-Beltrán, F.

Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, C. Alejo-Armenta, C. Vázquez-López, M. Farias, L. Cota-Araiza, J. L. Peña, L. Baños, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 30, No. 10A, p. L1715 (1991).

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TESIS DIRIGIDAS:

1.-- "Estudo com Aproximação Analitica para Guias de Onda Ativos" Tesis de Maestría en Física. Co-Director. Deisy P. Munhoz Fisher. Instituto de Física. Universidade Estadual de Campinas. Campinas, S.P. Brasil, 1981.

2.-- "Modos Transversales en la Cavidad Fabri-Perot de un Laser Semiconductor de GaAs/GaAlAs de

Heteroestructura Doble". Tesis de Licenciatura en Física. Director. Sergio J. Jiménez Sandoval. Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. México, D.F. México. Enero de 1982.

3.-- "Evolución de las Propiedades Opticas de Películas de a-Si:H:F con el Tratamiento Térmico". Tesis

de Maestría en Física. Director. Gerardo Torres Delgado. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. Mexico, D.F., México. Febrero de 1983.

4.-- "Propiedades Opticas y Estructurales de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por el Método

GREG". Tesis de Maestría en Física. Director. Modesto Cárdenas García. Departamento de Física, Cinvestav-IPN . México, D. F., México. Abril de 1984.

5.-- "Caracterización de Películas Policristalinas de CdTe Crecidas por la Técnica de Transporte de

Vapor en Espacio Cerrado con Paredes Calientes". Tesis de Doctorado en Física. Co-Director. Orlando Zelaya Angel. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D. F. México. Noviembre de 1985.

6.-- "Estudio de la Implantación Ionica en Películas de CdTe". Tesis de Maestría en Física.

Director. Raúl E. Gómez Barengo. Escuela Superior de Física y Matemáticas del IPN. México, D. F. México. Diciembre de 1986.

7.-- "Crecimiento y Caracterización de Películas de GaAs y AlxGa1-xAs Crecidas por Epitaxia en Fase

Liquida". Tesis de Doctorado en Física. Director. Gerardo Torres Delgado. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D. F., México. Julio de 1989.

8.-- "Fotorreflectancia en Semiconductores Defectuosos". Tesis de Doctorado en Física. Co-

Director. Castulo Anselmo Alejo Armenta. Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico. Marzo de 1993.

9.-- "Fotoluminiscencia de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por CSVT y MBE". Tesis de

Maestría en Física. Director. José Luciano Moyotl Coyomani. Instituto de Física de la Universidad Autónoma de Puebla, Puebla, Pue., Mexico. Marzo de 1995.

10.- “Estudio mediante Fotorreflectancia del Arsenuro de Galio Epitaxial con Impurezas de Estaño”.

Tesis de Licenciatura en Física. Co-Director. Ana María López Beltrán. Escuela de Ciencias Físico-Matemáticas de la Universidad Autónoma de Sinaloa. Culiacán, Sin. Septiembre de 1996.

11.- “Niveles Donadores de Estaño en GaAs Estudiados por Fotorreflectancia”. Tesis de Maestría en

Física. Co-Director. Ana María López Beltrán. Escuela de Ciencias Físico-Matemáticas de la Universidad Autónoma de Sinaloa. Culiacán, Sin. Enero del 2000.

19

12.- “Aplicación de la Técnica Fotoacústica al Estudio de Procesos de Recombinación en Semiconductores”. Tesis de Doctorado en Física. Co-Director. Ines Reich. Facultad de Física de la Universidad de La Habana. La Habana, Cuba. Febrero del 2000.

13.- “Crecimiento de Películas Semiconductoras Nanocristalinas de GaAs”. Tesis de Maestría en Física.

Director. Fernando Gordillo Delgado. Departamento de Física, CINVESTAV-IPN. México. Diciembre del 2000.

14.- “Caracterización Optica y Estructural de Películas de GaInNAs Crecidas por Sputtering de Radio

Frecuencia”. Tesis de Maestría en Física. Director. Jairo Armando Cardona Bedoya. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México. Diciembre del 2000.

15.- “Desarrollo de Películas Semiconductoras de GaNxAs1-x con Banda Prohibida Variable en Todo el

Rango Visible”. Tesis de Doctorado en Física. Director. Jairo Armando Cardona Bedoya. Departamento de Física, Cinvestav-IPN. México, D.F. México. Marzo de 2004.

16.- “Estudio de Heteroestructuras de InxGa1-xAsySb1-y/GaSb para Usarse en la Fabricación de

Fotodetectores en el Infrarrojo Medio”. Tesis de Maestría en Tecnología Avanzada. Director. María Lucero Gómez Herrera. Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada del IPN. México. 4 de Febrero de 2004.

17.- “Caracterización optica de peliculas de GaN(x)As(1-x) crecidas sobre substratos de silicio”. Tesis

de Maestría en Tecnología Avanzada. Director. José Saúl Arias Cerón. Centro de Investigación en Ciencia Avanzada y Tecnología Avanzada del IPN. México. En Proceso.

18.- “Fotocatálisis de hidrocarburos aromáticos por medio de películas semiconductoras de óxidos de

titanio micro y nanocristalino”. Tesis de Doctorado en Tecnología Avanzada. Director. Alex Enrique Florido Cuéllar. Centro de Investigación en Ciencia Avanzada y Tecnología Avanzada del IPN. México. En Proceso.

19.- “Estudio de celdas solares tándem de alta eficiencia de semiconductores III-V en base a la técnica

de fusión”. Tesis de Doctorado en Tecnología Avanzada. Director. María Lucero Gómez Herrera. Centro de Investigación en Ciencia Avanzada y Tecnología Avanzada del IPN. México. En Proceso.

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TRABAJOS PRESENTADOS EN CONGRESOS INTERNACIONALES: 1.-- "Xerographic Discharge of Orthorhombic Sulfur Single Crystals". C. Falcony, J. Mendoza, F.

Sánchez-Sinencio, A. Many, J. S. Helman. International Simposium on Electrets and Dielectrics. São Carlos, SP. Brasil. Sept. 1975.

2.-- "Calculos do Indice de Refreção para a Regiao Ativa de um Laser de GaAs". J.G. Mendoza-

Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 30a. Reunião Anual da Sociedade Brasileira para o Progresso da Ciencia (SBPC). São Paulo (SP), Brasil. Julio 1978.

3.-- "Dependencia da Densidade de Estados com a Injeção e Temperatua\ra de GaAs Altamente

Dopado". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 31a. Reunião Anual da SBPC. Fortaleza (CE). Brasil. Julio 1979.

4.-- "Influencia dos Portadores Livres no Indice de Refraçäo do GaAs Altamente Dopado". J.G.

Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel, Idem. 5.-- "Estudo de Modos näo-Gaussianos para Laseres de Semicondutor". F.D. Nunes, J.G. Mendoza-

Alvarez. Idem. 6.-- "Perfil do Indice de Refração para Laseres de Heteroetructura Dupla de GaAs". J.G. Mendoza-

Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 32a. Reunião Anual da SBPC. Rio de Janeiro (RJ). Brasil. Julio 1980.

7.-- "Refractive Index Variation with Injected Carrier Density in Stripe GaAs Lasers". J.G. Mendoza-

Alvarez, F.D. Nunes, N.B. Patel. 1981 March Meeting of the American Physical Society (APS). Phoenix, AR. USA. Marzo 1981.

8.-- "Non-Parabolicity Band Effects on the Absorption Coefficient of Gaas". J.G. Mendoza-Alvarez,

1982 March Meeting of the APS, Dallas, Tx. Marzo 1981. 9.-- "Non-Stoichiometry Detection in CdTe Thin Films by using Photothermal Deflection

Spectroscopy". J.G. Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, C. Menezes, R. Triboulet. 1983 March Meeting of the APS. Los Angeles, CA. USA. Marzo 1983.

10.-- "Fotoluminiscencia de Películas Delgadas de CdTe Crecidas por la Técnica GREG". J.G.

Mendoza-Alvarez, M. Cárdenas, O. Zelaya-Angel, C. Menezes. VIII Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido. Oaxtepec, Mor. México. Julio 1983.

11.-- "Caracterización de Películas Delgadas de CTe". O. Zelaya, C. Menezes, F. Sánchez-Sinencio,

Julio Mendoza-Alvarez, Idem. 12.-- "Estudios de Fotoluminiescencia en Películas Delgadas de a-Si:H:F". Gerardo Torres, Julio G.

Mendoza-Alvarez, Jesús González H., Idem. 13.-- "Influencia del Tratamiento Térmico en la Fotoluminiscencia de a-Si:H:F". Julio G. Mendoza-

Alvarez, Gerardo Torres D., Jesús González. 1er. Simposio Latinoamericano de Física dos Sistemas Amorfos, Niteroi, RJ., Brasil. Febrero 1984.

21

14.-- "Electroluminescent Device ZnSe-Electrolyte". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, W.M. Yim. 1984 March Meeting of the APS. Detroit MI. USA. Marzo 1984.

15.-- "Optical and Electrical Properties of Doped CdTe Films", J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-

Sinencio, O. Zelaya-Angel, M. Cárdenas, C. Menezes, B.S.H. Royce. Idem. 16.-- "Influencia de la Temperatura de Substrato en Películas Evaporadas de CdTe". Ethelvina Murillo

de Escobar, Orlando Zelaya, Julio Mendoza. III Simposio Latinoamericano de Física de Superficies, Pequeñas Partículas y Películas Delgadas. San José, Costa Rica. Sept. 1984.

17.-- "Effect of Grain Size on the Photoluminescence of CdTe Films". J.G. Mendoza-Alvarez, M.

Cárdenas, O.Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J. González-Hernández, S.S. Chao. 1985 March Meeting of the APS. Baltimore, ML. USA. Marzo 1985.

18.-- "Controlled Production of Cd Vacancies in CdTe Thin Films and its Influence on

Photoluminescente Spectra". J.M. Figueroa, C.Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem.

19.-- "Characterization of CdTe Films. Useful in All-Thin-Film Solar Cells. I. Cd Vacancies and

Photoluminescent Spectra". J.M. Figueroa, C. Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya. 1985 Fall Meeting of the Materials Research Society. Boston, Mass. USA. Dic. 1985.

20.-- "Photoluminescence and Photoconductivity Studies on a-Si:H". J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres,

J. González-Hernández. Idem. 21.-- "Characterization of Doped HW-CSVT-Grown CdTe Thin Films". J.M. Figueroa, F. Sánchez-

Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, A. Díaz-Góngora. 1986 March Meeting of the APS. Las Vegas, Nev. USA. Marzo 1986.

22.-- "CdFeTe Thin Films: Amorphous and Polycrystalline Characteristics". Octavio Alvarez F., J.G.

Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, J.L. Peña, Idem. 23.-- "Grain Size Characterization in CdTe Films Grown by Close-Spaced-Vapour Transport with Hot

Walls". O.Zelaya, J.G. Mendoza-Alvaez, F.Sánchez-Sinencio, M. Cárdenas, M.Farias. Idem. 24.-- "Characterization of CdTe Thin Films Deposited by r.f. Sputtering" I. Hernández-Calderón,

J.Mendoza-Alvarez, J.L. Peña, S. Jiménez-Sandoval, F. Sánchez-Sinencio. Idem. 25.-- "Efectos de la Degradación Inducida por la luz de Películas de Silicio Amorfo Hidrogenado" Julio

G. Mendoza-Alvarez, Gerardo Torres D., Jesús González. (Conferencia invitada). II Simposio Latinoamericano de Física de Sistemas Desordenados y Amorfos. San Luis Potosí, S.L.P. México. Mayo 1986.

26.- "Transición Amorfo-Policristalino en Películas de CdFeTe Crecicas por r.f. Sputtering" Octavio

Alvarez, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, Miguel Angel Vidal B. Idem. 27.-- "Propiedades Estructurales y Eléctricas de Películas Delgadas de Cd1-xFexTe Depositadas por r.f.

Sputtering". Octavio Alvarez Fregoso, J.G. Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, S. Romero, J.L. Peña. IV Simposio Latinoamericano de Física de Superficies. Caracas, Venezuela. Julio 1986.

22

28.-- "Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe Mediante la Técnica Transporte de Vapor en Espacio

Reducido con Paredes Calientes". O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem. 29.- "Thermal Annealing Effects on Amorphous r.f. Sputtered CdFeTe Thin Films". O. Alvarez, J.G.

Mendoza Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, M.A. Vidal. 6th International Conference on Solid Surface and 10th International Vacuum Congress. Baltimore, Maryland, USA. Octubre 1986.

30.- "Mossbauer Study of r.f. Sputtered Cd(0.95)Fe(0.05)Te Thin Films". E.G. da Silva, R.B. Scorzelli,

F. Sánchez-Sinencio, O. Alvarez-F., J.G. Mendoza-Alvarez. III Escola Brasileira de Física de Semiconductores. Campinas. SP. Brasil. Febrero 1987.

31.- "Crecimiento de Grano en Películas Delgadas de Cd(1-x)Fe(x)Te". O. Alvarez-F., Alfonso

Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 32.- "Use of Photoluminescence Spectroscopy to Chracterize the Crystalline Quality of CdTe Films

Grown by a Modified CSVT Technique". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, J. González-Hernández, M. Cárdenas, S.S. Chao, First Symposium on Semiconductors and Semiconductor Structures SPIE. Panama City. Fla. USA. Marzo 1987.

33.- "Optical Waveguide Phase Modulators in AlGaAs/GaAs with Very High Figures-of-Merit". T.R.

Hausken, K. Lee, . Simes. R. Yan, J. Mendoza-Alvarez, N. Dagli and L.A. Coldren. 45th Annual Device Research Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987.

34.- "La Microelectrónica Optica y su Aplicación a Comunicaciones, Circuitos Integrados y

Computadores Opticos" Julio G. Mendoza-Alvarez. (Conferencia Invitada). I Escuela Latinoamericana de Física Aplicada. Cancún, Q. Roo México Julio 1987.

35.- "Luminescence and Particle Size in Microcrystalline CdTe Thin Films". J.G. Mendoza-Alvarez, J.

González-Hernández, F.Sánchez-Sinencio, O. Zelaya, M. Cárdenas, S.S. Chao, Third International Conference on II-VI Compounds. Monterey, CA. USA. Julio 1987.

36.- "Growing of the Microcrystalline Grain Size in Cd0.95Fe0.05Te Thin Films". O. Alvarez-F., A.

Huanosta, F.Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 37.- "Efecto de la Temperatura de Substrato sobre la Estructura de Cd1-xFexTe en Película Delgada"

Octavio Alvarez-F., Alfonso Huanosta, J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio. X Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido. La Habana, Cuba. Dic. 1987.

38.- "Mechanisms Responsible for Phase Variation in n-GaAs/p-AlGaAs Waveguide Phase

Modulators". Julio G. Mendoza-Alvarez, Winter College on Laser Physics: Semiconductor Lasers and Integrated Optics. International Centre of Theoretical Physics. Trieste, Italy. Feb. 22-March 11, 1988.

39.- "Photoluminescence Spectra and Charge Carrier Mobility in CdTe Polycrystalline Films". J.M.

Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora. 1988 March Meeting of the APS. New Orleans, Louisiana. USA. Marzo 1988.

23

40.- "Photoluminescence and SEM Studies of Growth Inhomogeneities in CdTe Films". J. Landa-García, M.Cárdenas, G.Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora, J.G. Mendoza-Alvarez, F.Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. Idem.

41.- "Fotoreflectãncia em Filmes de Cd(1-x)Fe(x)Te". C. Vázquez-López, F. Cerdeira, F. Sánchez-

Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez e O. Alvarez-Fregoso. XI Encontro Nacional de Física da Materia Condensada. Caxambu, MG, Brasil. 9-13 Maio 1988.

42.- "Conversion Electron Mossbauer Spectroscopy Study of r.f. Sputtered Cd(0.95)Fe(0.05)Te Thin

Films". E. Galvão da Silva. R.B. Scorzelli, F. Sánchez-Sinencio, Octavio Alvarez-F., J.G. Mendoza-Alvarez, Latin American Conference on the Applications of the Mossbauer Effect. Río de Janeiro, RJ, Brasil. 31 Oct.-4 Nov., 1988.

43.- "AES Analysis of CdTe:In and CdTe:Sb". A. Herrera, F. Larios, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya,

J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, M. Farías, L. Cota-Araiza. 4a. Escola Brasileira de Fisica de Semiconductores. 23/01-03/02, 1989. UFMG. Belo Horizonte, Minas Gerais. Brasil.

44.- "Espectro de Fotoluminiscencia y Movilidad de Portadores en Películas Policristalinas de CdTe".

J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora. Idem.

45.- "GaAs/AlGaAs Optical Waveguide Phase Modulators: Optimization of Guiding Layer Doping".

Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem. 46.- "Optical Characterization of the Ferroelectric Ferroelastic Perovskite BiFeO3". C. Tabares-Muñoz,

M.E. Mendoza-Alvarez, I. Hernández-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez, 1989 March Meeting of the APS. Marzo 1989. New Orleans, LO. USA.

47.- "Study of Grain Size Growth in CdTe Films". J.G. Mendoza-Alvarez. Workshop on Materials

Science and Physics of Non-Conventional Energy Sources. 11-29 September, 1989. ICTP Trieste, Italy.

48.- "Charge Carrier Transport and Photoluminescence Spectra in CdTe Polycristalline Thin Films".

J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Fourth International Conference on II-VI Compounds. 17-22 September, 1989. Berlin, Federal Republic of Germany .

49.- "R.F. Sputtering Growth and Characterization of CdTe:In Thin Films". A. Herrera, F. Larios, F.

Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, O. Alvarez, M.H.Farías, L. Cota-Araiza, G. Soto. 9th European Photovoltaic Solar Energy Conference. 25-29 September, 1989. Freiburg, Federal Republic of Germany.

50.- "Optical and Structural Properties of CdTe Films Grown on GaAs and Si Substrates". J.G.

Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Torres-Delgado, F. Sánchez-Sinencio, 11th International Vacuum Congress. 25-29 September, 1989. Cologne, Federal Republic of Germany.

51.- "Thermoreflectance Studies of Cd1-xFexTe Thin Films". J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso,

F. Sánchez-Sinencio, H. Ariza-Calderón, A. Lastras-Martínez. Idem. 52.- "Photoreflectance Study of AlxGa1-xAs/GaAs(100) Heterojunctions". M. Meléndez-Lira, G. Torres-

Delgado, I. Hernández-Calderón, J.G. Mendoza-Alvarez. 36th National Symposium of the American Vacuum Society. October 23-27, 1989. Boston, Mass. USA.

24

53.- "Substrate Influence on the Optical Properties of Undoped GaAs Epilayers Grown by LPE". G.

Torres-Delgado, J.A. Díaz-Góngora, G. Contreras-Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, 1990 March Meeting of the APS. March 12-16, 1990. Anaheim, CA. USA.

54.- "Efecto de la Temperatura de substrato sobre la Cristalinidad y Conductividad de Películas

Delgadas de Cd3Sb2Te3 "Octavio Alvarez-Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, XI Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido. Marzo 19-23, 1990. Caracas, Venezuela.

55.- "Caracterización de Películas Delgadas de CdxSbyTez Elaboradas por r.f. Sputtering" O. Alvarez-

Fregoso, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, M. Farías, L. Cota-Araiza, Idem. 56.- "Photoluminescence Characterization of the Crystalline Quality in Intrinsic GaAs Epitaxial Layers".

G. Torres-Delgado, B.E. Zendejas, J.G. Mendoza-Alvarez, (Conferencia Invitada). Sexto Simposio Latinoamericano de Física de Superficies, Cusco, Perú, 3-7 Septiembre 1990.

57.- "Dispersive Transient Chrge Carrier Transport in Polycrystalline Films of CdTe". F Sánchez-

Sinencio, J.M. Figueroa, R. Ramírez-Bon, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, G. Contreras-Puente, A. Díaz-Góngora. Idem.

58.- "Structure and Optical Characterization of ZnxCd1-xTe Thin Films Prepared by the Close Spaced

Vapor Transport Method". J. González-Hernández, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez, E. López-Cruz, D.A. Pawlik, D.D. Allred. 37th National Symposium of the American Vacuum Society, October 8-12, 1990. Toronto, Canadá.

59.- "Oxigenated Amorphous Cadmium Telluride Thin films Grown by r.f. Sputtering". F.J. Espinoza-

B., F. Sánchez-S., O. Zelaya, J. Mendoza-A., C. Vázquez-L., C. Alejo-A., M.H. Farías, L. Cota, G. Soto, J.L. Peña, J.A. Azamar, L. Baños. 5th Brazilian School on Semiconductor Physics, Feb. 4-8, 1990. Sao Paulo, Brasil.

60.- "Characterization of Zn(x)Cd1-x)Te Films Grown by Close Spaced Transport Technique". J.

González-Hernández, O. Zelaya, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 61.- "Photoluminescence Characterization of CdTe Layers Grown on (211) GaAs Substrates by MBE"

J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado, J.M. Arias. Idem. 62.- "Sn and Ge Low Doping Effects on the Crystalline Quality of GaAs Layers Grown by LPE". G.

Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, B.E. Zendejas. Idem. 63.- “Characterization of the a-CdTe:O Ternary Compound Growth by rf Sputtering”. F.J. Espinoza-

Beltran, F. Sanchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez, Seventh Latin-American Symposium on Surface Physics (SLAFS 7), Nov. 15-20, 1992. Bariloche, Argentina.

64.- “Energy Band Gap Temperature Dependence of CdTe:O”. O. Zelaya, F.J. Espinoza-Beltran, R.

Ramirez-Bon, E. Lopez-Cruz, G. Torres-Delgado, F. Sanchez-Sinencio, and J. Mendoza-Alvarez. Idem.

65.- “Study of Ge-related Impurity Levels in AlxGa1-xAs Epilayers by Photoluminescence”. G. Torres-

Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, M. Cardenas-Garcia, G. Contreras-Puente and C. Mejia-Garcia. Idem.

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66.- “Thermoreflectance Studies in Cd1-xFexTe Thin Films”. H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez,

O. Alvarez-Fregoso, F. Sanchez-Sinencio, Frontiers in Information Optics, April 4-8, 1994. Kyoto, Japan.

67.- “Characterization of GaAs and GaAs:Si Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy”. J.

Fuentes, R. Leon, A. Montaigne, I. Riech, A. Serra, J.A. Rodríguez, J.L. Peña, P. Bartolo-Pérez, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Egorov, VIII Congreso Latinoamericano de Ciencias de Superficies y sus Aplicaciones, Sept. 19-23, 1994. Cancún, QR, México.

68.- “Future of Photovoltaic Materials and All-Thin-Film Devices”. D. Stolik, O. Vigil, O. Zelaya-

Angel, J. Mendoza, Idem. 69.- “Photoluminescence Measurements in CdS Thin Films under Phase Transformations”. H. Ariza-

Calderon, R. Lozada-Morales, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, J. Mendoza-Alvarez. Idem. 70.- “Thermally Stimulated Current Studies in CBD CdS Thin Films”. O. Vigil, D. Stolik, R. Lozada-

Morales, O. Zelaya-Angel, J. Mendoza. Idem. 71.- “Quantum Well AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by the Low Temperature LPE Technique”.

P. Diaz-Arencibia, G. Torres-Delgado, J. Mendoza-Alvarez, T. Prutskij, F. Chavez, F. Silva de Andrade. Idem.

72.- “Raman Spectra of YBa2Cu3O7-x Thin Films Grown on Bi4Ti3O12 Layered Crystals”. M.E.

Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, G. Torres-Delgado, O. Alvarez-Fregoso, O. Zelaya-Angel, R. Silva-González, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

73.- “Substrate Influence on Structure and Morphology of YBCO Films”. O. Alvarez-Fregoso, A.

Leyva, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares-Muñoz, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem. 74.- “Three Wavelength Emitter and Detecting Sensor”. J. Mendoza, P. Rodriguez, G. Torres, B.

Gonzalez, M. Hernandez, A. Iribarren, M.V. Mederos, E. Puron, A. Ramirez, I. Riech, G. Santana, E. Vega, E. Vigil, V Encuentro Latinoamericano sobre Optica, Láseres y sus Aplicaciones, Nov. 20-25, 1995. La Habana, Cuba.

75.- “Thermal Characterization of AlxGa1-xAs Alloys by Means of the PA Technique”. A. Cruz-Orea, E.

Marin, J.L. Pichardo, J.J. Alvarado-Gil, H. Vargas, G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

76.-“Structural, Optical and Electrical Properties of the CdSbTe Compound”. F.J. Espinoza-Beltran, R.

Ramirez-Bon, A. Picos-Vega, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, O. Zelaya-Angel, M. Farigs, International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films, April 22-26, 1996. San Diego, California, USA.

77.- “Photoluminescent Properties of Indium Doped CdTe Films Grown by CSVT-FE Technique”. J.L.

Peña, C. Trallero, R. Castro-Rodríguez, I. Reich, J.G. Mendoza-Alvarez. IV International Conference on Advanced Materials, Aug. 27- Sept. 1st, 1995. Cancún, QR. México

78.- “Photoacoustic Analysis of Heat Sources in GaAs”. I. Reich, I. Delgadillo, M.E. Rodríguez, J.J.

Alvarado-Gil, C. Vázquez-López, J. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, P. Diaz, H. Vargas. Idem.

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79.- “Distribution of Localized Levels in Chemical Bath Deposition CdS: Influence of Thermal Annealing”. O. Vigil, E. Vasco, J. Mendoza, O. Zelaya. Idem.

80.- “Quantum Confinement Effects of CdxNi1-xTe Sputtered Thin Films”. O. Alvarez-Fregoso, J.G.

Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel. 10th International Conference on Thin Films, Sept. 23-27, 1996. Salamanca, España.

81.- “LO-Phonon Energy Dependence on Al Concentration in AlxGa1-xAs Epitaxial Layers for x>0.4”.

G. Torres-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, P. Diaz-Arencibia, A. Serra-Jones. Idem. 82.- “Direct Bandgap (E0) Determination in AlxGa1-xAs Epitaxial Layers in the Indirect Band Range

0.4<x<0.9”. H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado. Sixth International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces, June 23-27, 1997. Cardiff, Wales, England.

83.- “Optical Properties of Semimagnetic Semiconductors Studied by Thermoreflectance Spectroscopy”.

H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Alvarez-Fregoso, L. Baños. Idem. 84.- “Estudios de Fotorreflectancia y Fotoluminiscencia en Heterouniones de GaAs/AlxGa1-xAs en el

Rango de Bajas Concentraciones de Al”. L. Gómez-Herrera, L. Tirado-Mejía, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Pérez. XIV Simposio Latinoamericano de Física del Estado Sólido, Enero 11-16, 1998. Oaxaca, Oax. México.

85.- “Optical Characterization of Cd1-xMnxTe Crystals by Photoreflectance and Photoluminescence

Spectroscopies”. L. Gómez-Herrera, H. Ariza-Calderon, L. Tirado-Mejia, J.G. Mendoza-Alvarez, A. López-Rivera. 1998 March Meeting of the APS, Marzo 16-20, 1998. Los Angeles, CA, USA.

86.- “Variation of the CdTe Band Gap as a Function of Temperature”. G. Fonthal, L. Tirado-Mejia, J.I.

Marin-Hurtado, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. 1999 March Meeting of the APS, Marzo 21-26, 1999. Atlanta, GA, USA.

87.- “Optical Analysis of the Mott Transition in Sn-doped GaAs Epitaxial Layers”. G. Fonthal, N.

Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 88.- “Three Dimensional Model for Oxide Thin Film Growth Induced by Laser Heating of Metallic

Surfaces”. J.L. Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, Mauricio Antonio Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. 11th International Conference on Thin Films, Agosto 30-Sept. 3, 1999. Cancún, QR, México.

89.- “Photoreflectance of Epitaxial Layers of GaInAsSb Lattice-Matched to GaSb Substrates”. M.C.

Rivera-Morales, J.G. Mendoza-Alvarez, M.B. Zakia, J.L. Herrera-Perez. Idem. 90.- “Lattice-Mismatch Defects in Ga0.18In0.82AsySb1-y Films Studied by Photoacostic Techniques”. I.

Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, L. Gómez-Herrera, J.L. Herrera-Perez, M.A. Vidal. Idem. 91.- “Study of Defect-Related Emisión Bands in the Photoluminescence Spectra of Ge-Doped GaAs”. G.

Fonthal, M. de los Ríos, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

27

92.- “Study of AlxGa1-xAs Epitaxial Layers Doped with Ge by Means of the Low Temperature Photoluminescence”. F. Gordillo-Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, J. Diaz-Reyes, L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

93.- “Nanostructured GaAs(N) Thin Films Prepared by r.f. Sputtering”. O. Zelaya-Angel, O. Alvarez-

Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez. 15th Latin American Symposium on Solid State Physics, Noviembre 1-5, 1999. Cartagena de Indias, Colombia.

94.- “Theoretical Modelling of Oxide Thin Film Growth by Pulsed Laser Sources”. J.L. Jimenez-Perez,

P.A. Sakanaka, M.A. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem. 95.- “Study of Hot Carriers in p and n-type GaAs Thin Films by Photoluminescence Spectroscopy”. G.

Fonthal, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 96.- “Deconvolution of the Photoluminescence Spectra inHeavy Doped GaAs:Sn Thin Films”. G.

Fonthal, L.E. Tobon, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 97.- “Análisis of the 1.38 eV Photoluminescence Band Associated with Defects inGaAs:Ge Thin Films”.

G. Fonthal, M. de los Rios, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

98.- “Inhomogeneous Distribution of the Impurity in Samples of GaAs:Sn and GaAs:Ge Observed by

Photoluminescence”. G. Fonthal, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 99.- “Band Gap Energy of n Type InGaAsSb Epitaxial Layers”. J.L. Herrera-Perez, M.C. Rivera-

Morales, L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez, M.B. Zakia. Idem. 100.- “Non-Radiative Lifetimes in GaSb/InGaAsSb Heterostructures Studied by Photoacoustic

Techniques”. I. Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Perez, A. Cruz-Orea, L. Gomez-Herrera, P. Rodríguez-Fregoso, M.A. Vidal. Idem.

101.-“Auger Contribution for T0 in InGaAsSb/GaAlAsSb Double Heterostructure Lasers”. J.L. Herrera-

Perez, M.B. Zakia, N.B. Patel, J.G. Mendoza-Alvarez. X Conference on Laser Optics, Junio 26-30, 2000. San Petesburgo, Rusia.

102.- “Determination of Non-Radiative Lifetimes in InGaAsSb Epitaxial Layers Using Photoacoustic

Techniques”. I. Riech, P. Diaz, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, J.L. Herrera-Perez, L. Gomez-Herrera. Tenth International Conference on Solid Films and Surfaces, Julio 9-13, 2000. Princeton University, USA.

103.- “Low Temperature Photoreflectance Studies of AlGaAsSb/GaSb Heterostructures”. J.L. Herrera-

Perez, R.B. Perez-Sicairos, B. Felix-Franco, L.N. Alejo-Armenta, M.C. Rivera-Morales, C.A. Alejo-Armenta, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

104.- “Neutralization of Native Ga(As) Antisite Defects by Sn Doping in LPE-Grown GaAs Layers”.

J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres-Delgado, A.M. Lopez-Beltran, C.A. Alejo-Armenta. Idem. 105.- “A Model for Moving Pulsed Laser Sources-Induced Oxidation in Air of Thin Films”. J.L.

Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, M. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem.

28

106.-“Analytical Model for Oxide Thin Film Growth on Ti During Laser Heating in Air”. J.L. Jiménez-Perez, P.H. Sakanaka M. Algatti, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, Idem.

107.- “Optical and Structural Properties of Highly Te-Doped InGaAsSb Epitaxial Layers”. C. Rivera-

Morales, M. Rojas-Lopez, P. Rodríguez-Fregoso, M.A. Vidal, J.L. Herrera-Perez, and J.G. Mendoza-Alvarez. III Workshop on Optoelectronic Materials and Their Applications. Invited Speaker. Agosto 28-Sept. 1, 2000. Oaxaca, Oax. México.

108.- “Estudio del Cocimiento de Cerámicas Prehispánicas y Coloniales de México”. J.L. Jiménez-

Perez, C. Ponce-Parra, J. Jiménez-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, A. Gordillo-Sol, H. Yee. Idem.

109.- “Estudio de Películas de TiO2 Procesadas por Láser de Nd:YAG”. J.L. Jiménez-Perez, C. Ponce-

Parra, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem. 110.- “Determination of the Interfacial Non-Radiative Recombination Lifetime in n- and p-type

InGaAsSb Epitaxial Layers by Photoacoustic Spectroscopy”. L. Gomez-Herrera, I. Riech, J.L. Herrera-Perez, P. Rodríguez-Fregoso, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

111.- “New (Ga,In)(As,N) Semiconductor Quaternary Alloys with a Variable Band Gap Energy in the

Red-Green Visible Spectrum”. J.A. Cardona-Bedoya, F. Gordillo-Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Idem.

112.- “Activación de Soportes de Vidrio para la Construcción de Microarreglos de ADN”. V. Lopez

Gayou, F. Ortiz-Rodriguez, J. Alonso-Avelino, M. Rojas-Lopez, L. Marquez-Morales, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

113.- “Blue Photoluminescence in GaAs(N) Nanowhiskers”. Adrian Canales Pozos, David Ríos Jara,

Octavio Álvarez Fregoso, M.A. Alvarez-Pérez, Manuel García, Enrique Martínez Sánchez, Julio A. Juárez-Islas, Orlando Zelaya, Julio G. Mendoza-Alvarez, C. Falcony. Idem.

114.- “Passivation of GaSb Single Cristal Surfaces Studied by Photoluminescence”. J. Díaz-Reyes, O.

Zárate-Corona, E. Corona-Organiche, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 115.- “Temperature Dependence of Threshold Current Density for GaInAsSb/GaAlAsSb Double

Heterostructure Lasers”. J.L. Herrera-Perez, M.B. Zakia, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 116.- “Quantum Confinement Effects in Nanocrystalline GaAs Films Grown by r.f. Sputtering”. F.

Gordillo-Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Idem.

117.- “Growth of Nanocrystalline GaAs Semiconductor Thin Films by r. f. Sputtering”. F. Gordillo-

Delgado, J.A. Cardona-Bedoya, M.L. Gomez-Herrera, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, A. Cruz-Orea. Inter-American Workshop on the Use of Synchrotron Radiation for Research and Symposium on Nanotechnologies. Febrero 11-13, 2001. Campinas, Sao Paulo, Brasil.

118.- “Novel GaInNAs Alloys with Variable Bandgap Energy in the Red-Green Spectrum”. Jairo

Cardona-Bedoya, Fernando Gordillo-Delgado, Julio Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya-Angel, Alfredo Cruz-Orea. 2001 March Meeting of the American Physical Society. Marzo 12-16, 2001. Seattle, WA, USA.

29

119.- “Growth of Nanocrystalline GaAs Semiconductor Thin Films by r.f. Sputtering”. Fernando Gordillo-Delgado, Jairo Cardona-Bedoya, Julio Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya-Angel. Idem.

120.- “Growth and Characterization of GaNyAs1-y Films with High Nitrogen Concentration and Variable

Band Gap Energy in the Visible Spectrum”. Julio G. Mendoza-Alvarez, J.A. Cardona-Bedoya, O. Zelaya-Angel, M.L. Gomez-Herrera, J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez. X Latin American Congress on Surface Science and Its Applications. Invited Speaker. Julio 3-7, 2001. San Jose, Costa Rica.

121.- “Low Temperature Photoreflectance Análisis of an Aging Process in GaAs:Ge Semiconductor

Epitaxial Layers”. D.G. Espinoza-Arbelaez, J.I. Martin-Hurtado, J.J. Prias-Barragan, G. Fonthal, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Ariza-Calderon. Idem.

122.- “Modeling of the Dependence of the Scattering Proceses with Temperature Through GaAs:Ge

Photoreflectance Spectra”. J.J. Prias-Barragan, J.I. Marin-Hurtado, D.G. Espinosa-Arbelaez, G. Fonthal, J.G. Mendoza-Alvarez, H. Ariza-Calderon. Idem.

123.- “Optical Properties of GaInNAs Semiconductor Films with High Nitrogen Concentrations”. J.A.

Cardona-Bedoya, F. Gordilli-Delgado, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 124.- “Dependence of the Donor Ionization Energy and Bandtail on the Impurity Concentration and Al

Content in AlxGa1-xAs:Sn Epitaxial Layers”. G. Fonthal, M. de los Rios, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

125.- “Study of Non-Radiative Recombination Proceses in GaSb/InxGa1-xAsySb1-y Heterostructures”.

M.L. Gomez-Herrera, I.Riech, J.L. Herrera-Perez, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 126.- “Photoluminescence Studies of GaInAsSb Highly Doped with Tellurium Grown by Liquid Phase

Epitaxy on (100) GaSb”. J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez, M. Rojas-Lopez, E. Corona-Organiche, and J. Mendoza-Alvarez. Idem.

127.- “Bandtail Análisis and its Doping Dependence in the Photoluminescence Spectra of p-Type

GaAs:Ge Epitaxial Layers”. G. Fonthal, L.E. Tobon, M. de los Rios, J. Quintero, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

128.- “LO-Phonon Participation in the Thermalization of Hot Carriers in n- and p-Type GaAs Epitaxial

Layers”. G. Fonthal, J. Quintero, M. de los Rios, N. Piraquive, H. Ariza-Calderon, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

129.- “Surface Roughness and Morphology of GaNxAs1-x Nanowhiskers by Atomic Force Microscopy”.

S.A. Canales-Pozos, D. Rios-Jara, O. Alvarez-Fregoso, M.A. Alvarez-Perez, M. Garcia-H, E. Martinez, J.A. Juárez-Islas, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez. VI Congreso Interamericano de Microscopia Electrónica, Octubre 7-11, 2001. Veracruz, México.

130.- “Biochips Based on Microarrays of Oligonucleotides Fabricated by Photolitography”. J.G.

Mendoza-Alvarez, J.L. Herrera-Perez, F. Sánchez-Sinencio, P. Gariglio, J.P. Luna-Arias. Fotociencias 2002. Simposio de Fotofísica, Fotoquímica y Fotobiología. Enero 28-Febrero 2, 2002. La Habana, Cuba.

131.- “Quantum Confinement Effects in Variable Band-gap GaNxAs1-x Thin Films Studied by

Photoacoustic Spectroscopy”. J.A. cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, S.A. Tomas-Velazquez, O.

30

Zelaya-Angel, J.G. Mendoza-Alvarez. 12th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Phenomena. Junio 23-27, 2002. Toronto, Canada.

132.- “Photoacoustic and micro-Raman Análisis of TiO2 Thin Films”. J.L. Jiménez-Perez, C. Ponce-

Parra, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea. Idem. 133.- “Characterization of Nanocrystalline GaNxAs1-x Films Grown by Radio Frequency Sputtering”,

J.A. Cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, O. Zelaya-Angel, and J.G. Mendoza-Alvarez. 4th International Conference on Low Dimensional Structures and Devices. Diciembre 8-13, 2002. Fortaleza-Ceará, Brasil.

134.- “Photoluminescence Studies in Highly Te-Doped InxGa1-xAsySb1-y Epitaxial Layers Grown on

GaSb by Liquid Phase Epitaxy”, J. Diaz-Reyes, J.L. Herrera-Perez, M.L. Gomez-Herrera, J.A. Cardona-Bedoya, and J.G. Mendoza-Alvarez. International Meeting on Applied Physics. Octubre 14-18, 2003. Badajoz, España.

135.- “Study of GaNxAs1-x Semiconducting Films Grown by Laser-Pulsed Deposition on Crystalline and

Amorphous Substrates”, J.A. Cardona-Bedoya, A. Cruz-Orea, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 136.- “Experimental and Numerical Study of Thin Film Growth by Laser-Induced Oxidation”, J.L.

Jimenez-Perez, P.H. Sakanaka, M.A. Algatti, A. Cruz-Orea, J.G. Mendoza-Alvarez, N. Muñoz-Aguirre. Idem.

137.- “Structural and Optical Properties of GaNAs Alloys with High N Concentrations Grown by Laser

Ablation”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Jairo A. Cardona-Bedoya, Lucero Gomez-Herrera, Mario H. Farias, J.A. Diaz. 2003 Fall Meeting of the Materials Research Society. Diciembre 1-5, 2003. Boston, MA, USA.

138.- “Characterization of TiO2 Thin Films for Photocatalysis Applications Using Photoacoustic

Spectroscopy”, J.G. Mendoza-Alvarez, A. Cruz-Orea, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, R. Castanedo-Perez, S.A. Mayen Hernandez, J. Marquiz-Marin. 13th International Conference on Photoacoustic and Photothermal Processes. Julio 5-8, 2004. Río de Janeiro, Brasil.

139.- “Influence of Te Doping in InGaAsSb Epilayers on the Non-Radiative Recombination Time

Studied by the Photoacoustic Technique”, M.L. Gomez-Herrera, I. Riech, P. Rodriguez-Fragoso, A. Cruz-Orea, F. Sanchez-Sinencio, J.L. Herrera-Perez, J. Diaz-Reyes, and J.G. Mendoza-Alvarez. Idem.

140.- “Optical characterization of TiO2 thin films grown by sol-gel and r. f. sputtering methods for

photocatalysis applications”, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya-Angel, G. Torres-Delgado, R. Castanedo-Perez, S.A. Mayen-Hernandez, J. Marquez-Marin, A. Florido-Cuellar. 2005 March Meeting of the American Physical Society. Marzo 21-25, 2005. Los Angeles, CA. USA

141.- “Photoluminescence characterization of InAs quantum dots grown on variable stoichiometry

InxAlyGa1-x-yAs layers lattice-matched to InP”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S.M. Landi, A.S. Lopes, P.L. Souza. Idem

142.- “Effect of the alloy composition on the properties of InAs quantum dots grown on a InxGa1-x

As/InP heterostructure for mid-infrared detection”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S. Landi,

31

A.J. Lopes, P.L. Souza, J.M. Villas-Boas, N. Studart. 12th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, 2005, Albuquerque, AR. USA

143.- “Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a

InxGa1-xAs/InP heterostructure”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S. Landi, A.J. Lopes, P.L. Souza. 12th Brazilian Workshop on Semiconductor Physics, Abril 4-8, 2005. Sao Jose dos Campos, SP, Brasil.

144.- “Influence of stoichiometry on the luminescent properties of InAs quantum dots grown on a

InxGa1-xAs/InP heterostructure”, J.G. Mendoza-Alvarez, M.P. Pires, S. Landi, A.J. Lopes, P.L. Souza, J.M. Villas-Boas, N. Studart, In: European Workshop on Metalorganic vapor Phase Epitaxy, 2005, Lausanne. Proceedings of EWMOVPE 2005, 2005. v. 1. p. 51-53.

145.- “InGaAsSb p-n heterojunctions studied by photoluminescence and photoacoustic spectroscopies

for photovoltaic applications”, M.L. Herrera-Gomez, J.G. Mendoza-Alvarez, I. Riech, P. Rodriguez-Fragoso, J.L. Herrera-Perez, 28th International Conference on the Physics of Semiconductors, Julio 24-28, 2006. Viena, Austria.

146.- “Photoluminescent properties of InAs quantum dots grown by MOVPE on an InxAlyGa1-x-yAs layer

and their dependence on the layer stoichiometry”, Julio G. Mendoza-Alvarez, Mauricio P. Pires, Sandra M. Landi, Patricia L. Souza, Jose M. Villas-Boas, Nelson Studart. Idem

32

TRABAJOS PRESENTADOS EN CONGRESOS NACIONALES: 1.-- " Estudio de las Propiedades Aislantes de TiO2 Puro e Impurificado con Cr usando la relajación de

Carga Eléctrica Superficial". J. Mendoza, C. Falcony, F. Sánchez-Sinencio, J.S. Helman. XVI Congreso Nacional de la Sociedad Mexicana de Física (SMF). Oaxaca, Oax. México. Nov. 1973.

2.-- "Estados Extrínsecos de Superficie en Monocristales de Azufre Ortorrómbico Puro e Impurificado

con Selenio". C. Falcony, J. Mendoza, F. Sánchez-Sinencio, J.S. Helman. Idem. 3.-- "Descarga Xerográfica en Monocristales de Azufre Ortorrómbico". C. Falcony, J. Mendoza, F.

Sánchez-Sinencio, A. Many, J.S. Helman. XVIII Congreso Nacional de la SMF. Veracruz, Ver. México./ Dic. 1975.

4.-- "Formación del Guía de Ondas en Láseres de GaAs con Contacto de Franja". J. G. Mendoza-

Alvarez, II Seminario Nacional de Física Electrónica. Puebla, Pue. México. Sept. 1980. 5.-- " Influencia de las Camadas de AlGaAs en el Pefil de Indice de Refracción de la Región Activa de

un Láser de GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez, F.D. Nunes. XXIII Congreso Nacional de la SMF. Guadalajara, Jal. México. Nov. 1980.

6.-- "Dielectric Function in Highly Doped GaAs". J.G. Mendoza-Alvarez. Simposio sobre las

Propiedades Opticas y Electrónicas de Aislantes y Semiconductores. Cocoyoc, Mor. México. Agosto 1981.

7.-- "Estudio de la Fotoluminiscencia en Cristales de GaAs y GaAlAs" Julio G. Mendoza-Alvarez, G.

Torres D. XXIV Congreso Nacional de la SMF. Morelia, Mich. México. Nov. 1981. 8.-- "Espectroscopía de Desviación Fototérmica (PDS). Aplicación en el Análisis de Películas Delgadas

de CdTe". J.G. Mendoza-Alvarez, B.S.H. Royce, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya-Angel, C. Menezes, R. Triboulet. XXV Congreso Nacional de de la SMF. Jalapa, Ver. México. Nov. 1982.

9.-- " Evolución de las Propiedades Opticas de Películas de Silicio Amorfo con el Tratamiento

Térmico". G. Torres Delgado, J.G. Mendoza-Alvarez, J. González-Hernández. Idem. 10.-- "Efecto de la Desviación de la Parabolicidad de la Banda de Conducción sobre el Coeficiente de

Absorción del GaAs". Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem.

11.-- "Caracterización de la Cristalinidad en Películas de Teluro de Cadmio usando Fotoluminiscencia". M. Cárdenas, J.G.Mendoza-Alvrez, O.Zelaya, C. Menezes. III Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Oaxtepec, Mor. México, Oct. 1983.

12.-- "Dispositivos Electrom\luminiscentes ZnSe-Electrolito". Julio G. Mendoza-Alavarez, Feliciano

Sánchez-Sinencio, W.M. Yim. XXVI Congreso Nacional de la SMF. Puebla, Pue. México. Nov. 1983.

13.-- "Análisis de los Espectros de Absorción y Fotoluminiscencia en Películas Delgadas de CdTe

Intrínsecas e Impurificadas". J.G. Mendoza-Alvarez, M. Cárdenas, O. Zelaya, C. Menezes. Idem. 14.-- "Caracterización de Películas de CdTe". O. Zelaya, C. Menezes, F. Sánchez-Sinencio, J.G.

Mendoza-Alvarez. Idem.

33

15.-- "Crecimento de Camadas Epitaxiales de GaAs-GaAlAs". Gerado Torres D., J.G. Mendoza-Alvarez,

F. Sánchez-Sinencio, IV Congreso Nacional de Superficies e Intefaces. Toluca, Edo. de Méx. México. Oct. 1984.

16.-- "Caracterización de Impurezas Aceptoras de Ag en Películas Policristalinas de CdTe". M.

Cárdenas, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J. L. Peña. Idem. 17.-- "Estudio de Camadas Epitaxiales de GaAs-GaAlAs". Gerardo Torres D., J.G. Mendoza-Alvarez, F.

Sánchez-Sinencio. Idem. 18.-- "Producción Controlada de Vacancias de Cd y su Influencia sobre los Espectros de

Fotoluminiscencia de Películas y Monocristales de CdTe". J.M. Figueroa, C. Vázquez-López, F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez, O.Zelaya. 1er. Taller sobre las Propiedades Opticas, Eléctricas, Magnéticas y Mecánicas de Defectos en Sólidos no-Metálicos. Hermosillo, Son. México. Oct. 1984.

19.-- "Absorción y Fotoluminiscencia en Películas de CdTe tipos p y n útiles en Dispositivos

Fotovoltáicos". J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, M. Cárdenas, O. Zelaya, B.S.H. Royce. XXVII Congreso Nacional de la SMF. San Luis Potosí, SLP. México. Nov. 1984.

20.-- "Crecimiento y Caracterización de Camadas de GaAlAs". Gerardo Torres D., J.G. Mendoza-

Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem. 21.-- "Caracterización Fotoconductiva de Películas de CdTe Crecicas por el Método GREG". Emiliano

López Lozano, Elías López Cruz, Orlando Zelaya, Julio Mendoza. Idem. 22.-- "Producción Controlada de Vacancias de Cd y su influencia sobre los espectros de

fotoluminiscencia en Películas y Monocristales de CdTe". J.M. Figueroa, C. Fázquez-López, F. Sánchez-Sienncio, J.G. Mendoza-Alvarez, O. Zelaya. Idem.

23.-- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas Delgadas Semiconductoras". Julio G. Mendoza-

Alvarez (Conferencia Invitada). III Taller de Física de Superficies. Bahía Kino, Son. México, Mayo 1985.

24.-- "Vacancias de Cd en el Volumen y en la Superficie de CdTe y su Influencia sobre los espectros de

Fotoluminisencia y Electroluminiscencia". F. Sánchez, J.Mendoza, O. Zelaya, J.M. Figueroa, C. Vázquez. Idem.

25.-- "Efectos de Gas Ambiental en el Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe". G. Hirata, M.

Farías, L. Cota, J.L. Peña, J. Mendoza, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. Idem. 26.-- "Crecimiento Epitaxial de Películas Delgadas de GaAs y GaAlAs". J. Mendoza, G. Torres. Idem. 27.-- "Caracterización de Películas Semiconductoras Depositadas por Sputtering". I.Hernández-

Calderón, J. Mendoza-Alvarez, J.L.Peña. Idem. 28.-- "Estudio de Fotoconductividad y Fotoluminiscencia en a-Si:H". Julio G. Mendoza-Alvarez,

Gerardo Torres D., J. González-Hernández. II Taller de Física de Superficies. Mérida, Yuc. México, Agosto 1985.

34

29.-- "Caracterización de Películas de CdTe Amorfas y Policristalinas Depositadas por r.f. Sputtering". Isaac Hernández-Calderón, Julio G. Mendoza Alvarez, Feliciano Sánchez-Sinencio, Sergio Jiménez-Sandoval. Idem.

30.-- "Incremento de la Absorción por arriba de la banda prohibida debido a la no-parabolicidad en la

banda de conducción del GaAs" Gerardo Torres Delgado, Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem. 31.-- "Semiconductores Magnéticos Diluidos con Compuestos II-VI". Octavio Alvarez, F. Sánchez-

Sinencio, J.G. Mendoza A. Idem. 32.-- "Cuantificación de Vacancias de Cd, Fotodegeneradas en Películas Delgads de CdTe, Mediante el

Análisis del Espectro de Fotoluminiscencia". J.M. Figueroa, F. Sánchez-Sinencio, Julio G. Mendoza-Alvarez, Orlando Zelaya, C. Vázquez-López. Idem.

33.-- "Estudios de la Difusisión de Sb y Cl en Películas Delgads de CdTe". Orlando Zelaya Angel, Juan

Luis Peña, Feliciano Sánchez-Sinencio, Julio G. Mendoza-Alvarez. Idem. 34.-- "Estudio del Efecto Staebler-Wronski en Películas de a-Si:H usando la Espectroscopía de

Fotoluminiscencia". J.G. Mendoza-Alvarez, G. Torres, J. González-Hernández. V Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Monterrey, N.L. México. Octubre 1985.

35.-- "Influencia del Material Impurificador de Películas Conductoras de SnO2 sobre Películas de

CdTe". Orlando Zelaya A., Juan Luis Peña, Julio Mendoza A., Feliciano Sánchez-Sinencio. Idem. 36.-- "Caracterización Optica de Películas Delgadas de CdTe Depositadas por r.f. Sputtering". Octavio

Alvarez F., S\F. Sánchez-Sinencio, J.G. Mendoza-Alvarez. Idem. 37.-- "Incremento de la Absorción por arriba de la Banda Prhobida debido a la no-parabolicidad de la

Banda de Conducción del GaAs" Gerrdo Torres D., Julio G. Mendoza A. Idem. 38.-- "Fotoluminiscencia y Absorción de Películas de CdTe en Función de la Temepratura de

Crecimento y d Tramitamientos Térmicos". S. Jiménez S., M.Melénedez L, I. Hernández C., J. Mendoza A. 1er. Taller Nacional de Optica. Metepec, Puebla, México. Junio 1987.

39.-- "Moduladores de Radiación Optica de GaAs/AlGaAs Basados en la Translación de la Región de

Agotamiento". J.G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldre, T. Hausken. R. H. Yan, K. Lee. VII Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Morelia. Mich. México. Sept. 1987.

40.-- "Estudio de Problemas de Homogeneidad en el Crecimiento de Películas Delgadas de CdTe por la

Técnica GREG". J. Landa García, M. Cárdenas García, G. Contreras Puente, A. Díaz Góngora, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio. Idem.

41.-- "Large Grain Size CdTe Films Grown on Glass Substrates". O. Zelaya, F. Sánchez-Sinencio, J.G.

Mendoza-Alvarez, M.H. Farías, L. Cota-Araiza, G. Hirata-Flores. II Simposio Nacional de Estado Sólido. Cuernavaca, Mor. México. Octubre 1987.

42.-- "Uso de Heteroestructuras dobles de GaAs/AlGaAs en Moduladores de Fase para Circuitos

Integrados Optoelectrónicos". Julio G. Mendoza-Alvarez, L.A. Coldre, T. R. Hausken, R. Yan. Idem.

35

43.-- "Distribución de Defectos en Películas Delgads de CdTe". J. Landa García, M. Cárdenas G., Contreras Puente, J.G. Mendoza-Alvarez, F. Sánchez-Sinencio, O. Zelaya. XXX Congreso Nacional de la SMF. Mérida, 0.05Yuc. México. Octubre 1987.

44.-- "Moduladores de Fase de Guía de Onda Fabricados con Heteroestructuras de Películas de

GaAsAlGaAs". Julio G. Mendoza Alvarez, L.A. Coldre, T. R. Hausken, R. Yan. Idem. 45.-- "Crecimento del Tamaño de Grano en Películas Delgadas Amorfo-Policristalinas de

Cd0.95Fe0.05Te". Octavio Alvarez F., Alfonso Huanosta, F. Sánchez-Sinencio, J. G. Mendoza-Alvarez. Idem.

46.-- "Propiedades Fotoluminiscentes de Películas de GaAs Crecidas por la Técnica de LPE con

superenfriamiento". Gerardo Torres Delgado, Julio G. Mendoza Alvarez, B. E. Zendejas. VIII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces. Guanajuato, Gto. México. 24-26 de Agosto, 1988.

47.-- "Estudio de la Reflectividad en Películas de GaAs Crecidas por la Técnica de LPE en el rango de

2.4 a 6.2 eV". C. Mejía García, G. Contreras Puente, M. Cárdenas García, J. A. Díaz Góngora, G. Torres Delgado, J. G. Mendoza-Alvarez. Idem.

48.-- "Propiedades Opticas y Estructurales de Películas de Teluro de Cadmio Crecidas sobre GaAs". J.G.

Mendoza-Alvarez, O. Zelaya, G. Torres Delgado, F. Sánchez-Sinencio. Idem. 49.-- "Movilidad de Portadores y Espectro de Fotoluminiscencia en Películas Policristalinas de CdTe".

Juan Manuel Figueroa, Feliciano Sánchez Siencio, Julio Mendoza Alvarez, Orlando Zelaya. Idem. 50.-- "Propiedades Eléctricas de Capas Cristalinas del Ferroeléctrico Bi4Ti9O12". A. Huanosta, O.

Alvarez-Fregoso, M.E. Mendoza-Alvarez, C. Tabares Muñoz, J.G. Mendoza Alvarez. Idem. 51.-- "Estudio de Fotoluminiscencia en Películas Epitaxiales de GaAs Dopadas con Sn en el Rango 1016

-2x1018". Gerardo Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Simposio Nacional de Estado Sólido. 10-16 Julio, 1989. Tequisquiapan, Qro. México.

52.- "Caracterización Eléctrica de la Perovskita Ferroeléctrica Ferroelástica BiFeO3". C. Tabares

Muñoz, M.E. Mendoza Alvarez, J.G. Mendoza Alvarez, I. Hernández Calderón. Idem. 53.- "Sistema de Crecimiento de Capas Semiconductoras de GaAs y AlGaAs por la técnica de Epitaxia

en Fase Líquida". Gerardo Torre Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem. 54.- "Fotorreflectancia de Heterouniones AlxGa1-xAs/GaAs" M. Meléndez Lira, I. Hernández Calderón,

G. Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem. 55.- "Espectro de Fotoluminiscencia y Movilidad de Portadores en Películas Policristalinas de CdTe".

J.M. Figueroa, F. Sánchez Sinencio, J. G. Mendoza Alvarez, O. Zelaya, G. Contreras Puente, A. Díaz Góngora. Idem.

56.- "Conductividad Eléctrica, Estructura y Composición de Películas Delgadas de CdSbTe". O. Alvarez

Fregoso, F. Sánchez Sinencio, J. G. Mendoza Alvarez, O. Zelaya, M. Farias, L. Cota Araiza. IX Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces. 21-25 de Agosto. 1989. Zacatecas . México

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57.- Fotorreflectancia de Heterouniones AlxGa1-xAs/GaAs". M. Meléndez Lira, I. Hernández Calderón, G. Torres Delgado, J.G. Mendoza Alvarez. Idem.

58.- "Optimización de Moduladores del Tipo GaAs?AlGaAs". G. González de la Cruz, J. G. Mendoza

Alvarez. Idem. 59.- "Espectroscopía Auger en CdTe:In y CdTe:Sb". A. Herrera, F. Larios, F. Sánchez Sinencio, O.

Zelaya, J.G. Mendoza Alvarez, O. Alvarez Fregoso, M. H. Farías, L. Cota Araiza. Idem. 60.- "Propiedades Opticas de Películas Epitaxiales de GaAs Intrínsecas y Dopadas Crecidas por Epitaxia

en Fase Líquida". Gerardo Torres Delgado, Juio G. Mendoza Alvarez. Idem. 61.- "Películas de CdTe Crecidas por r. f. Sputtering en Atmósfera de Ar-N". F. J. Espinoza Beltrán, F.

Sánchez-Sinencio, O.Zelaya Angel, J.G. Mendoza Alvarez, C. Vázquez López, C. Alejo Armenta, M. Farías, L. Cota Araiza. X Congreso Nacional de Física de Superficies e Intefaces. 27-31 de Agosto, 1990. Jalapa. Ver. México.

62.- "Influencia de la Saturación de As sobre la Calidad Cristalina de Películas Epitaxiales de GaAs

Crecicas por LPE". G. Torres Delgado, B. Zendejas, J. G. Mendoza Alvarez. Idem. 63.- "Defectos Polarizables en Películas de CdTe:In y CdTe:Sb" . C. Alejo Armenta, C. Vázquez López,

F. Sánchez Sinencio, J.G. Mendoza Alvrez, F. Larios, A. Herrera, O. Alvarez Fregoso. Idem.

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PARTICIPACION EN PROYECTOS:

1.- "Estudio de Semiconductores y de Interfaces Semiconductor-Electrolito Mediante la Técnica de Desviacion Fototérmica" Proyecto con la Universidad de Princeton. Apoyado dentro del Convenio CONACYT/NSF. 1983. Investigador Participante.

2.- "Investigación y Desarrollo de Celdas Solares Construidas con Películas Delgadas Semiconductoras".

Proyecto apoyado dentro del convenio CONACYT/Organización de Estados Americanos. 1984. Investigador Participante.

3.- "Estudio de Celdas Solares de Heterounión GaAs/GaAlAs". Proyecto con el Instituto de Física de la

Universiad Estatal de Campinas, Brasil. Apoyado dentro del Convenio CONACYT/CNPq. 1984. Director del Proyecto.

4.- "Investigación y Desarrollo de Láseres Semiconductores y Fotodetectores para Comunicaciones

Opticas". Proyecto apoyado dentro del Programa Indicativo para el Desarrollo Tecnológico de la Industria Electrónica auspiciado por el CONACYT. 1985. Director del Proyecto.

5.- "Estudio de Películas de Delgadas de CdTe Impurificadas". Proyecto con el Centro Brasileiro de

Pesquisas Físicas CBPF, Río de Janeiro, Brasil. Apoyado dentro del Convenio CONACYT/CNPq. 1985. Investigador Participante.

6.- "Crecimiento y Caracterización de Películas de Teloruro de Cadmio Crecidas sobre Cristales de Silicio

y Arsenuro de Galio". Proyecto apoyado por el CONACYT dentro del programa de Ciencias Básicas. 1989. Director del Proyecto

7.- “

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ASISTENCIA A CONGRESOS, REUNIONES Y SIMPOSIOS:

1.-- XV Congreso Nacional de la SMF. Oaxaca, Oax. Mexico. Dic. 1973. 2.-- 30a. Reunion Anual de la SBPC. Sao Paulo, SP. Brasil. Julio 1978. 3.-- 31a. Reunion Anual de la SBPC. Fortaleza, CE. Brasil. Julio 1979. 4.-- 32a. Reunion Anual de la SBPC. Rio de Janeiro, RJ. Brasil. Julio 1980. 5.-- II Seminario Nacional de Fisica Electronica. Puebla, Pue. Mexico. Sept. 1980. 6.-- XXIII Congreso Nacional de la SMF. Guadalajara, Jal. Mexico. Nov. 1980. 7.-- III Reunion de Invierno en Superficies. Cocoyoc, Mor. Mexico. Enero 1981. 8.-- 1981 March Meeting of the APS. Phoenix, Ar. USA. Marzo 1981. 9.-- Fifteenth IEEE Photovoltaic Specialists Conference. Orlando, Fla. USA. Mayo 1981.

10.- Simposio sobre las Propiedades Opticas y Electricas de Aislantes y Semiconductores. Cocoyoc,

Mor. Mexico. Agosto 1981. 11.- VII Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Gramado, RS. Brasil. Sept. 1981. 12.- XXIV Congreso Nacional de la SMF. Morelia, Mich. Mexico. Nov. 1981. 13.- 1982 March Meeting of the APS. Dallas, Tex. USA. Marzo 1982. 14..-XXV Congreso Nacional de la SMF. Jalapa, Ver. Mexico. Nov. 1982. 15.- 1983 March Meeting of the APS. Los Angeles, Cal. USA. Marzo 1983. 16.- VIII Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Oaxtepec, Mor. Mexico. Julio

1983. 17.- XXVI Congreso Nacional de la SMF. Puebla, Pue. Mexico. Nov. 1983. 18.- 1er. Simposio Latinoamericano de Fisica dos Sistemas Amorfos. Niteroi. RJ. Brasil. Feb. 1984. 19.- 1984 March Meeting of the APS. Detroit, Mich. USA. Marzo 1984. 20.- Course on Semiconductor Lasers. Campinas. SP.Brasil. Julio 1984. 21.- Ninth IEEE International Semiconductor Laser Conference. Rio de Janeiro, RJ. Brasil. Agosto

1984. 22.- IV Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Toluca, Edo. de Mex. Mexico. Oct. 1984.

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23.- XXVII Congreso Nacional de la SMF. San Luis Potosi, SLP. Mexico. Nov.1984. 24.- 1985 March Meeting of the APS. Baltimore, Mar. USA. Marzo 1985. 25.- III Taller de F¡sica de Superficies. Bahia Kino, Son.México. Mayo 1985. Conferencista Invitado 26.- IV Taller de Fisica de Superficies. Merida, Yuc. Mexico. Agosto 1985. 27.- V Congreso Nacional de Superficies e Interfaces, Monterrey. N.L. Mexico Oct. 1985. 28.- 1985 Fall Meeting of the Materials Research Society. Boston, Mass. USA. Dic. 1985. 29.- Taller Internacional sobre las Propiedades Magneticas de Sistemas de Baja Dimensionalidad. Taxco,

Gro. Mexico. Enero 1986. 30.- 1986 March Meeting of the APS. Las Vegas, Nev. USA. Marzo 1986. 31.- II Simposio Latinoamericano de F¡sica de Sistemas Desordenados y Amorfos. San Luis Potos¡.

SLP. Mexico. Mayo 1986. Conferencista Invitado. 32.- IV Simposio Latinoamericano de Fisica de Superficies. Caracas, Venezuela. Julio 1986. 33.- 6th International Conference on Solid Surfaces and 10th International Vacuum Congress.

Baltimore, Mar. USA. Oct. 1986. 34.- SPIE Symposium on Semiconductors and Semiconductors Structrures. Panama City, Fla. Marzo

1987. 35.- 45th Annual Device Research Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987. 36.- 1987 Electronic Materials Conference. Santa Barbara, CA. USA. Junio 1987. 37.- I Escuela Latinoamericana de Fisica Aplicada. Cancun, Q.R. Mexico. Julio 1987. Conferencista

Invitado. 38.- Third International Conference on II-VI Compounds. Monterey, CA. USA. Julio 1987. 39.- VII Congreso Nacional de Superficies e Interfaces. Morelia, Mich. México. Sept. 1987. 40.- II Simposio Nacional de Estado Sólido. Cuernavaca, Mor. México. Oct. 1987. 41.- XXX Congreso Nacional de la SMF. Mérida, Yuc. México. Oct. 1987. 42.- IX Winter Meeting on Low Temperature Physics: High Temperature Superconductors.

Tequesquitengo, Mor. México. Enero 1988. 43.- Winter College on Laser Physics: Semiconductor Lasers and Integrated Optics. International

Centre for Theoretical Physics. Trieste, Italia. Feb.-Marzo 1988. 44.- VIII Congreso Nacional de Física de Superficies e Interfaces.Guanajuato, Gto. México. 24-26 de

Agosto, 1988.

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45.- Latinoamerican Conference on the Applications of the Mossbauer Effect. Rio de Janeiro, RJ.

Basil. 31. Oct.-4 Nov., 1988. 46.- 4a. Escola Brasileira de Fisica de Semiconductores. Belo Horizonte, MG. Brasil. 23 enero- 3 Feb.,

1989. 47.- III Simposio Nacional de Estado Solido. Tequisquiapan, Qro. Mexico. 10-13 de Julio, 1989. 48.- IX Congreso Nacional de Fisica de Superficies e Interfaces. Zacatecas, Zac. Mexico. 21-25 de

Agosto, 1989. 49.- Workshop on Materials Science and the Physics on Non-Conventional Energy Sources. ICTP

Trieste, Italia. Sept. 11-29, 1989. 50.- 11th International Vacuum Congress. Cologne, Federal Republic of Germany. Sept. 25-29, 1989. 51.- 1990 March Meeting of the APS, Anaheim, CA. USA. Marzo 12-16, 1990. 52.- XI Simposio Latinoamericano de Fisica del Estado Solido. Caracas, Venezuela. Marzo 19-23, 1990. 53.- X Congreso Nacional de Fisica de Superficies e Interfaces. Jalapa, Ver. Agosto 29-31, 1990. 54.- Sexto Simposio Latinoamericano de Fisica de Superficies. Cusco, Peru. Septiembre 3-7, 1990. 55.- 37th National Symposium of the American Vacuum Society. Toronto, Canada. Octubre 8-12, 1990. 56.- 5a. Escola Brasileira de Fisica de Semiconductores. Sao Paulo, Brasil. Feb. 4-8, 1991.

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