INSTITUTO TECNOLÓGICO DE TLAXIACO

Ingeniería en Sistemas Computacionales

Memoria RAM y su clasificación según su tecnología de fabricación.

PRESENTA:

Gudelia Socorro Bernabé García

Rocío Hilario López

Semestre: V Grupo: “A”

Fecha de entrega: 04/09/2012

Dirección General de Educación Superior Tecnológica

INTRODUCCIÓN

Una memoria es un medio que tiene la capacidad de almacenar información.

Se puede entender también como una tabla que almacena datos, donde cada dato

ocupa una posición en la tabla denominada dirección.

Las memorias se clasifican de acuerdo a distintos criterios. Algunos de los

cuales se detallan a continuación.

Según la forma de acceder a la memoria para obtener o modificar la

información almacenada.

Según la tecnología usada para la fabricación.

Según la persistencia de la información almacenada.

Según el principio de almacenamiento.

Según el tipo de utilización.

En este caso nos enfocaremos a la memoria principal, conocida también como

RAM (acrónimo en inglés de Random Access Memory, traducida al español como

Memoria de Acceso Aleatorio), y a su clasificación de acuerdo a la tecnología de

fabricación.

RESUMEN.

Las memorias de Acceso Aleatorio, llamadas memorias RAM, se caracterizan

por ser memorias de lectura/escritura.

Se llaman de Acceso Aleatorio porque el procesador accede a la información

que está en la memoria en cualquier punto sin tener que acceder a la información

anterior y posterior, se actualiza constantemente mientras el ordenador ya está en

uso y pierde sus datos cuando el ordenador se apaga. Es una memoria dinámica,

lo que indica la necesidad de recordar los datos a la memoria por pequeños

periodos de tiempo, esto para impedir que esta pierda la información, a esto se le

llama Refresco, así que cuando se pierde la alimentación de energía la memoria

pierde todos los datos.

Y se clasifican en dos categorías básicas; la RAM estática (SRAM) y la RAM

dinámica (DRAM).

SRAM. Este tipo de memoria conocida también como RAM estática, se caracteriza

por tener menor densidad y ser más rápida.

DRAM. Conocida también como RAM dinámica, se caracteriza por tener mayor

densidad y ser más lenta.

En cuanto a la tecnología, las memorias RAM estáticas pueden estar

construidas con tecnología bipolar, MOS o BiMOS, siendo la tecnología más

destacada la MOS. Las memorias RAM dinámicas solo utilizan la tecnología MOS.

AplicaciónAplicación Aplicación

El siguiente mapa conceptual muestra los tipos de memoria RAM según la

tecnología empleada en su construcción.

Baja capacidad.

Alto consumo.

Diseño de memoria caché.

Baja capacidad.

Alto consumo.

Diseño de memoria caché.Video.

Baja capacidad.

Alto consumo.

Diseño de memoria caché.

Alta capacidad.

Bajo consumo.

RAM Estática(SRAM)

RAM Estática(SRAM)

RAM Dinámica

(DRAM)

RAM Estática(SRAM)

Tecnología BIPOLAR

Tecnología MOS

Tecnología BiMOS

RAMMemoria volátil de

acceso de lectura/escritura.

Características Características Características Características

Diseño de memoria caché.

Aplicación

TÉRMINOS Y CONCEPTOS.

RAM.

Memoria de Acceso Aleatorio.

SRAM.

RAM Estática.

DRAM.

RAM Dinámica.

Tecnologías bipolares.

El término bipolar, es debido a que los circuitos electrónicos integrados se

realizan con transistores NPN y PNP, cuyo funcionamiento se basa en dos

portadores de carga (huecos y electrones).

Tecnología MOS.

Los circuitos electrónicos integrados se basan en transistores MOS (Metal

Óxido Semiconductor).

Tecnología BiCMOS.

Esta tecnología combina las mejores características de la lógica bipolar

y la CMOS. Tiene el bajo consumo de potencia característico de la tecnología

MOS y la alta velocidad de la TTL. Esta tecnología se emplea en

microprocesadores y en interfaces de buses.

BIBLIOGRAFÍA.

[1] A. H. Donate, Técnicas Electrónicas Digitales, Tecnología y Circuitería en TTL

y CMOS, Barcelona (España): MARCOMBO S.A., 1997.

[2] C. B. Viejo, Fundamentos de electronica digital, Madrid: THOMSON, 2005.

[3] W. STALLING, ORGANIZACIÓN Y ARQUITECTURA DE COMPUTADORES,

Madrid: PEARSON EDUCACIÓN S.A., 2005.