DATOS DEL TRANSFORMADOR

Vprim(max) = 162.50 Voltios Voltaje del primario máximo del TRAFO bajo experimentación en vació

Vsec(max) = 26.53 Voltios

6.13 Relación de transformación del TRAFO bajo experimentación

R1 = 158.00 Ohmios

R2 = 3.30 Ohmios

R1´ = 4.21 Ohmios

7.51 Ohmios

DATOS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA "UJT"

7000 Ohmios

0.66

4620 Ohmios

2380 Ohmios

3.5 Voltios

5.00E-02 Amperios

1 Voltios

6.00E-03 Amperios

56.8 Ohmios

0.7 Voltios

Voltaje del secundario máximo del TRAFO bajo experimentación en vació

a =

Resistencia Ohmica (estatica) del Primario del TRAFO bajo experimentación.

Resistencia Ohmica (estatica) del Secundario del TRAFO bajo experimentación.

Resistencia Ohmica (estatica) del Primario referida al Secundario del TRAFO bajo experimentación.

RTRAFO =Resistencia Ohmica (estatica) total, referida al secundario, del TRAFO bajo experimentación.

rBB =Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

h = Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

rB1 =Resistencia intrínseca de la región de base 1 se obtiene con la expresión; h*rBB

rB2 =Resistencia intrínseca de la región de base 2 se obtiene con la expresión; rBB - rB1

VEB1(sat) =Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

IE(sat) =Valor de la corriente de emisor a la cual se ha medido el VEB1(sat), dado por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

VV =Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET" ó 1V como valor típico

IV =Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

rSAT =Resistencia de saturación al que tiende rB1 dado por la expresión; (VEB1(sat) - VV) / (IE(sat) - IV)

VD = Potencial típico para una Juntura de Silicio a 25o .

35.0 Voltios Voltaje interbase maximo dado por el fabricante en la hoja de datos

0.050 Amperios

VB2B1 =

IE(MAX) =Corriente de Emisor "RMS" maxima dada por el fabricante en la hoja de datos

DATOS DE LA RESISTENCIA SENSORA Rsensora = 100 Ohmios

DATOS DEL PUENTE DE DIODOS

0.7 Voltios

1 Voltios

1 Amperios

0.30 Ohmios

164.9 Ohmios Resistencia total del circuito

10 Voltios

35.0

7.30 Voltios CUMPLE LA CONDICION; Vp < Vsec(max) - 2*Vj

4.00E-02 Amperios0.071

445.8 Ohmios

470 Ohmios Valor comercial inmediatamente menor seleccionado

0.038 Amperios, pico CUMPLE CON LA CONDICION; IE(max)<IE(sat)

ESPECIFICACION DE LOS ELEMENTOS

0.70 Vatios

0.15 Vatios

0.038 Amperios Especificacion de la corriente promedio maxima del puente rectificador

Valor seleccionado entre 10W y 100W

VJ = Potencial típico para una Juntura de Silicio a 25o .

VF =Caida de tension maxima entre terminales para una corriente directa dada,IFM

IFM = Corriente de polarizacion directa a la cual se mide VF.

rD =Resistencia macroscopica para un diodo del Puente Rectificador dado por la expresion; (VF - 0,7V) / IFM

RTOTAL =

CALCULO DE LA RESISTENCIA LIMITADORA "RLIM"

VBB =

Seleccionado tal que h*VBB + VD < Vsec(max) - 2*VJ e igualmente debe ser menor que VB2B1(max)

> VBB <

VP =

IE(SAT)pico =

Corriente de Emisor asumida para llevar el "UJT" a operación en la región de saturacion.

<IE(SAT)pico>

RLIM(calculada) =Obtenida con la expresion; ((Vsec(max)-2*VJ-VD)/IE(SAT)) - (R1´+R2+2*rD+rsat+Rsensora)

RLIM(comercial) =

IE(SAT)nueva =

WRLIM >Se debe esperificar un valor mayor de potencia de disipacion de la resistencia limitadora

WRSENSORA >Se debe esperificar un valor mayor de potencia de disipacion de la resistencia sensora

IF(AV) >

VBB

Rsen

rB1

rB2 RLim

2Vj

2rd

Vp(sec)

Rpri/a^2

Rsec

+

+

+

VIP > 26.53 Voltios Especificacion del Voltaje Inverso de Pico del puente rectificador

0.65 VatiosPotencia(TRAFO) =Potencia requerida en el TRAFO para las condiciones de operación dadas.

DATOS DEL TRANSFORMADOR

Voltaje del primario máximo del TRAFO bajo experimentación en vació

Relación de transformación del TRAFO bajo experimentación

DATOS DEL TRANSISTOR UNIJUNTURA "UJT"

Voltaje del secundario máximo del TRAFO bajo experimentación en

Resistencia Ohmica (estatica) del Primario del TRAFO bajo

Resistencia Ohmica (estatica) del Secundario del TRAFO bajo

Resistencia Ohmica (estatica) del Primario referida al Secundario del

Resistencia Ohmica (estatica) total, referida al secundario, del TRAFO

Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la

Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la

Resistencia intrínseca de la región de base 1 se obtiene con la

Resistencia intrínseca de la región de base 2 se obtiene con la

Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la

Valor de la corriente de emisor a la cual se ha medido el VEB1(sat), dado por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET"

Valor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la hoja de datos "DATA SHEET" ó 1V como valor típicoValor típico o promedio del rango de valores dados por el fabricante en la

Resistencia de saturación al que tiende rB1 dado por la expresión;

Potencial típico para una Juntura de Silicio a 25o .

Voltaje interbase maximo dado por el fabricante en la hoja de datos

Corriente de Emisor "RMS" maxima dada por el fabricante en la hoja de

DATOS DE LA RESISTENCIA SENSORA

DATOS DEL PUENTE DE DIODOS

Resistencia total del circuito

37.02 Voltios

CUMPLE LA CONDICION; Vp < Vsec(max) - 2*Vj

6.00E-03 Amperios

Valor comercial inmediatamente menor seleccionado

CUMPLE CON LA CONDICION; IE(max)<IE(sat)

ESPECIFICACION DE LOS ELEMENTOS

Especificacion de la corriente promedio maxima del puente rectificador

y 100W

Potencial típico para una Juntura de Silicio a 25o .

Caida de tension maxima entre terminales para una corriente directa

Corriente de polarizacion directa a la cual se mide VF.

Resistencia macroscopica para un diodo del Puente Rectificador dado

CALCULO DE LA RESISTENCIA LIMITADORA "RLIM"

D < Vsec(max) - 2*VJ e igualmente debe

Corriente de Emisor asumida para llevar el "UJT" a operación en la

Obtenida con la expresion; ((Vsec(max)-2*VJ-VD)/IE(SAT)) - (R1

Se debe esperificar un valor mayor de potencia de disipacion de la

Se debe esperificar un valor mayor de potencia de disipacion de la

VBB

Rsen

rB1

rB2 RLim

2Vj

2rd

Vp(sec)

Rpri/a^2

Rsec

+

+

+

Especificacion del Voltaje Inverso de Pico del puente rectificador

Potencia requerida en el TRAFO para las condiciones de operación

VALORES REALES DE ELEMENTOS Y PARAMETROS DE EXPERIMENTACION

Vprim(max) = 173.67 Voltios

Vsec(max) = 28.19 Voltios

6.16 Relación de transformación del TRAFO bajo experimentación

R1 = 160.10 Ohmios

R2 = 3.30 Ohmios

R1´ = 4.22 Ohmios

7.52 Ohmios

Rsensora = 9.896 Ohmios Valor real de la resistencia sensora

Rlimitadora = 476.56 Ohmios Valor real de la resistencia limitadora

5790 Ohmios

0.7 Voltios

0.7 Voltios

1 Voltios

1 Amperios

0.30 Ohmios

Voltaje del primario máximo del TRAFO bajo experimentación en vacióVoltaje del secundario máximo del TRAFO bajo experimentación en vació

a =Resistencia Ohmica (estatica) del Primario del TRAFO bajo experimentación.Resistencia Ohmica (estatica) del Secundario del TRAFO bajo experimentación.

Resistencia Ohmica (estatica) del Primario referida al Secundario del TRAFO bajo experimentación.

RTRAFO =Resistencia Ohmica (estatica) total, referida al secundario, del TRAFO bajo experimentación.

rBB =Valor real de la Resistencia Interbase medida en la experimentacion.

VD = Potencial típico para la Juntura de Silicio a 25o del "UJT".

VJ = Potencial típico para una Juntura de Silicio a 25o del Puente de diodos.

VF =Caida de tension maxima entre terminales para una corriente directa dada,IFM. De cada diodo del Puente rectificador.

IFM =Corriente de polarizacion directa a la cual se mide VF. de cada diodo del puente

rD =Resistencia macroscopica para un diodo del Puente Rectificador dado por la expresion; (VF - 0,7V) / IFM

VALORES REALES MEDIDOS EN LA EXPERIMENTACION

10 Voltios Valor real del Voltaje Interbase utilizado en la experimentacion.

6.8 Voltios

1.2 Voltios Valor real del Voltaje de Valle medido en la experimentacion.

Vsat = 1.7 Voltios

9.50E-03 Amperios

3.80E-02 Amperios

CALCULOS CON LOS VALORES REALES

0.61

17.5 Ohmios

3543.5 Ohmios

2246.5 Ohmios

0.051 Amperios

6.80 Voltios

VBB =

VP =Valor real del voltaje en el punto de pico, medido en la experimentacion

VV =

Valor real del voltaje en el punto de saturacion, medido en la experimentacion

IV =Valor real de la Corriente del punto de Valle medida en la experimentacion.

IE(sat) =Valor real de la Corriente del punto de saturacion medida en la experimentacion.

h =Valor real calculado con los valores medidos segun la expresion;(VP - VD) / VBB

rSAT =Resistencia de saturación al que tiende rB1 dado por la expresión; (VEB1(sat) - VV) / (IE(sat) - IV)

rB1 =Resistencia intrínseca de la región de base 1 se obtiene con la expresión; h*rBB

rB2 =Resistencia intrínseca de la región de base 2 se obtiene con la expresión; rBB - rB1

IE =Obtenida con la expresion; (Vsec(max)-2*VJ-VD) / (R1´+R2+2*rD+rsat+Rsensora+Rlimitadora)

VP = Calculado con el expresion; h*VBB + VD