Upload
lenga
View
218
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
No. 1
August 28, 2013
半導体回路技術者のための電磁界解析入門
電子情報通信学会 シリコンアナログRF研究会 発表資料
東京工業大学
平野 拓一 E-mail: [email protected]
No. 2
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Outline
基礎 ~ マクスウェルの方程式と回路理論 ~
電磁界解析
1次元(1-D)問題
モーメント法(MoM) 、FDTD法、有限要素法(FEM)
モデル化のコツ
解析例
No. 3
基礎
~ マクスウェルの方程式と回路理論 ~
No. 4
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
電磁気学の知識からマクスウェルの方程式を導く
dt
dV
SCd
td SBlE
ストークスの定理を使って
SSd
td SBSE)(
t
BE
dS
S
C dl
V
ファラデーの法則
アンペアの法則
r
IH
2 IrH 2
SCdd SilH
SS
dd SiSH)(
iH
I r H ストークスの定理を使って
dS
dl
C S
CS
dd lASA
ストークスの定理
電磁界は空間全体に分布する
ファラデー:近接作用、界の概念を提唱
No. 5
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
マクスウェルの方程式
微分形
0B
D
DiH
BE
dt
d
dt
d
積分形
0S
VS
SSC
SC
d
dVd
ddt
ddd
ddt
dd
SB
SD
SDSilH
SBlE
変位電流 変位電流
ファラデーの法則
アンペアの法則
EHEHi
HB
ED
構成(媒質)方程式
電束密度 誘電率 電界
磁界 磁束密度 透磁率
この方程式でマクロな電磁気、電磁波現象の全てが記述可能
(媒質条件、励振条件、境界条件は与える)
sec]/[10998.21 8 mc
②その波動の速度は光速だ!
こんな偶然はあるのか!? ① 波動になる!?そんな波動はあるのか!?
解いてみると
まだわからないけど、電磁波と呼ぼう 光は電磁波だろう
アンペアの法則は無限長電流から導いた不完全なものであった。これが有限長の電流でも成り立つように、電荷保存則(電流連続の式)を組み込んで完成させた。具体的には変位電流をアンペアの法則に組んで修正する。電流連続の式は修正されたアンペアの法則のdivを取ると導かれる。
t
QI
t
i
I
S Q
dS
電流連続の式:
James Clerk Maxwell, “A Dynamical Theory of the Electromagnetic Field,” Philosophical
Transactions of the Royal Society of London, vol.155, pp.459-512, 1865.
No. 6
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
電磁波と回路の違い
0B
D
DiH
BE
dt
d
dt
dファラデーの法則
アンペアの法則
0 H
t
i 0 i
マクスウェルの方程式 回路方程式
)(
0接点i
iI
)(閉路i
i EV
0
t
回路の支配方程式では
変位電流は考慮されていない
E
V1
V2
V3 V4
I1
I2 I3
I4
dt
dB
E
Hdt
dDi
No. 7
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
ヘルツの実験
Heinrich Rudolph Hertz
マクスウェルが予言した電磁波を実験的に発生させて確認したのはドイツ人のハインリッヒ・ヘルツ(Heinrich Rudolph Hertz, ドイツ, 1857-1894)であり、1888年に確認された。ヘルツは実験家であるだけでなく、理論家でもあり、1889年に現在「微小ダイポール(infinitesimal dipole)」として知
られる波源から放射される電磁界をマクスウェルの方程式から導出し、平面波以外の波源があるときのマクスウェルの方程式の界を計算して、図のような電気力線を描いている。それ故、微小ダイポールはヘルツダイポール(Hertzian dipole)と呼ばれることもある。
http://www-antenna.ee.titech.ac.jp/~hira/hobby/edu/em/smalldipole/smalldipole-j.html
No. 8
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
線路とアンテナの違い
J
E
アンテナ
任意の電流分布は微小電流素(微小ダイポール)の和と考えると理解しやすい。
放射は打消し合わない
線路
放射は打消しあう
No. 9
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Outline
基礎 ~ マクスウェルの方程式と回路理論 ~
電磁界解析
1次元(1-D)問題
モーメント法(MoM) 、FDTD法、有限要素法(FEM)
モデル化のコツ
解析例
No. 10
電磁界解析
No. 11
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
電磁界シミュレータの役割
微分形
dt
d
dt
d
DiH
BE
積分形
SSC
SC
ddt
ddd
ddt
dd
SDSilH
SBlEファラデーの法則
アンペアの法則
V S
n̂
J
電磁界シミュレータの目的は、上のマクスウェルの方程式を速く、精度良く、なるべく一般の構造を解くこと。境界条件を指定する必要がある(→微分方程式論の境界値問題)。
マクスウェルの方程式
内部: Maxwellの方程式
周囲境界: 境界条件
解くために必要な条件(解析の前準備)
1. 構造および媒質(, , s)
2. 境界条件
3. 励振波源
上をまとめて「解析モデル」と呼ぶ
No. 12
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
解析モデルの例
770um Port1 Port2
相互結合評価モデル
G
S
G
G
S
G
吸収境界(他の5面)
電気壁(PEC) (下面)
励振ポート
No. 13
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
電磁界解析手法の原理
界等価定理
境界に未知の電磁流を配置し、メッシュ分割
行列方程式を解く(陰解法)
時間、空間ともにメッシュ分割(差分法)
空間全体に電磁界の値を配置
時間ステップを進めて過去の値を用いて電磁界の値を更新
(陽解法)
マクスウェルの方程式+境界条件を解くというのは同じ
ヘルムホルツの波動方程式で電界(または磁界)のみの方程式
重み付け残差法を用いる(昔は変分法)
空間全体をメッシュ分割し、その中の電磁界を基底関数で
表現する。
行列方程式を解いて基底関数の重みを求める。
No. 14
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
各種電磁界解析法の比較
FDTD MoM FEM
メッシュ分割 3D
(空間全体)
2D
(物体表面)
3D
(空間全体)
解法 陽解法(安定条件必須)
陰解法(安定) 陰解法(安定)
行列の疎密 N/A 密 疎
(高速化可。メモリも節約可)
周波数/時間領域 時間領域 周波数領域 周波数領域
得意な問題 人体解析 RCS解析 マイクロ波・ミリ波回路
その他特徴 開放問題では吸収境界条件が必須
開放問題は最初から厳密に組み込まれている
開放問題では吸収境界条件が必須
導体球・誘電体球による平面波の散乱など、解析的に解けるものもある。このような問題は規範問題とよばれており、解析の検証を行う上で有用である。
No. 15
電磁界解析原理説明のための1次元問題
x
zy
0
zy
4r1r 1r
0
1
s
r
)(ˆszzz J
sz1z 2z
ガラス 空気 空気
波源(面電流)
No. 16
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
1次元問題の例
x
zy
0
zy
4r1r 1r
0
1
s
r
)(ˆszzz J
sz1z 2z
波源(面電流)
ガラス 空気 空気
No. 17
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
1次元問題の例 (電界分布)
x
zy
0
zy
4r1r 1r
0
1
s
r
)(ˆszzz J
sz1z 2z
ガラス 空気 空気
波源(面電流)
No. 18
モーメント法 (MoM, Method of Moments)
R. F. Harrington: Field Computation by Moment Methods, 1968.
で脚光を浴びた手法だが、その10年程前から他の研究者によっても研究されていた。
境界上に置いた未知の電磁流に対する積分方程式を数値的に解く問題である。
積分方程式を解く際に、重み付け残差法を用いる。
No. 19
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (解析手順)
x
zy
1xJ
1xJ
2xJ
2xJ
J
1yM
1yM
2yM
2yM
I II III
界等価定理(Field Equivalence Thorem)が基本原理。
境界にメッシュを切って離散化
等価電磁流を仮定すると、各領域の計算において、外部空間同一の一様な媒質で満たされていると考えることができる。
周波数領域
No. 20
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (境界上の電磁流)
x
zy
1xJ
1xJ
2xJ
2xJ
J
1yM
1yM
2yM
2yM
I II III
H H
E E
x
zy
)(ˆ zJx J
H
H
E
E x
zy
)(ˆ zMy yM
)0(2
ˆ
)0(2
ˆ
,
)0(2
ˆ
)0(2
ˆ
zeJ
y
zeJ
y
zeJ
x
zeJ
x
jkz
jkz
jkz
jkz
HE
)0(2
ˆ
)0(2
ˆ
,
)0(2
ˆ
)0(2
ˆ
zeM
y
zeM
y
zeM
x
zeM
x
jkz
jkz
jkz
jkz
HE
No. 21
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (規範領域への分割)
x
zy
1xJ
1xJ
2xJ
2xJ
J
1yM
1yM
2yM
2yM
I II III
x
zy
1xJ
1yM
I
x
zy
1xJ
2xJ
1yM2yM
II
x
zy
2xJ
J
2yM
III
各領域のグリーン関数
全部真空のモデル 全部真空のモデル
全部ガラスのモデル
各領域の計算は簡単
No. 22
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (界等価定理)
Js
H H
E E
S S n̂n̂
H
E
H
E
S
n̂
HnJ ˆ
nEM ˆ
H/2
E/2
S
S内部
S外部 S外部 H/2
H/2
H/2
E/2
E/2
E/2
界等価定理 (1-D)
No. 23
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (境界条件の適用)
22
22
11
11
zyzy
zxzx
zyzy
zxzx
HH
EE
HH
EE
2211 ,,, yxyx MJMJ
x
zy
1xJ
1xJ
2xJ
2xJ
J
1yM
1yM
2yM
2yM
I II III
境界条件→方程式の作成
未知電磁流
未知数について解くことができる。
0)(ˆ
0)(ˆ
21
21
HH
EE
n
n
1z 2z
2次元、3次元問題では基底関数が局所的なので、各基底関数と同一の形状の重み関数で内積を取って積分し、境界条件を表現して方程式を立てる。
11,HE
22 , HE
n̂
未知電磁流が求まったら、電磁界は各規範領域でそれらからの放射を計算するのみである。
No. 24
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モーメント法 (3次元構造の解析の説明)
dSj
dvj emeo
)ˆ()ˆ()ˆ(
)(
nEnEHn
JJrE
dSj
dvj memo
)ˆ()ˆ()ˆ(
)(
nHHnnE
JJrH
nHnn
nHnHnH
nE
ˆˆˆ1
ˆ1
ˆ1
ˆˆ
j
jjjt
nEnn
nEnEnE
nH
ˆˆˆ1
ˆ1
ˆ1
ˆˆ
j
jjjt
界等価定理・・・内部の波源および境界上の波源により界が決まる
No. 25
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
【問題】 ダイポールアンテナ
mom2.pdf: p.1
No. 26
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
未知電流分布を仮定、その放射電界も計算
h
hzs
so
sos
Vs
so
so
s
dzjkzJz
dVjk
rr
rr
rr
rriA
4
exp)(ˆ
4
exp
00
00
h
hzs
so
sos
zs
dzjkzJ
Arr
rr
4
exp)( 00
o
zoz
zooz
z
A
jAzj
j
AzAzj
00
00
ˆ
)ˆ(ˆ
E
h
hzssos
o
z
oo
zzz
s
dzzzzJzk
jk
Azk
jz
A
jAjE
),()(1
14
11
1
2
2
2
0
00
2
2
2
0
2
2
00
mom2.pdf: pp.2-3
r
rjkzz so
)exp(),( 0
No. 27
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
境界条件の適用(方程式を立てる)
0i
zz EE (On the surface of the wire)
)(),()(1
14 2
2
2
0
00o
i
z
h
hzssos
o
zEdzzzzJzk
jk
s
mom2.pdf: pp.4-5
No. 28
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
区分正弦関数で展開(未知数の離散化)
N
n
nn zjazJ1
)()(
)elsewhere(0
)()(sin
)(sin
)()(sin
)(sin
)( 1
10
10
1
10
10
nn
nn
n
nn
nn
n
n zzzzzk
zzk
zzzzzk
zzk
zj
このような一見変(複雑)な基底関数を使うのはリアクションの積分を解析的に行うため。
mom2.pdf: pp.4-6
No. 29
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Galerkin法の適用(方程式の離散化)
1
1
1
1
1
1
)()(
),()(1
1)(4 1
2
2
2
0
00
m
mo
m
mo
n
ns
z
zzoo
i
zom
N
n
z
zzo
z
zzssosn
o
omn
dzzEzj
dzdzzzzjzk
zjajk
mom2.pdf: p.6
No. 30
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
行列表現とリアクション
mnmn VaZ
1
1
)()(m
mo
z
zzoonommn dzzEzjZ
1
1
),()(1
14
)(2
2
2
0
00 n
ns
z
zzssosn
o
on dzzzzjzk
jkzE
1
1
)()(m
mo
z
zzoo
i
zomm dzzEzjV
二重積分になっていて大変。
mom2.pdf: p.6
No. 31
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
リアクションの簡易化の計算
]
[
]
[
),(),()(cos)(sin
1
),(),()(cos)(sin
130
),()(cos),()(sin
1
),()(cos),()(sin
1
4)(
110
10
110
10
101
10
101
10
0
nononn
nn
nononn
nn
nonnno
nn
nonnno
nn
on
zzzzzzkzzk
zzzzzzkzzk
j
zzzzkzzzzk
zzzzkzzzzk
jzE
解析的に積分できたので、Zmnは単積分になった。さらに、Si, Ei
などの特殊関数を用いればZmnを積分することができる。
1
1
),()(1
14
)(2
2
2
0
00 n
ns
z
zzssosn
o
on dzzzzjzk
jkzE
この計算が重い!
mom2.pdf: pp.6-8
No. 32
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
デルタギャップ給電
)otherwise(0
)2/(/1)(
dzdzu
)(zuVE ii
z
iz
zzooom
iz
zzooom
i
z
zzoo
i
om
z
zzo
i
zomm
VdzzzjVdzzuzjV
dzzuVzjdzEzjV
m
mo
m
mo
m
mo
m
mo
1
1
1
1
1
1
1
1
)()()()(
)()()(
ギャップがセグメント幅よりも小さいとき
mom2.pdf: pp.9-10
No. 33
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
入力インピーダンスの計算
2/N
i
inj
VZ
No. 34
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
指向性の計算 (1/2)
)ˆ)ˆ(( rrjj AAAE
h
hzssos
h
hzssos
s
s
dzzJr
dzzJz
),()(4
)sinˆcosˆ(
),()(4
ˆ
0
0
rr
rrA
1
1
),()(sin4
ˆ
),()(sin4
ˆ
),()(sin4
ˆ)(
1
00
00
0
n
ns
s
s
z
zzssosn
N
n
n
h
hzssos
h
hzssoso
dzzjajk
dzzJjk
dzzJj
rr
rr
rrrE
x
y
z
l
a21
2
9
1
2
9
10
11
iEFeeding element
nn
mom2.pdf: pp.11-13
No. 35
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
指向性の計算 (2/2)
)cosˆsinsinˆcossinˆ( oooo zyxr r
)ˆ(exp
exp)ˆ(expexp),( 0
000
os
o
o
o
oso
so
so
so jkjkjkjk
zz rrr
r
r
rrr
rr
rr
or
sr
sorr
osrr ˆ
O
1
1
1
1
cossinsincossinexp)(
sinexp
4ˆ
ˆexp)(sinexp
4ˆ)(
0
1
000
0
1
000
n
ns
n
ns
z
zzsssssn
N
n
n
o
o
z
zzsossn
N
n
n
o
o
o
dzzyxjkzja
jkjk
dzjkzjajkjk
r
r
rrr
rrE
x
y
z
l
a21
2
9
1
2
9
10
11
iEFeeding element
nn
mom2.pdf: pp.11-13
No. 36
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
計算例(ダイポールアンテナ)
0.2 0.1 0.0 0.1 0.2
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
Position
AmplitudeA
0.2 0.1 0.0 0.1 0.2
38
36
34
32
30
28
26
Position
Phasedeg
電流分布
No. 37
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
計算例(ダイポールアンテナ)
指向性
No. 38
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
放射電界のアニメーション
yx E
dy
E
dx
dt
dy
Edt
dx
E yx
11
y
x
CEdt
dy
CEdt
dx
電気力線の描き方
http://www-antenna.ee.titech.ac.jp/~hira/hobby/edu/em/smalldipole/smalldipole-j.html
電気力線の方程式
パラメータ表示
No. 39
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
計算例(ダイポールアンテナ) 入力インピーダンス(MoMと起電力法の比較)
-800
-600
-400
-200
0
200
400
600
800
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0 0.5 1 1.5 2
X [
Oh
m]
R [
Oh
m]
Dipole length [Wavelength]
MoM
EMF
R
X
4393 jZ in
4373 jZ in
MoM
EMF
半波長ダイポール
)cot(0 ljZZ in
Xと終端開放線路の関係
No. 40
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
【参考】 層構造のPCBなどの解析(スペクトル領域法)
z
0=z
zz =
dz =
http://www-antenna.ee.titech.ac.jp/~hira/hobby/edu/em/sda/sda_swa.pdf
yxk k
yxbjsoyx
f
yxai
So
Sssbjso
f
oai
f
ij
dkdkkkzzkkkk
dSdSY
x y
),(~),,(~
),(~
)2(
1
)();()(
2mGm
rmrrGrm
x y
yjkxjk
yx dxdyeekk yx)(][),(~ rmmm F
x y
yx
k kyx
yjkxjk
yx
- dkdkeekkyx ),(~
)2(
1]~[),(
2
1mmm
F
リアクションの計算を空間領域での積分から波数領域での積分に変換する
電流・磁流はスペクトル分解する(フーリエ変換して平面波の和で表現)
空間領域よりも高速にリアクションが計算できる。
高速フーリエ変換(FFT)のアルゴリズムも適用できて高速化できる。
パーセバルの等式
No. 41
FDTD法 (Finite-Difference Time-Domain Method)
K.S. Yee, “Numerical Solution of Initial Boundary Value Problems
Involving Maxwell’s Equation in Isotropic Media,” IEEE Trans. Antennas
Propagat., Vol.AP-14, No.3, pp.302-307, April 1966.
の論文により始まっている。
上の論文では電界と磁界の位置をずらしているところがポイントである。
マクスウェルの方程式を差分化する手法であり、定式化自体は比較的簡単である。
類似した手法として、有限積分法 (FIM, Finite Integral Method)がある。
これはプラズマ物理学の分野から発展しており、メッシュを含めた全体のグリッド方程式を行列で表現する。ほぼ同一の処理をしていることになるが、非常に手法全体の見通しが良くなる。
No. 42
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FDTD法 (時間の差分化)
マクスウェルの方程式を時間および空間の両方に対して差分化して陽的に解く手法である。
電界と磁界の更新は半ステップずらして交互に行われる。
電界と磁界は回転の差分計算のために空間的に半セルずれて配置される。
陽解法のため、数値的安定性には注意する必要があり、時間ステップには制限がある。
time
nE 2
1n
H 1n
E 2
1n
H 1n
E 2
3n
H
t
2/t
z
)1( iE
)2
1( iH
z
2/z
)(iE )1( iE
)2
1( iH
)2
3( iH
y
x
時間領域
0
t
HE
et
iEE
H
s
No. 43
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FDTD法 (位置の差分化)
time
nE 2
1n
H 1n
E 2
1n
H 1n
E 2
3n
H
t
2/t
z
)1( iE
)2
1( iH
z
2/z
)(iE )1( iE
)2
1( iH
)2
3( iH
y
x
差分化
0
t
HE
et
iEE
H
s
n
nn
tE
HH
12
1
2
1
2
12
1
2
11 11
n
e
nnnn
tiHE
EE
s
2
1 nnEE
y
kjiAkjiA
x
kjiAkjiAz
z
kjiAkjiA
x
kjiAkjiAy
z
kjiAkjiA
y
kjiAkjiAx
y
A
x
Az
z
A
x
Ay
z
A
y
Ax
AAA
zyx
zyx
xxyy
xxzz
yyzz
xyxzyz
zyx
),,(),1,(),,(),,1(ˆ
),,()1,,(),,(),,1(ˆ
),,()1,,(),,(),1,(ˆ
ˆˆˆ
///
ˆˆˆ
A
No. 44
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FDTD法 (更新ステップの式の導出)
)()1()2
1()
2
1(
)(
21
/)
2
1()
2
1(
21
/
)(
21
21
)(
2
1
2
1
2
12
1
2
1
1
iEiEz
tiHiH
iit
tiHiH
t
t
iEt
t
iE
n
x
n
x
n
y
n
y
n
ex
n
y
n
y
n
x
n
x
s
s
s
s
)( ctzEE xx
01
t
E
cz
E xx
)()1()1()( 11 iEiEztc
ztciEiE n
x
n
x
n
x
n
x
z
)1( iE
)2
1( iH
z
2/z
)(iE )1( iE
)2
1( iH
)2
3( iH
y
x
No. 45
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
3-D FDTD (マクスウェルの方程式の差分表現)
2
1
1
21
/
21
21
n
nn
t
t
t
t
HEE
s
s
s
nnn t
EHH
2
1
2
1
EH
1
t
EHE
s
1
t
n
nn
tE
HH
12
1
2
1
2
1
2
11 1
nnnn
tHE
EE
s
2
1 nnEE
time
),,,( tnzyxn EE
tCourant’s stability condition
222 )/1()/1()/1(/1 zyxtv
No. 46
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
3-D FDTD (位置の離散化)
x
y
z(i,j,k)
(i+1,j,k)
(i,j,k+1)
(i,j+1,k+1)
(i,j+1,k)
(i+1,j+1,k)
(i+1,j+1,k+1)
Δ xΔ y
Δ z
Electric field
Magnetic fieldx
y
z(i,j,k)
(i+1,j,k)
(i,j,k+1)
(i,j+1,k+1)
(i,j+1,k)
(i+1,j+1,k)
(i+1,j+1,k+1)
Δ xΔ y
Δ z
Electric field
Magnetic field
(i,j,k)
(i+1,j,k)
(i,j,k+1)
(i,j+1,k+1)
(i,j+1,k)
(i+1,j+1,k)
(i+1,j+1,k+1)
Δ xΔ y
Δ z
Electric field
Magnetic field
i=1
i=NX-1j=1
j=NY-1
k=1
k=NZ-1
Yee-Cell
No. 47
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
3-D FDTD (時間の離散化)
1nE 2
1n
H nE 2
1n
H
E(x,y,z)
H(x,y,z) 過去の時間の値を保持しなくてもよい
蛙飛び(Leap-flog)アルゴリズム
電磁界の時間、場所をずらすことでメモリを節約
No. 48
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
偏波による回折のちがい
Incident plane wave
Half infinite ground plane
x
y
z
Ez
Hy
Incident plane wave
Half infinite ground plane
Ey
Hz
x
y
z
TM波
TE波
よく回り込む
TEよりは回り込まない
無限に薄い半無限導体板による回折
No. 49
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
周波数による回折のちがい
Incident plane wave
Half infinite ground plane
Ey
Hz
x
y
z
高周波
低周波
よく回り込む
低周波よりはあまり
無限に薄い半無限導体板による回折
TE波
No. 50
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
スリットによる回折
FDTDシミュレーション
Incident plane wave
Ey
Hz dSlit
Conductor
Conductor
高周波
(周波数4倍;
d=2λ)
低周波
(d=λ/2)
複スリット
単スリット
No. 51
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
パラボラアンテナの原理
開口直径6波長のパラボラアンテナ
FDTDシミュレーション
送信モード 受信モード
散乱体が波長に比して大きい(10波長以上?)と光の理論が使える。
点波源を平面波に変換
平面波を1点に収束
TE問題
No. 52
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
レンズの原理
開口直径6波長のパラボラアンテナ
FDTDシミュレーション
散乱体が波長に比して大きい(10波長以上?)と光の理論が使える。
光学系レンズ
カメラ、コピー機、スキャナーなど 虫眼鏡 誘電体レンズアンテナ
点波源→平面波 平面波→点波源 点波源→点波源
TE問題
No. 53
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
円柱導体、誘電体による散乱
FDTDシミュレーション
円柱誘電体 円柱導体
TE問題
No. 54
有限要素法 (FEM, Finite Element Method)
1955-1956 航空
1980 電気
・M. J. Turner, R. W. Clough, H. C. Martin, and J. L. Topp,
“Stiffness and deflection analysis of complex structures”,
Journal of Aeronautical Sciences, vol. 23, pp. 805-824, 1956.
・J.H. Argyris, “Energy theorems and structural analysis. Part I general theory,”
Aircraft Engineering, vol.26, pp.347-356, 1954.
M. V. K. Chari and P. P. Silvester,
“Finite Elements in Electrical and Magnetic Field Problems”,
John Wiley & Sons, 1980.
歴史
電磁波問題への応用はスプリアス(非物理)解の問題があり、なかなか進まなかった。しかし、エッジ要素(2-Dでは辺, 3-Dでは面において等しい接線成分を持つ基底関数の表現)の考案により、スプリアス解の問題が解決して実用に至っている。
R.W. Clough, “The finite element method in plane stress analysis,”
2nd American Society of Civil Engineering (ASCE) Conf. on Electronic Computation, 1960.
1960 土木・建築
No. 55
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FEM (基底関数)
z
)1( iE )(iE )1( iE
y
x
)1( iH )(iH )1( iH
#(i-1) #i #(i+1)
1
1
iz 1
2
iz iz2
iz1 1
1
iz 1
2
iz
1e 2e
1
1
空間全体を要素にメッシュ分割する。
各要素内において、エネルギーが最小となる(変分原理)ように各基底関数に対する未知数で偏微分して連立一次方程式を作成する。実際には最小の探索は極小値の探索問題となっているので(二次形式)、偏微分=0として連立方程式を作成。(昔の定式化)
各要素内において各基底関数で重みづけして(重み付け残差法)、弱形式の連立一次方程式を作成する。(現代の定式化)解くとEが求まる。
磁界を知りたいときはアンペアの法則から求まる。
周波数領域
x
x
ˆ)(
)1(ˆ)(
2
1
e
e基底関数・・・この既知の関数と重みで任意の分布を表現
eN
i
i
x
ii
x
i
x zeAzeAE1
2211 )()(
全空間の電界は基底関数とその重みで表現
j
EH
z y
x
e1 e2 e3 e4
1 2 3
A1e1
A2e2= A2e3
No. 56
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FEM (波動方程式, 重み付け残差法、弱形式)
z
)1( iE )(iE )1( iE
y
x
)1( iH )(iH )1( iH
#(i-1) #i #(i+1)
1
1
iz 1
2
iz iz2
iz1 1
1
iz 1
2
iz
1e 2e
1
1
000
2
0
dvjkk
r
r
r
MJE
EW
0ˆ1
100
2
0
dSn
dvjkk
r
r
r
r
EW
MJWEWEW
basis
e
N
n
nn
N
e
eeee
zA
zAzA
1
1
2211
)(
)()(
b
eeE Eの波動方程式 重み
MHE j
JEH j
マクスウェルの方程式
r
r
r
jkk
MJE
E00
2
0
ヘルムホルツの波動方程式(Hを消去)
01
]1
1[
1
1
00
2
0
eNz
zz
xx
r
yz
r
xx
xxrxx
r
z
EWdz
z
M
y
MJjkW
EWkz
E
z
W
今の1次元の問題の場合
グローバルな基底関数の番号付
(弱形式)
数値計算しやすいよう、ベクトル解析の公式で変形
z y
x
e1 e2 e3 e4
1 2 3
b1=A1b1 (b1=e1)
A2b2 (b2=e2+e3)
n
ej ej+1
m
Anbn (bn =ej+ej+1)
要素番号
No. 57
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FEM (離散化, 行列方程式)
i
basis
mn
F
z
y
r
xm
N
n
n
K
znmr
z
nm
r
dzz
MJjkb
Adzbbkdzz
b
z
b
2
11
2
]boundary[1
00
1
2
0
01
]1
1[
1
1
00
2
0
eNz
zz
xx
r
yz
r
xx
xxrxx
r
z
EWdz
z
M
y
MJjkW
EWkz
E
z
W
basisN
n
nnx zbAE1
)(
),,1()( basismx NmzbW
[boundary]は無視して行列方程式を作ると
ここで、
Wxは何でも良いのだが、このように選ぶ。
n
N
n
nmn FAKbasis
]boundary[1
z
y
r
xmm
znmr
z
nm
r
mn
dzz
MJjkbF
dzbbkdzz
b
z
bK
2
11
2
1
00
2
0
basisbasisbasisbasisbasisbasis
basis
basis
N
m
N
m
NNnNN
Nmmnm
Nn
F
F
F
A
A
A
KKK
KKK
KKK
11
,,1,
,1
,1111
z y
x
1 2 3 n
z y
x
1 2 3 n
E
W
m
m
b1=A1b1 (b1=e1)
A2b2 (b2=e2+e3)
Anbn (bn =ej+ej+1)
Amb
m
bm
W=bmの方程式
No. 58
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FEM (行列要素の計算)
ここで、
の計算は次の図を見てわかるように、i,jともに同一、あるいは隣接する要素の基底関数のときしか値を持たない。
→行列は疎になる。
よって、要素ごとに基底関数同士の積分を評価して、行列に埋め込んでいくと効率的である。全体の行列方程式における基底関数としては、要素内の基底関数を用いて、上図のように各エッジで重みが定義された基底関数を用いる。このために(要素番号, 基底関数番号1or2)からグローバルの基底関数番号に対応させる変換表を準備しておく。
z y
x
1 2 3 n
z y
x
1 2 3 n
E
W
m
m
b1=A1b1 (b1=e1)
A2b2 (b2=e2+e3)
Anbn (bn =ej+ej+1)
Amb
m
bm
また、
の計算は
なので、次の計算に帰着される。
znmr
z
nm
r
mn dzbbkdzz
b
z
bK
2
0
1
znmr
z
nm
r
mn dzbbkdzz
b
z
bK
2
0
1
)()/(1
)()/(1)()(
)(6/)(
)(3/)()()(
21
12
12
12
2
1
2
1
jizz
jizzdz
z
ze
z
zeF
jizz
jizzdzzezeE
ee
eez
z
e
je
iij
ee
eez
z
e
j
e
iij
e
e
e
e
)()()( 1
1
2 zezezb ee
m
No. 59
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
FEM (境界条件の適用)
【例】左の壁が電気壁(PEC)の場合
basisbasisbasisbasisbasisbasis
basis
basis
N
m
N
m
NNnNN
Nmmnm
Nn
F
F
F
A
A
A
KKK
KKK
KKK
11
,,1,
,1
,1111
01 A0xE なので、
とする。これは元々既知であったと考えるので
行列方程式に
を代入し、未知数からも消去する。
01 A
No. 60
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
3-D FEMのエッジ要素ベクトル基底関数
1L
2L
3L
O
1
1
1
(Node1)
(Node2)
(Node3)
(Node4)
1
2
3
4
1
2
3
4
5
6
No. 61
1次元問題の解析結果
x
zy
0
zy
4r1r 1r
0
1
s
r
)(ˆszzz J
sz1z 2z
ガラス 空気 空気
波源(面電流)
No. 62
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Amplitude of E-field
0
50
100
150
200
250
300
350
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 0.24
|E| (
V/m
)
Position (m)
MoM
FDTD
FDFD
FEM
Sourcer=4
定在波 定在波 進行波
進行波
No. 63
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Phase of E-field
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 0.24
Arg
(E)
(deg
)
Position (m)
MoM
FDTD
FDFD
FEM
Sourcer=4
No. 64
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: 電界強度分布アニメーション
x
zy
0
zy
4r1r 1r
0
1
s
r
)(ˆszzz J
sz1z 2z
No. 65
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Time-Varying Animation of E-field
定在波 定在波 進行波 進行波
No. 66
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Amplitude of H-field
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 0.24
|H| (A
/m)
Position (m)
MoM
FDFD
Sourcer=4
定在波 定在波 進行波
進行波
No. 67
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Phase of H-field
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2 0.22 0.24
Arg
(H)
(deg
)
Position (m)
MoM
FDFD
Sourcer=4
No. 68
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Result: Time-Varying Animation of H-field
定在波 定在波 進行波 進行波
No. 69
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Outline
基礎 ~ マクスウェルの方程式と回路理論 ~
電磁界解析
1次元(1-D)問題
モーメント法(MoM) 、FDTD法、有限要素法(FEM)
モデル化のコツ
解析例
No. 70
高精度かつ効率的(高速、省マシンコスト)のための
モデル作成と解析のコツ
No. 71
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
励振方法1: 導波路モード励振 (Wave Port)
V
S
n̂
u
uuB )()(
1 EEE
導波路モード励振は境界にて行う。
導波路モード給電では、導波路部分は少なくとも1/4波長以上はモデル化する。(不連続部で発生した高次モードが十分減衰するように)
単一モード条件であるかどうか確認する。多モードならば、それらも考慮して解析する。
開放型線路の場合には電磁界モードが端で十分減衰する程度に広い面積でポートを定義する。
1/4波長以上 ポート
Mode1 Mode2
Mode3 Mode4
x
y
z
ab
OC
S
No. 72
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
モード関数の表現
u
uuuu BA )()(EEE
u
uuuu BA )()(HHH
モード関数の直交性
z
uvS
vuvued
)()()(
SHE
z
uvS
vuvued
)()()(
SHE
)(0),(1 vuvuuv
u: モードの番号(TEM, TEmn, TMmn)
x
y
z
SC
t: transversal (断面方向) … xy成分
l: longitudinal (軸方向) … z成分
導波路内の電磁界はモードの和で表現できる
モード関数は導波路問題の固有値問題を解いて得られる。つまり、非励振の問題の解である。
モード解析によって、モードの分布とそのモードの伝搬定数が得られる。
モード関数 モード分布 伝搬定数
)exp()()()( zutuu rerE
)exp()()()()( zuutuu rhrhrH
No. 73
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
様々な伝送線路
(a) 自由空間 (b) 平行二本線路 (レッヘル線路)
E
H
(c) 同軸線路
PEC(金属) PEC
PEC
(d) 方形導波管
PEC
(e) 円形導波管
PEC
PEC誘電体
(f) マイクロストリップ線路
PEC 誘電体
(g) ストリップ線路 (トリプレート線路)
PEC 誘電体
(h) スロット線路
スロット
(i) コプレナガイド
PEC誘電体
(j) 光ファイバ
誘電体2
誘電体1
k波数ベクトル
No. 74
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
導波路モードの考え方
回路 線路 回路
アンテナ等
線路は各ブロックの信号伝送に用いられる。
不連続部では電磁界の境界条件を満たすように高次モードが発生する。減衰モードはその場所を離れると指数関数的に減衰する。
線路は普通、シングルモード(単一モード)で用いる。同軸ケーブルも高周波になるほど細くなるのはこのため。マルチモード(多モード)では線路の曲げ方等によって特性は大きく変化するので安定動作しない。
線路は断面形状が無限に続くものとしてモードを計算しているので、不連続部やコーナー部では予期しない放射などが生じ得る。
線路の断面は理想的には2次元の無限に広い面を必要とするので(導波管のような閉構造は別)、線路を近づけると予期しない線路間の結合が起こる。
No. 75
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
方形導波管のTEモードのFEM解析
Mode1 Mode2
Mode3 Mode4
(1,0): 2.58
(0,1): 5.15
(2,0): 5.16
(1,1): 5.76
Mode1: 2.58
Mode2: 5.13
Mode3: 5.30
Mode4: 5.92
fcu (GHz)
FEM Analytic
x
y
z
ab
OC
S
カットオフ周波数
高次モードではより多くのメッシュ分割が必要
No. 76
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
励振方法2: 電圧・電流源励振
V
S
n̂電圧・電流源励振は体積内にて行う。
電圧・電流源励振は波長に比して微小であることが基本である。
J
No. 77
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
励振方法3: 平面波入射
平面波入射の場合は、物体から吸収境界壁までの距離は1/4波長以上離す。
RCS (Radar Cross Section)解析に使われる。
No. 78
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
吸収境界条件
FEMはこのように全空間にメッシュ
を切るので、放射するような開放空間を扱うには吸収境界条件(ABC,
Absorbing Boundary Condition)を用いる必要がある。
物体からABCまでの距離は1/4波長以上離す必要がある。
ABCは平面波波をうまく吸収するように出来ているので、なるべく離した方が良いが、あまり空間を大きくすると無駄に計算時間がかかるのでトレードオフである。
V
S
n̂
1/4波長以上
No. 79
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 10 20 30 40 50 60 70
Ch
ara
cte
ris
tic i
mp
ed
an
ce (
Oh
m)
Frequency (GHz)
Real part
Imaginary part
w/o dummy
w/ dummy
Exp Cal
(a) Electric field (b) Magnetic field
C
Signal line
Ground plane
x
z
(a) Electric field
x
Signal line
Ground plane
Dummy fill
(b) Magnetic field
その他境界条件
電気壁 (PEC)
磁気壁 (PMC)
表面インピーダンス
周期境界壁・・・アレーアンテナの1周期の解析などに使う。ダミーメタル入り伝送線路の解析[1]、ダミーメタルの等価媒質定数の電磁界解析にも用いた。
[1] Y. ONO, T. HIRANO, K. OKADA, J. HIROKAWA, and M. ANDO, "Eigenmode Analysis of Propagation
Constant for a Microstrip Line with Dummy Fills on a Si CMOS Substrate," IEICE Trans. Electron., Vol.E94-C
No.6, pp.1008-1015, June 2011.
[2]平野拓一, 岡田健一, 広川二郎, 安藤真, " CMOSチップ上周期配列ダミーメタルフィルの等価異方性媒質定数の抽出," 電子情報通信学会技術研究報告, vol. 111, no. 487, AP2011-208, pp.55-60, 2012年3月16日.
No. 80
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
シミュレーションの流れ(ユーザーの入力)
1. モデリング(解析モデルを描く)。
2. 媒質を指定する。
3. 境界条件、励振モデルを指定する。
解の一意性より、モデル境界周囲の全ての境界条件を指定しなければならない。
4. 解析周波数、収束条件、周波数スイープ範囲を指定する。
メッシュサイズは波長に比して十分小さく(1辺1/10波長程度)なければならないため、メッシュを自動生成する周波数よりも高い周波数の結果は信頼できない可能性がある。また、共振現象があり、共振周波数を境に電磁界分布が大きくことなる場合は注意が必要である。(場合によっては、周波数スイープを分ける)
5. 後処理。必要に応じて、Sパラメータ、指向性、電磁界分布などを表示したり出力したりする。
どこまで詳細にモデル化すべきか?
⇒電磁界が広がる範囲まで
No. 81
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
シミュレーションの流れ(シミュレータ)
1. ユーザーが描いたモデルに従ってメッシュを自動生成する。
2. 各要素に媒質定数や境界条件を設定し、励振の条件も読み込む。
3. Portの2-D FEMモード解析(伝搬定数とモード関数)を行い、3-D FEM解析の準備をする。
4. 3-D FEM解析を行い、電磁界分布を得る。
5. 収束条件を計算し、収束条件に達していなかったら電磁界の強い部分をさらに細かいメッシュに変更し、ステップ3
に戻る。収束条件を満たしていたら次のステップへ。
6. 周波数スイープが指定されている場合は、今のメッシュを用いて最初の周波数から順番に解析する。最後の周波数の解析が終わったら終了。
No. 82
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
シミュレータ使用上のノウハウ
1. まずは、ダイポールアンテナ、方形導波管、マイクロストリップ線路などの規範問題でシミュレータの動作を確認。
2. 収束が単調減少しているかどうか確認。単調減少でない場合、偶然収束条件を満たしてしまった可能性がある。この解決法は次の手動メッシュが有効。
3. 最初から電磁界が集中するとわかっているところ、あるいいは微細な構造で細かくメッシュを切らなければならないところは、メッシュオペレーションを使って手動で細かい初期メッシュになるように指定する。場合によっては、ダミーのオブジェクトを描いて細かいメッシュの部分を指定する。
4. エラーが出て、何かよくわからないときは、エラーが出なくなるまでオブジェクトなどを少しずつ削除していき、原因となるオブジェクト近傍を発見する。
5. 後処理で電磁界分布をビジュアルに描き、アニメーションを表示して、期待した通りの動きをしているか確認する。特に吸収境界壁はしっかりと放射するように電磁界が吸い込まれているかどうか、など。
No. 83
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Outline
基礎 ~ マクスウェルの方程式と回路理論 ~
電磁界解析
1次元(1-D)問題
モーメント法(MoM) 、FDTD法、有限要素法(FEM)
モデル化のコツ
解析例
No. 84
解析例
No. 85
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
ダイポールアンテナのHFSSモデル
内部インピーダンスZ0 (=50Ω)のLumped Port
No. 86
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
ダイポールアンテナ解析例(入力インピーダンス)
入力インピーダンス(MoMとFEMの比較)
Input Impedance of Dipole Antenna (h=30mm, a=0.5mm, d=0.5mm)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 1 2 3 4 5 6 7
Frequency [GHz]
Res
ista
nce
R [
Ohm
]
-500
-400
-300
-200
-100
0
100
200
300
400
500
Rea
ctan
ce X
[O
hm]
MoM (R)
HFSS (R)
MoM (X)
HFSS (X)
2a
h
h
d0
011
ZZ
ZZS
in
in
11
110
1
1
S
SZZ in
No. 87
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
ダイポールアンテナ解析例
吸収をアニメーションで確認
収束を確認
アンテナ・無線ハンドブック, オーム社, 2006年.
No. 88
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
行列間の変換
1
2221
1211
Z
YY
YYY
11
2221
1211)(
ISISDY
ZZ
ZZZ
1
2221
1211
DZDZ
SS
SSS
22
11
2111
22
21 1
111
Z
ZZ
ZYY
Y
YDC
BAF
500
050
0
0
0
0
Z
ZD
No. 89
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
方形パッチアンテナ (プローブ給電, 2 GHz)
60 mm
48 mm
3.2 mm
r=2.17
14.2 mm
147 mm
148 mm
Cu (35 m-thick)
No. 90
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
異なる解析モデル
Model 1 (50Ωの電圧源で励振、上部のみの解析モデル、
下面は金属、それ以外の面は吸収境界) Model 2 (50Ωの電圧源で励振、
全面吸収境界条件)
Model 3 (同軸線路のモードで給電、
全面吸収境界条件)
裏側の影響が正確に考慮されない。
しかし、反射特性は十分正確。
裏側の給電ケーブルの影響および給電部の同軸線路の効果が評価されない。
裏側の給電ケーブルの影響および給電部の同軸線路の効果が評価されない。
Wave Port
No. 91
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Sパラメータ
-25
-20
-15
-10
-5
0
1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Am
plit
ud
e (d
B)
Frequency (GHz)
Exp
Cal (Model 1)
Cal (Model 2)
Cal (Model 3)
-180
-120
-60
0
60
120
180
1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.6 2.8 3
Ph
ase
(d
eg)
Frequency (GHz)
Exp
Cal (Model 1)
Cal (Model 2)
Cal (Model 3)
Amplitude Phase
No. 92
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
利得パターン
E-plane H-plane
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
-180 -120 -60 0 60 120 180
Gain
(dB
i)
Angle theta (deg)
Cal (Model 1)
Cal (Model 2)
Cal (Model 3)
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
-180 -120 -60 0 60 120 180
Gain
(dB
i)
Angle theta (deg)
Cal (Model 1)
Cal (Model 2)
Cal (Model 3)
No. 93
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
電界アニメーション
No. 94
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
導波管給電分配回路
|S11|=-24.2 dB
S21=(-3.12 dB, 147 deg)
S31=(-2.92 dB, 143 deg)
No. 95
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
化合物半導体チップ上コプレーナ線路
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 10 20 30 40 50
Am
pli
tud
e (
dB
)
Frequency (GHz)
Simulated (HFSS)
Measured
S11
S21
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50
Ph
ase
(d
eg)
Frequency (GHz)
Simulated (HFSS)
Measured
S21
S11
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 10 20 30 40 50
Am
pli
tud
e (
dB
)
Frequency (GHz)
Simulated (HFSS)
Measured
S11
S21
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50
Ph
ase
(d
eg)
Frequency (GHz)
Simulated (HFSS)
Measured
S11
S21
Open Pattern
Short Pattern
T. Hirano, H. Nakano, Y. Hirachi, J. Hirokawa, and M. Ando, "De-Embedding Method Using an
Electromagnetic Simulator for Characterization of Transistors in the Millimeter-Wave Band," IEEE
Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.58, No.10, pp.2663-2672, October 2010.
Wave Port
PMC
No. 96
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
GSGパッドの解析モデル
Port 1
(Lumped Port, 100 )
Silicon substrate
Vacuum
ABC
(Radiation Boundary)
PMC
(Perfect H)
Port 2
(Lumped Port, 100 )
420 m
T. Hirano, K. Okada, J. Hirokawa, and M. Ando, “Accuracy Investigation of De-embedding Techniques Based on Electromagnetic
Simulation for On-wafer RF Measurements,” InTech Open Access Book, Numerical Simulation - From Theory to Industry, ISBN 978-
953-51-0749-1, Chapter 11, pp.233-258, September 19, 2012.
No. 97
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Thruパターン (Sパラ)
(a) S11, S22
(b) S12, S21
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
pli
tud
e (d
B)
Frequency (GHz)
S11 (Measured)
S22 (Measured)
S11 (Calculated by HFSS)
S22 (Calculated by HFSS)
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50 60 70
Phas
e (d
eg)
Frequency (GHz)
S11 (Measured)
S22 (Measured)
S11 (Calculated by HFSS)
S22 (Calculated by HFSS)
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
pli
tud
e (d
B)
Frequency (GHz)
S12 (Measured)
S21 (Measured)
S12 (Calculated by HFSS)
S21 (Calculated by HFSS)
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50 60 70
Ph
ase
(deg
)
Frequency (GHz)
S12 (Measured)
S21 (Measured)
S12 (Calculated by HFSS)
S21 (Calculated by HFSS)
No. 98
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Thruパターン (スミスチャート)
S11
DC 67GH
z S12
S22
S21
420 m
No. 99
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Lineパターン (Sパラ)
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
plitu
de
(dB
)
Frequency (GHz)
S11 (Measured)
S22 (Measured)
S11 (Calculated by HFSS)
S22 (Calculated by HFSS)
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50 60 70
Phas
e (d
eg)
Frequency (GHz)
S11 (Measured)
S22 (Measured)
S11 (Calculated by HFSS)
S22 (Calculated by HFSS)
(a) S11, S22
(b) S12, S21
-2
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
plitu
de
(dB
)
Frequency (GHz)
S12 (Measured)
S21 (Measured)
S12 (Calculated by HFSS)
S21 (Calculated by HFSS)
No. 100
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Lineパターン (スミスチャート)
S11
DC 67GH
z S12
S22
S21 1020 m
No. 101
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Reflectパターン (Sパラ)
(a) S11, S22
(b) S12, S21
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
plitu
de
(dB
)
Frequency (GHz)
S11 (Measured)
S22 (Measured)
S11 (Calculated by HFSS)
S22 (Calculated by HFSS)
No. 102
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Reflectパターン (スミスチャート)
S11
DC 67GH
z S12
S22
S21
No. 103
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
GSGパッドの電磁界解析モデル (Lumped Port)
Lumped Port
PMC (Perfect H)
PMC (Perfect H)
Port 1
(Lumped Port, 100 )
Port 2
(Lumped Port, 100 )
No. 104
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
E-Field Animation
No. 105
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Lumped Portの位置dlおよび幅w依存性
w
dl
70 m 70 m
50 m
No. 106
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
S1
1(d
B)
Frequency (GHz)
(10,-15,-15) (10,-15,15) (10,-15,0)
(10,-10,0) (10,-5,0) (10,0,0)
(10,5,0) (10,10,0) (10,15,0)
(10,15,15) (20,-10,0) (20,-5,0)
(20,0,0) (20,5,0) (20,10,0)
(30,-10,0) (30,-5,0) (30,0,0)
(30,5,0) (30,10,0) edge1
edge2 vertical
(w, dl, dr) unit: m
反射係数 S11
Amplitude Phase
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
0 10 20 30 40 50 60 70
S1
1(d
eg
)
Frequency (GHz)
(10,-15,-15) (10,-15,15) (10,-15,0)
(10,-10,0) (10,-5,0) (10,0,0)
(10,5,0) (10,10,0) (10,15,0)
(10,15,15) (20,-10,0) (20,-5,0)
(20,0,0) (20,5,0) (20,10,0)
(30,-10,0) (30,-5,0) (30,0,0)
(30,5,0) (30,10,0) edge1
edge2 vertical
(w, dl, dr) unit: m
No. 107
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
-2
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
0 10 20 30 40 50 60 70
S1
2(d
B)
Frequency (GHz)
(10,-15,-15) (10,-15,15) (10,-15,0)
(10,-10,0) (10,-5,0) (10,0,0)
(10,5,0) (10,10,0) (10,15,0)
(10,15,15) (20,-10,0) (20,-5,0)
(20,0,0) (20,5,0) (20,10,0)
(30,-10,0) (30,-5,0) (30,0,0)
(30,5,0) (30,10,0) edge1
edge2 vertical
(w, dl, dr) unit: m
透過係数 S21
(a) Amplitude (b) Phase
位置ずれおよび幅の影響は小さい
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
0 10 20 30 40 50 60 70
S1
2(d
eg
)
Frequency (GHz)
(10,-15,-15) (10,-15,15) (10,-15,0)
(10,-10,0) (10,-5,0) (10,0,0)
(10,5,0) (10,10,0) (10,15,0)
(10,15,15) (20,-10,0) (20,-5,0)
(20,0,0) (20,5,0) (20,10,0)
(30,-10,0) (30,-5,0) (30,0,0)
(30,5,0) (30,10,0) edge1
edge2 vertical
(w, dl, dr) unit: m
No. 108
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
端部・下部励振モデル
50m
70m70m
wa
10m
誤差小50m
70m70m
10m
誤差大Model (edge1) Model (edge2)
Model (vertical)
No. 109
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
相互結合評価パターン 770um
770 um
340 um
110 um
230 um
これらは線路の端までの長さ
Port1
Port2
34333231
14131211
2221
1211
SSSS
SSSS
SS
SS
Port3
Port4
Port1’ Port2’
T. Hirano, K. Okada, J. Hirokawa, and M. Ando, “Accuracy Investigation of De-embedding Techniques Based on Electromagnetic
Simulation for On-wafer RF Measurements,” InTech Open Access Book, Numerical Simulation - From Theory to Industry, ISBN 978-
953-51-0749-1, Chapter 11, pp.233-258, September 19, 2012.
No. 110
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
パッドを含めた電磁界解析(非対称)
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
plitu
de
(dB
)
Frequency (GHz)
S11 (exp)
S22 (exp)
S11 (cal)
S22 (cal)
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50 60 70
Phas
e (d
eg)
Frequency (GHz)
S11 (exp)
S22 (exp)
S11 (cal)
S22 (cal)
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Am
plitu
de
(dB
)
Frequency (GHz)
S12 (exp)
S21 (exp)
S12 (cal)
S21 (cal)
-180
-120
-60
0
60
120
180
0 10 20 30 40 50 60 70
Ph
ase
(deg
)
Frequency (GHz)
S12 (exp)
S21 (exp)
S12 (cal)
S21 (cal)
相互結合評価パターン
T. Hirano, K. Okada, J. Hirokawa, and M. Ando, “Accuracy Investigation of De-embedding Techniques Based on Electromagnetic
Simulation for On-wafer RF Measurements,” InTech Open Access Book, Numerical Simulation - From Theory to Industry, ISBN 978-
953-51-0749-1, Chapter 11, pp.233-258, September 19, 2012.
No. 111
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
60GHz オンチップダイポールアンテナ
CMOS 65nm, 2.1mm x 2.1mm
ILO (VCO) ILO (VCO)+Antenna
Antenna
Short
Open
Thru Line
Radiation boundary
2.1 mm
2.1 mm
PEC (bottom face)
4.2 mm
4.2 mm
100 m
Microstrip line
G
G
SS
GSSG pad
Well prohibit region
Silicon substrate
r=12, =10 cm
Lumped ports (50 Ohms)
Port 1
Port 2
Dipole antenna element
z
x
y
No. 112
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Sパラメータ
(a) Reflection coefficient S11 (b) Transmission coefficient S21
-180
-120
-60
0
60
120
180
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 10 20 30 40 50 60 70P
ha
se (
deg
)
Am
pli
tud
e (d
B)
Freqeuncy (GHz)
exp
cal (partially lossy layer)
cal (all lossy layer)
cal (w/o lossy layer)
-180
-120
-60
0
60
120
180
-50
-40
-30
-20
-10
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ph
ase
(d
eg)
Am
pli
tud
e (
dB
)
Freqeuncy (GHz)
exp
cal (partially lossy layer)
cal (all lossy layer)
cal (w/o lossy layer)
GSSGの1つのSがPort 1もう1つのSがPort 2
No. 113
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
Sパラメータ (差動励振)
GSSGをバランプローブで励振
-120
0
120
240
360
480
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
0 10 20 30 40 50 60 70
Ph
ase
(d
eg)
Am
plitu
de
(dB
)
Freqeuncy (GHz)
exp
cal (partially lossy layer)
cal (all lossy layer)
cal (w/o lossy layer)
1211 SS
No. 114
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
スパイラルインダクタ
No. 115
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
LとQ
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Ind
uct
ance
(p
H)
Frequency (GHz)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Q-f
acto
r
Frequency (GHz)
Open Short
2Y 1Y
3Y Port 2Port 1
/)]/(1Im[
)]/(1Re[
31
31
YYL
YYR
Port 2を短絡して使うことを想定 これでパッド部をディエンベッド
これでL, Qを抽出
L Q
No. 116
ワイヤボンディングのシミュレーション
Chip
Chip Package
Probe Probe
Bonding wire Bonding wire
(1) ベアチップのプローブ測定
(2) パッケージ組込
Chip
Package
(b) Flip Chip
(a) Wire bonding
No. 117
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
構造と解析モデル
WavePort1
WavePort2
Chip (Si)
Package (Alumina)
CPW
G-MSL
Bonding wire
100um
ワイヤボンディングによるパッケージ組込
Chip Package
Bonding wire
50 Ohm
50 Ohm
PerfectH(PML)
Radiation Boundary (ABC)
PerfectE(PEC)
No. 118
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
E-Field Animation
100um
60 GHz
100 mは大丈夫。
No. 119
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
E-Field Animation
200um
60 GHz
200 mだと漏れる。
No. 120
Tokyo Institute of Technology T. Hirano June 16, 2008
誘電体球による平面波の散乱
E
H
4r
No. 121
Tokyo Institute of Technology T. Hirano
まとめ
モーメント法(MoM)・・・原理:等価定理、積分方程式法、表面メッシュ
FDTD法・・・原理:差分、空間メッシュ、陽解法
有限要素法 (FEM)・・・原理:波動方程式+重み付き残差法、空間メッシュ
電磁界解析は「マクスウェルの方程式+境界条件」を解くのが目的
そのための数値シミュレーションアルゴリズムとして
を説明した。(全て一長一短ある)
モデル化のコツを説明した。
⇒電磁界が広がる部分までモデル化する。
励振モデルも最低限知りたい特性に合ったものを選ぶ。