セレクションガイド 2020.3 Siフォトダイオード - …...S7686 15 可視～近赤外域用 S1787-12, S4797-01 S4011-06DS S1787-08, S2833-01 16 S1133-14, S1087-01 S1133-01

セレクションガイド 2020.3

Siフォトダイオード紫外～近赤外域、放射線に対応したラインアップ

セラミックパッケージSiフォトダイオード S12915 -33R

16素子Siフォトダイオードアレイ S12859 -021

表面実装型Si PINフォトダイオード S15193

S i p h o t o d i o d e

Siフォトダイオード紫外～近赤外域、放射線に対応したラインアップ

パッケージ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 5応用例 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 8精密測光用Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 9• 紫外～近赤外域用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 9• 紫外～近赤外域用 (赤外感度抑制タイプ) ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 11• 紫外モニタ用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 12• 可視～近赤外域用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 13一般測光／可視域用Siフォトダイオード‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 15• 可視域用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 15• 可視～近赤外域用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 16高速応答Si PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 17• 遮断周波数: 1 GHz～ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 17• 遮断周波数: 100 MHz～1 GHz未満 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 18• 遮断周波数: 10 MHz～100 MHz未満 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 19多素子型Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21• 分割型Si PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 21• 1次元フォトダイオードアレイ (紫外～近赤外域用: 紫外域高感度タイプ) 22表面実装型Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 23• 高速応答Si PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 23• 分割型Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 23• 小型プラスチックパッケージSiフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥ 24• 小型プラスチックパッケージSi PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥ 25プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード ‥ 26• 計測用プリアンプ付Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 26• 電子冷却型Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 27X線検出用Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 28• シンチレータ付Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 28• 大面積Si PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 30• 放射線直接検出用大面積Si PINフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥ 32特殊用途Siフォトダイオード ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 33• RGBカラーセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 33• 紫・青色高感度タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 35• 真空紫外 (VUV)モニタ用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 36• 真空紫外高信頼性タイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 36• 単一波長検出用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 37• YAGレーザ検出用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 37• 電子線検出用 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 38• リード付PWBパッケージタイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 38• CSPタイプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 39• CSPタイプ 64素子Siフォトダイオードアレイ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 39• エンコーダ用6素子アレイ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 39Siフォトダイオード応用製品 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 40• RGBカラーセンサモジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 40• カラーセンサ評価回路 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 40• Siフォトダイオードアレイ用駆動回路 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 41• フォトダイオードモジュール ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 41• フォトダイオードモジュール用信号処理ユニット ‥‥‥‥‥‥‥‥ 41• フォトセンサアンプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 42• チャージアンプ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 43用語説明 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 44

Contents

3

浜松ホトニクスのSiフォトダイオードタイプ特長製品例

Siフォトダイオード高感度・低ノイズを特長とした精密測光用、一般測光／可視域用のフォトダイオードです。

紫外～近赤外域用可視～近赤外域用可視域用 RGBカラーセンサ単一波長検出用真空紫外 (VUV)検出用電子線検出用

Si PINフォトダイオード任意の逆電圧を印加することにより、優れた応答特性を実現する高速フォトダイオードです。光ファイバ通信や光ピックアップなどの用途に適しています。

遮断周波数: 1 GHz～遮断周波数: 100 MHz～1 GHz未満遮断周波数: 10 MHz～100 MHz未満 YAGレーザ検出用

多素子型Siフォトダイオード 1パッケージ内に、複数の受光部を配列したフォトダイオードです。光の位置検出や分光光度計などの幅広い用途に応用できます。

分割型 1次元型

プリアンプ付Siフォトダイオード、電子冷却型Siフォトダイオード

プリアンプ付Siフォトダイオードは、1パッケージ内にフォトダイオードとプリアンプが内蔵されているため、外来ノイズに強く、コンパクトな回路設計が可能になります。電子冷却型は、パッケージ内に電子冷却素子を内蔵しているため、優れたS/Nを実現しています。

分析／計測用

X線検出用Siフォトダイオード Siフォトダイオードとシンチレータを組み合わせた製品です。X線手荷物検査／非破壊検査装置用に適しています。

シンチレータ付き大面積Si PINフォトダイオード

Si APD*内部増倍機能をもった高速・高感度のフォトダイオードです。微弱な信号の測定が可能です。

近赤外タイプ短波長タイプ多素子タイプ

フォトダイオード応用製品フォトダイオード用回路などのモジュールです。

RGBカラーセンサモジュールカラーセンサ評価回路 Siフォトダイオードアレイ用駆動回路フォトダイオードモジュールフォトダイオードモジュール用信号処理ユニットフォトセンサアンプチャージアンプ

* 本カタログには掲載していません (Si APDセレクションガイド参照)。

注) スポット光の入射位置を検出するPSD (位置検出素子)も用意しています。PSDは、フォトダイオードの表面抵抗を利用した非分割型の受光素子です。

フォトダイオードは、光半導体のPN接合部に光を照射すると電流や電圧を発生する受光素子です。広い意味では太陽電池も含みますが、通常は光の強弱の変化を精密に検出するセンサを意味します。Siフォトダイオードには、機能・構造で区別すると以下のものがあります。

・ Siフォトダイオード・ Si PINフォトダイオード・ Si APD (アバランシェ・フォトダイオード)

これらは、いずれも次のような特長を備え、光の有無・強弱・色などの検知に幅広く使用されます。

・入射光に対する出力直線性が優れている・ノイズが小さい・感度波長範囲が広い・機械的強度が高い・小型・軽量・長寿命

当社独自の半導体プロセス技術を生かしたSiフォトダイオードは、近赤外から紫外・高エネルギーまでの波長域にわたり、高速・高感度・低ノイズを特長としています。医療・分析・科学計測から光通信・民生機器まで幅広い用途に用いられています。また、メタル・セラミック・プラスチックから表面実装型まで多様なパッケージをそろえて、幅広くカスタムデザインに対応しています。

Siフォトダイオード

4

KSPDB0300JC

KSPDB0301JC

2000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

1200300 400 500 600 700

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 °C)

分光感度特性 (Siフォトダイオード)

KSPDB0300JC

S1336-8BQ(紫外～近赤外域用)

S1337-1010BR(紫外～近赤外域用)

S1227-1010BR(赤外感度抑制タイプ)

S1226-8BQ(赤外感度抑制タイプ)

QE=100%

2000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

1200300 400 500 600 700

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 °C)

分光感度特性 (Siフォトダイオード)

KSPDB0301JC

S3590-19(紫色高感度タイプ)

QE=100%

S9219(視感度補正タイプ)

200 nm～1200 nmにおいてさまざまな感度波長範囲をもったラインアップを用意しています。

[ S1226/S1336-8BQ, S1227/S1337-1010BR ]

[ S3590-19, S9219 ]


分光感度特性 (代表例)

5

タイプ型名ページメタルセラミックプラスチックガラスエポキシ

BNCコネクタ付き備考

可視域用

視感度補正S1087, S1133, S8265 15 S1787-04 15

CIE標準比視感度近似

S9219 15 S9219-01 15 S7686 15

可視～近赤外域用

S1787-12, S4797-01S4011-06DSS1787-08, S2833-01

16

S1133-14, S1087-01S1133-01 16



紫外～近赤外域用

S1336シリーズ 9 S1337シリーズ(S1337-21除く) 9

S1337-21 10 未封止S2551 10 S2281シリーズ 10

紫外～近赤外域用(赤外感度抑制タイプ)

S1226シリーズ 11 S1227シリーズ 11 S2281-01 11

紫外モニタ用 S12698シリーズ 12

可視～近赤外域用S2386シリーズ 13 S12915シリーズ 14



遮断周波数:1 GHz～ S5973/S9055シリーズ 17

遮断周波数:100 MHz～1 GHz未満

S5971, S3399S3883, S5972 18

S10783, S10784 18

遮断周波数:10 MHz～100 MHz未満

S6775/S8729/ S2506シリーズS6967, S8385 S4707-01, S6801-01

19

S5821/S1223シリーズS3071, S3072S12271

20



分割型Si PINフォトダイオード

S3096-02, S4204S9345 21

S4349 21

1次元フォトダイオードアレイ

S4111/S4114シリーズ 22 S12858/S12859/S11212/S11299/S12362/S12363-021

22 未封止

精密測光用Siフォトダイオード

一般測光／可視域用Siフォトダイオード

高速応答Si PINフォトダイオード

多素子型Siフォトダイオード

メタル、セラミック、プラスチックなど幅広いパッケージを用意しています。

パッケージ

6




S5106, S5107S7509, S7510 23 表面実装型

分割型Siフォトダイオード

S5980, S5981, S5870 S8558, S15158 23 表面実装型

小型パッケージSiフォトダイオード

S9674, S9981-01CTS10625-01CT 24 表面実装型

小型パッケージSi PINフォトダイオード

S13773S10993-02CT, S12158-01CTS13954-01CT, S14016-01DT

25 表面実装型



計測用プリアンプ付Siフォトダイオード

S8745-01, S8746-01 S9295シリーズ 26

電子冷却型Siフォトダイオード S2592/S3477シリーズ 27



RGBカラーセンサ

S7505-01, S9032-02S9702 33 表面実装型

S10917-35GTS10942-01CT 33 表面実装型

S6428-01, S6429-01S6430-01 34

紫・青色高感度タイプS5973-02, S9195 35 S3994-01 35

真空紫外 (VUV) モニタ用 S8552, S8553 36 未封止

真空紫外高信頼性タイプ S10043 36 未封止

単一波長検出用 S12742シリーズ 37 YAGレーザ検出用 S3759 37 電子線検出用 S11141-10, S11142-10 38 未封止リード付PWB パッケージタイプ

S12497 S12498 38 未封止

CSPタイプ S13955-01, S13956-01 S13957-01, S13620-02 39 未封止

エンコーダ用 S14833 39 表面実装型



シンチレータ付Siフォトダイオード

S8559, S8193 28 シンチレータ付き

S12858/S12859/S11299/S11212/ S12362/S12363シリーズ

28 シンチレータ付き

大面積 Si PINフォトダイオード

S3590シリーズS8650 30

S2744/S3204/S3584/S3588シリーズ 31

放射線直接検出用大面積Si PINフォトダイオード

S13993S14605 32 未封止

表面実装型Siフォトダイオード


X線検出用Siフォトダイオード

特殊用途Siフォトダイオード

パッケージ

パッケージ

7

多様なパッケージ

実装技術

フリップチップボンディング CSP (Chip Size Package)

図1 フリップチップボンディングの例

図2 CSP型フォトダイオードの断面図

当社では、さまざまな市場のニーズに応えるため、多様なパッケージを用意しています。メタルパッケージは、高信頼性を必要とされる用途で広く使われています。一般的な用途にはセラミックパッケージ、低コストを要求される用途にはプラスチックパッケージが使われています。また、同軸ケーブルと接続が容易なBNCコネクタ付き、リフローはんだ付けに対応した表面実装型、X線や放射線を可視光に変換して検出するシンチレータ付きなども取りそろえています。

[ メタル ] [ セラミック ] [ プラスチック ] [ ガラスエポキシ ]

[ BNCコネクタ付き ] [ 表面実装型 ] [ シンチレータ付き ]

フォトダイオードチップ

パッケージの実装面

バンプ


アンプチップ

バンプ

KSPDC0060JA

Siフォトダイオードチップ

バンプ

アンプチップ

(a) 基板へ実装



バンプ


アンプチップ

バンプ

KSPDC0060JA


バンプ

アンプチップ

(b) アンプへ実装



バンプ


アンプチップ

バンプ

KSPDC0060JA


バンプ

アンプチップ

(c) フォトダイオードチップへアンプを実装

KSPDC0060JA

光半導体素子の実装技術としては、チップのダイボンディング、ワイヤボンディングという2段階の実装方法に加え、図1に示すようなフリップチップ実装も行っています。光半導体素子の信号をワイヤから取り出すと、寄生する容量やインダクタンスが問題となることがあります。これらを防ぎ、その上で小型化を実現するために、チップを直接パッケージやICチップなどにバンプを用いて接合するのがフリップチップボンディングです。

浜松ホトニクス固体事業部は、実装技術を応用し、さまざまな光半導体デバイスを開発・製造しています。以下にSiフォトダイオードの実装技術を紹介します。

KSPDC0065JA

KSPDC0065JA

Siチップバンプアンダーフィル樹脂

基板 (PWB)

はんだボール

CSP型フォトダイオードは、チップと基板をバンプ電極で接続するため、パッケージ面積に対してデッドエリアが少なく、受光面積を有効に取ることができます。また、複数のデバイスをタイル状に密接に並べて使用することも可能です。ワイヤがないため、シンチレータとのカップリングも容易です。

[ CSP ]

RGB-LED


液晶バックライト色調整

KSPDC0077JA

大面積Si PINフォトダイオード

光パワーメータ

KSPDC0082JA

Si PINフォトダイオード

光学系配置図

KSPDC0080JA

入射スリット

フォーカスレンズSiフォトダイオードアレイ

コリメートレンズ

透過グレーティング

高エネルギーX線

低エネルギーX線

被検査物

コンベア

X線源

KSPDC0078JA

シンチレータ付Siフォトダイオード

シンチレータ付Si PINフォトダイオード

放射線検出器

KSPDC0081A

ドライヤーの撮像例

8

KSPDC0077JAKSPDC0082JA

液晶バックライト導光板のホワイトバランスをRGBカラーセンサが検出し、RGB-LEDの光量を制御して、液晶バックライトの色を安定化させます。

レーザダイオードやLEDなどの各種光源の光量を測定するために、大面積Si PINフォトダイオードが使用されています。

KSPDC0080JAKSPDC0079JA

日射量を検出し、車載オートエアコンの風量を制御するためにSiフォトダイオードが使用されています。

分光分析器において、グレーティング(回析格子)を介して波長ごとに分けられた光の検出にSiフォトダイオードアレイが用いられています。

当社のSiフォトダイオードの応用例を紹介します。

KSPDC0078JAKSPDC0081A

γ線などの放射線量測定に用いられる検出器に、シンチレータ付Si PINフォトダイオードが使われています。

手荷物検査装置で、物質の種類・厚みの情報を取得するためのデュアルエナジーイメージングにおいて、シンチレータ付Siフォトダイオードが使われています。

光パワーメータ

日射センサ

放射線検出器

分光分析器

手荷物検査装置

液晶バックライト色調整

応用例

9

紫外から近赤外域までに感度をもつフォトダイオードです。分析などの微弱光検出に適しています。 (Typ. Ta=25 °C)

型名感度波長範囲

(nm)

受光感度(A/W)

暗電流VR=10 mVmax.(pA)

端子間容量VR=0 Vf=10 kHz(pF)

受光面サイズ

(mm)パッケージ写真

λ=200 nm λ=960 nm

S1336-18BQ*1 190 ～ 1100 0.12

0.5

20 20 1.1 × 1.1 TO-18S1336-18BK 320 ～ 1100 -S1336-5BQ*1 190 ～ 1100 0.12

30 65 2.4 × 2.4TO-5

S1336-5BK 320 ～ 1100 -S1336-44BQ*1 190 ～ 1100 0.12

50 150 3.6 × 3.6S1336-44BK 320 ～ 1100 -S1336-8BQ*1 190 ～ 1100 0.12

100 380 5.8 × 5.8 TO-8S1336-8BK 320 ～ 1100 -S1337-16BQ*1 190 ～ 1100 0.12 0.5

5065

1.1 × 5.9

セラミック

S1337-16BR 340 ～ 1100 - 0.62S1337-33BQ*1 190 ～ 1100 0.12 0.5

30 2.4 × 2.4S1337-33BR 340 ～ 1100 - 0.62S1337-66BQ*1 190 ～ 1100 0.12 0.5

100 380 5.8 × 5.8S1337-66BR 340 ～ 1100 - 0.62S1337-1010BQ*1 190 ～ 1100 0.12 0.5

200 1100 10 × 10S1337-1010BR 340 ～ 1100 - 0.62*1: 紫外線照射時の注意 (P.45)参照

KSPDB0262JF

190 400 600 800 1000

0.1

0

0.3

0.2

0.4

0.5

0.6

0.7

QE=100%

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C)

分光感度特性S1337-21 その他S1336-BK, S1337-BR

KSPDB0309JA

0.1

0190 400 600 800 1000

0.3

0.2

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.4

0.5

0.6

0.7

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

S1337-BR

S1336-BK

QE=100%

KSPDB0262JF KSPDB0309JA

[ S1336-BQ, S1337-BQ ] [ S1336-BK, S1337-BR ]

KSPDB0100JB

暗電流

逆電圧 (V)

0.01

(Typ. Ta=25 ˚C)

100 fA0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

10 nA

S1336-8BQ/BK

S1336-18BQ/BK

S1336-5BQ/BK

S1336-44BQ/BK

暗電流ー逆電圧

KSPDB0104JB

KSPDB0104JB

暗電流

逆電圧 (V)

0.01

(Typ. Ta=25 ˚C)

100 fA0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

10 nA

S1337-1010BQ/BR

S1337-66BQ/BR

S1337-33BQ/BR

S1337-16BQ/BR

暗電流 - 逆電圧

KSPDB0100JB

[ S1337シリーズ ][ S1336シリーズ ]


紫外～近赤外域用

分光感度特性

暗電流－逆電圧

10

分光感度特性



(nm)

受光感度(A/W)



受光面サイズ


λ=200 nm λ=960 nm

S1337-21*2 190 ～ 1100 0.13 0.52 500 4000 18 × 18 セラミック(未封止)

S2551 340 ～ 1060 - 0.57(λ=920 nm) 1000 350 1.2 × 29.1 セラミック

S2281*2 *3

190 ～ 1100 0.12 0.5 500 1300

ϕ11.3

BNCコネクタ付

S2281-04*2 *3 ϕ7.98

*2: 紫外線照射時の注意 (P.45)参照*3: フォトセンサアンプ C9329に接続することによって (BNC-BNC同軸ケーブル E2573を使用)、微弱な光電流を低ノイズで増幅することができます。



KSPDB0305JA

暗電流

逆電圧 (V)

0.01

(Typ. Ta=25 ˚C)

100 fA0.1 1 10

10 pA

1 pA

100 pA

1 nA

10 nA

100 nA

暗電流-逆電圧　S1337-21

暗電流

逆電圧 (V)

0.01

(Typ. Ta=25 ˚C)

1 pA0.1 1 10 100

10 pA

100 pA

1 nA

10 nA

100 nA

KSPDB0175JB

暗電流-逆電流　S2551

暗電流

逆電圧 (V)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.01100 fA

0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

10 nA

100 nA

KSPDB0271JB

暗電流－逆電圧 S2281,S2281-04

分光感度特性

KSPDB0270JA

0.1

0.3

0.2

(Typ. Ta=25 °C)

0.4

0.5

0.6

0.7受光感度 (A/W)

波長 (nm)

QE=100%

190 300 500 700 900 1100400 600 800 1000

KSPDB0305JA KSPDB0271JBKSPDB0175JB

KSPDB0270JA

[ S2281, S2281-04 ]

[ S1337-21 ] [ S2551 ] [ S2281, S2281-04 ]

(Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0304JA

[ S1337-21 ]

KSPDB0173JB

[ S2551 ]

S1337-21

KSPDB0304JA

0.1

0

0.3

0.2

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.4

0.5

0.6

0.7

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

190 300 500 700 900 1100400 600 800 1000

QE=100%

KSPDB0173JB

(S2551)

0.1

0300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

0.3

0.2

(Typ. Ta=25 °C)

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

受光感度 (A/W)

波　長 (nm)

QE=100%

11


(nm)

受光感度(A/W)



受光面サイズ


λ=200 nm λ=720 nmS1226-18BQ*1 190 ～ 1000 0.12

0.36

2 35 1.1 × 1.1 TO-18S1226-18BK 320 ～ 1000 -S1226-5BQ*1 190 ～ 1000 0.12

5 160 2.4 × 2.4TO-5

S1226-5BK 320 ～ 1000 -S1226-44BQ*1 190 ～ 1000 0.12

10 500 3.6 × 3.6S1226-44BK 320 ～ 1000 -

S1226-8BQ*1 190 ～ 1000 0.1220 1200 5.8 × 5.8 TO-8

S1226-8BK 320 ～ 1000 -

S1227-16BQ*1 190 ～ 1000 0.12 0.36

5

170 1.1 × 5.9

セラミック

S1227-16BR 340 ～ 1000 - 0.43

S1227-33BQ*1 190 ～ 1000 0.12 0.36160 2.4 × 2.4

S1227-33BR 340 ～ 1000 - 0.43

S1227-66BQ*1 190 ～ 1000 0.12 0.3620 950 5.8 × 5.8

S1227-66BR 340 ～ 1000 - 0.43

S1227-1010BQ*1 190 ～ 1000 0.12 0.3650 3000 10 × 10

S1227-1010BR 340 ～ 1000 - 0.43

S2281-01*1 190 ～ 1000 0.12 0.36 300 3200 ϕ11.3 BNCコネクタ付

*1: 紫外線照射時の注意 (P.45)参照

KSPDB0275JC

0.01100 fA

0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

S1226-44BQ/BK

S1226-8BQ/BK

S1226-5BQ/BK

S1226-18BQ/BK

暗電流

逆電圧 (V)

(Typ. Ta=25 ˚C)

KSPDB0096JB

暗電流

逆電圧 (V)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.01100 fA

0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

S1227-16BQ/BR

S1227-33BQ/BR

S1227-66BQ/BR

S1227-1010BQ/BRKSPDB0263JF

190 400 600 800 1000

0.1

0

0.3

0.2

0.4

0.5

0.6

0.7

QE=100%

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C)

分校感度特性

0.1

0

受光感度 (A/W)

190 400 600 800 1000

波長 (nm)

0.3

0.2

(Typ. Ta=25 °C)

0.4

0.5

0.6

0.7

KSPDB0308JA

QE=100%

S1227-BR

S1226-BK

KSPDB0321JA

暗電流

逆電圧 (V)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.01100 fA

0.1 1 10

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

KSPDB0320JA

190 400 600 800 1000

0.1

0

0.3

0.2

0.4

0.5

0.6

0.7

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C)

分校感度特性

QE=100%

赤外域の感度を抑制したタイプのフォトダイオードです。分析などの微弱光検出に適しています。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0263JF

KSPDB0096JBKSPDB0275JC

KSPDB0308JA

[ S1226-BQ, S1227-BQ ] [ S1226-BK, S1227-BR ]

[ S1227シリーズ ][ S1226シリーズ ]

KSPDB0321JA

KSPDB0320JA

[ S2281-01 ]

[ S2281-01 ]

分光感度特性


紫外～近赤外域用 (赤外感度抑制タイプ)

12

型名受光感度 λ=λp(A/W)


受光面サイズ


S12698*2

0.38

10 1.1 × 1.1 TO-18

S12698-01*2 30 2.4 × 2.4

TO-5

S12698-04*2 50 3.6 × 3.6

S12698-02*2 100 5.8 × 5.8 TO-8

*2: 紫外線照射時の注意 ① (P.45)参照

分光感度特性紫外線照射による分光感度の劣化

紫外モニタ用


S12698シリーズは、樹脂を使用しない構造を採用することで、紫外線に対して高い信頼性を実現したSiフォトダイオードです。紫外線照射による感度劣化が少なく、強力な紫外光源のモニタなどの用途に適しています。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0350JB KSPDB0355JA

KSPDB0350JB

分光感度特性

0

受光感度 (A/W)

190 400 600 800 1000

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C)0.4

0.3

0.2

0.1

KSPDB0355JA

紫外線照射による分光感度の変化

30

変化率 (%)

200 300 400 500 600

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C, D2ランプ: 30 W, 照射距離: 約70 mm, 照射時間: 1000 h)110

100

90

80

70

60

50

40

従来品

S12698シリーズ

13


(nm)

受光感度 λ=960 nm(A/W)



受光面サイズ


S2386-18K

320 ～ 1100 0.6

2 140 1.1 × 1.1 TO-18

S2386-18L

S2386-5K 5 730 2.4 × 2.4

TO-5S2386-44K 20 1600 3.6 × 3.6

S2386-45K 30 2300 3.9 × 4.6

S2386-8K 50 4300 5.8 × 5.8 TO-8

分光感度特性暗電流－逆電圧

可視～近赤外域用可視～赤外域に感度をもち、近赤外域で高感度を実現しています。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0272JE KSPDB0113JE

KSPDB0272JE

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

QE=100%

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

S2386-18K/-18L/-5K/-44K/-45K

KSPDB0113JB

逆電圧 (V)

暗電流

(Typ. Ta=25 ˚C)

10 fA

100 fA

1 pA

10 pA

100 pA

1 nA

0.01 0.1 1 10 100

S2386-8K

14


(nm)




受光面サイズ


S12915-16R

340 ～ 1100 0.64

5

740 1.0 × 6.0

セラミック

S12915-33R 680 2.4 × 2.4

S12915-66R 50 4000 5.8 × 5.8

S12915-1010R 200 13000 10 × 10


(Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0363JA KSPDB0365JA

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C)

QE=100%

逆電圧 (V)

暗電流

(Typ. Ta=25 ˚C)

100 fA

1 pA

10 pA

100 pA

0.01 0.1 1 10 100

S12915-1010R

S12915-66R

S12915-16R/-33R

分光感度特性暗電流－逆電圧

15


(nm)

最大感度波長

(nm)

受光感度 λ=λp(A/W)

暗電流VR=1 Vmax.(pA)

受光面サイズ


S1087

320 ～ 730 560

0.3

10

1.3 × 1.3

セラミック

S1133 2.4 × 2.8

S8265 340 ～ 720 540 20 2.4 × 2.8 セラミック

S1787-04 320 ～ 730 560 10 2.4 × 2.8 プラスチック

S9219

380 ～ 780

550

0.24 500(VR=10 mV) ϕ11.3 BNC コネクタ付

S9219-01 0.22 50(VR=10 mV) 3.6 × 3.6 TO-5

S7686 480 ～ 660 0.38 20 2.4 × 2.8 セラミック


可視域用可視域に感度をもつフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

視感度補正フィルタを付けたタイプです。S8265は、S1133の高耐湿性タイプです。

KSPDB0277JC KSPDB0285JE

KSPDB0277JC

0

0.1

0.2

0.3

0.4

300 400 500 600 700 800

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

S1087S1133S1787-04

S8265

KSPDB0285JE

(Typ. Ta=25 ˚C)

3000

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

400 500 600

波長 (nm)

相対感度 (%)

700 800

CIE標準比視感度

S9219シリーズ(垂直入射)

S7686(垂直入射)

[ S1087, S1133, S1787-04, S8265 ] [ S9219シリーズ, S7686 ]

フィルタタイプ (汎用)

フィルタタイプ (CIE標準比視感度近似)

分光感度特性

16


(nm)

最大感度波長

(nm)



受光面サイズ


S1787-12

320 ～ 1000

650 0.35

20

2.4 × 2.8

プラスチック

S4797-01

720 0.4

1.3 × 1.3

S1133-14 2.4 × 2.8 セラミック

S4011-06DS

320 ～ 1100 960 0.58 10

1.3 × 1.3

プラスチックS1787-08

2.4 × 2.8

S2833-01

S1087-01 1.3 × 1.3

セラミック

S1133-01 2.4 × 2.8



波長 (nm)

受光感度 (A/W)

300 400 500 600 700 800 900 1000 11000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.7

0.5

0.6

KSPDB0279JF

(Typ. Ta=25 ˚C)

S4797-01

S1787-12

S1133-14

QE=100%

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

300 400 500 600 700 800 900 1000 11000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.7

0.5

0.6

(Typ. Ta=25 ˚C)

KSPDB0286JD

QE=100%

KSPDB0279JF KSPDB0286JD

可視～近赤外域に感度をもつフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S1787-12, S4797-01, S1133-14 ] [ S4011-06DS, S1787-08, S2833-01, S1087-01, S1133-01 ]

可視～近赤外域用

分光感度特性

17

型名遮断周波数

(GHz)

受光面サイズ

(mm)

受光感度(A/W) 端子間容量

f=1 MHz(pF)

パッケージ写真λ=780 nm λ=830 nm

S5973

1(VR=3.3 V) ϕ0.4 0.51 0.47 1.6

(VR=3.3 V)

TO-18

S5973-01

S9055 1.5(VR=2 V) ϕ0.2

0.35 0.25

0.8(VR=2 V)

S9055-01 2(VR=2 V) ϕ0.1 0.5

(VR=2 V)


遮断周波数: 1 GHz～

KPINB0298JA KPINB0278JBKPINB0277JB

KPINB0326JB KPINB0332JA

KPINB0326JB

0

0.1

0.2

0.3

0.4

300 400 500 600 700 800

(Typ. Ta=25 ˚C)

900 1000

0.5

0.6

S9055シリーズ

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

QE=100%

S5973シリーズ

KPINB0332JA

0.1 1 10010100 fF

1 pF

10 pF

逆電圧 (V)

端子間容量

(Typ. Ta=25 ˚C)

S9055

S5973/-01

S9055-01

KPINB0298JA

周波数

相対出力 (dB)

1 MHz 10 MHz 100 MHz 1 GHz 10 GHz

-10

-15

-5

5

-3

0

(Typ. Ta=25 ˚C, λ=830 nm, VR=3.3 V, RL=50 Ω)

KPINB0277JB

100 kHz 1 MHz 10 GHz1 GHz10 MHz 100 MHz-15

-5

-10

0

5

周波数

相対出力 (dB)

(Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω)

S9055

S9055-01

-3

KPINB0278JB

100 kHz 1 MHz 10 GHz1 GHz10 MHz 100 MHz-15

-5

-3

-10

0

5

周波数

相対出力 (dB)

(Typ. Ta=25 ˚C, VR=2 V, RL=25 Ω)

S9055

S9055-01

低バイアスにて優れた広帯域特性を実現しており、光通信の他、高速測光などに適しています。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S5973, S5973-01 ] [ S9055シリーズ ]

λ=410 nm λ=830 nm

分光感度特性端子間容量－逆電圧

周波数特性

18


(MHz)

受光面サイズ

(mm)


f=1 MHz(pF)


S5971100

(VR=10 V)

ϕ1.2 0.44 0.55 3(VR=10 V) TO-18

S3399 ϕ3

0.45 0.58

20(VR=10 V)

TO-5

S3883 300(VR=20 V) ϕ1.5 6

(VR=20 V)

S10783300

(VR=2.5 V)

ϕ0.8 0.46 0.524.5

(VR=2.5 V)

プラスチック

S10784 ϕ3 0.45 0.51 レンズ付プラスチック

S5972 500(VR=10 V) ϕ0.8 0.44 0.55 3

(VR=10 V) TO-18


高速応答Si PINフォトダイオード遮断周波数: 100 MHz～1 GHz未満

端子間容量－逆電圧

分光感度特性

KPINB0315JD

300 400 500 600 700 800 900 1000

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.7

0.6

QE=100%

(Typ. Ta=25 ˚C)

KPINB0338JB

1 pF

10 pF

100 pF

0.1 1

逆電圧 (V)

端子間容量

(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)

10 100

KPINB0316JC

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.7

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.5

0.6 QE=100%

S5971

S3399, S3883

KPINB0355JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.7

0.6 S10783

S10784

(Typ. Ta=25 ˚C)

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

QE=100%

KPINB0341JC

1 pF

100 pF

10 pF

0.1 1

逆電圧 (V)

端子間容量


10 100

S3399

S3883

S5971

KPINB0358JC

1 pF0.1 1 10 100

逆電圧 (V)

端子間容量

(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)100 pF

10 pF

KPINB0338JBKPINB0358JCKPINB0341JC

KPINB0315JDKPINB0355JCKPINB0316JC

広い受光面サイズ (ϕ0.8～ϕ3 mm)をもち、優れた周波数特性を実現したSi PINフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S5972 ]

[ S5972 ]

[ S5971, S3399, S3883 ] [ S10783, S10784 ]

[ S5971, S3399, S3883 ] [ S10783, S10784 ]

19


(MHz)

受光面サイズ

(mm)


f=1 MHz(pF)


S6775 15(VR=10 V)

5.5 × 4.8

0.45 0.5540

(VR=10 V)

プラスチック

S6967 50(VR=10 V)

50(VR=10 V)

S6775-01 15(VR=10 V)

0.54(λ=830 nm)

0.68(λ=λp)

40(VR=10 V)

S8385

25(VR=5 V)

2 × 2 0.4 0.48 12(VR=5 V)

S8729

2 × 3.3

0.45 0.55

16(VR=5 V)S8729-04 0.52

(λ=830 nm)0.68(λ=λp)

S8729-10 0.45 0.55

S2506-0225

(VR=12 V) 2.77 × 2.77

0.4 0.4815

(VR=12 V)S2506-04 0.25

(λ=830 nm)0.56(λ=λp)

S4707-01 20(VR=10 V) 2.4 × 2.8 0.4 0.48 14

(VR=10 V)

S6801-01 15(VR=10 V)

ϕ14(レンズ径)

0.52(λ=830 nm)

0.65(λ=λp)

50(VR=10 V)

ϕ14 mmレンズ付プラスチック

遮断周波数: 10 MHz～100 MHz未満

分光感度特性

KPINB0324JE

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.8

0.7

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.5

0.6

QE=100%

S8385

S8729-04

S8729S8729-10

KPINB0167JF

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.8

0.7

300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.5

0.6

S2506-04

S6967

QE=100%

S6775S6775-01

S2506-02

KPINB0354JB

300 400

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

500 600 700 800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

S6801-01

S4707-01

KPINB0324JF KPINB0354JBKPINB0167JF

低価格を実現したプラスチックパッケージや可視光カットタイプなど、さまざまなタイプを用意しています。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S6775/S6967/S2506シリーズ ] [ S4707-01, S6801-01 ][ S8385/S8729シリーズ ]

20


(MHz)

受光面サイズ

(mm)


f=1 MHz(pF)


S5821

25(VR=10 V)

ϕ1.2

0.45 0.52 3(VR=10 V) TO-18

S5821-02

S5821-01ϕ4.65(レンズ径)

S5821-03

S1223 30(VR=20 V) 2.4 × 2.8

0.45 0.5210

(VR=20 V)

TO-5S1223-01 20

(VR=20 V) 3.6 × 3.6 20(VR=20 V)

S3072 45(VR=24 V) ϕ3

0.47 0.54

7(VR=24 V)

S3071 40(VR=24 V) ϕ5 18

(VR=24 V)TO-8

S12271* 60(VR=100 V) ϕ4.1 0.5

(λ=960 nm)10

(VR=100 V)

* 紫外線照射時の注意 (P.45)参照

分光感度特性

端子間容量ー逆電圧


KPINB0335JB KPINB0386JBKPINB0143JC

KPINB0344JA KPINB0389JBKPINB0146JA

KPINB0335JB

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.7

300 400 500 600 700 800

(Typ. Ta=25 ˚C)

900 1000 1100

0.5

0.6

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

QE=100%

S5821シリーズ

S3071, S3072

KPINB0143JB

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0300 400 500 600 700 800

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

900 1000 1100

0.6

0.7(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100 %

0190 400300 600 700500 800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 ˚C)

KPINB0386JB

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

分光感度特性 (S12271)

QE=100%

0.1

0.3

0.2

0.4

0.5

0.7

0.6

KPINB0344JA

逆電圧 (V)

端子間容量

1 pF0.1 1 10 100

10 pF

100 pF

1 nF(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)

S3071

S3072

S5821シリーズ

KPINB0146JA

逆電圧 (V)

端子間容量

1 pF0.1 1 10 100

10 pF

100 pF


S1223-01

S1223

[ S1223シリーズ ] [ S12271 ]

[ S1223シリーズ ] [ S12271 ]

[ S5821シリーズ, S3071, S3072 ]

[ S5821シリーズ, S3071, S3072 ]

(Typ. Ta=25 °C)

KPINB0389JB

端子間容量―逆電圧 (S12271)

端子間容量

逆電圧 (V)

0.1

(Typ. Ta=25 °C)

1 10 1001 pF

10 pF

100 pF

1 nF

21

型名素子数受光面サイズ

(mm)

受光感度

(A/W)

遮断周波数VR=10 VRL=50 Ω(MHz)

暗電流VR=10 Vmax.(nA)

端子間容量VR=10 V, f=1 MHz (pF)

パッケージ写真

S3096-02

2

1.2 × 3／2分割

0.39(λ=650 nm) 25 0.5*1 5

プラスチックS4204 1 × 2／2分割

0.45(λ=650 nm) 30 1*1 3

S93451.5 × 1.5+

1.5 × 4.10.45

(λ=650 nm) 15 5*14

フォトダイオードA

10フォトダイオードB

S4349*2 4 3 × 3／4分割

0.45(λ=720 nm)

20(VR=5 V)

0.2(VR=5 V)

25(VR=5 V) TO-5

*1: 全素子合計*2: 紫外線照射時の注意 (P.45)参照

( 　　)( 　　)

3.0

1.2

0.03

0.02

2.0

1.0

1.5

1.5 0.02

4.1B

A

3.00.1

0.13.0

3.0

1.2

0.03

0.02

2.0

1.0

1.5

1.5 0.02

4.1B

A

3.00.1

0.13.0

3.0

1.2

0.03

0.02

2.0

1.0

1.5

1.5 0.02

4.1B

A

3.00.1

0.13.0

3.0

1.2

0.03

0.02

2.0

1.0

1.5

1.5 0.02

4.1B

A

3.00.1

0.13.0


分割型Si PINフォトダイオード

暗電流ー逆電圧

分光感度特性

KMPDB0126JBKMPDB0134JE KPINB0336JD

KMPDB0126JB

0.5

0.4

0.3

0.2

0190 400 600 800 1000

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0.6

0.7

0.8(Typ. Ta=25 ˚C)

0.1

QE=100%

KMPDB0134JE

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

S4204

S3096-02

QE=100%

KPINB0336JD

波長 (nm)

(Typ. Ta=25 ˚C)

受光感度 (A/W)

300 4000

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

500 600 700 800 900 10001100

QE=100%

紫外から近赤外域までに感度をもつ2、4分割Si PINフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S9345 ] [ S4349 ][ S3096-02, S4204 ]

KMPDB0128JAKMPDB0136JD KPINB0295JA

[ S9345 ] [ S4349 ][ S3096-02, S4204 ]

逆電圧 (V)


KMPDB0136JD

暗電流

(Typ. Ta=25 °C)

100 pA

1 nA

10 pA

1 pA0.01 0.1 1 10 100

S3096-02

S4204

KPINB0295JA

暗電流－逆電圧 (S9345)

逆電圧 (V)

(Typ. Ta=25 °C)

暗電流

0.01 0.1 1 101 pA

10 pA

100 pA

1 nA

100 nA

10 nA

100

逆電圧 (V)


暗電流

KMPDB0128JA

100 pA

1 nA

10 pA

1 pA

100 fA

10 fA0.01 0.1 1 10 100

(Typ. Ta=25 °C)

22

型名素子数素子ピッチ

(mm)

素子サイズ W × H(mm)

感度波長範囲

(nm)





S4111-16Q*216

1.0

0.9 × 1.45190 ～1100

0.58

5 200

セラミック

S4111-16R 340 ～ 1100

S4111-35Q*2 35

0.9 × 4.4

190 ～1100 10 550S4111-46Q*2 46

S4114-35Q*2 35190 ～1000 0.50

(λ=800 nm) 60 35S4114-46Q*2 46

S12858-021

16

1.17 0.77 × 2.5

340 ～ 1100 0.61(λ=920 nm)

30 30

ガラスエポキシ(未封止)

S12859-021

S11299-0211.575 1.175 × 2.0 30 40

S11212-021

S12362-0212.5 2.2 × 2.7 50 75

S12363-021




KMPDA0227JC KMPDA0228JC

KMPDB0112JC KMPDB0357JB

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0190 400 600 800 1000

S4111-16Q/35Q/46Q

S4111-16R

QE=100%

KMPDB0112JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

S4114シリーズ

KMPDA0228JC

2.0

1.175

0.4

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

KMPDA0227JC

S4111-16R/-16Q

型名

1.45 15.9 16

A B N

4.4 34.9 35S4111/S4114-35Q

4.4 45.9 46S4111/S4114-46Q

A

ch 1

B

ch N

長方形の受光素子を、1 mm前後のピッチで等間隔に配列した1次元フォトダイオードアレイです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S12858/S12859/S12362/S12363/S11212/S11299-021 ]

[ S4111/S4114シリーズ ] [ S11212/S11299-021 ]

[ S4111/S4114シリーズ ]

1次元フォトダイオードアレイ (紫外～近赤外域用: 紫外域高感度タイプ)

受光部の構造 (単位: mm)

分光感度特性

KMPDB0357JB

1100

(Typ. Ta=25 °C)0.8

0.6

0.4

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0300 400 600 800500 700 900

波長 (nm)

1000

受光感度 (A/W)

分光感度特性 (S12362/S12363シリーズ)

QE=100%

23

型名素子数受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲(nm)


遮断周波数 VR=10 V (MHz)

端子間容量VR=10 Vf=1 MHz (pF)


S5980

4

5 × 5／4分割

320 ～ 1100 0.72

25 10

セラミック

S5981 10 × 10／4分割 20 35

S5870 2 10 × 10／2分割 10 50

S8558

16 2 × 12.7／16分割 25

5

S15158 380 ～ 1100 0.63 60 (全素子合計) ガラスエポキシ

型名遮断周波数 VR=10 V(MHz)

受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲

(nm)


端子間容量VR=10 Vf=1 MHz(pF)


S5106 20 5 × 5

320 ～ 1100 0.72

40

セラミックS5107 10 10 × 10 150

S7509 20 2 × 10 40

S7510 15 6 × 11 80

5.0

5.0

10.0

10.0

10.0

10.0

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

2.0

12.70.1

…

ch 1 ch 16

5.0

5.0

10.0

10.0

10.0

10.0

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

2.0

12.70.1

…

ch 1 ch 16

5.0

5.0

10.0

10.0

10.0

10.0

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

2.0

12.70.1

…

ch 1 ch 16

5.0

5.0

10.0

10.0

10.0

10.0

0.03

0.03

0.03

0.03

0.03

2.0

12.70.1

…

ch 1 ch 16



分割型Siフォトダイオード

表面実装対応のチップキャリアパッケージに封止したフォトダイオードです。はんだリフローによる実装が可能であり、自動化が容易になります。 (Typ. Ta=25 °C)

表面実装対応のチップキャリアパッケージに封止した2、4、16分割Siフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

24

型名受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲

(nm)




S9674 2 × 2

320 ～ 1100

0.7 500

ガラスエポキシ S9981-01CT1.3 × 1.3

0.65200

S10625-01CT 0.54(λ=940 nm)



小型プラスチックパッケージSiフォトダイオード小型プラスチックパッケージに搭載した表面実装型Siフォトダイオードです。テーピング梱包されており、はんだリフローによる実装が可能です。 (Typ. Ta=25 °C)

分光感度特性

[ S5106, S5107, S7509, S7510, S5980, S5981, S5870 ] [ S8558, S15158 ]

KPINB0165JB KMPDB0193JB

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

300 400 500 600 700 800 900 1000 11000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

QE=100%

(Typ. Ta=25 ˚C)

KPINB0165JB KMPDB0193JB

分光感度特性

300 400 600 800500 700 900 11001000

波長 (nm)

受光感度

(A

/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

0

0.2

0.4

0.8

0.7

0.5

0.3

0.1

0.6QE=100%

S8558

S15158


[ S5106, S5107, S7509, S7510 ]

KPINB0128JA

10 pF0.1 1 10 100

10 nF

1 nF

100 pF

逆電圧 (V)

端子間容量


S5106

S7509

S5107

S7510

KPINB0128JA

25


[ S9674, S9981-01CT, S10625-01CT ] [ S13773, S15193, S10993-02CT, S12158-01CT S13954-01CT, S14016-01DT ]

KSPDB0316JE KSPDB0393JA

KSPDB0316JE

Dark current vs. reverse voltage (S9674/S9981-01CT/S10625-01CT)

逆電圧 (V)

暗電流

0.01 0.1 1 10100 fA

1 pA

10 pA

1 nA

100 pA

100

(Typ. Ta=25 °C)

S9674

S10625-01CT

S9981-01CT

KSPDB0393JA

Dark current vs. reverse voltage (S13773/S15193/S10993-02CT/S12158-01CT/S13954-01CT/S14016-01DT)

逆電圧 (V)

暗電流

0.01 0.1 1 10100 fA

1 pA

10 pA

1 nA

100 pA

100

(Typ. Ta=25 °C)

S13773

S15193

S12158-01CT

S10993-02CT

S13954-01CT

S14016-01DT

型名受光面サイズ(mm)



端子間容量 f=1 MHz(pF)


S13773ϕ0.8 380 ～ 1000

0.54(λ=800 nm)

3 (VR=10 V)

ガラスエポキシ

S15193 0.64(λ=920 nm)

2(VR=10 V)

S10993-02CT 1.06 × 1.06 380 ～ 1100 0.6 6(VR=2.5 V)

S12158-01CT 2.77 × 2.77 320 ～ 1100 0.7 15(VR=12 V)

S13954-01CT ϕ1.5 320 ～ 1000 0.5(λ=780 nm)

13(VR=3 V)

S14016-01DT 2.1 × 1.8 320 ～ 1100 0.7 12(VR=5 V) プラスチック

小型プラスチックパッケージSi PINフォトダイオード

分光感度特性

小型プラスチックパッケージに搭載した表面実装型Si PINフォトダイオードです。テーピング梱包されており、はんだリフローによる実装が可能です。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S9674, S9981-01CT, S10625-01CT ] [ S13773, S15193, S10993-02CT, S12158-01CT S13954-01CT, S14016-01DT ]

KSPDB0315JC KSPDB0318JE

KSPDB0315JC

分光感度特性 (S9674/S9981-01CT/S10625-01CT)

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C)

500 600300 700 800 9004000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

1000 1100

QE=100%

S10625-01CT

S9674

S9981-01CT

(Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0318JE

分光感度特性 (S13773/S15193/S10993-02CT/S12158-01CT/S13954-01CT/S14016-01DT)

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

600 700300 800 900400 5000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

1000 1100

QE=100%

S14016-01DT

S10993-02CT

S12158-01CT

S13773

S15193

S13954-01CT

26

雑音等価電力－周波数

[ S8745-01 ]

[ S9295シリーズ ]

[ S8746-01 ]

KSPDB0237JA

KSPDB0230JD

KSPDB0238JA

周波数 (kHz)

[Typ. Ta=25 ˚C, Vcc=±15 V, Cf=5 pF (内蔵), RL=1 MΩ, 暗状態, λ=λp]

雑音等価電力 (fW/Hz1/2)

0.10.001 0.01101

102

103

104

105

106

1 100010010

S8745-01

+111 MΩ (外付け)

+1 MΩ (外付け)

+11 MΩ (外付け)

KSPDB0230JD

1001

周波数 (Hz)


10 100 100001000

(Typ. Vcc=±15 V)

101

103

102

S9295-01(Tchip=-5 ˚C)

S9295(Tchip=-25 ˚C)

KSPDB0238JA

周波数 (kHz)

[Typ. Ta=25 ˚C, Vcc=±15 V, Cf=5 pF (内蔵), RL=1 MΩ, 暗状態, λ=λp]


0.10.001 0.01101

102

103

104

105

106

1 100010010

S8746-01

+111 MΩ (外付け)

+1 MΩ (外付け)

+11 MΩ (外付け)


型名冷却温度

ΔT(°C)

受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲

(nm)

受光感度(V/nW)

雑音等価電力λ=λp,f=10 Hz(fW/Hz1/2)

内蔵フィードバック

抵抗(GΩ)


S8745-01*

非冷却

2.4 × 2.4

190 ～ 1100

0.12 0.52

11

1

メタル

S8746-01* 5.8 × 5.8 15

S9295* 50

10 × 10 0.9 5.1

4

10

S9295-01* 30 5


計測用プリアンプ付Siフォトダイオード大面積Siフォトダイオードとオペアンプ、フィードバック容量を内蔵した低ノイズの光センサです。 (Typ. Ta=25 °C)

27

型名冷却温度

ΔT(°C)

受光面サイズ

(mm)

感度波長範囲

(nm)

最大感度波長

(nm)

暗電流 VR=10 mV(pA)

雑音等価電力

(W/Hz1/2)パッケージ写真

S2592-03*

35

2.4 × 2.4

190 ～ 1100 960

10 8.1 × 10-15TO-8

S2592-04* 5.8 × 5.8 25 1.3 × 10-14

S3477-03* 2.4 × 2.4 10 8.1 × 10-15TO-66

S3477-04* 5.8 × 5.8 25 1.3 × 10-14


電子冷却型Siフォトダイオード

分光感度特性サーミスタの温度特性

KSPDB0182JC KIRDB0116JB

(Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0182JC

受光感度 (A/W)

波長 (nm)


0.1

190 400 600 800 1000300 500 700 900 1100

0.3

0.2

0.4

0.5

0.6

0.7

QE=100%

KIRDB0116JB

チップ温度 (˚C)

抵抗値 ( Ω)

103

(Typ.)

104

105

106

-40 -20 -10 10-30 0 20 30

紫外～近赤外域用Siフォトダイオードと電子冷却素子を一体化し、暗電流を低減した受光素子です。 (Typ. Ta=25 °C)

28

型名シンチレータ素子数素子ピッチ

(mm)


暗電流max.

VR=10 mV(pA)

X線感度*

(nA)パッケージ写真

S8559 CsI(TI)1 - 5.8 × 5.8 50

52セラミック

S8193 GOSセラミック 30

S12858-122CsI(TI)

16 1.17 0.77 × 2.5 30

5.0


S12859-122

S12858-324GOSセラミック 2.5

S12859-324

S12858-422蛍光紙 2.2

S12859-422

S11299-121CsI(TI)

16 1.575 1.175 × 2.0 30

6.0


S11212-121


S11212-321

S11299-422蛍光紙 3.0

S11212-422

S12362-121CsI(TI)

16 2.5 2.2 × 2.7 50

12.5


S12363-121


S12363-321

S12362-421蛍光紙 6.0

S12363-421

* 参考値 (X線管電圧: 120 kV, 管電流: 1.0 mA, アルミフィルタ: t=6 mm, 距離: 830 mm)、X線感度の値は装置などの条件によって異なります。


シンチレータ付SiフォトダイオードSiフォトダイオードとシンチレータを組み合わせた製品です。セラミックシンチレータはCWOに比べ約1.2倍の高感度とともに高信頼性を、CsIは高感度と低価格を実現しています。S11212/S11299シリーズは、裏面入射構造を採用したフォトダイオードアレイです。従来品と比較し優れた分光感度特性・感度均一性を実現しています。 (Typ. Ta=25 °C)

29

項目条件 CsI(TI) GOSセラミック単位

ピーク発光波長 560 512 nmX線吸収係数 100 keV 10 7 cm-1

屈折率 λ=λp 1.7 2.2 -減衰定数 1 3 µs残光 X線遮断後100 ms 0.3 0.01 ％密度 4.51 7.34 g/cm3

色調透明薄黄緑 -発光強度のバラツキ ±10 ±5 %

分光感度特性 (S12858/S12859/S11212/S11299/S12362/S12363シリーズ) 感度均一性 (S11212/S11299シリーズ)

シンチレータ発光特性と分光感度特性

KMPDB0360JD

1100

(Typ. Ta=25 °C)0.8

0.6

0.4

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0300 400 600 800500 700 900

波長 (nm)

1000

受光感度 (A/W)

QE=100%

* シンチレータは含まず、シンチレータを接着する樹脂の透過率や反射率を加味した特性です。


KMPDB0361JB

80

85

90

95

100

105

110

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16

素子

相対感度 (%)

(Typ. Ta=25 ˚C)

KMPDB0360JD

KMPDB0361JB

KSPDB0282JE KSPDB0281JE


(Typ.)

1000 12008006004002000 0

40

20

60

80

100

40

20

60

80

100

CsI(TI)発光特性

量子効率(シンチレータなし)

KSPDB0282JE

相対光出力 (%)

量子効率 (%)

波長 (nm)

(Typ.)

1000 12008006004002000 0

40

20

60

80

100

40

20

60

80

100


KSPDB0281JE

セラミックシンチレータ発光特性

相対光出力 (%)

量子効率 (%)

波長 (nm)

量子効率(シンチレータなし)

[ S11212/S11299-321 (GOSセラミック) ][ S11212/S11299-121 [CsI(Tl)] ]

シンチレータの比較表

30

型名窓材受光面サイズ(mm)

空乏層厚さ VR=70 V(mm)



暗電流max.VR=70 V(nA)



S3590-08 エポキシ樹脂

10 × 10 0.3 340 ～ 1100

0.66 6

40 セラミック

S3590-09 未封止

S3590-18 エポキシ樹脂 0.6510

S3590-19 未封止 0.58

S8650 エポキシ樹脂 0.66 6


大面積Si PINフォトダイオード

端子間容量－逆電圧シンチレータ発光特性とS3590-08の分光感度特性

分光感度特性

KPINB0331JC KPINB0017JE

KPINB0347JD

0300 400 500 600 700 800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

KPINB0347JD

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

KPINB0263JB

KPINB0263JB

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0300 400 500 600

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

700 800 1100900 1000

0.6

0.7(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

KPINB0322JC

KPINB0322JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

500 600300 4000

0.1

0.2

0.3

0.7

0.6

0.5

0.4

700 800 900 1000 1100

QE=100%

(Typ. Ta=25 ˚C)

S3590-18

S3590-19

KPINB0331JC

逆電圧 (V)


端子間容量

10.110 pF

100 pF

10 nF

1 nF

10 100

S3590-18/-19

S3590-08/-09S8650

KPINB0017JE

200 400 600 800 1000300 500 700 900 1100

相対光出力 (%)

波長 (nm)

0

40

20

60

80

100

量子効率 (%)

0

40

20

60

80

100

量子効率

BGO Csl(Tl)Nal(Tl)

(Typ. Ta=25 ˚C)

高エネルギー物理用に開発された白セラミックベースのSi PINフォトダイオードです。主にシンチレータをカップリングして使用します。耐圧性に優れており、高い逆電圧を印加することにより、大面積ながら高速応答を実現できます。S3590-18/-19は紫色高感度タイプで、S3590-19は未封止タイプです。またS8650は、シンチレータとのカップリングを向上させるためにエポキシ樹脂表面を平坦に加工したタイプとなっています。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S3590-08, S8650 ] [ S3590-09 ] [ S3590-18/-19 ]

[ S3590シリーズ, S8650 ]

31


空乏層厚さ VR=70 V(mm)



暗電流max.VR=70 V(nA)



S2744-08 エポキシ樹脂10 × 20

0.3 340 ～ 1100 0.66

10 85

セラミック

S2744-09 未封止

S3204-08 エポキシ樹脂18 × 18 20 130

S3204-09 未封止

S3584-08 エポキシ樹脂28 × 28 30 300

S3584-09 未封止

S3588-08 エポキシ樹脂3 × 30 10 40

S3588-09 未封止

分光感度特性


KPINB0222JA KPINB0230JC

KPINB0265JE KPINB0277JC

KPINB0265JE

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0300 400 500 600 700 800

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

900 1000 1100

0.6

0.7(Typ. Ta=25 ˚C)

S2744/S3588-08

S2744/S3588-09

QE=100%

KPINB0222JA

逆電圧 (V)

端子間容量

10 pF0.1 1 10 100

100 pF

1 nF


S2744-08/-09

S3588-08/-09

KPINB0230JC

逆電圧 (V)

端子間容量

10 pF0.1 1 10 100

100 pF

1 nF


S3204-08/-09

S3584-08/-09

KPINB0277JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0300 400 500 600 700 800

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

900 1000 1100

0.6

0.7(Typ. Ta=25 ˚C)

S3204/S3584-08

S3204/S3584-09

QE=100%

[ S2744/S3588シリーズ ] [ S3204/S3584シリーズ ]

[ S2744/S3588シリーズ ] [ S3204/S3584シリーズ ]

(Typ. Ta=25 °C)

32


放射線直接検出用大面積Si PINフォトダイオード放射線直接検出用の未封止タイプの大面積Si PINフォトダイオードです。高エネルギーの放射線を高効率で検出することができます。 (Typ. Ta=25 °C)


空乏層厚さ(mm)

X線エネルギー max.(keV)

暗電流 max.(nA)


S13993なし

10 × 10 0.350

6セラミック

S14605 9 × 9 0.5 30

受光感度－X線エネルギー（理論値）端子間容量－逆電圧

KPINB0441JA KPINB0442JA

KPINB0441JA

X (理論値)

X (keV)

(A/W

)

0 10 20 30 40 50

0.3

0.2

0.1

0

S14605 ( : 500 µm)

S13993 ( : 300 µm)

(Ta=25 °C)

KPINB0442JA

(V)

(Typ. Ta=25 °C, f=10 kHz)

10 pF

10 nF

1 nF

100 pF

10.1 10 1000100

S13993

S14605

33


(nm)

最大感度波長

(nm)

受光感度 λ=λp

(A/W)

暗電流VR=1 V全素子合計max.(pA)

受光面サイズ

(mm)


S7505-01青 400 ～ 540 460 青 0.18

200青 1.5 × 1.5 (× 2)

表面実装型プラスチック緑 480 ～ 600 540 緑 0.23 緑 1.5 × 1.5

赤 590 ～ 720 620 赤 0.16 赤 1.5 × 1.5

S9032-02*1

青 400 ～ 540 460 青 0.18100 ϕ2／3分割表面実装型

プラスチック緑 480 ～ 600 540 緑 0.23赤 590 ～ 720 620 赤 0.16

S9702*1

青 400 ～ 540 460 青 0.1850 1 × 1／3分割

表面実装型・小型

プラスチック緑 480 ～ 600 540 緑 0.23赤 590 ～ 720 620 赤 0.16

S10917-35GT青 390 ～ 530 460 青 0.2

50 1 × 1／3分割表面実装型・小型

ガラスエポキシ緑 470 ～ 600 540 緑 0.23赤 590 ～ 680 620 赤 0.17

S10942-01CT 分光感度特性を参照青 0.21*2

50 1 × 1／3分割表面実装型・小型

ガラスエポキシ緑 0.25*2

赤 0.45*2

*1: ガラスフィルタ部に過大な力、継続的な振動が加わると脱落する危険性があります。ガラスフィルタをホルダなどで固定する必要があります。*2: 青: λ=460 nm、緑: λ=540 nm、赤: λ=640 nm



分光感度特性

KMPDB0217JD KSPDB0287JB

赤外域にも感度をもっているため、必要に応じて赤外線の入射をカットしてください。

KMPDB0217JD

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0400 500 600 700 800

0.1

0.2

0.3(Typ. Ta=25 °C)

Red

Green

Blue

KSPDB0287JB

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0400 500 600 700 800 900

0.1

0.2

0.3

1000

(Typ. Ta=25 ˚C)

0.4

0.5Red

Green

Blue

青・緑・赤にそれぞれ感度をもつフォトダイオードを1パッケージに収めた3色カラーセンサです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S7505-01, S9032-02, S9702 ] [ S10942-01CT ][ S10917-35GT ]

KSPDB0295JC

KSPDB0295JC

波長 (nm)

400300 500 600 7000

0.3

0.2

0.1

分光感度特性 (S10971-35GT)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C)

Red

GreenBlue

34


(nm)

最大感度波長

(nm)



受光面サイズ


S6428-01 400 ～ 540 460 0.22

20 2.4 × 2.8 プラスチックS6429-01 480 ～ 600 540 0.27

S6430-01 590 ～ 720 660 0.45


分光感度特性

S6428-01は青、S6429-01は緑、S6430-01は赤に感度をもった単色カラーセンサです。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0280JD

分光感度特性

KSPDB0280JD

(Typ. Ta=25 °C)0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0300 400 500 600 700 800

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

QE=100%

S6430-01

S6429-01

S6428-01


35


(MHz)

受光面サイズ

(mm)

最大感度波長

(nm)

受光感度

(A/W)

暗電流 max.

(nA)

端子間容量 f=1 MHz

(pF)パッケージ写真

S5973-02 1 GHz(VR=3.3 V) ϕ0.4 760 0.3

(λ=410 nm)0.1

(VR=3.3 V)1.6

(VR=3.3 V) TO-18

S9195 50(VR=10 V) 5 × 5 840 0.28

(λ=405 nm)5

(VR=10 V)60

(VR=10 V) TO-8

S3994-01 20(VR=30 V) 10 × 10 960 0.25

(λ=400 nm)10

(VR=30 V)40

(VR=30 V) セラミック

紫・青色高感度タイプ

分光感度特性


KPINB0337JB

0

0.1

0.2

0.3

0.4

300 400 500 600 700 800

(Typ. Ta=25 ˚C)

900 1000

0.5

0.6

0.7

0.8

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

QE=100%

KPINB0198JB

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

300 400 600500 700 800 900 1000 1100

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

KPINB0289JB

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0300 400 500 600 700 800 900 1000

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

KPINB0337JB KPINB0289JB KPINB0198JB

紫・青色レーザダイオード検出用のフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S5973-02 ] [ S9195 ] [ S3994-01 ]

KPINB0400JA KPINB0291JA KPINB0199JA

[ S5973-02 ] [ S9195 ] [ S3994-01 ]

10 pA

100 pA

1 nA

10 nA

1 pA0.01 0.1 1 10

逆電圧 (V)

100

暗電流


KPINB0291JA

(Typ. Ta=25 °C)

KPINB0400JA

暗電流―逆電圧

100 fA

1 pA

10 pA

100 pA

0.1 1

逆電圧 (V)

暗電流

(Typ. Ta=25 °C)

10 100

KPINB0199JA

(Typ. Ta=25 °C)

100101

逆電圧 (V)

暗電流

0.10.01100 pA

1 nA

10 nA

100 nA

暗電流―逆電圧

36

型名受光感度

λ=193 nm(A/W)

暗電流VR=10 mVmax.(nA)

受光面サイズ


S8552*

0.06

1.0 10 × 10

セラミック(未封止)

S8553* 5.0 18 × 18

* 紫外線照射時の注意 ①(P.45)参照

型名受光感度

λ=193 nm(A/W)

暗電流VR=10 mVmax.(nA)

受光面サイズ


S10043* 0.015 1.0 10 × 10 セラミック(未封止)

* 紫外線照射時の注意 ①(P.45)参照


真空紫外 (VUV)モニタ用

真空紫外高信頼性タイプ

VUV照射による感度変動分光感度特性

KSPDB0264JE

KSPDB0283JB

KSPDB0284JC

KSPDB0264JE

S1227/S1337シリーズ (未封止品)

S10043

ショット数

[Typ. Ta=25 ˚C, ArF エキシマレーザ, 0.1 mJ/cm2/パルス, f=100 Hz, λ=193 nm, パルス幅=15 ns (FWHM)]

5 × 1061 × 1060

1 × 107

40

20

60

80

100

120

S8552, S8553

相対感度 (%)

KSPDB0283JB

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

1100

0.6(Typ. Ta=25 ˚C)

S8552, S8553

S10043

ArFエキシマレーザ照射に対して、感度安定性を大幅に改善しています。 (Typ. Ta=25 °C)

真空紫外 (VUV)領域に感度をもち、特にエキシマレーザ (ArF: 193 nm, KrF: 248 nm)のモニタに適しています。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0284JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

0150 200 250 300 350 400

0.20

0.18

0.16

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

(Typ. Ta=25 ˚C)

S8552, S8553

S10043

37

型名最大感度波長

(nm)

感度波長半値幅(nm)

受光感度 λ=中心波長(mA/W)


受光面サイズ


S12742-220*1 220

10

6

25 3.61 × 3.61 TO-5S12742-254*1 254 18

S12742-275*1 275 10



(mm)

感度波長範囲

(nm)

最大感度波長

(nm)



上昇時間λ=1060 nm

VR=100 V, RL=50 Ω(ns)


S3759 ϕ5 360 ～ 1120 980 0.38 10 12.5 TO-8

単一波長検出用

YAGレーザ検出用

分光感度特性

分光感度特性応答波形

KPINB0279JB

注) 中心波長340nm、560nmなど、他の波長タイプにも対応可能です(受注生産品)。

KSPDB0390JA

分光感度特性

200 300 400 500

波長 (nm)

受光感度

(m

A/W

)

600

(Typ. Ta=25 °C)30

20

10

0

S12742-220

S12742-275

S12742-254

KPINB0279JB

0.4

0.8

0.6

0

0.2

0.5

0.7

0.1

0.3

受光感度 (A/W)

波長 (nm)

300 400 500 600 700 800 900 1000 12001100

(Typ. Ta=25 ˚C)

QE=100%

KPINB0280JC

50%

100%[Typ. Ta=25 ˚C, λ=1060 nm (YAGレーザ), VR=100 V, RL=50 Ω]

12.5 ns

窓材に干渉フィルタを採用し、単一波長のみに高い感度をもつ受光素子です。 (Typ. Ta=25 °C)

YAGレーザ (1.06 μm)用に開発されたSi PINフォトダイオードです。 (Typ. Ta=25 °C)

KSPDB0390JA

KPINB0280JC

38

型名入射電子

エネルギー範囲(keV)

出力電流

(nA)


端子間容量 VR=5 V(pF)

遮断周波数 VR=5 V(MHz)

電子増倍率パッケージ写真

S11141-10

1 ～ 3030

電子エネルギー 1.5 keVlp*2=100 pA

60

450 2.5300

電子エネルギー1.5 keV

薄型セラミック(未封止)

S11142-10 200 5

*2: プローブ電流


電子線検出用

増倍率－電子エネルギー電子増倍の原理

低エネルギー (1 keV以上)の電子線を高感度に直接検出できるフォトダイオードです。不感層の極めて薄い構造となっているため、走査電子顕微鏡 (SEM)の反射電子検出などに適した検出器となっています。

KSPDB0344JA

KSPDC0348JA

10000

1000

(Typ. Ta=25 °C, Ip=100 pA)

1000 10 20

電子エネルギー (keV)

増倍率－電子エネルギー

30

KSPDB0344JA

増倍率

KSPDC0348JA

電子増倍の原理 (S11141-10, S11142-10)

出力電流


電子

拡大図

不感層

電子－正孔対の生成(電子増倍)

シリコン

真空中

電子がシリコンを通過するときに、シリコン中でイオン化が起こります。このイオン化により、多数の電子－正孔対が発生し、電子が増倍されます。電子増倍により、入射電子エネルギーが1.5 keVのときは、約300倍の出力電流が得られます (“増倍率－電子エネルギー”参照)。

( 　　)

(Typ. Ta=25 °C)

( 　　　　　　　)


(mm)

感度波長範囲

(nm)

最大感度波長

(nm)


短絡電流100 lx2856 K(µA)


写真

S12497 9.5 × 9.5400 ～ 1100 920 0.57

75 950

S12498 6 × 6 30 380

リード付PWBパッケージタイプ

分光感度特性

分光感度特性 (S12497, S12498)

KSPDB0360JC

波長 (nm)

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C)

400 500 600 700 800 900 1000 1100

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0

0.1

0.8

0.7QE=100%

KSPDB0360JC

S12497・S12498は、手荷物などの非破壊検査や一般工業計測に適したSiフォトダイオードです。裏面入射型フォトダイオードのため受光部にワイヤがなく、シンチレータをフォトダイオードに直接実装することが可能です。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S12497, S12498 ]

39

型名素子数素子ピッチ

(mm)



最大感度波長(nm)





S13620-02 64 (8 × 8) 3.0 2.5 × 2.5 400 ～ 1100 960 0.61 5.5 60 PWB(未封止)

CSPタイプ 64素子Siフォトダイオードアレイ

分光感度特性

KSPDB0367JB

0.8

0.6

0.4

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0400 600 800

波長 (nm)

1000500 700 900 1100

受光感度 (A/W)

(Typ. Ta=25 °C)

QE=100%

KMPDB0570JA

分光感度特性

300 400 500 600 700 800 900 11001000

波長 (nm)

受光感度

(A/

W)

(Typ. Ta=25 °C)

0

0.2

0.4

0.8

0.7

0.5

0.3

0.1

0.6QE=100%

KSPDB0367JB KMPDB0570JA

裏面入射型構造を採用したX線非破壊検査用の８×８素子Siフォトダイオードアレイです。チップ上に直接シンチレータをカップリングすることが可能です。製品周囲のデッドスペースが最小になるように設計されており、複数の製品をタイル状に並べて使用することが可能です。また、チャンネル間のクロストークがありません。 (Typ. Ta=25 °C)

[ S13955-01, S13956-01, S13957-01, S13620-02 ] [ S14833 ]


(mm)

感度波長範囲

(nm)

最大感度波長

(nm)





S13955-01 7.37 × 7.37

400 ～ 1100 960 0.61

46 500

PWB(未封止)S13956-01 2.5 × 2.5 5.5 60

S13957-01 4.5 × 4.5 22 230

CSPタイプCSP (Chip Size Package)構造を採用した裏面入射型フォトダイオードで、チップ上に直接シンチレータをカップリングすることが可能です。製品周囲のデッドスペースが最小になるように設計されており、複数の製品をタイル状に並べて使用することが可能です。 (Typ. Ta=25 °C)

型名素子数素子サイズ W × H(mm)






S14833 6 2.76 × 1.37 340 ～ 1100 960 0.68 9 ガラスエポキシ

エンコーダ用6素子アレイ表面実装型の6素子Si PINフォトダイオードです。6素子は個々に分離されていて、インクリメンタルエンコーダ用に適した配置となっています。 (Typ. Ta=25 °C)

40

型名受光感度(V/mW) 遮断周波数

-3 dB(kHz)

電源電圧

(V)λp=620 nm λp=540 nm λp=460 nm

C9303-03 -14 -20 -18 16+2.7 ～ +5.5

C9303-04 -108 -156 -122 2.4

型名光源受光素子測定および出力周期(ms)

電源電圧 (V)

C9315 白色LED Siフォトダイオード 200 付属ACアダプタ (+12)* CIE (国際照明委員会)非準拠

(Typ. Ta=25 °C)

型名

出力オフセット電圧Zt=5.1 × 105 V/A

[フォトダイオード未接続](mV)

変換インピーダンス

(V/A)

遮断周波数 [フォトダイオード未接続]

-3 dB

(kHz)

電源電圧

(V)Typ. Max.

C9331 ±40 ±50 1 × 105 ～ 5.1 × 105 14 +7 ～ +15

(Typ. Ta=25 °C)

(Ta=25 °C, Vcc=9.0 V, RGB各ch共通)

RGBカラーセンサモジュール

カラーセンサ評価回路

液晶モニタ用TFT液晶バックライト (RGB-LED型)用光量センサ特長

RGBカラーセンサ (S9032-02)を内蔵 TFT液晶バックライト (RGB-LED型)の波長に合った感度

3 ch電流－電圧アンプを搭載 RGB 3 chの光電流を同時に出力

TFT液晶バックライト側面実装に適したサイズ低消費電流: 0.4 mA typ. (従来品比 1/3) 高ゲインタイプ: C9303-04

用途 TFT液晶バックライト (RGB-LED型)の光量モニタ

簡易色測定用RGB 色情報を数値化し、PC 用データを出力

特長物体色情報を反射型で測定* 対物ファイバで微小エリアを測定 12ビットデジタル出力 PCとシリアル接続が可能 (RS-232C) ティーチング機能サンプルソフトウェア付属

用途不透明体 (塗装・印刷・化粧品など)の色監視／簡易色差検知

簡易色測定の教材

カラーセンサ評価用基板

特長カラーセンサ評価用の3 ch電流－電圧変換アンプを搭載

実装可能なカラーセンサ : S7505-01, S9032-02 (別売)

用途当社製カラーセンサの評価

Siフォトダイオード応用製品

41

型名対応センサ

C9004 当社製S4111-16シリーズ, S11212シリーズ (基板に直接実装が可能)

型名受光部サイズ(mm)


受光感度λ=λp

(mV/nW)変換インピーダンス

(V/A)

遮断周波数-3 dB(Hz)

電源電圧(V)

外形寸法W × D × H(mm)

C10439-01

Si

2.4 × 2.4

960

H: 500L: 5

H: 109L: 107

H: 10L: 1k

外部電源±5 ～ ±12

19 × 46 × 52

C10439-02 5.8 × 5.8C10439-03 10 × 10C10439-07 2.4 × 2.4

H: 0.5L: 0.005 H: 106

L: 104H: 1kL: 100k*1

C10439-08 5.8 × 5.8C10439-09 10 × 10C10439-10

InGaAsϕ1

1550 H: 1L: 0.01

19 × 50 × 52C10439-11 ϕ3

C10439-14 InAsSb 0.7 × 0.7 4100 H: 0.045*2

L: 0.0045*2H: 107L: 106

H: 100L: 1k

C10439-15Si 2.4 × 2.4 940 H: 0.45

L: 0.045 H: 106L: 105

H: 10kL: 100k*1

19 × 50 × 75InGaAs ϕ1 2300 H: 0.6

L: 0.06*1: 出力振幅 2 Vp-p時　　　*2: 受光部の全面を均一に照射

(Typ. Ta=25 °C)

(Typ. Ta=25 °C)

型名デジタル出力最小測定時間間隔(ms)

電源電圧(V)


C10475 RS-232C準拠(16-bit) 50

付属ACアダプタ (+12)または

乾電池 (+9)110 × 100 × 30

注) RS-232Cケーブルは付属していません。

Siフォトダイオードアレイ用駆動回路

フォトダイオードモジュール

フォトダイオードモジュール用信号処理ユニット

16 素子フォトダイオードアレイ用駆動回路

特長 16 chの各信号を同時に読み取ることによって高精度／高速測定が可能パルスジェネレータ搭載 (発振周波数は8段階に可変) CLK、START、A/D変換用Trig、EOSパルスを出力

ゲイン (変換インピーダンス)は1 × 106 V/A、1 × 107 V/Aの2段階に設定が可能付属ACアダプタ (+12 V)で動作

精密測光用 Si フォトダイオードと低ノイズアンプを内蔵C10439シリーズは、フォトダイオードとI/V変換アンプを一体化した高精度な光検出器です。

特長取り扱いが簡単アナログ電圧出力のため、電圧計などで信号を観測することができます。

受光感度は2レンジ切り替え検出する光量に応じた適切なレンジ選択を行うことで、高精度な出力が得られます。

小型名刺の1/2のサイズ (C10439-15：名刺サイズ)。光学マウント用ロッド (M4)に直接固定が可能です。

フォトダイオードモジュール (C10439シリーズ)専用ユニットフォトダイオードモジュールの出力をデジタル信号に変換します。また、フォトダイオードモジュールへ電源を供給します。

特長高分解能デジタル出力 (16-bit) データロガー機能内蔵

42

型名レンジ変換インピーダンス(V/A)


電源電圧(V)


C9329H 109 16 付属ACアダプタ (+12)

または乾電池 (+9)

115 × 90 × 40M 107 1600L 105 1600

(Typ. Ta=25 °C)

型名レンジ受光感度

λ=830 nm(mV/µW)

変換インピーダンス(V/A)

遮断周波数-3 dB(MHz)

電源電圧(V)


C6386-01H 30 105 1 外部電源 (±15)

または乾電池 (+9) × 2

115 × 90 × 40M 3 104 3L 0.3 103 10

(Typ. Ta=25 °C)

型名変換インピーダンス(V/A)

遮断周波数-3 dB(MHz)

電源電圧(V)


C8366103 100 外部電源 (±15) 19 × 52 × 46

C8366-01

(Typ. Ta=25 °C)

Siフォトダイオード応用製品

フォトセンサアンプ

フォトダイオード、BNC-BNCプラグ付同軸ケーブル、RS-232Cケーブルは別売

微弱光用デジタル出力機能付き、低ノイズ電流－電圧変換アンプ

特長検出感度は3レンジ切り替えアナログ出力・デジタル出力の動作モードを選択 PCとのシリアル接続が可能 (RS-232C) データロガー機能、ローバッテリー機能

光ファイバ付き光ファイバ対応光－電圧変換アンプ

特長取り扱いが簡単フォトダイオードを内蔵しており、出力に電圧計などを接続するだけで光検出を行うことができます。

受光部に光ファイバを使用検出点が狭い場所にあっても測定が可能です。検出点とアンプを離すことができるため、特殊な環境にも対応でき、ノイズ対策にもなります。

検出感度は3レンジ切り替え

高速タイプ電流－電圧変換アンプ

特長 C8366: 高速Si PINフォトダイオード用 C8366-01: 高速InGaAs PINフォトダイオード用

広帯域: DC～100 MHz typ. (-3 dB、フォトダイオ－ドの性能によって異なる) フォトダイオ－ドのピンを挿入するだけで使用可能 (TO-8・TO-5・TO-18に対応) 応答性の調整が可能調整用ボリュームにより、フォトダイオードの応答速度に合わせて調整できます。

小型

43

型名変換インピーダンス(V/A)


電源電圧(V)


C9051 108 16 付属ACアダプタ (+12) 50 × 50 × 19

(Typ. Ta=25 °C)

(Typ. Ta=25 °C)

型名増幅方式

入出力極性チャージゲインノイズ特性

(e-/FWHM)負帰還定数電源

(V)消費電力(mW)


H4083 電荷有感型反転 0.5 V/pC

22 mV/MeV (Si) 550 50 MΩ//2 pF ±12 150 24 × 19 × 4

チャージアンプ

小型基板タイプ微弱光用電流－電圧変換アンプ

特長組み込みが容易な小型基板タイプ端子間容量が大きなフォトダイオードまで接続が可能変換インピーダンス: 108 V/A

放射線・高エネルギー粒子検出用チャージアンプ H4083は、軟X線、低～高エネルギー γ 線分光など幅広い範囲に使用できるハイブリッド型の低ノイズアンプです。H4083の初段部は、低ノイズの接合型FETを用いており、接合容量の大きいフォトダイオードと組み合わせた際に優位性を発揮します。H4083は、当社製Si PlNフォトダイオード (S3590シリーズ・S3204シリーズなど)用に適しています。S3590シリーズについてはH4083の裏側に直接マウントできるため、浮遊容量の増加の心配がありません。

特長低ノイズ小型・軽量取り扱いが容易

用途核物理学などのX線／放射線／高エネルギー検出用

44

定数記号定数値単位電子の電荷 q 1.602 × 10-19 C真空中の光速 c 2.998 × 108 m/sプランク定数 h 6.626 × 10-34 J · sボルツマン定数 k 1.381 × 10-23 J/K室温の熱エネルギー kT 0.0259 (300 K) eV1 eVのエネルギー eV 1.602 × 10-19 J1 eVに対応する真空中の波長 - 1240 nm真空の誘電率 εo 8.854 × 10-12 F/mSiの比誘電率 εsi 約12 -Si酸化膜の比誘電率 εox 約4 -Siのバンドギャップエネルギー Eg 約1.12 (25 °C) eV

参考 ( 光や光半導体素子に関する物理定数 )

用語説明

分光感度特性入射光量と光電流の関係 (光電感度)は、入射光の波長によって異なります。この波長と光電感度との関係を分光感度特性といい、受光感度または量子効率で表します。

受光感度: S光電流をアンペア (A) [または出力電圧をボルト (V)]、入射光量をワット (W)で表したときの両者の比率。受光感度は、絶対感度 (単位: A/WまたはV/W)で示す場合と最大感度波長での感度を100として正規化した相対感度 (単位: %)で示す場合があります。当社は、最大感度に対し通常5%あるいは10%以上の感度をもつ波長の範囲を感度波長範囲と規定しています。

量子効率: QE光電流として取り出される電子あるいは正孔の数を入射フォトン数で割った値。通常、パーセントで表されます。量子効率 QEと受光感度 S (単位: A/W)は、ある波長 λ (単位: nm)において以下の関係にあります。

QE = × 100 [%]S × 1240λ

短絡電流: Isc負荷抵抗が0のときフォトダイオードを流れる出力電流。分光感度に対して白色光感度と呼ばれ、光源に分布温度 (色温度) 2856 Kの標準タングステンランプを使用します。当社では、照度 100 lxのときの短絡電流をカタログの特性表に示しています。

開放端電圧: Vocフォトダイオードの負荷抵抗が無限大のときの光起電圧。開放端電圧は光量に依存しますが、かなり弱い光以上ではほぼ一定の値となります。

暗電流: IDフォトダイオードに暗中で逆電圧を印加すると、わずかな電流が流れます。これを暗電流といいます。逆電圧を印加して使う場合 (PINフォトダイオードなど)では、暗電流に起因するノイズが支配的となります。

並列抵抗: Rshフォトダイオードにおける0 V付近での電圧−電流比。当社カタログでは次の式で並列抵抗を規定しています。このときの暗電流 (ID)は、逆電圧が10 mVのときの値です。

Rsh [Ω] = 0.01 [V]ID [A]

フォトダイオードに逆電圧を印加しない用途では、並列抵抗で発生するノイズが支配的となります。

端子間容量: Ctフォトダイオードは、PN接合により1個のコンデンサが形成されていると考えることができます。この容量を接合容量といい、応答速度を決める大切な値になります。オペアンプを用いたI/V変換回路では、接合容量はゲインピーキング現象の要因になる場合があります。当社では、接合容量にパッケージの浮遊容量を含めた端子間容量として規定しています。

上昇時間: tr上昇時間は、ステップ関数の光入力に対する立ち上がりの時間で規定し、出力が最高値 (定常値)の10%から90%になるまでの時間です。

遮断周波数: fc出力に変化のない周波数領域から3 dB減衰する周波数。遮断周波数 (fc)と上昇時間 (tr)の関係は、おおよそ以下の式で表されます。

tr [s] = 0.35fc [Hz]

NEP (Noise Equivalent Power: 雑音等価電力)雑音量に等しい入射光量、つまり信号対雑音比 (S/N)が1となる入射光量を示します。当社は最大感度波長 (λp)での値を規定しています。雑音量は、周波数帯域幅の平方根に比例するため、バンド幅を1 Hzで正規化します。

NEP [W/Hz1/2] =雑音電流 [A/Hz1/2]受光感度 [A/W] at λp

最大逆電圧: VR maxフォトダイオードに逆電圧を印加していくと、一定の電圧でブレークダウンを起こし、素子の特性が著しく劣化します。そのため、この電圧より低めのところに逆電圧の絶対最大定格 (瞬時でもこの値を超えてはならない値)を定めています。

45

① 紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認をすることを推奨します。

② 紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣化する場合があります。このためアパーチャなどを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。

紫外線照射時の注意

www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html

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Siフォトダイオード関連情報

弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用されることを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機器および防災・安全装置など)には使用しないでください。絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適切な警告・表示などを十分に実施してください。製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したことなど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ごとに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。なお、輸出関連法規に関する製品の該当／非該当については弊社営業にお問い合わせください。弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。

浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い

受光素子

光通信用デバイスミニ分光器

LED 光半導体モジュール

主な光半導体製品営業品目

APD

フォトIC

MPPC

赤外線検出素子イメージセンサ


本資料の記載内容は、令和2年3月現在のものです。製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。

Cat. No. KSPD0001J17 Mar. 2020 AS

仙台営業所筑波営業所東京営業所中部営業所大阪営業所西日本営業所

980-0021305-0817105-0001430-8587541-0052812-0013

仙台市青葉区中央3-2-1 (青葉通プラザ11階)茨城県つくば市研究学園5-12-10 (研究学園スクウェアビル7階)東京都港区虎ノ門3-8-21 (虎ノ門33森ビル5階)浜松市中区砂山町325-6 (日本生命浜松駅前ビル)大阪市中央区安土町2-3-13 (大阪国際ビル10階)福岡市博多区博多駅東1-13-6 (いちご博多イーストビル5階)

Tel: 022-267-0121 Fax: 022-267-0135Tel: 029-848-5080 Fax: 029-855-1135Tel: 03-3436-0491 Fax: 03-3433-6997Tel: 053-459-1112 Fax: 053-459-1114Tel: 06-6271-0441 Fax: 06-6271-0450Tel: 092-482-0390 Fax: 092-482-0550

Tel: 053-434-3311 Fax: 053-434-5184固体営業推進部 435-8558 浜松市東区市野町1126-1

Siフォトダイオード APD MPPC フォトIC イメージセンサ PSD（位置検出素子）赤外線検出素子 LED 光通信用デバイス車載用デバイス X線フラットパネルセンサミニ分光器光半導体モジュール

光半導体製品

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