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IonenstrahlIonenstrahl--gestützte gestützte Beschichtung und BearbeitungBeschichtung und Bearbeitung
Bernd RauschenbachBernd Rauschenbach
LeibnizLeibniz--Institut für Oberflächenmodifizierung LeipzigInstitut für Oberflächenmodifizierung Leipzig
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
Teil 2 Teil 2
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
• Elementarprozesse bei der Ionen-Festkörper-Wechselwirkung
• Ultrapräzisions-Bearbeitung und Formgebung
• Nanostrukturierung durch Oberflächenerosion (Selbstorganisation)
• Plasma-Immersions-Ionenimplantation
• Grundlagen der Ionenstrahl gestützten Deposition
• Ionenstrahl gestützte Texturmanipulation (Beispiel: TiN)
• Spannungsevolution
• Ionenstrahl gestützte Epitaxie (Beispiel: GaN auf Saphir)
• Multischichten für die EUV-Lithographie
• Anwendung (EUVL, GMR-Sensor, Solarzellen)
Inhalt / 2. TeilTeil 1 : Ionenstrahl gestützte Bearbeitung
Teil 2 : Ionenstrahl gestützte Deposition
Voraussetzung : niederenergetische Ionen, d.h. E < 1 keV ( < 10 keV)
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
o
i
VerfahrenssucheGesucht wird ein Verfahren, dass die Vorteile von Depositions- und
Ionenimplantationsverfahren vereint !
• Schichtdicken :• Konzentration :• Kosten :
• Adhäsion :• Dichte :• mechan. Spannung :• Reproduzierbarkeit :• Kontrolle :• Temperatur :
Ionenimplantation Deposition (PVD)
sehr guthoch (kompakt)geringsehr gutsehr gutniedrig
100 nm< 50 At.-%hoch
1 µm0 ... 100 At.-%niedrig
schlechtgeringerhochmittelmittelhoch
IBAD
+
+_
_
Konsequenz : Ionenstrahl gestützte Deposition (IBAD)( Ion Beam Assisted Deposition)
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
Deposition dünner Schichten
Schwingquarz
Verdampferquelle
Substrat mit Schicht
Parameter der Deposition:
Ø Substratetemperatur T
Ø Depositionsrate JA
Grundprinzip
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
Ionenstrahl gestützte Deposition dünner Schichten
Schwingquarz
Verdampferquelle
Substrat mit Schicht
Parameter der Deposition:
Ø Substratetemperatur T
Ø Depositionsrate JA
Grundprinzip
Parameter der Ionenstrahl Deposition:
Ø Ionenstromdichte J
Ø Ankunftsrate R = J /J
Ø Ionenergie E
Ø Ionenspezies inert, reaktiv
I
I A
Faraday-Becher
Ionenquelle
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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Schema einer IBAD-Anlage und typische Parameter
• Ionenenergie : 100 ... 3000 eV
• Atomfluß : 10 ... 10 atoms/cm² s
• Druck : 10 ... 10 mbar
• Ionenstromdichte : 0.1...100 µA/cm²
• Ion-zu-Atom Verh.: 0.2 ...2
• Wachstumsrate: 0.01 ...10 nm/s
11 15
-9 -6
42
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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Präparations-kammer
Spektrale Ellipsometrie
Depositionskammer mit Ionenquellen
UHV-AFM
XPS/AES Kammer
Zentral-händler
Energie- und massenselektiver Plasmamonitor
UHV-IBAD-Anlage
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Restgasatome (~ 0,02 eV)
verstärkte Diffusion
Prozesse bei der Ionenstrahl-gestützten Deposition
Zerstäubung
Ionen (~200 eV)
Atome, Moleküle (~ 0,2 eV)
SUBSTRAT
SCHICHT
Wachstumsrichtung
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o
i
Wahl des Verfahrens zur Deposition Verfahrensvarianten:
• thermisches Verdampfen: durch resistives Heizendurch Nutzung der Elektronenstrahlheizungdurch Einsatz einer Knudsen- oder Effusionszelle
• Zerstäubung• Laserablation
Beispiel : CuBoltzmann-Verteilung
E = 0,3 eV
max o
max Thompson-Regel:
E = U /2 = 1,75 eV
(unabh. von Sputter-ionenenergie)
fällt mit 1/E²
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Elementarprozesse bei der Niederenergie-Ionenbestrahlung
Reichweite (N GaN):2
+
150 eV : 3.0 ML GaN 100 eV : 2.2 ML GaN
50 eV : 1,8 ML GaN
Implantation in die Oberfläche
Bildung einer kontinuierlichen Schicht
Wachstum der Schicht
R
R
R
Kon
zent
rati
onTiefe
Ionen (Atome)
Richtung des Wachstums
Wachstums-zone
? R
2?R
Interface
(MD-Simulation, Müller 1987)
Einfluß des I/A-Verhältnisses :
ohne Ionenbestr., nur Ni-Deposition
50 eV Ar, I/A=0,04
50 eV Ar, I/A=0,16
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Änderung der bevorzugten Orientierung
Wechsel der bevorzugten O
rientierung von (111) nach (001)
TiN
B1 (NaCl)
IBAD von TiN: Beispiel Texturevolution
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XRD-Texturmessung (Polfigur-Interpretation)
• χ entspricht der Verkippung gegen
die Normale auf das Substrat
• ϕ entspricht der Verdrehung um die
Normale auf das Substrat
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Bevorzugte Orientierung – Fasertextur – biaxiale Textur
10 µA/cm² 150 µA/cm²
(111)-Fasertextur (001)-Fasertextur
biaxiale Textur
(aus der „Sicht“ des Ionenstrahls)12 µA/cm²
χ=70,5° χ=54,7°
Oberfläche
54,7°
Ionenstrahl
Aufdampf-material
[001][111]
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Ionenenergie : 1,5 keV
Ionenstromdichte : 95 µA/cm²
Temperatur : RT
Winkel zwischen Ionenstrahl u. Oberfl.-Normale = 45° (≡Winkel zwischen [001] und [011])
Beispiel für (011) biaxiale Texturierung
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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(a) (b) (c)
Abhängigkeit der Textur von der Schichtdicke
50 nm 200 nm 1000 nm
(001)-Textur (001)/(111)-Textur (111)-Textur
gemessen mit Synchrotronstrahlung
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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l1
l2
l3
z1 z2 z3
SubstratSchicht
C1 C2 C3Aluminium-beschichtung
∆Ctheo. : 10-7 pF∆Ctyp. : 0,1 pF∆Ztheo. : 0,05 nmrtyp. : 11,25 m∆r : 18 µml1 : 4 mmZ1 : 0,2 mm
Ionen und Atome
Zugspannung
Druckspannung
Schichtdicke [nm]0 50 100 150
Spa
nnun
g σ
[GP
a]
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
Endspannung
In-situ Messung von mechanischen Spannungen
rddE
Schicht
Substrat
Substrat
Substrat 161
2
⋅−=
νσ
Stoney-Beziehung : (1909)
Auswertung unter der Voraussetzung eines biaxialen Spannungszustand !
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o
i
Evolution der Spannung durch in-situ Messungen
Druckspannung
Zugspannung
Schichtdicke [nm]0 2 4 6 8 10
Spa
nnun
g*S
chic
htdi
cke
[Pa
*m]
-10
-5
0
5
10
15
20
25
E = 500 eVTsub = 300 °CI/A = 0,5
BN auf Silizium
rddE
Schicht
Substrat
Substrat
Substrat 161
2
⋅−=
νσStoney-Beziehung :
mittels IBAD hergestel. Schichten stehen unter mechan. Spannungen ( Druckspann.)
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o
i
sin2χ
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
(dhk
l − d
0)/d
0 [%
]
-1
0
1
2
(104)(006)
(205)(105) (114)
(203)(202)
(302)
Indizesder Reflexe
χ- Neigungswinkel des reziproken Gittervekors des (hkl)-Refelxes gegen die Oberflächennormale
++++−−+−−
=%36,1%05,0%04,0
%05,0%63,0%07,0
%04,0%07,0%65,0
e
++++−−+−−
=GPa84,3GPa06,0GPa05,0
GPa06,0GPa35,1GPa08,0GPa05,0GPa08,0GPa40,1
s
Beispiel : Ionenstrahl-gestützte Laserstrahl-Deposition von AlN (500 eV N-Ionen)
Hochauflösende Spannungsmessung mittels XRD
Messfehler : 0,1 ...0,01 %
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o
i
∆c/c [%]
0 1 2
∆a/a
[%]
-1
0 uniaxial
biaxial
−2 GPa 0 0
σ = 0 −2 GPa 0
0 0 +4 GPa
Spannungstensor :
Das Verhältnis von der Dehnung der c-Achse zur Stauchung der a-Achse liegt zwischen den Grenzfällen einer uniaxialen und einer biaxialen Spannung
+
+
=0000000
0000000
000000
s therm
therm
biax
biax
hyd
hyd
hyd
σσ
σσ
σσ
σPunktdefekte biaxiale Spann. therm. Spannung
Gleitebene senkrecht zur Grenzfläche
Interpretation der Spannungsmessungen
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o
i
Physikalische Ursache für die Spannungsbildung bei der Ionenstrahl-gestützten Deposition
These: Spannung ∝ Punktdefektkonzentration, d.h. bestrahlungsinduzierte Spannung
( )RNQ
EE
kktNnN
NEN
NNnN
ENN
TiN
i
d
D
n
dD
dD
D
31
exp1)0,(
)(1)0,(
)()0,1(
0)0,0(
≈−−≈
−−=
=
===
A) Punktdefektgeneration B) spontane Ausheilung bei T > 0 K
.
.
.
i
[ ][ ]
−−≈
−=
−=
==
TkE
rNnN
NTnN
rnr
nrVnV
nVTTnN
TnN
B
LSADiD
DD
D
iD
D
exp31)0,(),(
)0,(
)0,()0,(
)0,(),()0,(
3
3
λ
δδ
[ ])exp(1),(
ktN
TnN iD −−=α
α
==
λ3ln
2r
kE
TTB
LSA
c
krit. Temperatur unterhalb der keine Defekte ausheilen
NTnNY D ),(
1
−=
υγσY - E-Modul, ? - Poisson-Zahl,
? - Skalierungsfaktor
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Ionenstrahl-gestützte Epitaxie: Beispiel GaN auf Saphir
Ga N, N
2+
+
Effusionszelle
Ionenquelle
c-Saphir-Substrat
genutzte Ionenquellen :
800 eV ≥ E ≥ 50 eV : Kaufmann Ionenquelle150 eV ≥ E ≥ 25 eV : begrenzte Glühentladungs-
Plasma-Ionenquelle
%33−=−
=Saphir
SaphirGaNo a
aaf
Gitterfehlpassung :
%163
30 +=−
=°Saphir
SaphirGaN
a
aaf
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Energieabhängigkeit der Textur
o
i
34 35 362θ [°]
FWHM=0.08°25 eV
100 eV
50 eV
150 eV
mit sinkender Ionenenergie :
• Schichten werden phasenrein
• Defektkonzentration sinkt
• Mosaizität (Verkippung, Verdrehung) sinkt
• Epitaxie wird verbessert
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Topographie und Defekte
Random-SpektrumRichtungsspektrum
Ga
Al
O
N
χ <1%min
2.5 MeV He-Channeling in [0001]
Ø perfekt orientierte GaN-Schichten
ØDefekt-KonzentrationsgradientB
acks
catt
erin
g Y
ield
[a.
u.]
Energy [MeV]
AFM-MessungenE = 150 eV
E = 50 eV
rms = 14 nm
rms = 4 nm
1 µm
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Mikroskopische Charakterisierung
10 nm
4 nm
Fourier Filter
Rücktransformation
Schicht
Grenzfläche
GaN
Interface
Saphir
(hochauflösendes XTEM)
Øgeringe Versetzungsdichte
Øglatte Grenzfläche
Økeine amorphe Genzschicht
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Atome & Ionen Ion mit Energie Eo
Restenergie:E = E - ∆E
R o ML
Energieverlust in der 1. ML : ∆E
ML
Varianten :
E < E ⇒ keine VerlagerungenE > E Verlagerungen in der 1. MLE < E (notwendige Voraussetzung für Epitaxie)
E > E ⇒ Verlagerungen in 1. ML und Volumen
O d
O d
R d
R d
Ionenstrahl-gestützte Epitaxie: Beispiel GaN auf Saphir
OF
OF
Vol
Vol
(Verlagerungsenergie: E ≈ ½ E )OF Vol
⇒
Epitaxiefaktor X
Zahl der verlagerten Atome in der 1.ML
Zahl der verlagerten Atome im Volumen=
E
MLxR?(E)E
(E)DF
)R(EdN
)MLE(dN
EX =∆
=
Energiefenster für die Ionenstrahl gestützte Epitaxie von GaN
15 eV ... 40 eV
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Roadmap der Halbleiterindustrie
350
250
180130
10070 50 35
050
100150200250300350400
1995 1997 1999 2002 2005 2008 2011 2014
Jahr
Min
ima
le l
ate
rale
S
tru
ktu
rbre
ite
[n
m]
Lithographieniveaus
• Gegenwart (2002) :130 / 248 und 193nm optische Lithographie
• 2011...2014 :50 nm / 35 nm EUV-Lithographie
aggressive Zeitpläneder Halbleiterindustrie
Entwicklungstool für50 nm wird 2006 benötigt !
Internationale Technologie-Roadmap der Halbleiterfertigung
Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)
Quelle: SEMATECH 9/00
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Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)
Probleme / Forderungen der EUVL:
• Strahlungsquelle bei 13,4 nm(Synchrotron or laser, plasma)
• hohe Reflektivität bei 13,4 nm• Defektniveau der Maskblanks(EUV-Maske : 1 Defekt/ in²)
• Multilayeroptiken bis 300 mm• Defektfreiheit der Multilayer
(~1 nm PV, ~0.1 nm RMS)• Vakuumanpassung
• Zuverlässigkeit der Optik
• Defektkontrollmeßtechnik
• Equipmentkosten (CoO)Der optische Aufbau besteht u.a. aus sechs optischen Multischicht-Elementen unterschiedlicher Größe, Gestalt (konkav, konvex) und Konstruktion.
Jedes Element erfordert einen anderen, atomar präzisen Depositionsprozess.
Quelle :
NGL-Workshop, Pasadena 08/2001
( Übergang : diffraktiven reflektiernden optischen Elementen )
Ionenstrahl-gestützteDeposition
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Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)
Reflexion an Grenzflächen : Konstruktion des EUV-Optik :
Braggsche Reflektionsbedingung
nλ=2d sin ϑ
1234567
ϑd
Verstärkung durch konstruktive Interferenz
für: ϑ = 90° λ = 13,4 nm
d = λ /2 = 6,7 nm
erforderliche Anpassung der Multischichtperiode d an Bragg-Winkel ϑ und Wellenlänge λ
Substrat (mask blank) : Ø ≥ 6 inchSi, Zerodur, UBL
50 M
o/Si
Dop
pels
chic
hten
2,7
nm M
o / 4
nm
Si
50 nm Cr-Maske
Ulta
präz
isio
ns-
glät
tung
(0,1
nm
rm
s)
belichtende 13,4 nm Strahlung (senkrecht)
reflektierte Strahlung ca. 65...69 %
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Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)
100 nm
50 Perioden: 2.7 nm Mo/ 4.0 nm Si auf 6” Si-Wafer
sehr gute Reproduzierbarkeit der Filmdicke
stabile Periode von 6.7 nm
002
220
111-
-000
Reflexe des
Mo/Si-Systems
nahe (000) Si
5 nm
Siα-Si
Mo
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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Lithographie im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUVL)
0 100 200 300 Depth [nm]
ResultatØ hervorragende Periodizität
Ø Schichtqualität auch durch Messungen der Rön-tgenreflektivität unter streifenden Einfall mitCuKα Strahlung nachgewiesen
ResultatØ Bei 13,4 nm und nahezu senkrechten
Einfallswinkel (1.5 grad) wurde eineReflektivität von 67,5% gemessen
Röntgenreflektivitäts-Messungen unter nahezu senkrecht einfallender Röntgenstr.
Flugzeit-SIMS-Messung an einem Stapel von 50 Mo/Si-Doppelschichten auf einem Si-Wafer
Nor
mal
ised
Int
ensi
ty
67.5 % at 13.4 nm !
Messung mit Synchrotronstrahlung bei variabler Wellenlänge
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Cyberite (weltweit erste kommerzielle IBAD-Anlage)
Herstellung von Mehrfachschichtsystem für die EUV-Lithographie
Nutzung des „X-beliebigen Magnetowiderstandes“ XMR als Sensor und Datenspeicher
Dünnschicht-Solarzellen auf flexiblen Kunststoffen
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Substrat-halter
Target-trommel
ECR-Ionen-quellen
HANDLER
MODUL 1
MODUL 2
CYBERITE IBAD (Ion Beam Assisted Deposition)System of unaxis Deutschland GmbH and IOM Leipzig
Sputter-quelle
Assist-Quelle
Substrat auf rotierenden Halter
Sputterquelle Assistquelleerste Anlage bei IBM / San Josè (2000)
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Riesenmagnetowiderstand, XMR (GMR)
Ferro-magnet
Ferro-magnet
Zwischen-bereich
Magnetisierungen sind antiparallel
bei Durchgang durch Zwischenbereich werden aus Majoritäts- dann Minoritäts-ladungsträger
daraus folgt starke Spinstreuung der Elektronen
wenn die Magnetisierung durch äußeres Magnetfeld parallel erzwungen wird, folgt große Widerstandsänderung
XMR-Effekt
XMR-Leseköpfe in Festplatten-laufwerken
MRAM
Magnetic Random Access Memories - MRAM
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
ResultateØ Deposition von FeNi Spin-Valves (FeMn - Antiferromagnet, NiFe -
Ferromagnet, Co - Diffusionsbarriere, Cu - Sensorschicht)
ØWiderstand und Homogenität der Cu-Schicht sehr wichtig !
Ø Empfindlichkeit der Widerstandsänderung (∆R/R) und möglicherDetektionsbereich (He<Hx<Hc) kann weiter verbessert werden
2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,70
2
4
6
8 40
0
10
20
30
Mag
netis
che
Feld
stär
ke [
Oe
]
He
Hc
∆R/R
∆R/R
[ %
]
Cu-Dicke [ nm ]
CYBERITE System wird bei IBM / San Josè zur GMR-Sensor-Produktion eingesetzt (85 % der Weltproduktion) !-60 -40 -20 0 20 40 60
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
in Ionenstrahlrichtungsenkrecht zur IonenstrahlrichungSp
ez. W
ider
stan
d [ Ω
/cm
]
radiale Position [ mm ]
GMR-Spin Valve Sensor
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Beispiel : Solarzellen auf Polymerfolien
Konventionelle CIGS Pro-zesse benötigen Tempera-turen > 500°C für Solar-zellen hoher Photoneneffiz.
Polyimide sind Temperatur-resistent bis ≤ 400°C füreinige Minuten.?
ein neuer Tieftemperatur CIGS Process : die Ionenstrahl gestützte Deposition von Solarabsorber-Schichten !
• es besteht extremes Interesse an der Herstellung von leichten, flexiblen CIGS-Schichten auf Kunststoffen
• polykristalline Cu(InGa)Se2 (CIGS) Dünnschicht-Solarzellen auf Mo/GlasSubstrates zeigen eine Photoneneffizienz von max. 18,8 %
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Cu In
Glas0.5 µm Mo
CuInSe2, ...500°C
Abscheidung von Cu, In(Ga)-Schichten bzw. Seleniden durch PVD, Magnetron-sputtern, elektrochemische Verfahren.
„Selenisierung“ in Se-haltiger Atmosphäre bei erhöhter Temperatur
Sequentielle oder simultane Abscheidung Probleme
zu hohe Temperaturen
Selenisierungschlecht steuerbar
hoch toxischer Prozeß
Se-Überschuß
LL
LL
Wünsche
Temperaturen < 400 °C
gut steuerbar
schnell (>150 nm/min)
wenig toxische Abfälle
Se, H2Se
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Se
Plasma
Se+, Se2+ Se(+), Se2
(+), ...
1.Ofen für die Se-VerdampfungT = 175...190 °Cp = 0.01 mbar
2.
Konstruktion einer Breitstrahl-Selen-Ionenquelle
3.Entwicklung eines Gitter-systems zur Extration des Se aus dem Plasma
E = 100...300 eV
J = 0.1 ... 0.5 mA/cm²
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Cu In,Ga
Se-Ionen-quelle
- Se Partialdruck < 10 mbar
-Mehrfach-Elektronenstrahlverdampfer: Cu, Ga, In
- Se Ionenquelle : 200 - 300 eV, 0.2-0.5 mA/cm2 (gut kontrollierbar)
- 330°C - 350°C Substrattemperatur
- Substrat: Mo-beschichtete 25 µm UPILEX-S (UBE) !!!
kristalline Schichten von Cu(In,Ga)Se2aber auch CuIn3Se5, CuxSe, In2Se3
experimentelles UHV-System
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
vom Solarabsorber zur Solarzelle auf einer Polymerfolie
1 µm ZnO:Al Frontkontakt
50 nm CdS Anpass-Schicht
1,5 µm CIS-Absorberschicht
Cu(In,Ga)Se2
500 nm Mo Rückkontakt
25 µm Polymerfolie
AufsichtPolymerfolie Mo Rück-
kontakt
AbsorberschichtCdS Anpass-Schicht
ZnO:Al Frontkontakt
Querschnitt
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Herstellung eines Solarabsorbers für Dünnschicht-Solarzellen durch
ionenstrahl-gestützte Deposition bei tiefen Temperaturen ( < 400 °C)
• einfache, exakt kontrollierbare und kostengünstige Herstellung
• hervorragend langzeitstabil (selbststabilisierend unter Lichteinstrahlung)
• extrem dünn ( < 20 µm)
• hoch flexibel
• leichter als Papier (50 g/m²)
• Wirkungsgrad : ca. 10 %
• Strompreis : ca. 0,05 €/kWh
• Rolle-zu-Rolle-Technologie
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Anwendung der Ionenstrahl gestützten Deposition
Thermische Vorbehandlung
Sputtern Rückkontakt
CIGS:Na I B A D-Prozeß
Nachbehandlung, weitere Prozeßschritte
Solarion GmbHPhotovoltaik
Stand und Perspektive : - Basis: Euro-Patent - Firma gegründet (Invest.-volumen ca. 6 Mio DM) - 1000 m² (im Jahre 2001); 5000 m² (2002)(im kontinuierlichen Prozess :Rolle-zu-Rolle)
- wissenschaftl. Begleitung „INNOCIS“
Geschäftsführer: Dr. G. Lippold
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
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Weiterführende Literatur
• Ultrapräzisionsbearbeitung
A. Schindler u.a., Proceed. SPIE 4440 (2001) 217
A. Schindler, u.a., OSA Technical Digest, Washington, 2000, 135
• Nanostrukturierung
F. Frost u.a., Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 4116
F. Frost, B. Rauschenbach, Appl. Phys. A (2002), im Druck
• Plasmaimmersions-Ionenimplantation
B. Rauschenbach, The Enzyclopedia of Materials, Science and Technology, Elsevier Science Oxford 200, Vol. VII, p. 7023
S. Mändl, B. Rauschenbach, Biomed. Technik, 45 (2000) 193
R.A. Yankov, S. Mändl, Ann. Phys. 10 (2001) 279
• Ionenstrahl-gestützte Deposition
B. Rauschenbach, Advances in Solid State Physics, Vol. 40 (2000)
B. Rauschenbach, J.W. Gerlach, Cryst. Res. Technol. 35 (2000) 675
Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V.Wissenschaftsgemeinschaft „Gottfried Wilhelm Leibniz“
I MI MOO
Danksagung
• Ultrapräzisionsbearbeitung: A. Schindler, T. Hänsel, H. Neumann
• Nanostrukturierung: F. Frost, G. Wagner
• Plasmaimmersions-Ionenimplantation: S. Mändl
• Ionenstrahl-gestützte Deposition: J.W. Gerlach, S. Sienz, T. Chassè
Autor: Prof. Dr. habil. Bernd Rauschenbach Tel.: (0341) 235 2308Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Fax: (0341) 235 2313Permoserstr. 15 Email: [email protected] Leipzig Web: www.iom.uni-leipzig.de