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Matthias Kirschner 27. April 2010

Matthias Kirschner 27. April 2010 · CCD-Sensor Zwischenspeicher ... Full-Frame (FF-CCD) Frame-Transfer (FT-CCD) Interline-Transfer (IT-CCD) Frame-Interline-Transfer (FIT-CCD) 8

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Matthias Kirschner – 27. April 2010

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Gliederung

Technologien

CCD & CCD-Sensor

CMOS & CMOS-Sensor

Gegenüberstellung

Farbsensoren

Einsatzbereiche

Zukünftige Entwicklungen

Quellen

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Technologien

CCD

CCD-Sensor

CMOS

CMOS-Sensor

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Allgemein

Pixelgrößen 1,5 bis 30 µm

Sensorgrößen bis 48x36 mm

Pixelanzahl bis 85 MP

Auflösungen bis 9200x9200 Pixel

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CCD Charge-Coupled Device

„Schieberegister“ für elektrische Ladungen

Einsatz als

CCD-Sensor

Zwischenspeicher

Entwicklung durch

Willard Boyle

George E. Smith

an den Bell Laboratories (1969)

Nobelpreis für Physik (2009)

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CCD-Sensor

Ein Pixel „Fotodiode + Kondensator“

Ladungen werden verschoben (Eimerkette)

Transport über Spannungsniveau

Verschiebetakt bis zu 50 MHz

Ausleseverstärker am Transfer-Register

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Blooming

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Ausleseverfahren

Full-Frame (FF-CCD)

Frame-Transfer (FT-CCD)

Interline-Transfer (IT-CCD)

Frame-Interline-Transfer (FIT-CCD)

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Full-Frame

Gesamte Sensorfläche wird ausgelesen

Mechanischer Verschluss ist notwendig

Auslesedauer sehr lange

Für Videokameras ungeeignet

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Frame-Transfer

Bild wird ins Transfer-Register verschoben

Transfer-Register ist abgedunkelt

Doppelt so viele Zellen notwendig

Für kurze Belichtungszeiten ungeeignet

Smear-Effekt

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Smear-Effekt

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Interline-Transfer

Pixel wird in seitliches Register verschoben

Seitliches Register ist abgedeckt

Sehr kurze Belichtungszeiten möglich

Lichtempfindlichkeit geringer

Smear-Effekt

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Frame-Interline-Transfer

Pixel wird in seitliches Register verschoben

Seitliches Register ist abgedeckt

Bild wird ins Transfer-Register verschoben

Dreimal so viele Zellen notwendig

Kein Smear-Effekt

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CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor

Logikfamilie für integrierte Schaltkreise

Zeichnet sich aus durch

geringe Leistungsaufnahme

kurze Schaltzeiten

Einsatz in

Integrierten Schaltungen

Speicherelementen

CMOS-Sensoren

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CMOS-Sensor

Active Pixel Sensor (APS)

Fertigung in CMOS-Technologie

Erfunden im Jahr 1967

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CMOS-Sensor

Ein Pixel besteht aus

Fotodiode

Kondensator

Verstärker

Ladungen werden direkt ausgelesen

Lichtempfindliche Fläche anfangs bei 30 %

Kein Smear-Effekt oder Blooming

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Gegenüberstellung

CCD-Sensor

Vorteile

Lichtempfindlich

Bessere Bildqualität

Günstig

Nachteile

Niedrige Bildraten

Erhitzt sich schnell

Blooming, Smear-Effekt

CMOS-Sensor

Vorteile

Stromsparend

Sehr hohe Bildraten

Geringe Gerätegrößen

Direktes Auslesen

Nachteile

Lichtunempfindlich

Stärkeres Rauschen

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Farbsensoren

Bayer-Sensor

3-CCD & 3-CMOS

Foveon X3 Sensor

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Bayer-Sensor

auch Bayer-Matrix, -Filter oder -Pattern

Entwicklung durch Bryce E. Bayer (1975)

Vor jeder Zelle ist ein Farbfilter aufgebracht

25 % Rot, 50 % Grün und 25 % Blau

Farbinterpolation notwendig

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3-CCD & 3-CMOS

3 unabhängige CCD/CMOS-Sensoren

Hoher Preis (Optik, weitere Sensoren)

Volle Auflösung der Sensoren nutzbar

Keine Farbinterpolation notwendig

Für Kompaktkameras ungeeignet

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Foveon X3 Sensor

Fertigung in CMOS-Technologie

3 übereinanderliegende Sensorelemente

Volle Auflösung der Sensoren nutzbar

Keine Farbinterpolation notwendig

Teuer und selten verbaut (Sigma)

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Einsatzbereiche

Digitalkameras

Kompaktkameras

Spiegelreflexkameras

Videokameras

TV- und Kinokameras

Camcorder und Webcams

Industriekameras

Scanner

Flachbett-, Barcodescanner und Kopierer

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Zukünftige Entwicklungen

CCD-Sensor

CMOS-Sensor

Foveon X3 Sensor

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CCD-Sensor

Super CCD EXR (SCCD)

Entwicklung durch Fujifilm

Veränderung der Pixel-Anordnung

rauschärmer bei sehr hohen ISO-Werten

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CMOS-Sensor

ClearVid

Entwicklung durch Sony

Veränderung der Pixel-Anordnung

höhere Auflösung und Empfindlichkeit

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Foveon X3 Sensor

Sigma hat Foveon gekauft und will die

Weiterentwicklung der X3 Sensoren

vorantreiben

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Quellen

de.wikipedia.org

www.itwissen.info

www.ccd-sensor.de

www.foveon.com

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