1

シリコン産業の現状と課題

非鉄金属課

2

１．半導体の世界市場 販売額動向（地域別、製品別）、売上げランキング

２．生産動向 需要予測、ウエーハの生産推移、平均単価推移

３００ｍｍ生産能力、日本での生産推移、設備投資額、開発費

３．需要動向 世界需要予測

４．貿易動向 シリコンウエーハ輸出量推移

５．企業構造 会社規模、主要事業所と製品品目、海外事業所、事業再編

６．技術動向 シリコンウエーハのロードマップ、大口径化推移、学会発表件数

公開特許提出状況、シリコン研究を行っている大学、研究機関

研究内容、国支援プロジェクト、ＳＯＩウエーハ

７．原材料調達の動向 サプライ・チェーン、金属シリコン需給実績、金属シリコン輸入実績

多結晶シリコンの生産量、ランキング、日本の高純度シリコン生産量、輸入量

８．我が国シリコン産業 強み、弱み分析の特徴

（太陽電池関連資料） 太陽電池関連特許、技術課題、太陽電池設置容量計画

エネルギー試算値（２０３０年）

目 次

3

Europe21%

Japan22%

America32%

AsiaPacific25%

・２００５年は世界市場規模は２、２７１億ドル。過去最高の見込み

・２００４年から２００７年までの世界市場の平均成長率は＋８．４％それに対して、日本の成長率は約半分の＋４．５％

・アジア太平洋地域での伸びが著しい

（１）半導体の世界市場

・半導体販売額動向＜地域別＞

・２００５年は世界市場規模は２、２７１億ドル。過去最高の見込み

・２００４年から２００７年までの世界市場の平均成長率は＋８．４％それに対して、日本の成長率は約半分の＋４．５％

・アジア太平洋地域での伸びが著しい

0

50,000

100,000

150,000

200,000

250,000

300,000

1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007

百万

ドル

AsiaPacific

Japan

Europe

America

Japan21%

Europe19%

America18%

AsiaPacific42%

２０００年シェアー

２００４年シェアー

出典：ＷＳＴＳ日本協議会

4

・半導体企業の売上ランキング

（１）半導体の世界市場

出典：野村総研

・日本企業の地盤沈下が著しい。１９９２年トップ１０に６社だったが、２００５年では３社のみ

・韓国（Ｓａｍｓｕｎｇ）の進出が著しい

・日本企業の地盤沈下が著しい。１９９２年トップ１０に６社だったが、２００５年では３社のみ

・韓国（Ｓａｍｓｕｎｇ）の進出が著しい

年度

順位

1 TI 日本電気 Intel Intel Intel Intel Intel Intel Intel Intel Intel

2 Motorola 東芝 日本電気 日本電気 日本電気 東芝 東芝 Samsung Samsung Samsung Samsung

3 Philips 日立製作所 東芝 Motorola 東芝 日本電気ST Micro

Electronics東芝

ルネサステクノロジ TI TI

4 日本電気 Motorola Motorola 東芝 Samsung Samsung SamsungST Micro

Electronics TI Infineon 東芝

5 NSC TI 日立製作所 TI TI TI TI TI 東芝ルネサステクノロジ

ST MicroElectronics

6 東京芝浦電気 NSC TI Samsung MotorolaST Micro

Electronics日本電気

NECｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ

ST MicroElectronics

東芝 Infineon

7 日立製作所 富士通 富士通 日立製作所 日立製作所 Motorola Motorola Infineon InfineonST Micro

Electronicsルネサステクノロジ

8 Intel Philips 三菱電機 Philips Infineon 日立製作所 日立製作所 MotorolaNEC

ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽNEC

ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ Philips

9 Fear-Child 松下電器産業 PhilipsST Micro

ElectronicsST Micro

Electronics Infineon Philips PhilipsＦｒｅｅsｃａｌｅＳｅｍｉｃｏｎｄ

ＦｒｅｅsｃａｌｅＳｅｍｉｃｏｎｄ AMD

10 Siemens 三菱電機 松下電器産業 Infineon PhilipsMicron

Technology Infineon 日立製作所 Philips PhilipsNEC

ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ

：　日本 ：　米国 ：　欧州 ：　韓国

2003 2004 20051999 2000 2001 20021980 1986 1992 1998

5

0

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

7,000

8,000

9,000

2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008

百万

平方

イン

チ

ﾉﾝﾎﾟﾘｯｼｭウエーハ

エピウエーハ

鏡面ウエーハ

出典：ＳＥＭＩ統計

予想

・２０００年ＩＴバブル崩壊後、４０億平方インチまで落ち込んだ生産は、パソコン、携帯電話の伸張に伴い、成長を続け、２００４年は２０００年の生産量を越えた

・２００５ー２００７年の３年間は２－６％の１ケタの成長に留まる見込みであるが、２００８年は８１億９２００平方インチと２ケタの伸びを予想

・２００６年までに総出荷量の２５％を３００ｍｍが占める見通し

（２）生産動向

・世界のシリコンウエーハの生産推移＜総面積＞

・２０００年ＩＴバブル崩壊後、４０億平方インチまで落ち込んだ生産は、パソコン、携帯電話の伸張に伴い、成長を続け、２００４年は２０００年の生産量を越えた

・２００５ー２００７年の３年間は２－６％の１ケタの成長に留まる見込みであるが、２００８年は８１億９２００平方インチと２ケタの伸びを予想

・２００６年までに総出荷量の２５％を３００ｍｍが占める見通し

6

0

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

7,000

8,000

1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

万枚

／年

・ＩＴバブル崩壊後の２００１年からは、１５０ｍｍ、２００ｍｍとも増加、１５０ｍｍ以下は漸減傾向。

・３００ｍｍは２００１年に立ち上がり、急激に増加。２００５年には１００万枚／月を達成。国内各社は更なる増産を計画しており、２００７年度末２００万枚超か。

・世界のシリコンウエーハの生産推移＜直径別＞

・ＩＴバブル崩壊後の２００１年からは、１５０ｍｍ、２００ｍｍとも増加、１５０ｍｍ以下は漸減傾向。

・３００ｍｍは２００１年に立ち上がり、急激に増加。２００５年には１００万枚／月を達成。国内各社は更なる増産を計画しており、２００７年度末２００万枚超か。

出典：工業レアメタル、ＳＥＭＩ資料

（２）生産動向

＜１５０ｍｍ

３００ｍｍ

２００ｍｍ

１５０ｍｍ

7

・世界のシリコンウエーハの生産推移＜販売金額と平均単価＞

・販売金額は２００２年，２００３年は１ケタ成長であったが、２００４年は７３億ドルを越え２ケタ成長

・単純平均単価でみると、ウエーハ価格は２００４年は１．１７$/sq-inchで前年（１．１４$/sq-inch）比２．６％上昇した。３００ｍｍウエーハが平均単価アップに貢献

・販売金額は２００２年，２００３年は１ケタ成長であったが、２００４年は７３億ドルを越え２ケタ成長

・単純平均単価でみると、ウエーハ価格は２００４年は１．１７$/sq-inchで前年（１．１４$/sq-inch）比２．６％上昇した。３００ｍｍウエーハが平均単価アップに貢献

出典：ＳＥＭＩ統計0

10

20

30

40

50

60

70

80

2001 2002 2003 2004

販売

金額

（億

ドル

）

1.05

1.1

1.15

1.2

1.25

1.3

1.35

単純

平均

単価

（ド

ル/平

方イ

ンチ

）

（２）生産動向

8

0.0

50.0

100.0

150.0

200.0

250.0

2002 2003 2004 2005 2006 2007

万枚

／月

ＬＧシルトロン

東芝セラミックス

コマツ電子金属

シルトロニック

ＭＥＭＣ

ＳＵＭＣＯ

信越半導体

・世界のシリコンウエーハの生産推移

＜３００ｍｍウエーハ生産能力推定＞

・量産化が本格化した２００２年以降、毎年３０％を越える成長率で伸びている

・２００７年には２００万枚／月を超える能力を保有する見込み

・量産化が本格化した２００２年以降、毎年３０％を越える成長率で伸びている

・２００７年には２００万枚／月を超える能力を保有する見込み

出典：工業レアメタル

（２）生産動向

9

0

200

400

600

800

1,000

1,200

1,400

1,600

1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004

百万

平方

イン

チ

0

1000

2000

3000

4000

5000

6000

億円

300

200

<150

販売金額

・日本国内でのシリコンウエーハの生産推移

・２００４年は前年に対して、ウエーハ全体で３０％生産量が増加。特に３００ｍｍが倍増２００ｍｍも１８％増えている

・販売額は２０００年ピーク時よりも５２０億円増＋１２％の４、７６５億円まで回復した

・２００４年は前年に対して、ウエーハ全体で３０％生産量が増加。特に３００ｍｍが倍増２００ｍｍも１８％増えている

・販売額は２０００年ピーク時よりも５２０億円増＋１２％の４、７６５億円まで回復した

出典：経済産業省、鉄鋼・非鉄金属・金属製品統計

（２）生産動向

10

・日本国内でのシリコンウエーハの生産動向＜設備投資額、研究開発費＞

・設備投資額は３００ｍｍの増産のためか、従来売上高比１１ー１２％であったが、この２－３年は１７％を越えている

・研究開発費はここ数年４－６％で推移しているが、２０００年ＩＴバブル崩壊後は、年々減少している。２００４年は３００ｍｍ技術、２００ｍｍ高精度化等の開発で２００３年に比べ、若干増加している

・設備投資額は３００ｍｍの増産のためか、従来売上高比１１ー１２％であったが、この２－３年は１７％を越えている

・研究開発費はここ数年４－６％で推移しているが、２０００年ＩＴバブル崩壊後は、年々減少している。２００４年は３００ｍｍ技術、２００ｍｍ高精度化等の開発で２００３年に比べ、若干増加している

出典：新金属工業

（単位：百万円）年度 売上高（Ⅰ） 前年比 設備投資額（Ⅱ） 前年比 Ⅱ/Ⅰ 研究開発費(Ⅲ） Ⅲ/Ⅰ 前年比1998 624,769 168,443 27.0% 41,574 6.7%1999 644,492 103 72,499 43 11.2% 37,293 5.8% 902000 790,047 123 91,811 127 11.6% 35,318 4.5% 952001 589,359 75 94,403 103 16.0% 35,412 6.0% 1002002 657,034 111 81,037 86 12.3% 33,971 5.2% 962003 681,212 104 120,798 149 17.7% 28,522 4.2% 842004 779,856 114 151,115 125 19.4% 29,417 3.8% 103

（２）生産動向

11

・世界シリコンウエーハ需要予測

・２００２年から２００８年における年平均成長率は９％と予想される・２００２年から２００８年における年平均成長率は９％と予想される

出典：新金属工業

0

1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

8000

9000

1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008

百万

平方

イン

チ

予測

（３）需要動向

12

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

1985

1987

1989

1991

1993

1995

1997

1999

2001

2003

2005

単結

晶輸

出量

(to

n)

0

10

20

30

40

50

60

輸出

比率

　（％

）

輸出量

輸出比率

・輸出比率が２００４年にはじめて５０％を越えた

・海外（台湾、韓国ｅｔｃ）での需要が、国内需要を追い越したことになる

（４）貿易動向

・シリコンウエーハの輸出量推移（単結晶輸出量）

・輸出比率が２００４年にはじめて５０％を越えた

・海外（台湾、韓国ｅｔｃ）での需要が、国内需要を追い越したことになる

出典：新金属協会シリコン部会

13

（５）企業構造

・シリコンウエーハメーカーの会社規模

・信越、ＳＵＭＣＯで全世界のシェアー５０％を越えている

・国内他２社（コマツ。東セラ）のシェアーは、合わせて１３％程度

・信越、ＳＵＭＣＯで全世界のシェアー５０％を越えている

・国内他２社（コマツ。東セラ）のシェアーは、合わせて１３％程度

出典：企業情報、レアメタル・ニュース

国内/海外 メーカー 資本金2004年売上高（億円）

従業員数2003年シェアー

国内 信越半導体（日） 100 2,504 1,450 30.1 %

国内 ＳＵＭＣＯ（日） 585 1,931 3,339 22.4 %

海外 シルトロニック（独） 14.4 %

国内 （ｼﾙﾄﾛﾆｯｸ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ） 157 225 620

海外 ＭＥＭＣ（米） 12.9 %

国内 （ｴﾑ･ｲｰ･ｴﾑ･ｼｰ） 75 170 550

国内 コマツ電子金属（日） 116 749 2,002 8.9 %

国内 東芝セラミックス（日） 187 370 2,514(全社) 4.3 %

海外 LG-Siltronic（韓） 4.2 %

14

・国内シリコン生産主要事業所と製品品目

出典：新金属ハンドブック

多結晶 FZ単結晶 CZ結晶ウエーハ

加工エピ・ＳＯＩ

DW・その他

信越半導体 磯部 ○武生 ○犀潟 ○白河 ○ ○ ○

ＳＵＭＣＯ 尼崎 ○佐賀 ○ ○ ○

伊万里 ○ ○野田 ○ ○生野 ○ ○米沢 ○ ○千歳 ○

コマツ電子金属 平塚 ○ ○ ○宮崎 ○長崎 ○ ○ ○

東芝セラミックス 小国 ○ ○ｼﾙﾄﾛﾆｯｸ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ 光 ○ ○ｴﾑ･ｲｰ･ｴﾑ･ｼｰ 宇都宮 ○ ○トクヤマ 徳山 ○三菱ﾏﾃﾘｱﾙﾎﾟﾘｼﾘｺﾝ 四日市 ○住友チタニウム 尼崎 ○

製　　造　　品　　目

事業所会社名

（５）企業構造

15

・日本メーカーの海外事業所

出典：企業情報

・信越、ＳＵＭＣＯは既に海外展開をしていたが、ここに来て、コマツが台湾に、東セラが韓国に事業所を設立している

・信越、ＳＵＭＣＯは既に海外展開をしていたが、ここに来て、コマツが台湾に、東セラが韓国に事業所を設立している

（５）企業構造

会社名 海外事業所 所在地 製品

信越半導体 ・S.E.H America Inc. 米国、　ワシントン州 CZ単結晶、ウエーハ加工

・S.E.H Europe Ltd. 英国、　リビングストン CZ単結晶、ウエーハ加工

・S.E.H (Shah Alam) Sdn. Bhd. マレーシア ウエーハ加工

・S.E.H Malaysia Sdn. Bhd. マレーシア ウエーハ加工

・S.E.H Taiwan Co., Ltd. 台湾 ウエーハ加工

ＳＵＭＣＯ ・SUMCO Phoenix Corporation 米国、　アリゾナ州 CZ単結晶、ウエーハ加工

・SUMCO Southwest Corporation 米国、　アリゾナ州 CZ単結晶、ウエーハ加工

・SUMCO France S.A.S. フランス エピ

・PT SUMCO Indonesia インドネシア ウエーハ加工

コマツ電子金属 ・Formosa Komatsu Silicon 　　 台湾 CZ単結晶、ウエーハ加工

　Corporation

東芝セラミックス ・Tocera Korea Ltd, 韓国 石英ガラス製品

16

・国内の事業再編・合従連衡

（５）企業構造

・１９９７年には９社あったが、２００５年には６社・１９９７年には９社あったが、２００５年には６社

１９９８ ２０００ ２００１ ２００２ ２００５

住友金属シチックス事業部

ＳＵＭＣＯ

ｼﾙﾄﾛﾆｯｸ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ

Wacker

MEMC

合弁会社Wacker-NSC

設立

事業統合ＳＵＭＣＯ設立

東芝セラミックス 東芝セラミックス

昭和電工 撤退

メイン株主変更

信越半導体

コマツ電子金属

MEMC

信越半導体

三菱マテリアルシリコン

コマツ電子金属

ニッテツ電子

17

・はじめに

・大口径化の推移

・ロードマップ

・学会における発表内容、件数

・シリコンウエーハ関連特許の出願状況

・シリコンウエーハの技術課題

・シリコン研究を行っている大学、研究機関

・国の支援プロジェクト

（６）技術動向

18

・半導体産業は半導体デバイスとその応用分野の拡大とともに、目覚しい発展を遂げてきた。その基板材料であるシリコンウエーハは、ＬＳＩの高集積化、高密度化が進むにつれて大口径化されてきた。今日までのシリコンウエーハの大口径化の推移と今後の予想図を以下に示す。３００ｍｍが量産化に入った今、次の目標である４５０ｍｍは２０１５年と予想されているが、もっと早くなると予想するデバイスメーカーもある。

・３００ｍｍウエーハについては、半導体製造業界、装置業界、材料業界が一体となった世界的な標準化活動が進められ、ウエーハ口径、厚み、キャリアーの間隔等の標準がつくられた。

・材料からデバイスプロセスにわたる半導体関連の技術動向（ロードマップ）は、この３００ｍｍ標準化活動と連動し、グローバルな検討がＳＥＭＩを中心に進められ、ＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ）として纏められている。

・シリコンウエーハのロードマップを次表に示すが、ウエーハの大口径化とともに、酸素コントロール、結晶品質の向上、ウエーハ表面の不純物低減、平坦度の向上などの品質向上が求められている。

・半導体産業は半導体デバイスとその応用分野の拡大とともに、目覚しい発展を遂げてきた。その基板材料であるシリコンウエーハは、ＬＳＩの高集積化、高密度化が進むにつれて大口径化されてきた。今日までのシリコンウエーハの大口径化の推移と今後の予想図を以下に示す。３００ｍｍが量産化に入った今、次の目標である４５０ｍｍは２０１５年と予想されているが、もっと早くなると予想するデバイスメーカーもある。

・３００ｍｍウエーハについては、半導体製造業界、装置業界、材料業界が一体となった世界的な標準化活動が進められ、ウエーハ口径、厚み、キャリアーの間隔等の標準がつくられた。

・材料からデバイスプロセスにわたる半導体関連の技術動向（ロードマップ）は、この３００ｍｍ標準化活動と連動し、グローバルな検討がＳＥＭＩを中心に進められ、ＩＴＲＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｏａｄｍａｐ）として纏められている。

・シリコンウエーハのロードマップを次表に示すが、ウエーハの大口径化とともに、酸素コントロール、結晶品質の向上、ウエーハ表面の不純物低減、平坦度の向上などの品質向上が求められている。

（６）技術動向

・はじめに

19

（６）技術動向

・大口径化の推移 出典：VLSI Research, SEMATECH,I300I

20

・ロードマップ 出典： SEMATECH

（６）技術動向

: Manufactuable Solusions Known : Manufactuable Solusions Unknown

Year of ProductionDRAM 1/2 Pitch (nm) (contacted)MPU/ASIC Metal 1 (M1) 1/2 Pitch (nm) (contacted) MPU Physical Gate Length (nm)

DRAM Total Chip Area (mm2)DRAM Active Transistor Area (mm2)MPU High-Performance Total Chip Area (mm2)MPU High-Performance Total Chip Area (mm2)Active Transistor Area (mm2)

Maximum Substrate Diameter (mm) - High Volume Production ( >20K wafer starts per month)Edge exclusion (mm) 2 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5

Front surface particle size (nm), latex sphere equivalent [D] [E] ≥90 ≥90 ≥65 ≥65 ≥65 ≥45 ≥45

Particles (cm-2) ≤0.17 ≤0.17 ≤0.16 ≤0.17 ≤0.17 ≤0.17 ≤0.17

Particles (#/wafer) ≤116 ≤120 ≤113 ≤115 ≤115 ≤265 ≤271

Site flatness (nm), SFQR 26mm x 8mm site size [F,R] ≤70 ≤57 ≤50 ≤45 ≤40 ≤35 ≤32

Nanotopography, p-v, 2mm diameter analysis area [Q] ≤18 ≤14 ≤13 ≤11 ≤10 ≤9 ≤8

Oxidation stacking faults (OSF)(DRAM)(cm-2) [G] ≤1.15 ≤0.85 ≤0.71 ≤0.81 ≤0.52 ≤0.43 ≤0.37

Oxidation stacking faults (OSF)(MPU)(cm-2) [G] ≤0.32 ≤0.23 ≤0.19 ≤0.16 ≤0.14 ≤0.12 ≤0.10

Large structural epi defects (DRAM)(cm-2) [J] ≤0.007 ≤0.014 ≤0.009 ≤0.011 ≤0.014 ≤0.009 ≤0.011

Large structural epi defects (MPU)(cm-2) [J] ≤0.005 ≤0.004 ≤0.005 ≤0.003 ≤0.004 ≤0.005 ≤0.003

Small structural epi defects (DRAM)(cm-2) [K] ≤0.014 ≤0.027 ≤0.017 ≤0.022 ≤0.027 ≤0.017 ≤0.022

Small structural epi defects (MPU)(cm-2) [K] ≤0.010 ≤0.008 ≤0.010 ≤0.006 ≤0.008 ≤0.010 ≤0.006

Edge exclusion (mm) 2 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5

Starting silicon layer thickness(Partially Depleted)(tolerance±5%, 3б)(nm)[L]Starting silicon layer thickness(Fully Depleted)(tolerance±5％、3б)(nm)[M]Buried oxide (BOX) thickness(Fully Depleted)(tolerance±5％、3б)(nm)[N]DLASOI, Large area SOI water defects (DRAM) (cm-2)[O] ≤0.007 ≤0.014 ≤0.009 ≤0.011 ≤0.014 ≤0.014 ≤0.012DLASOI, Large area SOI water defects (MPU) (cm-2)[O] ≤0.005 ≤0.004 ≤0.005 ≤0.003 ≤0.004 ≤0.004 ≤0.003DSASOI, Small area SOI wafer defects (DRAM)(cm-2) [P]

≤0.139 ≤0.218 ≤0.138 ≤0.173 ≤0.218 ≤0.139 ≤0.173DSASOI, Small area SOI wafer fefects (MPU)(cm-2)[P] ≤0.252 ≤0.200 ≤0.252 ≤0.159 ≤0.200 ≤0.252 ≤0.159

201045

18

93

29.1

310

31.7

Silicon-On-Insulator Wafer* (99% Chip Yield) [R]

37-6553-91 44-76

30-50

200950

20

300

117

36.4

195

20

16-30

42-70 34-56

19-34

36.2 23.1

195 246

2006 2008

300 300

70 57

28 23

139 74

13

93

29.1

310

3278 59 52 32

2012 201336

14

117

36

195

3616

74

45 4040

2011

Total Allowable Front Surface Defect Density is The sum of Epitaxial Large Structural Defects, Small Structural Defects and Particles(see General charac

General Characteristics * (99% Chip Yield) [A,B,C]

Epitaxial Wafer * (99% Chip Yield)

246

23.1

25.1

300

Polished Wafer * (99% Chip Yield)

20 25.1 31.7

34-60

The LLS requirement is specified for particles only; discrimination between particles and COPs is required (see General Characteristics) [D,E]

20

29-4240-70

15-29 15-28 13-15

31-45

13-15

24-4026-44

14-27

22-36 18-32

300 450 450

21

0

20

40

60

80

100

120

140

160

SEH

SUM

CO

KEM

Siltr

onic

s

東セ

ラ

MEM

C

大学

ﾃﾊ゙

ｲ゙ｽﾒー

ｶｰ

その

他

件数

（件

）

03春

03秋

04春

04秋

05春

出典 ： 応用物理学会講演大会予稿集

（６）技術動向

・大学、デバイスメーカーからの発表が大半を占める

・シリコンメーカーとの共研もあるが、件数は少ない

・大学、デバイスメーカーからの発表が大半を占める

・シリコンメーカーとの共研もあるが、件数は少ない

・応用物理学会におけるメーカー、大学別発表件数

22

結晶育成

欠陥･ｹﾞｯﾀﾘﾝｸﾞ

加工洗浄汚染

アニール

エピ

ＳＯＩ評価分析

歪Si

その他

出典 ： 応用物理学会講演大会予稿集

・評価分析、歪Ｓｉ、ＳＯＩ技術に関する発表が多く、全体のほほ半分。ＳＯＩに関する報告が減少傾向

・結晶、欠陥、加工、エピは毎季コンスタントに発表されている

（６）技術動向

・評価分析、歪Ｓｉ、ＳＯＩ技術に関する発表が多く、全体のほほ半分。ＳＯＩに関する報告が減少傾向

・結晶、欠陥、加工、エピは毎季コンスタントに発表されている

0

10

20

30

40

50

60

70

結晶

育成

欠陥

･ｹｯ゙ﾀ

ﾘﾝｸﾞ

加工

洗浄

汚染

アニ

ール

エピ

ＳＯ

Ｉ

評価

分析

歪Si

その

他

件数

（件）

03春

03秋

04春

04秋

05春

・応用物理学会における課題分野別発表件数

０３春ー０５春全件数の分野別割合

23

・学会報告から見た技術課題

○ Ｓｉ結晶点欠陥制御技術

○ 新洗浄技術

○ 窒素添加シリコン基板評価

○ ＳＯＩ基板評価技術

○ 歪Ｓｉ構造評価

（６）技術動向

・学会講演予稿集から、下記の技術項目に関心が集まっている

・シリコンの品質向上、新製品開発、機能向上関連技術が中心

・学会講演予稿集から、下記の技術項目に関心が集まっている

・シリコンの品質向上、新製品開発、機能向上関連技術が中心

24

・公開特許提出件数

（６）技術動向

・提出件数は国内各社合計で４００－５００件／年

・結晶、加工、エピのウエーハ製造主工程に関して、コンスタントに提出

・２００５年は太陽電池関連特許が増加

・提出件数は国内各社合計で４００－５００件／年

・結晶、加工、エピのウエーハ製造主工程に関して、コンスタントに提出

・２００５年は太陽電池関連特許が増加

0

20

40

60

80

100

120

140

160

2001 2002 2003 2004 2005

件数

（件

）

0

100

200

300

400

500

600

合計

件数

（件

数）

結晶技術

加工技術

ｴﾋﾟ/熱処理

ＳＯＩ

評価/分析技術

太陽電池

合計

出典 ： 公開特許、実用新案ＤＢ

25

・特許提出内容から見た技術課題

○ 単結晶製造方法

○ ウエーハの研磨、洗浄方法および装置

○ シリコンウエーハの評価方法

○ エピ/熱処理ウエーハの製造方法

○ ＳＯＩウエーハの製造方法＆評価方法

○ 太陽電池の製造方法

（６）技術動向

・各社からの特許提出内容から、シリコンウエーハに関する技術課題は、下記の項目に集約される

・品質の向上／改善対策、生産性向上のための対策、新しい機能を持ったウエーハの開発／評価および太陽電池関連技術が主体

・各社からの特許提出内容から、シリコンウエーハに関する技術課題は、下記の項目に集約される

・品質の向上／改善対策、生産性向上のための対策、新しい機能を持ったウエーハの開発／評価および太陽電池関連技術が主体

26

・シリコン研究を行っている大学、研究機関

＜大学＞

九大、九工大、信州大、大阪府大、湘南工科大、早大、神奈川工科大、名大、明大、足利工大、神奈川工大、山梨大、横浜国大、法大、中大筑波大、奈良先端科学技術大、阪大、名城大、慶大、岡山大、横浜市立大、岡山県立大、大同工大、関学、福岡工大、東大、宮崎大、愛知工大、静岡理工大、熊本大、静岡大、三重大、愛知工大、東北大、京都工芸繊維大、東工大 以上３７大学４５研究室

＜研究機関＞

産総研

・Ｈ１７年度応用物理学会講演大会にて報告した大学を以下に示す。

・多くの大学、研究室でシリコンの研究が行われている。産学連携を更に進めてゆけば、技術格差を更に広げることが可能。

・Ｈ１７年度応用物理学会講演大会にて報告した大学を以下に示す。

・多くの大学、研究室でシリコンの研究が行われている。産学連携を更に進めてゆけば、技術格差を更に広げることが可能。

（６）技術動向

27

・大学／研究室の研究内容の紹介

分野 大学名 教授／助教授名 研究内容解析 九州大学 柿本 シリコン融液中の熱・流動解析解析 九州大学 今石 単結晶の融液成長時の熱流動・物質移動のマクロ・ミクロシミュレーション解析 九州大学 尾添 熱流動・物質移動の数値解析解析 大阪大学 吉田 第一原理シミュレーション解析 岡山県立大学 末岡 第一原理解析による単結晶中の酸素析出機構解析 関西学院大学 佐藤 半導体クラスタにおける点欠陥集合体の電子状態解析解析 大阪大学 吉田 シリコン中の不純物振動の赤外励起の第一原理シミュレーション加工 横浜国立大学 高木 切削加工、研磨、精密加工加工 熊本大学 渡邊 精密加工技術

計測/測定 大阪府立大学 井上 低濃度炭素の赤外吸収測定計測/測定 東洋大学 井内 放射測温法による温度計測の研究計測/測定 大同工業大学 坂 Ｘ線動力学的回折による結晶の微小歪の定量

欠陥 愛知工業大学 寺島 ＤＬＴＳ法による欠陥の評価欠陥 早稲田大学 大泊 固体表面における欠陥の形成消滅挙動歪Ｓｉ 九州大学 中島 歪Ｓｉ－ＳＧＯＩウエーハの構造解析物性 福岡工業大学 北川 ｎ型無転位シリコン中のニッケルの拡散分布物性 明治大学 小椋 電気物性の研究物性 東北大学 末澤 窒素酸素複合体の電子状態物性 東北大学 中嶋 多結晶シリコンにおける優先方位の決定機構

・熱流動解析、第一原理を使ったシミュレーションが多く取り組まれている・熱流動解析、第一原理を使ったシミュレーションが多く取り組まれている

出典：応物予稿集、各大学のサイト

（６）技術動向

28

・シリコン分野での国の支援プロジェクト

（６）技術動向

出典：ＮＥＤＯホームページ

・官民一体となって技術開発を進めている太陽電池や民間主導で材料開発、プロセス開発を進めている半導体製造分野に比べて、シリコン分野での国主導のプロジェクトは、この２－３年少ない。

・官民一体となって技術開発を進めている太陽電池や民間主導で材料開発、プロセス開発を進めている半導体製造分野に比べて、シリコン分野での国主導のプロジェクトは、この２－３年少ない。

分野 プロジェクト プロジェクト名 内 容期間

シリコン 1996-2000 スーパーシリコン研究所 国内ウエーハメーカー７社が参加し、５年計画で大口径化（４００ｍｍ）の技術開発を推進

1998 地域コンソーシアム研究開発事業 超加工機械の中核技術の研究開発 1999 長期エネルギー技術戦略等に関する調査事業 産業技術戦略策定基盤調査 、分野別技術戦略策定2000 中小企業創造基盤技術研究事業 キャビテーション噴流式ハイブリッド表面改質法の開発 2002 極低電力情報端末ＬＳＩ研究開発 歪シリコン製造技術およびデバイスでの特性確認

太陽電池

　　　等の予算を使って、太陽電池の導入促進、コスト低減を目指した技術開発、高性能太陽電池開発等を　　　官民一体となって進めている

経済産業省　　　　５２６億円　　（２００５年度予算）環境省　　　　　　　１１０億円　　（　　　　〃　 　　　）防衛施設庁　　　　　１４億円　　（　　　　〃 　　　　）国土交通省　　　 ～２０億円 　（　　　　〃　　　 　）

29

（参考） 半導体製造技術に関するプロジェクト（主に民間主導）

（６）技術動向

分野 プロジェクト プロジェクト名 内 容期間

半導体 2001-2003 半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト（ＭＩＲＡＩ） 高誘電率ゲート絶縁膜材料・計測・解析技術開発2004-2007 （参加企業）　　半導体デバイスメーカー１２社 低誘電率層間絶縁膜材料・計測・解析技術開発

　　　　　　　　　 半導体装置・材料メーカー１１社 将来のデバイスプロセス基盤技術開発2001-2006 あすかプロジェクト／Ｓｅｌｅｔｅ 先端リソグラフィー技術、先端プロセス技術（ＦＥＰ、ＢＥＰ）

（参加企業）　　株主会社１０社 　委託会社２社特に無し 半導体理工学研究センター（ＳＴＡＲＣ） 半導体設計技術、セルライブラリおよびＩＰの開発

（参加企業）　 株主会社１０社 参画会社１１社 システム、プロセス、デバイス分野における大学との共同研究特に無し 先端ＳｏＣ基盤技術開発（ＡＳＰＬＡ） ９０ｎｍノードデバイス性能の標準化推進

（参加企業）　 株主会社１０社 設計資産の流通推進、工程受託サービス提供2001-2004 高効率次世代半導体製造システム技術開発（ＨＡＬＣＡ） 装置共有化による複数プロセス処理技術

（参加企業）　 助成金事業９社 賦課金事業１４社 プロセス工程の大幅削減化技術ファブエンジニアリング技術大学および産総研との共同研究

1987- Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｎａｌ　ＳＥＭＡＴＥＣＨ 先端プロセス技術開発、生産性向上のための開発（参加企業） 　Ｉｎｔｅｌ　ＡＭＤ他９社

出典：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｏｒｔａｌ Ｉｎｃ．

30

ＳＯＩ　ウエーハ ポリッシュド　ウエーハ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　Ｗａｆｅｒ） （Ｐｏｌｉｓｈｅｄ　 Ｗａｆｅｒ）

内容 デバイスの高集積化、高速化、高信頼性の実現を目指した電気 単結晶シリコンをスライスし、鏡面研磨した平坦度と清浄度に絶縁性の高い酸化膜をウエーハ内部に形成させたウエーハ 優れたウエーハ貼り合わせ法と酸素イオン注入法の２つの製法がある

構造 ・貼り合わせウエーハ特徴 　　２枚のポリッシュドウエーハを酸化膜を介して貼り合わせた

　　ウエーハ。結晶性がいい、ＢＯＸ耐圧に優れるという特徴あり。　薄膜化が難しい。

・ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ　）　　ポリッシュドウエーハに酸素イオンを注入しウエーハ内部　に酸化膜を形成させたウエーハ。膜厚均一性に優れている。

　　薄い活性層の形成可能。　　イオン注入に付随する結晶欠陥あり。

（６）技術動向

（参考） ＳＯＩウエーハとは

活性層

酸化膜層

活性層

酸化膜層

シリコンウエーハ

31

（７）原材料調達の動向

・サプライチェーン

・高純度多結晶の材料である金属シリコンの供給については、ブラジルの数社が増産に入る一方、中国では電力問題、現地通貨高、増値税還付の廃止、輸出税導入の可能性などコストアップ要因が目白押し。供給量に関しては大きな変化はないが、金属シリコンの価格変動に関して注意が必要

・高純度多結晶の材料である金属シリコンの供給については、ブラジルの数社が増産に入る一方、中国では電力問題、現地通貨高、増値税還付の廃止、輸出税導入の可能性などコストアップ要因が目白押し。供給量に関しては大きな変化はないが、金属シリコンの価格変動に関して注意が必要

出典：新金属データーブック、工業レアメタル

7,000 6,135 6,027 6,751 国内デバイスメーカー

輸入 1,010 海外デバイスメーカー単結晶　　　アメリカ

　　（単位　：　トン） 8,364 865

　2004年度数値　アメリカ

イギリス

ノルウエー

フランス 中国他

　　採掘／製造国　　　　北米

　　　　　ブラジル

　　　　デンマーク　　　ドイツ

製鉄脱酸材

アルミニウム２次合金

242,000１００％輸入

ドイツ

シリコーン樹脂 6,828

3,285 (49%)

3,466 (51%)

高純度珪石

金属シリコン

高純度多結晶

輸入多結晶

単結晶

国内シリコンウエーハ

国内太陽電池

32

（７）原材料調達の動向

・世界の金属シリコン需給実績

・安い電力が利用出来る北米、ブラジル、ノルウエー、フランス、中国等で金属シリコンへの加工が行われている。日本では全量工業用金属シリコンとして輸入し、国内ポリシリコン（多結晶）メーカーが多結晶を製造し、シリコンウエーハメーカーに供給

・２００４年世界の金属シリコン需要は１２６万トン、前年比１４％増えた

・供給は西側メーカーが７５万トンに対して、中国が５４．５万トンと前年比１５％増加

・安い電力が利用出来る北米、ブラジル、ノルウエー、フランス、中国等で金属シリコンへの加工が行われている。日本では全量工業用金属シリコンとして輸入し、国内ポリシリコン（多結晶）メーカーが多結晶を製造し、シリコンウエーハメーカーに供給

・２００４年世界の金属シリコン需要は１２６万トン、前年比１４％増えた

・供給は西側メーカーが７５万トンに対して、中国が５４．５万トンと前年比１５％増加

出典：工業レアメタル

（単位：　千トン）

1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005見通

需要 西欧 316 318 318 386 383 387 420 445 450

アメリカ 280 272 272 295 248 240 231 270 270

日本 161 150 160 186 184 189 215 240 240

アジア（除く日本） 59 45 50 59 56 73 90 140

他西欧諸国 88 88 88 108 110 122 145 165

合計 903 873 888 1,035 981 1,011 1,101 1,260 1,280

供給 西欧諸国 684 684 684 782 688 690 728 750 750

中国 200 176 200 257 257 309 475 545 600

ＣＩＳ、東欧 39 41 41 27 39 33 26 15 20

合計 923 901 925 1,066 984 1,032 1,229 1,310 1,370

320

33

（７）原材料調達の動向

・金属シリコン輸入実績

・２００４年輸入量は２４．２万トンと大幅に増加。過去最高記録

・中国品が８３％でトップ、南アフリカ、ノルウエー、オーストラリアからも輸入

・２００４年輸入量は２４．２万トンと大幅に増加。過去最高記録

・中国品が８３％でトップ、南アフリカ、ノルウエー、オーストラリアからも輸入

出典：工業レアメタル

0

5

10

15

20

25

30

1987 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 00 01 02 03 04

24.2

合計

中国

20.2(ｼｪｱ83%)

ブラジル

0.7(3%)ノルウェー　1.7(7%)

オーストラリア 0.7(3%)

輸入

量（万

トン

）

34

・世界の多結晶シリコンの生産

・半導体向け中心だった多結晶市場は、２０００年のＩＴバブル崩壊後、太陽電池市場への多結晶需要が拡大し、２００４年には半導体用１．９万トン、太陽電池用８千トン、合計２．７万トンと２００１年の約２万トンから３５％増えた

・世界の生産量は２００５年３万トンに対して、増設計画分を加えると２００７年には約３．５万トンを越える見通し

・半導体向け中心だった多結晶市場は、２０００年のＩＴバブル崩壊後、太陽電池市場への多結晶需要が拡大し、２００４年には半導体用１．９万トン、太陽電池用８千トン、合計２．７万トンと２００１年の約２万トンから３５％増えた

・世界の生産量は２００５年３万トンに対して、増設計画分を加えると２００７年には約３．５万トンを越える見通し

（ 単位：トン）

1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003

実績 実績 実績 実績 実績 実績 実績 実績 計画 能力 計画 半導体 太陽電池

トクヤマ 3,300 3,100 2,100 2,600 3,300 2,800 3,300 4,800 5,200 5,400 5,400 3,800 1,600

三菱ﾏﾃﾘｱﾙﾎﾟﾘｼﾘｺﾝ 1,600 1,400 1,200 1,600 1,200 1,100 1,200 1,500 1,600 1,600 1,600 1,400 200

住友チタニウム 700 600 600 630 550 500 600 700 700 700 700 700 0

日本合計 5,600 5,100 3,900 4,830 5,050 4,400 5,100 7,000 7,500 7,700 7,700 5,900 1,800

三菱ポリシリコン(米) 200 800 800 900 1,000 1,100 1,200 1,200 1,200 1,100 100

ﾍﾑﾛｯｸｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ(米) 4,200 4,000 3,500 4,600 4,300 5,000 6,000 7,000 7,400 10,000 10,000 6,000 4,000

ASiMI(米) 1,800 2,000 2,100 2,600 2,500 2,500 2,500 2,600 3,000 3,300 3,300 2,800 500

SGS(米) 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 2,200 0 2,200

ﾜｯｶｰﾎﾟﾘｼﾘｺﾝ(独) 2,600 2,900 3,100 3,700 3,000 3,500 4,000 4,600 5,000 5,500 5,500 3,200 2,300

MEMCﾊﾟｻﾃﾞｨﾅ(米) 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,200 1,500 1,500 2,700 1,500 1,500 0

MEMC(伊) 850 900 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 1,000 0

合計 18,250 18,100 17,000 20,730 19,850 20,500 23,000 27,000 28,800 33,600 32,400 21,500 10,900

2006 2006計画の内訳2004 2005

出典：工業レアメタル

（７）原材料調達の動向

35

・世界の太陽電池生産量ランキング

・シャープが３２４ＭＷでシエアー２７％、５年連続トップ

・１社でヨーロッパ全体よりも多い

・シャープが３２４ＭＷでシエアー２７％、５年連続トップ

・１社でヨーロッパ全体よりも多い

出典：㈱資源総合システム

（単位 ： MW）

順位 企業名 2003 シェアー 2004 シェアー 04/03対比

1 シャープ(日) 197.9 26.6% 324.0 27.1% 163 %

2 京セラ(日) 72.0 9.7 105.0 8.8 145 %

3 三菱電機(日) 40.0 5.4 75.0 6.3 187 %

3 Q-Cells(独) 28.0 3.8 75.0 6.3 267 %

5 三洋電機(日) 35.0 4.7 65.0 5.4 185 %

6 Shell Solar(米) 52.0 7.0 62.0 5.2 119 %

(旧Siemens Solar)

7 Isophoton(ｽﾍﾟｲﾝ) 35.2 4.7 53.3 4.5 151 %

8 REWSchott Solar(独) 38.0 5.1 53.0 4.4 139 %

(旧ASE)

9 MOTEC(台湾) 17.0 2.3 35.0 2.9 205 %

10 BPSolar(豪) 26.2 3.5 34.0 2.8 129 %

（７）原材料調達の動向

36

0

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

7,000

1985

1987

1989

1991

1993

1995

1997

1999

2001

2003

2005

生産

量（ト

ン）

多結晶

単結晶

・日本の高純度シリコンの生産

・多結晶生産量と単結晶生産量はほぼ同じ６，０００トン強・多結晶生産量と単結晶生産量はほぼ同じ６，０００トン強

出典：

新金属協会シリコン部会

（７）原材料調達の動向

37

0

1,000

2,000

3,000

4,000

5,000

6,000

7,000

8,000

9,000

1994

1995

1996

1997

1998

1999

2000

2001

2002

2003

2004

輸入

量（ト

ン）

単結晶

多結晶

・国内における太陽電池生産の増加に伴い、多結晶シリコンの輸入が２００２年から急増している

・単結晶の輸入は大きな変化がなかったが、２００４年に急増している。太陽電池の生産増に関係していると思われる

・高純度シリコンの輸入

・国内における太陽電池生産の増加に伴い、多結晶シリコンの輸入が２００２年から急増している

・単結晶の輸入は大きな変化がなかったが、２００４年に急増している。太陽電池の生産増に関係していると思われる

出典：新金属データブック（金属時評）、レアメタル・ニュース

（７）原材料調達の動向

（単位：トン）

輸入国 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004

単結晶 アメリカ 110 433 388 425 290 252 324 223

韓国 3 26 46 175 153 123 83 31

ロシア 3 39 56 65 30 7 14 10

イタリア 24 25 69 60 71 84 104 69

デンマーク 22 23 15 13 11 14 5 3

中国 42 124 144 154 238

ドイツ 5 12 66 241 141

台湾 31 9 62 131 53

その他 53 72 137 76 38 39 96 51

（合計） 215 618 711 892 738 791 1,152 819 886 1,186 2,617

多結晶アメリカドイツ

イギリス2,258 2,677 3,049 3,514 4,474 3,921 4,857 5,453 5,166 6,899 8,364

38

・強み、弱み分析

（８）我が国シリコン産業の特徴

[強み]

１．日本の半導体生産額が１９８６年に米国を抜いて、世界一となり、国内に世界最大のユーザーを抱えることになった。それを支えるため、ユーザーニーズの的確・迅速な対応、ウエーハ製造技術、製造装置技術のレベルアップ、高い教育を受けた人材の確保等で、その地位を支えてきた。

２．３００ｍｍウエーハが量産体制に入り、世界の中でその大半を国内で生産する体制が出来、シェアーを拡大することが出来るようになった。研究開発、装置開発に資金を投入し、世界をリードすることが出来る力をつけた。

３．ウエーハ製造のための結晶引上げ装置、研磨装置等ウエーハ製造にとっての要の製造装置メーカーを配下に保有しており、そことの共同開発により、技術の向上が期待出来る。

[強み]

１．日本の半導体生産額が１９８６年に米国を抜いて、世界一となり、国内に世界最大のユーザーを抱えることになった。それを支えるため、ユーザーニーズの的確・迅速な対応、ウエーハ製造技術、製造装置技術のレベルアップ、高い教育を受けた人材の確保等で、その地位を支えてきた。

２．３００ｍｍウエーハが量産体制に入り、世界の中でその大半を国内で生産する体制が出来、シェアーを拡大することが出来るようになった。研究開発、装置開発に資金を投入し、世界をリードすることが出来る力をつけた。

３．ウエーハ製造のための結晶引上げ装置、研磨装置等ウエーハ製造にとっての要の製造装置メーカーを配下に保有しており、そことの共同開発により、技術の向上が期待出来る。

39

・強み、弱み分析

[弱み]

１．台湾、韓国等のファウンドリーが台頭してきており、ウエーハもそれにつれて、海外で使用される量が増加している。使用するところと供給するところが離れることにより、過去には強みとなっていた対応の迅速性が問題となる。

２．デバイスメーカー同様、莫大な設備投資を回収出来ぬまま、ウエーハの世代交代が進んでおり、特にこの２、３年は３００ｍｍおよび品質向上のための投資が莫大で、各社とも利益を上げるのに汲々としている。開発への投資が少なくなり、技術革新が停滞する可能性がある。

３．シリコン関連の学会発表、大学における講座等が極端に少なくなっている。

４．国支援のプロジェクトも少ない。企業に任せておいていいのか？

[弱み]

１．台湾、韓国等のファウンドリーが台頭してきており、ウエーハもそれにつれて、海外で使用される量が増加している。使用するところと供給するところが離れることにより、過去には強みとなっていた対応の迅速性が問題となる。

２．デバイスメーカー同様、莫大な設備投資を回収出来ぬまま、ウエーハの世代交代が進んでおり、特にこの２、３年は３００ｍｍおよび品質向上のための投資が莫大で、各社とも利益を上げるのに汲々としている。開発への投資が少なくなり、技術革新が停滞する可能性がある。

３．シリコン関連の学会発表、大学における講座等が極端に少なくなっている。

４．国支援のプロジェクトも少ない。企業に任せておいていいのか？

（８）我が国シリコン産業の特徴

40

太陽電池関連資 料

41

・太陽電池関連の特許出願状況

～89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 00

1 松下電器産業 19 18 22 21 19 15 11 3 7 10 6 1512 富士写真フィルム 1 12 23 61 40 1373 キヤノン 2 10 17 29 7 4 3 10 9 5 13 14 1234 シャープ 4 16 7 8 9 6 8 5 9 11 20 1035 松下電池工業 1 6 1 8 4 12 20 14 12 11 896 三洋電機 5 6 8 11 4 6 2 5 6 3 7 637 矢崎総業 1 1 7 13 10 5 8 7 528 日立製作所 1 4 7 6 3 5 3 6 4 2 2 4 479 京セラ 1 2 3 1 1 6 1 7 10 14 4610 富士ゼロックス 1 5 4 6 12 9 3711 信越化学工業 2 3 3 5 1 1 18 3312 旭化成 1 1 8 4 1 2 5 7 1 3013 三菱電機 12 3 2 1 2 1 2 2 2 2714 沖電気工業 2 4 2 1 5 3 1 1 3 4 2615 ジャパンエナジー 1 1 1 1 5 11 2 3 2516 本田技研工業 1 3 1 6 5 9 2517 産業技術総合研究所 1 1 2 1 5 1 2 1 10 2418 東芝 1 1 1 1 1 6 10 2119 ソニー 1 1 6 2 1 8 1 2020 日立電線 7 2 5 2 2 1 1 2021 富士電機 3 11 4 1 1 20

（合　　計） 3 73 84 99 79 85 81 83 82 113 167 170 1119

年次別出願件数計No. 出願人

出典：工業所有権情報・研修館 特許流通支援チャート

（太陽電池）

42

（太陽電池）

・太陽電池の技術開発

＊2030年に向けた太陽光発電の技術課題

出典：NEDO開発機構「2030年に向けた太陽光発電ロードマップ」

43

（太陽電池）

・太陽電池の技術開発

＊2010年の導入目標達成に向けた要素技術開発

出典：NEDO開発機構「2030年に向けた太陽光発電ロードマップ」

44

0

10,000

20,000

30,000

40,000

50,000

60,000

1996 1998 2000 2002 2004 2006 2008 2010 2012 2014 2016 2018

年

（MW）

２０２０年までの太陽電池設置容量計画

出典：グリーンピース・インターナショナル、ＥＰＩＡ

（太陽電池）

45

エネルギー 原油換算量（万Ｋｌ）

太陽光発電 2024

風力発電 269

廃棄物発電 374

バイマス発電 120

太陽熱利用 112

未利用エネルギーおよび廃棄物熱利用 87

バイオマス熱利用 423

黒液・廃材等 537

合計 3946

新エネルギー進展ケースにおける２０３０年のエネルギー試算値

出典：経済産業省エネルギー庁資源エネルギー調査会需給部会

（太陽電池）