[1 ]

P - N Junction

Diode, Breakdown, F.B &

R.B

(Mix questions) 15.02.2019

[2 ]

[3 ]

[4 ]

[5 ]

[6 ]

[7 ]

[8 ]

1.

For a silicon P – N Junction, the barrier potential is about

Silicon P – N Junction के लिए लिरोधी लिभि होता ह ै-

a) 0.7 V

b) 0.8 V

c) 0.9 V

d) V

2.

In unbiased P – N junction, thickness of depletion layer is of the order of

………..

लिना biasing के P – N junction के अिक्षय परत की चौडाई होती ह।ै

a) 10-12 m

b) 12 𝝁m

c) 0.5 𝝁m

d) 0.005 𝝁m

3.

In a semiconductor diode, the barrier offers opposition to

अर्द्धचािक डायोड में लिरोधी लिभि ककसका लिरोध करता ह ै-

a) Majority carriers in both regions

दोनों क्षेत्र के िहुसंख्य क िाहकों का

b) Majority as well as minority carriers in both regions

दोनों क्षेत्र के िहुसंख्यaक और अल्पeसंख्यrक आिेश िाहकों का।

[9 ]

c) Holes in P – region only

लसर्ध P – क्षेत्र के लिन्द्रों का

d) Free electrons in N – region only

लसर्ध N – क्षेत्र के इिेक्ट्रॉ न का।

4.

When an electron rises through a potential of 150 V it will acquire an energy of

जि एक इिेक्ट्रॉnन को 150 v का लिभि कदया जाता ह ैतो इिेक्ट्रॉ न की एनजी होगी।

a) 150 ergs

b) 150 joules

c) 150 eV

d) None of the above

5.

The current flow due to applied electric field is known as

िैद्युत क्षेत्र के कारण प्रिालहत धारा को कहते ह ै-

a) Forward current

b) Drift current

c) Saturation current

d) Diffusion current

6.

The potential barrier existing across a P- N junction

P- N junction में लिरोधी लिभि का लनम्नn कायध ह ै-

[10 ]

a) Neutralizes doped impurities with semiconductor material forming neutral

compound

डोप्डu अशुलर्द्यों को उदासीन करना तथा एक उदासीन कम्पाeउंड िनाना।

b) Prevents total recombination of holes and electrons

होि और इिेक्ट्रॉ न के Total Recombination को रोकता ह।ै

c) Facilitates combination of holes and electrons

होि तथा इिेक्ट्रॉ न के Recombination में सहायता करता ह।ै

d) None of the above

उपयुधक्तo में से कोई नहीं

7.

Depletion region width decreases with

अिक्षय परत की चौडाई के साथ घटती ह ै-

a) Increase of doping

डोपपग िढाने पर

b) Increase of reverse bias potential

R.B िोल्टेsज िढाने पर

c) Independent of doping

डोपपग पर लनभधर नहीं करता

d) Decrease of doping

डोपपग घटाने पर

8.

Which of the following is used as a passive component in electronic circuits ?

लनम्न में से कौन – सा Component Passive component की भांलत Electronic पररपथ में

व्य्िहार करती ह।ै

[11 ]

a) Vacuum diode

b) Capacitor

c) Transistor

d) Tunnel diode

9.

Which of the following statements is correct ?

लनम्न में से कौन – सा कथन सत्यp ह ै: -

a) The number of electrons in germanium as well as silicon is divisible by four

Ge और Si के इिेक्ट्रॉ न की संख्या 4 से लिभालजत होती ह ै-

b) The number of electrons in silicon is more than that in germanium

इिेक्ट्रॉ न की संख्याr Si में Ge से ज्याrदा होती ह ै-

c) Both germanium and silicon has 4 valence electron.

Ge और Si दोनों में 4 संयोजी इिेक्ट्रॉ न होते ह।ै

d) Both germanium and silicon have same number of electrons

Ge और Si दोनों में इिेक्ट्रॉeन की संख्याs समान होती ह ै-

10.

Barrier potential in a PN junction is caused by

P – N Junction में लिरोधी लिभि ककस कारण से िनता ह ै-

a) Flow of drift current

लिफ्ट धारा के िहने के कारण

b) Diffusion of majority carriers across the junction

िहुसंख्यDक आिेशों के लिसरण के कारण।

[12 ]

c) Migration of minority carriers across the junction

अल्प)संख्यoक आिेशों के चिने के कारण।

d) Thermally – generated electrons and holes

उष्मा2 से उत्पiन्नg होि तथा इिेक्ट्रॉeन के कारण।

11.

In a PN junction with no external voltage, the electric field between acceptor

and donor ions is called a

लिना िाहय लिभि के P N Junction में दाता और ग्राही आयन के कारण िने िैद्युत क्षेत्र को कहते ह ै-

a) Peak

b) Barrier

c) Threshold

d) Path

12.

In a semiconductor, the movement of holes is due to

होि अर्द्धचािक में लनम्नm के कारण गलत करते ह ै: -

a) Movement of holes in valence band

संयोजी िैंड में होि की गलत करने के कारण

b) Movement of electrons in conduction band

चािन िैंड में इिेक्ट्रॉcन के गलत के कारण

c) Movement of electrons in valence band

संयोजी िैंड में इिेक्ट्रॉ न के गलत के कारण

d) Movement of holes in conduction band

चािन िैंड में होि के गलत के कारण

[13 ]

13.

In depletion region : -

अक्षय परत में होते ह ै-

a) Only electrons

केिि इिेक्ट्रॉlन

b) Only holes

केिि कोटर (लिर)

c) Mobile ions

चलित आयन

d) Immobile ions and co – valent bond

अचलित आयन और सहसंयोजी िंध

14.

Depletion width Increases : -

अिक्षय परत चौडाई िढती ह ै-

a) By Increasing Doping

अशुर्द्ता िढाने पर

b) By Decreasing Doping

अशुर्द्ता घटाने पर

c) Both

दोनों

d) None

कोई नहीं

15.

In a semiconductor diode schematic symbol arrow head represents

अर्द्धचािक डायोड में तीर की लसरा प्रदर्शशत करता ह ै-

[14 ]

a) N – type material

b) P – type material

c) Both P and N – type materials

d) None of the above

16.

In forward of region of its characteristics, a diode appears as

अग्रक्षेत्र characteristics में डायोड व्य िहार करता ह ै-

a) An ON switch

b) An OFF switch

c) A capacitor

d) An high resistor

17.

Avalanche multiplication

a) Disruption of covalent bonds occurs by collision.

टक्क)र के कारण सहसंयोजी िंध का टूटना

b) Direct rupture bonds

सीधा िन्द्धi को तोडता ह ै

c) Both (a) and (b)

दोनों (a) तथा (b)

d) None of the above

इनमें से कोई नहीं

[15 ]

18.

Avalanche breakdown is primarily dependent on the phenomenon of

सामान्द्यhत: Avalanche breakdown लनम्ना पर लनभधर करता ह।ै -

a) Collision

b) Doping

c) Ionization

d) recombination

19.

For heavily doped diode

भारी अशुर्द्ता िािे डायोड के लिये -

a) Zener breakdown is likely to take place

Zener breakdown होगा।

b) Avalanche breakdown is likely to take place

Avalanche breakdown होगा।

c) Either (a) and (b) will take place

या तो (a) या (b) होगा।

d) Neither (a) nor (b) will take place

न तो (a) न तो (b) होगा।

20.

Consider the following statements for a p – n junction diode : -

p – n junction diode के लिये लनम्नc कथन ह ै-

1. It is an active component

यह एक सकिय तत्िa ह ै।

[16 ]

2. Depletion layer width decrease with forward biasing

अिक्षय परत की चौडाई घटती ह ैयकद अग्र अलभनत हो।

3. In the reverse biasing case, saturation current increases with increasing

temperature.

पश्चe अलभनत में संतृप्तc धारा ताप के साथ िढती ह।ै

Which of the statement given above are correct ?

a) 1,2 and 3

b) 1 and 2 only

c) 2 and 3 only

d) 1 and 3 only

21.

The doping concentration on the n – side of a p – n junction diode is enhanced.

Which one of the following will get affected ?

यकद p – n junction diode में n – side की तरर् अशुर्द्ता िढा कद जाये तो लनम्नो में से कौन

प्रभालित होगा -

a) Width of the depletion region on n – side

अिक्षय परत की चौडाई N क्षेत्र में

b) Width of the depletion region on p – side

अिक्षय परत की चौडाई P क्षेत्र में

c) Width of the depletion region on both sides

अिक्षय परत की चौडाई दोनों क्षेत्र में

d) No change in width of the depletion regions

अिक्षय परत पर कोई प्रभाि नहीं पडगेा

[17 ]

22.

The reverse current of a silicon diode is :

लसलिकॉन डायोड की पक्ष धारा ह ै -

a) Highly bias voltage sensitive

उच्च) श्ुग्राही िायस िोल्टेvज के लिए

b) Highly temperature sensitive

उच्च) श्ुग्राही तापमान के लिए

c) Both bias voltage and temperature sensitive

दोनों लिभि और तापमान के लिए

d) Independent of bias voltage and temperature

दोनों लिभि और तापमान से स्ि तंत्र

23.

What is the typical value for the ratio of current in a p – n current diode in the

forward bias and that in the reverse bias ?

p – n junction के अग्र अलभनत और पश्च अलभनत धारा का अनुपात होता ह ै-

a) 1.

b) 10.

c) 100.

d) 1000.

24.

The change in barrier potential of a silicon p - n junction with temperature is

लसलिकॉन P N जंक्ट्शeन का लिरोधी लिभि तापमान के साथ

[18 ]

a) 0.0025 volts per degree C.

b) 0.250 volts per degree C.

c) 0.030 volts per degree C.

d) 0.014 volts per degree C.

25.

Consider of Ge diode operating at 27° C and just beyond the threshold voltage

of Ge. What is the value of dv/dT ?

Ge डायोड 27° पर कायाधलन्द्ित ह ैयकद थ्रीसोल्डl िोल्टेeज से ज्या दा हो तो dv/dT का मान क्ट्यार होगा ?

a) -1.9 mV/°C

b) -2.0 mV/°C

c) -2.1 mV/°C

d) -2.3 mV/°C

26.

Silicon devices are preferred at high temperature operations in comparison to

germanium because

लसलिकॉन लडिाइस उच्च तापमान के लिए ज्याeदा प्रयोग ककया जाता ह ैजि Ge से तुिना करते ह ै

क्ट्योंॉॉकक

a) Reverse saturation current in less in case of silicon.

पश्च) संतृप्तa धारा लसलिकॉन के केस में कम होती ह ै-

b) Silicon is more thermally stable.

लसलिकॉन तापमान स्थाmयी ज्या दा होता ह ै-

c) Silicon can dissipate more power.

लसलिकॉन ज्याcदा शलक्त लडसीपेट करता ह ै-

[19 ]

d) None of the above.

उपयुधक्तo में से कोई नहीं

27.

At the cutin voltage of a diode

a) The potential barrier is overcome and the current through the junction

starts to increase rapidly.

लिरोधी लिभि को पार कर जाता ह ैऔर धारा तेजी से िढना शुरू हो जाती ह ै

b) The potential barrier is strong and the current through the junction is

blocked.

लिरोधी लिभि मजिूत हो जाता ह ैतथा संलन्द्ध धारा को रोक दतेी ह ै

c) The diode almost behaves like a short.

डायोड िघु पररपथ की तरह व्य िहार करता ह।ै

d) (a) And (c) above.

(a) तथा (c) दोनों

28.

Consider the following statements about p – n junction ?

लनम्नd कथन p – n junction के लिए ह।ै

1. p – n Junction behaves as a capacitor when forward biased.

p – n Junction अग्र अलभनत में संधाररत की तरह व्यfिहार करता ह।ै

2. p – n junction has p and n type semiconductors with depletion layer in

between.

p – n junction में P और N अर्द्धचािक होते ह।ै और उनके िीच अिक्षय परत होती ह ै।

3. p – n junction has a wider depletion layer as compared to a zener diode.

p – n junction का अिक्षय परत ज्या दा चौडा होता ह ैजेनर डायोड की तुिना में

[20 ]

Which of the statements given above are correct ?

a) 1,2 and 3

b) 1 and 2 only

c) 2 and 3 only

d) 1 and 3 only

29.

Zener diode is used as the main component in dc power supply for

D C शलक्त स्त्रो त में जेनर डायोड का मुख्य कायध ह ै-

a) Rectification

b) Voltage regulation

c) Filter action

d) Both (a) and (b)

30.

A Zener diode, when used in voltage stabilization circuits, is biased in

जि जेनर डायोड लिभि स्थाwलयत्ि के लिए प्रयोग ककया जाता ह ैतो

a) Reverse bias region below the breakdown voltage

पश्च) अलभिन क्षेत्र breakdown voltage से नीचे रहता ह ै

b) Reverse breakdown region

c) Forward bias region

d) Forward bias constant current mode

[21 ]

31.

A device having characteristics very close to that of an ideal voltage source is

एक लडिाइस लजसकी लिशेषताऍं आदशध लिभि स्त्रोtत की तरह होती ह ै-

a) Vacuum diode

b) Zener diode

c) Transistor

d) FET

32.

In depletion region the ions available in P side and N side respectively : -

अिक्षय परत में P साइड और N साइड पर िमसह आयन होते ह ै: -

a) Negative and Positive

b) Positive and Negative

c) Both

d) None of these

33.

In a zener diode : -

जेनर डायोड में

a) Negative resistance characteristics exist.

ऋणात्माक प्रलतरोध की लिशेषता होती ह ै

b) Forward voltage rating is high

अग्र लिभि रेटटग ज्याgदा होती ह ै

c) Sharp breakdown occurs at low reverse voltage

लनम्नि पश्चk लिभि पर तीक्षण होता ह ै

[22 ]

d) None

कोई नहीं

34.

In an intrinsic semiconductor, the number of electrons is equal to the number

of holes at which temperature ?

शुर्द् अर्द्धचािक में e- और holes को संख्याo ककस तापमान पर िरािर रहती ह ै-

a) 0K

b) O°C

c) High temperature

d) All temperature

35.

In an intrinsic semiconductor

शुर्द् अर्द्धचािक में -

a) There are no holes in the material

पदाथध में होि नहीं होते ह ै

b) The number of holes is too small.

होि की संख्याu िहुत कम होती है

c) Electrons in the material are neutralized by holes.

पदाथध की उपालस्थत e-, holes के साथ उदासीन हो जाते ह।ै

d) There are no electrons in the material

पदाथध में e- नहीं होते ह।ै

[23 ]

36.

An intrinsic semiconductor has the following properties :

शुर्द् अर्द्धचािक में लनम्न गुण ह ै-

1. Its electrons concentration equals its hole concentration.

इिेक्ट्रॉ न की संख्याn, होि की संख्याt के िरािर होती है

2. Its carrier density increases with temperature

आिेश घनत्िs तापमान के साथ िढता ह।ै

3. Its conductivity decrease with temperature

चािकता तापमान के साथ घटती ह ै

a) 1,2 and 3

b) 2 and 3 only

c) 1 and 3 only

d) 1 and 2 only

37.

Which one of the following statement is correct ?

लनम्न में से कौन सा कथन सत्य ह ै

If the Fermi level lies midway between the conduction and valence bands, then

the semiconductor is

यकद र्मी स्तcर संयोजी िैंड और चािन िैंड के िीच में ह ैतो अर्द्धचािक ह ै-

a) Intrinsic

b) Extrinsic

c) P – type

d) N – type

[24 ]

38.

With an increase in temperature, the Fermi level in an intrinsic semiconductor

तापमाप िढाने पर, शुर्द् अर्द्धचािक का र्मी स्तnर होता ह ै-

a) Moves closer to the conduction band edge.

चािन िैंड के करीि जाता ह ै

b) Moves closer to the valence band edge

संयोजी िैंड के करीि जाता ह ै

c) Moves into the conduction band

चािन िैंड के चिा जाता ह ै

d) Remains at the centre of the forbidden gap

मध्य) में ही िना रहता ह ै

39.

An intrinsic semiconductor at a temperature of absolute zero behaves like an

insulator because of

शुर्द् अर्द्धचािक absolute zero ताप पर अचािक की भालतस व्यvिहार करता ह ैक्ट्योरकक -

a) Non – availability of free electrons

फ्री इिेक्ट्रॉिन होने के कारण

b) Non – recombination of electrons with holes.

c) Low drift velocity of free electrons

फ्री इिेक्ट्रॉiन की लिफ्ट िेिोलसटी होने के कारण

d) Low (almost zero) electrons energy

इिेक्ट्रॉ न की ऊजाध कम होने के कारण

[25 ]

40.

In an intrinsic semiconductor, the mobility of electrons in the conduction band

is

शुर्द् अर्द्धचािक में, इिेक्ट्रॉ न की मोलिलिटी चािन िैंड में ह ै-

a) Zero

b) Less the mobility of holes in the valence band

संयोजी िैंड में उपलस्थत होि की मोलिलिटी से कम

c) Equal to mobility of holes in the valence band

संयोजी िैंड में उपलस्थत होि के समान।

d) Greater than the mobility of holes in the valence band

संयोजी िैंड में उपलस्थत होि से ज्याfदा।

41.

With increasing temperature, the resistivity of an intrinsic semiconductor

decreases. This is because, with the increase of temperature

तापमान िढाने पर, शुर्द् अर्द्धचािक की प्रलतरोधकता कम होती ह ैक्ट्योdकक -

a) Both the carrier concentration and mobility of carriers decrease.

िाहक सांरता और मोलिलिटी दोनो कम होती ह ै

b) The carrier concentration increases but the mobility of carriers decreases

िाहक सांरता िढती ह ैिेककन िाहक की मोलिलिटी कम होती ह ै

c) The carrier concentration decrease but the mobility of carriers increases.

िाहक सांरता घटती ह ैिेककन इिेक्ट्रॉ न की मोलिलिटी िढती है

d) The carrier concentration remains the same but the mobility of carriers

decreases.

[26 ]

42.

The electrical conductivity of a semiconductor increase with increase in

temperature because

अर्द्धचािक की चािकता तापमान के साथ िढती ह ैक्ट्योंcकक -

a) The mobility of the carriers increases

आिेश िाहकों की मोलिलिटी िढती ह ै

b) The carrier concentration increases

आिेश िाहकों की संख्याo िढती ह।ै

c) Both carrier concentration and mobility increase

मोलिलिटी और िाहकों की सांरता िढती ह ै

d) Thermal energy of electrons increases.

इिेक्ट्रॉ न की ऊष्मीeय ऊजाध िढ जाती ह।ै

43.

What is the chemical bonding in silicon semiconductor ?

a) Metallic

b) Ionic

c) Covalent

d) Van der Walls

44.

Which of the following elements act as donor impurities ?

1. Gold

2. Phosphorus

3. Boron

[27 ]

4. Antimony

5. Arsenic

6. Indium

Codes :

a) 1,2 and 3

b) 1,2,4 and 6

c) 3,4,5 and 6

d) 2,4 and 5

45.

Consider the following statements :

लनम्नd कथन ह ै-

In an N – type semiconductor

N – प्रकार के अर्द्धचािक में -

1. Fermi level lies below the donor level at room temperature (T).

2. Fermi level lies above the donor level as T => 0.

3. Fermi level lies in valence band

4. Fermi band remains invariant with temperature.

Which of the above statement is/ are correct ?

a) 1 only

b) 1 and 2 only

c) 2, 3 and 4

d) 1,2 and 3

[28 ]

46.

As the temperature of a P – type semiconductor is gradually and continuously

increased, the Fermi level will move

P – प्रकार के अर्द्धचािक मे तापमान िढाने पर र्मी स्त र जायेगा -

a) Into the valence band

संयोजी िैंड में

b) Into the conduction band

चािन िैंड में

c) Towards the middle of the forbidden gap.

forbidden gap के middle में

d) None

कोई नहीं

47.

For an n – type semiconductor having any doping level, which of the following

hold (s) good.

n – प्रकार के अर्द्धचािक के लिये कोई भी डोपपग िि के लिये सत्यh ह ै -

a) Pn ND = n2i

b) ppND = n2i

c) nn ND = n2i

d) Pn nn = n2i

48.

When reverse bias is applied to a junction diode : -

जि डायोड में पश्च अलमम लिभि कदया जाता ह ैतो -

[29 ]

a) Potential barrier is lowered

लिरोधी लिभि कम होता ह ै

b) Majority carrier current is increased.

िहुसंख्यMक िाहक धारा िढती ह।ै

c) Minority carrier current is increases.

अल्प)संख्यaक िाहक धारा िढती ह।ै

d) Potential barrier raised.

लिरोधी लिभि िढता ह।ै

49.

Which of the following has less depletion layer ?

लनम्न में से ककसमें अिक्षय परत की चौडाई कम होती ह ै-

a) Zener

b) Avalanche

c) Both (a) and (b)

d) None

50.

In which of the following has highest electric field in depletion layer

लनम्नi में से ककसमें अिक्षय परत में ज्याfदा िैद्युत क्षेत्र होता ह ै-

a) Zener diode

b) Avalanche

c) Both

d) None

[30 ]

51.

The unit of mobility is

mobility का मात्रक ह ै-

a) m2V-1s-1

b) mV-1s-1

c) Vsm-1

d) Vms-1

52.

The conductivity of an intrinsic semiconductor is (symbols have the usual

meanings)

लनज अर्द्धचािक की चािकता होती ह ै-

a) Generally less than that of a doped semiconductor.

b) Given by σi = eni (𝜇n - 𝜇p )

c) Given by σi = eni (𝜇n + 𝜇p )

d) Given by σi = ni (𝜇n + 𝜇p )

53.

Forbidden band is largest in

Forbidden band सिसे ज्याhदा होता ह-ै

a) Conductor

b) Semiconductor

c) Insulator

d) None

[31 ]

54.

The materials not having Negative temperature coefficient of resistivity are

लनम्नa में से ककस तत्िt में ऋणात्मeक ताप गुणांक नहीं होता ह ै-

a) Metals

b) Semiconductors

c) Insulators

None of these

55.

The resistivity of a semiconductor is of the order of

अर्द्धचािक की प्रलतरोधकता होती ह।ै

a) 10-6 Ω – m

b) 10-6 to 100 Ω – m

c) 10-4 to 104 Ω – m

d) Above 104 Ω – m

56.

Which one of the following is the Fermi function f (E) ?

लनम्न में से कौन – सा Fermi function ह।ै

a) 1

1 +𝑒 (𝐸−𝐸𝐹 )/(𝑘𝑇)

b) 1

1−𝑒(𝐸−𝐸𝐹 )/(𝑘𝑇)

c) 1

1 +𝑒 (𝐸𝐹−𝐸)/(𝑘𝑇 )

d) 1

1−𝑒(𝐸𝐹−𝐸)/(𝑘𝑇)

[32 ]

57.

Fermi level is the

Fermi level होता ह ै-

a) Highest occupied energy level at 0 K.

b) Highest occupied energy level at 0° C.

c) Energy level at which electron emission occurs.

d) Minimum energy level in the conduction band.

58.

The Fermi function for an electron is f (E), where E is energy. Then, the Fermi

function for a hole is

Fermi function electron के लिए f (e) ह ैतो Fermi function hole के लिये होगा -

a) f (E)

b) 1 – f (E)

c) 1/f (E)

d) 1 + f (E)

59.

The mobility of electrons in a semiconductor is defined as the

अर्द्धचािक में इिेक्ट्रॉ न की मोलिलिटी होती ह ै-

a) Diffusion velocity per unit electric field.

b) Diffusion velocity per unit magnetic field.

c) Drift velocity per unit magnetic field.

d) Drift velocity per unit electric field.

[33 ]

60.

The mobility of electrons in a material is expressed in units of

पदाथध में इिेक्ट्रॉ न की मोलिलिटी का मात्रक ह ै-

a) V/s

b) m2/V-s

c) m2/s

d) J/K

61.

Diffusion current of holes in a semiconductor is proportional to (with p =

concentration of holes/unit volume)

अर्द्धचािक में Hole Diffusion current ककसके समानुपाती होता ह ै -

a) 𝑑𝑝

𝑑𝑥2

b) 𝑑𝑝

𝑑𝑥

c) 𝑑𝑝

𝑑𝑡

d) 𝑑2𝑝

𝑑𝑥2

62.

Drift current in semiconductors depends upon

अर्द्धचािक में Drift current लनभधर करती ह ै–

[34 ]

a) Only the electric field.

b) Only the carrier concentration gradient.

c) Both the electric field and the carrier concentration.

d) Both the electric field and the carrier concentration gradient.

63.

Mobility of charge carrier is given by

आिेश िाहक की मोलिलिटी होती ह ै-

a) v/E.

b) E/v.

c) Dn

d) Dp

64.

Einstein’s relation is given by

Einstein’s संिंध कदया जाता ह ै-

a) 𝜇

𝐷 =

𝑒

𝑘𝑇

b) 𝜇

𝐷 =

𝑘𝑇

𝑒

c) 𝜇/𝐷 = 𝐾

d) 𝜇/𝐷 = 𝑇

[35 ]

65.

The units of 𝑞

𝑘𝑇 are

𝑞

𝑘𝑇 मात्रक होता ह ै-

a) V

b) V-1

c) J

d) J/K

66.

If the drift velocity of holes under a field gradient of 200 V/m is 100 m/s,

their mobility in SI units is

Hole को Drift Velocity 100m/s ह ैयकद field gradient 200 v/m ह ैतो मोलिलिटी होगी -

a) 0.5.

b) 0.05.

c) 50.

d) 500.

67.

Mobility of electron is highest in

इिेक्ट्रॉ न की मोलिलिटी सिसे ज्या/दा होती ह ै-

a) Si

b) Ge

c) GaAs

d) C

[36 ]