LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

5/22/2018 LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

1/39

PENGUKURAN DIODA

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

Disusun guna memenuhi tugas mata kuliah Praktik Elektronika Analog yang

diampu oleh Bapak Drs. Suryono, M.T

Oleh

Mujib Riyadi

5301410068

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS NEGERI SEMARANG

2014


2/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat:

1. Mengetahui macam-macam dioda.2. Mengetahui cara membaca polaritas dioda.3. Mengetahui bagaimana mengecek keadaan dioda mengggunakan Ohm

Meter.

B.

Teori Dasar

Dioda semi konduktor yang dipakai pada teknik elektronika pada

umumnya digunakan untuk menyearahkan arus listrik AC menjadi DC.

Dioda dibentuk oleh atom P dan atom N yang digabungkan menjadi satu,

sehingga akan membentuk susunan seperti gambar dibawah ini.

Gambar 1. Susunan dan simbol dioda semikonduktor

Dari gambar diatas atom P disebut sebagai anoda dan atom N sebagai

katoda. Bila anoda diberi muatan positip dan katoda diberi muatan negatip,

maka arus akan mengalir (lampu menyala), sebaliknya jika anoda diberi

muatan negatip dan katoda diberi muatan positip, maka arus tidak

mengalir.

Arah gerakan arus yang mengalir ini dinamai arah gerak maju atau

forwarddirection. Arah gerakan tanpa aliran arus ini dinamai arah gerak

tentang atau reversdirection.


3/39

2

Gambar 2.Arus DC melalui dioda

Dioda dapat digunakan untuk menyearahkan arus AC menjadi arus

DC. Ada dua macam penyearah dioda yaitu penyearah setengah

gelombang dan penyearah gelombang penuh. Gambar 2-3 memperlihatkanrangkaian penyearah setengah gelombang.

C. Gambar Kerja1. Cara mengecek keadaan dioda Germaium, Silikon dan Zener.

Gambar 3. Cek Dioda Germanium/Silikon/Zener

2. Cara mengecek keadaan dioda bridge.


4/39

3

Gambar 4.Rangkaian Dioda Bridge

Gambar 5. Cek Dioda Bridge


5/39

4

D. Alat dan Bahan1. Alat

a. Multimeter Analogb. Kabel Penghubungc. Eksperimen Board

2. Bahana. Dioda Germaium dan Silikon

b. Dioda Zenerc. Dioda Bridge

E. Langkah Kerja1. Mempersiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan untuk dirangkai.2. Merangkai rangkaian seperti gambar kerja.3. Mengamati dan mencatat hasil pengukuran yang ditunjukn Multimeter

pada dioda tersebut dan mencatat hasilnya pada tabel data pengukuran.

4. Melepasi rangkaian dan mengembalikanya kepada petugaslaboratorium.

5. Membuat laporan sementara hasil praktek.6. Membuat laporan individu hasil praktek.

F.

Data Pengukuran

Tabel 1Hasil pengamatan pengukuran Dioda Germanium/Silikon

No. Posisi Probe Ohm Meter Hasil Pengukuran Kesimpulan

a Probe merah => Katoda

Probe hitam => Anoda

Jarum bergerak bukan

menunjukkan nolBaik

b Probe merah => Anoda

Probe hitam => Katoda

Jarum tidak bergerakBaik


6/39

5

Tabel 2Hasil pengamatan pengukuran Dioda Zener

No. Posisi Probe Ohm Meter Hasil Pengukuran Kesimpulan

a Probe merah => Katoda

Probe hitam => Anoda

Jarum bergerak bukan

menunjukkan nolBaik

b Probe merah => Anoda

Probe hitam => Katoda

Jarum tidak bergerakBaik

G. Analisis dan Pembahasan1. Dioda Dalam Kondisi Baik

Probe merah => katoda, probe hitam => anoda => Jarum bergerak

bukan nol.

Kemudian posisi dibalik:

Probe merah => anoda, probe hitam => katoda => Jarum tidak

bergerak.

2. Dioda Dalam Kondisi Rusak/ShortProbe merah => katoda, probe hitam => anoda => Jarum bergerak atau

menunjuk nol.

Kemudian posisi dibalik:

Probe merah => anoda, probe hitam => katoda => Jarum bergerak atau

menunjuk nol.

3. Probe MerahProbe merah pada Multimeter merupakan sumber baterai berpolaritas

negatif.

4. Probe HitamProbe hitam pada Multimeter merupakan sumber baterai berpolaritas

positif.


7/39

6

5. Kerja DiodaDioda dapat bekerja apabila mendapat bias maju/forward.


8/39

KARAKTERISTIK DIODA P-N




Oleh

Mujib Riyadi

5301410068


FAKULTAS TEKNIK


2014


9/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat:

1. Mengetahui cara mengecek keadaan dioda.2. Mengetahui cara memberi tegangan bias forward dan reverse pada

dioda.

3. Mengetahui bagaimana karakteristik suatu dioda.B. Teori Dasar

Kita mengenal hukum Ohm yaitu:

E = I R I = V / R R = I /ESehingga dapat disimpulkan :

Tegangan dinyatakan dengan nilai volts disimbolkan dengan E atauV

Arus dinyatakan dengan ampere, dan diberi simbol I

Hambatan dinyatakan dengan ohms diberi simbol R

Besarnya daya pada suatu rangkaian dapat dihitung dengan rumus

P = V . I P = /R

Dimana:

P : Daya, dengan satuan watt,

V : Tegangan dengan satuan volt

I : Arus dengan satuan ampere

Suatu diode yang diberi tegangan tertentu akan memiliki tegangan

diode () dan arus diode () yang saling berhubungan sehingga

membentuk karakteristik dari diode tersebut. Karakteristik diode umumnya

dinyatakan dengan grafik hubugan antara tegangan pada diode dengan arus

yang melewatinya sehingga disebut karakteristik tegangan-arus (V-I).


10/39

2

Secara teoritis, hubungan antara tegangan diode dan arus diode dinyatakan

oleh suatu persamaaan:

= ( e / )

= arus diode, positif jika di dalam diode arahnya dari anode ke katode

Is = arus mudor jenuh ( s.d A

= tegangan kesetaraan suhu

= koefisien emisi, antara 1-2 dan untuk silicon pada arus normal mendekati 2

e = bilangan natural = 2,72

C. Gambar Kerja

Gambar 1 Dioda forward Gambar 2 Dioda Reverse


a. Multimeter Analogb. Multimeter Digitalc. Kabel Penghubungd. Eksperimen Boarde. Power Supplay


11/39

3

2. Bahana. Dioda germanium

b. Dioda silikon


tersebut dan mencatat hasilnya pada tabel data pengukuran.



F. Data PengukuranTabel 1Hasil pengamatan pada dioda silikon pada saat tegangan forward

No. V(Volt) ID(mA) VAA(Volt) R= VAA/ ID

1. 0 0 0,1

2. 0 0 0,2

3. 0 0 0,3

4. 0 0 0,4

5. 0 0 0,5

6. 0,25 0,02 0,6

7. 0,35 0,03 0,7

8. 0,4 0,04 0,8


12/39

4

9. 0,5 0,05 0,9

10. 0,6 0,06 1

11 1,05 0,09 1,5

12 1,55 0,13 2

13 2,05 0,19 2,5

14 2,2 0,24 3

Tabel 2Hasil pengamatan pada dioda silikon pada saat tegangan Reverse

No. V (Volt) ID(mA) VAA(Volt) R= VAA/ ID

1. 0 0 0,1

2. 0 0 0,2

3. 0 0 0,3

4. 0 0 0,4

5. 0 0 0,5

6. 0 0 0,6

7. 0 0 0,7

8. 0 0 0,8

9. 0 0 0,9

10. 0 0 1

11 0 0 1,5

12 0 0 2

13 0 0 2,5

14 0 0 3


13/39

5

Tabel 3Hasil pengamatan pada dioda germanium pada saat tegangan forward


1. 0 0 0,1

2. 0,1 0 0,2

3. 0,2 0,02 0,3

4. 0,3 0,03 0,4

5. 0,4 0,04 0,5

6. 0,5 0,05 0,6

7. 0,55 0,06 0,7

8. 0,65 0,07 0,8

9. 0,75 0,09 0,9

10. 0,8 0,1 1

11 1,25 0,14 1,5

12 1,75 0,21 2

13 2,25 0,27 2,5

14 3 0,29 3

Tabel 4Hasil pengamatan pada dioda pada saat tegangan Reverse


1. 0 0 0,1

2. 0 0 0,2

3. 0 0 0,3

4. 0 0 0,4


14/39

6

G. Analisis dan PembahasanApabila pada saat pengecekan:

a. Kerja DiodaDioda dapat bekerja apabila mendapat bias maju/forward.

b. Dioda Tak KerjaDioda tak dapat bekerja apabila dibias mundur/reverse.

5. 0 0 0,5

6. 0 0 0,6

7. 0 0 0,7

8. 0 0 0,8

9. 0 0 0,9

10. 0 0 1

11 0 0 1,5

12 0 0 2

13 0 0 2,5

14 0 0 3


15/39

PENGUKURAN DIODA ZENER




Oleh

Mujib Riyadi

5301410068


FAKULTAS TEKNIK


2014


16/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat

menggambarkan kurva karakteristik dari diode Zener dan pengalaman

menggunakan peralatan ukur.

B. Teori DasarZener dioda atau juga dikenal sebagai voltage regulation dioda

adalah silikon PN junction yang bekerja pada revers bias didaerah

breakdown. Gambar 2-14 memperlihatkan simbol zener dioda serta

karakteristik reversbias nya.

Gambar 1. Simbol dan karakteristik zener dioda

Tegangan zener Vz benar-benar konstan meskipun arus yang

mengalir berubah-ubah besarnya. Tetapi dalam kenyataannya tegangan

zener akan berubah sedikit apabila arus dioda Izberubah. Hambatan arus

bolak-balik dalam daerah zener disebut hambatan zener (rz) = Vz/Iz.

Jadi perubahan tegangan Vz akan dapat ditentukan dari Vz = Iz.rz

Skema dasar rangkaian stabilisasi tegangan dengan dioda zener

adalah seperti terlihat pada gambar 2 dibawah ini.


17/39

2

Gambar 2. Stabilisasi tegangan dengan zener dioda

Apabila arus beban semakin besar, maka arus zener akan

berkurang. Agar tegangan output (pada beban) tetap stabil, maka

pengurangan arus zener Iz tiak boleh sampai pada daerah lengkung yang

kurang curam, karena pada daerah itu tegangan zener dioda sudah tidak

stabil lagi. Untuk supaya arus beban mampu besar dengan arus zener Iz

tetap pada daerah lengkung yang curam, sehingga tegangan output tetap

stabil, maka dipasanglah Transistorseperti gambar skema dibawah ini.

Gambar 3.Stabilisasi tegangan dengan zener dioda dengan transistor

Dari gambar skema diatas rangkaian stabilisasi tegangan sebe

narnya berupa rangkaian commond emitor. Resistor beban merupakan

hambatan emitor. Tegangan basis distabilkan oleh zener dioda dan arus

beban sama dengan arus kolektor, maka berlakulah IBasis= IBeban/hFE.


18/39

3

C. Gambar Kerja

Gambar 4. Rangkaian percobaan mengukur tegangan kerja diode zener


a. Multimeter Analogb.

Multimeter Digital

c. Kabel Penghubungd. Eksperimen Boarde. Power Supplay

2. Bahana. Diode Zener 7,5 Volt




19/39

4



F. Data PengukuranTabel 1 Hasil pengamatan pada dioda Zener 7,5 pada saat tegangan forward

No. VAA (Volt) V (Volt) A (mA)

1. 0 0 0

2. 1 1 0

3. 2 2 0

4. 3 3 0,01

5. 4 4 0,01

6. 5 5 0,02

7. 6 6 0,02

8. 7 6,8 0,03

9. 8 7,3 0,07

10. 9 7,4 0,16

11 10 7,4 0,26

12 11 7,4 0,36

13 12 7,4 0,46

Tabel 2 Hasil pengamatan pada dioda Zener 7,5 pada saat tegangan reverse

No. VAA (Volt) V (Volt) A (mA)

1. 0 0 0

2. 1 1 0

3. 2 2 0

4. 3 3 0,01

5. 4 4 0,01


20/39

5

6. 5 5 0,02

7. 6 6 0,02

8. 7 6,8 0,03

9. 8 7,3 0,07

10. 9 7,4 0,16

11 10 7,4 0,26

12 11 7,4 0,36

13 12 7,4 0,46

G. Analisis dan PembahasanApabila pada saat pengecekan:

a. Kerja DiodaDioda dapat bekerja apabila mendapat bias mundur/reverse.

b. Dioda Tak KerjaDioda tak dapat bekerja apabila dibias maju/forward.


21/39

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

NPN & PNP




Oleh

Mujib Riyadi

5301410068


FAKULTAS TEKNIK


2014


22/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat mengetahui

karakteristik dari Transistor NPN dan PNP

B. Teori DasarNama Transistor diambil dari kata transfer dan resistor. Bahan semi

konduktor ini berasal dari bahan atom germanium, Indium dan Arsenikum

atau Silikon. Atom-atom ini sendiri termasuk bahan yang tidak

mengalirkan arus listrik, jadi termasuk jenis bahan isolator atau resistor.

Setelah mengalami proses peleburan, maka terbentuklah hasil campuran

yang dinamai P-Njunction. Bahan campuran ini mempunyai sifat setengah

menghantarkan arus listrik atau semikonduktor. Itulah sebabnya hasil

campuran ini sering dinamai semikonduktor. Jadi semikonduktor atau

Transistor ini hasil pencampuran lagi dari jenis P-N junction dan N-P

junction.

Bila dua jenis atom P dan N junction digabungkan, maka

terbentuklah bahan baru yang dinamai Transistor. Jadi Transistor terbentuk

dari bahan-bahan:

PN + NP menjadi PNP

Np + PN menjadi NPN

PN + PN menjadi PNPN

Gambar dibawah ini memperlihatkan simbol dari Transistor PNP

dan Transistor NPN

Gambar 1. Simbol Transistor PNP dan Transistor NPN


23/39

2

Macam-macam bentuk dan tipe Transistor terlihat seperti gambar

dibawah ini.

Gambar 2. Bentuk Transistor dari bermacam tipe

Dari gambar diatas terlihat bahwa Transistor ada yang mempunyai

2 kaki dan ada yang 4 kaki. Khusus untuk Transistor daya besar biasanya

mempunyai 2 kaki, kaki kolektor sama dengan badannya. Untuk Transistor

yang berkaki 4 biasanya untuk frekuensi tinggi, disitu terdapat kaki yang

dinamai shield (tameng) yang dihubungkan ke ground.

Agar Transistor dapat mengalirkan arus, maka Transistor harus

diberi sumber arus dari dua buah bateray. Sumber arus ini biasanya diberi

kode Vcc. Untuk Transistor jenis PNP negatif dan untuk NPN positif.

Transistor dipasang sedemikian sehingga harus memenuhi beberapa syarat

yaitu dalam arah maju (forward) dan arah balik (reverse).


24/39

3

Gambar 3. Cara pemberian tegangan bias pada Transistor

Pemberian tegangan bias pada Transistor yang dipakai dalam

rangkaian sebenarnya ialah dengan menerapkan resistor-resistor, dengan

demikian sumber tegangan baterinya cukup satu saja.

Gambar 4.Cara pemberian tegangan bias pada Transistor

Pada dasarnya fungsi Transistor ialah memperkuat arus. Dari

gambar skema dasar rangkaian Transistor dibawah ini, jika tegangan VBE

=

0, maka tidak ada arus basis IByang mengalir, demikian juga arus kolektor

IC = 0, Transistor dalam keadaan mati (cut off).


25/39

4

Gambar 5. Transistor sebagai penguat arus

Kalau tegangan basis VBE ada, maka mengalirlah arus basis IB,

emikian juga aru kolektor IC. Transistor dalam keadaan menghantar.

Semakin besar tegangan VBE, maka aru basis IB semakin besar dan juga

arus kolektor IC semakin besar. Antara arus kolektor ICdan arus basis IB

ada perbandingan yang konstan. Penguatan arus DC pada Transistor

merupakan perbandingan antara ICdan IByang dinyatakan sebagai hFE =

IC/IB. Jadi besarnya IC= hFE.IB

C. Gambar Kerja

Gambar 6.Rangkaian Transistor NPN


26/39

5

Gambar 7.Transistor PNP



4. Bahana. Resistor

b. Potensiometerc. Transistor NPN dan PNP




27/39

6



F. Data PengukuranTabel 1 Hasil pengamatan pada Transistor NPN

No Potensio Ib (mA) Ic (mA) VBE(V)

VCC(V)

VCE(mV)

1. 0 5,29 4,9 0,6 6 43,7

2. 1/4 1.31 4,91 0,6 6 30,2

3. 1/2 0,86 4,9 0,6 6 29,8

4. 3/4 0,64 4,90 0,6 6 27,1

5. Max 0,47 4,88 0,6 6 29,2

Tabel 2 Hasil pengamatan pada Transistor PNP

No Potensio Ib (mA) Ic (mA)VBE

(V)

VCC

(V)

VCE

(mV)

1. 0 5,4 5,8 0,6 6 10

2. 1/4 5.82 4,91 0,6 6 13,2

3. 1/2 5.82 4,9 0,6 6 17,2

4. 3/4 5.83 4,90 0,6 6 19,2

5. Max 5.84 4,88 0,6 6 22,2


28/39

PENGUKURAN SCR

( SILICON CONTROLED RECTIFIER )




Oleh

Mujib Riyadi

5301410068


FAKULTAS TEKNIK


2014


29/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat memahami

karakteristik, prinsip kerja dan dapat menentukan kaki-kaki SCR (Silicon

Controled Rectifier).

B. Teori DasarThyristor adalah suatu bahan semikonduktor yang tersusun atas 4

lapisan (layer) yang berupa susunan P-N-P-N junction, sehingga thyristor

ini disebut juga sebagai PNPN diode.

Gambar 1. Struktur fisik dari thyristor dan simbolnya

Seperti tampak pada gambar 1. ketika tegangan anode dibuat lebih

positif dibandingkan dengan tegangan katode , sambungan J1dan J3berada

pada kondisiforward bias, dan sambungan J2berada pada kondisi reverse

bias sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode dankatode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan forward blockingatau kondisi

off-state, dan arus bocor dikenal sebagai arus off-state ID.

Jika tegangan anode ke katode VAK ditingkatkan hingga suatu

tegangan tertentu , sambungan J2 akan bocor. Hal ini dikenal dengan

avalance breakdowndan tegangan VAK tersebut dikenal sebagai forward

breakdown voltage, VBO. Dan karena J1dan J3sudah berada pada kondisi

ANODE

PINTU

KATODE

P

P

N

P

P

N

P

N

P

N

IA

IB1 IGn

IC2

IK

IB2IGp

IC1

A

K

J1

J2

J3


30/39

2

forward bias, maka akan terdapat lintasan pembawa muatan bebas

melewati ketiga sambungan , yang akan menghasilkan arus anode yang

besar. Thyristor pada kondisi tersebut berada pada kondisi konduksi atau

keadaan hidup. Tegangan jatuh yang terjadi dikarenakan oleh tegangan

ohmic antara empat layer dan biasanya cukup kecil yaitu sekitar 1 V.

Pada keadaan on, arus dari suatu nilai yang disebut dengan latching

current IL, agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas

yang melewati sambungan-sambungan , jika tidak maka akan kembali ke

kondisi blocking ketika tegangan anode ke katode berkurang. Latching

current( IL) adalah arus anode minimum yang diperlukan agar membuat

thyristor tetap kondisi hidup, begitu thyristor dihidupkan dan sinyal

gerbang dihilangkan. Ketika berada pada kondisi on, thyristor bertindak

sebagai diode yang tidak terkontrol.

Devais ini terus berada pada kondisi on karena tidak adanya lapisan

deplesi pada sambungan J2 karena pembawa pembawa muatan yang

bergerak bebas. Akan tetapi, jika arus maju anode berada dibawah suatu

tingkatan yang disebut holding current IH, daerah deplesi akan terbentuk

disekitar J2 karena adanya pengurangan banyak pembawa muatan bebas

dan thyristor akan berada pada keadaan blocking. Holding current terjadi

pada orde miliampere dan lebih kecil dari latching current IL, IH>IL.

Holding current IH adalah arus anode minimum untuk mempertahankan

thyristor pada kondisi on.

Ketika tegangan katode lebih positif dibanding dengan anode,

sambungan J2 terforward bias, akan tetapi sambungan J1dan J3akan ter-

reverse bias. Hal ini seperti diode diode yang terhubung secara seri

dengan tegangan balik bagi keduanya. Thyrstor akan berada pada kondisi

reverseblockingdan arus bocor reverse dikenal sebagai reversecurrent IR.

Thyristor akan dapat dihidupkan dengan meningkatkan tegangan maju


31/39

3

VAK diatas VBO, tetapi kondisi ini bersifat merusak. dalam prakteknya,

tegangan maju harus dipertahankan dibawah VBO

dan thyristor dihidupkan

dengan memberikan tegangan positf antara gerbang katode. Begitu

thyristor dihidupkan dengan sinyal penggerbangan itu dan arus anodenya

lebih besar dari arus holding, thyristor akan berada pada kondisi

tersambung secara positif balikan, bahkan bila sinyal penggerbangan

dihilangkan . Thyristor dapat dikategorikan sebagai latching devais.

Thyristor dapat bertingkah seperti dua transistor dengan penurunan

rumus sebagai berikut :

IB1= IC2+ IGn

IB2= IC1+ IGp

Adapun karaktristik tegangan versus arus dapat dilihat pada gambar

II.2 sebagai berikut:

Gambar 2. Karakteristik Thyristor

Karaktristik tegangan versus arus ini diperlihatkan bahwa thyristor

mempunyai 3 keadaan atau daerah, yaitu :

1. Keadaan pada saat tegangan balik (daerah I)2. Keadaan pada saat tegangan maju (daerah II)3. Keadaan pada saat thyristor konduksi (daerah III)

VDVbo

iD

VR

IIIII

I

I

IH


32/39

4

Pada daerah I, thyristor sama seperti diode, dimana pada keadaan ini

tidak ada arus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan tembus

(Vr). Pada daerah II terlihat bahwa arus tetap tidak akan mengalir sampai

dicapainya batas tegangan penyalaan (Vbo). Apabila tegangan mencapai

tegangan penyalaan, maka tiba tiba tegangan akan jatuh menjadi kecil

dan ada arus mengalir. Pada saat ini thyristor mulai konduksi dan ini

adalah merupakan daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor

konduksi, dapat disebut sebagai arus genggam (Ih = Holding Current).

Arus Ih ini cukup kecil yaitu dalam orde miliampere.

Untuk membuat thyristor kembali off, dapat dilakukan dengan

menurunkan arus thyristor tersebut dibawah arus genggamnya (Ih) dan

selanjutnya diberikan tegangan penyalaan.

Sil icon Controlled Rectif ier (SCR)

Komponen lain yang mempunyai karakteristik mirip dengan thyristor

adalah Silicon Controlled Rectifier (SCR), hanya disini tegangan

penyalaan dapat diubah ubah sesuai dengan besarnya arus yang

diberikan pada gerbang (gate) dari SCR tersebut. Makin besar arus yang

diberikan , makin besar pula tegangan penyalaanya. Hal ini dapat dilihat

pada karaktristik tegangan versus arus untuk SCR pada Gambar. 3 berikut

ini.


33/39

5

Gambar 3. Symbol SCR dan Karakteristik SCR

C. Gambar Kerja

Gambar 4.Rangkaian percobaan menentukan jenis transistor.

Gambar 5.Rangkaian SCR sebagai switch.

VD

iD

VR IH

VBO3 VBO2 VBO0VBO1

ig3 ig1ig2 _

ig1 < ig2 < ig3

Anoda

iD+

_

VDig

Gate

Katoda


34/39

6



2. Bahana. Resistor

b. Ledc. Kapsitord. SCR





F. Data PengukuranTabel 1 Hasil percobaan mengukur transistor SCR

No. Posisi Probe Ohm Meter Posisi Jarum Ohm Meter

1.

Probe Merah---- X

Probe Hitam--- Y

Probe Merah---- Z

Jarum tidak menyimpang


35/39

7

2.

Probe Hitam--- Y

Probe Merah---- X

Probe Hitam--- Z


3.

Probe Hitam--- Y

Probe Merah---- Z

Probe Hitam--- X

Jarum menyimpang

4.

Probe Hitam--- Z

Probe Merah---- Y

Probe Hitam--- X


5.

Probe Hitam--- Z

Probe Merah---- X

Probe Hitam--- Y


6.

Probe Hitam--- X

Probe Merah---- Z

Probe Hitam--- Y

Jarum menyimpang


36/39

PENGOPERASIAN OSILOSKOP




Oleh

Mujib Riyadi

5301410068


FAKULTAS TEKNIK


2014


37/39

1

A. Tujuan PratikumSetelah praktik selesai diharapkan mahasiswa dapat mengetahui

bagaimana cara mengoperasikan osiloskop.

B. Teori DasarOsiloskop (Gambar 1) merupakan alat ukur dimana bentuk

gelombang sinyal listrik yang diukur akan tergambar pada layer tabung

sinar katoda.

C. Gambar Kerja

AFG CRO


a. Osiloskopb. AFGc. Multimeter Analogd. Kabel Probe


38/39

2

E. Langkah Kerja1. Mempersiapkan alat dan bahan yang dibutuhkan untuk dirangkai.2. Merangkai rangkaian seperti gambar kerja.3. Mengukur besarnya resistor dengan Multimeter.4. Mengamati dan mencatat hasil pengukuran yang ditunjukn Multimeter




F. Data PengukuranTabel 1 Hasil pengamatan tegangan dengan CRO

Kalibrasi Internal : 2 cm/div

No. Posisi Tegangan AFG Terukur CRO

1 Putaran 3 cm div = 1,5 v

2 Putaran 5,4 cm div = 2,7 v

3 Putaran 7,4 cm div = 3,7 v

Tabel 2 Hasil pengamatan frekuensi dengan CRO

No. Frekuensi AFG (Sinus) Terukur CRO

1 50 Hz 50 Hz

2 100 Hz 100 Hz

3 500 Hz 500 Hz

4 1000 Hz 1000 Hz

5 2000 Hz 2000 Hz


39/39

3

6 3000 Hz 2000 Hz

G. Analisis dan Pembahasan1. Rt = R1 + R2 + R3 + R4 + R5 = 10 + 10 + 10 + 10 + 10 = 50 K2. 1/Rt = 1/R1 + 1/R2 = 1/10 + 1/10 = 2/10, Rt = 10/2 = 5 K3. 1/Rt = 1/R3 + 1/R4 = 1/10 + 1/10 = 2/10, Rt = 10/2 = 5 K4. Rt = 1/R Paralel 1 + 1/R Paralel 2 = (1/R1 + 1/R2) + (1/R3 + 1/R4)

= (1/10 + 1/10) + (1/10 + 1/10) = (5 + 5) = 10 K

5. Rt = 1/R Paralel 1+ R3//1/R Paralel 2 = (1/10+1/10) + 10// (10 + 10)= 5 + (1/10 + 1/20) = 5 + 6.67 = 11, 67 K

Documents

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG