非接触給電 WPC1.1 Qi規格）対応レシーバー用 - …...AN32258A Page 1 of 30 製品規格 Ver.2.0 非接触給電レシーバー側制御機能搭載 WPC v1.1準拠通信制御

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非接触給電レシーバー側制御機能搭載 WPC v1.1準拠通信制御

同期整流フルブリッジ制御

入力電圧範囲 : Vrect : 4.4～19V

選択可能な出力電圧設定: 5V

温度検出回路

検出電流調整が可能な満充電検出機能

外部電源接続機能

保護機能 : 低電圧誤動作防止 (UVLO)、過熱保護 (TSD)、

過電圧検出 (OVD)、過電流保護 (OCP)

LEDインジケーター

ウェハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP タイプ)

48ピン

(サイズ : 3.16mm 3.16mm, 0.4mm ピッチ)

アプリケーション

特長概要

非接触給電 WPC1.1（Qi規格）対応レシーバー用IC

AN32258Aは,WPC（Wireless Power Consortium：ワイヤ

レスパワーコンソーシアム）で策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 バージョン

1.1に準拠した非接触給電用コントローラICです。

本ICは、Qi準拠である全ての充電台上において、受電側の

パワーレシーバーとして使用されるレシーバー制御用ICです。

Qi準拠のあらゆる充電台上で、本ICが搭載された携帯機器

は充電動作が可能です。

・WPC準拠レシーバー

・携帯電話、スマートフォン

・ヘッドセット

・デジタルカメラ

・タブレット

・ポータブルメディアプレーヤー etc.

応用回路例

http://www.semicon.panasonic.co.jp/jp/

Cd

Control

Cs

RXCoil

Cp

Rec

tifie

r

TXCoil

Wireless Power

Communication

VRECT

Tx

Inve

rter

VIN

+

OUT

Transmitter (Tx) Receiver (Rx) 送電側受電側

AN32258

Charger

NN32251

Co

IOUT

AN32258Aは本データシート及びアプリケーションノート

記載の回路及び部品の使用を推奨しております。

そのため、部品等を変更した場合は当社では、サポート

できませんので、十分に評価・検証を実施の上、お客様

の責任でご使用ください。

Doc No. TA4-EA-06273Revision. 1

Established : 2014-10-22Revised : ####-##-##

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目次

特徴 ……………………………………………………………………… 1

概要 ……………………………………………………………………… 1

アプリケーション ……………………………………………………………………… 1

応用回路例 ………………………………………………………………………1,14

絶対大定格 ……………………………………………………………………… 3

定格消費電力 ……………………………………………………………………… 4

推奨動作条件 ……………………………………………………………………… 4

電気的特性 ……………………………………………………………………… 5

ピン配置 ……………………………………………………………………… 8

端子説明 ……………………………………………………………………… 9

ブロック図 ………………………………………………………………………14

動作説明 ………………………………………………………………………15

パッケージ情報 ………………………………………………………………………29

重要事項 ………………………………………………………………………30



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項目略号定格単位注

電源電圧VRECT 20 V

*1VEXT 6.9 V

出力電流 IRECT — A *1

動作周囲温度範囲 Topr – 30 to + 85 C *2

動作接合温度範囲 Tj – 40 to +125 C *2

保存温度範囲 Tstg – 50 to + 125 C *2

入力電圧範囲

VTD2, VTD1, VSC2, VSC1、

VISENSE1– 0.3 to 20 V *1

VOUT, VLED – 0.3 to 12 V *1

VVTH, VFCCNT, VFODG,

VFULLCH, VFOD, VFODL

– 0.3 to (VVREG34V + 0.3) V *1

出力電圧範囲

VVPGATE – 0.3 to (VRECT + 0.3) V *1

VDT1H – 0.3 to(Vsc1 + VVREG47V+ 0.3) V *1

VDT2H – 0.3 to(Vsc2 + VVREG47V+ 0.3) V *1

VDT2L, VDT1L – 0.3 to ( VVREG47V + 0.3 ) V *1

VEXTCNT – 0.3 to ( VEXT + 0.3 ) V *1

VMEMBAT – 0.3 to (VVREG34V + 0.3) V *1

ESD耐量

TD2 1.0 kV —

HBM (Human Body Model)

ISENSE1, ISENSE2, ISENSE1-S, ISENSE1-S1

1.5 kV —

HBM (Human Body Model)

上記ピン以外2 kV —

絶対大定格

オーダー情報

注文番号パッケージ梱包小梱包単位

AN32258A-PR 48ピン WLCSP(3.2×3.2mm）エンボステーピング 5000pcs

注 : 上記の絶対大定格を超えるストレスを与えた場合、本製品に恒久的な損傷を与えることがあります。

これはストレスの定格についての規定であり、推奨動作範囲の項目に記載する値以上でのデバイス動作を保証するものではありません。

絶対大定格の状態に長時間置くと、本製品の信頼性に影響を与えることがあります。

上記に記載のない端子には外部からの電圧や電流の入力を禁止します。

定格電圧値はGNDに対する各端子の電圧です。GNDとはGND、GND1、GND2の電圧です。

VREG34V及びVREG47Vは6Vを超えてはいけません。

*1 : 定格消費電力を超えない範囲で使用した場合を示します。

*2 : 許容損失、動作周囲温度範囲、動作接合温度範囲および保存温度の項目以外はすべて Ta = 25C とします。



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推奨動作条件

パッケージ j-a j-CPD

(Ta = 25 C)PD

(Ta = 85 C)注

ウェハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP タイプ)

631.4 C / W 7.2 C /W 0.158 W 0.0632W *1

定格消費電力

注 : *1 :実使用時，パッケージ規格書のPD-Ta特性図を参照のうえ，電源電圧，負荷，周囲温度条件に基づき，許容値を超えないよう

十分なマージンを持った熱設計をお願いします。

静電気放電対策

このデバイスは， ESD（静電破壊）保護機能を内蔵していますが，高エネルギーの静電放電を被った場合損傷を生じる可能性がありますので，適切な予防処置を行って下さい。

*2 : 絶対大定格，許容損失を超えない範囲で使用した場合を示します。

項目記号 Min Typ Max 単位注

電源電圧範囲VRECT 4.4 8 19 V

*2VEXT 4.4 5 6 V

入力電圧範囲

VISENSE1 4.4 8 19 V

VDETIN -0.3 — 20 V

VTD2 -0.3 — 20 V

VTD1 -0.3 — 20 V

VSC2 -0.3 — 20 V

VSC1 -0.3 — 20 V

VOUT -0.3 — 7 V

VLED -0.3 — 7 V

VVTH -0.3 — VVREG34V + 0.3 V

VFCCNT -0.3 — VVREG34V + 0.3 V

VFODG -0.3 — VVREG34V + 0.3 V

VFULLCH -0.3 — VVREG34V + 0.3 V

VFOD -0.3 — VVREG34V + 0.3 V

注 : 上記に記載のない端子には外部からの電圧や電流の入力を禁止します。



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電気的特性特に規定の無い限り、 CO = 10 µF、 VRECT = 8 V、周囲温度 Ta = 25 C 2 C

項目記号条件許容値

単位注Min Typ Max

電源電流

静止時消費電流 ISTBY 10 12 14 mA

減電圧保護(UVLO)

減電圧検知 VUVLO VRECT : 0V -> 5V 3.29 3.5 3.71 V

ヒステリシス幅 VUVLOHY VRECT : 5V -> 3V — 0.7 — V *1

過電圧保護(OVP)

入力過電圧スレッシュ値 VOVP VRECT : 5V -> 19V 17 18 19 V

ヒステリシス幅 VOVPOHY VRECT : 19V -> 5V — 4 — V *1

VRECT (5W, LDO)

VRECT Threshold1 VRECTTH1

電流増加時：IOUT<125mA

電流減少時：IOUT<60mA— 8 — V *1


電流増加時：125mA<IOUT<420mA

電流減少時：60mA<IOUT<360mA

— 5.4 — V *1


電流増加時：IOUT>420mA

電流減少時：IOUT>360mA— 5.1 — V *1

出力電圧

VOUT (5W, LDO)

VOUT1 VRECT=8V ,IOUT=10mA 4.76 5 5.24 V

VOUT2 VRECT=5.1V ,IOUT=1000mA 4.76 — — V

注）*1 ：設計センター値です



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電気的特性（続き）特に規定の無い限り、 CO = 10 µF、 VRECT = 8 V、周囲温度 Ta = 25 C 2 C



温度検出部 [サーミスタ：ERTJ0EV104F]

高温異常検出電圧 VTH

60 C detection

VTHR：47 kohm (1%)0.887 0.975 1.069 V

過電流保護

過電流検出電圧 VOCPL — 1.25 1.5 1.75 A

熱保護(TSD)

熱保護動作温度 Tj — — 150 — C *1

ヒステリシス幅 Tjhys — — 20 — C *1

Ext電圧検出

VEXT 立上りスレッシュ電圧 VEXTTH 3.99 4.2 4.41 V

ヒステリシス幅 VEXTHY — 0.4 — V *1

端子電圧(FULLCH)

‘H’入力スレッシュ電圧(Termination) VIH1 — 1.6 — — V

‘L’ 入力スレッシュ電圧 VIL1 — -0.2 — 0.2 V

端子電圧 (FODL)

‘H’入力スレッシュ電圧(Termination) VIH1 — 1.6 — — V

‘L’ 入力スレッシュ電圧 VIL1 — -0.2 — 0.2 V

注）*1 ：設計センター値です



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電気的特性（続き）特に規定の無い限り、 CO = 10 µF、 VRECT = 8 V、周囲温度 Ta = 25 C 2 C



LEDCNT

LED Sat LEDSAT ILED = 20mA — — 0.5 V —

LED リーク電流 LEDLEAK LED = 7.5V — — 10 μA —



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端子配置

Top View

VRECT

BT2SELHV

VREG34V

LEDVREG47V

BT1

ISENSE1

DT1HOUTHP

SELHP

SELOSR

FODL ENI2C

DT2HISENSE_S1

SELVER

GNDFULLCH

FOD

ISENSE_S

SC1MEMBAT

TEST1 SC2_SVREG47V_S

VIO

ISENSE2

SC2VTHVREG34V_S

EXTCLK

FCCNT

FODG

GND DT1LEXTCNT

EXT SCL SDA DETIN

TEST2 DT2LGNDPGATE

OUT TD2 TD1

1 2 3 4 5 6 7

A

G

F

E

D

C

B



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端子説明

番号端子名タイプ説明補足説明

A1 TEST2 I テスト端子2弊社検査確認用端子です。GNDへ接続してください。(お客様ではご使用になれません)

A2,

B1,

E4

GND GND GND 端子－

A3 PGATE O LDO 制御スイッチ端子 LDO出力PMOSのゲート制御端子

A4 OUT I LDO フィードバック端子 LDO出力PMOSのドレイン接続端子

A5 TD2 O 送信用負荷容量駆動端子2 Qi通信時の容量負荷変調制御端子

A6 TD1 O 送信用負荷容量駆動端子1 Qi通信時の容量負荷変調制御端子

A7 DT2L O 整流スイッチゲートコントロール端子L側2 －

B2 EXTCNT O 外付けスイッチ制御端子

外部電圧切替えスイッチ機能で使用します。NMOSオープンドレイン端子です。2mA以下で御使用ください。EXT(B3)端子に電圧(TYP：4.2V以上)印加されると、EXTCNT(B2)がLowとなり、外部電圧切替え外付けMOSスイッチがONするように制御します。本機能を実現するためには切り替えスイッチ用の外付けMOS、容量、抵抗が必要となります。

B3 EXTPower

Supply外部入力検出端子

外部電圧切替えスイッチ機能で使用します。EXT(B3)端子に電圧(TYP：4.2V以上)印加で、 EXTCNT(B2)がLow 、LDO出力(A4)はLowになります。これにより、非接触給電の出力を停止し、EXT端子に印加された電圧がOUTへ出力されます。同時に、Qi通信により送電側の送電を停止します。本機能を実現するためには切替えスイッチ用の外付けMOS、容量、抵抗が必要となります。

B4 SCL I テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

B5 SDA I/O テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)



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端子説明 (続き)


B6 DETIN I テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

B7 DT1L O 整流スイッチゲートコントロール端子L側1 －

C1 ISENSE2 I 電流検出端子2LDO出力電流(Iout)の電流を検出します。通常使用では、ISENSE1-S1(E2)端子とショートしてください。

C2 VTH I サーミスタ接続端子

サーミスタにより周囲温度を検出します。温度を検出されたい所にサーミスタを配置してください。未使用時は、VREG34V(G3)へ接続ください。

C3 VREG34V_S O 内部レギュレータ出力端子VREG34V(G3)のセンス端子です。内部で、 VREG34V(G3)にショートしています。

C4 EXTCLK I テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)



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C5 FCCNT I フルチャージ制御端子

満充電の自動検出機能で使用します。本端子に対GNDで接続される抵抗値により、満充電電流（終止電流）の検出レベルを設定し、本ICが自動で満充電状態を検出して送電側に満充電状態であることを伝送します。FULLCH（E5）端子を使用した満充電の外部制御ができない場合などに、終止電流を利用した満充電検出を行いたい場合にお使いいただけます。例)対GNDに100kohmを接続した場合、出力電流(Iout)が80mA以下になるとLDOの出力をLowに落とすと共に、Qi通信により、送電(充電台)側に満充電状態であることを伝送します。電流の検出は電力供給開始後5秒後から開始されます。

C6 FODG I 異物検出ゲイン調整端子

本端子に対GNDで接続される抵抗値により、WPCスペックでのReceived Power Packetのゲインレベルを設定します。10k～180kohmの範囲内でゲインレベルが可変します。

C7 SC2 I 同期整流検出端子2 RXコイルの電圧レベルを検出します

D1 ISENSE1_S I 電流検出端子1

LDO出力電流(Iout)の電流を検出します。ISENSE1(F1)とISENSE1-S(D1)間のIC内部に電流センス抵抗(50mohm)を挿入しています。通常使用では、LDO出力PMOSソースへ接続します。

D2 MEMBAT O 乱数記憶時間調整端子乱数保持用の端子です。推奨容量(1uF/10V/B特)を接続してください。

D3 TEST1 O テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

D4 SC2_S I 整流検出端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

D5 VREG47V_S O 内部レギュレータ出力端子VREG47V(G5)のセンス端子です。内部で、 VREG47V(G5)にショートしています。

D6 VIOPower

Supplyテスト端子

弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)




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D7 SC1 I 同期整流検出端子1RXコイル共振回路の電圧レベルを検出します

E2 ISENSE1_S1 I 電流検出端子LDO出力電流(Iout)の電流を検出します。通常使用では、ISENSE2(C1)端子とショートしてください。

E3 SELVER I テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

E5 FULLCH I フルチャージ信号端子

満充電検出の外部制御端子です。 (例；MCU入力)IC側は、High信号(min1.6V)が50us以上で「満充電」と認識され、Qi通信によって送電(充電台)側に連続送電停止を制御します。満充電検出後、端子信号をLowにすると再充電への対応が可能です。

E6 FOD O 異物検出調整端子

本端子に対GNDで接続される抵抗値により、WPCスペックでのReceived Power Packetのオフセットレベルを設定します。例)対GNDに100kohm接続すると、オフセットレベルはゼロとなります。(※詳細は、後述の機能説明異物検出のオフセット設定: FOD端子ご参照)

E7 DT2H O 整流スイッチゲートコントロール端子H側2 －

F1 ISENSE1 I 電流検出端子

LDO出力電流(Iout)の電流を検出します。ISENSE1(F1)とISENSE1-S(D1)間のIC内部に電流センス抵抗(50mohm)を挿入しています。




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F2 OUTHP O テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

F3 SELHP I テスト端子弊社検討用端子ですのでGNDに接続してください。(お客様ではご使用になれません)

F4 SELOSR I テスト端子弊社検討用端子ですのでGNDに接続してください。(お客様ではご使用になれません)

F5 FODL I 異物検出調整端子

本端子にHigh信号(Min1.6V)を入力すると、LDOの出力電流(IOUT)が軽負荷時において、WPCスペックでのReceived Power Packetのオフセットレベルを設定します。GND：オフセット追加なしHigh(Min1.6V以上)：オフセット追加

F6 ENI2C O テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

F7 DT1H O 整流スイッチゲートコントロール端子H側1 －

G1 VRECTPower Supply

電源（同期整流側）端子整流後のDC電圧入力端子です。本ICの電源電圧になります。

G2 SELHV I テスト端子弊社検討用端子ですのでOPENとしてください。(お客様ではご使用になれません)

G3 VREG34V O 内部レギュレータ出力端子－

G4 LED O LED制御端子NMOSオープンドレイン端子です。NMOSゲートをLDO出力電圧立ち上がり時にON制御します。

G5 VREG47V O 内部レギュレータ出力端子－

G6 BT1 O ブートストラップ端子1 同期整流制御回路に使用します

G7 BT2 O ブートストラップ端子2 同期整流制御回路に使用します




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ブロック図・応用回路例

BT1

TD2

TD1

BT2

VRECT

Charge IC

OUT

PGATE

VR

EG

34V

DT1H

DT2H

DT1L

DT2L

SC1

SC2

SynchronousRectifierControl

LDOLOGIC

EXTDET

LEDCNT

LED

EX

TC

NT

VINDET

I2C

SC

L

VIO

SD

A

ADC

OSC

ISENSE2

ME

MB

AT

VR

EG

47V

Regulator

FU

LLC

H

VT

H

SE

LHV

DETIN

VREGDET

BGR

Regulator

TE

ST

2

FOD

SE

LOS

R

68nF68nF68nF

0.1 uF 0.1uF

33nF

33nF

ERTJ0EV104F

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1000 pF

A6

A5

F7

E7

D7

C7

B7

A7

G6

G7

G5D5

VR

EG

47V

_S

VR

EG

34V

_S

C2 G3 C3 B4 B5 D6

FODG

FCCNT

FODILIMFCCNTVTHSELHV

E6

C6

C5

G2

To

AD

C

To ADC

To ADC

To ADC

F4

A4

OVPDET

To

Logi

c

SE

LVE

R

E3

D2

A3

C1

ISENSE1-S1E2

ISENSE1-SD1

ISENSE1F1

G1

G4

E5

To

Logi

c

C4

EX

TC

LK

D4SC2_S

EX

T

B3F5

FO

DL

To

Logi

c

OUTHPF2From Logic

F6

EN

I2C

NF

rom

Log

ic

1 uF

A2

E4

B1

GND2

GND1GND

TE

ST

1

D3 A1

1 uF 1 uF47 kΩ

4.7 uF

Co=10 uF

560 Ω

MTM68411

1 MΩ1 uF

SELHPF3To Logic

VREG34V

82kΩ(±1%)

56kΩ(±1%)

Current DETFC8V33030L

MTM23123

L1

FC8V33030L

注 : ブロック図は、機能を説明するため、一部省略、簡素化している場合があります。

また、この応用回路は一例であり、量産セットの動作を保証するものではありません。

量産セットを設計する際は、十分に評価・検証を実施した上、お客様の責任でご使用ください。

680

pF

B6

B2

L1:WR464650-12K5-P2



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動作説明

本ICは、以下の機能を搭載しています。

番号機能

1 満充電制御

2 過電流制御

3 異物検出

4 温度異常検出

5 VRECT電圧制御

6 LED表示

7 外部電圧切替え

1.満充電制御

本ICは、2通りの満充電検出方法があります。

1-1. 外部制御による検出方法：FULLCH端子 (端子No. E5)本ICは、FULLCH端子から入力される信号が、”H”の場合は満充電検出、 ”L”の場合は満充電未検出と

判別します。

満充電検出信号が入力されると1次側に“End Power Transfer packet”を送信します。

それにより、送電側の電力伝送は停止し、同時に本ICの出力も停止します。

満充電検出の”H”信号は50μs以上、そして再充電時には、 FULLCH端子を”L”に設定してください。

上記の検出を無効にしたい場合は、 FULLCH端子をGNDへ接続してください。

※ なお、満充電検出後の出力の復帰条件については、送電側(充電台)の仕様に従います。

NN32251Aをご使用の場合は、満充電検出後、約15分後に再起動する仕様です。

送電側が、満充電検出後、再起動までの待ち時間を持たない仕様の充電台場合は、充電開始と満充電検出による

停止を繰り返す動作となりますのでご注意下さい。

通信信号

FULLCH端子

OUT端子

“L”

“H”

5V

0V

160ms

Control error packet End power

transfer packet

Control error packet

図A-1. 外部制御による満充電検出



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動作説明（続き）

1-2. 出力電流による検出方法： FCCNT端子 (端子No. C5)出力電流(IOUT)がFCCNT端子(端子No. C5)で設定された値より低い場合、満充電と認識し出力が停止します。

満充電電流のしきい値は、FCCNT端子を使ってあらかじめ設定することが可能です。

出力電流(IOUT)がこのしきい値を下回った場合、本ICは、満充電であると検知し1次側に“End Power

Transfer packet”を送信します。それにより、送電側の電力伝送は停止し、同時に本ICの出力も停止します。

ただし、出力電流による検出は、本ICの出力（OUT）電圧が立ち上がり後、約 5sec間は検出されず、

この機能は無効になっています。

この満充電検出機能は、FCCNT端子とGND間に接続された抵抗を接続することで設定します。

ただし、FCCNT端子が3V以上になる抵抗値の設定はできません。

例として、FCCNT端子とGND間に100kΩを接続した場合、電流のしきい値は約80mAとなります。

（下記グラフをご確認ください）。

※ 上記の検出を無効にしたい場合、FCCNT端子を直接VREG34V端子に接続してください。

※ なお、満充電検出後の出力の復帰条件については、送電側(充電台)の仕様に従います。

NN32251Aをご使用の場合は、満充電検出後、約15分後に再起動する仕様です。

送電側が、満充電検出後、再起動までの待ち時間を持たない仕様の充電台場合は、充電開始と満充電検出による

停止を繰り返す動作となりますのでご注意下さい。

抵抗値 [kohm](FCCNT [V])

満充

電検

出電

流[m

A]

100 (0.136)

80

735 (1.0)

588

-(>3V)

通信信号

IOUT

OUT端子

80mA5V

0V

160ms


transfer packet


80mAを認識するタイミング（AD変換）

160ms


図A-3. FCCNT接続抵抗と満充電検出電流の関係

図A-2. 出力電流による満充電検出

満充電検出電流[mA] = 2000/3.4 x 0.00000136 x R[Ω]

※満充電検出電流は40mA以上に設定してください。



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2.過電流制御

出力電流(IOUT)が、内部の過電流しきい値を越えた場合、過電流と認識し、出力が停止します。

出力電流(IOUT)がこのしきい値を上回った場合、本ICは、過電流であると検知し1次側に“End Power

Transfer packet”を送信します。それにより、送電側の電力伝送は停止し、同時に本ICの出力も停止します。

内部の過電流検出のしきい値電流は約1.5Aです。

通信信号

IOUT

OUT端子

1.5A

5V

0V

160ms


transfer packet


3.異物検出

本ICは、 WPCで策定された、低電力(Low Power)におけるワイヤレス電力伝送 Volume 1 のVer.1.1に準じた異物検出

機能を搭載しています。

上記の仕様では、送電側において、送電電力と受電電力を比較し、差が大きい場合は異物による損失が発生していると

判断し、送電を停止します。

本ICは、外部の3端子で、送電側に送信するReceived Power値の調整が可能です。

3-1. オフセット調整機能：FOD端子(端子No. E6)

送電側に送信するReceived Power値のオフセットを調節が可能です。

この異物検出のオフセットは、FOD端子とGND間に接続された抵抗を接続することで設定します。

ただし、FOD端子が3V以上になる抵抗値の設定はできません。

例として、 FOD端子とGND間に100kΩを接続した場合、オフセット値はゼロとなります。

（下記グラフをご確認ください）。

※ 本機能を無効にしたい場合、 FOD端子を直接VREG34V端子に接続してください。

抵抗値 [kohm](FOD [V])

FO

D オ

フセ

ット

[mW

]

35.3 (0.6)

-400

100 (1.7)

0

-(>3V)

165 (2.8)

+400

図A-5. FOD接続抵抗とFODオフセット電力の関係

図A-4. 出力電流による内部過電流検出




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3.異物検出 (続き)3-2. 軽負荷時のオフセット調整機能：FODL端子(端子No. F5)

送電側に送信するReceived Power値の、特に、出力電力の軽負荷時におけるオフセットを調節が可能です。

この異物検出のオフセットは、FODL端子を以下のように設定します。

Low (GND端子接続) ：オフセットなし

High (1.6V以上印加) ：オフセット付与 (IOUT=約125mA(軽負荷)以下)

3-3. 全体ゲイン調整機能：FODG端子(端子No. C6)

本端子に対GNDで接続される抵抗値により、送電側に送信するReceived Power値のゲインレベルを設定します。

対GNDに抵抗を接続した場合、10k～180kohmの範囲内でゲインレベルが可変します。

（下記グラフをご確認ください）

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

1.7

1.9

0 50 100 150 20033FODG端子抵抗値 [kΩ]

傾き

調整

指数

1.0

図A-5-1. FODG接続抵抗と異物検出ゲインの関係




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4. 温度異常検出： VTH端子 (端子No. C2)本ICは外付けサーミスタを使用した、温度検出が可能です。

VTH端子とGND間にサーミスタ(推奨部品： ERTJ0EV104F)、VREG34V端子とVTH端子間に任意の抵抗を接続し、

その抵抗値を調節することにより、検出温度のしきい値の調整が可能です。

例として、 VREG34V端子とVTH端子間に47kΩを接続した場合、温度のしきい値は約60となります。

詳細特性は、後述の代表特性を確認ください。

※ 上記の機能を無効にしたい場合、 VTH端子を直接VREG34V端子に接続してください。

5. VRECT電圧制御

本ICは、出力電流(IOUT)の電流値に伴い、VRECT電圧のターゲット電圧を制御します。

※下記の各数値は参考値です。

VRECT

125mA0mA

1000mA

8 V

5.1 V

420mA

5.4 V

60mA

380mA

5.4 V

8 V

0mAIOUT

図A-8. 各出力電圧におけるVRECTと負荷電流の関係



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6. LED表示：LED端子 (端子No. G4)本ICは、 LEDドライバー端子を搭載しています。

LED端子に任意の抵抗とLED素子を直列に接続することにより使用可能です。

LEDの表示は、下記のような制御になります。


ステータス表示

LED

スタンバイ OFF

充電 ON

満充電検知 OFF

外部電源入力検知 OFF

過電流検知 OFF

温度検知 OFF

7. 外部電圧切替え：EXT端子 (端子No. B3)、及びEXTCNT端子(端子No. B2)本ICは、外部電圧の印加を検出し、外付けMOSスイッチを制御することにより、本ICのLDO出力と外部電圧出力を

切り替える機能を備えております。

EXT端子に電圧(TYP：4.2V以上)が印加されると、EXTCNT端子（B2）がLowになり、外部電圧切替え用の外付け

MOSスイッチがONすることで、EXT端子に印加された電圧がOUT端子（A4）へ出力されます。

その際、本ICはLDO出力を停止するとともに、電力伝送を停止するため、送電側に“End Power Transfer packet”

を送信します。それにより、送電側の電力伝送は停止します。

その後、外部電圧の印加がなくなると(TYP：3.8V以下に下がると) 、EXTCNTがHighに切り替わり、外部電圧切替え

外付けMOSスイッチがOFFし、外部電圧からの供給を停止します。同時に、送電側からの電力伝送が再開され、

LDO出力がOUT端子（A4）から出力されます。※本機能を実現するためには切り替えスイッチ用の外付けMOS、容量、抵抗が必要となります。

詳細は、応用回路例を参照ください。

表A-1. LED表示



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BT1

TD2TD1

BT2

GND2

VRECTVREG34V

DT1H

DT2H

DT1L

DT2L

SC1

SC2

ISENSE1

MEMBAT

VREG47V

68nF

1000pF

FC8V33030L

AN32258AIC1

EXT

EXTCNT

MTM68411

1MΩ1uF OUT

LED

560Ω

D1VTH

SELOSR

FULLCH

Charge IC

OUTPGATEISENSE2

4.7uF

MTM23123

FOD

FODG

FCCNT

ISENSE1-S1

TEST2

10uF

L1

68nF ISENSE1-S

VREG34V

EXTCLK

FODL

TEST1

OUTHP

SELHP

GND1

GND

SELVER

SELHV

VREG47V_S

VREG34V_S

DETIN

SC2_S

ENI2CN

SCL

SDA

VIO

ERTJ0EV104F

47kΩ

1uF

1uF1uF

0.1u

F

0.1u

F

FC8V33030L

条件 : EXT端子(B3)：5V印加

FCCNT端子(C5)：満充電機能を使う場合は抵抗(100kΩ)でGND接続 (評価ではVREG34V接続)FULLCH端子(E5)：しきい値測定時は外部バイアスを印加 (通常はGND接続)受電側コイル(L1)：13.94μH (品番：WR464650-12K5-P2)送電側充電台：NN32251AA_EVM（A11） (※「12.効率特性」は、左記の充電台に限定しない)

代表特性

VRECT

IOUTVOUT

評価回路図

図B-1. AN32258評価回路図

680p

F68nF

33n

F

33n

F

82kΩ

56kΩ



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VRECT

OUTTD

1

3. 満充電特性

代表特性

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

図B-4. 満充電電流FCCNT設定特性

IOU

T [A

]

FCCNT [V]

0

1

2

3

4

5

6

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1

VO

UT

[V

]

FULLCH [V]

図B-5. 満充電信号検出電圧

※出力電圧(OUT)が停止して、End Power Transfer Packetを送信し、送電側も動作停止。

（上記は、ｺｰﾄﾞ確認。02h,01h] ⇒ End Power Transfer Packet「満充電」要因で停止）

図B-6. 満充電完了による1次側送電停止波形

1. 出力-負荷特性 2. VRECT-負荷特性

IOUT [A]V

RE

CT

V]

図B-2. 出力電圧(VOUT)-負荷特性図B-3. VRECT-負荷特性

VO

UT

[V

]

IOUT [A]

VRECTOUT TD1



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4. 過電流検出特性

代表特性 (続き)

図B-7. 過電流検出特性(内部OCP回路)

5. 温度異常検出特性

0

1

2

3

4

5

6

0 0.5 1 1.5 2 2.5

VO

UT

[V

]V

OU

T [

V]

VTH [V]

図B-8. 温度異常検出特性図B-9. 温度異常による1次側停止波形

※測定条件：出力負荷電流(IOUT) =500mA

VTH端子の温度異常検出による送電側動作停止

IOUT [A]

VRECT

TD1OUT



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0

1

2

3

4

5

6

5 7 9 11 13 15 17 19 21

6. 過電圧特性


図B-10. 過電圧保護特性(内部OVP)

VO

UT

[V

]

VRECT [V]

図B-11. 過電圧保護による出力電圧停止波形7. 異物検出調整端子特性

Rec

eive

d P

ower

[W

]

FOD [V]

0

1

2

3

4

5

6

7

8

0 1 2 3

Iout=0.1A

Iout=0.2A

Iout=0.3A

Iout=0.4A

Iout=0.5A

Iout=0.6A

Iout=0.7A

Iout=0.8A

Iout=0.9A

Iout=1.0A

※ Received Power = (RPWR[7:0] / 128) × (Maximum Power / 2) ×10Power Class W

図B-12. Received Power値-FOD端子電圧特性

VRECT

OUT

VRECT

OUT

18V

14V



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8. 外部電源投入


9. 標準起動特性

図B-13. 標準動作→外部電源投入時

図B-16. レシーバー通信パケット構成

図B-14 外部電源オフ時 (標準動作による復帰)

10. RX通信パケット構成

VRECT

EXTCNTEXT

EXT=5V印加

OUT

PREAMBLE HEADER MESSAGE CHECKSUM

0 0 1 0 0 0 0 0STRAT

PARITY STOP

条件：IOUT=500mA 条件：IOUT=500mA

VRECT

EXTCNT

EXT

OUT

EXT=5Vオフ

VRECT

IOUT

OUT

図B-15. 標準起動特性条件：IOUT=1000mA



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VRECT

VREG34V

LED

OUT

LED端子オン

VRECT

LED

OUT

LED点灯

11. LED表示特性


図B-17. LEDオンタイミング

図B-19. 満充電によるLED消灯タイミング図B-20. 温度異常によるLED消灯タイミング

図B-18. LED点灯タイミング

過電流検出

VRECT

LED

OUT

図B-21. 過電流検出によるLED消灯タイミング

LED端子がオンするタイミング※ タイミングを明確化するため、VREG34Vにプルアップ

接続し、測定。

OUT端子が起動すると、LED端子が点灯。

VTH端子で温度異常検出、AD変換温度比較後にOUT端子と同時にLEDがオフ。

FULLCH端子からの満充電信号入力後、OUT端子と同時にLEDがオフ。

内部過電流検出後、OUT端子と同時にLEDがオフ。

VRECT

LED

OUT

FULLCH：Low→High

VRECT

VTHLED

OUT

VTH：High→Low

IOUT



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12. 効率特性


図B-22. 効率特性

13. 負荷過渡特性

Effi

cien

cy

[%]

IOUT [mA]

VRECT 小電圧：4.25V VRECT 小電圧：4.47V

OUT

IOUT

VRECT

図B-23. 負荷特性（0mA→1000mA）図B-24. 負荷特性（0mA→800mA）


VRECT 小電圧：4.74VVRECT 小電圧：4.65V

OUT

IOUT

VRECT

OUT

IOUT

VRECT

OUT

IOUT

VRECT



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13.負荷過渡特性 (続き)


OUT

IOUT

VRECT

VRECT 小電圧：3.17V



14. VOUTリップル電圧

IOUT [A]

VO

UT

リッ

プル

電圧

[mV

]

図B-30. VOUTリップル特性


図B-29. 負荷特性（400mA→600mA）

OUT

IOUT

VRECT

OUT

IOUT

VRECT



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パッケージ情報

Package コード: XBGA048-W-3232AML単位: mm



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１．機種展開や新たなセットにご使用になる場合は，信頼性を含む安全性確認をセット毎に必ずお客様の責任において実施してください。

２．本IC を用いた応用システムを設計する際，注意事項を十分確認の上，お客様の責任において行ってください。本文中には説明に対す

る注意事項および使用上の注意事項がありますので，必ずお読みください。

３．本ICは一般民生機器用に使用されることを意図しています。

特別な品質，信頼性が要求され，その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある下記のような用途へのご使用をお考えのお客様，および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は，事前に当社営業窓口までご相談願います。ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては責任を負いかねますのでご了承ください。但し、当社が車載用製品と指定した製品につきましては、自動車用途への使用が可能です。

(1) 宇宙機器 (人工衛星，ロケット，等)(2) 輸送車両の制御機器 (自動車，航空機，列車，船舶，等)(3) 生命維持を目的とした医療機器(4) 海底中継機器(5) 発電所制御機器(6) 防災・防犯装置(7) 兵器(8) その他：(1)-(7)と同等の信頼性を必要とする用途

４．本ICは，当社がISO/TS 16949の要求事項を満たしていると特別に指定した製品を除き，自動車用アプリケーションでの使用を意図し

ておらず，また車載環境において使用されるようには設計されておりません。

当社の文書による事前の承諾を得ることなく，本LSIを自動車用アプリケーションに使用したことにより，お客様または第三者に損害等が

発生した場合，当社は一切その責任を負いません。

５．本ICのご使用に際しては，特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令などの法令を十分調査の上，かかる法令に適合するよう

ご使用ください。

お客様が適用される法令を遵守しないことにより生じた損害に関して，当社は一切の責任を負いかねます。

６．ご使用の際は，本ICの向きに注意してください。間違った向きで実装した場合には破損する恐れがありますので十分に注意して使用ください

７．端子間短絡による破損を防止するために，パターンレイアウトには十分ご注意ください。なお，本ICの端子配列については端子説明をご参照ください。

８．本ICの端子間はんだブリッジなどで破損することがありますので，電源印加前に十分にプリント基板の確認を行ってください。

また，実装後の運搬などではんだ屑などの導電性異物が付着した場合も同様の破損が生じる可能性がありますので，実装品質については十分に技術検証をお願いします。

９．本ICは出力端子– VCC間ショート(天絡)，出力端子– GND間ショート(地絡)，および出力端子間ショート(負荷ショート)，ピン間リーク等の異常状態が発生した場合に破損する可能性がありますので，十分注意してご使用ください。

また，電源の電流能力が高いほど破損する可能性が高くなりますので，Fuseなどの安全対策を実施されることを推奨します。

１０．保護回路は，異常動作時に安全性を確保する目的で搭載されています。したがって，通常使用状態で保護回路が働くような事がないように設計してください。

特に温度保護回路については，出力端子 –ＶCC間ショート(天絡)，出力端子 –GND間ショート(地絡)等によってデバイスの安全動作領域や大定格を瞬時に超えるような場合は，温度保護回路が働く前に破損することがあります。

１１．モータコイル，光ピックアップ，トランス等の誘導性負荷を駆動する場合はオン–オフ時に発生する負電圧や過大電圧によりデバイスが破損する事がありますので，本製品規格で定められていない場合は，負電圧や過大電圧が印加されないようにしてください。

１２．外付け部品の故障によるリスクの検証をお願いします。

重要事項



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(2) 本書に記載の技術情報は、製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、それをもってパナ

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(3) 本書に記載の製品は、一般用途(事務機器、通信機器、計測機器、家電製品など)、もしくは、本書に個別に記載されている用途に使用されることを意図しております。特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼす恐れの

ある用途－特定用途(車載機器、航空・宇宙用、輸送機器、交通信号機器、燃焼機器、医療機器、安全装置など)でのご使用を想定される場合は事前に当社営業窓口までご相談の上、使用条件等に関して別途、文

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さい。したがって、終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前に新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。

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慮の上、当社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じていただきますようお願いいたします。

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レス）による故障や特性変動を防止するために、使用上の注意事項の記載内容を守ってご使用ください。分解後や実装基板から取外し後に再実装された製品に対する品質保証は致しません。また、防湿包装を必要とする製品は、保存期間、開封後の放置時間など、個々の仕様書取り交わしの折に

取り決めた条件を守ってご使用ください。

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非接触給電 WPC1.1 Qi規格）対応レシーバー用 - …...AN32258A Page 1 of 30 製品規格 Ver.2.0 非接触給電レシーバー側制御機能搭載 WPC v1.1準拠通信制御