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MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
第78回応用物理学会秋季学術講演会 8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野2017年9月8日福岡国際会議場 8p-A402-1
N2ガスの電子衝突断面積Electron collision cross sections of N2 gas
○川口悟1,2 高橋一弘1 佐藤孝紀1 (1室蘭工業大学, 2学振特別研究員)○Satoru Kawaguchi1,2, Kazuhiro Takahashi1, and Kohki Satoh1 (1Muroran Institute of Technology, 2JSPS Research Fellow)
謝辞本研究はJSPS科研費JP17J11124の助成を受けて実施された
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
Fundamental
Data
Transport
coefficients
Rate coefficients
研究背景
Computer simulation
𝑘𝑖 , 𝑘𝑎
Electron collision
cross sections
Continuity eq. for specie j
𝑊,𝐷
𝚪𝒋(𝒙, 𝒕) = 𝑾𝒋𝒏𝒋(𝒙, 𝒕) − 𝑫𝒋
𝝏𝒏𝒋(𝒙, 𝒕)
𝝏𝒙
𝝏𝒏𝒋(𝒙, 𝒕)
𝝏𝒕= −
𝝏𝜞𝒋 𝒙, 𝒕
𝝏𝒙+ 𝒌𝒊 − 𝒌𝒂 𝒏𝒋(𝒙, 𝒕)𝑵
Plasma CVD
Plasma Etching
Gas Insulation
Decomposition of
hazardous substance
Plasma Medicine
Plasma Agriculture
Experiment
Requirement
各種気体に関する正確かつ詳細な電子衝突断面積セットの整備が急務
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
IEEJ Recommended IST-Lisbon database Itikawa database Phelps database(1988) (2014) (2013) (1985)
Morgan Biagi TRINITI database SIGLO database(2012) (1985)
従来のN2ガスの電子衝突断面積セット
Ridenti et al. (IST-Lisbon database) [Plasma Sources Sci. Technol. 24, 035002 (2015)]
31種類の回転励起断面積&29種類の回転脱励起断面積&N2分子の回転状態の分布の考慮低E/Nにおける電子ドリフト速度&特性エネルギーの実測値を再現できることを報告
Stojanović and Petrović [J. Phys. D 31, 834 (1998)]
弾性衝突および非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性を考慮 E/N > 2,000 Tdにおける電離係数の実測値を再現するためには,非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性の考慮が必要であることを報告
qm: 弾性衝突運動量移行
qrot: 回転励起qderot: 回転脱励起qvib: 振動励起qex: 電子励起qd: 解離qi: 電離
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on
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Electron energy (eV)
qm
qvib(10)
qex
(19)
qi(1)
qd(1)
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Electron energy (eV)
qm
qrot(1)
qvib(1)qi(3)qex
(12)
qd(1)
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qrot(1)
qex
(13)qi(1)
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qm
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qi (1)
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LXCat収録断面積セット
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MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
IEEJ Recommended IST-Lisbon database Itikawa database Phelps database(1988) (2014) (2013) (1985)
Morgan Biagi TRINITI database SIGLO database(2012) (1985)
従来のN2ガスの電子衝突断面積セット
Ridenti et al. (IST-Lisbon database) [Plasma Sources Sci. Technol. 24, 035002 (2015)]
31種類の回転励起断面積&29種類の回転脱励起断面積&N2分子の回転状態の分布の考慮低E/Nにおける電子ドリフト速度&特性エネルギーの実測値を再現できることを報告
Stojanović and Petrović [J. Phys. D 31, 834 (1998)]
弾性衝突および非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性を考慮 E/N > 2,000 Tdにおける電離係数の実測値を再現するためには,非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性の考慮が必要であることを報告
qm: 弾性衝突運動量移行
qrot: 回転励起qderot: 回転脱励起qvib: 振動励起qex: 電子励起qd: 解離qi: 電離
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IEEJ Recommended IST-Lisbon database Itikawa database Phelps database(1988) (2014) (2013) (1985)
Morgan Biagi TRINITI database SIGLO database(2012) (1985)
従来のN2ガスの電子衝突断面積セット
Ridenti et al. (IST-Lisbon database) [Plasma Sources Sci. Technol. 24, 035002 (2015)]
31種類の回転励起断面積&29種類の回転脱励起断面積&N2分子の回転状態の分布の考慮低E/Nにおける電子ドリフト速度&特性エネルギーの実測値を再現できることを報告
Stojanović and Petrović [J. Phys. D 31, 834 (1998)]
弾性衝突および非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性を考慮 E/N > 2,000 Tdにおける電離係数の実測値を再現するためには,非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性の考慮が必要であることを報告
qm: 弾性衝突運動量移行
qrot: 回転励起qderot: 回転脱励起qvib: 振動励起qex: 電子励起qd: 解離qi: 電離
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LXCat収録断面積セット
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IEEJ Recommended IST-Lisbon database Itikawa database Phelps database(1988) (2014) (2013) (1985)
Morgan Biagi TRINITI database SIGLO database(2012) (1985)
Ridenti et al. (IST-Lisbon database) [Plasma Sources Sci. Technol. 24, 035002 (2015)]
31種類の回転励起断面積&29種類の回転脱励起断面積&N2分子の回転状態の分布の考慮低E/Nにおける電子ドリフト速度&特性エネルギーの実測値を再現できることを報告
Stojanović and Petrović [J. Phys. D 31, 834 (1998)]
弾性衝突および非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性を考慮 E/N > 2,000 Tdにおける電離係数の実測値を再現するためには,非弾性衝突後の電子の散乱方向依存性の考慮が必要であることを報告
qm: 弾性衝突運動量移行
qrot: 回転励起qderot: 回転脱励起qvib: 振動励起qex: 電子励起qd: 解離qi: 電離
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LXCat収録断面積セット
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従来のN2ガスの電子衝突断面積セット
研究目的正確かつ詳細なN2ガスの電子衝突断面積セットの提案
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
従来の電子衝突断面積セットの評価
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N2ガス中の電子輸送係数: W & NDL
電子ドリフト速度W 縦方向拡散係数NDL
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N2ガス中の電離係数
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本研究で提案するN2ガスの電子衝突断面積セット
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弾性衝突運動量移行断面積
以下の実測値をもとに形状を決定
• DuBois and Rudd [J. Phys. B 9, 2657 (1976)]
• Srivastava et al. [J. Chem. Phys. 64, 1340 (1976)]
• Shyn and Cargnan [Phys. Rev. A 22, 923 (1980)]
• Sohn et al. [J. Phys. B 19, 4017 (1986)]
• Sun et al. [Phys. Rev. A 52, 1229 (1995)]
• Muse et al. [J. Phys. B 41, 095203 (2008)]
• Linert and Zubek [J. Phys. B 42, 085203 (2009)]
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振動励起断面積
10種類の振動励起(v = 0 → v = 1, 2, 3, ... , 9)で構成 Laporta et al. [Plasma Sources Sci. Technol. 23, 065002 (2014)]のR-matrix法による理論計算値を使用
v = 0 → v = 1に関するqvibについては,e ≤ 1.5 eVにおいてSohn et al. [J. Phys. B 19,
4017 (1986)]の実測値およびe ≥ 5 eVにおいてLinert et al. [J. Phys. B 42, 085203 (2009)]を基に形状を推定
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電子励起断面積
State Ref.
ex1 A3Su+ [1-3]
ex2 B3Pg[1-3]
ex3 W3Du[1-3]
ex4 B’3Su- [1-3]
ex5 a’1S-u
[1-3]
ex6 a1Pg[1-3]
ex7 w1Du[1-3]
ex8 C3Pu[1,2,4]
ex9 E3Sg+ [1,2,4,5]
ex1 – ex17以下の実測値に基づいて断面積の形状を決定✓ [1] Trajmar et al. [Phys. Rep. 97, 219 (1983)] ✓ [4] Malone et al. [Phys. Rev. A 85, 062704 (2012)]
✓ [2] Campbell et al. [J. Phys. B 34, 1185 (2001)] ✓ [5] Brunger et al. [Phys. Rev. A 37, 3570 (1988)]
✓ [3] Johnson et al. [J. Geophys. Res. 110, A11311 (2005)]
ex18IST-Lisbon databaseにおけるしきい値が13 eVのqexを修正して使用
State Ref.
ex10 a’’1Sg+ [1,2,4]
ex11 b1Pu[4]
ex12 c31Pu
[4]
ex13 o31Pu
[4]
ex14 b’1Su+ [4]
ex15 c41Su
+ [4]
ex16 G3Pu[4]
ex17 F3Pu[4]
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中性解離断面積
Spence and Burrow [J. Phys. B 12, L179 (1979)]の実測値を使用
N2 + e → (N2-)* → N + N + e
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電離断面積
5種類の部分電離断面積[N2+(X 2Sg
+), N2+(A 2Pu), N2
+(B 2Su+), N+, N2+]で構成
N2+(X 2Sg
+), N2+(A 2Pu), N2
+(B 2Su+)
Shemansky and Liu [J. Geophys. Res. 110, A07307 (2005)]が報告した断面積を使用
N+, N2+
Lindsay and Mangan [Photon and Electron Interactions with Atoms, Molecules and Ions, Landolt-Börnstein
Vol.I.17, Subvolume C (2003)]の実測値を通るように断面積の形状を決定
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回転励起断面積&回転脱励起断面積
• Born近似による理論式[Gerjuoy and Stein, Phys.
Rev. 97, 1671 (1955)]から得られた31種類の回転励起断面積qJ→J+2および29種類の回転脱励起断面積qJ→J-2を使用
• 回転励起および回転脱励起衝突周波数nJ→J±2
の計算において,N2分子の回転励起状態の分布(Boltzmann分布)を考慮
21
2,22
2 11232
12
15
8)( 0
++
++
++
e
ee
JJJJ
JJ
JJaQq
21
2,22
2 11212
1
15
8)( 0
+
e
ee
JJJJ
JJ
JJaQq
22, JJJJ eee )1( + JBJJe
gB
expTk
p
N
n J
J J
JJJ
e
Q: N2分子の電気四極子モーメント, a0: Bohr 半径B: 回転定数
𝜈𝐽→𝐽±2(𝜖) = 𝑁𝛿𝐽𝑞𝐽→𝐽±2(𝜖) 2𝜖 𝑚
nJ: 回転状態JのN2分子の数密度 N: 気体分子数密度,
m: 電子の質量, kB: Boltzmann定数, Tg: ガス温度
𝑝𝐽 = 3 2𝐽 + 1 for odd 𝐽6 2𝐽 + 1 for even 𝐽
[Ridenti et al. [Plasma Sources Sci. Technol. 24, 035002 (2015)]]
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電子励起および電離衝突後の電子の散乱方向依存性
電子励起衝突(ex1 – ex17)
Khakoo and coworkers [Phys. Rev. A 71, 062703 (2005); 77, 012704 (2008); 79, 032704 (2009)]の実測値をそれぞれ使用
電子励起衝突(ex18) & 電離衝突e < 100 eV: ex1 – ex17の微分断面積の総和を使用e ≥ 100 eV: Rutherfordの散乱公式を使用
その他の衝突においては等方散乱を仮定し,電離衝突後に生成される電子は等方的に放出されると仮定する
- N N
-c
𝜉 = 0𝜒𝑞𝐷𝐶𝑆 𝜖, 𝜒′ sin 𝜒′ 𝑑𝜒′
0𝜋𝑞𝐷𝐶𝑆 𝜖, 𝜒′ sin 𝜒′ 𝑑𝜒′
x : 一様乱数e : 電子のエネルギー,
ex1に関する微分断面積
0.01
2
4
6
80.1
2
4
6
81
2
4
180150120906030010
2
3
4
5
6
100
Scattering angle c (deg.)
Dif
fere
nti
alC
ross
Sec
tion q
DC
S(e
, c
)
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
0.1
1
10
100
1000
180150120906030010
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3
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5
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Scattering angle c (deg.)
No
rmal
ized
Dif
fere
nti
al
Cro
ss S
ecti
on
qD
CS(e
, c
) - N N
-c
電子励起および電離衝突後の電子の散乱方向依存性
電子励起(ex18)および電離衝突に関する微分断面積
𝜉 = 0𝜒𝑞𝐷𝐶𝑆 𝜖, 𝜒′ sin 𝜒′ 𝑑𝜒′
0𝜋𝑞𝐷𝐶𝑆 𝜖, 𝜒′ sin 𝜒′ 𝑑𝜒′
x : 一様乱数e : 電子のエネルギー,
ex1に関する微分断面積
0.01
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Scattering angle c (deg.)
その他の衝突においては等方散乱を仮定し,電離衝突後に生成される電子は等方的に放出されると仮定する
電子励起衝突(ex1 – ex17)
Khakoo and coworkers [Phys. Rev. A 71, 062703 (2005); 77, 012704 (2008); 79, 032704 (2009)]の実測値をそれぞれ使用
電子励起衝突(ex18) & 電離衝突e < 100 eV: ex1 – ex17の微分断面積の総和を使用e ≥ 100 eV: Rutherfordの散乱公式を使用
Dif
fere
nti
alC
ross
Sec
tion q
DC
S(e
, c
)
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
電離衝突で生成される電子のエネルギー
[Opal et al., At. Data 4, 209 (1972)]
電離衝突で生成される電子のエネルギーEejを逆関数法によって求めた次式に従って決定[Stojanović and Petrović [J. Phys. D 31, 834 (1998)]]
𝜎(𝐸ej, 𝐸p) =𝐶 𝐸p
𝐸ej2 + 𝐸2
𝐸ej = 𝐸 tan 𝜉tan−1𝐸p − 𝐸th,i
𝐸
𝐸 = 11.4 eV (N2)
・電離衝突で生成される電子へのエネルギーの移行は小さい
・エネルギー分布の形状は,電子の衝突エネルギーEpに依らずほぼ同じであり,次式で近似されることが知られている
Ep: 電離衝突時の電子のエネルギーEej: 電離衝突で生成される電子のエネルギーC: 定数
x : 一様乱数Eth, i: 電離衝突断面積のしきい値
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Sin
gly
dif
fere
nti
al c
ross
sec
tion (×
10
-18cm
2/e
V)
140120100806040200
Energy of ejected electron Eej (eV)
Ep = 200 eV
Measurement [Opal et al. (1972)]
Semi-empirical formula
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本研究で提案するN2ガスの電子衝突断面積セット
MURORAN INSTITUTEOF TECHNOLOGY
N2ガス中の電子輸送係数
電離係数 電子ドリフト速度 縦方向拡散係数
実測値と非常に良く一致
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まとめ: 本研究で提案するN2ガスの電子衝突断面積セットと微分断面積
電子衝突断面積セット
Scattering angle c (deg.)
Norm
aliz
ed D
iffe
renti
al
Cro
ss S
ecti
on q
DC
S(e
, c
)
- N N
-c
①電子励起および電離衝突に関する微分断面積
②電離衝突で生成される電子のエネルギー分布
• Monte Carlo simulationを用いた電子スオーム法によってN2ガスの電子衝突断面積および電子励起&電離衝突に関する微分断面積を推定
• ①および②を考慮したMCSによって得られた電離係数,電子ドリフト速度および縦方向拡散係数の計算値は実測値と非常に良く一致することがわかり,推定した断面積セット&微分断面積の妥当性が確認された
𝐸ej = 𝐸 tan 𝜉tan−1𝐸p − 𝐸th,i
𝐸
𝜎(𝐸ej, 𝐸p) =𝐶 𝐸p
𝐸ej2 + 𝐸2
0.1
1
10
100
1000
180150120906030010
2
3
4
5
6
100
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Sin
gly
dif
fere
nti
al c
ross
sec
tio
n (×
10
-18cm
2/e
V)
12080400
Energy of ejected electron Eej (eV)
Ep = 200 eV
Measurement [Opal et al. (1972)]
Semi-empirical formula