AD8031/AD8032 - RS ComponentsSlew Rate G = −1, VO = 2 V step 27 32 27 32 V/µs Settling Time to 0.1% G = −1, V O = 2 V step, C L = 10 pF 125 125 ns DISTORTION/NOISE PERFORMANCE

2.7 V、800 μA、80 MHzの

レールtoレール入出力アンプ

AD8031/AD8032

Rev. D

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいは利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は、予告なく変更される場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。 ※日本語データシートは REVISION が古い場合があります。最新の内容については、英語版をご参照ください。 ©2008 Analog Devices, Inc. All rights reserved.

本社／105-6891 東京都港区海岸 1-16-1 ニューピア竹芝サウスタワービル電話 03（5402）8200

大阪営業所／532-0003 大阪府大阪市淀川区宮原 3-5-36 新大阪トラストタワー電話 06（6350）6868

特長低消費電力

電源電流: 800 µA/アンプ

仕様を+2.7 V、+5 V、±5 V 電源で規定

5 V での高速動作と高速セトリング

-3 dB 帯域幅: 80 MHz (G = +1)

スルーレート：30 V/μs

0.1%へのセトリング・タイム: 125 ns

レール to レールの入力および出力

電源電圧を 0.5 V 超える入力でも位相反転なし

レールの上 200 mV まで広がる入力 CMVR

両レールの内側 20 mV までの出力振幅

低歪み

1 MHz、VO = 2 V p-p で−62 dB

100 kHz、VO = 4.6 V p-p で−86 dB

出力電流: 15 mA

ハイ・グレード・オプション:最大 VOS = 1.5 mV

アプリケーションバッテリ動作の高速なシステム

高実装密度のシステム

携帯型テスト機器

A/D バッファ

アクティブ・フィルタ

高速なセット・アンド・デマンド・アンプ

概要 AD8031 (シングル)と AD8032 (デュアル)は、80 MHzの小信号帯域

幅、30 V/µs のスルーレート、125 ns のセトリング・タイムの高速

性能を持つ単電源動作の電圧帰還アンプです。この性能は、5 V単電源動作時に消費電力 4.0 mW 以下で可能です。これらの機能

により、ダイナミック性能を犠牲にすることなく、高速なバッテ

リ駆動システムの動作時間が長くなります。

この製品は、レール to レールの入力特性と出力特性を持つ真の単

電源能力を持ち、+2.7 V、+5 V、±5 V の電源に対して仕様が規定

されています。入力電圧は、各レールを 500 mV まで超えることが

できます。出力電圧は各レールの内側 20 mV まで可能であるため、

大の出力ダイナミック・レンジを提供します。

また、AD8031/AD8032 はアンプあたりわずか 800 µA の電源電流

で優れた信号品質を提供し、THD は 2 V p-p の 1 MHz 出力信号で

−62 dBc に、+5 V 電源では 100 kHz の 4.6 V p-p 信号で–86 dBc に、

それぞれなります。これらのデバイスは、低歪みと高速セトリン

グ・タイムを持つため、単電源で動作する ADC のバッファとし

て適です。

接続図

NC 1

–IN 2

+IN 3

–VS 4

NC8

+VS7

OUT6

NC5

NC = NO CONNECT

AD8031

+

–

01

05

6-0

01

OUT1 1

–IN1 2

+IN1 3

–VS 4

+VS8

OUT27

–IN26

+IN25

AD8032

+ –

+–

0105

6-0

02

図1.8 ピン PDIP (N)とSOIC_N (R)

図2.8 ピン PDIP (N)、SOIC_N (R)、MSOP (RM)

VOUT 1

+IN 3

–VS 2

+VS5

–IN4

AD8031

+ –

010

56-0

03

図3.5 ピン SOT-23 (RJ-5)

AD8031/AD8032 は+2.7 V～+12 V の単電源および大±6 V の両電

源で動作するため、広い帯域幅を必要とするバッテリ動作のシス

テムから高密度実装のため低消費電力が必要とされる高速システ

ムに至るまでの広い範囲のアプリケーションに適です。

AD8031/AD8032 は 8 ピン PDIP パッケージまたは 8 ピン SOIC_Nパッケージを採用し、- 40°C～+85°C の工業用温度範囲で動作し

ます。また、AD8031A は省スペースの 5 ピン SOT-23 パッケージ

も、AD8032A は 8 ピン MSOP パッケージも、それぞれ採用して

います。

2µs/DIV

1V/D

IV

VIN

1V/D

IV

2µs/DIV

VOUT = 4.6G = +1

図4.入力 VIN 図5.出力 VOUT

VIN

+5V

1kΩ 1.7pF

+2.5V

VOUT+

–

010

56-0

06

図6.100 kHz でのレール to レール性能

AD8031/AD8032

Rev. D － 2/20 －

目次特長......................................................................................................... 1 アプリケーション ................................................................................. 1 概要......................................................................................................... 1 接続図..................................................................................................... 1 改訂履歴 ................................................................................................. 2 仕様......................................................................................................... 3

+2.7 V電源.......................................................................................... 3 +5 V電源............................................................................................. 4 ±5 V電源............................................................................................. 5

絶対大定格 ......................................................................................... 6 大消費電力..................................................................................... 6

ESDの注意 ......................................................................................... 6 代表的な性能特性 ................................................................................. 7

動作原理 ............................................................................................... 13 入力ステージの動作 ....................................................................... 13 入力ステージの過駆動 ................................................................... 13 出力ステージ、オープン・ループ・ゲイン、電源電圧からの距

離対歪み ........................................................................................... 14 出力オーバードライブ回復機能 ................................................... 14 容量負荷の駆動 ............................................................................... 15

アプリケーション ............................................................................... 16 単電源の 2 MHz双 2 次バンドパス・フィルタ ............................ 16 高性能な単電源ライン・ドライバ ................................................. 16

外形寸法 ............................................................................................... 18 オーダー・ガイド ........................................................................... 20

改訂履歴 11/08—Rev. C to Rev. D Change to Table 3 Column Heading.....................................................5 Change to Ordering Guide..................................................................20

7/06—Rev. B to Rev. C Updated Format...................................................................... Universal Updated Outline Dimensions..............................................................18 Change to Ordering Guide..................................................................20

9/99—Rev. A to Rev. B

AD8031/AD8032

Rev. D － 3/20 －

仕様

+2.7 V 電源特に指定がない限り、TA = 25°C、VS = 2.7 V、RL = 1 kΩ (1.35 V へ接続)、RF = 2.5 kΩ。

表1.

AD8031A/AD8032A AD8031B/AD8032B

Parameter Conditions Min Typ Max Min Typ Max Unit

DYNAMIC PERFORMANCE

–3 dB Small Signal Bandwidth G = +1, VO < 0.4 V p-p 54 80 54 80 MHz

Slew Rate G = −1, VO = 2 V step 25 30 25 30 V/µs

Settling Time to 0.1% G = −1, VO = 2 V step, CL = 10 pF 125 125 ns

DISTORTION/NOISE PERFORMANCE

Total Harmonic Distortion fC = 1 MHz, VO = 2 V p-p, G = +2 −62 −62 dBc

fC = 100 kHz, VO = 2 V p-p, G = +2 −86 −86 dBc

Input Voltage Noise f = 1 kHz 15 15 nV/√Hz

Input Current Noise f = 100 kHz 2.4 2.4 pA/√Hz

f = 1 kHz 5 5 pA/√Hz

Crosstalk (AD8032 Only) f = 5 MHz −60 −60 dB

DC PERFORMANCE

Input Offset Voltage VCM = VCC/2; VOUT = 135 V ±1 ±6 ±0.5 ±1.5 mV

TMIN to TMAX ±6 ±10 ±1.6 ±2.5 mV

Offset Drift VCM = VCC/2; VOUT = 135 V 10 10 µV/°C

Input Bias Current VCM = VCC/2; VOUT = 135 V 0.45 2 0.45 2 µA

TMIN to TMAX 2.2 2.2 µA

Input Offset Current 50 500 50 500 nA

Open-Loop Gain VCM = VCC/2; VOUT = 0.35 V to 2.35 V 76 80 76 80 dB

TMIN to TMAX 74 74 dB

INPUT CHARACTERISTICS

Common-Mode Input Resistance 40 40 MΩ

Differential Input Resistance 280 280 kΩ

Input Capacitance 1.6 1.6 pF

Input Voltage Range −0.5 to +3.2

−0.5 to +3.2

V

Input Common-Mode Voltage Range −0.2 to +2.9

−0.2 to +2.9

V

Common-Mode Rejection Ratio VCM = 0 V to 2.7 V 46 64 46 64 dB

VCM = 0 V to 1.55 V 58 74 58 74 dB

Differential Input Voltage 3.4 3.4 V

OUTPUT CHARACTERISTICS

Output Voltage Swing Low RL = 10 kΩ 0.05 0.02 0.05 0.02 V

Output Voltage Swing High 2.6 2.68 2.6 2.68 V



Output Current 15 15 mA

Short Circuit Current Sourcing 21 21 mA

Sinking −34 −34 mA

Capacitive Load Drive G = +2 (See Figure 46) 15 15 pF

POWER SUPPLY

Operating Range 2.7 12 2.7 12 V

Quiescent Current per Amplifier 750 1250 750 1250 μA

Power Supply Rejection Ratio VS− = 0 V to −1 V or VS+ = +2.7 V to +3.7 V

75 86 75 86 dB

AD8031/AD8032

Rev. D － 4/20 －

+5 V 電源特に指定がない限り、TA = 25°C、VS = 5 V、RL = 1 kΩ (2.5 V へ接続)、RF = 2.5 kΩ。

表2.

AD8031A/AD8032A AD8031B/AD8032B


DYNAMIC PERFORMANCE

−3 dB Small Signal Bandwidth G = +1, VO < 0.4 V p-p 54 80 54 80 MHz





fC = 100 kHz, VO = 2 V p-p, G = +2 −86 −86 dBc




Differential Gain RL = 1 kΩ 0.17 0.17 %

Differential Phase RL = 1 kΩ 0.11 0.11 Degrees


DC PERFORMANCE

Input Offset Voltage VCM = VCC/2; VOUT = 2.5 V ±1 ±6 ±0.5 ±1.5 mV

TMIN to TMAX ±6 ±10 ±1.6 ±2.5 mV

Offset Drift VCM = VCC/2; VOUT = 2.5 V 5 5 µV/°C

Input Bias Current VCM = VCC/2; VOUT = 2.5 V 0.45 1.2 0.45 1.2 µA



Open-Loop Gain VCM = VCC/2; VOUT = 1.5 V to 3.5 V 76 82 76 82 dB







−0.5 to +5.5

V


−0.2 to +5.2

V

Common-Mode Rejection Ratio VCM = 0 V to 5 V 56 70 56 70 dB

VCM = 0 V to 3.8 V 66 80 66 80 dB

Differential Input Voltage 3.4 3.4 V










POWER SUPPLY

Operating Range 2.7 12 2.7 12 V

Quiescent Current per Amplifier 800 1400 800 1400 µA

Power Supply Rejection Ratio VS− = 0 V to −1 V or VS+ = +5 V to +6 V

75 86 75 86 dB

AD8031/AD8032

Rev. D － 5/20 －

±5 V 電源特に指定がない限り、TA = 25°C、VS = ±5 V、RL = 1 kΩ (0 Vへ接続)、RF = 2.5 kΩ。

表3.

AD8031A/AD8032A AD8031B/AD8032B


DYNAMIC PERFORMANCE

−3 dB Small Signal Bandwidth G = +1, VO < 0.4 V p-p 54 80 54 80 MHz





fC = 100 kHz, VO = 2 V p-p, G = +2 −86 −86 dBc




Differential Gain RL = 1 kΩ 0.15 0.15 %

Differential Phase RL = 1 kΩ 0.15 0.15 Degrees


DC PERFORMANCE

Input Offset Voltage VCM = 0 V; VOUT = 0 V ±1 ±6 ±0.5 ±1.5 mV

TMIN to TMAX ±6 ±10 ±1.6 ±2.5 mV

Offset Drift VCM = 0 V; VOUT = 0 V 5 5 µV/°C

Input Bias Current VCM = 0 V; VOUT = 0 V 0.45 1.2 0.45 1.2 µA



Open-Loop Gain VCM = 0 V; VOUT = ±2 V 76 80 76 80 dB







−5.5 to +5.5

V


−5.2 to +5.2

V

Common-Mode Rejection Ratio VCM = −5 V to +5 V 60 80 60 80 dB

VCM = −5 V to +3.5 V 66 90 66 90 dB

Differential/Input Voltage 3.4 3.4 V


Output Voltage Swing Low RL = 10 kΩ −4.94 −4.98 −4.94 −4.98 V

Output Voltage Swing High +4.94 +4.98 +4.94 +4.98 V

Output Voltage Swing Low RL = 1 kΩ −4.7 −4.85 −4.7 −4.85 V

Output Voltage Swing High +4.7 +4.75 +4.7 +4.75 V





POWER SUPPLY

Operating Range ±1.35 ±6 ±1.35 ±6 V

Quiescent Current per Amplifier 900 1600 900 1600 µA

Power Supply Rejection Ratio VS− = −5 V to −6 V or VS+ = +5 V to +6 V

76 86 76 86 dB

AD8031/AD8032

Rev. D － 6/20 －

絶対最大定格

表4.

Parameter Rating

Supply Voltage 12.6 V

Internal Power Dissipation1

8-Lead PDIP (N) 1.3 W

8-Lead SOIC_N (R) 0.8 W

8-Lead MSOP (RM) 0.6 W

5-Lead SOT-23 (RJ) 0.5 W

Input Voltage (Common Mode) ±VS ± 0.5 V

Differential Input Voltage ±3.4 V

Output Short-Circuit Duration Observe Power Derating Curves

Storage Temperature Range (N, R, RM, RJ) −65°C to +125°C

Lead Temperature (Soldering 10 sec) 300°C

上記の絶対大定格を超えるストレスを加えるとデバイスに恒久

的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格の規

定のみを目的とするものであり、この仕様の動作のセクションに

記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものではありませ

ん。デバイスを長時間絶対大定格状態に置くとデバイスの信頼

性に影響を与えます。

1 デバイス仕様は自然空冷で規定。

8 ピン PDIP: θJA = 90°C/W 8 ピン SOIC_N: θJA = 155°C/W 8 ピン MSOP: θJA = 200°C/W 5 ピン SOT-23: θJA = 240°C/W

最大消費電力 AD8031/AD8032のパッケージ内での安全な大消費電力は、チッ

プのジャンクション温度上昇により制限されます。プラスチッ

ク・パッケージを採用するデバイスの安全な大ジャンクション

温度は、プラスチックのガラス転移温度により決定され、約

150ºCです。この値を一時的に超えると、パッケージからチップ

に加わるストレスの変化によりパラメータ性能がシフトすること

があります。175 ºCのジャンクション温度を長時間超えると、故

障の原因になることがあります。

AD8031/AD8032は内部で短絡保護されていますが、大ジャンク

ション温度(150 ºC)がすべての条件で超えないことを保証するため

にはこれは十分ではあません。正常動作のためには、図7の大消

費電力ディレーティング・カーブに従う必要があります。

2.0

1.5

0

MA

XIM

UM

PO

WE

R D

ISS

IPA

TIO

N (

W)

1.0

0.5 5-LEAD SOT-23

TJ = +150°C8-LEAD PDIP

8-LEAD SOIC

AMBIENT TEMPERATURE (°C)

8-LEAD MSOP

–50 –40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

0105

6-0

07

図7.最大消費電力の温度特性

ESDの注意

ESD（静電放電）の影響を受けやすいデバイスです。電荷を帯びたデバイスや回路ボードは、検知されないまま放電するこ

とがあります。本製品は当社独自の特許技術である ESD 保護回路を内蔵してはいますが、デバイスが高エネルギーの静電放

電を被った場合、損傷を生じる可能性があります。したがって、性能劣化や機能低下を防止するため、ESD に対する適切な

予防措置を講じることをお勧めします。

AD8031/AD8032

Rev. D － 7/20 －

代表的な性能特性 90

80

0

NU

MB

ER

OF

PA

RT

S I

N B

IN

40

30

20

10

60

50

70N = 250

VOS (mV)

–5 –4 –3 –2 –1 0 1 2 3 4 5

010

56-0

08

図8.VOSの分布、VS = 5 V

2.5

2.3

1.5

OF

FS

ET

VO

LT

AG

E (

mV

)

2.1

1.9

1.7

VS = ±5V

VS = +5V

–40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

TEMPERATURE (°C)

010

56-0

09

図9.入力オフセット電圧の温度特性

–30

1.00

0.65

0.50

0.95

0.70

0.60

0.55

0.85

0.75

0.90

0.80

VS = 5V

INP

UT

BIA

S (

µA

)

TEMPERATURE (°C)–40 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

0105

6-0

10

図10.入力バイアス電流の温度特性

COMMON-MODE VOLTAGE (V)

800

–800

INP

UT

BIA

S C

UR

RE

NT

(n

A)

600

400

200

0

–200

–400

–600

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

VS = 10VVS = 5VVS = 2.7V

0105

6-01

1

図11.同相モード電圧対入力バイアス電流

OF

FS

ET

VO

LT

AG

E (

mV

)

COMMON-MODE VOLTAGE (V)

0

–0.3

–0.6

–0.1

–0.2

–0.4

–0.5

VS = 5V

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

0105

6-0

12

図12.同相モード電圧対 VOS

1000

750

600

950

800

700

650

900

850

SU

PP

LY

CU

RR

EN

T/A

MP

LIF

IER

(µ

A)

–40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90TEMPERATURE (°C)

±IS, VS = ±5V

+IS, VS = +5V

+IS, VS = +2.7V

010

56-0

13

図13.電源電流の温度特性

AD8031/AD8032

Rev. D － 8/20 －

0

–0.5

–2.5

–1.0

–1.5

–2.0

VCC = 2.7V

VCC = 5V

VCC = 10V

DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

CC

(V

)

100 1k 10kRLOAD (Ω)

VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUT

010

56-0

14

図14.RLOAD対+出力飽和電圧、+85°C

0

–0.5

–2.5

–1.0

–1.5

–2.0DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

CC

(V

)


VCC = 2.7V

VCC = 5V

VCC = 10V

VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUT

010

56-0

15

図15.RLOAD対+出力飽和電圧、+25°C

0

–0.5

–2.5

–1.0

–1.5

–2.0DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

CC

(V

)


VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUT

VCC = 2.7V

VCC = 5V

VCC = 10V

010

56-0

16

図16.RLOAD対+出力飽和電圧、-40°C

1.2

1.0

0100 10k1k

0.6

0.4

0.2

0.8

RLOAD (Ω)

DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

EE

(V

) VCC = 10V

VCC = 5V

VCC = 2.7V

VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUT

010

56-

017

図17.RLOAD対-出力飽和電圧、+85°C

1.2

1.0

0100 10k1k

0.6

0.4

0.2

0.8

RLOAD (Ω)

DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

EE

(V

)

VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUTVCC = 10V

VCC = 5V

VCC = 2.7V

0105

6-0

18

図18.RLOAD対-出力飽和電圧、+25°C

1.2

1.0

0100 10k1k

0.6

0.4

0.2

0.8

RLOAD (Ω)

DIF

FE

RE

NC

E F

RO

M V

EE

(V

)

VCC

VEE

VIN

VCC

2

RLOAD

VOUT

VCC = 2.7V

VCC = 5V

VCC = 10V0

105

6-0

19

図19.RLOAD対-出力飽和電圧、-40°C

AD8031/AD8032

Rev. D － 9/20 －

110

105

60

90

75

70

65

100

95

80

85

GA

IN (

dB

)

0 2k 4k 6k 8k 10k

RLOAD (Ω)

VS = 5V

+AOL

–AOL

010

56-0

20

図20.RLOAD対オープン・ループ・ゲイン(AOL)

86

84

76

82

80

78

–40 –30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90

TEMPERATURE (°C)

GA

IN (

dB

)

VS = 5VRL = 1kΩ

–AOL

+AOL

010

56-0

21

図21.オープン・ループ・ゲイン(AOL)の温度特性

110

80

50

100

90

70

60

AO

L (

dB

)

VOUT (V)

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

VS = 5VRLOAD = 10kΩ

RLOAD = 1kΩ

010

56-0

22

図22.VOUT対オープン・ループ・ゲイン(AOL)

10

0

–10

INPUT VOLTAGE (V)

INP

UT

BIA

S C

UR

RE

NT

(m

A) 100

90

10

0%

VS = 5V

500mV

500mV 1V

–1.5 0.5 2.5 4.5 6.5

010

56-0

23

図23.差動入力過電圧 I-V 特性

0.05

DIF

F G

AIN

(%

)

–0.15

–0.05

–0.10

0

0.10

DIF

F P

HA

SE

(D

egre

es)

–0.10

0

–0.05

0.05

1ST 2ND 3RD 4TH 5TH 6TH 7TH 8TH 9TH 10TH 11TH

1ST 2ND 3RD 4TH 5TH 6TH 7TH 8TH 9TH 10TH 11TH 0105

6-02

4

図24.微分ゲインと微分位相、VS = ±5 V、RL = 1 kΩ

FREQUENCY (Hz)

100

30

0.3

10

3

1

100

10

1

0.1

10 100 1k 10k 100k 1M 10M

INP

UT

VO

LT

AG

E N

OIS

E (

nV

/ H

z)

VS = 5V

CURRENT NOISE

VOLTAGE NOISEIN

PU

T C

UR

RE

NT

NO

ISE

(p

A/

Hz)

0105

6-0

25

図25.入力電圧ノイズの周波数特性

AD8031/AD8032

Rev. D － 10/20 －

FREQUENCY (MHz)

NO

RM

AL

IZE

D G

AIN

(d

B)

5

4

–5

3

2

1

0

–1

–2

–3

–4

0.1 1 10 100

VS = 5VG = +1RL = 1kΩ

0105

6-02

6

図26.ユニティ・ゲイン−3 dB 帯域幅

FREQUENCY (MHz)

NO

RM

AL

IZE

D G

AIN

(d

B)

–5

3

2

1

0

–1

–2

–3

–4

VS = 5VVIN = –16dBm

0.1 1 10 100

+85°C

+25°C–40°C

VS

VIN50Ω

2kΩVOUT

0105

6-02

7

図27.クローズド・ループ・ゲインの温度特性

1MFREQUENCY (Hz)

CL

OS

ED

-LO

OP

GA

IN (

dB

)

–8

2

1

0

–1

–4

–5

–6

–7

–2

–3

100k 10M 100M

G = +1CL = 5pFRL = 1kΩ

VS = +5VRL + CLTO 2.5V

VS = +2.7VRL + CL TO 1.35V

VS = ±5V

010

56-0

28

図28.電源電圧対クローズド・ループ・ゲイン

FREQUENCY (MHz)

PH

AS

E(D

egre

es)

–20

30

20

10

0

–10

40

–90

–135

–180

–225

PHASE

GAIN

OP

EN

-LO

OP

GA

IN(d

B)

1001010.3

010

56-0

29

図29.オープン・ループの周波数応答

10M

FUNDAMENTAL FREQUENCY (Hz)

TO

TA

L H

AR

MO

NIC

DIS

TO

RT

ION

(d

Bc)

–80

–20

–30

–40

–50

–60

–70

1k 10k 100k 1M

2V p-pVS = 2.7V

1.3V p-pVS = 2.7V

4.8V p-pVS = 5V

2G = +1, RL = 2kΩ TO

VCC

2.5V p-pVS = 2.7V

0105

6-0

30

図30.総合高調波歪みの周波数特性、G = +1

FUNDAMENTAL FREQUENCY (Hz)

TO

TA

L H

AR

MO

NIC

DIS

TO

RT

ION

(d

Bc)

–80

–20

–30

–40

–50

–60

–70

–90

–1001k 10k 100k 1M 10M

G = +2VS = 5VRL = 1kΩ TO

2

VCC

1V p-p

4V p-p

4.6V p-p

4.8V p-p

010

56-0

31

図31.総合高調波歪みの周波数特性、G = +2

AD8031/AD8032

Rev. D － 11/20 －

FREQUENCY (Hz)

0

10

8

6

4

2

OU

TP

UT

(V

p-p

)

1k 10k 100k 1M 10M

VS = ±5V

VS = +5V

VS = +2.7V

010

56-0

32

図32.大信号応答

FREQUENCY (MHz)

100

50

10

1

0.1

RBT = 50Ω

RBT = 0Ω

RO

UT (Ω

)

0.1 1 10 100 200

RBTVOUT

0105

6-03

3

図33.ROUTの周波数特性

FREQUENCY (Hz)

CO

MM

ON

-MO

DE

RE

JEC

TIO

N R

AT

IO (

dB

)

0

–40

–60

–80

–20

–100

VS = 5V

100 1k 10k 100k 1M 10M

010

56-

034

図34.CMRR の周波数特性

FREQUENCY (Hz)

PO

WE

R S

UP

PL

Y R

EJE

CT

ION

RA

TIO

(d

B)

0

–40

–60

–80

–100

–20

–120

VS = 5V

100 1k 10k 100k 1M 10M 100M

0105

6-03

5

図35.PSRR の周波数特性

5.5

4.5

3.5

1.5

0.5

–0.5

1V/D

IV

2.5

10µs/DIV

VS = 5VRL = 10kΩ TO 2.5VVIN = 6V p-pG = +1

010

56-0

36

図36.出力電圧

5.5

4.5

3.5

1.5

0.5

1V/D

IV

2.5

INPUT

–0.5

VS = 5VG = +1INPUT = 650mVBEYOND RAILS

10µs/DIV 0105

6-03

7

図37.出力電圧の位相逆転

AD8031/AD8032

Rev. D － 12/20 －

500m

V/D

IV

10µs/DIV

0

RL TO+2.5V

RL TO GND

VS = +5VRL = 1kΩG = –1

0105

6-03

8

図38.出力振幅

50ns/DIV

3.1

2.9

2.7

2.3

2.1

1.9

200m

V/D

IV

2.5

G = +2RF = RG = 2.5kΩRL = 2kΩCL = 5pFVS = 5V

010

56-0

39

図39.1 V ステップ応答

2.85

2.35

1.85

0.85

0.35

1.35

500m

V/D

IV

VS = 2.7VRL = 1kΩG = –1

10µs/DIV

RL TO GND

RL TO1.35V

010

56-

040

図40.出力振幅

50ns/DIV

2.56

2.54

2.52

2.48

2.46

2.44

2.50

20m

V/D

IV

G = +1RF = 0ΩRL = 2kΩ TO 2.5VCL = 5pF TO 2.5VVS = 5V

0105

6-0

41

図41.100 mV ステップ応答

FREQUENCY (MHz)

0011.0

CR

OS

ST

AL

K(d

B)

1 10

–50

–60

–70

–100

200

–80

–90

VS = ±2.5VVIN = +10dBm

0.1 1 10 100 200

1kΩ50Ω

VIN

2.5kΩ

2.5kΩ 2.5kΩ

50Ω

2.5kΩ

TRANSMITTER RECEIVER

VOUT

010

56-0

42

図42.クロストークの周波数特性

AD8031/AD8032

Rev. D － 13/20 －

動作原理 AD8031/AD8032は、入力と出力のダイナミック・レンジ能力を

大化する技術革新的アーキテクチャを採用した高速低消費電力電

圧帰還アンプのシングル・バージョンとデュアル・バージョンで

す。リニアな入力同相モード範囲は両電源電圧の外側200 mVまで

可能で、アンプの位相反転は電源電圧の上側500 mVまで発生しま

せん。出力は軽い負荷の場合、両電源電圧の内側20 mVまで、

大5 mAまで駆動するときは内側300 mVまで、それぞれ変化でき

ます。

これらのアンプはアナログ・デバイセズのeXtra高速相補バイポー

ラ(XFCB)プロセスで製造され、フォロワとして使用する場合は

80 Hzの優れた帯域幅と30 V/µsのスルーレートをわずか800 µAの

電源電流で提供します。慎重なデザインにより、これらのアンプ

は2.7 Vまでの低い電源電圧で動作することができます。

入力ステージの動作入力ステージの簡略化した回路図を図43に示します。正電源の内

側1.1 Vまでの同相モード電圧(5 V単電源では0 V～3.9 V)では、テ

ール電流I2はPNP差動対(Q13とQ17)を流れます。Q5はカットオフ

するため、バイアス電流は並列NPN差動対(Q2とQ3)に流れません。

同相モード電圧は正電源の内側1.1 Vで駆動されると、Q5がターン

オンして、テール電流がPNP対からNPN対へ流れます。この遷移

領域では、アンプの入力電流の大きさと方向が変ります。同じテ

ール電流の再使用により、入力ステージが同じ相互コンダクタン

スを持つことが保証されます。この相互コンダクタンスが両動作

領域でアンプのゲインと帯域幅を決定します。

同相モード電圧が正電源の内側1 Vを超えて駆動されたときにNPN対へ切り替えることにより、電源電圧範囲の両端でアンプが信号

に対して有効に動作できるため、両電源の上側500 mVまでの入力

信号に対して位相反転が発生しないようにすることができます。

また、オフセット電圧も変化して、制御されている入力対のオフ

セットを反映します。遷移領域は狭く約180 mVです。入力ステー

ジのDCパラメータが突然変化すると、歪みに悪影響を与えるグリ

ッチが発生することがあります。

入力ステージの過駆動 3.4 Vを超える連続的な入力差動電圧は、入力トランジスタを損傷

するので回避する必要があります。この状態が発生する可能性が

ある場合には、入力クランプ・ダイオードの使用が推奨されます。

入力対のコレクタ電圧は、電源レールから200 mVに設定されてい

ます。このため、アンプは電源電圧の上側500 mVまでの入力電圧

に対してリニア動作を維持することができます。このポイントを

超えて同相モード電圧を入力すると、入力トランジスタのコレク

タ接合が順方向バイアスされて、位相反転が発生します。この状

態を長時間維持することは回避する必要があります。これは、ア

ンプが位相反転すると、大許容入力差動電圧を容易に超えてし

まうためです。

Q3 Q2

Q13 Q17

Q6

Q8

Q10

4

Q144

11Q7

Q151

Q114

1

4

Q16

Q18 Q4

VCC

VIN

VIP

Q5

Q9

VEE

OUTPUT STAGE,COMMON-MODEFEEDBACK

R42kΩ

R22kΩ

R12kΩ

I325µA

I425µA

R32kΩI1

5µA

I290µA

1.1V

R550kΩ

R6850Ω

R7850Ω

R8850Ω

R9850Ω

0105

6-04

3

図43.AD8031 入力ステージの簡略化した回路図

AD8031/AD8032

Rev. D － 14/20 －

出力ステージ、オープン・ループ・ゲイン、電源

電圧からの距離対歪み AD8031はレールtoレールの出力ステージを持っています。出力ト

ランジスタはコモン・エミッタ・アンプとして動作して、出力駆

動電流とアンプのオープン・ループ・ゲインの大部分を提供しま

す。

DIFFERENTIALDRIVEFROM

INPUT STAGE

Q37

Q47

Q21

Q20

Q51

Q27

Q68

Q44

Q42

Q48

Q49

Q50

Q43VOUT

Q38

I125µA

I225µA

C95pF

C51.5pF

I525µA

I425µA

R29300Ω

++

010

56-0

44

図44.出力ステージの簡略化した回路図

出力電圧の限界値は、出力トランジスタに必要とされるソース電

流またはシンク電流の大きさに依存します。駆動要求が小さいア

プリケーションの場合(例えば、別のアンプ入力を駆動するユニテ

ィ・ゲイン・フォロワ)、AD8031は両電圧電源の内側20 mV (typ)まで変化します。負荷電流要求が大きくなると、飽和出力電圧は

次のように比例して大きくなります。

ILOAD × RC

ここで、

ILOADは、所要負荷電流。

RCは出力トランジスタのコレクタ抵抗。

AD8031の場合、両出力トランジスタのコレクタ抵抗は25 Ω (typ)です。電流負荷が15 mAの定格出力電流を超えると、出力トラン

ジスタを飽和させるために必要なベース駆動電流は限界値に到達

し、アンプの出力振幅は急速に減少します。

AD8031のオープン・ループ・ゲインは負荷抵抗にほぼ比例して減

少し、出力電圧に依存します。オープン・ループ・ゲインは、正

電源の内側250 mVと負電源の内側150 mVとの間で一定となり、

出力トランジスタがさらに飽和へ駆動されると減少します。

AD8031/AD8032アンプの歪み性能は、従来型アンプと異なってい

ます。一般に、アンプの歪み性能は出力電圧振幅が大きくなると

低下します。

ユニティ・ゲイン・フォロワとして使用した場合、AD8031/ AD8032の出力歪みはVCC − 0.7 Vを中心とするピーク出力電圧領域

で大きくなります。この異常な歪み特性は、入力ステージ・アー

キテクチャのために発生し、入力ステージの動作のセクションで

詳しく説明します。

出力オーバードライブ回復機能アンプの出力過駆動は、アンプが通常の範囲を超えた出力電圧を

駆動しようとするときに発生します。過駆動状態がなくなったと

き、アンプは所定の時間内に通常の動作に戻る必要があります。

図45に示すように、AD8031/AD8032は負の過駆動からは100 ns以内に、正の過駆動からは80 ns以内に、それぞれ回復します。

RL50Ω

VIN

VOUT

100ns1V

VS = ±2.5VVIN = ±2.5VRL = 1kΩ TO GND

RF = RG = 2kΩRG RF

010

56-0

45

図45.オーバードライブからの回復

AD8031/AD8032

Rev. D － 15/20 －

容量負荷の駆動容量負荷とオペアンプ出力インピーダンスとの相互作用により、

帰還パス内で遅延が大きくなります。このために回路安定性が損

なわれて、不要なリンギングと発振が生ずる可能性があります。

容量値によっては、アンプを高いノイズ・ゲインで使用したとき

リンギングが小さくなることがあります。

AD8031/AD8032の容量負荷駆動能力は、小さい値の抵抗を容量負

荷に直列接続することにより大きくすることができます。直列抵

抗を接続すると、容量負荷が帰還ループから切り離される傾向が

生ずるため、その影響が小さくなります。図46に、様々な電圧ゲ

インでの直列抵抗の容量駆動能力に対する影響を示します。クロ

ーズド・ループ・ゲインが増加すると、位相マージンが増えるた

め、大きな容量負荷を接続してもオーバーシュートは大きくなり

ません。低いクローズ・ループ・ゲインで直列抵抗を接続する場

合も同じ効果になります。大きな容量負荷では、アンプの周波数

応答は直列抵抗と容量負荷のロールオフにより支配されます。

1000

10

100

CA

PA

CIT

IVE

LO

AD

(p

F)

CLOSED-LOOP GAIN (V/V)

10 1 2 3 4 5

RS = 5Ω

RS = 0Ω

RS = 20Ω

RS = 20Ω

RS = 0Ω, 5Ω

VS = 5V200mV STEPWITH 30% OVERSHOOT

RG RF

RS

CL

VOUT

0105

6-0

46

図46.容量負荷駆動能力対クローズド・ループ・ゲイン

AD8031/AD8032

Rev. D － 16/20 －

アプリケーション

単電源の 2 MHz双 2 次バンドパス・フィルタ図47 に、中心周波数2 MHzの単電源双2次バンドパス・フィルタ

の回路を示します。2.5 Vのバイアス・レベルは、3個すべてのオ

ペアンプの非反転入力を5 Vとグラウンドとの間に接続された、2本の1 kΩ抵抗で構成される抵抗分圧器へ接続することにより容易

に発生することができます。また、このバイアス・ポイントは0.1 µFのコンデンサでグラウンドへデカップリングされます。フィル

タの周波数応答を図48に示します。

正確な中心周波数を維持するためには、オペアンプが2 MHzで十

分なループ・ゲインを持つことが不可欠です。このためには、非

常に高いユニティ・ゲイン・クロスオーバー周波数を持つオペア

ンプを選択する必要があります。AD8031/AD8032のユニティ・ゲ

イン・クロスオーバー周波数は40 MHzです。オープン・ループ・

ゲインに各オペアンプ回路の帰還係数を乗算すると、各ゲイン・

ステージのループ・ゲインが得られます。各オペアンプ回路の帰

還回路から、各オペアンプが少なくとも21 dBのループ・ゲインを

持つことが分かります。このレベルは、フィルタ中心周波数がオ

ペアンプ帯域幅から影響を受けないようにするために十分高いレ

ベルです。例えば、このアプリケーションで10 MHzのゲイン帯域

幅積を持つオペアンプを選択すると、中心周波数は20%シフトし

て1.6 MHzになります。

5V

0.1µF

0.1µF

1kΩ

1kΩ

AD8031

5V

VOUT

C250pF

C150pF

R61kΩ

R42kΩ

1/2AD8032

1/2AD8032

R52kΩ

R13kΩ

VIN

R22kΩ

R32kΩ

0.1µF

010

56-0

47

図47.AD8031/AD8032 を使用した 2 MHz 双 2 次バンドパス・フィル

タ

FREQUENCY (Hz)

GA

IN (

dB

)

–50

0

–10

–30

–40

–20

10k 100k 1M 10M 100M

010

56-0

48

図48.2 MHz バンドパス・フィルタの周波数応答

高性能な単電源ライン・ドライバ AD8031/AD8032の振幅は両電源レール近くまで可能ですが、

AD8031の適歪み性能は、信号の同相モード・レベルが電源中心

にあり、かつ各レールに対して約500 mVの余裕が確保される場合

に、得られます。グラウンド近くで変化する信号を対象とする単

電源アプリケーションで低歪みが必要な場合は、エミッタ・フォ

ロワ回路をオペアンプ出力に使うことができます。

10µF

5V

73

22N3904

200Ω

6

2.49kΩ

49.9Ω

4 AD8031

2.49kΩ 49.9Ω

49.9Ω

0.1µF

VIN

VOUT

0105

6-0

49

図49.単電源でのグラウンド基準の信号を対象とする低歪みライン・ド

ライバ

図49 に、単電源でゲイン= 2のライン・ドライバとして構成した

AD8031を示します。バック終端した50 Ωラインを駆動する場合、

VINからVOUTまでの全体ゲインは1です。50 Ωのバック終端抵抗は

反射を小さくする他に、ケーブルが短絡した場合にトランジスタ

の損傷を保護します。帰還ループ内にあるエミッタ・フォロワが、

AD8031の出力電圧をグラウンドより700 mV上に維持します。こ

の回路を使うと、出力信号がグラウンドから50 mV以内で変化す

る場合でも低歪みが実現されます。この回路は、500 kHzと2 MHzでテストされました。

AD8031/AD8032

Rev. D － 17/20 －

図50 と図51に、出力信号の振幅と500 kHzでの周波数スペクトル

を示します。この周波数で、1.95 V (50 mV～2 V)のピークtoピー

ク振幅を持つ出力信号(VOUT)のTHDは、−68 dB (SFDR = −77 dB)になります。

2V

50mV

10

0%

100

90

0.5V 1µs

0105

6-0

50

図50.低歪みライン・ドライバの出力信号振幅、500 kHz

STOP 5MHz

VE

RT

ICA

L S

CA

LE

(10

dB

/DIV

)

START 0Hz

+9dBm

0105

6-0

51

図51.低歪みライン・ドライバの THD、500 kHz

図52 と図53に、出力信号の振幅と2 MHzでの周波数スペクトルを

示します。予想通り、高い周波数では信号品質の低下はありませ

ん。出力信号振幅が1.45 Vのピークtoピーク (50 mV～1.5 Vの変化)の場合、THDは−55 dB (SFDR = −60 dB)です。

この回路は、グラウンド基準の入力電圧範囲(例えば0 V～2 Vまた

は0 V～4 V)を持つ単電源高速ADCのアナログ入力を駆動する際に

も使うことができます。この場合、バック終端抵抗が不要である

ため(トランジスタからADCまでの距離は短いと見なします)、外

付けトランジスタのエミッタはADC入力に直結されます。このた

め、回路の有効出力電圧は2倍になります。

50mV

10

0%

100

90

1.5V

0.2V 200ns

010

56-0

52

図52.低歪みライン・ドライバの出力信号振幅、2 MHz V

ER

TIC

AL

SC

AL

E (

10d

B/D

IV)

+7dBm

START 0Hz STOP 20MHz

010

56-0

53

図53.低歪みライン・ドライバの THD、2 MHz

AD8031/AD8032

Rev. D － 18/20 －

外形寸法

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-001

CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN INCHES; MILLIMETER DIMENSIONS(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF INCH EQUIVALENTS FORREFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.CORNER LEADS MAY BE CONFIGURED AS WHOLE OR HALF LEADS. 07

060

6-A

0.022 (0.56)0.018 (0.46)0.014 (0.36)

SEATINGPLANE

0.015(0.38)MIN

0.210 (5.33)MAX

0.150 (3.81)0.130 (3.30)0.115 (2.92)

0.070 (1.78)0.060 (1.52)0.045 (1.14)

8

1 4

5 0.280 (7.11)0.250 (6.35)0.240 (6.10)

0.100 (2.54)BSC

0.400 (10.16)0.365 (9.27)0.355 (9.02)

0.060 (1.52)MAX

0.430 (10.92)MAX

0.014 (0.36)0.010 (0.25)0.008 (0.20)

0.325 (8.26)0.310 (7.87)0.300 (7.62)

0.195 (4.95)0.130 (3.30)0.115 (2.92)

0.015 (0.38)GAUGEPLANE

0.005 (0.13)MIN

図54.8 ピン・プラスチック・デュアルインライン・パッケージ[PDIP] ナロー・ボディ(N-8) 寸法:インチ(mm)

CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FORREFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA

012

407-

A

0.25 (0.0098)0.17 (0.0067)

1.27 (0.0500)0.40 (0.0157)

0.50 (0.0196)0.25 (0.0099)

45°

8°0°

1.75 (0.0688)1.35 (0.0532)

SEATINGPLANE

0.25 (0.0098)0.10 (0.0040)

41

8 5

5.00 (0.1968)4.80 (0.1890)

4.00 (0.1574)3.80 (0.1497)

1.27 (0.0500)BSC

6.20 (0.2441)5.80 (0.2284)

0.51 (0.0201)0.31 (0.0122)

COPLANARITY0.10

図55.8 ピン標準スモール・アウトライン・パッケージ[SOIC_N] ナロー・ボディ(R-8) 寸法: mm (インチ)

AD8031/AD8032

Rev. D － 19/20 －

PIN 1

1.60 BSC 2.80 BSC

1.90BSC

0.95 BSC

5

1 2 3

4

0.220.08

10°5°0°

0.500.30

0.15 MAXSEATINGPLANE

1.45 MAX

1.301.150.90

2.90 BSC

0.600.450.30

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178-AA

図56.5 ピン・スモール・アウトライン・トランジスタ・パッケージ[SOT-23] (RJ-5)

寸法: mm

COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA

0.800.600.40

8°0°

4

8

1

5

PIN 10.65 BSC

SEATINGPLANE

0.380.22

1.10 MAX

3.203.002.80

COPLANARITY0.10

0.230.08

3.203.002.80

5.154.904.65

0.150.00

0.950.850.75

図57.8 ピン・ミニ・スモール・アウトライン・パッケージ[MSOP] (RM-8)

寸法: mm

AD8031/AD8032

Rev. D － 20/20 －

オーダー・ガイド

Model Temperature Range Package Description Package Option Branding

AD8031AN –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8031ANZ1 –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8031AR –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8031AR-REEL –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8

AD8031AR-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel R-8

AD8031ARZ1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8031ARZ-REEL1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8


AD8031ART-R2 –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23 RJ-5 H0A

AD8031ART-REEL –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23, 13" Tape and Reel RJ-5 H0A

AD8031ART-REEL7 –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23, 7" Tape and Reel RJ-5 H0A

AD8031ARTZ-R21 –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23 RJ-5 H04

AD8031ARTZ-REEL1 –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23, 13" Tape and Reel RJ-5 H04

AD8031ARTZ-REEL71 –40°C to +85°C 5-Lead SOT-23, 7" Tape and Reel RJ-5 H04

AD8031BN –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8031BNZ1 –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8031BR –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8031BR-REEL –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8

AD8031BR-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel R-8

AD8031BRZ1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8031BRZ-REEL1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8


AD8032AN –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8032ANZ1 –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8032AR –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8032AR-REEL –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8

AD8032AR-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel R-8

AD8032ARZ1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8



AD8032ARM –40°C to +85°C 8-Lead MSOP RM-8 H9A

AD8032ARM-REEL –40°C to +85°C 8-Lead MSOP, 13" Tape and Reel RM-8 H9A

AD8032ARM-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead MSOP, 7" Tape and Reel RM-8 H9A

AD8032ARMZ1 –40°C to +85°C 8-Lead MSOP RM-8 H9A#

AD8032ARMZ-REEL1 –40°C to +85°C 8-Lead MSOP, 13" Tape and Reel RM-8 H9A#

AD8032ARMZ-REEL71 –40°C to +85°C 8-Lead MSOP, 7" Tape and Reel RM-8 H9A#

AD8032BN –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8032BNZ1 –40°C to +85°C 8-Lead PDIP N-8

AD8032BR –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8

AD8032BR-REEL –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 13" Tape and Reel R-8

AD8032BR-REEL7 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N, 7" Tape and Reel R-8

AD8032BRZ1 –40°C to +85°C 8-Lead SOIC_N R-8



1 Z = RoHS 準拠製品。#は鉛フリー製品を表し、上部または下部に表示。

Documents

AD8031/AD8032 - RS ComponentsSlew Rate G = −1, VO = 2 V step 27 32 27 32 V/µs Settling Time to 0.1% G = −1, V O = 2 V step, C L = 10 pF 125 125 ns DISTORTION/NOISE PERFORMANCE