Upload
others
View
2
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
MCP601/2/3/42.7V ~ 5.5V 単電源 CMOS オペアンプ
特徴
• 単電源 : 2.7V ~ 5.5V• レール ツー レール出力
• 入力レンジにグランドを含む
• ゲイン バンド幅積 : 2.8 MHz (typ.)• ユニティ ゲインでも安定
• 低消費電流 : 230 µA/ アンプ (typ.)• チップ選択 (CS): MCP603 のみ
• 温度範囲 :- 工業温度品 : -40 ℃ ~ +85 ℃
- 拡張温度品 : -40 ℃ ~ +125 ℃
• 1 個、2 個、4 個内蔵品あり
典型的な応用
• 携帯機器
• A/D コンバータのドライバ
• フォト ダイオード用プリアンプ
• アナログ フィルタ
• データ収集
• ノートパソコンや PDA• センサー インターフェース
用意されているツール
• SPICE マクロモデル www.microchip.com にて
• FilterLab® ソフトウェア www.microchip.com にて
概要
マイクロチップ テクノロジーの低電力オペアンプの MCP601/2/3/4 ファミリは、1 個入り (MCP601)、チップ選択(CS)付き1個入り(MCP603)、2個入り(MCP602)、4 個入り (MCP604) の構成品があります。これらのオペアンプは、先進の CMOS 技術を使っており、低バイアス電流、高速動作、高いオープンループ ゲイン、レール ツー レールの出力振幅が可能となっています。本製品は単電源動作が可能で、電圧は 2.7V まで下げられ、このときのオペアンプ当たりの消費電流は 230 µA(typ.) です。さらに、コモンモードの入力電圧範囲を、グランドより 0.3V さらに下げられますので、理想的な単電源動作となっています。
これらのデバイスは、低消費電流なので低電圧のバッテリ動作に適していますし、広いバンド幅は A/Dコンバータ用ドライバ アンプとして、低い入力バイアス電流はアンチエイリアス フィルタに適しています。
MCP601、MCP602 、MCP603 は、標準の 8 ピンのPDIP、SOIC、TSSOP パッケージ品が用意されています。また、MCP601 と MCP601R には 5 ピンの SOT-23が、 MCP603 には 6 ピンの SOT-23 パッケージが用意されています。
MCP601/2/3/4 ファミリは、工業温度品と拡張温度品の温度範囲が用意されていて、電源は 2.7V ~ 5.5V の範囲で使用できます。
パッケージ タイプ
VIN+VIN–
VSS
VOUT
VDD
1234
8765
NC
NC
NC
VINA+VINA–
VDD
VINC+
VSS
VOUTC
VINC–
VOUTA
VINB+
VIND–
VOUTD
VOUTB
VINB–
VIND+VINA+VINA–
VSS
VINB–
VOUTB
1234
8765
VDD
VINB+
VOUTA
MCP601PDIP, SOIC, TSSOP
MCP604PDIP, SOIC, TSSOP
MCP602PDIP, SOIC, TSSOP
VIN+VSS
VIN–
123
5
4
VDDVOUT
MCP601SOT23-5
VIN+VSS
VIN–
123
6
4
VDDVOUT
MCP603SOT23-6
CS5
VIN+VIN–
VSS
VOUT
VDD
1234
8765
CS
NC
NC
MCP603PDIP, SOIC, TSSOP
141312
1234
567
111098
VIN+VDD
VIN–
123
5
4
VSSVOUT
MCP601RSOT23-5
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 1
MCP601/2/3/4
第 1 章 電気的特性
絶対最大規格 VDD - VSS.................................................................................. 7.0V全入出力ピン ........................................VSS - 0.3V ~ VDD + 0.3V差動入力電圧 ................................................................ |VDD - VSS|出力短絡電流..................................... 連続
入力ピン電流 ........................................................................±2 mA出力と電源ピン電流 ..........................................................±30 mA保存温度 ............................................................. -65 ℃ ~ +150 ℃
接合部温度 ..........................................................................+150 ℃全ピンの ESD 保護 (HBM; MM) ............................. ≥ 3 kV; 200V† 注意 : 上記の「最大定格」を超えるストレスを加えると、デ
バイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定は
ストレス定格のみを規定するものであり、この仕様の動作条
件に記載する規定値以上でのデバイス動作を定めたものでは
ありません。長時間デバイスを最大定格状態にすると、デバ
イスの信頼性に影響を与えることがあります。
ピン機能一覧表
名称 機能
VIN+, VINA+, VINB+, VINC+, VIND+ 非反転入力
VIN–, VINA–, VINB–, VINC–, VIND– 反転入力
VDD 正電源供給
VSS 負電源供給
VOUT, VOUTA, VOUTB, VOUTC, VOUTD
出力
CS チップ選択
NC 内部無接続
DC 特性電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,
VOUT ≈ VDD/2 かつ RL = 100 kΩ で VDD/2.
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件
入力オフセット
入力オフセット電圧 VOS -2 ±0.7 +2 mV工業温度品 VOS -3 ±1 +3 mV TA = -40 ℃ ~ +85 ℃ ( 注 1)拡張温度品 VOS -4.5 ±1 +4.5 mV TA = -40 ℃ ~ +125 ℃ ( 注 1)
入力オフセット温度ドリフト ΔVOS/ΔTA — ±2.5 — µV/ ℃ TA = -40 ℃ ~ +125 ℃
電源電圧変動除去比 PSRR 80 88 — dB VDD = 2.7V ~ 5.5V入力電流とインピーダンス
入力バイアス電流 IB — 1 — pA工業温度品 IB — 20 60 pA TA = +85 ℃ ( 注 1)拡張温度品 IB — 450 5000 pA TA = +125 ℃ ( 注 1)
入力オフセット電流 IOS — ±1 — pAコモンモード入力インピーダンス ZCM — 1013||6 — Ω||pF
差動入力インピーダンス ZDIFF — 1013||3 — Ω||pF
コモンモード
コモンモード入力範囲 VCMR VSS – 0.3 — VDD – 1.2 Vコモンモード除去比 CMRR 75 90 — dB VDD = 5.0V, VCM = -0.3V ~ 3.8Vオープンループゲイン
DC オープンループ ゲイン
( 大振幅時 )AOL 100 115 — dB RL = 25 kΩ ~ VDD/2,
VOUT = 100 mV ~ VDD – 100 mVAOL 95 110 — dB RL = 5 kΩ ~ VDD/2,
VOUT = 100 mV ~ VDD – 100 mV出力
最大出力電圧振幅 VOL, VOH VSS + 15 — VDD – 20 mV RL = 25 kΩ~ VDD/2, 出力ドライブ = 0.5VVOL, VOH VSS + 45 — VDD – 60 mV RL = 5 kΩ to VDD/2, 出力ドライブ = 0.5V
リニアな出力振幅 VOUT VSS + 100 — VDD – 100 mV RL = 25 kΩ ~ VDD/2, AOL ≥ 100 dBVOUT VSS + 100 — VDD – 100 mV RL = 5 kΩ ~ VDD/2, AOL ≥ 95 dB
出力短絡電流 ISC — ±22 — mA VDD = 5.5VISC — ±12 — mA VDD = 2.7V
供給電源
供給電圧 VDD 2.7 — 5.5 Vアンプ当たりの消費電流 IQ — 230 325 µA IO = 0注 1: これらの仕様は、日付コードが YYWW = 0408 より古い SOT-23 または TSSOP パッケージ品はテストされていません。これら
の場合、最大、最小値は形状および特性上によるものです。
DS21314F_JP-page 2 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
図 1-1: MCP603 チップ選択 (CS) タイミング ダイアグラム
AC 特性
電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,VOUT ≈ VDD/2, RL = 100 kΩ で VDD/2 かつ CL = 50 pF.
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件
周波数応答
ゲインバンド幅積 GBWP — 2.8 — MHz
位相余裕 PM — 50 — ° G = +1 V/V
ステップ応答
スルーレート SR — 2.3 — V/µs G = +1 V/Vセトリング タイム (0.01%) tsettle — 4.5 — µs G = +1 V/V, 3.8V ステップ
ノイズ
入力ノイズ電圧 Eni — 7 — µVP-P f = 0.1 Hz ~ 10 Hz
入力ノイズ電圧密度 eni — 29 — nV/√Hz f = 1 kHzeni — 21 — nV/√Hz f = 10 kHz
入力ノイズ電流密度 ini — 0.6 — fA/√Hz f = 1 kHz
MCP603 チップ選択特性
電気的仕様 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V to +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,VOUT ≈ VDD/2, RL = 100 kΩで VDD/2 かつ CL = 50 pF.
パラメータ 記号 Min Typ Max Units 条 件
DC 特性
CS Low ロジック スレッショルド VIL VSS — 0.2 VDD VCS Low 入力電流 ICSL -1.0 — — µA CS = 0.2VDD
CS High ロジック スレッショルド VIH 0.8 VDD — VDD VCS High 入力電流 ICSH — 0.7 2.0 µA CS = VDD
シャットダウン時 VSS 電流 IQ_SHDN -2.0 -0.7 — µA CS = VDD
シャットダウン時アンプ出力リーク IO_SHDN — 1 — nACS スレッショルド ヒステリシス HYST — 0.3 — V 内部スイッチ
タイミング
CS Low からアンプ出力オンになるまで tON — 3.1 10 µs CS ≤ 0.2VDD, G = +1 V/VCS High からアンプ出力ハイインピーダ
ンスになるまで
tOFF — 100 — ns CS ≥ 0.8VDD, G = +1 V/V, 負荷なし
CStOFF
VOUT
tON
ハイインピーダンス ハイインピ
IDD 2 nA (typ.) 230 µA (typ.)
出力アクティブ
ISS -700 nA (typ.) -230 µA (typ.)
CS 700 nA (typ.) 2 nA (typ.)電流
ーダンス
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 3
MCP601/2/3/4
温度特性電気的仕様 : 特に指定されない℃限り , VDD = +2.7V ~ +5.5V かつ VSS = GND.
パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条 件
温度範囲
規定の温度範囲 TA -40 — +85 ℃ 工業温度品
TA -40 — +125 ℃ 拡張温度品
動作温度範囲 TA -40 — +125 ℃ 注
保存温度範囲 TA -65 — +150 ℃
パッケージ熱抵抗
熱抵抗 , 5L-SOT23 θJA — 256 — ℃ /W熱抵抗 6L-SOT23 θJA — 230 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-PDIP θJA — 85 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-SOIC θJA — 163 — ℃ /W熱抵抗 , 8L-TSSOP θJA — 124 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-PDIP θJA — 70 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-SOIC θJA — 120 — ℃ /W熱抵抗 , 14L-TSSOP θJA — 100 — ℃ /W注 : 工業温度品もこの拡張温度範囲で動作しますが、性能は悪化します。拡張温度規格は、工業温度品には適用さ
れません。いかなる場合も、内部接合部温度 (TJ) が絶対最大定格 150 ℃を超えてはなりません。
DS21314F_JP-page 4 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
第 2 章 典型的な性能グラフ
注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.
図 2-1: 周波数に対するオープン ループ ゲインと位相
図 2-2: 温度に対するスルーレート
図 2-3: 温度に対するゲイン バンド幅積と位相余裕
図 2-4: 電源電圧に対する消費電流
図 2-5: 温度に対する消費電流
図 2-6: 周波数に対する入力ノイズ電圧密度
注 : 以下の本項のグラフや表は、有限のサンプルの統計値に基づいていて、情報提供のためにだけのものです。ここに記述された性能特性は未テストか非保証です。いくつかのグラフや表では、仕様の動作範囲を超えています(例えば供給電源範囲外)従って保証範囲外です。
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+ 02 1.E+ 03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07
周 波 数 (H z)
オー
プン
ルー
プゲ
イン
(dB
)
-240
-210
-180
-150
-120
-90
-60
-30
0
オー
プン
ルー
プ位
相 (°
)
0 .1 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M
ゲ イ ン
位 相
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
スル
ーレ
ート
(V/µ
s)
立上りエッジ
立下りエッジ
VDD = 5.0V
0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125
周囲温度 (°C)
ゲイ
ンバ
ンド
幅積
(MH
z)
0102030405060708090100110
位相
余裕
, G =
+1
(°)
GBWP
PM, G = +1
0
50
100
150
200
250
300
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧 (V)
アン
プ当
たり
消費
電流
(µA
)
+25°C
IO = 0 -40°C
+85°C
+125°C
0
50
100
150
200
250
300
-50 -25 0 25 50 75 100 125
周囲温度 (°C)
アン
プ当
たり
消費
電流
(µA
)
VDD = 2.7V
VDD = 5.5V
IO = 0
10
100
1,000
10,000
1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06
周波数 (Hz)
入力
ノイ
ズ電
圧密
度 (V
/ √H
z)
0.1 1 10 100 1k 10k 100k 1M
10µ
1µ
100n
10n
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 5
MCP601/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.図 2-7: 入力オフセット電圧
図 2-8: 温度に対する入力オフセット電圧
図 2-9: VDD = 2.7V のときのコモン モード入力電圧と入力オフセット電圧
図 2-10: 入力オフセット電圧ドリフト
図 2-11: 温度に対する CMRR と PSRR
図 2-12: VDD = 5.5V のときのコモン モード入力電圧と入力オフセット電圧
0%
2%
4%
6%
8%
10%
12%
14%
16%
-2.0 -1.6 -1.2 -0.8 -0.4 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0入力オフセット電圧 (mV)
発生
割合
1200 サンプル
-0.5-0.4-0.3-0.2-0.10.00.10.20.30.40.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125
周囲温度 (°C)
入力
オフ
セッ
ト電
圧 (m
V)
VDD = 2.7V
VDD = 5.5V
-200-100
0100200300400500600700800
-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0コモンモード入力電圧 (V)
入力
オフ
セッ
ト電
圧 (µ
V)
VDD = 2.7VTA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C
TA = +125°C
TA = +125°C
0%2%4%6%8%
10%12%14%16%18%
-10 -8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10入力オフセット電圧ドリフト (µV/°C)
発生
割合
1200 サンプルTA = -40 ~ +125°C
75
80
85
90
95
100
-50 -25 0 25 50 75 100 125
周囲温度 (°C)
CM
RR
, PSR
R (d
B)
PSRR
CMRR
-200-100
0100200300400500600700800
-0.5 0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
コモンモード入力電圧 (V)
入力
オフ
セッ
ト電
圧 (µ
V)
TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°C
TA = +125°C
VDD = 5.5V
TA = +125°C
DS21314F_JP-page 6 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.図 2-13: 周波数に対するチャネル間セパレ - ション
図 2-14: 周囲温度に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流
図 2-15: 負荷抵抗に対する DC オープン ループ ゲイン
図 2-16: 周波数に対する CMRR と PSRR
図 2-17: コモンモード入力電圧に対する入力バイアス電流と入力オフセット電流
図 2-18: 電源電圧に対する DC オープン ループ ゲイン
90
100
110
120
130
140
150
1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06
周波数 (Hz)
チャ
ネル
間セ
パレ
ーシ
ョン
(dB
) 無負荷
1k 10k 100k 1M
1
10
100
1000
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125周囲温度 (°C)
入力
バイ
アス
とオ
フセ
ット
電流
(pA
)
IB
VDD = 5.5VVCM = 4.3V
IOS
80
90
100
110
120
1. E+02 1. E+03 1. E+04 1. E+05
負荷抵抗 (Ω)
DC
オー
プン
ルー
プゲ
イン
(dB
)
VDD = 2.7V
VDD = 5.5V
100 1k 10k 100k
102030405060708090
100
1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06
周波数 (Hz)
CM
RR
, PSR
R (d
B)
CMRR
VDD = 5.0V
100 1k 10k 100k
PSRR+PSRR-
1
10
100
1000
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
コモンモード入力電圧 (V)
入力
バイ
アス
とオ
フセ
ット
電流
(pA
)IB, +85°C
VDD = 5.5Vmax. VCMR ≥ 4.3V
IB, +125°C
IOS, +85°C
IOS, +125°C
80
90
100
110
120
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
電源電圧 (V)
DC
オー
プン
ルー
プゲ
イン
(dB
) RL = 25 k♦
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 7
MCP601/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.図 2-19: 負荷抵抗に対するゲイン バンド幅積と位相余裕
図 2-20: 出力電流に対する出力余裕電圧
図 2-21: 周波数に対する最大出力電圧スイング
図 2-22: 温度に対する DC オープン ループ ゲイン
図 2-23: 温度に対する出力余裕電圧
図 2-24: 電源電圧に対する出力短絡電流
0.00.5
1.01.52.02.5
3.03.5
1. E+02 1. E+03 1. E+04 1. E+05
負荷抵抗 (Ω)
ゲイ
ンバ
ンド
幅積
(MH
z)
3040
50607080
90100
位相
余裕
, G =
+1
(°)
100 10k1k 100k
VDD = 5.0V
GBWP
PM, G = +1
1
10
100
1,000
0.01 0.1 1 10出力電流値 (mA)
無歪
出力
上限
(mV)
;V D
D -
V OH と
VO
L - V
SS
VDD-VOH
VOL-VSS
0.1
1
10
1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07
周波数 (Hz)
最大
出力
電圧
スイ
ング
(VP-
P)
10k 1M100k 10M
VDD = 5.0V
80
90
100
110
120
130
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
DC
オー
プン
ルー
プゲ
イン
(dB
)
VDD = 5.5V, RL = 5 kℵVDD = 2.7V, RL = 25 kℵ
VDD = 2.7V, RL = 5 kℵ
VDD = 5.5V, RL = 25 kℵ
1
10
100
1000
-50 -25 0 25 50 75 100 125周囲温度 (°C)
無歪
出力
(mV)
;V D
D -
V OH と
VO
L - V
SS VDD - VOH, RL = 5 k÷VOL - VSS, RL = 5 k÷
VDD - VOH, RL = 25 k÷VOL - VSS, RL = 25 k÷
VDD = 5.5VRL は VDD/2に接続
0
5
10
15
20
25
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5電源電圧(V)
出力
短絡
電流
(mA
)
TA = -40°CTA = +25°CTA = +85°CTA = +125°C
DS21314F_JP-page 8 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
注 : 特に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.図 2-25: 大信号時非反転パルス応答
図 2-26: 小信号時非反転パルス応答
図 2-27: チップ選択タイミング (MCP603)
図 2-28: 大信号時反転パルス応答
図 2-29: 小信号時反転パルス応答
図 2-30: チップ選択電圧に対する VSS での消費電流 (MCP603)
0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0
0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05
時間 (1 µs/div)
出力
電圧
(V)
VDD = 5.0VG = +1
2.41
2.43
2.45
2.47
2.49
2.51
2.53
2.55
2.57
2.59
0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05
時間 (1 µs/div)
出力
電圧
(20
mV/
div)
VDD = 5.0VG = +1
-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.05.5
0.0E+00 5.0E-06 1.0E-05 1.5E-05 2.0E-05 2.5E-05 3.0E-05 3.5E-05 4.0E-05 4.5E-05 5.0E-05
時間(5 µs/div)
出力
電圧
,C
S 電圧
(V)
VDD = 5.0VG = +1VIN = 2.5VRL = 100 kξ と GND
CS
VOUT Active
VOUT High-Z
0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0
0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05
時間 (1 µs/div)
出力
電圧
(V)
VDD = 5.0VG = -1
2.41
2.43
2.45
2.47
2.49
2.51
2.53
2.55
2.57
2.59
0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05
時間 (1 µs/div)
出力
電圧
(20
mV/
div)
VDD = 5.0VG = -1
-800
-700
-600
-500
-400
-300
-200
-100
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5CS電圧 (V)
V SS 経
由消
費電
流 (
µA)
VDD = 5.5V
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 9
MCP601/2/3/4
注 : 時に指定されない限り , TA = +25 ℃ , VDD = +2.7V ~ +5.5V, VSS = GND, VCM = VDD/2,RL = 100 kΩ で VDD/2, VOUT ≈ VDD/2 かつ CL = 50 pF.図 2-31: チップ選択ピン電圧に対するチップ選択ピン入力電流
図 2-32: チップ選択の内部スイッチのヒステリシス
図 2-33: MCP601/2/3/4 ファミリ オペアンプは、入力のオーバー ドライブでも位相反転しない。
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
CSピン電圧 (V)
CS ピ
ン電
流 (µ
A)
VDD = 5.5V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
CSピン電圧 (V)
内部
CS
スイ
ッチ
電圧
(V)
VDD = 5.0V
アンプハイインヒ ゚ーダンス
アンプON
CS Hi から Low CS Low から Hi
-1
0
1
2
3
4
5
6
0.0E+00 5.0E-06 1.0E-05 1.5E-05 2.0E-05 2.5E-05
時間(5 µs/div)
入出
力電
圧 (V
)
VDD = +5.0VG = +2
VIN
VOUT
DS21314F_JP-page 10 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
第 3 章 活用情報
MCP601/2/3/4 ファミリのオペアンプは、マイクロチップ社の最新技術のCMOSプロセスで作られています。それらはユニティ ゲインでも安定で、広範囲の汎用用途に適しています。
3.1 入力
MCP601/2/3/4 アンプ ファミリは、入力ピンが入力電圧範囲を超えても位相は反転しないように設計されています。図 2-33は両側で入力電圧を超えても出力の位相が反転しないことを示しています。
コモン モードの入力電圧範囲 (VCMR) には、単電源時のグランド電位 (VSS) も含んでいますが、VDD は含んでいません。これは、アンプの入力がコモン モード入力電圧VCMRの規格値 (VSS – 0.3V~ VDD – 1.2V +25℃にて ) を守っている限り、リニア特性であることを意味しています。
入力電圧範囲 (VSS – 0.3V ~ VDD – 1.2V +25 ℃にて ) を超えた入力電圧のときは、入力ピンに出入りする電流が過大になります。±2 mA を超える電流は信頼性に影響を与えることがあります。この範囲を超える使い方では、図 3-1のように外部抵抗(RIN)により電流を制限しなければなりません。
図 3-1: RIN で入力ピンの電流を制限する
3.2 レール ツー レール出力
オペアンプのMCP601/2/3/4ファミリの出力振幅能力を表す規格が 2 通りあります。最初の規格(最大出力電圧振幅)は、規定の負荷で可能な絶対最大振幅として定義されます。例えば、VDD/2 で 25 kW 負荷のとき負側レールの 15 mV 内側まで出力電圧を振れます。図 2-33 は入力がリニア動作領域を超えたとき、出力電圧がいかに制限されるかを表しています。
2 つめの規格は、このようなアンプの出力振幅能力をリニア出力電圧振幅として表します。この規格は、アンプがリニア領域で動作しているときに可能な最大出力振幅として定義されます。この範囲でリニア動作を検証するには、大信号 (DC オープン ループ ゲイン(AOL)) で供給電源の 100 mV だけ内側で計るようにします。計測値は規格表のゲイン規格を超えなければなりません。
3.3 MCP603 のチップ選択 (CS) MCP603 はチップ選択 (CS) を持つ 1 個入りのアンプです。CS が High になると供給電流は、-0.7 µA (typ.)まで下がります。これは CS ピンから VSS に流れる分です。このときには、アンプの出力はハイインピーダンス状態となります。CS を Low にするとアンプがイネーブルとなります。CS ピンがフロートのままだとアンプは正常に動作しません。図 1-1 はチップ選択のタイミングダイアグラムで、CS パルスへ応答する出力電圧、供給電流、CS 電流を表しています。図 2-27 は CSパルスに対する出力電圧の応答の計測結果を表します。
3.4 容量性負荷
電圧フィードバック オペアンプでは、大きな容量性負荷をドライブすると安定性問題を引き起こします。負荷容量が増えると、フィードバック ループの位相余裕が減り、クローズ ループのバンド幅が減ります。これは、周波数応答にゲインのピークを生じさせ、ステップ応答にオーバーシュート、リンギングを生じさせます。
これらのオペアンプで高い容量性負荷をドライブするときは ( 例えば , > 40 pF で G = +1)、出力に小さな抵抗 ( 図 3-2 の RISO) を直列に入れると、高い周波数での抵抗を高めるため、フィードバックループの位相余裕(安定性)を改善します。バンド幅も容量負荷が無いときのバンド幅より通常は低くなります。
図 3-2: 出力抵抗 RISO が大きな容量性負荷でも安定化させる
図 3-3は異なる容量とゲインに対するRISOの推奨値を与えます。X 軸は、任意のゲインに対してグラフから読み取り易くするため、正規化した負荷容量 (CL/GN)となっています。GN は回路のノイズ ゲインです。非反転回路では、GN とゲインが等しくなります。反転回路では、GN = 1 + |Gain| となります。(つまり、-1 V/V なら GN = +2 V/V となる )
MCP60X
RIN
VIN +
–
RINmaximum expected VIN( ) VDD–
2 mA------------------------------------------------------------------------------≥
RINVSS minimum expected VIN( )–
2 mA---------------------------------------------------------------------------≥
MCP60XRISO
VOUT
CL
RFRG
+
–
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 11
MCP601/2/3/4
図 3-3: 容量負荷に対する RISO の推奨値
一度その回路用に RISO を選択したら、回路が示す周波数応答のピークと、ステップ応答のオーバーシュートをダブルチェックします。MCP601/2/3/4 の SPICE マクロモデルを使ってシミュレーションしベンチ評価することは大きな助けになります。応答が妥協できる程度まで RISO の値を修正します。
3.5 電源のバイパス
オペアンプのこのファミリでは、高周波性能をよくするため、電源供給ピン ( 単電源の場合には VDD) の2 mm 以内にバイパス コンデンサ ( 例えば 0.01 µF ~0.1 µF) をつけるべきです。また、大きくゆっくりした電流用に100 mm 以内に大容量コンデンサ(例えば 1 µF以上 ) が必要です。この大容量コンデンサは他の部品用と共用できます。
3.6 PCB 表面リーク
低い入力バイアス電流が重要な応用の場合には、プリント基板 (PCB) の表面リーク効果を考慮する必要があります。表面リークは、基板上の湿度やほこり、その他の汚染によって引き起こされます。低湿度条件下では、近接パターン間の標準的な抵抗は 1012W です。5V の差により 5 pA の電流が流れます。この値はMCP601/2/3/4 ファミリの +25 淸 におけるバイアス電流 (1 pA, typ.) より大きいものです。
表面リークを減らすもっとも簡単な方法は、敏感なピン(あるいはパターン)の周りにガードリングを使うことです。ガードリングは敏感なピンと同じ電圧にバイアスします。このタイプのレイアウト例を図 3-4に示します。
図 3-4: ガードリング配置例
1. 非反転アンプの場合は、ユニティ ゲイン バッファの場合を含めて、反転入力ピン (VIN–) にガードリングを接続します。そしてガードリングをコモン モードの入力電圧にバイアスします。
2. 反転アンプ回路やインピーダンス変換アンプ(フォト検出器のような場合の電流から電圧への変換)の場合は、非反転入力ピン (VIN+) にガードリングを接続します。そしてガードリングをオペアンプのリファレンス電圧 ( 例えばVDD/2 またはグランド ) と同じにします。
3.7 典型的な応用例
3.7.1 アナログ フィルタ
図 3-5 と 図 3-6 は、カットオフ周波数が 10 Hz の 2次のバターワースのローパス フィルタを示しています。図 3-5 のフィルタには、ゲインが +1 V/V の非反転アンプが、図 3-6 にはゲインが- 1 V/V の反転アンプを使っています。
図 3-5: 2次のローパスサレンキーフィルタ
図 3-6: 2 次のローパス マルチ フィードバックフィルタ
オペアンプの MCP601/2/3/4 ファミリは、低い入力バイアス電流ですので、設計者は、これらフィルタでより大きな抵抗とより小さなコンデンサを選ぶことができます。これにより PCB のレイアウトをコンパクトにできます。これらのフィルタは他と同様にマイクロチップの FilterLab® ソフトウェアが使えます。
10
100
1,000
10 100 1,000 10,000
正規化負荷容量; CL / GN (F)
推奨
RIS
O ( ξ
)
10p 100p 1n 10n10
100
1k
GN = +1GN ≥ +2
ガードリング VIN– VIN+
C2 VOUT
R1 R2
C1
VIN
47 nF
382 kΩ 641 kΩ
22 nF
G = +1 V/VfP = 10 Hz
MCP60X+
–
C2
VOUT
R1 R3 C1
VIN
R2
VDD/2
G = -1 V/VfP = 10 Hz618 kΩ
618 kΩ 1.00 MΩ 8.2 nF
47 nFMCP60X+
–
DS21314F_JP-page 12 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
3.7.2 計装アンプ回路
計装アンプは、片方の入力電圧ともう片方との差をとる差動入力となっていて、コモンモードの信号を除去します。これらのアンプも片側接地の出力を供給します。
図 3-7 に 3 個のオペアンプによる計装アンプを示します。この方法による利点はユニティ ゲイン動作にあります。一方、欠点としてはコモン モード入力電圧範囲が R2/RG を大きくするほど減少するということです。
図 3-7: 3 個のオペアンプによる計装アンプ
2 個のオペアンプによる計装アンプを図 3-8 に示します。このアンプは 3 個のオペアンプの場合より電力消費は少ないのですが、これの主な欠点は、コモンモードの範囲が、ゲインを上げると減ってしまうことと、さらにゲインを 2 倍以上に設定しなければならないことです。
図 3-8: 2 個のオペアンプによる計装アンプ
どちらの計装アンプも少なくても1 µF以上の大容量バイパス コンデンサが必要です。これらのアンプのCMRR は、両方のオペアンプの CMRR と抵抗のマッチングにより決まります。
3.7.3 フォト検知
MCP601/2/3/4 オペアンプは電流出力のセンサー(フォトダイオードのような)の信号を電圧に簡単に変換することができます。(インピーダンス変換アンプ)この実際の回路は、図 3-9 と図 3-10に示したように1個の抵抗(R2)をアンプのフィードバック ループに入れます。オプションのコンデンサ (C2) はこれらの回路の安定性を良くします。
光電池モードに構成されたフォト ダイオードは、ゼロ電位に接続できます。( 図 3-9) このモードでは、光感度とリニアリティが最大となり、高精度の応用には最適です。この応用でキーとなるアンプの規格は:低入力バイアス電流、低ノイズ、コモン モード入力電圧範囲(グランドを含む)、レール ツー レール出力です。
図 3-9: 光電池モードの検出器
これと対照的に、光伝導モードに構成されたフォトダイオードは、光検知要素に逆バイアス電圧が必要となります。( 図 3-10)これはダイオードの容量を減少させ高速動作を容易にします(例えば高速ディジタル通信など)。ダイオードのリーク電流が増加することは、リニアリティ誤差の増加につながります。オペアンプには、広いバンド幅積 (GBWP) を持ったものが必要になります。
図 3-10: 光伝導モードの検出器
MCP60XV1
MCP60XV2
R2
R2
R3
MCP60X
R4
R3 R4
VOUT
VREF
RG
+
–
–
+
–
+
VOUT V1 V2–( ) 12R2RG---------+⎝ ⎠
⎛ ⎞ R4R3------⎝ ⎠⎛ ⎞ VREF+=
MCP60XV2
RG
R2 R2
MCP60X
R1
VOUT
VREF
V1
R1
-
+
-
+
VOUT V1 V2–( ) 1R1R2------
2R1RG---------+ +⎝ ⎠
⎛ ⎞ VREF+=
D1光
VOUTVDD
MCP60X
R2
C2
ID1
VOUT = ID1 R2
–
+
D1光
VOUTVDD
MCP60X
R2
C2
ID1
VOUT = ID1 R2VBIASVBIAS < 0V
–
+
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 13
MCP601/2/3/4
第 4 章 設計ツール
マイクロチップはオペアンプのMCP601/2/3/4ファミリに必要な基本的な設計ツールを提供します。
4.1 SPICE マクロモデル
MCP601/2/3/4オペアンプの最新のSPICEマクロモデルがマイクロチップの www.microchip.com のウェブ サイトに用意されています。このモデルは室温におけるオペアンプのリニア領域の動作に適した初期設計ツール用となっています。この能力の情報については、SPICE モデルファームウェアをご覧下さい。
ベンチテストは、いかなる設計でも非常に重要な部分で、シミュレーションでは置き換えできません。また、このマクロモデルを使ったシミュレーション結果は、データシートの仕様やグラフと比較して正しいことを確認する必要があります。
4.2 FilterLab® 2.0
FilterLab® 2.0 は革新的なソフトウェア ツールで、アナログ アクティブ フィルタ(オペアンプを使った)の設計を簡単化してくれます。マイクロチップのwww.microchip.com のウェブサイトから無償で入手でき、FilterLab アクティブ フィルタソフトウェア設計ツールは、フィルタ回路の回路図と部品の値を提供します。また、SPICE 形式のフィルタ回路も出力し、実際のフィルタ性能をシミュレーションするマクロ モデルとして使うことができます。
DS21314F_JP-page 14 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
第 5 章 パッケージ情報
5.1 パッケージマーキング情報
凡例 : XX...X カスタマ仕様情報YY 年コード ( カレンダ年の下位2桁目 )WW 週コード (1 月 1 日を週 ‘01’ とする )NNN 英数字のトレース用コード
注 : マイクロチップのパーツ番号全体が1行で入らないときは、次の行に渡りま
す。このためカスタマ仕様情報用の文字数が制限されます。
* 標準の OTP マーキングはマイクロチップのパーツ番号、年コード、週コード、トレースコードで構成される
5-Lead SOT-23 (MCP601 と MCP601R のみ ) 例 :
XXNN 04NN
6-Lead SOT-23A (MCP603 のみ )
XXNN
例 :
04NN
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 15
MCP601/2/3/4
パッケージマーキング情報
XXXXXXXXXXXXXNNN
YYWW
8-Lead PDIP (300 mil) 例 :
8-Lead SOIC (150 mil) 例 :
XXXXXXXXXXXXYYWW
NNN
MCP601I/P256
0424
MCP601I/SN0324
256
8-Lead TSSOP 例 :
XXXX
XYWW
NNN
601
I324
256
14-Lead PDIP (300 mil) (MCP604 のみ ) 例 :
14-Lead SOIC (150 mil) (MCP604 のみ ) 例 :
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX
YYWWNNN
XXXXXXXXXXX
YYWWNNN
MCP604-I/PXXXXXXXXXXXXXX
0424256
XXXXXXXXXXXMCP604ISL
0424256XXXXXXXXXXX
XXXXXXXX
NNN
YYWW
14-Lead TSSOP (4.4mm) (MCP604 のみ ) 例 :
604I
256
0324
DS21314F_JP-page 16 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
5-Lead Plastic Small Outline Transistor (OT) (SOT-23)10501050βモールド抜き角頂部
10501050αモールド抜き角底部
0.500.430.35.020.017.014Bリード幅
0.200.150.09.008.006.004cリード厚
10501050φ足角
0.550.450.35.022.018.014L足長
3.102.952.80.122.116.110D全長
1.751.631.50.069.064.059E1モールドパッケージ幅
3.002.802.60.118.110.102E全幅
0.150.080.00.006.003.000A1スタンドオフ § 1.301.100.90.051.043.035A2モールドパッケージ厚
1.451.180.90.057.046.035A全高
1.90.075p1リード両端ピッチ ( 基本 )0.95.038pピッチ
55nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータインチ *単位
1
p
DB
n
E
E1
L
c
βφ
α
A2A
A1
p1
* 制御パラメータ
注:D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-178Drawing No. C04-091
§ 有意特性
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 17
MCP601/2/3/4
6-Lead Plastic Small Outline Transistor (CH) (SOT-23)10501050βMold Draft Angle Bottom
10501050αMold Draft Angle Top
0.500.430.35.020.017.014BLead Width
0.200.150.09.008.006.004cLead Thickness
10501050φFoot Angle
0.550.450.35.022.018.014LFoot Length
3.102.952.80.122.116.110DOverall Length
1.751.631.50.069.064.059E1Molded Package Width
3.002.802.60.118.110.102EOverall Width
0.150.080.00.006.003.000A1Standoff
1.301.100.90.051.043.035A2Molded Package Thickness
1.451.180.90.057.046.035AOverall Height
1.90.075p1Outside lead pitch (basic)
0.95.038pPitch
66nNumber of Pins
MAXNOMMINMAXNOMMINDimension Limits
MILLIMETERSINCHES*Units
1
DB
n
E
E1
L
c
β
φ
α
A2A
A1
p1
exceed .005" (0.127mm) per side.
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not
Notes:
JEITA (formerly EIAJ) equivalent: SC-74A
Drawing No. C04-120
*Controlling Parameter
DS21314F_JP-page 18 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)B1
B
A1
A
L
A2
p
α
E
eB
β
c
E1
n
D
1
2
単位 インチ * ミリメータ
寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 8 8ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面から底部 A1 .015 0.38肩間幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .360 .373 .385 9.14 9.46 9.78先端から実装面 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38上部リード幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78下部リード幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56全実装幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部 β 5 10 15 5 10 15* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から
JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-018
.010” (0.254mm) 以上はありません。
§ 有意特性
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 19
MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Small Outline (SN) – Narrow, 150 mil (SOIC)足角 φ 0 4 8 0 4 8
1512015120βモールド抜き角底部
1512015120αモールド抜き角頂部
0.510.420.33.020.017.013Bリード幅
0.250.230.20.010.009.008cリード厚
0.760.620.48.030.025.019L足長
0.510.380.25.020.015.010h面取り長
5.004.904.80.197.193.189D全長
3.993.913.71.157.154.146E1モールドパッケージ幅
6.206.025.79.244.237.228E全幅
0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚
1.751.551.35.069.061.053A全高
1.27.050pピッチ
88nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータインチ *単位
2
1
D
n
p
B
E
E1
h
Lβ
c
45°
φ
A2
α
A
A1
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。.JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-057
§ 有意特性
DS21314F_JP-page 20 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
8-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm (TSSOP)10501050βモールド抜き角底部
10501050αモールド抜き角頂部
0.300.250.19.012.010.007Bリード幅
0.200.150.09.008.006.004cリード厚
0.700.600.50.028.024.020L足長
3.103.002.90.122.118.114Dモールドパッケージ長
4.504.404.30.177.173.169E1モールドパッケージ幅
6.506.386.25.256.251.246E全幅
0.150.100.05.006.004.002A1スタンドオフ §0.950.900.85.037.035.033A2モールドパッケージ厚
1.10.043A全高
0.65.026pピッチ
88nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータ *インチ単位
α
A2
A
A1
L
c
β
φ
1
2D
n
p
B
E
E1
足角 φ 0 4 8 0 4 8
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .005” (0.127mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-153Drawing No. C04-086
§ 有意特性
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 21
MCP601/2/3/4
14-Lead Plastic Dual In-line (P) – 300 mil (PDIP)E1
n
D
1
2
eB
β
E
c
A
A1
B
B1
L
A2
p
α
単位 インチ * ミリメータ
寸法限界 MIN NOM MAX MIN NOM MAXピン数 n 14 14ピッチ p .100 2.54実装面から上面 A .140 .155 .170 3.56 3.94 4.32モールドパッケージ厚 A2 .115 .130 .145 2.92 3.30 3.68実装面から底面 A1 .015 0.38肩間幅 E .300 .313 .325 7.62 7.94 8.26モールドパッケージ幅 E1 .240 .250 .260 6.10 6.35 6.60全長 D .740 .750 .760 18.80 19.05 19.30実装面から先端 L .125 .130 .135 3.18 3.30 3.43リード厚 c .008 .012 .015 0.20 0.29 0.38上部リード幅 B1 .045 .058 .070 1.14 1.46 1.78下部リード幅 B .014 .018 .022 0.36 0.46 0.56実装全幅 § eB .310 .370 .430 7.87 9.40 10.92モールド抜き角頂部 α 5 10 15 5 10 15
β 5 10 15 5 10 15モールド抜き角底部
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-001Drawing No. C04-005
§ 有意特性
DS21314F_JP-page 22 © 2006 Microchip Technology Inc.
MCP601/2/3/4
14-Lead Plastic Small Outline (SL) – Narrow, 150 mil (SOIC)足角 φ 0 4 8 0 4 8
1512015120βモールド抜き角底部
1512015120αモールド抜き角頂部
0.510.420.36.020.017.014Bリード幅
0.250.230.20.010.009.008cリード厚
1.270.840.41.050.033.016L足長
0.510.380.25.020.015.010h面取り長
8.818.698.56.347.342.337D全長
3.993.903.81.157.154.150E1モールドパッケージ幅
6.205.995.79.244.236.228E全幅
0.250.180.10.010.007.004A1スタンドオフ §1.551.421.32.061.056.052A2モールドパッケージ厚
1.751.551.35.069.061.053A全高
1.27.050pピッチ
1414nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータインチ *単位
2
1
D
p
nB
E
E1
h
L
c
β
45°
φ
α
A2A
A1
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .010” (0.254mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MS-012Drawing No. C04-065
§ 有意特性
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 23
MCP601/2/3/4
DS21314F_JP-page 24 © 2006 Microchip Technology Inc.
14-Lead Plastic Thin Shrink Small Outline (ST) – 4.4 mm (TSSOP)
840840φ足角
10501050βモールド抜き角底部
10501050αモールド抜き角頂部
0.300.250.19.012.010.007Bリード幅
0.200.150.09.008.006.004cリード厚
0.700.600.50.028.024.020L足長
5.105.004.90.201.197.193Dモールドパッケージ長
4.504.404.30.177.173.169E1モールドパッケージ幅
6.506.386.25.256.251.246E全幅
0.150.100.05.006.004.002A1スタンドオフ §0.950.900.85.037.035.033A2モールドパッケージ厚
1.10.043A全高
0.65.026pピッチ
1414nピン数
MAXNOMMINMAXNOMMIN寸法限界
ミリメータ *インチ単位
Lβ
c
φ
2
1
D
nB
p
E1
E
α
A2A1
A
* 制御パラメータ
注 :D と E1 の寸法はモールドのはみ出しや突出部を含みません。 モールドのはみ出しや突出部は側面から .005” (0.127mm) 以上はありません。JEDEC 準拠 : MO-153Drawing No. C04-087
§ 有意特性
MCP601/2/3/4
製品識別システム
注文や資料請求、または価格や納期などの照会は工場もしくは後述のセールスオフィスへお問い合わせください .
販売とサポート
データシート製品はまず最初にデータシートでサポートされます。データシートにはささいな動作の差異や推奨される修正方法について記述したエラッタシートも含まれます。あるデバイスのエラッタシートの有無を確認したいときは、下記のいずれかに連絡して下さい。1. 貴社の国内マイクロチップ代理店2. The Microchip Corporate Literature Center U.S. FAX: (480) 792-72773. The Microchip Worldwide Site (www.microchip.com)
デバイスと、シリコンのレビジョンと、お使いのデータシート(文書番号を含んだ)を明記して下さい。
新カスタマ通報システムウェブサイト (www.microchip.com) に登録すれば、製品の最新の情報を受け取れます。.
デバイス MCP601Single Op Amp
MCP601TSingle Op Amp(SOT23, SOIC,TSSOP はテープでリール )
MCP601RTSingle Op Amp(SOT23-5 はテープでリール )
MCP602Dual Op AmpMCP602TDual Op Amp
(SOIC と TSSOP はテープでリール )MCP603Single Op Amp with Chip SelectMCP603TSingle Op Amp with Chip Select
(SOT23, SOIC,TSSOP はテープでリール )MCP604Quad Op AmpMCP604TQuad Op Amp
( SOIC と TSSOP はテープでリール )
温度範囲 I = -40°C ~ +85°CE = -40°C ~ +125°C
パッケージ OT = Plastic SOT23, 5-lead (MCP601 のみ )CH = Plastic SOT23, 6-lead (MCP603 のみ )P = Plastic DIP (300 mil Body), 8, 14-leadSN = Plastic SOIC (150 mil Body), 8-leadSL = Plastic SOIC (150 mil Body), 14-leadST = Plastic TSSOP (4.4mm Body), 8, 14-lead
PART NO. X /XX
パッケージ温度範囲デバイス
Examples:
a) MCP601-I/P: Single Op Amp,工業温度品 ,8LD PDIP パッケージ .
b) MCP601-E/SN: Single Op Amp, 拡張温度品 , 8LD SOIC パッケージ
c) MCP601T-I/OT: テープでリール工業温度品 ,Single Op Amp,5-LD SOT23 パッケージ .
d) MCP601T-E/ST: テープでリール拡張温度品 ,Single Op Amp,8LD TSSOP パッケージ
e) MCP601RT-E/OT: テープでリール ,拡張温度品 ,Single Op Amp, Rotated,5-LD SOT23 パッケージ
a) MCP602-I/SN: Dual Op Amp,工業温度品8LD SOIC パッケージ
b) MCP602-E/P: Dual Op Amp,拡張温度品 ,8LD PDIP パッケージ
c) MCP602T-E/ST: テープでリール ,拡張温度品 ,Dual Op Amp,8LD TSSOP パッケージ
a) MCP603-I/SN: 工業温度品 ,Single Op Amp with ChipSelect,8LD SOIC パッケージ
b) MCP603-E/P: 拡張温度品 ,Single Op Amp with Chip Select, 8LD PDIP パッケージ
c) MCP603T-E/ST: テープでリール ,拡張温度品 ,Single Op Amp with ChipSelect, 8LD TSSOP パッケージ
d) MCP603T-I/SN: テープでリール ,工業温度品 ,Single Op Amp with Chip Select, 8LD SOIC パッケージ
a) MCP604-I/P: 工業温度品 ,Quad Op Amp,14LD PDIP パッケージ .
b) MCP604-E/SL: 拡張温度品 ,Quad Op Amp,14LD SOIC パッケージ
c) MCP604T-I/ST: テープでリール ,工業温度品 ,Quad Op Amp,14LD TSSOP パッケージ .
© 2006 Microchip Technology Inc. DS21314F_JP-page 25
MCP601/2/3/4
ノート :DS21314F_JP-page 26 © 2006 Microchip Technology Inc.
マイ ク ロチ ッ プ デバイスのコー ド保護についての詳細
マイ ク ロチ ッ プ製品は、 マイ ク ロチ ッ プが発行するデータ シー ト に記載された仕様を満た し ています。
マイ ク ロチ ッ プの製品フ ァ ミ リは、 正常かつ通常条件下で使用される限り、 現在の半導体市場で最も確実で安全な製品です。
コー ド 保護を侵害する不正または不法な行為、 または、 マイ ク ロチ ッ プが発効するデータ シー ト に記載されている仕様範囲外でマ
イ ク ロチ ッ プ製品を使用し不正または不法な行為を行った場合は、 知的財産の侵害と な り ます。
マイ ク ロチ ッ プは、 コー ドの完全性について懸念される カス タ マをサポー ト し ます。
マイ ク ロチ ッ プおよびその他の半導体メ ーカは、 コー ドのセキュ リ テ ィ を保証し てお り ません。 コー ド保護機能は、 製品が破損し な
いこ と を保証する ものではあ り ません。
コー ド 保護機能は常に改善されています。 マイ ク ロチ ッ プでは、 弊社の製品のコー ド 保護機能に対し て不断な努力を重ねてお り ま
す。 弊社のコー ド 保護機能を侵害する行為は、 デジ タル ミ レニアム著作権法 (DMCA) に違反し ます。 カス タ マのソ フ ト ウ ェ アまた
はその他の著作物への不正アクセスが生じ た場合は、 この著作権法に則り訴訟を起こす場合があ り ます。
この文書に含まれるデバイス アプ リ ケーシ ョ ンに関する情
報は、 ユーザーが任意で入手可能できるため、 入手した文書
が常に最新版である とは限り ません。 したがって、 ユーザー
アプリ ケーシ ョ ンが製品仕様を満たしているかの判断はユー
ザー側の責任と します。
マイ ク ロチップは、 条件、 品質、 パフォーマンス、 市場性ま
たは適合性を含む関連情報 ( この限りではない ) が、 明示また
は暗示、 書面または口頭、 制定内またはそ うでない場合でも
いかなる種類の保証を致しかねます。
マイク ロチッ プは、 こ の情報と その使用に起因する全ての責
任を負いかねます。 生命維持装置の重要な構成要素と してマ
イク ロチッ プ製品を使用する場合は、 マイク ロチッ プによる
正式な書面での承認以外は認可されません。 いかなる知的所
有権の下でも 、 明示的またはその他のライセンスの譲渡は認
められません。
DS21314F_JP-page 27
商標
マイクロチップの名前およびロゴ (Microchip logo、 Accuron、dsPIC、 KEELOQ、 microID、 MPLAB、 PIC、 PICmicro、PICSTART、 PRO MATE、 PowerSmart、 rfPIC、 および SmartShunt ) は、 米国およびその他の国において登録され た、 Microchip Technology Incorporated の商標です 。AmpLab, FilterLab、 Migratable Memory、 MXDEV、 MXLAB、 PICMASTER、 SEEVAL、 SmartSensor、 および Embedded Control Solutions Company は、 米国において登録された、 Microchip Technology Incorporated の商標です。
Analog-for-the-Digital Age、 Application Maestro、 dsPICDEM、
dsPICDEM.net、 dsPICworks、 ECAN、 ECONOMONITOR、FanSense、 FlexROM、 fuzzyLAB、 In-Circuit Serial Programming、ICSP、 ICEPIC、 Linear Active Thermistor、 MPASM、 MPLIB、MPLINK、 MPSIM、 PICkit、 PICDEM、 PICDEM.net、 PICLAB、PICtail、 PowerCal、 PowerInfo、 PowerMate、 PowerTool、 rfLAB、 rfPICDEM、 Select Mode、 Smart Serial、 SmartTel、 Total Endurance、 および WiperLock は、 米国およびその他の国にお
ける、 Microchip Technology Incorporated の商標です。
SQTP は、 米国における、 Microchip Technology Incorporated のサービ ス商標です 。
ここに示されるその他の商標はそれぞれの企業の著作物です。
© 2006, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.
再生紙を使用しています。
© 2006 Microchip Technology Inc.
マイ ク ロチップ社は、 2003 年 10 月に本社、 設計およびウエハ工場 ( ア リ ゾナ州チャンド ラーおよびテンピー、 カ リ フォルニア州マウンテンビュー ) 品質システムが、 ISO/TS-16949:2002 の認証を取得しました。 マイ クロチップの品質システムプロセスおよび手順は、PICmicro® 8 ビッ ト MCU、KEELOQ® コード ホッピング デバイス、シ リアル EEPROM、 マイ ク ロペリ フェラル、 不揮発性メモ リ、 およびアナログ製品を使用しています。 また、 マイ ク ロチップの開発システムの設計および製造は、 ISO 9001:2000 の認定を取得しています。
DSTEMP
DS21314F_JP-page 28 © 2006 Microchip Technology Inc.
DS21314F_JP-page 1 © 2006 Microchip Technology Inc.
AMERICASCorporate Office2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277Technical Support: http://support.microchip.comWeb Address: www.microchip.comAtlantaAlpharetta, GA Tel: 770-640-0034 Fax: 770-640-0307BostonWestborough, MA Tel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088ChicagoItasca, IL Tel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075DallasAddison, TX Tel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924DetroitFarmington Hills, MI Tel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260KokomoKokomo, IN Tel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387Los AngelesMission Viejo, CA Tel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608Santa ClaraSanta Clara, CA Tel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445TorontoMississauga, Ontario, CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509
ASIA/PACIFICAsia Pacific OfficeSuites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHabour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431Australia - SydneyTel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755China - BeijingTel: 86-10-8528-2100 Fax: 86-10-8528-2104China - ChengduTel: 86-28-8665-5511Fax: 86-28-8665-7889China - FuzhouTel: 86-591-8750-3506 Fax: 86-591-8750-3521China - Hong Kong SARTel: 852-2401-1200 Fax: 852-2401-3431China - QingdaoTel: 86-532-8502-7355Fax: 86-532-8502-7205China - ShanghaiTel: 86-21-5407-5533 Fax: 86-21-5407-5066China - ShenyangTel: 86-24-2334-2829Fax: 86-24-2334-2393China - ShenzhenTel: 86-755-8203-2660 Fax: 86-755-8203-1760China - ShundeTel: 86-757-2839-5507 Fax: 86-757-2839-5571China - WuhanTel: 86-27-5980-5300Fax: 86-27-5980-5118China - XianTel: 86-29-8833-7250Fax: 86-29-8833-7256
ASIA/PACIFICIndia - BangaloreTel: 91-80-4182-8400 Fax: 91-80-4182-8422India - New DelhiTel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632India - PuneTel: 91-20-2566-1512Fax: 91-20-2566-1513Japan - YokohamaTel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122Korea - GumiTel: 82-54-473-4301Fax: 82-54-473-4302Korea - SeoulTel: 82-2-554-7200Fax: 82-2-558-5932 or 82-2-558-5934Malaysia - PenangTel: 60-4-646-8870Fax: 60-4-646-5086Philippines - ManilaTel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069SingaporeTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850Taiwan - Hsin ChuTel: 886-3-572-9526Fax: 886-3-572-6459Taiwan - KaohsiungTel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803Taiwan - TaipeiTel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102Thailand - BangkokTel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350
EUROPEAustria - WelsTel: 43-7242-2244-39Fax: 43-7242-2244-393Denmark - CopenhagenTel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829France - ParisTel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79Germany - MunichTel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44Italy - Milan Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781Netherlands - DrunenTel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340Spain - MadridTel: 34-91-708-08-90Fax: 34-91-708-08-91UK - WokinghamTel: 44-118-921-5869Fax: 44-118-921-5820
全世界の販売及びサービス拠点
10/19/06