Bipolar Junction Transistor - BJT

1. Estrutura do BJT

2. Fabricação do BJT

3. Modos de operação

4. Conexões em circuitos

5. Correntes no transistor bipolar

6. BJT como amplificador de corrente

7. Parâmetros do transistor

α – Common base current gain

β – Common emitter current gain

γ – Emitter injection efficiency

δ – Base transport factor

9. Relações analíticas para as correntes

10. Corrente de recombinação na base

11. Modelo do Ebers-Moll

Circuito equivalente do modelo do Ebers-Moll

12. Expressões para os parâmetros do transistor

γ = IEp/IE – Emitter injection efficiency

δ = ICp/IEp – Base transport factor

α = γ.δ = ICp/IE – Common base current gain

β = α/(1- α) – Common emitter current gain

Limitações

Aumento da corrente do coletor com VEC em regime ativo

Multiplicação de portadores e ruptura

Punchthrough

Injeção baixa e ganho de corrente

Injeção alta e efeito de Kirk na base

Injeção alta na junção emissor-base

Chaveamento do transistor

Carga acumulada e tempo de transição

Heterojunção e HBT