GÜNEŞ PİLLERİ göksu

8/7/2019 GNE PLLER gksu

1/25

GNE PLLER - FOTOVOLTAK PLLERFotovoltaik etki silisyum gibi yar

iletken maddelerin ierisinde oluturulur.Gne pilleri(fotopiller) ikili yar iletkenkatmanlardan oluurlar(P-n katmanlar)

Bu katmanlarn bir arada kullanlmalark etkisiyle katmanlardan birindenelektron koparlmasn salar. Kopanelektron pozitif olan dier katmantarafndan ekilir. Elektronlarn buekilde hareket etmeleri hareket etmeleri

bir elektrik akmn oluturur.

Oluan elektrik akm eitli iletkenler yardmyla kullanlacablgelere tanr. Gne pillerinde oluan elektrik akmnn iddetiyzeyin sourduu gne iddetiyle doru orantldr. Gne

pilleri tek tek kullanlabilecei gibi birletirilip panel halinde dekullanma sunulabilmektedir.

Fotopiller aslnda bir zorunluluktandomutur. Uzaya gnderilen uydularnenerji ihtiyalarn karlayabilme sorunugne pillerinin bulunmasyla almtr.1950'li yllar bu teknolojinin ilk rnekleriningrld yllardr. Ancak gne pillerininuzay teknolojileri dnda ticari acdankullanlmaya balanmas 1975 yllarna denkgelir.

Isl teknolojilere gre daha duragan, greceaz karmak olan gne pilleri yaygnlk

bakmndan sl teknolojilerin gerisindedir.Bunun sebebi gne pillerinde verim orannn%15-20'leri geememesidir. Ayrca ok inceve hassas yapda olmalar sebebiyleretimleri, teknoloji ve maliyetler asndanistenilen dzeyde deildir. Buna ramendnya genelinde gne pili retimi ve satgn getike artmaktadr.

Gne pilleri balangta daha ok dk akm idetlerine ihtiya duyan hesap makinesi,

radyo, saat gibi elektronik aralarda kullanlmaya baland. Bunun yannda yine uydulardaolduu gibi zorunlu alanlarda da kullanldlar; Orman gzetleme kuleleri trafik klar, denizfenerleri, elektrik ebekesinden uzakta bulunan kk yerleim birimleri bu teknolojininkullanlabilecei alanlardan bazlardr. Buna raman teknolojinin ilerlemesi her alandaolduu gibi fiyatlarn ucuzlamasn dourmutur. Bu nedenle evlerde gne pillerininkullanm gn getikce artmaktadr. Henz sahip olurken yksek bir cret demek gerekiyorolsa da firmalarn bu rnler iin 25 yl garanti vermesi, neredeyse hi bakma ihtiyaduymamalar kullanclarn karna sonu vermektedir.Elektronik cihazlarda kullanlmasnn haricinde gnmzde gne pilleri olduka yaygn birkullanm alanna sahip olmutur. Blgesel aydnlatmalarda ve zellikle trafik ikazlambalarnda neredeyse hergn karlatmz bir rn olmutur.Tm bu gelimelere karn
http://www.alternaturk.org/image/fotoselB.jpg


2/25

gne pillerinin yaygnlnn istenilen seviyeye ulat sylemenin imkan yoktur.Gnmzde yaygn olarak kullanlan gne pillerinin ou silisyum dioksit (SiO2) ve incefilm teknolojisine dayanmaktadr. Silisyum dioksit retimi heryl art gsterse de zellikleelektronik alannda bu maddeye duyulan ihtiya pazar fiyatnn dmesini engellemektedir.Bu da gne pili fiyatlarnn belli seviyenin altna dmesini engellemektedir. Firmalar bu

dezavantaj yenmek iin eitli yntemler zerine durmaktadrlar.Bunlardan ilki gne pillerindeki verim orann yksekterek watt bana maliyeti drmealmalar geliyor. Gnmzdeki gne pilleri enfazla %20'lerde verimle alyorlar ve watt

bana maliyet 1YTL civarnda bulunuyor(2008)Dier bir yntem ise organik boyar maddeli, organik polimer kkenli gne pilleri zerindeyapln almalar kapsamaktadr. Bu sayede dk malietlerde gne pili retiminin mmknolaca dnlmektedir.lkemzde de bu konuda deneysek almalar yaplmaktadr. Ege niversitesi Gne EnerjisiEnstitsnde %2,5 verimle alan organik boyar maddeli piller retilmitir. Enstitde

kullanlabilir zelliklerde baka gne pilleri de retilmektedir.

GNE PLNN EVDE KULLANIMI

Gne pilleri her nekadar yksek verimle almasa da belirli bir maliyeti gzealarak evlere bu sistemi kullanarak enerji ihtiyacmz karlamamzmmkndr. Bilindii gibi gne pilinden gelen elektriin elektrikli aletlereulatrlmas srasnda voltaj farkllklar grllebilir. Bunu nlemek iin arjkontrol niteleri kullanlr Gne enerjisinin elektrik enerjisi olarak depoedildii bataryayla elektrikli aletler arasnda bu sarj kontrol niteleri bulunur.

DC-AC DNTRCLER(INVERTER)Elektrikli alerlerimizin neredeyse hepsi alternatif akmla(AC) alr fakatgne pilleri doru akm(DC) retir. Bu dnm salayan alet DC- ACdntrclerdir. Aslnda gne pilleri enerji ihtiyacn tam karlayamaddurumlarda ehir ebekesinden de enerji salanr. Dntrcler ebekeyleuyumluluun salanmasnda da kullanlr.

GNE PL TARH


3/25

Gne pilleri yeni bir teknolojiolarak kabul edilse bile tarihselgeliimi 1800'l yllara kadaruzanmaktadr.1839'da Paris Doal Tarih

Mzesinde uygulamal fizikprofesr Alexander EdmondBecquerel platin tabakalar zerindeyapt bilimsel almalar srasndailk fotovoltaik etkiyi saptad.Alexander Edmond Becquerel 1820- 1891 yllar arasnda yaad(yanda)Becquerel'n yapt almalarnnda 1873'te Willoughby Smithilk basit gne pilini retmeyi

baard. Yanda Willoughby Smith'inizimlerini yapt pili gryorsunuz

Willoughby Smith1828 - 1891

Televizyonun icadyla daha okismini duyurmu olan WilloughbySmith'in almalarn 1877'de W.G.Adams ve R.E. Day simli biliminsanlar srdrd. Bu ikilininyapt almalarda kat maddelerin

de fotovoltaik etki oluturabildiikantlanm oluyordu.1883'te Charles Fritts selenyumkullanarak ilk ciddi gne piliniyapm oldu. Bu pilin verimi ancakyzde 1 dolaylarndayd.

Heinrich Hertz1857 - 1894

1887 'de Heinrich Rudolf Hertz mortesi nn fotovoltaik etki zerinde yansmalarnaratrd. 1094 ylnda Albert Einstein gne etkisiyle elektrik akm oluumuna ynelik

bir makale yaynlad. Ayn yl Wilhelm Hallwachs bakr ve bakr oksit bazl bir gnepili denemesinde bulundu.


4/25

Gerald L.Pearson

1905-1986

Audobert ve Stora 1932 ylnda Cadmium-Selenide (CdS) kullararak uzun bir srekullanlacak olan fotovoltaik bir yntem kefetmi oldu. 1954'de Pearson ve FullerSilisyum (silikon)'un fotovoltaik etkisini kefettiler. Bylece % 5 verimli bir gne pili

retmeyi baardlar. 1957 ylna gelindiinde Pearson ve arkadalarnn almalarnmeyvelerini verdi ve gne pilindeki verim % 8'lere kadar ulat.

Vanguard IUydusu

1858'de Vanguard I isimli uzay aracnda ilk defa bir gne pili kullanld. Bu gne pili% 9 verimle alyordu ve 100 santimetrekareye 0.1W g retiyordu.

Yenilenebilir

EnerjiLaboratuar -ABD

1961'de Brlemi Milletler solar EnerjiKonferans dzenlendi1967 ylnda Gne pilleri Soyuz I uydusunaenerji salamak iin kulanld.

1980 de Delaware niversitesinde %10verim elde edebilen Cu2S/CdS teknolojilerigelitirildi.

Dnyadaki toplam gne pili kurulu gc 1999 ylnda 1000 megavat seviyesine ulat.2005 ylnda polikristal silikon kullanlarak yaplan gne pillerinde byk gelimeler elde

edildi.

Gne Pili Yapm Malzemeleri


5/25

Tek kristalli silisyum gne pilleri Laboratuarkoullarnda %24 verim salamasna ramen ticari rnlerde verim %15civarndadr. Tekli kristaller retmek uzun ve pahal bir yntem olduu iin buyntem genellikle fazla tercih edilmemektedir.Silisyum elektriksel ve optik zelliklerini uzun sre koruyabilmektedir. Bu daSlisyumu gne pilleri iin uygun bir malzeme haline getirmitir.

ok kristalli silisyum gne pilleri

ok kristalli silisyum gne pillerinin retimi dahayoundur. Bunun balca nedeni poli kristal retiminin grece kolay ve ucuzolmasdr. Erimi yar iletken silisyum kalplara dklr ve soutulur. Sonrasndakare eklinde kesilirler. 1950'lerden beri gvenle kullanlan bu yntem verimolarak tek kristallilere oranla daha dktr. (%14)

Amorf silisyum gne pilleri

Kristal yapl deildir. Bu silisyum piller ticarirnlerde % 5 - 7 verimle almaktadrlar. Daha ok kk elektronik aletlerdekullanlmaktadr. Gelecekte binalarn d cephesine entegre olarak

kullanlabilecei tahmin edilmektedir.


6/25

Bakr ndiyum ok kristalli gne pilleri

Genellikle ince film eklinde yapya sahiptirler. Bakrve indiyumla beraber galyum elementi de katlarak daha verimli rnleroluturulmaktadr (yandaki resim)Laboratuar artlarnda %18 verim salanmasna ramen standart artlarda %10verimde almaktadr.

Katmiyum tellr gne pilleri

retimi kolay bir yntemdir. zellikle byk panelleriin uygun bir trdr. Teknolojinin yaygnlamasnn gne pili maliyetini okaalara ekecei tahmin edilmektedir. Deneysel almalarda %16'lara ulaanverimleri ticari rnlerde %7 seviyelerindedir.

GNE PLLER( FOTOVOLTAK PLLER )

Gne pilleri (fotovoltaik piller), yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntrenyariletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen gne pillerinin alanlargenellikle 100 cm civarnda, kalnlklar ise 0,2-0,4 mm arasndadr.

Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerlerine k dt zaman ularnda elektrik

gerilimi oluur. Pilin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelen gne enerjisidir.(Gne pillerinin

yaps ve almas)
http://www.eie.gov.tr/turkce/yek/gunes/pvilke.htmlhttp://www.eie.gov.tr/turkce/yek/gunes/pvilke.htmlhttp://www.eie.gov.tr/turkce/yek/gunes/pvilke.htmlhttp://www.eie.gov.tr/turkce/yek/gunes/pvilke.html


7/25

Gne enerjisi, gne pilinin yapsna bal olarak % 5 ile % 20 arasnda bir verimle elektrik enerjisineevrilebilir.

G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak bir yzey zerinemonte edilir, bu yapya gne pili modl ya da fotovoltaik modl ad verilir. G talebine bal olarak modllerbirbirlerine seri ya da paralel balanarak bir ka Watt'tan megaWatt'lara kadar sistem oluturulur.

Gne Pillerinin Yapmnda Kullanlan Malzemeler

Gne pilleri pek ok farkl maddeden yararlanarak retilebilir. Gnmzde en ok kullanlan maddelerunlardr:

Kristal Silisyum: nce bytlp daha sonra 200 mikron kalnlkta ince tabakalar halinde dilimlenen TekkristalSilisyum bloklardan retilen gne pillerinde laboratuvar artlarnda %24, ticari modllerde ise %15'in zerindeverim elde edilmektedir. Dkme silisyum bloklardan dilimlenerek elde edilen okkristal Silisyum gne pilleri isedaha ucuza retilmekte, ancak verim de daha dk olmaktadr. Verim, laboratuvar artlarnda %18, ticarimodllerde ise %14 civarndadr.

Galyum Arsenit (GaAs): Bu malzemeyle laboratuvar artlarnda %25 ve %28 (optik younlatrcl) verimelde edilmektedir. Dier yariletkenlerle birlikte oluturulan ok eklemli GaAs pillerde %30 verim elde edilmitir.GaAs gne pilleri uzay uygulamalarnda ve optik younlatrcl sistemlerde kullanlmaktadr.

nce Film:

Amorf Silisyum: Kristal yap zellii gstermeyen bu Si pillerden elde edilen verim %10 dolaynda, ticarimodllerde ise %5-7 mertebesindedir. Gnmzde daha ok kk elektronik cihazlarn g kayna olarakkullanlan amorf silisyum gne pilinin bir baka nemli uygulama sahasnn, binalara entegre yarsaydam camyzeyler olarak, bina d koruyucusu ve enerji reteci olarak kullanlabilecei tahmin edilmektedir.

Kadmiyum Tellrid (CdTe): okkristal yapda bir malzeme olan CdTe ile gne pili maliyetinin ok aalaraekilecei tahmin edilmektedir. Laboratuvar tipi kk hcrelerde %16, ticari tip modllerde ise %7 civarndaverim elde edilmektedir.

Bakr ndiyum Diselenid (CuInSe2): Bu okkristal pilde laboratuvar artlarnda %17,7 ve enerji retimiamal gelitirilmi olan prototip bir modlde ise %10,2 verim elde edilmitir.

Optik Younlatrcl Hcreler: Gelen 10-500 kat oranlarda younlatran mercekli veya yanstclaralarla modl verimi %17'nin, pil verimi ise %30'un zerine klabilmektedir. Younlatrclar basit ve ucuzplastik malzemeden yaplmaktadr.

Son Yllarda zerinde allan Gne Pilleri:

Ticari ortama girmi olan geleneksel Si gne pillerinin yerini alabilecek verimleri ayn amaretim teknolojileri daha kolay ve daha ucuz olan gne pilleri zerinde de son yllardaalmalar younlatrlmtr.

Bunlar; fotoelektrokimyasal ok kristalli Titanyum Dioksit piller, polimer yapl Plastik pillerve gne spektrumunun eitli dalgaboylarna uyum salayacak ekilde retilebilen enerji

band aralna sahip Kuantum gne pilleri gibi yeni teknolojilerdir.Gne Pili Sistemleri

Gne pilleri, elektrik enerjisinin gerekli olduu her uygulamada kullanlabilir. Gne pili modlleri uygulamayabal olarak, akmlatrler, invertrler, ak arj denetim aygtlar ve eitli elektronik destek devreleri ilebirlikte kullanlarak bir gnes pili sistemi (fotovoltaik sistem) olutururlar. Bu sistemler, zellikle yerleimyerlerinden uzak, elektrik ebekesi olmayan yrelerde, jeneratre yakt tamann zor ve pahal olduudurumlarda kullanlrlar. Bunun dnda dizel jeneratrler ya da baka g sistemleri ile birlikte karma olarakkullanlmalar da mmkndr.

Bu sistemlerde yeterli sayda gne pili modl, enerji kayna olarak kullanlr. Gnein yetersiz olduuzamanlarda ya da zellikle gece sresince kullanlmak zere genellikle sistemde akmlatr bulundurulur.Gne pili modlleri gn boyunca elektrik enerjisi reterek bunu akmlatrde depolar, yke gerekli olan enerjiakmlatrden alnr. Aknn ar arj ve dearj olarak zarar grmesini engellemek iin kullanlan denetimbirimi ise aknn durumuna gre, ya gne pillerinden gelen akm ya da ykn ektii akm keser. ebekeuyumlu alternatif akm elektriinin gerekli olduu uygulamalarda, sisteme bir invertr eklenerek akmlatrdekiDC gerilim, 220 V, 50 Hz.lik sins dalgasna dntrlr. Benzer ekilde, uygulamann ekline gre eitlidestek elektronik devreler sisteme katlabilir. Baz sistemlerde, gne pillerinin maksimum g noktasndaalmasn salayan maksimum g noktas izleyici cihaz bulunur. Aada ebekeden bamsz bir gne pilienerji sisteminin emas verilmektedir.


8/25


9/25

eksiklii oluur, bu elektron yokluuna hol ya da boluk denir ve pozitif yk tadvarsaylr. Bu tr maddelere de "p tipi" ya da "alc" katk maddeleri denir.

P ve N tipi katklandrlm malzemeler bir araya getirildiinde yariletken eklemleroluturulur. N tipi yariletkende elektronlar, p tipi yariletkende holler ounluk taycsdr.P ve N tipi yariletkenler biraraya gelmeden nce, her iki madde de elektriksel bakmdan

ntrdr. Yani P tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol saylar eit, n tipinde pozitif enerjiseviyeleri ile elektron saylar eittir. PN eklem olutuunda, N tipindeki ounluk taycsolan elektronlar, P tipine doru akm olutururlar. Bu olay her iki tarafta da yk dengesioluana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yzeyinde, yani eklem blgesinde, P blgesitarafnda negatif, N blgesi tarafnda pozitif yk birikir. Bu eklem blgesine "gei blgesi"ya da "ykten arndrlm blge" denir. Bu blgede oluan elektrik alan "yapsal elektrik alan(Ey)" olarak adlandrlr. Aada PN eklemin olumas ematize edilmitir.

Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem blgesinde fotovoltaik dnmn

salanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur, ilk olarak, eklem blgesine kdrlerek elektron-hol iftleri oluturulur, ikinci olarak ise, bunlar blgedeki elektrik alanyardmyla birbirlerinden ayrlr.

Yariletkenler, bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bubandlar valans band ve iletkenlik band adn alrlar. Bu yasak enerji aralna eit veya dahabyk enerjili bir foton, yariletken tarafndan sourulduu zaman, enerjisini valans banddakibir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece, elektron-holifti oluur. Bu olay, pn eklem gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmi ise elektron-holiftleri buradaki elektrik alan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili,elektronlar n blgesine, holleri de p blgesine iten bir pompa gibi alr. Birbirlerindenayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sreyeniden bir fotonun pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yariletkenin iksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri oluturulmaktadr. Fakat gerekli

elektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar.


10/25

Gne pili (ngilizce: solar cell) dorudan elektrik akmnadntren (fotovoltaik) bir aratr. Yar iletken bir diyot olarak alangne pili, gne nn tad enerjiyi i fotoelektrik reaksiyondanfaydalanarak dorudan elektrik enerjisine dntrr.

Tanm

ngilizce "photovoltaic" olan fotovoltaik piller, Trke'ye gne pillerieklinde gemi olsa da bir pil gibi almamaktadr. Bildiiniz zerepiller depolanan kimyasal enerjiyi elektrik enerjisine dntrr oysagne hcreleri veya gne gzeleri diye tabir edebileceimizfotovoltaik piller Gne'den yararlanr. Gne'in yayd radyasyon fotondenen paracklarla hareket eder yani yaylr. Foton denen paracklarenerji tarlar ve k hznda hareket ederler.Gne hcrelerininbildiimiz pillerden en byk farklarndan biri daha uzun mrlolmalar. Bir gne hcresi yaklak 20-25 yl mre sahiptir.Gnehcreleri yariletken malzemelerden oluur. Bu malzemeler kristal veya

ince film halinde silikon olurken ince film halinde germanyum gibimalzemelerde kullanlmaktadr. zellikle kristal slikonlarkullanlmaktadr ve bunun sebebi daha ucuz imal edilmesidir.

Trkiye Cumhuriyetinde 5346 No.lu kanunun [1] kabulunden sonrayenilenebilir enerjilere daha ok nem kazanmtr. Belgeli yenilenebilirenerji reticilere sat garantisi veren bu kanunun benzerleri, eitliAvrupa Birlii lkelerinde de uygulanmaktadr.

almas baktabul

Gne ndaki elektromanyetik dalgalar, elektronlar yar iletkenmetalik bir yonga plakasnn bir katmanndan bir dier katmannahareket ettiren enerjiyi salar. Elektronlarn bu hareketi bir akmyaratr. ki tr gne hcresi kullanlmaktadr: silikon ve galliumarsenid. Uydular gallium arsenidi kullanrlarken silikonlar ise genellikleyerkredeki uygulamalarda kullanlmaktadr.

Pilin st tabakalar yansmay nleyici kaplama ve korumalardan oluur.Gne hcreleri son derece krlgan olduklarndan byle bir korumaatlama ve krlmalar nlemek asndan gereklidir. Aksi halde pilinalmas sekteye urar ve buda enerji kaybna sebep olur. Ik bu

katmanlara nfuz ettiinde silikon veya gallium arsenid'e arpar. P ve Ntabakalar arasndaki blmlerin farkllklar sebebiyle gneten gelenenerji bunlara arptnda elektronlarn P tabakasndan N tabakasnaak salanm olur. P ve N tabakalar arasna tel ekilmek suretiylegne hcresi art ve eksi kutuplara sahip bir pil halini alr ve byleliklebir araca g salamak iin kullanlabilir. Depolama zellii gsterenaralarda piyasada bulunabilen yerkre baznda kullanlan silikon pillerkullanlr. Tek tek saysz piller (bine yakn) Gne Panelini oluturmakiin bir araya getirilir. Kullanlan motora bal olarak bu paneller 50 ila200 volt arasnda iler ve 2000 watt a kadar g salayabilirler. Gnenn younluu, havann bulutu olmas ve hava scakl gnepanelinin rettii gc etkiler. Dier tip gne arabalarnda ise

herhangi bir tip gne hcresi kullanlabilir. Bu esneklik sebebiyle birok gne arabas takm uzayda kullanlan gallium arsenid gne
http://www.baktabul.net/http://www.baktabul.net/


11/25

hcrelerini kullanrlar. Bu piller geleneksel silikon pillere oranlagenellikle daha ufak ve ok daha pahaldrlar. Ancak bunlardan ok dahaverimlidirler. Bu iki pil arasndaki g fark 1000 watt a kadarkabilirken maliyet en az 10 kat daha fazladr.

Gne pilleri ile enerji kazanm iin nelere dikkat ekmek gerekir?

Gne pili alan ve pilin kalitesi,

In pile vurduu a > 90 asnda vuran foton (k) cereyan kazanm iin enverimlisidir,

Havann nem oran > Dk nem oran enerji kazanm iin daha verimlidir,

Gne pilinin kurulduu corafi konum

Gne Pilleri nasl alr?

Ali Salam tarafndan yazld.Cuma, 19 Eyll 2008 07:59

Snrsz temiz enerji kaynaklar olarak nce gne enerjisi aklmza gelir.Gne enerjisini kullanabilmek iin gne n sya veya elektrie dntrmemizgerekiyor. Gne nn enerjisini kullanabilmek iin iki seenek vardr.

Gne ndan kazanlan enerji s veya elektriktir. Is gne kollektrleri ile kazanlr vegenelde scak su kazanm iin kullanlnr. Elektrik kazanm iin gne pilleri gerekmektedir.

Elektrik kazanm nasl gerekleiyor?

Gne pilleri ( Fotovoltaik piller), yzeylerine gelen gne n dorudan elektriedntren yariletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilengne pillerinin alanlar genellikle 1m2 civarnda, kalnlklar ise 0,2-0,4 mm arasndadr.

Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerlerine k dt zaman

ularnda elektrik gerilimi oluur. Pilin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelengne enerjisidir.

Gne enerjisi, gne pilinin yapsna bal olarak % 5 ile % 20 arasnda bir verimle elektrikenerjisine evrilebilir.

G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak biryzey zerine monte edilir, bu yapya gne pili modl ya da fotovoltaik modl ad verilir.G talebine bal olarak modller birbirlerine seri ya da paralel balanarak bir ka Watt'tanmegaWatt'lara kadar sistem oluturulur.

Gne pilleri ile enerji kazanm iin nelere dikkat ekmek gerekir? Gne pili alan ve pilin kalitesi,


12/25

In pile vurduu a > 90 asnda vuran foton (k) cereyan kazanm iin enverimlisidir,

Havann nem oran > Dk nem oran enerji kazanm iin daha verimlidir,

Gne pilinin kurulduu corafi konum

Gne Pillerin Yaps ve almas

Yar-iletken maddelerin gne pili olarakkullanlabilmeleri iin n ya da p tipi katklanmalar gereklidir. Katklama, saf yar-iletkeneriyik ierisine istenilen katk maddelerinin kontroll olarak eklenmesiyle yaplr. Elde edilenyar-iletkenin n ya da p tipi olmas katk maddesine baldr.

Yar-iletken madde olarak ok kristalli silisyum kullanlr. P ve n tipi yar-iletkenler biraraya

gelmeden nce, her iki madde de elektriksel bakmdan ntrdr ve elektrik akm olumaz.PN eklem olutuunda, n tipindeki ounluk taycs olan elektronlar, p tipine doru akmolutururlar. Bu olay her iki tarafta da yk dengesi oluana kadar devam eder ve elektrik akmoluur.

Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem blgesinde fotovoltaik dnmnsalanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur, ilk olarak, eklem blgesine k drlerekelektron-hol iftleri oluturulur, ikinci olarak ise, bunlar blgedeki elektrik alan yardmyla

birbirlerinden ayrlr.

Gne Pili Sistemi

Gne pili sistemlerin kurumu ve ilev hale getirilmesi ok kolaydr.

Gne pilinin rettii cereyan denetim birimi tarafndan geree gre ya akumulatrlereynlendirilir ve enerjiyi orada depolar yada dorudan kullanma brakr. Denetim birimi gne

pili sisteminin beynidir. Geceleri veya gnesiz zamanlarda kullanm birimi elektrii dorudanakumulatrlerden alr. Burada kullanlan akumulatrlerin kapasitesi nemlidir.

ebeke uyumlu alternatif akm elektriinin gerekli olduu uygulamalarda, sisteme bir invertreklenerek akmlatrdeki DC gerilim, 220 V, 50 Hz'lik sins dalgasna dntrlr.

Benzer ekilde, uygulamann ekline gre eitli destek elektronik devreler sisteme katlabilir.Baz sistemlerde, gne pillerinin maksimum g noktasnda almasn salayan maksimum


13/25

g noktas izleyici cihaz bulunur.

Gne Pili Kullanm Alanlar

Gne pili sistemlerinin ebekeden bamsz (stand-alone) olarak kullanld tipik uygulama

alanlar aada sralanmtr. Bina ii ya da d aydnlatma

Da evleri ya da yerleim yerlerinden uzaktaki evlerde TV, radyo, buzdolab gibielektrikli aygtlarn altrlmas

Tarmsal sulama ya da ev kullanm amacyla su pompaj

Orman gzetleme kuleleri

lkyardm, alarm ve gvenlik sistemleri

Deprem ve hava gzlem istasyonlar

Gne Pilleri ( Fotovoltaik Piller )Kategoriler:

Elektronik Elemanlar

Gne

Gne pilleri (fotovoltaik piller), yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisinedntren yariletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen

gne pillerinin alanlar genellikle 100 cm civarnda, kalnlklar ise 0,2-0,4 mm arasndadr...Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerlerine k dt zamanularnda elektrik gerilimi oluur. Pilin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelengne enerjisidir. (Gne pillerinin yaps ve almas)

Gne enerjisi, gne pilinin yapsna bal olarak % 5 ile % 20 arasnda bir verimle elektrikenerjisine evrilebilir.

G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak biryzey zerine monte edilir, bu yapya gne pili modl ya da fotovoltaik modl ad verilir.G talebine bal olarak modller birbirlerine seri ya da paralel balanarak bir ka Watt'tanmegaWatt'lara kadar sistem oluturulur.

Gne Pillerinin Yaps

Gnmz elektronik rnlerinde kullanlan transistrler, dorultucu diyotlar gibi gne pilleride, yar-iletken maddelerden yaplrlar. Yar-iletken zellik gsteren birok madde arasndagne pili yapmak iin en elverili olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellr gibimaddelerdir.

Yar-iletken maddelerin gne pili olarak kullanlabilmeleri iin n ya da p tipi katklanmalargereklidir. Katklama, saf yariletken eriyik ierisine istenilen katk maddelerinin kontrollolarak eklenmesiyle yaplr. Elde edilen yar-iletkenin n ya da p tipi olmas katk maddesine

baldr. En yaygn gne pili maddesi olarak kullanlan silisyumdan n tipi silisyum eldeetmek iin silisyum eriyiine periyodik cetvelin 5. grubundan bir element, rnein fosfor

eklenir. Silisyum'un d yrngesinde 4, fosforun d yrngesinde 5 elektron olduu iin,
http://www.elektrik.gen.tr/kategori/d%C3%B6k%C3%BCman/elektronik/elektronik-elemanlarhttp://www.elektrik.gen.tr/kategori/d%C3%B6k%C3%BCman/enerji/yenilenebilir-enerji-kaynaklar%C4%B1/g%C3%BCne%C5%9Fhttp://www.elektrik.gen.tr/kategori/d%C3%B6k%C3%BCman/elektronik/elektronik-elemanlarhttp://www.elektrik.gen.tr/kategori/d%C3%B6k%C3%BCman/enerji/yenilenebilir-enerji-kaynaklar%C4%B1/g%C3%BCne%C5%9F


14/25

fosforun fazla olan tek elektronu kristal yapya bir elektron verir. Bu nedenle V. grupelementlerine "verici" ya da "n tipi" katk maddesi denir.

P tipi silisyum elde etmek iin ise, eriyie 3. gruptan bir element (alminyum, indiyum, borgibi) eklenir. Bu elementlerin son yrngesinde 3 elektron olduu iin kristalde bir elektroneksiklii oluur, bu elektron yokluuna hol ya da boluk denir ve pozitif yk tad

varsaylr. Bu tr maddelere de "p tipi" ya da "alc" katk maddeleri denir.P ya da n tipi ana malzemenin ierisine gerekli katk maddelerinin katlmas ile yariletkeneklemler oluturulur. N tipi yariletkende elektronlar, p tipi yariletkende holler ounluktaycsdr. P ve n tipi yariletkenler biraraya gelmeden nce, her iki madde de elektriksel

bakmdan ntrdr. Yani p tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol saylar eit, n tipinde pozitifenerji seviyeleri ile elektron saylar eittir. PN eklem olutuunda, n tipindeki ounluktaycs olan elektronlar, p tipine doru akm olutururlar. Bu olay her iki tarafta da ykdengesi oluana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yzeyinde, yani eklem blgesinde, P

blgesi tarafnda negatif, N blgesi tarafnda pozitif yk birikir. Bu eklem blgesine "geiblgesi" ya da "ykten arndrlm blge" denir. Bu blgede oluan elektrik alan "yapsalelektrik alan" olarak adlandrlr. Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem

blgesinde fotovoltaik dnmn salanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur, ilkolarak, eklem blgesine k drlerek elektron-hol iftleri oluturulur, ikinci olarak ise,

bunlar blgedeki elektrik alan yardmyla birbirlerinden ayrlr.

Yariletkenler, bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bubandlar valans band ve iletkenlik band adn alrlar. Bu yasak enerji aralna eit veya dahabyk enerjili bir foton, yariletken tarafndan sourulduu zaman, enerjisini valans banddakibir elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece, elektron-holifti oluur. Bu olay, pn eklem gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmi ise elektron-holiftleri buradaki elektrik alan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili,elektronlar n blgesine, holleri de p blgesine iten bir pompa gibi alr. Birbirlerindenayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sreyeniden bir fotonun pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yariletkenin iksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri oluturulmaktadr. Fakat gereklielektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar.

Gne pilleri pek ok farkl maddeden yararlanarak retilebilir. Gnmzde en ok kullanlanmaddeler unlardr:

Kristal Silisyum: nce bytlp daha sonra 200 mikron kalnlkta ince tabakalar halindedilimlenen Tekkristal Silisyum bloklardan retilen gne pillerinde laboratuvar artlarnda%24, ticari modllerde ise %15'in zerinde verim elde edilmektedir. Dkme silisyum

bloklardan dilimlenerek elde edilen okkristal Silisyum gne pilleri ise daha ucuzaretilmekte, ancak verim de daha dk olmaktadr. Verim, laboratuvar artlarnda %18, ticari

modllerde ise %14 civarndadr.Galyum Arsenit (GaAs): Bu malzemeyle laboratuvar artlarnda %25 ve %28 (optikyounlatrcl) verim elde edilmektedir. Dier yariletkenlerle birlikte oluturulan okeklemli GaAs pillerde %30 verim elde edilmitir. GaAs gne pilleri uzay uygulamalarnda veoptik younlatrcl sistemlerde kullanlmaktadr.

nce Film:

Amorf Silisyum: Kristal yap zellii gstermeyen bu Si pillerden elde edilen verim %10dolaynda, ticari modllerde ise %5-7 mertebesindedir. Gnmzde daha ok kkelektronik cihazlarn g kayna olarak kullanlan amorf silisyum gne pilinin bir bakanemli uygulama sahasnn, binalara entegre yarsaydam cam yzeyler olarak, bina d

koruyucusu ve enerji reteci olarak kullanlabilecei tahmin edilmektedir.


15/25

Kadmiyum Tellrid (CdTe): ok kristal yapda bir malzeme olan CdTe ile gne pilimaliyetinin ok aalara ekilecei tahmin edilmektedir. Laboratuvar tipi kk hcrelerde%16, ticari tip modllerde ise %7 civarnda verim elde edilmektedir.

Bakr ndiyum Diselenid (CuInSe2): Bu okkristal pilde laboratuvar artlarnda %17,7 veenerji retimi amal gelitirilmi olan prototip bir modlde ise %10,2 verim elde edilmitir.

Optik Younlatrcl Hcreler: Gelen 10-500 kat oranlarda younlatran mercekliveya yanstcl aralarla modl verimi %17'nin, pil verimi ise %30'un zerineklabilmektedir. Younlatrclar basit ve ucuz plastik malzemeden yaplmaktadr.

GNE PLLER(FOTOVOLTAK PLLER)Fotovoltaik(photovoltaik) ktan gerilim retilmesi anlamna gelir ve genellikle(PV) ile gsterilir.fotovoltaik piller iin kullanlan ortak terim gne pilleri olmaklabirlikte piller her trl k altnda elektrik retebilir.Gne pilleri yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine

dntren yariletken maddedir.Yzeyleri kare,dikdrtgen,daire eklindebiimlendirilen gne pillerinin alanlar genellikle 100 cm civarnda,kalnlklar ise0,2-0,4 mm arasndadr.Gne pilleri enerjinin korunum yasasna uygun olarak k enerjisini elektrikenerjisine dntren cihazlardr fakat enerjiyi depolama zellikleri yoktur.kkayna ortadan kalktnda pilin rettii elektrik'de kesilir.eer elektrik geceboyuncada kullanlmak isteniyorsa devreye bir elektrik depolayc(ak)eklenmelidir.Gne pillerinin imal edildii pek ok materyal vardr.Fakat en sk kullanlansilisyumdur.Silisyum dnyada oksijende sonra en ok kullanlan

elementtir.Silisyum oksijenle birlikte kuartz veya daha biline haliyle kumuolutururlar.Zehirsiz ve gvenilir olduu kadar da bol bulunabilen birmalzemedir.Gne pillerinin imal edildii silisyum ayn zamanda bilgisayarchiplerinin yapmnda kullanlr.Piller,enerjiyi dntrme srasnda herhangi bir yakt kullanmazlar,yaktlar gndr.zerlerine dsen k ne kadar fazla ise retilen enerji o kadar fazlaolacaktr.Yaktlar olan gne ,dnya zerinde bol oranda ve bedava bulunanbelki de tek yakttr.Gne enerjisi gne pilinin yapsna bal olarak %5-%20 arasnda bir verimleelektrik enerjisine dntrlebilir.

G kn arttrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ve seribalanarak bir yzey zerine monte edilirler.Bu yapya gne pili modl yadafotovoltaik modl ad verilir.G talebine bal olarak modller birbirine seri yadaparalel balanarak birka watt'tan megavat'lara kadar sistem oluturulur.

GNE PLLERNN YAPISI

VE ALIMASI

Gnmz elektronik rnlerinde kullanlan transistrler, dorultucu

diyotlar gibi gne pilleri de, yar-iletken maddelerden yaplrlar. Yar-

iletken zellik gsteren birok madde arasnda gne pili yapmak iin en


16/25

elverili olanlar, silisyum, galyum arsenit, kadmiyum tellr gibi

maddelerdir.

Yar-iletken maddelerin gne pili olarak kullanlabilmeleri iin n ya da p

tipi katklanmalar gereklidir. Katklama, saf yariletken eriyik ierisineistenilen katk maddelerinin kontroll olarak eklenmesiyle yaplr. Elde

edilen yar-iletkenin n ya da p tipi olmas katk maddesine baldr. En

yaygn gne pili maddesi olarak kullanlan silisyumdan n tipi silisyum

elde etmek iin silisyum eriyiine periyodik cetvelin 5. grubundan bir

element, rnein fosfor eklenir. Silisyum'un d yrngesinde 4,

fosforun d yrngesinde 5 elektron olduu iin, fosforun fazla olan

tek elektronu kristal yapya bir elektron verir. Bu nedenle V. grupelementlerine "verici" ya da "n tipi" katk maddesi denir.

P tipi silisyum elde etmek iin ise, eriyie 3. gruptan bir element

(alminyum, indiyum, bor gibi) eklenir. Bu elementlerin son yrngesinde

3 elektron olduu iin kristalde bir elektron eksiklii oluur, bu elektron

yokluuna hol ya da boluk denir ve pozitif yk tad varsaylr. Bu tr

maddelere de "p tipi" ya da "alc" katk maddeleri denir.

P ya da n tipi ana malzemenin ierisine gerekli katk maddelerininkatlmas ile yariletken eklemler oluturulur. N tipi yariletkende

elektronlar, p tipi yariletkende holler ounluk taycsdr. P ve n tipi

yariletkenler biraraya gelmeden nce, her iki madde de elektriksel

bakmdan ntrdr. Yani p tipinde negatif enerji seviyeleri ile hol saylar

eit, n tipinde pozitif enerji seviyeleri ile elektron saylar eittir. PN

eklem olutuunda, n tipindeki ounluk taycs olan elektronlar, p

tipine doru akm olutururlar. Bu olay her iki tarafta da yk dengesioluana kadar devam eder. PN tipi maddenin ara yzeyinde, yani eklem

blgesinde, P blgesi tarafnda negatif, N blgesi tarafnda pozitif yk

birikir. Bu eklem blgesine "gei blgesi" ya da "ykten arndrlm

blge" denir. Bu blgede oluan elektrik alan "yapsal elektrik alan"

olarak adlandrlr. Yariletken eklemin gne pili olarak almas iin

eklem blgesinde fotovoltaik dnmn salanmas gerekir. Bu dnm

iki aamada olur, ilk olarak, eklem blgesine k drlerek elektron-


17/25

hol iftleri oluturulur, ikinci olarak ise, bunlar blgedeki elektrik alan

yardmyla birbirlerinden ayrlr.

Yariletkenler, bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji

bandndan oluur. Bu bandlar valans band ve iletkenlik band adn

alrlar. Bu yasak enerji aralna eit veya daha byk enerjili bir foton,

yariletken tarafndan sourulduu zaman, enerjisini valans banddaki bir

elektrona vererek, elektronun iletkenlik bandna kmasn salar.

Bylece, elektron-hol ifti oluur. Bu olay, pn eklem gne pilinin ara

yzeyinde meydana gelmi ise elektron-hol iftleri buradaki elektrikalan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili, elektronlar

n blgesine, holleri de p blgesine iten bir pompa gibi alr.

Birbirlerinden ayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda

yararl bir g k olutururlar. Bu sre yeniden bir fotonun pil

yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yariletkenin i

ksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri

oluturulmaktadr. Fakat gerekli elektrik alan olmad iin tekrarbirleerek kaybolmaktadrlar.

Gne Pillerinin Yaps ve almas


18/25

Yar-iletken maddelerin gne pili olarak kullanlabilmeleri iin n ya da p tipi katklanmalargereklidir. Katklama, saf yari-iletken eriyik ierisinde istenilen katk maddelerinin kontrollolarak eklenmesiyle yaplr. Elde edilen yar-iletkenin n ya da p tipi olmas katk maddesine

baldr.

Yar-iletken madde olarak ok kristalli silisyum kullanilir. P ve n tipi yar-iletkenler birarayagelmeden nce, her iki madde de elektriksel bakmdan ntrdr ve elektrik akm olumaz.PN eklem olustugunda, n tipindeki ogunluk taycs olan elektronlar, p tipine dogru akmolustururlar. Bu olay her iki tarafta da yk dengesi oluana kadar devam eder ve elektrikakm olusur.

Yar-iletken eklemin gne pili olarak almas iin eklem blgesinde fotovoltaik dnmnsalanmas gerekir. Bu dnm iki aamada olur, ilk olarak, eklem blgesine kdrlerek elektron-hol iftleri olusturulur, ikinci olarak ise, bunlar blgedeki elektrik alanyardmyla birbirlerinden ayrlr.

GNE PLLER

GiriGne pillerinin almasnn daha iyi anlalabilmesi iin baz temel teorik bilgilerinhazrlanmasnda fayda vardr.

Gne pilleri, yzeylerine gelen gne n dorudan elektrik enerjisine dntren yariletken maddelerdir. Yzeyleri kare, dikdrtgen, daire eklinde biimlendirilen gne

pillerinin alanlar 100 cm2 civarnda, kalnlklar zellikle en yaygn olan silisyum gne pillerinde 0.2 0.4 mm arasndadr.

Gne pilleri fotovoltaik ilkeye dayal olarak alrlar, yani zerine k dt zamanularnda elektrik gerilimi oluur. Pillerin verdii elektrik enerjisinin kayna, yzeyine gelengne enerjisidir. Deniz seviyesinde, parlak bulutsuz bir gndeki nm iddeti maksimum

1000 W/M2 civarndadr. Yreye bal olarak 1m2 ye den gne enerjisi miktar ylda 800-2600 KWh arasnda deiir. Bu enerji, gne pilinin yapsna bal olarak %5 - %70arasnda bir verimle elektrik enerjisine evrilebilir.

G kn artrmak amacyla ok sayda gne pili birbirine paralel ya da seri balanarak biryzey zerine monte edilir. Bu yapya gne pili modl ya da fotovoltail modl ad verilir.Gerekirse bu modller birbirlerine seri ya da paralel balanarak, fotovoltaik bir dizioluturabilir.

Maddenin Yaps ve Yar letkenler

Bilindii gibi madde, pozitif ykl ok ar bir ekirdekle, onun etrafnda belirli yrngelerdedolanan elektronlardan meydana gelmitir. Bu ykler, d tesir yoksa birbirini dengeler.

Elektronlar, yrngelerinin bulunduu yarapa, orantl olarak potansiyel ve kinetik enerjitarlar. En d yrnge de maksimum 2, sonrakinde 8 ve ncde 18 elektron bulunabilir.Elektronlar, ard arda gelen ve her biri belli sayda elektron bulunduran enerji bandlarnda

bulunurlar. Dardan enerji alan.bir elektron bir st seviyedeki banda kabilir. Daha dkbanda geen elektron da dar enerji yayar. Son tabaka elektronlarna valans (denge)elektronlar denir ve cisimlerin kimyasal bileikler yapmalarn temin eder. Son tabakasdolmam bir atomun, bir baka cisme ait komu atomdan elektron kapmaya yatknl vardr. tabaka elektronlar ise ekirdee ok sk baldrlar. Termik enerji verilirse, elektronunyrngesi etrafnda titreimi arttrr.

Elektron, yrngesini muhafaza ettii mddete ne enerji yayar, ne de absorblar. Bir elektron,uyarmla, atomu terk edecek enerji kazanp ayrlabilir. Atom (+) iyon ekline geer (ekil 1).

ekil 1. Bir Yar letkenin Yaps


19/25

zoleli atomda (gazlarda) elektronlar, belirli bir enerji bandn igal ederler. Bir kristalinatomlar, kristal iinde muntazam diziler halinde yer alrlar. Atomlar, birbirlerine okyakndrlar ve elektronlar, birbirine yakn enerjileri temsil eden enerji bandlar zerinde

bulunurlar. rnein; bir germanyum atomunda, tek bir atom ele alnrsa atom temel haldedir.Mutlak sfr, scaklkta, elektron minimum enerji seviyesine sahiptir.

Germanyum kristalinde ise, mutlak sfr scaklkta, temel seviyenin yerini valans band alr.Bundan sonra, hibir elektronun bulunmad yasak blge ve sonra da yksek enerjiliiletkenlik band bulunur. Bu scaklkta Ge kristalinde iletkenlik bandnda hibir elektron

bulunmaz, yani kristal ideal bir yaltkandr (ekil 2.).

ekil 2. Enerji Bandlar

Ge kristalinin iletkenlik kazanabilmesi iin, iletkenlik seviyesine elektron temin edilmelidir.Bunun iin gerekli enerji 0.7 eV civarndadr. Fotoelektrik olay iin Eg , kristalinsourabilecei minimum enerjisini gsterir.

Buna kar, bir metalik kristalde yasak band yoktur, iletkenlii temin edecek, iletkenlikbandnda ok sayda elektron bulunur.

Elmas iin E=7 eV luk enerji ile elektron yasak band geilebilir. Bunun iin malzemeyebyk elektrik voltaj uygulanmas gerekir. Bu ise malzemeyi tahrip eder.

Yar iletkenlerde, yasak band gemek iin (1 eV) yeterlidir, oda scaklnda kristalatomlarndan birka tanesinin elektronlar, iletkenlik bandna geer ve iletkenlii salar.Geride brakt bolua da baka bir elektron gelir ve o da iletkenlie katlm olur.

Bir kristal, ortak elektronla birbirine bal atomlarn dzgn olarak yerleimiyle meydanagelmitir. yonik badan farkl olan bu birlemeye Kovalant ba denir. Valans elektronlar, kovalant ba iinde, bir atomdakinden daha dk enerji seviyesindedir. Kristali

bozmak iin, bu enerji fark kadar enerji gerekir. Bu kristalin kararlln gsterir. Deneysonularna gre;

Mutlak sfr civarnda, yar iletkenin hibir elektronu serbest deildir. Bu scaklkta sadeceiletken ve yaltkan vardr.

Scaklk arttka, yar iletkende serbest elektronlar oluur ve cisim iletken hale geer.

Serbest elektronlarn younluu, scaklkla artar. Yar iletkende z iletkenlik scaklkla artar.

ki atomu birbirine balayan valans elektronlarn serbest hale gemesi iin gerekli enerji;metaller iin sfr, yaltkanlar iin birok elektron volt, yar iletkenler iin 1 eV civarndadr.

a. N Tipi Yar letken:

letkenlik tipini deitirmek iin Si ve Ge iine, periyodik cetvelin III ve V. grup elementleriilave edilir. Bunlar bo valans elektronu bulundururlar (Arsenik, Bor, Fosfor, Antimuan gibi).

Ergimi halde bulunan Ge a (milyonda bir) arsenik ilave edilirse, her arsenik atomu, bir Ge atomu yerini alacak ve 4 elektronuyla kovalant ba tekil edilecek, 5. valans elektronu serbestkalp iletkenlii temin edecektir. letkenlik (-) ykle temin edildii iin N tipi yar iletkenismini alr. Bu elektronlar, oda scaklnda, iletkenlik bandna ular.

b. P Tipi yar letken:

Ergimi germanyuma, III. gruptan valans elektronu bulunduran elemanlar ilave edilerekyaplr (ndium, Galyum). katlama srasnda indium atomlar kristal rg iinde Geatomunun yerini alr. Kovalan ba iin 3 elektron mevcuttur ve komu atomdan bir elektronkaparak ba oluturur. Komu atomda bir boluk olumutur. Bu ise elektron hareketine sebepolur. Bir yar iletkenin kullanlabilme maksimum scakl, aktivasyon enerjisiyle artar.

Kullanabilme maksimum frekans, yk tayclarn hareketlilii ile artar.P N Kava


20/25

Bir monokristal yar iletkenliinin P tipinden N tipine gei blgesidir. Bu blge kristallemesrasnda oluturulur. N blgesinde, termik uyarmla aznlkta olan boluk ve ounlukta olanelektron ykleri ve (+) iyonize atomlar vardr (ekil 3).

ekil 3. P N Kavann Oluumu

P blgesinde ise, negatif iyonize atom, termik uyarmla bulunabilen aznlk elektron veounluk elektron boluklar vardr. ki eleman temasa geirildiinde, N blgesindekielektrolar (ounluktadr) P tipi blgeye hareket eder. P blgesindeki elektron boluklar da N

blgesine hareket eder. Bylece N tipi blgedeki atomlar (+), P tipi blgedeki atomlar (-)olarak iyonlam olur. Bunlar, kristal iinde sabit yk merkezleri olutururlar. Kavan heriki yznde iyonize olmu atomlar, kristal iinde, yn N den P ye doru olan bir elektrik alan meydana getirirler.

Bu blge gei blgesidir ve serbest ykler yoktur. Kavaktaki bu potansiyel fark, P den N ye geecek boluklar ve N den P ye geecek elektronlar iin bir potansiyel duvar tekil eder. N den ayrlacak bir elektron, arkasnda kendini geri aran bir boluk brakr ve nndeki P tipi blgedeki (-) ykler elektronu pskrtr (ekil4).

ekil4. P N Kava ve Akm

zet olarak, P-N kavanda meydana gelen elektrik alan, kavak civarndaki elektronu,P den N ye doru iter (N deki elektronu geri pskrtr, P deki elektronu N ye iletir).

Kavan enerji band, ekil 5. deki gibidir. N blgesinde, valans ve iletkenlik band enerjileri, P dekilerden dktr.

ekil 5. P N Kavanda Enerji Band

Enerjisi yeterli bir k demeti (h.f >Eg. N Planck sabiti, f frekans), P-N kava zerinedrld zaman, foton elektronlarla karlap enerji verebilir. Serbest elektronlar, valanselektronlarnn ancak 1/104 kadar olduundan, bu ihtimal zayftr. Foton, muhtemel valanselektronu ile karlar ve ona enerjisini brakarak iletkenlik bandna karr. Elektron,arkasnda bir elektron boluu brakr.

Olay A-B aralnda ise; elektron, oluan elektrik alanla N blgesine, boluk da P blgesineitilir. Olay kavaa yakn N blgesinde olumusa, boluk yine P blgesine gtrlr.Kavaktan uzakta oluan elektron boluk, zamanla birbirini bulacaktr. Sonu olarak P tipi

blge (+), N tipi blge (-) yklenmi ve bir potansiyel domutur.

Fotovoltaik Pil

ekil 6 da grld gibi, foton absroblanmasyla yk tayclar ounlukta olduklar blgelere srklenirler. Kavaktan Is akm geer ve N(-), P de (+) yklenmi olur.

Is akm, kavan ileri ynde kutuplamasna ve kavak potansiyel duvarnn alalmasna

sebep olur. D devre ak ise (akm yoksa) P den N ye akm geer ve kavak potansiyel

duvar tekrar ykselir; P blgesi (-), N blgesi (+) yklenir. Sonra tekrar foton absorblanarakolay devam eder. Bu durumda Is = I olur.

ekil 6. Fotovoltaik Pilin Yaps

D devreden akm geerse Is = I IL olacak ekilde darya elektrik enerjisi alnr. ekil 7 de bu pilin elektrik edeer devresi grlmektedir. En yksek foton enerjisi yeil k iin

h.f = 2.5 eV civarndadr. P-N kavandaki temas potansiyeli, elektronlar daha yksekpotansiyele karan batarya rol oynamaktadr.

ekil 7. Fotovoltaik Pil Edeer Elektrik Devresi

Gne Pili eitleri

Bakr bakroksit ve gm yar iletkenleri ile yaplan gne pilleri, selenyum pilleri ve silisyum gne pilleri en ok kullanlanlardr:


21/25

a. Selenyum Gne Pili:

Saf selenyum, alkali metallerle veya klor, iyod gibi halojenlerle kartrlp P tipi yar iletkenoluturulur. Bunun zerine iyi iletken ve yar iletken / yar geirgen bir gm tabaka birkamikron kalnlnda kaplanarak P-N kava oluturulur. ekil 8 da bir selenyum gne

pilinin yaps grlmektedir. Bu pillerin 50 0C nin zerinde kullanlmamalar tavsiye

olunur.ekil 8. Selenyum Gne Pilinin Yaps

b. Silisyum Gne Pili:

Uzay aratrmalarnda kullanlan pillerin ou bu trdendir. Silisyum SiO2 halindeki kumdanelde edilir. Kk bir kristal znm, eritilmi potaya daldrlr. Belli hzda dndrlerek

potadan karlrken soumas temin edilir ve kristalin bytlmesi ile gne pili elde edilir.Eriyik iine P tipi yar iletkenlik malzemeleri katlr. P tipi kristaller dilimler eklinde kesilir.Scakl kontrol edilen P2O5 li difzyon frnnda N tipi yar iletkenle 10-4 - 105 m. Derinlie kadar difzyon temin edilerek P-N kava oluturulur.

Silisyum pilleri germanyumla yaplan pillere gre, daha byk ak devre direnci salar. Bunakar silisyumlu pillerin spektral cevab daha azdr ve kzltesi nlara kadar uzanmaz. Akkork kayna kullanlmas halinde, Ge ularndaki gerilim kk olmasna ramen daha bykakm salar. Gne nlar iin ise silisyum pil daha uygundur.

Gne pilleri, pahal olduklar iin ulalmas g yerlerde kullanlmaktadr. Metalikiletkenlerin normal scaklktaki zdirenleri 1.610-6 15010-6 ohm.cm aralnda deitii halde iyi bir yaltkann zdirenci 1012 1018 ohm.cm arasnda deiir. zdirenleri 10-3 107 ohm.cm arasnda olan elemanlar da yar iletkenlerdir. yar iletkenlerin zdirenleri ok dk scaklklarda yaltkanlarnkine yakndr. metallerin aksine, yar iletkenler scak birortamda, soukta olduklarndan daha iletkendirler. baka bir deyile yar iletkenlerinzdirenleri scaklk arttka azalr ve deiim katsays metallerinkinden 10 kat daha

byktr.Gne pillerinin almalar ile ilgili teoriyi ksaca u ekilde zetleyebiliriz. Metallerde atomsays kadar serbest elektron iletkenlii temin eder. Yaltkan kristallerde ise elektronlar dkenerjili valans bandnda bulunur. Bunlar iletken hale getirmek iin elektron bulunmayanyasak enerji bantlarn geecek ekilde elektronlarna enerji verilmelidir. Bu enerji 5-9 eVcivarndadr.

Birbirleriyle kovalant ba tekil ederek balanm yaltkan kristal atomlar iine (milyondabirka deerinde) III veya V. grup elementlerden katlrsa baz kristal atomlarnn yerini buelementler alacaktr. V. grupla oluan yapda, katk elemanlarnn 4 elektronu, yaltkan kristalatomunun 4 elektronunu mterek kullanarak, d devresini tamamlayp kovalant baoluturacak ve bir elektronu akta kalp iletkenlie katlacaktr. Yar iletken N tipidir ve

elektronun iletkenlik bandna gemesi iin gerekli enerji bir elektron volt civarndadr.Kristalleme III. grup elemanlar ile yaplrsa elementin 3 elektronu yaltkan kristalatomunkilerle mterek ba kuracak ve yakn komu atomdan bir elektron kapp 4.c bantamamlarken orada bir elektron boluu brakacaktr. Bu da P tipi yar iletkendir ve iletkenlikiin 1,2 1,5 eV enerji gerekir.

Gne Pili Edeer emas ve Gne Panelleri

Bilindii gibi, gne pili bir yar iletken dzenektir. ounluk yk tayclar elektronlardanoluan N tipi ile ounluk yk tayclar oyuklardan oluan P tipi yar iletken yan yanagetirilir. Ik enerjisi bu birleme noktasna drlrse d devreden bir akm geebilmektedir(ekil 9).

ekil 9. Gne Pili


22/25

P-N yar iletken kavanda, elektronlar P tipi blgeye geerek birleme yzeyine yaknblgelerde boluk yk taycdaki elektron eksikliini tamamlayp (-) iyonlar olutururken Ntipi blgede de (+) iyon duvar oluacaktr. D tesir olmazsa bu enerji duvar akmngemesini nleyecektir. In demeti bu blgeye derse, yk tayc elektronlar ok azoranlarda olduundan, muhtemelen bir valans elektrona enerjisini brakacak ve onu P tipi

blgeye doru itecektir. D devre akm ise P den N ye doru olacaktr (ekil 10).

ekil 10. P N Kavann Oluturulmas ve Kavaa Den Foton Enerjisi ile letkenlik Temini

Bir gne pilinde N tipi blgede elektron reten bir elektromotif kuvveti dnlebilir. ekil11 de fiziksel edeer devre grlmektedir. Devre elemanlar bir elektromotor kuvvet, bir i diyot ve bir i diren eklinde sembolize edilebilir.

ekil 11. Gne Pili Edeer Elektrik emas

Gne pilleri, belli gnelenme artlarnda, birim alan bana belirli bir akm ve voltajretirler. stenen bir enerji iin bir ok pili seri ve paralel olarak balamak gerekir. Bylecegne panelleri oluturulur. ekil 11 de edeer emas verilen gne pilinde d devre akm

iddeti ve ulardaki gerilim llebilir. Ayarlanabilir bir d direnle, gerilim ve akm akdevreden ksa devreye kadar deitirilerek ekil 12 deki gerilim akm iddeti erileri elde edilebilir. 1 cm lik pil gnelenme alan iin nm iddeti 0.5 1.0 kw/m arasnda deiirken, optimum alma noktalar ve sabit yk erisi bu ekilde gsterilmitir.

lmler 27 0C scaklkta yaplm olup yzey scakl arttka gerilim der. Akm iddeti,gne nm younluu ve pil nm alan ile orantl olarak deiir. Scakln voltaja tesiri0.022w/ 0C orannda olmaktadr. ekil 13 te 40 adet seri balanm 1010 cm ebadnda

pilin, 1 kw/m nm artlarnda akm iddeti gerilim karakteristii deiik scaklklar iinverilmitir.

ekil 12. 34 Wattlk Bir Gne Pilinde Akm-Gerilim Erileri

(Yzey Scakl 27 0C in)Bir gne panelinde g adaptasyonunun optimizasyonu iin arj ve kullanma devresine,ayarlanabilen direnler eklenmelidir. Gne pili i direnci uygun olmal, ar gnelenmehalinde fazla enerji kullanan ikinci bir devre bulunmaldr. Yk direnci veya arj reglatrgiri direnci, nma gre deiebilmelidir. 12 volt, 35 ampersaat kurun akler, sv kayplarve kendiliinden dearjlar az olduundan bu amala kullanmlar uygundur.

Gne Pillerinin Yaps

Tek kristalli silisyum gne pilinin rengi koyu mavi olup, arl 10 gramdan azdr. Pilin styzeyinde, pil tarafndan retilen akm toplayacak ve malzemesi genellikle bakr olan nkontaklar vardr. Bunlar negatif kontaklardr. Kontaklarn altnda 150 mm kalnlnda,

yansma zellii olmayan bir kaplama tabakas vardr. Bu tabaka olmazsa, silisyum, zerineden snmn te birine yakn ksmn yanstacaktr. Bu kaplama tabakas, pil yzeyindenolan yansmay nler. Pilin on yzeyi, normal olarak yansyan n bir ksmn dahayakalayabilmek amacyla, piramitler ve konikler eklinde dizayn edilmitir. Yanstc olmayankaplamann altnda, pilin elektrik akmnn ortaya kt yap bulunur. Bu yap, iki farklkatman halindedir. N-katman, fosfor atomlar eklenmi silisyumdan oluan ve pilin negatiftarafn oluturan katmandr. P-katman ise, bor atomlar eklenmi silisyumdan olumu, pilin

pozitif tarafdr. ki katman arasnda, P-N kava denilen, pozitif ve negatif yklelektronlarn karlat bir blge bulunur. Pilin arka yzeyinde, elektronlarn girdii pozitifkontak grevi gren arka kontak yer alr.

ekil 13. Tipik Bir Silisyum Gne Pilinin n Yz

retilen piller, standart test koullarnda test edildikten sonra, tketiciye sunulmaktadr.Ortam scakl 25 0C ortalama nm iddeti 1000 W/m vee Hava-Ktle oran 1,5 olarak


23/25

test koullar belirlenmitir. Hava-ktle oran, gne nmnn geirilme orann gsterenatmosfer kalnldr. Gnein tam tepede olduu durumda, bu oran, l olarak alnr. Atmosfertarafndan emilen nmn oranna bal olarak, pilin retecei elektrik miktar dadeieceinden, bu oran nemli bir parametredir.

Tipik bir silisyum gne pili, 0.5 volt kadar elektrik retebilir. Pilleri birbirine seri balayarak

retilen gerilim deerini arttrmak olasdr. Genellikle, 30-36 adet gne pili, 15-17 voltluk birk gc vermek iin birlikte balanabilir, ki bu voltaj deeri de, 12 voltluk bir aky arjetmek iin yeterlidir. Farkl k gleri verecek ekilde imal edilmi, farkl byklklerdegne pilleri bulmak olasdr. Silisyum pillerin seri balanmas ile modller, modllerin

birbirine balanmas ile rgler oluur. Her modl, paralel veya seri balanabilmesine olanakverecek ekilde, balant kutusuyla birlikte dizayn edilir.

Gne pilinin kolayca krlabilmesi ve rettii gerilimin ok dk olmas gibi, sakncalarnngiderilmesi gerekir. Pillerin birbirlerine balanmas ile oluan modller koruyucu bir ereveiine alnmlardr ve kullanlabilecek dzeyle gerilim retirler. Modlde bulunan pil says,k gcn belirler. Genellikle, 12 voltluk akler iarj etmek iin 30-36 adet silisyum gne

pilinin balanmas ile bir modl olusa bile, daha yksek k gleri iin daha byk

modller yaplabilir. En basit sistem, bir modl v ebuna bal bir ak veya elektrikmotorundan olumu bir sistemdir.

ekil 14. Pillerden Modl ve rglerin Yaplmas

Modllerin fiziksel ve elektriksel olarak bir araya getirilmesi ile oluan yapya panel adverilir. Bir modlden elde edilen gc arttrmak iin bavurulan bir yaplanma biimidir. Buekilde, k gc, 12,24,48 V veya daha yksek olabilir. Birden fazla panelin kullanld birsistemde, paneller, kontrol cihazna veya ak grubuna, birlikte balanabilecekleri gibi, her

panel tek olarak da balanabilir. Bu durumda, bakm kolayl olacaktr.

Sistemde kullanlan, fotovoltaik retelerin tmnn oluturduu yapya ise rgdenilmektedir. rgnn ok byk olduu uygulamalarda, daha kolay yerletirme ve k

kontrol iin sistem, alt-rg gruplarna ayrlabilir. rg, bir modlden oluabilecei gibi100.000 veya daha fazla modlden de ulaabilir.

Gne Pili Trleri

Gne pili teknolojisi, kullanlan maddeler ve yapm trleri asndan son derece zengindir.Gne pili yapm iin u anda kullanlmakta olan bir dzineden fazla maddenin yan sra,yzlerce maddenin de zerinde allmaktadr. Belli bal gne pili trleri aadaanlatlmaktadr.

1. Kristal Silisyum Gne Pilleri

Silisyum yar iletken zellikleri tipik olarak gsteren ve gne pili yapmnda en ok

kullanlan bir maddedir ve uzun yllarda bu konumunu koruyacak gibi grnmektedir.Fotovoltaik zellikleri daha stn olan baka maddeler de olmakla birlikte, silisyum hemteknolojisinin stnl nedeniyle hem de ekonomik nedenlerle tercih edilmektedir.

2. Monokristal Silisyum Gne Pilleri

lk ticari gne pillerinde, CHROZALSK kristal ekme teknii ile bytlen tek kristal yaplsilisyum kullanlmtr. Fotovoltaik endstride hala en ok kullanlan yntem olan bu tekniktencelikle ark frnlarnda silisyum oksit eitli kimyasal ve termal reaksiyonlardan geirilereksaf silisyum elde edilir. Daha sonra silisyum eriyie ekirdek denen tek kristal yapl birsilisyum paras batrlr. Bu ekirdek eriyikten karldnda souyan silisyum eriyik,ekirdein zerine kle eklinde ylm olur. Bu silisyum kle olmaz bir keski iledilimlere ayrlr. Bu, iki aamada olur. nce kle dikdrtgen bloklar eklinde kesilir. Daha

sonra bu bloklar dilimlere ayrlarak pil eklinde ilenir. Verimleri %15 civarndadr. Yapmsrasnda malzeme kaybnn ok fazla olmas bu pillerin dezavantajdr.


24/25

3. Semisristal (Yarkristal) Silisyum Gne Pilleri

Bu tip piller, sv silisyumun soutulmasyla elde edilen kmelenmi kk silisyumkristallerinden oluur. Bu pillerin verimleri %14 civarnda olup, kmelenmi silisyumtaneciklerinin snrlarndaki kayplar baldr.

4. Ribbon Silisyum Gne Pilleri

Bu piller, malzeme kaybnn azaltlmas amacyla levha halinde silisyum tabakalarndanyaplrlar. eitli yntemlerle (Efg, Dendritik a) elde edilen bu piller, halen gelitirmeaamasndadr. Verimleri laboratuar artlarnda %13-14 arasndadr.

5. Polikristal Silisyum Gne Pilleri

Bu piller de ribbon silisyum teknolojisiyle yaplp, yaplar polikristal zellik gsterir. Halenlaboratuar aamasndaki bu pillerin verimleri %10 dur.

6. nce Film Gne Piller

Bu teknikte, absorban zellii daha iyi olan maddeler kullanlarak daha iyi olan maddelerkullanlarak daha az kalnlkta (tek kristalin 1-500 kalnlnda) gne pilleri yaplr.

rnein amorf silisyum gne pillerinin absorbsiyon katsays kristal silisyum gne pillerininkatsaysndan daha fazladr. Dalga boyu katsays 0.7 mikrondan kk bir blgedeki gneradyasyonu 1 mikron kalnlnda amorf silisyum ile absorblanabilirken, kristal silisyumda iseayn radyasyonu absorblamak iin 500 mikron kalnlkta malzeme kullanlmasgerekmektedir. Bu yzden amorf yapl gne pillerinde daha az malzeme kullanlr ve montajkolayl nedeniyle bir avantaj salar.

7. Amorf Silisyum Gne Pilleri

Amorf silisyum gne pilleri (a-Si), ince film gne pili teknolojisinin en nde gelenrneidir. lk yaplan a-Si piller Schottky bariyer yapsnda iken, daha sonralar p-i-n yaplargelitirilmitir. P-i-n yapsndaki pillerin fabrikasyonu kalay oksitle kapl iletken bir yzeyin

zerine ktrme yntemi ile yaplr, bu yzeyin arkas daha sonra metalle kaplanr.Verimleri %5-8 arasndadr. Ancak bu piller, ksa zamanda bozunuma urayarak klarazalr.

8. Dier Yaplar

Bakr indiyum diselenit (CuInSe) maddesinden yaplan ve verimleri %13 civarnda olan pillerhalen gelime aamasndadr ve daha kararl ka sahip olduu iin absorban zelliiyksek, verimleri de %12 civarndadr. Bu gne kadar elde edilen en yksek verime (%24)galyum arsenitten yaplan piller ulamtr. Bu madde ile eitli trde piller elde edilebilmekle

birlikte, pahal olduu iin pillerin, gne spektrumunun daha byk bir blmndenyararlanabilmesi amac ile denenen bir yntem ise, birden fazla ince film yapsnn st stekonmasyla elde edilen ok eklemli film yaplardr.

Bunlarn dnda, gne nmnn yksek verimli pillerin zerine optik olarak younlatransistemler zerinde almalar yaplmaktadr. Bu tr sistemlerde gnein hareketini izleyendzeneklerin yan sra, gne n kran (mercek) ya da yanstan (ayna) eleman kullanlr.

Gne Pili Nasl alr

Yar iletken bir yasak enerji aral tarafndan ayrlan iki enerji bandndan oluur. Bu bandlarvalans band ile iletkenlik band adn alrlar. Bu yasak enerji aralna eit veya daha bykenerjili bir foton yar iletken tarafndan sorulduu zaman, enerjisi valans banttaki birelektrona vererek elektronun iletkenlik bandna kmasn salar. Bylece elektron-hol iftioluur. Bu olay, PN eklem gne pilinin ara yzeyinde meydana gelmi ise elektron-holiftleri buradaki elektrik alan tarafndan birbirlerinden ayrlr. Bu ekilde gne pili

elektronlar N blgesine, holleri de P blgesine iten bir pompa gibi alr. Birbirlerindenayrlan elektron-hol iftleri, gne pilinin ularnda yararl bir g k olutururlar. Bu sre


25/25

yeniden bir fotonun pil yzeyine arpmasyla ayn ekilde devam eder. Yar iletkenin iksmlarnda da, gelen fotonlar tarafndan elektron-hol iftleri oluturulmaktadr. Fakat gereklielektrik alan olmad iin tekrar birleerek kaybolmaktadrlar.

Gneten Elektrik retmenin Yararlar

Elektrik retimi iin pek ok yntem olmasna karlk, gne pilleri ile elektrik retimininbaz yararlar vardr. Bunlar aada ksac aklanmtr.

Mevcut sistemlerden farkl olarak en byk yarar, Herhangi bir fosil yakt veya balantgerektirmeden bamsz olarak elektrik retebilmesidir.

Kullanlan yakt, her yerde ve bedava bulmak mmkndr. Tama ve depolama gibi sorunlaryoktur.

Sistemde kullanlan hareketli paralar ok az olduundan ok az bakm gerektirirler. Elektrikretiminde kullanlan dier sistemler (jeneratrler, rzgar veya hidroelektrik trbinleri vs)dzenli olarak bakma gerek duyarlar. Eer, pv sisteminiz kompleks ise, bir para bakmgerekebilir; ancak, genel olarak, bu sistemler iin bakmsz demek yanl olmayacaktr.

Dier elektrik retim sistemleriyle karlatrldklarnda, belki de en byk yararlar gvenilirolmalardr. Hareketli paralar ya ok azdr; ya da yoktur. imekler, gl rzgarlar veyakum frtnalar, nem ve s, kar veya buz gibi doa olaylarna dayankldrlar.

Enerjiyi kullanmak istendii yerde retmek olasdr. Bylece enerjiyi tamak gerekmez.ebekenin ulamad, rnein, GSM vericilerinin yerletirildii yerlerde, bu sistemikullanmak olasdr.

Enerji kayna ile kullanm yeri arasnda, uzun kablolar ve balarn elemanlar olmadndanarada oluabilecek g kaybndan kanlm olur. Bu sistemle, ok sayda tketim noktas

beslenmek istendii zaman bile yerel kayplar yok denecek kadar azdr.

Modler bir sistem olduu iin g k kolaylkla arttrlabilir. Mevcut modllere

yenilerinin eklenmesi ile sistem, artan g gereksinimini karlayabilecek duruma getirilebilir.SONU

Gne pilleri evre dostu ve tkenmez enerji kayna gneten, insan mr boyunca elektrikretirler. Trkiye ylda ortalama 2600 saat gnelenme zamanyla gne enerjisindenekonomik olarak yararlanlabilen bir lkedir.

Bir gne pili sistemi dizayn etmek iin sistemin kurulaca blge ve retilmek istenen enerjimiktarnn bilinmesi gerekir. Sistem, arzu edilen zel koullarda gz nne alnarak istenenkoullarda dizayn edilebilir.

Gne pillerinin kullanm alanlarnn banda aydnlatma ve haberleme gelmektedir.Yerleim merkezlerine uzak yerlerdeki GSM vericilerinin ve radyo istasyonlarnn enerjilerini

karlamak iin ideal zmdr. Sizi ebeke bamllndan, jeneratrlerin bakm ve iletmemasraflarndan kurtarr.

Documents

GÜNEŞ PİLLERİ göksu