Tranzistoarele cu efect de câmp (TEC) sunt dispozitive electronice a căror funcţionare se bazează pe modificarea conductantei unui canal semiconductor sub influenţa câmpului electric. Mai jos este prezentată schema care explică principiul de funcţionare a TEC.

Funcţionarea TEC are loc cu un singur tip de purtători de sarcină, ceea ce permite funcţionarea lui la frecvenţe înalte.

Deoarece fenomenul conducţiei este determinat numai de un singur tip de purtători şi anume de purtătorii majoritari din canal, VT cu efect de câmp se mai numesc şi tranzistoare unipolare.

Acestea se clasifica in:1. jonctiune p-n;2. MIS/MOS cu canal indus/canal intercalat.

Principiul de funcţionare pentru TEC este bazat pe dependenţa secţiunii canalului prin care circulă purtătorii de sarcină de tensiunea aplicată la electrozi. Deplasarea purtătorilor de sarcină liberi are loc sub influenţa tensiunii aplicate intre doi electrozi numită drenă si sursă, plasate la cele doua capete ele canalului. Sursa desemnează electrodul prin care purtătorii de sarcină pătrund in canal, iar drena - electrodul prin care purtătorii mobili de sarcină sunt evacuaţi din canal. Conform celor de mai sus, sensul deplasării purtătorilor mobili este de la sursă spre drenă.

Modificarea conductibilităţii canalului se realizează cu ajutorul câmpului creat de o tensiune aplicată unui al treilea electrod numit grilă sau poartă. Conductibilitatea canalului depinde de secţiunea canalului si de numărul purtătorilor de sarcină mobili din canal.

Tensiunea drenă-sursă pentru care canalul se închide se numeşte tensiune de saturaţie şi este egală cu: UDS=Ugs – Up, unde Up este tensiunea grilă-sursă la care curentul de drenă se anulează. In majoritatea cataloagelor este dată tensiunea la care curentul de drenă scade la o valoare foarte mică (de obicei 10 A).

a) TEC MOS cu canal intercalat

Structura TEC MOS cu canal intercalat tip n

Caracteristicile staticeCaracteristica de transfer ID = f (UGS)|USD

= const

Caracteristica de iesire ID = f (USD)|UGS =

const

Spre deosebire de TEC cu joncţiune p – n, TEC MOS pot lucra atât în regim de saturaţie (UGS<0), cât şi in regim de îmbogăţire (UGS>0).