BAB 4 Transistor DC- BJT

Kuliah : DASAR ELEKTRONIKA (3 sks)

Teknik Elektro – Unand

Padang, 2009

BAB 4

DC Biasing - BJTs

Ir. DARWISON. MT

Fixed-bias Circuit

Example 4.1Dari gambar 4.7 diatas, tentukan:a. IBQ and ICQ b. VSEQ

c. VB and VC d. VBC

VBE = 0,7V

IC=βIB

IE=(β+1)IBIE≅ IC

Solusi:Bias diambil dari VccBesar arus bias tergantung nilai RB

Ak

VV

R

VVI

B

BECCBQ 08.47

240

7.012

VkmAVRIVV CCCCCEQ 83.6)2.2)(35.2(12

VVV BEB 7.0

mAAII BQCQ 35.2)08.47)(50(

VVV CEC 83.6VVVVVV CBBC 13.683.67.0

.a

.b.c

.dHubungan B-C adalah reversed-biased maka VBC bernilai negatif.

Emitter-Stabilized Bias Circuit

Example 4.4Dari gambar

4.22 disamping, tentukan:

a. IB

b. IC

c. VCE

d. VC

e. VE

f. VB

g. VBC

Solusi:

.a

.b

.c

.d

.e

.f

.g

Akk

VV

RR

VVI

EB

BECCB

1.40

)1)(51(430

7.020

)1(

VVVVVV CECE 01.297.1398.15

VVVVVV EBEB 71.201.27.0

VVVVVV CBBC 27.1398.1571.2

VVV

kkmAVRRIVV ECCCCCE

97,1303.620

)12)(01.2(20)(

VVVkmAVRIVV CCCCC 98.1502.420)2)(01.2(20

mAAII BC 01.2)1.40)(50(

Self Bias

Hk. KVL:

Maka:

0)( ECBBEBBBB RIIVRIV

0.)1( EBBEBBBB RIVRIV

EB

BEBBB RR

VVI

)1(

EXAMPLE 4.7

Tentukan tegangan bias dc Vce dan arus Ic dari konfigurasi voltage-divider pada gambar 4.31 di atas?

Voltage-divider Bias

Solusi:

RTh = R1 // R2

= = 3,55 kΩ

ETh = = = 2 V

IB = = = 6,05 μA

IC = βIB = (140)(6,05μA) = 0,85 mA VCE = VCC – IC(RC + RE)

= 22 V – (0,85 μA)(10 kΩ + 1,5 kΩ) = 12,22 V

kk

kk

9,339

)9,3)(39(

21

2

RR

VR CC

kk

Vk

9,339

)22)(9,3(

RETh

BETh

R

VE

)1( )5,1)(141(55,3

7,02

kk

VV

Konfigurasi follower/buffer

OinX VVV B

FXB R

VVI

EEO RIV .

ECB RII )(

EB RR )1(

Pada daerah aktif : IC=βIB

B

FEBinB R

VRIVI

.)1(EB

Fin

RR

VV

)1(

RE: hambatan feedback, merupakan resistor bersama antara input dan output.RE: terlihat dari input sebagai dimana:

ER)1(

EB RR )1(