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LTC3723-1/LTC3723-2
1372312f
同期整流式プッシュプルPWMコントローラ
••
VOUT
VOUT
V+
VOUT
GND-F
LT1431
GND-S
COLL RREF
372312 TA01
VIN
VREF
FROMAUXILIARY
WINDING
VREF
DRVA
DRVB
CSVCC
DPRG
LTC3723-1
SDRA
SDRB
VREF
COMP
UVLO
SPRG
CT
RLEB
SSFB GND
LTC3901
SYNCME
MF
絶縁型プッシュプル・コンバータ
特長 高効率の同期整流式プッシュプルPWM 1.5Aシンク、1Aソース出力ドライバ プッシュプル、フルブリッジ、ハーフブリッジおよびフォワード・トポロジーをサポート
プッシュプル・デットタイムと同期タイミングを調整可能
システム低電圧ロックアウトとヒステリシスを調整可能
リーディングエッジ・ブランキングを調整可能 低い起動電流と消費電流 電流モード(LTC3723-1)または電圧モード(LTC3723-2)
動作 1本の抵抗によるスロープ補償 VCC UVLOと25mAシャント・レギュレータ 1MHzまでプログラム可能な固定周波数動作 50mA同期出力ドライバ ソフトスタート、サイクルごとの電流制限、Hiccupモー
ド短絡保護 5V/15mA低損失レギュレータ 16ピンSSOPパッケージ
アプリケーション テレコム、インフラストラクチャ電源システム 配電アーキテクチャ
概要LTC®3723-1/LTC3723-2は、コンパクトで高効率の絶縁型パワー・コンバータを実現するために必要なすべての制御および保護機能を提供する、同期整流式プッシュプルPWMコントローラです。高集積により、設計の柔軟性を維持しながら、外付け部品数を最小限に抑えます。
強靭なプッシュプル出力段は発振周波数の半分の値でスイッチングを行います。デットタイムは外付け抵抗を使用して個別にプログラムできます。同期整流器のタイミングを調整可能なので、効率を最適化できます。UVLO
プログラム入力は正確なシステム・ターンオンおよびターンオフ電圧を供給します。LTC3723-1はプログラム可能なスロープ補償とリーディングエッジ・ブランキングを備えたピーク電流モード制御を特長としています。LTC3723-2は電圧フィードフォワードが可能な電圧モード制御を採用しています。
LTC3723-1/LTC3723-2は、非常に小さい動作および起動電流を特長としています。どちらのデバイスも信頼できる短絡および過温度保護機能を備えています。LTC3723-1/
LTC3723-2は16ピンSSOPパッケージで供給されます。
、LT、LTCおよびLTMはリニアテクノロジー社の登録商標です。他のすべての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。
標準的応用例
LTC3723-1/LTC3723-2
2372312f
TJMAX = 125°C, θJA = 100°C/W
ORDER PART NUMBER GN PART MARKING
さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせください。
LTC3723EGN-1
Order Options Tape and Reel: Add #TR Lead Free: Add #PBF Lead Free Tape and Reel: Add #TRPBFLead Free Part Marking: http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/
37231
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP VIEW
GN PACKAGE16-LEAD PLASTIC SSOP
16
15
14
13
12
11
10
9
VREF
SDRB
SDRA
DRVB
VCC
DRVA
GND
CT
SPRG
UVLO
SS
FB
RLEB
COMP
CS
DPRG
TJMAX = 125°C, θJA = 100°C/W
ORDER PART NUMBER GN PART MARKING
LTC3723EGN-2 37232
1
2
3
4
5
6
7
8
TOP VIEW
GN PACKAGE16-LEAD PLASTIC SSOP
16
15
14
13
12
11
10
9
VREF
SDRB
SDRA
DRVB
VCC
DRVA
GND
CT
SPRG
UVLO
SS
FB
DPRG
COMP
CS
RAMP
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
Input Supply
VCCUV VCC Undervoltage Lockout Measured on VCC 10.25 10.7 V
VCCHY VCC UVLO Hysteresis Measured on VCC 3.8 4.2 V
ICCST Start-Up Current VCC = VUVLO – 0.3V 145 230 µA
ICCRN Operating Current No Load on Outputs 3 8 mA
VSHUNT Shunt Regulator Voltage Current into VCC = 10mA 10.3 10.8 V
RSHUNT Shunt Resistance Current into VCC = 10mA to 17mA 1.4 3.5 ΩSUVLO System UVLO Threshold Measured on UVLO Pin, 10mA into VCC 4.8 5.0 5.2 V
SHYST System UVLO Hysteresis Current Current Flows Out of UVLO Pin, 10mA into VCC 8.5 10 11.5 µA
Pulse Width Modulator
ROS Ramp Offset Voltage Measured on COMP, RAMP = 0V 0.65 V
IRMP Ramp Discharge Current RAMP = 1V, COMP = 0V, CT = 4V, 3723-1 Only 50 mA
絶対最大定格 (Note 1)
VCC-GND間(低インピーダンス・ソース) ..........−0.3V~10V(デバイスは10.3Vに自己安定化する)
UVLO-GND間 ..........................................................−0.3V~VCC
他のすべてのピン-GND間(低インピーダンス・ソース)............................−0.3V~5.5VVCC(供給される電流) .................................................... 40mA
VREF出力電流 ........................................................自己安定化動作温度(Note 5、6) LTC3723E ..........................................................−40°C~85°C保存温度範囲....................................................−65°C~125°Cリード温度(半田付け、10秒)........................................ 300°C
パッケージ/発注情報
電気的特性は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 9.5V。
LTC3723-1/LTC3723-2
3372312f
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITSISLP Slope Compensation Current Measured on CS, CT = 1V, 3723-1 Only 30 µA
CT = 2.25V 68 µA
DCMAX Maximum Duty Cycle COMP = 4.5V 47 48.2 50 %
DCMIN Minimum Duty Cycle COMP = 0V 0 %
DTADJ Dead-Time 130 ns
Oscillator
OSCI Initial Accuracy TA = 25°C, CT = 270pF 220 250 280 kHz
OSCT VCC Variation VCC = 6.5V to 9.5V, Overtemperature –3 3 %
OSCV CT Ramp Amplitude Measured on CT 2.35 V
Error Amplifier
VFB FB Input Voltage COMP = 2.5V, (Note 3) 1.172 1.2 1.22 V
FBI FB Input Range Measured on FB, (Note 4) –0.3 2.5 V
AVOL Open-Loop Gain COMP = 1V to 3V, (Note 3) 70 90 dB
IIB Input Bias Current COMP = 2.5V, (Note 3) 5 50 nA
VOH Output High Load on COMP = –100µA 4.7 4.92 V
VOL Output Low Load on COMP = 100µA 0.27 0.5 V
ISOURCe Output Source Current COMP = 2.5V 400 700 µA
ISINk Output Sink Current COMP = 2.5V 2 5 mA
Reference
VReF Initial Accuracy TA = 25°C, Measured on VReF 4.925 5.00 5.075 V
ReFLD Load Regulation Load on VReF = 100µA to 5mA 2 15 mV
ReFLN Line Regulation VCC = 6.5V to 9.5V 1 10 mV
ReFTV Total Variation Line, Load and Temperature 4.900 5.000 5.100 V
ReFSC Short-Circuit Current VReF Shorted to GND 18 30 45 mA
Push-Pull Outputs
DRVH(x) Output High Voltage IOUT(x) = –100mA 9.0 9.2 V
DRVL(x) Output Low Voltage IOUT(x) = 100mA 0.17 0.6 V
RDH(x) Pull-Up Resistance IOUT(x) = –10mA to –100mA 2.9 4 ΩRDL(x) Pull-Down Resistance IOUT(x) = –10mA to –100mA 1.7 2.5 ΩTDR(x) Rise-Time COUT(x) = 1nF 10 ns
TDF(x) Fall-Time COUT(x) = 1nF 10 ns
Synchronous Outputs
OUTH(x) Output High Voltage IOUT(x) = –30mA 9.0 9.2 V
OUTL(x) Output Low Voltage IOUT(x) = 30mA 0.44 0.6 V
RHI(x) Pull-Up Resistance IOUT(x) = –10mA to -30mA 11 15 ΩRLO(x) Pull-Down Resistance IOUT(x) = –10mA to -30mA 15 20 ΩTR(x) Rise-Time COUT(x) = 50pF 10 ns
TF(x) Fall-Time COUT(x) = 50pF 10 ns
Current Limit and Shutdown
CLPP Pulse by Pulse Current Limit Threshold Measured on CS 280 300 320 mV
CLSD Shutdown Current Limit Threshold Measured on CS 475 600 725 mV
CLDeL Current Limit Delay to Output 100mV Overdrive on CS, (Note 2) 80 ns
電気的特性は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 9.5V。
LTC3723-1/LTC3723-2
4372312f
VCC (V)0
I CC
(µA)
100
150
8
372312 G01
50
02 4 6 10
200
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
ISHUNT (mA)0
V CC
(V)
10.00
10.25
40
372312 G02
9.75
9.5010 20 30 50
10.50
TEMPERATURE (°C)
FREQ
UENC
Y (k
Hz)
240
250
80
372312 G03
230
220–40–60 –20 200 40 60 100
260CT = 270pF
RLEB (kΩ)0
BLAN
K TI
ME
(ns)
350
300
250
200
150
100
50
0
372312 G04
40 1002010 30 50 70 9060 80IREF (mA)
0
V REF
(V)
5.05
5.00
4.95
4.90
4.85
4.8015 25 40
372312 G05
5 10 20 30 35
TJ = 25°C
TJ = 85°C
TJ = –40°C
TEMPERATURE (°C)
V REF
(V)
4.99
5.00
80
372312 G06
4.98
4.97–40–60 –20 200 40 60 100
5.01
SSI Soft-Start Current SS = 2.5V 10 13 16 µA
SSR Soft-Start Reset Threshold Measured on SS 0.7 0.4 0.1 V
FLT Fault Reset Threshold Measured on SS 4.5 4.2 3.5 V
電気的特性は全動作温度範囲の規格値を意味する。それ以外はTA = 25°Cでの値。注記がない限り、VCC = 9.5V。
Note 1: 絶対最大定格はそれを超えるとデバイスの寿命に影響を及ぼす値。
Note 2: リーディングエッジ・ブランキング遅延を含む(RLEB = 20k)。製造時のテストは行われない。
Note 3: これらのテストでは、サーボ・ループ・アンプを使用してFBをドライブし、VCOMPを制御する。
Note 4: FBを−0.3V、2.5Vに設定して、COMPが位相反転しないようにすること。
Note 5: LTC3723E–1/LTC3723E-2は、0°C~70°Cの温度範囲で性能仕様に適合することが保証されている。−40°C~85°Cの動作温度範囲での仕様は、設計、特性評価および統計学的なプロセス・コントロールとの相関で確認されている。
Note 6: このデバイスには、短時間の過負荷状態の間デバイスを保護するための過温度保護機能が備わっている。過温度保護機能がアクティブなとき、接合部温度は125°Cを超える。規定された最大動作接合部温度を超えた動作が継続すると、デバイスの信頼性を損なう恐れがある。
標準的性能特性 (注記がない限り、TA = 25°C)
起動時ICCとVCC VCCとISHUNT 発振周波数と温度
リーディングエッジ・ブランキング時間とRLEB VREFとIREF VREFと温度
LTC3723-1/LTC3723-2
5372312f
FREQUENCY (Hz)
GAIN
(dB)
PHAS
E (D
EG) –180
1M
372312 G07
–270
–360
10 1k100 10k 100k 10M
10080604020
0
TEMPERATURE (°C)–55
I CC
(µA)
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
372312 G08
–25 5 35 95 12565RDPRG (kΩ)
050
DELA
Y (n
s)
100
150
200
75
125
175
225
275
50 100 150 200
372312 G09
250 500450400350300
250
NO 200k PREBIAS
200k PREBIAS
RSPRG (kΩ)0
0
DELA
Y (n
s)
400
500
700
600
900
100 150
372312 G12
300
200
100
800
250 30050 200TEMPERATURE (°C)
–55
CURR
ENT
(µA)
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
372312 G10
–25 5 35 95 12565
CT = 1V
CT = 2.25V
TEMPERATURE (°C)–55
10.5
10.4
10.3
10.2
10.1
10.0
9.9
9.8
372312 G11
–25 5 35 95 12565
SHUN
T VO
LTAG
E (V
)
ICC = 10mA
エラーアンプの利得/位相 起動時ICCと温度
200kのプリバイアス補償がある場合とない場合のLTC3723のデッドタイムとRDPRG
同期ドライバのターンオフ遅延と(CTピークを基準にした)RSPRGスロープ電流と温度 VCCシャント電圧と温度
FB入力電圧と温度
TEMPERATURE (°C)–55
FB V
OLTA
GE (V
)
1.205
1.204
1.203
1.202
1.201
1.200
1.199
1.198
1.197
372312 G13
–25 5 35 95 12565RSPRG (kΩ)
0
200
250
350
100
372312 G14
150
100
50 200150 250 300
50
–50
0
300
DELA
Y (n
s)
RDPRG = 150k
標準的性能特性 (注記がない限り、TA = 25°C)
同期ドライバのターンオフ遅延と(プッシュプル・ドライバ出力を基準にした)RSPRG
LTC3723-1/LTC3723-2
6372312f
ピン機能 (LTC3723-1/LTC3723-2)
VREF(ピン1/ピン1):5.0Vリファレンスの出力。VREFは外部回路に最大18mAまで供給することができます。VREFは、0.47µFのセラミック・コンデンサでGNDにデカップリングする必要があります。
SDRB(ピン2/ピン2):DRVBに対応する同期整流器の50mA
ドライバ。
SDRA(ピン3/ピン3):DRVAに対応する同期整流器の50mA
ドライバ。
DRVB(ピン4/ピン4):高速の1.5Aシンク、1AソースのトーテムポールMOSFETドライバ。ドライブ信号の品質を確保するため、できる限り短いPCBトレースを使用して外付けプッシュプルMOSFETのゲートに接続してください。ドライバからMOSFETまでのPCBトレースを短くできない場合には、DRVBとMOSFETのゲートの間に小さな値の抵抗を接続するという選択肢もあり、これにより、ドライブ信号の品質が改善されます。
VCC(ピン5/ピン5):LTC3723-1/LTC3723-2および10.25V
シャント・レギュレータの電源電圧入力。VCCが十分に上昇してVCCシャント・レギュレータに電流が流れ、UVLO
コンパレータのスレッショルドを超えると、デバイスがイネーブルされます。VCCシャント・レギュレータがオンすると、VCCを6V(標準)まで下げても動作を維持することができます。内蔵のトーテムポール・ドライバによって生じる高速スイッチングと容量性負荷に起因する過渡電流に備えるため、1µF以上の高品質セラミック・コンデンサを使用してVCCをGNDにバイパスしてください。
DRVA(ピン6/ピン6):高速の1.5Aシンク、1AソースのトーテムポールMOSFETドライバ。ドライブ信号の品質を確保するため、できる限り短いPCBトレースを使用して外付けプッシュプルMOSFETのゲートに接続してください。ドライバからMOSFETまでのPCBトレースを短くできない場合には、DRVAとMOSFETのゲートの間に小さな値の抵抗を接続する選択肢もあり、これにより、ドライブ信号の品質が改善されます。
GND(ピン7/ピン7):LTC3723内のすべての回路はGNDを基準にしています。グランド・プレーンを使用することを
強く推奨します。最高の性能を得るため、VINとVREFのバイパス・コンデンサは、できる限りGNDの近くでスター構成を使用して終端する必要があります。
CT(ピン8/ピン8):発振器のタイミング・コンデンサ。最高の結果を得るためには、±5%以内の低ESRセラミック・コンデンサを使用してください。CTランプの振幅はピーク-ピーク間で2.35V(標準)です。
DPRG(ピン9/ピン12):プッシュプル・デッドタイムの設定入力。DPRGとVREFの間に抵抗を接続してデッドタイムを設定します。DPRGの公称電圧は2Vです。
RAMP(N/A/ピン9):LTC3723-2(電圧モード・コントローラ)のみのPWMコンパレータの入力。RAMPの電圧は、内部で650mVだけレベル・シフトされます。
CS(ピン10/ピン10):パルスベースの電流制限コンパレータおよび過負荷電流制限コンパレータの入力、スロープ補償回路の出力。パルスベースのコンパレータのスレッショルドは公称300mV、過負荷コンパレータのスレッショルドは公称600mVです。各タイミング周期の後、内部スイッチによってCSがGNDまで放電されます。PWM周期の間、CSからスロープ補償電流が流れ出します。CSから外付け電流センス抵抗に接続された外付け抵抗によって、スロープ補償の値が設定されます。
COMP(ピン11/ピン11):エラーアンプ出力、位相変調器の反転入力。
RLEB(ピン12/N/A):リーディングエッジ・ブランキングのタイミング抵抗。LTC3723-1では、RLEBとGNDの間に10k
~100kの抵抗を接続して、CSの電流センス信号のリーディングエッジ・ブランキングを40ns~310nsに設定します。許容誤差±1%の抵抗を推奨します。LTC3723-2の固定ブランキング時間は約80nsです。RLEBの公称電圧は2Vです。リーディングエッジ・ブランキングが必要でない場合には、RLEBをVREFに接続してディスエーブルします。
FB(ピン13/ピン13):エラーアンプの反転入力。これは、LTC3723の電圧帰還入力です。FBの公称レギュレーション電圧は1.2Vです。
LTC3723-1/LTC3723-2
7372312f
PROGRAMMABLEDEAD-TIME
PROGRAMMABLESYNCHRONOUS
TURN-OFF DELAYDRVA
DRVB
SDRA
SDRB
372312 TD01
CURRENTSENSE
OR CT RAMP
PWMCOMPARATOR
(–)
ピン機能 (LTC3723-1/LTC3723-2)
SS(ピン14/ピン14):ソフトスタート/リスタート遅延回路のタイミング・コンデンサ。SSからGNDにコンデンサを接続すると、電流コマンド(LTC3723-1)またはデューティ・サイクル(LTC3723-2)のランプ制御が行われます。過負荷状態の間、SSはグランドまで放電され、ソフトスタート・サイクルが開始されます。SSの充電電流は約13µAです。通常動作時、SSは約5Vまで充電されます。固定過負荷電流フォールト時、SSは約0.5Vと4Vの間を低周波数で発振します。
UVLO(ピン15/ピン15):システムのターンオン電圧とターンオフ電圧の設定入力。UVLOコンパレータの公称スレッショルドは5.0Vです。UVLOは、抵抗分割器を介してメインDCシステム電源に接続されます。UVLOスレッ
ショルドを超えると、LTC3723-1/LTC3723-2はソフトスタート・サイクルを開始し、UVLOから10µA(公称)の電流が流れ出して、必要な値のシステム・ヒステリシスが設定されます。ヒステリシスのレベルは、分割器の抵抗を変えることによって調整することができます。UVLOは、4V以下にプルダウンすることによって、すべてのスイッチングの終了に使用することもできます。オープンドレインまたはオープンコレクタのスイッチによって、システムのターンオン電圧やターンオフ電圧を変えることなく、この機能を実行できます。
SPRG(ピン16/ピン16):SPRGとGNDの間に抵抗を接続して、同期整流器のドライバ出力のターンオフ遅延を設定します。SPRGの公称電圧は2Vです。
タイミング図
LTC3723-1/LTC3723-2
8372312f
R Q
S
Q
T 1.5A SINK
1A SOURCE
DRVA
Q
RQ
S
6
DRVB4
1.5A SINK
1A SOURCE
SDRB2
SDRA3SYNC
RECTIFIERDRIVELOGIC
FAULTLOGIC
OSCILLATOR
SLOPECOMPENSATOR
PULSE-BY-PULSECURRENT LIMIT
300mV 372312 BD01
SPRG
16
CT
8
DPRG
9
–
+
PULSE WIDTHMODULATOR
ERRORAMPLIFIER
+
–
SHUTDOWNCURRENT LIMIT
VREF
13µA
50k
14.9k
600mV –
+
–
+
BLANK
RLEB 12 7
CS 10
SS 14
COMP
1.2V
11
FB 13
+
–
SYSTEMUVLO
VCC
VCCGOOD
10µA
5V –
+
+
–650mV
UVLO
15
REF, LDO1.2V
5V
REF GOOD
VREF
1
VCC UVLO
10.25V “ON”6V “OFF”
VCC
5
GND
LTC3723-1のブロック図
ブロック図
LTC3723-1/LTC3723-2
9372312f
R Q
S
Q
T 1.5A SINK
1A SOURCE
DRVA
Q
RQ
S
6
DRVB4
1.5A SINK
1A SOURCE
SDRB2
SDRA3SYNC
RECTIFIERDRIVELOGIC
OUTPUTDRIVELOGIC
FAULTLOGIC
OSCILLATOR
PULSE-BY-PULSECURRENT LIMIT
300mV 372312 BD02
SPRG
16
DPRG9
CT
8
–
+
PULSE WIDTHMODULATOR
ERRORAMPLIFIER
+
–
SHUTDOWNCURRENT LIMIT
VREF
13µA
50k
600mV –
+
BLANK
7
CS 10
SS 14
COMP
1.2V
11
FB 13
+
–
SYSTEMUVLO
VCC
VCCGOOD
10µA
5V –
+
+
–650mV
UVLO
15
REF, LDO1.2V
5V
REF GOOD
VREF
1
VCC UVLO
10.25V “ON”6V “OFF”
VCC
5
GND
RAMP 9
–
+
LTC3723-2のブロック図
ブロック図
LTC3723-1/LTC3723-2
10372312f
–
+TURN-ON OUTPUT
2.5V
+
–V 2V
10µA
VREF
DPRGRDPRG
372312 F01
200kOPTIONAL
図1. 遅延タイムアウト回路
動作この説明では詳細な「ブロック図」を参照してください。LTC3723-1およびLTC3723-2は同期整流式PWMプッシュプル・コントローラです。LTC3723-1はパルスベースのピーク電流モード制御で動作し、LTC3723-2は電圧モード制御で動作します。どちらも、小型で高効率が必要な、中程度の電力から高い電力の絶縁型電源システムに最適です。プッシュプル・トポロジーにより、トランスを有効に活用することが可能で、必要なのは2個のローサイド・パワーMOSFETスイッチだけです。どちらのコントローラも、DRVAおよびDRVBに、180°位相がずれた0%~50%
のデューティ・サイクルのドライブ信号を生成します。外付けMOSFETはこの強力な内蔵ドライバによって直接ドライブされます。外付けMOSFETは通常、センタータップの付いたパワー・トランスの1次巻線の反対側を制御します。1次巻線のセンタータップは入力DC電源に接続されます。トランスの2次側は、アプリケーションの要求に応じて、同期や非同期の様々な構成にすることが可能です。
デューティ比はCOMPの電圧によって制御されます。スイッチング・サイクルは、内部発振器のクロック・パルスの立ち下がりエッジから開始されます。LTC3723-1は、COMPの電圧を減衰させ、電流センス信号と比較してスイッチング・サイクルを終了します。LTC3723-2は、COMP
の電圧をタイミング・ランプと比較してサイクルを終了します。LTC3723-2のCTの波形をこの目的に使用するか、または個別のR-C部品をRAMPに接続してタイミング・ランプを生成することができます。CSの電圧が300mV
を超えると、現在のサイクルが終了します。CSの電圧が600mVを超えると、すべてのスイッチングが停止し、ソフトスタート・シーケンスが開始されます。
LTC3723-1/LTC3723-2は、2次側同期整流器のMOSFET用のドライブ信号も供給します。同期整流を行うことにより、特に出力電圧の降下時のコンバータ効率が改善されます。同期整流器の利点を最大限に利用するため、SPRG
によって同期整流器の独立したターンオフ制御が行われます。SPRGからGNDに抵抗を接続することによって、必要なターンオフ遅延が設定されます。
エラーアンプ、システムUVLO設定、調整可能なリーディングエッジ・ブランキング、スロープ補償、プログラム可能なデッドタイムなど多くの機能により、様々なアプリケーションに対する柔軟性が得られます。
ドライバ・デッドタイムの設定LTC3723-1/LTC3723-2コントローラには、一般にドライバ・デッドタイムと呼ばれるDRVAとDRVBの出力信号間の最小時間を設定する機能があります。コントローラが最大デューティ・サイクルに指定されると、この機能が実行されます。デッドタイムは、DPRGとVREFの間の外付け抵抗によって設定されます(図1を参照)。DPRGの公称安定化電圧は2Vです。外付け抵抗によって、DPRGに流れ込む電流が設定されます。この抵抗によって、デッドタイムを90ns~300nsに調整することができます。デッドタイムは、DPRGに電流を供給する外部電流源に基づいて調整することもできます。DPRGに供給される電流が350µA以下になるように注意してください。DPRGがフロート状態のとき、10µAの内部電流源によって最大デッドタイムが設定されます。内部電流源により、RDPRGの値が増加するにつれて設定されたデッドタイムが非直線的に変化します(「標準的性能特性」を参照)。DPRGからGNDに外付けされた200k抵抗により、10µAの内部電流源が補償され、「デッドタイム遅延とRDPRG」の特性が直線的になります。
LTC3723-1/LTC3723-2への電源供給LTC3723-1/LTC3723-2は、内蔵VCCシャント・レギュレータを使用して、VCCに印加される電圧を制限する機能と、デバイスのバイアス電圧がスイッチング動作を開始するのに十分な状態(低電圧ロックアウト)を知らせる機能を果たします。LTC3723-1/LTC3723-2には、標準10.2Vのターンオン電圧と4.2VのUVLOヒステリシスがあるので、トランスの補助巻線などのあまり制御されていない入力ソースを許容します。VCCシャントは外部から供給される最大40mAの電流をシンクすることができます。UVLO
ターンオン・スレッショルドおよびUVLOターンオフ・スレッショルドは内部で微調整されるリファレンスから生成されるので、非常に正確です。さらに、LTC3723-1/
LTC3723-2の起動電流は非常に小さい(145µA標準)ので、1/8W~1/4Wのトリクル充電の起動抵抗を使用することができます。
LTC3723-1/LTC3723-2
11372312f
図2. バイアス構成
372312 F02
12V ±10%
1.5k
VCC
VIN
VCC
CHOLD
1N52263V
1µF 1µF
VBIAS < VUVLO
RSTART1N914
+
図3. システムUVLOの設定
ON OFF RBOTTOM
RTOP
UVLO
372312 F03
図4a. 補助巻線のバイアス電源
372312 F04a
+
VCCVIN
CHOLD 1µF
RSTART
2k15V*
*OPTIONAL
動作トリクル充電抵抗は次のように選択します。
RSTART(MAX) = VIN(MIN) − 10.7V/250µA
多少の安全マージンを追加して標準値を選択すると、以下のようになります。
APPLICATION VIN RANGE RSTART
DC/DC 36V to 72V 100k
Off-Line 85V to 270VRMS 430k
PFC Preregulator 390VDC 1.4M
VCCを0.1µF~1µFの積層セラミック・コンデンサでバイパスして出力ドライバが必要とする高速過渡電流をデカップリングし、バルクのタンタルまたは電解コンデンサによってブートストラップ巻線の前でVCC電源を保持する必要があります。そうしないと補助のレギュレータ回路に切り替わります。
CHOLDUP = (ICC + IDRIVE) • tDELAY/3.8V(最小UVLOヒステリシス)
最低7Vの安定化されたバイアス電源をLTC3723-1 /
LTC3723-2のバイアスに使用することができます。異なるバイアス電源の構成については図2を参照してください。
低電圧ロックアウトの設定LTC3723-1/LTC3723-2には、前のセクションで説明したVCC UVLO機能の他に、パワー・コンバータの入力DC電源の低電圧ロックアウト(UVLO)制御機能があります。入力DC電源のUVLOはUVLOピンを使用して実行します。UVLOのコンパレータは、分割された入力DC電源電圧を5V高精度リファレンスと比較します。UVLOのレベルが5Vを超えると、SSピンが開放されて出力スイッチングが開始されます。同時に、10µAの電流がイネーブルされ、UVLOからUVLOに接続された電圧分割器に流れ込みます。この電流によって生成されるDC電源のヒステリシスの大きさは、10µA • RTOPです(図3)。システムUVLOのスレッショルドは、5V • (RTOP+RBOTTOM)/RBOTTOMです。
VCC UVLO回路が起動する前にUVLOに電圧が印加され、かつ5Vよりも大きいと、内部UVLOロジックによって以下の3つの条件が満たされるまで、出力スイッチングが阻止されます。(1) VCC UVLOがイネーブルされる、(2) VREF
が安定化されている、(3) UVLOピンが5Vを上回る。
UVLOは、パワー・コンバータのイネーブルとディスエーブルに使用することもできます。図3に示すように、UVLOに接続されたオープンドレイン・トランジスタによってこの機能が実現されます。
オフライン・バイアス電源の生成LTC3723-1/LTC3723-2および補助回路にVCC電圧を供給するのに安定されたバイアス電源を使用できない場合、バイアス電源を生成する必要があります。電力要件は約1Wと小さく、安定化は不可欠ではないので、簡単なオープンループ手法が通常、最も容易で低コストの手法になります。効果的な方法のひとつはメインのパワー・トランスに巻線を追加して、その後出力される方形波をL-Cフィルタを使用して安定化することです(図4aを参照)。この手法の利点は、電源電圧が変動しても良好な安定化を維持することと、トランスの入力巻線からそれほど安全な絶縁をする必要がないことです。製造元のなかには、標準製品にもこの目的のための1次巻線を備えているところもあります。
LTC3723-1/LTC3723-2
12372312f
図4b. 出力インダクタのバイアス電源
372312 F04bVCC
VOUT
VIN
CHOLD
RSTART +
1µF
LOUT
ISO BARRIER
LTC3723
CTfOSC < fEXT < 1.25 • fOSC
fSW = fOSC/2 fOSC ≅
68pF
CT
372312 F05
390Ω BAT54210µA
2.56V • CT
EXTERNALFREQUENCY
SOURCE
図5. 外部ソースによる同期
図6. 2トランジスタのフォワード・コンバータ(デューティ・サイクル< 50%)
210µA2 • 2.56V • CT
LTC3723
DRVB
CT GND
CT
IN
TO SYNCHRONOUSSECONDARY MOSFET
TSLTC4440
372312 F06
GND
TG
•
SDRB
VIN
fSW ≅
–VIN
動作また、別の手法として、出力インダクタに巻線を追加して、方形波信号のピーク検出とフィルタリングを行う方法があります(図4bを参照)。この巻線の極性は、出力インダクタがフリーホイーリングしている間に正の方形波が生成されるように設計されています。前述の手法に対するこの手法の利点は、個別のフィルタ・インダクタを必要としないことです。また、電圧が十分に安定化された出力電圧から得られるので、この電圧も十分に制御されています。1つの欠点は、この巻線にメイントランスが必要とするのと同様の安全な絶縁を必要とすることです。もう1
つの欠点は、出力が最初に起動するときや短絡状態のときに電圧を発生しないので、非常に大きなVCCフィルタ・コンデンサが必要なことです。
LTC3723-1/LTC3723-2の発振器の設定LTC3723-1/LTC3723-2の高精度発振回路には、スイッチング周波数の設定、電流モード制御(LTC3723-1)に必要なスロープ補償といった柔軟な機能があります。発振回路は、CTにピーク-ピーク間振幅が2.35Vのランプ波形を生成します。通常、49%の最大デューティ・サイクルが可能です。発振器は、次式から最大1MHzの動作が可能です。
CT = 1/(14.8k • FOSC)
これはCTで測定される周波数になります。出力ドライバはこの半分の周波数で切り替わります。また、スイッチング周波数が増加することとDPRGによってドライバ・デッドタイムが長くなることにより、最大デューティ・サイクルが低下します。
LTC3723-1/LTC3723-2は、別のPWMデバイスなどの外部周波数源に同期させることができます。図5では、本来のクロック・サイクルを終了するのに外部パルスのリー
ディングエッジが使用されています。外部周波数の方が発振周波数よりも高い場合、内部発振器は外部入力周波数に同期します。
シングルエンド動作LTC3723の多くの高度な機能から、プッシュプルやフルブリッジのトポロジーのほか、フォワード・コンバータやフライバック・コンバータなどのシングルエンドのトポロジーが利用できます。図6では、LTC3723をLTC4440
(100Vハイサイド・ドライバ)と一緒に使用して2トランジスタのフォワード・コンバータを実現しています。DRVBを使用して、コンバータの最大デューティ・サイクルを50%(プログラム可能なドライバ・デッドタイム以下)に制限しています。
LTC3723-1/LTC3723-2
13372312f
LTC3723-1
DRVA
CT
68pF
CT
372312 F07
DRVB
390Ω BAT54
fV C
ATDPRG
D fV C
ATDPRG
SWT
MAX SWT
≅
µ+
≅µ
12 56
210
2 56210
. •
. •–
図7. デューティ・サイクルが50%を上回るLTC3723-1
LTC3723-1
DRVB
CT
CT
TO SYNCHRONOUSSECONDARY MOSFET
372312 F08
•
SDRBDRVA
VREF
–VIN
VIN
50k
RMMBT2369
f
V CA A R
D fV C
ATDPRG
SW
T
MAX SWT
≅
µ+
µ + ( )
≅µ
1
2 561
2101
210 3
2 56210
. •/
. •–
図8. LTC3723-1による1スイッチのフォワード・コンバータ またはフライバック・コンバータ (最大デューティ・サイクルは50%~100%)
図9. LTC3723-1の電流モードの接続とLTC3723-2の電圧モードの接続
図10. LTC3723-2の開ループ制御(デューティ・サイクルが入力電圧に反比例する)
98 11
13
372312 F10
CT
TO INPUTVOLTAGE
LTC3723-2
RAMPCTFBCOMP
RDPRG
98 121
372312 F09
CT
TO INPUTVOLTAGE
LTC3723-2
RAMPCT DPRGVREF
RDPRG
128 19
CT RLEB
LTC3723-1
RLEBCT VREFDPRG
RDPRG
89 121
CT
LTC3723-2
CTRAMP DPRGVREF
動作50%のデューティ・サイクルの制限は、図7に示す回路によって解消されます。動作は、DRVA出力が初期に自身のクロック・サイクルを終了するのに使用されることを除き、外部同期と同じです。ここで、スイッチング周期は、発振周期にプログラム可能なドライバ・デッドタイムを加えた値に等しくなります。最大オン時間は、発振周期からドライバ・デッドタイムを差し引いた値に等しくなります。
100%に近いデューティ・サイクル動作が非絶縁型コンバータの利点かもしれませんが、シングルエンドの絶縁型コンバータのデューティ・サイクルを制限するのが望ましい場合がよくあります。図8では、使用していないクロックの出力を直ちに終了する代わりに、トランジスタを使用してタイミング・コンデンサの余分な充電電流の切り替えを行っています。これにより、最大デューティ・サイクルをあらかじめ設定することができます。
LTC3723-2の電圧モード図 9は、電流モードのLT C 3 7 2 3 - 1と電圧モードのLTC3723-2の基本的な接続方法の違いを示しています。ランプ入力として発振器を使用することができます。つまり、LTC3723-2には電圧フィードフォワードを実行するときに有用な10mAのランプ放電機能が内蔵されています。デューティ・サイクルが入力電圧に反比例して変化する開ループ制御を図10に示します。
LTC3723-1/LTC3723-2
14372312f
図12. 電流センス/フォールト回路の詳細
+
–
+
–
OVERLOADCURRENT LIMIT
300mV
600mV
UVLOENABLE
UVLOENABLE
R
S Q
R
S Q
Q
QS
Q PWMLOGIC
H = SHUTDOWNOUTPUTS
CS
RCS
+
–
+
–
CSS
SS
0.4V
4.1V
372312 F12
PULSE BY PULSECURRENT LIMIT
PWMLATCH
PWM
13µA
図11. スロープ補償回路
SWITCHCURRENT
CURRENT SENSEWAVEFORM
V(CT)33k
I = CSCT
33kADDEDSLOPE
RSLOPE
RCS
372312 F11
LTC3723
動作LTC3723-1は、発振器のランプ波形から補償スロープ電流を生成し、この電流をCSからソースします。この機能はLTC3723-2ではディスエーブルされています。スロープ補償の必要なレベルは、CSと外部電流センス抵抗の間に外付けされた抵抗によって選択されます(図11)。
電流センスと過電流保護電流センス機能によって、電流モード制御ループの帰還および過負荷状態からの保護が可能になります。LTC3723-1/LTC3723-2は、抵抗センス手法または電流トランス手法と互換性があります。LTC3723-1/LTC3723-2のCSピンには2つのコンパレータが内部接続されており、それぞれパルスベースのシャットダウン機能と過電流シャットダウン機能があります(図12)。
パルスベースのコンパレータの公称スレッショルドは300mVです。300mVのスレッショルドを超えると、PWM
サイクルが終了します。過電流コンパレータは、パルスベースのレベルの約2倍に設定されます。電流信号がこのレベルを超えると、PWMサイクルが終了し、ソフトスタート・コンデンサが瞬時に放電してソフトスタート・サイクルが開始されます。過電流状態が継続すると、LTC3723-1/LTC3723-2はPWM動作を停止し、リトライが可能になるまで、ソフトスタート・コンデンサが約4Vまで充電されるのを待ちます。ソフトスタート・コンデンサは13µAの内部電流源によって充電されます。ソフトスタートが4Vに達したときにフォールト状態がクリアされない場合、ソフトスタート・ピンは再度放電され、新しいサイクルが開始されます。これは、hiccupモード動作と呼ばれます。通常動作ならびにほとんどの異常動作では、パルスベースのコンパレータは十分高速なので、hiccup
モード動作が防止されます。ただし、高入力電圧、非常に低いRDS(ON)のMOSFETや出力の短絡、または磁石の飽和による厳しい状況では、過電流コンパレータがパワー・コンバータを保護する手段を提供します。
リーディングエッジ・ブランキングLTC3723-1/LTC3723-2はプログラム可能なリーディングエッジ・ブランキングを備えており、電流センス回路の厄介なトリップを防止します。リーディングエッジ・ブランキングによってCSピンのフィルタ要件が軽減されるので、実際の過電流状態への応答が大幅に改善されます。また、グランドを基準にした電流センス抵抗やトランスが使用できるので、設計がより簡単になります。RLEBからGNDに10k~100kの1本の抵抗を接続することによって、約40ns~320nsのブランキング時間が設定されます。必要でない場合には、RLEBをVREFに接続すると、リーディングエッジ・ブランキングをディスエーブルすることができます。リーディングエッジ・ブランキングを使用するとパルス幅変調器の直線的な制御範囲がわずかに縮小することに注意してください。
LTC3723-1/LTC3723-2
15372312f
–
+TURN-OFF SYNC OUT
372312 F13
+
–V 2V
SPRG
RSPRG
図13. 同期遅延回路
動作
高電流ドライバLTC3723-1/LTC3723-2の高電流、高速ドライバは、外付けパワーNチャネルMOSFETスイッチを直接ドライブできます。ドライバはレール・トゥ・レールで振幅します。このドライバには高パルス電流特性(1.5Aをシンク、1Aをソース)があるので、記載された性能を得るにはボード・レイアウトに注意が必要です。VCCを少なくとも1µFの低ESR、低ESLセラミック・コンデンサでバイパスしてください。このコンデンサは、VCCとGNDの両方へ最短のPCB
リードで接続します。グランド・プレーンを強く推奨します。ドライバ出力ピン(DRVA、DRVB)は、外付けMOSFET
スイッチのゲートに接続します。これらを接続するPCB
トレースも、ドライブ信号のオーバーシュートやアンダーシュートを最小限に抑えるため、できる限り短くする必要があります。
同期整流LTC3723-1/LTC3723-2は、SDRAおよびSDRBの2次側同期整流MOSFETの制御に必要な高精度タイミング信号を生成します。コンバータの効率を改善するため、2次側ではショットキー・ダイオードやシリコン・ダイオードの代わりに同期整流器が使用されます。MOSFETの切り替えタイミングが最適であれば、MOSFETのRDS(ON)のレベルが低下し続けると、同期整流によって大幅な効率改善を実現することができます。同期整流ではバイポーラの出力電流も可能、つまり電流のソースだけでなくシンクも可能です。
同期整流器のターンオフ遅延の設定LTC3723-1/LTC3723-2コントローラには、2次側同期整流MOSFETのターンオフ・エッジを、1次側の新しい電力供給パルスの開始を基準にして設定する機能があります。この機能によって同期MOSFETのタイミングが最適化され、効率が改善されます。負荷電流が大きいと、新しい電力パルスの開始まで同期整流器のターンオフが遅延されることはさらに有利になります。これにより、2次側のフリーホイーリング電流が、ボディー・ダイオードではなく同期MOSFETのチャネルを通って流れます。
ターンオフ遅延は、SPRGからGNDに接続された1本の抵抗によって設定されます(図13)。SPRGの公称安定化電圧は2Vです。外付け抵抗によって、SPRGから流れ出す電流が設定されます。遅延時間は、抵抗値10k~200kを使用して約20ns~200nsに調整することができます。SPRGはフロート状態にしないでください。遅延量は、SPRGから電流をシンクする外部電流源を基準にして調整することもできます。SPRGから出力される電流が350µA以下になるように注意してください。
LTC3723-1/LTC3723-2
16372312f
L6 0
.65µ
H
1µF
V OUT
V EV F
–VOU
T
–VOU
T
8.5V
100Ω
C4 3.3µ
F50
V
390p
F
1µF
100Ω
2k1/
4WQ1
D69.
1V
C1, C
2, C
347
0µF
6.3V
×3Si
7892
DP ×3Si
7892
DP ×3
1 8
49
11
V F
V F
5
3723
12 T
A02
V OUT
–VOU
T
D147
0Ω 1W
D2
100k
1k
T21(
1.5m
H):0
.5
T19T
(150
µH):9
T:7T
:1T:
1T
••
0.1µ
F
330p
F
C6 2.2n
F25
0V
+
C5 68µF
20V
+
121187109
2 4 5 631
22Ω
360Ω
L4 1mH
D4
D5
–VOU
T
V OUT
330Ω
47Ω
0.68
µF
D7
1µF,
100
V TD
K C3
225X
7R2A
105M
C1-C
3: S
ANYO
6TP
B470
MC4
: TDK
C32
25X7
R1H3
35M
C5: A
VX T
PSE6
86M
020R
0150
C6: M
URAT
A DE
2E3K
H222
MB3
BD1
, D2:
DIO
DES
INC.
ES1
AD4
, D5:
BAS
21D6
: MM
BD52
39B
D7: B
AT54
L4: C
OILC
RAFT
DO1
608C
-105
L5: V
ISHA
Y IH
LP-2
525C
Z-01
L6: P
ULSE
PA1
294.
650
Q1: F
ZT69
0BQ2
: FM
MT3
904
R1, R
2: IR
C LR
C-LR
2512
-01-
R060
-GT1
: EFD
25 T
RANS
POW
ER T
TI86
96T2
: PUL
SE P
A078
5
Q2
Si74
50DP
Si74
50DP
80Ω
1W
100p
F20
0V
80Ω
1W
100p
F20
0V
470Ω
R1 0.06
Ω1.
5W
R2 0.06
Ω1.
5W
L5 1µH
1µF
100V
×3
1µF
100V
V IN
V IN
–VIN
3
42
610
65
18
19
1413
712
168
3 11
5 15
6
5
1 2
V OUT
10V
8.5V
787Ω
100Ω 22
0pF
4.99
k1/
4W
270Ω
2.49
k
0.02
2µF
47nF
–VOU
T
GND-
FV+ GND-
S
COLL
REF
LT14
31CS
8
SYNC
PVCC
CSF+
LTC3
901E
GN
MOC
207
LTC3
723E
GN-1
V REF
DPRG
SSFB
GND
R LEB
SPRG
C T
DRVB
SDRB
SDRA
COM
P
V CC
UVLODR
VACS
820Ω
150k
30k
5V33
k
10k
0.47
µF68
nF22
0pF
1µF
100Ω
1/4W
10V
66.5
k
V IN
5V
383k
75k
124.99
k
CSF–
14 84
1013
MF
15
MF
6
V E
4.99
k1/
4W
CSE+
54.99
k
40.2
kCS
E–
GND
PGND
GND
PGND
7
TIM
ER
2
ME
316
1
ME
V CC
1µF
••
••
•
165W、3
6V~
72Vから
3.3V
/50Aの絶縁型プッシュプル・コンバータ
標準的応用例
LTC3723-1/LTC3723-2
17372312f
5
46
A
A
10V
V IN
15
9 174k
1
0.47
µF
1µF
V REF
C T
220p
F10
nF
T2
T1EF
D20
1.13
k
21.5
k1.
5k
813
Si74
56DP
L4 1mH
68µF 20V
••
10
818
54
16
10k
33k
100Ω
1/4W
66.5
k
127
14
560Ω
383k
30k
SYNC
TIM
ERLT
C390
0ES8
6
7
1nF
0.47
µF
3723
12 T
A03
V OUT
+
D1 4.3V
V OUT
FG
GND
V CC
5
909Ω
26.1
kCS
+
CS+
CS+
FG
FG
CG
V OUT
V OUT
CS–
12
CG
34
Si74
56DP
L14.
7µH
52 3
10V
BAS2
1
BAS2
1
•
1 4
•• 6
+
Si74
50DP
1µF
100V
×2
V IN
V IN
–VIN
1.5n
F20
0V
1µF
100V
47µF
16V
×2
+1.
5nF
10µF
25V
10k
0.1µ
F0.
1µF
220p
F
6
2
2.2n
F25
0V 220p
F
11
5
1 25 6
MOC
207
1 2
4V I
N GND
3
OC
COM
P
OPTO
FBLT
4430
ES61.
00k
0.03
Ω1W 15
8K
1.78
K
120p
F
L2 15µH
3085
EFFICIENCY (%)
8789919395
4050
60OU
TPUT
POW
ER (W
)70
80
48V I
N
24Ω
1/4W
12Ω
1/2W
Si74
56DP
–VOU
T
Si74
56DP
7 8
47µF
16V
×2
+22
0pF
220p
F
L3 33µH
24Ω
1/4W
12Ω
1/4W
V REF
CG
C T
•
2.7k
2.7k
MM
BD91
4M
MBD
914
8.66
k
MM
BT23
6950
k
1µF,
100
V TD
K C3
225X
7R2A
105M
(121
0)10
µF, 2
5V T
DK C
4532
X5R1
E106
M47
µF, 1
6V S
ANYO
16T
QC47
MD1
: MM
BZ52
29B
L1: C
OILC
RAFT
DO1
813P
-561
HCL2
: TDK
SLF
1257
5T-1
50M
4R7
L3: T
DK S
LF10
145T
-330
M1R
6L4
: COI
LCRA
FT D
O160
8C-1
05T1
: PUL
SE P
A104
0T2
: PUL
SE P
A078
5 (1
:0.5
T)
LTC3
723E
GN-1
DRVB
CS
COM
P
SDRB
V CC
UVLODR
VA
DPRG
V REF
SPRG
GND
SSFB
C TRL
EB
750Ω
22nF
V REF
V REF
680p
F
22nF
15nF
470p
F
4.7n
F
1k
LTC3
723-
1の36
V~72
V入力から
12V/
5Aおよび-1
2V/1
.6Aのフォワード・コンバータ
標準的応用例
LTC3723-1/LTC3723-2
18372312f
5
46
AB
12V
V IN
15LT
C372
3EGN
-1
DRVB
SDRB
SDRA CO
MPCS
V CC
UVLO
9 150k
1
0.47
µF
1µF
DRVA
DPRG
V REF
SPRG
GND
SSFB
C T
330p
F
22nF
100k
D8 10V
68nF
270p
F
T2
1(1.
5mH)
:0.5
T14T
:6T(
65µH
MIN
):6T:
2T:2
T
243k
2.49
k
9.53
k10
k
750Ω
1k
100Ω
1/4W
813
3
Si73
70DP ×2
L4 1mH
C368
µF 20V
V FD2
••
32
819
54
16
10k
33k
200Ω
1/4W
R1 0.03
Ω1.
5W
66.5
k
RLEB 12
714
220p
F
22nF
100Ω
665Ω
1k86
6Ω
6.19
k1/
4W
1.5n
F
464k
30k
1/4W
SYNC
PVCC
CSF+
V F
LTC3
901E
GN
CSF–
8
1112
1
410
137
22nF
1µF
4.7µ
F
3723
12 T
A04
–VOU
TV O
UT
–VOU
T
D7 10V
V OUT
MF
MF2
GND
PGND
GND2
PGND
2TI
MERV C
C
470p
F
1415
1k86
6Ω
42.2
k1k
100Ω
6.19
k1/
4W
CSE+
V E–V
OUT
V OUT
V F
V OUT
12V/
20A
–VOU
T
CSE–
65
ME
ME2
23
16
Si73
70DP ×2
Si78
52DP
Si78
52DP
L50.
56µH
112 4
12V
D5 D6
3 5 1 6
•• • •
•9 7
V E
+
0.1µ
F
Si78
52DP
1
6 5
4
B
2
A
D3
LTC4
440E
S6BO
OST
INP
TGTS
GNDV C
C
12V
3
0.1µ
F
Si78
52DP
1
6 5
42
B
D4
LTC4
440E
S6BO
OST
INP
TGTS
GNDV C
C
12V
1µF
100V
×3
V IN
V IN
–VIN
42V
TO 5
6V1µ
F10
0V
C1, C
247
µF16
V×2
+
1µF
1µF
100V
1k 1/4W
1µF,
100
V TD
K C3
225X
7R2A
105M
C1,C
2: S
ANYO
16T
QC47
MC3
: AVX
TPS
E686
M02
0R01
50C4
: MUR
ATA
GHM
3045
X7R2
22K-
GCD2
: DIO
DES
INC.
ES1
BD3
-D6:
BAS
21D7
, D8:
MM
BZ52
40B
L4: C
OILC
RAFT
DO1
608C
-105
L5: C
OILC
RAFT
DO1
813P
-561
HCL6
: PUL
SE P
A129
4.13
2 OR
PA
NASO
NIC
ETQP
1H1R
0BFA
R1, R
2: IR
C LR
C251
2-R0
3GT1
: PUL
SE P
A080
5.00
4T2
: PUL
SE P
A078
5
6
10
I SNS
I SNS
0.1µ
F
11
5
1 21
MOC
207
C4 2.2n
F25
0V
0.1µ
F3
65
8
GND-
FV+ GND-
S
COLL
REF
LT14
31CS
8
A
1.5k
22Ω
4.7Ω
4.7Ω
R2 0.03
Ω1.
5W
V E
470p
F10
0V
L61.
25µH
10Ω
1W
693
EFFICIENCY (%)
94959697
810
12LO
AD C
URRE
NT (A
)14
1618
20
42V I
N
48V I
N
56V I
N
MM
BT39
04
•
LTC3
723-
1の24
0W、4
2V~
56V入力から
12V/
20Aの絶縁型
1/4ブリック(
2.3"
× 1
.45")
標準的応用例
LTC3723-1/LTC3723-2
19372312f
GNパッケージ16ピン・プラスチックSSOP(細型0.150インチ)
(Reference LTC DWG # 05-08-1641)
GN16 (SSOP) 0204
1 2 3 4 5 6 7 8
.229 – .244(5.817 – 6.198)
.150 – .157**(3.810 – 3.988)
16 15 14 13
.189 – .196*(4.801 – 4.978)
12 11 10 9
.016 – .050(0.406 – 1.270)
.015 ± .004(0.38 ± 0.10)
× 45°
0° – 8°TYP.007 – .0098
(0.178 – 0.249)
.0532 – .0688(1.35 – 1.75)
.008 – .012(0.203 – 0.305)
TYP
.004 – .0098(0.102 – 0.249)
.0250(0.635)
BSC
.009(0.229)
REF
.254 MIN
RECOMMENDED SOLDER PAD LAYOUT
.150 – .165
.0250 BSC.0165 ± .0015
.045 ±.005
*DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. MOLD FLASH SHALL NOT EXCEED 0.006" (0.152mm) PER SIDE**DIMENSION DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH. INTERLEAD FLASH SHALL NOT EXCEED 0.010" (0.254mm) PER SIDE
INCHES(MILLIMETERS)
NOTE:1. CONTROLLING DIMENSION: INCHES
2. DIMENSIONS ARE IN
3. DRAWING NOT TO SCALE
5
46
A B
12VVIN
15LTC3723EGN-1
DRVB SDRB SDRA
COMP
CSVCC
UVLO
9150k
1
0.47µF
1µF
DRVA
DPRG VREFSPRGGND SSFB CT
330pF68nF
270pF
T2
T129.46mm × 25.4mm × 10.2mm PLANAR
24.9k
813
3
HAT2169×2
L31mH
68µF20V
VF
• •
32
8
1 9
5
4
16
10k
33k
100Ω1/4W
R10.015Ω1.5W
66.5k
RLEB
127 14
220pF
100Ω
2.67k 2.67k
1.27k
4.53k
100pF
464k
30k1/4W
SYNC PVCC
CSF+
VF
LTC3901EGN
CSF–
8
11 12
1
4 10 13 71µF
4.7µF
372312 TA05
–VOUT
D110V
+VOUT
MF MF2
GND PGND GND2 PGND2 TIMER
VCC
470pF
14 15
1.27k
33.2k
1k
4.53k
CSE+
VE–VOUT
+VOUT
+VOUT
–VOUT
VF
+VOUT
–VOUT
CSE–6 5
ME ME2
2 3 16
HAT2169×2
L10.56µH
112
4
12V BAS21
ES1B
ES1B
BAS21
3
5
1
6
••
••
•
9
7
VE
+
0.1µFSi7370DP
1
6
5
4
B
2
A
BAS21
LTC4440ES6BOOSTINP
TGTSGND
VCC
12V
3
0.1µFSi7370DP
Si7370DP Si7370DP
1
6
5
42
B
BAS21
LTC4440ES6BOOSTINP
TGTSGND
VCC
12V1µF100V×3
VIN
VIN
–VIN
1µF100V
22µF25V×3
1µF, 100V TDK C3225X7R2A105M4.7µF, 25V TDK C4532X7R1E475M22µF, 25V TDK C4532X7R1E226MD1: MMBZ5240BD2: MMBZ5242BL1: COILCRAFT DO1813P-561HCL2: PULSE PA0513.441L3: COILCRAFT DO1608C-105T1: PULSE PA0901.004 (4:4:4:4CT)T2: PULSE PA0785 (1:0.5T)
10
ISNS
ISNS
0.1µF
4.7µF25V2x
11
A
100Ω
22Ω
4.7Ω4.7Ω
2.2nF250V
VE
1nF100V
0.33µF100V
L20.44µH
10Ω1W
57
8
9
OUTP
UT V
OLTA
GE (V
)
10
11
12
13
10 15LOAD CURRENT (A)
2520
42VIN
48VIN
53VIN
MMBT3904
•
D212V
MMBT3904
1.2k0.5W
591
92
93EFFI
CIEN
CY (%
)
94
95
96
97
10 15LOAD CURRENT (A)
2520
42VIN
48VIN
53VIN
5.1Ω1/4W
LTC3723-1の300W、42V~56V入力から12V/25Aの絶縁型バス・コンバータ
標準的応用例
パッケージ寸法
NOTE:1. 標準寸法:インチ
2. 寸法は
リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負いません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。
推奨する半田パッド・レイアウト
3. 図は実寸とは異なる * 寸法にはモールドのバリを含まない。モールドのバリは 各サイドで0.006"(0.152mm)を超えないこと* * 寸法にはリード間のバリを含まない。リード間のバリは 各サイドで0.010"(0.254mm)を超えないこと
インチ(ミリメートル)
LTC3723-1/LTC3723-2
20372312f
LTC3723-1の100W、36V~72入力から3.3V/30Aの絶縁型フォワード・コンバータ
1
VB
5
46
A
A
10VVIN
15LTC3723EGN-1
DRVB CS
COMP
SDRB
VCC
UVLO
9150k
1
0.47µF
1µF
DRVA
DPRG VREF
VREF
SPRGGND SS FBCT
CT
220pF68nF
T2
T123.4mm × 20.1mm × 9.4mm PLANAR
6.04k
27.4k
8 13
L31mH
68µF20V
• •
10 8
1 8
5
4
16
10k
33k
150Ω1/4W
66.5k
RLEB
820Ω
127 14
560Ω
100pF
383k
30kSYNC TIMERLTC3900ES8
6
7
1nF 0.47µF25V
372312 TA06
VOUT
VOUT
VIN
–VOUT
FG
GND
VCC
5
562Ω
845Ω
26.1kCS+
VB
VX
VX
VOUT
CS–1 2
CG
3 4
L10.33µH
10V BAS21
BAS21
35
24
••
1
6
•+
Si7450DP
1µF100V×2
VIN
VIN
–VIN
2.2nF630V
1µF100V
6
2
220pF
2.2nF250V
11
5
1
26
MOC207
2
4
GND
3
OCOPTOFBLT4430ES6
VIN
1.00k15Ω1/4W
0.03Ω1W
120K
820Ω
120pF
4.7nF
586
EFFI
CIEN
CY (%
)
87
89
91
88
90
92
93
94
10 15 20LOAD CURRENT (A)
25 30
48VIN
Si7336ADP×2
–VOUT
–VOUT
VOUT
Si7336ADP×2
7
8
470µF6.3V
+
L20.85µH
VREFVREF
VREF
CT
•
10
11
•
B0540W
B0540W
8.66k
MMBT236950k
1µF, 100V TDK C3225X7R2A105M (1210)100µF, 6.3V TDK C3225X5R0J107M (1210)2.2nF, 630V TDK C3216JB2J222K470µF, 6.3V SANYO 6TPD470MD1: MMBZ5240BL1: COILCRAFT DO1813P-331HCL2: PULSE PA1292.910L3: COILCRAFT DO1608C-105T1: PULSE PA810.007 (7:6:6:1:1:1T)T2: PULSE PA0184 (1:1T)
D110V
5COMP
330Ω4.7nF
47nF
470pF
1k
10nF
330Ω
2.2nF
100µF6.3V
×25.1Ω1/2W2.2nF
5.1Ω1/2W
標準的応用例
関連製品製品番号 説明 注釈LT®1952 シングル・スイッチ同期整流式フォワード・ 高効率、調整可能なVolt-Secondクランプ、 コントローラ 真のPWMソフトスタートLTC3705/LTC3706/ 絶縁型電源DC/DCコンバータ・チップセット 降圧回路のような簡素さ、オプトカプラなし、高速過渡応答、 LTC3725/LTC3726 PolyPhase®動作が可能、高電力向けにスケーラブルLTC3722-1/LTC3722-2 デュアル・モード位相変調フルブリッジ・ ZVSフルブリッジ・コントローラ コントローラLT3804 オプト・ドライバ付きの2次側デュアル出力 2つの2次出力を安定化、オプトカプラ・フィードバック・ コントローラ ドライバと2次出力同期ドライバ・コントローラLTC3901 プッシュプルおよびフルブリッジ・コンバータ用の Nチャネル同期MOSFETをドライブ、プログラム可能な 2次側同期ドライバ タイムアウト、逆電流制限LT4430 2次側オプトカプラ・ドライバ 起動時および短絡回復時のオーバーシュート制御、 600mVリファレンス、ThinSOTTMパッケージLTC4440 高速高電圧ハイサイド・ゲート・ドライバ 80V動作、100V耐性、1.5Ωのプルダウン、2.4AのプルアップPolyPhaseはリニアテクノロジー社の登録商標です。ThinSOTはリニアテクノロジー社の商標です。
LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2003
1105 • PRINTED IN JAPAN
リニアテクノロジー株式会社102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6紀尾井町パークビル8FTEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp