G3VM- C F CR/ FR · 2020. 3. 26. · 2 G3VM- @C@/ @F @/ @CR/ @FR.04'&5æè S ðMù d 0120-919-066 hx Ú è ? é 055-982-5015 ¢ è é UTT b£{ 7. @ $ @ @ ' @ @ $ 3 @ ' 3 * % * 1 Ù

1 www.fa.omron.co.jp/最新の商品情報・便利な情報は

G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

CSM_G3VM-_C___F___CR__FR_DS_J_1_6

DIP

G3VM-@C@/@F@/@CR/@FRMOS FETリレー　DIP8ピン多極接点構成タイプ形

様々な回路に対応できるDIP8ピンパッケージ　多極接点構成のMOS FETリレー•接点構成 2a/2b/1a1b•負荷電圧 60V/350V/400V

■用途例

■種類

＊連続負荷電流（最大）、負荷電圧（最大）：ピークAC、DCを表わします。注1. テーピング包装（サーフェス・マウント端子タイプ）は、標準在庫機種ではありません。注2. テーピング包装（サーフェス・マウント端子タイプ）をご注文の際には、形式末尾に（TR）をお付けください。

RoHS適合

※マーキング内容は実際の製品と異なります。•通信機器•各種計測機器

■形状（単位 : mm, 平均値）

DIP8ピンプリント基板用端子

サーフェス・マウント端子

■形式基準

形状接点構成負荷電圧（最大）＊

連続負荷電流（最大）＊

梱包形態/スティック梱包形態/テーピング形式最小梱包

単位（個）形式最小梱包

単位（個）プリント基板用端子サーフェス・マウント端子サーフェス・マウント端子

DIP8

2a60V 500mA ◎形G3VM-62C1 ◎形G3VM-62F1

50

形G3VM-62F1(TR)

1,500350V120mA ◎形G3VM-352C 　形G3VM-352F 形G3VM-352F(TR)

2b 150mA 　形G3VM-354C 形G3VM-354F 形G3VM-354F(TR)1a1b

120mA　形G3VM-355CR 形G3VM-355FR 形G3VM-355FR(TR)

2a 400V 形G3VM-402C 　形G3VM-402F 形G3VM-402F(TR)

6.4

9.663.65

6.4

9.663.65

※マーキング内容は実際の製品と異なります。

G3VM-□□□□□―――――① ② ③ ④ ⑤

①負荷電圧6 : 60V35 : 350V40 : 400V

②接点構成2 : 2a（DPST-NO）4 : 2b（DPST-NC）5 : 1a1b（SPST-NO/SPST-NC）

③形状C : DIP8ピンプリント基板用端子

F : DIP8ピンサーフェス・マウント端子

④付加機能R : 低オン抵抗タイプ

⑤その他仕様が重複する場合は登録順に連番を追加しています

( )◎印の機種は標準在庫機種です。無印（受注生産機種）の納期についてはお取引き商社にお問い合わせください

2

G3VM-@C@/@F@/@CR/@FR MOS FETリレー

0120-919-066お問い合わせ 055-982-5015または直通電話（通話料がかかります。）

G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

DIP

■絶対最大定格（Ta＝25℃）

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

項目記号形G3VM-62C1形G3VM-62F1

形G3VM-352C形G3VM-352F


形G3VM-355CR形G3VM-355FR

形G3VM-402C形G3VM-402F 単位条件

入力側

LED順電流 IF 50 mA繰り返しピークLED順電流 IFP 1 A 100μsパルス、100pps直流順電流低減率 ΔIF/℃ －0.5 mA/℃ Ta≧25℃ LED逆電圧 VR 5 V 接合部温度 TJ 125 ℃

出力側

負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 60 350 400 V 連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 500 120 150 120 mA オン電流低減率 ΔIO/℃ －5 －1.2 －1.5 －1.2 mA/℃ Ta≧25℃ パルスオン電流 IOP 1,500 360 450 360 mA t=100ms、Duty=1/10接合部温度 TJ 125 ℃

入出力間耐電圧＊ VI-O 2,500 Vrms AC1分間使用周囲温度 Ta －40～+85 ℃

氷結・結露のないこと保管温度 Tstg －55～+125 ℃ はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s



G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

DIP

■電気的性能（Ta＝25℃）

＊1. 動作・復帰時間

＊2. b接点タイプの場合

■推奨動作条件推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

■絶縁構造寸法





形G3VM-402C形G3VM-402F 単位条件

入力側

LED順電圧 VF最小 1.0

V IF=10mA　標準 1.15最大 1.3

逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V端子間容量 CT 標準 30 pF V=0、f=1MHz

トリガLED順電流IFT（IFC）＊2

標準 1.6 1mA

形G3VM-62C1/62F1/352C/352F/402C/402F : IO=連続負荷電流定格値形G3VM-354C/354F : IOFF=10μA形G3VM-355CR/355FR : 1a : IO=120mA、1b : IOFF=10μA

最大 3

復帰LED順電流IFC

（IFT）＊2

最小 0.1 mA

形G3VM-62C1/62F1/352C/352F/402C/402F : IOFF=100μA形G3VM-354C/354F : IO=150mA形G3VM-355CR/355FR : 1a : IOFF=10μA、1b : IO=120mA

出力側

最大出力オン抵抗 RON

標準 1 35（25） 15 18

Ω

形G3VM-62C1/62F1/402C/402F/352C/352F : IF=5mA、IO=連続負荷電流定格値（）はt<1sにおける値です。形G3VM-354C/354F : IO=150mA形G3VM-355CR/355FR : 1a : IF=5mA、IO=120mA、1b : IF=0mA、IO=120mA

最大 2 50（35） 25 35

開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 μA

形G3VM-354C/354F : V=0、f=1MHz、IF=5mA形G3VM-355CR/355FR : 1a : V=0、f=1MHz1b : V=0、f=1MHz、IF=5mAその他V=0、f=1MHz

端子間容量 COFF 標準 130 30 85 65 40 pF V=0、f=1MHz入出力間容量 CI-O 標準 0.8 pF f=1MHz、VS=0V

入出力間容量絶縁抵抗 RI-O最小 1000

MΩ VI-O=500VDC、ROH≦60%標準 108

動作時間 tON標準 0.8 0.3 0.1 ―

ms IF＝5mA、RL＝200Ω、VDD＝20V ＊1

最大 2 1 1a : 1、1b : 1 1

復帰時間 tOFF標準 0.1 0.1 1 ―最大 0.5 1 3 1a : 1、1b : 3 1





形G3VM-402C形G3VM-402F 単位

負荷電圧（ピークAC/DC） VDD 最大 48 280 320 V

動作LED順電流 IF最小 5

mA標準 7.5 ― 7.5最大 25

連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 最大 500 100 150 120 100

動作温度 Ta 最小－20

℃最大 65

項目最小単位沿面距離 7.0

mm空間距離 7.0絶縁物厚 0.4

IF 1

2

8

7

RLVDDVOUT

IF 3

4

6

5

RLVDDVOUT

VOUT

IF

tON tOFF

10%90%VOUT

IF

tON tOFF

10%90%

a接点 b接点

4



G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

DIP

■参考データ●LED順電流－周囲温度 ●連続負荷電流－周囲温度 ●LED順電流－LED順電圧

●連続負荷電流－MOS FETオン電圧形G3VM-62C1/62F1 形G3VM-352C/352F/402C/402F

形G3VM-355CR/355FR　【1a接点側】形G3VM-354C/354F形G3VM-355CR/355FR　【1b接点側】

●出力オン抵抗－周囲温度形G3VM-62C1/62F1 形G3VM-352C/352F/402C/402F


●トリガLED順電流－周囲温度形G3VM-62C1/62F1 形G3VM-352C/352F/402C/402F


IF - Ta

周囲温度 (℃)

LED順電流

（mA）

-20-40 10080 60 40 0 200

10

20

30

40

50

60（最大値） IO - Ta

周囲温度 (℃)

連続負荷電流

（mA）

0

100

200

300

400

500G3VM-62C1/61F1

G3VM-354C/354F

G3VM-352C/352F/355CR/355FRG3VM-402C/402F

-20-40 10080 60 40 0 20

（最大値）

0.8

IF - VF

LED順電圧 (V)

ＬＥＤ順電流

（mA）

0.1

1

10

100Ta=25℃

1 1.2 1.4

（平均値）

-0.5 -0.4-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

IO - VON

MOS FETオン電圧 (V)

連続負荷電流

（mA）

-600-500-400-300-200-1000100200300400500600

Ta=25℃, IF=5mA

（平均値）

-4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4

IO - VON


連続負荷電流

（mA）

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200

G3VM-352C/352FG3VM-402C/402F

G3VM-355CR/355FR

Ta=25℃, IF=5mA

（平均値）

-3 -2 -1 0 1 2 3

IO - VON


連続負荷電流

（mA）

-200

-150

-100

-50

0

50

100

150

200G3VM-354C/354F

G3VM-355CR/355FR

Ta=25℃

（平均値）

RON - Ta 出力オン抵抗

（Ω）

周囲温度 (℃)

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

-20 10080 60 40 0 20

IO=500mA, IF=5mA

（平均値） RON - Ta 出力オン抵抗

（Ω）

周囲温度 (℃)-20 10080 60 40 0 200

10

20

30

40

G3VM-352C/352F

G3VM-402C/402FG3VM-355CR/355FR

IO=120mA, IF=5mA, t<1s

（平均値） RON - Ta 出力オン抵抗

（Ω）

周囲温度 (℃)-20 10080 60 40 0 200

10

20

30

40IO=連続負荷電流定格値, t<1s

（平均値）

IFT - Ta

周囲温度 (℃)

トリガＬＥＤ順電流

（mA）

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

-20 10080 60 40 0 20

IO=500mA, t<1s

（平均値） IFT - Ta

周囲温度 (℃)


（mA）

-20-40 10080 60 40 0 200

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2

G3VM-352C/352F

G3VM-355CR/355FR

G3VM-402C/402F

IO=120mA, t<1s

（平均値） IFT - Ta

周囲温度 (℃)


（mA）

-20-40 10080 60 40 0 200

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1.6

1.8

2IOFF=10μA

（平均値）



G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

DIP

■参考データ●動作、復帰時間－LED順電流形G3VM-62C1/62F1 形G3VM-352C/352F/402C/402F


●動作、復帰時間－周囲温度形G3VM-62C1/62F1 形G3VM-352C/352F/402C/402F


●開路時漏れ電流－周囲温度形G3VM-62C1/62F1/352C/352F/402C/402F形G3VM-355CR/355FR　【1a接点側】

形G3VM-354C/354F形G3VM-355CR/355FR　【1b接点側】

100101

tON, tOFF - IF

LED順電流 (mA)

動作、復帰時間

（μs）

10

100

1000

tON

tOFF

3000VDD=20VRL=200ΩTa=25℃

（平均値）

100101

tON, tOFF - IF

LED順電流 (mA)


（μs）

10

100

1000

tOFF

tON

3000

G3VM-352C/352F

（平均値）

G3VM-355CR/355FR

G3VM-402C/402F

tON

VDD=20VRL=200ΩTa=25℃

100101

tON, tOFF - IF

LED順電流 (mA)


（μs）

10

100

1000

tOFF

3000

tON

VDD=20VRL=200ΩTa=25℃

（平均値）

tON, tOFF - Ta動作、復帰時間

（μs）

周囲温度 (℃)

10

100

1000 tON

tOFF

2000VDD=20V, RL=200Ω, IF=5mA

-20 10080 60 40 0 20

（平均値） tON, tOFF - Ta動作、復帰時間

（μs）

周囲温度 (℃)-20-40 10080 60 40 0 20

10

100

1000

tOFF

tONtON

2000

G3VM-352C/352F

G3VM-355CR/355FR

G3VM-402C/402F

tOFF

VDD=20V, RL=200Ω, IF=5mA

（平均値） tON, tOFF - Ta動作、復帰時間

（μs）

周囲温度 (℃)-20-40 10080 60 40 0 20

10

100

1000

2000

tOFF

tON

VDD=20V, RL=200Ω, IF=5mA

（平均値）

0.1

1

10

100ILEAK - Ta

開路時漏れ電流

（nA）

周囲温度 (℃)-20 10080 60 40 0 20

G3VM-352C/352F

G3VM-355CR/355FR

G3VM-402C/402F

G3VM-62C/62F

VOFF=負荷電圧定格値

（平均値）

0.1

1

10

100ILEAK - Ta

開路時漏れ電流

（nA）

周囲温度 (℃)-20 10080 60 40 0 20

VOFF=350V, IF=5mA

（平均値）

6



G3VM

@C@/@F@/@CR/@FR

I

DIP

■外観/端子配置/内部接続図

■外形寸法（単位：mm）

DIP8ピン

■海外規格認証定格

■正しくお使いください•共通の注意事項は、「MOS FETリレー共通の注意事項」をご覧ください。

●外観 ●端子配置/内部接続図（TOP VIEW）

8 7 6 5

3 421

形G3VM-62C1/62F1/352C/352F/402C/402F 形G3VM-354C/354F

形G3VM-355CR/355FR（1b）（1a）8 7 6 5

3 421

8 7 6 5

3 421

DIP (Dual Inline Package)DIP (Dual Inline Package)DIP8ピン

OMRONロゴ

1ピンマーク形式表示（注２）

LOT.NO.932

モールド金型突き出しピン跡（注3）

注1. マーキング内容は実際の製品と異なります。注2. 製品の形式表示には「G3VM」を表示しておりません。注3. 1ピンマークの対角側はモールド金型突き出しピン跡が残る場合があります。

※マーキング内容は実際の製品と異なります。

プリント基板加工寸法（BOTTOM VIEW)

実装パッド寸法（推奨値）(TOP VIEW)

UL規格認証形形式規格極数または接点構成ファイルNo.

形G3VM-62C1形G3VM-62F1形G3VM-352C形G3VM-352F形G3VM-402C形G3VM-402F

UL認証品（Recognized）

2a（DPST-NO）

E80555

形G3VM-354C形G3VM-354F 2b（DPST-NC）

形G3VM-355CR形G3VM-355FR 1a1b（SPST-NO/SPST-NC）

9.66±0.25

6.4±0.25

2.54±0.25

1.2±0.150.5±0.1

0.8±0.257.62±0.25

7.85～8.80

3.65＋0.15－0.25

0.25＋0.1－0.05

2.5以上

プリント基板用端子質量：0.54g

9.66±0.25

6.4±0.25

2.54±0.25

1.2±0.15

7.62±0.25

10.0以下1.0以上

1.0以上

3.65＋0.15－0.25 4.0＋0.25－0.2

サーフェス・マウント端子質量：0.54g 8-φ0.8穴

2.54

2.54（0.61）

（1.52）（1.52）（0.61）

8.3～8.8

2.54

1.51.3

EN/IEC規格BSI認証形形式規格極数または接点構成ファイルNo.


EN62368-1（BSI認証）（Certified）

2a（DPST-NO） VC669156

Documents

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