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Datasheet
Ver. BEF Page 1 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Applications WCDMA handset HSDPA HSUPA LTE
Type Hybrid Integrated Circuit
Features High efficiency operation 45% @ 28.5dBm Small, low profile LGA package 3mm x 3mm x 0.85mm (1mm Max) Low Voltage Positive Bias Supply (3.2V to 4.35V) 2-Mode Power States with Digital Control Interface Optimized for DC/DC converter operation Integrated Power Coupler Integrated Blocking capacitors
UMTS Band 8 Power Amplifier IC(880MHz to 915MHz)
UN06B08
Vcc1
RF in
Vmode
NC
Ven
Vcc2
RF out
CP in
GND
CP out
1
5
4
3
2
6
7
8
9
BiasCircuit
10
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 2 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Pin AssignmentPin No. Pin Name
TOP VIEW1 Vcc1
2 RF in
3 NC
4 Vmode
5 Ven
6 CP out
7 GND
8 CP in
9 RF out
10 Vcc2
11 GND
Recommended Circuit
C1 :1000pF to 0.1uF (Set up C1 from the terminal Vcc1 to the distance within 1mm.)C2 :1000pF to 0.1uF (Set up C2 from the terminal Vcc2 to the distance within 1mm.)C3 :1uF to 4.7uF (Set up C3 from the terminal Vcc2 to the distance within 30mm.)R1 : 50 ohm
Note :Pin No.11 shows the central terminal at thebottom package.
1
2
3
4
5
10
9
8
7
611
3
4
5
10
9
8
7
6
1
2
Vcc1
RF in
Vmode
Ven
Vcc2
RF out
CP in
CP out
C11000pF
C34.7uF
C21000pF
R150 ohm
11
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 3 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Low Low
LTEPmax
High-power mode(HPM) High Low ≤
Parameter Ven Vmode HSPA
85
0.5Mode Control Voltage
Low 0
High
UMTS / LTE -30Ambient Temperature
Rel99
1.35
0.5V
V1.8 3.1
Enable VoltageLow 0
High 1.35 1.8 3.1
Supply Voltage 2 0.4 3.4 4.35 V
915 MHz
Supply Voltage 1 3.2 3.4 4.35 V
Operating Frequency 880
Typ NotesParameter Condit ion Symbol Min Max Unit
Storage temperature Tstg -35 to +150
Input RF power Pin 10 dBm
1,2
1,3
1
1
Supply voltage Vcc1,2 6 V
Control voltage Ven,Vmode 4.2 V
14
-
15
-
≤
-
14≤ ≤Low-power mode(LPM) High High
Shut down mode
27.25 ≤ 27.2528.5 ≤
SymbolParameter Rating Unit Notes
Absolute Maximum Ratings
Operating Ranges
Modes of operation
f
Vcc1
Vcc2
Ven
Vmode
Ta
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 4 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Vcc1=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz Signal Condition:Rel99 Pmax: refer to Page.4.
Vcc1=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz Signal Condition:HSPA
Electrical performance-1
4
4
mA
dBc
µA
mA
4
Symbol UnitParameter
Max
11.0
40LPM, Pout=15Bm,Vcc2=1.1V
Condition Min Typ Max
466 540100 mA
HPM, Pout=28.5dBm,Vcc2=3.4V
5MHz offset
125
-41
3045
HPM, Pout=28.5dBm,Vcc2=3.4V
25.0
-36
-41
1.3:1
dBc
dBc
dBc
Unit
3rd harmonic and higher
Leakage Current
ACLR2
HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14VACLR3
5MHz offset
Ioff
HPM, Pout=Pmax
Vcc=3.4V, Pin=off,Ven=0V
30
-57 -46
28
mA
-36
dBc
-33
0.1
-46
dBc
HPM, Pout=Pmax
HPM, Pout=Pmax
0.1
Parameter
Adjacent channelleakage power ratio3
Adjacent channelleakage power ratio4
10
Typ
5
Min
Electrical performance-2
Input impedance VSWR ρIN
Notes
dB27.516.5Gain
HPM, Pout=28.5dBm,Vcc2=3.4V
LPM_Pout=-30dBm,Vcc2=0.4VTotal Supply Current Ict
G LPM, Pout=15Bm,Vcc2=1.1V
Vcc2=0.5V, Pin=off,Ven=1.8V
Condition
Imode
Symbol
Vmode=1.8V Iidle
3f0
Mode control current
Adjacent channelleakage power ratio1
Adjacent channelleakage power ratio2
2f0
Quiescent current
Enable current Ien
2nd harmonic
ACLR1
Notes
4-36
-37
2.5:1
LPM_Pout=-30dBm,Vcc2=0.4V
HPM, Pout=28.5dBm,Vcc2=3.4V
LPM_Pout=-30dBm,Vcc2=0.4VLPM, Pout=15Bm,Vcc2=1.1V
10MHz offset
LPM, Pout=15Bm,Vcc2=1.1V
-41
-57Pout = Pmax-MPRHPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V
10MHz offset
Pout = Pmax-MPR
ACLR4
%LPM, Pout=15Bm,Vcc2=1.1VPower Added Efficiency PAEHPM, Pout=28.5dBm,Vcc2=3.4V 38
22
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 5 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Vcc1=Vcc2=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz Signal Condition:LTE
Vcc1=Vcc2=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz
Vcc1=Vcc2=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz
f=880 to 915MHz
Electrical performance-4
19 21
-134-137 dBm/Hz
dBm/Hz-133
-70
Unit
-135ISM noise NP3
NP1
all phase
4,5
Max
8:1
Min
dBc
Pout ≤ Pmax
Pout ≤ Pmax
-33HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V
E-UTRA_ACLR
-135
Pout ≤ Pmax
45 MHz offset from Tx
NotesTyp Max Unit
dBc
Notes
dBcHPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V
4,5
Electrical performance-3
dBc 4,5
-39
-36-40
Condition
Pout = Pmax-MPR
UTRA_ACLR1
HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V
-38
Min
-47
Coupler factor 20
-142
dB
dBm/Hz
CF
Pout ≤ Pmax2400 to 2483.5 MHz
GPS noise NP2
NotesTyp Unit
Electrical performance-6
Min
1574 to 1577 MHz
Max
698 to 2620 MHz,
stabil ity, spurious levels SVSWR ≤ 5:1, all phasePout ≤ Pmax
Daisy-chain insertion loss dBCPL_IN to CPL_OUT ports,
Enable = low0.250.1
Min Typ Max Unit Notes
Ruggedness R
ACLR6
Adjacent channelleakage power ratio7
ACLR7
ACLR5
Parameter Symbol
UTRA_ACLR2
Pout = Pmax-MPR
TypCondition
Parameter Symbol Condition
Pout = Pmax-MPRAdjacent channelleakage power ratio5
RX noise
Parameter
Adjacent channelleakage power ratio6
Parameter Symbol Condition
DCil
Symbol
Electrical performance-5
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 6 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Vcc1=3.4V, Ven=1.8V, Ta=-30 to +85 , ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz
Vcc1=Vcc2=3.4V, Ven=1.8V, Ta=-30 to +85 , ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz
Vcc=3.4V, Ven=1.8V, Ta=+25, ZS=ZL=50Ωf=880 to 915MHz
Notes
Electrical performance-7
Notes
-10Phase discontinuity variation Pdv
HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V-31 dBc
Signal Condit ion:Rel99, HSPAParameter Symbol Condition Min Notes
dBc 4
Max UnitMin
Unit
Signal Condition:Rel99
MaxTyp
E-UTRA_ACLR
Typ
4,5Pout = Pmax-MPR-0.3dBACLR
10
Pout = Pmax-MPR-0.3dB
Electrical performance-9
10
Parameter Symbol Condition
Part to part variation deg
Adjacent channelleakage power ratio10
Adjacent channelleakage power ratio11
UTRA_ACLR1
HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14VPout = Pmax-MPR-0.3dB
Notes
4,5
-37 dBc 4,5
-34 dBc
HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.1V
Adjacent channelleakage power ratio8 ACLR8
5MHz offsetPout = Pmax-MPR-0.3dB
Adjacent channelleakage power ratio9 ACLR9
10MHz offset
Condition Min
ACLR11
-34
Typ Max
Electrical performance-8
Unit
dBc
Adjacent channelleakage power ratio12
UTRA_ACLR2ACLR12 HPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.14V
4Pout = Pmax-MPR-0.3dBHPM:Vcc2=3.4V,LPM:Vcc2=1.1V
-46
Signal Condition:LTEParameter Symbol
1: The backside ground of the package should be soldered to cellular phone P.C.B.2: Ven=0V3: Vcc1=Vcc2=3.4V, Ven=2.9V, Vmode=0V, RL=50Ω4: RF measurements shall be made with 3GPP TS25.101 (UTRA/FDD UE) and TS36.101 (LTE) specif ication compliant waveforms. a. MPR is the maximum power reduction, as defined by the 3GPP specifications. In case of using waveforms with a higher peak-to-average ratio, MPR shall be applied. (ranging from 0 to 2.5 dB) b. The worst-case MPR = 0 dB waveforms across the 3GPP specif ications are required to meet a 1.25 dB lower maximum power than 3GPP TS25.101 Rel99 case.5: The LTE ACLR test is as defined in TS36.101, Section 6.6.2.3. a. The minimum requirement of E-UTRAACLR is defined in Section 6.6.2.3.1. b. The minimum requirement of UTRAACLR is defined in Section 6.6.2.3.2.
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 7 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Vcc [V] (HPM , LPM)
-20 0.47 0.47-15 0.48 0.48-10 0.50 0.50-5 0.52 0.540 0.57 0.601 0.59 0.612 0.60 0.633 0.62 0.654
2726
0.64 0.67
28.2528
Pout[dBm]
22 1.89 2.16
3.323.01 3.402.73 3.16
24 2.26 2.61
3.4028.5 3.40
2.49 2.87
23 2.07 2.37
21 1.74 1.98
1.47 1.6720 1.60 1.81
1.4218 1.36 1.54
1.0614 1.03 1.14
1.3115 1.10 1.22
12 0.91
25
13 0.97
16 1.1817 1.27
19
HSPA / LTER99
0.82 0.8911 0.86 0.94
0.809 0.78 0.84
0.70
0.76
5
8 0.75
Look-up Table for Vcc Optimization
0.73
1.00
0.666 0.697 0.71
10
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 8 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
(1) Pin No.1
(2) Product Name
(3) Lot No.
A: 1 to 9, A to Z and the top and bottom bar are jointly used. (However, neither I, O nor Q are used)B: A to Z are jointly used. (However, neither I, O nor Q are used)
(4)Product YearProduct year is shown by an upper and lower bar.
It uses after 2016 repeatedly from the Upper and lower bar.
Marking
XX : XX shows UN06B01
AB without bar 2014
AB Upper bar 2013
XX
year2012
barUpper and lower bar
A B
AB Lower bar 2015
AB
A B(1) (3)(4)
(4)
(2)
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 9 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Terminal Finish Method : Electroless Au plating
Outline Drawing
Substrate Material : Halogen Free Organic Substrate
Body Material : Epoxy Resin
PAMP09-N2
Unit:mm
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 10 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Recommended land patternPackage and PCB Metal mask of solder
0.35
0.35
2.80
0.60
0.60
0.60
0.60
1.50
2.10
C0.30 0.35
0.35
2.60
0.60
0.60
0.60
0.60
1.30
2.10
C0.25
0.75
0.80
0.75
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 11 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
1) Taping form
2) Reel form
Reel, Carrier Tape and Covered Tape is antistatic treatment.The lack of the product is not permitted.
Packing figure
リール/Reel キャリアテープ/Carrier tape
カバーテープ/Cover tape
ラベル/Label
LabelEIAJ C-3
Label工程管理用
ラベル/Label
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 12 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
Note1 : Specified temperature is package surface temperature.Note2 : N2 reflow is available.Note3 : Available solder is Sn-3.0Ag-0.5Cu.
Fig2 Solder heat resistance line
Cooling time T2 Over 2minutes. (natural neglect in normal temperature)Reflow soldering times 2 times
Cooling time T2 Over 2minutes. (natural neglect in normal temperature)
Fig1 Solder wettability line
Heating time tp Below 10sec.(over 230)Storage time in high temp tw Over 30sec.(over 220)
Pre-heating temp T1 160 to 180, 1 to 2 minutesPeak temp Tp Below 235
Storage time in high temp tw 30 to 70sec.(over 225)
Pre-heating temp T1 150 to 190, 1 to 3 minutesPeak temp Tp Below 260Heating time
In reflow soldering process, exact temperature-cycle management is essential. Werecommend pre-heating before soldering, so that you can prevent not only packagedamages or stains but also damages on a printed circuit board, and your processbecomes stable.
The following shows our recommended reflow temperature profile.
tp Below 10sec.(over 255)
Recommended reflow temperature profile in lead-free soldering
()235
220
200
150
100
Tp
T1T2tw
tp
()260
225
200
150
100
Tp
T1
T2tw
tp
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 13 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
1 Please, be fully careful of sudden heat, rapid cooling, and local heating, because this productis made by the resin board and the epoxy resin on structure. Please don't use the productdropped from higher place, because there is a risk of damage about the resin used in lowelastic modulus by fall, a shock and so on.
2
3
Please, don't touch Au plating area of product by bare hand, and don't hurt, because Au isplated on the product electrode as exterior plating.
You must finish mount and reflow soldering within seven days after opening the dry pack inorder to prevent exposure of moisture. Please keep the product at the atmosphere of thetemperature from 5 to 30 and the humidity from 30%RH to 70%RH. Please keep theproduct in stable place of temperature and humidity without corrosive gas. I f you keep product inthat stable place, you may mount and reflow soldering in three months.
4 Please prevent product from an excessive stress when you mount to a print board, Moreover,please avoid the mechanical chucking of a product.
5 Although it is impossible to use the strong acid as the solder flux, it is possible to use the oneof a rosin material. The method of reflow soldering is our recommendation. Please refer atemperature profile of reflow soldering as shown in Fig. 1 at the page 15 of this document. Inaddition, please refer a recommendation of land pattern as shown in the figure of the page 13of this document.
6 Please don’t carry out washing using a solvent after reflow soldering. also by ultrasonic wavecleaning.
7 Please be careful not to expose product static electricity, serge, etc.
Notes on handling
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
Datasheet
Ver. BEF Page 14 of 14 Established: 2012-11-21 Revised: 2013-05-30
1. Adaptation In order to realize stable soldering, We ship this product with dry packing. Please take carewith the following point, when you use dry packed products.
2. The storage conditions of a productBe careful enough of storage environment irrespective of opening or un-opening. Theproduct storage should avoid getting wet, corrosive gas, and f ire.
In order to avoid the moisture absorption to a product, after opening dry packing should f inishmounting and reflow soldering altogether within regulation time.
3. Handling after opening dry packing
4. Low-temperature baking conditionsPlease carry out product re-dryness in the taping state on the following conditions.
Handling of dry packed products
[Recommended storage environment] Temperature : 5 to 30 Humidity : 30 to 70%RH Period : Less than 1 year (Within 1 year after the manufacture date code of C3 label)
[The period which can be after opening dry packing] Period : 7 + 7 days In the case of storage in recommended storage environment
<Attention>Packing specif ication of this product is taping.Taping material is not heat-resistant materials.Therefore, you must f inish mount and reflow soldering within regulation time.Unavoidably If you can’t finish within regulation time, you must bake the products bylow-temperature baking conditions.
[Low-temperature baking conditions] Temperature : 40±5 Humidity : Less than 25%RH Time : 192 hours Number of times : 1 time
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。
安全上のご注意
本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、人体に対し危険ですので、同製品の燃焼 破壊、切断、粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、一般産業廃棄物や家庭用ごみと混ぜないでください。
危険
No.010618
本書に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本書に記載の製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は、当該国における法令、特に安全保障輸出管理に関する法令を遵守してください。
(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナソニック株式会社または他社の知的財産権もしくはその他の権利の許諾を意味するものではありません。したがって、上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はその責任を負うものではありません。
(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)、もしくは、本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております。特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れの
ある用途 - 特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文書での取り交わしをお願いします。文書での取り交わしなく使用されたことにより発生した損害などについては、当社は一切の責任を負いません。
(4) 本書に記載の製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合がありますのでご了承ください。したがって、 終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に 新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(5) 設計に際しては、絶対 大定格、動作保証条件(動作電源電圧、動作環境等)の範囲内でご使用いただきますようお願いいたします。特に絶対 大定格に対しては、電源投入および遮断時、各種モード切替時などの過渡状態においても、超えることのないように十分なご検討をお願いいたします。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の故障、欠陥については当社として責任を負いません。また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モードをご考
慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。
(6) 製品取扱い時、実装時およびお客様の工程内における外的要因(ESD、EOS、熱的ストレス、機械的ストレス)による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に
取り決めた条件を守ってご使用ください。
(7) 本書に記載の製品を他社へ許可なく転売され、万が一転売先から何らかの請求を受けた場合、お客様においてその対応をご負担いただきますことをご了承ください。
(8) 本書の一部または全部を当社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断りいたします。
保守廃止
保守予定品種、保守品種、廃品種を
一括して保守廃止と表記しています。