Untuk penguat emitor ditanahkan, isyarat masuk … emitor dan kapasitor pintas Untuk mengurangi...

Untuk penguat emitor ditanahkan, isyarat masuk melalui basis dan emitor dihubungkan dengan tanah (ground), sedangkankeluaran diambil pada kolektor.

RC

VCC

VBB

RBVi

VO

CE dengan VCC dan VBB CE dengan Catu daya tunggal

E

C

I

I=αB

C

I

I=β

C

B

C

E

BCE

I

I

I

I

III

+=

+=

1

βα1

11 +=

ββα+

=1 α

αβ−

=1

Parameter Transistor

RC

VCC

VBB

RB

Vi

VO

IB

IE

IC

Dari gambar, persamaankuat arus pada transistor

dimana

Subsitusiα danββ adalah parameter arus emitor

ditanahkanα adalah parameter arus basis

ditanahkan

Garis beban

IB = 10 µA

IB = 20 µA

IB = 30 µA

IB = 50 µA

IB = 40 µA

Persamaan garis beban

C

CE

C

CCC R

V

R

VI −=

Garis beban memotongsumbu VCE pada

VCE = VCC

Garis beban memotongsumbu IC pada

IC = VCC /RCIB = 0

IC (mA)

Active Region

VCE

Cut-Off

Sat

urat

ion

“On

”

10V5V Titik kerja ditengah garisbeban terjadi pada

VCE = ½VCC

Kemantapan titik kerja (q)

IE

IC

ICBO

RC

VCC

RB

VBB

Titik kerja transistor dapat bergeser sepanjang garis bebanakibat perubahan temperatur. Perubahan dapat terjadi pada aruspenjenuhan (ICBO atau ICO) dan perubahanVBE

IC = αIE + I CO

Dari persamaan sebelumnya

IE = I C + I B

sehinggaIC = βIB + β ICO+I CO dan

IE = βIB + I B+ β ICO+I CO

Faktor kemantapan (SI) arus diperoleh dari

CO

CI I

IS

∆∆=

Resistor emitor dan kapasitor pintas

Untuk mengurangi pengaruh temperaturterhadap perubahan titik kerja transistor dapat dilakukan dengan memasang sebuahresistor pada kaki emitor

Faktor kemantapan arus dapat dibuat kecildengan memperbesar RE dan memperkecilRB. Jika SI >> 1 tetapi SI << (1+β) maka

E

BI R

RS ≅

Pengaruh RE terhadap penguatan dapat diatasidengan memasang kapasitor pintas CE

CE

RC

VCC

VBB

RB

IB

IE

IC

RE

Kondisi yang baik diambilSI ≅≅≅≅ 10 dan RE = 1/5 RC

RC

VCC

VS

C1

IB

IE

IC

RE

RB2

RS

C2

CE

RB1

Berdasarkan gambar dan IC ≅IE

EC

CECCC RR

VVI

+−=

Karena penguat bekerjaditengah garis beban( VCE = 1/2 VCC )

)(2 EC

CCC RR

VI

+=

21

21.

BB

BBB RR

RRR

+=

CCBB

BB V

RR

RV

21

2

+=

Tegangan pada kaki base

EBEB VVV +=atau VE = I E.RE

VB

Analisis AC dilakukan untuk frekuensi tengah

Cara membuat rangkaian setara

� Hilangkan pengaruh DC pada rangkaian dengan menghubungkanVcc ke ground

� Untuk sinyal AC, pada frekuensi tengah kapasitor dianggapterhubung singkat

� Gunakan rangkaian setara–h transistor

B

C

E

βIB

C

E

B

hie 1/hoe

Rangkaian setara

βIBhie 1/hoe

RB

RS

VS

RC VOVi

ib

21

2121

.//

BB

BBBBB RR

RRRRR

+==

erhie ).1( β+=

−= Cco Rhoe

iV //1

Tegangan masukan

Vi = i b hie

Tegangan keluaran

−= Cbo Rhoe

iV //1β

)(

25

mAIr

Ee =

Impedansi masukan (Ri)

hiei

Rhoe

i

V

VK

b

Cb

i

OV

−==//

1β

hie

Rhoe

KC

V

−=//

1β

Penguatan (KV)

Ri = RB // hie

Impedansi keluaran (Ro)

CO Rhoe

R //1=

A CE amplifier configuration will always have a phase relationship between input and output is 180 degrees. This is independent of the DC bias.

Phase Relationship

RC

VCC

VS

C1

IB

IE

IC

RE

RB2

RS

C2

CE

RB1

RL

Jika pada keluaran rangkaian dipasang sebuah tahanan beban(RL) seperti gambar

Rangkaian setara dengan beban RL

ib

21

2121

.//

BB

BBBBB RR

RRRRR

+==

erhie ).1( β+=

−= LCcob RRhoe

iV ////1

Tegangan masukan

Vi = i b hie

Tegangan keluaran

−= LCbob RRhoe

iV ////1β

)(

25

mAIr

Ee =

βIBhie 1/hoe

RB

RS

VS

RCViRL

Jika 1/hoe >> RC // RL maka

( )LCbob RRiV //β−=

( )hie

RRK LC

V

//β=

dan