メモリ製品データブック - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/00157E_JP.pdfMemory、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor、 The Embedded Control

© 2007 Microchip Technology Inc. DS00157E_JP

メモリ製品データブック

ご注意：この日本語版ドキュメントは、参考資料としてご使用の上、最新情報につきましては、必ず英語版オリジナルをご参照いただきますようお願いします。

マイクロチップテクノロジー社 ( 以下、マイクロチップ社 ) デバイスのコード保護機能に関する以下の点にご留意ください。

• マイクロチップ社製品は、その該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています。

• マイクロチップ社では、通常の条件ならびに仕様どおりの方法で使用した場合、マイクロチップ社製品は現在市場に流通している同種製品としてはもセキュリティの高い部類に入る製品であると考えております。

• コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在します。マイクロチップ社の確認している範囲では、このような方法のいずれにおいても、マイクロチップ社製品をマイクロチップ社データシートの動作仕様外の方法で使用する必要があります。このような行為は、知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• マイクロチップ社は、コードの保全について懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• マイクロチップ社を含むすべての半導体メーカーの中で、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保護機能とは、マイクロチップ社が製品を「解読不能」として保証しているものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。マイクロチップ社では、製品のコード保護機能の改善に継続的に取り組んでいます。マイクロチップ社のコード保護機能を解除しようとする行為は、デジタルミレニアム著作権法に抵触する可能性があります。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。

本書に記載されているデバイスアプリケーションなどに関する情報は、ユーザーの便宜のためにのみ提供されているものであり、更新によって無効とされることがあります。アプリケーションと仕様の整合性を保証することは、お客様の責任において行ってください。マイクロチップ社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性をはじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。マイクロチップ社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します。マイクロチップ社デバイスを生命維持および / または保安のアプリケーションに使用することはデバイス購入者の全責任において行うものとし、デバイス購入者は、デバイスの使用に起因するすべての損害、請求、訴訟、および出費に関してマイクロチップ社を弁護、免責し、同社に不利益が及ばないようにすることに同意するものとします。暗黙的あるいは明示的を問わず、マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません。

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商標

Microchip の名前付きロゴ、Microchip ロゴ、Accuron、dsPIC、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、microID、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PRO MATE、rfPIC、SmartShunt は、米国およびその他の国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です。

AmpLab、FilterLab、Linear Active Thermistor、Migratable Memory、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor、The Embedded Control Solutions Company は、米国における Microchip Technology Incorporated の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、fuzzyLAB、In-Circuit Serial Programming、ICSP、ICEPIC、Mindi、MiWi、MPASM、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、MPLINK、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、Real ICE、rfLAB、Select Mode、Smart Serial、SmartTel、Total Endurance、UNI/O、WiperLock、ZENA、は米国およびその他の国におけるMicrochip Technology Incorporated の商標です。

SQTP は米国における Microchip Technology Incorporatedのサービスマークです。

その他、本書に記載されている商標は、各社に帰属します。

© 2007, Microchip Technology Incorporated, Printed in the U.S.A., All Rights Reserved.

再生紙を使用しています。

© 2007 Microchip Technology Inc.

マイクロチップ社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウエハ製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2002認証を取得しています。マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。また、マイクロチップ社の開発システムの設計および製造に関する品質システムは、ISO 9001:2000 の認証を受けています。

ページ

目次

セクション 1 MICROCHIP TECHNOLOGY INC. はじめに

はじめに .......................................................................................................................................1-1

セクション 2 シリアル EEPROM 製品選択ガイドおよび相互参照

シリアル EEPROM 製品選択ガイド .........................................................................................2-1他社製品のナンバリングガイド ..............................................................................................2-9

セクション 3 製品ファミリデータシート

I2C™ シリアル EEPROM ファミリデータシート .................................................................3-11K ～ 16K Microwire 互換シリアル EEPROM .......................................................................3-31SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート ...................................................................3-57特定の製品について .................................................................................................................3-89

セクション 4 アプリケーションノート

マイクロチップ社製 I2C™ シリアル EEPROM デバイスの使用例 ......................................4-1マイクロチップ社製 Microwire シリアル EEPROM デバイスの使用例 ..............................4-9マイクロチップ社製 SPI シリアル EEPROM デバイスの使用例 .......................................4-13

セクション 5 パッケージ

パッケージ外形図 .......................................................................................................................5-1製品のテープ＆リール仕様 .....................................................................................................5-11はんだリフロー工程における推奨事項 .................................................................................5-19マイクロチップ社のダイ / ウェハーサポート .....................................................................5-23

セクション 6 開発ツール

Total Endurance™ ソフトウェアモデル ....................................................................................6-1SEEVAL® 32 シリアル EEPROM 設計者用キット .................................................................6-2

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1はじめに

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セクション 1MICROCHIP TECHNOLOGY INC.

はじめに

はじめに .....................................................................................................................................................................1-1

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1はじめに

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MICROCHIP TECHNOLOGY INC.

はじめに

1.0 はじめに

マイクロチップテクノロジー社は、マイクロコントローラ、アナログおよびインターフェース半導体製品、そしてシリアル不揮発性メモリのメーカーとして世界の市場をリードしています。米国アリゾナ州チャンドラーに本拠を置くマイクロチップ社は、アリゾナ州テンピとオレゴン州グレシャムに自社のウェハー製造工場を、タイに自社の組立兼テスト工場を所有しています。半導体業界でも堅実で安定した業績を挙げている企業の 1 つであるマイクロチップ社は、以下のような幅広い製品ポートフォリオを提供し、組み込み制御市場のニーズに対応しています。

• 8 ビット PIC® マイクロコントローラ

• 16 ビット PIC® マイクロコントローラおよびdsPIC® デジタルシグナルコントローラ

• LDO、POR、電圧リファレンス、ADC、DAC、オペアンプ、コンパレータ、PGA、サーマルマネージメント、電力マネージメントソリューションなどの全アナログ製品

• CAN、IRDA® 標準、LIN、およびシリアル対応のインターフェース製品

• 使用頻度の高い 3 つのバス (I2C™、Microwire、および SPI) すべてに互換性のある高性能な特殊シリアル EEPROM デバイスおよび標準シリアルEEPROM デバイス

• セキュリティデバイス (KEELOQ® 製品 )マイクロチップ社製品の MAPS をご参照いただき、マイクロチップ社の全製品ラインアップをご覧ください。当資料は、マイクロチップ社のウェブサイトからダウンロードできます。

1.1 マニュアル概要

シリアル EEPROM 製品の要件を、I2C™、Microwire、そして SPI の 3 つのバスタイプ別に 3 つのファミリデータシートに記載しています。データシートはすべて印刷時点で新のもので、現在入手可能な製品を掲載しています。ここに記載されている情報は予告なく変更されることがあるため、設計を終決定する前に新のデータシートのダウンロードを推奨します。寄りのマイクロチップ社営業所または販売代理店にお問い合わせいただくか、www.microchip.com/Memory をご参照の上、新の変更情報や製品発送状況を確認してください。

バスはすべて事実上の業界標準であるI2C、Microwire、および SPI と互換性があります。マイクロチップ社のデバイスは他社のデバイスの一時的な代替品として使用できるものが多数あります。また新設計デバイスについては、マイクロチップ社の機能により、一般的なデバイスより小型化、低消費電力、そしてバス速度の高速化が実現できます。

マニュアルの冒頭に、次の 2 つのセクションをご用意しています。

• シリアル EEPROM 製品選択ガイド – 比較選択をサポートする重要な AC/DC パラメータおよびパッケージオプションと、マイクロチップ社が提供するシリアル EEPROM 全製品を掲載しています。製品選択ガイドに記載されている各デバイスについては、本書内にデータシートが提供されていますが、新の情報は、マイクロチップ社のウェブサイト www.microchip.com でご確認ください。

• 他社製品のナンバリングガイド – 本ガイドは、多数のデータシートから特定の製品についての記述を検索しやすいよう、シリアル EEPROMメーカー数社の基本的な製品のナンバリング方式を紹介します。各メーカーの製品番号には温度、パッケージ、電圧などのパラメータにより独自のコードが使用されているため、マイクロチップ社製品の中から代替品を決定する際に非常に便利です。他社のデバイスのパラメータをもとに、マイクロチップ社の MAPS ( マイクロチップアドバンストパーツセレクタ ) ツールを使用して、適なマイクロチップ社デバイスを選択できます。MAPS は www.microchip.com/MAPS からダウンロードできます。

1.2 主要 EEPROM パラメータ

I2C EEPROM の 24AAXX ファミリ製品は、128 ビット～ 1M ビットまでの全容量範囲で 1.7V ～ 5.5V までのより広範な動作電圧から選択できるため、低い動作電圧のニーズにもお答えし、ますます増え続けるバッテリ駆動システムをサポートしています。高速の 24FCXX ファミリ製品は、1.8V ～ 2.5V までの電圧で 400 kHz、2.5V 以上の電圧で 1 MHz の動作要件を満たすことができます。

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MICROCHIP TECHNOLOGY INC.
SPI EEPROM の 25LCXX ファミリ製品は、1K ビット～大 1M ビットまでの容量範囲全体で、より高速な動作速度を実現できるようになりました。256Kビットまでの容量は 10 MHz、512K ビットおよび1M ビットのデバイスについては 20 MHz の速度を実現します。さらに、EEPROM/ フラッシュデバイスとして 512K および 1M ビットデバイスが発売されました。これらのデバイスは、高耐久性、幅広い電圧範囲、およびバイト / ページオペレーションに強力な EEPROM として設計され、標準フラッシュコマンドおよびセクタ動作にも対応します。
1.3 パッケージ : RoHS 準拠

マイクロチップ社の EEPROM のパッケージングは、自社工場またはサブコントラクタで行います。パッケージングを社内、社外のいずれで作業したものであるかを問わず、デバイスはすべて出荷前にマイクロチップ社の自社工場で再検査されます。マイクロチップ社は、以下のようなシリアルEEPROM 用超小型パッケージに適です。

• 8 ピン SOIC – 大 1M ビット

• 8 ピン MSOP – 大 256K ビット

• 8 ピン TSSOP – 大 256K ビット

• 5 ピン SOT23 – 大 16K ビット

• 6 ピン SOT23 – 大 16K ビット

• 8 ピン 5x6 DFN – 大 1M ビット

• 8 ピン 2x3 DFN – 大 64K ビット

• ダイおよびウェハーパッケージ – 全容量

全製品とも鉛フリー加工が施され、RoHS に準拠しています。厳密な検査および製造環境により、高温のはんだ付け性および耐湿性レベルが確保され、ウィスカーの発生を抑え、鉛フリーパッケージファミリの信頼性を維持しています。

1.4 品質

マイクロチップ社は、世界高レベルのイールドと製造工程、および SPC ( 統計的工程管理 ) 手法の実践を誇る、継続的改善を遂行する工場で、世界高品質のシリアル EEPROM を提供しています。出検品質レベルは、毎年出荷されてきた約 10 億個のシリアル EEPROM でほぼ 0 ppm です。

シリアル EEPROM には次の 3 回のテストがあります。1 回目はウェハー工程で、ウェハー上の個々のダイに対して AC/DC テストをデータシートのパラメータすべてについて 100％実施します。このテスト終了時に、ダイはそれぞれメモリセルごとにデータをプログラムされ、その後メモリデータリテンションを補償するため 5 時間 250°C でベークします。ベーク後、AC/DC データシートのパラメータについて、また酸化物の品質確認と初期不良を防ぐためデータアレイの特殊テストなどを含め、各ウェハー上のダイがそれぞれ再テストされます。後にパッケージング後、各デバイスは組み立て関連の問題のスクリーニングとして、ファイナルファンクションテストを行います。

終テスト後、品質サンプルで信頼性を継続的に検証します。検査結果は、毎年正式な報告書としてwww.microchip.com で入手できます。

マイクロチップ社にとって品質は二義的な問題ではなく、自社の文化、システム、そして製品に不可欠な実践的のビジネスモデルです。

1.5 開発ツール

マイクロチップ社は業界高水準を誇る次のシリアル EEPROM ツールを提供しています。

• SEEVAL® 32 設計者用キット – 全マイクロチップ社シリアル EEPROM 製品に対応する多機能で使用しやすいプログラマ / データビューアです。このツールは価格がリーズナブルで、製品化を短縮できます。このツールは、セットアップが簡単で、箱から取り出してすぐ使用できます。詳細は、本マニュアルの開発ツールの項をご覧ください。

• Total Endurance™ ソフトウェア – 特定のアプリケーションで使用する特定のシリアル EEPROMの消去 / 書き込み耐久性を予測する強力な数学モデルです。いずれのメーカーのシリアルEEPROM でも、一定の消去 / 書き込みサイクルを重ねると、ビット障害が発生します。マイクロチップ社のシリアル EEPROM の耐久性は世界

高クラスで、Total Endurance ソフトウェアは、デバイスの寿命をモデル化し予測する唯一のツールです。このソフトウェアモデリングツールを使用すると、トレードオフ分析が容易にできるため堅牢性の高い設計に役立ちます。

耐久性について論じる場合には常に、耐久性を表す数字が何を意味するのかを理解し、そのデバイスが特定のアプリケーションでどのように動作するのかを予測するために、電圧、温度、半導体製造工程、セル設計、アレイサイズ、1サイクル当たりのバイト数、そして 1 日当たりのサイクル数というパラメータを含めて考える必要があります。Total Endurance ソフトウェアでは、これらの各パラメータを入力し、FIT レートあるいは時間またはサイクル数に対するMTBF を出力できます。www.microchip.com で無料ダウンロードしてください。

1.6 E コマース

マイクロチップ社のEEPROM製品は、マイクロチップ社営業所または販売代理店、またはマイクロチップ社の E コマースサイト www.microchipDirect.comからも購入できます。また無償サンプルは、マイクロチップ社のメインウェブサイトからお申し込みいただき、お届けいたします。無償サンプルのお申し込みは、「Sample ( サンプル )」ボタンをクリックするだけです。また「Buy Online ( オンラインで購入 )」ボタンをクリックし、クレジットカードを使用してシリアル EEPROM 製品を購入できます。

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製品選択

および

相互参照

2セクション 2

シリアル EEPROM 製品選択ガイドおよび相互参照

シリアル EEPROM 製品選択ガイド .......................................................................................................................2-1他社製品のナンバリングガイド ............................................................................................................................2-9


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製

相 2

シリアル

EEPRO

MI2C™ 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

Page Size

Max Clock

WriteCycle Cascade Endurance Temp

Grade Packages DataSheet

128-bit I2C compatible24 DS2117824 DS2117824 DS211781K24 DS2171124 DS2171124 DS2120124 DS2180924 DS2180924 DS2116024 DS211612K24 DS2170924 DS2170924 DS2168224 DS2120224 DS2116624 DS2116624 DS2121024 DS2121024 DS2121024 DS21210

シリアル

EEPRO

M製品選択ガイド

P = C = 2x3 mm DFN一部

I2C

品選択および互参照

AA00 1.8-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms No 1,000,000 I P, SN, ST, OT, MCLC00 2.5-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms No 1,000,000 I P, SN, ST, OT, MCC00 4.5-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms No 1,000,000 I, E P, SN, ST, OT, MCbit I2C compatible

AA01 1.8-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I P, SN, ST, MS, OT, MCLC01B 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, OT, MCC01C 4.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 1 ms 8 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, MCAA014 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCLC014 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCLC21A 2.5-5.5 No 8 bytes 400 kHz 10 ms No 1,000,000 I P, SNLCS21A 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 10 ms No 1,000,000 I P, SNbit I2C compatible

AA02 1.8-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I P, SN, ST, MS, OT, MCLC02B 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, OT, MCLCS22A 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 10 ms No 1,000,000 I P, SNC02C 4.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 1 ms 8 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, MCLCS52 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCAA52 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCAA024 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCLC024 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, MCAA025 1.8-5.5 No 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I P, SN, ST, MS, MCLC025 2.5-5.5 No 16 bytes 400 kHz 10 ms 8 1,000,000 I, E P, SN, ST, MS, MC

8 PDIP、SN = 150 Mil SOIC、SM = 207 Mil SOIC、ST = 8 TSSOP、MS = 8 MSOP、OT = SOT-23、MF = 6x5 mm DFN、ST14 = 14 TSSOP、Mを除き、デバイスはダイおよびウェハーでも購入できます。詳細は、マイクロチップ社営業所にお問い合わせください。

は Philips Corporation の登録商標です。

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2007 Microchip Technology Inc.

Packages DataSheet

P, SN, ST, MS, OT, MC DS21708P, SN, ST, MS, OT, MC DS21708

P, SN, ST, MS, OT, MC DS21710P, SN, ST, SM, OT, MC DS21710

P, SN, ST, MS, OT, MC DS21703P, SN, ST, MS, OT, MC DS21703

P, SN, ST, MS, MC DS21713P, SN, ST, MS, MC DS21713

P, SN, ST, MS, MC DS21189P, SN, ST, MS, MC DS21189

P, SM DS21073P, SM DS21073P, SM DS21073

P, SN, ST, MS, MF DS21191P, SN, ST, MS, MF DS21191P, SN, ST, MS, MF DS21191

P, SN, ST, MS, MF DS21203P, SN, ST, MS, MF DS21203P, SN, ST, MS, MF DS21203

I2C 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

Page Size

Max Clock


Grade

4Kbit I2C compatible24AA04 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I24LC04B 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I, E8Kbit I2C compatible24AA08 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I24LC08B 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I, E16Kbit I2C compatible24AA16 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I24LC16B 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms No 1,000,000 I, E32Kbit I2C compatible24AA32A 1.8-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I24LC32A 2.5-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I, E64Kbit I2C compatible24AA64 1.8-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I24LC64 2.5-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I, E24AA65 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 2 ms 8 1M/10M O24LC65 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 2 ms 8 1M/10M I24C65 4.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 2 ms 8 1M/10M I128Kbit I2C compatible24AA128 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I24LC128 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I, E24FC128 1.8-5.5 Yes 64 bytes 1 MHz 5 ms 8 1,000,000 I256Kbit I2C compatible24AA256 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I24LC256 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I, E24FC256 1.8-5.5 Yes 64 bytes 1 MHz 5 ms 8 1,000,000 I

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_JP -ペ

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シリ

アル

EEPRO

M製

相 2

5124 , SM, ST14, MF DS2175424 , SM, ST14, MF DS2175424 , SM, ST14, MF DS2175424 P, SM DS2167324 P, SM DS2167324 P, SM DS21673

I2

Packages DataSheet

Mi

es DataSheet

1K93 , OT, MC DS2174993 , OT, MC DS2174993 , OT, MC DS2174993 , OT, MC DS2174993 , OT, MC DS2174993 , OT, MC DS2174993 S, MC DS2174993 S, MC DS2174993 S, MC DS217492K93 , OT, MC DS2179493 , OT, MC DS21794P MC = 2x3 mm DFN一


2Kbit I2C compatibleAA512 1.8-5.5 Yes 128 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I PLC512 2.5-5.5 Yes 128 bytes 400 kHz 5 ms 8 1,000,000 I, E PFC512 2.5-5.5 Yes 128 bytes 1 MHz 5 ms 8 1,000,000 I PAA515 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 4 1,000,000 ILC515 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 4 1,000,000 IFC515 2.5-5.5 Yes 64 bytes 1 MHz 5 ms 4 1,000,000 I

C 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

Page Size

Max Clock


Grade

crowire 互換製品

Device VCC Range

ORGPin

WordSize

Max Clock

WriteCycle Endurance Temp

Grade Packag

bit Microwire compatibleAA46A 1.8-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MSAA46B 1.8-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MSLC46A 2.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, MSLC46B 2.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, MSC46A 4.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, MSC46B 4.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, MSAA46C 1.8-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MLC46C 2.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, MC46C 4.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, Mbit Microwire compatible

AA56A 1.8-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MSAA56B 1.8-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MS

= 8 PDIP、SN = 150 Mil SOIC、SM = 207 Mil SOIC、ST = 8 TSSOP、MS = 8 MSOP、OT = SOT-23、MF = 6x5 mm DFN、ST14 = 14 TSSOP、部を除き、デバイスはダイおよびウェハーでも購入できます。詳細は、マイクロチップ社営業所にお問い合わせください。

シリ

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M

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, MS, OT, MC DS21794, MS, OT, MC DS21794, MS, OT, MC DS21794, MS, OT, MC DS21794ST, MS, MC DS21794ST, MS, MC DS21794ST, MS, MC DS21794

, MS, OT, MC DS21795, MS, OT, MC DS21795, MS, OT, MC DS21795, MS, OT, MC DS21795, MS, OT, MC DS21795, MS, OT, MC DS21795ST, MS, MC DS21795ST, MS, MC DS21795ST, MS, MC DS21795

OT DS21796OT DS21796OT DS21796OT DS21796OT DS21796OT DS21796

ST, MS, MC DS21796ST, MS, MC DS21796ST, MS, MC DS21796

ckages DataSheet

2Kbit Microwire compatible (continued)93LC56A 2.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93LC56B 2.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93C56A 4.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93C56B 4.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93AA56C 1.8-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, 93LC56C 2.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, 93C56C 4.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, 4Kbit Microwire compatible93AA66A 1.8-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST93AA66B 1.8-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST93LC66A 2.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93LC66B 2.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93C66A 4.5-5.5 No 8-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93C66B 4.5-5.5 No 16-bit 2 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST93AA66C 1.8-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, 93LC66C 2.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, 93C66C 4.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN, 8Kbit Microwire compatible93AA76A 1.8-5.5 No 8-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I93AA76B 1.8-5.5 No 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I93LC76A 2.5-5.5 No 8-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E93LC76B 2.5-5.5 No 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E93C76A 4.5-5.5 No 8-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E93C76B 4.5-5.5 No 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E93AA76C 1.8-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, 93LC76C 2.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, 93C76C 4.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E P, SN,

Microwire 互換製品

Device VCC Range

ORGPin

WordSize

Max Clock


Grade Pa

©2007 M


S00157E

_JP -ペ

ージ

2-5

シリ

アル

EEPRO

M製

相 2

1693 DS2179793 DS2179793 DS2179793 DS2179793 DS2179793 DS2179793 S, MC DS2179793 S, MC DS21797

S

ges DataSheet

1K25 ST, MC DS2183225 ST, MC DS218322K25 ST, MC DS2183325 ST, MC DS218334K25 ST, MC DS2182725 ST, MC DS21827

Mi

es DataSheet


Kbit Microwire compatibleAA86A 1.8-5.5 No 8-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I OTAA86B 1.8-5.5 No 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I OTLC86A 2.5-5.5 No 8-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E OTLC86B 2.5-5.5 No 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E OTC86A 4.5-5.5 No 8-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E OTC86B 4.5-5.5 No 16-bit 3 MHz 2 ms 1,000,000 I, E OTAA86C 1.8-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I P, SN, ST, MLC86C 2.5-5.5 Yes 8- or 16-bit 3 MHz 6 ms 1,000,000 I, E P, SN, ST, M

PI 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

PageSize

Max Clock


Grade Packa

bit SPI compatibleAA010A 1.8-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, MS, SN,LC010A 2.5-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, MS, SN,bit SPI compatible

AA020A 1.8-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, MS, SN,LC020A 2.5-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, MS, SN,bit SPI compatible

AA040A 1.8-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, MS, SN,LC040A 2.5-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, MS, SN,

crowire 互換製品

Device VCC Range

ORGPin

WordSize

Max Clock


Grade Packag

シリ

アル

EEPRO

M

DS

00157E_JP

-ページ

2-6©


, ST, MS DS21808, ST, MS DS21808, ST, MS DS21808, ST, MS DS21808

, ST, MS DS21807, ST, MS DS21807, ST, MS DS21807, ST, MS DS21807

S, SN, ST DS21828S, SN, ST DS21828

S, SN, ST DS21830S, SN, ST DS21830

, ST, MF DS21831, ST, MF DS21831

, ST, MF DS21822, ST, MF DS21822

N, MF DS22021N, MF DS22021

ckages DataSheet

8Kbit SPI compatible25AA080A 1.8-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25AA080B 1.8-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25LC080A 2.5-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN25LC080B 2.5-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN16Kbit SPI compatible25AA160A 1.8-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25AA160B 1.8-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25LC160A 2.5-5.5 Yes 16 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN25LC160B 2.5-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN32Kbit SPI compatible25AA320A 1.8-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, M25LC320A 2.5-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, M64Kbit SPI compatible25AA640A 1.8-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, M25LC640A 2.5-5.5 Yes 32 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, M128Kbit SPI compatible25AA128 1.8-5.5 Yes 64 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25LC128 2.5-5.5 Yes 64 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN256Kbit SPI compatible25AA256 1.8-5.5 Yes 64 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SN25LC256 2.5-5.5 Yes 64 byte 10 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, SN512Kbit SPI compatible25AA512 1.8-5.5 Yes 128 byte 20 MHz 5 ms 1,000,000 I P, S25LC512 2.5-5.5 Yes 128 byte 20 MHz 5 ms 1,000,000 I, E P, S

SPI 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

PageSize

Max Clock


Grade Pa

©2007 M


S00157E

_JP -ペ

ージ

2-7

シリ

アル

EEPRO

M製

相 2プ

1 25 MF DS2183625 MF DS21836

S

ges DataSheet

Packages Data Sheet

Se24 , SN, ST, MS, MC DS2116624 , SN, ST, MS, MC DS2116624 , SN, ST, MS, MC DS2121024 , SN, ST, MS, MC DS21210Se24 P, SN DS2116024 P, SN DS2116124 P, SN DS2168234 , SN, ST, MS, MC DS2202934 , SN, ST, MS, MC DS2202934 , SN, ST, MS, MC DS22029Se24 P, SN, ST, OT, MC DS2117824 P, SN, ST, OT, MC DS2117824 P, SN, ST, OT, MC DS21178

P 一


ラグ＆プレイ ® および ID 製品

Mbit SPI compatibleAA1024 1.8-5.5 Yes 256 byte 20 MHz 5 ms 1,000,000 I P, SM,LC1024 2.5-5.5 Yes 256 byte 20 MHz 5 ms 1,000, 000 I, E P, SM,

PI 互換製品

Device VCCRange

WriteProtect

PageSize

Max Clock


Grade Packa

Device Density VCCRange

WriteProtect

PageSize

MaxClock

WriteCycle Type Endurance Temp

Grade

rial EEPROMs for DRAM DIMM modulesLCS52 2Kbit 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR 1,000,000 I PAA52 2Kbit 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR 1,000,000 I PLC024 2Kbit 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR 1,000,000 I, E PLC025 2Kbit 2.5-5.5 No 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR 1,000,000 I, E Prial EEPROMs for VESA® monitors, projectors and flat panelsLC21A 1Kbit 2.5-5.5 No 8 bytes 400 kHz 10 ms — 1,000,000 ILCS21A 1Kbit 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 10 ms — 1,000,000 ILCS22A 2Kbit 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 10 ms — 1,000,000 ILC02 2Kbit 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR2/3 1,000,000 I/E PAA02 2Kbit 1.7-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR2/3 1,000,000 I PLV02 2Kbit 1.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms DDR2/3 1,000,000 I Prial EEPROMs for other ID applicationsAA00 128 bit 1.8-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms — 1,000,000 ILC00 128 bit 2.5-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms — 1,000,000 IC00 128 bit 4.5-5.5 No N/A 400 kHz 4 ms — 1,000,000 I, E

= 8 PDIP、SN = 150 Mil SOIC、SM = 207 Mil SOIC、ST = 8 TSSOP、MS = 8 MSOP、OT = SOT-23、MF = 8 DFN、ST14 = 14 TSSOP部を除き、デバイスはダイおよびウェハーでも購入できます。詳細は、マイクロチップ社営業所にお問い合わせください。

シリ

アル

EEPRO

M

DS

00157E_JP

-ページ

2-8©


Pb-FreeAvailable Data Sheet

N/A DS21748N/A DS21748N/A DS21747N/A DS21747N/A DS21745N/A DS21745N/A DS21746N/A DS21746N/A DS20093N/A DS20093N/A DS21723N/A DS21723N/A DS21716N/A DS21716N/A DS20095N/A DS20095N/A DS20094N/A DS20094N/A DS21785N/A DS21785

スマートカードデバイス

Device VCCRange

WriteProtect

PageSize

MaxClock


Grade Packages

Smart-Card devices (meet ISO 7816 bondout)24AA01SC 1.8-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC01SC 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA02SC 1.8-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC02SC 2.5-5.5 Yes 8 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA04SC 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC04SC 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA08SC 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC08SC 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA16SC 1.8-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC16SC 2.5-5.5 Yes 16 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA32ASC 1.8-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC32ASC 2.5-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA64SC 1.8-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC64SC 2.5-5.5 Yes 32 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA128SC 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC128SC 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA256SC 1.8-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC256SC 2.5-5.5 Yes 64 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24AA512SC 1.8-5.5 Yes 128 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, S24LC512SC 2.5-5.5 Yes 128 bytes 400 kHz 5 ms 1,000,000 I W, WF, SW = ウェハー、WF = フレーム付きウェハー、S = ワッフルパック入りダイ 1 個

標準の裏面研削厚は 11 mil、15 mil、および未研削 (29 mil) です。

製品選択

および

相互参照

2

シリアル EEPROM他社製品のナンバリングガイド

他社のデバイスと互換性のあるマイクロチップ社のデバイスを参照するには、www.microchip.com/MAPS から無料で入手できるマイクロチップ社のMAPS ツールが便利です。また、製品名の読み方を説明してありますので、コードや文字列の解読にご活用ください。

©2007 Microchip Technology Inc. DS21621B_JP - ページ 2-9

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-10©


Device Option Bus Density Comment

BR24C01A I2C™ 1 Kbit

BR24C02 I2C 1 Kbit

BR24C04 I2C 4 Kbit

BR24C08A I2C 8 Kbit

BR24C16A I2C 16 Kbit

BR24C32A I2C 32 Kbit

BR25010 SPI 1 Kbit

BR25020 SPI 2 Kbit

BR25040 SPI 4 Kbit

BR25080 SPI 8 Kbit

BR25160 SPI 16 Kbit

BR25320 SPI 32 Kbit

BR25640 SPI 64 Kbit

BR93C46 Microwire 1 Kbit





BR24C32A N- 10 S U- 2.7-

Voltage Range

Temperature andLead Finish

General PackageCode

Secondary PackageCode

Bus Type

Density and DeviceOption

2.7 2.7-5.5V

1.8 1.8-5.5V

U -40°C to 85°C

S SOIC

T TSSOP

N SOIC (JEDEC)(1)

R Rotated pinout

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table X

注 1: セカンダリパッケージコードの「N」が使用されない場合があります。

ローム社のアドバンテージシリーズ製品の番号識別方法

( 特別製品およびハイリライアビリティシリーズ製品は別表を参照 )

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-11

シリ

アル

EEPRO

M製品選択および相互参照 2


BR24C01 I2C™ 1 Kbit

BR24C02 I2C 2 Kbit

BR24C04 I2C 4 Kbit

BR24C08 I2C 8 Kbit

BR24C16 I2C 16 Kbit

BR24C32 I2C 32 Kbit

BR24C64 I2C 64 Kbit

BR95010 SPI 1 Kbit

BR95020 SPI 2 Kbit

BR95040 SPI 4 Kbit

BR95080 SPI 8 Kbit

BR95160 SPI 16 Kbit

BR95320 SPI 32 Kbit

BR95640 SPI 64 Kbit






6 -40°C to 85°C

7 -40°C to 105°C

MN SOIC (JEDEC, 150 mil)

DW TSSOP

DS MSOP

Blank 4.5-5.5V

W 2.5-5.5V

R 1.8-5.5V

T Rotated pinout

Blank Standard pinout

24 I2C™

95 SPI

93 Microwire

See table

BR93C46- T W MN 6 T P

Temperature Range

Package Code

Voltage Range

Pinout

Bus Type


ローム社の特別製品シリーズ製品の番号識別方法

( アドバンテージおよびハイリライアビリティシリーズ製品は別表を参照 )

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-12©



BR24L01A I2C™ 1 Kbit

BR24L02 I2C 2 Kbit

BR24L04 I2C 4 Kbit

BR24L08 I2C 8 Kbit

BR24L16 I2C 16 Kbit 1.7-5.5V

BR24L32 I2C 32 Kbit 1.7-5.5V

BR24L64 I2C 64 Kbit

BR25L010 SPI 1 Kbit

BR25L020 SPI 2 Kbit

BR25L040 SPI 4 Kbit

BR25L080 SPI 8 Kbit

BR25L160 SPI 16 Kbit



BR93*46 Microwire 1 Kbit





F SOIC (150 mil)

FJ SOIC (150 mil)(1)

FV TSSOP

FVT TSSOP(1)

FVM MSOP(1)

FVJ MSOP

R Rotated pinout

Blank Standard pinout

L 1.8-5.5V, -40°C to 85°C

A 2.5-5.5V, -40°C to 105°C

H 2.7-5.5V, -40°C to 125°C

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

Package Code

Temperature and

Pinout

Bus Type


注 1: パッケージサイズが異なります。

Voltage

BR93 L 46 R FJ -W

ローム社のハイリライアビリティシリーズ製品の番号識別方法

( アドバンテージおよび特別製品シリーズ製品は別表を参照 )

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-13

シリ

アル

EEPRO



HN58X2402S I2C™ 2 Kbit Full array WP

HN58X2404S I2C 4 Kbit Full array WP


HN58X2408 I2C 8 Kbit 1/2 array WP







HN58X24128 I2C 128 Kbit 1/8 array WP, 14-lead TSSOP

HN58X24256 I2C 256 Kbit 1/8 array WP, 14-lead TSSOP

HN58X24512 I2C 512 Kbit Full array WP,200 mil SOIC

HN58W241000 I2C 1 Mbit 2.5-3.6V, 200 mil SOIC

HN58X2502 SPI 2 Kbit






HN58X25128 SPI 128 Kbit 14-lead TSSOP

HN58X25256 SPI 256 Kbit 14-lead TSSOP

HN58X25512 SPI 512 Kbit 14-lead TSSOP, 200 mil SOIC

AG Industrial

Blank Consumer

FP SOIC (150 mil)(3)

T TSSOP (8-lead)(4)

24 I2C™

25 SPI

See table

Option

Package Code

Bus Type


注 1: 特に指定のない場合、動作電圧範囲は全製品とも 1.8V～ 5.5Vです。

2: 動作温度範囲は全製品とも -40°C ～ 85°C です。

3: HN58X25512、24512、24100 は、200 mil SOIC パッケージです。

4: HN58X25128、15256、225512、24128、24256 は、14 ピンの TSSOPパッケージです。

HN58X2402S FP I AG E

ルネサス製品の番号識別方法

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-14©



AK6003A I2C™ 2 Kbit

AK6004A I2C 4 Kbit

AK6008A I2C 16 Kbit

AK6010A I2C 32 Kbit -40°C to 70°C

AK6012A I2C 64 Kbit -40°C to 70°C

AK6510C SPI 32 Kbit

AK6512C SPI 64 Kbit

AK6512CA SPI 64 Kbit

AK6514C SPI 128 Kbit

AK6516C SPI 256 Kbit 1.6-5.5V

AK93C41A Microwire 1 Kbit 0.9-3.6V

AK93C45A Microwire 1 Kbit

AK93C45B Microwire 1 Kbit

AK93C45C Microwire 1 Kbit 1.5-5.5V














F SOIC (150 mil)

V, M(3) TSSOP

T, H(4) MSOP

L 3x3 mm DFN

U 2.2x2.2 mm DFN

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

Package Code

Bus Type


注 1: 特に指定のない場合、動作電圧範囲は全製品とも 1.8V～ 5.5Vです。

2: 特に指定のない場合、動作温度範囲は全製品とも-40°C～85°Cです。

3: TSSOP のパッケージコードに「M」を使用した場合、標準の TSSOPパッケージの印字よりも文字幅が大きくなります。

4: MSOP のパッケージコードに「H」を使用した場合、標準の MSOPパッケージの印字よりも文字幅が狭くなります。

AK93C45A F

旭化成製品の番号識別方法

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-15

シリ

アル

EEPRO



S-24CS16A I2C™ 16 Kbit 2.7-5.5V reads; 1.8-5.5V writes

S-24CS64A I2C 64 Kbit 2.7-5.5V reads; 1.8-5.5V writes

S-93A46A Microwire 1 Kbit

S-93C46B Microwire 1 Kbit 2.7-5.5V reads; 1.8-5.5V writes

S-93L46A Microwire 1 Kbit 注 2S-93A56A Microwire 2 Kbit


S-93L56A Microwire 2 Kbit 注 2S-93A66A Microwire 4 Kbit 2.7-5.5V


S-93L66A Microwire 4 Kbit 注 2S-93L76A Microwire 8 Kbit 注 2S-93A86A Microwire 16 Kbit


D8S1 PDIP

J8T1, J8T2 SOIC (JEDEC, 150 mil)

T8T1, T8T2 TSSOP

Blank or I -40°C to 85°C

H -40°C to 105°C

A -40°C to 125°C

01, 4, or 0

Blank or D Standard pinout

R Rotated pinout

24 I2C™

93 Microwire

See table

S-93A46A D 01 A- J8T2 G

Package Code

Temperature Range

Fixed

Pin Assignment

Bus Type


注 1: 特に指定のない場合、動作電圧範囲は 2.7V ～ 5.5V です。

2: 読み出しの電圧範囲は 1.6V ～ 5.5V、書き込みおよび消去の電圧範囲は 1.8V ～ 5.5V、WRAL および ERAL を使用した場合の電圧範囲は2.7V ～ 5.5V です。


セイコー製品の番号識別方法

(2 種類の識別方法を使用。次ページを併せて参照のこと )

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-16©



S-24CS01A I2C™ 1 Kbit

S-24CS02A I2C 2 Kbit



S-93C76A Microwire 8 Kbit

S-24CS08A FJ- TB H- G(3)

Temperature Range

Package Tape

Package Code

Bus Type


注 1: 読み出しの電圧範囲は全製品とも 1.8V ～ 5.5V、書き込みの電圧範囲は2.7V ～ 5.5V です。


3: 24CS08A では「G」よりも「1G」が使用されています。

Blank -40°C to 85°C

H -40°C to 105°C

Blank PDIP

TB Use for SOIC, TSSOP

DP PDIP

DFJ, FJ SOIC (JEDEC, 150 mil)

FT TSSOP

24 I2C™

93 Microwire

See table

Specification

セイコー製品の番号識別方法

(2 種類の識別方法を使用。前ページを併せて参照のこと )

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-17

シリ

アル

EEPRO

M製

相 2

ty Comment

t

t

t 1/2 array WP

t DIMM serial presence detect, 1.7-3.6V

t 1/2 array WP

it Whole array WP, 1.8-3.6V



it 1.8-3.6V

it 1.8-3.6V

it 1.8-3.6V

t -1.8 version is maximum 3.6V; -2.7 max. is 5.5V

it

t x8 or x16

t x16 (no ORG pin)

4HC02B、および 24HC04B の大電圧は 5.5V です。

N」を使用しない製品もあります。1.7V ～ 3.6V です。

AT

A( 旧


Device Option Bus Densi

AT24C01B(1) I2C™ 1 Kbi

AT24C02(1) I2C 2 Kbi

AT24HC02B(1) I2C 2 Kbi

AT34C02C(3) I2C 2 Kbi

AT24HC04B(1) I2C 4 Kbi

AT24C16B I2C 16 Kb

AT24C32C I2C 32 Kb

AT24C64C I2C 64 Kb

AT24C128B I2C 128 Kb



AT24C1024B I2C 1 Mbi

AT25512 SPI 512 Kb

AT93C46D Microwire 1 Kbi

AT93C46E Microwire 1 Kbi

注 1: AT24C01B、24C02B、22: 第二パッケージコード「3: AT34C02C の電圧範囲は

24C02B N- P U 25- T

Packing Medium

Voltage Range


General PackageCode


Bus Type


T Tape and reel

B Bulk

25 2.5-3.6V (or 2.5-5.5V)(1)

Blank 1.83-3.6V (or 1.8-5.5V)(1)

I -40 to 85°C

E, A -40 to 125°C

H -40 to 85°C, Pb-free (NiPdAu)

P -40 to 125°C, Pb-free (NiPdAu)

J, U -40 to 85°C, Pb-free

Q -40 to 125°C, Pb-free

P PDIP

S SOIC

T TSSOP

TS SOT-23

Y DFN (2x3, 5x3, or 6x5 mm)

C DFN (8x5 mm)

U BGA

W Die

N SOIC (JEDEC, 150 mil)(2)

W SOIJ (EIAJ, 208 mil)

Y6 2x3 mm DFN

Y1 5x3 mm DFN

Y4, Y7 6x5 mm DFN

C1 8x5 mm DFN

U2, U3, U4 BGA

R Rotated pinout

Blank Other package

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

tmel 社のシリアル EEPROM 製品の番号識別方法

製品は別表を参照 )

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-18©



AT24C01, C11 I2C™ 1 Kbit No WP, no address pins

AT24C01A I2C 1 Kbit Whole array WP, 3 address pins

AT24C02 I2C 2 Kbit Whole array WP

AT24C02A I2C 2 Kbit 1/2 array WP

AT34C02/02B I2C 2 Kbit DIMM serial presence detect

AT24C04 I2C 4 Kbit Whole array WP

AT24C04A I2C 4 Kbit 1/2 array WP

AT24C08 I2C 8 Kbit No WP

AT24C08A I2C 8 Kbit Whole array WP

AT24C16 I2C 16 Kbit 1/2 array WP, no address pins

AT24C16A I2C 16 Kbit Whole array WP, no address pins

AT24C164 I2C 16 Kbit Whole array WP, 3 address pins

AT24C32 I2C 32 Kbit 1/4 array WP


AT24C64/64B I2C 64 Kbit 1/4 array WP


AT24C128(1)/CS128 I2C 128 Kbit -1.8 version is maximum 3.6V; -2.7 max is 5.5V

AT24C256(1) I2C 256 Kbit -1.8 version is maximum 3.6V; -2.7 max is 5.5V

AT24C512 I2C 512 Kbit -1.8 version is maximum 3.6V; -2.7 max is 5.5V

AT24C1024 I2C 1 Mbit

AT25010/010A SPI 1 Kbit









AT25HP256 SPI 256 Kbit

AT25HP512 SPI 512 Kbit

AT25P1024 SPI 1 Mbit

AT93C46/46D Microwire 1 Kbit

AT93C46A/46C/46E Microwire 1 Kbit x16 only (no ORG pin)

AT93C56/56A 2 Kbit

AT93C66/66A 4 Kbit

AT93C86A Microwire 16 Kbit

AT24C32A N- 10 S U- 2.7 T

Packing Medium

Voltage Range


General PackageCode


Bus Type


注 1: AT24C128-1.8、AT24CS128-1.8、およびAT24C256-1.8 の電圧範囲は 1.8V ～ 3.6V です。

2: 第二パッケージコード「N」を使用しない場合もあります。

T Tape and reel

B Bulk

5.0 4.5-5.5V

2.7 2.7-5.5V

1.8 1.8-5.5V (or 1.8-3.6V)(1)

1.7 1.7-3.6V

I -40 to 85°C

E, A -40 to 125°C

J, U -40 to 85°C, Pb-free

H -40 to 85°C, Pb-free (NiPdAu)

Q -40 to 125°C, Pb-free

P PDIP

S SOIC

T TSSOP

TS SOT-23

Y DFN (2x3, 5x3, or 6x5 mm)

C DFN (8x5 mm)

U BGA

W Die

N SOIC (JEDEC, 150 mil)(2)

W SOIJ (EIAJ, 208 mil)

Y1 5x3 DFN

Y4 6x5 DFN

Y6 2x3 DFN

C1 8x5 DFN

U2, U3, U4 BGA

R Rotated pinout

Blank Other package

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

Atmel 社のシリアル EEPROM 旧製品の番号識別方法

( 新製品は別表を参照 )

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-19

シリ

アル

EEPRO



M24C01 I2C™ 1 Kbit

M24C02 I2C 2 Kbit

M34C02 I2C 2 Kbit DIMM serial presence detect

M34E02 I2C 2 Kbit DIMM serial presence detect

M34F04 I2C 4 Kbit 1/2 array WP

M24C04 I2C 4 Kbit

M24C08 I2C 8 Kbit

M24C16 I2C 16 Kbit

M24C32 I2C 32 Kbit

M24C64 I2C 64 Kbit

M34D64 I2C 64 Kbit 1/4 array write-protect

M24128-B I2C 128 Kbit

M24256-B I2C 128 Kbit

M24512 I2C 512 Kbit

M24M01 I2C 1 Mbit

M95010 SPI 1 Kbit

M95020 SPI 2 Kbit

M95040 SPI 4 Kbit

M95080 SPI 8 Kbit

M95160 SPI 16 Kbit

M95320 SPI 32 Kbit

M95640 SPI 64 Kbit

M95128 SPI 128 Kbit

M95256 SPI 256 Kbit

M95512 SPI 512 Kbit

M95M01 SPI 1 Mbit

M93C46 Microwire 1 Kbit





M24C32- R MN 6 T P /B

Process Designator

Packing Medium

Temperature Range

Package Code

Voltage Range

Bus Type


Lead Finish

(Optional)

G, P Pb-free

Blank SnPb

T Tape and reel

Blank Bulk

1 0 to 70°C

3 -40 to 125°C

5 -20 to 85°C

6 -40 to 85°C

7 -40 to 105°C

BN PDIP

MN SOIC (JEDEC, 150 mil)

MW SOIC (EIAJ, 208 mil)

DW TSSOP

DS MSOP

MB 2x3 mm DFN

Blank 4.5-5.5V

W 2.5-5.5V

L 2.2-5.5V

R 1.8-5.5V

F 1.7-5.5V

24 I2C™

95 SPI

93 Microwire

See table

ST マイクロエレクトロニクス社のシリアル EEPROM 製品の番号識別方法

シリ

アル

EEPRO

M

DS

21621B_JP

-ページ

2-20©



CAT24C01 I2C™ 1 Kbit

CAT24C02 I2C 2 Kbit Full array WP

CAT34C02 I2C 2 Kbit DIMM serial presence detect; 1.7-5.5V

CAT24C03 I2C 2 Kbit 1/2 array WP

CAT24C04 I2C 4 Kbit Full array WP

CAT24C05 I2C 4 Kbit 1/2 array WP

CAT24C08 I2C 8 Kbit

CAT24C16 I2C 16 Kbit No address pins

CAT24C164 I2C 16 Kbit 3 address pins

CAT24C32 I2C 32 Kbit




CAT25010 SPI 1 Kbit

CAT25020 SPI 2 Kbit

CAT25040 SPI 4 Kbit

CAT25080 SPI 8 Kbit

CAT25160 SPI 16 Kbit



CAT93C46 Microwire 1 Kb

CAT93C46R Microwire 1 Kb

CAT93C66 Microwire 2 Kb Older die revs follow the “old” part number convention

CAT93C76 Microwire 8 Kb

CAT24C16 L I- G T 3

Packing Medium

Lead Finish

Temperature

Package Code

Bus Type


Reel Quantity

Range

注 1: 電圧範囲は全製品とも 1.8V ～ 5.5V です。

2: 93 シリーズ製品については、パッケージコード「W」は代替の回転ピン配列です。「V」は標準のピン配列です。

2 2000/reel

3 3000/reel

T Tape and reel

G NiPdAu

Blank Matte tin

I -40 to 85°C

A, E -40 to 125°C

L PDIP

W2, V SOIC (JEDEC, 150 mil)

X SOIC (EIAJ, 208 mil)

Y TSSOP

Z MSOP

TD SOT-23

HU2 2x2 mm DFN

VP2 2x3 mm DFN

ZD4 3x3 mm DFN

ZD2 3x4.9 mm DFN

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

Catalyst シリアル EEPROM 製品の番号識別方法

( 旧製品は別表を参照 )

©2007 M


S21621B_JP -

ペー

ジ2-21

シリ

アル

EEPRO

M製

相 2

CA

Bus Density Comment

I2C™ 128 bit

I2C 1 Kbit

I2C 1 Kbit

I2C 1 Kbit No WP

I2C 2 Kbit

I2C 4 Kbit

I2C 8 Kbit

I2C 16 Kbit

I2C 16 Kbit 3 address pins

I2C 16 Kbit 1/2 array WP

I2C 32 Kbit

I2C 32 Kbit 1/4 array WP

I2C 64 Kbit

I2C 64 Kbit

I2C 64 Kbit

I2C 128 Kbit

I2C 256 Kbit

I2C 256 Kbit

SPI 1 Kbit

SPI 2 Kbit

SPI 4 Kbit

SPI 8 Kbit

SPI 16 Kbit

SPI 32 Kbit

SPI 64 Kbit

SPI 128 Kbit

SPI 256 Kbit

Microwire 1 Kbit

Microwire 2 Kbit

Microwire 4 Kbit

Microwire 16 Kbit

囲は 1.8V ～ 5.5V です。

ついては、パッケージコード「W」は代替の回転」および「S」は標準のピン配列です。

Ca( 新


T24WC16 P I- 1.8- G TE13

Lead Finish

Voltage Range

Temperature

Package Code

Bus Type


Packing Medium

Range

Device Option

CAT24C00(1, 3)

CAT24FC01(3)

CAT24WC01

CAT24C01B(3)

CAT24FC02(3)/WC02

CAT24WC04

CAT24WC08

CAT24WC16(3)

CAT24WC164(3)

CAT24FC17(3)

CAT24FC32(3)/FC32A(3)/WC32

CAT24WC33

CAT24FC64(3)/WC64

CAT24F65(3)/WC65(3)/FC66(3)

CAT24WC66

CAT24WC128/AC128/WC129(3)

CAT24FC256(3)

CAT24WC256/WC257(3)

CAT25C01(3)/C11(3)

CAT25C02(3)/C03(3)

CAT25C04(3)/C05(3)

CAT25C08/C09(3)

CAT25C16/C17(3)

CAT25C32/C33(3)

CAT25C64/C65(3)

CAT25C128

CAT25C256

93HC46(3)

93C56/C57

93C66

93C86

注 1: CAT24C00 の電圧範

2: 93 シリーズ製品にピン配列です。「V

3: 製造中止製品

TE13, T2, T3 Tape and Reel

Blank See package code below

G NiPdAu

3 3.0-5.5V

Blank 2.5-5.5V

1.8 1.8-5.5V

Blank 0 to 70°C

I -40 to 85°C

A -40 to 105°C

E -40 to 125°C

P PDIP

J2, S SOIC (JEDEC, 150 mil)

K SOIC (EIAJ, 208 mil)

U TSSOP

TP SOT-23

R MSOP

SP2 2x3 mm DFN

L, GL PDIP, Pb-free

TB, GTB SOT-23, Pb-free

W2, V, GW, GV SOIC (JEDEC, 150 mil), Pb-free

X, GX SOIC (EIAJ, 208 mil), Pb-free

Y, GY TSSOP, Pb-free

Z, GZ MSOP, Pb-free

VP2 2x3 mm DFN, Pb-free

24 I2C™

25 SPI

93 Microwire

See table

talyst シリアル EEPROM 旧製品の番号識別方法

製品は別表を参照 )

シリアル EEPROM
メモ :
DS21621B_JP - ページ 2-22 ©2007 Microchip Technology Inc.


製品ファミリ

データシート

3I2C™ シリアル EEPROM ファミリデータシート ...............................................................................................3-11K ～ 16K Microwire 互換シリアル EEPROM .....................................................................................................3-31SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート .................................................................................................3-57特定の製品について ...............................................................................................................................................3-89

セクション 3製品ファミリデータシート

I2C は Philips Corporation の登録商標です。

Smart Serial はマイクロチップテクノロジー社の登録商標です。

DS00157E_JP - ページ 3-ii ©2007 Microchip Technology Inc.

製品ファミリ

データシート

3

24AA00/24LC00/24C00 24AA01/24LC01B24AA014/24LC014 24C01C24AA02/24LC02B 24C02C24AA024/24LC024 24AA025/24LC02524AA04/24LC04B 24AA08/24LC08B24AA16/24LC16B 24AA32A/24LC32A24AA64/24LC64/24FC64 24AA128/24LC128/24FC12824AA256/24LC256/24FC256 24AA512/24LC512/24FC512

I2C™ シリアル EEPROM ファミリデータシート

特徴 :• 128 ビット～ 1024K ビットのデバイス

• 24AAXX デバイスの場合、単一電源で 1.7V までの動作

• 低消費電力 CMOS 技術 :- 1 mA のアクティブ電流 ( 標準 )- 1 µAのスタンバイ電流 (一般工業用温度範囲内の場合の標準 )

• 2 線式シリアルインターフェースバス、I2C™ 互換

• シュミットトリガ入力によるノイズ抑制

• グランドバウンスを回避する出力スロープ制御

• 400 kHz (≥ 2.5V): 24LCXX および 24AAXX• 1 MHz (≥ 2.5V) および 400 kHz (1.7V): 24FCXX • セルフタイムの書き込みサイクル ( 自動消去を含む )

• ページ書き込みバッファ

• すべてのデバイスでハードウェアによる書き込み保護機能を装備 ( 一部例外を除く )

• 出荷時にプログラミング (QTP) を提供

• ESD 保護 > 4,000V• 100 万回の消去 / 書き込みサイクル

• データ保存 > 200 年

• 8 ピン PDIP、SOIC、TSSOP、および MSOPパッケージ

• 5 ピン SOT-23 パッケージ ( 一部を除くすべての1K ～ 16K ビットデバイス )

• 8 ピン 2x3 mm および 5x6 mm DFN パッケージも提供

• 鉛フリーおよび RoHS 準拠

• 広い温度範囲 :- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C- 車載用 (E): -40°C ～ +125°C

概要 :マイクロチップテクノロジー社の 24CXX、24LCXX、24AAXX、および 24FCXX (24XX*) デバイスは、128 ビットから 1024K ビットまでの電気的に消去可能な PROM (EEPROM) のファミリです。デバイスは、2 線式シリアルインターフェースを備えたx8ビットメモリのブロックに編成されています。低電圧設計を利用して、24AAXX デバイスの場合、1.7V での動作が可能で、スタンバイ電流は 1 µA、アクティブ電流はわずか 1 mA です。1K ビット以上のデバイスは、ページ書き込み機能を備えています。アドレスラインが適切に機能する製品の場合、同一バス上に大 8 つのデバイスを接続できます。24XX ファミリは、標準 8 ピンの PDIP、表面実装SOIC、TSSOP、および MSOP パッケージで提供されています。128 ビットから 16K ビットまでのデバイスの多くは、5 ピンの SOT-23 パッケージでも提供されています。また DFN パッケージ (2x3mm または5x6mm) もあります。パッケージはすべて鉛フリー( つや消しタイプの錫メッキ ) 仕上げです。

* このデータシートでは、24XX は 24 シリーズデバイスの一般的な製品番号を表します。例えば、24XX64は64Kビットデバイスの全電圧を表します。

パッケージのタイプ (1)

注 : 本文書は概要です。仕様の詳細は、www.microchip.comで各製品データシートを参照してください。

A0

A1

A2

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

WP(3)

SCL

SDA

PDIP/SOIC

A0

A1

A2

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

WP(3)

SCL

SDA

TSSOP/MSOP(2)

1 5

43

SCL

VSS

SDA

VCC

NC

2

SOT-23-5(24XX00)

SOT-23-5

1 5

43

SCL

VSS

SDA

WP

VCC

2

(all except 24XX00)

A0

A1A2

VSS

WP(3)

SCLSDA5

678

4321 VCC

DFN注 1: A0、A1、A2、および WP ピンを使用しないデバ

イスもあります ( 内部接続なし )。詳細は表 1-1( デバイス選択表 ) を参照してください。

2: 24XX128および24XX256のMSOPデバイスの場

合、A0 および A1 ピンは接続されません。

3: 24XX00、24XX025、および 24C01C デバイスの

場合、ピン 7 は使用しません。

©2007 Microchip Technology Inc. DS21930C_JP - ページ 3-1

24AAXX/24LCXX/24FCXX

表 1-1: デバイス選択表

Part Number VCC Range

Max. Clock Frequency

Page Size

Write-Protect Array

Functional Address

PinsTemp. Range Packages(5)

128-bit devices

24AA00 1.7-5.5V 400 kHz(1)

— None None

I P, SN, ST, OT, MC

24LC00 2.5-5.5V 400 kHz(1) I

24C00 4.5-5.5V 400 kHz I, E

1 Kb devices

24AA01 1.7-5.5V 400 kHz (2)8 bytes Entire Array None

I P, SN, ST, MS, OT, MC

24LC01B 2.5-5.5V 400 kHz I, E24AA014 1.7-5.5V 400 kHz(2)

16 bytes Entire Array A0, A1, A2I P, SN, ST, MS, MC

24LC014 2.5-5.5V 400 kHz I24AA01H(6) 1.7-5.5v 400 kHz(1) 16 bytes Upper Half A0, A1, A2 I P, SN, ST, MS, OT, MC24LC01H(6) 2.5-5.5v 400 kHz(1) 16 bytes Upper Half A0, A1, A2 I, E P, SN, ST, MS, OT, MC24C01C 4.5V-5.5V 400 kHz 16 bytes None A0, A1, A2 I, E P, SN, ST, MC2 Kb devices24AA02 1.7-5.5V 400 kHz (2)

8 bytes Entire Array NoneI P, SN, ST, MS, OT, MC

24LC02B 2.5-5.5V 400 kHz I, E24AA024 1.7-5.5V 400 kHz(2)

16 bytes Entire Array A0, A1, A2I P, SN, ST, MS, MC

24LC024 2.5-5.5V 400 kHz I24AA025 1.7-5.5V 400 kHz(2)

16 bytes None A0, A1, A2I P, SN, ST,MS, MC

24LC025 2.5-5.5V 400 kHz I24AA02H(6) 1.7-5.5v 400 kHz(1) 16 bytes Upper Half A0, A1, A2 I P, SN, ST, MS, OT, MC24LC02H(6) 2.5-5.5v 400 kHz(1) 16 bytes Upper Half A0, A1, A2 I, E P, SN, ST, MS, OT, MC

24C02C 4.5-5.5V 400 kHz 16 bytes Upper Half of Array

A0, A1, A2 I, E P, SN, ST, MC

4 Kb devices24AA04 1.7-5.5V 400 kHz (2) 16 bytes Entire Array None I P, SN, ST, MS, OT, MC24LC04B 2.5-5.5V 400 kHz I, E8 Kb devices24AA08 1.7-5.5V 400 kHz (2)


24LC08B 2.5-5.5V 400 kHz I, E16 Kb devices24AA16 1.7-5.5V 400 kHz (2)


24LC16B 2.5-5.5V 400 kHz I, E32 Kb devices24AA32A 1.7-5.5V 400 kHz (2)

32 bytes Entire Array A0, A1, A2I P, SN, SM, ST, MS, MC

24LC32A 2.5-5.5V 400 kHz I, E

注 1: VCC <4.5V では 100 kHz2: VCC <2.5V では 100 kHz3: VCC <2.5V では 400 kHz4: 24XX128 および 24XX256 の MSOP デバイスの場合、A0 および A1 ピンは接続されません。

5: P = 8-PDIP、SN = 8-SOIC (3.90 mm JEDEC)、ST = 8-TSSOP、OT = 5 または 6-SOT23、MC = 2x3mm DFN、MS = 8-MSOP、SM = 8-SOIC (200 mil EIAJ)、MF = 5x6mm DFN。

6: 2007 年第 4 四半期に発売。

DS21930C_JP - ページ 3-2 ©2007 Microchip Technology Inc.

24AAXX/24LCXX/24FCXX製品ファミリ

データシート

3

64 Kb devices24AA64 1.7-5.5V 400 kHz (2)

32 bytes Entire Array A0, A1, A2I P, SN, SM, ST, MS, MC

24LC64 2.5-5.5V 400 kHz I, E24FC64 1.7-5.5V 1 MHz(3) I128 Kb devices24AA128 1.7-5.5V 400 kHz (2)

64 bytes Entire Array A0, A1, A2(4)

I P, SN, SM, ST, MS, MF24LC128 2.5-5.5V 400 kHz I, E24FC128 1.7-5.5V 1 MHz(3) I256 Kb devices24AA256 1.7-5.5V 400 kHz (2)

64 bytes Entire Array A0, A1, A2(4)

I P, SN, SM, ST, MS, MF24LC256 2.5-5.5V 400 kHz I, E24FC256 1.7-5.5V 1 MHz(3) I512 Kb devices24AA512 1.7-5.5V 400 kHz (2)

128 bytes Entire Array A0, A1, A2I P, SM, MF,

24LC512 2.5-5.5V 400 kHz I, E24FC512 1.7-5.5V(3) 1 MHz I1024 Kb devices24AA1025 1.7-5.5V 400 kHz (2)

128 bytesI P, SM

24LC1025 2.5-5.5V 400 kHz Entire Array A0, A1 I, E24FC1025 1.7-5.5V(3) 1 MHz I

表 1-1: デバイス選択表 ( 続き )

Part Number VCC Range

Max. Clock Frequency

Page Size

Write-Protect Array

Functional Address

PinsTemp. Range Packages(5)

注 1: VCC <4.5V では 100 kHz2: VCC <2.5V では 100 kHz3: VCC <2.5V では 400 kHz4: 24XX128 および 24XX256 の MSOP デバイスの場合、A0 および A1 ピンは接続されません。

5: P = 8-PDIP、SN = 8-SOIC (3.90 mm JEDEC)、ST = 8-TSSOP、OT = 5 または 6-SOT23、MC = 2x3mm DFN、MS = 8-MSOP、SM = 8-SOIC (200 mil EIAJ)、MF = 5x6mm DFN。

6: 2007 年第 4 四半期に発売。



2.0 電気的特性

絶対最大定格 (†)

VCC..................................................................................................................................................................................... 6.5V

VSS を基準にしたすべての入出力 .......................................................................................................-0.6V ～ VCC +1.0V保存温度 ........................................................................................................................................................ -65°C ～ +150°C通電時の周囲温度 ........................................................................................................................................ -40°C ～ +125°C全ピンに対する静電気保護 ......................................................................................................................................... ≥ 4 kV

表 2-1: DC 特性

† 注意 : 上記の「絶対大定格」を超えるストレスを加えると、デバイスに恒久的な損傷を与えることがあります。この規定はストレス定格のみを規定するものであり、この条件、あるいはこの仕様の動作条件に記載する規定値以上の他の条件でのデバイス動作を定めたものではありません。デバイスを長時間大定格状態にすると、デバイスの信頼性に影響を与えることがあります。

DC CHARACTERISTICSElectrical Characteristics:Industrial (I): VCC = +1.7V to 5.5V TA = -40°C to +85°CAutomotive (E): VCC = +2.5V to 5.5V TA = -40°C to 125°C

Param.No. Sym. Characteristic Min. Max. Units Conditions

D1 — A0, A1, A2, SCL, SDA and WP pins:

— — — —

D2 VIH High-level input voltage 0.7 VCC — V —D3 VIL Low-level input voltage — 0.3 VCC

0.2 VCCVV

VCC ≥ 2.5VVCC < 2.5V

D4 VHYS Hysteresis of Schmitt Trigger inputs (SDA, SCL pins)

0.05 VCC — V ( 注 1)

D5 VOL Low-level output voltage — 0.40 V IOL = 3.0 mA @ VCC = 2.5VD6 ILI Input leakage current — ±1 µA VIN = VSS or VCC

D7 ILO Output leakage current — ±1 µA VOUT = VSS or VCC

D8 CIN, COUT

Pin capacitance (all inputs/outputs)

— 10 pF VCC = 5.0V ( 注 1)TA = 25°C, FCLK = 1 MHz

D9 ICC Read Operating current — 5004001

µAµAmA

24XX102524XX128, 256, 512:All except 24XX128, 256, 512, 1025:

(VCC = 5.5V, SCL = 400 kHz)ICC Write — 3

5

mA

mA

All except 24XX512 and 24XX102524XX512 and 24XX1025 (VCC = 5.5V)

D10 ICCS Standby current ——

15

µAµA

All except 24XX102524XX1025

— 50 µA 24C01C and 24C02C only(TA = -40°C to +85°C)

— 5 µA All except 24XX1025(TA = -40°C to +125°C)SCL = SDA = VCC = 5.5VA0, A1, A2, WP = VSS or VCC

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テストは全数テストではありません。



データシート

3

表 2-2: AC 特性 – 24XX00、24C01C、および 24C02C を除くすべてのデバイス

AC CHARACTERISTICSElectrical Characteristics:Industrial (I): VCC = +1.7V to 5.5V TA = -40°C to +85°CAutomotive (E): VCC = +2.5V to 5.5V TA = -40°C to 125°C


1 FCLK Clock frequency ————

1004004001000

kHz 1.7V ≤ VCC < 2.5V 2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V1.7V ≤ VCC < 2.5V 24FCXXX2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V 24FCXXX

2 THIGH Clock high time 4000600600500

————

ns 1.7V ≤ VCC < 2.5V 2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V1.7V ≤ VCC < 2.5V 24FCXXX2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V 24FCXXX

3 TLOW Clock low time 470013001300500

————


4 TR SDA and SCL rise time( 注 1)

———

1000300300

ns 1.7V ≤ VCC < 2.5V 2.5V ≤ VCC ≤ 5.5V1.7V ≤ VCC ≤ 5.5V 24FCXXX

5 TF SDA and SCL fall time( 注 1)

——

300100

ns All except 24FCXXX1.7V ≤ VCC ≤ 5.5V 24FCXXX

6 THD:STA Start condition hold time 4000600600250

————


7 TSU:STA Start condition setup time 4700600600250

————


8 THD:DAT Data input hold time 0 — ns ( 注 2)9 TSU:DAT Data input setup time 250

100100

———


10 TSU:STO Stop condition setup time 4000600600250

————

ns 1.7 V ≤ VCC < 2.5V 2.5 V ≤ VCC ≤ 5.5V1.7V ≤ VCC < 2.5V 24FCXXX2.5 V ≤ VCC ≤ 5.5V 24FCXXX

11 TSU:WP WP setup time(32K and above only)

4000600600

———


12 THD:WP WP hold time(32K and above only)

470013001300

———


注 1: テストは全数テストではありません。CB は 1 本のバスラインの総容量を単位 pF で表したもの。

2: トランスミッタとして、デバイスは SCL の立ち下がりエッジの未定義領域をカバーし、予期せぬ開始や停止の発生を回避するため、小限の内部遅延時間 (300 ns 以上 ) が必要です。

3: このパラメータはテストされていませんが、特性解析に基づいて保証されています。特定のアプリケーションにおけるデータ書き換え耐久性の概算については、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com の Total Endurance™ Model をご覧ください。

4: 24FCXXX は 24FC64、24FC128、24FC256、24FC512、および 24FC1025 デバイスを表します。



13 TAA Output valid from clock( 注 2)

————

3500900900400


14 TBUF Bus free time: Time the bus must be free before a new transmission can start

470013001300500

————


15 TOF Output fall time from VIHminimum to VIL maximumCb ≤ 100 pF

10 + 0.1Cb 250250

ns All except 24FCXXX ( 注 1)24FCXXX ( 注 1)

16 TSP Input filter spike suppression(SDA and SCL pins)

— 50 ns All except 24FCXXX ( 注 1)

17 TWC Write cycle time (byte or page) — 5 ms18 — Endurance 1,000,000 — cycles 25°C ( 注 3)

表 2-2: AC 特性 – 24XX00、24C01C、および 24C02C を除くすべてのデバイス ( 続き )



注 1: テストは全数テストではありません。CB は 1 本のバスラインの総容量を単位 pF で表したもの。



4: 24FCXXX は 24FC64、24FC128、24FC256、24FC512、および 24FC1025 デバイスを表します。



データシート

3

表 2-3: AC 特性 – 24XX00、24C01C、および 24C02C

All Parameters apply across all recommended operating ranges unless otherwise noted

Industrial (I): TA = -40°C to +85°C, VCC = 1.7V to 5.5VAutomotive (E): TA = -40°C to +125°C, VCC = 4.5V to 5.5V

Parameter Symbol Min. Max. Units Conditions

Clock frequency FCLK ———

100100400

kHz 4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V (E Temp range)1.7V ≤ Vcc ≤ 4.5V4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V

Clock high time THIGH 40004000600

———

ns 4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V (E Temp range)1.7V ≤ Vcc ≤ 4.5V 4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V

Clock low time TLOW 470047001300

———


SDA and SCL rise time( 注 1)

TR ———

10001000300


SDA and SCL fall time TF — 300 ns ( 注 1)Start condition hold time THD:STA 4000

4000600

———


Start condition setup time TSU:STA 47004700600

———


Data input hold time THD:DAT 0 — ns ( 注 2)Data input setup time TSU:DAT 250

250100

———


Stop condition setup time TSU:STO 40004000600

———


Output valid from clock( 注 2)

TAA ———

35003500900


Bus free time: Time the bus must be free before a new transmission can start

TBUF 470047001300

———


Output fall time from VIHminimum to VIL maximum

TOF 20+0.1CB

250 ns ( 注 1), CB ≤ 100 pF

Input filter spike suppression(SDA and SCL pins)

TSP — 50 ns ( 注 1)

Write cycle time TWC — 41.5

ms 24XX0024C01C, 24C02C

Endurance 1,000,000 — cycles ( 注 3)注 1: テストは全数テストではありません。CB は 1 本のバスラインの総容量を単位 pF で表したもの。





図 2-1: バスタイミング例

(unprotected)(protected)

SCL

SDAIN

SDAOUT

WP

5

7

6

16

3

2

8 9

13

D4 4

10

11 12

14



データシート

3

3.0 ピン説明

各ピンの説明を表 3-1 に示します。

表 3-1: ピン機能表

3.1 チップアドレス入力ピン A0、A1、A2

24XX01 ～ 24XX16 のデバイスでは、A0、A1、および A2 ピンは使用しません。

24C01C、24C02C、24XX014、24XX024、24XX025、および 24XX32 ～ 24XX1025 では、A0、A1、および A2 入力ピンを使用して複数のデバイスを操作します。これらの入力レベルは、スレーブアドレスの対応するビットと比較され、比較の結果が真(True) であれば、そのデバイスが選択されます。

MSOP パッケージの 24XX128 および 24XX256 デバイスの場合、A0 および A1 ピンは接続されません。

チップセレクトビットをさまざまに組み合わせることによって、大 8 つのデバイス (MSOP パッケージの 24XX128 および 24XX256では 2 つのデバイス ) を同一バスに接続できます。

アプリケーションの多くは、チップアドレス入力ピン A0、A1、および A2 は、ロジック「0」またはロジック「1」にハードワイヤ配線されています。マイクロコントローラやその他のプログラム可能なデバイスによってこれらのピンが制御されているアプリケーションの場合、デバイスの通常の動作を開始する前に、チップアドレスピンをロジック「0」またはロジック「1」に設定する必要があります。

3.2 シリアルデータ (SDA)アドレスおよびデータのデバイスへの入力、デバイスからの出力を行うための双方向ピンであり、オープンドレイン端子です。このため、SDA バスは VCCへのプルアップ抵抗を必要とします ( 通常、100 kHzでは 10 kΩ、400 kHz と 1 MHz では 2 kΩ)。通常のデータ転送では、SDA は SCL が Low の場合にのみ変更できます。SCL が High 時の変更は、開始条件と停止条件の指示用に予約されています。

3.3 シリアルクロック (SCL)このピンは、デバイスとのデータ転送の同期をとるため使用します。

3.4 書き込み保護 (WP)このピンは、VSS または VCC に接続する必要があります。VSS に接続すると、書き込みが可能になります。VCC に接続した場合は、書き込みは禁止されますが、読み出しには影響しません。各デバイスの書き込み保護方法については、表 1-1 を参照してください。

3.5 電源 (VCC)VCC しきい値検出回路により、VCC が公称条件 1.5V以下の場合内部消去 / 書き込みロジックが無効になります。24C00、24C01C、および 24C02C デバイスについては、公称条件 3.8V 以下になると消去 / 書き込みロジックが無効になります。

Pin Name 8-Pin PDIP and SOIC

8-Pin TSSOP and

MSOP

5-Pin SOT-23 24XX00

5-Pin SOT-23 All except

24XX00

8-Pin 5x6 DFN and

2x3 DFNFunction

A0 1 1(1) — — 1 User configurable Chip Select(3)(4)

A1 2 2(1) — — 2 User configurable Chip Select(3)(4)

A2 3 3 — — 3 User configurable Chip Select(3)(4)

VSS 4 4 2 2 4 GroundSDA 5 5 3 3 5 Serial DataSCL 6 6 1 1 6 Serial Clock(NC) — — 4 — — Not ConnectedWP 7(2) 7(2) — 5 7 Write-Protect InputVCC 8 8 5 4 8 Power Supply

注 1: 24XX128 および 24XX256 の MSOP パッケージでは、ピン 1 およびピン 2 は接続されません。

2: 24XX00、24XX025、および 24C01C デバイスでは、ピン 7 は使用しません。

3: A0、A1、および A2 ピンを使用しないデバイスもあります ( 内部接続なし )。詳細は表 1-1 をご覧ください。

4: 適切な動作を確保するため、24XX1025 デバイスでは A2 ピンを論理 High に固定する必要があります。

注 : 24XX1025 では A2 ピンは設定不可能で、デバイスが正常に動作するよう必ず VCCに接続してください。



4.0 機能の説明

24XX デバイスは、2 線式バスの双方向データ伝送プロトコルをサポートしています。バス上にデータを送信するデバイスはトランスミッタとなり、データを受信するデバイスはレシーバとなります。マスターデバイスは、シリアルクロック (SCL) を生成し、バスアクセスを制御します。一方、24XX はスレーブデバイスとして動作します。マスターデバイスとスレーブデバイスはいずれも、トランスミッタにもレシーバにもなり、いずれのモードをアクティブにするかはマスターが決定します。

ブロック図

HV Generator

EEPROM Array

Page Latches*

YDEC

XDEC

Sense Amp.R/W Control

MemoryControl

Logic

I/OControlLogic

I/O

A0*A1*A2*

SDA

SCL

VCC

VSS

WP*

* A0, A1, A2, WP and page latches are not used by somedevices.See Table 1-1, Device Selection Table, for details.



データシート

3

5.0 バスの特性

以下のバスプロトコルが定義されています。

• データ転送はバスがビジーでない場合にのみ開始できます。

• データ転送時、クロックラインが High の間データラインは安定状態でなければなりません。クロックラインが High の間のデータラインの変更は、開始条件または停止条件とみなされます。

以上から、次のようなバス状態が定義されます( 図 5-1)。

5.1 Bus Not Busy (A)

データラインとクロックラインの両方がHighです。

5.2 Start Data Transfer (B)

クロック (SCL) が High のときに SDA が High からLow へ遷移すると開始条件となり、すべてのコマンドの先頭となる必要があります。

5.3 Stop Data Transfer (C)

クロック (SCL) が High のときに SDA ラインが Lowから High へ遷移すると、停止条件となります。停止条件は、すべての操作終了後となる必要があります。

5.4 Data Valid (D)

開始条件が生成された後、クロック信号が High の期間中データラインが安定すると、データラインは有効データを示します。

ライン上のデータは、クロック信号が Low の間に変更しなければなりません。データ 1 ビットあたり1 クロックパルスが発生します。

データ転送は開始条件で開始し、停止条件で終了します。開始条件と停止条件の間に転送されるデータのバイト数は、マスターデバイスに依存します。



5.5 確認応答

アドレス指定を受けたレシーバデバイスは、1 バイトのデータを受信するたびに確認応答 (ACK) を生成します。マスターデバイスは、この ACK ビットと共に余剰的にクロックパルスを生成します。

確認応答するデバイスは、ACK に対応するクロックパルスが High の間 SDA が Low で安定するように、ACK クロックパルス時に SDA をプルダウンする必要があります。また、セットアップ時間とホールド時間を考慮する必要があります。読み出し時には、マスターデバイスはスレーブデバイスからクロックに同期して出力された後のバイトに対して ACK ビットを生成しないことで、データの終わりをスレーブデバイスに知らせます。この場合、スレーブ (24XX) はデータラインを High のままにして、マスターが停止条件を生成できるようにします ( 図 5-2)。

図 5-1: シリアルバスのデータ転送シーケンス

図 5-2: 確認応答 (ACK) タイミング

注 : 書き込みサイクルの間、24XX はコマンドに対して確認応答を返しません。

SCL

SDA

(A) (B) (D) (D) (A)(C)

StartCondition

Address orAcknowledge

Valid

DataAllowed

to Change

StopCondition

SCL 987654321 1 2 3

Transmitter must release the SDA line at this point,allowing the Receiver to pull the SDA line low toacknowledge the previous eight bits of data.

Receiver must release the SDA lineat this point so the Transmitter cancontinue sending data.

Data from transmitterSDA

Acknowledgebit

Data from transmitter



データシート

3

5.6 機能アドレスピンを備えていないデバイスへのアドレッシング

制御バイトは、開始条件に続いてマスターデバイスから受け取る初のバイトです ( 図 5-3)。制御バイトは、4 ビットの制御コードで始まります。24XXの場合、読み書きのための制御コードは、バイナリの「1010」に設定されています。制御コードに続く 3 ビットは、一括選択ビット (B2、B1、B0) です。マスターデバイスは、これらのビットを使用してメモリの256ワードブロックのうちいずれのブロックにアクセスするかを選択します。これらのビットは、実質上、ワードアドレスの上位 3 ビットです。24XX00、24XX01、24XX02 の B2、B1、B0 は「ド

ントケア」ビットです。24XX04 では B2 と B1 が、24XX08 では B2 が、それぞれ「ドントケア」ビットです。

制御バイトの終ビットは、実行すべき動作を定義します。このビットが「1」に設定されている場合、読み出しが選択され、「0」に設定されている場合、書き込みが選択されます。開始条件に続き、24XXは SDA バスを監視します。「1010」コード、ブロックセレクトビット、そして R/W ビットを受信すると、スレーブデバイスは SDA ライン上に ACK 信号を出力します。ACK に続いてアドレスバイトが出力されます。

図 5-3: アドレスピンのないデバイスでの制御バイトとアドレスバイトの指定

S 1 0 1 0 x x x R/W ACKS 1 0 1 0 x x x R/W ACKS 1 0 1 0 x x x R/W ACKS 1 0 1 0 x x B0 R/W ACKS 1 0 1 0 x B1 B0 R/W ACKS 1 0 1 0 B2 B1 B0 R/W ACK

24XX01

24XX0224XX04

24XX0824XX016

x = “don’t care” bit

AcknowledgeControl CodeStart bit

Control Byte

Block Select bits

Address Byte

24XX00

Read/Write bit (Read = 1, Write = 0)

x x x x A3 . . A0x A6 . . . . . A0A7 . . . . . . A0A7 . . . . . . A0A7 . . . . . . A0A7 . . . . . . A0

bit



5.7 機能アドレスピンを備えたデバイスへのアドレッシング

制御バイトは、開始条件に続いてマスターデバイスから受け取る初のバイトです ( 図 5-4)。制御バイトは、4 ビットの制御コードで始まります。24XXの場合、読み書きのための制御コードは、‘1010’ バイナリに設定されています。制御コードに続く 3ビットは、チップセレクトビット (A2、A1、A0) です。チップセレクトビットにより、大 8 つの24XX デバイスを同一バス上で使用でき、いずれのデバイスにアクセスするかの選択にこのビットを使用します。制御バイトのチップセレクトビットは、応答するデバイスの A2、A1、および A0 ピンの論理レベルに対応する必要があります。これらのビットは、実質上、ワードアドレスの上位 3 ビットです。

MSOP パッケージの 24XX128 および 24XX256 デバイスの場合、A0 および A1 ピンは接続されません。デバイスのアドレッシングの際、A0 と A1 のチップセレクトビット ( 図 5-4) を「0」に設定しておく必要があります。同一バスに接続できるのは、24XX128か 24XX256 の 2 つの MSOP パッケージだけです。

制御バイトの終ビットは、実行すべき動作を定義します。このビットが「1」に設定されている場合、読み出しが選択され、「0」に設定されている場合、書き込みが選択されます。より高集積度デバイス (24XX32～ 24XX1025)では、制御バイトに続く 2 つのバイトが初のデータバイトのアドレスを指定します。製品の集積度によっては、高位アドレスバイトのすべてのビットが使用されるわけではありません。24XX32 では、A15、A14、A13、A12 が「ドントケア」ビットです。24XX64では、A15、A14、A13 が「ドントケア」ビットです。24XX128 では A15 と A14 が、24XX256 ではA15 がそれぞれ「ドントケア」ビットです。24XX512および 24XX1025 については、すべてのアドレスビットが使われます。まず上位アドレスビットが送信され、続いて下位ビットが送信されます。

開始条件に続き、24XX は SDA バスを監視します。‘1010’ コード、適切なデバイスセレクトビット、そして R/W ビットを受信すると、スレーブデバイスは SDA ライン上に ACK 信号を出力します。ACKに続いてアドレスバイトが出力されます。

24XX1025 には内部アドレス境界制限があるため、512Kビットごとに 2つのセグメントに分割されます。一括選択ビット「0」を使用して各セグメントへのアクセスを制御します。この境界をまたがる連続的な書き込みはできません。

図 5-4: アドレスピンを備えたデバイスでの制御バイトとアドレスバイトの指定

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 B0 A1 A0 R/W ACK

24XX64

24XX128

24XX256

24XX512

x = “don’t care” bit

AcknowledgeControl CodeStart bit

Control Byte

Chip Select bits*

Address High Byte

24XX32

Read/Write bit

x x x x A11 A10 A9 A8

x x x A12 A11 A10 A9 A8

x x A13 A12 A11 A10 A9 A8

x A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8

A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8

A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8

bit

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

S 1 0 1 0 A2 A1 A0 R/W ACK

x A6 . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A024XX024/025

24C02C

24C01C

Address Byte

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

A7 . . . . . . A0

Address Low Byte

* Chip Select bits A1 and A0 must be set to ‘0’ for 24XX128/256 devices in the MSOP package.

Control Byte

(Read = 1, Write = 0)

24XX1025



データシート

3

5.7.1 複数のデバイスに対する連続アドレッシング

チップセレクトビット A2、A1、および A0 を使用して、同一バス上に大 8 つの 24XX を組み合わせて、隣接アドレス空間を拡張できます。ソフトウェアは制御バイトの 3 つのアドレスビットをアドレスバイトの上位 3 ビットとして使用できます。例えば、24XX32 デバイスではソフトウェアは制御バイトの A0 をアドレスビット A12 として、A1 をアドレスビット A13 として、A2 をアドレスビット A14として使用できます ( 表 5-1)。複数のデバイス境界を越えてデータを連続して読み出すことはできません。

表 5-1: 制御バイトのアドレスビット

Maximum Devices

Maximum Contiguous

Address Space

Chip Select Bit A2

Chip Select Bit A1

Chip Select Bit A0

1K (24C01C) 8 8 Kb A10 A9 A81K (24XX014) 8 8 Kb A10 A9 A82K (24C02C) 8 16 Kb A10 A9 A82K (24XX024/025) 8 16 Kb A10 A9 A832K (24XX32) 8 256 Kb A14 A13 A1264K (24XX64) 8 512 Kb A15 A14 A13128K (24XX128) 8(1) 1 Mb A16* A15* A14256K (24XX256) 8(1) 2 Mb A17* A16* A15512K (24XX512) 8 4 Mb A18 A17 A161024K (24XX1025) 4(2) 4 Mb B0(3) A17 A16

注 1: MSOP パッケージの大 2 つの 24XX128 デバイスまたは 24XX256 デバイスを組み合わせて、256 Kb または 512 Kb のアドレス空間を実現できます。A0 および A1 ビットは「0」に設定しなければなりません。

2: 一括選択ビット「0」を使用して、大 4 つの 24XX1025 デバイスをカスケード接続できます。

3: 24XX1025 では、A2 ピンを論理 High に固定しないと正常に動作しません。ソフトウェアによるアドレッシングでは、B0 を使用してメモリの上位 512K ビットと下位 512K ビットを選択します。



6.0 書き込み

6.1 バイト書き込み

バイト書き込みは、マスターデバイスから開始条件に続いて4ビットの制御コードを受け取ることで開始します ( 図 6-1 および図 6-2 を参照 )。次の 3ビットはブロックアドレスビット ( アドレスピンを備えていないデバイスの場合 )またはチップセレクトビット ( アドレスピンを備えているデバイスの場合 ) のいずれかです。続いてマスタートランスミッタは R/W ビット ( 論理 Low) をバス上に出力します。スレーブは9クロックサイクル目にACKビットを生成します。

続いてマスターが送信するバイトは、アドレスバイト (128 ビット～ 16K ビットのデバイス ) であるか、上位アドレスバイト (32K ～ 1024K ビットのデバイス ) です。32K ビットから 1024K ビットのデバイスの場合、上位アドレスバイトの後に下位アドレスバイトが続きます。いずれの場合も、各アドレスバイトを24XXは確認応答し、アドレスビットは24XXの内部アドレスカウンタにラッチされます。

24XX00 デバイスでは、下位の 4 つのアドレスビットだけが使用されます。上位 4 つのアドレスビットは「ドントケア」ビットです。

終アドレスバイトの確認応答 (ACK) を 24XX から受け取ると、マスターデバイスは書き込むべきデータワードをアドレス指定したメモリ位置に送信します。24XX が再度確認応答し、マスターが停止条件を生成すると、内部書き込みサイクルが開始します。

WP ピンが High になっているときにアレイへの書き込みが試みられた場合、デバイスはコマンドの確認応答を出しますが、書き込みサイクルは発生せず、データは書き込まれず、デバイスはただちに新しいコマンドを受け取ります。バイト書き込みコマンドの後、内部アドレスカウンタは次のアドレス位置に進みます。書き込みサイクルの間、24XX はコマンドに対して確認応答を出しません。

図 6-1: バイト書き込み : 128 ビット～ 16K ビットのデバイス

図 6-2: バイト書き込み : 32 ～ 1024K ビットのデバイス

S P

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

START

STOP

ControlByte

AddressByte

Data

ACK

ACK

ACK

Byte

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

START

ControlByte

High OrderAddress Byte

Low OrderAddress Byte

Data STOP

ACK

ACK

ACK

ACK

S P

Byte



データシート

3

6.2 ページ書き込み

バイト書き込み同様、書き込み制御バイト、ワードアドレスバイト、および初のバイトデータが24XX に送信されます ( 図 6-3 および図 6-4 参照 )。ただし、マスターは停止条件を生成する代わりに、大 1 ページのデータ (1) を送信します。このデー

タは、チップ上のページバッファに一時的に格納されます。このデータは、マスターが停止条件を送信した場合にメモリに書き込まれます。データを受け取るたびに、内部アドレスカウンタが 1 ずつ増えます。マスターが停止条件を生成する前に 1 ページ以上のデータを送信した場合、アドレスカウンタが一巡し、以前に受信したデータが上書きされます。バイト書き込み同様、停止条件を受信すると内部書き込みサイクルが開始します。書き込みサイクルの間、24XX はコマンドに対して確認応答しません。

ページ書き込みは任意のアドレスから開始でき、ページ内で ( ページサイズを上限とする ) 任意のバイト数を書き込むことができます。ページ内で変更されるのは、アドレス指定されたデータバイトのみです。

WP ピンが High になっているときにアレイへの書き込みを試みると、デバイスはコマンドの確認応答をしますが、書き込みサイクルは発生せず、データは書き込まれず、デバイスはただちに次のコマンドを受け取ります。

6.3 書き込み保護

WP ピンが VCC に接続されている場合、アレイへの書き込みが禁止されます。各デバイスの書き込み保護機能については、表 1-1 ( デバイス選択表 ) を参照してください。VSS に接続すると、書き込み保護は無効になります。詳細は製品データシートを参照してください。

図 6-3: ページ書き込み : 1K ビット～ 16K ビットのデバイス

図 6-4: ページ書き込み : 32 ～ 1024K ビットのデバイス

*1 ページ内の大データバイト数については、表 1-1 を参照。

注 1: 各デバイスのページサイズについては、表 1-1 ( デバイス選択表 ) を参照してください。

注 : ページ書き込みでは、書き込むバイト数に関係なく、1 物理ページ内でのバイト書き込みに限られます。物理的なページ境界は、ページバッファサイズ ( または「ページサイズ」)の整数倍であるアドレスから、ページサイズ -1 の整数倍であるアドレスまでです。ページ書き込みコマンドが物理的なページ境界をまたいで書き込もうとすると、当然データは次のページに書き込まれず、現在のページの先頭に折り返されます (以前に同位置に保存されたデータを上書きします )。したがって、アプリケーションソフトウェアはページ境界をまたがるようなページ書き込みをしないようにします。

S P

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

START

ControlByte

AddressByte

Initial Final STOP

ACK

ACK

ACK

ACK

ACK

SecondData Byte Data Byte Data Byte*

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

START

ControlByte



Initial STOP

ACK

ACK

ACK

ACK

Final

ACK

S P

Data Byte Data Byte*



7.0 確認応答 (ACK) のポーリング

書き込みサイクル中はデバイスはコマンドに対して確認応答しないため、サイクルが完了したか否かの確認に ACK を使用できます ( この機能によってバスのスループットが向上します )。書き込みコマンドに対する停止条件がマスターから送信されると、デバイスは内部的に定められたタイミングで書き込みサイクルを開始し、ただちに ACK ポーリングが開始できる状態になります。この状態になるには、マスターがまず開始条件を送信して、続いて書き込みコマンドの制御バイト (R/W = 0) を送信する必要があります。デバイスがまだ書き込みサイクル中の場合、ACK は返ってきません。ACK がない場合は、スタートビットと制御バイトを再度送信する必要があります。サイクルが完了すると、デバイスは ACK を返し、マスターは次の読み出しまたは書き込みコマンドの実行が開始できます。図 7-1 はこの流れを示しています。

図 7-1: ACK ポーリングの流れ

SendWrite Command

Send StopCondition to

Initiate Write Cycle

Send Start

Send Control Bytewith R/W = 0

Did DeviceAcknowledge

(ACK = 0)?

NextOperation

No

Yes



データシート

3

8.0 読み出し

一部を除き、読み出しは書き込みとほぼ同様に開始しますが、書き込みと異なるのは、制御バイトのR/W ビットは「1」に設定されていることです。読み出しには「現在のアドレスの読み出し」、「任意の読み出し」、「連続読み出し」という 3 つの基本タイプがあります。

8.1 アドレスの読み出し

24XX には、後にアクセスしたバイトのアドレスを記憶し、内部的に 1 ずつ数を増やすアドレスカウンタが付いています。したがって、直前の読み出しまたは書き込みがアドレス「n」(n は任意の許容アドレス ) であった場合、次の現在のアドレス読み出しでは、アドレス n + 1のデータにアクセスすることになります。 R/W ビットを「1」に設定した制御バイトを受け取ると、24XX は確認応答を発行し、8 ビットのデータバイトを送信します。マスターはデータ転送の確認応答はしませんが、停止条件を生成するため、24XX はデータ転送を停止します ( 図 8-1)。

図 8-1: 現在のアドレスの読み出し

8.2 任意の読み出し

任意の読み出しでは、マスターはメモリの任意の場所にランダムにアクセスします。このタイプの読み出しを実行するには、バイトアドレスをまず設定しなければなりません。書き込みの一部として (R/Wビットを「0」に設定して ) バイトアドレスを 24XXに送信することによって、設定できます。バイトアドレスが送信された後、マスターは確認応答に続いて開始条件を生成します。これにより書き込みは終了しますが、内部アドレスカウンタが設定されます。その後マスターは再度制御バイトを送信します。このときの R/W ビットは「1」に設定されています。24XX はこれに対して確認応答を出し、8 ビットのデータバイトを送信します。マスターはデータ転送の確認応答はしませんが、停止条件を生成するため、24XX はデータ転送を停止します ( 図 8-2 および図 8-3)。任意の読み出しコマンドの後、内部アドレスカウンタは次のアドレス位置に進みます。

図 8-2: 任意の読み出し : 128 ビット～ 16K ビットのデバイス

図 8-3: 任意の読み出し : 32 ～ 1024K ビットのデバイス

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

PS

STOP

ControlByte

START

Data

ACK

NOACK

Byte

S PS

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

START

STOP

ControlByte

ACK

AddressByte (n)

ControlByte

START

Data

ACK

ACK

NO

ACK

Byte

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus ActivityACK

NOACK

ACK

ACK

ACK

STOP

START

ControlByte



ControlByte

DataByte

START

S S P



8.3 連続読み出し

連続読み出しは任意の読み出しと同様に開始しますが、任意の読み出しと異なるのは、24XX が初のデータバイトを送信した後で、マスターは停止条件を生成する代わりに確認応答を生成することです。この確認応答は、24XX に対して連続してアドレス指定された次のデータバイトを送信するよう指示します ( 図 8-4)。後のバイトがマスターに送信されたら、マスターは確認応答を生成せず、停止条件を生成します。連続読み出しを可能にするため、24XX は各動作が終了すると 1 ずつ増える内部アドレスポインタを備えています。このアドレスポインタにより、一回の動作でメモリの全内容を連続して読み出すことが可能になります。アレイ内の

終アドレスバイトが確認応答されると、アドレスポインタはアドレス 0x00 に戻ります。

図 8-4: 連続読み出し

Bus ActivityMaster

SDA Line

Bus Activity

ControlByte Data Byte Data Byte Data Byte Data Byte

NOACK

ACK

ACK

ACK

ACK

STOP

P

Initial Second Third Final



データシート

3

付録 A: 改版履歴

リビジョン A本文書の初版。シリアル EEPROM 24XXX デバイスの統合データシート。

リビジョン B (2007 年 2 月 )1.8V から 1.7V に変更、14 ピン TSSOP パッケージを削除、パッケージ図を変更、製品 ID セクションを改訂。全面改訂。

リビジョン C (2007 年 7 月 )24AA1025/LC1025/FC1025 製品を追加、完全改訂、パッケージ図を変更 (Rev. AP)。



9.0 パッケージ情報

9.1 パッケージマーキング情報

XXXXXNNNXXXXXXXX

YYWW

8-Lead PDIP

I/P 1L724LC01B

0528

Example:

3e

8-Lead PDIP Package Marking

Device Line 1 Marking Device Line 1

Marking Device Line 1 Marking Device Line 1

Marking

24AA00 24AA00 24LC00 24LC00 24C00 24C0024AA01 24AA01 24LC01B 24LC01B24AA014 24AA014 24LC014 24LC014

24C01C 24C01C24AA02 24AA02 24LC02B 24LC02B24AA024 24AA024 24LC024 24LC02424AA025 24AA025 24LC025 24LC025

24C02C 24C02C24AA04 24AA04 24LC04B 24LC04B24AA08 24AA08 24LC08B 24LC08B24AA16 24AA16 24LC16B 24LC16B24AA32A 24AA32A 24LC32A 24LC32A24AA64 24AA64 24LC64 24LC64 24FC64 24FC6424AA128 24AA128 24LC128 24LC128 24FC128 24FC12824AA256 24AA256 24LC256 24LC256 24FC256 24FC25624AA512 24AA512 24LC512 24LC512 24FC512 24FC51224AA1025 24AA1025 24LC1025 24LC1025 24FC1025 24FC1025

記号の説明 : XX...X 製品番号または製品番号コードY 製造年コード ( 西暦の最終桁 )YY 製造年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 製造週コード ( 例 : 1 月の第 1 週を「01」と表示 )NNN 英数字によるトレーサビリティコード (小型パッケージの場合は2文字 )

鉛フリーのつや消し錫 (Sn) メッキ製品を示す JEDEC 準拠マーク

注 : 鉛フリー JEDEC 準拠マークを印字する場所のない小型パッケージの場合、このマークは外箱またはリールラベルにのみ表示されます。

3e

注 : マイクロチップ社の製品番号全体が 1 行に収まらないときは、次の行に続きます。このためカスタマ固有情報用の文字数が制限されます。

3e

注 : 最新の鉛フリー加工への移行情報については、www.microchip.com/Pbfree をご覧ください。



データシート

3

注 : T = 温度範囲 : I = 工業用、E = 拡張。

8-Lead SOIC

SN 052824LC01BI

1L7

Example:

3eXXXXXYYWWXXXXXXXX

NNN

8-Lead SOIC Package Marking



Marking

24AA00 24AA00T 24LC00 24LC00T 24C00 24C00T24AA01 24AA01T 24LC01B 24LC01BT24AA014 24AA014T 24LC014 24LC014T

24C01C 24C01CT24AA02 24AA02T 24LC02B 24LC02BT24AA024 24AA024T 24LC024 24LC024T24AA025 24AA025T 24LC025 24LC025T

24C02C 24C02CT24AA04 24AA04T 24LC04B 24LC04BT24AA08 24AA08T 24LC08B 24LC08BT24AA16 24AA16T 24LC16B 24LC16BT24AA32A 24AA32AT 24LC32A 24LC32AT24AA64 24AA64T 24LC64 24LC64T 24FC64 24FC64T24AA128 24AA128T 24LC128 24LC128T 24FC128 24FC128T24AA256 24AA256T 24LC256 24LC256T 24FC256 24FC256T24AA512 24AA512T 24LC512 24LC512T 24FC512 24FC512T24AA1025 24AA1025 24LC1025 24LC1025 24FC1025 24FC1025




3e


3e

注 : 最新の鉛フリー加工への移行情報については、www.microchip.com/Pbfree をご覧ください。



8-Lead 2x3 DFN Example:

244506L7

XXXYWWNN

8-Lead 2x3mm DFN Package Marking

DeviceIndustrial

Line 1 Marking

DeviceIndustrial

Line 1 Marking

E-Temp Line 1

MarkingDevice

Industrial Line 1

Marking

E-Temp Line 1

Marking

24AA00 201 24LC00 204 205 24C00 207 20824AA01 211 24LC01B 214 21524AA014 2N1 24LC014 2N4 2N5

24C01C 2N7 2N824AA02 221 24LC02B 224 22524AA024 2P1 24LC024 2P4 2P524AA025 2R1 24LC025 2R4 2R5

24C02C 2P7 2P824AA04 231 24LC04B 234 23524AA08 241 24LC08B 244 24524AA16 251 24LC16B 254 25524AA32A 261 24LC32A 264 26524AA64 271 24LC64 274 275 24FC64 27A 27B




3e


3e




データシート

3

注 : 温度範囲 (T) は、2 行目に記載。I = 工業用、E = 拡張。

8-Lead DFN Example:

XXXXXXXT/XXXXXYYWW

24AA128I/MF

05281L7NNN

3e

8-Lead 5x6mm DFN Package Marking


Marking Device Line 1 Marking

24AA128 24AA128 24LC128 24LC128 24FC128 24FC12824AA256 24AA256 24LC256 24LC256 24FC256 24FC25624AA512 24AA512 24LC512 24LC512 24FC512 24FC512




3e


3e


Example:5-Lead SOT-23

XXNN 5EL7

5-Lead SOT-23 Package Marking

Device Comm. Marking

Indust. Marking Device Comm.

MarkingIndust. Marking

E-Temp Marking Device Comm.

MarkingIndust. Marking

E-Temp Marking

24AA00 A0NN B0NN 24LC00 L0NN M0NN N0NN 24C00 C0NN D0NN E0NN24AA01 A1NN B1NN 24LC01B L1NN M1NN N1NN24AA02 A2NN B2NN 24LC02B L2NN M2NN N2NN24AA04 A3NN B3NN 24LC04B L3NN M3NN N3NN24AA08 A4NN B4NN 24LC08B L4NN M4NN N4NN24AA16 A5NN B5NN 24LC16B L5NN M5NN N5NN




3e


3e



データシート

3


8-Lead MSOP (150 mil) Example:

XXXXXXTYWWNNN

4L8BI 2281L7

8-Lead MSOP Package Marking



Marking

24AA01 4A01T 24LC01B 4L1BT24AA014 4A14T 24LC014 4L14T

24C01C 4C1CT24AA02 4A02T 24LC02B 4L2BT24AA024 4A24T 24LC024 4L24T24AA025 4A25T 24LC025 4L25T

24C02C 4C2CT24AA04 4A04T 24LC04B 4L4BT24AA08 4A08T 24LC08B 4L8BT24AA16 4A16T 24LC16B 4L16T24AA32A 4A32AT 24LC32A 4L32AT24AA64 4A64T 24LC64 4L64T 24FC64 4F64T24AA128 4A128T 24LC128 4L128T 24FC128 4F128T24AA256 4A256T 24LC256 4L256T 24FC256 4F256T




3e


3e




NNN

XXXXTYWW

8-Lead TSSOP

1L7

4L08I228

Example:

8-Lead TSSOP Package Marking



Marking

24AA00 4A00 24LC00 4L00 24C00 4C0024AA01 4A01 24LC01B 4L1B24AA014 4A14 24LC014 4L14

24C01C 4C1C24AA02 4A02 24LC02B 4L0224AA024 4A24 24LC024 4L2424AA025 4A25 24LC025 4L25

24C02C 4C2C24AA04 4A04 24LC04B 4L0424AA08 4A08 24LC08B 4L0824AA16 4A16 24LC16B 4L1624AA32A 4AA 24LC32A 4LA24AA64 4AB 24LC64 4LB 24FC64 4FB24AA128 4AC 24LC128 4LC 24FC128 4FC24AA256 4AD 24LC256 4LD 24FC256 4FD




3e


3e



データシート

3

製品識別システム注文や資料請求、または価格や納期などの情報については、弊社工場または一覧に記載されている営業所にお問い合わせください。

PART NO. X /XX

PackageTemperatureRange

Device PartExamples:a) 24AA014-I/SN: 1 Kbit, Industrial

Temperature, 1.7V, SOIC packageb) 24AA02T-I/OT: 2 Kbit, Industrial

Temperature, 1.7V, SOT-23 package, Tape and Reel

c) 24LC16B-I/P: 16 Kbit, Industrial Temperature, 2.5V, PDIP package

d) 24LC32A-E/MS: 32 Kbit, Extended Temperature, 2.5V, MSOP package

e) 24LC64T-I/MC: 64 Kbit, Industrial Temperature, 2.5V 2x3 mm DFN package, Tape and Reel

f) 24FC512T-I/SM: 512 Kbit, Industrial Temperature, 1 MHz, SOIC package, Tape and Reel

Device: See Table 1-1

TemperatureRange:

I = -40°C to +85°CE = -40°C to +125°C

Packaging Medium:

T = Tape and ReelBlank = Tube

Package: P = Plastic DIP (300 mil body), 8-leadSN = Plastic SOIC (3.90 mm body), 8-leadSM = Plastic SOIC (208 mil body), 8-leadST = Plastic TSSOP (4.4 mm), 8-leadMS = MSOP (3.0 mm), 8-leadOT = SOT-23, 5-lead (Tape and Reel only)MC = 2x3 mm DFN, 8-lead (Tape and Reel only)MF = 5x6 mm DFN, 8-lead

Number(Table 1-1)

X

PackagingMedium


メモ :

Microw

ire互換

3

製品ファミリ

データシート

3

93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C93AA56A/B/C, 93LC56A/B/C, 93C56A/B/C93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C93AA76A/B/C, 93LC76A/B/C, 93C76A/B/C93AA86A/B/C, 93LC86A/B/C, 93C86A/B/C

1K ～ 16K Microwire 互換シリアル EEPROM

特徴 :• 1K ビット～ 16K ビットの容量

• 低消費電力 CMOS 技術

• ORG 機能付きと ORG 機能なしの両方で提供 :ORG 機能付き :- ORG ピンを論理 Low に設定 : 8 ビットワード

- ORG ピンを論理 High に設定 : 16 ビットワード

ORG 機能なし :- バージョン「A」: 8 ビットワード

- バージョン「B」: 16 ビットワード

• プログラムイネーブルピン :- アレイ全体への書き込み保護機能

(93XX76C および 93XX86C のみ )• セルフタイミングの消去 / 書き込みサイクル

( 自動消去を含む )• WRAL 前の自動 ERAL• 電源オン / オフデータ保護回路

• 業界標準の 3 線式シリアル I/O• デバイスステータス信号 ( レディ / ビジー )• 連続読み出し機能

• 100 万回の E/W サイクル

• データ保存 >200 年

• 鉛フリーおよび RoHS 準拠

• サポートされている温度範囲 :

ピン機能表

概要 :マイクロチップテクノロジー社は、1K ビットから16K ビットまでの容量を持つ低電圧シリアルEEPROM (Electrically Erasable PROM)を備えた 3 線式 Microwire バスをサポートしています。どの容量の製品も、ORG 機能付きと ORG 機能なしの両方のタイプが用意されており、発注時に製品番号で指定できます。先進的な CMOS 技術を採用したこれらのデバイスは、低電力の不揮発性メモリアプリケーションに適です。Microwire デバイスの全シリーズが、標準の 8 ピン PDIP および SOIC パッケージに加え、8 ピン MSOP、8 ピン TSSOP、6 ピンSOT-23、8 ピン DFN (2x3) などのより高度なパッケージで提供されています。これらのパッケージはすべて鉛フリーです。

ピン配置図 ( 原寸大ではありません )

- 工業用 (I) -40°C ～ +85°C- 自動車用 (E) -40°C ～ +125°C

Name Function

CS Chip SelectCLK Serial Data ClockDI Serial Data InputDO Serial Data OutputVSS GroundPE Program Enable

ORG Memory ConfigurationVCC Power Supply

注 : すべての製品に ORG および PE 機能が実装されているわけではありません。表 1-1デバイス選択表を参照してください。

PDIP/SOIC(P, SN)

CS

CLK DI

DO

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

NC ORG

VSS

ROTATED SOIC(ex: 93LC46BX)

TSSOP/MSOP

CSCLK

DIDO

1234

8765

VCC

PE(2,3)

ORG(1,3)

VSS

(ST, MS)SOT-23

DO

VSS

DI

1

2

3

6

5

4

VCC

CS

CLK

(OT)

注 1: ORGピン : 93XX46C/56C/66C/76C/86Cに

のみ搭載

2: PE ピン : 93XX76C/86C にのみ搭載

3: ORG/PE: 93XXA/B では内部接続なし

DI

DO VSS

ORG

1

2

3

4

8

7

6

5

CLK

CS VCC

PE

(1,3)

(1,3)

(2,3)

DFN (MC)

1234 5

678CS

CLKDI

DO

VCC

PE(2,3)

ORG(1,3)

VSS

©2007 Microchip Technology Inc. DS21929D_JP - ページ 3-31

93XX46X/56X/66X/76X/86X

表 1-1: デバイス選択表

Part Number Density(Kbits)

VCC Range ORG Pin Organization

(Words) PE Pin Temp Range Packages

93XX46A/B/C93AA46A 1 1.8-5.5 No 128 x 8 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA46B 1 1.8-5.5 No 64 x 16 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA46C 1 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I P, SN, ST, MS, MC93LC46A 1 2.5-5.5 No 128 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC46B 1 2.5-5.5 No 64 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC46C 1 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93C46A 1 4.5-5.5 No 128 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C46B 1 4.5-5.5 No 64 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C46C 1 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93AA46AX/BX/CX, 93LC46AX/BX/CX, 93C46AX/BX/CX (Alternate pinout with die rotated 90°)93AA46AX 1 1.8-5.5 No 128 x 8 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA46BX 1 1.8-5.5 No 64 x 16 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA46CX 1 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I P, SN, ST, MS, MC93LC46AX 1 2.5-5.5 No 128 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC46BX 1 2.5-5.5 No 64 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC46CX 1 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93C46AX 1 4.5-5.5 No 128 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C46BX 1 4.5-5.5 No 64 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C46CX 1 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93XX56A/B/C93AA56A 2 1.8-5.5 No 256 x 8 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA56B 2 1.8-5.5 No 128 x 16 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA56C 2 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I P, SN, ST, MS, MC93LC56A 2 2.5-5.5 No 256 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC56B 2 2.5-5.5 No 128 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC56C 2 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93C56A 2 4.5-5.5 No 256 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C56B 2 4.5-5.5 No 128 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C56C 2 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93XX66A/B/C93AA66A 4 1.8-5.5 No 512 x 8 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA66B 4 1.8-5.5 No 256 x 16 bits No I P, SN, ST, MS, OT, MC93AA66C 4 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I P, SN, ST, MS, MC93LC66A 4 2.5-5.5 No 512 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC66B 4 2.5-5.5 No 256 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93LC66C 4 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC93C66A 4 4.5-5.5 No 512 x 8 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C66B 4 4.5-5.5 No 256 x 16 bits No I, E P, SN, ST, MS, OT, MC93C66C 4 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 No I, E P, SN, ST, MS, MC

DS21929D_JP - ページ 3-32 ©2007 Microchip Technology Inc.

93XX46X/56X/66X/76X/86X製品ファミリ

データシート

3

93XX76A/B/C93AA76A 8 1.8-5.5 No 1024 x 8 bits No I OT93AA76B 8 1.8-5.5 No 512 x 16 bits No I OT93AA76C 8 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I P, SN, ST, MS, MC93LC76A 8 2.5-5.5 No 1024 x 8 bits No I, E OT93LC76B 8 2.5-5.5 No 512 x 16 bits No I, E OT93LC76C 8 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I, E P, SN, ST, MS, MC93C76A 8 4.5-5.5 No 1024 x 8 bits No I, E OT93C76B 8 4.5-5.5 No 512 x 16 bits No I, E OT93C76C 8 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I, E P, SN, ST, MS, MC93XX86A/B/C93AA86A 16 1.8-5.5 No 2048 x 8 bits No I OT93AA86B 16 1.8-5.5 No 1024 x 16 bits No I OT93AA86C 16 1.8-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I P, SN, ST, MS, MC93LC86A 16 2.5-5.5 No 2048 x 8 bits No I, E OT93LC86B 16 2.5-5.5 No 1024 x 16 bits No I, E OT93LC86C 16 2.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I, E P, SN, ST, MS, MC93C86A 16 4.5-5.5 No 2048 x 8 bits No I, E OT93C86B 16 4.5-5.5 No 1024 x 16 bits No I, E OT93C86C 16 4.5-5.5 Yes Selectable x8 or x16 Yes I, E P, SN, ST, MS, MC

表 1-1: デバイス選択表 ( 続き )

Part Number Density(Kbits)

VCC Range ORG Pin Organization

(Words) PE Pin Temp Range Packages


93XX46X/56X/66X/76X/86X

2.0 電気的特性


VCC..................................................................................................................................................................................... 7.0V

VSS を基準にしたすべての入出力 ........................................................................................................-0.6V ～ VCC+1.0V保存温度 ........................................................................................................................................................ -65°C ～ +150°C通電時の周囲温度 ........................................................................................................................................ -40°C ～ +125°C全ピンに対する静電気保護 ......................................................................................................................................... ≥ 4 kV


表 2-1: DC 特性

All parameters apply over the specified ranges unless otherwise noted.

VCC = 1.8V to 5.5VIndustrial (I): TA = -40°C to +85°CAutomotive (E): TA = -40°C to +125°C

Param. No. Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions

D1 VIH1VIH2

High-level input voltage 2.00.7 VCC

——

VCC +1VCC +1

VV


D2 VIL1VIL2

Low-level input voltage -0.3-0.3

——

0.80.2 VCC

VV


D3 VOL1VOL2

Low-level output voltage ——

——

0.40.2

VV

IOL = 2.1 mA, VCC = 4.5VIOL = 100 µA, VCC = 2.5V

D4 VOH1VOH2

High-level output voltage 2.4VCC-0.2

——

——

VV

IOH = -400 µA, VCC = 4.5VIOH = -100 µA, VCC = 2.5V

D5 ILI Input leakage current — — ±1 µA VIN = VSS to VCC

D6 ILO Output leakage current — — ±1 µA VOUT = VSS to VCC

D7 CIN, COUT

Pin capacitance (all inputs/outputs)

— — 7 pF VIN/VOUT = 0V ( 注 1)TA = 25°C, FCLK = 1 MHz

D8 ICC write Write current — — 2 mA FCLK = 3 MHz, VCC = 5.5V (93XX46X/56X/66X)

—

—

—

500

3

—

mA

µA

FCLK = 3 MHz, VCC = 5.5V (93XX76X/86X)FCLK = 2 MHz, VCC = 2.5V

D9 ICC read Read current ———

——100

1500—

mAµAµA

FCLK = 3 MHz, VCC = 5.5VFCLK = 2 MHz, VCC = 3.0VFCLK = 2 MHz, VCC = 2.5V

D10 ICCS Standby current ——

——

15

µAµA

I-Temp ( 注 2、3)E-TempCLK = Cs = 0VORG = DI = VSS or VCC

D11 VPOR VCC voltage detect ——

1.5V3.8V

——

VV

93AAX6A/B/C, 93LCX6A/B/C, 93CX6A/B/C ( 注 1)

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テストは全数テストではありません。

2: ORG および PE ピンはバージョン「A」またはバージョン「B」には装備されていません。

3: レディ / ビジーのステータスは DO からクリアする必要があります。セクション 4.4「データ出力 (DO)」を参照してください。



データシート

3

表 2-2: AC 特性

All parameters apply over the specified ranges unless otherwise noted.

VCC = 1.8V to 5.5VIndustrial (I): TA = -40°C to +85°CAutomotive (E): TA = -40°C to +125°C

Param. No. Symbol Parameter Min. Max. Units Conditions

A1 FCLK Clock frequency — 321

MHzMHzMHz

4.5V ≤ VCC < 5.5V2.5V ≤ VCC < 4.5V1.8V ≤ VCC < 2.5V

A2 TCKH Clock high time 200250450

— nsnsns


A3 TCKL Clock low time 100200450

— nsnsns


A4 TCSS Chip Select setup time 50100250

— nsnsns


A5 TCSH Chip Select hold time 0 — ns 1.8V ≤ VCC < 5.5VA6 TCSL Chip Select low time 250 — ns 1.8V ≤ VCC < 5.5VA7 TDIS Data input setup time 50

100250

— nsnsns


A8 TDIH Data input hold time 50100250

— nsnsns


A9 TPD Data output delay time — 100 ns 4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF (93C76X/86X)

— 200250400

nsnsns

4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF

A10 TCZ Data output disable time — 100200

nsns

4.5V ≤ VCC < 5.5V, ( 注 1)1.8V ≤ VCC < 4.5V, ( 注 1)

A11 TSV Status valid time — 200300500

nsnsns

4.5V ≤ VCC < 5.5V, CL = 100 pF2.5V ≤ VCC < 4.5V, CL = 100 pF1.8V ≤ VCC < 2.5V, CL = 100 pF

A12 TWC Program cycle time — 5 ms Erase/Write mode93XX76X/86X (AA and LC versions)

— 6 ms 93XX46X/56X/66X (AA and LC versions)

A13 TWC — 2 ms 93C46X/56X/66X/76X/86XA14 TEC Program cycle time — 6 ms ERAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V A15 TWL — 15 ms WRAL mode, 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V A16 — Endurance 1M — cycles 25°C, VCC = 5.0V, ( 注 2)注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テストは

全数テストではありません。

2: このアプリケーションはテストされていませんが、特性に基づいて保証されています。特定のアプリケーションにおけるデータ書き換え耐久性の概算については、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com からダウンロードできる Total Endurance™ Model をご覧ください。


93XX46X/56X/66X/76X/86X

図 2-1: 同期データタイミング

CS VIH

VIL

VIH

VIL

VIH

VIL

VOH

VOL

VOH

VOL

CLK

DI

DO(Read)

DO(Program)

TCSS

TDIS

TCKH TCKL

TDIH

TPD

TCSH

TPD

TCZ

Status Valid

TSV

TCZ

注 : TSV ( ステータスバリッドタイム ) は CS を基準にしています。



データシート

3

表 2-4: 93XX56A/B/C の命令セット


Instruction SB Opcode Address Data In Data OutReq. CLK

Cycles

93XX46B OR 93XX46C WITH ORG = 1 (16-BIT WORD ORGANIZATION)ERASE 1 11 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 9

ERAL 1 00 1 0 x x x x — (RDY/BSY) 9

EWDS 1 00 0 0 x x x x — High-Z 9

EWEN 1 00 1 1 x x x x — High-Z 9

READ 1 10 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D15-D0 25

WRITE 1 01 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY) 25

WRAL 1 00 0 1 x x x x D15-D0 (RDY/BSY) 25

93XX46A OR 93XX46C WITH ORG = 0 (8-BIT WORD ORGANIZATION)ERASE 1 11 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 10

ERAL 1 00 1 0 x x x x x — (RDY/BSY) 10

EWDS 1 00 0 0 x x x x x — High-Z 10

EWEN 1 00 1 1 x x x x x — High-Z 10

READ 1 10 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D7-D0 18

WRITE 1 01 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7-D0 (RDY/BSY) 18

WRAL 1 00 0 1 x x x x x D7-D0 (RDY/BSY) 18


Cycles

93XX56B OR 93XX56C WITH ORG = 1 (16-BIT WORD ORGANIZATION)ERASE 1 11 x A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 11

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x — (RDY/BSY) 11

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x — High-Z 11

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x — High-Z 11

READ 1 10 x A6 A5 A4 A3 S2 A1 A0 — D15-D0 27

WRITE 1 01 x A6 A5 A4 A3 S2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY) 27

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x D15-D0 (RDY/BSY) 27

93XX56A OR 93XX56C WITH ORG = 0 (8-BIT WORD ORGANIZATION)ERASE 1 11 x A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 12

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x — (RDY/BSY) 12

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x — High-Z 12

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x — High-Z 12

READ 1 10 x A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D7-D0 20

WRITE 1 01 x A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7-D0 (RDY/BSY) 20

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x D7-D0 (RDY/BSY) 20


93XX46X/56X/66X/76X/86X




Cycles

93XX66B OR 93XX66C WITH ORG = 1 (16-BIT WORD ORGANIZATION)

ERASE 1 11 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 11

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x — (RDY/BSY) 11

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x — High-Z 11

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x — High-Z 11

READ 1 10 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D15-D0 27

WRITE 1 01 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY) 27

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x D15-D0 (RDY/BSY) 27

93XX66A OR 93XX66C WITH ORG = 0 (8-BIT WORD ORGANIZATION)

ERASE 1 11 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 12

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x — (RDY/BSY) 12

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x — High-Z 12

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x — High-Z 12

READ 1 10 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D7-D0 20

WRITE 1 01 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7-D0 (RDY/BSY) 20

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x D7-D0 (RDY/BSY) 20


Cycles


ERASE 1 11 x A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 13

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x x — (RDY/BSY) 13

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x x — High-Z 13

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x x — High-Z 13

READ 1 10 x A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D15-D0 29

WRITE 1 01 x A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY) 29

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x x D15-D0 (RDY/BSY) 29


ERASE 1 11 x A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 14

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x x x — (RDY/BSY) 14

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x x x — High-Z 14

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x x x — High-Z 14

READ 1 10 x A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D7-D0 22

WRITE 1 01 x A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7-D0 (RDY/BSY) 22

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x x x D7-D0 (RDY/BSY) 22



データシート

3



Cycles


ERASE 1 11 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 13

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x x — (RDY/BSY) 13

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x x — High-Z 13

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x x — High-Z 13

READ 1 10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D15-D0 29

WRITE 1 01 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0 (RDY/BSY) 29

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x x D15-D0 (RDY/BSY) 29


ERASE 1 11 A10

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — (RDY/BSY) 14

ERAL 1 00 1 0 x x x x x x x x x — (RDY/BSY) 14

EWDS 1 00 0 0 x x x x x x x x x — High-Z 14

EWEN 1 00 1 1 x x x x x x x x x — High-Z 14

READ 1 10 A10

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 — D7-D0 22

WRITE 1 01 A10

A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D7-D0 (RDY/BSY) 22

WRAL 1 00 0 1 x x x x x x x x x D7-D0 (RDY/BSY) 22


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3.0 機能の説明

ORG ピンが VCC に接続されていれば、(x16) 構成が、ORG ピンがグランドに接続されている場合は、(x8) 構成が選択されます。命令、アドレス、および書き込みデータは、クロック (CLK) の立ち上がりエッジで DI ピンに取り込まれます。DO ピンは、デバイスからデータを読み取る場合やプログラミング操作の際にレディ / ビジーのステータスをチェックしている場合を除き、通常ハイインピーダンス状態になります。レディ / ビジーのステータスは、消去 / 書き込み中に DO ピンをポーリングすることによって確認できます。DO Low はプログラミングがまだ進行中であることを意味し、DO Highはデバイスがレディ状態であることを意味します。DO は CS の立ち下がりエッジでハイインピーダンス状態になります。

3.1 開始条件

CS と DI がどちらも CLK のポジティブエッジに対して初めて High の状態になると、デバイスが開始ビットを検出します。

開始条件が検出される前は、CS、CLK、および DIは変更可能で ( 開始条件への変更は除く )、デバイスは読み出し、書き込み、消去、EWEN、EWDS、ERAL、WRAL などの動作を実行しません。CS がHigh になると、デバイスはスタンバイモードではなくなります。

開始条件に続く命令は、該当の命令に必要なオペコード、アドレス、データビットがクロックインされた場合にのみ実行されます。

3.2 データ入力 / データ出力 (DI/DO)データ入力ピンとデータ出力ピンは一緒に接続できます。ただし、この場合、A0 が論理 High レベルの場合、読み出しに先行する「ダミーゼロ」で「バスの競合」が発生する可能性があります。この状態では、データ出力ピンに現れる電圧レベルが安定せず、データ出力ピンの相対インピーダンスおよびA0を駆動する信号ソースに依存することになります。ドライバ側の電流が大きくなると、データ出力ピンの電圧は高くなります。この電流を制限するには、DI と DO の間に抵抗器が必要です。

3.3 データ保護

‘93AAXX’および‘93AAXX’デバイスの場合、VCCが通常電圧である 1.5V、‘93CXX’デバイスの場合 3.8Vを下回ると、すべての動作モードは禁止されます。

EWEN および EWDS コマンドは、通常動作中に不用意なプログラミングをした場合の保護機能を強化します。

電源投入後、デバイスは自動的に EWDS モードになります。したがって、初の消去命令または書き込み命令を実行するには、あらかじめ EWEN命令を実行する必要があります。

ブロック図

注 : 命令の送信準備時に CS を正論理に切り換えるとき、CLK または DI の信号レベルは論理 Low でなければなりません。

注 : 保護機能を強化するには、書き込みの後に必ずEWDSコマンドを実行し、CSピンには10 kΩ の外部プルダウン保護抵抗器を取り付けなければなりません。

注 : 93XX76C/86C デバイスで、アレイへの不用意な書き込みを防止するためには、PEピンを論理 Low に設定します。

VCCVSS

HV Generator

EEPROMArrayI/O Control

Logic

MemoryControlLogic

X

DecByte Latches

Y Decoder


DIDOCS

CLKORG(1)

PE(2)

注 1: ORG ピン : 93XX46C/56C/66C/76C/86C に

のみ搭載

2: PE ピン : 93XX76C/86C にのみ搭載



データシート

3

3.4 消去

消去命令は、指定したアドレスのデータビットをすべてロジック「1」の状態にします。アドレスの終ビットのロードに続き、CS を Low にします。

CS ピンの立ち下がりエッジで、セルフタイミングのプログラミングサイクルを開始します。ただし、‘93CXX’ デバイスは例外で、アドレスの終ビットの前の CLK の立ち上がりエッジで書き込みサイクルを開始します。

DO ピンは、CS を低 250 ns 時間 Low (TCSL) にした後 High にすると、デバイスのレディ / ビジーステータスを示します。DO がロジック「0」の場合は、プログラミングがまだ進行中であることを示します。DO がロジック「1」の場合は、指定したアドレスのレジスタが消去され、デバイスが別の命令を受け入れる状態になっていることを示します。

図 3-1: 93AAXX および 93LCXX デバイスの消去タイミング

図 3-2: 93CXX デバイスの消去タイミング

注 : 消去サイクルが完了した後で、開始ビットを発行してから CS を Low にすると、DOからレディ/ビジーステータスがクリアされます。

CS

CLK

DI

DO

TCSL

Check Status

1 1 1 AN AN-1 AN-2 ••• A0

TSV TCZ

BUSY ReadyHigh-Z

TWC

High-Z

CS

CLK

DI

DO

TCSL

Check Status

1 1 1 AN AN-1 AN-2 ••• A0

TSV TCZ

Busy ReadyHigh-Z

TWC

High-Z


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3.5 全消去 (ERAL)全消去 (ERAL) 命令は、メモリアレイ全体を消去して、ロジック「1」の状態にします。オペコードが異なる以外、ERAL サイクルは消去サイクルと同じです。ERALサイクルは完全にセルフタイミングで、CS の立ち下がりエッジで開始します。ただし、‘93CXX’ デバイスは例外でデータの終ビットの前の CLK の立ち上がりエッジで書き込みサイクルを開始します。CLK ピンのクロックは、デバイスが ERAL サイクルに入った後は必要ありません。 DO ピンは、CS を低 250 ns 時間 Low (TCSL) にした後 High に遷移させると、デバイスのレディ / ビジーステータスを示します。

ERAL を正確に実行するには、VCC を 4.5V 以上に維持する必要があります。

図 3-3: 93AAXX および 93LCXX デバイスの ERAL タイミング

図 3-4: 93CXX デバイスの ERAL タイミング

注 : ERAL コマンドが完了した後で、開始ビットを発行してからCSをLowにすると、DOのレディ/ビジーステータスがクリアされます。

CS

CLK

DI

DO

TCSL

Check Status

1 0 0 1 0 X ••• X

TSV TCZ

Busy ReadyHigh-Z

TEC

High-Z

Vcc must be ≥ 4.5V for proper operation of ERAL.

CS

CLK

DI

DO

TCSL

Check Status

1 0 0 1 0 X ••• X

TSV TCZ

Busy ReadyHigh-Z

TEC

High-Z



データシート

3

3.6 消去 / 書き込みディスエーブル (EWDS) および消去 / 書き込みイネーブル (EWEN)

93XX シリーズのデバイスは、消去 / 書き込みディスエーブル (EWDS) の状態で起動します。プログラミングモードに入るには、消去 / 書き込みイネーブル (EWEN) 命令を実行する必要があります。いったん EWEN 命令を実行すると、EWDS 命令を実行するか、デバイスから VCC を取り外すまで、プログラミングは有効です。データが不適切に変更されないよう、EWDS 命令を使用して消去 / 書き込み機能をすべて無効にできます。そのためには、すべてのプログラミング動作に続いてこの命令を生成する必要があります。読み出し命令の実行は、EWEN命令やEWDS命令のいずれにも関係しません。

図 3-5: EWDS のタイミング

図 3-6: EWEN のタイミング

CS

CLK

DI 1 0 0 0 0 x ••• x

TCSL

1 x

CS

CLK

DI 0 0 1 1 x

TCSL

•••


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3.7 読み出し

読み出し命令は、アドレス指定したメモリ場所のデータを DO ピン上にシリアル出力します。まずダミーのゼロビットが出力された後、8 ビット (ORGピンが Low またはバージョン A のデバイスの場合 )または 16 ビット (ORG ピンが High またはバージョン B のデバイスの場合 ) の出力ストリングが表れます。出力データビットは CLK の立ち上がりエッジで切り替わり、指定した遅延時間 (TPD) が経過する

と安定します。CS が High を維持している間は、連続読み出しが可能です。メモリデータが自動的に次のレジスタに移動し、データを連続して出力します。

図 3-7: 読み出しのタイミング

CS

CLK

DI

DO

1 1 0 An ••• A0

High-Z 0 Dx ••• D0 Dx ••• D0 •••Dx D0



データシート

3

3.8 書き込み

書き込み命令を実行すると、8 ビット (ORG ピンがLowまたはバージョンAデバイスの場合 )または 16ビット (ORG ピンが High またはバージョン B デバイスの場合 ) のデータが指定したアドレスに書き込まれます。93AAXX および 93LCXX デバイスでは、終データビットが DI にクロック同期してから、

CS の立ち下がりエッジでセルフタイミングの自動消去とプログラミングサイクルを開始します。93CXX デバイスでは、データの終ビットの CLKの立ち上がりエッジで、セルフタイミングの自動消去とプログラミングサイクルが開始されます。

DO ピンは、CS を低 250 ns 時間 Low (TCSL) にした後 High にすると、デバイスのレディ / ビジーステータスを示します。DO がロジック「0」の場合は、プログラミングがまだ進行中であることを示します。DO がロジック「1」の場合は、指定したアドレスのレジスタに指定したデータが書き込まれ、デバイスは別の命令を受け入れる状態であることを示します。

図 3-8: 93AAXX および 93LCXX デバイスの書き込みタイミング

図 3-9: 93CXX デバイスの書き込みタイミング

注 : 93XX76C や 93XX86C などのように PE 機能を装備しているデバイスでは、書き込みシーケンスで終データビットのクロック立ち上がりエッジの前に、PE ピン上に論理 High 信号が必要になります。

注 : 書き込みサイクルが完了した後で、開始ビットを発行してから CS を Low にすると、DO からレディ / ビジーステータスがクリアされます。

CS

CLK

DI

DO

1 0 1 An ••• A0 Dx ••• D0

Busy Ready High-ZHigh-Z

Twc

TCSL

TCZTSV

CS

CLK

DI

DO

1 0 1 An ••• A0 Dx ••• D0

Busy Ready High-ZHigh-Z

Twc

TCSL

TCZTSV


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3.9 全書き込み (WRAL)全書き込み(WRAL)命令は、コマンドで指定したデータをメモリアレイ全体に書き込みます。93AAXXおよび 93LCXX デバイスでは、終データビットが DI にクロック同期してから、CS の立ち下がりエッジでセルフタイミングの自動消去とプログラミングサイクルを開始します。93CXX デバイスでは、終データビット時の CLK 立ち上がりエッジによって、セルフタイミングの自動消去とプログラミングサイクルを開始します。CLK ピンのクロックは、デバイスが WRAL サイクルに入った後は必要ありません。WRAL コマンドに、デバイスの自動ERAL サイクルが含まれます。したがって、WRAL命令は ERAL 命令を必要としませんが、チップはEWEN ステータスである必要があります。

DO ピンは、CS を低 250 ns 時間 Low (TCSL) にした後 High にすると、デバイスのレディ / ビジーステータスを示します。

WRAL を正確に実行するには、VCC が 4.5V 以上である必要があります。

図 3-10: 93AAXX および 93LCXX デバイスの WRAL タイミング

図 3-11: 93CXX デバイスの WRAL タイミング

注 : 93XX76C や 93XX86C などのように PE 機能を装備しているデバイスでは、書き込みシーケンスで終データビットのクロック立ち上がりエッジの前に、PE ピン上に論理 High 信号が必要になります。

注 : 全書き込みサイクルが完了した後で、開始ビットを発行してから CS を Low にすると、DO からレディ / ビジーステータスがクリアされます。

CS

CLK

DI

DOHIGH-Z

1 0 0 0 1 X ••• x Dx ••• D0

High-Z BusyReady

TWL

VCC must be ≥ 4.5V for proper operation of WRAL.

TCSL

TSV TCZ

CS

CLK

DI

DOHIGH-Z

1 0 0 0 1 X ••• x Dx ••• D0

High-Z Busy Ready

TWL

TCSL

TSV TCZ



データシート

3

4.0 ピン説明

表 4-1: ピン説明

4.1 チップセレクト (CS)このピンのレベルを High にするとデバイスの選択ができ、Low にするとデバイスの選択が解除され、スタンバイモードに切り換わります。ただし、チップセレクト (CS) 入力信号の状態に関わらず、すでに進行中のプログラミングサイクルは後まで実行されます。プログラミングサイクルの途中で CSを Low にすると、プログラミングサイクルの完了次第すぐに、デバイスはスタンバイモードになります。

CS は、連続する命令の間に少なくとも 250 ns 時間Low (TCSL) である必要があります。CS が Low であれば、内部制御ロジックはリセットの状態に保たれます。

4.2 シリアルクロック (CLK)シリアルクロックピンは、マスターデバイスと93XXシリーズデバイス間の通信を同期するのに使用します。オペコード、アドレス、およびデータビットは、CLK のポジティブエッジに同期して取り込まれます。データビットも CLK のポジティブエッジに同期して出力されます。

CLK は、伝送シーケンスの途中のどの時点でも(High または Low レベルのいずれでも ) 停止でき、クロック High 時間 (TCKH) とクロック Low 時間(TCKL) に対していつでも継続できます。このため、制御マスターは自由にオペコード、アドレス、およびデータの準備ができます。

CS が Low の場合 ( デバイスは選択されていない )、CLK は「ドントケア」になります。CS は High であるが、開始条件が検出されていない (DI = 0) 場合、

デバイスはステータスを維持したまま ( 開始条件を待つなどして )、何クロックサイクルでも受信できます。

セルフタイミングの書き込み ( つまり自動消去 / 書き込み ) サイクル中は、CLK は必要ありません。

開始条件を検出した後は、特定のクロック数 (CLKの Low から High への各移行 ) を提供する必要があります。これらのクロックサイクルは、命令を実行するのに必要なオペコード、アドレス、データビットすべてをクロックに同期して取り込むのに必要です。その後、CLK と DI は「ドントケア」入力になり、新しい開始条件の検出を待ちます。

4.3 データ入力 (DI)データ入力 (DI) ピンは、CLK 入力に同期して開始ビット、オペコード、アドレス、およびデータの取り込みに使用します。

4.4 データ出力 (DO)データ出力 (DO) ピンは、読み出しモードで CLK 入力に同期しデータの出力に使用されます (CLK のポジティブエッジ後の TPD)。またこのピンは、消去 / 書き込みサイクル中にレディ / ビジーステータスを提示します。レディ / ビジーステータスは、CS が短チップセレクト Low時間 (TCSL) だけ Low 状態を保った後 High になり、かつ消去または書き込みが開始している場合、DOピンに示されます。

Name SOIC/PDIP/MSOP/TSSOP/DFN SOT-23 Function

CS 1 5 Chip Select

CLK 2 4 Serial Clock

DI 3 3 Data In

DO 4 1 Data Out

VSS 5 2 Ground

ORG6 N/A

Organization (93XX46C/56C/66C/76C/86C)

NC(1) No connect on 93XXA/B devices

PE7 N/A

Program Enable (93XX76C/86C)

NC(1) No connect on 93XXA/B devices

VCC 8 6 Power Supply

注 1: 内部接続がない場合、NC ピンの論理レベルは「ドントケア」です。


93XX46X/56X/66X/76X/86X
消去または書き込み中、CS が Low に保持されたままの場合には、DO にステータス信号は示されません。この場合、DO はハイインピーダンスモードになります。消去 / 書き込みサイクル終了後ステータスが確認されると、データラインは High になり、デバイスの準備ができたことを示します。
4.5 構成 (ORG)ORGピンがVCCまたは論理Highに接続されていれば、(x16) メモリ構成が選択されます。ORG ピンがVSS または論理 Low に接続されていれば、(x8) メモリ構成が選択されます。正常に動作させるには、ORG ピンは有効な論理レベルに接続されている必要があります。

ORG 機能を備えていないデバイスでは、ORG ピンへの内部接続はありません。これらのデバイスでは、ORG 機能はシングルワードサイズをサポートするよう工場出荷時に設定されています。

「A」シリーズデバイス – x8 構成

「B」シリーズデバイス – x16 構成

4.6 プログラムイネーブル (PE)8 ピンの 93XX76C および 93XX86C デバイスのみ、PE ピンの論理レベルにより、メモリアレイへのデータの書き込みを有効または無効にできます。その他のデバイスには PE 機能はなく、PE ピンは接続されていません。PE ピンを論理 High に接続すると、デバイスはプログラミング可能になり、PE ピンを論理 Low に接続すると、プログラミングは禁止されます。このピンは、表 4-2 に示すように EWEN/EWDS ラッチと併用することによって、メモリアレイへの不用意な書き込みを回避できます。

93XX76C または 93XX86C デバイスでは、PE ピンをいずれかの論理レベルに接続しなければならず、フロート状態にしておくことはできません。PE 機能を備えていないデバイスでは、PE ピンは内部接続を持たず、プログラミングは常に有効です。

注 : 読み出しサイクル完了後、開始ビットを立ててから CS を Low にすると、DO からレディ / ビジーステータスがクリアされます。

表 4-2: 書き込み保護機能

EWEN/EWDS Latch PE Pin* Array WRITE

Enabled 1 YesDisabled 1 NoEnabled 0 NoDisabled 0 No

* PE ピンのレベルを変更しても、EWEN/EWDS ラッチの状態は変わりません。

注 : 93XX76C や 93XX86C などのように PE 機能を備えたデバイスでは、書き込みシーケンスで終データビットのクロック立ち上がりエッジの前に、PE ピン上に論理 High 信号が必要になります。



データシート

3


リビジョン A本文書の初版。93 シリーズの Microwire シリアルEEPROM デバイスのデータシートを統合。

リビジョン B2x3 (MC) DFN パッケージの図を改訂。

リビジョン C表 2-6、93XX76A (EWDS) を修正。

リビジョン D (2007 年 3 月 )説明文書の改訂、鉛フリーの注意書きを削除、パッケージ図を差し替え、製品識別システムを改訂。


93XX46X/56X/66X/76X/86X



TXXXXNNNXXXXXXXX

YYWW

8-Lead PDIP

I/P IL793LC46A

0528

Example: Pb-free

3-Wire 8-Lead PDIP Package Marking

Part Line 1 Marking Part Line 1 Marking Part Line 1 Marking

93AA46A 93AA46A 93LC46A 93LC46A 93C46A 93C46A93AA46B 93AA46B 93LC46B 93LC46B 93C46B 93C46B93AA46C 93AA46C 93LC46C 93LC46C 93C46C 93C46C93AA56A 93AA56A 93LC56A 93LC56A 93C56A 93C56A93AA56B 93AA56B 93LC56B 93LC56B 93C56B 93C56B93AA56C 93AA56C 93LC56C 93LC56C 93C56C 93C56C93AA66A 93AA66A 93LC66A 93LC66A 93C66A 93C66A93AA66B 93AA66B 93LC66B 93LC66B 93C66B 93C66B93AA66C 93AA66C 93LC66C 93LC66C 93C66C 93C66C93AA76A 93AA76A 93LC76A 93LC76A 93C76A 93C76A93AA76B 93AA76B 93LC76B 93LC76B 93C76B 93C76B93AA76C 93AA76C 93LC76C 93LC76C 93C76C 93C76C93AA86A 93AA86A 93LC86A 93LC86A 93C86A 93C86A93AA86B 93AA86B 93LC86B 93LC86B 93C86B 93C86B93AA86C 93AA86C 93LC86C 93LC86C 93C86C 93C86C

注 : 温度範囲は 2 行目に記載。

3e




3e


3e



データシート

3

8-Lead SOIC

XXXXYYWWXXXXXXXT

NNN

Example: Pb-free

SN 052893LC46AI

1L7

3-Wire 8-Lead SOIC (SN) Package Marking


93AA46A 93AA46AT 93LC46A 93LC46AT 93C46A 93C46AT93AA46B 93AA46BT 93LC46B 93LC46BT 93C46B 93C46BT93AA46C 93AA46CT 93LC46C 93LC46CT 93C46C 93C46CT93AA56A 93AA56AT 93LC56A 93LC56AT 93C56A 93C56AT93AA56B 93AA56BT 93LC56B 93LC56BT 93C56B 93C56BT93AA56C 93AA56CT 93LC56C 93LC56CT 93C56C 93C56CT93AA66A 93AA66AT 93LC66A 93LC66AT 93C66A 93C66AT93AA66B 93AA66BT 93LC66B 93LC66BT 93C66B 93C66BT93AA66C 93AA66CT 93LC66C 93LC66CT 93C66C 93C66CT93AA76A 93AA76AT 93LC76A 93LC76AT 93C76A 93C76AT93AA76B 93AA76BT 93LC76B 93LC76BT 93C76B 93C76BT93AA76C 93AA76CT 93LC76C 93LC76CT 93C76C 93C76CT93AA86A 93AA86AT 93LC86A 93LC86AT 93C86A 93C86AT93AA86B 93AA86BT 93LC86B 93LC86BT 93C86B 93C86BT93AA86C 93AA86CT 93LC86C 93LC86CT 93C86C 93C86CT

注 : T = 温度範囲 : I = 工業用、E = 拡張用。

3e




3e


3e


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3-Wire 2x3 DFN Package Marking

PartIndustrial

Line 1 Marking

E-Temp Line 1

MarkingPart

Industrial Line 1

Marking

E-Temp Line 1

MarkingPart

Industrial Line 1

Marking

E-Temp Line 1

Marking

93AA46A 301 302 93LC46A 304 305 93C46A 307 30893AA46B 311 312 93LC46B 314 315 93C46B 317 31893AA46C 321 322 93LC46C 324 325 93C46C 327 328



93AA76C 3B1 3B2 93LC76C 3B4 3B5 93C76C 3B7 3B8

93AA86C 3E1 3E2 93LC86C 3E4 3E5 93C86C 3E7 3E8

8-Lead 2x3 DFN Example:

304506L7

XXXYWWNN




3e


3e



データシート

3

Example:6-Lead SOT-23

XXNN 1EL7

3-Wire 6-Lead SOT-23 Package Marking

PartIndustrial

Line 1 Marking

E-Temp Line 1

MarkingPart

Industrial Line 1

Marking

E-Temp Line 1

MarkingPart

Industrial Line 1

Marking

E-Temp Line 1

Marking

93AA46A 1BNN 1CNN 93LC46A 1ENN 1FNN 93C46A 1HNN 1JNN93AA46B 1LNN 1MNN 93LC46B 1PNN 1RNN 93C46B 1TNN 1UNN








3e


3e


93XX46X/56X/66X/76X/86X

3-Wire 8-Lead MSOP Package Marking


93AA46A 3A46AT 93LC46A 3L46AT 93C46A 3C46AT93AA46B 3A46BT 93LC46B 3L46BT 93C46B 3C46BT93AA46C 3A46CT 93LC46C 3L46CT 93C46C 3C46CT93AA56A 3A56AT 93LC56A 3L56AT 93C56A 3C56AT93AA56B 3A56BT 93LC56B 3L56BT 93C56B 3C56BT93AA56C 3A56CT 93LC56C 3L56CT 93C56C 3C56CT93AA66A 3A66AT 93LC66A 3L66AT 93C66A 3C66AT93AA66B 3A66BT 93LC66B 3L66BT 93C66B 3C66BT93AA66C 3A66CT 93LC66C 3L66CT 93C66C 3C66CT93AA76A 3A76AT 93LC76A 3L76AT 93C76A 3C76AT93AA76B 3A76BT 93LC76B 3L76BT 93C76B 3C76BT93AA76C 3A76CT 93LC76C 3L76CT 93C76C 3C76CT93AA86A 3A86AT 93LC86A 3L86AT 93C86A 3C86AT93AA86B 3A86BT 93LC86B 3L86BT 93C86B 3C86BT93AA86C 3A86CT 93LC86C 3L86CT 93C86C 3C86CT

注 : T = 温度範囲 : I = 工業用、E = 拡張用。

8-Lead MSOP (150 mil) Example:

XXXXXXTYWWNNN

3L46AI 5281L7




3e


3e



データシート

3

NNN

XXXXTYWW

8-Lead TSSOP

1L7

L46AI528

Example:

3-Wire 8-Lead TSSOP Package Marking


93AA46A A46A 93LC46A L46A 93C46A C46A93AA46B A46B 93LC46B L46B 93C46B C46B93AA46C A46C 93LC46C L46C 93C46C C46C93AA56A A56A 93LC56A L56A 93C56A C56A93AA56B A56B 93LC56B L56B 93C56B C56B93AA56C A56C 93LC56C L56C 93C56C C56C93AA66A A66A 93LC66A L66A 93C66A C66A93AA66B A66B 93LC66B L66B 93C66B C66B93AA66C A66C 93LC66C L66C 93C66C C66C93AA76A A76A 93LC76A L76A 93C76A C76A93AA76B A76B 93LC76B L76B 93C76B C76B93AA76C A76C 93LC76C L76C 93C76C C76C93AA86A A86A 93LC86A L86A 93C86A C86A93AA86B A86B 93LC86B L86B 93C86B C86B93AA86C A86C 93LC86C L86C 93C86C C86C

注 : 温度範囲は 2 行目に記載。




3e


3e


93XX46X/56X/66X/76X/86X

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの情報は、弊社工場または一覧に記載されている営業所にお問い合わせください。

Examples:a) 93AA46A-I/MS: 1K, 128x8 Serial EEPROM,

Industrial Temperature, MSOP package, 1.8Vb) 93AA46BT-I/OT: 1K, 64x16 Serial EEPROM,

SOT-23 package, tape and reel, 1.8Vc) 93AA46CT-I/MS: 1K, 128x8 or 64x16 Serial

EEPROM, MSOP package, tape and reel, 1.8Vd) 93AA46BX-I/SN: 1K, 128x8 Serial EEPROM,

Industrial temperature, SOIC package(alternate pinout), tape and reel package, 1.8V

e) 93LC66A-I/MS: 4K, 512x8 Serial EEPROM,MSOP package, 2.5V

f) 93LC66BT-I/OT: 4K, 256x16 Serial EEPROM,SOT-23 package, tape and reel, 2.5V

g) 93C86AT-I/OT: 16K, 2048x8 Serial EEPROM,SOT-23 package, tape and reel, 5.0V

h) 93C86BT-I/OT: 16K, 1024x16 Serial EEPROM,SOT-23 package, tape and reel, 5.0V

i) 93C86CT-I/MC: 16K, 2048x8 or 1024x16Serial EEPROM, DFN Industrial temperature,tape and reel package, 5.0V

EEPROMPackage

Tape &ReelSeries Voltage

93

Density SizeWord Temp

Range

AA = 1.8V-5.5VLC = 2.5V-5.5VC = 4.5V-5.5V

46 = 1 Kbit56 = 2 Kbit66 = 4 Kbit76 = 8 Kbit86 = 16 Kbit

A = x8 bitB = x16 bitC = Selectable

Blank = Std PkgT = Tape & Reel

I = -40°C to +85°CE = -40°C to +125°C

P = 8-Lead PDIPSN = 8-Lead SOIC (3.90 mm)MC = 8-Lead 2x3 DFN

CH or OT = 6-Lead SOT-23MS = 8-Lead MSOPST = 8-Lead TSSOP


製品ファミリ

データシート

3

25AA010A/25LC010A 25AA320A/25LC320A25AA020A/25LC020A 25AA640A/25LC640A25AA040A/25LC040A 25AA128/25LC12825AA080A/25LC080A 25AA256/25LC25625AA080B/25LC080B 25AA512/25LC51225AA160A/25LC160A 25AA1024/25LC102425AA160B/25LC160B

SPI シリアル EEPROM ファミリデータシート

特徴 :• 大クロック速度

- 10 MHz (1K ～ 256K)- 20 MHz (512K ～ 1M)

• バイトおよびページ書き込み

• 低消費電力 CMOS 技術

- 標準書き込み電流 : 5 mA - 標準読み出し電流 : 10 MHz 動作時 5 mA

20 MHz 動作時 7 mA- 標準スタンバイ電流 : 1 µA

• 書き込みサイクル時間 : 大 5 ms大 6 ms (25XX1024)

• セルフタイムの消去および書き込みサイクル

• 消去機能 (25XX512 および 25XX1024))- ページ消去 : 大 6 ms- セクタ消去 : 大 15 ms- チップ消去 : 大 15 ms

• 内蔵書き込み保護機能

- 電源オン / オフデータ保護回路

- ライトイネーブルラッチ

- 書き込み保護ピン

• ブロック / セクタ書き込み保護機能

- アレイを保護しない、1/4、1/2、またはアレイすべてを保護する、から選択

• 連続読み出し

• 高い信頼性

- データ保持時間 : 200 年超- 静電気保護 : 4000V 超- データ書き換え耐久性 : 100 万回の消去 / 書き込みサイクルを超える

• 標準 8 ピンおよび 6 ピンパッケージで提供

• サポートされている温度範囲 :- 工業用 (I): -40°C ～ +85°C- 自動車用 (E): -40°C ～ +125°C

ピン機能表

概要 :マイクロチップテクノロジー社は、シリアルペリフェラルインターフェース (SPI)互換のシリアルバスアーキテクチャを採用し、1Kビットから1Mビットまで幅広いメモリ容量の製品を取り揃えた低電圧シリアルの電気的に消去可能なPROM (EEPROM)を備えています。バイトレベルおよびページレベルの機能を備え、さらに高メモリ容量 512K ビットおよび 1M ビット品種においては、通常フラッシュベースの製品に付属するセクタおよびチップ消去機能も備えています。

必要なバス信号は、クロック入力 (SCK) ラインに加え、それぞれデータ入力 (SI) ラインとデータ出力(SO) ラインです。デバイスへのアクセスは、チップセレクト (CS) 入力ピンで制御されます。

デバイスへの通信は、保持ピン (HOLD) で一時停止できます。デバイスが一時停止している間、入力の信号変化は無視されますが、チップセレクトはこの限りではなく、ホストはより優先順位の高い割り込みを実行します。

この SPI 互換デバイスの全てのシリーズは、標準の 8 ピンの PDIP および SOIC パッケージ、さらに、より進歩した 8 ピンの TSSOP、MSOP、2x3 DFN、5x6 DFN パッケージおよび 6 ピンの SOT-23 パッケージで提供されます。いずれのパッケージもRoHS に準拠しており、鉛フリー ( つや消しタイプの錫メッキ ) 加工が施されています。ピン配置図 ( 原寸大ではありません )

Name Function

CS Chip Select

SO Serial Data OutputWP Write-ProtectVSS GroundSI Serial Data InputSCK Serial Clock InputHOLD Hold InputVCC Supply Voltage

DFN

CS

SO

WP

VSS

HOLD

SCK

SI5

6

7

8

4

3

2

1 VCC

(MF)

CSSOWPVSS

1234

8765

VCC

HOLDSCKSI

(P, SN, SM)

CSSOWPVSS

1234

8765

VCCHOLDSCKSI

PDIP/SOIC

VSS

1

2

3 4

6

5

VDD

CS

SO

(OT)SOT-23

SCK

SI

CSSO

WPVSS

1234

8765

VCC

HOLDSCKSI

(MC)DFN

TSSOP/MSOP(ST, MS)

© 2007 Microchip Technology Inc. DS22040C_JP - ページ 3-57

25AAXXXX/25LCXXXX

デバイス選択表

Part Number

Density(bits) Organization VCC

RangeMax Speed

(MHz)Page Size

(Bytes)Temp. Range Packages

25LC010A 1K 128 x 8 2.5-5.5V 10 16 I, E P, MS, SN, ST, MC, OT25AA010A 1K 128 x 8 1.8-5.5V 10 16 I P, MS, SN, ST, MC, OT25LC020A 2K 256 x 8 2.5-5.5V 10 16 I, E P, MS, SN, ST, MC, OT25AA020A 2K 256 x 8 1.8-5.5V 10 16 I P, MS, SN, ST, MC, OT25LC040A 4K 512 x 8 2.5-5.5V 10 16 I, E P, MS, SN, ST, MC, OT25AA040A 4K 512 x 8 1.8-5.5V 10 16 I P, MS, SN, ST, MC, OT25LC080A 8K 1024 x 8 2.5-5.5V 10 16 I, E P, MS, SN, ST25AA080A 8K 1024 x 8 1.8-5.5V 10 16 I P, MS, SN, ST25LC080B 8K 1024 x 8 2.5-5.5V 10 32 I, E P, MS, SN, ST25AA080B 8K 1024 x 8 1.8-5.5V 10 32 I P, MS, SN, ST25LC160A 16K 2048 x 8 2.5-5.5V 10 16 I, E P, MS, SN, ST25AA160A 16K 2048 x 8 1.8-5.5V 10 16 I P, MS, SN, ST25LC160B 16K 2048 x 8 2.5-5.5V 10 32 I, E P, MS, SN, ST25AA160B 16K 2048 x 8 1.8-5.5V 10 32 I P, MS, SN, ST25LC320A 32K 4096 x 8 2.5-5.5V 10 32 I, E P, MS, SN, ST25AA320A 32K 4096 x 8 1.8-5.5V 10 32 I P, MS, SN, ST25LC640A 64K 8192 x 8 2.5-5.5V 10 32 I, E P, MS, SN, ST25AA640A 64K 8192 x 8 1.8-5.5V 10 32 I P, MS, SN, ST25LC128 128K 16,384 x 8 2.5-5.5V 10 64 I, E P, SN, SM, ST, MF25AA128 128K 16,384 x 8 1.8-5.5V 10 64 I P, SN, SM, ST, MF25LC256 256K 32,768 x 8 2.5-5.5V 10 64 I, E P, SN, SM, ST, MF25AA256 256K 32,768 x 8 1.8-5.5V 10 64 I P, SN, SM, ST, MF25LC512 512K 65,536 x 8 2.5-5.5V 20 128 I, E P, SM, MF25AA512 512K 65,536 x 8 1.8-5.5V 20 128 I P, SM, MF25LC1024 1024K 131,072 x 8 2.5-5.5V 20 256 I, E P, SM, MF25AA1024 1024K 131,072 x 8 1.8-5.5V 20 256 I P, SM, MF

DS22040C_JP - ページ 3-58 © 2007 Microchip Technology Inc.

25AAXXXX/25LCXXXX製品ファミリ

データシート

3

1.0 電気的特性


VCC ..................................................................................................................................................................................... 6.5V

VSS を基準にしたすべての入出力 ........................................................................................................ -0.6V ～ VCC+1.0V保存温度 ........................................................................................................................................................-65°C ～ +150°Cバイアス付加時周囲温度 ............................................................................................................................-40°C ～ +125°C全ピンに対する静電気保護 ............................................................................................................................................ 4 kV

表 1-1: DC 特性


注 : これは AC および DC 特性の概略です。製品仕様については、デバイスのデータシートを参照してください。

DC CHARACTERISTICSElectrical Characteristics:Industrial (I): VCC = +1.8V to 5.5V TA = -40°C to +85°CAutomotive (E): VCC = +2.5V to 5.5V TA = -40°C to 125°C

Param.No. Sym. Characteristic Min. Max. Units Test Conditions Densities

D001 VIH High-level input voltage .7 VCC VCC + 1 V AllD002 VIL Low-level input voltage -0.3 0.3 VCC V VCC ≥ 2.7V ( 注 1) AllD003 VIL -0.3 0.2 VCC V VCC ≥ 2.7V ( 注 1) AllD004 VOL Low-level output voltage — 0.4 V IOL = 2.1 mA, VCC = 4.5V AllD005 VOL — 0.2 V IOL = 1.0 mA, VCC = 2.5V AllD006 VOH High-level output voltage VCC -0.5 — V IOH = -400 µA AllD007 ILI Input leakage current — ±1 µA CS = VCC, VIN = VSS or VCC AllD008 ILO Output leakage current — ±1 µA CS = VCC, VOUT = VSS or VCC AllD009 CINT Internal capacitance (all inputs

and outputs)— 7 pF TA = 25°C, CLK = 1.0 MHZ,

VCC = 5.0V ( 注 1)All

D010 ICCRead

Operating current

— 105

mA VCC = 5.5V; FCLK = 20.0 MHz; Vcc = 2.5V; FCLK = 10.0 MHz

512K and 1M

2.50.5

62.5

mA VCC = 5.5V; FCLK = 10.0 MHz;Vcc = 2.5V; FCLK = 5.0 MHz

1K-256K

D011 ICCWRITE

— 75

mA VCC = 5.5VVcc = 2.5V

512K and 1M

0.160.15

53

mA VCC = 5.5VVCC = 2.5V

1K-256K

D012 ICCS Standby current — 2012

µA CS = VCC = 5.5V, 125°C CS = VCC = 5.5V, 85°C(Inputs tied to VCC or VSS)

512K and 1M

— 51

µA CS = VCC = 5.5V, 125°CCS = VCC = 5.5V, 85°C(Inputs tied to VCC or VSS)

1K-256K

D13 ICCSPD Deep power-down current — 1 µA CS = VCC = 5.5V(Inputs tied to VCC or VSS)

512K and 1M

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされるもので、テス

トは全数テストではありません。


25AAXXXX/25LCXXXX

表 1-2: AC 特性


Param.No. Sym. Characteristic Min. Max. Units Conditions Densities

1 FCLK Clock frequency ———

20102

MHz 4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

———

1053

MHz 4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

2 TCSS CS setup time 2550

250—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

3 TCSH CS hold time ( 注 3)

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

100200250

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

4 TCSD CS disable time 50 — ns 1K-256K5 TSU Data setup time 5

1050

— nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

102030

— nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

6 THD Data hold time 1020

100—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

204050

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

7 TR CLK rise time ( 注 1)

— 20 ns 512K and 1M— 100 ns 128K and 256K— 500 ns 8K and 16K— 2000 ns 1K-4K, 32K-64K

8 TF CLK fall time ( 注 1)

— 20 ns 512K and 1M— 100 ns 128K and 256K— 500 ns 8K and 16K— 2000 ns 1K-4K, 32K-64K

注 1: このパラメータは無作為に抽出された一部のデバイスを対象に定期的にテストされる

もので、テストは全数テストではありません。

2: このパラメータはテストを行ったものではなく、特性評価と適性評価により確定した

ものです。特定のアプリケーションにおけるデータ書き換えの耐久性の概算について

は、マイクロチップ社のウェブサイト www.microchip.com の Total Endurance™ Model をご覧ください。

3: THI 時間が含まれます。



データシート

3

9 THI Clock high time 2550

250—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

10 TLO Clock low time 2550

250—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

50100150

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

11 TCLD Clock delay time 50 — ns All12 TCLE Clock enable time 50 — ns All13 TV Output valid from

clock low— 25

50250

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

— 50100160

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

14 THO Output hold time ( 注 1)

0 — ns

15 TDIS Output disable time ( 注 1)

— 2550

250

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

— 4080

160

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

16 THS HOLD setup time 1020

100—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

204080

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

17 THH HOLD Hold time 1020

100—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

204080

—nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

表 1-2: AC 特性 ( 続き )










25AAXXXX/25LCXXXX

18 THZ HOLD low to output High-Z ( 注 1)

1530

150—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

3060

160—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.52.5 ≤ VCC < 4.51.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

19 THV HOLD high to output valid

1530

150—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

512K and 1M

3060

160—

nsnsns

4.5 ≤ VCC ≤ 5.5 2.5 ≤ VCC < 4.5 1.8 ≤ VCC < 2.5

1K-256K

20 TREL CS high to Standby mode

— 100 µs 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V 512K and 1M

21 TPD CS high to Deep power-down

— 100 µs 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V 512K and 1M

22 TCE Chip erase cycle time

— 15 ms 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V 512K and 1M

23 TSE Sector erase cycle time

— 15 ms 1.8V ≤ VCC ≥ 5.5V 512K and 1M

24 TWC Internal write cycle time

— 6 ms Byte or Page mode and Page Erase 512K and 1M

— 5 ms Byte or Page mode 1K-256K25 — Endurance

( 注 2)> 1M — E/W

CyclesPer Page 512K and 1MPer Byte 1K-256K

表 1-2: AC 特性 ( 続き )









表 1-3: AC テスト条件

AC Waveform:VLO = 0.2V —VHI = VCC - 0.2V ( 注 1)VHI = 4.0V ( 注 2)CL = 30 pF —Timing Measurement Reference LevelInputOutput

0.5 VCC0.5 VCC

注 1: VCC ≤ 4.0V の場合

2: VCC > 4.0V の場合



データシート

3

図 1-1: ホールド (HOLD) タイミング

図 1-2: シリアル入力タイミング

図 1-3: シリアル出力タイミング

CS

SCK

SO

SI

HOLD

1716 16

17

1918

Don’t Care 5

High-Impedancen + 2 n + 1 n n - 1n

n + 2 n + 1 n n n - 1

CS

SCK

SI

SO

65

87 11

3

LSB inMSB in

High-Impedance

12

Mode 1,1

Mode 0,0

2

4

CS

SCK

SO

109

13

MSB out LSB out

3

15

Don’t CareSI

Mode 1,1

Mode 0,0

14


25AAXXXX/25LCXXXX

2.0 機能の説明

2.1 動作原理

シリアル EEPROM の 25 製品は、マイクロチップ社の PIC® マイクロコントローラを含め、現在好評の多くのマイクロコントローラファミリのシリアルペリフェラルインターフェース (SPI) ポートに直接接続できるように設計されています。また、ディスクリート I/O ラインを SPI プロトコルと整合性を持つようファームウェアで適切にプログラムして使うことで、SPI ポート内蔵型でないマイクロコントローラにも接続できます。この EEPROM ファミリは、8 ビット命令レジスタを含みます。デバイスには SI ピンからアクセスでき、データは SCK の立ち上りエッジに同期して入力されます。動作中、CS ピンは Low、HOLD ピンは High 状態でなければなりません。表 2-1 は、デバイス動作中の命令バイトおよび形式を示します。すべての命令、アドレス、およびデータは、MSB から LSB の順に転送されます。データ (SI) は、CS が Low になってから初の SCKの立ち上りエッジでサンプリングされます。クロックラインをSPIバス上の他の周辺デバイスと共用している場合、ユーザーは、HOLD 入力をオンにし、

EEPROM を「保持」モードにできます。HOLD ピンを解除すると、HOLD 入力に切り換えたときの状態から動作が再開します。

ブロック図

表 2-1: 命令セット

2.2 読み出しシーケンス

CS を Low にするとデバイスが選択されます。次に、8 ビットの READ 命令が EEPROM に転送され、アドレスが転送されます。正しい READ 命令とアドレスが送信されると、選択したアドレスのメモリに保存されているデータが SO ピンにシフト出力されます。クロックパルスを継続して送信すると、次のアドレスのメモリに保存されているデータを連続して読み出しできます。

データの各バイトがシフト出力されると、内部アドレスポインタは自動的に次の上位アドレスに進みます。上位アドレスまで進むと、アドレスカウンタはアドレス 00000h に戻り、読み出しサイクルが続きます。CS ピンの立ち上がりで、読み出しは終了します。バイト読み出しについては、図 2-1A/B/C を参照してください。

SISO

SCKCS

HOLDWP

STATUSRegister

I/O Control MemoryControlLogic

X

Dec

HV Generator

EEPROMArray

Page Latches

Y Decoder


Logic

VCCVSS

Instruction Name Instruction Format Description

Instructions for all devices.READ 0000 0011 Read data from memory array beginning at selected address WRITE 0000 0010 Write data to memory array beginning at selected address WREN 0000 0110 Set the write enable latch (enable write operations) WRDI 0000 0100 Reset the write enable latch (disable write operations) RDSR 0000 0101 Read STATUS register WRSR 0000 0001 Write STATUS register

Additional Instructions for 25XX512 and 25XX1024PE 0100 0010 Page Erase – erase one page in memory arraySE 1101 1000 Sector Erase – erase one sector in memory arrayCE 1100 0111 Chip Erase – erase all sectors in memory arrayRDID 1010 1011 Release from Deep power-down and read electronic signatureDPD 1011 1001 Deep Power-Down mode



データシート

3

表 2-2: 読み出し / 書き込みシーケンスアドレス指定

図 2-1A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

図 2-1B: 16 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

Density Address Bits

Highest Address Page Size

1K 7 007F 16 Bytes2K 8 00FF 16 Bytes4K 9 01FF 16 Bytes8K 10 03FF 16 or 32 Bytes*16K 11 07FF 16 or 32 Bytes*32K 12 0FFF 32 Bytes64K 12 1FFF 32 Bytes128K 14 3FFF 64 Bytes256K 15 7FFF 64 Bytes512K 16 FFFF 256 Bytes1024K 17 1FFFF 256 Bytes

注 : バージョン A - 16 バイトバージョン B - 32 バイト

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111

0 1A8*0000 1 A7 A6 A5 A4 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0

Data OutHigh-Impedance

A3 A2

Lower Address Byte

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

Instruction+Address MSb

* A8 is a don’t care for 1K and 2K upper address bit.

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 311

0 100000 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0

Instruction 16-bit Address



25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-1C: 24 ビットのアドレス指定時の読み出しシーケンス

2.3 書き込みシーケンス

EEPROM にデータを書き込む前に、WREN命令を発行し、ライトイネーブルラッチを設定する必要があります ( 図 2-4 参照 )。CS を Low にし、その後適切な命令を EEPROM にクロックと同期して入力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を High にし、ライトイネーブルラッチを設定します。CS を High にせず、WREN 命令を発行後すぐに書き込みを始めると、ライトイネーブルラッチが正しく設定されていないため、データをアレイに書き込みできません。書き込みシーケンスには、自動セルフタイムの消去サイクルが含まれるため、ライトコマンドを発行する前にメモリを消去する必要はありません。ライトイネーブルラッチ設定後は、まず CS を Lowにし、WRITE 命令を生成し、連続して書き込むアドレス、そしてデータを生成します。書き込みサイクルを実行する前に、デバイスのメモリ容量に依存して、16 バイトから 256 バイトまでのサイズのデータ 1 ページをデバイスに送信する必要があります。このとき、全バイトが同じページであるという制限があります。ページサイズについては、表 2-2 を参照してください。

24XX512 および 24XX1024 デバイスの場合、ページ全体を書き込むかどうかにかかわりなく、必ずページ全体を更新する必要があります。したがって、これらのデバイスのデータ書き換えの耐久性はページ単位で規定されています。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 391

0 100000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0



注 : ページ書き込みでは、書き込むバイト数に関係なく、1 物理ページ内のバイトにのみ書き込みできます。物理的なページ境界は、ページバッファサイズ ( または「ページサイズ」)の整数倍であるアドレスから、ページサイズ −1 の整数倍であるアドレスまでです。ページライトコマンドが物理的なページ境界をまたいで書き込もうとすると、ユーザーが期待するようにデータは次のページに書き込まれず、現在のページの先頭に折り返されます (以前に同位置に保存されたデータを上書きします )。したがって、アプリケーションソフトウェアはページ境界をまたがるようなページ書き込みを回避する必要があります。



データシート

3

実際アレイに書き込むデータ用に、n 番目のデータバイトの下位ビット (D0) をクロックに同期して入力後は、CS を High にする必要があります。このとき以外に CS を High にすると、書き込みは完了しません。バイト書き込みシーケンスおよびページ書き込みシーケンスについての詳細は、それぞれ図 2-2A/B/C および図 2-3A/B/C を参照してください。書き込みが実行中は、ステータスレジスタを

読み出し、WIP ビットおよび WEL ビットの状態を確認します ( 図 2-6 参照 )。書き込みサイクル中、メモリアレイ位置は読み出しできません。書き込みサイクルが終了後、ライトイネーブルラッチをリセットします。

図 2-2A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス

図 2-2B: 16 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス

図 2-2C: 24 ビットのアドレス指定時のバイト書き込みシーケンス

SI

CS

9 10 11

0 0A8*0000 1 7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

Instruction+Address MSb Lower Address Byte

A7 A6 A5 A4 A3 A1 A0A2

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23Twc

SOHigh-Impedance

* Upper address bit A8 is a don’t care for 1K and 2K.

SO

SI

CS

9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

0 000000 1 A15 A14 A13A12 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0Instruction 16-bit Address Data Byte

High-Impedance

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

Twc

SO

SI

CS

9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

0 000000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0Instruction 24-bit Address Data Byte

High-Impedance

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

Twc


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-3A: 8 ビットまたは 9 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

図 2-3B: 16 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

SI

CS

9 10 11

0 0A8*0000 1 7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

33 34 35 38 39

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte n (16 max)

SCK

24 26 27 28 29 30 3125 32

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 3

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 2

36 37

Instruction Address Byte

A7 A6 A5 A4 A3 A1 A0A2

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23

* Upper address bit A8 is a don’t care for 1K and 2K.

SI

CS

9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31

0 000000 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0Instruction 16-bit Address Data Byte 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

41 42 43 46 47

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte n (16/32 max)

SCK32 34 35 36 37 38 3933 40

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 3

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 2

44 45



データシート

3

図 2-3C: 24 ビットのアドレス指定時のページ書き込みシーケンス

2.4 ライトイネーブル (WREN) およびライトディスエーブル (WRDI)

EEPROM には、ライトイネーブルラッチが含まれます。書き込み保護機能マトリックスについては、表 2-4 を参照してください。内部書き込みの前に必ずこのラッチをセットする必要があります。WREN命令はこのラッチを設定し、WRDI 命令はこのラッチをリセットします。

以下は、ライトイネーブルラッチをリセットするときの条件のリストです。

• 電源投入時

• WRDI命令が正常に実行された時

• WRSR命令が正常に実行された時

• WRITE命令が正常に実行された時

• WP ピンが Low に設定された時 (1K、2K、4Kビット品種のみ )

25XX512 および 25XX1024 向け追加命令

• PE命令が正常に実行された時

• SE命令が正常に実行された時

• CE命令が正常に実行された時

図 2-4: ライトイネーブルシーケンス (WREN)

SI

CS

9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39

0 000000 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0 7 6 5 4 3 2 1 0Instruction 24-bit Address Data Byte 1

SCK0 2 3 4 5 6 71 8

SI

CS

49 50 51 54 55

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte n (256 max)

SCK

40 42 43 44 45 46 4741 48

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 3

7 6 5 4 3 2 1 0Data Byte 2

52 53

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI

High-ImpedanceSO

CS

0 10 0 0 0 01


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-5: ライトディスエーブルシーケンス (WRDI)

2.5 リードステータスレジスタ命令(RDSR)

リードステータスレジスタ命令 (RDSR) は、ステータスレジスタにアクセスするために使用します。ステータスレジスタは、書き込みサイクル中を含めいつでも読み出しできます。ステータスレジスタのフォーマットは以下のとおりです。

表 2-3: ステータスレジスタ

書き込み実行中 (WIP) ビットは、EEPROM が書き込み中でビジー状態かどうかを示します。

「1」に設定されていると、書き込み実行中で、「0」に設定されていると、書き込みは行われません。このビットは読み出し専用です。

ライトイネーブルラッチ (WEL) ビットは、ライトイネーブルラッチの状態を示し、読み出し専用です。「1」に設定されていると、アレイへの書き込みが可能で、「0」に設定されていると、アレイへの書き込みができません。このビットの状態は、ステータスレジスタの書き込み保護の設定にかかわりなく、いつでも WREN または WRDI コマンドで更新されます。これらのコマンドを図 2-4 および図 2-5に示します。

ブロック保護 (BP0 および BP1) ビットは、どのブロックが現在書き込み保護状態にあるのかを示します。これらのビットは、ユーザーが WRSR命令を発行すると設定できます。これらのビットは不揮発性で、その内容を表 2-4 に示します。RDSR のタイミングシーケンスについては、図 2-6 を参照してください。

図 2-6: リードステータスレジスタのタイミングシーケンス (RDSR)

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI

High-ImpedanceSO

CS

0 10 0 0 0 010

7 6 5 4 3 2 1 0W/R — — — W/R W/R R RWPEN X X X BP1 BP0 WEL WIP

W/R = 書き込み可 / 読み出し可 R = 読み出しのみ

注 : WPEN ビットは、24XX010A、24XX020A、および 24XX040A デバイスにはありません。

SO

SI

CS

9 10 11 12 13 14 15

1 100000 0

7 6 5 4 2 1 0

Instruction

Data from STATUS registerHigh-Impedance

SCK

0 2 3 4 5 6 71 8

3



データシート

3

2.6 ライトステータスレジスタ命令(WRSR)

ライトステータスレジスタ命令 (WRSR) は、表 2-3のようにステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込み権限を与えます。ステータスレジスタのビットに適切に書き込むことで、アレイの保護レベル 4 つのうちの 1 つを選択できます。アレイは 4つのセグメントに分割されます。ユーザーは、アレイの 4 つのセグメントのうち 1 つも保護しないか、1 つ、2 つ、または 4 つすべてを書き込み保護するかを選択できます。この区分けは、表 2-4 のように制御されます。

メモリ容量が 8K ビット以上の EEPROM の場合、書き込み保護イネーブル (WPEN) ビットは不揮発性ビットで、WP ピンのイネーブルビットとして機能します。書き込み保護 (WP) ピンおよびステータスレジスタの書き込み保護イネーブル (WPEN)ビットが、プログラム可能なハードウェア書き込み保護機能を制御します。WP ピンが Low で WPEN ビットが High のとき、ハードウェア書き込み保護が有効になります。WP ピンが High、あるいは WPEN ビットが Low のとき、ハードウェア書き込み保護が無効になります。ハードウェアの書き込みを保護している場合は、ステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込みのみが無効になります。WPEN ビットの機能マトリックスについては、表 2-6 を参照してください。WRSR のタイミングシーケンスについては、図 2-7 を参照してください。

表 2-4: アレイの保護

表 2-5: 保護されたアレイアドレス位置

BP1 BP0 Array Addresses Write-Protected Array Addresses Unprotected

0 0 none All (Sectors 0, 1, 2 and 3)0 1 Upper 1/4 (Sector 3) Lower 3/4 (Sectors 0, 1 and 2)1 0 Upper 1/2 (Sectors 2 and 3) Lower 1/2 (Sectors 0 and 1)1 1 All (Sectors 0, 1, 2 and 3) none

Density Upper 1/4(Sector 3)

Upper 1/2(Sectors 2 and 3) All Sectors

1K 60h-7Fh 40h-7Fh 00h-7Fh2K C0h-FFh 80h-FFh 00h-FFh4K 180h-1FFh 100h-1FFh 000h-1FFh8K 300h-3FFh 200h-3FFh 000h-3FFh16K 600h-7FFh 400h-7FFh 000h-7FFh32K C00h-FFFh 800h-FFFh 000h-FFFh64K 1800h-1FFFh 1000h-1FFFh 0000h-1FFFh128K 3000h-3FFFh 2000h-3FFFh 0000h-3FFFh256K 6000h-7FFFh 4000h-7FFFh 0000h-7FFFh512K C000h-FFFFh 8000h-FFFFh 0000h-FFFFh1024K 18000h-1FFFFh 10000h-1FFFFh 00000h-1FFFFh


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-7: ライトステータスレジスタのタイミングシーケンス (WRSR)

2.7 データ保護

不適切なアレイへの書き込みを回避するため、以下の保護機能が実装されています。

• 電源投入時にライトイネーブルラッチはリセットされます。

• ライトイネーブルラッチの設定には、ライトイネーブル命令を発行する必要があります。

• バイト書き込み、ページ書き込み、ステータスレジスタ書き込みが終了後、ライトイネーブルラッチはリセットされます。

• 内部書き込みサイクルを開始するには、クロックサイクルを適切な回数実行後、CS を High に設定する必要があります。

• 内部書き込みサイクル中にアレイへアクセスを試みてもアクセスできず、プログラミングを続行します。

2.8 電源オン時の状態

シリアル EEPROM は、電源オン時に以下の状態になります。

• デバイスが、低消費電力のスタンバイモードである (CS = 1)。

• ライトイネーブルラッチがリセットされる。

• SO がハイインピーダンス状態である。

• アクティブ状態にするため、CS が High からLow に遷移する。

表 2-6: 書き込み保護機能のマトリックス

2.9 ページ消去

ページ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512Kビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM のみに実装されています。この機能は、指定したページ内部の全ビットを消去 (FFh) します。ページ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を実行する必要があります。CS を Low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に入力します。8 ビットの命令をすべて送信後、CS をHigh にし、ライトイネーブルラッチを設定します。

ページ消去機能には、CS を Low にし、続けて命令コード (図 2-8A/B参照 )および 2または 3アドレスバイトを指定することで移行します。消去するページ内のすべてのアドレスが有効です。

アドレスの終ビットの後で CS を High にします。これを実行しないと、ページ消去は実行されません。CS を High に設定すると、セルフタイムのページ消去サイクルが開始します。ステータスレジスタの WIP ビットを読み出すと、ページ消去サイクルがいつ完了したかを判断できます。

SO

SI

CS

9 10 11 12 13 14 15

0 100000 0 7 6 5 4 2 1 0

Instruction Data to STATUS register

High-Impedance

SCK

0 2 3 4 5 6 71 8

3

WEL (SR bit 1) WPEN (SR bit 7) * WP (pin 3) Protected Blocks

Unprotected Blocks STATUS Register

0 X X Protected Protected Protected1 0 X Protected Writable Writable1 1 0 (low) Protected Writable Protected1 1 1 (high) Protected Writable Writable

X = Don’t Care* = WPEN bit is not available on 24XX010A/020A/040A.



データシート

3

ページ消去命令にブロック保護ビット (BP0、BP1)で保護されたアドレスが与えられると、シーケンスが中断し、消去は実行されません。

図 2-8A: 24 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス

図 2-8B: 16 ビットのアドレス指定時のページ消去シーケンス

2.10 セクタ消去

セクタ消去は、典型的なフラッシュ機能で、512Kビットおよび 1024K ビットのシリアル EEPROM にのみ実装されています。この機能は、指定したセクタ内部の全ビットを消去 (FFh) します。セクタ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を生成する必要があります。CS を Low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を High にし、ライトイネーブルラッチを設定します。

セクタ消去機能には、CS を Low にし、続けて命令コード (図 2-9A/B参照 )および 2または 3アドレスバイトを指定することで移行します。消去するセクタ内のすべてのアドレスは有効です。

アドレスの終ビットの後で CS を High にします。これを実行しないと、セクタ消去は実行されません。CS を High に設定すると、セルフタイムのセクタ消去サイクルが開始します。ステータスレジスタの WIP ビットを読み出すと、セクタ消去サイクルがいつ完了したかを判断できます。

セクタ消去命令にブロック保護ビット (BP0、BP1)で保護されているアドレスが与えられると、シーケンスは中断し、消去は発生しません。

セクタのアドレス指定詳細は、表 2-2 および表 2-3を参照してください。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 311

0 000010 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0


High-Impedance

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 231

0 000010 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0


High-Impedance


25AAXXXX/25LCXXXX

図 2-9A: 24 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス

図 2-9B: 16 ビットのアドレス指定時のセクタ消去シーケンス

2.11 チップ消去

チップ消去機能は、アレイの全ビットを消去 (FFh)します。チップ消去を実行する前に、ライトイネーブル (WREN) 命令を実行する必要があります。その場合は CS を Low にし、その後適切な命令をクロックに同期させて EEPROM に出力してください。8 ビットの命令をすべて送信したら、CS を High にし、ライトイネーブルラッチを設定します。チップ消去機能には、CS を Low にし、続けて SI ラインに命令コード (図 2-10参照 )を指定することで移行します。

命令コードの 8 番目のビットの後で CS ピンを Highにする必要があります。これを実行しないと、チップ消去機能は実行されません。CS ピンを High に設定すると、セルフタイムのチップ消去機能が開始します。デバイスがチップ消去機能を実行している間にステータスレジスタの WIP ビットを読み出すと、チップ消去機能がいつ完了したかを判断できます。ブロック保護ビット (BP0、BP1) のいずれも「0」でない、つまりアレイの 1/4、1/2、またはすべてが保護されている場合、チップ消去機能は無視されます。

図 2-10: チップ消去シーケンス

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 311

0 011011 0 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0


High-Impedance

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 231

0 011011 0 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0


High-Impedance

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI

High-ImpedanceSO

CS

1 11 0 0 0 11



データシート

3

2.12 ディープパワーダウンモード

ディープパワーダウンモードは、大容量メモリの25XX512および 25XX1024シリアルEEPROMに実装されていますが、これらのデバイスの消費電力が少です。ディープパワーダウンモード時は、デバイスはリードまたは書き込みコマンドに応答しません。したがって、ソフトェアの書き込み保護の補助機能としても使用できます。

ディープパワーダウンモードにするには、CS をLow にし、続いて SI ラインに命令コード ( 図 2-11参照 ) を指定し、その後 CS を High にすることで実行できます。

命令コードの 8 番目のビットが与えられた後で CSピンを High にしないと、ディープパワーダウンは実行されません。CS ラインを High にした後、消費電力が小に設定されるまでに遅延時間 (TDP) があります。

ディープパワーダウンモード時に発行されたすべての命令は、電子署名リードコマンド (RDID) を除いてすべて無視されます。RDID コマンドは、ディープパワーダウンモードを解除し、電子署名を SO ピンに出力し、遅延時間 (TREL) の後デバイスをスタンバイモードに戻します。

ディープパワーダウンモードは、デバイスの電源を切ると自動的に解除されます。再度デバイスの電源が投入されると、デバイスはスタンバイモードで起動します。

図 2-11: ディープパワーダウンシーケンス

SCK

0 2 3 4 5 6 71

SI

High-ImpedanceSO

CS

1 00 1 1 1 10


25AAXXXX/25LCXXXX

2.13 ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し

デバイスが一度ディープパワーダウンモードになると、ディープパワーダウンの解除および電子署名のリードコマンド以外のすべての命令は無視されます。またこのコマンドは、デバイスがディープパワーダウンモードでない場合にも、消去、プログラム、書き込みステータスレジスタなどのコマンド実行をのぞき、電子署名の SO ピンでも読み出しに使用できます。

ディープパワーダウンの解除および電子署名を読み出すには、CS を Low にし、続けて RDID 命令コード ( 図 2-12A/B 参照 ) を指定します。その後、25XX1024 機種では 24 ビットのダミーアドレス(A23-A0) を、25XX512 機種では 16 ビットのダミーアドレスを送信できます。ダミーアドレスの終ビットを入力後、8 ビットの電子署名がクロックに同期して SO ピンに出力されます。署名を 1 度でも読み出すと、CS を High にしてシーケンスを終了できます。その後デバイスはスタンバイモードに戻り、新しい命令が与えられるのを待ちます。電子署名が一度読み出された後に、追加のクロックサイクルが送信された場合、シーケンスが終了するまでSO ラインに署名を出力し続けます。

図 2-12A: ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し (24 ビット )

図 2-12B: ディープパワーダウンの解除および電子署名の読み出し (16 ビット )

8 ビットの RDID コマンドの送信後、電子署名の出力前に CS を High にしても、デバイスのディープパワーダウンモードを解除できます。ただし図 2-13 に示すように、デバイスがスタンバイモード(ICCS) に戻る前に遅延時間 TREL が生じます。

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 391

0 110101 1 A23 A22 A21 A20 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0


Electronic Signature OutHigh-Impedance

0 1 0 1 0 0 10

Manufacturers ID 0x29

TREL

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 21 22 23 24 25 26 27 28 28 30 311

0 110101 1 A15 A14 A13 A12 A2 A1 A0

7 6 5 4 3 2 1 0


Electronic Signature OutHigh-Impedance

0 1 0 1 0 0 10

Manufacturers ID 0x29

TREL



データシート

3

図 2-13: ディープパワーダウンモードの解除

SO

SI

SCK

CS

0 2 3 4 5 6 71

0 110101 1

Instruction

High-Impedance

TREL


25AAXXXX/25LCXXXX

3.0 ピン説明

各ピンの説明を表 3-1 に示します。

表 3-1: ピン機能表

3.1 チップセレクト (CS)このピンのレベルを Low にすると、デバイスを選択できます。High にすると、デバイスの選択を解除し、強制的にスタンバイモードに入ります。しかし、CS 入力信号にかかわりなく、すでに開始または実行中のプログラミングサイクルは終了します。プログラミングサイクルの途中で CS を Highにすると、プログラミングサイクルの完了後すぐにデバイスはスタンバイモードになります。デバイスの選択を解除すると、SO はハイインピーダンス状態になり、複数の部品が同じ SPI バスを共用できるようになります。有効な書き込みシーケンスの後で CS を Low から High に変更すると、内部書き込みサイクルが開始します。電源投入後は、シーケンスを始める前にCSをLowにする必要があります。

3.2 シリアル出力 (SO)SO ピンは、EEPROM から転送データの出力に使用します。読み出しサイクル中、データはシリアルクロックの立ち下がりエッジ後このピンにシフト出力されます。

3.3 書き込み保護 (WP)WP ピンは、ハードウェア書き込み保護入力ピンです。4K ビット以下の低メモリ容量品種では、このピンを論理 Low に設定すると、ライトイネーブルラッチをリセットし書き込みが禁止されます。しかし、書き込みサイクルがすでに進行中の場合、WPが Low になっても書き込みサイクルを停止することはありません。書き込み保護機能マトリックスについては、表 2-4 を参照してください。

8K ビット以上のメモリ容量の品種では、WP ピンは、ステータスレジスタの WPEN ビットとともに使用して、ステータスレジスタの不揮発性ビットの書き込みの禁止に使用します。WP ピンが Low で、WPEN が High の場合、ステータスレジスタの不揮発性ビットへの書き込みは無効になります。その他の動作はすべて正常に機能します。WP ピンが論理High に設定されると、ステータスレジスタの不揮

発性ビットへの書き込みも含め、すべての機能が正常に動作します。WPEN ビットが設定されていて、ステータスレジスタへの書き込みシーケンス中にWP ピンが論理 Low になると、ステータスレジスタへの書き込みが無効になります。内部書き込みサイクルがすでに開始している場合、WP が Low になっても進行中の書き込みには影響しません。

ステータスレジスタのWPENビットがLowのとき、WP ピン機能はブロックされます。こうすることで、ユーザーは WP ピンを接地して EEPROM をシステムにインストールしていても、ステータスレジスタに書き込めます。WPEN ビットを論理 High にすると、WP ピン機能は有効になります。

3.4 シリアル入力 (SI)Si ピンは、転送データをデバイスに入力するのに使用します。命令、アドレス、およびデータを受信します。データはシリアルクロックの立ち上がりエッジでラッチされます。

3.5 シリアルクロック (SCK)SCK は、マスターと EEPROM 間の通信を同期するために使用します。SI ピン上の命令、アドレス、またはデータは、クロック入力の立ち上がりエッジでラッチされ、SO ピンのデータは、クロック入力の立ち下がりエッジ後に更新されます。

3.6 ホールド (HOLD)HOLD ピンは、シーケンス全体を再送信せずにシリアルシーケンスの中に EEPROM への送信を一時停止するのに使用します。このピンは、使用時以外は常に High にします。デバイスが選択され、シリアルシーケンスが進行中に、HOLD ピンを Low にしてシリアルシーケンスをリセットすることなく、さらなるシリアル通信を一時停止します。SCK がLow の間に、HOLD ピンを Low にしなければなりません。そうしないと、次に SCK が High から Lowに切り換わるまで、HOLD 機能は有効になりません。このシーケンスの中は、EEPROM は選択されたままにしなければなりません。デバイスが一時停止している間、SI、SCK、および SO ピンはハイインピーダンス状態で、これらのピンの変化は無視されます。シリアル通信を再開するには、SCK ピンが Low の間に HOLD を High にします。これを行わないとシリアル通信は再開しません。HOLD ラインを Low にすると、いつでも SO ラインはトライステートになります。

Name Pin Number Function

CS 1 Chip Select InputSO 2 Serial Data OutputWP 3 Write-Protect PinVSS 4 GroundSI 5 Serial Data InputSCK 6 Serial Clock InputHOLD 7 Hold InputVCC 8 Supply voltage



データシート

3


リビジョン A (2007 年 5 月 )本文書の初版( パッケージ図 Rev. AP)

リビジョン B (2007 年 6 月 )• 6 ピン SOT-23 パッケージ情報の改訂。

• 製品識別システム情報の更新。

• 文書の一部を修正。

リビジョン C (2007 年 8 月 )512、640A、および 1024 デバイスの「Preliminary ( 暫定版 )」を削除。


25AAXXXX/25LCXXXX



XXXXXNNNXXXXXXXX

YYWW

8-Lead PDIP

I/P 1L725LC080A

0628

Example: Pb-Free

3e

8-Lead PDIP Package Marking (Pb-Free)

Device Line 1 Marking Device Line 1 Marking

25AA010A 25AA010A 25LC010A 25LC010A25AA020A 25AA020A 25LC020A 25LC020A25AA040A 25AA040A 25LC040A 25LC040A25AA080A 25AA080A 25LC080A 25LC080A25AA080B 25AA080B 25LC080B 25LC080B25AA160A 25AA160A 25LC160A 25LC160A25AA160B 25AA160B 25LC160B 25LC160B25AA320A 25AA320A 25LC320A 25LC320A25AA640A 25AA640A 25LC640A 25LC640A25AA128 25AA128 25LC128 25LC12825AA256 25AA256 25LC256 25LC25625AA512 25AA512 25LC512 25LC512

25AA1024 25AA1024 25LC1024 25LC1024

注 : T = 温度グレード (I、E)




3e


3e



データシート

3

XXXXYYWWXXXXXXXT

NNN

8-Lead SOIC

SN 062825L080AI

1L7

Example: Pb-Free

3e

8-Lead SOIC Package Marking (Pb-Free)


25AA010A 25AA01AT 25LC010A 25LC01AT25AA020A 25AA02AT 25LC020A 25LC02AT25AA040A 25AA04AT 25LC040A 25LC04AT25AA080A 25A080AT 25LC080A 25L080AT25AA080B 25A080BT 25LC080B 25L080BT25AA160A 25A160AT 25LC160A 25L160AT25AA160B 25A160BT 25LC160B 25L160BT25AA320A 25AA32AT 25LC320A 25LC32AT25AA640A 25AA64AT 25LC640A 25LC64AT25AA128(2) 25AA128T 25LC128 25LC128T25AA256(2) 25AA256T 25LC256 25LC256T25AA512(2) 25AA512T 25LC512 25LC512T

25AA1024(3) 25AA1024 25LC1024 25LC1024

注 1: T = 温度グレード (I、E)2: SN タイプと SM タイプのメモリ密度あり。

3: SM タイプのメモリ密度のみ。




3e


3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead TSSOP Package Marking (Pb-Free)


25AA010A 5A1A 25LC010A 5L1A25AA020A 5A2A 25LC020A 5L2A25AA040A 5A4A 25LC040A 5L4A25AA080A 5A8A 25LC080A 5L8A25AA080B 5A8B 25LC080B 5L8B25AA160A 5AAA 25LC160A 5LAA25AA160B 5AAB 25LC160B 5LAB25AA320A 5ABA 25LC320A 5LBA25AA640A 5ACA 25LC640A 5LCA25AA128 5AD 25LC128 5LD25AA256 5AE 25LC256 5LE


NNN

XXXXTYWW

8-Lead TSSOP

1L7

5L8AI628

Example: Pb-Free




3e


3e



データシート

3

8-Lead MSOP Package Marking (Pb-Free)


25AA010A 5A1AT 25LC010A 5L1AT25AA020A 5A2AT 25LC020A 5L2AT25AA040A 5A4AT 25LC040A 5L4AT25AA080A 5A8AT 25LC080A 5L8AT25AA080B 5A8BT 25LC080B 5L8BT25AA160A 5AAAT 25LC160A 5LAAT25AA160B 5AABT 25LC160B 5LABT25AA320A 5ABAT 25LC320A 5LBAT25AA640A 5ACAT 25LC640A 5LCAT


8-Lead MSOP Example: Pb-Free

XXXXXXTYWWNNN

5L8AI 6281L7




3e


3e


25AAXXXX/25LCXXXX

6-Lead SOT-23 Package Marking (Pb-Free)

Device I-Temp Marking Device I-Temp Marking E-Temp Marking

25AA010A 12NN 25LC010A 15NN 16NN25AA020A 22NN 25LC020A 25NN 26NN25AA040A 32NN 25LC040A 35NN 36NN

6-Lead SOT-23

XXNN

Example: Pb-Free

32L7




3e


3e



データシート

3

8-Lead 2x3 DFN Package Marking (Pb-Free)

Device I-Temp Marking Device I-Temp Marking E-Temp Marking

25AA010A 401 25LC010A 404 40525AA020A 411 25LC020A 414 41525AA040A 421 25LC040A 424 425

注 : NN = 英数字のトレース用コード

8-Lead 2x3 DFN Example: Pb-Free

421627L7

XXXYWWNN




3e


3e


25AAXXXX/25LCXXXX

8-Lead 6x5 DFN-S Package Marking (Pb-Free)


25AA128 25AA128 25LC128 25LC12825AA256 25AA256 25LC256 25LC25625AA512 25AA512 25LC512 25LC512

25AA1024 25AA1024 25LC1024 25LC1024


8-Lead 6x5 DFN-S Example: Pb-Free

XXXXXXXXXXXXXXXXYYWW

NNN

25AA128XXX-I/

MF0610017




3e


3e



データシート

3

製品識別システム

注文や資料請求、または価格や納期などの情報は、弊社工場または一覧に記載されている営業所にお問い合わせください。

PART NO. X /XX

PackageTemperatureRange

Device PartExamples:

a) 25AA010A-I/SN: 1Kb) 25AA040A-I/MS: 4Kc) 25LC040AT-I/OT: 4Kd) 25LC1024-I/SM: 1Me) 25LC040AT-I/MC

Device: EEPROM Series – 25Voltage – AA = 1.8V-5.5V

LC = 2.5V-5.5VDensity: 010A = 1 Kbit

020A = 2 Kbit040A = 4 Kbit080A = 8 Kbit080B = 8 Kbit160A = 16 Kbit160B = 16 Kbit320A = 32 Kbit640A = 64 Kbit128 = 128 Kbit256 = 256 Kbit512 = 512 Kbit1024 = 1024 Kbit (1Mbit)

TemperatureRange:

I = -40°C to +85°CE = -40°C to +125°C

Packaging Medium:

T = Tape and Reel (T/R)Blank = Std. Pkg.

Package: P = 8-lead Plastic DIP (300 mil body)SN = 8-lead Plastic SOIC (3.90 mm body)SM = 8-lead Plastic SOIC (5.28 mm body)ST = 8-lead Plastic TSSOP (4.4 mm)MS = 8-lead Plastic MSOP (3.0 mm)MC = 8-lead 2x3 mm DFN (T/R only)MF = 8-lead 6x5 mm DFNOT = 6-lead SOT-23 (T/R only)

Number

X

PackagingMedium


25AAXXXX/25LCXXXX
メモ :

Microw

ire互換

3

製品ファミリ

データシート

3

特定の製品について

汎用のシリアル EEPROM 製品ラインを幅広く展開する一方で、マイクロチップ社は以下の表に示すとおり、特定のアプリケーション用のデバイスを数種類提供しています。これらのデバイスのデータシートは、本データブックには含まれておらず、マイクロチップ社の EEPROM ウェブページwww.microchip.com/memory で入手できます。

特定アプリケーション用デバイス

Application Part Number Data Sheet Number

DIMM serial presence detect DDR 24LCS52, 24AA52 DS21166DIMM serial presence detect DDR 24LC024, 24AA024,

24LC025, 24AA025DS21210

DIMM serial presence detect DDR2, DDR3 34LC02, 34AA02, 34LV02 DS22029VESA® “Plug and Play” 24LCS21A DS21161VESA® “Plug and Play” 24LCS22A DS21682Ultra-high endurance Smart Serial™ EEPROM 24C65, 24LC65, 24AA65 DS21073

©2007 Microchip Technology Inc. DS00157E_JP - ページ 3-89

メモ :


アプリケーション

ノート

4

セクション 4アプリケーションノート

マイクロチップ社製 I2C™ シリアル EEPROM デバイスの使用例 ....................................................................4-1マイクロチップ社製 Microwire シリアル EEPROM デバイスの使用例 ............................................................4-9マイクロチップ社製 SPI シリアル EEPROM デバイスの使用例 .....................................................................4-13




ノート

4

AN1028マイクロチップ社製 I2C™ シリアル EEPROM デバイスの

使用例

はじめに

組み込み制御システムの多くは、不揮発性メモリを必要とします。省スペース、バイトレベルの柔軟性、少 I/O ピン、低消費電力、低コストといった特徴によって、シリアル EEPROM は不揮発性メモリとして人気の高い選択肢となっています。マイクロチップテクノロジー社は、このようなお客様のニーズに対応して、I2C™ (2 線式プロトコル )、Microwire(3 線式プロトコル )、SPI 通信といった業界標準のシリアル通信プロトコルに対応したシリアルEEPROM 製品の充実したラインアップを提供しています。シリアル EEPROM は、異なる集積度、動作電圧、パッケージオプションで入手可能です。

シリアル EEPROM を利用したアプリケーションの堅牢性を高めると、設計者はデータシートの仕様以外の要素も考慮する必要があります。

結果として、さまざまな条件に左右され、規格外の動作を招く場合があります。こうした条件の具体的な内容は、使用されるシリアルプロトコルに大きく依存します。

本アプリケーションノートでは、マイクロチップ社の I2C シリアル EEPROM を使用する際のアドバイスと指針を提供します。こちらに記載されている推奨条件は必須条件ではありませんが、採用することで回路設計全体の堅牢性が高まります。ここでは、以下のトピックについて考察します。

• チップアドレスの入力

• 書き込み保護機能 • 電源

• 確認応答 (ACK) のチェック

• 確認応答 (ACK) のポーリング

• データ効率の向上

• バスのプルアップ抵抗

• ソフトウェアリセットシーケンス

図 1 は、マイクロチップ社の I2C シリアル EEPROMの推奨接続例を示しています。この接続例の詳細は以降のセクションで説明します。

図 1: 24XXXX シリーズデバイスの推奨接続例

著者 : Chris ParrisMicrochip Technology Inc.

注

A0(1)

A1(1)

A2(1)

VSS

Vcc

WP

SCL

SDA

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

24X

XXXX

To Master(2)

2: VCC の小さなリップルを除去するには、デカップリングコンデンサ ( 通常 0.1 µF) を使用してください。A0、A1 および A2 ピンは一部のデバイスでは内部接続されていません。1:

© 2007 Microchip Technology Inc. DS01028B_JP - ページ 4-1

AN1028

チップアドレスの入力

チップアドレス入力ピン (A0、A1、A2) は、複数のデバイスで利用されており、複数デバイスの動作を可能にします。この機能を備えたデバイスでは、この入力レベルがスレーブアドレスの対応するビットと比較されて、比較の結果が真 (True) であればそのデバイスが選択されます。チップアドレスピンは一部のデバイスでは内部接続されていませんのでご注意ください。詳細については、本製品のデータシートを参照してください。

チップアドレスピンが内部で接続されているデバイスでは、チップアドレス入力をロジック「0」または「1」にハードワイヤ配線する必要があります。ハードワイヤ配線せずにフロート状態のままにしておくと、デバイスは正しく動作しません。24XX515および24XX1025デバイスを正しく動作させるには、A2 ピンは常にロジック「1」に固定する必要があります。

一部のアプリケーションでは、チップアドレス入力はマイクロコントローラや、その他のプログラマブルデバイスによって制御されます。その場合、通常のデバイス動作を実行する前に入力をロジック「0」または「1」に駆動する必要があります。

書き込み保護機能書き込み保護機能を備えたデバイスでは、WP ピンを使ってハードウェアによる書き込み保護機能を有効にします。WP ピンを VCC に接続することで、アレイ全体を保護することができます。VSS に接続すると、書き込み保護は無効になります。

プルアップ抵抗を WP ピンに接続すると、電源投入、電源遮断時、ピンが明示的に駆動されていない場合でも、デバイスを書き込み保護状態に保つことができます。これによって、SDA/SCL ラインのノイズなどの理由で発生する可能性がある不要な書き込みを回避できます。書き込みサイクルを開始するには、WP ピンをロジック「0」に駆動する必要があります。この条件が成立しないと、書き込みサイクルは実行されません。

WP ピンを制御せず、書き込み保護を常に無効にする場合は、WP ピンをロジック「0」にハードワイヤ配線する必要があります。チップアドレスの入力の場合と同様に、このピンをフロート状態のままにしておくと、デバイスは正しく動作しません。

デバイスによっては書き込み保護機能をサポートしていない場合がありますのでご注意ください。

電源

マイクロチップ社のシリアル EEPROM は、電源が通常動作レベル内にある場合、意図しない書き込みやデータの破損に対して高い保護機能を発揮しま

す。しかし、電源投入および電源遮断条件でも、ある条件下で電源が通常動作レベルにない場合にも、通常と同レベルで保護されるようご留意ください。

図 1 で示すように、デカップリングコンデンサ ( 通常 0.1 µF) を使用して VCC の小さなリップルを除去する必要があります。

電源投入時

電源投入時、正しくパワーオンリセットが実行されるよう、VCC は常に 0V で始まり、直ちに立ち上がり通常動作レベルに達する必要があります。VCCが途中または低動作電圧未満で留まらないようにしてください。

ブラウンアウト条件

マイクロチップ社のシリアル EEPROM は、追加の保護機能としてブラウンアウトリセット回路を備えています。しかし、VCC がシリアル EEPROM の低動作電圧を下回る場合は、VCC をまず 0V にまで完全に落とした後に通常動作レベルにまで戻すことを推奨します。これによって、デバイスを確実にリセットすることができます。

さらに、シリアル EEPROM よりも高いしきい値でブラウンアウトリセットするマイクロコントローラの場合は、VCC を 0V にまで下げることで両方のデバイスを同時にリセットすることができます。それ以外の場合は、通信中にマイクロコントローラがリセットされ、一方で EEPROM が現在の状態を保持する必要がある可能性があります。この場合、通信を再開するには、まずソフトウェアリセットシーケンスを実行する必要があります。

書き込みサイクル時の電源異常

書き込みサイクル時、サイクルの初から後まで( 通常のデバイスで大 5 ms)、VCC は低動作電圧よりも高いレベルを保つ必要があります。どの時点でも期間にかかわらず、VCC が低電圧を下回ると、データは完全に保証されません。そのため、正誤の不安定なプログラムデータとなってしまいます。さらに、EEPROM セルのプログラミングが不十分になるため、EEPROM の記憶保持時間はデータシートに記載されている時間よりも短くなります。

確認応答 (ACK) のチェック

I2C 通信のメリットの 1 つは、1 バイト受信ごとに送信される確認応答 (ACK) ビットを持つことです。書き込みサイクル時を除き、マイクロチップ社のシリアル EEPROM は 1 バイト受信ごとに、有効なスタートビットと制御バイトをすでに受信したとみなして、ACK ビットを Low にして送信します。このため、マスターは動作期間中に受信するACKビットを監視することでエラーの発生を検知できます。また、通信時に ACK をロジック「1」として受信し

DS01028B_JP - ページ 4-2 © 2007 Microchip Technology Inc.

AN1028アプリケーション

ノート

4

たかどうか常時検証を推奨します。受信した場合には、EEPROM が応答しなかったことを示します。この時点では、エラー処理ルーチンはデバイスが応答しなかった原因を判断し、必要に応じてソフトウェアのリセットシーケンスを実行します。

確認応答 (ACK) のポーリング

シリアル EEPROM に対して書き込みを実行するには、書き込み開始後の書き込みサイクル時間にしたがって、デバイスにデータを格納する時間を確保する必要があります。この時、通常の動作は無効になり、マスターがデバイスにアクセスを試みてもすべて無視されます。そのためマスターは、再びEEPROM にアクセスしようとする前に、まず書き込みサイクルの終了を待つことが重要です。

各デバイスには長ケースの書き込みサイクル時間が定められており、通常 TWC として記載されています。書き込みサイクル時間内に収める方法は、定められた時間だけ遅延を発生させ、その後EEPROM に再びアクセスすることです。しかし、仕様で定められた大時間以内に書き込みサイクルが終了することはよくあります。この場合、上述した遅延方法では、EEPROM 側は書き込みを終えたがマスター側はまだ待っているという時間が発生します。

このような無駄な時間をなくして効率的に動作させるため、確認応答 (ACK) ポーリング機能を利用することを推奨します。マイクロチップ社の I2C シリアル EEPROM は、書き込みサイクル時には応答しないため、ACK ビットを受信するまで連続してポーリングすることで ACK ビットの返送時に書き込みが完了したことがわかります。この動作は、停止条件が成立してデバイスの内部書き込みサイクル開始後に実行されます。

手順

書き込みコマンドの停止条件がマスターから送信されると、デバイスは内部的に定められたタイミングで書き込みサイクルを開始し、ただちにACKポーリング開始できる状態になります。この状態になるには、マスターがまず開始条件を送信して、続いて書き込みコマンドの制御バイト (R/W = 0) を送信する必要があります。デバイスがまだ書き込みサイクル中の場合、ACK は返ってきません。ACK が返ってこない場合は、スタートビットと制御バイトを再度送信する必要があります。サイクルが完了すると、デバイスは ACK を返し、マスターは次の読み込みまたは書き込みコマンドの実行が開始できます。詳細は図 2 をご覧ください。

図 2: ACK ポーリングの流れ

SendWrite Command

Send StopCondition to

Initiate Write Cycle

Send Start

Send Control Bytewith R/W = 0

Did DeviceAcknowledge

(ACK = 0)?

NextOperation

NO

YES


AN1028

データ効率の向上

ページ書き込み

マイクロチップ社の I2C シリアル EEPROM の多くは、書き込み時に使用するページバッファを備えています。このページバッファを使用して、1 バイトから大ページサイズの任意のバイト数を一度のオペレーションで書き込むことができます。バイト数の大きなデータを書き込む場合、この機能によって総書き込み時間を大幅に短縮することができます。

ページ書き込みでは、書き込むバイト数にかかわらず、1 物理ページ内のバイトにしか書き込みができません。理由は、図 3 で示すようにメモリアレイは物理的に二次元配列として格納されているためです。書き込みの初にワードアドレスが指定さ

れる場合には、行と列の両方のアドレスポインタがセットされます。行アドレスポインタはどの行 (ページ ) にアクセスするかを指定し、列アドレスポインタは選択されたページの中でどのバイトからアクセスを開始するかを指定します。列アドレスポインタは、データバイトの送信が完了するたびに自動的にインクリメントします。しかし、ページアドレスポインタは書き込み中にインクリメントしないため、1 回のページ書き込み中にページの境界をまたがる書き込みを実行しようとすると、同じページの初に戻ってデータが書き込まれるというループに陥ります。

物理ページの境界は、ページサイズの倍数となるアドレスから開始されます。例えば、ページサイズが 128 バイトの 24XX512 の場合、物理ページは0x0000、0x0080、0x0100 といったアドレスで開始することを意味します。

図 3: ページバッファのブロック図

手順

書き込み制御バイト、ワードアドレスおよび初のデータバイトは、1 バイトの書き込み時と同様に送信されます。ただし、マスターは停止条件を生成する代わりに、データバイトの送信を継続します。このデータは、デバイスの大ページサイズまで、チップ上のページバッファに一時的に格納されます。バイトの書き込みと同様、停止条件を受信すると内部の書き込みサイクルが開始され、ページバッファに格納されたバイトがすべて書き込まれます。

書き込み時間の比較

特定のデータ量をデバイスに書き込むためにかかる全時間を正確に計算するには、2 つの要素を考慮する必要があります。

• ロード時間は、すべてのバス動作を完了させるために必要な時間です。これには、開始条件と停止条件の生成や、制御バイト、アドレスバイトおよびデータバイト (ACK を含む ) の送信に必要な時間も含まれます。この時間は、バスクロックスピード、書き込むデータバイト数、デバイスのアドレス方式によって変わります ( デバイスには、1 バイトアドレスを使用するものと、2 バイトアドレスを使用するものがあります )。

ColumnAddressPointer

Byte 0 Byte 2 Byte 3 Byte n-2Byte 1 Byte n-3 Byte n-1 Byte n

注 : 「n」は「ページサイズ - 1」と等しくなります。

RowAddressPointer

Page Buffer

Memory Array



ノート

4

• 書き込みサイクル時間は、デバイスが内部の書き込みサイクルを実行する時間です。ACK ポーリングのセクションで記したように、デバイスごとに書き込みサイクルの大時間が定められています。しかし一般的に、内部の書き込みサイクルは定められた時間内に完了します。この前提で、長のケース (5 ms) と一般的なケース(3 ms@TAMB = 25 °C) の両方の計算結果を表 1 に示します。

表 1 の計算には次の方程式が使用されています。

公式 1: 書き込み時間の計算式

表 1: 書き込み時間の比較

以上の例から、ページ書き込みと ACK ポーリングのどちらも大幅な時間の節約が明らかです。バイト書き込みを使用して 24LC512 に 128 バイトを 400kHz で書き込むには、長のケースで 652 ms ほどかかります。ACK ポーリングに切り替えるとこれが約 396 ms にまで下がり ( 一般的な条件を仮定 )、40% 近く短縮されることになります。また、ページ書き込みに変更するとさらに延長されて 5.95 ms になり、98% 以上の短縮になります。この 2 つのテクニックを合わせて全体で 646 ms 近い時間の節約が実現されており、データ効率は 109 倍以上も向上しています。

TLOAD9 1 # address bytes # data bytes+ +( ) 1+⋅

FCLK------------------------------------------------------------------------------------------------------=

TTOTAL TLOAD TWC+( ) # write operations⋅=

Device Page Size(bytes)

# of Bytes to Write

Write Mode(1)

Clock Speed (kHz)

Load Time Per Operation (ms)

Total Time (ms)Worst-Case(2)

Total Time (ms)Typical(3)

24LC01B 8 1 Byte 100 0.28 5.28 3.288 Byte 100 0.28 42.24 26.248 Page 100 0.91 5.91 3.911 Byte 400 0.07 5.07 3.078 Byte 400 0.07 40.56 24.568 Page 400 0.23 5.23 3.23

24LC16B 16 1 Byte 100 0.28 5.28 3.2816 Byte 100 0.28 84.48 52.4816 Page 100 1.63 6.63 4.631 Byte 400 0.07 5.07 3.07

16 Byte 400 0.07 81.12 49.1216 Page 400 0.41 5.41 3.41

24LC512 128 1 Byte 100 0.37 5.37 3.37128 Byte 100 0.37 687.36 431.36128 Page 100 11.80 16.80 14.80

1 Byte 400 0.09 5.09 3.09128 Byte 400 0.09 651.84 395.84128 Page 400 2.95 7.95 5.95

注 1: バイト書き込みモードは、1 回の書き込みで 1 バイトだけ書き込まれることを意味します。ページ書き込みモードは、1 回の書き込みでページ全体が書き込まれることを意味します。

2: 長のケースの計算では、指定遅延時間が 5 ms と仮定しています。

3: 一般的なケースの計算では、ACK ポーリングと一般的な数値 TWC = 3 ms、TAMB = 25 °C を使用すると仮定しています。


AN1028

バスのプルアップ抵抗

正確に動作させるには、SCL および SDA バスの両方にプルアップ抵抗が必要ですが、選択した抵抗値がシステムのパフォーマンスに大きな影響を与える可能性があります。特に、プルアップ抵抗 (RP) の抵抗値を選ぶ際には以下の3つの制約条件を考慮する必要があります。

• 電源電圧 (VCC)• バスの総容量 (CBUS)• High レベル入力の総電流量 (IIH)

電源電圧 (VCC)電源電圧は、大 Low レベル出力電圧 (VOL) の仕様によって、小 RP 値を制限する要因となります。これは、一定の VCC レベルの下でプルアップ抵抗を小さくすると、出力電圧が高くなってしまうためです。マイクロチップ社の I2C デバイスの場合、VOLの仕様は 3 mA で高 0.4V です。つまり、0.4V のVCC で RP 全体に電圧降下が発生すると、3 mA 以上の電流を供給できないことになります。オームの法則により公式 2 が当てはまります。

公式 2: 最小 RP 値

バスの総容量 (CBUS)バス容量には、バス上のすべてのピン、接続、配線の容量が含まれます。RC 時定数により、バス容量が大きくなると、所定の立ち上がり時間、すなわちクロックスピードの条件を満たすためにプルアップ抵抗を小さくする必要があります。これは、1 つのバスに複数のデバイスを接続する回路設計では重要になる検討項目です。

公式 3 は、時間の関数として容量性負荷の充電特性を表す一般的な方程式です。この式により、一定のプルアップ抵抗およびバス容量の下でバス電圧が特定の値まで上がるまでに必要な時間を計算することができます。

公式 3: コンデンサの充電

バスの立ち上がり時間 (TR) は、電圧が VIL から VIHに上がるために必要な時間と定義されます。公式 3を使用して VIL=0.3*VCC、VIH=0.7*VCC とした場合のバスの立ち上がり時間を計算した結果を公式 4に示します。VIL および VIH は VCC の関数として指定されているため、VIL の仕様が変更されない限り、この終方程式は VCC に依存していません。

公式 4: バスの立ち上がり時間

公式 4 はバスの立ち上がり時間の計算に非常に役立ちますが、このパラメータはバス速度に応じてすでにデータシートに記載されていますので、バスの立ち上がり時間を制約条件として RP の大値を求めるには、この方程式を再構成する必要があります。その結果が公式 5 です。

公式 5: 最大 RP 値立ち上がり時間を制約条件とする

High レベル入力の総電流量 (IIH)ラインの High レベル入力総電流量は、競合がなく、抵抗器でラインの電圧を引き上げることができる状態のときにプルアップ抵抗器を流れる電流の総量です。この電流は、バス上の全デバイスの入力リーク電流を合計したものと、入力ピンを通してデバイスからシンクするその他の電流で構成されます。

バスの競合がなくても、一部の電流は常にプルアップ抵抗を流れているため、ピンの実効電圧は抵抗両端の電圧降下によって VCC より低くなります。ただし、この電圧降下はピンの電圧がデバイスから見てまだ High と見なされるほどに小さいものである必要があります。つまり、ピンの電圧は VIH と Highレベル入力ノイズマージン (VHMAR) を合わせた値よりも高い値である必要があります。ここで再度オームの法則を適用すると、公式 6 が導かれます。

RPMINVCC VOL–

IOL---------------------------

VCC 0.4V–

3 mA-----------------------------= =

V t( ) V0 1 e t– RC( )§–( )=

t–⇒ RC( ) 1 V t( )V0

-----------–⎝ ⎠⎛ ⎞ln=

T1– RC( ) 1VILVCC-----------–⎝ ⎠

⎛ ⎞ln RC( ) 1 0.3–( )ln= =

T2– RC( ) 1VIHVCC-----------–⎝ ⎠

⎛ ⎞ln RC( ) 1 0.7–( )ln= =

TR T2 T1– 0.847298 RC⋅= =

T1⇒ 0.356675= RC⋅

T2⇒ 1.20397= RC⋅

RPMAXTR

0.847298 CBUS⋅----------------------------------------=



ノート

4

公式 6: 最大 RP 値電流を制約条件とする

抵抗値計算の例

以下に、方程式を使用して正しいプルアップ抵抗値を求める例を示します。以下のパラメータを使用します。

表 2: パラメータ例

公式 2、公式 5 および公式 6 を適用すると、以下の抵抗限界値が算出できます。

表 3: 抵抗限界値

指定の VCC レベルでは入力電流が十分小さいので50 kΩ の抵抗器でもさほど大きな電圧降下は発生しませんが、これほどの大きさの抵抗となると、指定のバス容量では速度が遅すぎることになります。したがって、許容できる抵抗値の範囲は 1.533 kΩ から 3.541 kΩ までとなります。ガード帯域をできるだけ広く取るため、この範囲の中でも中央付近の値を選択することをおすすめします。この例では、2.2kΩ のプルアップ抵抗が理想的です。

バス速度 vs. 消費電力

バス容量が大きい場合、所定のバス速度に達するには抵抗値の小さいプルアップ抵抗が必要になります。例えば、上記の例でバス容量から算出したRPMAX 値は 100 pF で 3.541 kΩ でした。しかし、バス容量が高くなって約 231 pF になると、新たな

RPMAX 値は 1.533 kΩ となります。抵抗が小さくなると、デバイスがバスをプルダウンする際に引き出す電流が大きくなります。具体的には、1.533 kΩ で高 3.26mA に対して、3.541 kΩ では 1.41 mA とな

ります。

プルアップ抵抗が小さくなって電流が大きくなると、消費電力とバッテリ寿命が大きな影響を受けます。そのため、回路設計の許容範囲内でも遅いバス速度を選択することをおすすめします。上記の例では、要求速度を 100 kHz ( 立ち上がり時間 1000 ns)に下げるだけで、231 pF で 5.109 kΩ のプルアップ抵抗の使用が可能になります。また、これによって

大電流が 0.979 mA まで下がります。

ソフトウェアリセットシーケンス

場合によって、ソフトウェアリセットシーケンスを実行してシリアル EEPROM を既知の正しい状態に置く必要があります。これは、電源投入されたEEPROMが (過度のバスノイズなどによって )不適切な状態に陥った場合や、通信中にマイクロコントローラがリセットされた場合などに役立ちます。このような場合、以下のシーケンスを送信することでシリアル EEPROM デバイスを正しくリセットすることができます。

• スタートビット

• 9 ビットの「1」のクロック

• スタートビット

• ストップビット

図 4: ソフトウェアリセットシーケンス

初のスタートビットによってデバイスはリセットされ、マイクロコントローラから送信されるデータを待っている状態から解放されます。このとき、デバイスは受信モードでデータバスを監視し、内部リセットを強制実行するスタートビットを検出できる状態になります。

次に、9 ビットの「1」を使って前回のスタートビットでリセットできなかったデバイスを強制的にリセットします。このリセットは、デバイスがバスでACK を (Low) 駆動しているモードか、出力モードでデータビット「0」を駆動してバス出力している場合にしか実行されません。いずれの場合も、デバイスがバスを Low に固定しために前回のスタートビット (SCL が High のとき、SDA が Low と定義される ) が生成できません。

Parameter Value Units

VCC 5.0 VTR 3001 ns

CBUS 100 pFVIH 3.52 V

VHMAR 1.03 VIIH 10 µA

注 1: TR はクロック速度 400 kHz に基づく値です。

2: VIH は 0.7*VCC 仕様から導かれた値です。

3: VHMAR は、0.2*VCC 仕様から導かれた値です。

Limit Value Limiting Factor

RPMIN 1.533 kΩ Supply VoltageRPMAX 3.541 kΩ Bus CapacitanceRPMAX 50 kΩ Input Current

RPMAXVCC VIH VHMAR+( )–

IIH--------------------------------------------------------=

S P

Bus

SDA

STOP

Nine bits of ‘1’

START

S

START

Activity


AN1028
9 ビットの「1」を送信することによって、デバイスがNACKを検出する (つまりマイクロコントローラがバスを Low に駆動せず、EEPROM から送信されるデータの確認応答をしない ) 状態になり、内部リセットが強制実行されます。
2 つ目のスタートビットは、書き込みコマンドをEEPROM に送信中にマイクロコントローラがリセットされる場合、または初のスタートビットが送信されたときにEEPROMがバスでACKを駆動していた場合、まれに誤った書き込みの実行を回避するよう送信されます。こうした特殊なケースでは、この 2 つ目のスタートビットが送信されずにストップビットが送信されてしまうと、デバイスが書き込みサイクルを開始する可能性があります。この書き込みが誤って実行される可能性は、EEPROM に書き込みコマンドを送信している中にマイクロコントローラがリセットされる場合しか発生しません。

後のストップビットでは、バス動作は終了し、EEPROM はスタンバイモードになります。

このシーケンスは、バスに接続されているその他のI2C デバイスには影響せず、他のデバイスには単に無効なコマンドとして無視されます。

ソフトウェアリセットシーケンスが必要とされる状況では、バスの競合が発生する可能性が高くなります。MSSP モジュールを使用している場合、バス衝突割り込みフラグ (BCLIF) が立ち、以降のバスのトランザクションがブロックされます。ソフトウェアリセットを実行するには、MSSP モジュールを無効にして、ソフトウェアリセットシーケンスをビットバングで実行する必要があります。ソフトウェアリセットシーケンスが完了すれば、MSSP モジュールを再び有効にして、バス衝突割り込みフラグをクリアすることが可能になり、MSSP モジュールが通常のバス動作を実行できるようになります。

まとめ

本アプリケーションノートでは、マイクロチップ社の I2C シリアル EEPROM を使用した回路設計の堅牢性の向上に推奨する方法を説明しました。以上の推奨事項は、マイクロチップ社によるシリアルEEPROM の設計、製造、品質保証、試験の実施方法と合致しており、データシートに記載されているパラメータの範囲内でデバイスが十分な機能を発揮することができます。本アプリケーションノートで詳しく説明した考え方は、I2C シリアル EEPROM を利用しているシステムであればどのシステムにも採用できます。



ノート

4

AN1029マイクロチップ社製 Microwire シリアル EEPROM デバイスの

使用例

はじめに

組み込み制御システムの多くは、不揮発性メモリを必要とします。省スペース、バイトレベルの柔軟性、少 I/O ピン、低消費電力、低コストといった特徴によって、シリアル EEPROM は不揮発性メモリとして人気の高い選択肢となっています。マイクロチップテクノロジー社は、このようなお客様のニーズに対応して、I2C™ (2 線式プロトコル )、Microwire(3 線式プロトコル )、SPI 通信といった業界標準のシリアル通信プロトコルに対応したシリアルEEPROM 製品の充実したラインアップを提供しています。シリアル EEPROM は、異なる集積度、動作電圧、パッケージオプションで入手可能です。



本アプリケーションノートでは、マイクロチップ社の Microwire シリアル EEPROM を使用する際のアドバイスと指針を提供します。こちらに記載されている推奨条件は必須条件ではありませんが、採用することで回路設計全体の堅牢性が高まります。ここでは、以下のトピックについて考察します。

• チップセレクトおよびプログラムイネーブル入力

• 正確な書き込みシーケンス

• ステートマシンのリセット

• Microwire 通信用ハードウェア SPI ポートの使用

• DI と DO の接続

• 電源投入、電源遮断

図 1 は、マイクロチップ社の Microwire シリアルEEPROM の推奨接続例を示しています。この接続例の詳細は以降のセクションで説明します。


著者 : Martin KvasnickaMicrochip Technology Inc.

注 1: PE ピンは 93XX76X および 93XX86X デバイス (8K および 16K デバイス ) にしか存在しません。

注 2: ORG は Vss に接続すると x8 設定になります。 x16 動作にするには、Vcc に接続する必要があります。

注 3: 名前の末尾に A または B が付くデバイスには ORG ピンが存在しません。

CS

CLK

DI

DO

VCC

PE(1)

ORG(2,3)

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

93XX

XXX

To Master

To Master

To M

aste

r

10 KΩ

10 KΩ

0.1 µF

© 2007 Microchip Technology Inc. DS01029A_JP - ページ 4-9

AN1029

チップセレクトおよびプログラムイネーブル入力

電源投入および電源遮断ルーチンの実行時、プロセッサが完全に初期化されるまで、マイクロコントローラには、I/O ラインがフロート状態になる時間が存在します。この時間に、マイクロコントローラによって制御されている外部デバイスが、スプリアスなコマンドまたは回線ノイズを認識して反応する場合があります。そのため、CS ラインにプルダウン抵抗を使用することで、電源投入、電源遮断サイクル時や、EEPROM を非選択時に EEPROM が選択されないようにします。さらに、93XX76X および 93XX86X デバイスの PE ピンにもプルダウン抵抗を使用して、同様の電源投入、電源遮断時に不要な書き込みが実行されないようにします。

正確な書き込みシーケンス

Microwire シリアル EEPROM では、EEPROM を監視して書き込み可能な状態にあるかを確認できません。また、1K ～ 4K の Microwire デバイスには、いつ書き込みを可能にするかをハードウェアが制御できるようにするプログラムイネーブルピンが存在しません。デバイスを書き込み可能にするタイミングの制御や書き込み完了後のデバイスの保護をどうするかは、ユーザーの判断に委ねられています。そのため、書き込みコマンドはコマンドの後にEWDS (Erase/Write Disable)コマンドが発行されてはじめて完了したと見なされます。つまり、書き込みコマンドはすべて、EWEN (Erase/Write Enable) で開始され、実行したい書き込みシーケンスが後に続き、後に EWDS (Erase/Write Disable) で終了します。また、EWDS コマンドは書き込みサイクル中に発行できず、書き込み中に発行されたコマンドはすべて無視されます。

この仕組みには 2 つのメリットがあります。第一に、リセットやその他のシステム割り込みが発生した場合に、不要な書き込みからデバイスを保護します。第二に、EWDS (Erase/Write Disable) コマンドのはじめにスタートビットを発行することで、DO ラインのレディ / ビジー状態がリセットされて小限の電流量のみ消費する真のスタンバイモードに戻ります。

ステートマシンのリセット

ステートマシンのリセットは、該当コマンドのクロックサイクルが必要数に達していない場合に限り、デバイスを選択解除して実行できます。しかし、いったん所定のクロックサイクル数が満たされると、コマンドはすぐに実行され、有効なコマンドの後にクロックが追加されたとしても無視されます。有効なコマンドの後に追加のクロックがデバイスに与えられても、「ドントケア」として処理されます。

また、電力損失 (POR または BOR) イベントの発生が推測されるデバイスの場合、VCC が復帰すれば、CS ラインを Low ( 非アクティブ )、High ( アクティブ )、Low ( 非アクティブ ) と切り替えることを推奨します。これにより、ステートマシンは正しくリセットされ、短時間またはスプリアスな電力遮断から復帰できます。POR/BOR イベントの詳細については、電源投入、電源遮断セクションをご覧ください。

MICROWIRE 通信用ハードウェア SPIポートの使用

現在の定評あるマイクロコントローラの多くは、SPI コマンドを送信できるモジュールを搭載しています。Microwire の構造は、モジュールを正しく設定すれば Microwire プロトコルの制御にさまざまなハードウェアプロトコルポートを使用できます。ポート設定の具体的な方法はメーカーによって異なりますので、詳細は個別のデータシートを参照してください。マイクロチップ社では、この設定をPIC® マイクロコントローラで実行する方法を記したアプリケーションノートを提供しています。

動作原理

SPI ポート (MSSP) を使用してマイクロチップ社製Microwire シリアル EEPROM と通信するには、93XXX に出力するバイトの位置を合わせて、アドレスの LSBと出力されるバイトの第 8ビット (LSB)を一致させる必要があります。ここから、ビットを右から左に連続して並べてバイトを埋めていきます。8 ビットを上回るビット数が必要な場合、2 バイトの出力が必要になります。これと同じ方法が 93XXXシリーズデバイスにも有効ですが、集積度やコンフィギュレーション内容によって各コマンドで送信するビット数が異なりますので、該当するデータシートを参照する必要があります。以下の例では、x16フォーマットで構成される 93LC66Cを使用しています。93LC66C の制御には 8 ビットでは足りませんので、図 2 で示すように連続した 2 バイトが必要になります。

上位バイト ( スタートビット、オペコードビットおよびアドレスの上位ビットが入る )上位バイトの構成は以下の通りです。SB はスタートビットです。OP1 はオペコードの上位ビット、OP0 はオペコードの下位ビットです。CS ラインはバイトの出力前に設定することができます。これは、93XXX に対する出力の先頭にある「0」によって、初の上位ビットが送信されるまで 93XXX がスタートビットを認識しないためです。

下位バイト ( アドレスビットの 8 ビットが入る )下位バイトには A7 ～ A0 の値が入ります。これはx16 モードで 256 バイトにアクセスするために必要なアドレスビットです。

図 2: コマンドの整列

High Byte Low Byte0 0 0 0 0 SB OP1 OP0 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0

DS01029A_JP - ページ 4-10 © 2007 Microchip Technology Inc.


ノート

4

DI と DO の接続

DI ラインと DO ラインを接続して Microwire プロトコルを真の 3 線式にすることについて疑問を持つユーザーがたくさんおられます。しかし、マイクロコントローラが DI ピンを駆動しようとする一方でメモリが DO を駆動していれば、バスの競合が起こる可能性があります。特に、マイクロコントローラの SPI ポートを使用していて、スタートビットの発行前にバスで駆動するダミー値の0に頼っている場合です ( 次のスタートビットまで DO が High に駆動されてレディ状態となるため )。このようなバスの競合を回避するため、DI ラインと DO ラインを直接接続せずに、図 3 で示すように間に直列抵抗( ～ 10 kΩ) を使用する必要があります。

DI と DO を接続することで発生する可能性の高いもう一つの問題は、書き込みサイクルの開始後、CSが High に遷移し、書き込みサイクル中に CLK ラインで有効なクロック遷移が発生した場合です。この場合、書き込みサイクルが終了した (DO ラインがHighになってレディ状態になったことがわかる )場合に、開始条件が成立したとデバイスが見なす可能性があります。この原因は、デバイスの TWC が ( プロセス、電圧、温度によって ) 異なるためで、クロックと同期せずに書き込みサイクルが終了してしまうことになります。例えば、書き込みサイクルが終了して CS が High に遷移し、DO も High になる ( それに伴って DIも High に引き上げられる ) と、CLK 上の Low から High への遷移が起こると、意図していないにもかかわらず開始条件が成立したと見なされてしまいます。

図 3: DI と DO の接続

注 1: PE ピンは 93XX76X および 93XX86X デバイスにしか存在しません。

注 2: ORG は Vss に接続すると x8 設定になります。x16 動作にするには、Vcc に接続する必要があります。

注 3: 名前の末尾に A または B が付くデバイスには ORG ピンが存在しません。

CS

CLK

DI

DO

VCC

PE(1)

ORG(2,3)

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

93X

XXXX

To Master

To Master

To M

aste

r

.1 µF

10 KΩ

10 KΩ

10 KΩ


AN1029

電源投入、電源遮断

マイクロチップ社のシリアル EEPROM は、電源が通常動作レベル内にある場合、意図しない書き込みやデータの破損に対して高い保護機能を発揮します。しかし、電源投入および電源遮断条件でも、ある条件下で電源が通常動作レベルにない場合にも、通常と同レベルで保護されるようにしてください。


書き込みサイクル時、サイクルの初から後まで( 通常のデバイスで大 5 ms)、VCC は低動作電圧よりも高いレベルを保つ必要があります。どの時点でも期間にかかわらず、VCCが低電圧を下回ると、データは完全に保証されません。そのため、正誤の不安定なプログラムデータとなってしまいます。さらに、EEPROM セルのプログラミングが不十分になるため、EEPROM の記憶保持時間はデータシートに記載されている時間よりも短くなります。

電源投入時

電源投入時、正しくパワーオンリセットが実行されるよう、VCC は常に 0V で始まり、直ちに立ち上がり通常動作レベルに達する必要があります。VCCが途中または低動作電圧未満で留まらないようにしてください。


VCC がシリアル EEPROM の低動作電圧を下回る場合は、VCC をまず 0V にまで完全に落とした後に通常動作レベルにまで戻すことを推奨します。これによって、デバイスを確実にリセットすることができます。

さらに、シリアル EEPROM よりも高いしきい値でブラウンアウトリセットするマイクロコントローラの場合は、VCC を 0V にまで下げることで両方のデバイスを同時にリセットすることができます。それ以外場合は、通信中にマイクロコントローラがリセットされ、一方で EEPROM が現在の状態を保持する必要がある可能性があります。この場合、通信を再開するには、まずソフトウェアリセットシーケンスを実行する必要があります。

結論

MicrowireシリアルEEPROMの回路設計に関する上記の推奨事項は、動作の必要条件ではありませんが、この内容を守ることによって回路設計全体の堅牢性が向上します。以上の推奨事項は、マイクロチップ社によるシリアル EEPROM の設計、製造、品質保証、試験の実施方法と合致しており、データシートに記載されているパラメータの範囲内でデバイスが十分な機能を発揮することができます。

Q ＆ AQ：書き込みコマンド中に送信したクロック信号が多すぎた場合、または少なすぎた場合にはどうなるのでしょうか。

A: デバイスに送信するクロック信号が多すぎた場合、CS ラインを落として書き込みサイクルを開始すると余分なクロックは無視されますがコマンドは実行されます。デバイスに送信するクロック信号が少なすぎた場合、CS ラインを落とすとコマンドの実行が中止され、書き込みは一切行われません。

Q：作成中のアプリケーションに 93LC56C デバイスを使用していますが、正しく動作させることができません。読み出しシーケンスはうまく機能しているようですが、データをデバイスに一切書き込むことができません。

A: まず、書き込みをする前に EWEN コマンドを発行していることを確認してください。こうした問題は CS ラインを落とす前にコマンドに必要な数のビットを送信していないか、あるいはそもそも CSラインを落としていないことが原因です。CS ラインを Low に変化させるまで、書き込みコマンドは開始されません。

Q：コマンド発行とコマンド発行の間に必ず CS ラインを Low に切り替える必要があるのでしょうか。

A: はい。CS ラインはコマンドとコマンドの間に少なくとも 250 ns の時間は Low にする必要があります。書き込みコマンドを実行中に CS ラインを Lowにしてデータポーリングモードを有効にする場合、デバイスからレディ信号が送信された後に再度CS ラインを Low に切り替えないと、次のスタートビットを送信できません。

Q：書き込みサイクル中に VCC が降下すると、アレイ中の他のデータも壊れますか、それとも影響があるのは書き込み途中のデータだけですか。

A: 書き込みサイクル中に VCC が失われると、書き込み途中のデータだけが壊れます。他のデータバイトは影響を受けません。



ノート

4

AN1040マイクロチップ社製 SPI シリアル EEPROM デバイスの

使用例

はじめに

組み込み制御システムの多くは、不揮発性メモリを必要とします。省スペース、バイトレベルの柔軟性、少 I/O ピン、低消費電力、低コストといった特徴によって、シリアル EEPROM は不揮発性メモリとして人気の高い選択肢となっています。マイクロチップテクノロジー社は、このようなお客様のニーズに対応して、I2C™ (2 線式プロトコル )、Microwire(3 線式プロトコル )、SPI 通信といった業界標準のシリアル通信プロトコルに対応したシリアルEEPROM 製品の充実したラインアップを提供しています。シリアル EEPROM は、異なる集積度、動作電圧、パッケージオプションで入手できます。



本アプリケーションノートでは、マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM を使用する際のアドバイスと指針を提供します。こちらに記載されている推奨条件は必須条件ではありませんが、採用することで回路設計全体の堅牢性が高まります。ここでは、以下のトピックについて考察します。

• 入力に関する検討事項

• 書き込み保護機能

• 電源

• ライトイネーブルおよびディスエーブル

• WIP ポーリング

• データ効率の向上

図 1 は、マイクロチップ社の SPIシリアル EEPROMの推奨接続例を示しています。この接続例の詳細は以降のセクションで説明します。


著者 : Chris ParrisMicrochip Technology Inc.

注

CS

SO

WP

VSS

VCC

HOLD

SCK

SI

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

25X

XXXX

To Master(1)

VCC にはデカップリングコンデンサ ( 通常 0.1 µF) を使用してください。1:

To Master

VCC


AN1040

入力に関する確認事項

入力ピンをフローティング状態のままにしておくことは推奨いたしません。この状態は、スタンバイ電流を大きくしたり、予想外の機能を実行する原因となります。フロート状態にあるピンは、Low とHigh のいずれにも遷移する可能性があります。信号がいずれの方向に向かうかは、システム中のノイズや容量結合など、さまざまな要因に依存します。このため、入力回路が受け取るレベルはランダムになる傾向があり、動作中に変化する可能性も高くなります。

つまり、入力レベルが予測できないと、デバイスの動作に破壊的な影響を与える場合があります。例えば、マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM には HOLD ピンが備わっており、このピンを使用してユーザーはクロックの送信を途中で一時停止させることができます。このピンが Low ( アクティブ )に遷移すると、デバイスは受信したクロックパルスに応答しなくなり、通信は中断しています。

そのため、未使用入力ピンがあれば、負論理入力では High に設定するなど、すべて適切に固定してください。さらに、マイクロコントローラに余剰トライステート I/O ピンがある場合、図 1 で示すようにプルダウン /プルアップ抵抗と共に接続しておきます。こうしておくことで、ファームウェアを修正するだけで未使用入力を後に使用することができます。

CS ピンは通常動作時にはマイクロコントローラによって常に駆動されていますが、電源遮断、電源投入時にフロート状態になる可能性があります。そのため、このピンにもプルアップ抵抗を付けて、電源遮断、電源投入時のノイズによって意図しないコマンドを回避してください。

書き込み保護機能

マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM ファミリデバイスには、2 種類の書き込み保護スキームがあります。一つは小型デバイス用の 4 Kb、もう一つは大型デバイス用の 8 Kb です。

25XX040A から 25XX010A までの品種の場合、WPピンは通常のハードウェア書き込み保護ピンとして機能します。つまり、WP ピンが Low ( アクティブ ) のときにはライトイネーブルラッチ (WEL:Write Enable Latch) がクリアされ、WP ピンが Highになるまでセットできない状態になります。これは、アレイとステータスレジスタのどちらに書き込みをしようとしても、すべてブロックされることを意味します。ここで WP ピンを High にしても、それで WEL がセットされるわけではありません。WEL をセットするには、別途 WREN コマンドが必要です。

25XX080A/B 以上の機種の場合、WP ピンはステータスレジスタ中の書き込み保護イネーブル (WPEN:Write-Protect Enable) ビットと連携して機能します。WPEN ビットがクリアされると、WP ピンは「ドントケア」状態になります。WPEN ビットがセットされると、WP ピンを使ってステータスレジスタに対する書き込みをブロックすることが可能になり

ます。上記デバイスの場合、WPEN ビットの状態に関係なく、WP ピンがアレイの書き込みに影響することはありません。こうしたデバイスのアレイに対する書き込みをブロックできるのは、ブロック保護(BP: Block Protect ) ビットだけです。ただし、BP ビットがセットされると、WPEN ビットと共に WP ピンによって BP ビットがクリアされないようにすることになるのでアレイの書き込みを回避します。

電源

マイクロチップ社のシリアル EEPROM は、電源が通常動作レベル内にある場合、意図しない書き込みやデータの破損に対して高い保護機能を発揮します。しかし、電源投入および電源遮断条件でも、ある条件下で電源が通常動作レベルにない場合にも、通常と同レベルの保護が行われるように留意ください。

図 1 で示しているように、デカップリングコンデンサ ( 通常 0.1 µF) を使用して VCC の小さなリップルを除去する必要があります。

電源投入時

電源投入時、正しくパワーオンリセットが実行されるよう、VCC は常に 0V で始まり、直ちに立ち上がって通常動作レベルに達する必要があります。VCC が中途半端なレベル (つまり低動作電圧未満 )で留まらないようにしてください。


マイクロチップ社のシリアル EEPROM は、追加の保護機能としてブラウンアウトリセット回路を備えています。しかし、VCC がシリアル EEPROM の

低動作電圧を下回る場合は、VCC をまず 0V にまで完全に落とした後に通常動作レベルにまで戻すことを推奨します。これによって、デバイスを確実にリセットすることができます。

さらに、シリアル EEPROM よりも高いしきい値でブラウンアウトリセットするマイクロコントローラの場合は、VCC を 0V にまで下げることで両方のデバイスを同時にリセットすることができます。それ以外の場合は、通信中にマイクロコントローラがリセットされ、一方で EEPROM が現在の状態を保持する必要がある可能性があります。この場合、通信を再開するには、まずソフトウェアリセットシーケンスを実行する必要があります。


書き込みサイクル時、サイクルの初から後まで( 通常のデバイスで大 5 ms)、VCC は低動作電圧よりも高いレベルを保つ必要があります。どの時点でも長さにかかわらず、VCC が低電圧を下回ると、データは完全に保証されません。そのため、正誤の不安定なプログラムデータとなってしまいます。さらに、EEPROM セルのプログラミングが不十分になるため、EEPROM の記憶保持時間はデータシートに記載されている時間よりも短くなります。



ノート

4

ライトイネーブルおよびディスエーブル

マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM は、ステータスレジスタのビット 1 としてライトイネーブルラッチ (WEL) を備えています。このラッチは、アレイまたはステータスレジスタに対する書き込みの許可に使用します。「1」にセットすると、書き込みが有効になります。「0」にセットすると、書き込みはすべてブロックされます。WEL は有効なライトイネーブル (WREN) 命令を発行することでしかセットできませんが、リセットは次の状況で実行される場合があります。

• 電源投入時

• ライトディセーブル (WRDI) 命令が正常に実行された場合

• ライトステータスレジスタ (WRSR) 命令が正常に実行された場合

• 書き込み命令が正常に実行された場合

25XX010A ～ 25XX040A に限り、次の状況も当てはまります。

• WP ピンが Low ( アクティブ ) になる

書き込み、WRSR および WRDI 命令の場合、命令が正常に実行された場合にのみ WEL がリセットされます。つまり、何かの理由で命令が無効になるとWEL はリセットされないことを意味します。例えば、ブロック保護 (BP) ビットで保護されているアレイの一部で書き込みが行われようとした場合、命令は実行されませんので、WEL はセットされたままになります。

書き込みおよび WRSR 命令の場合、WEL は書き込みサイクルの後にクリアされます。

不要な書き込みが発生する可能性を小限に抑えるために、WEL は書き込みまたは WRSR命令の直前にセットすることを推奨します。

WIP ポーリング

シリアル EEPROM に対して書き込みを実行するには、書き込み開始後の書き込みサイクル時間にしたがって、デバイスにデータを格納する時間を確保する必要があります。この時、通常の動作は無効になり、マスターがデバイスのメモリアレイにアクセスを試みてもすべて無視されます。そのためマスターは、再び EEPROM にアクセスする前に、まず書き込みサイクルの終了を待つことが重要です。

各デバイスには長のケースの書き込みサイクル時間が定められており、通常 TWC として記載されています。書き込みサイクル時間内に収める方法は、定められた時間だけ遅延を発生させ、それからEEPROM に再びアクセスするというものです。しかし、仕様で定められた長時間以内に書き込みサイクルが終了することはよくあります。この場合、上述した遅延方法では、EEPROM 側は書き込みを終えたがマスター側はまだ待っているという時間が発生します。

この無駄な時間をなくして効率的に動作させるため、WIP ポーリング機能を利用することを推奨します。

マイクロチップ社製SPIシリアルEEPROMのステータスレジスタは、アレイの書き込み中とステータスレジスタの書き込み中のいずれの場合にも読み出すことができます。つまり、ユーザーが WIP(Write-In-Progress) ビットの状態を確認できます。WIP は読み出し専用のビットで、書き込みが進行中の場合にのみセットされます。書き込みが完了すると、WIP ( および WEL) はクリアされます。そのため、WIP ビットの値を監視することで書き込みサイクルの完了を確認し、ステータスレジスタは継続して読み出しできます。

手順

書き込み命令の後に CS が High に遷移すると、デバイスは内部的に定められたタイミングで書き込みサイクルを開始し、ただちに WIP ポーリングを開始できる状態になります。ポーリングには、リードステータスレジスタ (RDSR) 命令および WIP ビット値の確認が必要になります。High の場合、デバイスはまだ書き込み中です。Low の場合、書き込みサイクルは完了し、マスターは次の命令の実行ができる状態になっています。詳細は図 2 をご覧ください。

図 2: WIP ポーリングの流れ

PerformWrite Instruction

Bring CSHigh to Initiate

Write Cycle

Perform RDSR

Is WriteComplete(WIP = 0)?

NextOperation

NO

YES

Instruction


AN1040

データ効率の向上

ページ書き込み

マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM の多くは、書き込み時に使用するページバッファを備えています。このページバッファを使用して、1 バイトから大ページサイズの任意のバイト数を一度のオペレーションで書き込むことができます。バイト数の大きなデータを書き込む場合、この機能によって総書き込み時間を大幅に短縮することができます。

ページ書き込みでは、書き込むバイト数にかかわらず、1 物理ページ内のバイトにしか書き込みができません。理由は、図 3 で示すようにメモリアレイは物理的に二次元配列として格納されているためです。書き込みの初にワードアドレスが指定さ

れる場合には、行と列の両方のアドレスポインタがセットされます。行アドレスポインタはどの行 (ページ ) にアクセスするかを指定し、列アドレスポインタは選択されたページの中でどのバイトからアクセスを開始するかを指定します。列アドレスポインタは、データバイトの送信が完了するたびに自動的にインクリメントします。しかし、ページアドレスポインタは書き込み中にインクリメントしないため、1 回のページ書き込み中にページの境界をまたがる書き込みを実行しようとすると、同じページの初に戻ってデータが書き込まれるというループに陥ります。

物理ページの境界は、ページサイズの倍数となるアドレスから開始されます。例えば、ページサイズが 64 バイトの 25XX256 の場合、物理ページは0x0000、0x0040、0x0080 といったアドレスで開始することを意味します。

図 3: ページバッファのブロック図

手順

WREN コマンドの発行によって書き込みが有効になった後、書き込み命令、ワードアドレスおよび初のデータバイトが 1 バイトの書き込み時と同様に送信されます。ただし、マスターは CS を High に切り替える代わりにデータバイトの送信を続けます。このデータは、デバイスの大ページサイズに達するまでチップ上のページバッファに一時的に格納されます。バイトの書き込みと同様、CS がHigh に切り替わると内部の書き込みサイクルが開始され、ページバッファに格納されたバイトがすべて書き込まれます。

書き込み時間の比較

特定のデータ量をデバイスに書き込むためにかかる全時間を正確に計算するには、2 つの要素を考慮する必要があります。

• ロード時間は、すべてのバス動作を完了させるために必要な時間です。これには、CS 関連の全タイミング、必要な WREN命令の発行、書き込み命令やアドレス、データバイトの送信が含まれます。この時間は、バスクロックスピード、書き込むデータバイト数、デバイスのアドレス方式によって変わります ( デバイスには、1 バイトアドレスを使用するものと、2 バイトアドレスを使用するものがあります )。

ColumnAddressPointer

Byte 0 Byte 2 Byte 3 Byte n-2Byte 1 Byte n-3 Byte n-1 Byte n

注 : 「n」は「ページサイズ - 1」と等しくなります。

RowAddressPointer

Page Buffer

Memory Array



ノート

4

• 書き込みサイクル時間は、デバイスが内部の書き込みサイクルを実行する時間です。WIP ポーリングのセクションで記したように、デバイスごとに書き込みサイクルの大時間が定められています。しかし一般的に、内部の書き込みサイクルは定められた時間内に完了します。この前提で、長のケース (5 ms) と一般的なケース(3 ms@TAMB = 25 °C) の両方の計算結果を表 1 に示します。

表 1 の計算には次の方程式が使用されています。

公式 1: 書き込み時間の計算式

表 1: 書き込み時間の比較

以上の例から、ページ書き込みと WIP ポーリングのどちらも大幅な時間の節約が明らかです。バイト書き込みを使用して 25LC256 に 64 バイトを 1 MHzで書き込む場合、長のケースで 320 ms ほどかかります。 WIP ポーリングに切り替えるとこれが約192 ms にまで下がり ( 一般的な条件を仮定 )、40%近く短縮されることになります。また、ページ書き込みに変更するとさらに延長されて3.05 msになり、98% 以上の短縮になります。この 2 つの方法を合わせて全体で 317 ms 近い時間の節約が実現されており、データ効率は 105 倍以上も向上しています。

まとめ

本アプリケーションノートでは、マイクロチップ社の SPI シリアル EEPROM を使用した回路設計の堅牢性の向上に推奨する方法を説明しました。以上の推奨事項は、マイクロチップ社によるシリアルEEPROM の設計、製造、品質保証、試験の実施方法と合致しており、データシートに記載されているパラメータの範囲内でデバイスが十分な機能を発揮することができます。本アプリケーションノートで詳しく説明した考え方は、SPI シリアルEEPROM を利用しているシステムであればどのシステムにも採用できます。

TLOAD8 2 # addr bytes # data bytes+ +( )⋅

FCLK-------------------------------------------------------------------------------------- 150 ns+=

TTOTAL TLOAD TWC+( ) # write operations⋅=

Device Page Size(bytes)

# of Bytes to Write

Write Mode(1)

Clock Speed (MHz)

Load Time Per Operation (µs)

Total Time (ms)Worst-Case(2)

Total Time (ms)Typical(3)

25LC010A 16 1 Byte 1 32.15 5.03 3.0316 Byte 1 32.15 80.51 48.5116 Page 1 152.15 5.15 3.151 Byte 10 3.35 5.00 3.00

16 Byte 10 3.35 80.05 48.0516 Page 10 15.35 5.02 3.02

25LC160B 32 1 Byte 1 40.15 5.04 3.0432 Byte 1 40.15 161.28 97.2832 Page 1 288.15 5.29 3.291 Byte 10 4.15 5.00 3.00

32 Byte 10 4.15 160.13 96.1332 Page 10 28.95 5.03 3.03

25LC256 64 1 Byte 1 40.15 5.04 3.0464 Byte 1 40.15 322.57 194.5764 Page 1 544.15 5.54 3.541 Byte 10 4.15 5.00 3.00

64 Byte 10 4.15 320.27 192.2764 Page 10 54.55 5.05 3.05

注 1: バイト書き込みモードは、1 回の書き込みで 1 バイトだけ書き込まれることを意味します。ページ書き込みモードは、1 回の書き込みでページ全体が書き込まれることを意味します。

2: 長のケースの計算では、指定遅延時間が 5 ms と仮定しています。

3: 一般的なケースの計算では、WIP ポーリングと一般的な数値 TWC = 3 ms、TAMB = 25 °C を使用すると仮定しています。


AN1040
メモ :

パッケージ

5

セクション 5パッケージ

パッケージ外形図 .....................................................................................................................................................5-1製品のテープ＆リール仕様 ...................................................................................................................................5-11はんだリフロー工程における推奨事項 ...............................................................................................................5-19マイクロチップ社のダイ / ウェハーサポート ...................................................................................................5-23


DS00157E_JP - ページページ 5-ii ©2007 Microchip Technology Inc.

パッケージ

5

パッケージ

パッケージ外形図

8 ピンプラスチックデュアルフラット、鉛フリーパッケージ (MC) – 2x3x0.9 mm ボディ[DFN]

注 :1. ピン 1 のビジュアルインデックスの特徴は変更される場

合がありますが、必ず斜線範囲内にあります。

2. パッケージの端に 1 つ以上の露出タイバーがあります。

3. パッケージは切断され個片化されています。

4. 寸法および公差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法。公差を含まずに表示される理論値と同一の値。

REF: 参考寸法。通常公差を含まず、情報提供用としての値。

注 : 新のパッケージ図面については、次のウェブサイトから「Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 )」を参照してください。 http://www.microchip.com/packaging

D

N

E

NOTE 1

1 2

EXPOSED PAD

NOTE 12 1

D2

K

L

E2

N

eb

A3 A1

A

NOTE 2

BOTTOM VIEWTOP VIEW

Units MILLIMETERSDimension Limits MIN NOM MAX

Number of Pins N 8Pitch e 0.50 BSCOverall Height A 0.80 0.90 1.00Standoff A1 0.00 0.02 0.05Contact Thickness A3 0.20 REFOverall Length D 2.00 BSCOverall Width E 3.00 BSCExposed Pad Length D2 1.30 – 1.75Exposed Pad Width E2 1.50 – 1.90Contact Width b 0.18 0.25 0.30Contact Length L 0.30 0.40 0.50Contact-to-Exposed Pad K 0.20 – –

Microchip Technology Drawing C04-123B


パッケージ

8 ピンプラスチックデュアルフラット、鉛フリーパッケージ (MF) – 6x5 mm ボディ [DFN-S] パンチングにより単一化

注 :1. ピン 1 のビジュアルインデックスの特徴は変更される場合がありますが、必ず斜線範囲内にあります。

2. パッケージの端に 1 つ以上の露出タイバーがあります。




注 : 新のパッケージ図面については、次のウェブサイトから「Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 )」を参照してください。 http://www.microchip.com/packaging


Number of Pins N 8Pitch e 1.27 BSCOverall Height A – 0.85 1.00Molded Package Thickness A2 – 0.65 0.80Standoff A1 0.00 0.01 0.05Base Thickness A3 0.20 REFOverall Length D 4.92 BSCMolded Package Length D1 4.67 BSCExposed Pad Length D2 3.85 4.00 4.15Overall Width E 5.99 BSCMolded Package Width E1 5.74 BSCExposed Pad Width E2 2.16 2.31 2.46Contact Width b 0.35 0.40 0.47Contact Length L 0.50 0.60 0.75Contact-to-Exposed Pad K 0.20 – –Model Draft Angle Top φ – – 12°

φ

NOTE 2

A3

A2

A1

A

NOTE 1NOTE 1

EXPOSEDPAD

BOTTOM VIEW

1 2

D2

2 1

E2

K

L

N

eb

E

E1

D

D1

N

TOP VIEW



パッケージパッケージ

5

8 ピンプラスチックマイクロスモールアウトラインパッケージ (MS) [MSOP]


2. D と E1 の寸法には、モールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドの側面からのヒゲや突起は、0.15 mm 未満とします。




注 : 新のパッケージ図面については、次のウェブサイトから「Microchip Packaging Specification ( マイクロチップ社パッケージ仕様 )」を参照してください。http://www.microchip.com/packaging


Number of Pins N 8Pitch e 0.65 BSCOverall Height A – – 1.10Molded Package Thickness A2 0.75 0.85 0.95Standoff A1 0.00 – 0.15Overall Width E 4.90 BSCMolded Package Width E1 3.00 BSCOverall Length D 3.00 BSCFoot Length L 0.40 0.60 0.80Footprint L1 0.95 REFFoot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.08 – 0.23Lead Width b 0.22 – 0.40

D

N

E

E1

NOTE 1

1 2

e

b

A

A1

A2c

L1 L

φ



パッケージ

8 ピンプラスチックデュアルインライン (P) – 300 mil ボディ [PDIP]


2. § 重要な特性。

3. D と E1 の寸法には、モールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドの側面からのヒゲや突起は、0.010 インチ未満とします。




Units INCHESDimension Limits MIN NOM MAX

Number of Pins N 8Pitch e .100 BSCTop to Seating Plane A – – .210Molded Package Thickness A2 .115 .130 .195Base to Seating Plane A1 .015 – –Shoulder to Shoulder Width E .290 .310 .325Molded Package Width E1 .240 .250 .280Overall Length D .348 .365 .400Tip to Seating Plane L .115 .130 .150Lead Thickness c .008 .010 .015Upper Lead Width b1 .040 .060 .070Lower Lead Width b .014 .018 .022Overall Row Spacing § eB – – .430

N

E1

NOTE 1

D

1 2 3

A

A1

A2

L

b1

b

e

E

eB

c




5

8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) – 薄型、3.90 mm ボディ [SOIC]









Number of Pins N 8Pitch e 1.27 BSCOverall Height A – – 1.75Molded Package Thickness A2 1.25 – –Standoff § A1 0.10 – 0.25Overall Width E 6.00 BSCMolded Package Width E1 3.90 BSCOverall Length D 4.90 BSCChamfer (optional) h 0.25 – 0.50Foot Length L 0.40 – 1.27Footprint L1 1.04 REFFoot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.17 – 0.25Lead Width b 0.31 – 0.51Mold Draft Angle Top α 5° – 15°Mold Draft Angle Bottom β 5° – 15°

D

N

e

E

E1

NOTE 1

1 2 3

b

A

A1

A2

L

L1

c

h

h

φ

β

α



パッケージ

8 ピンプラスチックスモールアウトライン (SN) – ミディアム、5.28 mm ボディ [SOIC]

注 :1. SOIJ (JEITA/EIAJ 標準 ) はこれまで SOIC という名称でした。





Number of Pins N 8Pitch e 1.27 BSCOverall Height A 1.77 – 2.03Molded Package Thickness A2 1.75 – 1.98Standoff § A1 0.05 – 0.25Overall Width E 7.62 – 8.26Molded Package Width E1 5.11 – 5.38Overall Length D 5.13 – 5.33Foot Length L 0.51 – 0.76Foot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.15 – 0.25Lead Width b 0.36 – 0.51Mold Draft Angle Top α – – 15°Mold Draft Angle Bottom β – – 15°

φ

β

α

L

cA2

A1

A

b

1 2

e

E

E1

N

D




5

5 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (OT)[SOT-23]

注 :1. D と E1 の寸法には、モールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドの側面からのヒゲや突起は、0.127 mm 未満としま

す。





Number of Pins N 5Lead Pitch e 0.95 BSCOutside Lead Pitch e1 1.90 BSCOverall Height A 0.90 – 1.45Molded Package Thickness A2 0.89 – 1.30Standoff A1 0.00 – 0.15Overall Width E 2.20 – 3.20Molded Package Width E1 1.30 – 1.80Overall Length D 2.70 – 3.10Foot Length L 0.10 – 0.60Footprint L1 0.35 – 0.80Foot Angle φ 0° – 30°Lead Thickness c 0.08 – 0.26Lead Width b 0.20 – 0.51

φ

Nb

E

E1

D

1 2 3

e

e1

A

A1

A2 c

L

L1



パッケージ

6 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (OT)[SOT-23]

注 :1. D と E1 の寸法には、モールドのはみ出しや突出部を含みません。モールドの側面からのヒゲや突起は、0.127 mm 未満としま

す。





Number of Pins N 6Pitch e 0.95 BSCOutside Lead Pitch e1 1.90 BSCOverall Height A 0.90 – 1.45Molded Package Thickness A2 0.89 – 1.30Standoff A1 0.00 – 0.15Overall Width E 2.20 – 3.20Molded Package Width E1 1.30 – 1.80Overall Length D 2.70 – 3.10Foot Length L 0.10 – 0.60Footprint L1 0.35 – 0.80Foot Angle φ 0° – 30°Lead Thickness c 0.08 – 0.26Lead Width b 0.20 – 0.51

b

E

4N

E1

PIN 1 ID BYLASER MARK

D

1 2 3

e

e1

A

A1

A2 c

L

L1

φ




5

8 ピンプラスチック薄型シュリンクスモールアウトライン (ST) – 4.4 mm ボディ [TSSOP]








Number of Pins N 8Pitch e 0.65 BSCOverall Height A – – 1.20Molded Package Thickness A2 0.80 1.00 1.05Standoff A1 0.05 – 0.15Overall Width E 6.40 BSCMolded Package Width E1 4.30 4.40 4.50Molded Package Length D 2.90 3.00 3.10Foot Length L 0.45 0.60 0.75Footprint L1 1.00 REFFoot Angle φ 0° – 8°Lead Thickness c 0.09 – 0.20Lead Width b 0.19 – 0.30

D

N

E

E1

NOTE 1

1 2

b

e

c

A

A1

A2

L1 L

φ



パッケージ

メモ :


パッケージ

5

パッケージ

製品のテープ＆リール仕様

図 1: エンボスキャリア寸法 (8、12、16、および 24 MM テープのみ )

TopCoverTape

K0

P

W

B0

A0

表 1: キャリアテープ / キャビティ寸法

CaseOutline

Package Type

CarrierDimensions

CavityDimensions Output

QuantityUnits

ReelDiameter in

mmWmm

Pmm

A0mm

B0mm

K0mm

SN SOIC .150” 8L 12 8 6.4 5.2 2.1 3300 330SO SOIC .300” 16L 16 12 10.9 10.7 3.0 1000 330SO SOIC .300” 18L 24

241216

10.911.1

13.312.0

3.02.8

16001100

330330

SO SOIC .300” 20L 24 12 10.9 13.3 3.0 1600 330SO SOIC .300” 24L 24 12 10.9 16.0 3.0 1000 330SO SOIC .300” 28L 24

241212

10.911.1

18.318.5

3.03.0

16001600

330330

L PLCC 28L 24 16 13.0 13.0 4.9 750 330L PLCC 32L 24 16 13.1 15.5 3.9 900 330L PLCC 44L 32

322424

18.018.0

18.018.0

4.95.0

500500

330

L PLCC 68L 44 32 25.6 25.6 5.8 300 330L PLCC 84L 44 36 30.7 30.7 5.8 200 330

SM SOIC .208” 8L 16 12 8.3 5.7 2.3 2100 330SL SOIC .150” 14L 16 8 6.5 9.5 2.1 2600 330SL SOIC .150” 16L 16 8 6.5 10.3 2.1 2600 330TS TSOP 28L/32L 32 16 8.6 20.6 2.1 1500 330SS SSOP 20L 16 12 8.4 7.7 2.5 1600 330SS SSOP 28L 24 12 8.4 10.9 2.4 2100 330PQ MQFP 44L 24 24 14.2 14.2 2.8 900 330PT TQFP 44L/64L 24 16 12.4 12.4 2.2 1200 330VS VSOP 28L 24 12 8.7 13.9 2.1 2500 330


パッケージ

図 2: SOP、SOIC、MSOP、QSOP デバイス

図 3: 3 ピン SOT-23/SC-70 デバイス

ST TSSOP 8L 12 8 7.0 3.6 1.6 2500 330ST TSSOP 14L 16 8 6.8 5.4 1.6 2500 330ST TSSOP 20L 16 8 6.8 6.9 1.6 2500 330TT SOT-23 3L 8 4 3.15 2.77 1.22 3000 180OT SOT-23 5L/6L 8 4 3.2 3.2 1.4 3000 180MS MSOP 8L/10L 12 8 5.3 3.6 1.4 2500 330LT SC-70 5L 8 4 2.24 2.34 1.22 3000 180MF DFN 3x3 12 8 3.3 3.3 1.1 3300 330MF DFN 5x6 12 8 5.3 6.3 1.2 3300 330ML QFN 6x6 16 12 6.3 6.3 1.1 1600 330ML QFN 8x8 16 12 8.3 8.3 1.1 1600 330

表 1: キャリアテープ / キャビティ寸法 ( 続き )

CaseOutline

Package Type

CarrierDimensions

CavityDimensions Output

QuantityUnits

ReelDiameter in

mmWmm

Pmm

A0mm

B0mm

K0mm

User Direction of Feed

P, Pitch

Pin 1

Pin 1

Reverse Reel Component Orientation

W, Width

of Carrier

Tape

Standard Reel Component Orientation


P, Pitch

Standard Reel Component Orientation Reverse Reel Component Orientation

W, Width

of Carrier

Tape

Pin 1

Pin 1

DeviceMarking

DeviceMarking



5

図 4: 5 ピン SOT-23/SC-70 デバイス

図 5: 6 ピン SOT-23 デバイス


P, Pitch


W, Width

of Carrier

Tape

Pin 1

Pin 1

DeviceMarking

Pin 1



W, Width

of Carrier

Tape

Pin 1

DeviceMarking

P, Pitch


パッケージ


図 7: PLCC デバイス

Pin 1


P, Pitch


W, Width

of CarrierTape

Pin 1

DeviceMarking


P, Pitch


W, Width

of CarrierTape

Pin 1

Pin 1



5

図 8: MQFP デバイス



P, Pitch


W, Width

of Carrier

TapePin 1

Pin 1

DeviceMarking

P, Pitch

W, Width

of Carrier

Tape


Pin 1


Pin 1


パッケージ

図 10: 3 ピン /5 ピン /7 ピン DDPAK および 3 ピン DPAK デバイス

図 11: SOT-89 デバイス

図 12: DFN/QFN デバイス

P, Pitch


Leaded

side should

be placed

toward

sprocket

hole Leaded side

should be placed

opposite to

sprocket hole


W, Width

of Carrier

Tape

Device

Marking

Pin 1


P, Pitch


W, Width

of Carrier

TapePin 1


Pin 1



5

図 13: TO-92 デバイス

3 LEAD

TO-92

2 LEAD

TO-92

Device

Marking

Device

Marking

P, Pitch

W, Width of

Carrier Tape

W, Width of

Carrier Tape

Standard Reel

Component Orientation

Reverse Reel

Component Orientation

W6

F

P1F2

P2

F1D

H1

HH0


パッケージ

寸法および公差

部品テーピング図、寸法、および公差、また部品配置要件はすべて、EIA 規格の EIA-481 ( 現行バージョン ) に基づき規定されています。

8ピンのSOIC EIAJタイプⅡパッケージおよび16 mmキャリアテープ幅については、部品テーピング図、寸法、および公差、また部品配置要件は EIAJ 規格の RC-1009B ( 現行バージョン ) に基づき規定されています。


パッケージ

5

AN233はんだリフロー工程における推奨事項

はじめに

電子機器製造業界は、鉛フリーで、環境面で安全なアセンブリ工程の普及を目指しています。鉛フリー材料を使用したはんだ付けに移行する際の注意事項は次のとおりです。

• 基板の厚さ

• 複雑な製造工程

• 表面仕上げ

• アセンブリ工程の適合性

本アプリケーションノートでは、つや消しタイプの錫メッキおよび錫 / 鉛仕上げを施したパッケージに適なはんだリフローを提案します。

リフロー工程の基本

鉛フリーのはんだ付け技法は、しばらく前から取り入れられてきました。しかし、その接合の物理的基準は、鉛を含む合金のそれとは必ずしも同じではありません。従来、電子部品の接合にもっとも広く使われてきたのは、錫 63% と鉛 37% の合金でした。この錫と鉛の配合によって、強力な接着力ばかりか、製品の動作環境で起こる熱ストレスに耐えられる弾力性を得ることができます。電子部品製造業界が長年にわたり業界標準であった PbSn 合金の使用を中止し、錫 - 銀 - 銅 (Sn-Ag-Cu) など鉛フリーのはんだ合金技法に移行するとともに、融点や共融点も変わり、はんだリフロープロファイルが余儀なく変更されています。

リフロー工程の基本を見直す第一歩として、典型的なリフロー工程における温度プロファイルを図 1に示します。この図に見られるように、通常工程は5 段階に分かれて遷移します。

図 1: 錫 / 鉛による典型的なリフロープロファイル

著者 : Ravi SharmaMicrochip Technology Inc.

183°C

225

200

175

150

125

100

75

50

25

00 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320

TIME [SECONDS]

TEM

PER

ATU

RE

[°C

]

250

275

300

340 360 380 400 420

PreheatFlux Activation/

Thermal Equalization Reflow Cooling

Wetting Time


AN233
典型的なリフロー工程は、次の 5 段階の温度を遷移します。
1. プリヒート – アセンブリは 25°C から 80°C ～150°C に上昇し、ソルダペーストから溶剤が蒸発します。

2. フラックス活性 – フラックスが接合面の酸化物や汚れに反応する温度まで、乾いたソルダペーストを上昇させます。

3. 温度補正 – リフロー温度の約 25°C ～ 50°C 以下に近づくよう、温度補正されます。実際の時間と温度は、使用量と素材によって異なります。

4. リフロー – この段階で、アセンブリははんだリフローに適な温度に達します。表示されている「濡れ時間」とは、はんだが液状で、およそ183°C 付近の曲線を描く時間を示します。

5. クールダウン – 工程の終段階で、徐々に冷却が進みます。ゆっくり冷却が進むことで、はんだ接合部の粒子構造が細かくなり、その結果より耐疲労性に優れたはんだ接合が実現します。

図 2: 錫 - 鉛アセンブリと鉛フリーアセンブリの JEDEC リフロープロファイル

表 1: 時間および温度パラメトリック

Sym. Min. Max. Units Test Conditions

Ts(1) 150 200 °C Pb-FreeTs(2) 100 150 °C Sn-Pbts(1) 60 180 Sec Pb-Freets(2) 60 120 Sec Sn-Pbtl(1) 60 150 Sec Pb-Freetl(2) 60 150 Sec Sn-Pb

Tp(1) 245 260 °C Pb-FreeTp(2) 225 240 °C Sn-Pb

参考までに、図 2 および表 1 に、IPC/JEDEC J-STD-020C のリフロー条件を示します。

225

200

175

150

125

100

75

50

25

00 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320

TIME [SECONDS]

TEM

PER

ATU

RE

[°C

]

250

275

300

340 360 380 400 420

260°C (Pb-FREE)

240°C (Sn-Pb)TP(1)

TP(2)

tS(2)

TS(2)

tL(1)

tL(2)

tS(1)

TS(1)

RAMP-UP 3°C/SEC MAX

RAMP-DOWN (6°C/SEC MAX)


AN233パッケージ

5

推奨するはんだリフロー工程図 3 はマイクロチップ社が鉛フリーデバイス向けに推奨するプロファイルです。これらのデバイスはつや消しタイプの錫メッキ ( 純錫 ) 仕上げで、無鉛です。標準の錫 - 鉛 (SnPb) アプリケーションの場合、グラフの下の線以上のプロファイルを使用し、錫 - 銀 - 銅 (SnPb) のように鉛フリーのはんだではグラフの上の線以下のプロファイルを使用してください。

図 4 は、マイクロチップ社が錫 - 鉛 (Sn-Pb) を 63%/37% の配合ではんだ加工した標準デバイス向けに推奨するプロファイルです。このようなデバイスのリフロープロファイルは、図 4 の上の曲線と下の曲線の間の範囲を使用してください。高温度は、鉛フリーデバイスより低温です。

図 3: 推奨するリフロープロファイル ( 鉛フリー向け )

図 4: 推奨するリフロープロファイル ( 錫 / 鉛向け )

225

200

175

150

125

100

75

50

25

00 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320

TIME [SECONDS]

TEM

PER

ATU

RE

[°C

]

250

275

300

340 360 380 400 420

Max = 260°C

Min = 225°C

225

200

175

150

125

100

75

50

25

00 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 300 320

TIME [SECONDS]

TEM

PER

ATU

RE

[°C

]

250

275

300

340 360 380 400 420

Max = 240°C

Min = 225°C


AN233

結論

鉛フリー合金の新成分の配合方法が各種開発されています。異なるはんだ材の成分配合をテストする場合、ユーザーは次の点を考慮する必要があります。

• 選択した材料が、製品のリード線のめっきまたは使用する基板で指定の仕上げに適合するか。

• 選択した材料が製品の性能、信頼性、または生産性に影響をもたらさないか。

• 半導体製品パッケージ、受動部品、そして基板そのものに鉛フリーのはんだ合金を使用することで、より高温度にする必要があるが、その影響はないか。

このアプリケーションノートでは、つや消しタイプの錫および錫 / 鉛めっき仕上げの使用について取り上げ、図 3および図 4で示す制限範囲の遵守を推奨しています。しかし、基板の厚さ、サイズ、パッケージの種類、リフロー装置などの要因によって、プロファイル全体の時間に影響を与える場合があります。


パッケージ

5

マイクロチップ社のダイ / ウェハーサポート

はじめにパッケージデバイス以外に、マイクロチップテクノロジーでは、ウェハーおよびダイでも提供しています。ダイまたはウェハー形式で販売される製品はすべて、マイクロチップテクノロジー社の規格SPI-41014「Characterization and Qualification of Integrated Circuits ( 集積回路の特性評価および適性評価 )」そして QCI-39000「Worldwide Quality Conformance Requirements (世界的な品質適合要件 )」の規定を遵守し、条件を満たしています。

製品の整合性ダイまたはウェハー製品は、完全にテストされ、特性解析されています。ダイおよびウェハーはマイクロチップテクノロジー社の規格 QCI-30014 に基づき検査されています。

パッケージングオプションダイ / ウェハー製品は、ワッフルパック入り個別ダイ形式、ウェハー一式、またはフレーム上の切断ウェハー形式で提供されます。基本的に、ウェハーのダイはすべてテストされ、インクドットマークを使用して不具合ダイを表します。ご要望に応じて、インクを使用せずに電子ウェハーマップ付きウェハーでも提供できます。個々の電子ウェハーマップを入手するには、Microchip FTP サイトのパスワード制御アカウントをご請求ください。ウェハーマップは FTP サイトに保存されており、簡単にダウンロードできます。

ウェハー厚を各種提供しており、未研削ウェハーについては、8 mil、11 mil、15 mil、29 mil などがあります。標準のウェハー厚は製品ごとに異なるため、詳細は、マイクロチップ社の営業所へお問い合わせください。

ご注文情報ダイをご購入の際は、まずマイクロチップ社の営業所までお問い合わせください。特定のデバイスの注文や資料請求 ( 価格や納期などの照会 ) をする場合、次の製品番号をお知らせください。

DEVICE_NUMBER がお問い合わせの際に必要なデバイスの基本製品番号で、S はワッフルパック入りダイ、Wはウェハー、WF はフレーム上の切断ウェハーを表します。NBG 表示のウェハー一式は、裏面未研削 (29 mil) のインク付き状態で出荷され、NBI 表示のウェハーは、裏面未研削でインクなし状態で出荷されます。さらに詳細に、製造工程を製品番号の末尾に 3 桁の記号で表示した製品もあります。例えば、160K 工程で製造されたウェハーは接尾番号 16K を、150K 工程のウェハーは 15K を、121K 工程のウェハーは 12K を使用して表示します。

注意EEPROM デバイスの中には、デバイスの構成にEPROM セルを使用しているものがあるため、紫外線にさらさないようにしてください。場合により、デバイスに不具合が発生する可能性があります。

これらの製品は静電放電による損傷を受けやすいため、取り扱いおよび組み立てには新の注意が必要です。

標準厚ダイ / ウェハー参考 EEPROMDEVICE_NUMBER/S ワッフルパック入りダイ 24LC01B-I/SDEVICE_NUMBER/W ウェハー一式 24LC01B-I/WDEVICE_NUMBER/WF フレーム上の切断ウェハー 24LC01B-I/WF

裏面未研削ウェハー

DEVICE_NUMBER/WNBG インク付きウェハー一式 24LC01B-I/WNBGDEVICE_NUMBER/WNBI インクなしウェハー一式 24LC01B-I/WNBI

標準ダイ / ウェハー ( 製品番号末尾に製造工程を示す )DEVICE_NUMBER/SXXX ワッフルパック入りダイ 24LC01B-I/S15KDEVICE_NUMBER/WXXX ウェハー一式 24LC01B-I/W15KDEVICE_NUMBER/WFXXX フレーム上の切断ウェハー 24LC01B-I/WF15K

©2007 Microchip Technology Inc. DS00049AP_JP - ページ 5-23

パッケージ

電気的特性

ダイのマイクロチップ社デバイスの機能および電気的特性は、パッケージデバイスと同じです。詳細は個々のデータシートを参照してください。

ダイの機械的特性

各種データシートを参照してください。

ボンディングパッド

ダイの図面にはボンディングパッドの位置が表示されています。ボンディングパッドは、ダイにボンディングワイヤを接続する際に使用します。特に記載のない限り、座標の寸法はすべてマイクロメータ (µm) 単位です。図 1 に示されるとおり、座標の原点はダイの中心です。各デバイスの開口部およびピッチについては、それぞれのダイデータシートを参照してください。

図 1: ダイ座標の原点

ダイは超音波熱圧着方式の金ワイヤまたは超音波方式のワイヤボンディングが可能です。ダイは、「ボンド強度 ( 破壊ボンド引張強度テスト )」に関する MIL-STD 883 Method 2011 の低条件を満たしています。ボンドパッドメタリゼーションの成分は、シリコンにドープしたアルミニウムです。

基板ボンディング

基板のボンディングが必要な製品があります。詳細は、該当製品のダイデータシートを参照してください。

出荷時オプション

ダイ (/S)マイクロチップ社のダイ製品は、ワッフルパック入りで出荷できます。ワッフルパックには、ダイのずれを抑え、向きを維持するキャビティが付いています。無塵紙インサートでワッフルパックを覆い、各パックをプラスチックのロッキングクリップで固定しています。ワッフルパックはグループでまとめて出荷され、ロット番号、数量、および製品番号を記載したラベルが貼付されています。

ワッフルパックはバッグに密封されています。

ウェハー (/W)製品はウェハーでも出荷できます ( 発注情報参照 )。ウェハーは裁断せずに容器で出荷されます。容器には非導電性の発泡体が詰められ、各ウェハーは無塵紙で覆われています。また、ロット番号、数量、および製品番号を記載したラベルが貼付されています。

フレーム上の切断ウェハー (/WF)製品はウェハーフレーム付きで出荷することもできます。ウェハーはプラスチックのフレームに取り付けられ、完全に切断された状態です。ウェハーはまとめて (1 つのキャリアに付き 25 個のウェハー )出荷したり、キャリアに 1 個のウェハーを入れた状態でも出荷できます。ロット番号、数量、および製品番号を記載したラベルを貼付し出荷しています。

保管方法

温度および湿度はダイの保存寿命に大きく影響します。ダイは受領後できるだけお早めにご使用ください。受領後、密封されたバッグは冷暗かつ湿度の低い場所 (25°C で相対湿度 25％) で保管してください。この状況で、密封バッグの保存寿命は 12ヶ月です。条件を満たさない温度または湿度の場所では、保存寿命は短くなります。ワッフルパックのバッグ開封後は、48 時間以内にデバイスを組み立て、パッケージングする必要があります。

Origin (0,0)

DIE

Bottom Left(x,y) † Top Right

(x,y) †† All dimensions in µm unless specified otherwise.

DS00049AP_JP - ページ 5-24 ©2007 Microchip Technology Inc.

開発ツール

6セクション 6開発ツール

Total Endurance™ ソフトウェアモデル .................................................................................................................6-1SEEVAL® 32 シリアル EEPROM 設計者用キット ...............................................................................................6-2




開発ツール

6

開発ツール

マイクロチップ社が提供する画期的な Total Endurance ソフトウェアモデルにより、電子システム設計者にとってシリアル EEPROM をベースにしたアプリケーション設計が非常に容易になります。新のソフトウェアモデル (使用しやすいユーザー

インターフェース ) は、ユーザーが定義したアプリケーション環境でデバイスを使用した場合の性能および信頼性を正確に予測し、シリアルEEPROMをベースにした設計にかかる時間と推測の労力を削減します。かつて何日も何週間もかかった設計トレードオフ分析が、今日では数分単位で可能になり、しかも堅牢性の高い設計を実現できる正確性にも優れています。

マイクロチップ社のTotal Enduranceソフトウェアモデルを使用して、次のアプリケーションパラメータが入力できます。

• シリアル EEPROM のデバイスタイプ

• サイクル当たりに書き込むバイト数

• サイクルモード – バイトまたはページ

• データパターンタイプ – ランダムまたはワーストキャスト

• 温度 (°C)• 1 日当たりの消去 / 書き込みサイクル数

• アプリケーションの寿命または目的のPPMレベル

このモデルは、FIT レート、PPM レベル、アプリケーションの寿命、PPM レベルとサイクル数の関係グラフを返します。Windows® XP、Windows ME、Windows 2000、Windows NT®、および Windows 98 と互換性があります。

特徴

• 自動または手動再計算

• データのリアルタイム更新

• フルスクリーンまたはウインドウサイズのグラフ表示

• ハイパーテキスト表示の画面上のヘルプ

• キーまたはスライドバーによるパラメータの入力

• 画面上でパラメータの編集が可能

• グラフをシングルクリックでクリップボードにコピー

• 区切り記号付きテキストファイルの数値エクスポート

• Excel に出力

• 内蔵更新機能

• オンディスク Endurance チュートリアル

発注時製品番号 :次のウェブサイトで入手できます。

www.microchip.com ( 無料ダウンロード )

Total Endurance™ ソフトウェアモデル


開発ツール

マイクロチップ社のシリアル EEPROM 評価およびプログラミングシステムは、発売予定のデバイスを含め、マイクロチップ社のシリアル EEPROM 全製品をサポートし、ZIF ソケットを使用して、標準DIPパッケージを直接サポートします。8ピンSOIC、TSSOP、MSOP、DFN、および 5 ピン SOT-23 などのパッケージの場合、サードパーティ製アダプタを個別に使用できます。SEEVAL 32 システムでは、設計者やシステムインテグレータはバイト数やページ数の異なるデータ、またはアレイ全体を読み出し、書き込み、または消去したり、これらのデータをファイルとして表示、保存、またはロードしたりできます。Windows XP、Windows ME、Windows 2000、Windows NT® 4.0、そして Windows 95/98 を含め、現在の Windows® オペレーションシステムをすべてサポートします。

SEEVAL 32 システムは、システムの統合およびデバッグをサポートする高度機能を提供します。まず、各システムでテストピンを使用することにより、オシロスコープなどのテスト装置を簡単に接続し、タイミングや電圧レベルを評価できます。また、SEEVAL ホストソフトウェアを使用して、テスト対象の EEPROM 中のデータを読み出したり、書き込んだりして、シリアル EEPROM の検証ができます。EEPROM の読み出し / 書き込み / 消去が繰り返し実行できる連続ループモードを選択すれば、消去 / 書き込み耐久性も確認できます。

SEEVAL 32 キットには Total Endurance ソフトウェアモデルも付属しています。このモデルは、温度、電圧、1 日当たりのサイクル数、1 サイクル当たりのバイト数などのアプリケーションパラメータを基に、特定のシリアル EEPROM の消去 / 書き込み耐久性を予測できる強力なツールです。

ご注文の製品番号および製品名 :DV243002: SEEVAL 32シリアルEEPROM開発キット

SEEVAL 32 シリアル EEPROM設計者用キットの内容

• 総合書き換え耐久性ソフトウェアモデル

• SEEVAL 32 評価およびプログラミングシステム

• シリアル EEPROM サンプルパック

• SEEVAL 32 ソフトウェア

• RS-232 インターフェースケーブル

• 電源

SEEVAL® 32 シリアル EEPROM 設計者用キット

システムサポート

マイクロチップ社のウェブサイト

マイクロチップ社は、ウェブサイト(www.microchip.com) でオンラインサポートを提供しています。このウェブサイトを活用することで、ファイルや情報を簡単に入手できます。ウェブサイトには、ご使用中のインターネットブラウザでアクセスでき、以下の情報が掲載されています。

• 製品サポート – データシートと正誤表、アプリケーションノートとサンプルプログラム、設計リソース、ユーザーズガイドとハードウェアサポート文書、新のソフトウェアと過去のソフトウェア

• テクニカルサポート – よくある質問 (FAQ)、テクニカルサポートリクエスト、オンラインディスカッショングループ、マイクロチップ社コンサルタントプログラムメンバの一覧

• マイクロチップ社の事業 – 製品選択および注文ガイド、マイクロチップ社の新プレスリリース、セミナーおよびイベントの一覧、マイクロチップ各営業所、販売代理店、工場担当者の一覧

お客様変更通知サービス

マイクロチップ社のお客様通知サービスにて、常にお客様にマイクロチップ社製品の新情報を提供させていただきます。この通知サービスを申し込まれたお客様には、指定された製品ファミリまたは開発ツールに関する変更、更新、改訂、あるいは正誤表情報があるときに、常に電子メールにてお知らせいたします。

登録するには、マイクロチップ社のウェブサイトwww.microchip.com にアクセスし、[Customer ChangeNotification] をクリックして登録手順に従ってください。

お客様サポート

マイクロチップ社製品のユーザーは、以下の複数のルートでサポートが受けられます。

• 販売代理店

• 該当地域の営業所

• フィールドアプリケーションエンジニア (FAE)• テクニカルサポート

サポートが必要な場合、お客様は製品を購入した販売代理店またはフィールドアプリケーションエンジニア (FAE) にご連絡ください。該当地域の営業所でもお客様へのサポートを提供しています。各営業所と所在地の一覧は、本書の終ページに記載されています。

テクニカルサポートはウェブサイト (http://support.microchip.com) より提供されています。

© 2007 Microchip Technology Inc. DS00157E_JP - ページ 6-3


読者アンケート

マイクロチップ社では、お客様にマイクロチップ社製品を効果的にお使いいただくために、可能な限り良の文書を提供するように努めています。文書の構成、明瞭さ、内容に関しまして、我々の文書がお客様にとりましてより良くなるためのご意見を提供していただける場合は、ファクスにて弊社のテクニカルパブリケーションマネージャ宛にご意見をお送りください。ファクス番号は 1-480-792-4150 ( 国際電話 ) です。

以下の欄に必要事項と本書に関するご意見をご記入の上、お送りください。

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DS00157E_JPシステムサポート

1. 本書の中でも良い記事はどれですか ?

2. 本書には、お客様がハードウェアおよびソフトウェアを開発する際に必要な情報が十分に記載されていますか ?

3. 本書の構成はわかりやすいですか ? わかりにくいと感じた場合、その理由をお書きください。

4. 本書の構成や内容を改善するには、何を追加したらよいと思われますか ?

5. 全体に影響を与えず、本書から削除してもかまわないと思われる内容があれば、お書きください。

6. 不正確な情報または誤解を与えるような情報がありますか ? もしあれば、記載ページと該当箇所をお

書きください。

7. 本書を更にわかりやすくするには、どのような改善が必要だと思われますか ?

DS00157E_JP - ページ 6-4 © 2007 Microchip Technology Inc.

© 2007 Microchip Technology Inc. DS00157E_JP - ページ 6-5


メモ :

DS00157E_JP - ページ 6-6 © 2007 Microchip Technology Inc.

北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277テクニカルサポート : http://support.microchip.comウェブアドレス : www.microchip.comアトランタDuluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455ボストンWestborough, MATel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088シカゴItasca, ILTel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075ダラスAddison, TXTel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924デトロイトFarmington Hills, MITel: 248-538-2250Fax: 248-538-2260ココモKokomo, INTel: 765-864-8360Fax: 765-864-8387ロサンゼルスMission Viejo, CATel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608サンタクララSanta Clara, CATel: 408-961-6444Fax: 408-961-6445トロントMississauga, Ontario,CanadaTel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

アジア / 太平洋アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel: 852-2401-1200Fax: 852-2401-3431オーストラリア - シドニー

Tel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755中国 - 北京

Tel: 86-10-8528-2100 Fax: 86-10-8528-2104中国 - 成都

Tel: 86-28-8665-5511Fax: 86-28-8665-7889中国 - 福州

Tel: 86-591-8750-3506 Fax: 86-591-8750-3521中国 - 香港 SARTel: 852-2401-1200 Fax: 852-2401-3431中国 - 南京

Tel: 86-25-8473-2460Fax: 86-25-8473-2470中国 - 青島

Tel: 86-532-8502-7355Fax: 86-532-8502-7205中国 - 上海

Tel: 86-21-5407-5533 Fax: 86-21-5407-5066中国 - 瀋陽

Tel: 86-24-2334-2829Fax: 86-24-2334-2393中国 - 深川

Tel: 86-755-8203-2660 Fax: 86-755-8203-1760中国 - 順徳

Tel: 86-757-2839-5507 Fax: 86-757-2839-5571中国 - 武漢

Tel: 86-27-5980-5300Fax: 86-27-5980-5118中国 - 西安

Tel: 86-29-8833-7252Fax: 86-29-8833-7256

アジア / 太平洋インド - バンガロール

Tel: 91-80-4182-8400 Fax: 91-80-4182-8422インド - ニューデリー

Tel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632インド - プネ

Tel: 91-20-2566-1512Fax: 91-20-2566-1513日本 - 横浜

Tel: 81-45-471- 6166 Fax: 81-45-471-6122韓国 - 大邱

Tel: 82-53-744-4301Fax: 82-53-744-4302韓国 - ソウル

Tel: 82-2-554-7200Fax: 82-2-558-5932 または82-2-558-5934マレーシア - クアラルンプール

Tel: 60-3-6201-9857Fax: 60-3-6201-9859マレーシア - ペナン

Tel: 60-4-227-8870Fax: 60-4-227-4068フィリピン - マニラ

Tel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069シンガポールTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850台湾 - 新竹

Tel: 886-3-572-9526Fax: 886-3-572-6459台湾 - 高雄

Tel: 886-7-536-4818Fax: 886-7-536-4803台湾 - 台北

Tel: 886-2-2500-6610 Fax: 886-2-2508-0102タイ - バンコク

Tel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350

ヨーロッパオーストリア - ヴェルス

Tel: 43-7242-2244-39Fax: 43-7242-2244-393デンマーク - コペンハーゲン

Tel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829フランス - パリ

Tel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79ドイツ - ミュンヘン

Tel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781オランダ - ドリューネン

Tel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340スペイン - マドリッド

Tel: 34-91-708-08-90Fax: 34-91-708-08-91英国 - ウォーキンガム

Tel: 44-118-921-5869Fax: 44-118-921-5820

世界各国での販売およびサービス

10/05/07

Documents

メモリ製品 データブック - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/00157E_JP.pdfMemory、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor、 The Embedded Control

メモリ製品データブック - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/00157E_JP.pdfMemory、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor、 The Embedded Control