UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIN
ELECTRNICA DIGITAL IIDEPARTAMENTO SISTEMAS DIGITALES Y
TELECOMUNICACIONES
Laboratorio: Dispositivos de Memoria
1. Objetivos
Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria con base en
sus entradas y salidas. Combinar ICs de Memoria para formar mdulos
de Memoria con un tamao de Palabra ms grande y/o mayor capacidad.
Utilizar el programa Circuit Maker para simular circuitos de
memoria ROM o memoria RAM.
2. Introduccin
La memoria es un medio fsico capaz de almacenar informacin
(programas y datos) de forma temporal o permanente. Aunque
conceptualmente parezcan sencillas, presentan una gran variedad de
tipos, tecnologa, estructura, prestaciones y costos. Ninguna
tecnologa es ptima para satisfacer todas las necesidades de un
computador, por lo que existe una jerarqua de subsistemas de
memoria.
La capacidad de la memoria es una forma de especificar la
cantidad de bits que puede almacenar un dispositivo de memoria. La
capacidad se puede expresar como el producto: nmero de palabras x
tamao de la palabra o por una cantidad especfica de bits. El
arreglo de las memorias indica que est compuesta por n palabras de
m bits cada una.
Cada una de estas palabras tiene asociado una direccin (cdigo
binario) para acceder a ella para escribir o leer un dato. Las
designaciones comunes para expresar la capacidad de una memoria
son:
1K = 210 = 10241M = 220 = 1024K1G = 230 = 1024M1T = 240
=1024G
3. Desarrollo
Ejercicio 1: Utilice el programa Circuit Maker para simular el
siguiente circuito. Ver Figura .
Figura 1. Circuito de Memoria PROM de 32x8
1. Posicione el mouse en la memoria ROM y haga clic derecho
encima, le aparecer un men donde escoger la opcin Edit PROM/RAM.
Posicinese en las 5 primeras direcciones (una por una haciendo
doble clic) para modificar los datos que estn almacenados en la
memoria. Puede introducir los nuevos datos en forma hexadecimal de
acuerdo al siguiente orden:
DireccinDatos
000045
000187
0002F3
000344
000455
2. Luego posicinese en las ltimas 5 direcciones de memoria y
modifique cada una de las palabras en el siguiente orden:
DireccinDatos
0027DD
002833
0029AB
003011
003126
3. Ahora con el CS activado, active cualquiera de las
direcciones antes mencionadas y verifique el contenido de las
direcciones a travs de los display. Para poder apreciar la
simulacin tiene que estar en modo digital, esta opcin se encuentra
desde el men Simulation. Para correr la simulacin se tendr que
apretar F10 desde el teclado. Los resultados de las direcciones de
las memorias quedan como la Figura 2.
Ejercicio 2: Implemente un arreglo de memorias que duplique el
tamao de las palabras del circuito anterior. Introduzca datos en
las 5 primeras palabras de la segunda memoria y en las 5 ltimas
escoja datos diferentes a los establecidos anteriormente. Ver
Figura 3.
Ejercicio 3: Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx8
utilizando los circuitos integrados de memoria RAM de 1Kx8 que
posee el software. Introduzca datos en los diferentes circuitos de
memoria y comprubelos en displays hexadecimales.
Trabajo a Entregar: Enviar todos los archivos simulados y la
conclusin del laboratorio al correo electrnico.Elaborado por Ing.
Carlos OrtegaPgina 1
