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UHV-taugliche Pumpen

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Page 1: UHV-taugliche Pumpen

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Page 4: UHV-taugliche Pumpen

3D: Kristallstruktur

Page 5: UHV-taugliche Pumpen

3D: Miller-Indices

Page 6: UHV-taugliche Pumpen

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

p:

c:

Page 7: UHV-taugliche Pumpen

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

Page 8: UHV-taugliche Pumpen

2D: ideale Oberfläche, 5 Bravais Netze

Page 9: UHV-taugliche Pumpen

Beschreibung idealen Oberfläche

fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)

oberste Lage

zweite Lage

Page 10: UHV-taugliche Pumpen

Beschreibung idealen Oberfläche

fcc Kristall (z.B. Cu, Ni, Ag, Pt)

Page 11: UHV-taugliche Pumpen

Exemplarische Typen von Grenzflächen

Page 12: UHV-taugliche Pumpen

Abweichung von der idealen Oberfläche

Page 13: UHV-taugliche Pumpen

Abweichung von der idealen Oberfläche

(Oberflächeneinheitszelle geändert)

(Oberflächeneinheitszelle unverändert)

Page 14: UHV-taugliche Pumpen

Relaxation von Oberflächen

Page 15: UHV-taugliche Pumpen

Adsorptionsplätze

Page 16: UHV-taugliche Pumpen

Abweichung von der idealen Oberfläche

Page 17: UHV-taugliche Pumpen

• Modify coupling by intermediate layer of atomic oxygen

• Preparation via surfactant growth:

– dosing O2 (1200 L) at annealed Cu(100) (600K)

adsorption of 0.5 ML of atomic oxygen

– surfactant assisted film growth: O floats to top of Ni or Co film

O O

Tailoring the magnetic coupling

Cu(100)

clean Cu (√22√2) R45° O/Cu(100) missing row

c(22) O/Co/Cu(100)

Co on O/Cu(100)

• C. Sorg et al., Phys. Rev. B 73, 064409 (2006) • R. Nünthel et al., Surf. Sci. 531, 53-67 (2003) • J. Lindner et al., Surf. Sci. Lett. 523, L65-L69 (2003)

Page 18: UHV-taugliche Pumpen

Adsorbate und Überstrukturen

Page 19: UHV-taugliche Pumpen

Adsorbate und Überstrukturen

Page 20: UHV-taugliche Pumpen

Halbleiter: dangling bonds entscheidend

Rekonstruktion

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