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El primer Intel Pentium M , identificado por el nombre código "Banias", fue introducido en marzo de 2003. Es un microprocesador fabricado con 77 millones de transistores de 130 nm de tamaño. 2 nicialmente "Banias" no ten!a nomenclatura oficial para identificar los modelos, pero luego se le conoció como ntel entium # 70$. El procesador se acopla a la tar%eta madre por medio de dos soc&ets' uno de (7) pines * otro de (7+ pines. as frecuencias de relo% de este procesador -an desde los )00# z /asta los 1,7 z , con un B de (00# z * un cac/ de ni-el 2 4 25 de 1 #iB. os procesadores "Banias" forman parte de la primera -ersión de la plataforma 6entrino llamada "6armel", la cual es el procesador ntel entium # "Banias", m s el c/ipset +$$ de ntel llamado "8dem". os modelos regulares de entium # "Banias" -an de 1,$ z a 1,7 z 4en escala de 0,1 z5 * su 9: es de 2(,$ ;. os modelos de ba%o consumo 4* ba%o rendimiento5 del entium # "Banias" -an de 1,3 z a 1,( z * el 9: es de 22 ;' mientras <ue los modelos de ult ba%o consumo son de 1,2 z, 1,1 z * )00 # z' los cuales tienen un 9: de 12, 12 * 7 ; respecti-amente. El B en todos los modelos "Banias" es de (00# z * el cac/ 2 es de 1 #iB. 3 Paso 1. EXTRACCIÓN El silicio, material fundamental en la producción de procesadores, se e=trae de arena e cuarz purificado /ast aun punto óptimo * se con-ierte en lingotes de aspecto cristralino. Paso 2 CORTE os lingotes de silicio son cortados en l minas de apro=imadamente 1 mm 4llamadas obleas5 o >affers. 6ada >affer tiene cientos de procesadores. Paso 3. IONES os >affers son pulidos * se cubren con material fotoresisti-o. osteriormente son "bombardeados" con ra*os de iones para modificar las propiedades conducti-as 4de electricidad5 del silicio. Paso 4. HIGH ! os >affers son cubiertos con un material diel ctrico llamado ig/?@, el cual funciona como aislante * eliminador de fugas de energ!a para ma=imizar la eficiencia de los procesadores. Paso ". Ra#os $% e cubre la capa diel ctrica con otro material fotoresisti-o *, mediante la utilización de unas m scaras <ue funcionan como plantillas, se e=ponen ciertas reas a ra*os A 4utra-iolet /aciendo la capa fotoresisti-a soluble. :e este modo se -an creando los circuitos en cada uno de los procesadores <ue forman el >affe TRANSISTOR C partir de este punto mostramos en detalle un transistor. An rocesador puede tener cientos millones de transistores, estos actDan como un interruptor <ue controla el flu%o de energ!a. Paso &. CO'RE

El Primerprocesa

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El primerIntel Pentium M, identificado por el nombre cdigo "Banias", fue introducido en marzo de2003. Es un microprocesador fabricado con 77 millones de transistores de 130nmde tamao.2Inicialmente "Banias" no tena nomenclatura oficial para identificar los modelos, pero luego se le conoci como Intel Pentium M 705. El procesador se acopla a latarjeta madrepor medio de dossockets; uno de479 pinesy otro de478 pines. Lasfrecuencias de relojde este procesador van desde los 900MHzhasta los 1,7GHz, con unFSBde 400MHz y uncachde nivel 2 (L2) de 1MiB. Los procesadores "Banias" forman parte de la primera versin de la plataformaCentrinollamada "Carmel", la cual es el procesador Intel Pentium M "Banias", ms el chipset 855 de Intel llamado "Odem".Los modelos regulares de Pentium M "Banias" van de 1,5 GHz a 1,7 GHz (en escala de 0,1 GHz) y suTDPes de 24,5W. Los modelos de bajo consumo (y bajo rendimiento) del Pentium M "Banias" van de 1,3 GHz a 1,4 GHz y elTDPes de 22 W; mientras que los modelos de ultra bajo consumo son de 1,2 GHz, 1,1 GHz y 900 MHz; los cuales tienen un TDP de 12, 12 y 7 W respectivamente. ElFSBen todos los modelos "Banias" es de 400MHz y elcachL2 es de 1 MiB.3

Paso 1. EXTRACCINEl silicio, material fundamental en la produccin de procesadores, se extrae de arena e cuarzo; es purificado hast aun punto ptimo y se convierte en lingotes de aspecto cristralino.

Paso 2 CORTELos lingotes de silicio son cortados en lminas de aproximadamente 1 mm (llamadas obleas) o waffers.Cada waffer tiene cientos de procesadores.

Paso 3. IONESLos waffers son pulidos y se cubren con material fotoresistivo.Posteriormente son "bombardeados" con rayos de iones para modificar las propiedades conductivas (de electricidad) del silicio.

Paso 4. HIGH -KLos waffers son cubiertos con un material dielctrico llamado High-K, el cual funciona como aislante y eliminador de fugas de energa para maximizar la eficiencia de los procesadores.

Paso 5. Rayos UVSe cubre la capa dielctrica con otro material fotoresistivo y, mediante la utilizacin de un lente y unas mscaras que funcionan como plantillas, se exponen ciertas reas a rayos UV (utravioleta) haciendo la capa fotoresistiva soluble.De este modo se van creando los circuitos en cada uno de los procesadores que forman el waffer.

TRANSISTORA partir de este punto mostramos en detalle un transistor. Un Procesador puede tener cientos de millones de transistores, estos actan como un interruptor que controla el flujo de energa..

Paso 6. COBREA continuacin, se cubre el waffer con una capa aislante y se hacen orificios para colocar el cobre que ayudar a establecer las conexiones con otros transistores del procesador.

Paso 7. CONEXIONESLa siguiente etapa es colocar varias capas de metal para interconectar los transistores del Procesador.

Paso 8. PRUEBA Y CORTESe verifica la funcionalidad de cada uno de los procesadores y se corta el waffer para separar cada procesador.Una vez cortado, se le conoce como "dado".

Paso 9: EMPAQUETADOEl ltimo paso es introducir el dado en un empaquetado que incluye el sustrato verde y un disipador plateado, que trabaja como un sistema de enfriamiento cuando el procesador est en funcionamiento.

Listo, ahora ya sabes cmo se hacen los procesadores, o por lo menos, nos hemos dado una idea.

Puedes ver las fotografas en detalle en nuestro lbum de Facebook en estadireccin

* Esta informacin fue generada por Intel, y nicamente la hemos reproducido con fines informativos y para mayor entendimiento del pblico.

1. LAS PRIMERAS CAPAS: Se utiliza un lser para rebanar la barra de silicio, por cada rodaja obtenida de la barra de silicio son fabricados centenares de microprocesadores, cada microprocesador requiere de menos de un centmetro cuadrado de una de estas laminas de silicio.2. CAPA DE SILICIO: se utiliza una capa aislante de dixido de silicio (Si02) sobre la lamina, para que se conduzca la electricidad a travs del microprocesador.3. FOTO-RESISTENCIA: es revestido con una sustancia llamada 'photoresist (foto-resistencia), este material es viscoso y recorre todo cuando es expuesto a luz ultravioleta.4. CUBRIENDO: Mascaras fotogrficas de foto-resistencia son colocadas sobre la lamina5. EXPOCISION: El recubrimiento y la lamina son expuestos a la luz ultravioleta, as el recubrimiento se esparce sobre determinadas reas de la lamina.

6. GRABANDO: Los pedacitos de foto-resistencia son removidos con un solvente, esto revela el dixido de silicio oculto. La parte final de este proceso involucra remover el dixido de silicio revelado, el proceso de recubrimiento y grabacin es repetido en cada una de las laminas del circuito, a veces es necesario repetir este proceso en mas de 20 ocasiones, dependiendo de la complejidad del microprocesador. Este proceso de grabacin es utilizado desde hace mucho tiempo, desarrollado siglos atrs, el proceso fue utilizado primero por artistas para crear impresiones en el papel, telas y madera. En la fabricacin de microprocesadores, el proceso de grabacin fotogrfica se hace posible por medio de cintas de material conductivo, con grosor casi siempre menores al de un cabello humano son preparados circuitos patrones.

7. SOBRECARGANDO: Ahora se inundan las reas expuestas de lamina de silicio, el primer pedazo con el que nosotros empezamos, en un qumico combinado de iones (partculas cargadas), las reas de silicio sobrecargadas dirigen electricidad a cada transistor para encenderlo. Los electrones fluyen de arriba a abajo entre los diferentes niveles, formando canales a travs del proceso de cubrimiento y grabacin, luego que los canales esten en un determinado lugar se llenan con uno de los metales mas comunes (aluminio).

Procesadores de silicio[editar]El proceso de fabricacin de un microprocesador es muy complejo.Todo comienza con un buen puado de arena (compuesta bsicamente desilicio), con la que se fabrica un mono cristal de unos 20 x 150 centmetros. Para ello, se funde el material en cuestin a alta temperatura (1.370C) y muy lentamente (10 a 40 mm por hora) se va formando el cristal.De este cristal, de cientos de kilos de peso, se cortan los extremos y la superficie exterior, de forma de obtener un cilindro perfecto. Luego, el cilindro se corta en obleas de 10 micras de espesor, la dcima parte del espesor de un cabello humano, utilizando una sierra de diamante. De cada cilindro se obtienen miles de obleas, y de cada oblea se fabricarn varios cientos de microprocesadores.

Silicio.Estas obleas son pulidas hasta obtener una superficie perfectamente plana, pasan por un proceso llamadoannealing, que consiste en someterlas a un calentamiento extremo para eliminar cualquier defecto o impureza que pueda haber llegado a esta instancia. Despus de una supervisin mediante lseres capaz de detectar imperfecciones menores a una milsima de micra, se recubren con una capa aislante formada por xido de silicio transferido mediante deposicin de vapor.De aqu en adelante, comienza el proceso deldibujadode los transistores que conformarn a cada microprocesador. A pesar de ser muy complejo y preciso, bsicamente consiste en la impresin de sucesivas mscaras sobre la oblea, sucedindose la deposicin y eliminacin de capas finsimas de materiales conductores, aislantes y semiconductores, endurecidas mediante luz ultravioleta y atacada por cidos encargados de eliminar las zonas no cubiertas por la impresin. Salvando las escalas, se trata de un proceso comparable al visto para la fabricacin de circuitos impresos. Despus de cientos de pasos, entre los que se hallan la creacin de sustrato, la oxidacin, la litografa, el grabado, la implantacin inica y la deposicin de capas; se llega a un complejobocadilloque contiene todos los circuitos interconectados del microprocesador.Un transistor construido en tecnologa de 45 nanmetros tiene un ancho equivalente a unos 200 electrones. Eso da una idea de la precisin absoluta que se necesita al momento de aplicar cada una de las mscaras utilizadas durante la fabricacin.

Una oblea de silicio grabada.Los detalles de un microprocesador son tan pequeos y precisos que una nica mota de polvo puede destruir todo un grupo de circuitos. Las salas empleadas para la fabricacin de microprocesadores se denominan salas limpias, porque el aire de las mismas se somete a un filtrado exhaustivo y est prcticamente libre de polvo. Las salas limpias ms puras de la actualidad se denominan de clase 1. La cifra indica el nmero mximo de partculas mayores de 0,12 micras que puede haber en un pie cbico (0,028 m3) de aire. Como comparacin, un hogar normal sera de clase 1 milln. Los trabajadores de estas plantas emplean trajes estriles para evitar que restos de piel, polvo o pelo se desprendan de sus cuerpos.Una vez que la oblea ha pasado por todo el proceso litogrfico, tiene grabados en su superficie varios cientos de microprocesadores, cuya integridad es comprobada antes de cortarlos. Se trata de un proceso obviamente automatizado, y que termina con una oblea que tiene grabados algunas marcas en el lugar que se encuentra algn microprocesador defectuoso.La mayora de los errores se dan en los bordes de la oblea, dando como resultados chips capaces de funcionar a velocidades menores que los del centro de la oblea o simplemente con caractersticas desactivadas, tales como ncleos. Luego la oblea es cortada y cada chip individualizado. En esta etapa del proceso el microprocesador es una pequea placa de unos pocos milmetros cuadrados, sin pines ni cpsula protectora.Cada una de estas plaquitas ser dotada de una cpsula protectora plstica (en algunos casos pueden ser cermicas) y conectada a los cientos de pines metlicos que le permitirn interactuar con el mundo exterior. Estas conexiones se realizan utilizando delgadsimos alambres, generalmente de oro. De ser necesario, la cpsula es provista de un pequeo disipador trmico de metal, que servir para mejorar la transferencia de calor desde el interior del chip hacia el disipador principal. El resultado final es un microprocesador como los que equipan a los computadores.Tambin se estn desarrollando alternativas al silicio puro, tales como elcarburo de silicioque mejora la conductividad del material, permitiendo mayores frecuencias de reloj interno; aunque an se encuentra en investigacin.

Se obtiene de la arena el silicio 3.2 Se funde el silicio a una temperatura de 1370 C para formar un monocristal Cuando se obtiene el monocristal se le da forma cilndrica y se corta en obleas de las que saldrn los microprocesadores 4.3 Las obleas son pulidas y pasan por un proceso llamado annealing para quitar las impurezas. Cuando las impurezas estan quitadas a las obleas se recubren con un capa aislante de xido de silicio 5.5 Se empieza a imprimir en las obleas los transistores que formaran cada microprocesador Cuando ya se han grabado todos los microprocesadores se comprueba que estn correctamente y se cortan 6.7 Una vez cortado e individualizado el chip cada microprocesador ser recubierto por una cpsula protectora plstica y conectada a los pines que le permitirn interactuar con el ordenador

1. Fabricacin de losMICROOPROCESADORES. Por: Rosario Aguilar Carrera y Patricia Garca Segovia 4B 2. Todo comienza con un buen puado de arena (compuesta bsicamente de silicio), con la que se fabrica un monocristal de unos 20 x 150 centmetros. Para ello, se funde el material en cuestin a alta temperatura (1370 C) y muy lentamente (10 a 40 mm por hora) se va formando el cristal. 3.De este cristal, se cortan los extremos y la superficie exterior, de forma de obtener un cilindro perfecto. Luego, el cilindro se corta en obleas (wafer) de menos de un milmetro de espesor, utilizando una sierra de diamante. De cada cilindro se obtienen miles de wafers, y de cada oblea se fabricarn varios cientos de microprocesadores. 4. Estas obleas son pulidas hasta obtener una superficie perfectamente plana, pasan por un proceso llamado annealing, que consiste en un someterlas a un calentamiento extremo para remover cualquier defecto o impureza que pueda haber llegado a esta instancia. Luego de una supervisin mediante lseres capaz de detectar imperfecciones menores a una milsima de micrn, se recubren con una capa aislante formada por xido de silicio transferido mediante deposicin de vapor. 5. De aqu en ms, comienza el proceso del dibujado de los transistores que conformarn a cada microprocesador.consiste en la impresin de sucesivas mscaras sobre el wafer, que son endurecidas mediante luz ultravioleta y atacada por cidos encargados de remover las zonas no cubiertas por la impresin. 6. Cada capa que se pinta sobre el wafer permite o bien la eliminacin de algunas partes de la superficie, o la preparacin para que reciba el aporte de tomos (aluminio o cobre, por ejemplo) destinados a formar parte de los transistores que conformaran el microprocesador. Una vez que el wafer ha pasado por todo el proceso litogrfico, tiene grabados en su superficie varios cientos de microprocesadores, cuya integridad es comprobada antes de cortarlos. 7. Todo este trabajo sobre las obleas de silicio se realiza en clean rooms (ambientes limpios), con sistemas de ventilacin y filtrado inico de precisin, ya una pequea partcula de polvo puede malograr un procesador. 8. Cada una de estas plaquitas ser dotada de una capsula protectora plstica (en algunos casos pueden ser cermicas) y conectada a los cientos de pines metlicos que le permitirn interactuar con el mundo exterior. Cada una de estas conexiones se realiza utilizando delgadsimos alambres, generalmente de oro.

Paso 1. EXTRACCINEl silicio, material fundamental en la produccin de procesadores, se extrae de arena e cuarzo; es purificado hast aun punto ptimo y se convierte en lingotes de aspecto cristralino.

Paso 2 CORTELos lingotes de silicio son cortados en lminas de aproximadamente 1 mm (llamadas obleas) o waffers.Cada waffer tiene cientos de procesadores.

Paso 3. IONESLos waffers son pulidos y se cubren con material fotoresistivo.Posteriormente son "bombardeados" con rayos de iones para modificar las propiedades conductivas (de electricidad) del silicio.

Paso 4. HIGH -KLos waffers son cubiertos con un material dielctrico llamado High-K, el cual funciona como aislante y eliminador de fugas de energa para maximizar la eficiencia de los procesadores.

Paso 5. Rayos UVSe cubre la capa dielctrica con otro material fotoresistivo y, mediante la utilizacin de un lente y unas mscaras que funcionan como plantillas, se exponen ciertas reas a rayos UV (utravioleta) haciendo la capa fotoresistiva soluble.De este modo se van creando los circuitos en cada uno de los procesadores que forman el waffer.

TRANSISTORA partir de este punto mostramos en detalle un transistor. Un Procesador puede tener cientos de millones de transistores, estos actan como un interruptor que controla el flujo de energa..

Paso 6. COBREA continuacin, se cubre el waffer con una capa aislante y se hacen orificios para colocar el cobre que ayudar a establecer las conexiones con otros transistores del procesador.

Paso 7. CONEXIONESLa siguiente etapa es colocar varias capas de metal para interconectar los transistores del Procesador.

Paso 8. PRUEBA Y CORTESe verifica la funcionalidad de cada uno de los procesadores y se corta el waffer para separar cada procesador.Una vez cortado, se le conoce como "dado".

Paso 9: EMPAQUETADOEl ltimo paso es introducir el dado en un empaquetado que incluye el sustrato verde y un disipador plateado, que trabaja como un sistema de enfriamiento cuando el procesador est en funcionamiento.