Upload
lee-hicks
View
73
Download
3
Embed Size (px)
DESCRIPTION
Гр а ну ли ров а нн ы е м е т а лл ы. In, напыленный на SiO 2 при комнатной температуре. X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44 , 13163 (1991). Гранулированная пленка (кермет) состава Au + Al 2 O 3. Металл – темные области. Перколяционный путь (линия тока). - PowerPoint PPT Presentation
Citation preview
Гранулированные металлы
(a ) (b )
(c ) (d )
5 0 0 nm 5 0 0 nm
2 0 00 n m 5 0 00 n m
= 1 0 n m
= 1 0 0 nm
= 2 5 n m
= 1 8 0 nm
In
1 0 0 nm
X.Yu, M.B.Duxbury, G.Jeffers, M.A.Dubson, Phys.Rev. B 44, 13163 (1991)
In, напыленный на SiO2 при комнатной температуре
1 00 Ah = 1 00 A
Гранулированная пленка (кермет) состава Au + Al2O3
Металл – темные области
Перколяционный путь
(линия тока)
B.Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)
5 00 Å8 0 1 00 1 20 1 40 1 60
a ( )Å
1 50
1 00
5 0
0
N (a)
A l + a-G e
Пленка гранулированного Al в матрице аморфного Ge
Металл – светлые области, концентрация металла 66%
Y.Shapira, G.Deutcher, Phys.Rev. B 27, 4463 (1983)
(см
)
1 0 7
1 0 3
1 0 5
1 0 1
1 0
1 0 3
1 0
1 0 , 8 0 , 6 0 , 4 0 , 2x
A u + A l O2 3
T = 4,2 K
2 9 5 K
00 ,8 0 ,6 0 ,4 0 ,2
Зависимость сопротивления гранулированных пленок от концентрации металла x
B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)
(переходы металл – изолятор)
0 2 4 6 8 1 0 0 2 4 6 8T (K )
1
1 0 4
1 0 2
1 0 8
1 0 2
1 0 6
1
1 0 2
1 0 4
1 0 6
R (
)
(b )(a )
P b g ra ins
a m -P b
F
Tsc
scT
= (gF a3)1
Критерий гранулярности
~ T ~ scA. Frydman., Physica C 391, 189 (2003)
1 0 6
1 0 8
1 0 4
1 0 2
1 0 2
1
0 ,0 5 0 ,1 0 ,1 5 0 ,2T
1/2 1 /2 (K )
(см
)
0 ,1 0 ,2T
1/2 1 /2 (K )0 ,3
1 0 6
1 0 8
1 0 4
1 0 2
(см
)
1 0 10
1 0 12
N i + SiO 2
x = 0 ,4 4
0 ,3 4
0 ,2 40 ,1 40 ,0 8
B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)
21
00 exp)(
T
TT
Кулоновская блокада
+ ++
++
Кулоновская энергия заряженной гранулы
aTe
Tn C
2 exp exp
то количество заряженных гранул
ae
Ce
C 2222
Если C << T ,
Подвижность пропорциональна вероятности туннелирования заряда с одной гранулы на другую
)8( exp)( exp mUaa Итого
a
aTe
ne
2
exp
Туннельные характеристики системы
x = 0 ,6 6
0 .6 2
0 ,6 0
0 ,5 8
0 ,5 5
0 ,5 3
0 1 2 3 4 5V (m V )
dI/d
V (
прои
зв. е
дин.
)
A l A l O (N i + S iO ) 2 3 2
1 0 5 0 5 1 00
(m eV )
(a ) (b )
0 ,5 5
0 ,5 8
0 ,6 0
0 ,6 2
0 ,6 6
B. Abeles et al., Advances in Physics 24, 407 (1975)
eVg
g 1=co
nst
= 0
F
F
g eV ( )
dT
fTeV
fgeVgVI
)()()( 1
1)1(exp)( xxf
Функцию распределения по размерам D(a) конечных гранул на поверхности контакта нормируем условием
1)(0
2
daaaD
В очень маленькую гранулу туннелирование не произойдет
ga() =0 , || < C(a)
g0 , || > C(a)
Итого
0
20 )()()1()( dagaaDPPgg aeff P часть
поверхности, принадлежащая бесконечному металлическому кластеру