Upload
others
View
28
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
O.M.SADIQOV, Z.S.MUSAYEV
ELEKTRONĠKA
ingilis, rus və azərbaycan dillərində
izahlı terminoloji lüğət
ІI hissə. M – S
(Magnetic amplifie – Single-stage trigger)
BAKI – ELM – 2013
2
Müəlliflər: fizika–riyaziyyat elmləri namizədi,
dosent Oqtay Məcid oğlu Sadıqov
fizika–riyaziyyat elmləri namizədi,
dosent Zabit Səməd oğlu Musayev
Rəy verənlər: AMEA-nın müxbir üzvü, f.r.e.d.,
professor C.ġ. Abdinov
Milli Aviasiya Akademiyasının ―Avionika‖
kafedrasının müdiri, f.r.e.n.,
dosent Ġ.Ə. Ġsgəndərov
AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının
professoru, t.e.d. Ç.Ġ. Əbilov
AzTU-nun EAKE kafedrasının müdiri, t.e.n.,
dosent R.M.Rəhimov
Elmi redaktorlar: AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının
professoru, f.r.e.d., əməkdar elm
xadimi Z.Ə.Ġsgəndərzadə
AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının
dosenti, f.r.e.n. M.R.Axundov
ISBN 978-9952-453-40-9
2301000000
655(07)-2013
©. O.M.Sadıqov, 2013
©. Z.S.Musayev, 2013
3
MÜNDƏRĠCAT
Ön söz.......................................................................................4
Kitabda qəbul olunmuş əsas ixtisarlar (rus dilində).................5
Kitabda qəbul olunmuş əsas ixtisarlar
(azərbaycan dilində).................................................................7
İzahlı lüğət................................................................................9
Kitabda verilmiş terminlər (ingilis dilində)...........................281
Kitabda verilmiş terminlər (rus dilində)................................292
Kitabda verilmiş terminlər (azərbaycan dilində)...................302
Ədəbiyyat..............................................................................312
4
ÖN SÖZ
Hörmətli Oxucu!
‖Elektronika – ingilis, rus və azərbaycan dillərində izahlı ter-
monoloji lüğət‖in II hissəsini Sizin diqqətinizə təqdim edirik. I
hissədə olduğu kimi, burada da əsas məqsədlərdən biri Azər-
baycan dilində elektronika üzrə vahid terminologiya yaratmaq-
dır. Kitabın quruluşu və stilini olduğu kimi saxlamış, elektron
cihazların və qurğuların, həmçinin həmin cihaz və qurğuların
işinin əsaslandığı fiziki hadisələr və effektlərin adlarını hər üç
dildə vermişik. Kitabın birinci hissəsi işıq üzü gördükdən sonra
Sizin verdiyiniz bir sıra təklif və iradlarınızı nəzərə almışıq.
Kitab üzərində iş zamanı istifadə etdiyimiz müxtəlif mənbələri
araşdırmış və bir sıra terminlərin ədəbiyyatda rast gələn bir neçə
variantını göstərmişik. Bundan başqa verilən terminlərə aid rus
və azərbaycan dillərində məqalələr tərtib etmişik. Bir çox
məqalələr nisbətən daha geniş şəkildə tərtib edilmişdir.
Sonda kitab üzərində işləyərkən müzakirələrdə öz təklif və
iradları ilə yaxından iştirak etmiş həmkarlarımıza – Azərbaycan
Texniki Universitetinin ―Elektronika‖ kafedrasının bütün əmək-
daşlarına təşəkkürümüzü bildiririk. Həmçinin bu kitabın daha da
dolğun və faydalı olması üçün öz dəyərli məsləhətlərini vermiş
rəyçilərə: AMEA-nın müzbir üzvü, f.r.e.d., professor C.Ş.
Abdinova, AzTU-nun ―Elektronika‖ kafedrasının professoru,
t.e.d. Ç.İ. Əbilova, Milli Aviasiya Akademiyasının ―Avionika‖
kafedrasının müdiri, t.e.n., dosent İ.Ə. İsgəndərova, AzTU-nun
EAKE kafedrasının müdiri, t.e.n., dosent R.M.Rəhimova öz
dərin minnətdarlığımızı bildiririk. Kitabın yazılmasına öz diqqət
və qayğısını, biliyini və vaxtını əsirgəməyən, əlyazmasını
diqqətlə oxumuş və bir çox faydalı təklif və iradlarını bildirmiş
elmi redaktorlar, əməkdar elm xadimi f.r.e.d., professor Zərifə
xanım İsgəndərzadəyə və dosent Mahmud Axundova öz xüsusi
minnətdarlığımızı bildiririk.
Müəlliflər
5
Основные сокращения, принятые в книге
АЛУ – арифметико-логическое устройство
ВД – вечный двигатель
ГЛИН – генератор линейно-изменяющихся напряжений
ГПИН – генератор прямоугольных импульсов напряжений
ГСК – генератор синусоидальных колебаний
ЗУ – запоминающее устройство
ИВЭП – источник вторичного электропитания
ИГ – импульсный генератор
ИД – импульсный диод
ИИС – измерительная информационная система
ИЛ – измерительная линия
ИП – источник питания
КГ – квантовый генератор
КНИ – кремний на изоляторе
КНС – кремний на сапфире
КС – квантовый счетчик
КТ – квантовая точка
КУ – квантовый усилитель
КЭ – квантовая электроника
КЭМ – квантово-электронный модуль
МГ – молекулярный генератор
МГД- генератор – магнитогидродинамический генератор
МДП – металл-диэлектрик-полупроводник
МИС – магнитные интегральные схемы
МОП – металл–оксид–полупроводник
МОЭМС – микрооптоэлектромеханические системы
МП – магнитная проницаемость
МП – микропроцессор
МПП – магнитный полупроводник
МРД – магниторезистивный датчик
МЭ – микроэлектроника
МЭМС – микроэлектромеханические системы
МЭФП – многоэлементный фотоприемник
НРТ – начальная рабочая точка
6
ОДС – отрицательное дифференциальное сопротивление
ОЗУ – оперативное запоминающее устройство
ОН – опорное напряжение
ОР – оптический резонатор
ОС – оптическая связь
ОУ – операционный усилитель
ОЭ – оптоэлектроника
ОЭП – оптоэлектронный переключатель
ОЭТ – одноэлектронный транзистор
ОЭУ – одноэлектронное устройство
ПБ – потенциальный барьер
ПЗУ – постоянное запоминающее устройство
ПУКЭ – приборы и устройства квантовой электроники
ПЛИС – программируемая логическая интегральная схема
ПОИ – приемник оптического излучения
ПОС – положительная обратная связь
ПТ – планарная технология
ПЧД – позиционно–чувствительный детектор
РПУ – радиопередающие устройства
РУ – резонансный усилитель
СВЧ_ электроника – сверхвысокочастотная электроника
СЭ – силовая электроника
СЭУ – силовое электронное устройство
УМ – усилитель мощности
ФР – фоторезистор
ФСУ – фазосдвигающее устройство
ФЧХ – фазочастотная характеристика
ФЧЭ – фоточувствительные элементы
ФЭП – фотоэлектронный прибор
ФЭС – фотоэлектронная спектроскопия
ФЭУ – фотоэлектронный умножитель
ЦМД – цилиндрические магнитные домены
ШБ – барьер Шоттки
ШИМ – широтно–импульсное модулирование
ЯМР – ядерный магнитный резонанс
7
Kitabda qəbul olunmuĢ əsas ixtisarlar
BEQ – birelektronlu qurğu
BET – birelektronlu tranzistor
BİN – başlanğıc işçi nöqtə
ÇEFQ – çoxelementli fotoqəbuledici
DG – dayaq gərginliyi
DGİG – düzbucaqlı gərginlik impulsları generatoru
DM – daimi mühərrik
DYQ – daimi yaddaş qurğuları
EGQ – elektron güc qurğusu
ƏG – əməliyyat gücləndiricisi
ƏYQ – əməli yaddaş qurğusu
FEC – fotoelektron cihaz
FEÇ – fotoelektrik çoxaldıcısı
FES – fotoelektron spektroskopiya
FHE – fotohəssas element
FR – fotorezistor
FSQ – faza sürüşdürücü qurğu
FTX – faza–tezlik xarakteristikası
GE – güc elektronikası
GG – güc gücləndiriciləri
HMQ – hesab–məntiq qurğusu
XDGG – xətti dəyişən gərginliklər generatoru
İEM – impulsun eninə modulyasiyası
İG – impuls generatoru
İÜS – izolyator üzərində silisium
İYT elektronika – ifrat yüksək tezliklər elektronukası
KE – kvant elektronikası
KEC – kvant elektronikasının cihazları
KEM – kvant–elektron modulu
KG – kvant gücləndiricisi
KG – kvant generatoru
KN – kvant nöqtəsi
KS – kvant sayğacı
QM – qida mənbəyi
8
MDM – mənfi diferensial müqavimət
MDY– metal–dielektrik–yarımkeçirici
ME – mikroelektronika
MEMS – mikroelektromexaniki sistemlər
MG – molekulyar generator
MHD – mövqeyə həssas detektor
MHD-generator – maqnit hidrodinamik generator
MİS – maqnit inteqral sxem
MN – maqnit nüfuzluğu
MOEMS – mikrooptoelektromexaniki sistemlər
MOY – metal–oksid–yarımkeçirici
MP – mikroprosessor
MRV – maqnit rezistiv sensor
MsƏƏ – müsbət əks əlaqə
MYK – maqnit yarımkeçirici
NMR – nüvə maqnit rezonansı
OE – optoelektronika
OEA – optoelektron aşırıcı
OR – optik rezonator
OŞQ – optik şüalanma qəbuledicisi
OYQ – operativ yaddaş qurğusu
ÖX – ölçü xətti
ÖMS – ölçü məlumat sistemi
PÇ – potensial çəpər
PİMS – proqramlaşdırılan inteqral məntiq sxemi
PT – planar texnologiya
RG – rezonans gücləndirici
RÖQ – radioötürücü qurğular
SMD – silindrik maqnit domenləri
SRG – sinusoidal rəqslər generatoru
SÜS – sapfir üzərində silisium
ŞÇ – Şotki çəpəri
TEQM – təkrar elektrik qida mənbəyi
YQ – yaddaş qurğusu
9
ĠZAHLI LÜĞƏT
Magnetic amplifier
– магнитный усилитель. Магнитным усилителем назы-
вается электромагнитное устройство, с помощью которо-
го слабый электрический сигнал (например, незначитель-
ное изменение э. д. с, напряжения или тока) может быть
преобразован в сигнал значительно большей мощности.
Магнитный усилитель состоит из магнитопровода и об-
моток. В простейшем случае магнитный усилитель — это
управляемая постоянным током индуктивность, которая
включается в цепь переменного тока последовательно с
нагрузкой. Магнитный усилитель используется для уд-
воения частоты, бесконтактного переключения токов
(бесконтактное реле), для стабилизации напряжения пи-
тания, для модуляции сигналов ВЧ сигналами НЧ и т.д.
– maqnit gücləndiricisi. Maqnit gücləndiricisi elektromaqnit
qurğusudur. Bu qurğunun köməyilə zəif elektrik siqnalı (mə-
sələn, e.h.q., gərginlik və ya cərəyanın cüzi dəyişməsi) böyük
gücə malik siqnala çevrilə bilər. Maqnit gücləndiricisi maqnit
ötürücüdən və sarğılardan ibarətdir. Ən sadə halda maqnit
gücləndiricisi dəyişən cərəyan dövrəsinə yük ilə ardıcıl qoşul-
muş, sabit cərəyanla idarə olunan induktivlikdir. Maqnit güc-
ləndiricisi tezliyi ikiqat artırmaq, cərəyanı kontaktsız aşırmaq
(kontaktsız rele), qida gərginliyini stabilləşdirmək, yüksək
tezlikli siqnalları aşağı tezlikli siqnallarla modulyasiya etmək
üçün və s. məqsədlərlə istifadə edilir.
Magnetic breakdown
– магнитный пробой. Квантовое туннелирование электро-
нов проводимости в магнитном поле между классичес-
кими электронными орбитами, соответствующими раз-
ным энергетическим зонам.
10
– maqnit deşilməsi. Maqnit sahəsində keçirici elektronların
müxtəlif enerji zonalarına uyğun olan klassik elektron
orbitləri arasında kvant tunellənməsi.
Magnetic film
– магнитная пленка. Слой магнитного вещества (обычно
ферро– или ферримагнетика) толщиной от долей нано-
метра до нескольких микрометров с рядом особенностей
атомно–кристаллической структуры, магнитных, элек-
трических и других свойств, отличающих пленку от мас-
сивных магнетиков. Магнитная пленка – важный ма-
териал современной техники (интегральной электроники,
СВЧ–техники и др. отраслей). Магнитные пленки нашли
широкое применение в вычислительной технике и авто-
матике, в оптоэлектронике и интегральной оптике. На ба-
зе магнитных пленок возникла новая отрасль науки и
техники – магнитная микроэлектроника. Пленочная (ин-
тегральная) технология позволяет решать актуальные за-
дачи микроминиатюризации элементной базы и схемо-
техники ЭВМ.
– maqnit təbəqəsi. Maqnit maddənin (adətən ferro– və ya
ferrimaqnit) qalınlığı nanometrin hissələrindən bir neçə mik-
rometrə qədər olan təbəqəsi. Maqnit təbəqənin atom–kristal
quruluşunun, maqnit, elektrik və digər xassələrinin bir sıra
xüsusiyyətləri var ki, bu xüsusiyyətlər onları iri ölçülü nümu-
nələrdən fərqləndirir. Maqnit təbəqələri müasir texnikanın:
inteqral elektronikanın, İYT–texnikanın və bir sıra digər
sahələrin mühüm materiallarındandır. Maqnit təbəqələri he-
sablama texnikasında və avtomatikada, optoelektronikada və
inteqral optikada geniş tətbiq edilir. Maqnit təbəqələri əsasın-
da elm və texnikanın yeni bir sahəsi – maqnit mikroelek-
tronikası yaranmışdır. Təbəqəli (inteqral) texnologiya EHM–
ın element bazasının və mikrominiatürləşdirilməsinin aktual
məsələlərini həll etməyə imkan yaradır.
11
Magnetic integrated circuit
– магнитные интегральные схемы (МИС). Класс ИС, в
которых для хранения и обработки информации исполь-
зуются магнитные материалы (магнетики). Наиболее из-
вестны магнитные ИС на основе пленочных материалов с
цилиндрическими магнитными доменами, магнитоопти-
ческие ИС, СВЧ ИС с ферритовыми элементами. Магнит-
ные ИС на ЦМД предназначены для создания запоми-
нающих устройств (см. Memory device). Магнитоопти-
ческие ИС предназначены для управления световыми по-
токами или для их преобразования на основе магнито-
оптических эффектов. Примеры использования магнито-
оптических ИС: модуляторы, коммутаторы, элементы
дисплейной техники и др.
– maqnit inteqral sxem (MİS). Maqnit inteqral sxemlərdə mə-
lumatı saxlamaq və emal etmək üçün maqnit materialları –
maqnetiklər istifadə edilir. Silindrik maqnit domenləri (SMD)
olan təbəqəli materiallar əsasında MİS, maqnitoptik İS, ferrit
elementləri olan İYT MİS daha geniş yayılmışdır. SMD
əsasında MİS yaddaş qurğuları yaratmaq üçün nəzərdə tutul-
muşdur (bax: Memory device). Maqnit optik İS–lər işıq selini
idarə etmək və ya maqnitoptik effektlər hesabına onu çevir-
mək üçün nəzərdə tutulmuşdur. Maqnitoptik MİS–in tətbiqinə
misal olaraq modulyatorları, kommutatorları, displeylərin
elementlərini və s. göstərmək olar.
Magnetic modulator (magnettor)
– магнитный модулятор. Модулятор, в котором преобра-
зование низкочастотного электрического сигнала в пере-
менное напряжение более высокой частоты осуществл-
яется с использованием нелинейных свойств ферромаг-
нитного материала.
– maqnit modulyator. Magnit modulyatorlar ferromaqnit mate-
rialın qeyri–xətti xassələrindən istifadə etməklə aşağı tezlikli
12
elektrik siqnalını daha yüksək tezlikli dəyişən gərginliyə
çevirən qurğudur.
Magnetic permeability
– магнитная проницаемость (МП). Физическая величина,
характеризующая способность вещества изменять свою
магнитную индукцию (B) при воздействии магнитного
поля (H). Для изотропных веществ µ=B/H. В анизотроп-
ных телах, например в кристаллах, МП является тен-
зорной величиной: k
Hikk
iB
3
1
(i=1,2,3). В зависимости
от того, в каком магнитном поле измеряется магнитная
проницаемость – в статическом или переменном – еѐ на-
зывают соответственно статической или динамической. С
точки зрения электродинамики МП аналогична диэлек-
трической проницаемости ε и симметрично с ней входит
в так называемые материальные уравнения, определяя, в
частности, показатель преломления среды: n=( ε µ)1/2
.
– maqnit nüfuzluğu (MN). Maqnit nüfuzluğu (µ) maqnit sahəsi
(H) təsir etdikdə maddənin öz maqnit induksiyasını (B)
dəyişmək qabiliyyətini xarakterizə edən fiziki kəmiyyətdir.
Izotrop maddələr üçün µ=B/H. Anizotrop maddələrdə, məsə-
lən kristallarda, MN tenzor kəmiyyətdir: k
Hikk
iB
3
1
(i=1,2,3). Maqnit sahəsinin statik və ya dəyişən olmasından
asılı olaraq MN statik və ya dinamik ola bilər. Elektro-
dinamika baxımından MN ε dielektrik nüfuzluğuna analoji
kəmiyyətdir və bir sıra tənliklərə onunla birlikdə daxil olur.
Məsələn, bu iki kəmiyyət birlikdə mühitin sındırma əmsalını
təyin edir: n=( ε µ)1/2
.
Maqnetic reluctance (reluctance)
– магнитное сопротивление (МС). Величина, равная от-
ношению магнитодвижущей силы к магнитному потоку,
применяемая в расчетах магнитных цепей. Понятие МС
13
образовано по аналогии с понятием электрического соп-
ротивления. Эта формальная аналогия, поскольку физи-
ческая природа обоих этих сопротивлений различны. МС
Rm в данном однородном участке магнитной цепи может
быть вычислено по формуле: Rm=L/µs, где L и s – длина и
сечение участка магнитной цепи, µ–магнитная прони-
цаемость.
– maqnit müqaviməti. Maqnit müqaviməti maqnit hərəkət
qüvvəsinin maqnit selinə nisbətinə bərabər olan kəmiyyətdir.
Bu kəmiyyət maqnit dövrələrinin hesabatı zamanı istifadə
edilir. Manit müqaviməti anlayışı elektrik müqaviməti anla-
yışının maqnit analoqu kimi daxil edilmişdir. Lakin bu ana-
logiya formal xarakter daşıyır, çünki elektrik və maqnit mü-
qavimətlərinin təbiəti müxtəlifdir. Maqnit dövrəsinin verilmiş
bircins hissəsində maqnit müqavimətini aşağıdakı kimi
hesablamaq olar: Rm=L/µs, burada L və s – maqnit dövrəsi
hissəsinin uzunluğu və en kəsiyi, µ – maqnit nüfuzluğudur.
Magnetic semiconductor
– магнитный полупроводник (МПП). Вещества, которые
сочетают в себя полупроводниковый тип проводимости с
магнитным упорядочением. Другими словами, это мате-
риалы проявляющие как свойства ферромагнетиков, а
также ферримагнетиков и антиферромагнетиков, так и
свойства полупроводников. В химический состав МПП
входят переходные или редкоземельные элементы. Наи-
более изученными являются МПП типа EuX, где X – O,
S, Se, Te и соединения типа ACr2X4, где A – Cu, Cd, Zn,
Hg, Fe, Co; X – S, Se, Te.
При изменении напряженности магнитного поля из-
меняется проводимость материала. Кроме этого, МПП
обладают рядом особенностей электрических и оптичес-
ких свойств, отсутствующих у немагнитных полупровод-
ников. Например, характерной их особенностью является
гигантское красное смещение края оптического поглоще-
14
ния при изменении температуры. Так, у HgCr2Se4 край
оптического поглощения смещается от 0,8 до 0,3 эВ при
понижении температуры от 300 К до 4 К. Некоторым
МПП свойственны явления фотомагнетизма (изменение
магнитных свойств при освещении). Например, в
CdCr2Se4 при освещении изменяются магнитная прони-
цаемость, коэрцитивная сила и т.д.
Носители заряда могут сильно влиять на магнитные
свойства МПП. Например, легированием EuO и EuS уда-
ѐтся вдвое поднять их ТК, а легированием EuSe перевести
его из антиферромагнитного в ферромагнитное состоя-
ние.
Необычные свойства МПП делают их перспективными
для создания ячеек памяти, для термомагнитной и фото-
магнитной записи, для вращения плоскости поляризации
электромагнитного излучения, в частности в диапазоне
СВЧ. На МПП реализованы p–n переходы, барьеры
Шоттки и др. структуры. МПП являются также перспек-
тивным материалом для нового направления электроники
– спинтроники.
– maqnit yarımkeçirici (MYK). Yarımkeçirici xarakterli elek-
trikkeçiriciliyi və maqnit nizamlılığını özündə birləşdirən
maddələr. Başqa sözlə, MYK–lər həm ferromaqnit, eləcə də
ferrimaqnit və antiferromaqnit xassələrinə, həm də yarımke-
çirici xassələrinə malikdirlər. MYK–nın kimyəvi tərkibinə
keçid və ya nadir torpaq elementləri daxildir. EuX (X – O, S,
Se, Te) və ACr2X4 (A – Cu, Cd, Zn, Hg, Fe, Co; X – S, Se,
Te) kimi birləşmələrdən ibarət olan MYK-lar daha yaxşı
öyrənilmişdir.
Maqnit sahəsinin intensivliyi dəyişdikdə MYK materialın
elektrikkeçiriciliyi də dəyişir. Bundan başqa, MYK material-
ların elektrik və optik xassələri adi qeyri–maqnit material-
larda müşahidə olunmayan bir sıra xüsusiyyətlərə də malik-
dir. Temperatur dəyişdikdə optik udulmanın qırmızı sərhəddi-
nin çox böyük sürüşməsi onların xarakterik cəhətidir. Məsə-
15
lən, temperatur 300 K–dən 4 K–ə qədər azaldıqda HgCr2Se4
birləşmələrində udulmanın qırmızı sərhəddi 0,8 eV–dan 0,3
eV–a sürüşür. Bəzi MYK–da fotomaqnetizm hadisəsi
müşahidə olunur. Fotomaqnetizm–işıqlanma zamanı maqnit
xassələrinin dəyişməsidir. Məsələn, CdCr2Se4–də işıqlanma
nəticəsində maqnit nüfuzluğu, koersitiv qüvvə və digər para-
metrlər dəyişir.
Yükdaşıyıcılar MYK–nın maqnit xassələrinə güclü təsir
göstərə bilər. Məsələn, EuO və EuS birləşmələrini aşqarla-
maqla onların TK Küri temperaturunu iki dəfə yüksəltmək
mümkün olur. EuSe birləşməsini aşqarlamaqla onu antiferro-
maqnit halından ferromaqnit halına keçirmək olur.
MYK materialların qeyri–adi xassələri onların yaddaş
özəkləri hazırlanmasında, məlumatın termomaqnit və foto-
maqnit üsullarla yazılmasında, İYT diapazonunda polyariza-
siya müstəvisini çevirmək üçün istifadə edilməsinə geniş
perspektivlər yaradır. MYK əsasında p–n keçidlər, Şotki
çəpərləri və digər quruluşlar yaradılmışdır. MYK həm də
elektronikanın yeni istiqaməti olan spintronika üçün perspek-
tivli materialdır.
Magnetic superconductor
– магнитный сверхпроводник. Вещества, которые обла-
дают как сверхпроводящими, так и магнитными свойс-
твами.
– maqnit ifratkeçirici. Maqnit ifratkeçiricilər eyni zamanda
həm ifratkeçirici, həm də maqnit xassələrinə malik olan mad-
dələrdir.
Magnetic switch
– магнитный ключ. Электрически управляемый магнит-
ный нелинейный элемент. В магнитных ключах может
использоваться достаточно разнообразные электронные
схемы: от однократно записываемой и флэш-памяти, до
всевозможных таймеров, датчиков температуры и т. п.
16
Наиболее известным примером применения являются
ключи для домофонов.
– maqnit açarı. Maqnit açarı elektrik cərəyanı ilə idarə olunan
qeyri–xətti maqnit elementidir. Maqnit açarında çox müxtəlif
elektron sxemlər istifadə edilə bilər: birdəfəlik yazılan yaddaş
sxemləri, fleş–yaddaş sxemləri, taymerlər, temperatur sensor-
ları və s. Maqnit açarları ən çox domofonların açarı kimi tət-
biq edilir.
Magnetodielectric
– магнитодиэлектрик (МД). Композиционные магнитные
материалы, koторые могут быть как магнитомягкими, так
и магнитотвердыми. МД нашли применение в качестве
постоянных магнитов измерительных приборов, сердеч-
ников для индуктивных элементов фильтров, многозвен-
ных линий задержки, линий многоканальной проводной
связи и др., где требуется обеспечение высокой стабиль-
ности и надежности радиоэлектронных устройств.
– maqnit dielektrik (MD). MD kompozisiya materiallarıdır. MD
həm maqnityumşaq, həm də maqnitbərk ola bilər. MD yüksək
stabillik və etibarlılıq tələb olunan sahələrdə tətbiq edilir. Mə-
sələn, ölçü cihazlarında sabit maqnit kimi, induktiv element-
lərdə içlik kimi, çoxmanqalı ləngitmə xətti kimi, çoxkanallı
rabitə xəttləri kimi və s.
Magnetodiode
– магнитодиод. Магнитодиоды представляют собой ПП
диоды, у которых вольт-амперная характеристика измен-
яется под действием магнитного поля. Часто магнитодио-
ды делают со структурой p–i–n, причем i–область обла-
дает значительным сопротивлением (рис, а). В отличие от
обычных ПП диодов, магнитодиод изготавливается из
высокоомного ПП материала, проводимость которого
близка к собственной, а ширина базы d в несколько раз
больше диффузионной длины носителей L: d>>L, в то
17
время как в обычных диодах d < L. Поэтому на практике
такие диоды называют «длинными».
В основе действия магнитодиода лежит магниторе-
зистивный эффект, т.е., уменьшение подвижности НЗ в
базе вследствие искривления траекторий их движения
под действием поперечнего магнитного поля. В резуль-
тате увеличивается сопротивление базы, снижается паде-
ние напряжения на p–n переходе и уменьшается прямой
ток через магнитодиод (рис, b).
Для изготовления магнитодиодов в основном исполь-
зуются Ge и Si.
Магнитодиоды применяются в качестве чувствитель-
ных элементов в магнитных датчиках скорости вра-
щения, угла поворота; преобразователях типа "угол-код"
и т.п. Их используют также в электродвигателях, регуля-
торах электрической мощности, в бытовой электронной
аппаратуре, системах автоматического управления, ус-
тройствах считывания информации ЭВМ, в электронных
игрушках, в биологии и медицине в качестве сенсоров
измерения пульса, кровяного давления и глубины дыха-
ния и т.д.
– maqnit diodu. Maqnit diodu VAX–ı maqnit sahəsinin təsirilə
dəyişən YK dioddur. Əksər hallarda maqnit diodları p–i–n
quruluşu kimi hazırlanır və i–hissənin müqaviməti kifayət
H=0 H≠0
d
p+
n+ i
ΔU
ΔI
a) b)
18
qədər böyük olur (şəkil, a). Adi YK diodlardan fərqli olaraq
maqnit diodları elektrikkeçiriciliyi məxsusi keçiriciliyə yaxın
olan, yüksək müqavimətli YK materialdan hazırlanır. Maqnit
diodlarının bazasının eni YD–ın diffuziya məsafəsindən bir
neçə dəfə böyük olur: d>>L. Halbuki adi diodlarda d < L
olur. Odur ki, belə diodlara ―uzun diod‖ da deyilir.
Maqnit diodunun iş prinsipi maqnitrezistiv effektə, yəni,
eninə maqnit sahəsinin təsirilə YD-ın hərəkət trayektori-
yasının əyilməsi nəticəsində bazada onların yürüklüyünün
azalmasına əsaslanır. Yürüklüyün azalması nəticəsində
bazanın müqaviməti artır, p–n keçiddə gərginlik düşküsü
azalır və maqnitdioddan keçən düz cərəyan azalır (şəkil, b).
Maqnit diodu hazırlamaq üçün əsasən Ge və Si istifadə
edilir. Maqnit diodları fırlanma sürəti və dönmə bucağının
maqnit sensorlarının, ―bucaq–kod‖ çeviricilərinin və s. həssas
elementləri kimi istifadə edilir. Onlar həmçinin elektrik
mühərriklərində; elektrik gücünün tənzimləyicilərində; məişət
elektron aparatlarında; avtomatik idarə sistemlərində; EHM–
ın məlumatın oxunma qurğularında; biologiya və səhiyyədə
nəbzin, qan təzyiqinin və tənəffüsün dərinliyinin ölçülmə-
sində və s. sahələrdə sensor kimi istifadə edilir.
Magnetoelectronics
– магнитоэлектроника. Магнитоэлектроника – направ-
ление функциональной микроэлектроники, изучающее
магнитные явления с целью разработки и создания мик-
роминиатюрных магнитных элементов и устройств. Ши-
рокое применение микроминиатюрных магнитных эле-
ментов и устройств обусловлено их специфическими осо-
бенностями по сравнению с аналогичными ПП элемента-
ми:
− значительно более высокой надежностью;
− высокой радиационной стойкостью;
− хранением информации без потребления энергии;
19
− высокой температурной и временной стабильностью
параметров;
− высокой помехозащищенностью.
Микроминиатюризация магнитных элементов вклю-
чает в себя несколько групп методов: конструктивных –
непосредственное уменьшение геометрических размеров
элементов; технологических – использование интеграль-
ных технологических процессов; схемотехнических –
схемные решения и режимы работы элементов; физичес-
ких – использование новых физических явлений и мате-
риалов.
Направление микроминиатюризации магнитных эле-
ментов определило и основные этапы развития магнито-
электроники. Таких этапов можно отметить два: приме-
нение тонких магнитных пленок и доменную магни-
тоэлектронику, использующую единичные магнитные
домены в качестве носителей информации. (см. также:
Domain magnetoelectronics и Thin magnetic film)
– maqnit elektronikası. Maqnit elektronikası funksional elek-
tronikanın maqnit hadisələrini öyrənən bir bölməsidir. Maqnit
elektronikasının məqsədi mikrominiatür maqnit elementləri
və qurğuları işləyib hazırlamaqdır. Mikrominiatür maqnit
elementləri və qurğularından geniş istifadə edilməsi onların
analoji YK elementlərlə müqayisədə aşağıda göstərilən bir
sıra spesifik xüsusiyyətləri ilə bağlıdır:
– daha yüksək etibarlılıq;
– radiasiyaya qarşı yüksək davamlılıq;
– məlumatın enerji sərf edilmədən saxlanması;
– parametrlərin temperatura və zamana görə yüksək stabilliyi;
– təhriflərə qarşı yüksək davamlılıq.
Maqnit elementlərinin mikrominiatürləşdirilməsi üçün isti-
fadə edilən üsullar bir neçə qrupa bölünür:
– konstruktiv üsullar: bilavasitə elementlərin həndəsi ölçülə-
rinin azaldılması üsulları;
20
– texnoloji üsullar: inteqral texnoloji proseslərdən istifadə
edilməsi üsulları;
– sxemotexniki üsullar: element və qurğuların sxem həlli və
iş rejimlərinin verilməsi üsulları;
– fiziki üsullar: yeni fiziki hadisələrdən və materiallardan
istifadə edilməsi.
Maqnit elementlərinin mikrominiatürləşdirilməsi istiqa-
məti bütövlükdə maqnit elektronikasının inkişafının əsas mər-
hələlərini təyin etmişdir. Bu mərhələlərdən ikisini qeyd etmək
olar: nazik maqnit təbəqələrinin tətbiq edilməsi və məlumat
daşıyıcısı kimi tək–tək maqnit domenlərindən istifadə edən
domen maqnit elektronikası. (bax həmçinin: Domain magne-
toelectronics и Thin magnetic film)
Magnetohydrodynamic oscillator
– магнитогидродинамический генератор (МГД–гене-
ратор) – устройство, в котором за счѐт явления электро-
магнитной индукции в канале с наложенным магнитным
полем внутренная,тепловая или кинетическая и потен-
циальная энергии электропроводящей среды преобра-
зуются в электрическую энергию. Рабочим телом МГД–
генераторов могут быть низкотемпературная плазма или
проводящая жидкость (жидкие металлы, электролиты).
Низкотемпературная плазма в МГД–генераторах предс-
тавляет собой продукты сгорания природных или спе-
циальных топлив с добавками соединений щелочных ме-
таллов или инертные газы также со щелочными добав-
ками. Используются МГД-генераторы в так называемых
установках прямого преобразования энергии.
– maqnit hidrodinamik generator (MHD-generator). Bu
qurğularda maqnit sahəsi tətbiq edilmiş kanalda baş verən
elektromaqnit induksiyası hesabına keçirici mühitin daxili,
istilik, potensial və ya kinetik enerjisi elektrik enerjisinə
çevrilir. MHD-generatorlarda işçi cisim olaraq aşağı tempe-
raturlu plazma və ya keçirici maye, məsələn, maye metal
21
yaxud eletrolit istifadə edilir. MHD-generatorda istifadə edi-
lən aşağı temperaturlu plazma qələvi metalların birləşmələri
əlavə edilmiş təbii və ya xüsusi yanacağın yanması nəticəsin-
də alınan məhsullar və yaxud qələvi əlavə edilmiş təsirsiz
qazlardan ibarətdir. MHD-generatorlar enerjini birbaşa çevi-
rən qurğularda istifadə olunur.
Magnetoresistive sensor (magnetoresisrive transduser)
– магниторезистивный сенсор (МРС). Сенсор магнитного
поля, действие которого основано на магниторезистив-
ном эффекте. Существуют одно-, двух- и трехосные
МРС. Одноосные МРС применяются для бесконтактного
измерения угла поворота и линейного перемещения, ско-
рости зубчатых колес и т.д. Двух- и трехосные МРС
предназначены для определения курса по магнитному
полю Земли в автомобильном, морском и воздушном
транспорте.
– maqnit rezistiv sensor (MRS). Iş prinsipi maqnit rezistiv
effektə əsaslanan sensor. Bir, iki və üçoxlu MRS–lər olur.
Biroxlu MRS dönmə bucağını və xətti yerdəyişməni, dişli
çarxların fırlanma sürətini və s. ölçmək üçün istifadə edilir.
Iki- və üçoxlu MRS avtomobil, dəniz və hava nəqliyyatında
Yerin maqnit sahəsinə nəzərən hərəkət istiqamətini (kursunu)
təyin etmək üçündür.
Magnetoresistor
– магнитный резистор. Магнитным резистором назы-
вается ПП резистор, электрическое сопротивление кото-
рого меняется под действием поперечного магнтного по-
ля. Магнитный резистор состоит из подложки, резистив-
ного элемента и проводов для подключения к элек-
трической цепи. По сравнении с обычными переменными
резисторами магнитные резисторы имеют значительно
больший, практически неограниченный срок работы. Их
сопротивление можно плавно менять. В них отсутствуют
22
шумы, характерные для резисторов со скользящими ко-
тактами. Магнитные резисторы применяются в качестве
чувствительных элементов в датчиках магнитного поля, в
качестве переменного резистора и потенциометра совме-
стно с управляющим магнитным полем в радио ап-
паратуре и измерительных приборах, в качестве переклю-
чающих элементов в бесконтактных коммутирующих
устройствах.
– maqnit rezistoru. Maqnit rezistoru eninə maqnit sahəsinin
təsirilə elektrik müqaviməti dəyişən YK rezistordur. Maqnit
rezistoru altlıqdan, rezistiv elementdən və elektrik dövrəsinə
qoşmaq üçün naqillərdən ibarətdir. Adi dəyişən rezistorlarla
müqayisədə maqnit rezistorlarının işləmə müddəti daha
böyükdür–demək olar ki, qeyri–məhduddur; onların müqavi-
mətini səlis dəyişmək olur; sürüşən kontaktı olan dəyişən
rezistorlara xas olan küylər maqnit rezistorlarda yaranmır.
Maqnit rezistorlar maqnit sahəsi sensorlarında həssas element
kimi, idaredici maqnit sahəsi ilə birlikdə radio aparatlarında
və ölçü cihazlarında dəyişən rezistor və potensiometr kimi,
kontaktsız kommutasiya qurğularında aşırıcı element kimi
istifadə olunur.
Magnetothyristor
– магнитотиристор. Любой тиристор можно представить
в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзи-
сторов, поэтому магниточувствительные свойства тири-
сторов характеризуются магниточувствительными свойс-
твами составляющих их транзисторов. Напряжение вклю-
чения тиристора UBKЛ выражается через коэффициенты
передачи по току двух транзисторов:
221
121 )1(1 h
I
IhUU
вклпрвкл
у
где Uпр – напряжение лавинного пробоя коллекторного р-п
перехода; Iвкл – ток включения; Iy – ток управления; 121h и
23
221
h – коэффициенты передачи по току первого и второго
транзисторов соответственно. На рисунке 1 приведена
структура магнитотиристора. Управляющий электрод У,
присоединен к базе, которая одновременно является об-
ластью, где рекомбинируют инжектированные из анода А
дырки. В этом случае при направлении В+ магнитного
поля (рис.1) 221h уменьшается, следовательно, Uвкл уве-
личивается. При противоположном направлении (В–) маг-
нитного поля 221h увеличивается, Uвкл уменьшается (рису-
нок 2). Напряжение включения Uвкл тиристора в слабых
магнитных полях изменяется почти линейно при обоих
направлениях управляющего магнитного поля.
– maqnit tiristoru. Istənilən tiristoru iki tranzistordan ibarət
olan ekvivalent sxemini qurmaq olar. Odur ki, tiristorun maq-
nit xassələri onu təşkil edən tranzistorların maqnit xassələri
ilə təyin edilir. Tiristorun qoşulma gərginliyi aşağıdakı kimi
təyin edilir:
221
121 )1(1 h
I
IhUU
qos
iddqos
Burada Ud – kollektor p–n keçidinin selvari deşilmə gər-
ginliyi, İqoş – qoşulma cərəyanı, İid – idarəetmə cərəyanı, 121h və 2
21h –uyğun olaraq birinci və ikinci tranzistorların cərə-
Рисунок 1 Рисунок 2
Şəkil 1 Şəkil 2
p
p
p n
n B+
У(İd.)
A K
24
yanı ötürmə əmsallarıdır. Şəkil 1–də maqnit tiristorunun qu-
ruluşu göstərilmişdir. İ idarəedici elektrod bazaya birləşdiril-
mişdir. Bazada anoddan (A) injeksiya etmiş deşiklər rekom-
binasiya edirlər. Maqnit sahəsinin B+
istiqamətində 221h əm-
salı azalır və deməli Uqoş gərginliyi artır. Maqnit sahəsinin
əks istiqamətində (B–) isə 2
21h artır və Uqoş gərginliyi azalır
(şəkil 2). Zəif maqnit sahələrində tiristorun Uqoş gərginliyi
maqnit sahəsinin hər iki istiqamətində demək olar ki, sahə ilə
xətti dəyişir.
Magnetotransistor
– магнитотранзистор Магнитотранзисторами (МТ) назы-
ваются транзисторы, характеристики которых чувстви-
тельны к магнитному потоку. Их конструктивные и ра-
бочие параметры оптимизированы для получения макси-
мальной чувствительности коллекторного тока к магнит-
ному полю. Магнитотранзисторы иногда называют маг-
нисторами.
В зависимости от того, параллельно или перпенди-
кулярно поверхности кристалла протекает рабочий ток,
магнитотранзисторы условно подразделяются на верти-
кальные и горизонтальные (латеральные). Вертикальные
магнитотранзисторы (ВМТ) могут реагировать лишь на
лежащую в плоскости кристалла (продольную) компо-
ненту магнитного поля, а горизонтальные (ГМТ) – также
и на перпендикулярную этой плоскости (поперечную)
компоненту.
В зависимости от природы переноса неосновных носи-
телей заряда в базе магнитотранзисторы, в свою очередь,
делятся на диффузионные и дрейфовые.
– maqnit tranzistoru. Maqnit tranzistorlar xarakteristikaları
maqnit selinə həssas olan tranzistorlardır. Onların konstruktiv
və işçi parametrləri elə seçilir ki, kollektor cərəyanının
25
maqnit sahəsinə həssaslığı maksimal olsun. Maqnit tranzis-
torlarına bəzən maqnistor da deyilir.
İşçi cərəyanın kristalın səthinə paralel və ya perpendikulyar
axmasından asılı olaraq maqnit tranzistorları şərti olaraq
şaquli və üfüqi (lateral) kimi iki rupa bölünür. Şaquli maqnit
tranzistorlar maqnit sahəsinin ancaq kristalın səthi boyunca
yönəlmiş (uzununa) toplananına reaksiya verir. Üfüqi maqnit
tranzistorları isə həm də maqnit sahəsinin kristalın səthinə
perpendikulyar olan (eninə) toplananına qarşı həssasdır. Ba-
zada qeyri–əsas yükdaşıyıcıların daşınma mexanizmindən
asılı olaraq maqnit tranzistorları diffuziyalı və dreyfli kimi
qruplara bölünür.
Main memory unit (Random access – RAM) – оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) – ОЗУ
предназначены в основном для хранения промежуточных
данных в процессе выполнения арифметических или ло-
гических операций. Они характеризуются возможностью
быстрого ввода и вывода (записи и считывания) инфор-
мации. Причем, для записи и для считывания доступна
любая ячейка ОЗУ. Поэтому синонимом термина ОЗУ
является память с произвольной выборкой (RAM –
Random Access Memory).
ОЗУ могут быть выполнены как статическими, так и
динамическими. Статические и динамические ОЗУ явля-
ются энергозависимыми. При отключении питания ин-
формация теряется. В статических ОЗУ ячейки памяти
состоят из триггеров. Каждая единица информации (бит)
записывается в один из триггеров, постоянно хранится в
нем и не разрушается при ее считывании. Разрушение
информации возможно только при ее принудительном
стирании или отключении напряжения источника пита-
ния. В динамических ОЗУ для хранения информации ис-
пользуются внутренние емкости. Каждый бит записы-
вается в маленький конденсатор. В динамических ОЗУ
26
информация постоянно циркулирует в массиве, отведен-
ном для ее хранения. При этом считывание информации
сопровождается ее разрушением. Для сохранения инфор-
мации ее необходимо перезаписывать заново. Основным
требованием, предъявляемым к ОЗУ, является обеспече-
ние максимально возможного быстродействия при задан-
ных объеме и организации. Организация ЗУ – это число
кодовых слов N, хранимых в ЗУ с указанием их длины L
(разрядности).
ОЗУ выпускаются исключительно в виде интеграль-
ных микросхем. Статические ОЗУ производятся на базе
различных технологий. Существует ОЗУ в ТТЛ- испол-
нении, в ЭСЛ-, в n-МОП– и в КМОП- исполнении. Дина-
мические ОЗУ строят на различных МОП – элементах
(см. также: Memory device)
– operativ yaddaş qurğusu OYQ (əməli yaddaş qurğusu
ƏYQ). OYQ əsasən hesab və ya məntiq əməliyyatları aparar-
kən aralıq – köməkçi verilənləri yaddaşda saxlamaq üçün isti-
fadə edilir. Onlar məlumatı cəld daxil edib çıxarmaq (yazmaq
və oxumaq) imkanı ilə xarakterizə olunur. Qeyd etmək
lazımdır ki, məlumat OYQ–nun istənilən özəyinə yazıla və
oradan oxuna bilər. Odur ki, OYQ–nun sinonimi olaraq ixti-
yari seçimli yaddaş (RAM – Random Access Memory) ter-
mini işlədilir.
OYQ statik və dinamik ola bilər. Statik və dinamik OYQ
enerjidən asılıdır: qida gərginliyi kəsilərkən yaddaşdakı məlu-
mat silinir. Statik OYQ–da yaddaş özəkləri triggerlərdən iba-
rətdir. Belə OYQ–da hər bir məlumat vahidi (bit) bir triggerə
yazılır, oxunan zaman bu məlumat pozulmur. Məlumat ancaq
xüsusi olaraq silindikdə və ya qida gərginliyyi söndürüldükdə
pozula bilər. Dinamik OYQ–da məlumatı yadda saxlamaq
üçün daxili tutumlardan istifadə edilir. Hər bir bit kiçik bir
kondensatorda yazılır. Burada məlumat onun yazılması üçün
ayrılmış hissədə daim sirkulyasiya edir və məlumatın
oxunulması onun pozulmasına gətirir. Bu zaman məlumatın
27
saxlanması üçün onu yenidən yazmaq lazımdır. OYQ–nun
üzərinə qoyulan əsas tələb verilmiş həcmdə və təşkildə
mümkün olan maksimal cəldliyin təmin edilməsidir. YQ–nun
təşkili dedikdə, YQ–da saxlanılan kod sözlərinin sayı (uzun-
luğu – mərtəbəsi göstərilmək şərtilə) başa düşülür. OYQ an-
caq İMS şəklində istehsal olunur. Statik OYQ TTM–element-
ləri, EƏM (emitter əlaqəli məntiq) elementləri, n–MOY və
KMOY tranzistorları əsasında hazırlanır. Dinamik OYQ
MOY tranzistorları əsasında müxtəlif elementlərdən qurulur
(bax həmçinin: Memory device)
Mains– controlled inverter (self–commutated inverter)
– инвертор, ведомый сетью (зависимый инвертор ЗИ).
Инвертор, ведомый сетью требует наличия источника пе-
ременного напряжения, обеспечивающего требуемую
частоту и величину напряжения на выходе устройства.
Другими словами, инвертор преобразует энергию пос-
тоянного тока в переменную и отдает ее в сеть, где есть
другие источники переменного напряжения (см. также:
Chopper).
– şəbəkədən idarə olunan invertor (asılı inversləşdirici). Bu
növ inversləşdiricilər əlavə dəyişən gərginlik mənbəyi tələb
edir. Əlavə mənbə qurğunun çıxışında gərginliyin tələb olu-
nan tezliyini və qiymətini təmin edir. Başqa sözlə, asılı in-
versləşdirici sabit cərəyan enerjisini dəyişən cərəyan ener-
jisinə çevirir və onu artıq başqa dəyişən gərginlik mənbəyinin
olduğu dövrəyə ötürür (bax həmçinin: Chopper).
Master-slave bistable (two–stage flip-flop)
– двухступенчатый триггер (MS-триггер). Схема, со-
стоящая из двух последовательно включенных синхрон-
ных триггеров, первый из которых называется ведущим
(основным) или M-триггером (от англ. master –ведущий,
управляющий), а второй – ведомым (вспомогательным)
или S-триггером (от англ. slave – ведомый, управляемый).
28
В одноступенчатых триггерах прием (запись) и передача
информации на выходы схемы происходят одновременно
(см.: Single-stage trigger). В результате на время записи
информации возможно нарушение информационного
состояния на выходах схемы. Чтобы этого избежать,
используют двухступенчатые триггеры.
Двухступенчатые триггеры имеют две ступени запоми-
нания информации. Вначале информация записывается в
первую ступень, а затем переписывается во вторую и
появляется на выходе. Процессы приема и передачи на
выход принятой информации разделены так, что потен-
циалы на выходах триггера меняются лишь после того,
как триггер переходит в режим хранения принятой
информации.
– iki pilləli trigger (MS–trigger). Iki pilləli trigger iki ardıcıl
qoşulmuş iki sinxron triggerdən ibarət olan sxemdir. Birinci
trigger aparıcı, əsas və ya M–trigger (ingilis dilində master–
aparıcı, idarəedici sözündən), ikincisi isə aparılan, idarəolu-
nan yaxud S–trigger (ingilis dilində slave–aparılan, idarəolu-
nan sözündən) adlanır. Birpilləli triggerlərdə məlumatın qə-
bulu və ötürülməsi eyni zamanda baş verir (bax: Single-stage
trigger). Nəticədə məlumatın yazılışı zamanı sxemin çıxışla-
rının halı dəyişə bilər Buna yol verməmək üçün ikipilləli trig-
gerlərdən istifadə edilir. Ikipilləli triggerlər məlumatı yad-
daşda saxlamaq üçün iki pilləyə malikdirlər. Məlumat əvvəl
bir pilləyə yazılır, sonra isə ikinci pilləyə yazılır və çıxışa ötü-
rülür. Məlumatın qəbul edilməsi və çıxışa ötürülməsi proses-
ləri bir–birindən elə ayrılmışdır ki, ancaq trigger məlumatı
yaddaşda saxlamaq rejiminə keçdikdən sonra çıxışlarda
potensial dəyişir.
Measurement (metering)
– измерение. Экспериментальное определение значения из-
меряемой величины с применением средств измерений.
Результат измерения выражается числом или совокуп-
29
ностью чисел. Результат измерения может быть выражен
в любой системе исчисления и записан при помощи кода
на любом носителе.
– ölçmə. Ölçmə vasitələrindən istafadə etməklə ölçülən kəmiy-
yətin qiymətinin təcrübi yolla təyin edilməsi nəzərdə tutulur.
Ölçmənin nəticəsi ədədlə və yaxud ədədlər toplusu kimi ifadə
edilir. Ölçmələrin nəticələri istənilən ölçü sistemində ifadə
oluna bilər və istənilən məlumat daşıyıcısında kodla yazıla
bilər.
Measurement instrumentation (instrument)
– измерительное средство. К средствам измерения от-
носятся компараторы, измерительные показывающие и
регистрирующие приборы, измерительные преобразо–
ватели, измерительные системы, измерительно–вычис–
лительные комплексы.
– ölçmə vasitələri. Ölçmə vasitələrinə müqayisə qurğuları, gös-
tərən və qeyd edən ölçü cihazları, ölçücü çeviriciləri, ölçü sis-
temləri, ölçü–hesablayıcı komplekslər aiddir.
Measurement transducer (metering transducer, pickup unit)
– измерительный преобразователь. Техническое средс-
тво, предназначенное для преобразования измеряемой ве-
личины в другую величину или в измерительный сигнал,
удобный для обработки, хранения, дальнейших преобра-
зований, индикации или передачи.
– ölçmə çeviricisi. Ölçülən kəmiyyəti başqa bir kəmiyyətə və ya
emal etmək, saxlamaq, sonradan başqa kəmiyyətə çevirmək,
indikasiya etmək, yaxud ötürmək üçün əlverişli şəkildə olan
ölçü siqnalına çevirmək üçün nəzərdə tutulmuş texniki vasitə.
Measuring line (mismatch slotted line, test line)
– измерительная линия (ИЛ). Прибор для измерения ха-
рактеристик СВЧ трактов передачи: параметров стоячей
волны, полных сопротивлений и др. Принцип действия
30
ИЛ основан на анализе картины стоячей волны в тракте с
помощью подвижного зонда. ИЛ применяются в диапа-
зоне частот ~(108÷10
11) Гц при настройке и проверке СВЧ
аппаратуры для согласования источников и потребителей
СВЧ энергии, сопряжения отдельных узлов и элементов
СВЧ тракта, выявления неоднородностей в нем и др.
– ölçmə xətti (ÖX). İYT–li ötürmə xətlərinin xarakteristikaları-
nı, məsələn, durğun dalğanın parametrlərini, tam müqavimət-
ləri və s. ölçmək üçün cihaz. ÖX–in iş prinsipi durğun dalğa-
nın mənzərəsinin mütəhərrik zondun köməyilə təhlil edilmə-
sinə əsaslanır. ÖX İYT enerji mənbələri ilə istifadəçilərini
uzlaşdırmaq məqsədilə İYT aparatlarını kökləmək və yox-
lamaq; İYT traktın ayrı–ayrı qovşaqlarını və elementlərini uz-
laşdırmaq, İYT traktda qeyri–bircinslikləri aşkar etmək və s.
məqsədlərlə ~(108÷10
11) Hs tezlik diapazonunda tətbiq edilir.
Measuring information system
– измерительная информационная система (ИИС). Со-
вокупность функционально объединенных измеритель-
ных, вычислительных и других вспомогательных тех-
нических средств для получения измерительной инфор-
мации, ее преобразования, обработки с целью представ-
ления к потребителю в требуемом виде, либо автома-
тического осуществления функций измерения, контроля,
диагностирования, идентификации.
– ölçmə məlumat sistemi (ÖMS). ÖMS bir–birilə funksional
birləşdirilmiş ölçü, hesablayıcı və digər köməkçi texniki
vasitələrin toplusudur. ÖMS–in əsas funksiyası ölçmələr ba-
rədə məlumat almaq, istifadəçiyə lazım olan şəkildə çatdır-
maq məqsədilə alınməş məlumatı dəyişmək və emal etmək,
yaxud ölçmə, nəzarət, diaqnostika, eyniləşdirmək kimi
funksiyaları avtomatik olaraq yerinə yetirməkdən ibarətdir.
31
Medical electronic equipment
– медицинская электронная аппаратура (МЭА). Меди-
цинские электронные аппаратуры подразделяют на две
группы: диагностические электронные системы и ле-
чебные электронные системы. К первой группе относятся
устройства съема медицинской информации (УСМИ),
устройства усиления (УУ), устройства отображения и ре-
гистрации медицинской информации (УОРМИ), системы
дистанционной передачи медицинской информации
(СДПМИ), системы обработки медицинской информации
(СОМИ). К лечебным электронным системам относятся
аппаратура для высокочастотной терапии, магнитотера-
пии, гальванизации и лечебного электрофореза, аэроио-
нотерапии, ультразвуковой терапии и др.
– tibbi elektron qurğuları. Tibbi elektron qurğular iki qrupa
ayrılır: elektron diaqnostika sistemləri və elektron müalicə
sistemləri. Birinci qrupa tibbi məlumatın çıxarılması qurğu-
ları, gücləndirmə qurğuları, tibbi məlumatı əksetdirən və qeyd
edən qurğular, tibbi məlumatı məsafədən ötürən sistemlər,
tibbi məlumatı emal edən sistemlər aiddir. Elektron müalicə
sistemlərinə yüksəktezlikli terapiya, maqnit terapiyası, hal-
vanikləşdirmə və müalicəvi elektroforez, aeroion terapiyası,
ultrasəs terapiyası və s. qurğular aiddir.
Medical Electronics
– медицинская электроника. Медицинская электроника –
это область электроники, которая занимается разработ-
кой, изготовлением и эксплуатацией электронных прибо-
ров для диагностики, лечения и профилактики заболе-
ваний.
– tibbi elektronika. Tibbi elektronika – elektronikanın xəstəlik-
lərin diaqnostikası, müalicəsi və profilaktikası üçün elektron
qurğularının işlənməsi, hazırlanması və istismarı ilə məşğul
olan bir sahəsidir.
32
Meissner effect
– эффект Мейснера. Полное вытеснение магнитного поля
из объѐма диамагнетика. Поскольку, вещества в сверх-
проводящем состоянии становятся идеальными диамаг-
нетиками, то проводник при переходе в сверхпроводящее
состояние становится наиболее подходящим объектом
для наблюдения эффекта Мейснера.
– Meysner effekti. Meysner effekti maqnit sahəsinin diamaq-
netikin həcmindən tam sıxışdırılıb çıxarılmasıdır. Ifrat keçiri-
cilik halında maddə həm də ideal diamaqnetik olduğu üçün if-
rat keçiricilik halında olan maddə Meysner effektini müşa-
hidə etmək üçün ən yaxşı obyektdir.
Melting
– плавление. Плавление – переход вещества из кристалли-
ческого твѐрдого состояния в жидкое. Плавление проис-
ходит с поглощением тепла как фазовый переход 1-го ро-
да, оно состоит в разупорядочении системы: регулярное
пространственное расположение атомов (молекул) сме-
няется нерегулярным при незначительном изменении
среднего расстояния между ними.
– ərimə. Ərimə maddənin kristal halından maye halına keçidinə
deyilir. O 1–ci növ faza keçidi kimi, istiliyin udulması ilə baş
verir. Ərimə sistemin nizamsız hala keçməsindən ibarətdir:
ərimə zamanı atom və ya molekullar arasındakı məsafənin
cüzi dəyişməsilə onların fəzada müntəzəm düzülüşü qeyri–
müntəzəm düzülüşlə əvəz olunur. Ərimə temperaturu (Tər)
təzyiqdən asılıdır.
Memory device (memory unit)
– запоминающее устройство (ЗУ). Устройство, предназ-
наченное для записи, длительного хранения и считыва-
ния информации. Входит в состав ЭВМ, технологичес-
кого и исследовательского оборудования с программным
управлением, различных устройств автоматики, телеме-
33
ханики, ядерных устройств и др. Запись информации
осуществляется путем преобразования ее в электричес-
кие, оптические или акустические сигналы, либо механи-
ческие перемещения для воздействия на некоторую фи-
зическую среду – запоминающую среду целью соответс-
твующего изменения ее состояния или формы. Запоми-
нающей средой может быть совокупность дискретных
элементов с двумя устойчивыми состояниями (феррито-
вые сердечники, тонкие магнитные пленки, транзисторы,
триггеры и т.д.), либо слой магнитного вещества или фо-
тоэмульсии, бумажная лента.
В зависимости от свойств запоминающей среды и спо-
собов воздействия на нее различают полупроводниковые,
магнитные, оптические, электростатические, криогенные,
ультразвуковые, механические ЗУ.
Помимо запоминающей среды ЗУ содержат блок уп-
равления, обеспечивающий запись и хранение информа-
ции и устройство управления, обеспечивающее согла-
сованную работу всех частей ЗУ.
Основными техническими показателями ЗУ, определ-
яющими их эффективность, являются информационная
емкость – максимальное число слов или знаков, которые
одновременно можно сохранить в ЗУ, выражается в би-
тах или байтах (см. Bit, byte), потребляемая мощность,
время хранения информации, быстродействие и др.
По выполняемым функциям ЗУ делятся на внешние и
внутренние Внешние ЗУ реализуются на магнитных лен-
тах и магнитных или оптических дисках; внутренние ЗУ
– в основном на ИС. Внешние ЗУ характеризуются нео-
пределенно длительным сохранением информации при
отсутствии питания. Внутренние ЗУ в свою очередь де-
лятся на следующие группы:
–оперативные ЗУ (main memory unit);
–сверхоперативные ЗУ (СОЗУ), которые обладают малым
объемом и высоким быстродействием;
34
–постоянные ЗУ (ПЗУ): запоминающее устройство в сос-
таве ЭВМ, используемое только для считывания храни-
мой в нѐм информации;
–полупостоянные ЗУ (ППЗУ): ПЗУ, в котором накопитель
сконструирован таким образом, что имеется возможность
сравнительно легко заменять всю или часть хранимой ин-
формации. (см..также: Main memory unit и Permanent
memory)
– yaddaş qurğusu (YQ). Yaddaş qurğusu məlumatın yazılması,
uzun müddət saxlanması və oxunması üçün nəzərdə tutulmuş
qurğudur. EHM–in, proqramla idarə olunan texnoloji və
tədqiqat qurğularının, müxtəlif avtomatika və telemexanika
qurğularının, nüvə qurğularının və s. tərkibinə daxil olur.
Məlumatı yazmaq üçün onu elektrik, optik, akustik siqnallara,
yaxud mexaniki yerdəyişməyə çevirir. Belə çevrilmə müəy-
yən fiziki mühitə – yaddaş mühitinə müəyyən təsir göstərir
ki, bundan da məqsəd mühitin halını və ya formasını də-
yişməkdir. Yaddaş mühiti iki dayanıqlı vəziyyəti olan diskret
elementlər (ferrit içlik, nazik maqnit təbəqəsi, tranzistor,
trigger və s.), maqnit maddə və ya fotoemulsiya təbəqəsi, ka-
ğız lent ola bilər. Yaddaş mühitinin xassələrindən və ona təsir
üsullarından asılı olaraq YQ yarımkeçirici, maqnit, optik,
elektrostatik, kriogen, ultrasəs, mexaniki kimi qruplara
bölünür.
Yaddaş mühitindən əlavə YQ–nin tərkibinə idarə bloku və
idarə qurğusu da daxildir. Idarə bloku məlumatın yazılmasını
və saxlanmasını, idarə qurğusu isə YQ–nin bütün hissələrinin
işinin uzlaşdırılmasını təmin edir.
YQ–nin effektivliyini təyin edən əsas texniki göstəricilər
məlumatın həcmi, yəni eyni zamanda YQ–da saxlanıla bilən
sözlərin və ya işarələrin maksimal sayı (bax: Bit, byte),
istifadə olunan güc, məlumatın saxlanma müddəti, cəldlik və
s.–dir.
Yerinə yetirdiyi funksiyalara görə YQ xarici və daxili kimi
qruplara bölünür. Xarici YQ maqnit lentləri və maqnit disk-
35
ləri, yaxud optik disklər əsasında; daxili YQ isə əsasən İS
əsasında hazırlanır. Xarici YQ–nin əsas xarakterik cəhəti
onların heç bir qida mənbəyi olmadan məlumatı uzun müddət
yaddaşda saxlaya bilməsidir. Daxili YQ-i öz növbəsində
aşağıdakı qruplara bölünür:
–operativ: OYQ (main memory unit);
–ifrat sürətli: İSOYQ, kiçik həcmli yaddaşa və yüksək
cəldliyə malik YQ;
–daimi YQ (DYQ): EHM–ın tərkibində olan, ancaq yaddaşda
saxlanan məlumatı oxumaq üçün istifadə edilən DYQ;
–qismən daimi YQ (QDYQ): bu növ YQ-də toplayıcı elə
qurulur ki, yaddaşda saxlanan məlumatın hamısını və ya bir
hissəsini nisbətən asanlıqla dəyişmək olsun (bax həmçinin:
Main memory unit и Permanent memory)
Metallic bonding
– металлическая связь. Химическая связь, обусловленная
наличием относительно свободных электронов. Харак-
терна как для чистых металлов, так и их сплавов и интер-
металлических соединений. Вещества, обладающие ме-
таллической связью, часто сочетают прочность с плас-
тичностью, так как при смещении атомов друг относи-
тельно друга не происходит разрыв связей. Кроме того,
свободно движущиеся электроны обусловливают высо-
кую электро- и теплопроводность вещества.
– metallik rabitə. Sərbəst elektronların mövcudluğu ilə bağlı
olan kimyəvi rabitə. Həm təmiz metallar, həm də xəlitələr və
intermetal birləşmələr üçün xarakterikdir. Metallik rabitə olan
maddələr eyni zamanda həm möhkəm, həm də plastik olurlar:
belə ki atomlar bir–birinə nisbətən yerini dəyişdikdə rabitələr
qırılmır. Bundan başqa, sərbəst hərəkət edən elektronlar
maddənin elektrik- və istilikkeçiriciliyinin yüksək olmasını
təmin edir.
36
Metallization
– металлизация. Процесс осаждения тонкой пленки про-
водящего металла на сформированную интегральную или
микросистемную схему с последующим формированием
из него с помощью литографии рисунка с необходимым
расположением межсоединений. Различают однослойную
и многослойную металлизацию.
– metallaşdırma. Formalaşdırılmış inteqral və ya mikrosistem
sxeminin üzərinə nazik metal təbəqənin çökdürülməsi. Çök-
dürüldükdən sonra həmin təbəqədən litoqrafiya üsulu ilə tələb
olunan elementlərarası birləşmələr formalaşdırılır. Metallaş-
dırma birlaylı və çoxlaylı ola bilər.
MicroElectroMechanical Systems (MEMS)
– микроэлектромеханические системы. Миниатюрные
устройства, включающие в свой состав три компонента:
микроактюатор, микросенсор и электронную вычисли-
тельную систему управления. Все три компонента изго-
товлены в одном чипе в едином технологическом процес-
се микрообработки. Термин наиболее распространен в
США. В Европе обозначения этой области науки и тех-
ники применяется термин «микросистемная технология»
(MycroSystems Technology, MST), в России – «мик-ро-
системная техника» (Microsystems technics), в Японии –
«микромашины» (micro machines).
– mikroelektromexaniki sistemlər (MEMS). Miniatür qurğudur,
üç komponentdən: mikroaktüator, mikrosensor və idarəedici
elektron hesablama sistemindən ibarətdir. Hər üç komponent
vahid texnoloji prosesdə bir çip üzərində hazırlanır. Bu
termin ABŞ–da daha çox yayılmışdır. Avropada ―mikro-
sistem texnologiyası‖ (MycroSystems Technology, MST),
Rusiyada ―mikrosistem texnikası‖ (Microsystems technics),
Yaponiyada ―mikromaşınlar‖ (micro machines) terminləri
işlədilir.
37
Microelectronics
– микроэлектроника (МЭ). Направление электроники, свя-
занное с созданием приборов и устройств в микроми-
ниатюрном исполнении c использованием групповой тех-
нологии их изготовления. Миниатюризация в изделиях
МЭ неразрывно сочетается с интеграцией элементарных
приборов и качественных функций. Современная МЭ ба-
зируется на использовании физических эффектов в твер-
дом теле, и в первую очередь в ПП. Помимо ПП элек-
троники принципы миниатюризации и интеграции во все
возрастающей степени применяются к приборам и уст-
ройствам в таких разделах электроники, как квантовая
электроника, оптоэлектроника, криоэлектроника, акусто-
электроника, СВЧ электроника, вакуумная электроника и
др.
ИМС может представлять собой матрицу однотипных
элементов или отдельный блок электронного устройства,
а по мере усложнения ИМС стали включать в себя ком-
плексные функциональные устройства, в том числе такие
сложные, как микропроцессоры и микро–ЭВМ.
Для изделий МЭ характерны наиболее быстрые в мире
техники темпы разработки и освоения их промышлен-
ного изготовления. Формирование микронных и субмик-
ронных элементов ИМС осуществляется посредством
специального процесса микролитографии – прецизионно-
го переноса изображения топологии ИМС в заданном
масштабе с оригинала (шаблона) на ПП подложку. В за-
висимости от требуемых разрешения, производитель-
ности и затрат могут быть использованы фотолитография
в видимой и УФ областях спектра, рентгенолитография и
электронно – лучевая литография. Последняя позволяет
осуществить непосредственное формирование элементов
ИМС с линейными размерами до 0,2 мкм.
Базовой технологией формирования монолитных ПП
ИМС является планарная технология, по которой изго-
38
тавливается основная масса ИМС, в том числе такой их
широкий класс, как логические (цифровые) ИМС. Пла-
нарная технология позволила создать на сегодня наибо-
лее сложные ИМС с числом элементов до миллиона при
их минимальном размере до 0,5 мкм (Planar technology).
Современная МЭ в значительной степени ориентиро-
вана на комплексное обеспечение элементной базы ин-
формационно – вычислительной техники, являющейся
основой систем автоматизации и управления промыш-
ленным и сельскохозяйственным оборудованием, прибо-
рами для научных исследований, контрольно – измери-
тельным и медицинским оборудованием, всеми видами
транспортных средств. Радиовещание, телевидение, про-
чие средства связи и передачи информации все шире ис-
пользуют достижения МЭ с целью улучшения техничес-
ких и экономических показателей. Микроэлектронные
устройства составляют основу командно – вычислитель-
ных, навигационных и связных комплексов в авиокосми-
ческой технике; широко используются в устройствах ра-
диолокации. Разнообразной по содержанию и сложной по
техническому уровню является также сфера применения
достижений МЭ в бытовых электронных устройствах
(см. также: Planar technology и inteqrated electronics).
– mikroelektronika (ME). Elektronikanın bir istiqaməti olub,
qrup halında hazırlanma texnologiyasından istifadə etməklə
mikrominiatür şəkildə cihaz və qurğular yaradır. Müasir ME
bərk cisimlərdə, ilk növbədə YK–də baş verən fiziki effekt-
lərə əsaslanır. YK elektronikadan başqa miniatürləşdirmə və
inteqrasiya prinsipləri sürətlə kvant elektronikası, optoelek-
tronika, krioelektronika, akustoelektronika, İYT elektronika,
vakuum elektronikası və s. sahələrin cihaz və qurğularına
tətbiq edilir.
İMS eyni növ elementlərdən ibarət matrisa və ya elektron
qurğusunun ayrıca bir bloku ola bilər. İMS–lər mürəkkəb-
ləşdikcə onların tərkibinə kompleks funksional qurğular, o
39
cümlədən, mikroprosessor və mikro-EHM kimi mürəkkəb
qurğular daxil edilir.
ME məmulatları ən yüksək hesab olunan templərlə işlənib
hazırlanır və sənaye üsulları ilə istehsal olunur. İMS–in
mikron və submikron ölçülü elementləri xüsusi mikrolitoqra-
fiya prosesi – İMS–in topologiyasının verilmiş miqyasda
originaldan (şablondan) YK altlıq üzərinə dəqiq köçürülməsi
ilə formalaşmasdırılır. Tələb olunan ayırdetmədən, məhsul-
darlıqdan və məsrəflərdən asılı olaraq spektrin görünən və
UB hissələrində fotolitoqrafiya, rentgenlitoqrafiya və elek-
tron–şüa litoqrafiyası tətbiq edilə bilər. Sonuncu üsul İMS–in
xətti ölçüləri 0,2 mkm-ə qədər olan elementlərini bilavasitə
formalaşdırmağa imkan verir.
Monolit YK İMS–in əsas formalaşdırma prosesi planar
texnologiyadır. Planar texnologiya ilə əksər İMS-lər, o cüm-
lədən məntiq (rəqəmli) İMS-lər hazırlanır. Planar texnologiya
ölçüsü 0,5 mkm, elementlərinin sayı milyonlarla olan mürək-
kəb İMS-lər yaratmağa imkan verir (Planar technology).
Müasir ME əhəmiyyətli dərəcədə məlumat–hesablama
texnikasının element bazasının kompleks halında təmin
olunmasına yönəlmişdir. Məlumat–hesablama texnikası isə
sənaye və kənd təsərrüfatı avadanliqlarının, elmi–tədqiqat
cihazlarının, nəzarət–ölçü və tibbi avadanlıqların, bütün növ
nəqliyyat vasitələrinin avtomatlaşdırma və idarəetmə
sistemlərinin əsasını təşkil edir. Zaman keçdikcə texniki və
iqtisadi göstəricilərini yaxşılaşdırmaq üçün radioyayımları,
televiziya, digər rabitə və məlumatı ötürmə vasitələrində ME-
nin nailiyyətlərindən daha geniş istifadə edilir. ME qurğuları
aviakosmik texnikada komanda–hesablama, naviqasiya və
rabitə komplekslərinin əsasını təşkil edir; radiolokasiya
qurğularında geniş istifadə edilir. ME nailiyyətləri həmçinin
elektron məişət qurğularında kifayət qədər rəngarəng və
yüksək texniki səviyyədə tətbiq edilir (bax həmçinin:
inteqrated electronics)
40
Micro Optical Electro Mechanical Systems (MOEMS)
– микрооптоэлектромеханические системы (МОЭМС). Микросистема, в структуру которой встроены оптичес-
кие элементы. МОЭМС – уникальная технология, основ-
ными особенностями которой являются групповой про-
цесс изготовления микросистем, возможность обеспече-
ния точного и управляемого перемещения оптических
элементов в микросистеме. Перемещение микрооптичес-
ких элементов позволяет осуществлять динамическое
управление лучом света. Это динамическое манипулиро-
вание светом может включать модуляцию, временную
задержку, дифракцию, полное отражение или просто
пространственную переориентацию. Любые две или три
из этих операций можно комбинировать для выполнения
сложных операций со световым лучом. Способности вы-
полнять эти операции, используя миниатюрные оптичес-
кие элементы, одно из ключевых свойств, которое отли-
чает МОЭМС от классической оптики. Элементы МО-
ЭМС: линзы, микрозеркала, штативы, дифракционные
решетки, световоды, модуляторы и др. Oбласти примене-
ния МОЭМС: новые типы дисплеев, основанные на фи-
зическом движении отражающих микроповерхностей,
активные корректоры, фильтры ввода/вывода волнового
мультиплексирования и др.
– mikrooptoelektromexaniki sistemlər (MOEMS). Tərkibinə
optik elementlər daxil edilmiş mikrosistem. MOEMS-in ha-
zırlanması unikal texnoloji prosesdir. Bu texnologiyanın əsas
xüsusiyyətləri mikrosistemin qrup şəklində hazırlanması,
optik elementlərin sistemdə dəqiq və idarəolunan yerdəyişmə
imkanlarıdır. Mikrooptik elementlərin yerdəyişmələri işıq
şüalarının dinamik idarəolunmasına imkan yaradır. Işıq şüa-
larının dinamik idarəolunması dedikdə, modulyasiya, zamana
görə gecikdirilmə, difraksiya, tam əks olunma və s. nəzərdə
tutulur. Işıq şüaları ilə hər hansı mürəkkəb manipulyasiyanı
aparmaq üçün göstətilən əməliyyatların ikisi və ya üçünün
41
kombinasiyasından istifadə edilə bilər. Miniatür optik ele-
mentlərdən istifadə etməklə belə əməliyyatları aparmaq im-
kanı MOEMS-i klasik optikadan fərqləndirən əsas cəhətlər-
dəndir. MOEMS-in elementləri׃ linza, mikrogüzgülər, şta-
tivlər, difraksiya qəfəsləri, işıqötürənlər, modulyatorlar və s.
Əsas tətbiq sahələri: iş prinsipi əksetdirici mikrosəthlərin
hərəkətinə əsaslanan yeni tipli displeylər, aktiv korrektorlar
və s.
Microprocessor
– микропроцессор (МП). Информационное устройство, вы-
полненное с использованием технологии БИС и обладаю-
щее способностью выполнять арифметические и логичес-
кие операции по определенной программе, задаваемой
управляющими сигналами; обработку информации; при-
нятие решений.
Ядро МП составляют арифметико–логическое устройс-
тво (АЛУ), счетчик команд, регистры и системы управ-
ления. МП производятся исключительно в виде мик-
росхем.
МП характеризуются следующими свойствами:
1. Длина слова. Указывает, сколько бит могут обрабаты-
ваться параллельно. Существуют 4–; 8–; 16– и 32– би-
товые микропроцессоры.
2. Скорость вычислений. Определяется так называемой
длительностью цикла обработки. Длительность цикла
обработки –это время, которое требуется для парал-
лельного сложения двух двоичных чисел и для вво-
да/вывода этих чисел в память. Обычно цикл длится от
0,1 мкс до 10 мкс.
3. Технология (семейство схем). МП выполняются в ос-
новном МОП–технологией. В этой технологии воз-
можна максимальная степень интеграции. Существует
также небольшой ряд биполярных микропроцессоров,
которые принадлежат к семейству ТТЛШ.
42
4. Система команд. Количество команд характеризует
производительность МП. Также важен состав этих ко-
манд. Удачно подобранные команды дают в итоге
большую производительность.
– mikroprosessor (MP). MP BİS (böyük inteqral sxem)
texnologiyası ilə hazırlanmış məlumat qurğusudur. O idarə-
edici siqnalla verilən müəyyən proqram üzrə hesab və məntiq
əməliyyatlarını yerinə yetirə bilir; məlumatı emal edə bilir;
qərar qəbul edə bilir.
MP–in əsasını (nüvəsini) hesab–məntiq qurğusu, koman-
dalar sayğacı, registrlər və idarə sistemləri təşkil edir. MP
ancaq İMS şəklində hazırlanır.
MP aşağıdakı xassələrlə xarakterizə olunur:
1. Sözün uzunluğu, paralel olaraq neçə bitin emal oluna bildi-
yini göstərir. 4–; 8–; 16–: və 32–bitlik MP mövcuddur
2. Hesablama sürəti. Emal tsiklinin davametmə müddəti ilə
təyin edilir. Emal tsiklinin davametmə müddəti – iki ikilik
ədədin paralel olaraq toplanması, həmin ədədlərin yaddaşa
daxil edilməsi və ya yaddaşdan çıxarılması üçün lazım
olan müddətdir. Adətən tsikl 0,1mks-dən 10 mks-ə qədər
davam edir.
3. Texnologiya (sxemlər ailəsi). MP əsasən MDY–texnolo-
giyası ilə qurulur. Bu texnologiya ilə maksimal inteqrasiya
dərəcəsinə nail olmaq mümkündür. Həmçinin Şotki diodu
olan tranzistor–tranzistor məntiqi –TTMŞ növünə aid
bipolyar MP-lar da mövcuddur.
4. Komandalar sistemi. Komandaların sayı MP-nin məhsul-
darlığını təyin edir. Həmçinin komandaların tərkibi də
əhəmiyyətlidir. Komandaların düzgün seçilməsi məhsul-
darlığın yüksək olamasına gətirir.
Microrelay
– микрореле. Микроустройство для автоматической ком-
мутации электрических цепей по сигналу извне. Разли-
чают тепловые, механические, электрические, оптичес-
43
кие, акустические микрореле. Используются в микросис-
темах автоматического управления, контроля, сигнализа-
ции, защиты, коммутации и т.д.
– mikrorele. Xaricdən verilən siqnalla elektrik dövrələrinin
avtomatik kommutasiyasını həyata keçirmək üçün mikro-
qurğu. Istilik, mexaniki, elektrik, optik, akustik mikrorelelər
var. Avtomatik idarəetmə, nəzarət, siqnalizasiya, mühafizə,
kommutasiya və s. bu kimi mikrosistemlərdə istifadə olunur.
Microwave electronics (super high frequency electronics)
– СВЧ электроника. Область электроники, охватывающая
проблемы создания и применения электронных при-
боров, предназначенных для работы в диапазоне СВЧ
(условно от 300 МГц до 3000 ГГц). Доминирующее поло-
жение в СВЧ электронике занимают приборы вакуумной
и твердотельной (в основном полупроводниковой) элек-
троники, обеспечивающие все основные функции генери-
рования, усиления и преобразования СВЧ колебаний.
Существует также класс газоразрядных СВЧ приборов,
используемых в основном для коммутации и управления
СВЧ колебаниями. Приборы квантовой электроники
применяются в СВЧ диапазоне в качестве высокоста-
бильных стандартов частоты и сверхмалошумящих уси-
лителей слабых сигналов. Решающую роль в создании и
совершенствовании приборов СВЧ электроники играют
новейшая вакуумная и ПП технология, использование
сверхчистых материалов, разработка и применение пре-
цизионной фотолитографии, электронолитографии и др.
Реализация значительной плотности тока, необходимой
для работы СВЧ приборов, стала возможной благодаря
усовершенствованию катодов, разработки новых типов
эмиттеров. Особенно широкие перспективы существуют
в области монолитных СВЧ ИС, выполняемых на основе
арсенида галлия.
44
Область применения приборов СВЧ электроники не-
прерывно расширяется. Наряду с радиолокацией, радио-
навигацией и радиорелейной связью эти приборы все
шире используются в телевидении, космической связи,
радиотелеметрии. Тепловые и нетепловые эффекты, соз-
даваемые СВЧ излучением, находят широкое применение
в обработке разнообразных веществ и продуктов, в меди-
цинской диагностике и терапии. Проводятся фундамен-
тальные исследования по применению СВЧ электроники
в биологии и энергетике, в том числе по передаче энер-
гии и решению термоядерного синтеза.
– İYT elektronika. Elektronikanın İYT diapazonda (şərti olaraq
300 MHs-dən 3000 QHs-ə qədər) işləmək üçün nəzərdə tutul-
muş elektron cihazlarının yaradılması və tətbiqi ilə məşğul
olan bir bölməsidir. İYT elektronikada vakuum və bərk cisim
(əsasən YK) elektronikasının cihazlarına üstünlük verilir. Bu
cihazlar İYT rəqslərin generasiyası, gücləndirilməsi və çevril-
məsi ilə bağlı bütün əsas funksiyaları yerinə yetirir. Bundan
başqa, İYT rəqslərin kommutasiyası və idarəedilməsi üçün
istifadə edilən İYT qazboşalma cihazları da mövcuddur.
Kvant elektronikasının cihazları İYT diapazonda yüksək sta-
billiyə malik tezlik standartları və zəif siqnalların ifrat kiçik
küy yaradan gücləndiriciləri kimi istifadə edilir. İYT elek-
tronika cihazlarının yaradılmasında və təkmilləşdirilməsində
müasir vakuum və YK texnologiyalardan və çox yüksək
təmizliyə malik materiallardan istifadə olunması, dəqiq fotoli-
toqrafiya və elektrolitoqrafiya üsullarının işlənməsi və tətbiq
edilməsi və s. həlledici rol oynayır. İYT cihazların işləməsi
üçün zəruri olan böyük sıxlıqlı cərəyanların alınması, katod-
ların təkmilləşdirilməsi və yeni növ emitterlərin hazırlanması
hesabına mümkün olmuşdur. GaAs əsasında monolit İYT İS
xüsusilə böyük perspektivlərə malikdir.
İYT elektronika cihazlarının tətbiq sahələri fasiləsiz olaraq
genişlənir. Radiolokasiya, radionaviqasiya və radiorelerabitə
ilə yanaşı bu cihazlar televiziyada, kosmik rabitədə, radiotele-
45
metriyada da geniş istifadə olunur. İYT şüalanmanın yarat-
dığı istilik və qeyri–istilik effektləri müxtəlif maddələrin və
məhsulların emalında, tibbi diaqnostikada və terapiyada geniş
tətbiq sahələri tapmaqdadır. İYT elektronikanın biologiyada
və energetikada, o cümlədən enerjinin ötürülməsi və istilik–
nüvə sintezində tətbiqi sahəsində də fundamental tədqiqatlar
aparılır.
Microwave integrated circuit (super high frequency integrated
circuit)
– сверхвысокочастотная ИС (СВЧ ИС). Класс ИС, вы-
полняющих функции генерирования, усиления и преоб-
разования электромагнитных колебаний в диапазоне
СВЧ. СВЧ ИС являются разновидностью аналоговых ИС.
В ряде случаев они выполняют специфические функции,
характерные для элементов приемно–передающей СВЧ
аппаратуры, в том числе такие виды преобразования СВЧ
сигналов, как детектирование, модуляция, изменение фа-
зы, преобразование частоты, деление и суммирование
мощности. Степень интеграции СВЧ ИС невелика – не
свыше нескольких десятков элементов на подложку.
Активными элементами СВЧ ИС служат: в нижней
части СВЧ диапазона – кремниевые и германиевые бипо-
лярные и полевые транзисторы; на частоте свыше 6 ГГц –
преимущественно полевые транзисторы с барьером
Шоттки на основе GaAs. В СВЧ ГИС, применяемых в ге-
нераторах и мощных усилителях, часто используют ла-
винно–пролетные диоды. Для монолитных СВЧ ИС с ра-
бочей частотой до 6 ГГц перспективны структуры типа
«кремний на сапфире». Из других активных элементов
СВЧ ИС применяются также p–i–n-диоды, диоды Шоттки
и др.
– ifratyüksəktezlikli İS (İYT İS). İYT diapazonunda elek-
tromaqnit rəqslərinin generasiyası, gücləndirilməsi və çevril-
məsini həyata keçirən İS. İYT İS analoq İS-in bir növüdür.
46
Bir çox hallarda onlar qəbuledici–ötürücü İYT aparatların
elementləri üçün xarakterik olan funksiyaları, o cümlədən
İYT siqnalların detektə olunması, modulyasiyası, fazasının və
ya tezliyinin dəyişdirilməsi, gücünün bölünməsi və ya
toplanması kimi spesifik funksiyaları yerinə yetirirlər. İYT
İS-in inteqrasiya dərəcəsi yüksək deyil – bir altlıq üzərində
cəmi onlarla element yerləşir.
İYT İS-in aktiv elementi olaraq aşağı tezlik diapazonunda
silisium və germanium bipolyar va sahə tranzistorları, 6 QHs-
dən yüksək tezliklərdə GaAs əsasında Şottki çəpərli sahə
tranzistorları istifadə olunur. İşçi tezlikləri 6 QHs-ə qədər
olan monolit İYT İS-lər üçün ―sapfir üzərində silisium‖
quruluşları perspektivlidir. Bundan başqa, İYT İS-in aktiv
elementi kimi p–i–n diodlar, Şottki diodları və s. istifadə
olunur.
Microwave oscillator
– СВЧ генератор. Устройство вырабатывающий электро-
магнитное излучение СВЧ–диапазона (СВЧ–энергию).
СВЧ генераторы состоят из двух блоков. Первый блок –
источник высокого напряжения, состоит из повышающе-
го трансформатора и выпрямителя. Источник, в зависи-
мости от мощности и конструкции магнетрона, выраба-
тывает постоянный ток с напряжением (4000÷20000) В.
Сила анодного тока составляет (3÷7) А. Второй блок –
это магнетронная головка, который состоит из волновод-
но–коаксиального перехода, соленоида, накального
трансформатора и магнетрона. СВЧ генератор потребляет
трехфазную электроэнергию с напряжением 380 Bольт.
СВЧ генератор охлаждается водой с температурой не бо-
лее 35 градусов. В качестве охлаждающих систем при-
меняются автономные модульные агрегаты и др. про-
мышленные установки.
– İYT generator. İYT–diapazonda elektromaqnit şüaları (İYT–
enerji) generasiya edən qurğu. İYT generator iki blokdan
47
ibarətdir. Birinci blok yüksək gərginlik mənbəyidir, yüksəl-
dici transformatordan və düzləndiricidən ibarətdir. Maqnetro-
nun gücündən və konstruksiyasından asılı olaraq mənbə gər-
ginliyi (4000÷20000) V olan sabit cərəyan verir. Сərəyan şid-
dəti (3÷7) A qiymət alır. İkinci blok maqnetron başlıqdır. O
dalğaötürən–koaksial keçiddən (dalğaötürən ilə koaksial
kabelin birləşdiricisindən), solenoiddən, közərdici transfor-
matordan və maqnetrondan ibarətdir. İYT generator gərgin-
liyi 380 V olan üçfazalı gərginliklə qidalanır. İYT generator
temperaturu 350C–dən yüksək olmayan su ilə soyudulur.
Soyuducu sistem olaraq modul tipli avtonom aqreqatlar və s.
sənaye qurğuları istifadə edilir.
Microwave receiver
– радиоприемники СВЧ (РП СВЧ). Радиоприѐмные ус-
тройства, предназначенные для работы в диапазоне ра-
диоволн от 300 МГц до 3000 ГГц (в диапазоне СВЧ). РП
СВЧ подразделяются по рабочему диапазону – на РП
СВЧ дециметровых, сантиметровых и миллиметровых
волн, а также по схеме построения на РП СВЧ прямого
усиления, супергетеродинные и детекторные. Радио-
приѐмники могут быть охлаждаемыми и неохлаждаемы-
ми. В большинстве случаев РП СВЧ строят по супергете-
родинной схеме, так как обычно эта схема обеспечивает
наивысшую чувствительность и практически легче реа-
лизуется, чем схема прямого усиления. Детекторные РП
СВЧ получили применение главным образом в диапазоне
дециметровых волн и построены на основе криогенно ох-
лаждаемых болометров и полупроводниковых объѐмных
детекторов. В сантиметровом и миллиметровом диапазо-
нах (до частоты f = 230 ГГц) в большинстве случаев ис-
пользуются неохлаждаемые радиоприемники. Более ко-
ротковолновые РП СВЧ, причѐм часто охлаждаемые,
применяют только в научных исследованиях.
48
– İYT radioqəbuledicilər (İYT RQ). 300 MHs-dən 3000 QHs-ə
qədər radiodalğalar diapazonunda (İYT diapazonda) işləmək
üçün nəzərdə tutulmuş radioqəbuledici qurğular. Işçi diapa-
zonlarına görə İYT RQ desimetrlik, santimetrlik və millimetr-
lik, qurulma sxeminə görə birbaşa gücləndirici, superhetero-
din və detektəedici kimi qruplara bölünür. İYT RQ-lər soyu-
dulan və soyudulmayan ola bilər. Bir çox hallarda İYT RQ-
lər superheterodin sxem üzrə yığılır, çünki bu sxem ən yük-
sək həssaslığı təmin edir və birbaşa gücləndirici sxeminə
nisbətən daha asanlıqla hazırlanır. Detektəedici İYT RQ-lər
əsasən desimetrlik dalğalar diapazonunda istifadə olunur.
Onlar kriogen soyudulan bolometrlər və yarımkeçirici həcmi
detektəedicilər əsasında qurulur. Santimetrlik və millimetrlik
diapazonlarda (f=230 QHs tezliyə qədər) əksər hallarda
soyudulmayan RQ-lər istifadə edilir. Daha qısadalğalı,
soyudulan RQ-lər yalnız elmi tədqiqatlarda istifadə olunur.
Microwave rectifier (super high frequency rectifier)
– СВЧ выпрямитель. Преобразователь СВЧ тока в пос-
тоянный ток или ток промышленной частоты. СВЧ вы-
прямители необходимы в связи с разработкой систем бес-
проводной передачи энергии через свободное прос-
транство (например, солнечных космических энергосис-
тем, наземных энергосистем, расположенных в трудно-
доступной местности). По принципу действия СВЧ вы-
прямители делятся на полупроводниковые и электро-
вакуумные. Электровакуумные СВЧ выпрямители более
эффективны для преобразования больших мощностей.
– İYT düzləndirici. İYT cərəyanı sabit cərəyana və yaxud sə-
naye tezlikli cərəyana çevirən qurğu. İYT düzləndiricilərə
enerjinin sərbəst fəza vasitəsilə naqilsiz ötürülməsi sistemlə-
rinin işlənməsi ilə əlaqədar ehtiyac var. Belə sistemlərə misal
olaraq günəş kosmik enerji sistemlərini, çətin keçilən yerlərdə
yeləşmiş yerüstü enerji sistemlərini göstərmək olar. Iş
prinsipinə görə İYT düzləndiricilər yarımkeçirici və elektro-
49
vakuum kimi iki qrupa ayrılır. Elektrovakuum İYT düzlən-
diriciləri böyük gücləri çevirmək üçün daha effektlidir.
Microwave restraint (super high frequency restraint)
– СВЧ ограничитель. Устройство, не допускающее на
свой выход СВЧ сигнала, мощность которого превышает
заданное значение, но пропускающее более слабые СВЧ
сигналы. Основное назначение СВЧ ограничителей – за-
щита входных цепей приемных устройств радиолока-
ционной системы от перегрузок.
– İYT məhdudlaşdırıcı. Gücü verilmiş qiymətdən böyük olan
İYT siqnaları çıxışa buraxmayan, aşağı güclü İYT siqnalları
isə buraxan qurğu. İYT məhdudlaşdırıcının əsas vəzifəsi ra-
diolokasiya sistemlərinin qəbuledici qurğularını artıq yüklən-
mələrdən qorumaqdır.
Microwaves (super high frequency SHF)
– сверхвысокие частоты (СВЧ). Область радиочастот от
300 МГц до 3000 ГГц, охватывающая дециметровые, сан-
тиметровые и миллиметровые волны.
– ifrat yüksək tezliklər (İYT). 300 MHs-dən 3000 QHs-ə qədər
olan radiotezliklər diapazonu. İYT desimetrlik, santimetrlik
və millimetrlik dalğaları əhatə edir.
Microwave spectroscopy (radio-frequency spectroscopy, EPR
spectroscopy)
– радиоспектроскопия. Область науки, исследующая спек-
тры поглощения различных веществ в диапазоне радио-
волн (на частотах от 103 до 6·10
11 Гц). В более широком
смысле к радиоспектроскопии относят также исс-
ледования резонансной дисперсии, релаксации, нелиней-
ных явлений, индуцированного испускания и других яв-
лений резонансного взаимодействия электромагнитных и
акустических волн указанного диапазона с квантовыми
системами.
50
– radiospektroskopiya. Radiodalğalar diapazonunda (103÷6·10
11
Hs tezliklərdə) müxtəlif maddələrin udulma spektrlərini
öyrənən elm sahəsi. Bundan başqa, göstərilən diapazona daxil
olan elektromaqnit və akustik dalğaların kvant sistemləri ilə
rezonanas qarşılıqlı təsiri zamanı baş verən bir sıra hadisələ-
rin, rezonans dispersiyasının, relaksasiyanın, qeyri–xətti
hadisələrin, induksiyalanmış şüalanmanın və s. öyrənilməsi
də radiospektroskopiyaya aid edilir.
Microwave switchboard (super high frequency switchboard)
– СВЧ коммутатор. Устройство, предназначенное для
включения, отключения и переключения элементов и уз-
лов СВЧ тракта (путь от записи и воспроизведения сиг-
нала) радиоэлектронных систем, а также для дискретного
изменения мощности, частоты и фазы СВЧ сигналов. В
качестве коммутирующих элементов СВЧ коммутаторов
используются в основном ПП и газоразрядные СВЧ при-
боры: p–i–n-диоды и СВЧ разрядники, а также феррито-
вые переключатели. Различают управляемые и само-
управляемые СВЧ коммутаторы.
– İYT kommutator. Radioelektron sistemlərin İYT traktlarının
(siqnalın yazılmasından oxunmasına qədər keçilən yol)
element və qovşaqlarını qoşmaq, ayırmaq və aşırmaq üçün,
həmçinin İYT siqnalların gücünü, tezliyini və fazasını diskret
olaraq dəyişmək üçün nəzərdə tutulmuş qurğu. İYT kommu-
tatorların kommutasiyaedici elementi olaraq əsasən YK və
qazboşalma İYT cihazlar: p–i–n diodlar və İYT boşaldıcılar,
həmçinin ferrit aşırıcılar istifadə edilir. Idarəolunan və özü-
özünə idarəolunan İYT kommutatorlar var.
Mimic panel ( symbolic circuit, track plan)
– мнемосхема. Устройство отображения информации, фор-
мирующее с помощью индикаторов условное изображе-
ние управляемого объекта в символьной форме. Мнемо-
схема наглядно показывает состояние объекта или ход
51
производственного процесса. Применяется в тех случаях,
когда управляемый объект имеет сложную структуру,
производственный процесс контролируется по большему
числу параметров, а также тогда, когда быстро меняю-
щееся состояние объекта требует оперативного управле-
ния.
– mnemosxem. Məlumatı əks etdirən qurğudur, idarəolunan
obyektin şərti təsvirini indikatorların köməyilə simvollar şək-
lində formalaşdırır. Mnemosxem obyektin vəziyyətini və ya-
xud istehsal prosesinin gedişini əyani olaraq göstərir. İda-
rəolunan obyekt mürəkkəb quruluşa malik olduqda, istehsal
prosesinin çoxlu sayda parametrlərinə nəzarət etmək lazım
gəldikdə, həmçinin obyektin sürətlə dəyişən vəziyyəti ope-
rativ idarəetmə tələb etdiyi hallarda tətbiq edilir.
Miniaturization
– миниатюризация. Проектирование и конструирование
приборов, механизмов, машин и др. устройств со значи-
тельно меньшими по сравнению с существующими
образцами размерами и массой. Необходимость ми-
ниатюризации в электронике обусловлена непрерывным
усложнением РЭА и увеличением числа содержащихся в
ней элементов в связи с постоянным расширением функ-
ций и сферы их применения.
В микроэлектронике проблема миниатюризации ре-
шается путем создания интегральных схем (ИС). Основ-
ным показателем, отражающим степень миниатюризации
электронных устройств, является плотность размещения
(упаковки) ее элементов в объеме или площади. Для ИС,
например, таким показателем служит степень интеграции
(см.также: Degree of integration).
– miniatürləşdirmə. Mövcud olan nümunələrə nisbətən xeyli
kiçik ölçülərə və kütləyə malik cihaz, mexanizm, maşın və
digər qurğuların layihələndirilməsi və konstruksiya edilməsi.
REA-nın getdikcə daha da mürəkkəbləşməsi, yerinə yetir-
52
dikləri funksiyalar və tətbiq sahələrinin genişlənməsi ilə
əlaqədar onların tərkibindəki elementlərin sayının artması
elektronikada miniarürləşdirməni zəruri etmişdir.
Mikroelektronikada miniatürləşdirmə problemi inteqral
sxemlər yaratmaqla həll olunur. Elektron qurğularının minia-
türləşdirilməsinin göstəricisi onların elementlərinin yerləşmə
sıxlığıdır. İS-lər üçün belə göstərici inteqrasiya dərəcəsidir
(bax həmçinin: Degree of integration).
Minimization of logical function
– минимизация логической функции. Минимизация ло-
гических функций необходима для упрощения сложных
выражений этих самих функций. Существуют несколько
способов минимизации логических функций. Это анали-
тический символьный и аналитический кодовый методы,
метод Квайна–Мак–Класки, метод Блека–Порецкого, ме-
тод обобщенных кодов, графическая минимизация с по-
мощью карт Карно и др. Примером для демонстрации
аналитических методов может служить следующее:
yxyyxxxyxyyxxyyxxyyxyx )()()()(
Наиболее эффективна минимизация булевых функций с
помощью карт Карно. Карты Карно могут применяться
при числе переменных не более шести. В тех случаях, ко-
гда число аргументов больше шести, обычно используют метод Квайна-Мак-Класки.
– məntiq funksiyasının minimallaşdırılması. Məntiq funksiya-
larının ifadələri mürəkkəb olduqda onları sadələşdirmək üçün
minimallaşdırmaq zəruridir. Məntiq funksiyalarını minimal-
laşdırmaq üçün müxtəlif üsullar var. Bunlar simvollar və ana-
litik kod üsulları, Kvayn–Mak –Klaski üsulu, Blek–Poreçski
üsulu, ümumiləşdirilmiş kodlar üsulu, Karno kartları vasitə-
silə qrafiki minimallaşdırma və s. göstərmək olar. Aşağıda
göstərilənlər analitik üsullara əyani misal ola bilər:
53
yxyyxxxyxyyxxyyxxyyxyx )()()()(
Karno kartları vasitəsilə qrafiki minimallaşdırma ən effektiv
üsuldur. Karno kartları dəyişənlərin sayı altıdan çox
olmadıqda tətbiq edilə bilər. Arqumentlərin sayı altıdan çox
olduqda adətən Kvayn–Mak –Klaski üsulu tətbiq edilir.
MIS-structure
– МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) структура.
МДП-структура представляет собой упорядоченную со-
вокупность тонких слоев металла и диэлектрика, нане-
сенных на полупроводниковую пластину, называемой
подложкой. Металлический электрод, нанесенный на ди-
электрик, носит название затвора, а сам диэлектрик назы-
вается подзатворным.
На обратную непланарную сторону полупроводнико-
вой пластины наносится металлический электрод, назы-
вающийся омическим контактом (рисунок). В качестве
диэлектрика обычно используют диоксид кремния SiO2
(см. MOS-structure) или нитрид кремния Si3N4 и др. ди-
электрики в сочетании с SiO2, например, двухслойный
диэлектрик (SiO2 – Si3N4) – МНОП-структура. МДП
структура применяется для создания МДП-транзисторов,
МДП-конденсаторов, приборов с зарядовой связью,
МДП-фотоэлектронных умножителей и т.д.
– MDY (metal–dielektrik–yarımkeçirici) quruluş. MDY quru-
luş altlıq adlandırılan yarımkeçirici lövhənin üzərinə çəkilmiş
nazik metal və dielektrik təbəqələrdən ibarət nizamli
3
2
4
1 МДП-структура. 1–затвор;
2–подзатворный диэлектрик;
3–ПП подложка; 4–омический
контакт.
MDY quruluş. 1–rəzə; 2–rəzəaltı
dielektrik;
3–YK altlıq; 4–omik kontakt
54
quruluşdur. Dielektrikin üzərinə çəkilmiş metal elektrod rəzə
(sürgü, idarəedici elektrod), dielektrikin özü isə rəzəaltı ad-
landırılır. Yarımkeçirici lövhənin əks tərəfinə omik kontakt
rolunu oynayan metal elektrod çəkilir (şəkil). Dielektrik
olaraq adətən SiO2 (bax: MOS-structure), silisium nitrid
(Si3N4), eləcə də, SiO2 ilə birlikdə başqa dielektrik, məsələn,
(SiO2–Si3N4) ikilaylı dielektrik istifadə edilir. Bu halda
MNOY–quruluş alınır. MDY quruluşlar MDY–tranzistorlar,
MDY–kondensatorlar, yük əlaqəli cihazlar, MDY–
fotoelektron vurucuları və s. yaratmaq üçün istifadə edilir.
MIS-transistor
– МДП (металл–диэлектрик–полупроводник) –транзис-
тор. Униполярный транзистор с изолированным затво-
ром, в котором в качестве изоляционного слоя между ме-
таллическим затвором и полупроводниковым проводя-
щим каналом используется слой диэлектрика. (см.также:
MIS-structure и Insulated-gate field-effect transistor).
– MDY (metal–dielektrik–yarımkeçirici) tranzistor. Rəzəsi
təcrid olunmuş unipolyar tranzistor. MDY tranzistorda metal
rəzə ilə yarımkeçirici kanal arasında təcridedici kimi dielek-
trik təbəqə istifadə edilir. (bax həmçinin: MIS-structure və
Insulated-gate field-effect transistor)
Mixer
– смеситель. Преобразователь частоты, использующий
вспомогательный генератор гармонических колебаний
(гетеродин). Смеситель выполняет перемножение преоб-
разуемого (с частотой fс) и гетеродинного (с частотой fr)
сигналов. Преобразование осуществляется с помощью
нелинейного элемента, например, кристаллического де-
тектора (в диапазоне СВЧ), транзистора, дифференциаль-
ного усилителя, струкруры типа сверхпроводник – изоля-
тор – сверхпроводник и др. Смесители используется в
супергетеродинных приѐмниках (см. Superheterodyne) для
55
преобразования частоты принимаемого сигнала в проме-
жуточную частоту. Смесители подразделяются на два ос-
новных типа׃
1. Аддитивные, в котором суммируется напряжения сиг-
нала и гетеродина и затем детектируется каким-либо
нелинейным элементом.
2. Мультипликативные, в которых напряжения гетероди-
на и сигнала перемножаются.
В обоих случаях смесители могут быть активными (уси-
ливает сигнал) и пассивными.
– qarışdırıcı. Köməkçi harmonik rəqslər generatorundan (hete-
rodin) istifadə edən tezlik çeviricisi. Qarışdırıcı fс tezlikli
çevrilən siqnal ilə fr tezlikli heterodin siqnalı bir–birinə vurur.
Çevrilmə qeyri–xətti elementin, məsələn, kristallik detektorun
(İYT diapazonda), tranzistorun, diferensial gücləndiricinin,
ifratkeçirici–izolyator–ifratkeçirici növ quruluşların və s.
köməyilə aparılır. Qarışdırıcılar superheterodin qəbuledici-
lərdə (bax: Superheterodyne) qəbul edilən siqnalın tezliyini
aralıq tezliyə çevirmək üçün istifadə olunur. Qarışdırıcılar iki
əsas tipə bölünür׃
1. Additiv qarışdırıcılarda siqnalın və heterodinin gərginlik-
ləri toplanır və sonra hər hansı qeyri-xətti element vasi-
təsilə detektə olunur.
2. Multiplikativ qarışdırıcılarda siqnalın və heterodinin gər-
ginlikləri vurulur.
Hər iki halda qarışdırıcılar aktiv (siqnalı gücləndirir) və pas-
siv ola bilər.
Mobility
– подвижность (носителей заряда). Подвижность НЗ –
это отношение скорости направленного движения НЗ в
веществе под действием электрического поля к нап-
ряженности этого поля, т.е. коэффициент пропорцио-
нальности между дрейфовой скоростью носителей и при-
ложенным внешним электрическим полем. Определяет
56
способность электронов и дырок в металлах и ПП реаги-
ровать на внешнее воздействие. Размерность подвиж-
ности м2/(В·с) или см
2/(В·с).
– yürüklük. Yürüklük elektrik sahəsinin təsirilə yükdaşıyıcıla-
rın (YD) istiqamətlənmiş hərəkət sürətinin həmin sahənin
intensivliyinə nisdətidir, başqa sözlə, YD–nin dreyf sürəti ilə
xarici elektrik sahəsinin intensivliyi arasında mütənasiblik
əmsalıdır. Metal və YK–də elektron və deşiklərin xarici təsir-
lərə reaksiya vermək qabiliyyətini təyin edir. Yürüklük
m2/(Vsan) və ya (sm
2/Vsan) vahidlərlə ölçülür.
Mode of operation of bipolar transistor (operating regime of
bipolar transistor)
– режимы работы биполярного транзистора. В зависи-
мости от направления смещения p–n переходов разли-
чают три основных режима работы биполярного транзи-
стора: активный режим, режим отсечки и режим насы-
щения. Если один из p–n переходов смещен в прямом на-
правлении, а другой – в обратном направлении, то такой
режим называется активным. Если при этом на эмиттер-
ном переходе напряжение прямое, а на коллекторном –
обратное, то включение транзистора считают нормаль-
ным, при противоположной полярности напряжений –
инверсным. В режиме отсечки оба p–n перехода смещены
в обратном направлении. В этом режиме через транзи-
стор проходят сравнительно небольшие токи. В режиме
насыщения оба p–n перехода смещены в прямом направ-
лении. В этом режиме через транзистор проходят относи-
тельно большие токи. В режимах отсечки и насыщения
управление транзистором почти отсутствует. В активном
режиме такое управление осуществляется наиболее эф-
фективно, причем транзистор может выполнять функции
активного элемента электрической схемы (усиление, ге-
нерирование, переключение и т.д.)
57
– bipolyar tranzistorun iş rejimləri. p–n keçidlərə verilən gər-
ginliklərin qütbündən asılı olaraq bipolyar tranzistorların üç
əsas iş rejimi var: aktiv rejim, ayırma (kəsmə) rejimi və
doyma rejimi. p–n keçidlərdən birinə\ düz, digərinə əks
gərginlik tətbiq edilərsə, belə rejim aktiv rejim adlanır. Bu
zaman emitter keçidinə düz, kollektor keçidinə əks gərginlik
verilibsə, qoşulma normal aktiv, əks halda isə invers aktiv
adlanır. Kəsmə rejimində hər iki keçid əks istiqamətdə
qoşulur. Bu rejimdə tranzistordan çox kiçik cərəyan keçir.
Doyma rejimində hər iki keçid düz istiqamətdə qoşulur. Bu
rejimdə tranzistordan nisbətən böyük cərəyanlar axır. Ayırma
və doyma rejimlərində tranzistor demək olar ki idarə
olunmur. Aktiv rejimdə tranzistor ən effektiv şəkildə idarə
olunur, həm də bu rejimdə tranzistor elektrik sxeminin aktiv
elementi funksiyalarını (gücləndirmə, generasiya etmə,
aışrma və s.) yerinə yetirə bilir.
Modulation
– модуляция. Передача сообщений от источника информа-
ции на значительные расстояния является очень важной
задачей. Спектры сообщений обычно лежат в области
низких частот от нуля до видеочастот. Но вследствие
сильного затухания электромагнитной волны они не мо-
гут быть переданы по радиоканалам (в диапазоне частот
10÷104 Гц). Поэтому возникает необходимость перевода
полезного сигнала в область более высоких частот. Это
связано с тем, что энергия сигнала пропорциональна
четвертой степени его частоты, то есть сигналы с
большей частотой обладают большей энергией. Перевода
полезного сигнала в область более высоких частот в уст-
ройствах передачи информации выполняется с помощью
модуляции. Модуляция представляет собой процесс
«накладывания» информационного колебания на
несущую. При этом измененяют один или несколько
параметров высокочастотного несущего колебания в со-
58
ответствии с передаваемым сообщением. Передаваемая
информация заложена в управляющем (модулирующем)
сигнале, а роль переносчика информации выполняет
высокочастотное колебание, называемое несущим.
Чаще всего в качестве несущего сигнала используется
гармонические колебания с частотами от 300 KГц до 3
ГГц. Воздействуя на один из их параметров, получают
амплитудную (АМ), частотную (ЧМ) или фазовую (ФМ)
модуляции сигнала. Кроме этого существует большое
разнообразие возможных видов модуляции: амплитудно-
импульсная (АИМ), частотно-импульсная (ЧИМ), широт-
но-импульсная (ШИМ), кодо-импульсная (КИМ) и др.
– modulyasiya. Hər hansı xəbərin məlumat mənbəyindən bö-
yük məsafələrə ötürülməsi çox mühüm məsələdir. Adətən
belə xəbərlərin spektri sıfırdan radiotezliklərə qədər, yəni
aşağı tezliklər diapazonunda yerləşir. Lakin elektromaqnit
dalğalarının sürətlə sönməsi nəticəsində onlar radiokanallar
vasitəsilə (10÷104 Hs) ötürülə bilmir. Odur ki, faqdalı siqnalı
daha yüksək tezliklər sahəsinə keçirmək zərurəti yaranır. Bu
da onunla bağlıdır ki, siqnalın enerjisi onun tezliyinin
dördüncü dərəcəsi ilə mütənasibdir: yəni böyük tezlikli
siqnallar böyük enerjiyə malikdirlər. Məlumatı ötürən qurğu-
larda faqdalı siqnalı daha yüksək tezliklər sahəsinə keçiril-
məsi modulyasiya vasitəsilə yerinə yetirilir. Modulyasiya –
məlumat və daşıyıcı (aparıcı) siqnalların üst–üstə qoyul-
masıdır. Bu zaman yüksək tezlikli daşıyıcı rəqslərin bir və ya
bir neçə parametri ötürülən xəbərə uyğun olaraq dəyişdirilir.
Ötürülən xəbər idarəedici (modulyasiya edən) siqnalda olur,
yüksəktezlikli siqnal isə sadəcə daşıyıcı rolunu oynayır.
Çox vaxt daşıyıcı olaraq tezlikləri 300 KHs-dən 3 QHs-ə
qədər olan harmonik rəqslər stifadə olunur. Onların parametr-
lərindən birinə təsir göstərməklə amplitud (AM), tezlik (TM)
və ya faza (FM) modulyasiyası alınır. Bundan başqa modul-
yasiyanın çoxlu sayda müxtəlif növləri var: amplitud–impuls
(AİM) və tezlik–impuls (TİM) modulyasiyaları, impulsun
59
eninə modulyasiyasl (İEM), kod–impuls modulyasiyası
(KİM) və s.
Modulation signal
– модулирующий сигнал (информационный сигнал). Сиг-
нал, по закону которого изменяется один или не-сколько
параметров несущего сигнала. Модулирующий сигнал
"накладывается" на несущий сигнал, т.е. происходит мо-
дуляция колебаний. (см.также: Modulation)
– modulyasiya edən siqnal (məlumat siqnalı). Aparıcı siqnalın
bir və ya bir neçə parametri bu siqnalın yayılma qanununa
uyğun olaraq dəyişir. Modulyasiya edən siqnal daşıyıcı siq-
nalla üst–üstə qoyulur, yəni rəqslərin modulyasiyası baş verir
(bax həmçinin: Modulation)
Modulator (chopper)
– модулятор. Устройство для принудительного изменения
во времени параметров, характеризующих какой–либо
регулярный физический процесс. В радиотехнике мо-
дуляторы служат для изменения амплитуды, частоты или
фазы колебаний. Модуляторами называют также ус-
тройства для изменения потока энергии, яркости света,
плотности электронных, ионных и молекулярных по-
токов.
– modulyator (modulyasiya edici). Hər hansı müntəzəm fiziki
prosesi xarakterizə edən parametrləri məcburi olaraq zamana
görə dəyişdirmək üçün qurğu. Radiotexnikada modulyator
rəqslərin amplitudunu, tezliyini və ya fazasını dəyişdirir.
Həmçinin enerji selini, işığın parlaqlığını, elektron, ion və
molekullar selinin sıxlığını dəyişdirən qurğular da modul-
yasiya edici adlanır.
60
Molecular Beam Epitaxy (MB)
– молекулярно–лучевая эпитаксия. Технология осаждения
эпитаксиальных пленок полупроводника посредством
испарения материалов при низком давлении (порядка 10-6
мм. Hg, 1мм. Hg = 133,322 Па). Позволяет изготавливать
эпитаксиальные структуры с высокой точностью по тол-
щине и почти идеальной стехиометрией. Чаще всего по
этой технологии получают эпитаксиальные пленки полу-
проводников А3В
5, А
3В
6 и их твердые растворы. Напри-
мер, InGaAsP, InGaAs и др. для оптической и квантовой
электроники.
– molekulyar–şüa epitaksiyası. Aşağı, 10-6
mm civə sütunu
(1mm civə sütunu = 133.322 Pa) təzyiqdə buxarlandırmaqla
epitaksial yarımkeçirici təbəqənin çökdürülmə texnologiyası.
Dəqiq verilmiş qalınlığa və demək olar ki, ideal stexiometrik
tərkibə malik epitaksial təbəqələr almağa imkan verir. Bu
texnologiya ilə ən çox A3B
5, A
3B
6 yarımkeçirici birləşmələ-
rinin və onların bərk məhlullarının epitaksial təbəqələri alınır.
Məsələn, optik və kvant elektronikasında istifadə edilən
İnGaAsP, İnGaAs və s.
Molecular-beam oscillator
– молекулярный генератор (МГ). Квантовый генератор, в
котором активной средой является молекулярный газ.
Первый МГ, излучающий на длине волны 1,24 см за счет
квантовых переходов молекул аммиака, был создан в
1955г. МГ применяют в основном в устройствах радио-
спектроскопии в диапазоне сантиметровых и миллимет-
ровых волн.
– molekulyar generator (MG). Aktiv mühiti molekulyar qaz
olan kvant generatoru. Ammiak molekullarında kvant keçid-
ləri hesabına uzunluğu 1,24 sm olan dalğalar şüalandıran ilk
MG 1955–ci ildə yaradılmışdır. MG əsasən santimetrlik və
millimetrlik diapazonlarda radiospektroskopiya qurğularında
istifadə olunur.
61
Molekular gas laser
– молекулярный газовый лазер. Лазеры–наиболее важные
и широко применяемые приборы квантовой электроники.
Лазеры–пока что единственные источники оптического
излучения, обладающего высокой степенью когерентнос-
ти, монохроматичности и направленности.
Первый лазер был создан в 1960 году Т.Мейманом на
основе рубина. В том же году гениальным американским
физиком Али Джаваном***
(см. приложение) совместно с
ведущими учеными в этой области У. Беннетом и Д. Эр-
риотом был изготовлен первый непрерывный газовый ла-
зер на смеси He–Ne.
В 1962 году был изготовлен первый ПП лазер на осно-
ве GaAs, а в 1966 году–первый жидкостный лазер.
Газовые лазеры обладают широким спектральным
диапазоном, включая ультрафиолетовую, видимою, ин-
фракрасную и субмиллиметровую области. Газовые лазе-
ры подразделяют на газоразрядные, газодинамические и
химические. Наиболее широко распространены газо-
разрядные лазеры, которые в свою очередь подразделяют
на атомарные, ионные и молекулярные. Активным веще-
ством в этих лазерах являются молекулярные газы, на-
пример, CO2, H2. Молекулярные лазеры перекрывают
наиболее широкий диапазон из всех других типов ла-
зеров. (см. также: Laser)
– molekulyar qaz lazeri. Lazer kvant elektronikasının ən
mühüm və geniş tətbiq edilən cihazıdır. Lazer – yüksək
koherentlik, monoxromatiklik və istiqamətlənmə dərəcəsinə
malik olan yeganə işıq mənbəyidir. Ilk lazeri 1960–cı ildə
T.Meyman yaqut əsasında yaratmışdır. Elə həmin ildə dahi
______________________________ ***Али Джаван – американский физик, родился в 1926 году в Тегеране, в азербай-джанской семье; профессор Массачусетского технологи–ческого института (1964), член Академии Наук США. А. Джаван признанный светила в области квантовой
электроники. Его иссле–дования относятся к квантовой электронике и еѐ примене-ниям, лазерной спектроскопии. А. Джаван – четырнадцатый в "Списке ста ныне живущих гениев" издательства ―The Daily Telegraph‖.
62
amerika fiziki Əli Cavan***
(əlavəyə bax) bu sahədə aparıcı
alimlər olan U.Bennet və D.Erriot ilə birlikdə He–Ne qarışığı
əsasında ilk kəsilməz qaz lazerini hazırladılar. 1962–ci ildə
GaAs əsasında ilk YK lazer, 1966–cı ildə ilk maye lazer
hazırlanmışdır.
Qaz lazerləri ultrabənövşəyi, görünən, infraqırmızı və
submillimetrlik hissələr daxil olmaqla geniş spektral diapazo-
na malikdir. Onlar qazboşalma, qaz dinamik və kimyəvi kimi
qruplara bölünür. ən çox qazboşalma lazerləri
Molecular layer epitaxy
tətbiq edilir. onlar da öz növbəsində atomar, ion və molekul-
yar kimi qruplara bölünür. Bu lazerlərdə aktiv maddə mole-
kulyar qazlar, məsələn, CO2, H2 dir. Molekulyar lazerlərin
spektri başqa növ lazerlərlə müqayisədə ən geniş diapazonu
əhatə edir. (bax həmçinin: Laser)
– молекулярная послойная эпитаксия. Управляемый рост
кристаллического слоя. Технология позволяет получать
монокристаллические слои ПП материалов с высокой
стехиометрией и высоким кристаллографическим совер-
шенством.
– laylı molekulyar epitaksiya. Kristallik layın idarəolunan
göyərdilməsi. Müasir texnologiya YK materialların dəqiq ste-
xiometrik tərkibə və mükəmməl kristal quruluşa malik mo-
nokristallik təbəqələrini almağa imkan verir.
Monostable multivibrator (univibrator) – одновибратор. Если одиночный импульс, генерируемый
ждущим мультивибратором, имеет прямоугольную фор-
му, то такой генератор называют одновибратором (см.
также: Single-shot multivibrator). ____________________________________________ ***Amerika fiziki Əli Cavan 1926–cı ildə Tehranda anadan olmuşdur, əslən azərbaycan-lıdır; Massaçusets texnoloji institutunun professoru (1964), ABŞ Elmlər Akademiyasının üzvüdür. Ə. Cavan kvant elektronikası sahəsində tanınmış alimdir. Onun tədqiqatları
kvant elektronikasına və onun tətbiqlərinə, lazer spektroskopiyasına həsr olunmuşdur Ə. Cavan «The Daily Telegraph» nəşriyyatının ―Hazırda yaşayan yüz dahi‖ siyahisində on dürdüncü yeri tutur
63
– tək vibrator. Əgər gözləyici multivibratorun generasiya etdiyi
tək (vahid) impuls düzbucaqlı şəklindədirsə, belə generator
tək vibrator adlanır (bax həmçinin: Single-shot multivibrator).
MOS-structure
– структура металл–оксид–полупроводник (МОП). До-
вольно часто в качестве диэлектрика в МДП-структурах
используют окислы, в основном SiO2. Поэтому вместо
МДП употребляется название МОП-структура.
– metal–oksid–yarımkeçirici (MOY) quruluşu. Çox tez–tez
MDY–quruluşlarda dielektrik olaraq oksidlərdən, əsasən SiO2
istifadə edilir. Odur ki, MDY–quruluş əvəzinə MOY–quruluş
termini istifadə edilir.
MOS-transistor
– МОП транзистор. Униполярный транзистор с изолиро-
ванным затвором, в котором в качестве изоляционного
слоя между металлическим затвором и полупроводни-
ковым проводящим каналом используется слой окисел.
(см. также: MIS-transistor и Insulated-gate field-effect
transistor).
– MOY–tranzistor. Rəzəsi təcrid olunmuş unipolyar tranzistor.
Metal rəzə ilə YK kanal arasında təcrid edici təbəqə kimi
oksid təbəqəsi istifadə edilir (bax həmçinin: MIS-transistor и
Insulated-gate field-effect transistor).
Multicollector transistor
– многоколлекторный транзистор. На рисунке показана
структура многоколлекторного транзистора (МКТ). Здесь
роль эмиттера выполняет эпитаксиальный n-слой, а кол-
лекторами являются высоколегированные n+-слои малых
размеров. Для увеличения коэффициента инжекции
эмиттера подложку n+-типа располагают по возможности
ближе к базовому слою. Будучи высоколегированной,
она обеспечивает увеличение коэффициента инжекции.
64
МКТ используют
для создания логи-
ческих схем с инжек-
ционным питаниием,
называемых схемами
И2Л (интегральная
инжекционная логи-
ка). Такие схемы не-
возможно выполнить
на дискретных эле-
ментах.
– çoxkollektorlu tranzistor. Şəkildə çoxkollektorlu tranzistorun
(ÇKT) quruluşu göstərilmişdir. Burada epitaksial n–təbəqə
emitter, güclü aşqarlanmış kiçik ölçülü n+– təbəqələr isə
kollektorlardır. Emitterin injeksiya əmsalını yüksəltmək üçün
n+–növ altlıq baza təbəqəsinə mümkün qədər yaxın yerləşdiri-
lir. Altlıq güclü aşqarlandığı üşün injeksiya əmsalının yük-
səlməsini təmin edir.
ÇKT-lər injeksiyalı qidalanması olan İ2M (inteqral injeksi-
yalı məntiq) sxemlərini yaratmaq üçün istifadə edilir. Belə
sxemləri diskret elementlərdən yığmaq mümkün deyil.
Multielement photo detector
– многоэлементный фотоприемник. Многоэлементные
фотоприемники (МЭФП) предназначены для преобразо-
вания распределенного по поверхности оптического сиг-
нала (изображения) в электрические сигналы. Их выпол-
няют в виде светочувствительных матриц, в которых фо-
точувствительные элементы (ФЧЭ) расположены в мес-
тах «пересечения» ортогональных токопроводящих поло-
сок, расстояние между которыми чрезвычайно мало (ри-
сунок). Частным случаем матричных МЭФП являются
светочувствительные линейки, в которых фоточувстви-
тельные элементы расположены на одной линии с малы-
QK1
U
Q
n+
.
U
Q
n+
.
U
Q
p.
U
Q
p.
U
Q
n.
U
Q
Si
U
Q
E.
U
Q
K3.
U
Q
K
2.
U
Q
B.
U
65
ми и, как правило, равными расстояниями между элемен-
тами.
Укрупненные матричные ФП состоят из двух групп
взаимно перпендикулярных электродов, ФЧЭ, располо-
женных в местах пересечения электродов и электрически
связанных с ними, а также электронных схем управления.
Схемы управления выполнены так, что в каждый момент
времени к цепям получения сигнала подключен лишь
один элемент матрицы. При поочередном подведении
электрических импульсов к горизонтальной и вертикаль-
ной шинам опрашиваются все ФЧЭ. В результате по-
лучается полная информация о распределении светового
потока по поверхности светочувствительной матрицы.
В качестве ФЧЭ матрицы используются фото–чувстви-
тельные слои, выполняющие функции фото–приемников
и фотоэлектронных приборов с зарядовой связью.
– çoxelementli fotoqəbuledici (ÇEFQ). ÇEFQ səth boyunca
paylanmış optik siqnalı (təsviri) elektrik siqnalına çevirən qur-
ğu. Onlar işığa həssas matrislər şəklində hazırlanır. Bu
matrislərdə fotohəssas elementlər (FHE) aralarındakı məsafə
1
2
3
4
5
3
3
3
3
3
3
3
3
Упрошенная структура матрич–
ного фотоприемника.
1–генератор вертикальной ра–
звертки; 2, 4–цепи получения
сигнала; 3 – фоточувствитель–
ные элемен–ты; 5 – генератор
горизонтальной развертки
Matrisli fotoqəbuledicinin
sadələşdirilmiş quruluşu.
1–şaquli açılış generatoru;
2, 4–siqnal daxil olan dövrələr;
3–fotohəssas elementlər; 5–üfüqi
açılış generatoru
66
çox kiçik olan cərəyan keçirici ortoqonal zolaqların kəsişmə
nöqtələrində yerləşdirilir (şəkil).
Matrisli ÇEFQ–yə misal olaraq işığahəssas xətkeşləri
göstərmək olar. Belə xətkeşlərdə FHE bir xətt boyunca bir–
birindən bərabər məsafələrdə yerləşir.
Böyüdülmüş matrisli ÇEFQ iki qrup qarşılıqlı perpen-
dikulyar elektroddan, elektrodların kəsişmə nöqtələrində
yerləşən və onlarla elektrik rabitəsi olan fotohəssas element-
lərdən, həmçinin elektron idarə sxemindən ibarətdir. Idarə
sxemləri elə qurulur ki, hər bir zaman anında siqnalı qəbul
edən dövrəyə matrisin yalnız bir elementi qoşulur. Üfüqi və
şaquli elektrodlara ardıcıl olaraq elektrik impulsları verildik-
də bütün FHE–dən məlumat alınır. Nəticədə işıq selinin işığa
həssas matrisin səthi boyunca paylanması barədə tam
məlumat alınır.
Matrisin FHE–si olaraq fotoqəbuledicilərin və yük əlaqəli
fotoelektrik cihazların funksiyalarını yerinə yetirən fotohəssas
təbəqələr istifadə olunur.
Multiple-emitter transistor
– многоэмиттерный транзистор (МЭТ). Биполярный
транзистор, который имеет несколько эмиттерных облас-
тей. Различают МЭТ, в которых эмиттерные области объ-
единены одним внешним выводом, и МЭТ, в которых
каждая эмиттерная область имеет отдельный внешний
вывод. МЭТ первой группы характеризуются большим
значением отношения периметра эмиттера к ее площади,
что обеспечивает уменьшение сопротивления базы тран-
зистора и увеличение плотности эмиттерного тока. Такие
транзисторы применяют в основном в качестве мощных
ВЧ и СВЧ транзисторов. МЭТ второй группы использу-
ются в транзисторно–транзисторной логике в качестве
логического элемента «И». Особенностью таких транзи-
сторов является достаточно большое расстояние между
отдельными эмиттерными областями и наличие сопро-
67
тивления между базовой областью и ее внешним выво-
дом, что обеспечивает уменьшение коэффициента пере-
дачи тока между эмиттерными областями, а также малую
величину инверсного коэффициента передачи тока
(αİ=İЭ/İК, при UЭБ=0) (αİ≤0,01) и, соответственно, увели-
чение нагрузочной способности транзистора (см.: Circuit
capacity).
Увеличение скорости переключения таких МЭТ дости-
гается уменьшением площади эмиттерных областей.
На рисунке показана структура трехэмиттерного тран-
зистора.
Ее можно расс-
матривать как ин-
тегрированную со-
вокупность транзи-
сторов.
– çox emitterli tranzis-
tor (ÇET). Bir neçə
emitter oblastı olan
bipolyar tranzistor. Bütün emitter oblastları bir ümumi
xarici çıxışla birləşdirilən və hər bir emitteri ayrı çıxışa malik
olan ÇET–lər var. Birinci qrup ÇET–lərın xarakterik cəhəti
emitterin perimetrinin onun sahəsinə olan nisbətinin böyük
qiymət almasıdlır. Bu da tranzistorun baza müqavimətinin
azalmasını və emitter cərəyanının sıxlığının artmasını təmin
edir. Belə tranzistorlar əsasən güclü YT və İYT tranzistorlar
kimi istifadə edilir. İkinci qrup ÇET–lər TTM–də ―VƏ‖ mən-
tiq elementi kimi istifadə edilir. belə tranzistorların əsas xü-
susiyyətlərii ayrı–ayrı emitter hissələri arasında məsafənin bö-
yük olması və baza hissəsi ilə onun xarici çıxışı arasında mü-
qavimətin olmasıdır. Bu isə emitter oblastları arasında cərəya-
nın ötürülmə əmsalının kiçik olmasını, həmçinin cərəyanın
invers ötürülmə əmsalının (αİ=İE/İK, UEB=0 olduqda) kiçik
qiymətini (αİ ≤0,01) təmin edir. Bunun da nəticəsində
tranzistorun yüklənmə qabiliyyəti artır (bax: Circuit capacity).
QE1
U
Q
n+
.
U
Q
n+
.
U
Q
p.
U
Q
p.
U
Q
n.
U
Q
Si
U
Q
E2.
U
Q
E3.
U
Q
K.
U
Q
B.
U
68
Belə ÇET–un aşırılma sürətini artırmaq üçün onların emitter
oblastlarının sahəsi kiçildilir. Şəkildə üç emitterli tranzistor
göstərilmişdir. Ona ayrı–ayrı tranzistorların inteqrasiya olun-
muş toplusu kimi baxmaq olar.
Multiplexer
– мультиплексор. Мультиплексором называют комбина–
ционное устройство, обеспечивающее передачу в желае-
мой последовательности цифровой информации, посту-
пающей по нескольким входам на один выход. Мультип-
лексоры обозначают через MUX (от англ. multipleksor), а
также через MS (от англ. multipleksor selector). Схемa-
тически мультиплексор можно изобразить в виде комму-
татора, обеспечивающего подключение одного из нес-
кольких входов (эти входы называют информационными)
к одному выходу. Кроме информационных входов в
мультиплексоре имеются адресные входы и, как правило,
разрешающие (стробирующие) входы. Сигналы на адрес-
ных входах определяют, какой конкретно инфор-
мационный канал подключен к выходу. Если между чис-
лом информационных входов n и числом адресных вхо-
дов m действует соотношение n=2m, то такой мульти-
плексор называют полным. Если n<2m, то мультиплексор
называют неполным. Разрешающие входы используют
для расширения функциональных возможностей мульти-
плексора. Они используются для наращивания разряднос-
ти мультиплексора, синхронизации его работы с работой
других узлов. Сигналы на разрешающих входах могут
разрешать, а могут и запрещать подключение определен-
ного входа к выходу, т.е. могут блокировать действие
всего устройства.
– multipleksor. Multipleksor kombinasiyalı qurğudur, bir neçə
giriş üzrə daxil olan rəqəmli məlumatın arzu olunan ardıcıl-
lıqla vahid bir çıxışa ötürülməsini təmin edir. Multipleksor
MUX (ingiliscə multipleksor) və ya MS (ingiliscə multiplek-
69
sor selector) kimi işarə olunur. Sxematik olaraq multiplek-
soru məlumat girişi adlandırılan bir neçə girişdən birini çıxışa
qoşan kommutator kimi təsvir etmək olar. Məlumat giriş-
lərindən başqa multipleksorun ünvan girişləri və, bir qayda
olaraq, ayırdedici (stroblaşdırıcı) girişləri olur. Ünvan girişlə-
rindəki siqnallar konkret olaraq hansı məlumat girişinin çıxışa
qoşulacağını təyin edir. Əgər məlumat və ünvan girişlərinin
sayları (uyğun olaraq n və m) arasında münasibət n=2m
şəklində olarsa bu tam multipleksor, n<2m
olarsa natamam
multipleksor adlanır. Ayırdedici girişlər multipleksorun funk-
sional imkanlarını genişləndirmək üçündür. Onlar multiplek-
sorun mərtəbəliliyini artırmaq üçün, onun işini başqa qov-
şaqların işi ilə sinxronlaşdırmaq üçün istifadə edilir. Ayırd-
edici girişlərdəki siqnallar hər hansı bir girişin çıxışa qoşul-
masına ya icazə verə, ya da qadağa qoya bilər; yəni bütöv-
lükdə qurğunun işini bloklaya bilər.
Multistable circuit
– многостабильная схема. Схема, которая в зависимости
от характера соединения логических элементов имеет
множество устойчивых состояний. (см. также: Multistable
flip-flop).
– multistabil sxem. Məntiq elementlərinin birləşdirilmə
xarakterindən asılı olaraq çoxlu sayda stabil vəziyyətləri olan
sxem. (bax həmçinin: Multistable flip-flop).
Multistable flip-flop
– многостабильный триггер. Многостабильный триггер
(МТ) представляет собой многостабильную схему (МС) с
дополнительными входами, с помощью которых обеспе-
чивается возможность переключения ее в любое из
устойчивых состояний. В зависимости от того, по сколь-
ким входам необходимо подать управляющие сигналы
для переключения МТ в i-е состояние, последние подраз-
70
деляются на МТ одновходового и многовходового управ-
ления (МТОУ и МТМУ соответственно).
– multistabil trigger (MST). Əlavə girişləri olan, çoxlu sayda
dayanıqlı hallara malik sxemdir. Əlavə girişlər triggeri da-
yanıqlı haların istənilən birinə keçirmək imkanı verir. MST–i
i–ci vəziyyətə keçirmək üçün lazım olan idarəedici siqnalın
veriləcəyi girişlərin sayından asılı olaraq MST–lər bir giriş
üzrə və çox girişlər üzrə idarə olunan kimi iki qrupa bölünür.
Multistage amplifier
– многокаскадный усилитель. Одиночные усилители не в
состоянии обеспечить требуемый коэффициент усиления.
Поэтому строят многокаскадные усилители, представ-
ляющие собой последовательное соединение одиночных
усилительных каскадов. Применяются они, как правило,
с целью увеличения коэффициента усиления по току, на-
пряжению или мощности. Коэффициент усиления много-
каскадного усилителя равен произведению коэффициен-
тов усиления отдельных его каскадов: К=К1∙К2∙…∙Кn.
Широко применяются интегральные многокаскадные
усилители различного назначения, которые являются го-
товыми функциональными узлами. Комбинируя и сое-
диняя их между собой реализуют многокаскадные усили-
тели, имеющие требуемые параметры и характеристики
преобразования. Отдельные усилительные каскады и
ИМС соединяют последовательно с помощью тех или
иных цепей связи. Различают следующие виды связей
между отдельными каскадами и ИМС: гальваническую
(непосредственную), емкостную (с помощью RC–цепей),
трансформаторную, оптронную связь и другие. Сущест-
вуют усилители, в которых связь осуществляется с по-
мощью колебательных контуров с целью получения тре-
буемой частотной характеристики;
– çoxkaskadlı gücləndirici. Ayrı–ayrı gücləndiricilər təklikdə
gücləndirmə əmsalının tələb olunan qiymətini təmin edə
71
bilmirlər. Odur ki, ayrı–ayrı gücləndirici kaskadların ardıcıl
birləşməsindən ibarət olan çoxkaskadlı gücləndiricilər yara-
dılır. Onlar, bir qayda olaraq, cərəyana, gərginliyə və ya gücə
görə gücləndirmə əmsalını artırmaq üçün tətbiq edilir. Çox-
kaskadlı gücləndiricinin gücləndirmə əmsalı onu təşkil edən
kaskadların gücləndirmə əmsallarının hasilinə bərabərdir:
К=К1∙К2∙…∙Кn.
Hazır funksional qovşaqları olan müxtəlif təyinatlı inteqral
çoxkaskadlı gücləndiricilər geniş tətbiq edilir. Onları kom-
binə etməklə və öz aralarında bir–birilə birləşdirməklə tələb
olunan parametrlərə və xarakteristikalara malik çoxkaskadlı
gücləndiricilər yaradılır. Ayrı–ayrı gücləndirici kaskadlar və
İMS–lər ardıcıl olaraq bu və ya digər dövrələrin köməyilə bir-
ləşdirilir. Ayrı–ayrı kaskadlar və İMS–lər arasında aşağıdakı
rabitə növləri var: halvanik (bilavasitə), tutum (RC–
dövrələrin köməyilə), transformator, optron və s. rabitələr.
Bundan başqa, tələb olunan tezlik xarakteristikasını almaq
üçün rəqs konturları vasitəsilə də rabitə yaradılır.
Multivibrator
– мультивибратор. Мультивибраторами называются ре-
лаксационные генераторы импульсов, состоящие из ши-
рокополосных электронных усилителей, охваченных по-
ложительной ОС, глубина которой остается почти посто-
янной в широкой полосе частот, и имеющие в петле ОС
элементы, накапливающие энергию. Различают два вида
мультивибраторов: автоколебательные (не обладающие
состоянием устойчивого равновесия) и ждущие (облада-
ющие состоянием устойчивого равновесия, при выходе
из которого сначала переходят в другое устойчивое со-
стояние, а затем самопроизвольно возвращаются в пер-
воначальное состояние).
– multivibrator. Multivibrator müsbət ƏƏ ilə əhatə olunmuş ge-
niş zolaqlı elektron gücləndiricilərdən ibarət olan relaksa-
siyalı impuls generatorudur. ƏƏ–nin dərinliyi geniş tezlik
72
diapazonunda sabit qalır, qurğunun ƏƏ dövrəsinə enerjini
toplaya bilən elementlər daxil olur. Multivibrator iki növ olur:
avtorəqsli və gözləyən. Avtorəqsli multivibratorların dayanıq-
lı tarazlıq vəziyyəti olmur. Gözləyən multivibratorlar isə
dayanıqlı tarazlıq vəziyyətinə malikdirlər: onlar tarazlıq və-
ziyyətindən çıxdıqda əvvəl başqa bir dayanıqlı vəziyyətə
keçirlər, sonra isə öz–özünə ilkin tarazlıq vəziyyətinə
qayıdırlar.
Nanoelectronics
– наноэлектроника. Область электроники, занимающаяся
разработкой физических и технологических основ соз-
дания ИС с размерами элементов менее 100 нанометров.
Основными задачами наноэлектроники являются:
–разработка физических основ работы приборов с нано-
метровыми размерами, в первую очередь квантовых;
–разработка физических основ технологических процес-
сов;
–разработка самих приборов и технологий их изготовле-
ния;
–разработка ИС с нанометровыми размерами и изделий
электроники на основе наноэлектронной элементной ба-
зы.
Термин «наноэлектроника» логически связан с тер-
мином «микроэлектроника» и отражает переход совре-
менной полупроводниковой электроники от элементов с
характерным размером в микронной и субмикронной об-
ласти к элементам с размером в нанометровой области.
Однако принципиально новая особенность наноэлектро-
ники связана с тем, что для элементов таких размеров на-
чинают преобладать квантовые эффекты. При масштабе
порядка десятков нанометров характерные размеры эле-
ментов становятся соразмерными некоторым фунда-
ментальным физическим характеристикам (например,
длине экранирования, длине пробега электрона, длине
73
волны де Бройля), что предполагает появление новых фи-
зических эффектов и наличие некоторых фундаменталь-
ных ограничений на возможности таких приборов. На-
пример, туннелирование носителей заряда при умень-
шении размеров начинает мешать работе классического
транзистора. Для исключения паразитного влияния таких
явлений развиваются новые направления электроники,
использующие квантовые эффекты, например, наногете-
роструктурная электроника.
– nanoelektronika. Nanoelektronika elektronikanın bir bölməsi-
dir, əsas məqsədi elementlərinin ölçüləri 100 nanometrdən
(nm) az olan İS–in yaradılmasının fiziki və texnoloji əsas-
larını işləməkdən ibarətdir. Nanoelektronikanın əsas vəzifələ-
ri aşağıdakılardır:
–ölçüləri nm tərtibində olan cihazların, ilk növbədə kvant
cihazlarının işinin fiziki əsaslarının işlənməsi;
–texnoloji proseslərin fiziki əsaslarının işlənməsi;
–cihazların özlərinin və onların hazırlanma texnologiyasının
işlənməsi;
–nanometr ölçülü İS–in və nanoelektronikanın element bazası
əsasında elektron məmulatlarının işlənməsi.
Nanoelektronika termini məntiqi olaraq mikroelektronika
termini ilə bağlıdır və müasir YK elektronikanın xarakterik
ölçüləri mikrometr və submikrometr tərtibində olan
elementlərdən nanometr tərtibində ölçüləri olan elementlərə
keçidi əks etdirir. Lakin nanoelektronikanın yeni prinsipial
xüsusiyyəti ondan ibarətdir ki, elementlərin ölçüləri nanometr
tərtiblində olduqda onlarda kvant effektləri üstünlük təşkil
edir. ~102
nm miqyasında elementlərin xarakterik ölçüləri bir
sıra fundamental fiziki parametrlərlə (məsələn, ekranlaşma
məsafəsi, elektronun sərbəst uçuş məsafəsi, de Broyl dalğa
uzunluğu ilə) eyni tərtibdə olur. Bu isə yeni fiziki effektlərin
baş verəcəyini və bu cihazların imkanlarına müəyyən qədər
əsaslı məhdudiyyətlərin yaranacağını fərz etməyə əsas verir.
Məsələn, ölçülər kiçildikdə YD–nın tunel keçidləri klassik
74
tranzistorun işinə mane olmağa başlayır. Belə hadisələrin
zərərli təsirlərini yox etmək üçün elektronikanın kvant effekt-
lərindən istifadə edən yeni istiqamətləri, məsələn, nanohe-
teroquruluşlar elektronikası inkişaf etdirilir.
Nanotechnology
– нанотехнология. Под термином «нанотехнологии» пони-
мает совокупность технологических средств и методов,
наиболее пригодных для создания объектов наноэлектро-
ники. Они включают в себя как традиционно исполь-
зуемые методы, например, молекулярно-лучевую эпитак-
сию и прецизионное осаждение из газовой фазы, так и
другие методы, продемонстрировавшие высокую эффек-
тивность именно при решении задач наноэлектроники, в
частности, ионный синтез. Нанотехнологии не только
включают средства и методы, ранее не известные для
микроэлектроники, например, использование нанотрубок
и фуллеренов, но и используют новые методические под-
ходы и разработки, служащие для создания, измерения и
анализа параметров наноструктурных объектов. К ним
относятся, в частности, различные методы зондовой мик-
роскопии (туннельная, атомно-силовая микроскопия), с
помощью которых объекты наноэлектроники могут как
исследоваться, так и создаваться. Нанотехнологии вклю-
чают также целенаправленный контроль и управление
строением и химическим составом объектов; взаимодейс-
твием составляющих их отдельных наномасштабных эле-
ментов, которые приводят к улучшению, либо появлению
дополнительных эксплуатационных характеристик и
свойств получаемых продуктов. Объектами нанотехноло-
гий могут быть как непосредственно низкоразмерные
структуры с характерными для нанодиапазона размерами
как минимум в одном измерении (наночастицы, нано-
порошки, нанотрубки, нановолокна, нанопленки), так и
макроскопические объекты (объемные материалы, от-
75
дельные элементы устройств и систем), структура кото-
рых контролируемо создается и модифицируется с разре-
шением на уровне отдельных наноэлементов; т. е. су-
ществует как минимум одна стадия технологического
процесса, результатом которой является объект нанотех-
нологий.
– nanotexnologiya. ―Nanotexnologiya‖ dedikdə nanoe–lektro-
nika obyektlərini yaratmaq üçün ən yararlı vasitələr və
üsulların məcmusu başa düşülür. Bura həm ənənəvi üsullar,
məsələn, molekulyar–şüa epitaksiyası və qaz fazadan presi-
zion çökdürülmə üsulları, həm də məhz nanoelektronikanın
bir sıra məsələlərinin həlli zamanı yaxşı effekt vermiş digər
üsullar daxildir. Nanotexnologiyalar nəinki əvvəllər mikro-
elektronikada məlum olmayan vasitələr və üsullardan (mə-
sələn, nanoborular və fullerenlərdən), həm də nanoquruluşlu
obyektlərin yaradılmasına, onların parametrlərinin ölçül-
məsinə və təhlilinə imkan verən yeni metodiki yanaşmalar və
üsullardan istifadə edir. Bunlara müxtəlif zondlu mikros-
kopiya üsulları (tunel, atom–güc mikroskopiya) üsulları
aiddir. Bu üsulların köməyilə nanoelektronikanın obyektləri
həm tədqiq edilə, həm də yaradıla bilər. Nanotexnologiyalar
həmçinin obyektlərin quruluşuna və kimyəvi tərkibinə;
obyektləri təşkil edən ayrı–ayrı nanoölçülü elementlərin
qarşılıqlı təsirinə həm məqsədyönlü nəzarət etməyə, həm də
idarə etməyə imkan verir. Göstərilən amillər hazırlanan məh-
sulların istismar xarakteristikalarının yaxşılaşmasına, yaxud
onların yeni, əlavə istismar xarakteristikalarının yaranmasına
səbəb olur. Nanotexnologiyanın obyektləri ən azı bir istiqa-
mətdə bilavasitə nanodiapazon üçün xarakterik olan ölçülərə
malik olan kiçik ölçülü obyektlərdir (nanohissəciklər, nano-
ovuntular, nanoborular, nanoliflər, nanotədəqələr). Bundan
başqa quruluşu ayrı–ayrı nanoelementlər səviyyəsində nəzarət
olunmaqla yaradılan və modifikasiya edilən makroskopik
obyektlər (həcmi materiallar, qurğu və sistemlərin ayrı–ayrı
elementləri) də nanotexnologiyanın obyektləridir. Başqa
76
sözlə, belə obyektlərin hazırlanma texnologiyasında ən azı bir
mərhələ olur ki, o nanoobyekt yaranması ilə nəticələnir.
Negative differential resistance
– отрицательное дифференциальное сопротивление
(ОДС). Свойство отдельных элементов или узлов элек-
трических цепей, проявляющееся в возникновении на
ВАХ участкa, где напряжение U уменьшается при увели-
чении протекающего тока I (dU/dI = R < 0). ОДС – свой-
ство нелинейных элементов и цепей. С точки зрения ра-
диотехники такие элементы являются активными, позво-
ляющими трансформировать энергию источника питания
в незатухающие колебания. Такие элементы можно также
использовать в схемах переключения.
Зависимость I от U в нелинейном элементе с ОДС мо-
жет быть N-типа (когда выбранному значению I в области
значений İ1÷İ2 соответствует несколько значении U, рис.
a) и S-типа (когда в области значений от U1 до U2 каждо-
му значению U соответствует несколько значений I,
рис.b).
– mənfi diferensial müqavimət (MDM). Müxtəlif elementlərin
və ya qovşaqların xassəsidir, VAX–da axan cərəyan artdıqda
gərginliyin azaldığı hissənin yaranmasında təzahür edir
(dU/dI = R < 0). MDM qeyri–xətti elementlərə və dövrələrə
xasdır. Radiotexnika baxımından belə elementlər aktivdirlər
və qida mənbəyinin enerjisini sönməyən rəqslərə çevirməyə
Q
U.
U
Q
I.
U
Q
U2.
U
Q
U1.
U
Q
b).
U
Q
U.
U
Q
I.
U
Q
I2.
U
Q
I1.
U
Q
a).
U
77
imkan verir. Bu elementləri həmçinin aşırıcı sxemlərdə də
istifadə etmək olar. MDM olan qeyri–xətti elementdə cərə-
yanın gərginlikdən asılılığı N–şəkilli və ya S–şəkilli ola bilər.
Birinci halda cərəyanın (İ1÷İ2) diapazonunda hər hansı İ
qiymətinə U gərginliyin bir neçə qiyməti (şəkil a), ikinci
halda isə gərginliyin (U1÷U2) diapazonunda hər hansı U
qiymətinə cərəyanın bir neçə qiyməti (şəkil b) uyğun gəlir.
Negative logic
– отрицательная логика. Логика называется отри–цатель-
ной (или отрицательным логическим соглашением) если
высокий уровень потенциала отображает «ноль», а низ-
кий, – «единицу». В принципе, если использовать отри-
цательную логику, то принципы работы логического эле-
мента от этого, естественно, не изменится, но интерпре-
тировать его поведение придется уже иначе. Так, эле-
мент, формирующий на выходе «единицу» только при
«единице» на всех входах; и «нуль», если хотя бы на
один его вход подан «нуль», в положительной логике ин-
терпретируется как элемент «И», а в отрицательной ло-
гике — как элемент «ИЛИ» (на выходе появляется
«нуль» только если на все входы подать «нуль»). Соот-
ветственно элементы «И–НЕ» превращаются в «ИЛИ–
НЕ, элементы «И–ИЛИ–НЕ — в «ИЛИ–И–НЕ», в общем,
изменение трактовки выполняемой элементом функции
происходит в полном соответствии с правилами де-
Моргана (см. также: Logicаl element, Positive logic, Theo-
rems of Boolean algebra).
– mənfi məntiq. Əgər potensialın yüksək səviyyəsi sıfrı, aşağı
səviyyəsi isə vahidi əks etdirirsə, bu mənfi məntiq və ya mən-
fi məntiqi razılaşma adlandırılır. Prinsip etibarilə, mənfi
məntiqdən istifadə etdikdə məntiq elementinin iş prinsipi
dəyişmir, lakin onun işini başqa cür şərh etmək lazımdır.
Məsələn, müsbət məntiqdə elementin bütün girişlərinə
―vahid‖ verildikdə onun çıxışında ―vahid‖ alınarsa və yaxud,
78
girişlərdən heç olmasa birinə ―sıfır‖ verildikdə çıxışda ―sıfır‖
alınarsa, bu ―VƏ‖ elementidirsə, mənfi məntiqə görə bu
―YAXUD‖ elementidir (ancaq bütün girişlərdə ―sıfır‖ olduq-
da çıxışda ―sıfır‖ alınır). Uyğun olaraq, ―VƏ–YOX‖ elementi
―YAXUD–YOX‖ elementinə, ―VƏ–YAXUD–YOX‖ ele-
menti ―YAXUD–VƏ–YOX‖ elementinə çevrilir. Ümumiy-
yətlə, elementin yerinə yetirdiyi funksiyanın dəyişməsi de–
Morqan qaydalarına tam uyğun olaraq baş verir (bax həm-
çinin: Logicаl element, Positive logic, Theorems of Boolean
algebra).
Negatron amplifier
– негатронный усилитель. Усилитель, в состав которого
входит негатронный прибор – электронный прибор,
имеющий в определенном режиме отрицательное значе-
ние основного дифференциального параметра (активного
сопротивления, емкости или индуктивности). Негатрон-
ный усилитель является регенеративным усилителем
СВЧ диапазона (см.: Negatronics и Regenerative amplifier). В
качестве негатронных приборов в них используюутся
диоды Ганна, туннельные диоды, лавинно–пролетные дио-
ды и др.
– neqatron gücləndirici. Tərkibində neqatron cihaz, yəni,
müəyyən rejimdə əsas diferensial parametri (aktiv müqavi-
mət, tutum və ya induktivlik) mənfi qiymət alan cihaz olan
gücləndirici Neqatron gücləndirici İYT diapazonunda işləyən
regenerativ gücləndiricidir (bax: Negatronics və Regenerative
amplifier). Neqatron cihaz olaraq Qann diodları, tunel diod-
ları, selvari–uçuş diodları (sel uçuşlu diodlar) və s. istifadə
edilir.
Negatronics
– негатроника. В настоящее время в области электроники
быстро развивается ряд научных направлений: квантовая
электроника, оптоэлектроника, акустоэлектроника, хе-
мотроника, магнитоэлектроника, криоэлектроника и др.
79
В последнее время сформировалось еще одно направле-
ние–негатроника. Это направление электроники связанно
с созданием и применением негатронов – электронных
приборов, имеющих в определенном режиме отрицатель-
ное значение основного дифференциального параметра
(активного сопротивления, емкости и индуктивности). В
настоящее время разработаны различные виды негат-
ронов. Среди них множество ПП негатронов: самые
мощные СВЧ приборы: лавинно–пролетные диоды, са-
мые быстродействующие ключи на лавинных транзис-
торах, самые мощные токовые ПП переключатели на
тиристорах и другие.
– neqatronika. Hazırda elektronika bir sıra istiqamətlər özrə
sürətlə inkişaf edir. Bunlar kvant elektronikası, optoelektro-
nika, akustoelektronika, xemotronika, maqnit elektonikası,
krioelektronika və s.–dir. Son vaxtlar daha bir istiqamət – ne-
qatronika formalaşmışdır. Elektronikanın bu istiqaməti neqat-
ronların yaradılması və tətbiqi ilə bağlıdır. Neqatron – müəy-
yən rejimdə əsas diferensial parametri (aktiv müqaviməti, tu-
tumu və ya induktivliyi) mənfi qiymət alan cihazdır. Hazırda
müxtəlif növ neqatronlar işlənib hazırlanmışdır. Onların ara-
sında çoxlu sayda YK neqatronlar var. Bunlara misal olaraq
ən güclü İYT cihazlar: selvari–uçuş diodları, selvari tranzis-
torlar əsasında ən cəld açarlar, tiristorlar əsasında ən cəld YK
cərəyan aşırıcıları və s.göstərmək olar.
Noncomplementing amplifier (noninverting amplifier)
– неинвертирующий усилитель. Усилитель электричес-
ких сигналов, в котором приращение выходного сигнала
совпадает по знаку с приращением входного сигнала. На
рисунке приведена схема неинвертирующего усилителя,
фаза выходного напряжения которого совпадает с фазой
входного сигнала. Здесь выходное напряжение Uвых по-
ступает на делитель, образованный резисторами R1 и R2,
а падение напряжения на резисторе R1 подается на инвер-
80
тирующий вход ОУ в качестве напряжения отрицатель-
ной обратной связи.
Коэффициент усиления неинвертирующего усилителя
совершенно не зависит от коэффициента усиления само-
го операционного усилителя КОУ, от других его парамет-
ров и их нестабильности под воздействием разных факто-
ров, а определяется исключительно отношением сопро-
тивлений резисторов R1 и R2.
Отсутствует также зависимость от нестабильности ис-
точников питания. Достаточно использовать в схеме вы-
сокостабильные резисторы, и обеспечить сохранение
следующих условий: входной ток микросхемы несоизме-
римо меньше сигнального и коэффициент усиления опе-
рационного усилителя достаточно велик. Тогда стабиль-
ность коэффициента усиления будет обеспечена.
– inversləşdirməyən (qeyri inversləyici) gücləndirici. Çıxış siq-
nalının dəyişməsi giriş siqnalının dəyişməsi ilə eyni işarəli
olan gücləndirici. Şəkildə çıxış gərginliyinin fazası giriş siq-
nalının fazası ilə eyni olan inversləşdirməyən gücləndirici
sxemi verilmişdir. Uçıx çıxış gərginliyi R1 və R2 rezistorlarının
əmələ gətirdiyi gərginlik bölücüsünə verilir, R1 rezistorundakı
gərginlik düşküsü isə ƏG–nin inversləşdirən girişinə mənfi
ƏƏ siqnalı kimi verilir.
İnversləşdirməyən gücləndiricinin gücləndirmə əmsalı
ƏG–nin özünün KƏG gücləndirmə əmsalının qiymətindən,
onun digər parametrlərindən və onların müxtəlif təsirlər nəti-
R1
Uвх
(Ugir)
R2
+
– Uвых
Uçıx
81
cəsində əmələ gələn qeyri–stabilliyindən qətiyyən asılı deyil
və yalnız R1 və R2 rezistorlarının müqavimətlərinin nisbəti ilə
təyin edilir. Bundan başqa, qida mənbəyinin qeyri–stabilliyin-
dən də asılılıq yoxdur. Sxemdə yüksək stabilliyə malik rezis-
torlardan istifadə etmək və aşağıdakı şərtlərin ödənilməsini
təmin etmək kifayətdir: mikrosxemin giriş cərəyanı siqnal cə-
rəyanından çox–çox kiçik olmalı və ƏG–nin gücləndirmə əm-
salı kifayət qədər böyük olmalıdır. Bu halda gücləndirmə əm-
salının stabilliyi təmin olunacaqdır.
Noninjecting contact
– неинжектирующий контакт. Электрический контакт
между двумя ПП, металлом и ПП, металлом и диэлектри-
ком, ПП и диэлектриком, характеризующийся отсутст-
вием инжекции НЗ в объем ПП или диэлектрика. К таким
контактом относятся, например, омические контакты,
контакты металл – ПП с обедненным слоем на границе
раздела.
– injeksiya etdirməyən kontakt. Iki YK, metal və YK, metal və
dielektrik, YK və dielektrik arasında YD–nin YK və ya
dielektrikin həcminə injeksiyasının baş verməməsi ilə xarak-
terizə olunan elektrik kontaktı. Belə kontaktlara misal olaraq
omik kontaktları, metal ilə YK–in yoxsullaşmış təbəqəsi ara-
sında kontaktı göstərmək olar.
Noninverting input
– неинвертирующий вход. Вход усилителя, при подаче на
который сигнала определенной полярности, на выходе
получается сигнал той же полярности.
– inversləşdirməyən giriş. Gücləndiricinin inversləşdirməyən
girişinə hər hansı qütblü siqnal verdikdə çıxışda eyni qütblü
siqnal alınır.
82
Nonlinear resistor
– нелинейный резистор. Резисторы, для которых не сох-
раняется прямая пропорциональная зависимость между
током и напряжением. Особенностью нелинейного рези-
стора является зависимость его сопротивления от проте-
кающего по нему тока или приложенного напряжения.
Нелинейные резисторы различаются по форме ВАХ.
Практический интерес представляет резисторы вида Ru и
RI. В первом случае при изменении протекающего тока в
заданных пределах напряжение на резисторе изменяется
весьма незначительно. Во втором случае изменение на-
пряжения на резисторе в заданных пределах вызывает
весьма незначительные изменения протекающего через
него тока.
– qeyri–xətti rezistor. Cərəyan ilə gərginlik arasında düz
mütənasib asılılıq ödənilməyən rezistorlar qeyri–xətti rezistor
adlanır. Qeyri–xətti rezistorun əsas xüsusiyyəti onun müqavi-
mətinin keçən cərəyandan və ya tətbiq edilən gərginlikdən
asılı olmasıdır. Qeyri–xətti rezistorların VAX–ları müxtəlif
formada olur. VAX–ı RU və Rİ şəklində olan rezistorlar prak-
tiki maraq kəsb edir. Birinci halda (RU şəkilli VAX) axan
cərəyan verilmiş diapazonda dəyişdikdə, rezistordakı gərgin-
lik cüzi dəyişir. Ikinci halda (Rİ) rezistordakı gərginlik veril-
miş diapazonda dəyişdikdə axan cərəyan çox az dəyişir.
Nonlinearity
– нелинейность. Отклонение от линейной зависимости
выходного сигнала от входного сигнала.
– qeyri–xəttilik. Çıxış siqnalının giriş siqnalından asılılığının
xəttilikdən kənara çıxması.
Nonrectifying contact ( оhmic contact)
– невыпрямляющий контакт (омический контакт).
Омический контакт — контакт между металлом и ПП,
или двумя ПП, характеризующийся линейной ВАХ, т.е.
83
контакт, сопротивление которого не зависит от величины
и направления тока. Следовательно, омический контакт
является невыпрямляющим и ток через него подчиняется
закону Ома. Омические контакты имеют большое значе-
ние при изготовлении ПП приборов.
Кроме линейности ВАХ, эти контакты должны иметь
малое сопротивление и обеспечивать отсутствие инжек-
ции носителей из металлa в полупроводник. Эти условия
выполняются путем введения между ПП–ом и металлом
слоя сильно легированного ПП–а (рис.). Одним из спо-
собов получения омических контактов является введение
в металл примеси, которой легирован ПП. В этом случае
при сплавлении металла с ПП–ом в контактной области
образуется тонкий слой вырожденного ПП, что соответ-
ствует структуре, изображенной на рис.
Структура омического контакта.
Omik kontaktın quruluşu
– düzləndirməyən (qeyri-düzləndirici kontakt, omik kontakt). Metal ilə YK və ya iki YK arasında xətti VAX–a malik kon-
takt; başqa sözlə, müqaviməti axan cərəyanın qiymətindən və
istiqamətindən asılı olmayan kontakt. Deməli, omik kontakt
düzləndirməyən kontaktdır və ondan keçən cərəyan Om
qanununa tabe olur. YK cihazlar üçün omik kontaktların
böyük əhəmiyyəti var.
VAX–ın xəttiliyini təmin etməklə bərabər, omik kontaktlar
kiçik müqavimətə malik olmalı və YD–nin metaldan YK–yə
injeksiya etməməsini də təmin etməlidirlər. Metal ilə YK
arasında güclü aşqarlanmış YK təbəqəsi yerləşdirdikdə bu
şərtlər ödənilir (şəkil). Omik kontakt almaq üsullarından biri
metalı da YK–nin aşqarlandığı maddə ilə aşqarlamaqdır.. Bu
halda metal əridilərək YK-ya birləşdirildikdə kontakt sahə-
p
P+
M
84
sində nazik cırlaşmış YK təbəqəsi yaranır ki, bu da şəkildə
göstərilən quruluşa uyğundur.
Nonrectifying junction (ohmic junction)
– омический переход. Электрический переход, электричес-
кое сопротивление которого не зависит от направления
тока в заданном диапазоне значений токов. Основное на-
значение омических переходов – электрическое соеди-
нение ПП с металлическими токоведущими частями ПП
прибора. Омических переходов в ПП приборах больше,
чем выпрямляющих. При выполнении следующих ус-
ловий омический переход оказывает меньшее отрица-
тельное влияние на параметры и характеристики по-
лупроводникового прибора:
– если ВАХ омического перехода линейна, т. е. переход
действительно является омическим;
– если отсутствует инжекция неосновных носителей заряда
через омический переход в прилегающую область полу-
проводника и накопление неосновных носителей в оми-
ческом переходе или вблизи него;
– при минимально возможном падении напряжения на
омическом переходе, т. е. при минимальном его соп-
ротивлении.
– düzləndirməyən (omik) keçid. Cərəyanın qiymətlərinin veril-
miş diapazonunda elektrik müqaviməti cərəyanın istiqa-
mətindən asılı olmayan elektrik keçidi. Omik keçidlərin əsas
təyinatı YK–nı cihazların cərəyan keçirən metal hissələri ilə
birləşdirməkdir. YK cihazlarda omik keçidlərin sayı düzlən-
dirici kontaktlara nisbətən çoxdur. Omik keçidin YK cihazın
parametr və xarakteristikalarına mənfi təsirinin az olması
üçün aşağıdakı şərtlər ödənilməlidir:
– keçidin VAX–ı xətti olmalıdır, yəni, keçid həqiqətən də omik
olmalıdır;
85
– omik keçiddən YK–nın qonşu hissələrinə YD–nin injeksiyası
baş verməməli, omik kontaktda və yaxud onun yaxınlığında
qeyri–əsas YD–nın yığılması baş verməməlidir;
– omik keçiddə gərginlik düşküsü mümkün qədər kiçik olmalı,
yəni, kontaktın müqaviməti minimal olmalıdır.
Nuclear electronics
– ядерная электроника (ЯЭ). Область электроники, свя-
занная с применением электронных приборов и ус-
тройств для обнаружения и регистрации α- и β-частиц,
рентгеновского и γ-излучений, нейтронов, протонов и др.
элементарных частиц. Основными элементами устройств
ЯЭ являются: линейные импульсные усилители, элек-
трометры, зарядочувствительные предусилители, ампли-
тудные дискриминаторы, многоканальные амплитудные
и временные анализаторы, искровые ионизационные ка-
меры, сцинтилляционные счетчики, аналого–цифровые
преобразователи и т.д. Малая длительность ядерных про-
цессов, их высокая частота и наличие фона требуют от
приборов ЯЭ высокого временного разрешения и спо-
собности одновременно измерять большое количество
параметров (амплитуды сигнала, времени его прихода,
координаты точки регистрации частиц и т.д.)
Наиболее широко приборы и устройства ЯЭ исполь-
зуются в ядерной физике и физике элементарных частиц
средних и высоких энергий (до 10 ГэВ). Кроме того, уст-
ройства и методы ЯЭ применяют там, где приходиться
иметь дело с ионизирующими излучениями, в т.ч. в про-
мышленности, ядерной энергетике, космических исс-
ледованиях, медицине и биологии, химической промыш-
ленности и многих других областях науки и техники.
Широкое использование приборов и устройств ЯЭ обу-
словило появление самостоятельной отрасли – ядерного
приборостроения.
86
– nüvə elektronikası (NE). Elektronikanın α- və β-hissəcikləri,
rentgen və γ-şüalanmanı, neytronları, protonları və s.
elementar hissəcikləri aşkar etmək və qeyd etmək üçün elek-
tron cihaz və qurğuların tətbiqi ilə bağlı olan sahəsi. NE qur-
ğularının əsas elementləri aşağıdakılardır: xətti impuls güc-
ləndiriciləri, elektrometrlər, yükə həssas ilkin gücləndiricilər,
amplitud diskriminatorları, çoxkanallı amplitud və zaman
analizatorları, qığılcımlı ionlaşma kameraları, sintilyasiya ka-
meraları, analoq–rəqəm çeviriciləri,və s. Nüvə proseslərinin
davametmə müddətinin kiçik və tezliyinin yüksək olması,
həmçinin fonun mövcud olması NE cihazlarının üzərinə za-
mana görə ayırdetmənin yüksək olması və çoxlu sayda pa-
rametrlərin (məsələn, siqnalın amplitudu, siqnalın daxil olma
zamanı, zərrəciklərin qeyd olunduğu nöqtənin koordinatları
və s.) eyni zamanda ölçülə bilməsi kimi tələblər qoyur.
NE cihazları və qurğuları nüvə fizikasında, orta və yüksək
enerjili (10 QeV–a qədər) elementar zərrəciklər fizikasında
istifadə edilir. Bundan əlavə, NE cihazları və qurğuları
ionlaşdırıcı şüalanma olan yerlərdə, məsələn, cənayedə, nüvə
energetikasında, kosmik tədqiqatlarda, səhiyyədə və biolo-
giyada, kimya sənayesində, elm və texnikanın bir çox başqa
sahələrində tətbiq edilir. NE cihazları və qurğularının geniş
tətbiqi nəticəsində yeni müstəqil bir istiqamət – nüvə cihazqa-
yırması yaranmışdır.
Nuclear magnetic resonance
– ядерный магнитный резонанс (ЯМР). Резонансное по-
глощение или излучение веществом электромагнитной
энергии в радиочастотном диапазоне, обусловленное пе-
реориентацией магнитных моментов атомных ядер, по-
мещенных в магнитное поле. В основе явления ЯМР ле-
жат магнитные свойства атомных ядер.
В настоящее время трудно указать такую область есте-
ственных наук, где бы не использовался ЯМР. Методы
спектроскопии ЯМР широко применяются в химии, мо-
87
лекулярной физике, биологии, агрономии, медицине, при
изучении природных минералов, то есть в таких научных
направлениях, в которых исследуются строение вещест-
ва, характер химических связей, межмолекулярные взаи-
модействия и т.д.
Методы ЯМР находят все более широкое применение
для изучения технологических процессов в заводских ла-
бораториях, а также для контроля и регулирования хода
этих процессов. Магнитно-резонансные методы позво-
ляют обнаруживать нарушения протекания биологиче-
ских процессов на самой ранней стадии. Разработаны и
выпускаются установки для исследования всего тела че-
ловека методами магнитного резонанса (методами ЯМР-
томографии).
– nüvə maqnit rezonansı (NMR). Maqnit sahəsində yerləşdiril-
miş maddənin atom nüvələrinin maqnit momentlərinin yönəl-
məsinin dəyişməsi nəticəsində radiotezliklər diapazonunda
elektromaqnit enerjisinin rezonans udulması və ya şüalan-
dırılması. NMR hadisəsi atom nüvələrinin maqnit xassələri-
nin hesabına baş verir.
Hazırda təbiət elmlərinin elə bir sahəsini göstərmək olmaz
ki, orada NMR hadisəsi istifadə olunmasın. NMR–spektros-
kopiya üsulları kimyada, molekulyar fizikada, biologiyada,
aqronomiyada, səhiyyədə, təbii mineralların öyrənilməsində,
bir sözlə, maddə quruluşunun, kimyəvi rabitələrin xarakteri-
nin, molekullararası qarşılıqlı təsirin və s. tədqiq olunduğu
elm sahələrində geniş tətbiq edilir. NMR üsulları zavod labo-
ratoriyalarında texnoloji prosesləri öyrənmək üçün, həmçinin
həmin proseslərə nəzarət etmək və onları tənzimləmək üçün
istifadə edilir. NMR üsulları bioloji proseslərin gedişinin
pozulmasını ilkin mərhələdə aşkar etməyə imkan verir. NMR
metodu ilə insan bədəninin tədqiq olunması üçün qurğular
işlənib hazırlanmış və istehsal olunur (NMR-tomoqrafiya).
88
Off–state of a thyristor
– закрытое состояние тиристора. Состояние тиристора,
соответствующее участку прямой ветви ВАХ между ну-
левой точкой и точкой переключения.
– tiristorun bağlı vəziyyəti. Tiristorun VAX–nın düz qolunun
sıfır ilə aşırma nöqtələri arasındakı hissəsinə uyğun vəziyyəti.
On–state of a thyristor
– открытое состояние тиристора. Состояние тиристо-
ра, соответствующее низкоомному и низковольтному
участку прямой ветви ВАХ тиристора
– tiristorun açıq vəziyyəti. Tiristorun VAX–nın düz qolunun
kiçik omlu və kiçik voltlu hissəsinə uyğun vəziyyəti.
Operational amplifier
– операционный усилитель. Операционный усилитель
(ОУ) – это усилитель постоянного тока с дифференциаль-
ным входом и, как правило, единственным выходом,
имеющий высокий коэффициент усиления. ОУ почти
всегда используются в схемах с глубокой отрицательной
обратной связью. ОУ предназначены для усиления как
постоянных, так и переменных сигналов. Ранее такие
усилители использовали главным образом в аналоговых
вычислительных устройствах для выполнения математи-
ческих операций. Это объясняет происхождение термина
«операционный». ОУ очень удобно использовать для ре-
шения самых различных задач преобразования и генери-
рования маломощных сигналов.
На рисунке 1 показаны условные графические обоз-
начения, а на рисунке 2 – структурная схема ОУ. Первый
каскад всегда выполняется по схеме симметричного
дифференциального каскада (ДК). В качестве второго
каскада часто используется ДК с несимметричным выхо-
дом, а выходной каскад выполняется по схеме эмиттер-
ного повторителя (каскад с общим коллектором). Совре-
89
менные ОУ в виде ИС гораздо сложнее, кроме того, со-
держат дополнительные элементы, скажем для стабили-
зации режима покоя, для увеличения входного сопротив-
ления, повышения коэффициента усиления и т.д.
Одной из важнейших характеристик ОУ является пе-
редаточная (амплитудная) характеристика: Uвых=f(Uвх)
(рис.3). Рабочим участком является наклонный (линей-
ный) участок, угол наклона которого определяется значе-
нием КU.ОУ. У реальных ОУ характеристика может про-
ходить как слева, так и справа от начала координат. На-
пряжение Uдиф, при котором выполняется условие Uвых=0,
называют напряжением смещения (смещение нуля).
Рисунок 2. Структурная схема ОУ
Şəkil 2. ƏG–nin quruluş sxemi
Рисунок 1. Условные графические обозначения ОУ
Şəkil 1. ƏG–in şərti rafik işarələri
+
–
Udif
-U
+U
+E
-E
инвертирующий вход
(inversləşdirən giriş)
неинвертирующий вход
(inversləşdirməyən giriş)
выход
(çıxış)
-Eп
+Eп
Uвх1
Uвх2
Uвых
ОК
(ЭП)
несиммет.
ДК
симметр.
ДК Uвых
+Eп
-Eп
Uвх2
Uвх1
90
– əməliyyat gücləndiricisi (ƏG). ƏG diferensial girişi və bir
qayda olaraq bir çıxışı olan, böyük gücləndirmə əmsalına
malik sabit cərəyan gücləndiricisidir. ƏG demək olar ki,
həmişə dərin mənfi ƏƏ olan sxemlərdə istifadə edilir. ƏG
həm sabit, həm də dəyişən siqnalları gücləndirir. Əvvəllər
belə gücləndiricilər əsasən analoq hesablayıcı qurğularda ri-
yazi əməliyyatlar aparmaq üçün istifadə edilirdi. Bu da ―əmə-
liyyat‖ termininin mənşəyini izah edir. ƏG–dən aşağı güclü
siqnalların çevrilməsi və generasiya edilməsi ilə bağlı bir çox
müxtəlif məsələlərin həllində istifadə etmək çox əlverişlidir.
Şəkil 1–də ƏG–nin şərti qrafik işarələri, şəkil 2–də isə
quruluş sxemi göstərilmişdir. Birinci kaskad həmişə sim-
metrik diferensial kaskad (DK) sxemi üzrə yığılır. Ikinci kas-
kad kimi çox vaxt qeyri–simmetrik çıxışlı DK istifadə edilir.
Çıxış kaskadı isə emitter təkrarlayıcısı sxemi üzrə (ümumi
kollektorlu sxem) qurulur. İS şəklində müasir ƏG göstərilənə
nisbətən çox–çox mürəkkəbdir və onların tərkibinə bir sıra
əlavə elementlər, məsələn, sükunət rejimini stabilləşdirmək,
giriş müqavimətini artırmaq, gücləndirmə əmsalını yüksəlt-
mək və s. üçün elementlər daxildir.
Рисунок 3. Передаточная характеристика ОУ
Şəkil 3. ƏG–nin ötürmə xarakteristikası
неинвертирующий
вход
(inversləşdirməyən giriş)
+Eпит
(+Eqida)
Uвых, В
(Uçıx, V)
-Uвх, мВ (-Ugir, mV)
0
max.gU
)max.(gU
min.BXU
)min.
(g
U
инвертирующий
вход
(inversləşdirən
giriş) +Uвх, мВ (+Ugir, mV)
–Eпит
(–Eqida)
91
ƏG–nin mühüm xarakteristikalarından biri ötürmə (ampli-
tud) xarakteristikasıdır: Uçıx=f(Ugir.dif) (şəkil 3). Burada maili
(xətti) hissə işçi hissədir. Bu hissənin meyl bucağı KU.ƏG
əmsalının qiyməti ilə təyin olunur. Real ƏG–nin ötürmə xa-
rakteristikası koordinat başlanğıcının ya sağ, ya da sol tərəfin-
dən keçə bilər. Uçıx=0 şərtinin ödənilməsi üçün lazım olan
Udif gərginliyi sürüşmə gərginliyi (sıfırın sürüşməsi) adlanır.
Optical cavity (optical resonator)
– оптический резонатор (ОР). Резонатор оптического
диапазона длин волн, образованный совокупностью от-
ражающих поверхностей, в котором могут возбуждаться
и поддерживаться слабозатухающие электромагнитные
колебания различного вида. Отражающими элементами в
ОР служат зеркала, в большинстве случаев представляю-
щие собой стеклянные пластины, призмы и т.д. с напы-
ленными на их поверхность диэлектрическими или ме-
таллическими покрытиями. Эти покрытия способствуют
увеличению коэффициента отражения. ОР применяются
в лазерах и интерферометрах в качестве резонансной сис-
темы.
– optik rezonator (OR). Əksetdirici səthlərin toplusundan ibarət
olub, optik diapazona daxil olan dalğalar rezonatoru. Belə
rezonatorda müxtəlif növ yavaş sönən elektromaqnit rəqsləri
həyəcanlana və saxlanıla bilər. OR–da qaytarıcı səthlər olaraq
güzgülər istifadə edilir. Bir çox hallarda bu güzgülər səthinə
dielektrik və ya metal təbəqə çökdürülmüş şüşə lövhələr,
prizmalar və s.–dən ibarətdir. Bu təbəqələr qaytarma əm-
salının artmasına kömək edir. OR lazerlərdə və interferometr-
lərdə rezonans sistemi kimi istifadə edilir.
92
Optical communication ( light communication)
– оптическая связь (ОС). Передача информации посредст-
вом света. Развитию ОС способствовало появление лазе-
ров, а также создание и непрерывное совершенствование
малоинерционных высокочувствительных приемников
излучения в оптическом диапазоне. Оптическая связь по
сравнению со связью на радиочастотах имеет следующие
основные преимущества: большая ширина полосы частот
для передачи информации, в 104 раз превышающая поло-
су частот всего радиодиапазона, и высокая направлен-
ность излучения при входных и выходных апертурах,
значительно меньших апертур антенн в радиодиапазоне.
Последнее достоинство оптической связи позволяет при-
менять в передатчиках оптических систем связи генера-
торы с относительно малой мощностью и обеспечивает
повышенную помехозащищенность и скрытность связи.
Кроме того, лазерная ОС значительно превосходит дру-
гие виды связи по числу каналов, дальности и скорости
передачи. Лазерные линии ОС подразделяются на косми-
ческие, атмосферные и наземные.
– optik rabitə (OR). Məlumatın işıq vasitəsilə ötürülməsi.
Lazerlərin meydana gəlməsi, həmçinin azətalətli, optik diapa-
zonda yüksək həssaslığa malik şüa qəbuledicilərinin yaran-
ması və fasiləsiz olaraq təkmilləşdirilməsi OR–nin inkiçafına
təkan vermişdir. OR radiotezliklərdəki rabitəyə nisbətən aşa-
ğıdakı üstünlüklərə malikdir: məlumatı ötürmək üçün tezlik
zolağının eni bütün radiodiapazona nisbətən 104
dəfə genişdir
və şüalanma yüksək istiqamətlənmiş olur. OR–in sonuncu üs-
tünlüyü OR sistemlərinin ötürücülərində nisbətən aşağı güclü
generatorlardan istifadə etməyə imkan verir, rabitənin təhrif-
lərdən yüksək səviyyədə qorunmasını və məxfiliyini təmin
edir. Bundan başqa, lazer OR digər rabitə növləri ilə müqayi-
sədə kanalların sayına, uzaq məsafəliliyinə və ötürülmə sürə-
tinə görə çox böyük üstünlüklərə malikdir. Lazer optik rabitə
xətləri kosmik, atmosfer və yerüstü kimi qruplara bölünür.
93
Optical detector (optical receiver)
– приемник оптического излучения (ПОИ). Устройство,
изменение состояния которого под действием оптическо-
го излучения служит для обнаружения и измерения этого
излучения. Оптическое излучение взаимодействует с ве-
ществом чувствительного элемента ПОИ, в результате
чего энергия излучения преобразуется в другие виды
энергии (тепловую, электрическую, механическую и др.),
более удобные для непосредственного измерения. В за-
висимости от механизма преобразования энергии ПОИ
подразделяются на тепловые, фотоэлектрические, фото-
химические и пондеромоторные (механические). По
спектральному диапазону чувствительности ПОИ разде-
ляют на неселективные и селективные. Различают также
одноэлементные и многоэлементные, охлаждаемые и не-
охлаждаемые ПОИ. К ПОИ могут быть отнесены и глаза
живых существ. Человеческий глаз является селективным
ПОИ, чувствительным в видимой области спектра
(0,4÷0,8 мкм) и с максимальной чувствительностью око-
ло 0,555 мкм. Адаптированный в темноте глаз человека
имеет пороговую чувствительность 10-17
Вт/с, что соот-
ветствует нескольким фотонам в 1с.
– optik şüalanma qəbuledicisi (OŞQ). Optik şüalanmanın təsiri
ilə vəziyyətinin dəyişməsi hesabına həmin şüalanmanı aşkar
etməyə və ölçməyə imkan verən qurğu. Optik şüalanma
OŞQ–nin həssas elementi ilə qarşılıqlı təsirdə olur, nəticədə
şüa enerjisi bilavasitə ölçmək üçün daha əlverişli olan istilik,
elektrik, mexaniki və s. növ enerjilərə çevrilir. Enerjinin çev-
rilmə mexanizmindən asılı olaraq OŞQ–ləri istilik, foto-
elektrik, fotokimyəvi və pondemotor (mexaniki) kimi növlərə
bölünür. Spektral həssaslıq diapazonuna görə OŞQ qeyri–
selektiv və selektiv olur. Bundan başqa, birelementli və çox-
elementli, soyudulan və soyudulmayan OŞQ mövcuddur.
Canlı məxluqların gözləri də OŞQ hesab edilə bilər. Insan gö-
zü selektiv OŞQ–dir. O spektrin (0,4÷0,8) mkm hissəsində
94
həssasdır, maksimal həssaslığı 0,555 mkm–ə uyğundur. Qa-
ranlığa uyğunlaşmış insan gözünün astana həssaslığı 10-17
Vt/san-dir ki, bu da 1saniyədə bir neçə fotona uyğundur.
Optical Processor
– оптический процессор (ОП).Устройство, представляю-
щее собой совокупность оптических и оптоэлектронных
элементов, выполняющих в соответствии с заданной
функцией (алгоритмом обработки информации) оптиче-
скую обработку информации. Различают аналоговые и
цифровые ОП. Аналоговый ОП состоит в основном из
элементов классической оптики (линз, зеркал, призм и
др.) и одного или нескольких пространственно–времен-
ных модуляторов света. Простейший однокаскадный ОП
используется для выполнения преобразований Фурье и
Френеля, а также операции умножения над двумерными
функциями. Использование многокаскадных аналоговых
ОП обеспечивает выполнение таких линейных операций
над двумерными функциями, как интегрирование, вы-
числение функций корреляции, автокорреляции и др. с
более высокой скоростью, чем при электронном способе
обработки (с помощью ЭВМ). Цифровой ОП представ-
ляет собой один или несколько пространственно–времен-
ных модуляторов света, состоящих из дискретных ячеек
и волоконно-оптических элементов, осуществляющих пе-
редачу оптических пространственно-временных сигналов
между ячейками модуляторов. Цифровые ОП предназ-
начены в основном для использования в высокопроиз-
водительных вычислительных комплексах.
– optik prosessor (OP). Verilmiş funksiyaya (məlumatın emal
olunma alqoritminə) uyğun olaraq məlumatı optik emal edən
optik və optoelektron elementlərdən ibarət olan qurğu.
Analoq və rəqəmli OP mövcuddur. Analoq OP əsasən klassik
optika elementlərindən (linza, güzgü, prizma və s.) və bir və
ya bir neçə fəza–zaman işıq modulyatorlarından ibarətdir. Ən
95
sadə birkaskadlı OP Furye və Frenel çevrilmələri, həmçinin
ikiölçülü funksiyalar üzərində vurma əməliyyatını yerinə
yetirmək üçün istifadə edilir. Çoxkaskadlı analoq OP–dən
istifadə edilməsi ikiölçülü funksiyalar üzərində inteqrallama,
korrelyasiya və avtokorrelyasiya funksiyalarının hesablan-
ması və s. xətti əməliyyatların elektron emal üsuluna nisbətən
(EHM–in köməyilə) daha yüksək sürətlə yerinə yetirilməsini
təmin edir. Rəqəmli OP diskret özəklərdən ibarət olan bir və
ya bir neçə fəza–zaman işıq modulyatorlarından və lifli optik
elementlərdən təşkil olunur. Lifli optik elementlərin
funksiyası modulyatorların elementləri arasında optik fəza–
zaman siqnallarını ötürməkdir. Rəqəmli OP–lər əsasən
yüksək məhsuldarlıqlı hesablama komplekslərində istifadə
edilir.
Optical storage
– оптическое запоминающее устройство. Запоминающее
устройство, в котором, по крайней мере, один из видов
обращения к информации (запись, считывание или сти-
рание) осуществляется с использованием оптического
излучения. В состав оптических ЗУ входят: источник и
приемник излучения, оптическая запоминающая среда
(носитель данных), модулятор света, обьективы, зеркала
и др. устройства управления световым пучком. Оптичес-
кие ЗУ применяются в вычислительных и информа-цион-
ных системах в качестве внешней памяти, а также для
хранения сверхбольших объемов информации (~108
÷
1013
бит).
– optik yaddaş qurğusu (Optik YQ). Optik YQ-də məlumata
müraciətin ən azı bir növü (yazılması, oxunması və ya
silinməsi) optik şüalanmadan istifadə etməklə baş verir. Optik
YQ–nin tərkibinə şüa mənbəyi və qəbuledicisi, optik yaddaş
mühiti (verilənlərin daşıyıcısı), işıq modulyatoru, obyektivlər,
güzgülər və işıq şüasını idarə edən digər qurğular daxildir.
Optik YQ hesablama və məlumat sistemlərində xarici yaddaş
96
qurğusu kimi, həmçinin ifrat böyük həcmli (~108÷10
13 bit)
məlumatları saxlamaq üçün xarici yaddaş qurğusu kimi
istifadə edilir.
Optical waveguide (light conductor)
– световод. Элемент оптической системы, служащий для
направленной передачи света. В открытом пространстве
передача световой энергии возможна только в пределах
прямой видимости и связана с потерями, обусловлен-
ными начальной расходимостью излучения, поглощени-
ем и рассеянием в атмосфере. Переход к световоду по-
зволяет значительно уменьшить потери световой энер-
гии, а также передавать световую энергию по криволи-
нейным трассам. По конструкции различают световоды
линзовые, волоконные, планарные, полосковые (каналь-
ные) и др.
– işıq ötürücüsü. Optik sistemin işığın istiqamətlənmiş
ötürülməsini təmin edən elementi. Açıq fəzada yalnız birbaşa
görünmə məsafəsində işıq enerjisinin ötürülməsi mümkündür.
Bu halda şüalanmanın ilkin yayılması ilə, atmosferdə udul-
ması və səpilməsi ilə əlaqədar itkilər baş verir. İşıq ötürü-cü-
sündən istifadə işıq enerjisinin itkilərini xeyli azaltmağa,
həmçinin enerjini əyrixətli yollarla ötürməyə imkan verir.
Konstruksiyasına görə işıq ötürücülərinin linzalı, lifli, planar,
zolaqlı (kanallı) və s. növləri var.
Optocouple
– оптопара. К оптропарам (оптронам) относят устройства,
состоящие из фотоприемника и источника света (обычно
светодиода), которые могут быть связаны между собой
оптически, электрически или обеими видами связи. На
рис.1 показана схема оптрона с внутренней оптической
связью. При изменении тока через светодиод меняется
яркость его свечения, при некотором значении которой
фотодинистор перейдет в открытое состояние, т. е. изме-
97
нится протекающий через него и через нагрузку ток. В
этом и проявляется эффект усиления. Естественно, что
здесь должна быть хорошая оптическая и спектральная
согласованность. Особенностью здесь является полная
электрическая развязка входа и выхода прибора, что пол-
ностью исключает обратную электрическую связь с вы-
хода на вход.
На рис.2 показана схема оптрона с электрической свя-
зью, где в качестве фотоприемника служит фоторезистор,
сопротивление которого меняется с изменением осве-
щенности.
При этом происходит перераспределение напряжений
и меняется ток в последовательной цепи, что приводит к
изменению яркости свечения светодиода. В последней
схеме помимо усиления можно реализовать преобразова-
ние видимого излучения одной длины волны в видимое
излучение другой длины волны; невидимое инфракрас-
ное в видимое; рентгеновское в видимое и т.д.
– optocüt. Bir–biri ilə optik, elektrik və ya eyni zamanda hər iki
növ pabitə ilə bağlı olan fotoqəbuledici və işıq mənbəyindən
ibarət olan qurğu optocüt (optron) adlanır. Şəkil 1–də daxili
optik rabitəsi olan optronun sxemi göstərilmişdir. Işıq
diodundan keçən cərəyan dəyişdikdə onun şüalanmasının par-
laqlığı da dəyişir və parlaqlığın müəyyən qiymətində fotodi-
+
–
Рисунок 1. Схема оптрона с
внутренней оптической связью
Şəkil 1. Daxili optik rabitəli
optronun sxemi
Рисунок 2. Схема оптрона с внут-
ренней электрической связью
Şəkil 2. Daxili elektrik
rabitəli optronun sxemi
+
–
Uвх
(Ugir)
Uвых
(Uçıx)
98
nistor açıq hala keçir, yəni fotodinistordan və yükdən keçən
cərəyan dəyişir. Beləliklə gücləndirmə effekti baş verir. Təbii
ki, şüa mənbəyi və qəbuledici arasında optik və spektral
uyğunluq olmalıdır. Göstərilən halda əsas xüsusiyyət giriş və
çıxış arasında elektrik rabitəsinin olmamasıdır. Bu isə çıxışla
giriş arasında əks əlaqəni tam istisna edir.
Şəkil 2–də elementləri arasında elektrik rabitəsi olan,
fotoqəbuledici olaraq fotorezistordan istifadə edilmiş optro-
nun sxemi göstərilmişdir. Xarici işıqlanma dəyişərkən foto-
rezistorun müqaviməti dəyişir. Bu zaman elementlər arasında
gərginlik yenidən paylanır və ardıcıl dövrədə axan cərəyan
dəyişir. Bu isə işıq diodunun şüalanmasını dəyişdirir. Göstəri-
lən sxem vasitəsilə gücləndirmədən başqa hər hansı bir dalğa
uzunluqlu görünən işığı başqa dalğa uzunluqlu görünən işığa,
infraqırmızı işığı görünən işığa, rentgen şüalarını görünən işı-
ğa və s. çevirmək mümkündür.
Optoelectronics – оптоэлектроника (ОЭ). Раздел электроники, занимаю-
щийя исследованием эффектов взаимодействия электро-
магнитных волн оптического диапазона (3·1011
÷3·1017
Гц) с веществом (обычно с твердым телом) и разработкой
оптоэлектронных приборов и устройств, использующих
эти эффекты для передачи, хранения, обработки и ото-
бражения информации. ОЭ использует достижения ряда
областей науки и техники, в том числе квантовой элек-
троники, ПП электроники, микроэлектроники и т.д. При-
менение оптических сигналов позволяет повысить ско-
рость передачи и обработки информации благодаря их
высокой частоте и возможности параллельного функцио-
нирования многих каналов. В наибольшей степени ис-
пользуются такие свойства оптических сигналов, как вы-
сокая помехозащищѐнность, обеспечение надѐжных
гальванических развязок между электронными цепями,
99
слабое затухание в волоконных световодах и возмож-
ность точной фокусировки.
Основными элементами ОЭ являются источники излу-
чения (когерентные и некогерентные), фотоприѐмники,
модуляторы, дефлекторы, волоконные световоды и со-
гласующие элементы, мультиплексоры и демультиплек-
соры, а также пространственно-временные модуляторы,
используемые для двумерного динамического отображе-
ния и обработки информации.
В настоящее время можно выделить два направления
развития ОЭ: электронно–оптическое и оптическое. Пер-
вое направление основано на принципе фотоэлектриче-
ского преобразования, реализуемого в теле внутренним
фотоэффектом и электролюминесценцией; второе – ос-
новано на тонких эффектах взаимодействия твердого те-
ла с электромагнитным излучением и использует лазер-
ную технику, голографию, фотохимию и т.д.
– optoelektronika (OE). Elektronikanın bir bölməsi olaraq aşa-
ğıdakı məsələləri əhatə edir:
– optik diapazona daxil olan elektromaqnit dalğalarının
(3·1011
÷3·1017
Hs) maddə ilə (adətən bərk cisimlə) qarşılıqlı
təsiri zamanı baş verən effektlərin öyrənilməsi;
– bu effektlərdən istifadə etməklə məlumatı ötürmək, saxla-
maq, emal etmək və əks etdirmək üçün optoelektron cihaz
və qurğuların yaradılması.
OE elm və texnikanın bir çox sahələrinin, (kvant elektroni-
kası, YK elektronika, mikroelektronika və s.) nailiyyətlərin-
dən istifadə edir.
Optik siqnallardan istifadə edilməsi məlumatın ötürülmə
və emal edilmə sürətini artırmağa imkan verir. Bu onların tez-
liyinin daha yüksək olması və çoxlu sayda kanalların eyni za-
manda fəal ola bilməsi hesabına mümkün olur. Lakin ən çox
optik siqnalların aşağıdakı xassələrindən istifadə edilir: təhrif-
lərdən yüksək dərəcədə mühafizə; elektron dövrələrinin bir–
birindən etibarlı şəkildə halvanik təcrid olunması; lifli işıq
100
ötürücülərində sönmənin zəif olması və dəqiq fokuslama
imkanı.
OE–nin əsas elementləri şüa mənbələri (koherent və qeyri–
koherent), fotoqəbuledicilər, modulyatorlar, deflektorlar, lifli
işıq ötürücüləri və uzlaşdırıcı elementlər, multipleksorlar və
demultipleksorlar, həmçinin məlumatı ikiölçülü şəkildə dina-
mik əks etdirmək və emal etmək üçün istifadə edilən fəza–za-
man modulyatorlarıdır.
Hazırda OE–nin inkişaflnda iki əsas istiqaməti ayırmaq
olar: elektron–optik və optik istiqamətlər. Birinci istiqamət
bərk cisimdə daxili fotoeffekt və elektrolüminessensiya ilə
əlaqədar olan fotoelektrik çevrilmə prinsipinə əsaslanır; ikin-
cisi isə lazer texnikası, qoloqrafiya, fotokimya və s. istifadə
edən və bərk cisimlə elektromaqnit dalğaları arasında incə
qarşılıqlı təsirə əsaslanan istiqamətdir.
Optoelectronic switch
– оптоэлектронный переключатель (ОЭП). Бесконтакт-
ный переключатель, действие которого основано на ис-
пользовании светового потока. В качестве основных эле-
ментов содержит источник оптического излучения и фо-
топриемник, связанные между собой управляемым или
неуправляемым оптическим каналом. В простейшем слу-
чае ОЭП представляет собой оптрон, управляемый по
входу. Коммутация посредством ОЭП осуществляется
при изменении генерируемого источником светового по-
тока. ОЭП находят применение в бесконтактных комму-
тационных устройствах вычислительной техники, связи,
а также для контроля электрических процессов и т.д.
– optoelektron aşırıcı (OEA). Iş prinsipi işıq selindən istifadə
edilməsinə əsaslanan kontaktsız aşırıcı. Əsas elementləri bir–
biriilə idarəolunan və ya idarəolunmayan optik kanalla bağlı
olan optik şüalanma mənbəyi və fotoqəbuledicidir. Ən sadə
OEA giriş üzrə idarə olunan optrondur. Mənbənin generasiya
etdiyi işıq seli dəyişdikdə OEA vasitəsilə kommutasiya baş
101
verir. OEA hesablama texnikasının və rabitənin kontaktsız
kommutasiya qurğularında, həmçinin elektrik proseslərinə
nəzarət edən qurğularda və s. istifadə edilir.
Optorelay (solid state relay)
– оптореле (твердотельное реле). Оптроны с полевым
транзистором или фотосимистором.
– optorele (bərk cisim relesi). Sahə tranzistorlu və ya
fotosimistorlu optronlar.
Output characteristic
– выходная характеристика (БТ или ПТ). Семейство
ВАХ, связывающих выходные ток и напряжение: Iвых=f
(Uвых). Например, для биполярного транзистора с общим
эмиттером выходная характеристика имеет следующий
вид: Ik=f(UKE) при IБ=const. (рис. а). Выходная харак-
теристика полевого транзистора представляют собой за-
висимости тока стока от напряжения стока при постоян-
ном напряжении на затворе (рис.b). Обычно, выходные
характеристики снимают при различных постоянных
значениях входного тока (в случае БТ) или напряжения
на затворе (в случае ПТ).
a) b)
IC
(ИМб)
UСИ
(УММб)
UЗИ
(URM)
I
II
UKE
Ik РК.мах.
ИБ
І
ІІ
ІІІ
102
– çıxış xarakteristikası (bipolyar və ya sahə tranzistoru).
Çixiş cərəyanı və gərginliyi arasında əlaqəni əks etdirən VAX
ailəsi: İçıx=f(Uçıx). Məsələn, ümumi emitterli BT üçün çıxış
xarakteristikası aşağıdakı kimi yazılır: İK=f(UKE) İB=const.
olmaq şərtilə (şəkil a). Sahə tranzistorunun çıxış xarakteris-
tikası rəzə gərginliyinin sabit qiymətlərində mənsəb cərəya-
nının mənsəb gərginliyindən asılılığıdır (şəkil b). Adətən çı-
xış xarakteristikaları giriş cərəyanının (BT halında) və ya rəzə
gərginliyinin (sahə tranzistoru halında) müxtəlif sabit qiy-
mətlərində çıxarılır.
Output stage
– выходной каскад. Выходной каскад – это выходной уси-
литель мощности многокаскадного усилителя. Задачей
выходных каскадов является обеспечение заданной (дос-
таточно большой) мощности в нагрузке. Наиболее важ-
ными параметрами выходных каскадов являются коэф-
фициент полезного действия (к.п.д.) и коэффициент не-
линейных искажений при обеспечении заданной мощно-
сти. Выходные каскады обычно потребляют основную
часть мощности усилителя, поэтому высокий кпд имеет
существенное значение. Что касается коэффициента не-
линейных искажений, то для выходных каскадов он име-
ет немаловажное значение, поскольку в таких каскадах
усиливаемые сигналы максимальны. Исходными данны-
ми для расчета выходных каскадов являются заданные
сопротивление нагрузки и выделяемая в ней мощность.
– çıxış kaskadı. Çıxış kaskadı çoxkaskadlı gücləndiricinin
çıxışında olan güc gücləndiricisidir. Çıxış kaskadının vəzifəsi
yükdə təyin olunmuş, kifayət qədər böyük gücü təmin
etməkdir. Çıxış kaskadlarının mühüm parametrləri faydalı iş
əmsalı (f.i.ə.) və verilmiş güc təmin edildikdə qeyri–xətti təh-
riflər əmsalıdır. Adətən, çıxış kaskadları gücləndiricinin gü-
cünün əsas hissəsini sərf edir. Odur ki, f.i.ə. mühüm əhəmiy-
yətə malikdir. Çıxış kaskadlarında gücləndirilən siqnallar
103
maksimal olduğundan onlar üçün qeyri–xətti təhriflər əmsalı
da az əhəmiyyətli deyil. Çıxış kaskadlarının hesablanması
üçün tələb olunan ilkin verilənlər yük müqavimətinin və yük-
də ayrılan gücün əvvəldən verilmiş qiymətləridir.
Package of semiconductor device (case of semiconductor de-
vice)
– корпус ПП прибора. Часть конструкции прибора, предна-
значенный для защиты от воздействия окружающей сре-
ды, а также для присоединения прибора к внешним схе-
мам с помощью выводов.
– YK cihazın gövdəsi (korpusu). Cihazın konstruksiyasının bir
hissəsidir; ətraf mühitin təsirindən qorumaq, həmçinin
çıxışların köməyilə cihazı xarici sxemlərə qoşmaq üçündür.
Packing density
– плотность упаковки (интегральной схемы). Отношение
числа элементов ИМС к ее обьему без учета объема вы-
водов. Современные ИМС достигают плотности упаков-
ки до 1.000 элем./мм2.
– yerləşdirmə sıxlığı (inteqral sxemin). Çıxışların həcmi nəzərə
alınmadan İMS–in elmentlərinin sayının onun həcminə
nisbəti. Müasir İMS–də yerləşdirmə sıxlığı 1.000 elem./mm2
qədər qiymət alır.
Parallel feedback
– параллельная обратная связь. При параллельной ОС на
входе устройства алгебраически складываются входной
ток и ток ОС. В качестве сигнала ОС используется ток,
который вычитается из выходного тока. (см. также: Back
coupling).
– paralel əks əlaqə. Paralel ƏƏ zamanı qurğunun girişində giriş
cərəyanı ilə ƏƏ cərəyanı cəbri toplanır. ƏƏ siqnalı kimi çıxış
cərəyanından çıxılan cərəyan istifadə edilir.
104
Parametric amplifier (reactance amplifier)
– параметрический усилитель (ПУ). Усилитель электри-
ческих колебаний, в котором усиление сигнала осущест-
вляется за счѐт энергии внешнего источника, периодиче-
ски изменяющего ѐмкость или индуктивность нелиней-
ного реактивного элемента. Основным (усилительным)
элементом чаще всего служит варикап. По сравнению с
обычными усилителями имеет существенно более низкий
уровень собственных шумов. ПУ применяют главным
образом в радиоастрономии, дальней космической и
спутниковой связи, радиолокации как усилитель слабых
сигналов в СВЧ–диапазоне.– parametrik gücləndirici
(PG). İş prinsipi xarici mənbəyin enerjisi hesabına qeyri-xətti
reaktiv elementin tutumunun və ya induktivliyinin periodik
dəyişməsinə əsaslanan elektrik rəqslərinin gücləndiricisi.
Əsas gücləndirici element olaraq ən çox varikap istifadə
edilir. Adi gücləndiricilərlə müqayisədə PG–nin məxsusi
küylərinin səviyyəsi aşağıdır. PG əsasən radioastronomiyada,
uzaq kosmik və peyk rabitəsində, radiolokasiyada İYT–dia-
pazonda zəif siqnalların gücləndiricisi kimi istifadə edilir.
Parametric oscillator
– параметрический генератор. Генератор электромагнит-
ных колебаний, представляющий собой систему, в кото-
рой колебания возбуждаются и поддерживаются перио-
дическим изменением еѐ реактивного параметра (ѐмкости
или индуктивности).
– parametrik generator. Elektromaqnit rəqsləri generatorudur:
rəqslər qurğunun reaktiv parametrinin (tutumun və ya induk-
tivliyin) periodik dəyişməsi hesabına həyəcanlanır və sax-
lanılır.
Pass band (transmission band)
– полоса пропускания. Диапазон частот, в которой коле-
бания, проходящие через радиоэлектронные, акустичес-
кие, оптические и др. устройства, изменяют свою ампли-
105
туду или другие параметры в установленных границах.
Для электрических цепей (например, параллельно или
последовательно включѐнного колебательного контура) в
пределах полосы пропускания сопротивление цепи близ-
ко к своему максимальному или минимальному
значению.
– buraxma zolağı. Radioelektron, akustik, optik və s. qurğular-
dan keçən rəqslərin amplitudunun və ya digər parametrlərinin
təyin edilmiş həddlərdə dəyişdiyi tezlik diapazonu. Elektrik
dövrələri üçün (məsələn, paralel və ya ardıcıl qoşulmuş rəqs
konturu) buraxma zolağında dövrənin müqaviməti öz
maksimal və ya minimal qiymətinə yaxın olur.
Passivating layer
– пассивирующий слой. Обычно это слой диоксида крем-
ния (SiO2). Реже для специальных целей применяется
нитрид кремния (Si3N4); оксинитрид кремния
(Si3N4·SiO2); легированный двуоксид кремния, например
SiO2:P2O5; алюмосиликатное стекло (Al2O5·SiO2); различ-
ные многослойные комбинации слоев. В любом случае
это диэлектрические пленки.
– passivləşdirici təbəqə. Adətən bu SiO2 təbəqəsidir. Az–az
hallarda xüsusi məqsədlərlə silisium nitrid (Si3N4); silisium
oksinitrid (Si3N4·SiO2); oksidləşmiş silisium dioksid, məsələn
SiO2:P2O5; alümosilikat şüşə (Al2O5·SiO2); müxtəlif təbəqə-
lərin çoxlaylı kombinasiyaları istifadə edilir.
Passivation
– пассивация. Применяется для защиты поверхности ПП и
сформированные в нем p–n переходы от воздействия ок-
ружающей среды. Пассивирующие свойства проявляются
в резком снижении скорости окисления после образова-
ния тонкой плотной пассивирующей пленки на поверх-
ности.
106
– passivləşdirmə. YK–nın səthini və onda yaradılmış p–n
keçidləri ətraf mühitin təsirlərindən qorumaq üçün tətbiq
edilir. Passivləşdirici xassələrin mahiyyəti səthdə nazik sıx
passivləşdirici təbəqə yarandıqdan sonra oksidləşmə sürətinin
kəskin şəkildə azalmasıdan ibarətdir.
Passive filter
– пассивный фильтр. Фильтры на основе пассивных эле-
ментов (конденсаторов, катушек индуктивности, рези-
сторов). Пассивные фильтры не требуют никакого источ-
ника энергии для своего функционирования. В отличие
от активных фильтров в пассивных фильтрах не проис-
ходит усиления сигнала по мощности. Практически все-
гда пассивные фильтры являются линейными. На рисун-
ке показан пример простейшего LC-фильтра. При подаче
сигнала определѐнной частоты на вход фильтра (слева),
напряжение на выходе фильтра (справа) определяется
отношением реактивных сопротивлений катушки индук-
тивности (XL=ωL) и конденсатора (XC = 1 / ωC).
Пассивные фильтры ис-
пользуются в радио– и элек-
тронной аппаратуре, напри-
мер в акустических систе-
мах, источниках беспере-
бойного питания и т. д.
– passiv süzgəc. Passiv elementlər (kondensator, induktivlik
sarğacı, rezistor) əsasında süzgəc. Passiv süzgəclər fəaliy-
yətdə olmaq üçün heç bir qida mənbəyi tələb etmir. Aktiv
süzgəclərdən fərqli olaraq passiv süzgəclərdə siqnalların gücə
görə gücləndirilməsi baş vermir. Demək olar ki, həmişə
passiv süzgəclər xətti olurlar. Şəkildə sadə LC süzgəclərin bir
nümunəsi göstərilmişdir. Süzgəcin girişinə (sol tərəfə) müəy-
yən tezlikli siqnal verildikdə, çıxış gərginliyi (sağ tərəfdə)
induktivlik sarğacı ilə kondensatorun reaktiv müqavimət-
lərinin (XL=ωL və XC = 1 / ωC) nisbətləri ilə təyin olunur.
L
С
107
Passiv süzgəclər radio– və elektron aparatlarında, məsələn,
akustik sistemlərdə, fasiləsiz qidalandırma mənbələrində və s.
istifadə edilir.
Patterned etching
– травление, формирующее изображение. Процесс
травления, который использует маскирующий слой для
формирования изображения на поверхности пластины,
т.е. для удаления только избранных участков материала
на пластине.
– təsviri formalaşdıran aşılandırma. Lövhənin səthində təsviri
formalaşdırmaq üçün, yəni lövhə üzərində materialın ancaq
seçilmiş sahələrini kənarlaşdırmaq üçün maskalayıcı təbəqə-
dən istifadə edən aşılandırma prosesi.
Permanent memory (permanent storage device, Read Only
Memory – ROM)
– постоянное запоминающее устройство (ПЗУ). Внут-
реннее запоминающее устройство (ЗУ), предназначенное
для хранения информации, остающейся неизменной в те-
чение всего времени эксплуатации устройства. Обычно
это неизменные последовательности кодов, определяю-
щие алгоритмы, по которым функционирует устройство;
некоторые константы, требуемые для определенных вы-
числений или же небольшие стандартные программы,
необходимых при использовании данного устройства для
решения типовых задач. ПЗУ используется в основном
для считывания записанной в них информации. Запись
же осуществляется раз и навсегда. Поэтому в зарубежной
литературе этот класс ЗУ называют ROM (Read Only
Memory – память для считывания).
– daimi yaddaş qurğuları DYQ (sabit yaddaş qurğusu). Qur-
ğunun bütün istismar müddəti ərzində dəyişməyən məlumatı
saxlamaq üçün daxili yaddaş qurğusu. Adətən bu məlumat
qurğunun fəaliyyətinin alqoritmini təyin edən kodların
108
n–
n–
подложка
(altlıq)
исток
(mənbə)
затвор
(rəzə)
сток
(mənsəb)
dəyişməyən ardıcıllığı, müəyyən hesablamalar üçün lazım
olan sabitlər, yaxud da bu qurğudan tipik məsələlərin həlli
üçün istifadə edərkən zəruri olan kiçik standart proqram-
lardan ibarətdir. DYQ əsasən onda yazılan məlumatı oxumaq
üçün istifadə edilir. Məlumat isə bir dəfə və həmişəlik yazılır.
Odur ki, xarici ədəbiyyatda bu növ YQ ROM (Read Only
Memory – oxumaq üçün YQ) adlandırılır.
Permeable-base transistor
– транзистор с проницаемой базой (ТПБ). Транзистор с
вертикальным каналом со сверхмалой длиной, в котором
перенос носителей заряда обусловлен в основном тун-
нельным эффектом. Предельно малая величина L в ТПБ
определяется толщиной плѐнки, которая может быть
получена в современной установке молекулярно–лучевой
эпитаксии, и составляет несколько атомных слоев. Элек-
троны в ТПБ движутся от истока к стоку не вдоль по-
верхности ПП плѐнки, а в направлении, перпендикуляр-
ном поверхности плѐнки. Затвором служит металличес-
кая сетка, "погружѐнная" в толщу ПП структуры (рис).
Между металлической сеткой и ПП возникает барьер
Шоттки и по принципу действия ТПБ аналогичен ПТШ.
Толщина обеднѐнной об-
ласти вблизи проводников
сетки определяется напря-
жением на затворе. Если
толщина обеднѐнной облас-
ти меньше расстояния меж-
ду проводниками сетки, ка-
нал открыт и электроны
свободно движутся к стоку.
При достаточно большом
напряжении обеднѐнные
области перекрываются –
канал закрыт. ТПБ имеет
109
большое сходство с электронной лампой, в которой уп-
равляющим электродом является металлическая сетка.
ТПБ изготавливаются на основе эпитаксиальных
структур. Они характеризуются экспоненциальной зави-
симостью выходного тока от напряжения на затворе.
Применяются в основном в качестве малошумящих СВЧ
транзисторов.
– nüfuzolunan bazalı tranzistor NBT (bazasına nüfuz olunan
tranzistor). Yükdaşıyıcıların daşınması əsasən tunel effekti
ilə əlaqədar olan, ifrat qısa şaquli kanallı tanzistor. NBT–da
elektronlar mənbədən mənsəbə doğru YK təbəqənin səthi
boyunca deyil, səthə perpendikulyar istiqamətdə hərəkət
edirlər. Rəzə funksiyasını YK–nın həcminə daxil edilmiş me-
tal şəbəkə yerinə yetirir. Metal şəbəkə ilə YK arasında Şottki
çəpəri yaranır və iş prinsipinə görə NBT Şottki çəpərli sahə
tranzistoruna oxşayır. Metal şəbəkənin naqilləri yaxınlığında
yoxsullaşmış təbəqənin qalınlığı rəzə gərginliyindən asılıdır.
Yoxsullaşmış təbəqənin qalınlığı naqillər arasındakı məsafə-
dən kiçik olsa kanal açıq olur və elektronlar mənsəbə doğru
sərbəst hərəkət edirlər. Kifayət qədər böyük gərginliklərdə
yoxsullaşmış təbəqələr bir–birini örtür və kanal bağlı olur.
NBT epitaksial quruluşlar əsasında hazırlanır. Onlar çıxış
cərəyanının rəzə gərginliyindən eksponensial asılılığı ilə
xarakterizə olunurlar. Əsasən az küylü İYT tranzistor kimi
istifadə olunurlar.
Perpetuum mobile (perpetual motion machine, continuously
operating machine)
– вечный двигатель (ВД). Вечный двигатель 1-го рода
(perpetual motion machine of the first kind) – воображаемая
машина, которая может совершать работу неограничен-
ное время, не заимствуя энергии извне. Бесплодные по-
пытки построить ВД 1-го рода, которые предпринима-
лись с 13 века, привели к убеждению в его невозможно-
110
сти, и с 1775 года Парижская АН отказалась рассматри-
вать подобные проекты. ВД 1-рода противоречит закону
сохранения и превращения энергии, т.е. первому закону
термодинамики. Невозможность ВД 1-го рода – одна из
формулировок 1-го закона. ВД 2-го рода – воображаемая
периодически действующая машина, которая использует
энергию источника тепла и целиком превращает ее в ра-
боту без каких–либо изменений в окружающей среде.
Невозможность ВД 2-го рода – одна из формулировок
второго начала термодинамики. Работа ВД 2-го двигателя
привела бы к убыванию энтропии изолированной систе-
мы.
– daimi mühərrik (DM). 1–ci növ daimii mühərrik (perpetual
motion machine of the first kind) kənardan enerji almadan
qeyri–məhdud müddət ərzində işləyə bilən xəyali maşındır.
1–ci növ DM yaratmaq üçün 13–cü əsrdən başlayaraq göstə-
rilən cəhdlərin heç bir nəticə verməməsi onun mümkünsüz
olması qənaətinə gətirdi və 1775–ci ildən başlayaraq Paris
EA–ı belə layihələrə baxmaqdan imtina etdi. 1–ci növ DM
enerjinin saxlanması və çevrilməsi qanununa, yəni, termodi-
namikanın birinci qanununa (başlanğıcına) ziddir. 1–ci növ
DM–in mümkünsüzlüyü birinci qanununun ifadə formala-
rından biridir. 2–ci növ DM istilik mənbəyinin enerjisindən
istifadə edən, onu bütünlüklə işə çevirən və bu zaman ətraf
mühitdə heç bir dəyişiklik yaratmayan, periodik fəaliyyət
göstərən xəyali maşındır. 2–ci növ DM–in mümkünsüzlüyü
termodinamikanın ikinci başlanğıcı ilə ifadə olunur. Belə ki,
2–ci növ DM–in işi qapalı sistemin entropiyasının azalmasına
səbəb olardı.
Phase control – фазовое управление – характеризуется тем, что изменение
напряжения на нагрузке достигается изменением угла
управления. (см. также: control angle)
111
– faza ilə idarəetmə – idarə bucağını dəyişməklə yük gərginli-
yinin idarə edilməsi üsulu (bax həmçinin: control angle)
Phase-frequency characteristic – фазочастотная характеристика (ФЧХ). Зависимость
угла сдвига фазы между выходным и входным напряже-
ниями от частоты. В ряде случаев для наглядности строят
фазовые характеристики отдельно для области низких и
области верхних рабочих частот. Для линейной электри-
ческой цепи ФЧХ – это зависимость сдвига по фазе меж-
ду гармоническими колебаниями на выходе и входе этой
цепи от частоты гармонических колебаний на входе. Для
подавляющего большинства цепей ФЧХ однозначно свя-
зана с амплитудно-частотной характеристикой.
– faza–tezlik xarakteristikası (FTX). Çıxış və giriş gərginlik-
ləri arasında faza sürüşmə bucağının tezlikdən asılılığı. Bir
çox hallarda bu xarakteristika aşağı və yüksək tezliklər üçün
ayrılıqda öyrənilir. Xətti elektrik dövrəsi üçün FTX dövrənin
çıxışındakı və girişindəki harmonik rəqslər arasında faza
sürüşməsinin girişdəki harmonik rəqslərin tezliyindən asılılı-
ğıdır. Əksər dövrələr üçün FTX birmənalı olaraq amplitud–
tezlik xarakteristikası ilə bağlıdır.
Phase-sensitive detector
– фазочувствительный детектор (фазовый детектор). Фазовые детекторы обеспечивают получение выходного
напряжения, пропорциональное фазовому сдвигу между
двумя сигналами, имеющими одну частоту. Их часто на-
зывают фазочувствительными выпрямителями. Они
представляют собой частный случай синхронных детек-
торов. Применяются линейные и ключевые фазовые де-
текторы. Линейные фазовые детекторы выполняются на
основе перемножителей аналоговых сигналов. В них на
один из входов подается напряжение Ux = Uоп∙cos ωt, а на
112
другой – напряжение Uy = Uc∙cos(ωt+φ). В результате
перемножения выходной сигнал равен
Uвых = К∙ Uоп∙cos (ωt)∙Uc∙cos(ωt+φ)=
=К∙ Uоп∙ Uc∙[К1∙ cos (2ωt+φ) +К2∙cosφ]
Ключевые фазочувствительные детекторы представля-
ют собой электронные ключи, управляемые одним из
входных сигналов. В общем случае выходное напряже-
ние ключевого фазового детектора можно найти из урав-
нения:
dttcuT
U
tT
tвых )(
1 2
Таким образом, выходное напряжение ключевого фазо-
вого детектора зависит только от фазового сдвига напря-
жений φ и величины сигнала Uс. При выполнении фазо-
вых детекторов используются ключи, выполненные на
основе диодов, полевых и биполярных транзисторов, а
также микросхемы аналоговых ключей.
– fazaya həssas detektor (faza detektoru). Faza detektoru eyni
tezlikli iki siqnal arasındakı faza sürüşməsinə mütənasib olan
çıxış siqnalının alınmasını təmin edir. Çox vaxt onları faza
düzləndiricisi adlandırırlar. Faza detektoru sinxron detektorun
xüsusi halıdır. Xətti və açar faza detektorları mövcuddur.
Xətti detektorlar analoq siqnallarının təkrar vurucuları əsa-
sında qurulur. Burada girişlərdən birinə Ux = Uday∙cos ωt,
digərinə isə Uy = Uc∙cos (ωt+φ) gərginliyi verilir. Bir–birinə
vurulma nəticəsində
Uçıx = К∙ Uday∙cos (ωt)∙Uc∙cos (ωt+φ)=
=К∙ Uday∙ Uc∙[К1∙ cos (2ωt+φ) +К2∙cosφ]
çixiş gərginliyi alınır.
Açar faza detektoru giriş siqnalarından biri ilə idarə olunan
elktron açardır. Ümumi halda açar faza detektorunun çixiş
gərginliyi aşağıdakı tənliklə təyin edilə bilər:
113
dttcuT
U
tT
tçix)(
1 2
Göründüyü kimi, açar faza detektorunun çixiş gərginliyi
yalnız gərginliklər arasında φ faza sürüşməsi və UC siqnalının
qiymətindən asılıdır. Faza detektorları hazırlanarkən diod,
sahə və bipolyar tranzistorlar əsasında açarlar, həmçinin
analoq açarların mikrosxemləri istifadə edilir.
Phase shifter ( phase switcher)
– фазовращатель. Устройство, осуществляющее поворот
фазы электрического сигнала. Широко используется в
различных областьях – антенной технике, технике связи,
радиоастрономии, измерительной технике и др. Фазов-
ращатели подразделяются на фиксированные (с фиксиро-
ванным фазовым сдвигом) и регулируемые (с регулируе-
мым фазовым сдвигом).
– faza döndərici. Elektrik siqnalının fazasını döndərən qurğu.
Müxtəlif sahələrdə–antenna texnikasında, rabitə texnikasında,
radioastronomiyada, ölçü texnikasında və s. sahələrdə tətbiq
edilir. Faza döndəricilər iki qrupa bölünür: fiksə olunmuş
(faza sürüşməsi fiksə olunmuş qiymət alan) və tənzimlənən
(faza sürüşməsi tənzim olunan).
Phase shifting device
– фазосдвигающее устройство. Фазосдвигающими уст-
ройствами (ФСУ) называются устройства, предназначен-
ные для коррекции сдвига фаз сигнала; получение на-
пряжений, сдвинутых по фазе на определенный угол; для
создания групп источников напряжений с определенны-
ми фазовыми соотношениями между собой; для фазового
управления тиристорными устройствами. Их также ши-
роко применяют в составе фильтров и автогенераторов
гармонических колебаний. При создании ФСУ исполь-
зуют электрические цепи, содержащие конденсаторы или
114
катушки индуктивности. В простейших случаях приме-
няют RC–цепи интегрирующего (рис.1, а) и дифференци-
рующего (рис.1, b) типов или их комбинации (рис.1, c).
RC–цепь интегрирующего типа обеспечивает получе-
ния отставания по фазе выходного напряжения на угол
φ1=arctgωRC (0<φ1<900), а RC–цепь дифференцирующего
типа – опережение по фазе на угол φ2=900–arctgωRC
(0<φ2<900). Значения углов φ1 и φ2 зависят от параметров
R и C. Для получения необходимых фазовых cдвигов
также широко применяют мостовые схемы различного
вида, например, двойные Т–образные мосты, мосты Вин-
на и др. При использовании ОУ можно создать простые
ФСУ, у которых фаза выходного сигнала может быть из-
менена в пределах 1800, а амплитуда постоянна (рис. 2).
Для получения двух напряжений сдвинутых по фазе на
900
друг относительно друга, используют точные интег-
рирующие устройства. При этом амплитуда выходного
сигнала уменьшается с увеличением частоты. В тех слу-
чаях, когда необходимо в широкой полосе частот обеспе-
чить получение точного 90–градусного фазового сдвига и
при этом иметь неизменные амплитуды выходных на-
пряжений, применяют двухканальные фазосдвигающие
устройства.
Рисунок 1
Şəkil 1
Uвх
(Ugir) Uвых
(Uçıx)
Uвых
(Uçıx)
R1
R2
С1
С2 Uвх
(Ugir)
c)
Uвх
(Ugir) R
С
Uвых
(Uçıx)
b)
С
R
a)
115
– faza sürüşdürücü qurğu (FSQ). Siqnalın faza sürüşməsini
korreksiya etmək; bir–birinə nəzərən müəyyən bucaq qədər
sürüşmüş gərginliklər almaq; verdikləri gərginliklər arasında
müəyyən faza nisbətləri olan mənbə qrupları yaratmaq; tiris-
tor qurğularını fazaya görə idarə etmək üçün nəzərdə tutul-
muş qurğu. Onlar həmçinin süzgəclərin və harmonik rəqslərin
avtogeneratorlarının tərkib hissəsi kimi tətbiq edilir. FSQ
yaradarkən tərkibində kondensator və ya induktivlik sarğac-
ları olan elektrik dövrələri istifadə olunur. Ən sadə halda in-
teqrallayıcı (şəkil 1, a) və diferensiallayıcı (şəkil 1, b) RC–
dövrələr, və yaxud onların kombinasiyaları (şəkil 1, c) tətbiq
edilir.
Inteqrallayıcı RC–dövrə çıxış gərginliyinin fazasının giriş
siqnalına nisbətən φ1=arctgωRC (0<φ1<900) qədər gecik-
məsini, diferensiallayıcı RC–dövrə isə – φ2=(900–arctgωRC)
(0<φ2<900) qədər irəliləməsini təmin edir. φ1 və φ2
bucaqlarının qiymətləri R və C parametrlərindən asılıdır. Tə-
ləb olunan faza sürüşməsini almaq üçün həmçinin müxtəlif
növ körpü sxemləri, məsələn, ikiqat T–şəkilli körpülər, Vinn
körpüləri və s. geniş istifadə edilir. ƏG tətbiq etməklə çıxış
siqnalının fazası 1800
həddində dəyişən, amplitudu isə sabit
qalan FSQ yaratmaq olar (şəkil 2).
Uвых
Uçıx
C
R2
RОС
(RƏƏ)
R1
~U
Uвых
(Uçıx) C
R2
RОС
(RƏƏ) R1
Рисунок 2
Şəkil 2
116
Fazaları bir–birinə nisbətən 900
sürüşmüş iki gərginlik al-
maq üçün dəqiq inteqrallayıcı qurğular tətbiq edilir. Bu halda
tezlik artdıqca çıxış siqnalının amplitudu azalır. Geniş tezlik
zolağında çıxış gərginlikləri arasında dəqiq 90–dərəcəlik faza
sürüşməsi almaq və bu zaman onların amplitudlarının sabit
qalması lazım olduqda ikikanallı FSQ tətbiq edilir.
Photoelectric amplifier (Photovoltaic power)
– фотоэлектрический усилитель. Усилитель постоянного
тока (напряжения), работа которого основана на измене-
нии фотопроводимости светочувствительного элемента
(напр., фоторезистора, фотодиода), включенного после-
довательно с нагрузкой, под действием светового потока,
модулированного усиливаемым сигналом.
– fotoelektrik gücləndirici. Iş prinsipi yük ilə ardıcıl qoşulmuş,
işığa həssas elementin (məsələn, fotorezistorun, fotodiodun)
fotokeçiriciliyinin gücləndirilən siqnal ilə modullaşdırılan işıq
selinin təsirilə dəyişməsinə əsaslanan sabit cərəyan (gərgin-
lik) gücləndiricisidir.
Photodielectric effect
– фотодиэлектрический эффект. Изменение статической
(низкочастотной) диэлектрической проницаемости среды
под действием электромагнитного излучения.
– fotodielektrik effekt. Elektromaqnit şüalanmasının təsirilə
mühitin statik (aşağıtezlikli) dielektrik nüfuzluğunun dəyiş-
məsi.
Photodiode
– фотодиод (ФД). ПП фотодиод – это диод, обратный ток
которого зависит от освещенности. Они способны рабо-
тать как в фотодиодном (фотопреобразовательном), так и
в фотогенераторном режимах. Различают следующие ви-
ды ФД: обычные полупроводниковые, с барьером Шотт-
ки, p–i–n фотодиоды, лавинные ФД и т.д. Постоянная
117
времени у обычных ФД составляет (10-6
–10-5
) с., у ФД с
барьером Шоттки и p–i–n ФД – (10-9
–10-8
) с. Когда требу-
ется высокая фоточувствительность, применяются ла-
винные ФД. Помимо германиевых и кремниевых извест-
ны ФД на основе TaS, AgS, GaAs, InSb и других ПП ма-
териалов.
Область использования ФД достаточно широка. Это и
вычислительная техника, где в устройствах ввода и вы-
вода информации с их помощью обеспечивается скорость
считывания до 2000 знаков в секунду; это регистрирую-
щая и измерительная аппаратура; фототелеграфия; раз-
личные устройства автоматики; оптоэлектроника и т.д.
– fotodiod (FD). YK fotodiod – əks cərəyanı işıqlanmadan asılı
olan dioddur. Onlar həm fotodiod (fotoçevirici), həm də
fotogenerator rejimində işləyə bilər. FD–un aşağıdakı növləri
var: adi YK FD, Şottki çəpərli FD, p–i–n FD, selvari FD və s.
adi FD–un zaman sabiti (10-6
–10-5
) san., Şotki çəpərli və p–i–
n quruluşlu FD–da (10-9
–10-8
) san. təşkil edir. Yüksək foto-
həssaslıq tələb olunduqda selvari FD tətbiq edilir. Germa-
nium və silisiumdan başqa TaS, AgS, GaAs, InSb və digər
YK materiallar əsasında FD məlumdur.
FD–nin tətbiq sahələri olduqca genişdir. Misal olaraq
hesablama texnikası qurğularını (harada ki, məlumatın daxil
və xaric edilmə qurğularında FD–nin köməyilə saniyədə
2000–ə qədər işarə oxuna bilir); qeydedici və ölçü qurğula-
rını; fototeleqrafiya, optoelektronika, müxtəlif avtomatika
qurğuları və s.göstərmək olar.
Photodiode mode (phototransducer mode)
– фотодиодный режим (режим фотопреобразователя).
В фотодиодном режиме p-n переход смещается обратным
напряжением, величина которого зависит от конкретного
фотодиода и составляет от единиц до сотни вольт; чем
больше обратное смещение, тем быстрее он будет рабо-
тать, и тем больше токи через него будут течь. В этом
118
режиме фотодиод отдает энергию во внешнюю цепь. Ра-
бочими участками вольтамперных характеристик в фото-
диодном режиме являются область насыщения, т.е. уча-
стки, находящиеся в третьем квадранте (рисунок).
Пересечение кривых с осью токов соответствует ре-
жиму короткого замыкания выводов фотодиода, а пере-
сечение кривых с осью напряжений – режиму холостого
хода, т.е. режиму при разомкнутых выводах. У серийных
фотодиодов области насыщения соответствует напряже-
ние (10-1
÷100) В. Прямая АВ называется нагрузочной ли-
нией. Через затемненный фотодиод проходит малый тем-
новой ток и практически все напряжение источника пи-
тания приложено к фотодиоду (т.е. точка А практически
лежит на оси напряжений – холостой ход). При некото-
ром световом потоке ( 3 ) практически все напряжение
внешнего источника падает на нагрузке – точка В нагру-
зочной характеристики. Ток через нагрузку практически
достигает значения тока короткого замыкания.
– fotodiod rejimi (fotoçevirici
rejimi). FD–rejimində p–n keçi-
də əks gərginlik tətbiq edilir,
əks gərginliyin qiyməti FD–nin
konkret növündən asılıdır və
(1÷100) V təşkil edir. Əks gər-
ginlik nə qədər böyük olarsa FD
bir o qədər cəld işləyər və ondan
bir o qədər böyük cərəyanlar ke-
çər. Bu rejimdə FD xarici döv-
rəyə enerji verir.
FD rejimində VAX–ın işçi hissələri doyma sahəsində, yəni,
III kvadrantda yerləşən hissələrdir (şəkil).
Əyrilərin cərəyan oxu ilə kəsişməsi FD–nin çıxışlarının
qısa qapanma rejiminə, gərginlik oxu ilə kəsişməsi isə yüksüz
işləmə rejiminə, yəni çıxışların açıq olduğu rejimə uyğundur.
İ
U
Uраб.
(Uişçi)
A
B
Ф1
Ф2
Ф3
Ф=0
II
III
I
IV
119
Kütləvi istehsal olunan FD–da doyma sahəsinə gərginliyin
(10-1
÷100) V qiymətləri uyğundur. AB düz xətti yük xətti ad-
lanır. İşıqlandırılmayan FD–dən kiçik qaranlıq cərəyanı keçir
və mənbəyin bütün gərginliyi FD–yə tətbiq edilir (A nöqtəsi –
yüksüz işləmə). Müəyyən Ф3 işıqlanmada mənbəyin demək
olar ki, bütün gərginliyi yükdə düşür (B nöqtəsi). Bu halda
yük cərəyanı demək olar ki, qısa qapanma cərəyanına bərabər
olur.
Photoelectric converter (photovoltaic cell)
– фотоэлектрический преобразователь ФП. Устройство
на основе ПП фотоэлементов, предназначенное для пре-
образования световой энергии в электрическую (напр.,
солнечная батарея), Выходной сигнал преобразователя
изменяется в зависимости от падающего на него светово-
го потока. Делятся на три группы: ФП с внешним фото-
эффектом, ФП с внутренним фотоэффектом и фотогаль-
ванические преобразователи.
– fotoelektrik çevirici (FÇ). YK fotoelementlər əsasında, işıq
enerjisini elektrik enerjisinə çevirmək üçün nəzərdə tutulmuş
qurğu (məsələn, günəş batereyası). Çeviricinin çıxış siqnalı
onun üzərinə düşən işıq selindən asılı olaraq dəyişir. FÇ–lər
üç qrupa bölünür: xarici fotoeffektli FÇ, daxili fotoeffektli FÇ
və fotoqalvanik FÇ.
Photoelectronic multiplier (secondary emission photocell, pho-
tomultiplier tube)
– фотоэлектронный умножитель (ФЭУ). Электрова-
куумный прибор, в котором поток электронов, излучае-
мый фотокатодом под действием оптического излучения
(фототок), усиливается в умножительной системе. ФЭУ
предназначен для регистрации слабых излучений: в ре-
зультате вторичной электронной эмиссии ток в цепи ано-
да (коллектора вторичных электронов) значительно пре-
вышает первоначальный фототок (обычно в 105 раз и
выше). ФЭУ, способны регистрировать отдельные фо-
120
тоны. Эффективность современных ФЭУ достигает 45%.
Основные недостатки ФЭУ – большие размеры, высокое
напряжение питания, чувствительность к магнитным по-
лям, высокая цена. Эти факторы стали причиной разра-
ботки твердотельных приборов, использующих явление
внутреннего фотоэффекта (см. также: Solid state photoe-
lectronic multiplier).
– fotoelektron vurucusu FEV (fotoelektron çoxaldıcısı). Optik
şüalanmanın təsirilə fotokatodun şüalandırdığı elektron seli-
nin (fotocərəyanın) çoxaldıcı sistem vasitəsilə gücləndirildiyi
elektrovakuum cihazı. FEV zəif siqnalları gücləndirmək
üçündür: ikinci elektron emissiyası hesabına anod (ikinci
elektronların kollektoru) dövrəsində cərəyan ilkin cərəyandan
çox böyük olur (105
dəfə və daha çox). FEV ayrı–ayrı foton-
ları qeyd edə bilir. Müasir FEV–ın effektivliyi 45%–ə çatır.
FEV–ın əsas nöqsanları aşağıdakılardır: ölçülərin böyük
olması, qida gərginliyinin yüksək olması, maqnit sahəsinə
həssaslıq, yüksək qiymət. Bu amillər daxili fotoeffektdən isti-
fadə edən bərk cisim cihazlarının işlənib hazırlanmasına sə-
bəb olmuşdur. (bax həmçinin: Solid state photoelectronic
multiplier)
Photoelectronic device (photoemissive device)
– фотоэлектронный прибор (ФЭП). Электровакуумные
или ПП приборы, преобразующие электромагнитные сиг-
налы оптического диапазона в электрические токи, на-
пряжения; преобразующие изображения в невидимых
(например, ИК) лучах в видимые изображения. ФЭП
предназначены для преобразования, накопления, хране-
ния, передачи и воспроизведения информации. Действие
ФЭП основано на использовании внешнего (фотоэлек-
тронной эмиссии), внутреннего (фотопроводимости) или
вентильного фотоэффектов. К ФЭП относятся различные
фотоэлементы, фотоэлектронные умножители, фоторез-
исторы, фотодиоды, электронно-оптические преобразо-
121
ватели, усилители яркости изображения, а также пере-
дающие электронно–лучевые трубки.
– fotoelektron cihaz (FEC). Optik diapazona daxil olan elek-
tromaqnit siqnallarını elektrik cərəyanına və ya gərginliyinə;
gözlə görünməyən (məsələn, İQ) şüalarla verilən təsviri görü-
nən təsvirə çevirən elektrovakuum və ya YK cihaz. FEC
məlumatı çevirmək, toplamaq, saxlamaq, ötürmək və yenidən
canlandırmaq üçün nəzərdə tutulmuşdur. FEC–in işi xarici
(fotoelektron emissiya), daxili (fotoeffekt) və ya ventil fotoef-
fektinə əsaslanır. FEC–lərə müxtəlif fotoelementlər, fotoelek-
tron çoxaldıcıları, fotorezistorlar, fotodiodlar, elektron–optik
çeviriciləri, təsvirin parlaqlığının gücləndiriciləri, həmçinin
ötürücü elektron–şüa boruları aiddir.
Photoelectron spectroscopy
– фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС). Метод изуче-
ния электронного строения вещества, основанный на яв-
лении фотоэффекта в УФ области спектра. Иногда фото-
электронную и рентгеноэлектронную спектроскопии объ-
единяют общим названием «электронная спектроско-
пия».
– fotoelektron spektroskopiyası (FES). Maddənin elektron
quruluşunu öyrənmək üçün spektrin UB hissəsində fotoeffek-
tə əsaslanan tədqiqat üsulu. Bəzən fotoelektron və rentgen
spektroskopiyalarını ümumi ―elektron spektroskopiyası‖ adı
altında birləşdirirlər.
Photogalvanic effect (photovoltaic effect)
– фотогальванический эффект (фотовольтаический эф-
фект) - возникновение электрического тока при освеще-
нии образца – ПП или диэлектрика, включѐнного в замк-
нутую цепь (фототок), или возникновение эдс на осве-
щаемом образце при разомкнутой внешней цепи (фото–
эдс).
122
– fotoqalvanik effekt (fotovoltaik effekt). Qapalı dövrəyə
qoşulmuş YK və ya dielektrik nümunəni işıqlandırdıqda elek-
trik cərəyanının yaranması və yaxud açıq dövrədə işıqlandı-
rılmış nümunədə ehq–nin (foto–ehq) yaranması.
Photogalvanomagnetic phenomena
– фотогальваномагнитное явление. Явления, происходя-
щие в твѐрдых телах, помещѐнных в магнитное поле, при
поглощении падающего на них электромагнитных волн.
– fotoelektromaqnit hadisəsi. Üzərinə düşən elektromaqnit dal-
ğalarını udan zaman maqnit sahəsində yerləşdirilmiş bərk
cisimlərdə baş verən hadisələr.
Photogenerators mode (photovoltaic mode, valve mode)
– фотогенераторный режим (фотогальванический ре-
жим, вентильный режим). В фотогенераторном режиме
ФД работает без внешних источников питания и преоб-
разует световую энергию в электрическую, т.е. является
источником электрической энергии с большим внутрен-
ним сопротивлением. Рабочими участками ВАХ в фото-
генераторном режиме являются те, что лежат в четвертом
квадранте (см. Photodiode mode).
– fotogenerator rejimi (fotoqalvanik rejim, ventil rejimi).
Fotogenerator rejimində FD xarici mənbə olmadan işləyir və
işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirir, başqa sözlə böyük
daxili müqavimətə malik elektrik enerjisi mənbəyi olur. Foto-
generator rejimində VAX–ın işçi hissələri dördüncü kvad-
rantda yerləşir (bax: Photodiode mode).
Photolithography (photomasking)
– фотолитография. Способ формирования изделий раз-
личных типов с использованием светочувствительных
материалов. В электронике фотолитография используется
для формирования рельефного рисунка в слое металла,
диэлектрика или ПП с применением фоторезистов и ис-
123
точников УФ-излучения в процессе изготовления ИС. В
зависимости от требуемого размера элементов ИС при-
меняют контактную (при низком разрешении) или проек-
ционную (при высоком разрешении) фотолитографии.
Проекционная фотолитография обеспечивает создание
СБИС типа динамических ОЗУ ѐмкостью до 64 Мбит и
более при использовании коротковолнового УФ–излу-
чения эксимерных лазеров (λ=193 нм). При этом мини-
мальные размеры элементов СБИС ограничиваются ин-
тер–ференцией и дифракцией света и достигают 0,35
мкм.
– fotolitoqrafiya. Işığa həssas materiallardan istifadə etməklə
müxtəlif növ məmulatların formalaşdırılması üsulu. Elektro-
nikada fotolitoqrafiya İS–in hazırlanma prosesində fotorezist-
dən və UB–şüalanmadan istifadə etməklə metal, dielektrik və
ya YK təbəqədə relyefli şəklin formalaşdırılması üçün tətbiq
edilir. İS–in elementlərinin tələb olunan ölçülərindən asılı
olaraq kontakt (ayırdetmə kiçik olanda) və ya proyeksiyalı
(ayırdetmə yüksək olanda) fotolitoqrafiyalar tətbiq edilir.
Proyeksiyalı fotolitoqrafiya eksimer lazerlərin qısadalğalı
UB–şüalanmasından (λ=193nm) istifadə etməklə tutumu 64
Mbt və daha çox olan dinamik OYQ kimi İBİS–in yaradılma-
sını təmin edir. Bu zaman İBİS–in elementlərinin minimal
ölçüləri işığın interferensiyası və difraksiyası ilə məhdudlaşır
və 0,35 mkm.–ə çatır.
Photoluminescence
– фотолюминесценция. Фотолюминесценцией называется
люминесценция, возбуждаемая в веществе под действием
оптического излучения УФ или видимого диапазонов.
Если облучить вещество (люминофор) в любом агрегат-
ном состоянии УФ или видимым электромагнитным
излучением, фотолюминесцентное излучение испус-
кается после того, как в веществе заканчиваются про-
цессы релаксации и устанавливается квазиравновесное
124
состояние. Время задержки составляет (10-12
- 10-10
) с.
Максимум спектра этого излучения сдвинут относитель-
но максимума спектра возбуждающего излучения в сто-
рону меньших частот (закон Стокса - Ломмеля). Это сме-
щение объясняется тем, что часть поглощаемой люми-
нофором энергии рассеивается в кристаллической ре-
шетке в виде тепловой энергии. Спектры возбуждающего
и фотолюминесцентного излучения могут частично
перекрываться.
– fotolüminessensiya. UB və ya görünən işıq şüalarının təsirilə
maddədə həyəcanlanan lüminessensiya fotolüminessensiya
adlanır. Əgər istənilən aqreqat halında olan maddə (lümino-
for) UB və ya görünən şüalarla işıqlandırılarsa, maddədə
relaksasiya prosesləri qurtardıqda və kvazitarazlıq halı yaran-
dıqda fotolüminessensiya şüalanması baş verir. Ləngimə
müddəti (10-12
–10-10
) san. təşkil edir. Bu şüalanmanın spektri-
nin maksimumu həyəcanlaşdırıcı şüalanmanın spektrinin
maksimumuna nisbətən kiçik tezliklərə doğru sürüşmüş olur
(Stoks–Lomel qanunu). Bu sürüşmə onunla izah olunur ki,
lüminoforun udduğu enerjinin bir hissəsi kristal qəfəsdə isti-
lik enerjisi şəklində səpilir. Həyəcanlaşdırıcı və fotolümines-
sensiya şüalanmalarının spektrləri qismən üst–üstə düşə bilər.
Photopolymerisation
– фотополимеризация. Образование полимеров под
действием света, главным образом УФ излучения. Осу-
ществляется в газовой, жидкой и твердой фазах. К фото-
полимеризации относят все фотохимические процессы
получения полимеров независимо от их механизма – цеп-
ного (полимеризационного) или ступенчатого (поликон-
денсационного). В первом случае свет служит только для
инициирования реакции, которая далее развивается как
обычная полимеризация. Во втором случае каждый этап
роста цепи требует поглощения кванта света.
125
– fotopolimerləşmə. Işığın, əsasən də UB şüalanmanın təsirilə
polimerlərin yaranması. Qaz, maye və bərk hallarda həyata
keçirilir. Mexanizmindən asılı olmayaraq polimerlərin alın-
masının bütün fotokimyəvi prosesləri fotopolimerləşməyə
aid edilir. Bunlar zəncirvari (polimerləşmə) və pilləvari
(polikondensasiyalı) mexanizmlərdir. Birinci halda işıq an-
caq reaksiyanın başlanması üçün lazımdır, sonra isə reaksiya
adi polimerləşmədə olduğu kimi inkişaf edir. Ikinci halda
polimer zəncirinin yaranmasının hər bir mərhələsi işıq kvantı
udulmasını tələb edir.
Photoresistor
– фоторезистор (ФР). Фоторезисторами называют ПП
приборы, проводимость которых меняется под действием
света. Существуют монокристаллические и пленочные
ФР. Основными характеристиками ФР являются: вольт–
амперная, световая (люксамперная), спектральная и час-
тотная характеристики. Основными параметрами ФР яв-
ляются: рабочее напряжение, максимально допустимое
напряжение, темновое сопротивление, удельная чувстви-
тельность, постоянная времени и др. В качестве материа-
лов для ФР широко используются сульфиды, селениды и
теллуриды различных элементов, а также соединения ти-
па AIII
BV. В инфракрасной области могут быть использо-
ваны ФР на основе PbS, PbSe, PbTe, InSb, в области ви-
димого света и ближнего УФ – CdS. ФР широко приме-
няются во многих отраслях науки и техники. Это объяс-
няется их высокой чувствительностью, простотой конст-
рукции, малыми габаритами и значительной допустимой
мощностью рассеяния. Значительный интерес представ-
ляет использование ФР в оптоэлектронике.
– fotorezistor (FR). Işığın təsirilə keçiriciliyi dəyişən YK
cihazlar fotorezistor adlandırılır. Monokristal və təbəqəli FR
mövcuddur. FR–in əsas xarakteristikaları volt–amper, işıq
(lüks–amper), spektral və tezlik xarakteristikalarıdır. FR–in
126
əsas parametrləri bunlardır: işçi gərginlik, maksimal icazə
verilən gərginlik, qaranlıq müqaviməti, xüsusi həssaslıq,
zaman sabiti və s. FR materialı kimi müxtəlif elementlərin
sulfidləri, selenidləri və telluridləri, həmçinin AIII
BV
birləş-
mələri geniş istifadə edilir. İQ hissədə PbS, PbSe, PbTe, InSb
əsasında FR–lər, görünən və yaxın UB hissədə isə CdS
əsasında FR–lər istifadə edilə bilər. FR–lər elm və texnikanın
bir çox sahələrində geniş tətbiq edilir. Bu onların yüksək
həssaslığı, konstruksiyasının sadəliyi, ölçülərinin kiçik
olması,səpilən gücün yol verilən qiymətinin böyük olması ilə
izah olunur. FR–in optoelektronikada tətbiqi böyük maraq
kəsb edir.
Photosensitivity
– фоточувствительность. Способность веществ реаги-
ровать на воздействие света.
– fotohəssaslıq. Maddənin işığın təsirinə reaksiya vermə
qabiliyyəti.
Photostereo-lithography
– фотостереолитография. Способ получения объѐмных
изделий из жидких фотополимеризующихся композитов
путѐм по слойной фотополимеризации лазерным излуче-
нием. Этот способ применяется при изготовлении экспе-
риментальных моделей и образцов технических и меди-
цинских изделий сложной формы, а также прессформ
различного назначения. Фотостереолитография сущест-
венно сокращает время, необходимое для отработки кон-
струкции новых изделий.
– fotostereolitoqrafiya. Fotopolimerləşən maye kompozitlərdən
lazer şüası ilə laybalay fotopolimerləşdirmək yolu ilə həcmi
məmulatların alınma üsulu. Bu üsul mürəkkəb formalı texniki
və tibbi məmulatların eksperimental modelləri və nümunələri,
həmçinin müxtəlif təyinatlı pressformalar hazırlanarkən tətbiq
127
edilir. Fotostereolitoqrafiya yeni məmulatların konstruksiya-
sını işləmək üçün lazım olan müddəti xeyli azaldır.
Photothyristor
– фототиристор. Фототиристором называют фотоэлек-
трический приемник излучения с тремя или более р–n
переходами, отличающийся от обычного тиристора тем,
что включается не напряжением, а светом. Конструктив-
но фототиристор представляет собой р–n–р–n-cтруктуру
из светочувствительного монокристалла (обычно из
кремния), расположенную на медном основании и закры-
тую герметичной крышкой с прозрачным для света ок-
ном.
Отличительной особенностью конструкции фототири-
стора является возможность освещения одной из базовых
областей. Напряжение включения тиристора уменьшает-
ся с увеличением освещенности. При отсутствии свето-
вого потока и управляющего тока фототиристор находит-
ся в запертом состоянии и через него проходит темновой
ток. Перевод тиристора в состояние с высокой проводи-
мостью осуществляется световым воздействием. Величи-
на светового потока, необходимого для перевода фототи-
ристора в состояние с высокой проводимостью, характе-
ризует чувствительность прибора. Она определяется
спектральным составом излучения, коэффициентом от-
ражения и поглощения монокристалла, а также заданны-
ми значениями электрических параметров фототиристо-
ра: напряжением переключения, скоростью нарастания
прямого напряжения и т.д. На рисунке показана ВАХ фо-
тотиристора при различных световых потоках.
Современные фототиристоры изготовляют на токи от
нескольких мА до 500 А и напряжения от нескольких де-
сятков В до 3 кВ. Мощность управляющего излучения
при длине волны 0,9 мкм порядка (1–102) мВт. Фототи-
ристоры находят применение в различных устройствах
128
автоматического управления и защиты, а также в мощ-
ных высоковольтных преобразовательных устройствах.
– fototiristor. Fototiristor üç və daha çox p–n küçidi olan
fotoelektrik cihazdır. Adi tiristordan fərqi ondadır ki, o
gərginliklə yox, işıqla qoşulur. Konstruktiv olaraq fototiristor
mis altlıq üzərində yerləşmiş, şəffaf pəncərəsi olan hermetik
qapaqla örtülmüş, işığa həssas monokristaldan (adətən Si–
dan) hazırlanmış p–n–p–n quruluşdan ibarətdir. Konstruksi-
yanın əsas fərqli cəhəti odur ki, baza hissələrindən birini işıq-
landırmaq imkanının olmasıdır. Işıqlanma artdıqca tiristorun
qoşulma gərginliyi azalır. Işıq seli və idarəedici cərəyan
olmadıqda fototiristor bağlıdır və ondan qaranlıq cərəyanı
axır. Tiristorun yüksək keçiricilikli hala keçməsi işığın təsiri-
lə baş verir. Fototiristoru yüksək keçiricilikli hala keçirmək
üçün lazım olan işıq selinin qiyməti cihazın həssaslığını xa-
rakterizə edir. Həssaslıq şüalanmanın spektral tərkibi ilə,
monokristalın qaytarma və udulma əmsalları ilə, həmçinin
fototiristorun elektrik parametrlərinin: aşırma gərginliyinin,
düz gərginliyin artma sürətinin və s. verilmiş qiymətləri ilə
təyin edilir. Şəkildə işıq selinin müxtəlif qiymətlərində
fototiristorun VAX–ı göstərilmişdir.
Müasir fototiristorlar bir neçə mA–dən 500 A–ə qədər
cərəyanlara, onlarla voltdan 3 kV–a qədər gərginliklərə
129
hesablanır. Idarəedici şüalanmanın gücü 0,9 mkm dalğa
uzunluğunda (1–102) mVt–dır. Fototiristorlar müxtəlif
avtomatik idarəetmə və mühafizə qurğularında, həmçinin
yüksək gərginlikli çevirici qurğularda tətbiq edilir.
Phototransistor
– фототранзистор. Фототранзистором называют фото-
электрический приемник излучения, фоточувствитель-
ный элемент которого имеет структуру транзистора. Как
и обычный транзистор он имеет n–р–n или р–n–р струк-
туру. В отличие от биполярного транзистора, у фототран-
зистора отсутствует электрический контакт к базе, а
управление током базы осуществляется путем изменения
ее освещения. Поэтому обычно фототранзистор имеет
только два вывода – эмиттерный и коллекторный. Осве-
щается обычно одна из трех областей или все вместе.
Наибольшая эффективность достигается при освещении
базовой области.
Включается фототранзистор по схеме с ОБ, ОЭ и ОК
или как диод с отключенной базой, эмиттером или кол-
лектором. На рис.1 показаны варианты диодного вклю-
чения фототранзистора, а на рис. 2 – его ВАХ при разных
значениях светового потока.
Биполярный фототранзистор обладает наибольшей
чувствительностью к освещению базовой области при
включении по схеме с ОЭ и отключенной базе. Однако
наличие базового вывода позволяет использовать не
только оптическое, но и электрическое управление, осу-
ществлять компенсацию внешних воздействий.
Применяются фототранзисторы в фототелеграфии, фо-
тометрии и фототелефонии, в устройствах ввода и выво-
да в ЭВМ, в кинофотоаппаратуре, для регистрации види-
мого, ультрафиолетового и инфракрасного излучений и
других областях.
130
Рисунок 1. Диодное включение фототранзистора с отклю-
ченной базой (a), эмиттером (b) и коллектором (c).
Şəkil 1. Fototranzistorun açıq bazalı (a), emitterli (b)
və kollektorlu (c) qoşulma sxemləri
Рисунок 2. ВАХ фото–тран-
зистора по схеме ОБ (ОК)
при разных значениях свето-
вого потока
Şəkil 2. Işıq selinin müxtəlif
qiymətlərində ÜB (ÜK) sxemi
üzrə fototranzistorun VAX–ı
– fototranzistor. Fototranzistor foto həssas elementi tranzistor
quruluşuna malik olan fotoelektrik qəbuledicidir. Adi tran-
zistor kimi o da n-р–n və ya р–n–р quruluşa malikdir. Lakin
bipolyar tranzistordan fərqli olaraq fototranzistorda bazanın
elektrik çıxışı yoxdur, baza cərəyanı isə onun işıqlanmasının
dəyişməsi ilə idarə edilir. Odur ki, fototranzistorun iki çıxışı
olur: emitter və kollertor çıxışları. Üç hissədən biri və ya hər
üçü birlikdə işıqlandırılır. Ən yüksək effektivlik baza hissəsi
işıqlandırıldıqda alınır.
Fototranzistor ÜB, ÜE və ÜK sxem üzrə, yaxud bazası,
emitteri və ya kollertoru ayrılmış diod kimi qoşula bilər. Şəkil
1–də fototranzistorun diod kimi qoşulma variantları, şəkil 2–
də isə işıq selinin müxtəlif qiymətlərində onun VAX–ı
c) + –
R
Н
b) + –
R
Н
a) + –
R
Н
IK
UK IT (İuar)
Ф4
0
Ф4>Ф3>Ф2>Ф1>0
Ф4
Ф4 Ф4 Ф=0
131
göstərilmişdir. ÜE sxem üzrə qoşulduqda və baza hissəsi
ayrıldıqda, bipolyar fototranzistor bazanın işıqlandırılması
zamanı ən yüksək həssaslığa malik olur. Lakin, baza çıxışının
olması təkcə optik yox, həm də elektrik idarəetmədən istifadə
və xarici təsirləri kompensasiya etməyə imkan verir.
Fototranzistorlar fototeleqrafiyada, fotometriyada və foto-
telefonlarda; EHM–nın daxil/xaric–etmə qurğularında; ki-
nofotoaparatlarda; görünən, UB və İQ şüaların qeyd edilməsi
üçün və s. sahələrdə istifadə olunur.
Physical electronics
– физическая электроника. Область науки, объединяющая
фундаментальные теоретические представления и при-
кладные исследования физических основ электроники:
закономерности движения электронов, ионов, атомов,
молекул и квантов излучения; их взаимодействие с элек-
тромагнитными полями в вакууме, различных средах (га-
зах, жидкостях, твѐрдом теле, плазме); теоретические и
экспериментальные обоснования принципов действия
электронных приборов.
– fiziki elektronika. Elektronikanın fiziki əsasları barədə
fundamental nəzəri təsəvvürləri və təcrübi tədqiqatları birləş-
dirən bir elm sahəsidir. Bura elektron, ion, atom, molekul və
işıq kvantlarının hərəkət qanunauyğunluqları; onların vaku-
umda, müxtəlif mühitlərdə (qaz, maye, bərk cisim və plazma-
da) elektromaqnit sahələri ilə qarşılıqlı təsiri; elektron cihaz-
ların iş prinsipinin nəzəri və təcrübi əsaslandırılması aiddir.
Piezoelectric
– пьезоэлектрик. Диэлектрики, в которых наблюдается
пьезоэффект, то есть диэлектрики, которые могут либо
под действием деформации индуцировать электрический
заряд на своей поверхности (прямой пьезоэффект), либо
под влиянием электрического поля деформироваться (об-
ратный пьезоэффект). Между механическими и электри-
132
ческими переменными наблюдается линейная связь (пер-
вые – деформация и механическое напряжение; вторые –
поляризация, напряженность электрического поля, элек-
трическая индукция).
– pyezoelektrik. Pyezoeffekt müşahidə olunan dielektrik, yəni,
deformasianın təsirilə səthində elektrik yükləri induksiyala-
nan (düz pyezoeffekt) və yaxud elektrik sahəsinin təsirilə de-
formasiyaya uğrayan (əks pyezoeffekt) dielektrik. Mexaniki
və elektrik parametrləri arasında xətti asılılıq müşahidə olu-
nur. Birincilərə deforməsiya və mexaniki gərginlik, ikincilərə
polyarlaşma, elektrik sahəsinin intensivliyi, elektrik induk-
siyası aiddir.
Piezoelectric converter (crystal transducer, bender transducer)
– пьезоэлектрический преобразователь (ППр.). Пьезо-
электрический преобразователь – это электромеханиче-
ский или электроакустический преобразователь, действие
которого основано на пьезоэлектрическом эффекте. Ос-
новная часть ППр состоит из отдельных или объединѐн-
ных в группы, электрически и механически связанных
друг с другом пьезоэлементов. Пьезоэлемент – это изго-
товленный из пьезоэлектрика деталь простой геометри-
ческой формы (стержень, пластинка, диск и т. п.) с нане-
сѐнными на их поверхности электродами. ППр применя-
ются в различных областях техники (УЗ–технологии и
дефектоскопии, гидролокации, радиовещании, вибромет-
рии, акустоэлектронике) в качестве излучателей и приѐм-
ников УЗ, элементов гидроакустических антенн, микро-
фонов и гидрофонов пьезоэлектрических трансформато-
ров, резонаторов, фильтров и др.
КПД ППр существенно зависит от величины сопро-
тивления нагрузки и от величины электрического сопро-
тивления преобразователя. КПД ППр может достигать
40-70%. Максимальная мощность, которую может разви-
вать ППр, ограничивается величинами допустимых на-
133
пряжѐнностей электрического поля и механических на-
пряжений в ППр.
– pyezoelektrik çevirici (PeÇ). Pyezoelektrik çevirici – iş
prinsipi pyezoeffektə əsaslanan elektromexaniki və ya
elektroakustik çeviricidir. PeÇ–nin əsas hissəsi bir–biri ilə
elektrik və ya mexaniki rabitəsi olan ayrı–ayrı və ya qrup
şəklində birləşmiş pyezoelementlərdir. Pyezoelement – pye-
zoelektrikdən hazırlanmış və səthində elektrodlar yaradılmış
sadə həndəsi formalı (çubuq, lövhə, disk və s.) elementdir.
PeÇ texnikanın müxtəlif sahələrində (ultrasəs texnikası və
defektoskopiyası, hidrolokasiya, radioyayımlar, vibrometriya,
akustoelektronika) ultrasəs şüalandırıcısı və qəbuledicisi
kimi; hidroakustik antennaların elementləri kimi; pyezoelek-
trik transformatorların, rezonatorların, süzgəclərdə mikrofon
və hidrofon kimi və s. tətbiq edilir.
PeÇ–nin f.i.ə.–ı yük müqavimətindən və çeviricinin
elektrik müqavimətindən çox asılıdır və 40–70% qiymət ala
bilər. PeÇ–nin maksimal gücü PeÇ–də elektrik sahəsinin in-
tensivliyinin və mexaniki gərginliyin buraxıla bilən qiymətlə-
ri ilə məhdudlaşır.
Piezoelectric device
– пьезоэлектрические приборы (ПЭП). Устройства раз-
личного назначения, в которых на основе прямого или
обратного пьезоэлектрического эффекта осуществляется
преобразование механической энергии в электрическую
или наоборот с целью генерации сигналов, их передачи,
фильтрации, измерения и т.д. Конструктивно выполня-
ются в виде отдельных блоков. Все элементы ПЭП раз-
мещаются либо на печатной плате, либо в корпусе ИС. В
зависимости от назначения ПЭП подразделяются на сле-
дующие основные группы: излучатели акустических
волн, приемные ПЭП, усилительные ПЭП, преобразова-
тели, пьезоэлектронные устройства. По принципу дейст-
вия все пьезоэлекрические преобразователи делятся на
134
три группы: ПЭП, использующие прямой пьезоэффект;
ПЭП, использующие обратный пьезоэффект; ПЭП пара-
метрического типа, использующие одновременно прямой
и обратный пьезоэффекты. Достоинствами ПЭП являют-
ся высокая линейность характеристик, широкие динами-
ческие и частотные диапазоны, простота конструкции и
высокая надежность при эксплуатации.
– pyezoelektrik cihazlar (PEC). Siqnalların generasiyası, ötü-
rülməsi, süzgəcdən keçirilməsi, ölçülməsi və s. məqsədlərlə
düz və ya əks pyezoeffekt hesabına mexaniki enerjinin
elektrik enerjisinə və ya əksinə çevrilməsi baş verən müxtəlif
təyinatlı cihazlar. Konstruktiv olaraq ayrı–ayrı bloklar şəklin-
də hazırlanır. PEC–in bütün elementləri çap platasında və ya
İS–in gövdəsində yerləşdirilir. Təyinatına görə PEC–lər
aşağıdakı əsas qruplara bölünür: akustik dalğalar şüalandırı-
cıları, qəbuledici PEC–lər, gücləndirici PEC–lər, çeviricilər,
pyezoelektron qurğular. Iş prinsipinə görə PEC–lər üç qrupa
bölünür: düz pyezoeffektə əsaslanan PEC–lər; əks pyezoef-
fektə əsaslanan PEC–lər; eyni zamanda həm düz, həm də əks
pyezoeffektə əsaslanan parametrik PEC–lər. PEC–lərin əsas
üstünlükləri xarakteristikalarının tam xəttiliyi, geniş dinamik
və tezlik diapazonları, konstruksiyasının sadəliyi və etibarlılı-
ğının yüksək olmasıdır.
Piezoelectric semiconductor
– пьезополупроводники (П.ПП.) – Пьезоэлектрические ма-
териалы, обладающие ПП свойствами. В П.ПП., как и в
пьезодиэлектриках, наблюдается прямой и обратный пье-
зоэлектрический эффект (см: Piezoelectric). П.ПП явля-
ются некоторые элементарные ПП (Se, Те), соединения
AIII
BV (GaAs, GaP, InSb и др.) и A
IIB
VI (GdS, ZnO, ZnS и
др.). Пьезоэлектрическими свойствами обладают SiC, со-
единения AIV
BVI
(GeTe, SnTe и др.), которые одновремен-
но характеризуются и сегнетоэлектрическими свойства-
ми.
135
Важным параметром П.ПП. является коэффициент
электромеханической связи К. Величина K2 показывает,
какая доля энергии упругой деформации (злектрической
энергии) может превратиться в электрическую энергию
(энергию упругой деформации). Коэффициент К зависит
от направления электрического поля, от возбуждаемой
упругой моды и сильно меняется от кристалла к кристал-
лу.
Высокоомные П.ПП. применяются в качестве пьезо-
электрических преобразователей для генерации и приѐма
УЗ, в УЗ дефектоскопии, в акустических линиях задерж-
ки, акустооптических устройствах (см. Acoustooptics).
Использование акустоэлектронного взаимодействия в
П.ПП. позволяет создавать усилители УЗ-волн, фазовра-
щатели и преобразователи частоты, устройства аналого-
вой обработки радиосигналов.
– pyezoyarımkeçiricilər (PYK). YK xassələrinə malik olan
pyezoelektrik materiallar. Pyezodielektriklərdə olduğu kimi
PYK–də də düz və əks pyezoeffekt müşahidə olunur (bax:
Piezoelectric). Bəzi elementar YK–lər (Se, Te), AIII
BV
(GaAs,
GaP, InSb və s.) və AIIB
VI (GdS, ZnO, ZnSvə s.)birləşmələri
PYK–dirlər. Bundan başqa, SiC, AIV
BVI
(GeTe, SnTe və s.)
birləşmələri də pyezoelektrik xassələrinə malikdirlər və eyni
zamanda həm də seqnetoelektrik xassələrilə xarakterizə
olunurlar.
PYK–nin mühüm parametrlərindən biri K elektromexaniki
rabitə əmsalıdır. K2
kəmiyyəti elastiki deformasiya enerjisinin
(elektrik enerjisinin) hansı hissəsinin elektrik enerjisinə
(elastiki deformasiya enerjisinə) çevirilə biləcəyini göstərir. K
kəmiyyəti elektrik sahəsinin istiqamətindən, həyəcanlaşdı-
rılan elastiki moddan asılıdır və kristaldan kristala keçdikcə
çox dəyişir.
Yüksək müqavimətli PYK–lər US–i generasiya və qəbul
etmək üçün pyezoelektrik çeviricilər kimi, US defektosko-
piyada, akustik ləngitmə xətlərində, akustik optik qurğularda
136
(bax: Acoustooptics) tətbiq edilir. PYK–də akustik–optik qar-
şılıqlı təsirdən istifadə olunması US–dalğaların gücləndirici-
ləri, faza döndəriciləri və tezlik çeviriciləri, radiosiqnalların
analoq emalı qurğuları yaratmağa imkan verir.
Piezoelectric transducer
– пьезоэлектрический преобразователь (ПЭПр). Преоб-
разователь электрической энергии в механическую или
наоборот, действие которого основано на пьезоэлектри-
ческом эффекте. Основу ПЭПр. составляют один или не-
сколько пьезоэлементов, объединенных в группы, элек-
трически и механически связанных между собой. ПЭПр
классифицируют по следующим признакам:
– по виду пьезоэффекта: механоэлектрические (прямой
пьезоэффект) и электромеханические (обратный пьезо-
эффект);
– по назначению: пьезоприемники, излучатели, генерато-
ры, трансформаторы;
– по виду воздействующего сигнала: статические, резо-
нансные, широкополосные;
– pyezoelektrik çevirici (PEÇ). Iş prinsipi pyezoelektrik effek-
tinə əsaslanan, elektrik enerjisini mexaniki enerjiyə və ya
mexaniki enerjini elektrik enerjisinə çevirən qurğu. PEÇ–in
əsasını bir və yaxud qrup şəklində birləşdirilmiş, aralarında
elektrik və mexaniki rabitə olan bir neçə pyezoelement təşkil
edir. PEÇ aşağıdakı əlamətlərinə görə təsnifatlaşdırılır:
– pyezoeffektin növünə görə: mexaniki–elektrik (düz pyezoef-
fekt) və elektromexaniki (əks pyezoeffekt);
– təyinatına görə: pyezoqəbuledicilər, şüalandırıcılar, genera-
torlar, transformatorlar;
– təsiredici siqnalın növünə görə: statik, rezonans, geniş zolaqlı.
Piezoelectronics
– пьезоэлектроника. Направление электроники, охваты-
вающее разработку и практическое использование при-
137
боров и функциональных устройств, действующих на ос-
нове пьезоэлектрического эффекта. Устройствами пьезо-
электроники являются: интегральные пьезоэлектрические
фильтры на ОАВ или ПАВ; УЗ линии задержки; ампли-
тудные, фазовые и частотные детекторы и модуляторы;
пьезотрансформаторы; элементы памяти; согласованные
фильтры радиосигналов; стабильные микрогенераторы;
вторичные источники питания и др. Главным элементом
пьезоэлектронных устройств является пьезоэлектриче-
ский вибратор. В устройствах пьезоэлектроники исполь-
зуются ультра– гиперзвуковые волны и электромагнит-
ные колебания в диапазоне частот от 10 кГц до 1,5 ГГц.
Стабильность пьезоэлектронных устройств на основе
кварцевых частотно–селективных элементов достигает
величины порядка 5·10-7
, на основе пьезокерамических –
порядка 10-5
. Пьезоэлектронные приборы широко приме-
няются в устройствах радиотехники и дальней связи, сис-
темах автоматического управления, вычислительных
устройствах и др.
– pyezoelektronika. Elektronikanın iş prinsipi pyezoelektrik
effektə əsaslanan cihaz və funksional qurğuların işlənməsi və
tətbiqi məsələlərini əhatə edən bir istiqamətidir. Həcmi və ya
səthi akustik dalğalar üzərində inteqral pyezoelektrik süzgəc-
lər, amplitud, faza və tezlik detektorları və modulyatorları,
pyezotransformatorlar, yaddaş elementləri, radiosiqnalların
uzlaşdırılmış süzgəcləri, stabil mikrogeneratorlar, təkrar qida
mənbələri və s. pyezoelektronikanın qurğularıdır. Pyezoelek-
tron qurğularının əsas elementi pyezoelektrik vibratordur.
Pyezoelektron qurğularında ultra– və hipersəs dalğaları və
10 kHs÷1,5 QHs tezlik diapazonunda elektromaqnit rəqsləri
istifadə edilir. Tezlik seçici kvars elementləri əsasında pye-
zoelektron qurğularının stabilliyi 5·10-7
tərtibində, pyezoke-
ramika əsasında – 10-5
tərtibində olur. Pyezoelektron qurğu-
ları radiotexnika və uzaq rabitə qurğularında, avtomatik ida-
138
rəetmə sistemlərində, hesablama qurğularında və s. geniş tət-
biq edilir.
Piezooptic effect (photoelasticity, elasto-optical effect)
– пьезооптический эффект ПОЭ (фотоупругость, эла-
стооптический эффект).
Возникновение оптической анизотропии в первона-
чально изотропных твѐрдых телах (в т. ч. полимерах) под
действием механических напряжений. ПОЭ – следствие
зависимости диэлектрической проницаемости от дефор-
мации. При одноосном растяжении или сжатии прозрач-
ное изотропное тело приобретает свойства оптически од-
ноосного кристалла с оптической осью, параллельной оси
растяжения или сжатия. При более сложных деформаци-
ях, например при двустороннем растяжении, образец
становится оптически двуосным.
– pyezooptik effekt POE (fotoelastiklik, elastik–optik effekt) . Mexaniki gərginliklərin təsirilə başlanğic halda izotrop olan
maddələrdə (o cümlədən polimerlərdə) optik anizotropiyanın
yaranması POE adlanır. POE dielektrik nüfuzluğunun defor-
masiyadan asılılığının nəticəsidir. Şəffaf cisim bir istiqamətdə
dartıldıqda və ya sıxıldıqda o, optik oxu dartılma və ya sıxıl-
ma istiqamətinə paralel olan optik biroxlu kristal xassələri qa-
zanır. Daha mürəkkəb deformasiyalar zamanı, məsələn
ikitərəfli sıxılma zamanı, nümunə optik ikioxlu olur.
PIN diode
– PIN–диод (регулируемый резистивный диод). Разновид-
ность диода, в котором между n– и p– областями
находится собственный (англ.: intrinsic) ПП (i–область). p
и n области как правило легируются сильно, так как они
часто используются для омического контакта к металлу.
Широкая i–область делает PIN–диод плохим выпрями-
телем, но с другой стороны это позволяет использовать
его в аттенюаторах (см.: attenuator), быстрых переключа-
139
телях, фотодетекторах, а также в высоковольтной элек-
тронике.
На низких частотах для PIN-диода справедливы те же
уравнения, что и для обычного. На высоких частотах
PIN–диод ведет себя как практически идеальный
резистор — его ВАХ линейна даже при очень больших
напряжениях. Высокочастотное сопротивление обратно
пропорционально постоянной составляющей тока, проте-
кающему через PIN–диод. Таким образом, можно варьи-
ровать значение сопротивления в широких пределах —
от 0.1 Ом до 10 КОм — меняя постоянную составляю-
щую тока.
В некоторых фотодетекторах, таких как PIN–фото-
диоды и фототранзисторы (в которых переход база-
коллектор является PIN-диодом), PIN–структура исполь-
зуется для реализации функции детектирования.
По области применения PIN–диоды подразделяют на:
смесительные, детекторные, параметрические, переклю-
чательные и ограничительные, умножительные и нас-
троечные, генераторные.
– PIN–diod (tənzimlənən rezistiv diod). n– və p– hissələr
arasında məxsusi (ing.: intrinsic) YK (i–hissə) yerləşən diod
növü. Bir qayda olaraq p–və n–hissələr güclü aşqarlanır:
onlar çox vaxt metal ilə omik kontakt yaratmaq üçün istifadə
olunur. Enli i–hissəyə görə PİN–diod pis düzləndirici olur.
Digər tərəfdən bu hal onlardan attenyuatorlarda (bax:
attenuator), sürətli aşırıcılarda, fotodetektorlarda, həmçinin
yüksək gərginlikli elektronikada istifadə etməyə imkan verir.
Aşaği tezliklərdə adi diodlar üçün olan tənliklər PİN–
diodlar üçün də doğrudur. Yüksək tezliklərdə PİN–diod
özünü demək olar ki, ideal rezistor kimi aparır: onun VAX–ı
hətta çox böyük gərginliklərdə belə xəttidir. Yüksək tezlik-
lərdə müqavimət PİN–dioddan axan cərəyanın sabit toplananı
ilə mütənasibdir. Beləliklə, cərəyanın sabit toplananını dəyiş-
140
məklə müqaviməti geniş diapazonda (0,1 Om–dan 10 kOm–a
qədər) dəyişmək olar.
Bəzi fotoqeydedicilərdə, məsələn, PİN–fotodiodlarda və
fototranzistorlarda (burada baza–kollektor keçidi PİN–diod-
dur) PİN–quruluş qeydedici funksiyasını həyata keçirmək
üçün istifadə edilir.
Tətbiq sahələrinə görə PİN–diodlar qarışdırıcı, qeydedici,
parametrik, aşırıcı və məhdudlaşdırıcı, vurucu və sazlayıcı,
generator diodları kimi qruplara bölünür.
Pinch of region
– режим отсечки (биполярного транзистора). В режиме
отсечки оба p–n перехода транзистора смещены в обрат-
ном направлении. В таком режиме ток коллектора имеет
минимальное значение, равное току единичного p–n пе-
рехода, смещенного в обратном направлении. Ток эмит-
тера имеет противоположный знак и значительно меньше
тока коллектора. Поэтому во многих случаях его считают
равным нулю: IЭ=0. Ток базы приблизительно равен току
коллектора. Режим отсечки характеризует запертое со-
стояние транзистора. Он широко используется в им-
пульсных устройствах, где биполярный транзистор вы-
полняет функции электронного ключа (см. также: Mode
of operation of bipolar transistor).
– ayırma rejimi (bipolyar tranzistorun). Ayırma rejimində
tranzistorun hər iki p–n keçidinə əks gərginlik tətbiq edilir.
Belə rejimdə kollektor cərəyanı əks gərginlik tətbiq edilmiş
tək p–n keçidin cərəyanına bərabər olan minimal qiymət alır.
Emitter cərəyanı əks işarəli olur və kollektor cərəyanından
çox kiçikdir. Odur ki, bir çox hallarda o sıfra bərabər qəbul
edilir: İE=0. Baza cərəyanı təqribən kollektor cərəyanına
bərabərdir. Ayırma rejimi tranzistorun bağlı vəziyyətini
xarakterizə edir. Bu rejim bipolyar tranzistorun elektron açar
funksiyasını yerinə yetirdiyi impuls qurğularında geniş
141
istifadə edilir. (bax həmçinin: Mode of operation of bipolar
transistor).
Planar epitaxial technology
– планарно–эпитаксиальная технология. При изготовле-
нии современных ПП приборов и ИС широко применяет-
ся планарно–эпитаксиальная технология. В этой техноло-
гии на монокристалличесие подложки дополнительно на-
ращивают эпитаксиальный слой противоположного типа
электропроводности толщиной (2,5÷10) мкм. Затем мето-
дами планарной технологии на этом слое формируются
все элементы прибора или ИС. Планарно–эпитаксиальная
технология позволяет формировать как п–р–п или р–п–р
биполярные, так и МДП–транзисторы.
– planar–epitaksial texnologiya. Müasir YK cihazlar və İS–in
hazırlanmasında planar–epitaksial texnologiya geniş tətbiq
edilir. bu texnologiyada monokristal təbəqənin üzərində əks
keçiricilik növünə malik (2,5÷10) mkm qalınlıqlı epitaksial
təbəqə göyərdilir. Sonra isə həmin təbəqədə planar texnologi-
ya üsulları ilə cihaz və ya İS–in elementləri yaradılır. Planar–
epitaksial texnologiya ilə həm n–p–n və ya p–n–p növ bipol-
yar, həm də MDY tranzistorlar yaratmaq mümkündür.
Planar epitaxial transistor
– планарно–эпитаксиальный транзистор. Планарный
транзистор, особенностью которого является то, что одна
из областей структуры, например, коллекторная область
создают эпитаксиальным наращиванием слоя ПП мате-
риала, главным образом кремния n–типа, на подложке р–
типа, а базовые и эмиттерные — введением легирующих
примесных атомов в эпитаксиальный слой.– planar–
epitaksial tranzistor. Bir bu növ tranzistorun əsas xüsusiyyəti
odur ki, altlıq üzərində əks keçiricilik növünə malik epitaksial
təbəqə gğyərdilir əsasən p–altlıq üzərində n–təbəqə) və bu
təbəqə tranzistorun hissələrdən biri, məsələn, kollektor rolunu
142
oynayır; baza və emitter hissələri isə sonradan həmin
epitaksial təbəqəyə aşqarlar daxil etməklə yaradılır.
Planar technology
– планарная технология (ПТ). Совокупность способов из-
готовления ПП ИС путем формирования их структур с
одной (рабочей) стороны ПП пластины (подложки). Пла-
нарная технология основывается на создании в припо-
верхностном слое подложки областей с различными ти-
пами проводимости или с разными концентрациями при-
меси одного вида, в совокупности образующих структуру
полупроводникового прибора или ИС. Основными эта-
пами планарной технологии являются процессы окисле-
ния (создание пленки SiO2), фотолитографии, изоляция
элементов, введения примесей, металлизация. Известны
более ста вариантов ПТ, каждый из которых состоит из
нескольких десятков и даже сотен технологических опе-
раций, очередность и условия выполнения которых
строжайше регламентированы – ни одну из них нельзя ни
изменить, ни заменить другой. Характерной особенно-
стью ПТ является многократное применение микролито-
графии: некоторые технологические операции повторя-
ются многократно и ПП подложки проходят несколько
раз одни и те же технологические участки. Каждая такая
повторяющаяся последовательность операций формирует
определенную часть структуры ПП прибора или ИС, на-
пример, базовую, эмиттерную или коллекторную область
транзистора и др. В результате после процессов легиро-
вания, травления, изоляции и металлизации в тонком
приповерхностном слое полированной ПП пластины
формируются десятки и сотни кристаллов БИС и СБИС.
Основными направлениями развития ПТ являются: уве-
личение степени интеграции ИС; уменьшение минималь-
ных размеров элементов ИС; увеличение числа слоев
143
(уровней), содержащих активные элементы (создание
трехмерных ИС).
– planar texnologiya (PT). YK lövhənin (altlığın) bir (işçi)
tərəfində müxtəlif quruluşlarının formalaşdırılması yolu ilə
YK İS–in yaradılması üsullarının toplusu. Planar texnologiya
altlığın səthyanı təbəqəsində müxtəlif keçiricilik növlərinə və
ya eyni bir elementlə müxtəlif dərəcədə aşqarlanmış hissə-
lərin yaradılmasına əsaslanır. Bu hissələr birlikdə YK cihaz
və ya İS quruluşu əmələ gətirir. Planar texnologiyanın əsas
mərhələləri oksidləşmə (SiO2 təbəqəsinin yaradılması,
fotolitoqrafiya, elementlərin izolə edilməsi, aşqarların daxil
edilməsi və metallaşdırmadır. PT–nin yüzdən çox variantı
məlumdur ki, onların da hər biri onlarla və hətta yüzlərlə
texnoloji əməliyyatdan ibarətdir. Bu əməliyyatların ardıcıllığı
və aparılma şərtləri ciddi şəkildə reqlamentləşdirilmişdir –
onların heç birini dəyişdirmək və ya başqası ilə əvəz etmək
olmaz. PT–nın xarakterik cəhəti mikrolitoqrafiyanın dəfələrlə
tətbiq edilməsidir. Belə ki, bəzi texnoloji əməliyyatlar
dəfələrlə təkrar olunur və YK altlıq bir neçə dəfə eyni texno-
loji sahələrdən keçir. Hər bir belə təkrarlanan əməliyyatlar
ardıcıllığı YK cihazın və ya İS–in müəyyən bir hissəsini,
məsələn, tranzistorun baza, emitter və ya kollektor hissəsini
və s. formalaşdırır. Nəticədə aşqarlama, aşındırma, izolyasiya
və metallaşdırma proseslərindən sonra cilalanmış YK löv-
hənin səthyanı təbəqəsində onlarla və yüzlərlə BİS və İBİS
kristalları formalaşır. PT–nin əsas inkişaf istiqamətləri aşağı-
dakılardır: İS–in inteqrasiya dərəcəsinin artırılması; İS ele-
mentlərinin ölçülərinin azaldılması; aktiv elementlərin olduğu
təbəqələrin (səviyyələrin) sayının artırılması – üçölçülü İS–in
yaradılması.
Planar transistor
– планарный транзистор. Транзистор, изготовленный ме-
тодами планарной технологии. В качестве ПП материала
для изготовления планарного транзистора используют
144
главным образом Si, Ge и GaAs. Планарная технология
позволяет одновременно изготовлять по единой конст-
руктивно–технологической схеме несколько десятков ты-
сяч транзисторов с широким диапазоном рабочих частот
(~100÷10
10 Гц); напряжений (~10
-1÷10
2 В) и токов (~10
-
3÷10
2 А). Планарные транзисторы характеризуются высо-
кой надежностью.
– planar tranzistor. Planar texnologiya üsulları ilə hazırlanmış
tranzistor. Planar transistor hazırlamaq üçün YK material ola-
raq əsasən Si, Ge və GaAs istifadə olunur. Planar texnologiya
eyni zamanda vahid konstruktiv–texnoloji sxem üzrə geniş
tezlik (~100÷10
10 Hs); gərginlik (~10
-1 ÷10
2 V) və cərəyan
(~10-3
÷102 A) diapazonlarına malik on minlərlə tranzistor
hazırlamağa imkan verir. Planar tranzistorlar yüksək etibar-
lılığı ilə xarakterizə olunur.
Plasma
– плазма. Частично или полностью ионизованный газ, в ко-
тором плотности положительных и отрицательных ионов
практически одинаковы.
Ионизация газа может быть вызвана сильным нагре-
вом, его взаимодействием с электромагнитным излучени-
ем (фотоионизация) или бомбардировкой газа заряжен-
ными частицами.
Свойства плазмы резко отличаются от свойств ней-
тральных газов. Во–первых, между частицами плазмы
существуют кулоновские силы взаимодействия и это
взаимодействие носит коллективный характер, т.е., одно-
временно взаимодействует друг с другом большое число
частиц. Во-вторых, электрическое и магнитное поля
сильно действуют на плазму, вызывая появление в ней
объѐмных зарядов и токов и обусловливая целый ряд
специфических свойств плазмы. Эти отличия позволяют
рассматривать плазму как особое, "четвѐртое" состояние
вещества.
145
– plazma. Müsbət və mənfi ionlarının sıxlığı təqribən bərabər
olan, qismən və ya tam ionlaşmış qaz. Qaz güclü qızdırılma,
elektromaqnit şüalanması ilə qarşılıqlı təsir (fotoionlaşma) və
ya yüklü zərrəciklərlə bombardman nəticəsində ionlaşa bilər.
Plazmanın xassələri neytral qazlardan kəskin şəkildə
fərqlənir. Plazmanı təşkil edən zərrəciklər arasında Kulon
qarşılıqlı təsir qüvvələri mövcuddur və o kollektiv xarakter
daşıyır, yəni, eyni zamanda böyük miqdarda yüklü zərrəciklər
bir–birilə qarşılıqlı təsirdə olur. Bundan başqa, elektrik və
maqnit sahəsi plazmaya güclü təsir göstərir: həcmi yüklərin
və cərəyanın, eləcə də plazmanın bir sıra spesifik xassələrinin
yaranmasına səbəb olur. Bu xüsusiyyətlərinə görə plazmaya
maddənin xüsusi, ―dördüncü‖ halı kimi baxılır.
Plasma electronics
– плазменная электроника (ПЭ). Раздел физики плазмы,
изучающий коллективные взаимодействия плотных по-
токов (пучков) заряженных частиц с плазмой и газом,
приводящие к возбуждению в системе линейных и нели-
нейных электромагнитных волн и колебаний, и исполь-
зование эффектов такого взаимодействия.
Подобно вакуумной и квантовой электронике ПЭ ос-
нована на явлении индуцированного (вынужденного) из-
лучения и поглощения электромагнитных волн заряжен-
ными частицами в плазме. Частота электромагнитного
излучения в вакуумной электронике определяется конеч-
ными геометрическими размерами волноводов и резона-
торов, а в квантовой электронике – дискретностью энер-
гетических уровней излучателей (возбуждѐнных атомов и
молекул); поэтому генераторы когерентного электромаг-
нитного излучения в вакуумной и в квантовой электро-
нике узкополосны, менять их частоту плавно практиче-
ски невозможно. В плазменных приборах частота зависит
не только от геометрических размеров волноводов и ре-
зонаторов, но и от плотности плазмы, поэтому излучате-
146
ли в ПЭ многомодовые; меняя плотность плазмы, можно
менять частоты в широком интервале. В этом заклю-
чается одно из существенных отличий и преимуществ
ПЭ.
– plazma elektronikası (PE). Plazma fizikasının bir bölməsidir,
yüklü zərrəciklərin sıx seli (dəstəsi) ilə plazma və qazın
kollektiv qarşılıqlı təsirini, bu qarşılıqlı təsir nəticəsində baş
verən effektləri və onların tətbiqlərini öyrənir. Qeyd edək ki,
göstərilən qarşılıqlı təsir sistemdə xətti və qeyri–xətti elektro-
maqnit dalğaları və rəqslərinin həyəcanlanmasına səbəb olur.
Vakuum və kvant elektronikası kimi PE də induksiyalanmış
(məcburi) şüalanma hadisəsinə və plazmada elektromaqnit
şüalarının yüklü zərrəciklər tərəfindən udulmasına əsaslanır.
Vakuum elektronikasında şüalanmanın tezliyi dalğaötürən və
rezonatorların həndəsi ölçüləri ilə, kvant elektronikasında isə
şüalandırıcıların (həyəcanlaşmış atom və molekulların) enerji
səviyyələrinin diskretliyi ilə təyin edilir. Odur ki, vakuum və
kvant elektronikasında koherent şüalanma generatorları ensiz
zolaqlıdır və onların tezliyini səlis dəyişmək mümkün deyil.
Plazma cihazlarında isə tezlik təkcə dalğaötürən və
rezonatorların həndəsi ölçülərindən deyil, həm də plazmanın
sıxlığından asılıdır. Odur ki, plazmanın sıxlığını dəyişməklə
tezliyi geniş intervalda dəyişmək olar. Bu da PE–nin mühüm
fərqlərindən və üstünlüklərindən biridir.
Plasma source of electric energy
– плазменный источник электрической энергии (ПИЭЭ). ПИЭЭ – это преобразователи тепловой энергии плазмы в
электрическую энергию. Существуют два типа ПИЭЭ –
магнитогидродинамический генератор и термоэмиссион-
ный преобразователь. (см. также: Magnetohydrodynamic
oscillation и Thermoionic converter)
– plazmalı elektrik enerjisi mənbəyi (PEEM). PEEM plazma-
nın istilik enerjisini elektrik enerjisinə çevirən qurğudur. Iki
növ PEEM mövcuddur: maqnithidrodinamik generator və
147
termoemissiyalı çevirici. (bax həmçinin: Magnetohydrody-
namic oscillation и Thermoionic converter)
p–n junction (electron–hole junction)
– p–n переход (электронно–дырочный переход). p–n пе-
реходом называют тонкий слой между двумя областями
ПП, одна из которых имеет электронную, а другая – ды-
рочную электропроводность. p–n переходы создают раз-
личными способами: диффузией, эпитаксией и др. Они
могут быть симметричными и несимметричными, резки-
ми и плавными, плоскостными и точечными и др. Однако
для всех типов p–n переходов основным свойством явля-
ется несимметричная электропроводность, при которой в
одном направлении кристалл пропускает ток, а в другом
– не пропускает.
– p–n keçid (elektron–deşik keçidi). p–n keçid YK–nin biri
electron, digəri isə deşik keçiriciliyinə malik iki hissəsi ara-
sında nazik təbəqəyə deyilir. p–n keçidlər müxtəif üsullarla:
diffuziya, epitaksiya və s. üsullarla yaradılır. Onlar simmetrik
və qeyri–simmetrik, kəskin və səlis, müstəvi və nöqtəvi və s.
ola bilər. Lakin, p–n keçidlərin hamısı üçün əsas xassə elek-
trikkeçiriciliyinin qeyri–simmetrik olmasıdır. Yəni, kristal cə-
rəyanı bir istiqamətdə buraxır, digər istiqamətdə isə buraxmır.
p–n junction capacitance
– емкость p–n перехода. Емкость p–n перехода состоит из
двух составляющих: барьерной (или зарядной) и диффу-
зионной: С = Сбар + Сдиф. Общая емкость p-n-перехода
измеряется между выводами кристалла при заданных
значениях постоянного напряжения и частоты гармони-
ческого напряжения, прикладываемых к переходу. Барь-
ерная емкость отражает перераспределе-ние зарядов в p–
n переходе, а диффузионная емкость – вблизи границы
перехода. Барьерная емкость обусловлена нескомпенси-
рованным зарядом ионизированных атомов примесей,
148
сосредоточенных по обе стороны от границы перехода.
Эти объемные заряды образуют как бы две заряженные
обкладки конденсатора и создают электрическое поле
перехода. Барьерная емкость составляет ~(101÷10
2)рФ.
Диффузионная емкость обусловлена носителями заряда,
находящимися вблизи границы p–n перехода и отражает
изменение концентрации носителей заряда в p– и n–
областях вследствие инжекции. Диффузионная емкость
составляет ~(100÷10
1) мкФ.
При прямом смещении перехода в основном проявля-
ется диффузионная емкость, при обратном смещении ос-
новную
роль играет барьерная емкость.
На рисунке показан общий вид
вольт – фарадной характеристики
перехода, т.е., зависимости емко-
сти перехода от напряжения.
– p–n keçidin tutumu. p–n keçidin
tutumu iki toplanandan ibarətdir:
çəpər (yaxud yük) və diffuziya
tutumları: С=Сçəp+Сdif. Keçidin
ümumi tutumu kristalın çıxışları arasında, sabit gərginliyin və
harmonik gərginliyin tezliyinin sabit qiymətlərndə ölçülür.
Çəpər tutumu p–n keçiddə, diffuziya tutumu isə keçidin
sərhəddi yaxınlığında yüklərin paylanmasını əks etdirir. Çəpər
tutumu keçidin sərhədinin hər iki tərəfində toplanmış
ionlaşmış aşqar atomlarının kompensə olunmamış yükləri ilə
bağlıdır. Bu yüklər sanki kondensatorun iki yüklü köynəyini
təşkil edir və keçidin elektrik sahəsini yaradır. Çəpər
tutumunun qiyməti ilk növbədə keçidin sahəsindən asılıdır və
bir neçə pF–dan yüzlərlə pF–a qədər olur. Diffuziya tutumu
keçidin ilk növbədə p-n keçidin sahəsindən asılıdır və bir neçə
pF-dən yüzlərlə pF-ə qədər olur. sərhddi yaxınlığında yerləşən
YD ilə bağlıdır. O injeksiya nəticəsində p– və n–hissələrdə
YD konsentrasiyasının dəyişməsini əks etdirir. Diffuziya tu-
–U +U
C0
0
C
149
tumunun qiyməti ~(100÷10
1) mkF tərtibində olur. Düz gər-
ginlik tətbiq edildikdə diffuziya tutumu, əks gərginlikdə isə
çəpər tutumu üstün olur. Şəkildə keçidin volt–farad xarakte-
ristikasının (VFX) ümumi görünüşü göstərilmişdir.
Point-contact diode
– точечный диод. Это диод с очень малой площадью элек-
трического перехода, который может быть получен
вплавлением металлической иглы в полупроводниковую
пластинку. Благодаря малой площади p–n перехода, и как
следствие маленькой ѐмкости перехода, точечный диод
обычно имеет предельную частоту около 300—600 МГц.
При использовании более острой иглы получают точеч-
ные диоды с предельной частотой порядка десятков гига-
герц. Малая площадь p-n перехода обуславливает также и
недостатки точечного диода: максимальное обратное на-
пряжение обычно не превышает 3—5 В, максимальный
ток также сильно ограничен.
– nöqtəvi diod. Elektrik keçidinin sahəsi çox kiçik olan diod.
Belə diod metal iynənin YK lövhəyə əridilib yapışdılması ilə
alına bilər. p–n keçidin sahəsi, və bunun nəticəsi olaraq həm
də tutumu kiçik olduğu üçün nöqtəvi diodun tezlik həddi
(300÷600) MHs olur. Çox iti uclu iynədən istifadə etməklə
tezlik həddini onlarla QHs–ə qədər yüksəltmək olar. p–n
keçidin sahəsinin kiçik olması nöqtəvi diodun bəzi
çatışmamazlıqlarının da yaranmasına səbəb olur. Belə ki,
maksimal əks gərginlik (3÷5) V–dan böyük olmur, həmçinin
maksimal cərəyan da çox məhduddur.
Point-contact junction
– точечный переход. Выпрямляющий электрический пере-
ход, у которого линейные размеры значительно меньше
толщины. (см. Point-contact diode).
– nöqtəvi keçid. Xətti ölçüləri qalınlığından çox kiçik olan
düzləndirici elektrik kontaktı. (bax: Point-contact diode).
150
Point defects (zero–dimensional defects)
– точечные дефекты (нульмерные дефекты). Точечные
дефекты – нарушения кристаллической структуры, раз-
меры которых во всех трех измерениях сравнимы с од-
ним или несколькими междуатомными расстояниями.
Они возникают при нагреве, легировании, в процессе
роста кристалла и в результате радиационного облуче-
ния. Различают собственные – структурные точечные
дефекты и примеси. Собственные точечные дефекты мо-
гут проявляться в виде незанятых узлов решетки – вакан-
сий (дефекты Шоттки), и в виде смещений атома из узла
в междоузлие (дефекты Френкеля). Наличие вакансий
уменьшает плотность кристалла. Примеси – это чуже-
родные атомы, внедренные в кристаллическую решетку.
Вводя примеси, можно изменять свойства кристалла. То-
чечные дефекты даже при относительно небольшой кон-
центрации они могут оказывать значительные влияния на
физические свойства материалов. Например, тысячные
доли атомного процента некоторых примесей могут из-
менять электропроводность чистых ПП в (105–10
6) раз.
Точечные дефекты оказывают влияние также на оптиче-
ские, фотоэлектрические и механические свойство ПП.
– nöqtəvi defektlər (sıfır ölçülü defektlər). Kristal quruluşunun
ölçüləri hər üç istiqamətdə atomlararası məsafələr tərtibində
olan pozulmaları. Onlar qızdırılma, aşqarlama və kristalın
göyərdilməsi proseslərində, həmçinin radiasiya şüalanması
zamanı yaranır. Nöqtəvi defektlər iki cür olur: məxsusi (qu-
ruluş) defektləri və aşqarlar. Məxsusi nöqtəvi defektlər qə-
fəsin tutulmamış düyünləri – vakansiyalar (Şottki defektləri)
və düyünlərarası boşluqlara keçmiş atomlardır (Frenkel
defektləri). Vakansiyaların yaranması kristalın sıxlığının
azalmasına səbəb olur. Aşqarlar başqa elementlərin kristal
qəfəsə daxil edilmiş atomlarıdır. Aşqar daxil etməklə kristalın
xassələrini dəyişdirmək mümkündür. Nöqtəvi defektlər hətta
kiçik konsentrasiyalarda belə materialın fiziki xassələrinə
151
güclü təsir göstərə bilər. Məsələn, atom faizinin mində bir
hissəsi qədər olan bəzi aşqarlar təmiz YK–nın elektrikkeçiri-
ciliyini (105÷10
6)
dəfə dəyişdirə bilər. Nöqtəvi defektlər YK–
nın optik, fotoelektrik və mexaniki xassələrinə də təsir gös-
tərir.
Point of rest (stationary point)
– точка покоя. Рабочая точка транзистора (А), характери-
зующейся выходными током коллектора и напряжением
в отсутствии входных сигналов. Обеспечение требуемого
режима работы производится с
KR
KE
помощью различных
схемных решений. На рисунке показано рабочая точка
покоя на выходных характеристиках транзистора, вклю-
ченного с общим эмиттером.
Линия нагрузки пос–
троена по выражению
Ek=İKпRK+UKЭп по 2-м
точкам: İКп=0, UКЭп=ЕК,
(режим холостого хода)
и UКЭп=0, İКп=ЕK/RK,
(режим короткого замы–
кания), где İКп и UКЭп –
соответствующие ток и
напряжение в режиме покоя.
С повышением температуры характеристики, следова-
тельно и точка покоя перемещаются в сторону больших
токов.
– sükunət nöqtəsi. Giriş siqnalı olmadıqda tranzistorun çıxış
cərəyanı və gərginliyi ilə xarakterizə olunan işçi nöqtəsi.
Tranzistorun tələb olunan işçi rejimi müxtəlif sxemlərlə təmin
edilir. Şəkildə temperatur dəyişəndə ÜE sxemi ilə qoşulmuş
tranzistorun çıxış xaakteristikası üzərində işçi sükunət nöqtə-
sinin (A) dəyişməsi göstərilmişdir. Yük xətti EK=İKS·RK+UKS
ifadəsinə əsasən, İKS=0, UKS=EK (yüksüz işləmə) və UKS=0,
UКЭ
UKE
Ik İБ
(İB)
A
0
Ikп
(İks)
UKЭп
(UKEs) EK
EK
RK
152
İKS=EK/RK (qısa qapanma) nöqtələrinə görə qurulmuşdur.
Temperatur artdıqca xarakteristikalar böyük cərəyanlara doğ-
ru sürüşür və işçi rejim yeni nöqtə ilə təyin edilir.
Polysilicon (polycrystalline silicon)
– поликремний (поликристаллический кремний). Полу-
фабрикат, используемый для производства моно– и муль-
тикристаллического Si. Различают поликремний «элек-
тронного» (ПП) качества (более дорогой и чистый) и по-
ликремний «солнечного» качества (более дешѐвый и со-
держащий больше примесей). Поликремний электронно-
го качества преимущественно используется для получе-
ния цилиндрических кристаллов для электроники. Поли-
кремний солнечного качества используется для получе-
ния прямоугольных мультикристаллических блоков, ци-
линдрических кристаллов, пластин для солнечной энер-
гетики.
Поликремний применяется при изготовлении кристал-
лических и тонкопленочных фотопреобразователей на
основе кремния, жидко кристаллических экранов, подло-
жек и технологических слоев ИС; в качестве затворов
МОП транзисторов, для формирования высокоомных ре-
зисторов и т.д. Широко используется в МЭМС. Высоко-
омный поликремний в сочетании со слоем SiO2 использу-
ется для создания надежной диэлектрической изоляции
между элементами ИС. При изготовлении БИС на по-
верхность пластин Si, покрытых слоем SiO2. осаждается
слой поликремния, который может выполнять функции
резистора, а также контактных областей к эмиттеру и
коллектору транзистора. Межсоединения из поликремния
обеспечивают ряд технологических преимуществ по
сравнению с металлизацией Al. Их реализация позволяет
резко повысить плотность элементов и быстродействие
БИС.
– polikristal Si. Mono– və multikristal Si istehsal etmək üçün
yarımfabrikat. Polikristal Si ―elektron‖ (YK) keyfiyyətli
153
(daha bahalı və təmiz) və ―günəş‖ keyfiyyətli (nisbətən ucuz
və daha çox aşqarlı) olur. Birincilər əsasən elektronika üçün
silindrik kristallar alınmasında, ikincilər isə düzbucaqlı
multikristal bloklar, silindrik kristallar, günəş energetikası
üçün lövhələr alınmasında istifadə edilir. Polikristal silisium
həmçinin Si əsasında kristal və nazik təbəqəli fotoçeviricilər,
maye kristal ekranlar, İS–in altlıqları və texnoloji layları,
MOY tranzistorların rəzələri, yüksək müqavimətli rezistorlar
və s. hazırlamaq üçün istifadə edilir; MEMS-də geniş tətbiq
edilir. SiO2 təbəqəsi ilə birlikdə yüksək müqavimətli poli-
kristal Si təbəqəsi İS–in elementlərini bir–birindən etibarlı şə-
kildə təcrid etmək üçün istifadə edilir. BİS hazırlananda SiO2
təbəqəsi ilə örtülmüş Si lövhələrin səthinə polikristal Si təbə-
qəsi çökdürülür. Bu təbəqə rezistor, həmçinin tranzistorun
emitter və kollektoru üçün kontakt sahəsi funksiyasını yrinə
yetirə bilər. Polikristal Si ilə elementlər arası birləşmələr ya-
ratmaq Al ilə metallaşdırmaya nisbətən bir sıra üstünlüklərə
malikdir. Onlar elementlərin sıxlığını və BİS–in cəldliyini
artırmağa imkan verir.
Position-sensitive detector
– позиционно–чувствительный детектор ПЧД (коорди-
натный детектор КД). Детекторы элементарных час-
тиц, ядерных фрагментов, тяжѐлых ионов, способные с
высокой точностью фиксировать отдельные точки их
траекторий. С помощью ПЧД определяют место прохож-
дения, углы вылета, а по отклонению в магнитном поле –
импульсы заряженных частиц. ПЧД позволяют реконст-
руировать сложную пространственную картину взаимо-
действия ядер в веществе.
– mövqeyə həssas detektor MHD (koordinat detektoru KD).
Elementar zərrəciklərin, nüvə fraqmentlərinin, ağır ionların
trayektoriyasının ayrı–ayri nöqtələrini yüksək həssaslıqla
qeyd edə bilən detektor. MHD–un köməyilə yüklü zərrəcik-
lərin keçdikləri yerləri, uçuş bucaqlarını, maqnit sahələrində
154
impulslarını təyin etmək olar. MHD–lər maddədə nüvələrin
qarşılıqlı təsirinin üşölçülü mürəkkəb mənzərəsini bərpa et-
məyə imkan verir.
Positive feedback (regenerative feedback)
– положительная обратная связь. Обратную связь назы-
вают положительной, если ее сигнал суммируется с
входным, т.е. на вход устройства подается сумма входно-
го сигнала и сигнала ОС. При положительной обратной
связи (ПОС) коэффициент усиления увеличивается, но
стабильность выходного параметра уменьшается. ПОС
используется для ускорения переходных процессов, на-
ходят применение в схемах генераторов и в импульсных
устройствах (см. также: Back coupling).
– müsbət əks əlaqə. Müsbət ƏƏ zamanı ƏƏ siqnalı giriş siqnalı
ilə toplanır, yəni, qurğunun girişinə giriş və ƏƏ siqnallarının
cəmi verilir. ƏƏ müsbət olduqda güclədirmə əmsalı artır, la-
kin çıxış parametrinin stabilliyi azalır. Müsbət ƏƏ keçid pro-
seslərini sürətləndirmək üçün istifadə edilir, generator sxem-
lərində və impuls qurğularında tətbiq edilir (bax həmçinin:
Back coupling).
Positive logic
– положительная логика. Логика называется положитель-
ной, если высокий уровень потенциала отображает ло-
гическую единицу, а низкий – логический нуль. (см. так-
же: Boolean alqebra).
– müsbət məntiq. Məntiq o vaxt müsbət adlanır ki, potensialın
daha yüksək səviyyəsi məntiqi vahidi, aşağı səviyyəsi isə
məntiqi sıfrı əks etdirsin. (bax həmçinin: Boolean alqebra).
Post alloy diffused transistor
– конверсионный транзистор (КТ). Биполярный транзис-
тор, p–n переходы которого созданы изменением типа
проводимости исходной пластины в результате термичес-
155
кой обработки и введением в нее примесей с помощью
процессов вплавления и диффузии. На поверхности ис-
ходной ПП пластины из n–Ge напыляют тонкий слой Cu.
При нагревании ПП пластины до температуры
(600÷800)0С происходит конверсия ее типа проводимости
в результате диффузии Cu в Ge. Эмиттерную область по-
лучают вплавлением в ПП пластину In, легированного Ga
и Sb; базовую область создают диффузией Sb из расплава
в пластину Ge (низкоомная часть базы) и обратной диф-
фузией Cu из Ge в расплав (высокоомная часть базы).
Эти области образуют с исходной ПП пластиной, являю-
щейся коллекторной областью КТ, два p–n перехода со
структурой, близкой к p–n–i–p типу. Малая толщина низ-
коомной части базы обеспечивает работу КТ на частотах
до сотен МГц. Наличие в базе высокоомной части опре-
деляет высокие пробивные напряжения коллекторного
перехода и малые емкости коллектора, что позволяет ис-
пользовать КТ в качестве мощного транзистора. Важной
особенностью КТ является невозможность возникнове-
ния электрического пробоя.
– konversiyalı tranzistor (KT). Ilkin lövhənin keçiricilik növü
termik emal ilə, əridilmə və diffuziya prosesləri vasitəsilə aş-
qar daxil etməklə dəyişdirilən, və bununla da p–n keçidləri
yaradılan bipolyar tranzistor. KT hazırlamaq üçün n–Ge–dan
olan ilkin lövhənin səthinə Cu təbəqəsi çökdürülür.
(600÷800)0С temperatura qədər qızdırıldıqda Cu–n Ge–a
diffuziyası nəticəsində YK lövhənin keçiricilik növü dəyişir.
Emitter hissəsi Ge lövhəyə Ga və Sb ilə aşqarlanmış İn–n
əridilib daxil edilməsi ilə; baza hissəsi lövhəyə ərintidən Sb–n
diffuziyası ilə (bazanın aşağı müqavimətli hissəsi) və Cu–n
Ge–dan ərintiyə əks diffuziyası ilə (bazanın yüksək
müqavimətli hissəsi) yaradılır. Bu hissələr KT–nin kollektor
hissəsi olan ilkin YK lövhə ilə iki p–n keçid yaradır. Bu
tranzistorun quruluşu p–n–i–p quruluşa yaxındır. Bazanın
aşağı müqavimətli hissəsinin qalınlığının az olması KT–nin
156
yüzlərlə MHs tezliklərdə işləməsini təmin edir. Bazanın
yüksək müqavimətli hissəsinin olması kollektor keçidinin
deşilmə gərginliklərinin yüksək, kollektor tutumunun kiçik
olmasına səbəb olur. Bu isə KT–dən güc tranzistoru kimi
istifadə etməyə imkan verir. KT–nin mühüm cəhəti elektrik
deşilməsinin qeyri–mümkün olmasıdır.
Potential barrier (potential hill)
– потенциальный барьер (ПБ). ПБ – область пространства,
где потенциальная энергия частицы выше, чем в сосед-
них областях, т.е. область пространства, разделяющая две
другие области с различными или одинаковыми потенци-
альными энергиями. ПБ возникает на границе раздела
двух тел: на контакте металл–ПП, на p–n переходе и т.д.
ПБ характеризуется «высотой» — минимальной энергией
классической частицы, необходимой для преодоления
барьера. В классической механике частица, не обладаю-
щая достаточной энергией, не сможет преодолеть потен-
циальный барьер. Она может преодолеть ПБ, только по-
лучив извне необходимое количество энергии. Такой
способ преодоления барьера носит название активацион-
ного. В квантовой механике, напротив, частица, не обла-
дающая достаточной для преодоления барьера энергией,
может с некоторой вероятностью пройти сквозь барьер.
Это явление носит название туннельного эффекта.
– potensial çəpər (PÇ). PÇ – fəzada zərrəciyin potensial
enerjisinin qonşu hissələrə nisbətən böyük olduğu yerdir,
yəni, iki eyni və ya müxtəlif enerjilərə malik hissələri bir–
birindən ayıran fəza hissəsidir. PÇ iki cismi ayıran sərhəddə:
metal –YK kontaktında, p–n keçiddə və s. yaranır. PÇ
hündürlük ilə – yəni, klassik zərrəciyin PÇ–i aşmaq üçün
lazım olan minimal enerji ilə xarakterizə olunur. Klassik me-
xanikada kifayət qədər enerjisi olmayan zərrəcik PÇ–dən ke-
çə bilməz. Zərrəcik ancaq xaricdən tələb olunan enerjini al-
dıqda PÇ–i aşıb keçə bilər. PÇ–i belə keçmə üsulu aktivləşmə
157
üsulu adlanır. Kvant mexanikasında isə kifayət qədər enerjisi
olmayan zərrəcik müəyyən ehtimalla (enerjisini dəyişmədən)
PÇ–dən birbaşa keçə bilər. Bu hadisə tunel effekti adlanır.
Powder metallurgy
– порошковая металлургия (ПМ). Совокупность методов
изготовления порошков (из металлов и металлоподобных
соединений) и спеченных изделий из них. Технология
ПМ включает следующие операции: получение исходно-
го порошка; приготовление шихты; формование из по-
рошков или их смесей заготовок; спекание заготовок.
Обычно температура спекания подбирается на (20÷50)0С
ниже температуры плавления основного материала. Ме-
тоды ПМ позволяют изготовлять детали, изготовление
которых другими способами либо невозможно, либо эко-
номически нецелесообразно. Достоинствами ПМ являют-
ся также почти полное отсутствие отходов и возможность
получить изделия практически любой формы. В элек-
тронном приборостроении методами ПМ получают изде-
лия из тугоплавких металлов (W, Re, Ta, Mo, Cr) и спла-
вов (например, W–Co, W–Ag, Pt–Co и др.), а также кер-
меты, конструкционные, магнитные, контактные и др.
материалы.
– ovuntu metallurgiyası (OM). Metal və metalabənzər birləş-
mələrin ovuntularının və onlardan bişirilmiş məmulatların ha-
zırlanma üsullarının toplusu. OM texnologiyası aşağıdakı
mərhələlərdən ibarətdir: ilkin ovuntunun alınması; şixtanın
hazırlanması; ovuntulardan və ya onların qarışığından məmu-
latın quruluşunun formalaşdırılması; məmulatın bişirilib
hazırlanması. Adətən, bişirilmə temperaturu əsas materialın
ərimə temperaturundan (20÷50)0С aşağı olur. OM üsulları
başqa üsullarla hazırlanması mümkün olmayan və ya iqtisadi
cəhətdən özünü doğrultmayan detalları hazırlamağa imkan
verir. Həmçinin tullantıların olmaması və istənilən formalı
məmulat hazırlamaq imkanı OM–in üstünlükləridir. Elektron
158
cihazqayırmasında OM üsulları ilə çətin əriyən metallardan
(W, Re, Ta, Mo, Cr) və xəlitələrdən (məsələn, W–Co, W–Ag,
Pt–Co və s.) müxtəlif məmulatlar, həmçinin kermet,
konstruksiya və kontakt materialları və s. hazırlanır.
Power
– мощность. Физическая величина, равная отношению ра-
боты, выполняемой за некоторый промежуток времени, к
этому промежутку времени. Электрическая мощность –
физическая величина, характеризующая скорость переда-
чи или преобразования электрической энергии. В системе
СИ единицей измерения мощности является Bатт: 1
Bатт=1Дж/с.=107эрг/с.
– güc. Müəyyən zaman fasiləsində görülmüş işin həmin zaman
fasiləsinə nisbəti. Elektrik gücü – elektrik enerjisinin ötürül-
mə və ya çevrilmə sürətini xarakterizə edən fiziki kəmiyyət-
dir. Beynəlxalq vahidlər sistemində güc vahidi Vattdır:
1Vatt=1 C/san.=107erq/san.
Power amplifier
– усилитель мощности УМ (мощные выходные усили-
тели). Усилителем мощности называют усилитель,
предназначенный для обеспечения заданной мощности
на нагрузке Рн при заданном сопротивлении нагрузки Rн.
Поэтому мощные усилительные каскады, которые, как
правило бывают выходными каскадами, рассчитывают по
заданным значениям Рн и Rн. На УМ, как правило, прихо-
дится подавляющая часть мощности, потребляемой тем
устройством, составной частью которого он является.
Поэтому, всемерное внимание уделяется повышению
к.п.д. УМ. Другой важной проблемой является уменьше-
ние габаритных размеров и массы УМ, так как они часто
определяют габаритные размеры и весь всего устройства.
УМ выполняют однотактными и двухтактными. В од-
нотактных каскадах активные приборы работают в ре-
159
жиме А, а в двухтактных – в режимах А или АВ. (см. Am-
plification class). Однотактные УМ применяются при от-
носительно малых выходных мощностях (единицы ватт).
В режиме А можно обеспечить минимально возможный
уровень нелинейных искажений, а в режиме АВ – макси-
мально возможный КПД. (см. также: Amplifier)
– güc gücləndiriciləri GG (güclü çıxış gücləndiriciləri). Güc
gücləndiricisi yük müqavimətinin verilmiş Ry qiymətində
yükdə verilmiş Py gücünü təmin etmək üçün nəzərdə tutulmuş
gücləndiricidir. Odur ki, adətən qurğunun çıxış kaskadı olan
güclü gücləndirici kaskadların hesabatı Py və Ry–in verilmiş
qiymətlərinə əsasən aparılır. Bir qayda olaraq, qurğunun sərf
etdiyi gücün çox böyük hissəsi onun tərkib hissəsi olan GG–
nin payına düşür. Odur ki, GG–nin f.i.ə.–nın artırılmasına
ciddi diqqət yetirilir. Digər mühüm problem GG–nin ölçüləri-
nin və kütləsinin azaldılmasıdır: çünki bir çox hallarda GG–
nin ölçüləri və kütləsi bütün qurğunun ölçülərini və çəkisini
təyin edir.
GG birtaktlı və ikitaktlı olur. Birtaktlı kaskadlarda aktiv
cihazlar A rejimində, ikitaktlı cihazlarda isə B rejimində
işləyir. (bax: Amplification class). Birtaktlı GG nisbətən kiçik
çıxış güclərində (bir neçə vatt) tətbiq edilir. A rejimi qeyri–
xətti təhriflərin mümkün olan minimal səviyyəsini, AB
rejimində isə f.i.ə.–nın mümkün olan maksimal qiymətini
təmin etmək olar. (bax həmçinin: Amplifier)
Power electronic device
– силовое электронное устройство (устройство силовой
электроники УСЭ). Силовые электронные устройства
(СЭУ) преобразуют электрическую энергию первичного
источника в энергию необходимого качества – стабили-
зируют напряжение или ток, подавляют пульсации на-
пряжения первичного источника, преобразуют постоян-
ное напряжение в переменное или постоянное другого
уровня, осуществляют развязку потребителей по цепям
160
питания, а также усиливают сигналы постоянного или
переменного тока. По существу СЭУ выполняют преоб-
разование мощных электрических сигналов. Нагрузкой
СЭУ являются двигатели постоянного и переменного то-
ка, электромагнитные механизмы, электро– и радиообо-
рудования. Наиболее распространенными типовыми уст-
ройствами силовой электроники являются: бесконтакт-
ные переключающие устройства переменного и постоян-
ного тока, выпрямители, инверторы, преобразователи
частоты, преобразователи постоянного напряжения (кон-
верторы) и др.
СЭУ можно классифицировать по следующим призна-
кам:
– по выходному параметру: преобразователи тока и на-
пряжения;
– по виду выходного тока: устройства постоянного и пе-
ременного тока;
– по режиму работы: непрерывные и ключевые устройст-
ва;
– по способу формирования сигнала управления: устрой-
ства без ОС (разомкнутые) и с ОС (замкнутые);
– по свойствам функциональных узлов: на линейные и
нелинейные системы
– по режиму работы устройства (как замкнутой системы
автоматического регулирования): системы стабилиза-
ции и слежения;
По функциональному назначению эти устройства су-
щественно отличаются друг от друга. Однако с энергети-
ческой точки зрения их можно рассматривать как устрой-
ства преобразования энергии первичного источника пи-
тания в энергию необходимого для нагрузки качества.
Поэтому силовую электронику называют также преобра-
зовательной техникой.
В заключении отметим, что особенно быстрое распро-
странение СЭУ началось после создания силовых поле-
161
вых транзисторов и IGBT. В настоящее время СЭУ ис-
пользуются во всех областях техники и практически в
любом достаточно сложном оборудовании.
– güc elektron qurğusu GEQ (güc elektronikası qurğusu
GEQ). GEQ ilkin mənbənin elektrik enerjisini tələb olunan
keyfiyyətli enerjiyə çevirir, gərginlik və ya cərəyanı stabilləş-
dirir, ilkin mənbənin gərginliyinin döyünmələrini söndürür,
sabit gərginliyi dəyişən gərginliyə və ya başqa səviyyəli gər-
ginliyə çevirir, enerji istifadəçilərini qida dövrələri üzrə ayı-
rır, həmçinin sabit və ya dəyişən cərəyan siqnallarını güclən-
dirir. Mahiyyətcə GEQ güclü elektrik siqnallarını çevirir.
GEQ–nın yükü sabit və dəyişən cərəyan mühərrikləri, elek-
tromaqnit mexanizmləri, elektrik və radio avadanlıqları ola
bilər. Ən geniş yayılmış GEQ aşağıdakılardır: sabit və dəyi-
şən cərəyanın kontaktsız aşırıcı qurğuları, düzləndiricilər, in-
vertorlar, tezlik çeviriciləri, sabit gərginlik çeviriciləri (kon-
vertorlar) və s. GEQ–in təsnifatı aşağıdakı əlamətlərinə görə
aparılır:
– çıxış parametrinə görə: cərəyan və gərginlik çeviriciləri;
– çıxış cərəyanına görə: sabit və dəyişən cərəyan qurğuları;
– iş rejiminə görə: fasiləsiz və açar qurğuları;
– idarəedici siqnalın formalaşması üsuluna görə: ƏƏ–siz
(açıq) və ƏƏ–li (qapalı) qurğular;
– funksional qovşaqların xassələrinə görə: xətti və qeyri–xətti
sistemlər;
– qurğunun iş rejiminə görə (qapalı avtomatik tənzimləmə
sistemi kimi): stabilləşdirici və izləyici sistemlər.
Funksional təyinatına görə bu qurğular bir–birindən çox
fərqlənir. Lakin, energetik baxımdan onlara ilkin qida mənbə-
yinin enerjisini yükə lazım olan keyfiyyətli enerjiyə çevirən
qurğular kimi baxmaq olar. Odur ki, güc elektronikasına çevi-
ricilər texnikası da deyilir.
Sonda qeyd edək ki, güclü sahə tranzistorları və İGBT ya-
radıldıqdan sonra GEQ xüsusilə geniş tətbiq olunur. GEQ
162
texnikanın bütün sahələrində və demək olar ki, istənilən mü-
rəkkəb avadanlıqda istifadə edilir.
Power electronics – силовая электроника (СЭ). СЭ называют область науки
и техники, которая решает проблему создания СЭУ, а
также проблемы получения значительной электрической
энергии, управления мощными электрическими процес-
сами и преобразования электрической энергии в доста-
точно большую энергию другого вида.
– güc elektronikası. GE – GEQ–nın yaradılması, həmçinin bö-
yük elektrik enerjisinin alınması, güclü elektrik proseslərinin
idarə edilməsi və elektrik enerjisinin kifayət qədər böyük
başqa növ enerjiyə çevrilməsi ilə bağlı problemlərin həlli ilə
məşğul olan elm və texnika sahəsidir.
Power supply
– источник питания (ИП). Для работы большинства
электронных устройств необходимо наличие одного или
нескольких ИП. Все ИП можно разделить на две группы:
источники первичного электропитания (ИПЭП) и источ-
ники вторичного электропитания (ИВЭП). РЭА может
иметь в своем составе ИП первой группы; ИП второй
группы; ИП первой и второй групп одновременно. ИПЭП
осуществляют преобразование различных видов энергии
в электрическую. ИВЭП представляют собой функцио-
нальные узлы РЭА или законченные устройства, исполь-
зующие энергию системы электроснабжения или ИПЭП
и предназначенные для организации вторичного питания
РЭА. (см. также: Primary power supply и Secondary power
supply).
– qida mənbəyi (QM). Əksər elektron qurğularının işləməsi
üçün bir və ya bir neçə QM tələb olunur. Bütün QM–i iki
qrupa bölmək olar: ilkin elektrik QM (İEQM) və təkrar elek-
trik QM (TEQM). REA–nın tərkibində ya birinci qrup QM,
163
ya ikinci qrup QM, yaxud da eyni zamanda həm birinci, həm
də iknci qrup QM ola bilər. İEQM müxtəlif növ enerjiləri
elektrik enerjisinə çevirir. TEQM REA–nın funksional qov-
şaqları və ya tamamlanmış qurğudur; elektrik təchizatı siste-
minin və ya İEQM–in enerjisindən istifadə edərək REA–nın
təkrar qidalanmasını həyata keçirir. (bax həmçinin: Primary
power supply və Secondary power supply).
Power transistor (high-power transistor)
– мощный транзистор (МТ). Транзистор, допустимая
мощность рассеяния которого превышает 1Вт. Различают
МТ со средней (1÷10) Вт и большой (свыше 10 Вт) вели-
чиной допустимой мощности рассеяния.
МТ могут быть биполярными и полевыми. Характер-
ной особенностью биполярных МТ является разветвлен-
ная форма эмиттерной области (гребенчатая, кольчевая,
звездная и др.), обеспечивающая большое значение от-
ношения периметра эмиттера к его площади, что компен-
сирует оттеснение тока эмиттера к его периферийным
областям. Наибольшее значение отношения периметра к
площади достигается в многоэмиттерных МТ, в которых
эмиттерная область разделяется на большое число от-
дельных кольцевых или полосковых эмиттеров.
Характерной особенностью полевых МТ является раз-
ветвленная форма канала, который может иметь значи-
тельную ширину (до нескольких десятков см) что обес-
печивает при малой площади ПП кристалла существен-
ное увеличение рабочих токов, уменьшение крутизны пе-
редаточной характеристики таких транзисторов.
По конструктивно–технологическим особенностям МТ
делятся на меза–планарные, планарные и планарно–
эпитаксиальные. В качестве исходного ПП материала для
биполярных МТ используют в основном Si, а для поле-
вых – Si и GaAs. Существуют также сплавные биполяр-
ные МТ на основе Ge.
164
– güc tranzistoru (GT). Səpilən gücün yol verilən qiyməti 1
Vt–dan böyük olan tranzistorlar GT adlanır. Səpilən gücün
yol verilən qiymətinə görə GT–ları orta (1÷10 vatt) və böyük
(10 vattdan çox) güclü kimi qruplara bölünür. Bipolyar və
sahə GT var. Bipolyar GT–nin xarakterik cəhəti emitter hissə-
sinin budaqlanmış formada olmasıdır (daraqşəkilli, halqaşə-
killi, ulduzşəkilli və s.). Belə forma emitterin perimetrinin
sahəsinə nisbətinin böyük qiymətini təmin edir və bu da
emitter cərəyanının onun kənar hissələrinə sıxışdırılmasını
kompensə edir. Çoxemitterli GT–da emitterin perimetrinin
onun sahəsinə nisbəti ən böyük qiymət alır. Belə tranzistor-
larda emitter hissəsi çoxlu sayda ayrı–ayrı halqavari və ya
zolaqlı emitterlərdən ibarətdir. Sahə GT–nin xarakterik cəhəti
kanalın budaqlanmış olrmasıdır. Kanalın eni böyük ola bilər
(bir neçə sm–ə qədər). Bu isə YK kristalın sahəsi kiçik
olduqda belə sahə GT-nin işçi cərəyanlarının xeyli artmasını,
ötürmə xarakteristikasının dikliyinin azalmasını təmin edir.
Konstruktiv–texnoloji xüsusiyyətlərinə görə GT meza–pla-
nar, planar və planar–epitaksial kimi qruplara ayrılır. Ilkin
YK material olaraq bipolyar GT üçün əsasən Si, sahə GT
üçün Si və GaAs istifadə edilir. Həmçinin, Ge əsasında əri-
dilmə yolu ilə alınmış bipolyar GT də mövcuddur.
Prebaking ( thermal treatment)
– термообработка (термическая обработка). Тепловое
воздействие на материалы для целенаправленного изме-
нения их физико-химических свойств.
– termik emal. Termik emal materialların fiziki–kimyəvi xassə-
lərini məqsədyönlü dəyişdirmək üçün onlara istiliklə təsir
göstərilməsidir.
Precision
– точность. Широкое понятие. Точность средства измере-
ний — степень совпадения показаний измерительного
прибора с истинным значением измеряемой величины.
165
Чем меньше разница, тем больше точность прибора. Точ-
ность измерительного прибора, откалиброванного по эта-
лону, всегда равна или хуже точности эталона. Точность
результата измерений — показатель близости между ре-
зультатами последовательных измерений одной и той же
величины, выполненных в одинаковых условиях. Точ-
ность – одна из характеристик качества измерения, отра-
жающая близость к нулю погрешности результата изме-
рения.
– dəqiqlik. Geniş mənalı anlayışdır. Ölçü vasitəsinin dəqiqliyi,
ölçü cihazının göstərişi ilə ölçülən kəmiyyətin həqiqi qiymə-
tinin nə dərəcədə yaxın olduğunu göstərir. Fərq nə qədər az-
dırsa, cihazın dəqiqliyi bir o qədər yüksəkdir. Etalona görə
kalibrləşdirilmiş ölçü cihazının dəqiqliyi həmişə etalona bəra-
bər və ya ondan aşağı olur. Ölçmələrin nəticələrinin dəqiqliyi
eyni bir kəmiyyətin eyni şəraitdə dəfələrlə ardicil ölçülmə-
sindən alınan nəticələrin bir–birinə nə dərəcədə yaxın oldu-
ğunun göstəricisidir. Dəqiqlik ölçmələrin keyfiyyətini xarak-
terizə edən göstəricidir və ölçmələrin xətasının sıfra nə qədər
yaxın olduğunu əks etdirir.
Primary power supply
– первичный источник питания. К первичным ИП отно-
сят преобразователи различных видов энергии в электри-
ческую. К данной группе ИП относятся:
1. химические ИП (гальванические элементы, батареи и
аккумуляторы), которые преобразуют химическую
энергию в электрическую;
2. термобатареи, которые состоят из последовательно со-
единенных термопар, у которых благодаря разности
температур между концами создается термо-ЭДС и во
внешней цепи протекает ток;
3. термоэлектронные преобразователи, представляющие
собой вакуумные или газовые приборы с твердыми на-
греваемыми катодами. Преобразование тепловой энер-
166
гии в электрическую осуществляется за счет исполь-
зования термоэлектронной эмиссии нагретых тел;
4. фотоэлектрические преобразователи (солнечные бата-
реи); преобразующие тепловую и световую энергии
солнечных лучей в электрическую;
5. топливные элементы – электрохимические устройства,
осуществляющие прямое превращение энергии топ-
лива в электричество минуя малоэффективные процес-
сы горения;
6. биохимические ИП. Их можно рассматривать как раз-
новидность топливных элементов. Отличие состоит в
том, что активные вещества создаются с помощью
бактерий или ферментов из различных углеводов и уг-
леродов.
7. атомные элементы; различают элементы, использую-
щие β– излучение, контактную разность потенциалов,
с облучаемыми полупроводниками и т.д.
8. электромашинные генераторы, которые преобразуют
механическую энергию в электрическую. Они делятся
на однофазные и многофазные, постоянного и пере-
менного тока, синхронные и асинхронные генераторы.
– ilkin qida mənbələri. Ilkin QM müxtəlif enerji növlərini elek-
trik enerjisinə çevirən çeviricilərdir. Bu qrupa aşağıdakılar
daxildir:
1. kimyəvi QM (halvanik elementlər, batareyalar və akkumul-
yatorlar): kimyəvi enerjini elektrik enerjisinə çevirirən qur-
ğular;
2. termobatareyalar: ardıcıl birləşdirilmiş termocütlərdən iba-
rətdir, ucları arasında temperaturlar fərqi hesabına termo–
e.h.q. yaranır və xarici dövrədə cərəyan axır;
3. termoelektron şeviricilər, qızdırılan bərk katodları olan va-
kuum yaxud qaz cihazlarıdır. Istilik enerjisinin elektrik
enerjisinə çevrilməsi qızdırılmış cisimlərin termoelektron
emissiyasından istifadə etməklə baş verir;
167
4. fotoelektrik çeviricilər (günəş batareyaları) günəş şüaları-
nın istilik və işıq enerjisini elektrik enerjisinə çevirirlər;
5. yanacaq elementləri, az effektiv yanma prosesləri baş ver-
mədən yanacaq enerjisini birbaşa elektrik enerjisinə çe-
virən elektrokimyəvi qurğulardır;
6. biokimyəvi QM. Onlara yanacaq elementlərinin bir növü
kimi baxmaq olar. Fərq ondadır ki, biokimyəvi QM–də ak-
tiv maddələr müxtəlif karbohidratlardan və karbondan
alınan bakteriyalar və fermentlər vasitəsilə yaradılır.
7. atom elementləri. Bu elementlərin β–şüalanmadan, kontakt
potensiallar fərqindən, şüalandırılmış YK–dan istifadə
edən və s. növləri var;
8. elektrik maşın generatorları – mexaniki enerjini elektrik
enerjisinə çevirirlər. Onlar birfazalı və çoxfazalı, sabit və
dəyişən cərəyan, sinxron və asinxron generatorlara
bölünür.
Processor (processing unit)
– процессор. Устройство и программа обработки информа-
ции, функционирующие в составе ЭВМ. Как правило,
процессор реализуется в виде одного или нескольких
микропроцессоров. По выполняемым функциям процес-
соры делятся на центральные, периферийные, ввода-
вывода, коммуникационные и специализированные.
Центральный процессор (ЦП) – основная часть ЭВМ,
представляет собой совокупность арифметико-логичес-
кого устройства (АЛУ), устройства управления и ОЗУ.
АЛУ реализуюет основные арифметические и логические
операции над данными, поступающими на вход АЛУ.
Устройство управления обеспечивает передачу и кон-
троль за передачей данных между АЛУ, ОЗУ и другими
частями компьютера. Периферийным называется процес-
сор, подключаемый к ЭВМ с помощью каналов ввода–
вывода. Используется в составе вычислительной системы
наряду с ЦП для увеличения еѐ производительности и
168
распределения вычислительных функций. Как правило,
высокопроизводительные вычислительные системы со-
держат 10 и более периферийных процессоров, позво-
ляющих проводить одновременную (параллельную) об-
работку информации.
Процессор ввода-вывода предназначен для обслужива-
ния устройств ввода–вывода информации. Коммуника-
ционным называется процессор ввода-вывода, исполь-
зуемый для контроля и передачи данных по коммуника-
ционным линиям в соответствии со стандартными прави-
лами передачи данных (протоколами). Используется для
организации связи между компьютерами и удалѐнными
периферийными устройствами, в том числе для органи-
зации электронной почты.
Специализированным называется процессор, специаль-
но сконструированный для решения конкретной задачи,
например, выполнения прямого и обратного Фурье-
преобразований (Фурье-процессор). Обычно к специали-
зированным относят математический процессор, процес-
сор обработки текстов и изображений. Существуют аку-
стооптический, когерентно–оптический, цифровой опти-
ческий и другие виды процессоров.
– prosessor. EHM–ın tərkibində fəaliyyət göstərən, məlumatı
emal etmək üçün qurğu və proqram. Bir qayda olaraq proses-
sor bir və ya bir neçə mikroprosessordan ibarət olur. Funk-
siyalarına görə prosessorlar aşağıdakı qruplara bölünür: mər-
kəzi, periferiya, daxil etmə–xaric etmə, kommunikasiya və
ixtisaslaşdırılmış. Mərkəzi prosessor (MP) EHM–in əsas
hissəsidir, hesab–məntiq qurğusu (HMQ), idarəetmə qurğusu
və OYQ––nin toplusundan ibarətdir. HMQ onun girişinə
daxil olan verilənlər üzərində əsas hesab və məntiq əməllərini
aparır. İdarəetmə qurğusu verilənlərin HMQ, OYQ və kom-
püterin digər hissələri arasında ötürlməsini və ötrülməsinə nə-
zarəti təmin edir. Periferiya prosessoru EHM–ə daxil etmə–
xaric etmə kanalları vasitəsilə qoşulur; hesablama sisteminin
169
tərkibində MP ilə birlikdə sistemin məhsuldarlığını artırmaq
və hesablama funksiyalarını təyinatı üzrə paylamaq üçün isti-
fadə edilir. Bir qayda olaraq, yüksək məhsuldarlıqlı hesab-
lama sistemlərinin tərkibində on və daha çox periferiya pro-
sessoru olur və onlar eyni zamanda paralel olaraq məlumatı
emal etməyə imkan verir. Daxil etmə–xaric etmə prosessoru
məlumatı daxil etmə–xaric etmə qurğularına yardımçı kimi
nəzərdə tutulmuşdur. Kommunikasiya prosessoru verilənlərin
standart qaydalara (protokollara) əsasən kommunikasiya
xətləri vasitəsilə ötürülməsi və onlara nəzarət üçün istifadə
edilən daxil etmə–xaric etmə prosessorudur; kompüterlərlə
uzaqda olan periferiya qurğuları arasında rabitə yaratmaq
üçün, o cümlədən elektron poçt təşkil etmək üçün istifadə
edilir. Ixtisaslaşdırılmış prosessor –bu və ya digər konkret
məsələni yerinə yetirmək üçün xüsusi olaraq konstruksiya
edilmiş prosessordur. Məsələn, Furye prosessoru düz və əks
Furye çevrilməsini yerinə yetirir. Adətən, ixtisaslaşdirilmiş
prosessorlara riyazi prosessorlar, mətnləri və təsvirləri emal
edən prosessorlar aid edilir. Bundan başqa, prosessorların
akustooptik, kohetent akustooptik, rəqəmli optik və s. növləri
var.
Programmable logic microcircuit (programmable logic device,
PLD)
– программируемая логическая интегральная схема
(ПЛИС). Электронный компонент, используемый для
создания цифровых ИС. В отличие от обычных цифро-
вых ИС, логика работы ПЛИС не определяется при изго-
товлении, а задаѐтся посредством программирования.
Некоторые производители ПЛИС предлагают программ-
ные процессоры для своих ПЛИС, которые могут быть
модифицированы под конкретную задачу, а затем встрое-
ны в ПЛИС. Тем самым обеспечивается уменьшение мес-
та на печатной плате и упрощение проектирования самой
170
ПЛИС. Широко используется для построения различных
по сложности и возможностям цифровых устройств.
Альтернативой ПЛИС являются: программируемые
логические контроллеры (ПЛК), базовые матричные кри-
сталлы (БМК), требующие заводского производственного
процесса для программирования; ASIC — специализиро-
ванные заказные БИС; специализированные компьютеры,
процессоры (например, цифровой сигнальный процессор)
или микроконтроллеры.
– proqramlaşdırılan inteqral məntiq sxemi (PİMS). Rəqəm
İS–lər yaratmaq üçün istifadə olunan elektron komponent.
Adi rəqəm İS–dən fərqli olaraq PMİS–in işçi məntiqi hazır-
lanma zamanı təyin edilmir, sonradan proqramlaşdırma va-
sitəsilə verilir. Bəzi istehsalçılar öz PMİS–i üçün konkret
məsələyə uyğun olaraq modikasiya edilə bilən və sonradan
PMİS–ə qoşulan proqram prosessorları təklif edirlər. Bununla
da çap platasında yerə qənaət edilir və PMİS–in özünün
layihələndirilməsi sadələşir. Müxtəlif mürəkkəblik dərəcəsinə
malik və imkanlarına görə fərqlənən rəqəm qurğularının
yaradılmasında istifadə edilir.
PMİS–in alternativi proqramlaşdırılan məntiq kontroller-
ləri; zavod şəraitində istehsal prosesində proqramlaşdırılması
tələb olunan baza matris kristalları (BMK); ASİC –sifarişlə
hazırlanan ixtisaslaşdirilmiş BİS; ixtisaslaşdirilmiş kompüter-
lər, prosessorlar (məsələn, rəqəmli siqnal prosessoru) yaxud
mikronəzarətçilərdir.
Protective relaying (relay protection)
– релейная защита. Релейная защита (РЗ) – комплекс ав-
томатических устройств, предназначенных для быстрого
выявления и отделения от электроэнергетической систе-
мы повреждѐнных элементов этой системы в аварийных
ситуациях с целью обеспечения нормальной работы ее
исправной части. Действия средств релейной защиты ор-
ганизованы по принципу непрерывной оценки техниче-
171
ского состояния отдельных контролируемых элементов
энергетических систем. Указанные устройства содержат
реле и способны реагировать на короткие замыкания (КЗ)
в различных элементах системы — автоматически выяв-
лять и отключать поврежденный участок. В ряде случаев
РЗ может реагировать и на другие нарушения нормально-
го режима работы системы (например, на повышение то-
ка, напряжения) – включать сигнализацию или отключать
соответствующий элемент системы.
– rele mühafizəsi (RM). RM – avtomat qurğular kompleksidir,
qəza vəziyyətlərində elektrik enerjisi sisteminin zədələnmiş
elementlərini cəld aşkar etmək və sistemdən ayırmaq, bunun-
la da sistemin yararlı hissələrinin normal işləməsini təmin
etmək üçün nəzərdə tutulmuşdur. RM vasitələrinin işi elə
prinsipdə təşkil olunub ki, enerji sisteminin nəzarət olunan
ayrı–ayrı hissələrinin texniki vəziyyəti fasiləsiz olaraq
qiymətləndirilir. Bu qurğuların tərkibində rele var və onlar
sistemin müxtəlif elementlərində qısa qapanmaya (QQ) reak-
siya verirlər, yəni, zədələnmiş hissəni avtomatik olaraq aşkar
edir və dövrədən ayırır. Bəzi hallarda RM sistemin normal iş
rejiminin başqa cür pozulmalarına da (məsələn, cərəyanın ya
gərginliyin artmasına) reaksiya verə bilər – siqnalı qoşa bilər
və ya sistemin uyğun hissəsini dövrədən ayıra bilər.
Pulse counter (pulse scaler)
– счетчик импульсов. Счетчиком называется последова-
тельностное устройство, предназначенное для счета
входных импульсов и фиксации их числа в двоичном ко-
де. В общем случае счетчик представляет собой устрой-
ство, которое может переходить из одного состояния в
другое под действием входных импульсов подлежащих
счету. Следовательно, если счетчик должен считать до
10, то он должен иметь как минимум 10 различных со-
стояний. При этом каждый десятый импульс должен воз-
вращать счетчик в исходное состояние. Число состояний,
172
которое счетчик должен иметь для подсчета заданного
числа импульсов, является основным статическим пара-
метром счетчика и называется коэффициентом счета, или
модулем счета. Основным динамическим параметром,
определяющим быстродействие счетчика, является время
установления выходного кода tк: временной интервал
между моментом подачи входного сигнала и моментом
установления нового кода на выходе.
Счетчики строятся на основе N однотипных связанных
между собой схем, каждая из которых в общем случае
состоит из триггера, и некоторой комбинационной схе-
мы, предназначенной для формирования сигналов управ-
ления триггерами.
В цифровых схемах счетчики могут выполнять сле-
дующие микрооперации над кодовыми словами:
1.установка в исходное состояние (запись нулевого кода);
2. запись входной информации в параллельной форме;
3. хранение информации;
4. выдача хранимой информации;
5. инкремент, т.е. увеличение хранящегося кода на еди-
ницу;
6. декремент, т.е. уменьшение хранящегося кода на еди-
ницу.
Счетчики могут классифицироваться по многим пара-
метрам. Рассмотрим основные из них:
– по модулю счета: двоично–десятичные, двоичные, с
произволным постоянным и с переменным модулем
счета;
– по направлению счета: суммирующие, вычитающие,
реверсивные;
– по способу формирования внутренних связей: с после-
довательным, параллельным и комбинированным пе-
реносом.
– impulslar sayğacı. Sayğac təyinatı giriş impulslarını saymaq
və onların sayını ikilik kodla fiksə etmək olan ardıcıllıqlı qur-
173
ğudur. Ümumi halda sayğac sayılması lazım olan giriş im-
pulslarının təsirilə bir vəziyyətdən digərinə keçə bilən qur-
ğudur. Deməli, əgər sayğac 10–a qədər saymalıdırsa, onun ən
azı 10 müxtəlif vəziyyəti olmalıdır. Hər onuncu impuls
sayğacı ilkin, başlanğıc vəziyyətinə qaytarmalıdır. Verilmiş
sayda impulsları saymaq üçün lazım olan vəziyyətlərin sayı
sayğacın əsas statik parametridir və hesablama əmsalı və ya
hesablama modulu adlanır. Sayğacın cəldliyini təyin edən
əsas dinamik parametri çıxış kodunun verilmə zamanıdır:
giriş siqnalının verilmə anı ilə çıxışda yeni kodun yaranma
anı arasındakı zaman intervalıdır. Sayğaclar öz aralarında
birləşdirilmiş N sayda eyni növlü mərtəbə sxemindən ibarət-
dir. Hər bir sxem isə ümumi halda triggerdən və triggerləri
idarə edən siqnalları formalaşdıran müəyyən kombinasiyalı
sxemdən ibarətdir. Rəqəm sxemlərində sayğaclar kod sözləri
üzərində aşağıdakı mikroəməiyyatları apara bilər:
1. başlanğıc vəziyyətə qayıtma (sıfırıncı kodun yazılması);
2. giriş məlumatının paralel formada yazılması;
3. məlumatın saxlanması;
4. saxlanılan məlumatın verilməsi;
5. inkrement, yəni, saxlanılan kodun bir vahid artırılması;
6. dekrement, yəni, saxlanılan kodun bir vahid azaldılması.
Sayğacların təsnifatı bir çox cəhətlərinə görə verilə bilər.
Onlardan əsas olanlarına baxaq:
– hesablama moduluna görə: ikilik–onluq, ikilik, ixtiyari,
sabit və ya dəyişən hesablama modulu olan;
– hesablamanın istiqamətinə görə: cəmləyici, çıxıcı,reversiv;
– daxili rabitələrin formalaşma üsuluna görə: köçürülməsi
ardıcıl, paralel, kombinə edilmiş olan.
Pulse converter
– преобразователь импульсов. Устройство, обеспечиваю-
щее получение импульсов одной формы из импульсов
другой формы или получение импульсов той же формы,
174
но с другими параметрами. Различают следующие виды
преобразователей импульсов:
–линейные преобразователи импульсов: интегрирующие
и дифференцирующие устройства и др.;
–нелинейные формирующие устройства: электронные це-
пи, основное назначение которых – сформировать сиг-
нал нужной формы из сигнала, имеющего форму, не
удобную для дальнейшего преобразования. К ним отно-
сят ограничители, фиксаторы уровня, компараторы,
триггеры Шмитта, и др.;
–преобразователи импульсов цифровых устройств. Их
основное назначение – выполнение логических функций
и преобразование последовательности импульсов по
определенным законам. К ним относят логические эле-
менты, триггеры, счетчики, регистры, различные ком-
бинационные устройства, выполненные на основе логи-
ческих элементов и др.
– impuls çeviriciləri. Müəyyən bir formalı impulsdan başqa bir
formalı, yaxud parametrləri başqa olan eyni formalı impuls
alınmasını təmin edən qurğu. Impuls çeviricilərinin aşağıdakı
növləri var:
– xətti impuls çeviriciləri: inteqrallayıcı və diferensiallayıcı
qurğular və s.;
– qeyri–xətti formalaşdırıcı qurğular: əsas təyimatı çevirmək
üçün əlverişsiz (yararsız, qeyri–münasib) formalı siqnaldan
əlverişli formalı siqnal formalaşdırmaq olan elektron döv-
rələri. Bunlara məhdudlaşdırıcılar, səviyyə fiksə ediciləri,
müqayisə qurğuları, Şmitt triggerləri və s. aiddir.
– rəqəm qurğularının impuls çeviriciləri. Onların əsas təyinatı
məntiq funksiyalarının yerinə yetirilməsi və impulsların
ardıcıllığını müəyyən qanunlara uyğun olaraq dəyişdirmək-
dir. Onlara məntiq elementləri, triggerlər, sayğaclar, registr-
lər, məntiq elementləri əsasında qurulmuş müxtəlif kom-
binasiyalı qurğular və s. aiddir.
Pulse delay device
175
– устройство задержки импульсов
В некоторых случаях при построении цифровых устройств
необходимо получить задержку цифрового сигнала. Для
этого используют естественную инерционность логиче-
ских элементов и применяют простейшие инверторы, со-
единяя их в последовательные цепочки (рис.1). Суммарная
задержка равна сумме задержек отдельных элементов и ее
можно регулировать дискретно, изменяя число элементов
в цепочке. При четном числе инверторов в цепочке полу-
чается просто задержка, а при нечетном – задержка с ин-
версией сигнала. Такие схемы обеспечивают незначитель-
ную задержку в пределах (5÷100) нс.
Для получения задержек большей длительности исполь-
зуют интегрирующие RC–цепочки, включаемые в цепь
передачи сигнала (рис.2). В таких схемах из–за медлен-
ного заряда и разряда конденсатора смещается время пе-
реключения второго инвертора и происходит задержка
сигнала. Если считать напряжением переключения ин-
вертора Uпер половину напряжения питания Епит, что ха-
рактерно для КМОП–логических элементов, то время за-
держки будет определяться следующим выражением:
RCCRU
EСRt
пер
питзад
7,02lnln
Рассмотренная схема может обеспечить задержки до не-
скольких миллисекунд.
1 1 1 1 Uвых
(Uçıx)
Uвх
(Ugir)
Рисунок 1. Устройство задержки импульсов, образованное
последовательным соединением инверторов
Şəkil 1. Invertorların ardıcıl birləşdirilməsi ilə yaradılmış
impulsları ləngitmə qurğusu
176
– impulsu ləngitmə qurğusu. Bəzi hallarda rəqəmli qurğular
yaradılarkən rəqəmli siqnalın ləngidilməsi zəruri olur. Bu
məqsədlə məntiq elementlərinin təbii ətalətliliyi istifadə edilir
və zəncir şəklində ardıcıl qoşulmuş sadə invertorlar tətbiq
olunur (şəkil 1). Yekun ləngitmə ayrı–ayrı elementlərin lən-
gitmələrinin cəminə bərabərdir və onu zəncirdə elementlərin
sayını dəyişməklə diskret olaraq dəyişmək olar. Zəncirdə
invertorların sayı cüt olduqda sadəcə ləngitmə, tək olduqda
isə ləngitmə ilə bərabər həm də siqnalın inversiyası baş verir.
Belə sxemlər kiçik – (5÷100) nsan. ləngitmə verir.
Daha uzunmüddətli ləngitmə almaq üçün siqnalın ötürülmə
dövrəsinə qoşulan, inteqrallayıcı RC–dövrələri tətbiq edilir
(şəkil 2). Belə dövrələrdə kondensatorun ləng dolub–boşal-
ması nəticəsində ikinci invertorun aşırılma vaxtı sürüşür və
siqnalın ləngiməsi baş verir. Əgər, hesab etsək ki, invertorun
Uaş. aşırılma gərginliyi UQ qida gərginliyinin yarısına bəra-
bərdir (KMOY–məntiq elementləri üçün xarakterik olan hal),
ləngitmə müddəti aşağıdakı kimi hesablana bilər:
RCCRU
UСRt
as
Q
L
7,02lnln
Baxılan sxem bir neçə millisaniyəyə qədər ləngitməni
təmin edə bilir.
Pulse duration modulation (pulse width modulation)
Uвых
(Uçıx)
Uвх
(Ugir) 1 1 R
Рисунок 1. Устройство задержки импульсов, образованное
интегрирующими RC–цепочками
Şəkil 2. Inteqrallayıcı RC dövrələrilə yaradılmış
impulsları ləngitmə qurğusu
177
– широтно–импульсное модулирование (ШИМ).
ШИМ – это изменение длительности импульса τи в со-
ответствии с законом изменения модулирующего сигнала
при постоянной амплитуде и периоде импульсов, т.е. из-
менение скважности (отношение длительности импульса
к его периоду) при постоянной частоте (рис). ШИМ – это
широко используемая возможность регулирования напря-
жения. (см. также: Modulation и Modulation signal)
– impulsun eninə modul-
yasiyası (İEM). İEM –
impulsun amplitudunun
və periodunun sabit qiy-
mətlərində τi davametmə
müddətinin modulyasiya
edən siqnalın dəyişmə
qanununa uyğun olaraq
dəyişdirilməsi; başqa
sözlə tezlik sabit qalmaq-
la impulsun dərinliyinin
(davametmə müddətinin
perioduna nisbəti) dəyiş-
dirilməsinə deyilir
(şəkil).
İEM gərginliyin tənzim-
lənməsi üçün geniş isti-
fadə edilən üsuldur. (bax
həmçinin: Modulation и
Modulation signal).
pulse energy
– энергия импульса. Энергия импульса равна сумме энер-
гий всех его гармоник, причем основная часть энергии
видеоимпульсов лежит в низкочастотной части спектра.
Так, для прямоугольных импульсов 95% всей энергии
импульса сосредоточена в полосе частот 0≤f<fгр=2/tи. В
τi
0 V
5 V
0 V
5 V
5 V
0 V
5 V
0 V
5 V
0 V
скважность – 100% (dərinlik – 100%)
скважность – 0 % (dərinlik – 0 %)
скважность – 25 % (dərinlik – 25 %)
скважность – 50 % (dərinlik – 50 %)
скважность – 75 % (dərinlik – 75%)
%%)
τи
178
связи с тем, что обычно важно знать поведение системы в
том диапазоне частот, в котором передается основная
часть энергии, вводят понятие активной ширины спектра,
под которой понимают диапазон частот от f=0 до некото-
рой граничной частоты fгр, в котором сосредоточена 95%
полной энергии импульса. Использование активной ши-
рины спектра позволяет ограничить полосу пропускания
устройств, на которые воздействуют импульсы, имеющие
достаточно широкий спектр, и выбирать ее равной или
несколько большей активной ширины спектра. (см. так-
же: Electrical pulse).
– impulsun enerjisi. Impulsun enerjisi onun bütün harmoniya-
larının cəminə bərabərdir. Videoimpulsların enerjisinin əsas
hissəsi spektrin aşağı tezlikli hissəsinə düşür. Məsələn, düz-
bucaqlı impulsların tam enerjisinin 95 %–i 0≤f<fsər.=2/ti tezlik
zolağında cəmləşir. Adətən, enerjinin əsas hissəsinin ötürül-
düyü tezlik diapazonunda sistemin özünü necə apardığını bil-
mək zəruri olur. Buna görə də, spektrin aktiv eni anlayışı da-
xil edilir. Spektrin aktiv eni dedikdə impulsun tam enerjisinin
toplandığı, f=0–dan müəyyən fsər sərhəd tezliyinə qədər olan
tezlik diapazonu nəzərdə tutulur. Spektrin aktiv enindən
istifadə etməklə kifayət qədər geniş spektrə malik impulsların
təsir etdiyi qurğunun buraxma zolağının enini azaltmaq olar
və onu aktiv enə bərabər və ya bir qədər böyük götürmək
olar. (bax həmçinin: Electrical pulse).
Pulse-height discriminator (amplitude discriminator)
– амплитудный дискриминатор (АД). Электронное уст-
ройство для анализа сигналов по амплитуде, в частности
импульсов от детекторов частиц. Различают интеграль-
ные и дифференциальные АД. Интегральные АД регист-
рируют импульсы, амплитуда которых больше опреде-
ленной велчины Ап, называемой порогом дискримина-
ции. Дифференциальные АД регистрируют импульсы
при выполнении условия Апн < А < Апв, где Апн и Апв –
179
нижний и верхний пороги, А – амплитуда исследуемого
сигнала.
– amplitud diskriminatoru (AD). AD – siqnalları, o cümlədən
zərrəciklər detektorunun verdiyi impulsları amplituduna görə
təhlil edən elektron qurğudur. Inteqral və diferensial AD var.
Inteqral AD amplitudu diskriminasiya astanası adlanan müəy-
yən Aas. qiymətindən böyük olan impulsları qeyd edir; dife-
rensial AD Аas.aş. < А < Аas.yux. şərtini ödəyən impulsları qeyd
edir. Burada Аas.aş və Аas.yux. – aşağı və yuxarı astana, A isə
tədqiq olunan siqnalın amplitududur.
Pulse–length modulator (pulse–width modulator)
– широтно-импульсный модулятор. Широтно–импульс-
ный модулятор – устройство, предназначенное для пре-
образования заданного управляющего сигнала в непре-
рывную последовательность импульсов фиксированной
частоты, характеризуемую длительностью импульса τи и
длительностью паузы τп при постоянном периоде их сле-
дования Т, задаваемом внешним или внутренним генера-
тором. Таким образом, входным параметром широтно-
импульсного модулятора является сигнал управления, а
выходным – величина, обратная скважности импульсов:
относительная длительность импульса γи = τи /T.
– impulsu eninə modulyasiya edici. Verilmiş idarəedici siqnalı
fiksə olunmuş tezlikli, kəsilməz impulslar ardıcıllığına
çevirmək üçün qurğu. Alınan impulslar τi davametmə
müddəti və τp pauza müddəti ilə xarakterizə olunur, onların
təkrarlanma periodu isə xarici və ya daxili generatorla verilir
və sabit qiymət alır. Impulsu eninə modulyasiya edicinin giriş
parametri idarəedici siqnalın parametrləri, çıxış parametri isə
impulsun dərinliyinin (γi = τi /T) tərs qiymətinə bərabər olan
və impulsun nisbi davametmə müddəti adlanan kəmiyyətdir.
180
Pulse oscillator
– импульсный генератор.(ИГ) Электронное устройство, ге-
нерирующее импульсы. Обычно ИГ состоит из задаю-
щего источника колебаний и формирователя, создающего
импульсы необходимой формы, длительности и ам-
плитуды (мощности). Источником может служить гене-
ратор синусоидальных или релаксационных колебаний. В
зависимости от режима работы ИГ подразделяют на авто-
колебательные (автогенераторы), заторможенные и на
генераторы, работающие в режиме синхронизации или
деления частоты. Автогенераторы непрерывно, без внеш-
него воздействия вырабатывают импульсы, параметры
которых определяются внутренними параметрами его
компонентов (см. Active oscillator). Заторможенные (жду-
щие) генераторы генерируют импульсы, период повторе-
ния которых определяется периодом повторения внеш-
них (запускающих) сигналов, а форма и другие пара-
метры зависят от внутренних параметров схем (см. Gate
mode). В режиме синхронизации или деления частоты ге-
нераторы вырабатывают импульсы, частота повторения
которых кратна частоте синхронизирующего сигнала (см.
Locked mode). Наиболее распространены генераторы
прямоугольных и линейно–изменяющихся (пилообраз-
ных) импульсов напряжения. Генераторы прямоугольных
импульсов делятся на мультивибраторы и блокинг-гене-
раторы. И те, и другие могут работать как в автоколеба-
тельном, так и в ждущем режимах. Генераторы, выраба-
тывающие несколько последова–тельностей импульсов,
называют многофазными.
– impuls generatoru (İG). İG – impulslar generasiya edən elek-
tron qurğudur. Adətən, İG verici rəqs mənbəyindən və tələb
olunan formaya, davametmə müddətinə və amplituda (gücə)
malik impuls yaradan formalaşdırıcıdan ibarət olur. Rəqs
mənbəyi sinusoidal və ya relaksasiyalı rəqslər generatoru ola
bilər. Iş rejimindən asılı olaraq İQ avtorəqslər (avtogenera-
181
tor), ləngidilən (gözləici) və sinxronlaşdırma və ya tezliyin
bölünməsi rejimində işləyən generatorlara ayrılır. Avtogene-
ratorlar fasiləsiz olaraq kənar təsir olmadan, parametrləri öz
daxili parametrləri ilə təyin edilən impulslar generasiya edir.
(bax: Active oscillator). Ləngidilən (gözləici) generatorlar
təkrarlanma periodu xarici (buraxıcı) siqnalların periodu ilə
təyin olunan impulslar generasiya edir; onların forması və di-
gər parametrləri isə sxemlərin daxili parametrlərindən asılıdır
(bax: Gate mode). Sinxronlaşma və ya tezliyin bölünməsi
rejimindəki generatorlar təkrarlanma tezliyi sinxronlaşdırıcı
siqnalın tezliyinin tam misillərinə bərabər olan impuls yaradır
(bax: Locked mode). Düzbucaqlı və xətti dəyişən (mişarvari)
gərginlik impulsları generatorları daha geniş yayılmışdır.
Düzbucaqlı impulslar generatorlarına multivibratorlar və
bloklayıcı generatorlar aiddir. Onların hər ikisi həm avto-
rəqslər, həm də gözləmə rejimində işləyə bilir. Eyni zamanda
bir neçə impulslar ardıcıllığı yaradan generatorlar da var ki,
onlar çoxfazalı generator adlandırılır.
Pulse-phase control
– импульсно-фазовое управление. Так часто называют фа-
зовое регулирование, так как включение силовых прибо-
ров производится с помощью импульсов управления.
Оно характерно тем, что изменение напряжения на на-
грузке достигается изменением угла управления. Исполь-
зование импульсов управления обеспечивает включение
тиристоров в строго заданные моменты времени и облег-
чает их режим работы
– impul-faza ilə idarəetmə. Əksər hallarda faza ilə idarəetməni
impuls-faza ilə idarəetmə adlandırılırlar, çünki, güc cihazları
idarəedici impulsların köməyilə qoşulur. Xarakterik cəhəti
ondan ibarətdir ki, idarəetmə bucağını dəyişməklə yük gər-
ginliyi dəyişdirilir. Idarəedici impulslardan istifadə edilməsi
tiristorların dəqiq verilmiş zaman anlarında qoşulmasını
təmin edir və onların iş rejimini yüngülləşdirir.
182
Pulse ratio
– скважность импульсов. Отношение длительности им-
пульса к периоду следования (повторения) импульсов.
Скважность определяет отношение пиковой мощности
импульсной установки (например, передатчика радиоло-
кационной станции) к еѐ средней мощности и является
важным показателем работы импульсных систем. В уст-
ройствах и системах дискретной передачи и обработки
информации недостаточно высокая скваж ность может
приводить к искажению информации. В практике часто
применяются сигналы со скважностью, равной двум.
– impulsun dərinliyi. Impulsun davametmə müddətinin onların
təkrarlanma perioduna olan nisbətinə impulsun dərinliyi de-
yilir. Impulsun dərinliyi impuls qurğusunun (məsələn, radio-
lokasiya stansiyasıın ötürücüsünün) gücünün ən böyük qiy-
mətinin orta qiymətinə nisbətini təyin edir və sistemin işinin
mühüm göstəricisidir. Məlumatın diskret ötürüldüyü və emal
edildiyi qurğu və sistemlərdə dərinlik az olduqda məlumat
təhrif edilir. Təcrübədə çox vaxt dərinliyi 2–yə bərabər olan
siqnallar istifadə edilir.
Pulse tiristor
– импульсный тиристор. Тиристор, имеющий малую
длительность переходных процессов и предназначенный
для применения в импульсных режимах работы.
– impuls tiristoru. Keçid prosesləri qısa müddətli olan və im-
puls rejimində işləmək üçün nəzərdə tutulmuş tiristor.
Pyroelectriс
– пироэлектрик. Кристаллические диэлектрики, на по-
верхности которых при изменении температуры возни-
кают электрические заряды. Появление электрических
зарядов связано с изменением спонтанной поляризации.
– piroelektrik. Temperatur dəyişərkən səthində elektrik yükləri
yaranan kristal quruluşa malik dielektrik. Səthdə elektrik yük-
183
lərinin yaranması spontan polyarlaşmanın dəyişməsi ilə
bağlıdır.
Quadripole (two–port network)
– четырехпоюсник. Часть электрической цепи, имеющая
четыре точки подключения. Как правило, две точки яв-
ляются входом, две другие — выходом. Такими четырѐх-
полюсниками являются, например, трансформаторы, уси-
лители, фильтры, стабилизаторы напряжения, телефон-
ные линии, линии электропередачи и т. д.
– dördqütblü. Elektrik dövrəsinin dörd qoşulma nöqtəsi olan
bir hissəsi. Bir qayda olaraq nöqtələrdən ikisi giriş, digər ikisi
isə çıxışdır. Belə dördqütblülərə misal olaraq transformatorla-
rı, gücləndiriciləri, süzgəcləri, gərginlik stabilizatorlarını, te-
lefon xətlərini, elektrik ötürmə xətlərini və s. göstərmək olar.
Xüsusi halda tranzistora da dördqütblü kimi baxmaq olar.
Quality of electronic device
– качество электронного прибора. Совокупность свойств
электронных приборов (ЭП), обусловливающих их спо-
собность выполнять заданные функции в определенных
условиях эксплуатации. Эти свойства характеризуются
следующими показателями: назначением ЭП, их надеж-
ности, технологичностью, безопасностью эксплуатации,
удобством обслуживания, транспортабельностью, эрго-
номичностью, эстетическими и экологическими особен-
ностями прибора и т.д. Уровень качества электронного
прибора определяют как на стадии разработки, так и в
процессе их производства и эксплуатации.
– elektron cihazın keyfiyyəti. Elektron cihazın (EC) keyfiyyəti
onun müəyyən istismar şərtləri daxilində verilmiş funksiya-
ları yerinə yetirmək imkanlarını təyin edən xassələrin toplu-
sudur. Bu xassələr aşağıdakı göstəricilərlə xarakterizə edilir:
EC–ın təyinatı, etibarlılığı, texnolojiliyi, istismarın təhlükə-
sizliyi, xidmətin rahatlığı, daşınılmasının asanlığı, erqono-
184
mikliyi, cihazın estetik və ekoloji xüsusiyyətləri və s. EC–ın
keyfiyyətinin səviyyəsi həm işlənib hazırlanma mərhələsində,
həm də istehsal və istismar proseslərində təyin edilir.
Quantum amplifier
– квантовый усилитель (КУ). Устройство для усиления
электромагнитных волн СВЧ или оптического диапазона
за счет вынужденного излучения возбужденных атомов,
молекул или ионов. В отличие от обычных усилителей
электромагнитных колебаний усиление в КУ происходит
в результате взаимодействия электромагнитного излуче-
ния с активной средой, в которой создана инверсная за-
селенность. Процессы, протекающие при таком взаимо-
действии, описываются законами квантовой механики.
В КУ усиливаемая (первичная) электромагнитная вол-
на, распространяясь в активной среде, вызывает в ней
вынужденное испускание квантов излучения, тождест-
венных по частоте, фазе, направлению распространения и
характеру поляризации с первичной волной. В линейном
режиме, т.е. до достижения насыщения, интенсивность I
излучения на выходе КУ выражается формулой:
I=I0exp{(α-β)·z}, где I0 – интенсивность излучения на
входе КУ, β – потери в активной среде, α – коэффициент
усиления активной среды, z – длина активной среды.
Усиление можно увеличить, заставив волну многократно
проходить через активную среду.
КУ (как и КГ) СВЧ диапазона называют мазерными
усилителями, оптического диапазона – лазерными усили-
телями. Примером лазерного усилителя может служить
парамагнитный КУ на рубине. Активный элемент пара-
магнитного КУ размещается в криостате при температуре
кипения жидкого гелия (4,2,К), что позволяет, в частно-
сти, значительно снизить уровень шума. При совмещении
малошумящего КУ со специальной малошумящей антен-
ной можно достичь рекордно низкого уровня шумов всей
185
системы, а выигрыш в чувствительности при этом может
быть ~(50÷200) раз. Это делает СВЧ КУ незаменимыми
для систем дальней космической связи, радиоастрономии
и др.
– kvant gücləndiricisi (KG). Həyəcanlanmış atom, molekul və
ya ionların məcburi şüalanması hesabına İYT və ya optik
diapazona daxil olan elektromaqnit dalğalarını gücləndirmək
üçün qurğu. Elektromaqnit rəqslərinin adi gücləndiricilə-
rindən fərqli olaraq KG–də gücləndirmə elektromaqnit şüa-
lanması ilə invers məskunlaşma yaradılmış aktiv mühitin qar-
şılıqlı təsiri nəticəsində baş verir. Belə qarşılıqlı təsir zamanı
baş verən proseslər kvant mexanikası qanunları ilə təsvir
edilir.
KG–də gücləndirilən elektromaqnit dalğası aktiv mühitdə
yayılan zaman tezliyinə, fazasına, yayılma istiqamətinə və
polyarlaşmasının xarakterinə görə ilkin dalğaya uyğun olan
şüalanma kvantlarının məcburi emissiyasına səbəb olur. Xətti
rejimdə, yəni doyma halı yaranmamışdan əvvəl, KG–nin
çıxışında şüalanmanın intensivliyi I aşağıdakı ifadə ilə təyin
edilir: I=I0exp {(α-β)·z}. Burada I0 – KG–nin çıxışında
şüalanmanın intensivliyi, β – aktiv mühitdə yaranan itkilər, α
– aktiv mühitin gücləndirmə əmsalı, z isə onun uzunluğudur.
Dalğa aktiv mühitdən dəfələrlə keçərsə gücləndirmə də artar.
KG (kvant generatoru kimi) İYT diapazonda işləyirsə
mazer gücləndirici, optik diapazonda isə lazer gücləndiricisi
adlanır. Lazer gücləndiricisinə misal olaraq yaqut əsasında
paramaqnit KG-ni göstərmək olar. Paramaqnit KG–nin aktiv
elementi kriostatda, maye heliumun qaynama temperaturunda
(4,2 K) yerləşdirilir ki, bu da küylərin səviyyəsini xeyli
azaltmağa imkan verir. Hər ikisinin küyləri aşağı səviyyəli
olan KG və xüsusi antenna uyğunlaşdırılıb birləşdirildikdə
bütün sistemin küylərini kifayət qədər aşağı səviyyəyə qədər
azaltmaq, və bu zaman həssaslığı ~(50÷200) dəfə artırmaq
mümkündür. Bu isə İYT KG–i uzaq kosmik rabitə sistemləri,
radioastronomiya və s. üçün əvəzolunmaz edir.
186
Quantum counter
– квантовый счетчик (КС). Устройство для регистрации
отдельных порций (квантов) слабого электромагнитного
излучения субмиллиметрового и ИК диапазонов. Дейст-
вие КС основано на последовательном поглощении час-
тицами рабочего вещества (атомами, молекулами и т.д.)
квантов исследуемого излучения с энергией hη1 и кван-
тов излучения с энергией hη2 от вспомогательного источ-
ника. В результате возникает излучение с энергией кван-
тов hη3, превышающей (иногда значительно) энергию
квантов исследуемого излучения, что позволяет доста-
точно просто регистрировать их с помощью, например,
обычного фотоэлектронного умножителя. КС применя-
ют, например для визуализации ИК излучения (которое
трудно поддается регистрации), юстировки лазеров (ра-
ботающих в ИК диапазоне).
– kvant sayğacı (KS). Submillimetrlik və İQ diapazonda zəif
elektromaqnit şüalanmasının ayrı–ayrı porsiyalarını (kvantla-
rını) qeyd etmək üçün qurğu. KS–nın iş prinsipi işçi mad-
dənin hissəcikləri (atomlar, molekullar və s.) tərəfindən öyrə-
nilən şüalanmanın enerjisi hη1 olan kvantlarının və köməkçi
mənbənin şüalanmasının enerjisi hη2 olan kvantlarının ardıcıl
olaraq udulmasına əsaslanır. Nəticədə kvantlarının enerjisi
öyrənilən şüalanmanın kvantlarının enerjisindən böyük (bə-
zən çox böyük) və hη3–ə bərabər olan şüalanma yaranır ki,
onu müxtəlif vasitələrlə, məsələn FEV vasitəsilə, asanlıqla
qeyd etmək mümkündür. KS çətinliklə qeyd olunan İQ şüa-
lanmanı vizuallaşdirmaq, İQ diapazonda işləyən lazerləri
nizamlamaq və s. məqsədlərlə istifadə edilir.
Quantum dot
– квантовая точка (КТ). КТ – это изолированные нуль–
мерные (0D) нанообъекты, в которых движение НЗ огра-
ничено во всех трех направлениях в пространстве. В ка-
187
ждом из этих направлений (lx,ly,lz) энергия электрона ока-
зывается квантованной:
E= ћ2π
2n1
2/2m*lx
2+ ћ
2π
2n2
2/2m*ly
2+ ћ
2π
2n3
2/2m*lz
2
где n1, n2, n3 =1,2,...
Свойства КТ существенно отличаются от свойств объ-
емного материала такого же состава. КТ состоят из срав-
нительно небольшого количества атомов. Из-за сходства
энергетических характеристик атомов и КТ последние
иногда называют «искусственными атомами».
Первыми КТ были наночастицы металлов, которые
синтезировали еще в древнем Египте для окрашивания
различных стекол, хотя более традиционными и широко
известными КТ являются выращенные на ПП подложках
частицы GaN и коллоидные растворы наноокристаллов
CdSe. В настоящий момент известно множество способов
получения квантовых точек, например, их можно «выре-
зать» из тонких слоев ПП гетероструктур с помощью на-
нолитографии, а можно спонтанно сформировать в виде
наноразмерных включений ПП материала одного типа в
матрице другого. Методом молекулярно–лучевой эпитак-
сии при существенном отличии параметров элементар-
ной ячейки подложки и напыляемого слоя можно добить-
ся роста на подложке пирамидальных квантовых точек.
Контролируя процесс синтеза, можно получать кванто-
вые точки с заданными свойствами.
Особый интерес представляют флуоресцирующие КТ,
получаемые методом коллоидного синтеза. Например КТ
на основе халькогенидов кадмия в зависимости от своего
размера флуоресцируют разными цветами. Интерес за-
ключается в том, что они поглощают энергию в широком
диапазоне спектра, а испускают узкий спектр световых
волн. В настоящее время компанией LG созданы пер-
вые прототипы дисплеев на основе КТ, а компания
188
Nexxus Lighting выпустила светодиодную лампу с
использованием КТ. – kvant nöqtəsi (KN). KN təcrid olunmuĢ sıfır ölçülü (0D)
nanoobyektlərdir. KN–də yükdaşıyıcıların hərəkəti fəzanın
hər üç istiqamətində məhdudlanır, yəni, hər üç istiqamətdə
(lx,ly,lz) elektronların hərəkəti kvantlanmışdır:
E= ћ2π
2n1
2/2m*lx
2+ ћ
2π
2n2
2/2m*ly
2+ ћ
2π
2n3
2/2m*lz
2
Burada n1, n2, n3 =1,2,....., lx,ly,lz x,y və z istiqamətində nazik
təbəqənin qalınlıqlarıdır.
KN–nin xassələri eyni ölçülü həcmi nümunələrin xassələ-
rindən əhəmiyyətli dərəcədə fərqlənir. Kvant nöqtələri az
miqdarda atomlardan təşkil olunur. Atomlarla KN–nin ener-
getik xarakteristikaları oxşardır. Odur ki, bəzən kvant nöqtə-
lərini ―süni atomlar‖ adlandırırlar.
Hələ Qədim Misirdə müxtəlif şüşələri rəngləmək üçün
sintez edilən metal nanohissəcikləri ilk KN olmuşlar. Lakin,
daha ənənəvi və geniş məlum olan KN YK altlıq üzərində
göyərdilmiş GaN hissəcikləri və GdSe nanokristallarının
kolloid məhlullarıdır. Hazırda KN alınmasının çoxlu üsulları
məlumdur. Onları nanolitoqrafiyanın köməyilə nazik YK
heteroquruluşlu təbəqələrdən kəsmək olar, spontan olaraq bir
YK materialın həcmində başqa bir növ YK materialın nano-
ölçülü qoşmaları şəklində formalaşdırmaq olar. Molekulyar–
şüa epitaksiya üsulu ilə altlıq və çökdürülən təbəqənin ele-
mentar özəklərinin parametrləri çox fərqli olduqda altlıq üzə-
rində piramida şəklində KN almaq olar. Sintez prosesinə nə-
zarət etməklə verilmiş xassələrə malik olan KN almaq müm-
kündür. Kolloid sintez üsulu ilə alınan, flüoressensiya edən
KN xüsusi maraq kəsb edir. Məsələn, kadmium halkogenid-
ləri əsasında KN ölçülərindən asılı olaraq müxtəlif rəngli çüa-
lar verə bilər. Maraqlı cəhət ondan ibarətdir ki, onlar spektrin
geniş diapazonunda enerjini udur, lakin spektrin ensiz bir
hissəsində işıq dalğaları buraxır. Hazırda LG şirkəti tərəfin-
189
dən KN əsasında displeylərin prototipi yaradılmışdır, Nexxus Lighting şirkəti isə KN–dən istifadə etməklə işıq diodlu
lampa hazırlamışdır.
Quantum electronics
– квантовая электроника (КЭ). Область электроники, за-
нимающаяся изучением и разработкой методов и средств
генерации и усиления электромагнитных колебаний на
основе эффекта вынужденного излучения газов и твер-
дых тел. К КЭ относят также вопросы нелинейного взаи-
модействия мощного лазерного излучения с веществом и
применения такого взаимодействия в устройствах преоб-
разования частоты лазерного излучения. Наиболее круп-
ным прикладным разделом КЭ является лазерная техни-
ка, связанная с созданием лазеров различных типов, ис-
следованием свойств лазерного излучения и его исполь-
зованием для решения различных практических задач.
Практический интерес к оптическим квантовым генера-
торам (лазерам) обусловлен тем, что они, в отличие от
других источников света, излучают световые волны с
очень высокой направленностью и высокой монохрома-
тичностью. Квантовые генераторы радиоволн отличают-
ся от других радиоустройств высокой стабильностью
частоты генерируемых колебаний, а квантовые усилите-
ли радиоволн – предельно низким уровнем шумов.
– kvant elektronikası (KE). Elektronikanın qaz və bərk cisim-
lərin məcburi şüalanması hadisəsi əsasında elektromaqnit
dalğalarının generasiyası və gücləndirilməsini öyrənən, bu-
nun üçün müxtəlif üsulların və vasitələrin işlənib hazırlan-
ması ilə məşğul olan sahəsi. Bütün kvant elektron cihazları və
qurğuları KE–yə aid edilir. KE–yə həmçinin güclü lazer şüa-
lanması ilə maddənin qeyri–xətti qarşılıqlı təsiri və belə qar-
şılıqlı təsirdən lazer şüalanmasının tezliyini dəyişdirən qur-
ğularda istifadə edilməsi ilə əlaqədar olan məsələlər aid edilir.
KE–nın ən geniş tətbiqi bölməsi müxtəlif növ lazerlərin
190
yaradılması, lazer şüalanmasının xassələrinin öyrənilməsi və
ondan müxtəlif praktiki məsələlərin həllində istifadə edilməsi
ilə məşğul olan lazer texnikasıdır. Optik kvant generatorlarına
(lazerlərə) qarşı maraq ondan irəli gəlir ki, onlar başqa işıq
mənbələrindən fərqli olaraq çox dəqiq istiqamətlənmiş və
yüksək monoxromatikliyə malik işıq dalğaları şüalandırırlar.
Radiodalğaların kvant generatorları başqa radioqurğulardan
generasiya olunan rəqslərin yüksək stabilliyi ilə, radiodalğa-
ların kvant gücləndiriciləri isə küylərin səviyyəsinin çox aşağı
həddə olması ilə fərqlənir.
Quantum electronics devices.
– приборы и устройства квантовой электроники (ПКЭ).
Совокупность квантовых электронных приборов и уст-
ройств – молекулярных генераторов, квантовых усилите-
лей, оптических квантовых генераторов (лазеров) и др., в
которых используется вынужденное излучение газов и
твердых тел. Первый ПКЭ – молекулярный генератор на
аммиаке был создан в 1955 г. одновременно в СССР Н. Г.
Басовым и А. М. Прохоровым и в США Ч. Таунсом. В
1960 г. в США был создан первый лазер (оптического
диапазона) на рубиновом кристалле и первый газовый ла-
зер, а в 1962—63 гг. в США – ПП лазеры. ПКЭ имеют
ряд характерных особенностей, отличающих их от элек-
тронных приборов других типов. Например, молекуляр-
ные генераторы СВЧ диапазона обладают исключительно
высокой стабильностью частоты колебаний (порядка ~
10-13
). Часы на основе такого генератора «уйдут» на 3с. за
1млн. лет. Квантовые парамагнитные усилители СВЧ
диапазона имеют рекордно низкий уровень собственных
шумов по сравнению с усилителями других типов. По-
этому они применяются в устройствах радиоастрономии,
системах дальней космической связи. Лазеры отличаются
от других источников света тем, что излучают световые
волны с очень высокой направленностью и высокой мо-
191
нохроматичностью. На основе лазеров возникли и разви-
ваются новые области науки и техники: оптоэлектроника,
нелинейная оптика, бесконтактные системы записи и
считывания информации, лазерная химия, лазерная тех-
нология, голография, лазерная медицина, лазерная ин-
терферометрия и др. Мощный лазерный пучок, сфокуси-
рованный на поверхности любого вещества, способен
расплавить и испарить его. Это явление лежит в основе
многочисленных технологических применений лазеров.
– kvant elektronikasının cihaz və qurğuları (KEC). Iş prinsipi
qaz və bərk cisimlərin məcburi şüalanmasından istifadəyə
əsaslanan elektron kvant cihaz və qurğularının toplusu –
molekulyar generatorlar, kvant gücləndiriciləri, optik kvant
generatorları (lazerlər), və s. Ilk KEC – molekulyar generator
1955–ci ildə, SSRİ–də N.G.Basov və A.M.Proxorov, ABŞ–
da isə Ç.Tauns tərəfindən eyni zamanda yaradılmışdır. 1960–
cı ildə ABŞ–da yaqut kristalı əsasında ilk lazer (optik
diapazonda) və ilk qaz lazeri, 1962–1963–cü illərdə isə ABŞ–
da YK lazer yaradıldı. KEC onları digər növ elektron
cihazlardan fərqləndirən bir sıra xarakterik xüsusiyyətlərə
malikdir. Məsələn, İYT diapazonlu molekulyar generatorların
rəqslərinin tezliyi müstəsna yüksək stabilliyə malikdir (~10-13
tərtibində). Belə generator əsasında saatlar 1 million il ərzin-
də cəmi 3 san. səhv edə bilər. İYT diapazonlu paramaqnit
kvant gücləndiricilərinin məxsusi küyləri başqa növ güclən-
diricilərlə müqayisədə rekord dərəcədə aşağı səviyyədə olur.
Odur ki, onlar radioastronomiyada, uzaq kosmik rabitə sis-
temlərində tətbiq edilir. Lazerlər çox yüksək dəqiqliklə istiqa-
mətlənmiş və yüksək monoxromatikliyə malik işıq dalğaları
şüalandırması ilə başqa işıq mənbələrindən fərqlənirlər. La-
zerlər əsasında elm və texnikanın yeni sahələri: optoelek-
tronika, qeyri–xətti optika, məlumatın kontaktsız yazılması və
oxunması sistemləri, lazer kimyası, lazer texnologiyası, ho-
loqrafiya, lazer səhiyyəsi, lazer interferometriyası və s. yaran-
mışdır və inkişaf edir. Istənilən maddənin səthində fokus-
192
lanmış güclü lazer şüaları dəstəsi maddəni əridib buxarlandıra
bilər. Bu hadisə lazerlərin çoxsaylı texnoloji tətbiqlərinin əsa-
sını təşkil edir.
Quantum electronics modulus (quantum electronics major
components)
– квантово-электронный модуль (КЭМ). Устройство для
преобразования электрических сигналов в оптические
(квантовые) и наоборот в волоконно–оптических линиях
связи. Элементами, выполняющими эти преобразования,
являются ПП источники излучения (лазер или светодиод)
и фотоприемники. Кроме того, КЭМ содержат электрон-
ные схемы возбуждения и стабилизации работы излуча-
теля, согласующее устройство, малошумящий усилитель
сигнала, а также оптический соединитель.
В зависимости от направления преобразования разли-
чают приемные и передающие КЭМ. В зависимости от
вида преобразуемых сигналов (информации) различают
цифровые и аналоговые КЭМ.
Приемный КЭМ осуществляет преобразование опти-
ческих сигналов, поступающих на его вход из волокон-
но–оптичесого кабеля, в электрические. Передающий
КЭМ преобразует электрические сигналы в оптические.
Цифровые КЭМ отличаются от аналогоых электрической
схемой формирования сигналов управления источником
оптического излучения (для передающих КЭМ) или вы-
ходных электрических сигналов (для приемных КЭМ).
– kvant–elektron modulu (KEM). Lifli–optik rabitə xətlərində
elektrik siqnallarını optik (kvant) və əksinə çevirmək üçün
qurğu. Bu çevrilmələri YK şüa mənbəyi (lazer və ya işıq dio-
du) və fotoqəbuledici kimi elementlər yerinə yetirir. Bundan
başqa KEM–in tərkibində şüalandırıcının işini həyəcanlaşdı-
ran və stabilləşdirən elektron sxemlər, uzlaşdırıcı qurğu, küy-
ləri aşağı səviyyədə olan siqnal gücləndiricisi, həmçinin optik
birləşdirici də olur.
193
Çevrilmənin istiqamətindən asılı olaraq qəbuledici və ötü-
rücü KEM–lər olur. Çevrilən siqnalların (məlumatın) növün-
dən asılı olaraq rəqəmli və analoq KEM–lər olur. Qəbuledici
KEM lifli – optik kabeldən onun girişinə daxil olan optik
siqnalları elektrik siqnallarına çevirir. Ötürücü KEM elektrik
siqnallarını optik siqnallara çevirir. Rəqəmli KEM analoq
KEM–dən optik şüalanma mənbəyini idarə edən siqnaların
(ötürücü KEM–lər halında) və ya çıxış elektrik siqnallarının
(qəbuledici KEM–lər halında) formalaşdığı elektrik sxemləri
ilə fərqlənir.
Quantum fiber (quantum filament , quantum wire)
– квантовая нить (квантовый шнур). Квантовые нити
представляют собой одномерные (1D) ПП структуры, ко-
торые имеют два нанометровых размера (обычно 1÷10
нм), удовлетворяющие условию размерного квантования.
В этих направлениях движение НЗ резко ограничено и
энергия электрона оказывается квантованной. НЗ могут
свободно двигаться только в одном направлении – вдоль
оси шнура. Вклад в энергию НЗ дают кинетическая со-
ставляющая вдоль одного направления и квантованные
значения в двух других напрвлениях (ly,lz)׃
E= ћ2kx
2/2m*+ ћ
2π
2n1
2/2m*ly
2+ ћ
2π
2n2
2/2m*lz
2
Наиболее яркими представителями квантовых нитей
являются углеродные нанотрубки и ПП гетероструктуры.
Уже сейчас углеродные нанотрубки используются для
создания дисплеев и лазеров с высокой плотностью фо-
тонов.
– kvant ipi (kvant naqili). Kvant naqilləri iki istiqamətdə kvant
ölçü effektinin şərtlərini ödəyən, nanometr tərtibli ölçülərə
malik (adətən1÷10 nm) birölçülü (1D) quruluşlardır. Həmin
istiqamətlərdə YD–ın hərəkəti kəskin şəkildə məhdudlanır və
elektronun enerjisi kvantlanmış olur. YD ancaq bir istiqa-
mətdə – naqilin oxu boyunca sərbəst hərəkət edə bilir. YD–ın
194
enerjisi bir istiqamətdə kinetik toplanandan və digər iki
istiqamətdə kvantlanmış toplananlardan ibarətdir (ly,lz)׃
E= ћ2kx
2/2m*+ ћ
2π
2n1
2/2m*ly
2+ ћ
2π
2n2
2/2m*lz
2;
Kvant naqillərinə ən yaxşı nümunə karbon nanoboruları və
YK heteroquruluşlardır. Karbon nanoboruları artiq fotonların
sıxlığı böyük olan displeylər və lazerlər yaratmaq üçün
istifadə edilir.
Quantum oscillator (optical amplifier, stimulated emission
amplifier)
– квантовый генератор (КГ). Устройство для генерирова-
ния электромагнитных волн с помощью вынужденного
излучения фотонов микрочастицами (молекулами, атома-
ми, ионами, электронами). КГ состоит из квантового уси-
лителя и системы ОС. К классу КГ относят также нели-
нейные преобразователи и параметрические генераторы.
В нелинейных преобразователях когерентное излучение
генерируется в результате вынужденного рассеяния пер-
вичного излучения, создаваемого первичным КГ. В пара-
метрических генераторах генерация когерентного излу-
чения осуществляется за счет модуляции параметров ве-
щества, находящегося в мощном электромагнитном поле
первичного КГ. Квантовые приборы, работающие в раз-
личных диапазонах длин волн, имеют специальные на-
именования: КГ СВЧ называют мазерами; КГ длинно-
волнового ИК излучения – иразерами; ближнего ИК и
видимого излучения – лазерами; УФ излучения – УФ ла-
зерами; рентгеновского излучения – разерами; γ-излу-
чения – γ-лазерами. Мощность КГ непрерывного дейс-
твия лежит в пределах (10-4
÷104) Вт; энергия излучения
импульсных КГ– (10-1
÷ 105) Дж. Важная особенность КГ
– чрезвычайно высокая стабильность частоты генерации,
достигающая 10-14
, вследствие чего они используются как
квантовые стандарты частоты.
195
– kvant generatoru (KG). KG mikrohissəciklər (molekullar,
atomlar, ionlar, elektronlar) tərəfindən fotonların məcburi
şüalanması hesabıma elektromaqnit dalğaları generasiya edən
qurğudur. KG kvant gücləndiricisindən və ƏƏ sistemindən
ibarətdir. Qeyri–xətti çeviricilər və parametrik generatorlar da
KG hesab edilir. Qeyri–xətti çeviricilərdə koherent şüalanma
ilkin KG–nin yaratdığı ilkin şüalanmanın məcburi səpilməsi
nəticəsində generasiya olunur. Parametrik generatorlarda
ilkin generatorun güclü elektromaqnit sahəsində yerləşən
maddənin parametrlərinin modulyasiyası hesabına koherent
şüalanma generasiya olunur. Müxtəlif dalğa uzunluqları
diapazonlarında işləyən kvant cihazlarının öz məxsusi adları
var: İYT KG – mazer; uzundalğalı İQ KG – irazer; yaxın İQ
və görünən işıq şüaları KG – lazer; UB KG – UB lazer; rent-
gen şüalanması KG – razer; γ-şüalanması KG – γ-lazer adla-
nır. Fasiləsiz rejimli KG–nun gücü (10-4
÷104) Vt tərtibində,
impuls KG–nun enerjisi (10-1
÷105)C tərtibində olur. KG–nun
mühüm xüsusiyyəti generasiya tezliyinin stabilliyinin yüksək
– 10-14
tərtibində olmasıdır. Buna görə də, onlar tezliyin kvant
standartı kimi istifadə edilir.
Quantum well
– квантовая яма. Kвантовая яма представляет собой дву-
мерную (2D) структуру, в которой в одном направлении
действует квантовое ограничение. НЗ в таких структурах
могут свободно двигаться в плоскости ху (рис.). Их энер-
гия складывается из непрерывных составляющих в нап-
равлениях х и у, и квантованных значений в направлении
z׃
E= ћ2kx
2/2m*+ ћ
2ky
2/2m*+ ћ
2π
2n
2/2m*lz
2
Простейшая квантовая яма – это достаточно тонкий
слой полупроводника (обычно толщиной 1÷10 нм).
Именно на тонких пленках полуметалла висмута и ПП
InSb впервые наблюдались эффекты размерного кван-
196
тования. Квантовые структуры изготавливают с исполь-
зованием гетероструктур: тонкий слой ПП с узкой запре-
щенной зоной помещается между двумя слоями ПП с бо-
лее широкой запрещенной зоной. В результате электрон
оказывается запертым в одном направлении, в то же вре-
мя в двух других направлениях движение электрона бу-
дет свободным. Наилучшие результаты в приготовлении
квантовых ям достигнуты с помощью метода молекуляр-
но–лучевой эпитаксии. Наиболее удачной парой для вы-
ращивания квантовых ям являются соединение GaAs и
твердый раствор AlxGa1–xAs (x = 0,15–0,35).
В настоящее время квантовые ямы
широко используются для создания
лазеров, в транзисторах с высокой
подвижностью электронов. На основе
квантовых ям разработаны также ин-
фракрасные фотодетекторы.
В резонансных туннельных диодах
используют квантовую яму между
двумя барьерами для создания отри-
цательного дифференциального со-
противления.
– kvant çuxuru. Kvant çuxuru iki ölçülü (2D) quruluşdur. Belə
quruluşda bir istiqamətdə kvant məhdudiyyəti yaranır. Belə
quruluşlarda YD xy müstəvisində sərbəst hərəkət edə bilir
(şəkil). Onların enerjisi x və y istiqamətlərində kəsilməz
toplananlardan və z istiqamətində kvantlanmış qiymətlərdən
ibarətdir:
E= ћ2kx
2/2m
*+ ћ
2ky
2/2m*+ ћ
2π
2n
2/2m*lz
2
Ən sadə kvant çuxuru kifayət qədər nazik (adətən 1÷10 nm
qalınlıqlı) YK təbəqədir. İlk dəfə yarımmetal olan bismut və
YK olan İnSb nazik təbəqələrində kvant ölçü effekti mü-
şahidə olunmuşdur. Kvant quruluşları hazırlamaq üçün hete-
roquruluşlardan istifadə edilir: ensiz qadağan zonalı nazik YK
E2
En
·
·
·
a
E1
197
təbəqəsi nisbətən enli zonalı iki YK təbəqənin arasında
yerləşdirilir. Nəticədə, elektron bir istiqamətdə qapalı vəziy-
yətdə olur, digər iki istiqamətdə isə o sərbəst hərəkət edə
bilir. Kvant çuxurları hazırlamaq üçün ən yaxşı nəticələr
molekulyar–şüa epitaksiyası üsulunun vasitəsilə alınmışdır.
Kvant çuxurları yaratmaq üçün ən münasib materiallar GaAs
birləşməsi və AlxGa1–xAs (x 0,15–0,35) bərk məhluludur.
Hazırda kvant çuxurları lazerlər, elektronların yürüklüyü
yüksək olan tranzistorlar yaratmaq üçün geniş istifadə edilir.
Kvant çuxurları əsasında infraqırmızı fotodetektorlar hazır-
lanmışdır. Rezonans tunel diodlarında iki potensial çəpər ara-
sındakı kvant çuxuru mənfi diferensial müqavimət yaratmaq
üçün istifadə edilir.
Quartz clock generator (crystal-controlled clock)
– тактовый кварцевый генератор (кварцевый генератор
синхронизирующих импульсов). Тактовые кварцевые ге-
нераторы, или кварцевые генераторы синхроимпульсов –
это кварцевый резонатор и некоторая схема обрамления,
собранные в одном корпусе (см. также: Quartz oscillator).
– takt kvars generatoru (sinxronlaşdırıcı impulsların kvars
generatoru). Takt kvars generatoru və ya sinxroimpulsların
kvars generatoru bir gövdə daxilində yığılmış hər hansı sxem
və kvars rezenatorunun məcmuyudur (bax. Quartz oscillator).
Quartz oscillator (piezoelectric oscillator)
– кварцевый генератор (КГ). Кварцевый генератор —
генератор синусоидальных или прямоугольных колеба-
ний, генерируемых кварцевым резонатором, входящим в
состав генератора. Частота собственных колебаний квар-
цевого генератора может находиться в диапазоне
(103÷10
8) Гц. Она определяется геометрическими разме-
рами резонатора, упругостью и пьезоэлектрической по-
стоянной кварца, а также тем, как вырезан резонатор из
кристалла и еѐ можно изменить в очень узком диапазоне.
198
Колебания кварцевого генератора характеризуются высо-
кой стабильностью частоты (10−5
÷ 10−12
). Обычно они
обладают небольшой выходной мощностью.
Кварцевые генераторы используют для измерения
времени (кварцевые часы), в качестве стандартов часто-
ты, в многочисленных цифровых устройствах измери-
тельной техники, автоматики и радиотехники, когда
нужно получить повышенную точность и стабильность
частоты. Кварцевые генераторы широко применяются в
цифровой технике в качестве тактовых генераторов.
Предназначены они для формирования на выходе микро-
схемы цифрового сигнала заданной частоты.
– kvars generatoru. Kvars generatoru sinusoidal və ya düz-
bucaqlı rəqslər generatorudur; bu rəqsləri onun tərkibinə daxil
olan kvars rezonatoru generasia edir. Generatorun məxsusi
rəqslərinin tezliyi (103÷10
8) Hs diapazonunda ola bilər. O,
rezonatorun həndəsi ölçülərindən, kvarsın elastikliyindən və
pyezoelektrik sabitindən, həmçinin rezonatorun kvarsdan
necə kəsilməsindən asılıdır və onu çox kiçik diapazonda
dəyişmək olar. Kvars generatorunun rəqsləri tezliyin yüksək
stabilliyi ilə xarakterizə olunur (10−5
÷ 10−12
); onların çıxış
gücü isə adətən kiçik olur.
Kvars generatorları yüksək dəqiqlik və tezliyin stabilliyi
tələb olunan hallarda: zamanı ölçmək üçün (kvars saatları);
tezlik standartları kimi; ölçmə texnikası, avtomatika və radio-
texnikanın çoxsaylı rəqəm qurğularında istifadə edilir. Kvars
generatorları rəqəm elektronikasında takt generatorları kimi
geniş tətbiq edilir. Onların funksiyası İMS–in çıxışında veril-
miş tezlikli rəqəmli siqnallar formalaşdırmaqdır.
Quartz resonator
– кварцевый резонатор. Кварцевый резонатор – это плас-
тинка кварца, представляющая собой электромеханичес-
199
кую колебательную систему, способную совершать резо-
нансные колебания под действием электрического поля
соответствующей частоты. Для обеспечения связи резо-
натора с остальными элементами схемы непосредственно
на кварц наносятся электроды, либо кварцевая пластинка
помещается между обкладками конденсатора. Такие ре-
зонаторы относятся к пьезоэлектрическим элементам,
принцип действия которых основан на использовании
прямого и обратного пьезоэффекта.
– kvars rezonator. Kvars rezonator uyğun tezlikli elektrik
sahəsinin təsirilə rezonans tezlikli rəqslər yarada bilən
elektromexaniki rəqs sistemidir. Rezonator ilə sxemin digər
elementləri arasında əlaqə yaratmaq üçün bilavasitə kvarsın
üzərinə elektrodlar çəkilir, yaxud da kvars lövhə kondensa-
torun köynəkləri arasında yerləşdirilir. Belə rezonatorlar iş
prinsipi düz və əks pyezoeffektlərdən istifadəyə əsaslanan
pyezoelektrik elementlərə aid edilir.
Quiescent conditions (rest mode)
– режим покоя (начальный режим работы). Режим по-
коя усилителя характеризуется постоянными токами
электродов транзистора и напряжениями между этими
электродами в отсутствии входного сигнала. Режиму по-
коя соответствует начальная рабочая точка на нагрузоч-
ной прямой, построенной на семействе статических вы-
ходных характеристик (см.: Load line). В зависимости от
начального режима работы и амплитуды входного
сигнала ток в выходной цепи может протекать либо в
течение всего периода изменения входного сигнала, либо
в течение только части периода (в последнем случае в
остальное время транзистор заперт). Соответственно
этому различают пять разновидностей режима работы
усилителя – классы А, В, АВ, С и D (см. также: Amplifica-
tion class).
200
– sükunət rejimi (başlanğıc iş rejimi). Gücləndiricinin sükunət
rejimi giriş siqnalı olmadıqda onun elektrodlarından axan
sabit cərəyanlar və bu elektrodlar arasındakı gərginliklərlə
xarakterizə edilir. Sükunət rejiminə statik çıxış xarakteristika-
ları ailəsində qurulmuş yük xətti üzərindəki başlanğıc işçi
nöqtə uyğun gəlir (bax.: Load line). Başlanğıc iş rejimindən
və giriş siqnalının amplitudundan asılı olaraq çıxış dövrəsində
cərəyan ya giriş siqnalının bütün dəyişmə periodu ərzində, ya
da periodun bir hissəsi ərzində axa bilər. Sonuncu halda pe-
riodun qalan hissəsi ərzində tranzistor bağlı olur. Buna uyğun
olaraq gücləndiricinin beş müxtəlif iş rejimi olur: A, B, AB,
C və D. (bax həmçinin: Amplification class и Quiescent
point).
Quiescent сurrent
– ток покоя. Током покоя усилительного каскада называ-
ется ток, который течѐт через транзистор при отсутствии
входного сигнала. Меняя его, можно сделать каскад либо
экономичным, но вносящим повышенные искажения, ли-
бо более точно передающим форму сигнала, но потреб-
ляющим большую мощность.
– sükunət cərəyanı. Giriş siqnalı olmadıqda tranzistordan axan
cərəyan gücləndirici kaskadın sükunət cərəyanı adlanır. Süku-
nət cərəyanını dəyişməklə elə etmək olar ki, kaskad qənaətcil
olsun, lakin yüksək təhriflər yaratsın; yaxud da siqnalın for-
masını daha dəqiq ötürsün, lakin böyük güc sərf etsin.
Quiescent point (point of rest, reference operating point)
– точка покоя (начальная рабочая точка, НРТ). Точка
покоя характеризует начальный режим работы транзис-
торного усилителя (см.: Quiescent conditions). В схеме с
ОЭ, например, точка покоя определяется координатами
UБЭ0, İБ0, UКЭ0 и IК0, где UБЭ0, İБ0, UКЭ0 и IК0 – начальные
входные и выходные напряжения и токи в отсутствие
входного сигнала (см.: load line). Для стабильной работы
201
усилителя стремятся не допускать изменения положения
точки покоя. Различные режимы работы усилителя (клас-
сы усиления) отличаются положением рабочей точ-
ки.(см.: Amplification class).
– sükunət nöqtəsi (başlanğıc işçi nöqtə BİN). BİN tranzistorlu
gücləndiricinin başlanğıc iş rejimini xaralterizə edir (bax.:
Quiescent conditions). Məsələn, ÜE sxemdə sükunət nöqtəsi
UBE0, İB0, UKE0 və İK0 koordinatları ilə təyin edilir. Burada
UBE0, İB0, UKE0 və İK0 giriş siqnalı olmadıqda başlanğıc giriş
və çıxış gərginlikləri və cərəyanlarıdır (bax: load line).
Gücləndiricinin işinin stabil olması üçün həmişə çalışırlar ki,
sükunət nöqtəsinin koordinatları dəyişməsin. Gücləndiricinin
müxtəlif iş rejimləri (gücləndirmə rejimləri) işçi nöqtənin
vəziyyəti ilə fərqlənir (bax: Amplification class).
Radiation damage (radiation-induced defect, implantation
damage)
– радиационные дефекты. Дефекты кристаллической
структуры, образующиеся при их облучении потоками
ускоренных частиц или квантов электромагнитного излу-
чения.
– radiasiya defektləri. Sürətli zərrəciklər seli və ya elektromaq-
nit dalğaları kvantları ilə şüalandırdıqda kristal quruluşunda
yaranan defektlər.
Radiative semiconductor device
– излучающий ПП прибор (Из.ППпр.). ПП приборы, пре-
образующие электрическую энергию в энергию оптиче-
ского излучения. В качестве основных элементов
Из.ППпр. используются излучающие диоды видимого и
ИК диапазонов. В зависимости от назначения Из.ППпр.
разделяются на ПП генераторы излучения и ПП приборы
отображения информации (ПП индикаторы). ПП генера-
торы излучения (ППГИ) предназначены для использова-
ния в волоконно-оптических линиях передачи информа-
202
ции, беспроводных линиях связи в пределах прямой ви-
димости, в составе оптопар для преобразования электри-
ческого сигнала в оптический, а также для накачки твер-
дотельных лазеров. ПП индикаторы (ППИ) предназначе-
ны в основном для визуального воспроизведения инфор-
мации в устройствах индивидуального и коллективного
пользования. Основными материалами для изготовления
ППГИ и ППИ являются эпитаксиальные структуры со-
единений типа А3В
5 и их твердых растворов (GaAs, GaP,
InAs, GaAsyP1-y, AlxGa1-x As и др.). Изменяя состав твер-
дых растворов можно создать ППИ с любым цветом све-
чения (от красного до зеленого), в том числе приборы с
многоцветным изображением. ППИ находят широкое
применение в контрольно-измерительной аппаратуре,
фотокиноаппаратуре и др. К основным преимуществам
ППИ по сравнению с другими индикаторами относятся:
почти идеальная совместимость с управляющими БИС и
СБИС, высокое быстродействие и т.д.
– şüalandırıcı YK cihaz (ŞYKC). ŞYKC elektrik enerjisini optik
şüalanma enerjisinə çevirən cihazlardır. ŞYKC–nin əsas ele-
menti kimi götürülən və İQ diapazonlarda şüalanan diodlar
istifadə edilir. Təyinatından asılı olaraq ŞYKC iki qrupa
ayrılır: YK şüalanma generatorları və məlumatı əks etdirən
YK cihazlar (YK indikatorlar). YK şüalanma generatorları
(YKŞG) məlumatin ötürülməsi üçün lifli–optik xətlərdə, bir-
başa görüş dairəsində naqilsiz rabitə xətlərində, elektrik siq-
nalını optik siqnala çevirmək üçün optocütlərin tərkibində,
həmçinin bərk cisim lazerlərinin doldurulması üçün istifadə
edilir. YK indikatorlar (YKİ) əsasən fərdi və kollektiv istifadə
edilən qurğularda məlumatı vizual olaraq əks etdirmək üçün
nəzərdə tutulmuşdur. YKŞG və YKİ hazırlamaq üçün əsas
maeriallar A3B
5 birləşmələrinin və onların bərk məhlullarıın
(GaAs, GaP, InAs, GaAsyP1-y, AlxGa1-xAs və s.) epitaksial
quruluşlarıdır. Bərk məhlulların tərkibini dəyişməklə istənilən
rəngdə (qırmızıdan yaşıla qədər) şüa verən YKİ, o cümlədən
203
çoxrəngli təsvir verən cihazlar yaratmaq olar. YKİ nəzarət–
ölçü aparatlarında, kino–foto aparatlarında və s. geniş tətbiq
olunur. Başqa növ indikatorlarla müqayisədə YKİ–nin əsas
üstünlükləri׃ Idarəedici BİS və İBİS–lərlə demək olar ki,
ideal uyğunlaşma, yüksək cəldlik və s.–dir.
Radio receiver
– радиоприѐмные устройства. Системы электрических
цепей, узлов и блоков, предназначенные для улавливания
распространяющихся в открытом пространстве радио-
волн естественного или искусственного происхождения и
преобразования их к виду, обеспечивающему использо-
вание содержащейся в них информации.
– radioqəbuledici qurğular. Radioqəbuledici qurğular açiq
fəzada yayılan təbii və ya süni mənşəli radiodalğaları tutmaq
və onları, daşıdıqları məlumatdan istifadə edilməsini təmin
edən şəklə çevrilməsi üçün nəzərdə tutulmuş elektrik dövrə-
ləri, qovşaqları və blokları sistemidir.
Radio transmitter
– радиопередающие устройства (РПУ). Устройства для
формирования радиосигналов, предназначенных для пе-
редачи информации на расстояние с помощью радио-
волн. РПУ формируют радиосигналы с заданными харак-
теристиками, необходимыми для работы конкретных ра-
диотехнических систем, и излучают их в пространство. В
любых РПУ осуществляются следующие основные физи-
ческие процессы: генерация электромагнитных колеба-
ний в заданном участке радиодиапазона; управление па-
раметрами этих колебаний (амплитудой, частотой, фазой,
поляризацией и т. д.) по закону передаваемой информа-
ции (амплитудная, частотная и др. виды модуляции); из-
лучение радиосигналов в пространство при помощи ан-
тенны, связанной с генератором электромагнитных коле-
баний либо непосредственно, либо через линию связи.
Помимо создания радиосигналов, предназначенных спе-
204
циально для передачи информации, РПУ применяются в
системах радионавигации, дистанционного зондирования
земной поверхности и других целей.
– radioötürücü qurğular (RÖQ). Radiodalğaları vasitəsilə
məlumatı müəyyən məsafəyə ötürmək üçün radiosiqnallar
formalaşdıran qurğu. RÖQ konkret radiotexniki sistemlərin
işləməsi üçün lazım olan, verilmiş xarakteristikalara malik
radiosiqnallar formalaşdırır və onları fəzaya şüalandırır.
Istənilən RÖQ–da aşağıdakı əsas fiziki proseslər həyata ke-
çirilir: radiodiapazonun verilmiş hissəsində elektromaqnit
rəqslərinin generasiyası: bu rəqslərin parametrlərinin (ampli-
tudu, tezliyi, fazası, polyarlaşması və s.) ötürülən məlumatın
dəyişmə qanununa uyğun olaraq idarə edilməsi (amplitud,
tezlik və s. növ modulyasiyalar); elektromaqnit rəqsləri gene-
ratoru ilə birbaşa və ya rabitə xətti ilə bağlı olan antenna va-
sitəsilə radiosiqnalların fəzaya şüalandırılması. Xüsusi olaraq
məlumatı ötürmək üçün nəzərdə tutulmuş radiosiqnallar
yaratmaqdan başqa RÖQ həm də radionaviqasiya və Yer
səthinin məsafədən zondla tədqiq edilmə sistemlərində və s.
məqsədlərlə istifadə edilir.
Radio wave
– радиоволны (РВ). РВ (от латинского radio – излучаю) –
это электромагнитные волны с длиной волны ~(5·10-5
÷
108) м (частотой от 6·10
12 Гц до нескольких Гц). В опытах
Г. Герца (1888) впервые были получены электромагнит-
ные волны с длиной волны в несколько десятков см. В
1895–99 А. С. Попов впервые применил электромагнит-
ные колебания с λ=102÷2·10
4 см для осуществления бес-
проволочной связи на расстоянии. По мере развития ра-
диотехники расширялся частотный диапазон РВ, которые
могут генерироваться, излучаться и приниматься радио-
аппаратурой. В природе существуют и естественные ис-
точники РВ во всех частотных диапазонах. Источником
РВ является любое нагретое тело (тепловое излучение);
205
звѐзды, в том числе Солнце, галактики и мегагалактики.
РВ генерируются и при некоторых процессах, происходя-
щих в земной атмосфере, например при разрядке молний,
при возбуждении колебаний в ионосферной плазме и т.д.
РВ применяются для передачи информации без про-
водов на различные расстояния (радиовещание, радио-
связь, телевидение); для обнаружения и определения по-
ложения различных объектов (радиолокация) и т.п. РВ
используются для изучения структуры вещества (см. Ра-
диоспектроскопия) и свойств той среды, в которой они
распространяются. В радиоастрономии исследуют ра-
диоизлучения космических объектов. В радиометеороло-
гии изучают процессы в атмосфере по характеристикам
принимаемых РВ. Практическое исполь-зование РВ свя-
зано с особенностями распространения РВ, условиями их
генерации и излучения.
– radiodalğalar (RD). RD (latınca ratio–şüalandırıram) – dalğa
uzunluğu ~(5·10-5
÷ 108) m (tezliyi 6·10
12 Hs–dən bir neçə
Hs–ə qədər) olan elektromaqnit dalğalarıdır. Q.Hersin təcrü-
bələrində ilk dəfə olaraq (1988) dalğa uzunluğu ~102 sm
tərtibində olan elektromaqnit dalğaları alınmışdı. 1895÷1999-
cu illərdə A.S.Popov ilk dəfə olaraq müəyyən məsafədə na-
qilsiz rabitə yaratmaq üçün dalğa uzunluğu λ=102÷2·10
4 sm
olan elektromaqnit dalğaları tətbiq etmişdi. Radiotexnika in-
kişaf etdikcə generasiya olunan, şüalandırılan və radioapa-
ratlarla qəbul edilə bilən RD–nin tezlik diapazonu genişlən-
mişdir. Təbiətdə bütün tezlik diapazonlarında təbii RD mən-
bələri də mövcuddur. Istənilən qızdırılmış cisim (istilik şüa-
lanması); ulduzlar, o cümlədən günəş; qalaktikalar və meqa-
qalaktikalar RD mənbəyidir. RD həmçinin Yer atmosferində
baş verən bəzi proseslərdə, məsələn şimşək çaxanda, iono-
sferin plazmasında rəqslər həyəcanlananda və s. hadisələr za-
manı da generasiya olunur.
RD məlumatı müxtəlif məsafələrə naqilsiz ötürmək üçün
(radioyayım, radiorabitə, televiziya); müxtəlif obyektləri aş-
206
kar etmək və onların yerini təyin etmək üçün (radiolokasiya)
və s. məqsədlərlə tətbiq edilir. RD maddə quruluşunu (radio-
spektroskopiya) və onların yayıldıqları mühitin xassələrini
öyrənmək üçün istifadə edilir. Radioastronomiyada kosmik
obyektlərin radioşüalanması öyrənilir. Radiometeorologiyada
qəbul edilən RD–nin xarakteristikalarına görə atmosferdə baş
verən proseslər öyrənilir. RD–nin tətbiqləri onların yayılma-
sının xüsusiyyətləri ilə, generasiya və şüalanma şərtləri ilə
bağlıdır.
Ramp oscillator (saw tooth oscillator)
– генератор линейно-изменяющихся напряжений
(ГЛИН). Устройство, предназначенное для формирова-
ния линейно–изменяющегося напряжения ЛИН (см.:
Ramp voltage). ГЛИН формируют напряжения пилооб-
разной формы. Поэтому их часто называют генераторами
пилообразного напряжения. Принцип работы ГЛИН ос-
нован на заряде конденсатора постоянным током. Через
конденсатор от источника постоянного тока (ИПТ) про-
текает постоянный ток, благодаря чему при разомкнутом
ключевом устройстве (КУ) напряжение на конденсаторе
определяется выражением: tC
Itdt
ci
CcU
0
1 (при
ic=I=const), т.е. изменяется по линейному закону (рис.1).
При замыкании КУ конденсатор разряжается через со-
противление КУ.
ГЛИН могут работать либо в ждущем (ГЛИН с внеш-
ним управлением, рис.1, а), либо в автоколебательном
режиме (рис. 1, б). В ждущем режиме для получения
ЛИН необходим внешний импульс напряжения, а в авто-
колебательном режиме ГЛИН формирует ЛИН регуляр-
но. Все ГЛИН можно разделить на три группы:
– с интегрирующей RC-цепочкой;
– с токостабилизирующим двухполюсником;
– с компенсирующей обратной связью (ОС).
207
В простейшем случае основой ГЛИН является интег-
рирующая RC-цепочка. (рис.2) В этой схеме RC
UU
dt
dU cc .
При τ=RC>>t1 Uc1<<U и , следовательно, на отрезке вре-
мени [0, t1] constRC
U
dtcdU
, т.е. на начальном участке
экспоненты скорость изменения напряжения Uc пример-
но постоянна и при малых значениях t формируется
ЛИН. Такой генератор может быть реализован на основе
транзисторного ключа (рис.3).
Основное назначение ГЛИН – управление временной
разверткой луча в устройствах, использующих электрон-
но–лучевые трубки. ГЛИН применяют также в устройст-
вах сравнения напряжений, для задержки и расширения
импульсов.
C
R
U ie
+
–
UC
0
τ =RC UC1
t1
U
t
UC
Рисунок 1. ГЛИН в ждущем и автоколебательном режимах
Şəkil 1. XDGG gözləmə və avtorəqslər rejimlərində
Рисунок 2. Интегрирующая RC-цепочка
Şəkil 2. Inteqrallayıcı RC–dövrə
b) a)
С ИТ
(CM)
Uвх
(Ugir)
КУ
(AQ)
ИТ
(CM)
КУ
(AQ) С
208
– xətti dəyişən gərginliklər generatoru (XDGG). XDGG xətti
dəyişən gərginlik (XDG) generasiya etmək üçün qurğudur
(bax: Ramp voltage). XDGG mişarvari gərginlik formalaş-
dırır. Odur ki, çox vaxt onu mişarvari gərginlik generatoru
adlandırırlar. XDGG–nin iş prinsipi kondensatorun sabit cərə-
yanla dolmasına əsaslanır. kondensatordan sabit cərəyan
mənbəyinin (CM) verdiyi cərəyan axır və açar qurğusu (AQ)
açılmış vəziyyətdə olduqda kondensatorda gərginlik aşağı-
dakı ifadə ilə təyin edilir: tC
Itdt
ci
CcU
0
1 (ic=I=const
olduqda), yəni xətti qanunla dəyişir (şəkil 1). AQ qoşulduqda
kondensator AQ–nin rezistoru vasitəsilə boşalır.
XDGG ya gözləmə rejimində (xaricdən idarə olunan
XDGG, şəkil 1, a), ya da avtorəqslər rejimində (şəkil 1, b)
işləyə bilər. Gözləmə rejimində XDG almaq üçün xarici
gərginlik impulsu tələb olunur; avtorəqslər rejimində isə
XDGG müntəzəm olaraq XDG formalaşdırır. Bütün XDGG–
ləri üç qrupa bölmək olar:
– inteqrallayıcı RC–dövrəsi olan;
– cərəyan stabilləşdirici ikiqütblüsü olan;
– kompensasiya edici ƏƏ olan.
+E
Uвых
(Uçıx)
RB RK
Uвх
(Ugir)
C
Рисунок 3. ГЛИН на основе тран-
зисторного ключа
Şəkil 3. Tranzistor açarı əsasında
XDGG
209
Ən sadə halda XDGG–un əsasını inteqrallayıcı RC–
dövrəsi təşkil edir (şəkil 2). Bu sxemdə RC
UU
dt
dU cc .
τ=RC>>t1 olduqda Uc1<<U və uyğun olaraq [0,t1] zaman fasi-
ləsində constRC
U
dtcdU
, yəni, eksponentin başlanğıc hissə-
sində Uc gərginliyinin dəyişmə sürəti təqribən sabitdir və t
zamanının kiçik qiymətlərində XDG formalaşır. Belə
generator tranzistor açarı əsasında qurula bilər (şəkil 3).
XDGG–nin əsas təyinatı elektron–şüa borularından istifadə
edən qurğularda şüanın zamana görə açılmasını idarə etmək-
dir. XDGG həmçinin gərginlikləri müqayisə edən qurğularda,
impulsları ləngitmək və genişləndirmək üçün istifadə edilir.
Ramp voltage
– линейно изменяющееся напряжение (пилообразное на-
пряжение). Линейно изменяющимся напряжением
(ЛИН) называют напряжение, которое в течение проме-
жутка времени, называемого рабочим ходом, изменяется
по линейному закону, а затем в течение промежутка вре-
мени, называемого обратным ходом, возвращается к ис-
ходному уровню.
– xətti dəyişən gərginlik XDG (mişarvari gərginlik). Işçi gediş
adlanan zaman ərzində xətti qanunla dəyişən, sonra isə əks
gediş adlanan zaman ərzində başlanğıc səviyyəyə qayıdan
gərginlik XDG adlanır.
Rectangular pulse generator (square-wave generator)
– генератор прямоугольных импульсов напряжений
(ГПИН). ГПИН делятся на мультивибраторы и блокинг-
генераторы. И те, и другие могут работать как в автоко-
лебательном, так и в ждущем режимах (см. Ramp oscilla-
tor). Автоколебательные ГПИН могут быть построены на
дискретных и логических элементах или на ОУ. На ри-
сунке представлен автоколебательный мультивибратор
210
на основе ОУ. Ждущие вибраторы на основе ОУ, кото-
рых иногда называют одновибратором, могут быть по-
строены также на дискретных и логических элементах.
Для получения мощных прямоугольных импульсов ма-
лой длительности (10-7
÷10-4
с.) и скважностью до не-
скольких десятков тысяч используют блокинг-генерато-
ры. Основным элементом таких генераторов является им-
пульсный трансформатор. Блокинг-генератор может ра-
ботать также в режиме синхронизации. (см. также: Multi-
vibrator и Blocking-oscillator)
– düzbucaqlı gərginlik impulsları generatoru (DGİG). DGİG
iki qrupa bölünür: multivibratorlar və bloklayıcı generatorlar.
Hər iki növ genertorlar həm avtorəqslər, həm də gözləmə
rejimlərində işləyə bilər (bax: Ramp oscillator). Avtorəqslər
DGİG həm diskret, həm də ƏG–li məntiq elementləri əsasın-
da qurula bilər. Şəkildə ƏG əsasında avtorəqslər multivibra-
toru göstərilmişdir. ƏG əsasında gözləyici vibratorlar bəzən
tək vibrator adlandırılır. Onlar da həmçinin həm diskret, həm
də məntiq elementləri əsasında qurula bilər.
Bloklayıcı generatorlar davametmə müddəti kiçik (10-7
÷10- 4
san) və dərinliyi on minlərlə olan güclü düzbucaqlı
impulslar almaq üçün istifadə edilir. Belə generatorların əsas
elementi impuls transformatorudur. Bloklayıcı generator
həmçinin sinxronlaşdırma rejimində də işləyə bilər (bax
həmçinin: Multivibrator и Blocking-oscillator).
R
R1
+
–
R2
Uвых
(Uçıx)
С
Автоколебательный
мультивибратор на
основе ОУ.
ƏG əsasında avto rəqsli
multivibrator
211
Rectifier
– выпрямитель. Устройство для преобразования перемен-
ного тока (напряжения) в постоянный. Выпрямители
применяются также как промежуточные звенья в преоб-
разователях частоты переменного напряжения. Являются
одними из наиболее широко используемых устройств си-
ловой электроники. Основным элементом выпрямителей
является нелинейный элемент (вентиль). Различают
одно– и двухполупериодные, неуправляемые и управ-
ляемые выпрямители. Неуправляемые выпрямители по-
строены на диодах, управляемые – на тиристорах. Вы-
прямители классифицируют по следующим признакам:
числу фаз первичной и вторичной обмоток трансформа-
тора; схеме соединения вентилей и форме выпрямленно-
го напряжения (тока). Подключение выпрямителя к ис-
точнику переменного тока осуществляется непосредст-
венно или с помощью согласующего трансформатора.
Для уменьшения пульсаций выпрямленного тока часто
между выпрямителем и нагрузкой включают сглажи-
вающие фильтры.
– düzləndirici. Düzləndirici dəyişən cərəyanı (gərginliyi) sabit
cərəyana (gərginliyə) çevirmək üçün qurğudur. Düzləndiri-
cilər həmçinin, dəyişən gərginliyin tezliyini dəyişən çevirici-
lərdə aralıq hissə kimi də istifadə olunurlar. Onlar güc elek-
tronikasının ən çox istifadə olunan qurğularından biridir.
Düzləndiricilərin əsas elementi qeyri–xətti element– ventildir.
Bir– və ikiyarımperiodlu, idarə olunmayan və idarə olunan
düzləndiricilər var. Idarə olunmayan düzləndiricilər diodlar
əsasında, idarə olunan düzləndiricilər isə tiristorlar əsasında
yığılır. Düzləndiricilərin təsnifatı aşağıdakı əlamətlərinə görə
aparılır: transformatorun birinci və ikinci dolaqlarında faza-
ların sayına görə; ventillərin birləşmə sxeminə görə, düzlən-
dirilmiş gərginliyin (cərəyanın) formasına görə. Düz-
ləndiricilər dəyişən cərəyan mənbəyinə ya birbaşa, ya da
uzlaşdırıcı transformator vasitəsilə birləşdirilir. Düzləndiril-
212
miş cərəyanın döyüntülərini azaltmaq üçün çox vaxt düzlən-
dirici ilə yük arasında hamarlayıcı süzgəclər qoşulur.
Rectifier cell (valve, gate)
– вентиль (электрический). Общее название электричес-
ких приборов, обладающих в зависимости от направле-
ния электрического тока высокой или низкой проводимо-
стью, т.е. односторонней проводимостью. Эта особен-
ность вентилей (В) обусловило их широкое использова-
ние в качестве активного элемента выпрямителей, инвер-
торов, преобразователей частоты, коммутирующих уст-
ройств и т.д. Вентильный эффект возможен на границе
металла и электролита (электролитические В.), металла и
газа (газоразрядные В.), металла и вакуума (электроваку-
умные В.), металла и ПП или двух ПП с различными ти-
пами проводимости (ПП вентили). В качестве В. приме-
няются различные электронные приборы: диоды, ртут-
ные вентили, тиратроны, игнитроны, тиристоры и т.д.
– ventil. Elektrik cərəyanının istiqamətindən asılı olaraq böyük
və ya kiçik keçiriciliyə, yəni birtərəfli keçiriciliyə malik olan
elektrik cihazlarının ümumi adı. Bu xüsusiyyətinə görə ven-
tillər (V) düzləndiricilərin, invertorların, tezlik çeviricilərinin,
kommutasiya qurğularının və s. aktiv elementi kimi geniş isti-
fadə edilir. Ventil effekti metal ilə elektrolit (elektrolitik V),
metal ilə qaz (qazboşalma V), metal ilə vakuum (elektrova-
kuum V), metal –YK və ya müxtəlif keçiricilik növünə malik
iki YK sərhəddində (YK V) baş verə bilər. V olaraq müxtəlif
elektron cihazları: diodlar, civə ventilləri, tiratronlar, iqnit-
ronlar, tiristorlar və s. istifadə edilir.
Rectifying junction
– выпрямляющий переход. Выпрямляющий переход – это
электрический контакт двух тел, сопротивление которого
в одном направлении больше, чем при противоположном.
(см.: contact phenomena и p–n junction).
213
– düzləndirici keçid. Düzləndirici keçid iki cismin elə elektrik
kontaktıdır ki, bir istiqamətdə onun elektrik müqaviməti əks
istiqamətdəkinə nisbətən böyükdür. (bax: contact phenomena
и p–n junction).
Reference voltage (base voltage, comparison voltage)
– опорное напряжение (ОН). Электрическое напряжение,
относительно которого отсчитывается другое напряже-
ние. Другими словами, опорное напряжение является эта-
лонным, с которым схема сравнивает другие напряжения.
Например в АЦП входное напряжение сравнивается с ОН
и на основании их разницы формируется соответствую-
щий цифровой сигнал на выходе; а напряжение равное
ОН кодируется как цифровой ноль. Источник ОН должен
обеспечивать его высокую стабильность. ОН необходимо
для прямого сравнения, для измерений относительных
изменений напряжения, а также для получения сигналов
ошибки в стабилизаторах и регуляторах напряжения. Ис-
точниками ОН служат нормальные элементы, параметри-
ческие стабилизаторы и др.
– dayaq gərginliyi (DG). Bu elə gərginlikdir ki, ona nisbətən
başqa bir gərginlik hesablanır. Başqa sözlə, DG etalon gər-
ginlikdir və sxem başqa gərginlikləri onunla müqayisə edir.
Məsələn, ARÇ–də giriş gərginliyi DG ilə müqayisə olunur və
onların fərqinə əsasən çıxışda uyğun siqnal alınır; DG–yə bə-
rabər olan gərginlik məntiqi sıfır kimi qəbul edilir. DG mən-
bəyi onun yüksək stabilliyini təmin etməlidir. DG birbaşa
müqayisə üçün, gərginliyin nisbi dəyişmələrini ölçmək üçün,
həmçinin gərginlik stabilizatorları və tənzimləyicilərində ya-
ranan səhvlərə uyğun gələn siqnalların alınması üçün istifadə
edilir. DG mənbəyi kimi normal elementlər, parametrik sta-
bilizatorlar və s. istifadə edilir.
214
Refractive index
– коэффициент преломления. Величина,равная отноше–
нию скорости световой волны в вакууме к фазовой ско-
рости в некоторой среде: n=c/γ. Коэффициент преломле-
ния зависит от свойств вещества и длины волны излуче-
ния. В анизотропных веществах показатель преломления
зависит от направления и поляризации света.
– sındırma əmsalı. Işıq dalğasının vakuumdakı sürətinin mühit-
də faza sürətinə nisbəti sındırma əmsalı adlanır: n=c/γ. Sın-
dırma əmsalı maddənin xassələrindən və şüalanmanın dalğa
uzunluğundan asılıdır. Anizotrop maddələrdə sındırma əmsalı
işığın polyarlaşmasının istiqamətindən asılıdır.
Regenerative amplifier.
– регенеративный усилитель. Регенеративным усилите-
лем называют устройство, обеспечивающее усиление ра-
диосигналов за счет внесения в электрическую цепь от-
рицательного сопротивления. Внесение отрицательного
сопротивления соответствует внесению в эту цепь до-
полнительной энергии от источника постоянного тока
или от генератора высокочастотных колебаний. Особенно
широкое применение регенеративные усилители находят
в диапазоне СВЧ. В этом диапазоне используются нега-
тронные усилители, параметрические усилители, кванто-
вые парамагнитные усилители. В современных регенера-
тивных усилителях отрицательное сопротивление может
реализоваться одним из трех способов:
– изменением реактивного параметра (чаще всего нелиней-
ной емкости варикапа) под действием колебаний генера-
тора высокочастотных колебаний;
– на основе различных физических эффектов в таких ПП
приборах – негатронах, как туннельные диоды, диоды
Ганна, лавинно–пролетные диоды и др.;
215
– созданием внешней положительной ОС в цепях с трех-
электродными усилительными приборами, обычно тран-
зисторами или ИМС.
– regenerativ gücləndirici. Regenerativ gücləndirici elektrik
dövrəsinə mənfi diferensial müqavimətin daxil edilməsi hesa-
bına elektrik siqnallarını gücləndirən qurğudur. Mənfi dife-
rensial müqaimətin daxil edilməsi dövrəyə sabit qida mənbə-
yindən və ya yüksək tezlikli rəqs generatorundan əlavə enerji
cəlb edilməsi deməkdir. Regenerativ gücləndiricilər İYT dia-
pazonda daha geniş tətbiq edilirlər. Bu diapazonda neqatron
gücləndiricilər, parametrik gücləndiricilər və kvant paramaq-
nit gücləndiricilər istifadə edilir. Müasir regenerativ gücləndi-
ricilərdə mənfi diferensial müqavimət aşağıda göstərilən üsul-
lardan biri ilə alınır:
– yüksək tezlikli rəqs generatorunun rəqslərinin təsiri ilə reak-
tiv parametrin (əsasən varikapın tutumunun) dəyişməsi
nəticəsində;
– tunel diodu, Qann diodu, selvari uçuş diodu və s. bu kimi YK
neqatron cihazlarda baş verən müxtəlif fiziki hadisələr nəticə-
sində;
– tərkibində üçelektrodlu gücləndirici cihazlar, adətən, tranzis-
tor və ya İMS olan elektrik dövrələrində müsbət ƏƏ yarat-
maqla.
Register
– регистр. Регистр – это последовательностное логическое
устройство, используемое для хранения n-разрядных
двоичных чисел и выполнения преобразований над ними
(см.: Logic device и Sequential logical device). Регистр
представляет собой упорядоченную последовательность
триггеров, число которых соответствует числу разрядов в
слове. С каждым регистром обычно связано комбинаци-
онное цифровое устройство, с помощью которого обес-
печивается выполнение некоторых операций над слова-
ми. Фактически любое цифровое устройство можно
216
представить в виде совокупности регистров, соединен-
ных друг с другом при помощи комбинационных цифро-
вых устройств. Типичными являются следующие опера-
ции:
– прием слова в регистр;
– передача слова из регистра;
– поразрядные логические операции;
– сдвиг слова влево или вправо на заданное число разря-
дов;
– преобразование последовательного кода слова в парал-
лельный и обратно;
– установка регистра в начальное состояние (сброс).
Регистры делят на накопительные и сдвигающие (см.:
shift register и storage register).
В свою очередь по способу ввода–вывода информации
сдвигающие регистры делятся на параллельные, последо-
вательные и комбинированные; по направлению переда-
чи информации – на однонаправленные и реверсивные.
– registr. Registr n– mərtəbəli ikilik ədədləri yaddaşda saxla-
maq və onların üzərində çevrilmələr aparmaq üçün istifadə
olunan ardıcıllıqlı məntiq qurğusudur (bax: Logic device и
Sequential logical device). Quruluşuna görə registr triggerlə-
rin nizamlı ardıcıllığıdır, triggerlərin sayı sözün mərtəbələri-
nin sayına uyğundur. Adətən, hər bir registrlə bir kombina-
siyalı qurğu bağlı olur və bu qurğu söz üzərində müəyyən
əməliyyatların aparılmasını təmin edir. Faktiki olaraq istəni-
lən rəqəm qurğusuna bir–biri ilə kombinasiyalı rəqəm qurğu-
ları vasitəsilə birləşdirilmiş registrlərin toplusu kimi baxmaq
olar. Registrlərin apardıqları tipik əməliyyatlar aşağıdakı-
lardır:
– sözün registrə qəbul olunması;
– sözün registrdən ötürülməsi;
– mərtəbələr üzrə məntiq əməliyyatları;
– sözün sola və ya sağa mərtəbələrin verilmiş sayı qədər
sürüşdürülməsi;
217
– ardıcıl kodun paralel koda və əksinə çevrilməsi;
– registrin başlanğıc vəziyyətinə qaytarılması.
Registrlər toplayıcı və sürüşdürücü olurlar (bax: shift
register и storage register). Sürüşdürücü registrlər öz növbə-
sində məlumatın daxil edilmə–xaric edilmə üsullarına görə
paralel, ardıcıl və kombinə edilmiş; məlumatın ötürülmə isti-
qamətinə görə biristiqamətli və reversiv kimi növlərə
bölünür.
Relativistic effects – релятивистские эффекты. Явления, наблюдаемые при
скоростях тел (частиц), сравнимых со скоростью света. К
ним относятся: релятивистское сокращение длин в на-
правлении движения тела, релятивистские замедление
времени, увеличение массы тела с ростом его энергии и т.
п., рассматриваемые в специальной теории относитель-
ности. Релятивистскими называют также эффекты общей
теории относительности, например эффект замедления
течения времени в сильном гравитационном поле.
– pelyativist effektlər. Cisimlər (zərrəciklər) işıq sürəti ilə mü-
qayisə olunan sürətlərlə hərəkət edən zaman baş verən hadi-
sələr relyativist effektlər adlanır. Bunlara aşağıdakılar aiddir:
cismin hərəkət istiqamətində uzunluğun relyativist azalması;
zamanın relyativist ləngiməsi; cismin enerjisi artdıqca onun
kütləsinin artması və s. Bu hadisələrə xüsusi nisbilik nəzəriy-
yəsində baxılır. Həmçinin, ümumi nisbilik nəzəriyyəsinin ef-
fektləri, məsələn, güclü qravitasiya sahəsində vaxtın ləngi-
məsi, relyativist effektlərə aid edilir.
Relativistic electronics
– релятивистская электроника (РЭ). Раздел высокочас-
тотной электроники, занимающийся использованием ре-
лятивистских электронных пучков (РЭП) и (или) реляти-
вистских эффектов для усиления, генерирования и пре-
образования электромагнитных колебаний. РЭ представ-
ляет собой прежде всего область электроники больших
218
мощностей. Вместе с тем ряд релятивистских эффектов
позволяет получать когерентное электромагнитное излу-
чение с очень высокими частотами, недоступными для
обычной нерелятивистской вакуумной электроники.
– relyativist elektronika. Yüksək tezliklər elektronikasının bir
bölməsidir; elektromaqnit rəqslərini gücləndirmək, genera-
siya etmək və çevirmək üçün relyativist elektron dəstələri və
ya relyativist effektlərin tətbiqi ilə məşğuldur. Relyativist
elektronika ilk növbədə böyük güclərlə bağlıdır. Bununla
bərabər, bir sıra relyativist effektlər çox yüksək tezlikli
koherent elektromaqnit şüalanması almağa imkan verir ki, bu
da qeyri–relyativist vakuum elektronikası üçün əlçatmazdır.
Resistance
– сопротивление (электрическое). Мера способности тела
противодействовать и ограничивать прохождение через
него постоянного электрического тока.
– müqavimət (elektrik müqaviməti). Cismin (elektrik) müqa-
viməti onun sabit elektrik cərəyannın keçməsinə əks təsir
göstərmək və ya cərəyanı məhdudlaşdırmaq qabiliyyətinin
ölçüsüdür.
Resistance converter
– конвертор сопротивления. Электронные устройства, при
включении которых в электрическую цепь создается эф-
фект определенного целенаправленного изменения ее со-
противления. Различают конверторы положительного
(КПС) и отрицательного (КОС) сопротивлений. КПС –
это четырехполюсник, который преобразует импеданс
(комплексное сопротивление) сопротивления Zn, под-
клююченного к одной паре выводов, в импеданс х·Zn у
другой пары выводов, где х – коэффициент пропор-
циональности. КОС отличается от КПС только знаком х.
– müqavimət konvertoru. Elektrik dövrəsinə qoşduqda onun
müqavimətini müəyyən məqsədyönlü şəkildə dəyişən
219
elektron qurğularıdır. Müsbət (MsMK) və mənfi (MMK)
müqavimət konvertorları var. MsMK dördqütblüdür, bir cüt
çıxışlara qoşulmuş müqavimətin Zn impedansını (kompleks
müqavimət) digər cüt çıxışda х·Zn impedansına çevirir.
burada x–mütənasiblik əmsalıdır. MsMK və MMK ancaq x–
in işarəsi ilə fərqlənirlər.
Resistance strain gate (resistive–strain sensor)
– тензорезистор. Резистор, изменяющий своѐ электричес-
кое сопротивление вследствие деформации, вызываемой
приложенными к нему механическими напряжениями.
Основным параметром тензорезистора является коэффи-
циент тензочувствительности (k), определяемый как от-
ношение относительного изменения электрического со-
противления к величине относительной деформации. Для
сплавов на основе Ni, Mo, Pt (нихром, константан и др.) k
= 2÷14 (определяется в основном только изменением
геометрических размеров тензорезистора); для полупро-
водников (Ge, Si и др.) k= 100÷200. Металические тензо-
резисторы изготовляют из проволки или фольги в виде
решѐтки, полупроводниковые – в виде пластинок (длина
1÷10 мм, ширина 0,2÷1,0 мм, толщина 20÷60 мкм) или
эпитаксиальных плѐнок.
Тензорезисторы используются главным образом в ка-
честве чувствительного элемента измерительных преоб-
разователей (тензодатчиков), применяемых для измере-
ния механических напряжений, деформаций твѐрдых тел,
а также в преобразователях давления или механических
напряжений в электрический сигнал.
– tenzorezistor. Tətbiq edilən mexaniki gərginliyin təsirilə
deformasiya nəticəsində elektrik müqaviməti dəyişən rezistor
tenzorezistorlar adlanır. Tenzorezistorun əsas parametri
elektrik müqavimətinin nisbi dəyişməsinin nisbi
deformasiyanın qiymətinə nisbəti kimi təyin edilən k
tenzohəssaslıq əmsalıdır. Ni, Mo, Pt əsasında xəlitələr üçün
220
(nixrom, konstantan və s.) k=(2÷14) qiymət alır və əsasən
ancaq tenzorezistorun həndəsi ölçülərinin dəyişməsi ilə təyin
edilir; YK üçün (Ge, Si və s.) k=100÷200. Metal tenzore-
zistorlar naqildən və yaxud folqadan qəfəs şəklində; YK ten-
zorezistorlar uzunluğu 1÷10 mm, eni 0,2÷1,0 mm, qalınlığı
20÷60 mkm olan lövhə şəklində və ya epitaksial təbəqələrdən
hazırlanır.
Tenzorezistorlar əsasən mexaniki gərginlikləri, bərk cisim-
lərin deformasiyasını ölçmək üçün istifadə edilən ölçü çeviri-
cilərinin həssas elementləri kimi, həmçinin təzyiq və ya
mexaniki gərginlikləri elektrik siqnallarına çevirən qurğular-
da tətbiq edilir.
Resistor
– резистор. Элемент электрической цепи, предназначен-
ный для использования его электрического сопротивле-
ния.
– rezistor. Rezistor elektrik dövrəsinin bir elementidir; onun
elektrik müqavimətindən dövrədə istifadə olunması üşün nə-
zərdə tutulmuşdur.
Resolution threshold (resolving power)
– разрешающая способность. Свойство радиотехнических,
оптических и других систем различать очень близкие в
пространстве, во времени или по физическим свойствам
объекты (процессы); Разрешающая способность оптиче-
ских приборов, характеризует их способность давать раз-
дельные изображения двух близко расположенных точек.
Наименьшее угловое или линейное расстояние между
двумя точками, при котором система дает их раздельное
изображение, называется угловым или линейным преде-
лом разрешения и характеризует границы применимости
геометрической оптики. Разрешающая способность зави-
сит от длины волны, на которой работает прибор, поэто-
му разрешающая способность электронного микроскопа
221
в 1000 раз больше разрешающей способности оптическо-
го микроскопа.
– ayırdetmə qabiliyyəti. Radiotexniki, optik və s. sistemlərin
fəzada, zamana və ya fiziki xassələrinə görə çox yaxın olan
obyektləri (prosesləri) bir–birindən ayıra bilmək xassəsi.
Optik sistemlərin ayırdetmə qabiliyyəti onların bir–birinə ya-
xın yerləşmiş iki nöqtənin təsvirini ayrılıqda vermək qabiliy-
yətini xarakterizə edir. Təsvirin ayrılıqda alınması üçün iki
nöqtə arasındakı ən kiçik bucaq və ya xətti məsafə ayırd-
etmənin bucaq və ya xətti həddi adlanır və həndəsi optikanın
tətbiq oluna biləcəyi sərhəddi xarakterizə edir. Ayırdetmə qa-
biliyyəti cihazın işlədiyi dalğa uzunluğundan asılıdır. Odur ki,
elektron mikroskopun ayirdetmə qabiliyyəti optik mikroskopa
nisbətən 1000 dəfə böyükdür.
Resonance amplifier (tuned amplifier)
– резонансный усилитель (РУ) – усилитель электрических
колебаний, содержащий резонансный колебательный
контур и имеющий вследствие этого большое усиление в
сравнительно узкой полосе частот вблизи резонансной
частоты, что позволяет с помощью РУ не только усилии-
вать, но и выделять колебания с требуемыми частотами.
РУ широко используются в радиотехнике, главным обра-
зом в качестве малошумящих избирательных усилии-
телей на входе радиоприѐмных устройств и мощных уси-
лителей на выходе радиопередающих устройств.
– rezonans gücləndirici (RG). RG elektrik rəqslərinin güclən-
diricisidir. Tərkibində rezonans rəqs konturu var və buna görə
də rezonanas tezliyi yaxınlığında nisbətən ensiz tezlik zola-
ğında gücləndirmə böyük olur. Bu isə RG–nin köməyilə nəin-
ki rəqsləri gücləndirmək, həmçinin tələb olunan tezlikli rəqs-
ləri ayırmağa imkan verir. RG radiotexnikada, əsasən radio-
qəbuledici qurğuların girişində aşağı küylü seçici gücləndirici
kimi və radioötürücü qurğuların çıxışında güclü gücləndirici
kimi istifadə edilir.
222
Resonator
– резонатор. Система или тело, в которых можно наблю-
дать явление резонанса. Резонаторы бывают оптические
и акустические. Микрорезонатор – устройство, в котором
осциллятор (генератор колебаний) сформирован по крем-
ниевой технологии. Параметры осциллятора изменяются
даже при незначительных изменениях внешних факторов
(температуры, давления и т.д.), что приводит к измене-
нию резонансной частоты. Резонаторы используют в раз-
нообразных датчиках для улучшения их чувствительно-
сти.
– rezonator. Rezonator rezonans hadisəsi müşahidə olunan sis-
tem və ya cisimdir. Optik və akustik rezonatorlar olur. Mikro-
rezonator ossilyatoru (rəqs generatoru) silisium texnologiyası
ilə yaradılan qurğudur. Xarici amillər (temperatur, təzyiq və
s.) çox az dəyişdikdə belə ossilyatorun parametrləri dəyişir;
bu isə rezonanas tezliyinin dəyişməsinə səbəb olur. Rezona-
torlar müxtəlif sensorlarda, onların həssaslığını artırmaq üçün
istifadə edilir.
Response characteristic
– частотная характеристика. (см. Frequency response)
– tezlik xarakteristikası (bax: Frequency response)
Reverse blocking diode thyristor
– диодный тиристор, запираемый в обратном направ-
лении. Диодный тиристор, который при обратном напря-
жении не переключается, а находится в непроводящем
состоянии.
– əks istiqamətdə bağlanan diod tiristoru. Bu elə diod tiristo-
rudur ki, əks gərginlik tətbiq edildikdə aşırılmır və bağlı və-
ziyyətdə olur.
223
Reverse blocking triode thyristor
– триодный тиристор, запираемый в обратном направ-
лении. Триодный тиристор, который при обратном нап-
ряжении не переключается, а находится в непроводящем
состоянии.
– əks istiqamətdə bağlanan triod tiristoru. Bu elə triod tiristo-
rudur ki, əks gərginlik tətbiq edildikdə aşırılmır və bağlı və-
ziyyətdə olur.
Reverse conducding diode thyristor
– диодный тиристор, проводящий в обратном направ-
лении. Диодный тиристор, который при обратном нап-
равлении проводит большие токи при напряжениях, срав-
нимых по значению с прямым напряжением в открытом
состоянии.
– əks istiqamətdə keçirən diod tiristoru. Əks istiqamətdə açıq
olan, yəni gərginliyin açıq haldakı düz gərginliklə müqayisə
olunan bütün qiymətlərində böyük cərəyanlar keçirən diod
tiristoru.
Reverse conducding triode thyristor
– триодный тиристор, проводящий в обратном нап-
равлении. Триодный тиристор, который при обратном
напряжении не переключается, а проводит большие токи
при напряжениях, сравнимых по значению с прямым на-
пряжением в открытом состоянии.
– əks istiqamətdə keçirən triod tiristoru. Bu elə triod tiristoru-
dur ki, əks gərginlik tətbiq edildikdə aşırılmır; qiymətinə görə
açıq haldakı düz gərginliklə müqayisə olunan əks gərginlik-
lərdə böyük cərəyanlar keçirir.
Reverse direction
– обратное направление (для p–n перехода или для кон-
такта металл–ПП). Направление постоянного тока, в
котором переход имеет наибольшее сопротивление.
224
– əks istiqamət (p–n keçid və ya metal–YK kontaktı üçün).
Keçidin ən böyük müqavimətə malik olduğu sabit cərəyanın
istiqaməti.
Reverse inclusion
– обратное включение. При включении p-n перехода или
контакта металл–ПП в обратном направлении внешнее
обратное напряжение Uобр создает электрическое поле,
совпадающее по направлению с диффузионным (кон-
тактным), что приводит к росту потенциального барьера
на величину eUобр. Это сопровождается увеличением ши-
рины запирающего слоя, т.е., толщины области объем-
ных зарядов.
– əks qoşulma. p–n keçid və ya metal–YK kontaktı əks istiqa-
mətdə qoşulduqda xarici Uəks gərginlik istiqamətcə diffuziya
(kontakt) sahəsi ilə üst–üstə düşən elektrik sahəsi yaradır.
Nəticədə, potensial çəpərin hündürlüyü eUəks qədər artır. Bu
zaman həm də bağlayıcı təbəqənin eni, yəni həcmi yüklər
təbəqəsinin qalınlığı artır.
Reversible transducer
– реверсивный преобразователь. Реверсивными назы-
ваются преобразователи, позволяющие изменять поляр-
ность постоянного напряжения и тока в нагрузке. Они
используются в основном для изменения направления
вращения двигателей постоянного тока. Реверсивный
преобразователь, как правило, представляет собой два ти-
ристорных выпрямителя. Все существующие схемы
реверсивных тиристорных преобразователей можно раз-
делить на два класса: встречно–параллельные и перек-
рестные. Наибольшее распространение в трехфазных
мостовых схемах выпрямления получила встречно–
параллельная схема соединения вентилей.
– reversiv çevirici. Yükdə sabit gərginlik və cərəyanın qütbünü
dəyişməyə imkan verən çevirici reversiv çevirici adlanır.
225
Onlar əsasən sabit cərəyan mühərriklərinin fırlanma istiqamə-
tini dəyişmək üçün istifadə olunur. Reversiv çevirici bir qay-
da olaraq iki tiristorlu düzləndiricidən ibarət olur. Bütün tiris-
torlu reversiv çevirici ventillərin sxemlərini iki növə ayırmaq
olar: qarşılıqlı–paralel və çarpaz sxemlər. Üçfazalı düzləndiri-
ci körpü sxemlərində ventillərin qarşılıqlı–paralel birləşmə
sxemi daha geniş yayılmışdır.
Roentgen radiation (X-rays)
– рентгеновское излучение (рентгеновские лучи). Элек-
тромагнитное излучение, занимающее спектральную об-
ласть между УФ– и гамма–излучением в пределах длин
волн (10-3
÷102) нм (или энергий фотонов от 10 эВ до не-
скольких МэВ). Открыто в 1895 В. К. Рентгеном (W. К.
Roentgen). Рентгеновское излучение с λ<0,2 нм обладает
значительной проницающей способностью и называется
жѐстким; при λ>0,2 нм рентгеновское излучение сильно
поглощается веществом и называется мягким.
– rentgen şüalanması (rentgen şüaları). Rentgen şüalanması
spektrin UB– və qamma–şüalanması arasında yerləşən elek-
tromaqnit şüalanmasıdır. Bu şüaların dalğa uzunluğu (10-
3÷10
2) nm diapazonunda, enerjisi isə 10 eV–dən bir neçə
MeV–ə qədər dəyişir. 1895–ci ildə V.K.Rentgen (W. К.
Roentgen) tərəfindən kəşf edilmişdir. λ<0,2 nm olan rentgen
şüalanması böyük nüfuzetmə qabiliyyətinə malikdir və sərt
şüalanma adlanır. λ>0,2 nm olan rentgen şüalanması isə mad-
də tərəfindən intensiv udulur və yumşaq şüalanma adlanır.
Safe operation region
– область безопасной работы (транзистора). Все ПП
приборы характеризуются тремя важнейшими предельно
допустимыми эксплуатационными параметрами: макси-
мально допустимыми прямым током, обратным напряже-
нием и мощностью рассеяния прибора. Значения токов и
напряжений ограничиваются лавинным пробоем. Кроме
226
того, при повышении частоты мощность, рассеиваемая
прибором, повышается, что может привести разогреву
полупроводника. Это явление также вносит вклад в огра-
ничению максимально допустимых токов и напряжений.
Область безопасной работы (ОБР) определяет границы
интервала надежной работы транзистора в пределах за-
данных условий перегрузки. Биполярные транзисторы
дополнительно к выше перечисленным параметрам рас-
сеивают мощность по цепям управления и могут быть
охарактеризованы диаграммой, показанной на рисунке
(а), где площадь под кривой – это ОБР, характеризующая
предельно допустимую мгновенную мощность потерь и
необходимый сдвиг фазы между током и напряжением на
коллекторе транзистора. При расположении рабочей точ-
ки в этой области обеспечивается безопасная работа
транзистора с синусоидальными и им подобными сигна-
лами.
При импульсных сигналах мощность рассеяния в кол-
лекторном переходе снижается, а ОБР расширяется в
сторону больших токов коллектора (рисунок б).
a)
İk/İkm
ОБР
(TİS)
0,01
0,1
1,0
Uk/Ukm
0,01 0,1 1,0
b)
İk/İkm
ОБР
(TİS) 0,01
Uk/Uk
m 0,01 0,1 1,0
τi4
τi3
τi2
τi1
τi5
τi1 >τi2>τi3 >τi4>τi5
227
– təhlükəsiz iş sahəsi (tranzistorun). Bütün YK cihazlar üç ən
mühüm maksimal buraxıla bilən istismar parametri ilə: düz
cərəyan, əks gərginlik və cihazın səpilən gücünün maksimal
buraxıla bilən qiymətləri ilə xarakterizə edilir. Cərəyan və
gərginliklərin qiymətləri selvari deşilmə ilə məhdudlanır.
Bundan başqa, tezlik artdıqca cihazda səpilən güc artır və YK
qıza bilər. Bu da cərəyan və gərginliklərin qiymətlərinin
məhdudlanmasına səbəb olur. Tezlik artdıqda səpilən güc də
artır. Bu isə maksimal buraxıla bilən cərəyan və gərginliyin
azalmasına səbəb olur. Təhlükəsiz iş sahəsi (TİS) verilmiş
yüklənmə şərtləri daxilində tranzistorun etibarlı işləyə bildiyi
intervalın sərhədlərini təyin edir. Bipolyar tranzistorlarda
yuxarıda göstərilən parametrlərdən əlavə idarə etmə dövrələri
üzrə də güc səpilməsi baş verir və onlar şəkildə (a) göstərilən
diaqramla xarakterizə edilə bilər. Burada əyrinin əhatə etdiyi
sahə TİS–dir, maksimal buraxıla bilən ani itkiləri və
tranzistorun kollektorunda cərəyan ilə gərginlik arasındakı
lazım olan faza sürüşməsini xarakterizə edir. Işçi nöqtə bu
sahədə yerləşdikdə tranzistorun sinusoidal və ya ona bənzər
siqnallarla təhlükəsiz işi təmin edilir. Impuls siqnalları daxil
olduqda kollektor dövrəsində səpilən güc azalır və TİS böyük
kollektor cərəyanlarına doğru genişlənir (şəkil b).
Saturation region (of bipolar transistor)
– режим насыщения (режим двойной инжекции бипо-
лярного транзистора). В режиме насыщения оба пере-
хода (эмиттерный и коллекторный) находятся под пря-
мым напряжением. При этом и эмиттер и коллектор ин-
жектируют носителей зарядa в базу навстречу друг другу
и одновременно каждый из них собирает носители, до-
шедшие от другого. Выходной ток в этом случае не зави-
сит от входного и определяется параметрами нагрузки. В
режиме насыщения управление транзистором практиче-
ски отсутствует. В этом режиме транзистор открыт и
представляет собой очень малое сопротивление. Из–за
228
малого напряжения между выводами эмиттера и коллек-
тора режим насыщения используется для замыкания це-
пей передачи сигнала.
– doyma rejimi (bipolyar tranzistorun ikiqat injeksiya rejimi).
Doyma rejimində tranzistorun hər iki (emitter və kollektor)
keçidinə düz gərginlik tətbiq edilir. Bu zaman həm emitter,
həm də kollektor bazaya qarşı–qarşıya yükdaşıyıcı injeksiya
edirlər və eyni zamanda onların hər biri digərindən gəlib ça-
tan yükdaşıyıcıları toplayır. Bu halda çıxış cərəyanı giriş cə-
rəyanından asılı olmur və yükün parametrləri ilə təyin edilir.
Doyma rejimində tranzistor, demək olar ki, idarə olunmur. Bu
rejimdə tranzistor açıqdır və o özünü çox kiçik müqavimətli
rezistor kimi aparır. Emitter və kollektor çıxışları arasında
gərginlik kiçik olduğundan doyma rejimi siqnalın ötürülmə
dövrələrini qapamaq üçün istifadə edilir.
Schemata-based theorem (circuit engineering)
– схемотехника. Научно–техническое направление, охва-
тывающее проблемы синтеза схем электронных уст-
ройств радиотехники, связи, автоматики, вычислитель-
ной техники и др. Синтез схем электронных устройств
заключается в разработке их структуры исходя из назна-
чения каждого устройства с учетом специфики его функ-
ционирования в составе некоторой технической системы.
Разработка структуры электронного устройства основана
на выборе системы элементов, определении необходи-
мых функциональных связей между ними и установле-
нии оптимального режима их работы, чтобы обеспечить
требуемую надежность устройства в целом.
Синтез схем электронных устройств, выполненных на
основе ИС, получил название микросхемотехники, кото-
рая охватывает вопросы проектирования как собственно
топологии ИС, так и функциональных связей между ни-
ми в пределах данного устройства.
229
Теоретической базой схемотехники служат теория
электрических цепей, электродинамика, математическое
моделирование и др. По мере увеличения числа функций,
выполняемых электронными устройствами, и, соответст-
венно, усложнения их схем все более широкое примене-
ние находят методы автоматического проектирования с
использованием ЭВМ.
– sxem texnikası. Radiotexnika, rabitə, hesablama texnikası və
s. elektron qurğularının elektrik sxemlərinin sintez edilməsi
ilə bağlı problemləri həll edən elmi–texniki istiqamətdir.
Elektron qurğusunun sxeminin sintezi dedikdə təyinatından
asılı olaraq qurğunun hər hansı texniki sistemin tərkibində
işləməsinin xüsusiyyətlərini nəzərə almaqla onun quruluşu-
nun işlənib hazırlanması başa düşülür. Elektron qurğusunun
quruluşunun işlənməsi bütövlükdə qurğunun etibarlı işinin
təmin edilməsi üçün elementlərin seçilməsi, onlar arasında
zəruri funksional əlaqələrin təyin edilməsi və onların optimal
iş rejiminin verilməsinə əsaslanır. İS əsasında qurulmuş elek-
tron qurğuları sxeminin sintezi mikrosxemotexnika adlanır.
Mikrosxemotexnika həm İS–in özünün topologiyasının layi-
hələndirilməsi ilə bağlı olan məsələləri, həm də verilmiş qur-
ğuda onlar arasında funksional əlaqələrlə bağlı olan mə-
sələləri əhatə edir. Sxemotexnikanın nəzəri əsasları elektrik
dövrələri nəzəriyyəsi, elektrodinamika, riyazi modelləşdirmə
və s.–dir. Elekron qurğularının yerinə yetirdiyi funksiyaların
sayı artdıqca, uyğun olaraq onların sxemləri mürəkkəbləşdik-
cə, EHM–dən istifadə etməklə avtomatik layihələndirmə
üsulları daha geniş tətbiq edilir.
Schmitt bistable
– триггер Шмитта. Триггер Шмитта – это несимметрич-
ный триггер, который не обладает памятью о предыду-
щем состоянии (см.: bistable). Отметим, что для несим-
метричных триггеров характерна неидентичность пара-
230
метров элементов отдельных каскадов, а также и связей
между ними.
В основе триггера Шмитта лежит переключатель тока
(рис, а, см.: current–reversing). Триггеры Шмитта выпус-
каются в виде самостоятельных ИС. В их входную цепь
часто включается логический элемент, расширяющий
функциональные возможности ИС.
Триггер Шмитта имеет гистерезисную передаточную
характеристику, у которой выходной сигнал может при-
нимать два значения (рис, б). Переход от одного уровня
выходного сигнала к другому происходит скачкообразно
при определенном значении входного сигнала – напря-
жения срабатывания. Возврашение в исходное состояние
происходит при другом уровне входного сигнала – на-
пряжении отпускания. По модулю оно всегда меньше
напряжения срабатывания на величину ΔU, определяю-
щую ширину петли гистерезиса. При необходимости по-
лучить повышенную стабильность напряжений срабаты-
вания и отпускания триггеры Шмитта выполняют на ОУ.
Qa)
Q
Rk1
Q
Uk1
Q
R1
Q
R2
Q
T1
Q
İ0
Q
+Ek
Q
Rk2
Q
Uk2
Q
T2
Q
E
Q
Uвх
(Ugir)
Q
Uотп
(Ubur).
Qb)
Q
Uср
(Ui.d.)
Q
Uвх
(Ugir)
Q
Uвых.1
(Uçıx.1)
Uвых
(Uçıx)
Q
Uвых.2
(Uçıx.2)
231
Подобные устройства обычно используются для
формирования резких перепадов напряжения из сравни-
тельно медленно меняющихся входных сигналов.
– Şmitt triggeri. Şmitt triggeri əvvəlki vəziyyətini yaddaşda
caxlamayan qeyri–simmetrik triggerdir (bax: bistable) . Qeyd
edək ki, qeyri–simmetrik triggerlərin xarakterik cəhəti ayrı–
ayrı kaskadların elementlərinin parametrlərinin, həmçinin
kaskadlar arasında rabitələrin identik olmamasıdır.
Şmitt triggerinin əsasını cərəyan açarı təşkil edir (şəkil a,
bax: current–reversing). Şmitt triggerləri müstəqil İMS şək-
lində istehsal olunur. Bir çox hallarda onların giriş dövrəsinə
İS–in funksional imkanlarını genişləndirən məntiq elementi
qoşulur.
Şmitt triggerlərinin ötürmə xarakteristikası histerezisə ma-
likdir. Buna görə də, çıxış siqnalı iki qiymət ala bilər (şəkil
b). Çıxış siqnalının bir səviyyəsindən digərinə keçidi giriş
siqnalının müəyyən qiymətində – işədüşmə gərginliyində sıç-
rayışla baş verir. Əvvəlki vəziyyətə qayıdış giriş siqnalının
başqa bir qiymətində – buraxma gərginliyində baş verir. Müt-
ləq qiymətinə görə o həmişə işədüşmə gərginliyindən ΔU qə-
dər kiçik olur. ΔU – histerezis ilgəyinin enini təyin edir. Işə-
düşmə və buraxma gərginliklərinin yüksək stabilliyi tələb
olunanda Şmitt triggerləri ƏG əsasında hazırlanır. Belə qur-
ğular nisbətən yavaş dəyişən giriş siqnallarından kəskin gər-
ginlik düşküləri formalaşdırmaq üçün istifadə edilir.
Schottky barrier
– барьер Шоттки (БШ). Потенциальный барьер, обра-
зующийся в приконтактном слое ПП, граничащем с ме-
таллом; исследован В. Шоттки (W. Schottky) в 1939. Для
возникновения БШ необходимо, чтобы работы выхода
электронов из металла ФM и ПП Фпп были разными. При
контакте ПП n-типа проводимости с металлом, имеющим
ФМ>Фпп, приконтактная область металла заряжается от-
рицательно, а ПП – положительно, т. к. электронам легче
232
перейти из ПП в металл, чем обратно. Соответственно,
при контакте ПП р–типа с металлом, обладающим
ФМ<Фпп, металл заряжается положительно, а ПП – отри-
цательно. При установлении равновесия между металлом
и ПП возникает контактная разность потенциалов: Uк =
(ФМ–Фпп)/е, где е – заряд электрона. Из–за большой элек-
тропроводности металла электрическое поле в его объѐм
не проникает, и разность потенциалов Uк создаѐтся в
приповерхностном слое ПП. Направление контактного
электрического поля в этом слое таково, что в ПП n–типа
энергетические зоны в приконтактной области изгибают-
ся вверх, а в ПП p–типа – вниз (рис.).
В результате на контакте ПП n–типа с металлом при
ФM>Фпп (или ПП p–типа при ФM<Фпп) возникает БШ вы-
сотой Фo=eUk.
БШ обладает выпрямляющими свойствами. Ток через
БШ при наложении внешнего электрического поля созда-
ѐтся почти целиком основными носителями заряда.
Контакты металл – ПП с БШ используются в транзи-
сторах, фотодиодах, СВЧ-детекторах и смесителях, и др.
приборах.
Q
Eвак
(Evak).
Q
n–тип; . ΦПП< ΦM
(n–növ; ΦYK< ΦM)
Q
M.
U
Q
ΦM.
U
Q
EC.
U
Q
EV.
U
Q
EF.
U
Q
Eвак
(Evak).
Q
UK.
U
Q
ΦПП
.(ΦYK)
U
Q
ПП
(YK).
Q
M.
U
Q
ΦM.
U
Q
EC
.
U
Q
EV.
U
Q
EF.
U
Q
Eвак
(Evak).
Q
Ф0.
U
Q
ПП
(YK)
.
Q
ΦПП
.(ΦYK)
U
Q
Eвак
(Evak).
Q
p–тип; . ΦПП˃ ΦM
(p–növ; ΦYK˃ ΦM)
233
– Şottki çəpəri (ŞÇ). ŞÇ – metal ilə kontakta gətirilmiş YK–nin
metal ilə həmsərhəd təbəqəsində yaranan potensial çəpərdir.
ŞÇ 1939–cu ildə V.Şottki (W. Schottky) tərəfindən tədqiq
edilmişdir. ŞÇ-nin yaranması üçün elektronların metaldan
(ФM) və YK–dan (ФYK) çıxış işləri müxtəlif olmalıdır. n–növ
YK ilə metal kontaktında ФM>ФYK olduqda kontakt
yaxınlığındakı hissələr metalda mənfi, YK–də isə müsbət
yüklənir. Bunun səbəbi odur ki, göstərilən halda elektronların
YK–dən metala keçməsi daha asandır, nəinki əksinə. Uyğun
olaraq, p–növ YK ilə metal kontaktında ФM<ФYK olduqda
metal müsbət, YK isə mənfi yüklənir. Tarazlıq halında metal
ilə YK arasında kontakt potensiallar fərqi yaranır: Uк = (ФM -
ФYk)/е. Burada e – elektronun yüküdür. Metalın elektrikkeçi-
riciliyi yüksək olduğundan elektrik sahəsi onun həcminə nü-
fuz etmir və UK kontakt potensiallar fərqi YK–nın kontakt ya-
xınlığındakı müəyyən qalınlıqlı təbəqəsində düşür. Bu
təbəqədə kontakt elektrik sahəsi elə istiqamətdə yönəlir ki, n–
növ YK–da kontakt yaxınlığında enerji səviyyələri yuxarı, p–
növ YK–da isə aşağı əyilir (şəkil). Nəticədə ФM>ФYk
olduqda, n–növ YK–nın (yaxud ФM<ФYK olduqda p–növ
YK–nın) metal ilə kontaktında hündürlüyü Фo olan ŞÇ
yaranır.
ŞÇ düzləndirici xassəyə malikdir. ŞÇ–dən keçən cərəyanı
demək olar ki, bütünlklə əsas yükdaşıyıcılar yaradır.
ŞÇ tranzistorlarda, fotodiodlarda, İYT–detektorlarda,
qarışdırıcılarda və s. cihazlarda istifadə edilir.
Schottky contact
– контакт Шоттки (выпрямляющий контакт). Кон-
такт, который можно создать прямым соединением метал-
ла с ПП. Такой контакт не допускает двухсторонное сво-
бодное протекания тока. Переходный слой обьемного за-
ряда, в котором существует контакное электрическое поле
и который образован в результате контакта между метал-
лом и ПП, называют переходом Шоттки. Концентрация
234
носителей заряда в металле значительно больше чем в ПП.
В результате этого толщина слоя обьемного заряда в ме-
талле не превышает 10-8
–10-7
см, а в ПП может составлять
10-4
см и больше. Поэтому разность потенциалов в слое
обьемного заряда металла ничтожно мала по сравнению с
разностью потенциалов в ПП, т.е. контактное электриче-
ское поле на переходе Шоттки сосредоточен практически
только в ПП. В зависимости от типа электропроводности
ПП и соотношения работ выхода в ПП может возникать
обедненный или обогащенный основными НЗ, а также ин-
версный слои. При приложении к контакту Шоттки пря-
мого напряжения плотность тока через контакт в зависи-
мости от значения напряжения растет по экспоненциаль-
ному закону, уменьшаются толщина слоя объемного заря-
да и высота потенциального барьера на контакте. При об-
ратном смещении плотность тока через контакт возрастая
стремится к постоянному значению – току насыщения,
повышаются толщина слоя объемного заряда и высота по-
тенциального барьера.
– Şottki kontaktı (düzləndirici kontakt). Şottki kontaktı metal
və YK–nı birbaşa birləşdirməklə yaradılan kontaktdır. Cərə-
yan belə kontaktdan hər iki istiqamətdə sərbəst axa bilməz.
Kontakt elektrik sahəsinin mövcud olduğu, metal ilə YK–nın
kontakta gətirilməsi nəticəsində yaranan keçid həcmi yüklər
təbəqəsi Şottki keçidi adlanır. Metalda yükdaşıyıcıların kon-
sentrasiyası YK–ya nisbətən çox böyükdür. Nəticədə, metalda
həcmi yüklər təbəqəsinin qalınlığı 10-8
–10-7
sm–dən böyük
olmur, YK–da isə 10-4
sm və daha çox ola bilər. Odur ki, me-
talda həcmi yüklər təbəqəsində potensiallar fərqi YK–ya nis-
bətən çox–çox kiçikdir, yəni, Şottki keçidində kontakt elektrik
sahəsi, demək olar ki, ancaq YK–da cəmlənir. YK–nın keçiri-
cilik növündən və çıxış işlərinin nisbətindən asılı olaraq YK–
da əsas YD ilə yoxsullaşmış və ya zənginləşmiş, həmçinin
invers təbəqələr yarana bilər. Şottki kontaktına düz gərginlik
tətbiq etdikdə axan cərəyanın sıxlığı gərginliyin qiymətindən
235
asılı olaraq eksponensial qanunla artır, həcmi yüklər təbəqəsi-
nin qalınlığı və kontaktda potensial çəpərin hündürlüyü azalır.
Əks gərginlik tətbiq edildikdə, kontaktdan axan cərəyanın sıx-
lığı artaraq sabit qiymətə – doyma cərəyanına yaxınlaşır, həc-
mi yüklər təbəqəsinin qalınlığı və potensial çəpərin hündür-
lüyü artır.
Schottky diode
– диод Шоттки. Полупроводниковый диод, выпрями-
тельные свойства которого основаны на использовании
выпрямляющего электрического перехода между метал-
лом и полупроводником. Контакты Шоттки имеют мень-
шую электрическую емкость по сравнению с p–n перехо-
дами. Это позволяет заметно повысить рабочую частоту.
Это свойство используется в современных ИС, где дио-
дами Шоттки шунтируются переходы транзисторов ло-
гических элементов
– Şottki diodu. Şottki diodu metal ilə YK arasında düzləndirici
elektrik keçidi – Şottki kontaktı əsasında YK dioddur. Şottki
kontaktının elektrik tutumu p–n keçidə nisbətən kiçikdir. Bu
isə işçi tezlikləri nəzərə çarpacaq dərəcədə artırmağa imkan
verir. Bu xassədən müasir İS–də, Şottki diodları məntiq ele-
mentlərində tranzistorların keçidlərini şuntlamaq üçün
istifadə edilir.
Secondary breakdown
– вторичный пробой. Эффект, часто возникающий при за-
пирании транзистора в процессе перехода из режима на-
сыщения в режим отсечки. Вторичный пробой коллек-
торного перехода связан с перераспределением тока в се-
чении прибора вследствие неоднородности проводимости
кристалла в отдельных областях его поверхности. Для
вторичного пробоя характерны резкое уменьшение на-
пряжения между коллектором и эмиттером при росте то-
ка коллектора, локальный разогрев полупроводника. При
236
этом образуется так называемый шнур – канал с повы-
шенной температурой и проводимостью, по которому
протекает все большая доля всего коллекторного тока.
Диаметр шнура очень мал, он может составлять доли не-
сколько микрометров. Пробой может развиться в течение
времени, меньшего микросекунды.
В случае прямого включения эмиттерного перехода
перераспределение тока может быть связано с оттеснени-
ем тока эмиттера к периферии, с неравномерностью ин-
жекции, вызванной неодинаковостью падения напряже-
ния на различных эмиттерных полосках или наличием
дефектов структуры.
Применение гребенчатой и многоэмиттерной структур
обеспечивает и равномерность распределения тока. Од-
нако для улучшения равномерности последовательно с
полосковыми эмиттерами в гребенчатой структуре или
полосками в многоэмиттерной структуре включаются ре-
зисторы, ограничивающие ток при прямом включении
эмиттерного перехода. Для борьбы со вторичным пробо-
ем при обратном включении эмиттерного перехода сле-
дует затруднить развитие первичного –лавинного пробоя
коллекторного перехода. С этой целью эпитаксиальный
высокоомный слой коллекторной области делают доста-
точно толстым. Следует также снижать тепловое сопро-
тивление участка коллекторный переход – корпус.
Вторичный пробой отсутствует в полевых транзисто-
рах, которые не теряют своих управляющих свойств
вплоть до достижения предельных режимов и пробоя их
управляемых переходов.
– təkrar deşilmə. Doyma rejimindən ayırma rejiminə keçid
prosesində tranzistor bağlanan zaman tez–tez baş verən ef-
fektdir. Kollektor keçidinin təkrar deşilməsi kristalın qeyri–
bircinsliyi hesabına cihazın en kəsiyi boyunca cərəyanın yeni-
dən paylanması nəticəsində baş verir. Təkrar deşilmə üçün
kollektor cərəyanı artanda kollektor–emitter gərginliyinin
237
kəskin şəkildə azalması, YK–nın lokal qızması xarakterikdir.
Bu zaman temperaturu və keçiriciliyi yüksək olan, qaytan
(şnur) adlanan kanal yaranır. Bu kanalla bütün kollektor cərə-
yanının getdikcə artan böyük hissəsi axır. Kanalın diametri
çox kiçikdir– bir neçə mikrometr ola bilər. Deşilmə mikrosa-
niyədən də kiçik müddət ərzində baş verə bilər.
Daraqşəkilli və çoxemitterli quruluşların tətbiq edilməsi
cərəyanın bərabər paylanmasını təmin edir. Belə quruluşlarda
cərəyanın paylanmasının tam bərabərliyini təmin etmək üçün
emitter zolaqları ilə ardıcıl olaraq rezistorlar qoşulur. Emitter
keçidləri düz qoşulduqda bu rezistorlar cərəyanı məhdudlaş-
dırır. Emitter keçidi əks istiqamətdə qoşulduqda isə, təkrar
deşilmənin qarşısını almaq üçün kollektor keçidinin ilkin
deşilməsinin – selvari deşilmənin qarşısını almaq lazımdır.
Bunun üçün yüksəkmüqavimətli epitaksial kollektor təbəqə-
sini kifayət qədər qalın hazırlayırlar. Bundan başqa, tranzisto-
run kollektor keçidi – gövdə hissəsinin istilik müqavimətini
azaltmaq lazımdır.
Sahə tranzistorlarında təkrar deşilmə olmur. Onlar iş reji-
minin son həddinə çatana qədər və idarə olunan keçidlər de-
şilənə qədər öz idarəedici xassələrini saxlayırlar.
Secondary electron emission
– вторичная электронная эмиссия. Испускание электро-
нов (вторичных) твердыми и жидкими телами при их
бомбардировке первичными электронами.
– ikinci elektron emissiyası (təkrar elektron emissiyası). Ilkin,
birinci elektronlarla bombardman edildikdə bərk və maye
halında olan cisimlər tərəfindən elektronların təkrar
buraxılması.
Secondary power supply (secondary supply source)
– источник вторичного электропитания ИВЭП (вто-
ричный источник питания). ИВЭП – это устройство,
предназначенное для обеспечения питания электронных
238
и других устройств электрической энергией путѐм пре-
образования энергии других источников питания. Как
видно, ИВЭП в свою очередь получают энергию от пер-
вичных источников питания.
На рисунке 1 приведена структурная схема ИВЭП без
преобразователя частоты. В таких ИВЭП вес и габариты
трансформатора, работающего на частоте 50 Гц, а также
сглаживающего фильтра, оказываются довольно боль-
шими. Для уменьшения их веса и габаритов используют
источник питания с преобразователем частоты (рисунок
2). Так как трансформатор в этой схеме работает на по-
вышенной частоте (обычно ~10 кГц), то его (а также
сглаживающего фильтра 2) вес и габариты, оказываются
очень незначительными.
Активные приборы – биполярные или полевые тран-
зисторы, или же тиристоры, работают в ключевом ре-
жиме. Поэтому ИВЭП с преобразованием частоты назы-
вают также импульсными. Такие ИВЭП широко исполь-
зуются в современных устройствах электроники, в част-
ности в компьютерах.
Они обладают значительно лучшими технико–эконо-
мическими показателями в сравнении с рассмотренными
выше источниками без преобразования частоты.
Рисунок 1. Структурная схема ИВЭП без преобразователя частоты
Şəkil 1. Tezlik çeviricisiz TQM–in quruluş sxemi
Q
сглаживающий фильтр
(hamarlayici süzgəc)
Q
трансформатор
(transformator)
выпрямитель
(düzləndirici)
Q
стабилизатор
(stabilizator)
Uвх (50 Гц)
Ugir (50 Hs)
Q
к нагрузке
(yükə)
239
– təkrar elektrik qida mənbəyi (TEQM). TEQM başqa qida
mənbələrinin enerjisini çevirməklə elektron və digər qur-
ğuları elektrik enerjisi ilə təmin etmək üçün nəzərdə tutulmuş
qurğudur. Göründüyü kimi, TEQM öz növbəsində ilkin qida
mənbəyindən enerji alır. Şəkil 1–də tezlik çeviricisi olmayan
TQM–in quruluş sxemi verilmişdir. Belə TEQM–də 50 Hs
tezlikdə işləyən transformatorun, həmçinin hamarlayıcı
süzgəcin kütləsi və ölçüləri çox böyük olur. Onların kütləsini
və ölçülərini azaltmaq üçün tezlik çeviricisi olan qida mən-
bələrindən istifadə edilir (şəkil 2). Bu sxemdə transformator
nisbətən yüksək tezliklərdə (adətən ~10 kHs) onun (həmçinin
hamarlayıcı süzgəcin) kütləsi və ölçüləri çox kiçik olur. Aktiv
cihazlar – bipolyar və ya sahə tranzistorları və yaxud tiris-
torlar aktiv rejimdə işləyirlər. Odur ki, tezlik çeviricisi olan
TEQM impuls qurğusu da adlanır. Belə TEQM müasir elek-
tron qurğularında, məsələn kompüterlərdə, geniş tətbiq edilir.
Onların texniki–iqtisadi göstəriciləri tezlik çeviricisi olmayan
mənbələrə nisbətən çox yaxşıdır.
Q
конвертор (konvertor)
выпрямитель 1
(düzləndirici 1)
Сглаживающий
фильтр
(hamarlayici
süzgəc 1)
Uвх (50 Гц)
Ugir (50 Hs)
Q
Uвых
(Uçıx)
Qтрансформатор
(transformator)
инвертор
(invertor)
выпрямитель 2 (düzləndirici 2)
Q
сглаживающий
фильтр 2 (hamarlayici
süzgəc 2)
Рисунок 2. Источник питания с преобразователем частоты
Şəkil 2. Tezlik çeviricili qida mənbəyi
240
Segnetoceramic (ferroelectric ceramics)
– сегнетокерамика. Керамика, полученная на основе сегне-
тоэлектрических материалов. Даже в поляризованном со-
стоянии сегнетоэлектрики остаются хорошими изолято-
рами с большой диэлектрической проницаемостью. В то
же время за счет поляризации сегнетоэлектрики способ-
ны накапливать электрический заряд. Поэтому сегнетоке-
рамика используется для изготовления низкочастотных
малогабаритных конденсаторов, варикондов и других ак-
тивных элементов электрических схем. Для разных типов
конденсаторов используют различные материалы. Одним
из основных материалов для изготовления сегнетокера-
мики является титанат бария BaTiO3 и твердые растворы
на его основе, например твердый раствор (SrTiO3 и
CaTiO3):BaTiO3. Такой материал предназначен для изго-
товления низковольтных и высоковольтных конденсато-
ров, работающих при комнатной температуре. Сегнето-
керамика используются для записи и обработки оптиче-
ских сигналов, для создания приборов в системах тепло-
вого контроля и в измерительной технике.
Высокоомная сегнетокерамика применяется в гибрид-
ных структурах, где возможно управление выходным
сигналом путѐм переключения спонтанной поляризации
в сегнетоэлектрическом затворе. Возможно использова-
ние переключения сегнетоэлектрических доменов в
плѐнках для создания энергонезависимых устройств па-
мяти с высокой ѐмкостью и высоким быстродействием
(технология таких устройств совместима с кремниевой
технологией). На основе сегнетокерамики изготавливают
модуляторы света, позволяющие управлять интенсивно-
стью световых пучков. Принцип действия модуляторов
света основан на изменении коэффициента преломления
света при приложении электрического поля к образцу из
такой керамики.
241
– seqnet keramikası. Seqnetoelektrik materiallar əsasında alınan
keramika. Seqnetoelektriklər hətta polyarlaşmış halda belə
böyük dielektrik nüfuzluğuna malik yaxşı izolyator xassələ-
rini saxlayırlar. Eyni zamanda polyarlaşma hesabına seq-
netoelektriklər elektrik yükünü toplaya bilirlər. Odur ki, seq-
net keramikası aşağıtezlikli kiçik ölçülü kondensatorlar, va-
rikondlar və elektrik sxemlərinin digər aktiv elementlərinin
hazırlanmasında istifadə edilir. Müxtəlif növ kondensatorlar
üçün müxtəlif materiallar istifadə olunur. Seqnet keramikası
hazırlamaq üçün əsas materiallardan biri barium titanat
BaTiO3 və onun əsasında bərk məhlullardır. Misal olaraq,
(SrTiO3 и CaTiO3):BaTiO3 bərk məhlulunu göstərmək olar.
Belə material otaq temperaturunda işləyən kiçik voltlu və
yüksək voltlu kondensatorlar hazırlamaq üçün nəzərdə tutul-
muşdur. Seqnet keramikası optik siqnalların yazılması və
oxunması üçün, istilik nəzarəti sistemləri cihazlarının yaradıl-
masında və hesablama texnikasında istifadə olunur. Yüksək
müqavimətli seqnet keramikası hibrid quruluşlarda tətbiq
edilir. Belə quruluşlarda seqnetoelektrik rəzənin spontan pol-
yarlaşmasını aşırmaqla şıxış siqnalını idarə etmək mümkün-
dür. Seqnetoelektrik təbəqələrdə domenlərin aşırılmasından
enerji asılılığı olmayan, böyük tutuma və yüksək cəldliyə ma-
lik olan yaddaş qurğuları yaratmaq üçün istifadə etmək olar.
Qeyd edək ki, belə qurğuların texnologiyası silisium texnolo-
giyası ilə yaxşı uzlaşır. Seqnet keramikası əsasında işıq dəstə-
lərinin intensivliyini idarə etməyə imkan verən işıq modulya-
torları hazırlanır. Işıq modulyatorunun iş prinsipi seqneto-
keramik nümunəyə elektrik sahəsi tətbiq edildikdə işığın
sındırma əmsalının dəyişməsinə əsaslanır.
Selective amplifier
– избирательный (селективный) усилитель. Избиратель-
ным усилителем называется схема, имеющая максималь-
ный коэффициент усиления в узкой полосе частот. За
пределами этой узкой полосы пропускания коэффициент
242
усиления резко спадает к нулю. Широкое распростра-
нение получили ИУ, построенные на основе ОУ. ИУ по-
зволяеть выделять одну гармонику из сигнала сложного
гармонического состава, что бывает необходимым при
исследовании некоторых физических процессов, при од-
новременном управлении многими объектами. Кроме
этого ИУ широко применяются в связи. Избирательные
усилители позволяют выбирать нужные сигналы при пе-
редаче нескольких сообщений по одному каналу связи.
– seçici gücləndirici (selektiv gücləndirici). Ensiz tezlik zola-
ğında gücləndirmə əmsalı maksimal qiymət alan gücləndirici
seçici gücləndirici (SG) adlanır. Həmin ensiz tezlik zola-
ğından kənarda gücləndirmə əmsalı kəskin şəkildə sıfra qədər
azalır. ƏG əsasında SG daha geniş yayılmışdır. SG mürəkkəb
harmonik tərkibli siqnaldan müəyyən bir harmonikanı ayır-
mağa imkan verir ki, bu da bir sıra fiziki proseslərin tədqiqin-
də, bir çox obyektləri eyni zamanda idarə edəndə zəruri olur.
Bundan başqa, SG rabitədə geniş istifadə edilir. SG bir rabitə
kanalı ilə bir neçə məlumat ötürülən zaman lazım olan siqnalı
seçib ayırmağa imkan verir.
Self oscillating mode
– автоколебательный режим (см.: astable mode)
– avtorəqslər rejimi (bax: astable mode)
Self–switching
– естественная коммутация. Выключение тиристоров за
счет изменения полярности напряжения питающей сети,
т.е., без дополнительного управляющего сигнала.
– təbii kommutasiya. Xarici qidalandırıcı gərginliyin qütbünün
dəyişməsi hesabına, yəni əlavə idarəedici siqnal verilmədən
tiristorun bağlanması.
243
Semiconductor
– полупроводник (ПП). В наиболее простом приближении
можно сказать, что ПП – это вещества, удельное сопро-
тивление которых находится в пределах от 10-4
до 10+10
Ом·см. Основным свойством ПП является сильная зави-
симость электропроводности от внешних энергетических
воздействий (температуры, электрического и магнитного
полей, освещения, внешнего давления и др.). Кроме того,
электрические, а также оптические и фотоэлектрические
свойства ПП очень сильно зависят от концентрации и ви-
да различных примесей и других дефектов. В отличие от
металлов, температурный коэффициент удельного сопро-
тивления ПП в широком диапазоне температур имеет от-
рицательный знак. В электропроводности ПП участвуют
электроны и дырки – квазичастицы с положительным за-
рядом, численно равным заряду электрона.
12 химических элементов, такие как Ge, Si, Se, Te, As,
Sb и др. проявляют ПП свойства. Весьма обширную
группу составляют неорганические ПП соединения, со-
стоящие из двух, трех и более элементов, например А3В
5
(GaAs, GaP, InSb и др.), А2В
6 (ZnS, CdS, CdTe и др.), А
4В
4
(SiC), А4В
6 (PbS, PbSe, PbTe), CuAlS2, CuGe2P3, ZnSiAs2 и
др. Широко применяются изовалентные твердые раство-
ры замещения, которые получают из двух бинарных со-
единений (см.: Solid solutions).
– yarımkeçirici (YK). Ən sadə yaxınlaşmada, demək olar ki,
YK–xüsusi müqaviməti ~(10-4
÷10+10
) Om·sm diapazonunda
dəyişən maddələrdir. YK–nin əsas xassəsi onların elektrikke-
çiriciliyinin xarici energetik təsirlərdən (temperaturdan,
elektrik və maqnit sahələrindən, işıqlanmadan, xarici təzyiq-
dən və s.) güclü asılı olmasıdır. Bundan başqa, YK–nin elek-
trik xassələri, həmçinin optik və fotoelektrik xassələri müx-
təlif aşqarların və başqa defektlərin konsentrasiyasından və
növündən çox güclü asılıdır. Metallardan fərqli olaraq, YK–
nin müqavimətinin temperatur əmsalı geniş temperatur
244
diapazonunda mənfi qiymət alır. YK–nin elektrikkeçiricili-
yində elektronlar və deşiklər: yükü elektronun yükünə bəra-
bər, lakin işarəsi müsbət olan kvazizərrəciklər, iştirak edir.
12 kimyəvi element, məsələn, Ge, Si, Se, Te, As, Sb və s.
YK xassələrinə malikdir. YK–nin böyük bir qrupunu iki, üç
və daha çox elementdən ibarət olan qeyri–üzvi YK birləşmə-
lər təşkil edir. Məsələn, А3В
5 (GaAs, GaP, InSb və s.), А
2В
6
(ZnS, CdS, CdTe və s.), А4В
4 (SiC), А
4В
6 (PbS, PbSe, PbTe),
CuAlS2, CuGe2P3, ZnSiAs2 və s.
Semiconductor devices
– полупроводниковыe приборы (ПП приборы). Электрон-
ные приборы, действие которых основано на электрон-
ных процессах в ПП. В электронике ПП приборы исполь-
зуются для обработки электрических сигналов, а также
для преобразования одних видов энергии в другие. ПП
приборы разделяют на два больших класса: дискретные
ПП приборы, конструктивно оформленные в виде от-
дельных самостоятельных устройств, и интегральные ПП
приборы – активные элементы монолитных ИС. Дис-
кретные ПП приборы классифицируют по принципу дей-
ствия, типу основного ПП материала, конструкции и тех-
нологии, виду характеристик, областям применения. В
ПП приборах используются различные явления, связан-
ные с чувствительностью ПП к внешним воздействиям, а
также поверхностные контактные явления в ПП (контакт
металл – ПП, p–n переход, ПП – диэлектрик и др.). К ос-
новным классам дискретных ПП приборов относят:
– электропреобразовательные приборы, преобразующие
электрические сигналы (диоды, транзисторы, тиристоры
и т.д.);
– оптоэлектронные приборы, преобразующие оптические
сигналы в электрические и наоборот (фотоприемники,
лазер, излучающий диод и т.д.);
245
– термоэлектрические приборы, преобразующие тепловую
энергию в электрическую и наоборот (термоэлемент,
термоэлектрический генератор и т.д.);
– магнитоэлектрические приборы (датчики Холла, изме-
рительный преобразователь на основе эффекта Холла и
др.);
– пьезоэлектрические и тензометрические приборы, кото-
рые реагируют на механические воздействия.
Монолитные ИС строятся в основном на обычных
принципах схемотехники и состоят из интегральных дио-
дов, транзисторов, резисторов, конденсаторов и др. (см.
Integrated microcircuit). В зависимости от применяемого
ПП материала различают германиевые, кремниевые, ар-
сенид–галлиевые и др. ПП приборы. По конструктивным
и технологическим признакам ПП приборы разделяют на
точечные и плоскостные, которые в свою очередь делят
на сплавные, диффузионные, планарные, мезапланарные,
эпипланарные и др.
– yarımkeçirici cihazlar (YK cihazlar). YK cihazlar – iş prinsipi
YK–də baş verən elektron proseslərə əsaslanan elektron ci-
hazlardır. Elektronikada YK cihazlar elektrik siqnallarını
emal etmək üçün, həmçinin enerjini bir növdən başqa növə
çevirmək üçün istifadə edilir. YK cihazlar iki böyük qrupa
bölünür: diskret və inteqral YK cihazlar. Diskret YK cihazlar
konstruktiv olaraq ayrı–ayrı müstəqil qurğular şəklində, in-
teqral YK cihaz isə monolit İS–in aktiv elementləri şəklində
hazırlanır. Diskret YK cihazlar iş prinsipinə, əsas YK mate-
rialın növünə, konstruksiya və texnologiyasına, xarakteris-
tikalarının növünə və tətbiq sahələrinə görə təsnifatlaşdırılır.
YK cihazlarda YK–nin xarici təsirlərə həssaslığı ilə bağlı
olan müxtəlif hadisələr, həmçinin YK– də baş verən səth
(kontakt) hadisələrindən istifadə edilir (metal – YK kontaktı,
p–n keçid, YK–dielektrik kontaktı və s.). Diskret YK cihaz-
ların əsas sinifləri aşağıdakılardır:
246
– elektrik çevirici cihazlar: diodlar, tranzistorlar, tiristorlar və s.
Bu cihazlar elektrik siqnallarını çevirirlər;
– optoelektron cihazlar: fotoqəbuledicilər, lazer, işıq diodları və
s. Onlar optik siqnalları elektrik siqnallarına və əksinə çevi-
rirlər;
– termoelektrik cihazlar: termoelement, termoelektrik generator
və s. Bu cihazlar istilik enerjisini elektrik enerjisinə və əksinə
çevirirlər;
– maqnitelektrik cihazlar: Holl vericiləri, iş prinsipi Holl
effektinə əsaslanan ölçü çeviriciləri və s.
– pyezoelektrik və tenzometrik cihazlar. Bu cihazlar mexaniki
təsirlərə reaksiya verirlər.
Monolit İS–lər əsasən sxem texnikasının adi prinsipləri
əsasında qurulur və inteqral diod, tranzistor, rezistor, konden-
sator və s.–dən ibarətdir (bax: Integrated microcircuit). Isti-
fadə edilmiş YK materiala görə onlar germanium, silisium,
qallium arsenid və s. YK cihazlara bölünür. Konstruktiv və
texnoloji əlamətlərinə görə YK cihazlar nöqtəvi və müstəvi
cihazlara bölünür. Onlar da öz növbəsində əridılmış, dif-
fuzion, planar, mezaplanar, epiplanar və s. qruplara ayrılır.
Semiconductor diode
– полупроводниковый диод (ПП диод). ПП прибор с одним
p–n переходом и двумя выводами, ВАХ которого несим-
метрична. Изготавливается из Ge, Si, GaAs и др. По
технологическим особенностям различают плоскостные
и и точечные ПП диоды. Плоскостные диоды изготовли-
вают методами диффузии и вплавления примесей, ион-
ной имплантации, эпитаксиального наращивания, ва-
куумного напыления и др. Точечные диоды получают
прижатием к ПП кристаллу пружинящей металлической
иглы. ПП диоды применяются в широком диапазоне час-
тот (вплоть до ~1011
Гц) главным образом для выпрям-
ления переменного тока (выпрямительные ПП диоды);
генерирования и усиления электрических колебаний
247
(например, лавинно–пролѐтные, туннельные и парамет-
рические диоды); преобразования частоты (смесительные
и умножительные СВЧ диоды); детектирования модули-
рованных колебаний (детекторные СВЧ диоды); пе-
редачи импульсов в радиотехнических и электронных ус-
тройствах (импульсные диоды); управления уровнем
мощности в СВЧ линиях передачи (ограничительные и
переключательные СВЧ диоды), а также для стабили-
зации напряжения (стабилитроны). Характеризуются ма-
лыми размерами, массой и потребляемой мощностью,
возможностью управления параметрами в широких пре-
делах, большим сроком службы, сильной температурной
зависимостью параметров (у некоторых типов ПП
диодов) и т. д
– yarımkeçirici diod (YK diod). Bir p–n keçidi və iki elektrodu
olan YK cihazdır, VAX–ı qeyri–simmetrikdir. Ge, Si, GaAs
və s. materiallardan hazırlanır. Konstruktiv – texnoloji xüsu-
siyyətlərinə görə müstəvi və nöqtəvi diodlar olur. Müstəvi
diodlar aşqarların diffuziyası və əridilib daxil edilməsi, ion
implantasiyası, epitaksial göyərtmə, vakuumda çökdürülmə
və s. üsullarla hazırlanır. Nöqtəvi diodlar yayşəkilli metal
iynəni YK kristalın səthinə sıxmaqla hazırlanır. YK diodlar
geniş tezlik diapazonunda (~1011
Hs–ə qədər) əsasən dəyişən
cərəyanı düzləndirmək üçün (düzləndirici YK diodlar); elek-
trik rəqslərini generasiya etmək və gücləndirmək üçün (sel-
vari–uçuş, tunel və parametrik diodlar); tezliyi dəyişmək
üçün (qarışdırıcı və vurucu İYT diodlar); modulyasiya olun-
muş rəqsləri detektə etmək üçün (İYT detektəedici diodlar);
radiotexniki və elektron qurğularda impulsları ötürmək üçün
(impuls diodları); İYT ötürmə xətlərində gücün səviyyəsini
idarə etmək üçün (məhdudlaşdırıcı və aşırıcı İYT diodlar),
həmçinin gərginliyi stabilləşdirmək üşün (stabilitronlar) isti-
fadə edilir. Ölçülərinin, kütləsinin və sərf etdiyi gücün kiçik
olması, geniş diapazonda parametrlərini idarə etmək imkanı,
iş müddətinin böyük olması, parametrlərinin temperaturdan
248
güclü asılı olması (bəzi növlərində) və s. YK diodların xarak-
terik cəhətləridir.
Semiconductor electronics
– полупроводниковая электроника. Отрасль электроники,
занимающаяся исследованием электронных процессов в
ПП и их использованием — главным образом в целях
преобразования и передачи информации. С успехами ПП
электроника связаны, в основном, высокие темпы раз-
вития электроники и еѐ проникновение в автоматику,
связь, вычислительную технику, системы управления, ас-
трономию, физику, медицину быт, в космические иссле-
дования и т.д. Развитие ПП электроники стало возмож-
ным благодаря фундаментальным научным достижениям
в области квантовой механики, физики твѐрдого тела и
физики ПП. Решающее значение для ПП электроники
имеет транзисторный эффект: именно на его основе рабо-
тают ПП приборы основного типа — транзисторы, кото-
рые определили коренные изменения в радиоэлектронной
аппаратуре и ЭВМ и обеспечили широкое применение
систем автоматического управления в технике. Исключи-
тельно важную роль в развитии ПП электроники сыграло
появление и быстрое распространение планарной техно-
логии. Изделия ПП электроники характеризуются высо-
кими эксплуатационными свойствами: они могут рабо-
тать в диапазоне температур от –60 до +200 °С, выдержи-
вать значительные механические нагрузки и климатичес-
кие изменения (вибрации, удары, постоянные ускорения,
циклические изменения температуры, воздействие влаги
и т.д.); они характеризуются высокой точностью и на-
дежностью.
– yarımkeçirici elektronika. YK elektronika – elektronikanın
YK–də baş verən elektron proseslərinin tədqiq olunması ilə,
məlumatın çevrilməsi və ötürülməsi üçün bu proseslərdən
istifadə olunması ilə məşğul olan bir bölməsidir. Elektronika-
249
nın yüksək sürətlə inkişafı; onun avtomatikaya, rabitəyə, he-
sablama texnikasına, idarəetmə sistemlərinə, astronomiyaya,
fizikaya, səhiyyəyə, məişətə, kosmik tədqiqatlara nüfuz
etməsi və s. məhz YK elektronikanın nailiyyətləri ilə bağlıdır.
YK elektronikanın ikişafı kvant mexanikası, bərk cisim fizi-
kası və YK fizikası sahələrində əsaslı nailiyyətlər hesabına
mümkün olmuşdur. YK elektronika üçün tranzistor effekti
həlledici əhəmiyyətə malikdir. Əsas növ YK cihazlar – tran-
zistorlar məhz bu effekt əsasında işləyir. Qeyd edək ki, tran-
zistorlar radioelektron avadanlıqların və EHV–nin əsaslı şə-
kildə dəyişməsinə səbəb olub və texnikada avtomatik idarə-
etmə sistemlərinin geniş tətbiqini təmin edib. Planar texnolo-
giyanın yaranması və sürətlə yayılması YK elektronikanın
inkişafında xüsusilə mühüm rol oynamışdır. YK elektroni-
kanın məmulatları yüksək istismar xassələrinə malikdir.
Onlar –600 S–dən +200
0 S–yə qədər temperatur diapazonunda
işləyə bilir; böyük mexaniki yüklərə və iqlim dəyişikliklərinə
qarşı davamlıdır (vibrasiya, zərbə, sabit təcil, vaxtaşırı tempe-
ratur dəyişmələri, rütubətin təsiri və s.); yüksək dəqiqliyə və
etibarlılığa malikdir.
Semiconductor frequency multiplication diode
– полупроводниковый умножительный диод. ПП диод,
предназначенный для умножения частоты.
– yarımkeçirici vurucu diod. Funksiyası tezliyi artırmaq olan
YK diod.
Semiconductor integrated circuit
– полупроводниковая интегральная схема (ПП ИС). ИС,
все элементы и межэлементные соединения которой из-
готавливают в объеме или на поверхности одной, актив-
ной ПП подложки (кристалла Si), отдельные области ко-
торой играют роль того или иного элемента (см.: Inte-
qrated microcircuit). В качестве активных элементов ис-
пользуются биполярные (в основном n-р-n типа) или
250
МДП транзисторы (в основном транзисторы с индуциро-
ванным каналом) и транзисторы в диодном включении.
Конденсаторы строятся на основе р-n переходов в обрат-
ном включении, а резисторы – участки легированного
ПП с двумя выводами (рисунок). Индуктивности созда-
вать очень трудно, поэтому практически не используют-
ся. ПП ИМС в сборе помещают в металлический или
пластмассовый корпус. Изготавливаются они групповым
методом (по несколько тысяч). Степень интеграции у ПП
ИМС имеет порядок ~106.
– yarımkeçirici inteqral sxem (YK İS). Bütün elementləri və
elementlərarası birləşmələri bir aktiv YK altlığın (Si
kristalının) həcmində və ya səthində yaradılan, ayrı–ayrı
sahələri bu və ya digər elementin rolunu oynayan İS–dir (bax:
Inteqrated microcircuit). Aktiv elementlər olaraq bipolyar
(əsasən n–p–n növ) və MOY tranzistorlar ( əsasən induksiya
kanallı) və diod kimi qoşulmuş tranzistorlar istifadə edilir.
Kondensator kimi əks iatiqamətdə qoşulmuş p–n keçidlərdən,
rezistor kimi aşqarlanmış YK–nın iki çıxışı olan hissəsindən
istifadə edilir (şəkil). Induktiv element yaratmaq çox çətin
olduğu üçün, demək olar ki, istifadə edilmir. YK İS metal və
ya plastik kütlədən hazırlanmış gövdədə yerləşdirilir. Onlar
qrup şəklində (minlərlə) hazırlanır. YK İS–in inteqrasiya
dərəcəsi ~106 tərtibindədir.
1 3
kondensator tranzistor rezistor 2 4 5
p–tip Si
n
n+
n
p
n+
n
p
n+
SiO2 Al
251
Semiconductor microwave multiplication diode (semiconduc-
tor super high frequency multiplication diode)
– умножительный СВЧ диод. (У.СВЧ Д.). ПП диод, пред-
назначенный для умножения частоты СВЧ сигнала. Дей-
ствие У.СВЧ Д. основано на зависимости полного элек-
трического сопротивления от величины внешнего сигна-
ла. Наибольшее распространение получили У.СВЧ Д. ти-
па варикапов. К ним относятся некоторые плоскостные
диоды, Шотки диоды и диоды со структурой МОП. Для
преобразования частоты сигналов мощностью от единиц
до сотен Вт в диапазоне частот (0,5÷15) ГГц обычно ис-
пользуют кремниевые плоскостные У.СВЧ Д., на более
высоких частотах – арсенид-галлиевые, в случае сигна-
лов малой мощности (до 100 мВт) чаще всего применяют
диоды Шотки и У.СВЧ Д. с МОП-структурой. К основ-
ным параметрам умножительных СВЧ диодов относятся:
пробивное напряжение, емкость перехода, предельная
частота, мощность рассеяния, время выключения и др.
У.СВЧ Д. применяются для повышения стабильности
частоты и мощности генераторов волн сантиметрового и
миллиметрового диапазонов, а также для генерации СВЧ
колебаний в диапазоне частот, где применение других
приборов (например, транзисторов, лавинно-пролѐтных
диодов) затруднено или невозможно.
– İYT vurucu diod. İYT siqnalların tezliyini artırmaq üçün YK
diod. Belə diodların iş prinsipi tam elektrik müqavimətinin
xarici siqnalın qiymətindən asılılığına əsaslanır. Varikap növ
İYT vurucu diodlar daha geniş yayılmışdır. Onlara bəzi
müstəvi diodlar, Şottki diodları və MOY quruluşlu diodlar
aiddir. (0,5÷15) QHs tezlik diapazonunda gücü (00÷10
2) Vt
tərtibində olan siqnalları çevirmək üçün adətən müstəvi Si
diodlar, daha yüksək tezliklərdə GaAs diodları, aşağı güclü
siqnallar üçün (100 mVt–a qədər) ən çox Şottki diodları və
MOY quruluşlu İYT vurucu diodlar istifadə edilir. İYT
vurucu diodların əsas parametrləri aşağıdakılardır: deşilmə
252
gərginliyi, keçidin tutumu, tezlik həddi, səpilən güc, sönmə
müddəti və s. İYT vurucu diodlar santimetrlik və millimetrlik
diapazonlarda işləyən generatorların yaratdığı rəqslərin tezli-
yinin stabilliyini və gücünü artırmaq üçün, həmçinin başqa ci-
hazların (məsələn, tranzistorların, selvari–uçuş diodlarının)
tətbiqi çətin olan və ya qeyri–mümkün olan tezlik diapa-
zonlarında İYT rəqslər generasiya etmək üçün istifadə edilir.
Semiconductor modulator diode
– модуляторный диод. ПП диод, предназначенный для
модуляции высокочастотного сигнала.
– modulyasiya diodu. Yüksəktezlikli siqnalları modulyasiya
etmək üçün YK diod.
Semiconductor optoelectronic device
– полупроводниковый оптоэлектронный прибор. ПП при-
боры, излучающие или преобразующие электромагнит-
ное излучение в видимой, ультрафиолетовой или инфра-
красной областях спектра, или использующие для своей
работы электромагнитные излучения, частоты которых
находится в этих интервалах. ПП оптоэлектронные при-
боры делят на ПП излучатели, приемники излучения, оп-
троны и оптоэлектронные ИС.
– yarımkeçirici optoelektron cihaz. Spektrin görünən, ultrabə-
növşəyi və infraqırmızı hissələrində elektromaqnit dalğaları
şüalandıran və ya onları çevirən, yaxud işləmək üçün tezliyi
bu intervallarda yerləşən elektromaqnit dalğalarından istifadə
edən YK cihazlardır. YK optoelektron cihazlar aşağıdakı
qruplara bölünür: YK şüalandırıcılar, şüa qəbulediciləri, op-
tronlar və optoelektron İS.
253
Semiconductor photoemitter
– полупроводниковый излучатель. Прибор, преобразую-
щий электрическую энергию в энергию электромагнит-
ного излучения оптического диапазона.
– YK şüalandırıcı. Elektrik enerjisini optik diapazona daxil olan
elektromaqnit şüalanmasına çevirən cihazdır.
Semiconductor pover device
– силовой полупроводниковый прибор (мощный полупро-
водниковый прибор). Несмотря на интенсивное развитие
микроэлектроники, силовые ПП приборы, в частности
диоды, транзисторы и тиристоры, находят широкое при-
менение в электронной аппаратуре. Силовые ПП прибо-
ры разработаны преимущественно для нужд силовой
электроники и предназначены для применения в силовых
цепях электротехнических устройств. К ним относятся
приборы с максимально допустимым током свыше 10 А
или максимально допустимым импульсным током свыше
100 А.
– YK güc cihazı. Mikroelektronikanın intensiv inkişafına bax-
mayaraq YK güc cihazları, məsələn diodlar, tranzistorlar və
tiristorlar, elektron qurğularında geniş tətbiq edilir. YK güc
cihazları əsasən güc elektronikasının tələblərini ödəmək üçün
işlənib hazırlanmışdır və elektrotexnika qurğularının güc döv-
rələrində tətbiq etmək üçün nəzərdə tutulmuşdur. Onlara
maksimal yol verilən cərəyanı 10 A–dan yüksək və ya maksi-
mal yol verilən impuls cərəyanı 100 A–dan yüksək olan ci-
hazlar aiddir.
Semiconductor power diode
– силовой полупроводниковый диод (СПД). ПП диод,
допустимый ток которого не менее 10 А. СПД работают
при напряжениях (100÷10
3) В, мощность рассеяния пре-
вышает 10 Вт. СПД изготавливают из Ge, Si, GaAs и др.
Максимальная рабочая температура для Ge – 700C, для Si
254
– 2000C, для GaAs – 250
0C, для SiC – 500
0C. Чаще всего
для изготовления СПД применяют Si n–типа. В зависи-
мости от способности выдерживать перегрузки по обрат-
ному току СПД подразделяют на три группы: выпря-
мительные, лавинные выпрямительные и стабилитроны.
В выпрямительных СПД недопустимы обратные напря-
жения, приводящие лавинному пробою их p–n перехода.
Лавинный выпрямительный СПД способен работать в те-
чение ограниченного промежутка времени в режиме про-
боя перехода. В стабилитронах режим пробоя соответст-
вует рабочему участку обратной ветви ВАХ прибора.
СПД широко применяются в высоковольтных преобразо-
вательных устройствах
– YK güc diodu. Maksimal yol verilən cərəyanı 10 A–dфn az
olmayan dioddur. YK güc diodları (100÷10
3) V gərginliklərdə
işləyir, səpilən güc 10 Vt–dэn böyük olur. YK güc diodları
Ge, Si, GaAs və başqa materiallardan hazırlanır. Maksimal
işçi temperatur Ge üçün 700C, Si üçün 200
0C, GaAs üçün
2500C, SiC üçün 500
0C–dir. Əks cərəyanla yüklənməyə da-
vamlılığına görə YK güc diodları üç qrupa bölünür: düzlən-
dirici diodlar, selvari düzləndirici diodlar və stabilitronlar.
Düzləndirici YK güc diodlarında p–n keçidin selvari deşilmə-
sinə səbəb olan əks gərginliklər yolverilməzdir. Selvari düz-
ləndirici YK güc diodları məhdud zaman ərzində keçidin de-
şilməsi rejimində işləyə bilir. Stabilitronlarda deşilmə rejimi
cihazın VAX–nın əks qolunun işçi hissəsinə uyğundur. YK
güc diodları yüksək gərginlikli çevirici qurğularda geniş is-
tifadə edilir.
Semiconductor power transistors
– cиловой полупроводниковый транзистор. В силовых
электронных аппаратах транзисторы используются в ка-
честве полностью управляемых ключей. В качестве си-
ловых ПП транзисторов используюутся биполярные и
униполярные транзисторы, СИТ – транзисторы со стати-
255
ческой индукцией, IGBT (см.: insulated–gate bipolar tran-
sistor). Существенным недостатком биполярных транзис-
торов является большое значение токов управления ими,
а также относительно низкое быстродействие. Особен-
ностью МОП–транзисторов является не только высокое
сопротивление (что соответствует повышенному коэффи-
циенту усиления по мощности), но и высокое быстро-
действие. Время переключения современных МОП–тран-
зисторов составляет несколько единиц наносекунд.
Применение силовых полевых транзисторов в радио-
передающих устройствах позволяет получить повышен-
ную чистоту спектра излучаемых радиосигналов, умень-
шить уровень помех и повысить надѐжность радиопере-
датчиков. В силовой электронике мощные полевые тран-
зисторы успешно заменяют и вытесняют мощные бипо-
лярные транзисторы. В силовых преобразователях они
позволяют на 1–2 порядка повысить частоту преобразо-
вания, резко уменьшить габариты и массу преобразовате-
лей. В устройствах большой мощности используются
IGBT, успешно вытесняющие тиристоры. В усилителях
мощности звуковых частот высшего класса HiFi и HiEnd
силовые полевые транзисторы успешно заменяют мощ-
ные электронные лампы, так как обладают малыми нели-
нейными и динамическими искажениями.
– yarımkeçirici güc tranzistoru. Elektron güc qurğularında
tranzistorlar tam idarə olunan açar kimi istifadə olunur. YK
güc tranzistoru olaraq bipolyar və unipolyar tranzistorlar, SİT
– statik induksiyalı tranzistorlar, İGBT (bax: insulated–gate
bipolar transistor) istifadə edilir. Bipolyar tranzistorların əsas
nöqsanı idarə cərəyanlarının qiymətinin böyük olması, həm-
çinin cəldliyin kiçik olmasıdır. MOY tranzistorların xüsu-
siyyəti müqavimətin yüksək olması (bu, gücə görə gücləndir-
mənin yüksək qiymətinə gətirir), və cəldliyin yüksək olma-
sıdır. Müasir MOY tranzistorların aşırılma müddəti bir neçə
mikrosaniyə təşkil edir. Radioötürücü qurğularda güc sahə
256
tranzistorlarının tətbiqi şüalandırılan radiosiq-nalların yüksək
dərəcədə təmiz spektrini almağa, təhriflərin səviyyəsini azalt-
mağa və radioötürücülərin etibarlığını artırmağa imkan verir.
Güc elektronikasında güclü sahə tranzistorları bipolyar tran-
zistorları uğurla əvəz edir və tədricən onları sıxışdırır. Güclü
çeviricilərdə onlar çevrilmə tezliyini 1–2 tərtib yüksəltməyə,
çeviricilərin ölçülərini və kütləsini kəskin şəkildə azaltmağa
imkan verir. Böyük güclü çeviricilərdə tiristorları sıxışdırıb
əvəz edən İGBT istifadə edilir. Daha kiçik qeyri–xətti və
dinamik təhriflər yaratdığı üçün ən yaxşı səstezlikli güc güc-
ləndiricilərində güc sahə tranzistorları güclü elektron lampa-
larını əvəz edir.
Sensing element (sensor, pickup unit)
– датчик (сенсор). Блок измерительной аппаратуры, слу-
жащий для получения сигналов от объекта исследования,
их преобразования и введения в измерительный канал.
Датчики могут содержать чувствительный элемент (на-
пример, термопару), связанный с ним преобразователь и
другие элементы. В корпусах датчиков иногда разме-
щают предусилители, фильтры и другие функциональные
устройства. Выделение датчика в обособленный блок по-
зволяет реализовать дистанционность и, следовательно,
возможность централизации при многоточечных изме-
рениях, а также преобразование измеряемой величины в
другие величины, обычно электрической природы. Дат-
чики используют также в системах автоматического
управления.
– verici (sensor). Ölçmə avadanlığının bir blokudur, tədqiq olu-
nan obyektdən siqnallar almaq, onları çevirmək və ölçmə ka-
nalına daxil etmək üçündür. Sensorların tərkibində həssas ele-
ment (məsələn, termocüt), onunla bağlı olan çevirici və başqa
elementlər ola bilər. Bəzən sensorlarin gövdəsində ilkin güc-
ləndiricilər, süzgəclər və digər funksional qurğular yerləşdi-
rilə bilər. Sensorun ayrıca bir blokda yerləşdirilməsi məsafə-
257
liliyi həyata keçirməyə və bunun nəticəsi olaraq eyni zaman-
da çoxlu nöqtələrdə aparılan ölçmələri mərkəzləşdirməyə,
həmçinin ölçülən kəmiyyəti adətən elektrik təbiətli olan başqa
kəmiyyətlərə çevirməyə imkan verir. Sensorlar həmçinin
avtomatik idarəetmə sistemlərində də istifadə edilir.
Sensitivity
– чувствительность. Минимальный входной сигнал, не-
обходимый для генерации измеряемого выходного сиг-
нала, имеющего определенное отношение сигнал – шум,
или изменение выходного сигнала сенсора в ответ на из-
менение входного сигнала.
– həssaslıq. Müəyyən siqnal–küy nisbətinə malik olan ölçülən
çıxış siqnalını generasiya etmək üçün lazım olan minimal
giriş siqnalı; yaxud giriş siqnalının dəyişməsinə cavab olaraq
sensorun çıxış siqnalının dəyişməsi.
Sequential logical device
– последовательностное логическое устройство. После-
довательностными или конечными (цифровым авто-
матом, автоматом с памятью) называют устройства,
имеющие элементы памяти. Особенностью этих уст-
ройств является зависимость выходного сигнала не толь-
ко от действующих в данный момент на входе логиче-
ских переменных, но и от тех переменных, которые дей-
ствовали на входе в предыдущие моменты времени. Оче-
видно, что для выполнения этого условия значения пере-
менных должны быть запомнены устройством. Функцию
запоминания значений логических переменных в цифро-
вых схемах выполняют триггеры (см.: bistable). Таким
образом, триггеры являются неотъемлемой частью любо-
го последовательностного логического устройства. Типо-
выми последовательностными устройствами, кроме триг-
геров, являются счетчики импульсов, регистры.
258
– ardıcıllıqlı məntiq qurğuları. Yaddaş elementi olan qurğular
ardıcıllıqlı və ya sonlu qurğular (rəqəmli avtomat, yaddaşlı
avtomat) adlanır. Bu qurğuların xüsusiyyəti ondan ibarətdir
ki, çıxış siqnalının qiyməti təkcə verilmiş anda yox, həm də
əvvəlki zaman anlarında girişə daxil olan məntiqi dəyişən-
lərdən asılıdır. Aydındır ki, bu şərtin ödənilməsi üçün məntiqi
dəyişənlərin qiymətləri qurğunun yaddaşında qalmalıdır.
Rəqəm sxemlərində məntiqi dəyişənlərin qiymətləri trigger-
lərin köməyilə yaddaşda saxlanılır (bax: bistable). Beləliklə,
truggerlər istənilən ardıcıllıqlı məntiq qurğusunun ayrılmaz
hissəsidir. Triggerlərdən başqa, impuls sayğacları, registrlər
də tipik ardıcıllıqlı qurğulardır.
Servo feedback
– следящая обратная связь. При практической реализации
усилительных схем часто возникает проблема обеспече-
ния рационального питания базовой цепи транзистора.
Применение делителя напряжения в базовой цепи позво-
ляет получить повышенную стабильность потенциала ба-
зы. Однако, делитель напряжения шунтирует вход и
уменьшает входное сопротивление. Это препятствие
можно преодолеть путем
введения следящей ОС.
На рисунке представлена
схема усилительного кас-
када со следящей ОС.
В этой схеме смещение
транзистора обеспечива-
ется относительно низко-
омным делителем на ре-
зисторах R1, R2, напряже-
ние от которого поступает
на базу транзистора через
дополнительный (также низкоомный) резистор R3. В кас-
каде присутствует отрицательная ОС по току, обуслов-
Q
R1
Q
Rk
Q
C4
Q
C1
Q
C2
Q
C3
Q
R2
Q
Rэ (RE э)
Q
R3
259
ленная включением в эмиттерную цепь транзистора рези-
стора RЭ. Дополнительная цепь следящей ОС состоит из
конденсатора C3, который выбирается таким, чтобы его
эквивалентное сопротивление в рабочей полосе частот
было пренебрежимо мало. Через него переменное напря-
жение с резистора RЭ поступает к одному из выводов ре-
зистора R3, на другой вывод этого резистора воздейству-
ет входное напряжение каскада.
Таким образом, в каждый момент времени переменное
напряжение, прикладываемое к резистору R3, определя-
ется как разность переменных составляющих входного
напряжения и напряжения на резисторе обратной связи
RЭ:
UR3~=UBX~–URЭ~.
В результате этого сигнальный ток, протекающий че-
рез резистор R3, оказывается меньше того тока, который
бы протекал через этот резистор при отсутствии следя-
щей связи. Уменьшение тока через резистор R3 означает
повышение входного сопротивления усилительного кас-
када.
– izləyici əks əlaqə. Gücləndirici sxemlər qurularkən çox vaxt
tranzistorun baza dövrəsinin rasional qidalandırılması bir
problem kimi ortaya çıxır. Baza dövrəsində gərginlik
bölücüsündən istifadə etməklə baza potensialının stabilliyini
yüksəltmək olar. Lakin, gərginlik bölücüsü girişi şuntlayır və
giriş müqavimətini azaldır. Izləyici ƏƏ–dən istifadə etməklə
bu çətinliyi aradan qaldırmaq olar. Şəkildə izləyici ƏƏ olan
gücləndirici kaskadın sxemi verilmişdir.
Bu sxemdə tranzistor R1 və R2 rezistorları əsasında
qurulmuş nisbətən aşağıomlu bölücü vasitəsilə qidalandırılır.
Gərginlik əlavə, aşağıomlu R3 rezistoru vasitəsilə bölücüdən
tranzistorun bazasına verilir. Tranzistorun emitter dövrəsinə
RE rezistoru qoşmaqla kaskadda cərəyana görə mənfi əks
əlaqə yaradılır. Əlavə, izləyici ƏƏ dövrəsi C3 kondensato-
260
rundan ibarətdir. C3 elə seçilir ki, işçi tezlik zolağında onun
ekvivalent müqaviməti nəzərə alınmasın. Onun vasitəsilə
dəyişən gərginlik RE rezistorundan R3 rezistorunun çıxışla-
rından birinə verilir, R3–ün digər çıxışına isə kaskadın giriş
gərginliyi verilir. Beləliklə, hər bir zaman anında R3 rezis-
toruna tətbiq edilən gərginlik giriş gərginliyi və RE ƏƏ
rezistorundakı dəyişən gərginliklərin fərqi kimi təyin edilir:
UR3~=Ugir~–URE~. Nəticədə, R3–dən axan siqnal cərəyanı İƏƏ
olmayan haldakına nisbətən az olur. R3–dən axan cərəyanın
azalması isə kaskadın giriş müqavimətinin artması deməkdir.
Sharp transition
– резкий переход (см.abrupt junction)
– kəskin keçid (bax: abrupt junction)
Sheet resistance
– поверхностное сопротивление. Характеристика вещест-
ва, сформированного таким образом, что его сопротивле-
ние изменяется как функция его поперечного сечения.
Поверхностное сопротивление слоя равно сопротивле-
нию, разделенному на толщину материала. Удельное по-
верхностное сопротивление RS, выражаемое в Омах, яв-
ляется сопротивлением квадратного участка слоя незави-
симо от размеров квадрата: RS=ρ/d, где ρ[Ом·см] –
удельное объемное сопротивление материала, d – толщи-
на слоя. Обычно поверхностное сопротивление выража-
ется в Oм/□.
– səth müqaviməti. Müqaviməti en kəsiyinin funksiyası kimi
dəyişən maddəni xarakterizə edən kəmiyyətdir. Hər hansı
təbəqənin səthi müqaviməti onun müqavimətinin qalınlığına
olan nisbətinə bərabərdir. Om–larla ifadə olunan xüsusi səth
müqaviməti RS təbəqənin kvadrat şəklində bir hissəsinin
(ölçülərindən asılı olmayaraq) müqavimətidir: RS=ρ/d. Bu-
rada ρ[Om·sm] – materialın həcmi xüsusi müqaviməti, d –
261
təbəqənin qalınlığıdır. Adətən səth müqaviməti Om/□ kimi
ifadə olunur.
Shift register
– сдвигающий регистр. Сдвигающие регистры являются
схемами, которые принимают информацию последова-
тельно во времени, сохраняют в течение определенного
времени и передают дальше. Свое название схема полу-
чила на основании того, что она на каждом тактовом им-
пульсе принимает одну новую цифру, сдвигая ранее за-
помненные цифры на один разряд, чтобы поместить но-
вую.
– sürüşdürücü registr. Sürüşdürücü registr məlumatı zamana
görə ardıcıl olaraq qəbul edən, müəyyən müddət ərzində
yaddaşda saxlayan və ötürən sxemdir. Sxemin sürüşdürücü
adlandırılması onunla əlaqədardır ki, hər bir takt siqnalı daxil
olduqda, o yeni bir rəqəm qəbul edir və bu yeni rəqəmi
yerləşdirmək üçün əvvəl yaddaşda saxlanmış rəqəmləri bir
mərtəbə sürüşdürür.
Signal diode (pulse diod)
– импульсный диод (ИД). Импульсными называют ПП
диоды, имеющие малые длительности переходных про-
цессов, предназначенные для работы в быстродействую-
щих импульсных схемах в качестве ключевых элементов.
Такие диоды могут быть использованы в триггерных и
генераторных схемах, ограничителях, коммутаторах и
других импульсных устройствах. В качестве импульсных
успешно используются точечные и микросплавные дио-
ды, быстродействие которых увеличивается путем под-
бора легирующей примеси, уменьшающей время жизни
неосновных НЗ. Такой примесью к ПП n–типа может
быть, например, золото.
Диод пропускает положительный импульс без искаже-
ний и при прямом напряжении через диод проходит
262
большой ток. При смене полярности входного напряже-
ния на отрицательный (рис. а) диод запирается, но не
сразу: в начале происходит резкое увеличение обратного
тока, затем, после рассасывания неравновесных носите-
лей восстанавливается высокое сопротивление p-n пере-
хода, и диод запирается (рис b). Данный тип диодов при-
меняют в импульсных ключевых схемах с малым вре-
менным переключением.
ИД отличается малой барьерной емкостью, и малым
временем восстановления обратного сопротивления; ха-
рактеризуется малой длительностью (10-7
– 10-10
с) пере-
ходных процессов при его переключении (изменении по-
лярности подаваемых импульсов). Высокое быстродейст-
вие ИД достигается главным образом уменьшением пло-
щади р–п перехода, использованием выпрямляющих кон-
тактов Шоттки, а также введением в ПП примесей (пре-
имушественно золота). Наибольшее распространение по-
лучили кремниевые ИД – планарно-эпитаксиальные (с
базовой областью, легированной золотом), диоды с барь-
ером Шоттки и микросплавные ПП диоды. ИД применя-
ются в логических схемах, схемах управления запоми-
нающих устройств ЭВМ и др.
263
– impuls diodu (İD). Impuls diodu keçid proseslərinin da-
vametmə müddəti kiçik olan YK dioddur. Impuls diodları
cəld işləyən impuls sxemləri üçün açar elementləri kimi nə-
zərdə tutulmuşdur. Belə diodlar trigger və generator sxemlə-
rində, məhdudlaşdırıcılarda, kommutatorlarda və digər impuls
qurğularında istifadə edilə bilər. Impuls diodu kimi nöqtəvi
və mikro əridilmiş diodlar uğurla istifadə edilir. Bu diodların
hazırlandığı materiala aşqar daxil etməklə qeyri–əsas YD–nin
yaşama müddəti azaldılır, bununla da onların cəldliyi artırılır.
Belə aşqarlara misal olaraq qızılı göstərmək olar.
İD müsbət impulsu təhrif etmədən buraxır və düz
istiqamətdə dioddan böyük cərəyan keçir. Giriş gərginliyinin
qütbü dəyişib mənfi olduqda (şəkil a) diod tədicən bağlanır:
əvvəl əks cərəyan kəskin şəkildə artır, qeyri–taraz YD–lar
sorulduqdan sonra p–n keçidin yüksək müqaviməti bərpa
olunur və diod bağlanır (şəkil b). Bu növ diodlar aşırılma
müddəti kiçik olan impuls açar sxemlərində tətbiq edilir.
İD–nun çəpər tutumu və əks müqavimətin bərpa müddəti
kiçikdir; onlar aşırılma (daxil olan impulsların qütbünün də-
yişməsi) zamanı keçid prosesləri mddətinin kiçik olması ilə
(10-7
– 10-10
s) xarakterikdir. İD–nin cəldliyi əsasən p–n keçi-
din sahəsini azaltmaqla, düzləndirici Şottki kontaktlarından
istifadə etməklə, həmçinin YK–ya aşqarlar (əsasən qızıl)
daxil etməklə yüksəldilir. Ən geniş yayılmış növləri silisim
İD – planar–epitaksial (baza hissəsi qızıl ilə aşqarlanmış)
b) a)
Uоб
(Uəks)
t1
Uпр
(Udüz)
t
0
İпр
(İdüz)
İоб
(İəks)
0 t
264
diodlar, Şottki çəpərli və mikro əridilmiş YK diodlardır. İD
məntiq sxemlərində, EHM–nın yaddaş qurğularını idarə edən
sxemlərdə və s. istifadə olunur.
Signal generator (signal source, test oscillator)
– измерительный генератор. Устройство, предназначен-
ное для формирования калиброванных (по амплитуде,
частоте, форме, длительности) электрических сигналов,
используемых при исследованиях режимов работы, на-
стройке и проверке работоспособности радиоэлектрон-
ной аппаратуры. По виду формируемых сигналов разли-
чают генераторы гармонических сигналов, генераторы
импульсов, генераторы шума и свип–генераторы
– ölçü generatoru. Radioelektron avadanlığının iş rejimlərinin
öyrənilməsi, onların köklənməsi və iş qabiliyyətinin yoxlan-
ması zamanı istifadə olunan, amplitud, tezlik, forma və ya da-
vametmə müddətinə görə kalibrləşdirilmiş elektrik siqnalları
formalaşdırmaq üçün qurğu. Yaradılan siqnalların formasına
görə belə qurğular harmonik siqnallar generatorlarına, impuls
generatorlarına, küy generatorlarına və svip–generatorlara
bölünür.
Signal-to-Noise Ratio (SNR)
– коэффициент сигнал-шум. Отношение выходного сиг-
нала при поступлении входного сигнала к выходному
сигналу без входного сигнала. Коэффициент сигнал-шум
можно определить также как отношение средней мощно-
сти информационной компоненты сигнала к средней
мощности шумовой компоненты в сигнале.
– siqnal–küy əmsalı. Giriş siqnalı daxil olan və daxil olmayan
hallarda çıxış siqnallarının biri–birinə nisbəti. Siqnal–küy
əmsalını həmçinin siqnalın məlumat daşıyıcı komponentinin
orta gücünün küy komponentinin orta gücünə nisbəti kimi
təyin etmək olar.
265
Silica (quartz)
– кварц. Кристалл диоксида кремния SiO2, природный или
синтетический минерал – пьезоэлектрик. Цвет зависит от
состава примесей. ρ=(1010
÷1012
) Ом∙см. Обладает нели-
нейными оптическими и электрооптическими свойс-
твами, прозрачен для видимых, УФ и частично для ИК
лучей.
В электронном приборостроении кварц применяют
для изготовления пьезоэлектрических преобразователей,
резонаторов, фильтров, вибраторов, УЗ линий задержки и
других пьезоэлектрических приборов. Кварц используют
для получения технического кремния путем восстановле-
ния коксом. Из расплавленного кварца при его затверде-
вании образуются кварцевое стекло, которое широко
применяется как оптический материал при изготовлении
некоторых типов лазеров и приборов оптоэлектроники;
как диэлектрик используется при изготовлении изоли-
рующих деталей СВЧ приборов и т.д.
– kvars. SiO2-nin kristalıdır, təbii və ya sintetik mineraldır, pye-
zoelektrikdir. Rəngi tərkibindən asılıdır. Xüsusi müqaviməti
ρ=(1010
÷1012
) Om∙sm tərtibindədir. Qeyri –xətti optik və
elektrooptik xassələrə malikdir; görünən, UB və qismən İQ
şüalar üçün şəffafdır.
Elektron cihazqayırmada kvars pyezoelektrik çeviricilər,
rezonatorlar, süzgəclər, vibratorlar, US ləngitmə xəttləri və
digər pyezoelektrik cihazlar yaratmaq üçün istifadə edilir.
Koks ilə bərpa etmək yolu ilə texniki silisium almaq üçün
kvarsdan istifadə edilir. Əridilmiş kvars bərkiyərkən kvars
şüşə yaranır. Bu şüşə müxtəlif növ lazerlər və optoelektronika
cihazları hazırlamaq üçün optik material kimi; İYT cihazların
təcridedici detallarının hazırlanmasında dielektrik kimi və s.
geniş istifadə edilir.
266
Silicide
– силицид. Соединение Si главным образом с металлами.
Образуются при высоких температурах. Силициды полу-
чают синтезом из элементов или восстановлением окси-
дов металлов кремнием: 2МеО+2Si=Me2Si+SiO2; или
взаимодействием Si с гидридами металлов: 2CaH2 + Si =
Ca2Si+H2. По типу химической связи силициды можно
разделить на ионно-ковалентные (силициды щелочных и
щелочноземельных металлов, а также Mg) и металлопо-
добные (силициды переходных металлов). Для первой
группы характерно сочетание ионной связи между ато-
мами металла и Si с ковалентной связью между атомами
Si. Металлоподобные силициды характеризуются сочета-
нием металлической связи между атомами металла с ко-
валентной связью между атомами Si, а также значитель-
ной долей ковалентной связи между атомами металла и
Si.
– silisid. Si–unn əsas etibarilə metallarla birləşmələridir. Yük-
sək temperaturlarda yaranır. Silisidlər elementlərdən sintez
etməklə və ya metal oksidlərini Si ilə bərpa etməklə (2MeO +
2Si=Me2Si+SiO2) və ya Si–nin metal hidridləri ilə qarşılıqlı
təsirindən (2CaH +Si=Ca2Si+H2) alınır. Kimyəvi rabitənin
növünə görə silisidləri iki qrupa bölmək olar: ion–kovalent
(qələvi və qələvi–torpaq metalların, həmçinin Mg silisidləri)
və metalabənzər silisidlər (keçid qrupu metallarının silisid-
ləri). Birinci qrup üçün metal və Si atomları arasında ion
rabitəsi ilə Si atomları arasında kovalent rabitənin uzlaşması
xarakterikdir. Metalabənzər silisidlər metal atomları arasında
metallik rabitə ilə Si atomları arasında kovalent rabitənin uz-
laşması ilə xarakterizə olunurlar. Onlarda metal və Si atom-
ları arasında kovalent rabitə üstünlük təşkil edir.
Silicon
– кремний Si. По распространенности занимает второе ме-
сто после кислорода. В земной коре содержится 29,5% Si.
267
Самый широко используемый материал в ПП промыш-
ленности. После освоения методов планарной технологии
Si приобрел исключительное значение. Особо чистый Si,
легированный специальными примесями, является основ-
ным материалом микроэлектроники: используется для
изготовления различных ПП приборов – транзисторов,
тиристоров, солнечных фотоэлементов, ИС. Он оказался
почти идеальным материалом для изготовления БИС и
микропроцессоров, широкое применение которых откры-
ло путь для стремительного прогресса техники обработки
информации. Является лучшим материалом для изготов-
ления одноэлектронных устройств (см. Single Electron
Device).
Кремний, из которого изготовляются солнечные эле-
менты, называют ―нефтью‖ XXI в. Расчеты показывают,
что солнечный элемент с КПД 15%, на который пошел 1
кг кремния, за 30 лет службы может произвести 300
МВт·ч электроэнергии. Таким образом, 1 кг кремния ока-
зывается эквивалентен 75 т нефти.
– silisium Si. oksigendən sonra ikinci geniş yayılmış element-
dir. Yer qabığında 29,5 % Si var. YK sənayesində ən geniş
istifadə edilən materialdır. Planar texnologiya üsulları mə-
nimsənildikdən sonra Si, müstəsna əhəmiyyət kəsb etdi. Xü-
susi aşqarlar daxil edilmiş xüsusi təmiz Si mikroelektronika-
nın əsas materialıdır. O müxtəlif YK cihazlar: tranzistorlar,
tiristorlar, günəş fotoelementləri, İS hazırlamaq üçün istifadə
olunur. BİS və mikroprosessorlar hazırlamaq üçün Si demək
olar ki, ideal materialdır. Bu qurğuların geniş tətbiq edilməsi
məlumatın emal olunması sahəsində sürətli tərəqqiyə yol
açmışdır. Si birelektronlu qurğular yaratmaq üçün ən yaxşı
materialdır (bax: Single Electron Device).
Si–dən günəş elementləri hazırlanır. Bu baxımdan Si XXI
əsrin ―nefti‖ adlandırılır. Hesablamalar göstərir ki, 1 kq Si
istifadə etməklə hazırlanmış, f.i.ə. 15 % olan günəş elementi
268
30 illik iş müddətində 300 MVt·saat elektrik enerjisi istehsal
edə bilər. Beləliklə 1 kq Si 75 t. neft ilə ekvivalentdir.
Silicon dioxide
– диоксид кремния (SiO2). Изолятор с диэлектрической по-
стоянной 3,9. Термодинамически стабилен на поверхно-
сти Si вплоть до температуры плавления Si. Надежно за-
щищает поверхность Si от большинства примесей, от
воздействия агрессивных газов, влаги, паров. Слои SiО2
выполняют функцию маскирующего покрытия при изго-
товлении планарных транзисторов и ИС методами фото-
литографии. На практике выращивают слои толщиной
(0,2÷1,2) мкм.
– silisium dioksid (SiO2). Dielektrik sabiti 3,9 olan izolyator-
dur. Si səthində ərimə temperaturuna qədər termodinamik sta-
billiyə malikdir. Si–un səthini bir çox aşqarlardan, aqressiv
qazların təsirindən, rütubətdən, buxardan etibarlı şəkildə
qoruyur. Fotolitoqrafiya üsulları ilə planar tranzistorlar və İS
hazırlayan zaman SiO2 təbəqələri maskalayıcı örtük funksiya-
sını yerinə yetirir. Təcrübədə (0,2÷1,2)mkm qalınlıqlı SiO2
təbəqələri göyərdilir.
Silicon nitride
– нитрид кремния Si3N4. Диэлектрик с диэлектрической
постоянной 7,5. По диэлектрическим, а также по защит-
ным превосходит SiО2. В технологии планарных прибо-
ров и ИМС желательно использовать аморфные слои
Si3N4, так как это способствует уменьшению механи-
ческих напряжений на границе раздела с подложкой.
– silisium nitrid Si3N4. Dielektrik sabiti 7,5 olan dielektrikdir.
Dielektrik, eləcə də qoruyucu xassələrinə görə SiО2–dən
üstündür. Planar cihazların və İMS–in istehsalında amorf
Si3N4 təbəqələrindən istifadə etmək daha məqsədəuyğundur.
Çünki, amorf təbəqələr altlıq ilə sərhəddə mexaniki
gərginliklərin azalmasına kömək edir.
269
Silicon on Insulator (SOI)
– кремний на изоляторе (КНИ). Технология изготовления
КНИ–приборов основана на использовании трехслойной
подложки со структурой «Si–диэлектрик–Si». Кроме это-
го, термин «КНИ» часто употребляется в качестве назва-
ния поверхностного тонкого слоя Si на КНИ–структуре.
Наиболее распространены КНИ–подложки, где в ка-
честве диэлектрика используют SiО2. При применении
эпитаксиального роста пленки Si выращиваются непо-
средственно на поверхности диэлектрика. Активные эле-
менты, полученные на такой подложке, имеют отличные
рабочие характеристики.
– izolyator üzərində silisium (İÜS). İÜS–cihazların hazırlanma
texnologiyası ―Si–dielektrik–Si‖ quruluşlu üçqat altlıqdan
istifadəyə əsaslanır. Bundan başqa ―İÜS‖ anlayışı İÜS–quru-
luşun üzərində nazik Si təbəqəsinə də aid edilir. Ən çox İÜS
altlıqlarda dielektrik kimi SiО2 istifadə edilir. Epitaksial
göyərdilmə tətbiq edildikdə, Si təbəqəsi bilavasitə dielektrikin
səthində göyərdilir. Belə altlıq üzərində yaradılan aktiv ele-
mentlər çox yaxşı işçi xarakteristikalara malik olur.
Silicon on sapphire (SOS)
– кремний на сапфире (КНС). Изделие, полученное быст-
рой МОП–технологией. Сначала Si эпитаксиально выра-
щивается на сапфировой подложке и затем отдельные об-
ласти между созданными транзисторами вытравливается.
– sapfir üzərində silisium (SÜS). Sürətli MOY–texnologiya ilə
hazırlanan məmulatdır. Əvvəlcə sapfir altlıq üzərində epitak-
sial Si təbəqəsi göyərdilir, sonra isə yaradılmış tranzistorlar
arasındakı ayrı–ayrı hissələr aşılandırılır.
Simulation Program for Integrated Circuits Emphasis
(SPICE)
– программа моделирования для анализа интегральных
схем. Первая версия SPICE была разработана в середине
270
70-х годов. Она позволяла анализировать линейные и не-
линейные цепи во времени, рассчитывать частотные ха-
рактеристики линейных цепей. С течением времени про-
грамма совершенствовалась, появились новые версии, на-
пример, SPICE2G.6, SPICE3 и др., расширялся список
моделей компонентов. В конце 70-х годов SPICE стала
широко использоваться в промышленности для модели-
рования электронных cхем. Были переработаны модели
биполярных и МОП–транзисторов, например, появились
модели МОП-транзисторов, учитывающие физические
эффекты, возникающие при уменьшении геометрических
размеров приборов.
В 1984 г. корпорация MicroSim представила версию
PSPICE: программу схемотехнического моделирования,
предназначенную для персональных компьютеров. Со-
временные версии PSPICE позволяют моделировать ана-
логовые и цифровые электронные схемы. Существенное
достоинство программы заключается в возможности мо-
делирования смешанных аналого-цифровых схем без
применения вспомогательных устройств согласования
аналоговых и цифровых сигналов.
– inteqral sxemləri təhlil etmək üçün modelləşdirmə proqramı.
SPİCE–nin ilk versiyası 1970–ci illərin ortalarında işlənmiş-
dir. O xətti və qeyri–xətti dövrələri zamana görə təhlil et-
məyə, xətti dövrələrin tezlik xarakteristikalarını hesablamağa
imkan verirdi. Zaman keçdikcə proqram təkmilləşir, yeni ver-
siyalar yaranırdı (məsələn, SPICE2G.6, SPICE3 və s.), layi-
hələndirilən komponentlərin siyahısı genişlənirdi. XX əsrin
70–ci illərinin sonunda SPİCE sənayedə elektron sxemləri
modelləşdirmək üçün geniş istifadə edilirdi. Bipolyar və
MOY tranzistorların modelləri yenidən işlənmişdir. Məsələn
cihazların həndəsi ölçüləri azalarkən yaranan fiziki effektləri
nəzərə alan modellər yaradılmışdır.
1984–cü ildə MicroSim şirkəti PSPİCE versiyasını: fərdi
kompüterlər üçün nəzərdə tutulmuş sxem texnikası üzrə
271
modelləşdirmə proqramını hazırlayıb təqdim etdi. PSPİCE–
nin müasir versiyaları analoq və rəqəm elektron sxemlərini
modelləşdirməyə imkan verir. Analoq və rəqəmli siqnalları
uzlaşdırmaq üçün köməkçi qurğular tətbiq etmədən qarışıq
analoq–rəqəm sxemlərini modelləşdirmək imkanı proqramın
mühüm üstünlüklərindən biridir.
Sine–wave oscillator
– генератор синусоидальных колебаний (ГСК). ГСК– это
автогенератор, выполненный на основе автоколебатель-
ных цепей, в которых периодические изменения напря-
жения и тока возникают без приложения к ним дополни-
тельного периодического сигнала. Генератор преобразует
энергию источника постоянного напряжения в энергию
переменного выходного сигнала.
Различают два режима возбуждения генератора. При
так называемом мягком режиме колебания возникают по-
сле подключения генератора к источнику питания само-
произвольно. Для возникновения колебаний при жестком
режиме требуется внешний начальный сигнал.
Цепь ОС ГСК имеет резонансные свойства. Поэтому
условия возникновения колебаний выполняется только
на одной частоте, а не в полосе частот, как у генераторов
импульсов. Отсюда следует, что ГСК должен содержать
по крайней мере одну частотно–избирательную цепь, ко-
торая обеспечивает выполнение условия самовозбужде-
ния на заданной частоте. В зависимости от вида частот-
но–избирательной цепи, использующейся в генераторе,
их подразделяют на: LC-автогенераторы; RC-автогене-
раторы; генераторы с кварцевой стабилизацией частоты;
генераторы с электромеханическими резонаторными сис-
темами стабилизации частоты. В некоторых генераторах
совместно используются кварцевые резонаторы и LC-
контуры.
272
– sinusoidal rəqslər generatoru (SRG). SRG–avtorəqslər döv-
rələri əsasında qurulmuş avtogeneratordur; burada gərginlik
və cərəyanın periodik dəyişmələri həmin dövrələrə əlavə
periodik siqnal tətbiq edilmədən yaranır. Generator sabit gər-
ginlik mənbəyinin enerjisini dəyişən çıxış siqnalının enerji-
sinə çevirir. Generatorun iki həyəcanlanma rejimi var: yum-
şaq və sərt rejimlər. Yumşaq rejimdə rəqslər generatoru qida
mənbəyinə qoşduqdan sonra öz–özünə yaranır. Sərt rejimdə
rəqslərin yaranması üçün xarici başlanğıc siqnal tələb olunur.
SRG–nin ƏƏ dövrəsi rezonans xasələrinə malikdir. Odur ki,
rəqslərin yaranma şərtləri impuls generatorlarında olduğu
kimi müəyyən tezlik zolağında yox, yalnız bir tezlikdə
ödənilir. Buradan aydın olur ki, SRG–nin tərkibinə ən azı bir
tezlik–seçici dövrə daxil olmalıdır; bu dövrə verilmiş tezlikdə
öz–özünə həyəcanlanma şərtinin ödənilməsini təmin edir.
Generatorda istifadə olunan tezlik–seçici dövrədən asılı
olaraq onlar LC–, RC–, tezliyi kvarsla stabilləşdirilən, tezliyi
elektromexaniki rezonator sistemləri ilə stabilləşdirilən
avtogeneratorlara ayrılır. Bəzi generatorlarda kvars rezona-
torlar və LC–konturlar birlikdə istifadə edilir.
Single crystal
– монокристалл. Крупный кристалл с однородной и пе-
риодической внутренней структурой, т.е., кристалл,
имеющий единую кристаллическую решѐтку. Характери-
зуются анизотропией свойств. Монокристаллы обладают
дальним порядком, т.е., упорядоченность во взаимном
расположении атомов или молекул в какой–либо микро-
области повторяется на протяжении всего кристалла. Все
физические свойства монокристаллов – электрические,
магнитные, оптические, акустические, механические –
связаны между собой и обусловлены кристаллической
структурой. Монокристаллы бывают естественными и
искуствунными. Примерами естественных монокристал-
лов могут служить монокристаллы кварца, каменной со-
273
ли, исландского шпата, алмаза, топаза. В природе естест-
венные монокристаллы встречаются редко, они имеют
малые размеры и дефекты структуры. Поэтому монокри-
сталлы для практических целей выращивают искусс-
твенно, в специальных условиях на промышленных уста-
новках. Для этого применяют различные методы, напри-
мер, метод Чохральского, метод Бриджмена-Cтокбаргера
и др. Большое практическое значение имеют монокри-
сталлы ПП и дилектрических материалов, выращиваемые
в специальных условиях. В частности, монокристаллы
кремния являются основой современной твердотельной
электроники. Монокристаллы широко используются в
микроэлектронике. Возможность изменять в широких
пределах электропроводность ПП монокристаллов путѐм
введения того или иного количества примесей использу-
ют для создания ПП приборов – диодов, транзисторов,
интегральных схем, устройств оптоэлектроники и инте-
гральной оптики, пьезоэлектрических генераторов меха-
нических колебаний, акустоэлектронных и акустооптиче-
ских устройств.
– monokristal. Monokristal bircins və periodik daxili quruluşa,
yəni, vahid kristal qəfəsə malik olan kristaldır. Xassələrinin
anizotropiyası ilə xarakterizə olunur. Monokristallarda uzaq
nizam gözlənilir. Uzaq nizam – hər hansı mikrohissədə atom
və ya molekulların qarşılıqlı yerləşməsindəki nizamın bütün
kristal boyunca təkrarlanmasıdır. Monokristalların elektrik,
maqnit, optik, akustik, mexaniki, bir sözlə bütün fiziki
xassələri bir–biri ilə bağlıdır və kristal quruluşundan asılıdır.
Təbii və süni monokristallar olur. Təbii monokristalara misal
olaraq kvars, daş duzu, island şpatı, almaz, topazı göstərmək
olar. Təbii kristalara təbiətdə çox az rast gəlinir, onlar kiçik
ölçülərə və defektli quruluşa malikdirlər. Odur ki, təcrübi
məqsədlər üçün monokristallar süni şəkildə, xüsusi şəraitdə
sənaye qurğularında göyərdilir. Bu məqsədlə müxtəlif üsullar,
məsələn, Çoxralski üsulu, Bricmen–Stokbarger üsulu və baş-
274
qa üsullar tətbiq edilir. YK və dielektrik materialların xüsusi
şəraitdə göyərdilmiş monokristalları böyük təcrübi əhəmiy-
yətə malikdirlər. Məsələn, Si monokristaları müasir bərk ci-
sim elektronikasının əsasını təşkil edir. Monokristallar mik-
roelektronikada geniş tətbiq edilir. Müxtəlif aşqarlar daxil et-
məklə YK monokristalların elektrikkeçiriciliyini geniş diapa-
zonda dəyişmək imkanı YK cihazlar – diodlar, tranzistorlar,
İS, optoelektronika və inteqral oprika qurğuları, pyezoelektik
mexaniki rəqs generatorları, akustik elektron və akustik optik
qurğular yaratmaq üçün istifadə edilir.
Single Electron Device (SED)
– одноэлектронное устройство (ОЭУ). Наноуровневые
устройства, которые могут управлять движением отдель-
ных электронов. Имеют одну или несколько сверхмалых
областей проводимости с весьма низкой емкостью. При
создании определенных условий можно воспрепятство-
вать туннелированию электронов в такую область и из
нее – эффект кулоновской блокады. Такой эффект может
быть использован для управления потоком электронов.
На основе ОЭУ возможна реализация принципиально но-
вых логических схем, рассчитанных на управление от-
дельно взятыми электронами. ОЭУ открывают широкую
перспективу развития ИС будущего, так как они обеспе-
чивают ультранизкие потребляемую мощность и рабочие
напряжения новых электронных функциональных схем.
– birelektronlu qurğu (BEQ). BEQ ayrı–ayrı elektronların
hərəkətini idarə edə bilən nanosəviyyəli qurğulardır. Onlar bir
və ya bir neçə, çox kiçik tutumlu ifrat kiçik ölçülü sahəyə
malikdir. Müəyyən şərait yaratdıqda elektronların belə sahəyə
və oradan tunel keçidləri etməsinə mane olmaq mümkündür.
Bu hadisə Kulon mühasirəsi adlanır. Bu effekt elektron selini
idarə etmək üçün istifadə edilə bilər. BEQ əsasında tək–tək
elektronları idarə etmək üçün hesablanmış, prinsipial yeni
məntiq sxemləri yaratmaq mümkündür. BEQ gələcəyin İS–ni
275
yaratmaq üçün geniş perspektivlər açır. Belə ki, onlar yeni
funksional elektron sxemlərin sərf etdiyi gücün və işçi
gərginliklərin ultrakiçik qiymətlərini təmin edir.
Single Electron transistor (SET)
– одноэлектронный транзистор (ОЭТ). Фундаментальное
ОЭУ–устройство. Основной идеей ОЭТ является возмож-
ность получения заметных изменений напряжения при
манипуляции с отдельными электронами. Аналогично
полевому ПП транзистору, ОЭТ имеет три электрода: ис-
ток, сток и затвор. Проводящий канал, или так называе-
мый «остров» представляет собой наночастицу или кла-
стер нанометровых размеров. Он изолирован от электро-
дов диэлектрическими прослойками, через которые и
может при определѐнных условиях происходить движе-
ние электрона. Электрический потенциал острова может
регулироваться изменением напряжения на затворе, с ко-
торым остров связан ѐмкостной связью (рис). Если при-
ложить напряжение между истоком и стоком, то ток, во-
обще говоря, протекать не будет, поскольку электроны
заблокированы на наночастице. Когда потенциал на за-
творе станет больше некоторого порогового значения,
кулоновская блокада прорвѐтся, электрон пройдѐт через
барьер, и в цепи исток-сток начнѐт протекать ток. При
этом ток в цепи будет протекать порциями, что соответ-
ствует движению единичных электронов. Таким образом,
управляя потенциалом на затворе, можно пропускать че-
рез кулоновские барьеры одиночные электроны. Количе-
ство электронов в наночастице должно быть не более 10
(а желательно и меньше). Это может быть достигнуто в
квантовых структурах с размером порядка 10 нм.
– birelektronlu tranzistor. BET – fundamental birelektronlu ci-
hazdır. BET–in əsas ideyası ayrı–ayrı elektronlarla mani-
pulyasiya etməklə gərginliyin nəzərə çarpacaq dərəcədə
dəyişdirilməsidir. Sahə tranzistoru kimi BET də üç elektroda
malikdir: mənbə, mənsəb və rəzə.
276
―Ada‖ adlandırılan keçirici ka-
nal nanohissəcik və ya nanometr
ölçülü klasterdir. O elektrodlardan
dielektrik qatları ilə təcrid olun-
muşdur. Müəyyən şəraitdə elek-
tronların bu qatlardan keçməsi
mümkündür. Adanın elektrik po-
tensialı onun tutum əlaqəsi ilə
bağlı olduğu rəzə gərginliyini
dəyişməklə tənzimlənə bilər (şəkil). Elektronlar
nanohissəcikdə mühasirə vəziyyətində olduğu üçün mənsəb
ilə mənbə arasında gərginlik tətbiq edildikdə, əvvəlcə
tranzistordan cərəyan keçmir. Rəzənin potensialı müəyyən
astana qiymətindən böyük olduqda Kulon mühasirəsi yarılır,
elektron çəpərdən keçir və mənbə–mənsəb dövrəsində
cərəyan axır. Bu zaman dövrədə cərəyan porsiyalarla axır ki,
bu da tək–tək elektronların hərəkətinə uyğundur. Beləliklə,
rəzə potensialını idarə etməklə Kulon çəpərindən tək–tək
elektronlar buraxmaq mümkündür. Nanohissəcikdə
elektronların sayı 10–dan çox olmamalıdır və nə qədər az olsa
yaxşıdır. Bu isə ölçüləri 10 nm tərtibində olan kvant quru-
luşlarda mümkün ola bilər.
Single-limit comparator (single-threshold comparator)
– однопороговый компаратор (однопороговое устройство
сравнения). Однопороговыми называются устройства
сравнения, для которых коэффициент усиления всегда
остается положительным (KU0>0). Из этого следует, что
при работе такого устройства всегда существует погреш-
ность определения уровня входного напряжения. В каче-
стве однопороговых устройств сравнения могут исполь-
зоваться ОУ без цепей ОС или с положительной ОС, для
которой коэффициент передачи обратной связи удовле-
творяет неравенству: bОС≤1/KU0. Срабатывание такой
схемы происходит в момент равенства нулю напряжения
исток
(mənbə)
затвор
(rəzə)
сток
(mənsəb)
канал
(kanal)
277
между инвертирующим и неинвертирующим входами
ОУ. Используя данное свойство указанной схемы, можно
легко построить на ее основе устройство сравнения вход-
ного напряжения с некоторым наперед заданным эталон-
ным уровнем напряжения. Для этого достаточно неин-
вертирующий вход ОУ подключить к общей шине уст-
ройства через источник ЭДС, абсолютная величина и
знак которого соответствует требуемому эталонному
уровню сравнения (рисунок 1). В этом случае при иде-
альности ОУ (Rвх→∞) напряжение между инвертирую-
щим и неинвертирующим входами ОУ достигнет нулево-
го уровня, когда уровень и полярность входного напря-
жения Uвх будут в точности равны параметрам эталонно-
го источника Еэт. На рисунке 2, а и b показаны переда-
точные характеристики схем сравнения для случаев Еэт>0
и Еэт<0 . Напряжение Еэт называют порогом срабатывания
устройства сравнения.
Рисунок 1. Устройство сравнения входного на-
пряжения с эталонным уровнем
напряжения
Şəkil 1. Giriş gərginliyini etalon gərginliklə müqayisə
edən qurğu
Еэт
(Eet)
+
–
Q
Uвых
(Uçıx)
Q
Uвх
(Ugir)
Q
Rвх
U
278
– birastanali müqayisə qurğusu. Gücləndirmə əmsalı həmişə
müsbət olan (KU0>0) müqayisə qurğusudur. Birastanalı qurğu
kimi ƏƏ dövrəsi olmayan və ya ƏƏ–nin ötürmə əmsalı
bƏƏ≤1/KU0 şərtini ödəyən müsbət ƏƏ olan ƏG istifadə oluna
bilər. Belə sxem ƏG–nin inversləşdirən və inversləşdirməyən
girişləri arasında gərginlik sıfra bərabər olan anda işə düşür.
Sxemin bu xassəsindən istifadə etməklə onun əsasında asan-
lıqla giriş gərginliyini əvvəldən verilmiş etalon gərginliklə
müqayisə edən qurğu yaratmaq olar. Bunun üçün ƏG–nin in-
versləşdirməyən girişini mütləq qiyməti və işarəsi tələb olu-
nan etalon səviyyəyə uyğun olan EHQ mənbəyinin ümumi şi-
ninə birləşdirmək kifayətdir(şəkil 1). Bu zaman, əgər ƏG
ideal olarsa (Rgir→∞), Ugir giriş gərginliyinin səviyyəsi və işa-
rəsi dəqiqliklə Eet etalon EHQ mənbəyinin parametrlərinə bə-
rabər olduqda inversləşdirən və inversləşdirməyən girişlər
arasında gərginlik sıfır qiymətinə çatır. 2a və 2b şəkillərində
Еet>0 və Еet<0 olan hallarda müqayisə qurğusunun ötürmə xa-
rakteristikaları göstərilmişdir. Eet gərginliyi müqayisə qurğu-
sunun işədüşmə gərginliyi adlanır.
Qa)
Q
Uвых.
(Uçıx)
Q
Uвых.max
(Uçıx.max.)
Q
0.
U
Eэт
(Eet)
Q–Uвых.max
(–Uçıx.max.)
Q
Uвх.
(Ugir)
Q
Uвых.
(Uçıx)
Q
Uвых.max
(Uçıx.max.)
Q
0.
U
Eэт
(Eet)
Q–Uвых.max
(–Uçıx.max.)
Q
Uвх.
(Ugir)
Qb)
Рисунок 2. Передаточные характеристики схем
сравнения для случаев Еэт>0 (a) и Еэт<0 (b)
Şəkil 2. Еet>0 (a) və Еet<0 (b) olan hallarda müqayisə
qurğusunun ötürmə xarakteristikaları
279
Single-phase trigger
– однофазный триггер. Однофазный триггер имеет неин-
вертирующий вход синхронизации и всего один выход Q
(рис). Существуют две модификации однофазных тригге-
ров, различающихся по типу выхода Q –инвертирующего
или неинвертирующего.
Любой однофазный
триггер можно превратить
в двухфазную установку
инвертора, дающего сиг–
нал, противоположный
сигналу выхода однофаз–
ного триггера.
– birfazalı trigger. Birfazalı trigger sinxronlaşdırıcı qeyri-invers
girişə və cəmi bir Q çıxışına malikdir (şəkil). Birfazalı
triggerlərin inversləşdirən və ya inversləşdirməyən çıxışları
olan iki modifikasiyası var. Istənilən birfazalı triggeri
ikifazalı invertora çevirmək olar. Bu zaman invertorun çıxış
siqnalı birfazalı triqqerin çıxış siqnalına əks (fazalı) olur.
Bunun üçün sxemə birfazalı triggerin çıxış siqnalı ilə əks
fazalı siqnal verən invertor daxil etmək lazımdır.
Single-shot multivibrator
– ждущий мультивибратор (одновибратор). Ждущий
мультивибратор является триггерной схемой, которая
предназначена для вырабатывания одиночных импульсов
с заданной длительностью под действием внешнего
управляющего сигнала. При этом длительность внешнего
управляющего импульса особой роли не играет, лишь бы
она была не больше длительности вырабатываемого од-
новибратором импульса, т.е. tи.упр <tи, где tи.упр – длитель-
ность управляющего импульса; tи - длительность выход-
ного импульса одновибратора.
– gözləyici multivibrator (tək vibrator). Gözləyici multivibrator
xarici idarəedici siqnalın təsirilə verilmiş davametmə
C
1 D
1
&
& Q
T
280
müddətinə malik tək–tək impulslar vermək üçün nəzərdə tu-
tulmuş trigger sxemidir. Bu zaman xarici idarəedici impulsun
davametmə müddəti əhəmiyyətli deyil: əsas odur ki, bu
müddət tək vibratorun verdiyi impulsun davametmə müddə-
tindən böyük olmasın: ti.id. <ti, burada ti.id – idarəedici, ti isə
təkvibratorun çıxış impulsunun davametmə müddətidir.
Single-stage trigger
– одноступенчатый триггер. Одноступенчатые триггеры
состоят из одной ступени, представляющей собой эле-
мент памяти и схему управления. Как правило, они бы-
вают со статическим управлением. В них прием (запись) и
передача информации на выходы схемы происходят одновре-
менно. Одноступенчатый триггер обозначают одной бук-
вой Т. Одноступенчатые триггеры с динамическим уп-
равлением применяются в первой ступени двухступенча-
тых триггеров с динамическим управлением (см.: Master-
slave bistable).
– birpilləli trigger. Birfazalı trigger yaddaş elementi və idarə
edici sxemdən təşkil olunmuş bir pillədən ibarətdir. Bir qayda
olaraq, onlar sratik idarəetməyə malikdirlər. Məlumatın qəbul
edilməsi və ötürülməsi eyni vaxtda baş verir. Birpilləli trig-
gerlər T hərfi ilə işarə edilir. Dinamik idarə olunan birpilləli
triggerlər iki pilləli triggerlərin birinci pilləsi kimi istifadə
olunur (bax: Master-slave bistable).
281
Kitabda verilmiĢ terminlər (ingilis dilində)
amplitude discriminator 178
base voltage 213
bender transducer 132
case of semiconductor device 103
circuit engineering 228
comparison voltage 213
continuously operating machine 109
crystal transducer 132
crystal-controlled clock 197
elasto-optical effect 138
electron–hole junction 147
EPR spectroscopy 49
ferroelectric ceramics 240
gate 212
high-power transistor 163 x–rays 231
implantation damage 201
instrument 29
quadripole 183
quality of electronic device 183
quantum amplifier 184
quantum counter 186
quantum dot 186
quantum electronics 189 quantum electronics devices 190
quantum electronics major components 192
quantum electronics modulus 192
quantum fiber 193
quantum filament 193
quantum oscillator 194
quantum well 195
quantum wire 198
quartz 264 quartz clock generator 197
quartz oscillator 197
282
quartz resonator 198
quiescent conditions 199
quiescent сurrent 200
quiescent point 200
light communication 92
light conductor 96
magnetic amplifier 9
magnetic breakdown 9
magnetic film 10
magnetic integrated circuit 11
magnetic modulator 11
magnetic permeability 12
magnetic reluctance 12
magnetic semiconductor 13
magnetic superconductor 15
magnetic switch 15
magnetodielectric 16 magnetodiode 16
magnetoelectronics 18
magnetohydrodynamic oscillator 20
magnetoresisrive transduser 21
magnetoresistive sensor 21
magnetoresistor 21
magnetothyristor 22
magnetotransistor 24
magnettor 11 main memory unit 25
mains–controlled inverter 27
master-slave bistable 27
measurement 28
measurement instrumentation 29
measurement transducer 29
measuring information system 30
measuring line 29
medical electronic equipment 31 medical electronics 31
Meissner effect 32
283
melting 32
memory device 32
memory unit 32
metallic bonding 35
metallization 36
metering 28
metering transducer 29
micro optical electro mechanical systems 40
microelectromechanical systems 36
microelectronics 37
microprocessor 41
microrelay 42
microwave electronics 43
microwave integrated circuit 46
microwave oscillator 46
microwave receiver 47
microwave rectifier 48 microwave restraint 49
microwave spectroscopy 49
microwave switchboard 50
microwaves 49
mixer 54
mimic panel 50
miniaturization 51
minimization of logical function 52
mismatch slotted line 29 MIS-structure 53
MIS-transistor 54
mobility 55
mode of operation of bipolar transistor 56
modulation 57
modulation signal 59
modulator 59
molecular beam epitaxy 60
molecular layer epitaxy 62 molecular-beam oscillator 60
molecular gas laser 61
284
monostable multivibrator 62
MOS–structure 63
MOS–transistor 63
multicollector transistor 63
multielement photo detector 64
multiple-emitter transistor 66
multiplexer 68
multistable circuit 69
multistable flip-flop 69
multistage amplifier 70
multivibrator 71
nanotechnology 74
negative differential resistance 76
negative logic 77
negatron amplifier 78
negatronics 78
noncomplementing amplifier 79 noninjecting contact 81
noninverting amplifier 79
noninverting input 81
nonlinear resistor 82
nonlinearity 82
nonrectifying contact 82
nonrectifying junction 84
nuclear electronics 85
nuclear magnetic resonance 86 off–state of a thyristor 88
оhmic contact 82
ohmic junction 84
on–state of a thyristor 88
operating regime of bipolar transistor 56
operational amplifier 88
optical amplifier 194
optical cavity 91
optical communication 92 optical detector 93
optical processor 94
285
optical receiver 93
optical resonator 91
optical storage 94
optical waveguide 96
optocouple 96
optoelectronic switch 100
optoelectronics 98
optorelay 101
output characterisric 101
output stage 102
package of semiconductor device 103
packing density 103
parallel feedback 103
parametric amplifier 104
parametric oscillator 104
pass band 104
passivating layer 105 passivation 105
passive filter 106
patterned etching 107
permanent memory 107
permanent storage device 107
permeable-base transistor 108
perpetual motion machine 109
perpetuum mobile 109
phase control 110 phase shifter 113
phase shifting device 113
phase switcher 113
phase-frequency characteristic 111
phase-sensitive detector 111
photodielectric effect 116
photodiode 116
photodiode mode 117
photoelasticity 138 Photoelectric amplifier 116
photoelectric converter 119
286
photoelectron spectroscopy 121
photoelectronic device 120
photoelectronic multiplier 119
photoemissive device 120
photogalvanic effect 121
photogalvanomagnetic phenomena 122
photogenerators mode 122
photolithography 122
photoluminescence 123
photomasking 122
photomultiplier tube 119
photopolymerisation 124
photoresistor 125
photosensitivity 126
photostereo–lithography 126
photothyristor 127
phototransducer mode 117 phototransistor 129
photovoltaic cell 119
photovoltaic effect 121
photovoltaic mode 122
Photovoltaic power 116
physical electronics 131
pickup unit 30; 256
pickup unit 29
piezoelectric 131 piezoelectric converter 132
piezoelectric device 133
piezoelectric oscillator 197
piezoelectric semiconductor 134
piezoelectric transducer 136
piezoelectronics 136
piezooptic effect 138
PIN diode 138
pinch of region 140 planar epitaxial technology 141
planar epitaxial transistor 141
287
planar technology 142
planar transistor 143
plasma 144
plasma electronics 145
plasma source of electric energy 146
p–n junction 147
p–n junction capacitance 147
point-contact diode 149
point-contact junction 149
point defects 150
point of rest 151; 200
polycrystalline silicon 152
polysilicon 152
position-sensitive detector 153
positive feedback 154
positive logic 154
post alloy diffused transistor 155 potential barrier 160
potential hill 156
powder metallurgy 157
power 158
power amplifier 158
power electronic device 159
power electronics 162
power supply 162
power transistor 163 prebaking 164
precision 165
primary power supply 165
processing unit 167
processor 167
programmable logic device 169
programmable logic microcircuit 169
protective relaying 170
pulse scaler 171 pulse converter 173
pulse counter 171
288
pulse delay device 175
pulse diod 261
pulse duration modulation 177
pulse energy 177
pulse-height discriminator 178
pulse–length modulator 179
pulse oscillator 180
pulse-phase control 181
pulse ratio 182
pulse tiristor 182
pulse width modulator 179
pyroelectriс 182
radiation damage 201
radiation-induced defect 201
radiative semiconductor device 201
radio receiver 203
radio transmitter 203 radio wave 204
radio-frequency spectroscopy 49
RAM 25
ramp oscillator 206
ramp voltage 209
random access 25
reactance amplifier 104
read only memory 107
rectangular pulse generator 209 rectifier 211
rectifier cell 212
rectifying junction 212
reference operating point 200
reference voltage 213
refractive index 214
regenerative amplifier 214
regenerative feedback 154
register 215 relativistic effects 217
relativistic electronics 217
289
relay protection 170
reluctance 12
resistance 218
resistance converter 218
resistance strain gate 219
resistive–strain sensor 219
resistor 220
resolution threshold 220
resolving power 220
resonance amplifier 221
resonator 222
response characteristic 222
rest mode 199
reverse blocking diode thyristor 222
reverse blocking triode thyristor 223
reverse conducding diode thyristor 223
reverse conducding triode thyristor 223 reverse direction 223
reverse inclusion 224
reversible transducer 224
roentgen radiation 225
ROM 107
safe operation region 225
saturation region 227
saw tooth oscillator 206
schemata-based theorem 228 Schmitt bistable 229
Schottky barrier 231
Schottky contact 233
Schottky diode 235
secondary breakdown 235
secondary electron emission 237
secondary emission photocell 119
secondary power supply 237
secondary supply source 237 segnetoceramic 240
sequential logical device 257
290
selective amplifier 241
self–commutated inverter 27
self oscillating mode 242
self–switching 242
semiconductor 243
semiconductor devices 244
semiconductor diode 246
semiconductor electronics 248
semiconductor frequency multiplication diode 249
semiconductor integrated circuit 249
semiconductor microwave multiplication diode 251
semiconductor modulator diode 252
semiconductor optoelectronic device 252
semiconductor photoemitter 253
semiconductor pover device 253
semiconductor power diode 253
semiconductor power transistors 254 semiconductor super high frequency
multiplication diode 251
sensing element 256
sensitivity 257
sensor 256
servo feedback 258
sharp transition 260
sheet resistance 260
shift register 261 signal diode 261
signal generator 263
signal source 263
signal-to-noise ratio 264
silica 264
silicide 265
silicon 266
silicon dioxide 267
silicon nitride 268 silicon on insulator 268
silicon on sapphire 269
291
simulated emission amplifier 194
simulation program for integrated circuits
emphasis (SPİCE) 269
sine–wave oscillator 270
single crystal 272
single electron device 273
single electron transistor 274
single-limit comparator 276
single-phase trigger 278
single-shot multivibrator 279
single-stage trigger 279
single-threshold comparator 276
square-wave generator 209
solid state relay 101
stationary point 151
super high frequency 49
super high frequency electronics 43 super high frequency integrated circuit 46
super high frequency rectifier 48
super high frequency restraint 49
super high frequency switchboard 50
symbolic circuit 50
test line 29
test oscillator 263
thermal treatment 165
track plan 50 transmission band 104
tuned amplifier 221
two–port network 183
two–stage flip–flop 27
univibrator 62; 286
valve 212
valve mode 122
zero–dimensional defects 150
Kitabda verilmiĢ terminlər (rus dilində)
292
автоколебательный режим 242
амплитудный дискриминатор 178
барьер Шоттки 231
вентиль (электрический) 212
вентильный режим 122
вечный двигатель 109
вторичная электронная эмиссия 237
вторичный источник питания 237
вторичный пробой 235
выпрямитель 211
выпрямляющий контакт 233
выпрямляющий переход 212
выходная характеристика 101
выходной каскад 102
генератор линейно-изменяющихся напряжений 206
генератор прямоугольных импульсов напряжений 209 генератор синусоидальных колебаний 270
датчик 256
двухступенчатый триггер 27
диод Шоттки 235
диодный тиристор, запираемый
в обратном направлении 222
диодный тиристор, проводящий
в обратном направлении 223
диоксид кремния 267 емкость p–n перехода 147
естественная коммутация 242
ждущий мультивибратор 279
зависимый инвертор 27
закрытое состояние тиристора 88
запоминающее устройство 32
избирательный усилитель 241
излучающий ПП прибор 201
измерение 28 измерительная информационная система 30
измерительная линия 29
293
измерительное средство 29
измерительный генератор 263
измерительный преобразователь 29
импульсно-фазовое управление 181
импульсный генератор 180
импульсный диод 261
импульсный тиристор 182
инвертор, ведомый сетью 27
информационный сигнал 59
источник вторичного электропитания 237
источник питания 162
качество электронного прибора 183
квантовая нить 193
квантовая точка 186
квантовая электроника 189
квантовая яма 195
квантово-электронный модуль 192 квантовый генератор 194
квантовый счетчик 186
квантовый усилитель 184
квантовый шнур 193
кварц 264
кварцевый генератор 197
кварцевый генератор синхронизирующих импульсов 197
кварцевый резонатор 198
конверсионный транзистор 155 конвертор сопротивления 218
контакт Шоттки 233
координатный детектор 153
корпус ПП прибора 103
коэффициент преломления 214
коэффициент сигнал-шум 264
кремний 266
кремний на изоляторе 268
кремний на сапфире 269 линейно изменяющееся напряжение 209
магнитная пленка 10
294
магнитная проницаемость 12
магнитное сопротивление 12
магнитные интегральные схемы 11
магнитный ключ 15
магнитный модулятор 11
магнитный полупроводник 13
магнитный пробой 9
магнитный резистор 21
магнитный сверхпроводник 15
магнитный усилитель 9
магнитогидродинамический генератор 20
магнитодиод 16
магнитодиэлектрик 16
магниторезистивный сенсор 21
магнитотиристор 22
магнитотранзистор 24
магнитоэлектроника 18 МДП структура 53
МДП транзистор 54
медицинская электроника 31
медицинская электронная аппаратура 31
металл–диэлектрик–полупроводник структура 53
металл–диэлектрик–полупроводник транзистор 54
металлизация 36
металлическая связь 35
металл–оксид–полупроводник структура 54 микрооптоэлектромеханические системы 40
микропроцессор 41
микрореле 42
микроэлектромеханические системы 36
микроэлектроника 37
миниатюризация 51
минимизация логической функции 52
мнемосхема 50
многокаскадный усилитель 70 многоколлекторный транзистор 63
многостабильная схема 69
295
многостабильный триггер 69
многоэлементный фотоприемник 64
многоэмиттерный транзистор 66
модулирующий сигнал 59
модулятор 59
модуляторный диод 252
модуляция 57
молекулярная послойная эпитаксия 62
молекулярный газовый лазер 61
молекулярный генератор 60
молекулярно–лучевая эпитаксия 60
монокристалл 272
МОП транзистор 63
мощность 158
мощные выходные усилители 158
мощный полупроводниковый прибор 253
мощный транзистор 163 MS–триггер 27
мультивибратор 71
мультиплексор 68
нанотехнология 74
наноэлектроника 72
начальная рабочая точка 200
начальный режим работы 199
невыпрямляющий контакт 82
негатроника 78 негатронный усилитель 78
неинвертирующий вход 81
неинвертирующий усилитель 79
неинжектирующий контакт 81
нелинейность 82
нелинейный резистор 82
нитрид кремния Si3N4 268
нульмерные дефекты 150
область безопасной работы (транзистора) 226 обратное включение 224
обратное направление 223
296
одновибратор 62; 279
однопороговое устройство сравнения 276
однопороговый компаратор 276
одноступенчатый триггер 279
однофазный триггер 278
одноэлектронное устройство 273
одноэлектронный транзистор 274
омический контакт 82
омический переход 84
оперативное запоминающее устройство 25
операционный усилитель 88
опорное напряжение 213
оптическая связь 92
оптический процессор 94
оптический резонатор 91
оптическое запоминающее устройство 94
оптопара 96 оптореле 101
оптоэлектроника 98
оптоэлектронный переключатель 100
открытое состояние тиристора 88
отрицательная логика 77
отрицательное дифференциальное сопротивление 76
параллельная обратная связь 103
параметрический генератор 104
параметрический усилитель 104 пассивация 105
пассивирующий слой 105
пассивный фильтр 106
первичный источник питания 165
пилообразное напряжение 209
пироэлектрик 182
плавление 32
плазма 144
плазменная электроника 145 плазменный источник электрической энергии 146
планарная технология 142
297
планарный транзистор 143
планарно–эпитаксиальная технология 141
планарно–эпитаксиальный транзистор 141
плотность упаковки интегральной схемы 103
поверхностное сопротивление 260
подвижность 55
позиционно–чувствительный детектор 153
поликремний 152
поликристаллический кремний 152
положительная логика 154
положительная обратная связь 154
полоса пропускания 104
полупроводник 243
полупроводниковая интегральная схема 249
полупроводниковая электроника 248
полупроводниковый диод 246
полупроводниковый излучатель 253 полупроводниковый оптоэлектронный прибор 252
полупроводниковый приборы 244
полупроводниковый умножительный диод 249
порошковая металлургия 157
последовательностное логическое устройство 257
постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) 107
потенциальный барьер 156
преобразователь импульсов 173
приборы и устройства квантовой электроники 190 приемник оптического излучения 93
программа моделирования для анализа
интегральных схем 269
программируемая логическая интегральная схема 169
процессор 167
пьезооптический эффект 138
пьезополупроводники 134
пьезоэлектрик 131
пьезоэлектрические приборы 133 пьезоэлектрический преобразователь 132; 136
пьезоэлектроника 136
298
радиационные дефекты 201
радиоволны 204
радиопередающие устройства 203
радиоприемники СВЧ 47
радиоприѐмные устройства 203
радиоспектроскопия 49
разрешающая способность 220
реверсивный преобразователь 224
регенеративный усилитель 214
регистр 215
регулируемый резистивный диод 138
режим двойной инжекции биполярного транзистора 227
режим насыщения 227
режим отсечки 140
режим покоя 199
режим фотопреобразователя 117
режимы работы биполярного транзистора 56 резистор 220
резкий переход 260
резонансный усилитель 221
резонатор 222
релейная защита 170
релятивистская электроника 217
релятивистские эффекты 217
рентгеновские лучи 225
рентгеновское излучение 225 PIN–диод 138
p–n переход 147
сверхвысокие частоты 49
сверхвысокочастотная ИС 45
световод 96
СВЧ выпрямитель 48
СВЧ генератор 46
СВЧ ИС 45
СВЧ коммутатор 50 СВЧ ограничитель 49
СВЧ электроника 43
299
сдвигающий регистр 261
сегнетокерамика 240
селективный усилитель 241
сенсор 256
силицид 265
силовая электроника 162
силовое электронное устройство 159
силовой полупроводниковый диод 253
силовой полупроводниковый прибор 253
cиловой полупроводниковый транзистор 254
скважность импульсов 182
следящая обратная связь 258
смеситель 54
сопротивление (электрическое) 218
структура метал–оксид–диэлектрик 63
схемотехника 228
счетчик импульсов 171 тактовый кварцевый генератор 197
твердотельное реле 101
тензорезистор 219
термическая обработка 164
термообработка 164
ток покоя 200
точечные дефекты 150
точечный диод 149
точечный переход 149 точка покоя 151; 200
точность 165
травление, формирующее изображение 107
транзистор с проницаемой базой 108
триггер Шмитта 229
триодный тиристор, запираемый
в обратном направлении 223
триодный тиристор, проводящий
в обратном направлении 223 умножительный СВЧ диод 251
усилитель мощности 158
300
устройство задержки импульсов 175
устройство силовой электроники 159
фазовое управление 110
фазовращатель 113
фазовый детектор 111
фазосдвигающее устройство 113
фазочастотная характеристика 111
фазочувствительный детектор 111
физическая электроника 131
фотовольтаический эффект 121
фотогальванический режим 122
фотогальванический эффект 121
фотогальваномагнитное явление 122
фотогенераторный режим 122
фотодиод 116
фотодиодный режим 117
фотодиэлектрический эффект 116 фотолитография 122
фотолюминесценция 123
фотополимеризация 124
фоторезистор 125
фотостереолитография 126
фототиристор 127
фототранзистор 129
фотоупругость 138
фоточувствительность 126 фотоэлектрический преобразователь 119
фотоэлектрический усилитель 116
фотоэлектронная спектроскопия 121
фотоэлектронный прибор 120
фотоэлектронный умножитель 119
частотная характеристика 222
четырехпоюсник 183
чувствительность 257
широтно–импульсное модулирование 177 широтно-импульсный модулятор 179
эластооптический эффект 138
301
электронно–дырочный переход 147
энергия импульса 177
эффект Мейснера 32
ядерная электроника 85
ядерный магнитный резонанс 86
Kitabda verilmiĢ terminlər (azərbaycan dilində)
amplitud diskriminatoru 179
ardıcıllıqlı məntiq qurğuları 258
asılı inversləşdirici 27
avtorəqslər rejimi 242
ayırdetmə qabiliyyəti 221
ayırma rejimi 140
başlanğıc iş rejimi 199 başlanğıc işçi nöqtə 201
bazasına nüfuz olunan tranzistor 109
bərk cisim relesi 101
bipolyar tranzistorun ikiqat injeksiya rejimi 228
bipolyar tranzistorun iє rejimləri 57
birastanali müqayisə qurğusu 277
birelektronlu qurğu 274
birelektronlu tranzistor 275
birfazalı trigger 278 birpilləli trigger 280
buraxma zolağı 105
çıxış xarakteristikası 102
çıxış kaskadı 102
çox emitterli tranzistor 67
çoxelementli fotoqəbuledici 65
çoxkaskadlı gücləndirici 70
çoxkollektorlu tranzistor 64
daimi mühərrik 110 daimi yaddaş qurğusu 107
dayaq gərginliyi 213
302
dəqiqlik 165
doyma rejimi 228
dördqütblü 183
düzbucaqlı gərginlik impulsları generatoru 210
düzləndirici 211
düzləndirici keçid 213
düzləndirici kontakt 85; 234
düzləndirməyən keçid 84
düzləndirməyən kontakt 83
elastik–optik effekt 138
elektrik müqaviməti 224
elektron cihazın keyfiyyəti 183
elektron–deşik keçidi 147
əks istiqamət 224
əks istiqamətdə bağlanan diod tiristoru 222
əks istiqamətdə bağlanan triod tiristoru 223
əks istiqamətdə keзirən diod tiristoru 223 əks istiqamətdə keзirən triod tiristoru 223
əks qoşulma 224
əməli yaddaş qurğusu ƏYQ 26
əməliyyat gücləndiricisi 90
ərimə 32
faza detektoru 112
faza döndərici 113
faza ilə idarəetmə 113
faza sürüşdürücü qurğu 115 faza–tezlik xarakteristikası 111
fazaya həssas detektor 112
fiziki elektronika 131
fotoçevirici rejimi 18
fotodielektrik effekt 116
fotodiod 117
fotodiod rejimi 118
fotoelastiklik 138
fotoelektrik çevirici 119 fotoelektrik gücləndirici 116
fotoelektromaqnit hadisəsi 122
303
fotoelektron cihaz 121
fotoelektron çoxaldıcısı 120
fotoelektron spektroskopiya 121
fotoelektron vurucusu 120
fotogenerator rejimi 122
fotohalvanik effekt 122
fotohalvanik rejim 122
fotohəssaslıq 126
fotolitoqrafiya 123
fotolüminessensiya 124
fotopolimerləşmə 124
fotorezistor 125
fotostereolitoqrafiya 126
fototiristor 128
fototranzistor 130
forovoltaik effekt 122
gözləyici multivibrator 279 güc 158
güc elektron qurğusu 161
güc elektronikası 162
güc elektronikası qurğusu 161
güc gücləndiriciləri 159
güc tranzistoru 164
güclü çıxış gücləndiriciləri 159
həssaslıq 257
xətti dəyişən gərginlik 209 xətti dəyişən gərginliklər generatoru 208
ifrat yüksək tezliklər 49
ifratyüksəktezlikli İS 45
iki pilləli trigger 28
ikinci elektron emissiyası 237
ilkin qida mənbələri 166
impuls–faza ilə idarəetmə 181
impuls çeviriciləri 174
impuls diodu 262 impuls generatoru (İG) 180
impuls tiristoru 182
304
impulslar sayğacı 173
impulsu eninə modulyasiya edici 179
impulsu ləngitmə qurğusu 176
impulsun dərinliyi 182
impulsun enerjisi 178
impulsun eninə modulyasiyası 177
injeksiya etdirməyən kontakt 81
inteqral sxemləri təhlil etmək üçün
modelləşdirmə proqramı 270
inversləşdirməyən giriş 81
inversləşdirməyən gücləndirici 80
işıq ötürücüsü 96
İYT düzləndirici 48
İYT elektronika 44
İYT generator 46
İYT İS 45
İYT kommutator 50 İYT məhdudlaşdırıcı 49
İYT radioqəbuledicilər 48
İYT vurucu diod 258
izləyici əks əlaqə 259
izolyator üzərində silisium 268
kəskin keçid 260
konversiyalı tranzistor 155
koordinat detektoru 153
kvant çuxuru 196 kvant elektronikası 189
kvant elektronikasının cihaz və qurğuları 191
kvant generatoru 195
kvant gücləndiricisi 185
kvant ipi 193
kvant naqili 193
kvant nöqtəsi 188
kvant sayğacı 186
kvant–elektron modulu 192 kvars 265
kvars generatoru 198
305
kvars rezonator 199
qarışdırıcı 55
qeyri–inversləyici gücləndirici 80
qeyri–xətti rezistor 82
qeyri–xəttilik 82
qida mənbəyi 163
laylı molekulyar epitaksiya 62
maqnit açarı 16
maqnit deşilməsi 9
maqnit dielektriki 16
maqnit diodu 17
maqnit elektronikası 19
maqnit gücləndiricisi 9
maqnit hidrodinamik generator 20
maqnit ifratkeçirici 15
maqnit inteqral sxem 11
maqnit modulyator 11 maqnit müqaviməti 13
maqnit nüfuzluğu 12
maqnit rezistiv sensor (MRS) 21
maqnit rezistor 22 maqnit təbəqəsi 10 maqnit tiristor 23 maqnit tranzistor 24 maqnit yarımkeçirici 14
MDY 53 MDY tranzistor 53 metal–dielektrik–yarımkeçirici quruluş 53 MEMS 36 metal–dielektrik–yarımkeçirici tranzistor 55 metallaşdırma 36 metallik rabitə 35 metal–oksid–yarımkeçirici quruluşu 63 metal–oksid–yarımkeçirici tranzistor 63 Meysner effekti 32 məlumat siqnalı 59 mənfi diferensial müqavimət 76
306
mənfi məntiq 77 məntiq funksiyasının minimallaşdırılması 52 mikroelektromexaniki sistemlər 36 mikroelektronika 38 mikrooptoelektromexaniki sistemlər 40 mikroprosessor 42 mikrorele 43 miniarürləşdirmə 51 mişarvari gərginlik 209 mnemosxem 51 modulyasiya 58 modulyasiya diodu 252
modulyasiya edən siqnal 59 modulyasiya edici 59 modulyator 59 MOEMS 40 molekulyar qaz lazeri 61 molekulyar generator 60 molekulyar–şüa epitaksiyası 60 monokristal 273 mövqeyə həssas detektor 153 MS–trigger 28 multipleksor 68 multistabil sxem 69 multistabil trigger 69 multivibrator 71
müqavimət 218 müqavimət konvertoru 218 müsbət əks əlaqə 154 müsbət məntiq 154 nanoelektronika 73 nanotexnologiya 75 neqatron gücləndirici 78 neqatronika 79
nöqtəvi defektlər 150 nöqtəvi diod 149 nöqtəvi keçid 149
307
nüfuzolunan bazalı tranzistor 109 nüvə elektronikası 86 nüvə maqnit rezonansı 87 omik keçid 84 omik kontakt 83 operativ yaddaş qurğusu OYQ 26 optik prosessor 94 optik rabitə 92 optik rezonator 91 optik şüalanma qəbuledicisi 93 optik yaddaş qurğusu 95 optocüt 97
optoelektron aşırıcı 100 optoelektronika 99 optorele 101 ovuntu metallurgiyası 157 ölçən çevirici 29 ölçmə 29 ölçmə xətti 30 ölçmə məlumat sistemi 30 ölçmə vasitələri 29 ölçü generatoru 264 paralel əks əlaqə 103 parametrik generator 104 parametrik gücləndirici 104 passiv süzgəc 106
passivləşdirici təbəqə 105 passivləşdirmə 106 PIN–diod 139 piroelektrik 182 planar epitaksial texnologiya 141 planar–epitaksial tranzistor 141 planar texnologiya 143 planar tranzistor 143
plazma 145 plazma elektronikası 146 plazmalı elektrik enerjisi mənbəyi 146
308
p–n keçid 151 p–n keçidin tutumu 148 polikristal Si 152 potensial çəpər 156 proqramlaşdırılan inteqral məntiq sxemi 170 prosessor 168 pyezoelektrik 131 pyezoelektrik cihazlar 134 pyezoelektrik çevirici 133; 136 pyezoelektronika 137 pyezooptik effekt 138 pyezoyarımkeçiricilər 135
radiasiya defektləri 201 radiodalğalar 205 radioqəbuledici qurğular 203 radioötürücü qurğular 204 radiospektroskopiya 50 regenerativ gücləndirici 215 registr 216 rele mühafizəsi 171 relyativist effektlər 217 relyativist elektronika 217 rentgen şüalanması 225 rentgen şüaları 225 reversiv çevirici 224 rezistor 220
rezonans gücləndirici 221 rezonator 222 sabit yaddaş qurğusu SYQ 107 sapfir üzərində silisium 269 seçici gücləndirici 242 seqnet keramikası 241 selektiv gücləndirici 242 sensor 256
səth müqaviməti 260 sxem texnikası 229 siqnal–küy əmsalı 264
309
silisid 266 silisium 267 silisium dioksid 267 silisium nitrid 268 sinxronlaşdırıcı impulsların kvars generatoru 197 sinusoidal rəqslər generatoru 271 sıfır ölçülü defektlər 150 sındırma əmsalı 214 sükunət cərəyanı 200 sükunət nöqtəsi 151; 201 sükunət rejimi 199 sürüşdürücü registr 261
şəbəkədən idarə olunan inversləşdirici 27 Şmitt triggeri 231 Şottki зəpəri 233 Şottki diodu 235 Şottki kontaktı 234 şüalandırıcı YK cihaz 202 takt kvars generatoru 197 tenzorezistor 219 termik emal 164 tezlik xarakteristikası 222 təbii kommutasiya 242 təhlükəsiz iş sahəsi 227 tək vibrator 62; 279 təkrar deşilmə 236
təkrar elektrik qida mənbəyi 239 təkrar elektron emissiyası 237 tənzimlənən rezistiv diod 139 təsviri formalaşdıran aşılandırma 107 tibbi elektron qurğuları 31 tibbi elektronika 31 tiristorun açıq vəziyyəti 88 tiristorun bağlı vəziyyəti 88
ventil 212 ventil rejimi 122 verici 256
310
yaddaş qurğusu 34 yarımkeçirici 243 yarımkeçirici cihazlar 245 yarımkeçirici diod 247 yarımkeçirici elektronika 248 yarımkeçirici güc tranzistoru 255 yarımkeçirici inteqral sxem 250 yarımkeçirici optoelektron cihaz 252 yarımkeçirici vurucu diod 251 yerləşdirmə sıxlığı 103 YK cihazın gövdəsi 103 YK güc cihazı 253
YK güc diodu 254 YK şüalandırıcı 253 yürüklük 56
311
ƏDƏBĠYYAT
1. Abdinov Ə.Є., H.M.Məmmədov. Bərk cisim elektronikası,
Bakı, 2004.
2. Abdinov Ə.Ş., Mehdiyev N.M. Optoelektronika, Bakı, 2005
3. Sadıqov O.M., Həsənova M.Є. Elektron teхnikasının mate-
rialları. Bakı, 2002
4. Sadıqov O.M., Musayev Z.S. ―Elektronika‖ İngilis, rus və
azərbaycan dillərində izahlı terminoloji lüğət, I hissə (A–
M), Bakı, 2011.
5. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. М.,
1990
6. Бобровников Л.З. Электроника. Москва–Санкт-Петербург,
2004
7. Бойт К. Цифровая электроника. М., 2007
8. Букреев И. Силовые электронные устройства. М., 1982
9. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлек–
тронные схемы цифровых устройств. М., 2009
10. В.И.Васильев, Ю.М.Гусев, В.Н.Миронов. Электронные
промышленные устройства. М., 1988
11. Вайсбурд Ф.И., Панаев Г.А., Савельев В.Н. Электрон-
ные приборы и усилители. М., 2005
12. Гальперин М.В. Электронная техника. М., 2004
13. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электро-
ника М., 1988
14. Гуртов В.А.. Твердотельная электроника. М., 2007
15. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М., 1991
16. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника.
М., 1986
17. Ефимов И.П. Источники питания. Ульяновск, 2001 г.
18. Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства. М.,
2006
19. Игнатов А.Н., Фадеева Н.Е.,Савиных В.Л. Классическая
электроника и наноэлектроника.М.,2009
312
20. Игумнов Д.В., Костюнина Г.И. Основы твердотельной
электроники. М.,2005
21. Кобаяси Н. Введение в нанотехнологию. М.: БИНОМ.
Лаборатория знаний, 2007
22. Лачин В.И., Савллов Н.С. Электроника. Ростов на Дону,
2004
23. Мир материалов и технологий. Мировые достижения.
Сб. под ред. П.П.Мальцева. М., 2008
24. Опадчий Ю.Ф., Глудкин О.П., Гуров А.И. Аналоговая и
цифровая электроника. М., 2000
25. Оппенгейм А., Шафер Р. Цифровая обработка сигналов.
М., 2006
26. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной
техники. М., 1986
27. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые при-
боры. М., 1987
28. Пашаев А.М., Гаджиев Н.Д., Набиев Р.Н. Основы элек-
троники. Баку, 2002.
29. Пихтин А.Н. оптическая и квантовая электроника. М.,
2001.
30. Потемкин И.С. Функциональные узлы цифровой элек-
троники. М., 1988
31. Г.Г.Раннев, А.П.Тарасенко. Методы и средства измере-
ний. М., 2004.
32. Ровдо А.А. Полупроводниковые диоды и схемы с дио-
дами. М., 2000
33. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. М., 2003
34. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупро-
воднико–вые приборы. М., 1990
35. Цыганков О.Г. Информационно–измерительная техника
и электроника. Курск, 2001
36. Электроника. Энциклопедический словарь. М., 1991
37. Шишкин Г.Г. Наноэлектроника. Элементы, приборы и
устройства. 2011.