< IGBT CM75MXUB-13T/ CM75MXUBP-13T...弊社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，半導体製品は，信頼性寿命（パワーサイクルやサーマル

<IGBTモジュール>

2018.6 作成 1 CMH-11871 Ver1.0

CM75MXUB-13T/ CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用絶縁形

MXUB

コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板（ニッケルめっき） ●スズめっきピン端子 ●RoHS 指令準拠

MXUBP

コレクタ電流 IC ..................................... 7 5 A コレクタ・エミッタ間電圧 VCES .............. 6 5 0 V 最大接合温度 Tvjmax ............................. 1 7 5 °C ●フラットベース形 ●銅ベース板（ニッケルめっき） ●スズめっきプレスフィットピン端子 ●RoHS 指令準拠

CIB (Converter+Inverter+Chopper Brake) ●UL Recognized under UL1557, File No.E323585

用途インバータ装置，サーボアンプ，電源装置など

オプション・PC-TIM 塗布仕様

内部接続図 TERMINAL CODE

1 R 16 TH1 31 N 2 R 17 TH2

3 S 18 GwN

4 S 19 GvN 5 T 20 E 6 T 21 GuN

7 GuP 22 GB

8 U 23 N1

9 U 24 N1

10 GvP 25 P1

11 V 26 P1

12 V 27 B 13 W 28 P 14 W 29 P 15 GwP 30 N

P1(25,26)

N1(23,24)

GuP(7)

U(8,9)

GuN(21)

T(5,6)S(3,4)R(1,2)

P(28,29)

N(30,31) E(20)

TH1(16)

TH2(17)

GvP(10)

V(11,12)

GvN(19)

GwP(15)

W(13,14)

GwN(18)

NTC

B(27)

GB(22)


CM75MXUB-13T/CM75MXUBP-13T 大電力スイッチング用絶縁形

2018.6 作成 2 CMH-11871 Ver1.0

外形図単位 mm

MXUB

SECTION A

SECTION B

Tolerance otherwise specified Division of Dimension Tolerance

0.5 to 3 ±0.2 over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2



2018.6 作成 3 CMH-11871 Ver1.0

外形図単位 mm

MXUBP

SECTION A

SECTION B

PCB DRILL HOLE PATTERN Tolerance otherwise specified

Division of Dimension Tolerance 0.5 to 3 ±0.2

over 3 to 6 ±0.3 over 6 to 30 ±0.5 over 30 to 120 ±0.8 over 120 to 400 ±1.2



2018.6 作成 4 CMH-11871 Ver1.0

最大定格（指定のない場合，Tvj=25 °C）インバータ部 IGBT/FWD

記号項目条件定格値単位 VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC

コレクタ電流直流, TC=114 °C （注２, ４） 75

A

ICRM パルス, 繰返し（注３） 150 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C （注２，４） 325 W IE （注１）

エミッタ電流直流（注２） 75

A

IERM （注１）パルス, 繰返し（注３） 150 Tv j m a x 最大接合温度瞬時動作（過負荷等） 175 °C

ブレーキ部 IGBT/DIODE 記号項目条件定格値単位

VCES コレクタ・エミッタ間電圧 G-E 間短絡 650 V VGES ゲート・エミッタ間電圧 C-E 間短絡 ± 20 V IC

コレクタ電流直流, TC=125 °C （注２, ４） 50

A

ICRM パルス, 繰返し（注３） 100 Pt o t コレクタ損失 TC=25 °C （注２，４） 270 W VRRM ピーク繰返し逆電圧 G-E 間短絡 650 V IF

順電流直流（注２） 35

A

IFRM パルス, 繰返し（注３） 70 Tv j m a x 最大接合温度瞬時動作（過負荷等） 175 °C

コンバータ部 DIODE 記号項目条件定格値単位

VRRM ピーク繰返し逆電圧 - 800 V Ea 推奨交流入力電圧実効値 220 V Io 直流出力電流三相全波整流,Tc=125 °C （注４） 75 A

IFSM サージ順電流正弦半波 1 サイクル波高値 Tv j =25 °C 900

A

f=60Hz,非繰返し Tv j =150 °C 720

I 2t 電流二乗時間積 1 サイクルサージ順電流 Tv j =25 °C 3375

A2s

Tv j =150 °C 2160 Tjmax 最大接合温度瞬時動作（過負荷等） 150 °C

モジュール記号項目条件定格値単位

V i s o l 絶縁耐電圧全端子・ベース板間, 実効値, f=60 Hz, AC 1 分間 2500 V T C m a x 最大ケース温度（注４） 125 °C Tv j o p 動作接合温度連続動作 -40 ~ +150

°C

T s t g 保存温度 - -40 ~ +125



2018.6 作成 5 CMH-11871 Ver1.0

電気的特性（指定のない場合，Tv j=25 °C）インバータ部 IGBT/FWD

記号項目条件規格値

単位

最小標準最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=7.5 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V

VCEsat

(Terminal)

IC=75 A, Tv j =25 °C - 1.45 1.90 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.60 - V

コレクタ･エミッタ間飽和電圧試験回路図参照（注５） Tv j =150 °C - 1.65 -

VCEsat

(Chip)

IC=75 A, Tv j =25 °C - 1.30 1.55 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.35 - V （注５） Tv j =150 °C - 1.35 -

C i e s 入力容量 - - 10.1 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.5 nF C r e s 帰還容量 - - 0.2 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=75A, VGE=15 V - 0.31 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間

VCC=300 V, IC=75 A, VGE=±15 V, - - 400

t r 上昇時間 - - 200 ns

t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間

RG=8.2 Ω, 誘導負荷 - - 400

t f 下降時間 - - 600

VEC （注 1）

(Terminal)

エミッタ・コレクタ間電圧

IE=75 A, Tv j =25 °C - 1.60 2.05 G-E 間短絡, Tv j =125 °C - 1.70 - V 試験回路図参照（注５） Tv j =150 °C - 1.75 -

VEC （注 1）

(Chip)

Tv j =25 °C - 1.40 1.80 IE=75 A, G-E 間短絡（注５） Tv j =125 °C - 1.40 - V Tv j =150 °C - 1.40 -

t r r （注１）逆回復時間

VCC=300 V, IE=75 A, VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, 誘導負荷 - - 400 ns

Qr r （注１）逆回復電荷 - 6.0 - μC

Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=300 V, IC=IE=75 A, - 2.1 - Eoff ターンオフスイッチング損失 VGE=±15 V, RG=8.2 Ω, Tv j =150 °C, - 4.0 - mJ Err

（注１）逆回復損失誘導負荷, 1 パルスあたり - 4.5 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω

ブレーキ部 IGBT/FWD


単位

最小標準最大 ICES コレクタ・エミッタ間遮断電流 VCE=VCES, G-E 間短絡 - - 1.0 mA IGES ゲート・エミッタ間漏れ電流 VGE=VGES, C-E 間短絡 - - 0.5 μA VGE(th) ゲート・エミッタ間しきい値電圧 IC=5.0 mA, VCE=10 V 5.4 6.0 6.6 V

VCEsat

(Terminal)

IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.40 1.85 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.55 - V

コレクタ･エミッタ間飽和電圧試験回路図参照（注５） Tv j =150 °C - 1.60 -

VCEsat

(Chip)

IC=50 A, Tv j =25 °C - 1.30 1.55 VGE=15 V, Tv j =125 °C - 1.35 - V （注５） Tv j =150 °C - 1.35 -

C i e s 入力容量 - - 6.7 C o e s 出力容量 VCE=10 V, G-E 間短絡 - - 0.3 nF C r e s 帰還容量 - - 0.1 QG ゲート電荷量 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=15 V - 0.21 - μC t d ( o n ) ターンオン遅延時間

VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, - - 400

t r 上昇時間 - - 200 ns

t d ( o f f ) ターンオフ遅延時間

RG=12 Ω, 誘導負荷 - - 400

t f 下降時間 - - 600



2018.6 作成 6 CMH-11871 Ver1.0

電気的特性（続き：指定のない場合，Tv j=25 °C）ブレーキ部 IGBT/DIODE


単位

最小標準最大 Eon ターンオンスイッチング損失 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, RG=12 Ω, - 0.9 -

mJ

Eoff ターンオフスイッチング損失 Tv j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり - 2.3 - r g 内部ゲート抵抗 1 素子あたり - 0 - Ω IRRM 逆電流 VR=VRRM, G-E 間短絡 - - 1.0 mA

VF

(Terminal)

IF=35 A, Tv j =25 °C - 1.55 2.10 G-E 間短絡 Tv j =125 °C - 1.65 - V

順電圧試験回路図参照（注５） Tv j =150 °C - 1.70 -

VF

(Chip)

Tv j =25 °C - 1.45 1.85 IF=35 A, G-E 間短絡（注５） Tv j =125 °C - 1.50 - V Tv j =150 °C - 1.50 -

t r r （注１）逆回復時間 VCC=300 V, IF=35 A, VGE=±15 V, - - 400 ns

Qr r （注１）逆回復電荷 RG=18 Ω, 誘導負荷 - 4.0 - μC

Err （注１）逆回復損失

VCC=300 V, IF=50 A, VGE=±15 V, RG=12 Ω, - 2.2 - mJ

Tv j =150 °C, 誘導負荷, 1 パルスあたり

コンバータ部 IGBT/DIODE


単位

最小標準最大 IRRM 逆電流 VR=VRRM, Tv j =150 °C - - 20 mA

VF

(Terminal) 順電圧 IF=75 A

Tv j =25 °C - 1.25 1.70

V

Tv j =150 °C - 1.20 -

VF

(Chip) Tv j =25 °C - 1.15 1.40

Tv j =150 °C - 1.10 -

NTC サーミスタ部


単位

最小標準最大 R25 ゼロ負荷抵抗値 TC=25 °C （注４） 4.85 5.00 5.15 kΩ ΔR/R 抵抗値許容差 R100=493 Ω, TC=100 °C （注４） -7.3 - +7.8 % B(25/50) B 定数計算式による値（注６） - 3375 - K P25 電力損失 TC=25 °C （注４） - - 10 mW

熱的特性


単位

最小標準最大 Rt h ( j - c ) Q

熱抵抗接合・ケース間, インバータ IGBT, 1 素子あたり（注４） - - 458

K/kW

Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, インバータ FWD, 1 素子あたり（注４） - - 594 Rt h ( j - c ) Q

熱抵抗接合・ケース間, ブレーキ IGBT （注４） - - 554

K/kW

Rt h( j - c ) D 接合・ケース間, ブレーキ DIODE （注４） - - 1346 Rt h ( j - c ) D 接合・ケース間, コンバータ DIODE , 1 素子あたり（注４） 650

Rt h ( c - s ) 接触熱抵抗ケース・ヒートシンク間熱伝導性グリース塗布（注４，７） - 20.2 -

K/kW 1 モジュールあたり PC-TIM 塗布（注４，８） - 5.5 -



2018.6 作成 7 CMH-11871 Ver1.0

機械的特性


単位

最小標準最大 Ms 締付けトルク取付け M 5 ねじ 2.5 3.0 3.5 N·m

ds 沿面距離はんだ付けピン端子(MXUB)

端子間 10.9 - -

mm

端子・ベース板間 18.3 - -

プレスフィットピン端子(MXUBP) 端子間 5.2 - - 端子・ベース板間 16.1 - -

da 空間距離はんだ付けピン端子(MXUB)

端子間 6.5 - - 端子・ベース板間 13.1 - -

プレスフィットピン端子(MXUBP) 端子間 5.0 - - 端子・ベース板間 16.1 - -

ec ベース板平面度 X, Y 各中心線上（注９） ±0 - +200 μm m 質量－ - 165 - g

推奨動作条件記号項目条件

規格値単位

最小標準最大

VCC 電源電圧 P1-N1 端子間 - 300 450 V VGEon ゲート（駆動）電圧 G*P-*/G*N-E/GB-E 端子間 (*=U,V,W) 13.5 15.0 16.5 V

RG 外部ゲート抵抗インバータ部 IGBT 1 素子あたり 8.2 - 82

Ω

ブレーキ部 IGBT 12 - 120

* : 本製品は RoHS※指令（2011/65/EU）に準拠しています。 ※Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment.

注 1. フリーホイールダイオード（FWD）の定格又は特性を示します。 2. 接合温度は，最大接合温度（Tv jm ax）以下です。 3. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が，最大接合温度（Tv jm ax）を越えない値とします。 4. ケース温度（TC）及びヒートシンク温度（Ts）の定義点は，チップ直下におけるベース板及びヒートシンクの表面です。

チップ中心位置は，チップ配置図のとおりです。 5. パルス幅及び繰返し率は，素子の温度上昇が無視できる値とします。

6. )TT

/()RRln(B )/(

502550

255025

11−=

R25：絶対温度 T25 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T25 [K]=25 [°C]+273.15=298.15 R50：絶対温度 T50 [K] におけるゼロ負荷抵抗値；T50 [K]=50 [°C]+273.15=323.15

7. 標準値は，熱伝導率 λ=0.9 W/(m·K) の放熱用グリースを厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 8. 標準値は，熱伝導率 λ=3.4 W/(m·K) の PC-TIM を厚み D(C-S)=50 μm で使用したときの値です。 9. ベース板（取付面）平面度測定箇所は，下図のとおりです。

Y

X

+:Convex

-:Concave

+:C

onve

x

-:Con

cave

Mounting side

Mounting side

Mounting side

2 mm

2 mm

10 プリント基板をスタンドオフにねじ止めする場合は，下記仕様のタッピンねじをご使用ください。プリント基板厚み : t=1.6 仕様メーカ寸法締付けトルク締付け方法 (1) PT EJOT 社(独) K25×8 0.55 ± 0.055 N・m (2) PT K25×10 0.75 ± 0.075 N・m 手作業（電動ドライバー30 rpm 相当） (3) DELTA PT 25×8 0.55 ± 0.055 N・m ～電動ドライバー 600 rpm 以下 (4) DELTA PT 25×10 0.75 ± 0.075 N・m (5) B1 タッピンねじ - 呼び径（φ）2.6×10 0.75 ± 0.075 N・m 又は，呼び径（φ）2.6×12



2018.6 作成 8 CMH-11871 Ver1.0

チップ配置図 (Top view) 単位：mm, 公差：±1 mm MXUB

MXUBP

Tr*P/Tr*N/TrBr: IGBT, Di*P/Di*N: DIODE (*=U/V/W), DiBr: BRAKE DIODE, CR*P/CR*N: CONVERTER DIODE (*=R/S/T), Th: NTC thermistor

オプション：PC-TIM 塗布ベース板（モジュール裏面）図 MXUB MXUBP



2018.6 作成 9 CMH-11871 Ver1.0

試験回路及び試験波形

VCC

-VGE

+VGE

-VGE +

vCE

vGE 0

iE

iC

P1

N1

*

G*P

*

G*N

E

Load

RG

*: U, V, W

～

t

t f t r td ( o n )

iC

10%

90 %

90 % vGE ～

～

～

0 V

0 A

0

td ( o f f ) t

Ir r

Qrr=0.5×Irr×trr

0.5×Irr

t tr r

iE

0 A

IE

スイッチング特性試験回路及び試験波形逆回復特性試験波形

0.1×ICM

ICM VCC vCE

iC

t 0

t i

0.1×VCC

0.1×VCC

VCC ICM

vCE iC

t 0 0.02×ICM

t i

IEM

vEC iE

t 0 V

t i

t

VCC

0 A

IGBT ターンオンスイッチング損失 IGBT ターンオフスイッチング損失 FWD 逆回復損失

スイッチング損失及び逆回復損失試験波形（積分時間説明図）



2018.6 作成 10 CMH-11871 Ver1.0

試験回路

V G-E short-

circuited

25,26

8,9

23,24

7

8,9

21

20

VGE=15 V IC

V G-E short-

circuited

25,26

11,12

23,24

10

11,12

19

20

VGE=15 V IC

V G-E short-

circuited

25,26

13,14

23,24

15

13,14

18

20

VGE=15 V IC

25,26

27

23,24

22

20

IF

V G-E short-

circuited

TrUP TrVP TrWP Brake DIODE

G-E short- circuited

25,26

8,9

23,24

7

8,9

21

20

VGE=15 V IC

V


25,26

11,12

23,24

10

11,12

19

20

VGE=15 V IC

V


25,26

13,14

23,24

15

13,14

18

20

VGE=15 V IC

V

25,26

27

23,24

22

20

VGE=15 V IC

V

TrUN TrVN TrWN Brake IGBT

ゲート・エミッ

タ間短絡

GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E


タ間短絡

GUP-U, GUN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E


タ間短絡

GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GB-E


タ間短絡

GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E

VCEs at 試験回路

V G-E short-

circuited

25,26

8,9

23,24

7

8,9

21

20

IE G-E short-

circuited

V G-E short-

circuited

25,26

11,12

23,24

10

11,12

19

20

IE G-E short-

circuited

V G-E short-

circuited

25,26

13,14

23,24

15

13,14

18

20

IE G-E short-

circuited

28,29

1,2

30,31

IF

V

DiUP DiVP DiWP


25,26

8,9

23,24

7

8,9

21

20

IE

V



25,26

11,12

23,24

10

11,12

19

20

IE

V



25,26

13,14

23,24

15

13,14

18

20

IE

V


28,29

1,2

30,31

IF

V

DiUN DiVN DiWN CONVERTER DIODE (ex.phase-R)


タ間短絡

GVP-V, GVN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E


タ間短絡

GUP-U, GUN-E, GWP-W, GWN-E, GB-E


タ間短絡

GUP-U, GUN-E, GVP-V, GVN-E, GB-E

VEC 試験回路 VF 試験回路



2018.6 作成 11 CMH-11871 Ver1.0

特性図

インバータ部出力特性コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性（代表例）（代表例） Tv j=25 °C （チップ） VGE=15 V （チップ）

コレクタ電流

I C

(A

)

コレ

クタ・エミッタ間飽和電圧

V C

Esat

(V)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)

コレクタ・エミッタ間電圧特性フリーホイールダイオード順特性（代表例）（代表例） Tv j=25 °C （チップ） G-E間短絡（チップ）

コレクタ・エミッタ間電

圧

V CE

(V)

エミッタ電流

I E

(A

)

ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)

IC=150 A

IC=75 A

IC=37.5 A

Tv j=25 °C

Tv j=150 °C

Tv j=25 °C

VGE=20 V

10 V

8 V

11 V 13.5 V 15 V

12 V

Tv j=125 °C

Tv j=125 °C

Tv j=150 °C



2018.6 作成 12 CMH-11871 Ver1.0

特性図

インバータ部スイッチング時間特性スイッチング時間特性（代表例）（代表例） VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=75 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C

スイッチング時間

(n

s)


(n

s)

コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)

スイッチング損失特性スイッチング損失特性（代表例）（代表例） VCC=300 V, IC/IE=75 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C

スイッチング損失

, 逆回復損失

(m

J)


, 逆回復損失

(m

J)

コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)

t f

td ( on )

t f

td ( o f f )

t r

E o n

E o f f

E r r

E o f f

E r r

E o n

td ( on)

td ( o f f )

t r



2018.6 作成 13 CMH-11871 Ver1.0

特性図

インバータ部容量特性フリーホイールダイオード逆回復特性（代表例）（代表例） VCC=300 V, RG=8.2 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 G-E間短絡, Tv j=25 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C

容量

(n

F)

t rr

(ns

), I r

r (

A)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) エミッタ電流 IE (A)

ゲート容量特性過渡熱インピーダンス特性（代表例）（最大） Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=75 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=458 K/kW, Rth(j -c )D=594 K/kW

ゲート・エミッタ間電圧

V G

E (

V)

NO

RM

ALIZ

ED T

RAN

SIEN

T TH

ERM

AL I

MPE

DAN

CE

Zth

(j-c

)

ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)

C i e s

C o e s

C r e s

t r r

I r r



2018.6 作成 14 CMH-11871 Ver1.0

特性図

インバータ部ターンオフスイッチング安全動作領域短絡安全動作領域（逆バイアス安全動作領域）（最大）（最大） VCC≤450 V, RG=8.2~82 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=8.2~82 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し

NO

RM

ALIZ

ED C

OLL

ECTO

R C

UR

REN

T I C

NO

RM

ALIZ

ED C

OLL

ECTO

R C

UR

REN

T I C

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)



2018.6 作成 15 CMH-11871 Ver1.0

特性図

ブレーキ部出力特性コレクタ・エミッタ間飽和電圧特性（代表例）（代表例） Tv j=25 °C （チップ） VGE=15 V （チップ）

コレクタ電流

I C

(A

)

コレ

クタ・エミッタ間飽和電圧

V C

Esat

(V)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流 IC (A)

コレクタ・エミッタ間電圧特性ダイオード順特性（代表例）（代表例） Tv j=25 °C （チップ） G-E間短絡（チップ）

コレクタ・エミッタ間電

圧

V CE

(V)

エミッタ電流

I E

(A

)

ゲート・エミッタ間電圧 VGE (V) エミッタ・コレクタ間電圧 VEC (V)

IC=100 A

IC=50 A

IC=25 A

Tv j=25 °C

Tv j=125 °C

Tv j=25 °C

VGE=20 V

10 V

8 V

11 V 13.5 V

15 V

12 V

Tv j=150 °C

Tv j=150 °C

Tv j=125 °C



2018.6 作成 16 CMH-11871 Ver1.0

特性図

ブレーキ部スイッチング時間特性スイッチング時間特性（代表例）（代表例） VCC=300 V, RG=12 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷 VCC=300 V, IC=50 A, VGE=±15 V, 誘導負荷 ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C


(n

s)


(n

s)

コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω)

スイッチング損失特性スイッチング損失特性（代表例）（代表例） VCC=300 V, IC/IE=50 A, VGE=±15 V, VCC=300 V, RG=12 Ω, VGE=±15 V, 誘導負荷, 1パルスあたり誘導負荷, 1パルスあたり ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C ---------------: Tv j=150 °C, - - - - -: Tv j=125 °C


, 逆回復損失

(m

J)


, 逆回復損失

(m

J)

コレクタ電流 IC (A) 外部ゲート抵抗 RG (Ω) エミッタ電流 IE (A)

t f

td ( on )

t f

td ( o f f )

t r

E o n

E o f f

E r r

E o n E r r

E o f f

td ( on )

t r

td ( o f f )



2018.6 作成 17 CMH-11871 Ver1.0

特性図

ブレーキ部容量特性（代表例） G-E間短絡, Tv j=25 °C

容量

(n

F)

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

ゲート容量特性過渡熱インピーダンス特性（代表例）（最大） Single pulse, TC=25°C VCC=300 V, IC=50 A, Tv j=25 °C Rth( j -c )Q=554 K/kW, Rth(j -c )D=1346 K/kW

ゲート・エミッタ間電圧

V G

E (

V)

NO

RM

ALIZ

ED T

RAN

SIEN

T TH

ERM

AL I

MPE

DAN

CE

Zth

(j-c

)

ゲート容量 QG (nC) 時間 (S)

C i e s

C o e s

C r e s



2018.6 作成 18 CMH-11871 Ver1.0

特性図

ブレーキ部ターンオフスイッチング安全動作領域短絡安全動作領域（逆バイアス安全動作領域）（最大）（最大） VCC≤450 V, RG=12~120 Ω, VGE=±15 V, -----------------: Tv j=25~150 °C (Normal load operations (Continuous) VCC≤400 V, RG=12~120 Ω, VGE=±15 V, - - - - - -: Tv j=175 °C (Unusual load operations (Limited period) Tvj= 25 ~ 150 °C, tW≤8 μs, 非繰返し

NO

RM

ALIZ

ED C

OLL

ECTO

R C

UR

REN

T I C

NO

RM

ALIZ

ED C

OLL

ECTO

R C

UR

REN

T I C

コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)

コンバータ部コンバータダイオード順特性過渡熱インピーダンス特性 (代表例) （最大） Single pulse, TC=25 °C Rt h( j - c ) D=650 K/kW

順電流

I F

(A)

NO

RM

ALIZ

ED T

RAN

SIEN

T TH

ERM

AL IM

PED

ANC

E Z

th(j

-c)

順電圧 VF (V) 時間 (S)

Tv j=25 °C

Tv j=150 °C



2018.6 作成 19 CMH-11871 Ver1.0

特性図

NTC サーミスタ部温度特性（代表例）

抵抗値

R

(k

Ω)

温度 T (°C)



© 2018 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED. 2018.6 作成 20 CMH-11871 Ver1.0

安全設計に関するお願い

本製品は一般産業用途向け製品であり，納入規格書に記載の特性及び品質レベルを保証します。弊社は品質，信頼性の向上に努めておりますが，半導体製品は，信頼性寿命（パワーサイクルやサーマル

サイクルなど）を有していることや特殊環境下（高湿度，高粉塵，高塩分，高地，有機物・腐食性ガス・爆

発性ガスが多い環境，端子部への過渡な応力）でのご使用により，故障が発生したり，誤動作する場合があ

ります。貴社製品への適用検討にあたって，半導体製品単体で評価するだけでなく，システム全体で十分に

評価し，適用可否を判断いただくとともに，弊社の半導体製品の故障又は誤動作により，結果として，人身

事故，火災事故，社会的損害などを生じさせないよう，電源と半導体製品の間に適切な容量のヒューズまた

はブレーカーを取り付けて 2 次破壊を防ぐなど，安全性を考慮した冗長設計，延焼対策設計，誤動作防止設

計などの安全設計に十分ご留意ください。

本資料ご利用に際しての留意事項

・本資料は，お客様が用途に応じた適切な三菱半導体製品をご購入いただくための参考資料であり，本資料

中に記載の技術情報について三菱電機が所有する知的財産権その他の権利の譲渡及び実施，使用を許諾す

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告なしに，本資料に記載した製品又は仕様を変更することがあります。三菱半導体製品のご購入に当たり

ましては，事前に三菱電機または代理店へ最新の情報をご確認いただきますとともに，三菱電機半導体情

報ホームページ（www.MitsubishiElectric.co.jp/semiconductors/）などを通じて公開される情報に常にご注

意ください。

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