MCP6V11/1U/2/4 Data Sheet - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/20005124B_JP.pdfMCP6V11/1U/2/4 DS20005124B_JP - p.6 2014 Microchip Technology Inc. 1.3 タイミング図

MCP6V11/1U/2/47.5 µA、80 kHz ゼロドリフトオペアンプ

注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください。新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います。

特長 :

• 高い DC 精度 :

- VOS ドリフト : ±50 nv/ ℃ ( 大 )

- VOS: ±8 µV( 大 )

- AOL: 112 dB( 小、VDD = 5.5 V)

- PSRR: 118 dB( 小、VDD = 5.5 V)

- CMRR: 119 dB( 小、VDD = 5.5 V)

- Eni: 2.1 µVP-P ( 標準 )、f = 0.1 ～ 10 Hz

- Eni: 0.67 µVP-P ( 標準 )、f = 0.01 ～ 1 Hz

• 低い消費電力と電源電圧 :

- IQ: 7.5 µA/ アンプ ( 標準 )

- 広い電源電圧レンジ : 1.6 ～ 5.5 V

• 小型パッケージ :

- シングル : SC70、SOT-23

- デュアル : MSOP-8、2x3 TDFN

- クワッド : TSSOP-14

• 使いやすさ :

- レールツーレール入出力

- 利得帯域幅積 : 80 kHz( 標準 )

- ユニティゲインで安定動作

• 拡張温度レンジ : -40 ～ +125 ℃

代表的なアプリケーション :

• 携帯型計測機器

• センサコンディショニング

• 温度計測

• DC オフセットの補正

• 医療計装

設計支援 :

• SPICE マクロモデル

• FilterLab® ソフトウェア

• Microchip Advanced Parts Selector (MAPS)

• アナログデモボードおよび評価用ボード

• アプリケーションノート

関連デバイス :

• MCP6V01/2/3: 自動ゼロ調整、スプレッドクロック

• MCP6V06/7/8: 自動ゼロ調整

• MCP6V26/7/8: 自動ゼロ調整、低ノイズ

• MCP6V31/1U/2/4: ゼロドリフト、低消費電力

概要 :

Microchip 社の MCP6V11/1U/2/4 オペアンプファミリは、きわめて低いオフセットとオフセットドリフトを実現する入力オフセット電圧補正機能を提供します。これらは低消費電力デバイスであり、ゲイン帯域幅積は 80 kHz( 標準 ) です。ユニティゲインで安定動作し、1/f ノイズはほぼゼロです。優れた電源電圧変動除去比(PSRR) とコモンモード除去比 (CMRR) を実現しています。これらの製品は小 1.6 V の単電源電圧で動作し、静止電流は 7.5 µA/ アンプ ( 標準 ) です。

Microchip 社の MCP6V11/1U/2/4 オペアンプは、シングル (MCP6V11とMCP6V11U)、デュアル (MCP6V12)、クワッド (MCP6V14)パッケージで提供しています。高度な CMOS プロセスを用いて設計しました。

パッケージタイプ

VIN+

VSS

VIN–

1

2

3

5

4

VDDVOUT

MCP6V11SOT-23

MCP6V11USC70, SOT-23

VIN–

VSS

VOUT

1

2

3

5

4

VDDVIN+

VINA+VINA–

VSS

1

2

3

4

8

7

6

5

VOUTA VDD

VOUTB

VINB–VINB+

MCP6V12MSOP

MCP6V122×3 TDFN *

VINA+

VINA–

VSS

VOUTB

VINB–

1

2

34

8

7

65 VINB+

VDDVOUTA

EP9

* 露出サーマルパッド (EP) 付き ( 表 3-1 参照 )

VINA+VINA–

VDD

1

2

3

4

14

13

12

11

VOUTA VOUTD

VIND–

VIND+VSS

MCP6V14TSSOP

VINB–VINB+

VOUTB

5

6

7

10

9

8

VINC+

VINC–VOUTC

2014 Microchip Technology Inc. DS20005124B_JP - p.1

MCP6V11/1U/2/4

代表的な応用回路

U1

MCP6XXX

Offset Voltage Correction for Power Driver

C2R2

R1 R3

VDD/2

R4

VIN VOUT

R2

VDD/2

R5

U2

MCP6V11

DS20005124B_JP - p.2 2014 Microchip Technology Inc.

MCP6V11/1U/2/4

1.0 電気的特性

1.1 絶対大定格 †

VDD - VSS ..................................................................................................................................................................6.5 V

入力ピン電流 ..........................................................................................................................................................±2 mA

アナログ入力 (VIN+ と VIN-) (Note 1)...................................................................................... VSS - 1.0 V ～ VDD + 1.0 V

その他の全入出力 ................................................................................................................... VSS - 0.3 V ～ VDD + 0.3 V

差動入力電圧 ...................................................................................................................................................|VDD - VSS|

出力短絡電流 ............................................................................................................................................................ 連続

出力ピンおよび電源ピン電流 ...............................................................................................................................±30 mA

保管温度..................................................................................................................................................... -65 ～ +150 ℃

高接合部温度 .....................................................................................................................................................+150 ℃

全ピンの ESD 保護 (HBM、CDM、MM) 2 kV、1.5 kV、400 V

Note 1: セクション 4.2.1、「レールツーレール入力」を参照してください。

1.2 仕様

†Notice: 上記の「絶対大定格」を超える条件は、デバイスに恒久的な損傷を招く可能性があります。これはストレス定格です。本書の動作表に示す条件または左記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません。長期間にわたる大定格条件での動作や保管は、デバイスの信頼性に影響する可能性があります。

表 1-1: DC 電気的仕様

電気的特性 : 特に明記しない限り、TA = +25 ℃、VDD = +1.6 ～ +5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/3、VOUT = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に接続 )、CL = 20 pF です ( 図 1-4 と図 1-5 参照 )。

パラメータ記号 Min. Typ. Max. 単位条件

入力オフセット

入力オフセット電圧 VOS -8 - +8 µV TA = +25 ℃

入力オフセット電圧の温度ドリフト (1 次温度係数 )

TC1 -50 - +50 nV/ ℃ TA = -40 ～ +125 ℃(Note 1)

入力オフセット電圧(2 次温度係数 )

TC2 - ±0.08 - nV/ ℃ 2 TA = -40 ～ +125 ℃

電源電圧変動除去比 PSRR 118 135 - dB

入力のバイアス電流とインピーダンス

入力バイアス電流 IB - +5 - PA

入力バイアス電流の温度依存性 IB - +17 - PA TA = +85 ℃

IB 0 +2.9 +5 nA TA = +125 ℃

入力オフセット電流 IOS - ±50 - PA

入力オフセット電流の温度依存性 IOS - ±80 - PA TA = +85 ℃

IOS -1 ±0.4 +1 nA TA = +125 ℃

コモンモード入力インピーダンス ZCM - 1013||6 - ||pF

差動入力インピーダンス ZDIFF - 1013||6 - ||pF

Note 1: 設計指標でありテストしていません。

2: 図 2-18 に、製品の第 1 ロットで測定した、温度に対する VCML と VCMH の変化を示します。


MCP6V11/1U/2/4

コモンモード

コモンモード入力電圧レンジ (Low) VCML - - VSS 0.15 V (Note 2)

コモンモード入力電圧レンジ (High) VCMH VDD + 0.2 - - V (Note 2)

コモンモード除去比 CMRR 108 125 - dB VDD = 1.6 V、VCM = -0.15 ～ 1.8 V (Note 2)

CMRR 119 135 - dB VDD = 5.5 V、VCM = -0.15 ～ 5.7 V (Note 2)

開ループゲイン

DC 開ループゲイン ( 大信号 ) AOL 100 120 - dB VDD = 1.6 V、VOUT=0.3 ～ 1.4 V

AOL 112 135 - dB VDD = 5.5 V、VOUT = 0.3 ～ 5.3 V

出力

小出力電圧振幅 VOL VSS VSS + 14 VSS + 45 mV RL = 10 k、G = +2、0.5 V 入力オーバードライブ

VOL - VSS + 1.4 - mV RL = 100 k、G = +2、0.5 V 入力オーバードライブ

大出力電圧振幅 VOH VDD - 45 VDD - 14 VDD mV RL = 10 k、G = +2、0.5 V 入力オーバードライブ

VOH - VDD - 1.4 - mV RL = 100 k、G = +2、0.5 V 入力オーバードライブ

出力短絡電流 ISC - ±5 - mA VDD = 1.6 V

ISC - ±17 - mA VDD = 5.5 V

電源

電源電圧 VDD 1.6 - 5.5 V

アンプあたりの静止電流 IQ 4 7.5 11 µA IO = 0、MCP6V11/1U

3 6.5 11 IO = 0、MCP6V12/14

POR トリップ電圧 VPOR 0.9 - 1.5 V

表 1-1: DC 電気的仕様 ( 続き )



Note 1: 設計指標でありテストしていません。

2: 図 2-18 に、製品の第 1 ロットで測定した、温度に対する VCML と VCMH の変化を示します。


MCP6V11/1U/2/4

表 1-2: AC 電気的仕様



アンプの AC 応答

利得帯域幅積 GBWP - 80 - kHz

スルーレート SR - 0.03 - V/µs

位相マージン PM - 70 - ° G = +1

アンプのノイズ応答

入力ノイズ電圧 Eni - 0.67 - µVP-P f = 0.01 ～ 1 Hz

Eni - 2.1 - µVP-P f = 0.1 ～ 10 Hz

入力ノイズ電圧密度 eni - 102 - nV/√Hz f < 500 Hz

入力ノイズ電流密度 ini - 4 - fA/√Hz

アンプの歪み (Note 1)

相互変調歪み (AC) IMD - 50 - µVPK VCM tone = 50 mVPK @100 Hz、GN = 1

アンプのステップ応答

起動時間 tSTR - 2 - ms G = +1、0.1% VOUT にセトリング(Note 2)

オフセット補正のセトリングタイム

tSTL - 300 - µs G = +1、VIN2 V ステップ、VOS が終値の 100 µV 以内

出力オーバードライブ回復時間 tODR - 450 - µs G = -10、VDD/2 に ±0.5 V の入力オーバードライブ、VIN の 50% ポイントから VOUT の 90%ポイントまで (Note 3)

Note 1: これらのパラメータの特性は、図 1-6 の回路を使って評価しました。図 2-37 と図 2-38 は、DC の IMDトーン、1 kHz の残留トーン、その他の IMD トーン、クロックトーンを示しています。

2: 高ゲインでは挙動が異なります。セクション 4.3.3、「電源投入時のオフセット」を参照してください。

3: tODR にはクロックエッジタイミングにより若干の不確実性が含まれます。

表 1-3: 温度仕様

電気的特性 : 特に明記しない限り、全てのリミット値は下記条件での値です。VDD = +1.6 ～ +5.5 V、VSS = GND。


温度レンジ

仕様温度レンジ TA -40 - +125 ℃

動作温度レンジ TA -40 - +125 ℃ (Note 1)

保管温度レンジ TA -65 - +150 ℃

パッケージ熱抵抗

熱抵抗、5L-SC-70 JA - 209 - ℃ /W

熱抵抗、5L-SOT-23 JA - 201 - ℃ /W

熱抵抗、8L-2x3 TDFN JA - 53 - ℃ /W

熱抵抗、8L-MSOP JA - 211 - ℃ /W

熱抵抗、14L-TSSOP JA - 100 - ℃ /W

Note 1: 動作によって TJ が高接合部温度の仕様 (+150 ℃ ) を超えないようにする必要があります。


MCP6V11/1U/2/4

1.3 タイミング図

図 1-1: アンプの起動

図 1-2: オフセット補正のセトリングタイム

図 1-3: 出力オーバードライブ回復

1.4 試験回路

大部分の DC および AC 試験に使った回路を図 1-4 と図 1-5 に示します。セクション 4.3.10、「電源のバイパスとフィルタ処理」で説明するバイパスコンデンサを接続してください。バイアス電流の効果を小限に抑えるために、RN の値は RF と RG の並列合成抵抗と同じです。

図 1-4: 大部分の非反転ゲイン条件に使ったAC および DC 試験回路

図 1-5: 大部分の反転ゲイン条件に使ったAC および DC 試験回路

図 1-6 の回路は、入力の動的挙動 ( すなわち、IMD、tSTR、tSTL、tODR) を試験するものです。ポテンショメータで抵抗ネットワークのバランスを取ります (DCにおいてVOUT を VREF に等しくする必要があります )。オペアンプのコモンモード入力電圧は、VCM = VIN/2です。入力の誤差 (VERR) はノイズゲイン 10 V/V でVOUT に現れます。

図 1-6: 入力に対する動的挙動の試験回路

VDD

VOUT

1.001(VDD/3)

0.999(VDD/3)

tSTR

0V1.6V to 5.5V1.6V

VIN

VOS

VOS + 100 µV

VOS – 100 µV

tSTL

VIN

VOUT

VDD

VSS

tODR

tODR

VDD/2

VDD

RG RF

RNVOUT

VIN

VDD/3

1 µF

CL RL

VL

100 nF

RISO

MCP6V1X

VDD

RG RF

RNVOUT

VDD/3

VIN

1 µF

CL RL

VL

100 nF

RISO

MCP6V1X

VDD

VOUT

1 µF

CL

VL

RISO

11.0 k 249

11.0 k 500

VIN

VREF = VDD/3

0.1%

0.1% 25 turn

100 k

100 k

0.1%

0.1%

RL

0

20 pF open

100 nF

1%

MCP6V1X


MCP6V11/1U/2/4

2.0 代表性能曲線

Note: 特に明記しない限り、TA = +25 ℃、VDD = +1.6 ～ 5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/3、VOUT = VDD/2、

VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に接続 )、CL = 20 pF です。

2.1 DC 入力精度

図 2-1: 入力オフセット電圧

図 2-2: 入力オフセット電圧ドリフト

図 2-3: 入力オフセット電圧 (2 次温度係数 )

図 2-4: 電源電圧に対する入力オフセット電圧 (VCM = VCML)

図 2-5: 電源電圧に対する入力オフセット電圧 (VCM = VCMH)

図 2-6: 出力電圧に対する入力オフセット電圧

Note: 下図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり、情報の提供のみを目的とします。ここに記載した性能特性は検証されておらず保証されません。下の図表の一部には、仕様の動作レンジ外で計測されたデータ ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 ) が含まれている可能性があり、それらのデータは保証範囲外です。

10%

15%

20%

25%

30%

age

of O

ccur

renc

es

42 SamplesTA = +25°CVDD = 1.6V and 5.5V

0%

5%

10%

-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8

Perc

ent

Input Offset Voltage (μV)

10%

15%

20%

25%

30%

age

of O

ccur

renc

es

42 SamplesVDD = 1.6V and 5.5V

0%

5%

10%

-50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 40 50

Perc

ent

Input Offset Voltage Drift; TC1 (nV/°C)

10%

15%

20%

25%

30%

35%

ntag

e of

Occ

urre

nces

42 SamplesVDD = 1.6V and 5.5V

0%

5%

10%

-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5

Perc

en

Input Offset Voltage's Quadratic Temp Co;TC2 (nV/°C2)

6

8VCM = VCMLRepresentative Part

4

6

e (μ

V)

Representative Part

0

2

Volta

ge

-40°C+25°C

-2

0

Offs

etV 25 C

+85°C+125°C

-4

Inpu

tO

-8

-6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

Power Supply Voltage (V)

6

8VCM = VCMHRepresentative Part

4

6

e (μ

V)

Representative Part125°C+85°C+25°C

0

2

Volta

ge +25°C-40°C

-2

0

Offs

etV

-4

Inpu

tO

-8

-6

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5


6

8Representative Part

4

6

e (μ

V)

0

2

Volta

ge

VDD = 5.5V

-2

0

Offs

etV

VDD = 1.6V

-4

Inpu

tO

-8

-6

I

80.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

Output Voltage (V)


MCP6V11/1U/2/4



図 2-7: コモンモード電圧に対する入力オフセット電圧 (VDD = 1.6 V)

図 2-8: コモンモード電圧に対する入力オフセット電圧 (VDD = 5.5 V)

図 2-9: CMRR

図 2-10: PSRR

図 2-11: DC 開ループゲイン

図 2-12: 周囲温度に対する CMRR と PSRR

6

8VDD = 1.6VRepresentative Part

4

6

e (μ

V)

Representative Part

0

2

Volta

ge

-2

0

Offs

etV

40°C-4

Inpu

tO -40°C+25°C+85°C

+125°C

-8

-6 +125°C

-0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5Input Common Mode Voltage (V)

6

8VDD = 5.5VRepresentative Part

4

6

e (μ

V)

Representative Part

0

2

Volta

ge

-2

0

Offs

etV

40°C-4

Inpu

tO -40 C+25°C+85°C

+125°C

-8

-6 +125 C

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

Input Common Mode Voltage (V)

20%

30%

40%

50%

60%

70%

tage

of O

ccur

renc

es

21 SamplesTA = 25°C

VDD = 5.5V

0%

10%

20%

-1.6

-1.2

-0.8

-0.4 0.0

0.4

0.8

1.2

1.6

Perc

en

1/CMRR (μV/V)

VDD = 1.6V

40%

45%

s

21 SamplesTA = +25°C

30%

35%

rren

ces

25%

30%

Occ

ur

15%

20%

age

of

10%

15%

erce

nta

0%

5%Pe

-1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.01/PSRR (μV/V)

40%

45%

s

21 SamplesTA = +25°C

30%

35%

rren

ces

25%

30%O

ccur

V 1 6V V 5 5V

15%

20%

age

of VDD = 1.6V VDD = 5.5V

10%

15%

erce

nta

0%

5%Pe

-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.51/AOL (μV/V)

155160

145150

B) PSRR

135140145

SRR

(d

130135

RR

, PS

120125C

M

CMRRV 5 5V

110115

CMRRVDD = 5.5VVDD = 1.6V

-50 -25 0 25 50 75 100 125Ambient Temperature (°C)


MCP6V11/1U/2/4



図 2-13: 周囲温度に対するDC開ループゲイン

図 2-14: コモンモード入力電圧に対する入力バイアスおよびオフセット電流(TA = +85 ℃ )

図 2-15: コモンモード入力電圧に対する入力バイアスおよびオフセット電流(TA = +125 ℃ )

図 2-16: 周囲温度に対する入力バイアスおよびオフセット電流 (VDD = +5.5 V)

図 2-17: 入力電圧 (VSS 未満 ) に対する入力バイアス電流

155160

145150

n (d

B)

135140145

op G

ain

VDD = 5.5VVDD = 1.6V

130135

en-L

oo

120125

DC

Ope

110115

D


150

200

pA) TA = +85°C

VDD = 5.5V

100

150

ents

(p

DD

0

50

et C

urr

IB

-50

0

s, O

ffse

-100

ut B

ias

IOS

-200

-150

Inpu

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

Common Mode Input Voltage (V)

4000

5000

pA) TA = +125°C

VDD = 5.5V

3000

4000

ents

(p

VDD 5.5V

2000

3000

et C

urr

1000

s, O

ffse IB

1000

0

ut B

ias

IOS

-2000

-1000

Inpu

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0


10000

A) VDD = 5.5V

10n

1000

rent

s (A

1n

100et C

urr

100100

s, O

ffse

IOS100p

10

ut B

ias

IB10p

1

Inp

1p25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125

Ambient Temperature (°C)

1p

1.E-03

1.E-02

A)

10m

1m

1.E-04

1.E 03

ude

(A

1m

100μ

1.E-06

1.E-05

Mag

nit 10μ

1μ

1 E-08

1.E-07ur

rent

M+125°C+85°C

100n

10n1.E-09

1.E-08

put C

u +85 C+25°C-40°C

10n

1n

1.E-11

1.E-10In 100p

10p-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0

Input Voltage (V)

p


MCP6V11/1U/2/4



2.2 その他の DC 電圧と電流

図 2-18: 周囲温度に対する入力コモンモード電圧ヘッドルーム ( レンジ )

図 2-19: 出力電流に対する出力電圧ヘッドルーム

図 2-20: 周囲温度に対する出力電圧ヘッドルーム

図 2-21: 電源電圧に対する出力短絡電流

図 2-22: 電源電圧に対する電源電流

図 2-23: パワーオンリセットトリップ電圧

0 3

0.4

ge

1 Wafer Lot

0.2

0.3

Volta

g

Upper ( VCMH – VDD)

0 0

0.1

Mod

eom

(V)

-0.1

0.0

mm

onH

eadr

oo

-0.2

put C

om H Lower (VCML – VSS)

-0.4

-0.3Inp


1000

mV)

oom

(m

VDD – VOH100

Hea

dro VDD VOH


VOL – VSS

10olta

geH DD

10

tput

Vo

1

Out

0.1 1 10Output Current Magnitude (mA)

456789

101112

ut H

eadr

oom

(mV)

VDD = 5.5V

RL = 25 k�

01234

-50 -25 0 25 50 75 100 125

Out

pu


VDD – VOH

VOL – VSSVDD = 1.6V

-10

0

10

20

30

40

ort C

ircui

t Cur

rent

(mA

)

-40°C+25°C+85°C

+125°C

-40

-30

-20

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

Out

put S

h o


+125°C+85°C+25°C-40°C

456789

1011

Cur

rent

(μA

/am

plifi

er) Representative Part

0123

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

Supp

ly C


+125°C+85°C+25°C-40°C

35%

40%

es

850 Samples1 Wafer Lot

30%

35%

urre

nce 1 Wafer Lot

TA = +25°C

20%

25%

f Occ

u

15%

20%

tage

of

5%

10%

Perc

ent

0%

5%

4 6 8 0 2 4 6 8 0 2 4

P

1.14

1.16

1.18

1.20

1.22

1.24

1.26

1.28

1.30

1.32

1.34

POR Trip Voltage (V)


MCP6V11/1U/2/4



図 2-24: 周囲温度に対するパワーオンリセット電圧

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

R T

rip V

olta

ge (V

)

0.0

0.2

0.4

-50 -25 0 25 50 75 100 125

POR



MCP6V11/1U/2/4



2.3 周波数応答

図 2-25: 周波数に対する CMRR と PSRR

図 2-26: 周波数に対する開ループゲイン(VDD = 1.6 V)

図 2-27: 周波数に対する開ループゲイン(VDD = 5.5 V)

図 2-28: 周囲温度に対するゲイン帯域幅積と位相マージン

図 2-29: コモンモード入力電圧に対するゲイン帯域幅積と位相マージン

図 2-30: 出力電圧に対するゲイン帯域幅積と位相マージン

405060708090

100

RR

, PSR

R (d

B)

CMRR

0102030

1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

CM

R

Frequency (Hz)

PSRR

10 10k100 100k1k

180

-150

-120

-90

-60

-30

0

10

20

30

40

50

60

70

n-Lo

op P

hase

(°)

n-Lo

op G

ain

(dB

)

�AOL

VDD = 1.6VCL = 20 pF

-270

-240

-210

-180

-20

-10

0

10

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

Ope

n

Ope

n

Frequency (Hz)100 100k1k 1M10k

| AOL |

180

-150

-120

-90

-60

-30

0

10

20

30

40

50

60

70

n-Lo

op P

hase

(°)

n-Lo

op G

ain

(dB

)

�AOL

VDD = 5.5VCL = 20 pF

-270

-240

-210

-180

-20

-10

0

10

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

Ope

n

Ope

n

Frequency (Hz)100 100k1k 1M10k

| AOL |

60

70

80

90

100

60

80

100

120

140

hase

Mar

gin

(°)

dwid

th P

rodu

ct (k

Hz)

VDD = 5.5V

PM

30

40

50

0

20

40

-50 -25 0 25 50 75 100 125

Ph

Gai

n B

and


GBWP VDD = 1.6V

60

70

80

90

100

60

80

100

120

140

hase

Mar

gin

(°)

dwid

th P

rodu

ct (k

Hz)

VDD = 5.5V

PM GBWPRF = 1 M�

30

40

50

0

20

40

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

Ph

Gai

n B

an


VDD = 1.6V

60

70

80

90

100

60

80

100

120

140

hase

Mar

gin

(°)

dwid

th P

rodu

ct (k

Hz) VDD = 5.5V

PM

GBWP

30

40

50

0

20

40

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5

Ph

Gai

n B

an

Output Voltage (V)

VDD = 1.6V


MCP6V11/1U/2/4



図 2-31: 周波数に対する閉ループ出力インピーダンス (VDD = 1.6 V)

図 2-32: 周波数に対する閉ループ出力インピーダンス (VDD = 5.5 V)

図 2-33: 周波数に対するチャンネル間分離

図 2-34: 周波数に対する大出力電圧振幅

1.E+02

1.E+03

1.E+04

1.E+05

op O

utpu

t Im

peda

nce

(�)

100

10k

100kVDD = 1.6V

1k

1.E+00

1.E+01

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

Clo

sed-

Loo

Frequency (Hz)100 1k 10k 1M

1

10 G = 1 V/VG = 11 V/VG = 101 V/V

100k

1.E+02

1.E+03

1.E+04

1.E+05

op O

utpu

t Im

peda

nce

(�)

100

10k

100kVDD = 5.5V

1k

1.E+00

1.E+01

1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

Clo

sed-

Loo

Frequency (Hz)100 1k 10k 1M

1

10 G = 1 V/VG = 11 V/VG = 101 V/V

100k

60

80

100

120

140

nnel

-to-C

hann

elar

atio

n, R

TI (d

B)

MCP6V12MCP6V14

0

20

40

1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06

Cha

nSe

pa

Frequency (Hz)1k 10k 1M100k

10

ing

ge S

wi

VDD = 5.5V

1t Vol

tag

-P) VDD = 1.6V

11.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

Out

put

(VP-

xim

um

0 1

Max

0.1

Frequency (Hz)100 1k 100k10k


MCP6V11/1U/2/4

Note: 特に明記しない限り、TA = +25 ℃、VDD = +1.6 ～ 5.5 V、VSS = GND、VCM = VDD/3、VOUT = VDD/2、VL = VDD/2、RL = 100 k(VL に接続 )、CL = 20 pF です。

2.4 入力ノイズと歪み

図 2-35: 周波数に対する入力ノイズ電圧密度と入力ノイズ電圧積分値

図 2-36: 入力コモンモード電圧に対する入力ノイズ電圧密度

図 2-37: 周波数に対する VCM 外乱による相互変調歪み ( 図 1-6 参照 )

図 2-38: 周波数に対する VDD 外乱による相互変調歪み ( 図 1-6 参照 )

図 2-39: 時間に対する入力ノイズ(1 Hzおよび10 Hz フィルタ、VDD = 1.6 V)

図 2-40: 時間に対する入力ノイズ(1 Hzおよび10 Hz フィルタ、VDD = 5.5 V)

10

100

1000

10

100

1000

d In

put N

oise

Vol

tage

;E n

i(μV

P-P)

oise

Vol

tage

Den

sity

;e n

i(nV

/�H

z)

eni


1

10

1

10

1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05In

tegr

ated

Inpu

t No

Frequency (Hz)

Eni(0 Hz to f)

1 10 100 1k 10k 100k

140

160

y

f < 500 Hz

120

140

Den

sity

VDD = 1.6V

80

100

olta

geD

�Hz)

VDD = 5.5V

60

80

oise

Vo

(nV/�

20

40

nput

No

0

20In

-0.5 0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0


1000GDM = 1 V/VVCM tone = 50 mVPK, f = 100 Hz

(μV P

K) CM PK

100

m, R

TI (

IMD tone at DC

residual 100 Hz tone

10pect

rum


10

MD

Sp

1

I

11.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

Frequency (Hz)1 100 100k10k10 1k

1000GDM = 1 V/VVDD tone = 50 mVPK, f = 100 Hz

(μV P

K) DD PK,

100

m, R

TI (

IMD tone at DC

10pect

rum 100 Hz tone

VDD = 5.5VVDD = 1.6V10

MD

Sp

1

I

11.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05

Frequency (Hz)10 100 10k1k

Noi

se V

olta

ge; e

ni(t)

(0.5

μV/

div)

VDD = 1.6V

NPBW = 10 Hz

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Inpu

tN

Time (s)

NPBW = 10 Hz

NPBW = 1 Hz

0.00.51.01.52.02.53.0

Noi

se V

olta

ge; e

ni(t)

(0.5

μV/

div)

VDD = 5.5V

NPBW = 10 Hz

-2.0-1.5-1.0-0.5

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

Inpu

tN

Time (s)

0

NPBW = 1 Hz


MCP6V11/1U/2/4



2.5 時間応答

図 2-41: 温度を変化させた場合の時間に対する入力オフセット電圧

図 2-42: 電源投入時の時間に対する入力オフセット電圧

図 2-43: MCP6V11/1U/2/4 ファミリはオーバードライブによる入力位相反転を示さない

図 2-44: 非反転微小信号ステップ応答

図 2-45: 非反転大信号ステップ応答

図 2-46: 反転微小信号ステップ応答

-40-20020406080

10152025303540

Tem

pera

ture

(°C

)

Offs

et V

olta

ge (μ

V)

VOS

TPCB


-120-100-80-60

-10-505

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

PCB

T

Inpu

tO

Time (s)

Temperature increased byusing heat gun for 5 seconds.

VOS

0123456

2345678

Supp

ly V

olta

ge (V

)

Offs

et V

olta

ge (m

V)

POR Trip Point

VDD

G = 1

-4-3-2-1

-2-101

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

Pow

er

Inpu

t O

Time (ms)

VOS

2

3

4

5

6

7

Out

put V

olta

ge (V

)

VDD = 5.5VG = 1

VOUT

VIN

-1

0

1

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

Inpu

t,O

Time (ms)

30

40

50

60

70

80

Volta

ge (1

0 m

V/di

v)

VDD = 5.5VG = 1

0

10

20

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Out

putV

Time (μs)

2.02.53.03.54.04.55.05.5

tput

Vol

tage

(V)

VDD = 5.5VG = 1

0.00.51.01.5

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Out

Time (ms)

30

40

50

60

70

80

Volta

ge (1

0 m

V/di

v)

VDD = 5.5VG = -1

0

10

20

0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

Out

putV

Time (μs)


MCP6V11/1U/2/4



図 2-47: 反転大信号ステップ応答

図 2-48: 周囲温度に対するスルーレート

図 2-49: 時間に対する出力オーバードライブ回復 (G = -10 V/V)

図 2-50: 反転ゲインに対する出力オーバードライブ回復時間

2.02.53.03.54.04.55.05.5

tput

Vol

tage

(V)

VDD = 5.5VG = -1

0.00.51.01.5

0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0

Out

Time (ms)

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

ew R

ate

(V/μ

s)

Falling Edge

VDD = 5.5V

0.00

0.01

0.02

-50 -25 0 25 50 75 100 125

Sle


VDD = 1.6V

Rising Edge

2

3

4

5

6

7

2

3

4

5

6

7

ltage

×G

(1 V

/div

)

put V

olta

ge (V

)

V = 5 5V

VOUT G VIN

-1

0

1

2

-1

0

1

2

0 1 1 2 2 3 3 4 4 5 5 6

Inpu

t Vo

Out

p

Time (500 μs/div)

VDD = 5.5VG = -10 V/V0.5V Overdrive

VOUTG VIN

1.E-03

1.E-02

ve R

ecov

ery

Tim

e (s

)

0.5V Input Overdrive

tODR, low

VDD = 5 5V

VDD = 1.6V

10m

1m

1.E-041 10 100 1000

Ove

rdriv

Inverting Gain Magnitude (V/V)

tODR, high

VDD = 5.5V

100μ


MCP6V11/1U/2/4

3.0 ピンの説明

表 3-1 にピン機能の一覧を示します。

3.1 アナログ出力

アナログ出力ピン (VOUT) は、低インピーダンスの電圧源です。

3.2 アナログ入力

非反転および反転入力 (VIN+、VIN-、...) は、低バイアス電流の高インピーダンス CMOS 入力です。

3.3 電源ピン

正電源 (VDD) は、負電源 (VSS) よりも 1.6 ～ 5.5 V 高い電圧です。通常動作時のその他のピンの電圧は、VSS ～VDD のレンジにあります。

通常、これらのデバイスは単電源 ( 正電源 ) 構成で使われます。この場合、VSS をグランドに接続し、VDDを電源に接続します。VDD にはバイパスコンデンサが必要です。

3.4 露出サーマルパッド (EP)

露出サーマルパッド (EP) と VSS ピンは内部で接続されています。両者はプリント基板 (PCB) 上で同一電位に接続する必要があります。

このパッドを PCB のグランドプレーンに接続すると、大きなヒートシンクとする事ができます。これにより、パッケージの熱抵抗 (JA) を低減できます。

表 3-1: ピン割り当て表

MCP6V11 MCP6V11U MCP6V12 DSTEMP

記号内容SOT-23 SOT-23、

SC-702×3 TDFN MSOP TSSOP

1 4 1 1 1 VOUT、VOUTA 出力 ( オペアンプ A)

4 3 2 2 2 VIN-、VINA- 反転入力 ( オペアンプ A)

3 1 3 3 3 VIN+、VINA+ 非反転入力 ( オペアンプ A)

5 5 8 8 4 VDD 正電源

- - 5 5 5 VINB+ 非反転入力 ( オペアンプ B)

- - 6 6 6 VINB- 反転入力 ( オペアンプ B)

- - 7 7 7 VOUTB 出力 ( オペアンプ B)

- - - - 8 VOUTC 出力 ( オペアンプ C)

- - - - 9 VINC- 反転入力 ( オペアンプ C)

- - - - 10 VINC+ 非反転入力 ( オペアンプ C)

2 2 4 4 11 VSS 負電源

- - - - 12 VIND+ 非反転入力 ( オペアンプ D)

- - - - 13 VIND- 反転入力 ( オペアンプ D)

- - - - 14 VOUTD 出力 ( オペアンプ D)

- - 9 - - EP 露出サーマルパッド (EP)VSS に接続要


MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


MCP6V11/1U/2/4

4.0 応用

MCP6V11/1U/2/4 ゼロドリフトオペアンプファミリは、Microchip 社の新 CMOS プロセスで製造されています。小型化と低消費電力が求められる高精度アプリケーション向けに設計されています。MCP6V11/1U/2/4は、電源電圧と静止電流が低いため、バッテリ駆動のアプリケーションに理想的です。

4.1 ゼロドリフト動作の概要

図 4-1 に、MCP6V11/1U/2/4 ゼロドリフトオペアンプの概略図を示します。この図を使って、このアーキテクチャが低速の電圧誤差を低減する (VOS、VOS/TA(TC1)、CMRR、PSRR、AOL、1/f ノイズを大幅に改善する )方法を説明します。

図 4-1: ゼロドリフトオペアンプの概略図

4.1.1 構成要素

メインアンプは、差動回路により高ゲイン、広帯域幅が得られるように設計されています。メイン入力ペア( 左上の + および - ピン ) は、入力信号の高周波数成分に使います。補助入力ペア ( 左下の + および - ピン )は、入力信号の低周波数成分に使い、オペアンプの入力オフセット電圧を補正します。両方の入力を内部で加算します。

補助アンプ、チョッパ入力スイッチ部、チョッパ出力スイッチ部は入力信号に高いDCゲインを提供します。DC 誤差は、より高い周波数に変調され、ホワイトノイズは低周波数に変調されます。

ローパスフィルタは、チョッピングクロックの高調波を含む高周波成分を低減します。

出力バッファは VOUT ピンに接続された外部負荷を駆動します (VREF は内部参照電圧です )。

オシレータは fOSC1 = 50 kHz で動作します。この出力を 2 分周して、チョッピングクロックレートfCHOP = 25 kHz を生成します。

デバイスは内部 POR 回路によって既知の良好な状態から起動するため、電源ブラウンアウトから保護されます。

デジタル制御ブロックはスイッチングと POR イベントを制御します。

4.1.2 チョッピング動作

図 4-2 に、チョッピングクロックの第 1 フェイズにおけるアンプの接続、図 4-3 に、チョッピングクロックの第 2 フェイズにおけるアンプの接続を示します。低速の電圧誤差は極性が交互に変化するため、平均誤差は小さくなります。

図 4-2: チョッピングクロックの第 1 フェイズ : アンプの等価回路図

図 4-3: チョッピングクロックの第 2 フェイズ : アンプの等価回路図

VIN+

VIN– Main

BufferVOUT

VREF

Amp.

Output

NC

Aux.Amp.

ChopperInput

Switches

ChopperOutput

Switches

Oscillator

Low-PassFilter

PORDigital Control

VIN+

VIN– MainAmp. NC

Aux.Amp.

Low-PassFilter

VIN+

VIN– MainAmp. NC

Aux.Amp.

Low-PassFilter


MCP6V11/1U/2/4

4.1.3 相互変調歪み (IMD)

これらのオペアンプでは、AC 信号が存在すると相互変調歪み (IMD) 積が発生します。

信号とクロックは正弦波のトーンに分解できます ( フーリエ級数の成分 )。これらのトーンはゼロドリフト回路の非線形応答と相互作用して、和の周波数と差の周波数に IMD トーンを発生します。矩形波クロックの各高調波を中心とした一連の IMD トーンが現れます。図2-37 と図 2-38 を参照してください。

4.2 その他の機能ブロック

4.2.1 レールツーレール入力

MCP6V11/1U/2/4 オペアンプの入力段では、2 つの差動 CMOS 入力段を並列に使います。一方は低いコモンモード入力電圧 (VCM、通常動作時はほぼ VIN+ と VIN- に等しい ) で動作し、もう一方は高い VCM で動作します。この回路方式の入力は25 ℃において、VCM = VDD+0.2 V～VSS - 0.15 V で動作します ( 図 2-18 参照 )。適切な動作を確保するために、入力オフセット電圧 (VOS) は、VCM = VSS - 0.15 V と VDD + 0.2 V において計測しています。

2 つの入力段の切り替えは、VCM ≈ VDD - 0.9 V の時に発生します ( 図 2-7 と図 2-8 参照 )。歪みとゲイン直線性 ( 非反転ゲイン ) を良好に保つために、この領域での動作を避ける必要があります。

4.2.1.1 位相反転

入力デバイスは、入力ピンが電源電圧を超えた場合に位相反転を生じないように設計されています。図 2-43に、入力電圧が両電源を超えても位相反転が生じない事を示します。

4.2.1.2 入力電圧の制限

これらのアンプの損傷や不適切な動作を避けるために、入力ピンの電圧を回路で制限する必要があります( セクション 1.1「絶対大定格 †」参照 )。この要件は、後述する電流制限の影響を受けません。

図 4-4 に入力の ESD 保護の概略図を示します。入力トランジスタを多くの過電圧条件 ( 全てではない ) から保護すると共に、入力バイアス電流 (IB) を小限に抑えるために、このような構造を採用しています。

図 4-4: アナログ入力 ESD の概略構造図

入力ESDダイオードは、入力がVSSに対してダイオード 1 段分より低くなると、入力をクランプします。また、VDD を大きく超える電圧も全てクランプします。これらのダイオードの降伏電圧は、通常動作を可能とするには十分高いものの、VDD を超える低速の過電圧イベントから保護するほどは低くありません。入力ESD ダイオードは、仕様条件を満たす非常に短期間のESD イベントを制限し、これにより発生する損傷を防ぎます。

アプリケーションによっては、オペアンプ入力を過電圧から保護する必要があります。図 4-5 に入力保護の一例を示します。D1 と D2 には微小信号用シリコンダイオード、クランプ電圧を低くするにはショットキーダイオード、リーク電流を抑えるにはダイオード接続の FET を使えます。

図 4-5: 高電圧に対するアナログ入力保護

4.2.1.3 入力電流の制限

これらのアンプの損傷と不適切な動作を避けるために、入力ピンの電流を回路で制限する必要があります( セクション 1.1「絶対大定格 †」参照 )。この要件は、前述した電圧制限の影響を受けません。

図 4-6 に、これらの入力保護の一例を示します。抵抗R1 と R2 により、入力ピン ( および D1、D2) に流れる可能性のある電流を両方向制限します。ダイオード電流は VDD に流されます。

BondPad

BondPad

BondPad

VDD

VIN+

VSS

InputStage

BondPad

VIN–

V1

VDD

D1

VOUTV2

D2

U1

MCP6V1X


MCP6V11/1U/2/4

図 4-6: 大電流に対するアナログ入力保護

ダイオードをR1とR2の左側に接続する事も可能です。その場合、ダイオード D1 と D2 を通して流れる電流を、別の方法で制限する必要があります。これらの抵抗は突入電流リミッタとして機能し、入力ピン (VIN+、VIN-) に流れ込む DC 電流は非常に低くなります。

コモンモード電圧 (VCM) がグランド (VSS) よりも低下すると、入力から (ESD ダイオードを通して ) 大電流が流れる可能性があります ( 図 2-17 参照 )。

4.2.2 レールツーレール出力

MCP6V11/1U/2/4ゼロドリフトオペアンプの出力電圧レンジは VDD - 20 mV( 小 ) ～ VSS + 20 mV( 大 )です。(RL = 10 kを VDD/2 に接続、VDD = 5.5 V の場合 ) 詳細は図 2-19 と図 2-20 を参照してください。

このオペアンプは、低負荷駆動用に設計されています。高負荷に対しては別のアンプをバッファとして使います。

4.3 アプリケーションに関するヒント

4.3.1 入力オフセット電圧の温度依存性

表 1-1 に、入力オフセット電圧の 1 次および 2 次両方の温度係数 (TC1 と TC2) を示します。仕様レンジ内の全ての温度に対して、入力オフセット電圧は以下の式で計算できます。

式 4-1:

4.3.2 DC ゲインのグラフ

図 2-9 ～ 2-11 に、それぞれ CMRR、PSRR、AOL の逆数 ( 単位 : µV/V) に対するヒストグラムを示します。これらの図は、コモンモード入力電圧 (VCM)、電源電圧(VDD)、出力電圧 (VOUT) の変化に対する、入力オフセット電圧 (VOS) の変化を表しています。

1/AOL のヒストグラムは 0 µV/V を中心に分布しています。これは、計測値に対して、オペアンプの入力ノイズの影響がも支配的であるためです。ここに示された負の値は、ノイズとテスタ限界を反映したものであり、不安定動作を示している訳ではありません。量産検査では VOS を複数回計測する事で、オペアンプの安定性を検証しています。この検査で不安定なデバイスは、VOS 変動が大きくなるか、出力が電源レールの一方に固定されると思われます。

4.3.3 電源投入時のオフセット

これらのデバイスに電源を投入する際、入力オフセット電圧 (VOS) の初期値は未補正の値 ( 通常は ±5 mV 未満 ) になります。DC ゲインの大きな回路では、出力が 2 つのレールの一方に達する可能性があります。その場合、有効な出力が得られるまでの時間が、起動時間 (tSTR 等 ) に加えて、出力オーバードライブ回復時間 (tODR 等 ) だけ長くなります。

この余分な起動時間を防ぐのは簡単です。1 つはゲインを低減する方法です。もう 1 つは帰還抵抗 (RF) の両端にコンデンサを接続する方法です。

V1R1

VDD

D1

min(R1, R2) >VSS – min(V1, V2)

2 mA

VOUTV2

R2

D2

min(R1, R2) >max(V1, V2) – VDD

2 mA

U1

MCP6V1X

VOS TA VOS TC1T TC2T2

+ +=

Where:

T = TA – 25 ℃

VOS(TA) = TA での入力オフセット電圧

VOS = +25 ℃での入力オフセット電圧

TC1 = 1 次温度係数

TC2 = 2 次温度係数


MCP6V11/1U/2/4

4.3.4 信号源抵抗

入力バイアス電流には 2 つの大きな成分があります。室温以下で支配的なスイッチンググリッチと +85 ℃以上で支配的となる入力 ESD ダイオードのリーク電流です。

入力から見える抵抗は小さく、かつ等しくします。これによって、入力バイアス電流によって発生する出力オフセットを小限に抑える事ができます。

入力から見える抵抗は、高周波 (>1 MHz) で 10 ～1 kにする必要があります。これには、非常に高速なスイッチンググリッチが性能全体に与える影響をごく小さくする効果があります。場合によっては、必要に応じて入力と直列に抵抗を追加します。

高ゲインの場合は、入力抵抗を小さくする必要があるかも知れません。そうしないと、寄生容量によって正帰還が発生し、回路が不安定になります。

4.3.5 信号源容量

2 つの入力から見える容量は小さくする必要があります。入力容量も信号源抵抗も高く、かつゲインが大きい場合、正帰還が発生し、回路が不安定になる場合があります。

4.3.6 容量性負荷

大きな容量性負荷を駆動すると、電圧帰還オペアンプの安定性に問題が生じる可能性があります。負荷容量が増えるにつれて、帰還ループの位相マージンが減少し、閉ループ帯域幅が低下します。これにより、周波数応答にゲインピーキング、ステップ応答にオーバーシュートとリンギングが発生します。これらのゼロドリフトオペアンプは独自の回路方式を備え、ほとんどのオペアンプとは出力インピーダンスが異なります。

これらのオペアンプで容量性負荷を駆動する場合、出力に直列抵抗 ( 図 4-7 の RISO) を接続して出力負荷を抵抗性にする事により、高周波における帰還ループの位相マージンを改善できます。一般的に帯域幅は、容量性負荷のない場合の帯域幅よりも小さくなります。

図 4-7: 出力抵抗 RISO による容量性負荷の安定化

図 4-8 に、容量性負荷に対する RISO の推奨値を、複数のゲインに対して示します。x 軸は負荷容量 (CL) です。y 軸は抵抗 (RISO) です。

GN は回路のノイズゲインです。非反転ゲインの場合、GN と信号ゲインは同じです。反転ゲインの場合、GNは 1 + | 信号ゲイン | です ( 例 : -1 V/V の場合、GN = +2V/V)。

図 4-8: 容量性負荷と推奨 RISO 値の関係

RISO の選択後、周波数応答のピークとステップ応答のオーバーシュートを再確認してください。適切な応答が得られるまで RISO の値を変更します。ベンチ評価が役に立ちます。

4.3.7 出力負荷の安定化

このゼロドリフトオペアンプファミリの出力インピーダンス ( 図 2-31 と図 2-32) には、ゲインが低い場合ゼロ点が 2 つあります。このため、デバイスの帯域幅近くでインピーダンスが低くなる帰還ネットワークにおいて、大きな位相シフトが発生する可能性があります。この大きな位相シフトは、安定性の問題を生じさせる恐れがあります。

図 4-9 は、出力の負荷が (RL + RISO)||(RF + RG) である事を示しています。ここで RISO は負荷の前の抵抗です ( 図 4-7 と同様 )。この負荷は、安定性を維持するために十分な 10 k以上にします。

図 4-9: 出力負荷

RISO

CL

VOUT

U1

MCP6V1X

1 E+03

1.E+04

1.E+05

mm

ende

d R

ISO

(�)

RL||(RF + RG) � 100 k�100k

10k

1k

1.E+02

1.E+03

1.E-11 1.E-10 1.E-09 1.E-08 1.E-07 1.E-06

Rec

om

Capacitive Load (F)

GN = 1 GN = 10 GN = 100100

1k

10p 100p 1n 10n 100n 1μ

RG RFVOUT

U1

MCP6V1X

RL CL


MCP6V11/1U/2/4

4.3.8 ゲインピーキング

図 4-10 に、非反転アンプ (VM が DC 電圧、VP が入力 )または反転アンプ (VP が DC 電圧、VM が入力 ) を構成するオペアンプ回路を示します。容量 CN と CG は入力ピンの総容量を表します。これらには、オペアンプのコモンモード入力容量 (CCM)、基板の寄生容量、および並列に接続された全てのコンデンサが含まれます。容量CFPは出力と非反転入力ピンの寄生カップリング容量です。

図 4-10: 寄生容量を含むアンプ回路

CG は RG の並列に働き、ゲインが +1 V/V の場合を除き、高周波数でゲインを増大させます。CG は帰還ループの位相マージンも低下させ、回路を不安定にします。この効果は、CG または RF||RG のどちらかを低減させる事で低減できます。

CN と RN はローパスフィルタを形成し、VP の信号に影響を与えます。このフィルタには 1/(2πRNCN) に実数の極が 1 つあります。

使用する RF の大値は、ノイズゲイン ( セクション4.3.6、「容量性負荷」の GN 参照 )、CG、開ループゲインの位相シフトで決まります。RF のおおよその制限値は、下式で求めます。

式 4-2:

アプリケーションによっては、出力負荷またはゲインピーキング ( ステップ応答のオーバーシュート ) を低減するためにこれらの値を変更します。

高ゲインでは、正帰還と発振を防ぐために RN を小さくする必要があります。CN の値を大きくする方法も効果があります。

4.3.9 不要なノイズと信号の低減

不要なノイズと信号は、以下の方法で低減します。

• 低帯域幅の信号フィルタ :

- ランダムなアナログノイズを小化します

- 干渉信号を低減します

• 適切な PCB レイアウト手法 :

- クロストークを小化します

- 高速のスイッチングエッジと相互作用する寄生容量と寄生インダクタンスを小化します

• 適切な電源設計 :

- 他の回路から絶縁します

- 電源ラインの干渉をフィルタ処理します

4.3.10 電源のバイパスとフィルタ処理

良好な高周波性能を得るために、このオペアンプファミリの電源ピン ( 単電源の場合は VDD) には、ローカルバイパスコンデンサ (0.01～0.1 µF)をピンから2 mm以内の距離に配置する必要があります。

低速の大電流を供給するために、デバイスの 100 mm以内の距離にバルクコンデンサ (1 µF 以上 ) も必要です。このバルクコンデンサは、他の低ノイズのアナログデバイスと共有できます。

スイッチングモード電源等による高周波電源ノイズは DC オフセットのシフトを伴う過度の相互変調歪みを発生させる場合があるため、このようなノイズはフィルタ処理する必要があります。電源接続への抵抗追加は効果があります。

4.3.11 DC 精度確保のための PCB 設計

±1 µV オーダーの DC 精度を実現するには、多くの物理誤差を小化する必要があります。プリント基板(PCB)、配線、熱環境の設計は実現可能な精度に大きな影響を与えます。PCB 設計が不適切な場合、MCP6V11/1U/2/4オペアンプの特性は、簡単に小および大仕様値の100 倍まで劣化しかねません。

4.3.11.1 PCB レイアウト

異種金属を接合すると、接合間には温度によって変化する電圧が発生します ( ゼーベック効果または熱電接点効果 )。この効果は、熱電対で温度を計測する時に使われます。以下に PCB 上で形成される熱電接点の例を挙げます。

• 銅パッドにはんだ付けされた部品 ( 抵抗、オペアンプ、...)

• PCB に機械的に接続された配線

• ジャンパ

• はんだ付け接点

• PCB ビア

RG RF

VOUT

U1

MCP6V1X

CG

RNCN

VM

VP

CFP

RF 40 k 12 pFCG

-------------- GN2


MCP6V11/1U/2/4

標準的な熱電接点の温度対電圧変換係数は1～100 µV/℃です ( さらに大きい場合もあります )。

Microchip 社の AN1258: 『オペアンプを使用した高精度回路デザイン : PCB のレイアウトテクニック』には、熱電接点効果を小化する PCB レイアウト手法の詳細な情報を記載しています。クロストーク、インピーダンス、機械的応力、湿度等のその他の効果についても検討しています。

4.3.11.2 クロストーク

DC クロストークの影響は、入力オフセット電圧の上昇として現れます。その一般的な原因は次の通りです。

• コモンモードノイズ ( リモートセンサ )

• グランドループ ( 戻り電流経路 )

• 電源カップリング

主電源 ( 通常 50 Hz または 60 Hz) やその他の AC 電源からの干渉もDC性能に影響を与える場合があります。非線形歪みがこれらの信号を複数のトーンに変換します。これには電圧の DC シフトも含みます。信号をADC でサンプリングする際、これらの AC 信号は DCの折り返し歪みにもなり、オフセットが見かけ上シフトします。

干渉を低減するには、以下の対策を講じます。

- トレースと配線をできるだけ短くする

- シールドを使う

- グランドプレーンを使う( 低でもスターグランド)

- 入力信号源を DUT の近傍に配置する

- 適切な PCB レイアウト手法を適用する

- これらのゼロドリフトオペアンプには独立した電源フィルタ ( バイパスコンデンサ ) を使う

4.3.11.3 その他の効果

入力ピンから見える抵抗をできるだけ小さく、かつ等しくして、バイアス電流関連のオフセットを小化します。

入力ピンから見える ( トレース ) 容量は小さく、かつ等しくします。これは、スイッチンググリッチによって発生するオフセット電圧の小化に効果があります。

同軸ケーブルの曲げ半径が小さ過ぎると、中心導体にわずかな電圧降下が発生します ( 摩擦電気効果 )。導体と絶縁体が密着した状態を保てるように十分な曲げ半径を確保します。

一部のコンデンサタイプ ( 一部のセラミック等 ) は、機械的応力によって微小電圧を出力する場合があります。信号経路にはより適切なコンデンサタイプを使い、機械的ストレスと振動を小限に抑えます。

湿度によって、回路に電気化学的な電圧が発生する場合があります。PCB の適切な清浄化と封止が効果的です。

4.4 代表的な応用回路

4.4.1 ホイートストンブリッジ

多くのセンサはホイートストンブリッジとして構成されます。代表的な例として、歪みゲージや圧力センサがあります。これらのセンサでは信号が小さく、コモンモードノイズが大きくなる場合があります。このため、差動ゲインの大きいアンプの設計が求められます。

図 4-11 は、小限の部品でホイートストンブリッジに接続する方法です。この回路は非対称であるため、ADC 入力はシングルエンドであり、低限のフィルタ処理を適用しています。ある程度のコモンモードノイズには十分良好な CMRR が得られます。

図 4-11: 簡単な設計

4.4.2 RTD センサ

図 4-12 のレシオメトリック回路は、温度レンジが限られたアプリケーション向けに、2 線式 RTD をコンディショニングします。U1 は、低周波に極を持った差動アンプとして機能します。センサの配線抵抗 (RW) はファームウェアで補正します。RTD の障害 ( 開放 ) は、レンジ外電圧で検出します。

図 4-12: RTD センサ

VDD

R R

R R

100R

0.01C

ADC

VDD

0.2R

0.2R

1 k

U1

MCP6V11

RF

10 nF

ADC

VDD

RN

1.0 µF

VDD

RW

RT

RB

RRTD

RG

1001.00 k

4.99 k

34.8 k

2.00 M10.0 k

U1

MCP6V11

RW

10.0 k

RF2.00 M

10 nF

100 nF


MCP6V11/1U/2/4

4.4.3 オフセット電圧の補正

図 4-13 に、MCP6V11 (U2) を使って、他のオペアンプ(U1) の入力オフセット電圧を補正する回路を示します。R2 と C2 は U1 の入力から見えるオフセット誤差を積分します。積分は安定化させるために十分低速で実行する必要があります ( 帰還信号は R1 と R3 で供給します )。R4 と R5 は積分器の出力を減衰させます。これが積分器の極周波数を低下させます。

図 4-13: オフセットの補正

4.4.4 高精度コンパレータ

コンパレータの前段に高ゲインを適用して、後段の性能を向上します。MCP6V11/1U/2/4 を単体でコンパレータとして使わないでください。帰還ループがないと VOS 補正回路が適切に動作しません。

図 4-14: 高精度コンパレータ

U1

MCP6XXX

C2R2

R1 R3

VDD/2

R4

VIN VOUT

R2

VDD/2

R5

U2

MCP6V11

VIN

R3R2

VDD/2

VOUT

R5

R4

R1

U1

MCP6V11

U2

MCP6541


MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


MCP6V11/1U/2/4

5.0 設計支援

Microchip 社は、MCP6V11/1U/2/4 オペアンプファミリに必要な基本的な設計支援を提供しています。

5.1 SPICE マクロモデル

MCP6V11/1U/2/4オペアンプの新のSPICEマクロモデルは、Microchip 社のウェブサイト (www.microchip.com)から入手できます。これは、オペアンプの線形動作領域を全温度範囲で十分に評価できる、初期設計ツールとしての使用を意図したモデルです。その機能に関する詳細は、モデルファイルを参照してください。

ベンチ試験は、あらゆる設計において非常な重要な段階であり、これをシミュレーションで代用する事はできません。また、このマクロモデルから得られたシミュレーション結果は、データシートの仕様値および特性曲線と比較して検証する必要があります。

5.2 FilterLab® ソフトウェア

Microchip 社の FilterLab® ソフトウェアは、オペアンプを使ったアナログアクティブフィルタの設計を簡略化する革新的なソフトウェアツールです。このツールはMicrochip 社のウェブページ (www.microchip.com/filterlab)から無償で入手できます。FilterLab 設計ツールは、各部品の値を含むフィルタ回路の完全な回路図を提供します。さらに、このフィルタ回路を SPICE フォーマットで出力してマクロモデルと併用すれば、実際のフィルタ性能をシミュレートする事もできます。

5.3 Microchip Advanced Parts Selector (MAPS)

MAPS は、特定の回路要件を満たす Microchip 社のデバイスを効率的に検索するソフトウェアツールです。このツールはMicrochip社のウェブページ (www.microchip.com/maps)から無償で入手できます。MAPS はアナログ、メモリ、MCU、DSC を含む Microchip 社製品のポートフォリオを対象とした、総合的な選択ツールです。このツールには、ユーザが各種パラメータを指定してフィルタを定義し、目的の機能に応じてデバイスを検索できる他、選択した製品の主な仕様を一覧表にエクスポートする機能もあります。Microchip 社製品のデータシート、購入、サンプル入手のための便利なリンクもあります。

5.4 アナログデモボードおよび評価用ボード

Microchip社は、お客様の開発期間の短縮を支援するために、アナログ開発 / 評価用ボードを豊富に取り揃えています。これら基板の全一覧、関連ユーザガイド、技術情報は、Microchip社ウェブページwww.microchip.com/analog toolsをご覧ください。

特に役立つ基板として、次のものがあります。

• MCP6V01 熱電対自動ゼロ調整リファレンスデザイン (P/N MCP6V01RD-TCPL)

• MCP6XXX アンプ評価用ボード 1(P/N DS51667)




• アクティブフィルタデモボードキット(P/N DS51614)

• 8 ピン SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 評価用ボード(P/N SOIC8EV)

• 14 ピン SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 評価用ボード(P/N SOIC14EV)

5.5 アプリケーションノート

補足参照資料として、Microchip 社が提供する下記のアプリケーションノートを推奨します。これらは Microchip社のウェブページ ( www.microchip.com/appnotes) から入手できます。

ADN003: 『Select the Right Operational Amplifier foryour Filtering Circuits』、DS21821

AN722: 『Operational Amplifier Topologies and DCSpecifications』、DS00722

AN723: 『オペアンプの AC 仕様とアプリケーション』、DS00723

AN884: 『オペアンプによる容量性負荷の駆動』、(DS00884)

AN990: 『Analog Sensor Conditioning Circuits - An Overview』、DS00990

AN1177: 『オペアンプを使用したデザインの精度 : DC 誤差』、(DS01177)

AN1228:『オペアンプを使用したデザインの精度 : ランダムノイズ』、DS01228

AN1258: 『オペアンプを使用した高精度回路デザイン: PCB のレイアウトテクニック』、DS01258

これらのアプリケーションノート、その他資料の一覧は、次の設計ガイドに掲載されています。

『Signal Chain Design Guide』、DS21825


http://www.microchip.com

www.microchip.com/filterlab

http://www.microchip.com/maps/main.aspx???

www.microchip.com/analogtools

http://www.microchip.com/wwwcategory/TaxonomySearch.aspx?show=Application%20Notes&ShowField=no


http://www.microchip.com/filterlab

http://www.microchip.com/maps

http://www.microchip.com/analog tools

http://www.microchip.com/appnotes

MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


MCP6V11/1U/2/4

6.0 パッケージ情報

6.1 パッケージのマーキング情報

凡例 : XX...X お客様固有情報Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 )YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 )WW 週コード (1 月の第 1 週が「01」)NNN 英数字のトレーサビリティコードつや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリーの JEDEC® マーク* 本パッケージは鉛フリーです。鉛フリー JEDEC マーク ( )

は外箱に表記しています。

Note: Microchip 社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合は複数行を使います。この場合お客様固有情報に使える文字数が制限されます。

3e

3e

5-Lead SC70 (MCP6V11U) Example:

Device Code

MCP6V11UT-E/LT DJNN

Note: 5 ピン SC-70 に適用

5-Lead SOT-23 (MCP6V11/1U) Example:

Device Code

MCP6V11T-E/OT 2CNN

MCP6V11UT-E/OT 2DNN

Note: 5 ピン SOT-23 に適用

2C25

DJ25

8-Lead MSOP (3x3 mm)(MCP6V12) Example

6V12E410256


MCP6V11/1U/2/4

8-Lead TDFN (2x3x0.75 mm)(MCP6V12) Example

14-Lead TSSOP (4.4 mm)(MCP6V14) Example

YYWWNNN

XXXXXXXX

ABV41025

Device Code

MCP6V12-E/MNY ABV

MCP6V12T-E/MNY ABV

Note: 8 ピン 2x3 TDFN に適用

6V14E/ST1410

256


MCP6V11/1U/2/4

5 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (LT) [SC70]

Note:

1. D と E1 の寸法はバリを含みません。バリは側面から 0.127 mm を超えません。

2. 寸法と許容誤差は ASME Y14.5M に準拠しています。

BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、許容誤差なしで表示Microchip Technology Drawing No. C04-061B

Note: 新のパッケージ図面については、以下のウェブページにある「Microchip Packaging Specification (Microchip 社パッケージ仕様 )」を参照してください。http://www.microchip.com/packaging

単位ミリメートル

寸法限界 MIN NOM MAX

ピン数 N 5

ピッチ e 0.65 BSC

全高 A 0.80 - 1.10

モールドパッケージ厚 A2 0.80 - 1.00

スタンドオフ A1 0.00 - 0.10

全幅 E 1.80 2.10 2.40

モールドパッケージ幅 E1 1.15 1.25 1.35

全長 D 1.80 2.00 2.25

足長 D1L 0.10 0.20 0.46

ピン厚 c 0.08 - 0.26

ピン幅 b 0.15 - 0.40

D

b

123

E1

E

4 5e e

c

LA1

A A2


http://www.microchip.com/packaging

MCP6V11/1U/2/4

5 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (LT) [SC70]

Note:


BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、許容誤差なしで表示

Microchip Technology Drawing C04-2061A




コンタクトピッチ E 0.65 BSC

コンタクトパッド間隔 C 2.20

コンタクトパッド幅 X 0.45

コンタクトパッド長 Y 0.95

パッド間距離 G 1.25

パッド間距離 Gx 0.20



MCP6V11/1U/2/4

5 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (OT) [SOT-23]

Note:



BSC: 基本寸法、理論的に正確な値、許容誤差なしで表示Microchip Technology Drawing No. C04-091B




ピン数 N 5

ピンピッチ e 0.95 BSC

外側ピンピッチ e1 1.90 BSC

全高 A 0.90 - 1.45

モールドパッケージ厚 A2 0.89 - 1.30

スタンドオフ A1 0.00 - 0.15

全幅 E 2.20 - 3.20

モールドパッケージ幅 E1 1.30 - 1.80

全長 D 2.70 - 3.10

足長 L 0.10 - 0.60

フットプリント L1 0.35 - 0.80

足角 0 ° - 30°

ピン厚 c 0.08 - 0.26

ピン幅 b 0.20 - 0.51

φ

Nb

E

E1

D

1 2 3

e

e1

A

A1

A2 c

L

L1



MCP6V11/1U/2/4

5 ピンプラスチックスモールアウトライントランジスタ (OT) [SOT-23]

Note:



Microchip Technology Drawing C04-2091A






コンタクトパッド幅 (X5) X 0.60

コンタクトパッド長 (X5) Y 1.10


パッド間距離 GX 0.35

全幅 Z 3.90



MCP6V11/1U/2/4

8 ピンプラスチックマイクロスモールアウトラインパッケージ (MS) [MSOP]

Microchip Technology Drawing C04-111C シート 1 / 2




MCP6V11/1U/2/4


Note:

1. ピン 1 のビジュアルインデックスの場所にはばらつきがありますが、必ず斜線部分内にあります。




REF: 参考寸法、通常は許容誤差を含まない、情報としてのみ使われる値

Microchip Technology Drawing C04-111C シート 2 / 2




ピン数 N 8


全高 A - - 1.10

モールドパッケージ厚 A2 0.75 0.85 0.95

スタンドオフ A1 0.00 - 0.15

全幅 E 4.90 BSC

モールドパッケージ幅 E1 3.00 BSC

全長 D 3.00 BSC

足長 L 0.40 0.60 0.80

フットプリント L1 0.95 REF

足角 0° - 8°

ピン厚 c 0.08 - 0.23

ピン幅 b 0.22 - 0.40



MCP6V11/1U/2/4


Note:



Microchip Technology Drawing No. C04-2111A






全幅 Z 5.85

コンタクトパッド幅 (X8) X1 0.45

コンタクトパッド長 (X8) Y1 1.45

パッド間距離 G1 2.95

パッド間距離 GX 0.20



MCP6V11/1U/2/4

8 ピンプラスチックデュアルフラット、リードレスパッケージ (MN) - 2x3x0.75 mm ボディ[TDFN]

Microchip Technology Drawing No. C04-129C シート 1 / 2




MCP6V11/1U/2/4


Note:


2. パッケージの端部には 1 つまたは複数の露出タイバーがあります。

3. パッケージは切削切り出しされています。








ピン数 N 8


全高 A 0.70 0.75 0.80

スタンドオフ A1 0.00 0.02 0.05

コンタクト厚 A3 0.20 REF

全長 D 2.00 BSC

全幅 E 3.00 BSC

露出パッド長 D2 1.20 - 1.60

露出パッド幅 E2 1.20 - 1.60

コンタクト幅 b 0.20 0.25 0.30

コンタクト長 L 0.25 0.30 0.45

コンタクト - 露出パッド間距離 K 0.20 - -



MCP6V11/1U/2/4


Note:








コンタクト中心パッド幅 W2 1.46

コンタクト中心パッド長 T2 1.36

コンタクトパッド間隔 C1 3.00






MCP6V11/1U/2/4

14 ピンプラスチック薄型シュリンクスモールアウトライン (ST) - 4.4 mm ボディ [TSSOP]





MCP6V11/1U/2/4


Note:










ピン数 N 14


全高 A - - 1.20

モールドパッケージ厚 A2 0.80 1.00 1.05

スタンドオフ A1 0.05 - 0.15

全幅 E 6.40 BSC

モールドパッケージ幅 E1 4.30 4.40 4.50

モールドパッケージ長 D 4.90 5.00 5.10

足長 L 0.45 0.60 0.75

フットプリント (L1) 1.00 REF

足角 0 ° - 8°

ピン厚 c 0.09 - 0.20

ピン幅 b 0.19 - 0.30



MCP6V11/1U/2/4


Note:








コンタクトパッド間隔 C1 5.90






MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


MCP6V11/1U/2/4

補遺 A: 改訂履歴

リビジョン B (2014 年 3 月 )

変更内容

1. 新デバイス MCP6V12 と MCP6V14 をファミリと文書全体の関連情報に追加しました。

2. 表 1-3 を、新しいパッケージ熱抵抗によって更新しました。

3. セクション 2.0「代表性能曲線」の図 1-6、2-19、2-22 を更新しました。図 2-33 を新たに追加しました。

4. セクション 3.0「ピンの説明」の表 3-1 を新デバイスに対応して更新しました。

5. セクション 6.0「パッケージ情報」のマーキングおよび仕様の図面を更新しました。

6. 製品識別システムを更新しました。

リビジョン A (2012 年 3 月 )

• 本書の初版です。


MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


MCP6V11/1U/2/4

製品識別システム

ご注文または製品の価格または納期に関するお問い合わせは、弊社または代理店にお問い合わせください。

Device: MCP6V11T: Single Op Amp (Tape and Reel) (SOT-23)MCP6V11UT: Single Op Amp (Tape and Reel)

(SC-70, SOT-23)MCP6V12: Dual Op Amp (MSOP, 2x3 TDFN)MCP6V12T: Dual Op Amp (Tape and Reel) (MSOP,

2x3 TDFN)MCP6V14: Quad Op Amp (TSSOP)MCP6V14T: Quad Op Amp (Tape and Reel) (TSSOP)

Temperature Range: E = -40 ℃ to +125 ℃ (Extended)

Package: LT = Plastic Small Outline Transistor, 5-leadOT = Plastic Small Outline Transistor, 5-leadMNY* = Plastic Dual Flat, No-Lead - 2×3×0.75 mm

Body, 8-leadMS = Plastic Micro Small Outline, 8-leadST = Plastic Thin Shrink Small Outline - 4.4 mm

Body, 14-lead

* Y = Nickel palladium gold manufacturing designator. Only available on the TDFN package.

PART NO. –X /XX

PackageTemperatureRange

Device

例 :

a) MCP6V11T-E/OT: テープ＆リール、拡張温度仕様、5LD SOT-23 パッケージ

a) MCP6V11UT-E/LT: テープ＆リール拡張温度仕様、5LD SC70 パッケージ

b) MCP6V11UT-E/OT: テープ＆リール、拡張温度仕様、5LD SOT-23 パッケージ

a) MCP6V12-E/MS: 拡張温度仕様、8 ピン MSOP パッケージ

b) MCP6V12T-E/MS: テープ＆リール、拡張温度仕様、8LD MSOP パッケージ

c) MCP6V12T-E/MNY: テープ＆リール、拡張温度仕様、8LD 2x3 TDFN パッケージ

a) MCP6V14-E/ST: 拡張温度仕様、14LD TSSOP パッケージ

b) MCP6V14T-E/ST: テープ＆リール、拡張温度仕様、 14LD TSSOP パッケージ

[X](1)

Tape and Reel

Note 1: テープとリールの識別情報は、カタログの製品番号説明でのみご確認頂けます。この識別情報は注文時に使うため、デバイスのパッケージには印刷されていません。テープ &リールが選択できるパッケージの在庫 /供給状況は、寄りの Mircrochip 社の営業所までお問い合わせください。


MCP6V11/1U/2/4

NOTES:


Microchip 社製デバイスのコード保護機能に関して以下の点にご注意ください。

• Microchip 社製品は、該当する Microchip 社データシートに記載の仕様を満たしています。

• Microchip 社では、通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合、Microchip 社製品のセキュリティレベルは、現在市場に

流通している同種製品の中でもも高度であると考えています。

• しかし、コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です。弊社の理解では、こうした手法

は Microchip 社データシートにある動作仕様書以外の方法で Microchip 社製品を使用する事になります。このような行為は知

的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます。

• Microchip 社は、コードの保全性に懸念を抱いているお客様と連携し、対応策に取り組んでいきます。

• Microchip 社を含む全ての半導体メーカーで、自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません。コード保

護機能とは、Microchip 社が製品を「解読不能」として保証するものではありません。

コード保護機能は常に進歩しています。Microchip 社では、常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます。Microchip 社の

コード保護機能の侵害は、デジタルミレニアム著作権法に違反します。そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作

物に不正なアクセスを受けた場合、デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります。

本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する

情報は、ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであ

り、更新によって無効とされる事があります。お客様のアプ

リケーションが仕様を満たす事を保証する責任は、お客様に

あります。Microchip 社は、明示的、暗黙的、書面、口頭、法

定のいずれであるかを問わず、本書に記載されている情報に

関して、状態、品質、性能、商品性、特定目的への適合性を

はじめとする、いかなる類の表明も保証も行いません。

Microchip 社は、本書の情報およびその使用に起因する一切の

責任を否認します。生命維持装置あるいは生命安全用途に

Microchip 社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし、

また購入者はこれによって発生したあらゆる損害、クレーム、

訴訟、費用に関して、Microchip 社は擁護され、免責され、損

害を受けない事に同意するものとします。暗黙的あるいは明

示的を問わず、Microchip 社が知的財産権を保有しているライ

センスは一切譲渡されません。

2014 Microchip Technology Inc.

商標

Microchip 社の名称とロゴ、Microchipロゴ、dsPIC、FlashFlex、KEELOQ、KEELOQ ロゴ、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PIC32 ロゴ、rfPIC、SST、SST ロゴ、SuperFlash、UNI/O は、米

国およびその他の国におけるMicrochip Technology Incorporatedの登録商標です。

FilterLab、Hampshire、HI-TECH C、Linear Active Thermistor、MTP、SEEVAL、Embedded Control Solutions Company は、

米国におけるMicrochip Technology Incorporatedの登録商標

です。

Silicon Storage Technology は、他の国における Microchip Technology Inc. の登録商標です。

Analog-for-the-Digital Age、Application Maestro、BodyCom、

chipKIT、chipKIT ロゴ、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、dsSPEAK、ECAN、ECONOMONITOR、

FanSense、HI-TIDE、In-Circuit Serial Programming、ICSP、Mindi、MiWi、MPASM、MPF、MPLAB Certified ロゴ、MPLIB、MPLINK、mTouch、Omniscient Code Generation、PICC、

PICC-18、PICDEM、PICDEM.net、PICkit、PICtail、REAL ICE、rfLAB、Select Mode、SQl、Serial Quad I/O、Total Endurance、TSHARC、UniWinDriver、WiperLock、ZENA および Z-Scaleは、米国およびその他の Microchip Technology Incorporatedの商標です。

SQTP は、米国における Microchip Technology Incorporatedのサービスマークです。

GestIC および ULPP は、Microchip Technology Inc. の子会社

である Microchip Technology Germany II GmbH & Co. & KG 社

の他の国における登録商標です。

その他、本書に記載されている商標は各社に帰属します。

© 2014, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved.

ISBN: 978-1-63276-129-3

DS20005124B_JP - p.49

Microchip 社では、Chandler および Tempe ( アリゾナ州 )、Gresham ( オレゴン州 ) の本部、設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とインドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を取得しています。Microchip 社の品質システムプロセスおよび手順は、PIC® MCU および dsPIC® DSC、KEELOQ® コードホッピングデバイス、シリアル EEPROM、マイクロペリフェラル、不揮発性メモリ、アナログ製品に採用されています。さらに、開発システムの設計と製造に関する Microchip 社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています。


北米本社2355 West Chandler Blvd.Chandler, AZ 85224-6199Tel: 480-792-7200 Fax: 480-792-7277技術サポート : http://www.microchip.com/supportURL: www.microchip.com

アトランタDuluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455

オースティン、TXTel: 512-257-3370

ボストンWestborough, MATel: 774-760-0087 Fax: 774-760-0088

シカゴItasca, ILTel: 630-285-0071 Fax: 630-285-0075

クリーブランドIndependence, OHTel: 216-447-0464Fax: 216-447-0643

ダラスAddison, TXTel: 972-818-7423 Fax: 972-818-2924

デトロイトNovi, MI Tel: 248-848-4000

ヒューストン、TXTel: 281-894-5983

インディアナポリスNoblesville, INTel: 317-773-8323Fax: 317-773-5453

ロサンゼルスMission Viejo, CATel: 949-462-9523 Fax: 949-462-9608

ニューヨーク、NY Tel: 631-435-6000

サンノゼ、CATel: 408-735-9110

カナダ - トロント

Tel: 905-673-0699 Fax: 905-673-6509

アジア / 太平洋アジア太平洋支社Suites 3707-14, 37th FloorTower 6, The GatewayHarbour City, KowloonHong KongTel: 852-2943-5100Fax: 852-2401-3431

オーストラリア - シドニー

Tel: 61-2-9868-6733Fax: 61-2-9868-6755

中国 - 北京

Tel: 86-10-8569-7000Fax: 86-10-8528-2104

中国 - 成都

Tel: 86-28-8665-5511Fax: 86-28-8665-7889

中国 - 重慶

Tel: 86-23-8980-9588Fax: 86-23-8980-9500

中国 - 杭州

Tel: 86-571-8792-8115Fax: 86-571-8792-8116

中国 - 香港 SARTel: 852-2943-5100 Fax: 852-2401-3431

中国 - 南京

Tel: 86-25-8473-2460Fax: 86-25-8473-2470

中国 - 青島

Tel: 86-532-8502-7355Fax: 86-532-8502-7205

中国 - 上海

Tel: 86-21-5407-5533Fax: 86-21-5407-5066

中国 - 瀋陽

Tel: 86-24-2334-2829Fax: 86-24-2334-2393

中国 - 深圳

Tel: 86-755-8864-2200 Fax: 86-755-8203-1760

中国 - 武漢

Tel: 86-27-5980-5300Fax: 86-27-5980-5118

中国 - 西安

Tel: 86-29-8833-7252Fax: 86-29-8833-7256

中国 - 厦門

Tel: 86-592-2388138 Fax: 86-592-2388130

中国 - 珠海

Tel: 86-756-3210040 Fax: 86-756-3210049

アジア / 太平洋インド - バンガロール

Tel: 91-80-3090-4444 Fax: 91-80-3090-4123

インド - ニューデリー

Tel: 91-11-4160-8631Fax: 91-11-4160-8632

インド - プネ

Tel: 91-20-3019-1500

日本 - 大阪

Tel: 81-6-6152-7160Fax: 81-6-6152-9310

日本 - 東京

Tel: 81-3-6880-3770 Fax: 81-3-6880-3771

韓国 - 大邱

Tel: 82-53-744-4301Fax: 82-53-744-4302

韓国 - ソウル

Tel: 82-2-554-7200Fax: 82-2-558-5932 または

82-2-558-5934

マレーシア - クアラルンプール

Tel: 60-3-6201-9857Fax: 60-3-6201-9859

マレーシア - ペナン

Tel: 60-4-227-8870Fax: 60-4-227-4068

フィリピン - マニラ

Tel: 63-2-634-9065Fax: 63-2-634-9069

シンガポールTel: 65-6334-8870Fax: 65-6334-8850

台湾 - 新竹

Tel: 886-3-5778-366Fax: 886-3-5770-955

台湾 - 高雄

Tel: 886-7-213-7830

台湾 - 台北

Tel: 886-2-2508-8600 Fax: 886-2-2508-0102

タイ - バンコク

Tel: 66-2-694-1351Fax: 66-2-694-1350

ヨーロッパオーストリア - ヴェルス

Tel: 43-7242-2244-39Fax: 43-7242-2244-393

デンマーク - コペンハーゲン

Tel: 45-4450-2828 Fax: 45-4485-2829

フランス - パリ

Tel: 33-1-69-53-63-20 Fax: 33-1-69-30-90-79

ドイツ - デュッセルドルフ

Tel: 49-2129-3766400

ドイツ - ミュンヘン

Tel: 49-89-627-144-0 Fax: 49-89-627-144-44

ドイツ - プフォルツハイム

Tel: 49-7231-424750

イタリア - ミラノ Tel: 39-0331-742611 Fax: 39-0331-466781

イタリア - ヴェニス

Tel: 39-049-7625286

オランダ - ドリューネン

Tel: 31-416-690399 Fax: 31-416-690340

ポーランド - ワルシャワ

Tel: 48-22-3325737

スペイン - マドリッド

Tel: 34-91-708-08-90Fax: 34-91-708-08-91

スウェーデン - ストックホルム

Tel: 46-8-5090-4654

イギリス - ウォーキンガム

Tel: 44-118-921-5800Fax: 44-118-921-5820

各国の営業所とサービス

03/25/14

http://www.microchip.com/support


Documents

MCP6V11/1U/2/4 Data Sheet - Microchip Technologyww1.microchip.com/downloads/jp/DeviceDoc/20005124B_JP.pdfMCP6V11/1U/2/4 DS20005124B_JP - p.6 2014 Microchip Technology Inc. 1.3 タイミング図