Upload
others
View
16
Download
0
Embed Size (px)
Citation preview
PERBANDINGAN UNJUK KERJA MIXER
DIODA, BJT, FET DAN IC
TUGAS AKHIR
Diajukan Untuk Memenuhi Salah Satu Syarat
Memperoleh Gelar Sarjana Teknik
Program Studi Teknik Elektro
Oleh:
YULI TARSONO
NIM : 025114005
PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS SAINS DAN TEKNOLOGI UNIVERSITAS SANATA DHARMA
YOGYAKARTA 2007
i
PERFORMANCE COMPARISON
OF DIODE, BJT, FET AND IC MIXER
FINAL PROJECT
Presented as Partial Fulfillment of the Requirements
To Obtain the Sarjana Teknik Degree
In Electrical Engineering
By:
YULI TARSONO
Student Number : 025114005
ELECTRICAL ENGINEERING STUDY PROGRAM
SCIENCE AND TECHNOLOGY FACULTY
SANATA DHARMA UNIVERSITY
YOGYAKARTA
2007
ii
LEMBAR PERNYATAAN PERSETI.IJUANPUBLTI(ASI I(ARYA ILMIAH T'NTUK KEPENTINGAN AKADEMTS
Yang bertanda tangan di barvah ini, saya mahasiswa Universitas Sanata Dhar:ma :
Nama : .. Y.u.,./,.i. , . . Tqf:gS p. ... ... .. . .__
NomorMahasiswa : . . . .a l f . \ tq ods
?"Ti pengembangan ilmu pengetahuan, sya memberikan kepada perpustakaanuniversitas-S anata Dharma karya ilmiah sayayang berjudul :
. . .pl-l::.1__?::#"i'5. ::\'1''r#..-10,:e**, B rr, Fqr
P"t"$ gerangkat yangdiperlukan (bila ada). Dengan demikian saya memberikankepada Perpustakaan universitas sanata Dharma hak untuk minyimpaq me_ngalihkan dalam bentuk media lain, mengelolanya dalam bentuk p*gt"t"" a"tamendistribtlsikan secara terbatas, dan mempublifasikannya di Internet atau medialain.untuk kgqerrtinryn akademis tanpa perlu meminta ijin dari saya maupun mem-berikan royalti kepada saya selama tetap mencantumkannama saya sebagai penulis.
Demikian pernyataan ini yang sayabuat dengan sebenarnya
Dibuat di Yogyakara
Pada tangga| : .8.t ..f:.4.ry.r :,... .z oo I
Yang menyatakan\ / izw
( ... ... ... ..Yr,.H...tqs.qr p. ... .... )
Halaman Motto
Kawan-kawan adalah perhiasan yang langka.
Mereka membuatmu tertawa dan memberimu semangat.
Mereka bersedia mendengarkan jika itu kau perlukan,
mereka menunjang dan membuka hatimu.
Tunjukkanlah kepada teman-temanmu
betapa kau menyukai mereka
"Keindahan persahabatan adalah bahwa kamu tahu kepada
siapa kamu dapat mempercayakan rahasia" (Alessandro Manzoni).
Berilah kepada orang lebih dari yang mereka harapkan,
dan lakukan secara bijaksana.
Bila kau tidak mendapatkan apa yang kau inginkan,
mungkin saja itu keberuntunganmu
Jika kau ditanya sesuatu yang tak ingin kau jawab, senyumlah,
dan tanya: "Mengapa kamu mau tahu?"
Totem Tantra ini datang dari bagian Utara India.
In the end,you're measured not by how much you undertake but by what you finally accomplish.
INTISARI
Dalam dunia telekomunikasi, mixer digunakan untuk mencampurkan sinyal
carrier dengan sinyal informasi sehingga menghasilkan suatu frekuensi madya
(intermediate frequency) yang disebut modulasi. Ada beberapa jenis mixer antara lain
mixer dioda, mixer BJT, dan mixer FET. Modulasi adalah suatu proses dimana parameter
gelombang pembawa (carrier signal) frekuensi tinggi diubah sesuai dengan salah satu
parameter sinyal informasi/pesan. Proses modulasi dilakukan pada bagian pemancar.
Tugas akhir ini akan membandingkan unjuk kerja dari beberapa jenis mixer tersebut.
Mixer memiliki dua masukan yaitu, sinyal pembawa (carrier signal) dan sinyal
infomasi. Sinyal pembawa (carrier signal) dari RF Generator. Sedangkan sinyal
informasi dari AFG. Kedua masukan ini diumpankan pada mixer yang kemudian disebut
proses modulasi. Keluaran mixer berupa sinyal termodulasi dengan frekuensi 50MHz.
Mixer yang dibuat bekerja pada frekuensi 50MHz. Masukan sinyal informasi pada
frekuensi 100kHz.
Kata kunci : mixer,modulasi, AM.
viii
ABSTRACT
In the world of telecommunications, mixer used to mix the carrier signal by
information signal so that yield intermediate frequency called modulation. There are some
mixer type for example diode, BJT, and FET mixer. Modulation is a process where carrier
wave parameter (carrier signal) high frequency altered as according to one of parameter of
information signal. Modulation process conducted at transmitter shares. This final project
will compare the performance from the mixer type.
Mixer own two input that is, carrier signal and information signal. Carrier signal
yielded from RF Generator. While information signal yielded from AFG. Both of input is
baited at referred mixer as later called modulation process. Mixer output in the form of
modulation signal with the frequency 50MHz.
Mixer designed work at frequency 50MHz. Input of information signal at frequency
100kHz.
Keyword : mixer, modulation, AM.
ix
KATA PENGANTAR
Puji dan syukur penulis panjatkan ke Hadirat Tuhan Yang Maha Esa yang
telah melimpahkan rahmat dan karunia-Nya sehingga penulis dapat menyelesaikan
Tugas Akhir yang berjudul. “Perbandingan Unjuk Kerja Mixer Dioda, BJT, FET
dan IC”. Tugas Akhir ini disusun sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar
Sarjana Teknik. Dalam penyusunannya, banyak pihak yang telah membantu dan
memberikan dukungan pada penulis, oleh karena itu, penulis ingin mengucapkan
terima kasih kepada :
1. Bapak Damar Widjaja, ST., MT., selaku Pembimbing yang telah bersedia
meluangkan waktu untuk membimbing penulis. Terima kasih pula untuk
seluruh dosen-dosenku di Fakultas Teknik atas segala ilmunya yang
berguna.
2. Ayah dan Ibu di Jakarta, serta adek-adek ku yang selalu memberikan
dukungan. Segalanya….......
3. Untuk sahabat tercinta Siau Ling yang selalu menjadi inspirasiku untuk
melangkah maju.
4. Sahabat-sahabatku di Yogyakarta. Tjun Liong, Alex, Fosin, Apoh, Floren,
Feli, Fung Ci, Vita, Dani, Lia, dan Yosephine. Terima kasih atas segala
kebersamaan kita. Hari-hari yang kita lalui selalu penuh dengan canda
tawa. Tanpa kalian aku takkan mungkin betah tinggal di Jogja.
5. Untuk teman kos Aris, Ari, Jono, Lely, Igun, Dwi dan masi banyak lagi.
Terimakasih juga atas segala bantuan dan semangat yang diberikan.
ix
6. Untuk Si Pak, Moi Ce, Popoh, Tai Q, Ngi Q, Se Q, Jiji, Hiung Ko. Terima
kasih atas segala bantuannya. Hidupku terasa tidak berarti tanpa bantuan
dan dukungan kalian semua.
7. Teman-teman seperjuangan di Teknik Elektro. Galuh, Nendi, Alex
Manalu, Adi, Pandu, Wuri, Spadic, Agung, Nangngo, Dhika, Surya,
Inggit, Joe, dan masih banyak lagi. Terima kasih atas segala pengorbanan
dan waktunya untuk membangun dinamika mahasiswa di Fakultas Teknik,
khususnya untuk Jurusan Teknik Elektro yang kita cintai.
Penulis menyadari bahwa laporan Tugas Akhir ini masih jauh dari sempurna,
oleh karena itu penulis sangat mengharapkan saran dan kritik yang membangun dari
Pembaca agar dalam proses penulisan di kemudian hari dapat semakin baik. Semoga
Tugas Akhir ini dapat bermanfaat secara luas, baik bagi penulis maupun bagi semua
pihak yang membacanya.
Yogyakarta, Oktober 2007
Penulis
x
DAFTAR ISI
HAL
HALAMAN JUDUL ...............................................................................................i
LEMBAR PENGESAHAN PEMBIMBING ........................................................iii
LEMBAR PENGESAHAN PENGUJI ..................................................................iv
PERNYATAAN KEASLIAN KARYA .................................................................v
HALAMAN PERSEMBAHAN .............................................................................vi INTISARI ................................................................................................................vii ABSTRACT ..............................................................................................................viii KATA PENGANTAR .............................................................................................ix DAFTAR ISI ............................................................................................................xi DAFTAR GAMBAR ...............................................................................................xiii BAB I PENDAHULUAN ........................................................................................1
1.1 Judul ...................................................................................................................1
1.2 Latar Belakang ...................................................................................................1
1.3 Tujuan dan manfaat.............................................................................................2
1.4 Batasan Masalah ................................................................................................2
1.5 Metodologi Penelitian .........................................................................................3
1.6 Sistematika penulisan .........................................................................................3
BAB II DASAR TEORI ..........................................................................................4
2.1 Pendahuluan .......................................................................................................4
2.2 Rangakain Tala Paralel .......................................................................................5
2.3 Transformator Frekuensi Tinggi ........................................................................6
2.4 Mixer Dioda .......................................................................................................7
2.5 Mixer BJT ..........................................................................................................8
xi
2.6 Mixer FET...........................................................................................................9
2.7 Modulasi ............................................................................................................10
2.8 Parameter Mixer...................................................................................................13
BAB III RANCANGAN ..........................................................................................15
3.1 Merancang Mixer Dioda ....................................................................................15
3.2 Merancang Mixer BJT .......................................................................................18
3.3 Merancang Mixer FET........................................................................................22
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN .................................................................24
4.1 Perangkat Keras Hasil Perancangan ..................................................................24
4.2 Hasil Pengujian Alat Keseluruhan .....................................................................26
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN...................................................................30
5.1 Kesimpulan ........................................................................................................30
5.2 Saran ..................................................................................................................30
DAFTAR PUSTAKA...............................................................................................33
LAMPIRAN………………………………………………………………………..34
xii
DAFTAR GAMBAR
Halaman
Gambar 2.1 Alat Nonlinear yang digunkan sebagai...................................................4
Gambar 2.2 Rangkaian Tala Paralel...........................................................................5
Gambar 2.3 Rangkaian ekivalen transformator frekuensi tinggi................................6
Gambar 2.4 Mixer Dioda............................................................................................8
Gambar 2.5 Mixer BJT...............................................................................................9
Gambar 2.6 Mixer FET..............................................................................................10
Gambar 2.7 Modulasi Amplitudo..............................................................................11
Gambar 2.8 Tegangan keluaran Mixer ......................................................................13
Gambar 2.9 Spektrum Frekuensi................................................................................13
Gambar 3.1 Trafo IF AM...........................................................................................15
Gambar 3.2 Rangkaian LengkapMixer Dioda...........................................................17
Gambar 3.3 Gelombang AM keluaran Mixer Dioda.................................................17
Gambar 3.4 Rangkaian prasikap pembagi tegangan..................................................18
Gambar 3.5 Rangkaian Mixer BJT.............................................................................21
Gambar 3.6 Gelombang AM keluaran Mixer BJT.....................................................21
Gambar 3.7 Rangkaian Mixer FET............................................................................23
Gambar 3.8 Gelombang AM keluaran Mixer FET....................................................23
Gambar 4.1 Mixer Dioda...........................................................................................24
Gambar 4.2 Mixer BJT..............................................................................................25
Gambar 4.3 Mixer FET..............................................................................................26
xiii
Gambar 4.4 Pengujian Alat........................................................................................27
Gambar 4.5 Sinyal Informasi.....................................................................................27
Gambar 4.6 Sinyal Osilator Lokal (carrier)...............................................................28
Gambar 4.7 Spektrum Frekuensi AM mixer..............................................................28
Gambar 4.8 Spektrum sinyal informasi......................................................................29
Gambar 4.9 Spektrum Sinyal Pembawa.....................................................................30
Gambar 4.10 Saat catu mixer “off”…………………………………………….........31
xiv
BAB I
Pendahuluan
1.1. Judul
Perbandingan Unjuk Kerja Mixer Dioda, BJT, FET, dan IC.
1.2 Latar Belakang
Dalam dunia telekomunikasi, mixer digunakan untuk mencampurkan
sinyal carrier dengan sinyal informasi sehingga menghasilkan suatu frekuensi
madya (intermediate frequency). Ada beberapa jenis mixer antara lain mixer
dioda, mixer BJT, dan mixer FET. Setiap mixer mempunyai kemampuan kerja
masing-masing [1]. Tugas akhir ini akan membandingkan unjuk kerja dari
beberapa jenis mixer tersebut.
Kemampuan kerja mixer dapat dilihat dari kelebihan dan kekurangannya.
Mixer dioda mempunyai kekurangan pada konversi loss yang tinggi, sedangkan
keuntungan dari mixer dioda adalah sifatnya yang low-noise [1]. Mixer BJT
mempunyai perolehan konversi yang tinggi dan derau yang rendah, namun
menghasilkan distorsi intermodulasi orde ketiga yang lebih besar [2]. Satu
kelebihan yang penting dari mixer FET terhadap mixer BJT adalah distorsi
intermodulasi orde ketiga yang sangat rendah.
Penulis membuat sebuah penelitian tentang perbandingan unjuk kerja
mixer dioda, BJT, FET dan IC untuk mengkonfigurasikan teori diatas. Hasil
penelitian ini diharapkan dapat dijadikan salah satu rujukan untuk penelitian
teknik pencampuran (mixing) sinyal terutama dalam teknik modulasi
amplitudo.
1.3. Tujuan dan Manfaat
Skripsi ini bertujuan untuk mengetahui unjuk kerja dari mixer yang telah
dirancang. Skripsi ini bertujuan untuk mengetahui unjuk kerja dari mixer yang
telah dirancang. Selain itu, sebagai acuan materi bagi dosen dalam mengajar dan
bagi mahasiswa yang berminat mempelajari mixer.
1.4. Batasan Masalah
Batasan masalah dalam penelitian ini adalah:
1. Mixer yang dirancang adalah mixer dioda, BJT, FET dan IC
2. Frekuensi kerja f1=50 MHz dan f2=100 kHz
3. Jenis Dioda yang digunakan adalah 1N60
4. Jenis BJT yang digunakan adalah 2SC829
5. Jenis FET yang digunakan adalah 2N3819
6. Menggunakan IC MC 1596.
2
1.5. Metodologi Penelitian
Agar dapat melakukan perancangan alat dengan baik, maka penulis
membutuhkan masukan serta referensi yang didapatkan dengan metode :
1. Studi kepustakaan yang mencakup literatur-literatur, gambar-gambar dan
manual.
2. Mencari informasi dari berbagai media termasuk dari dunia maya
(internet).
3. Melakukan dialog secara langsung dengan pembimbing tugas akhir.
1.6. Sistematika Penulisan
Sistematika penulisan proposal tugas akhir ini adalah:
Bab I. Pendahuluan
Bab ini menguraikan latar belakang penelitian, tujuan dan manfaat,
batasan masalah yang diteliti serta sistematika penulisan proposal.
Bab II. Landasan Teori
Bab ini berisi dasar teori yang digunakan oleh penulis dalam melakukan
penelitian.
Bab III. Perancangan Alat
Bab ini membahas perancangan alat dan menjelaskan sistem kerja masing-
masing mixer.
3
BAB II
DASAR TEORI
2.1 Pendahuluan
Mixer digunakan untuk mengubah sinyal dari satu frekuensi ke frekuensi lain [1].
Ada sejumlah alasan mengapa pengubahan frekuensi itu diperlukan. Salah satu alasan itu
adalah agar sinyal informasi dapat dikirim ke tempat lain dengan ditumpangkan pada
sinyal pembawa. Mixer juga dapat dipergunakan untuk mengubah sinyal frekuensi radio
ke suatu nilai madya (intermediate frequency atau IF) dan memerlukan masukan dari
sebuah osilator lokal untuk melakukannya. Dalam rangkaian mixer, dua sinyal sinusoidal
dikalikan bersama dan hasilnya terdiri atas komponen frekuensi yang dijumlahkan dan
dikurangkan.
)(1 tv)(v ti
(
)tio
Alat nonlinear
Gambar 2.1. Alat nonlinear yang digunakan sebagai mixer [2].
Gambar 2.1 menunjukkan suatu pencampur sederhana yang terdiri dari alat-alat
tidak linear dengan dua sinyal masukan yaitu dan [2]. Frekuensi sinyal
informasi dan sinyal pembawa (carrier) berturut-turut f
)(1 tv )(2 tv
1 dan f2. Jika alat tersebut linear
sempurna, maka tegangan keluar atau arus keluar hanya frekuensi f1 dan f2 saja. Sifat alat
yang tidak linear akan menghasilkan frekuensi-frekuensi jumlah dan selisih maupun
harmonik-harmoniknya. Hubungan masukan-keluaran dalam domain waktu dinyatakan
dengan deret Taylor [2]
[ ] [ ] ...)()()()( 32 ++++= tvctvbtavIti iiioo (2.1)
dengan Io adalah arus keluaran tetap dan menggambarkan jumlah pengaruh semua
sinyal masuk.
)(tvi
2.2. Rangkaian Tala Paralel
Rangkaian tala paralel ditunjukkan dalam Gambar 2.2. Induktor mempunyai
induktansi L dan resistansi r. Kapasitor mempunyai kapasitansi C dan resistansi dapat
diabaikan [1].
Gambar 2.2. Rangkaian tala paralel [1].
Impedansi kapasitif dinyatakan dengan ZC dan impedansi induktif dinyatakan
dengan ZL. Persamaan impedansi dari Gambar 2.2. adalah
CL
CLP ZZ
ZZZ
+= (2.2)
dengan ZC = Cjω1 dan ZL = LjLjr ωω ≅+ .
Resonansi paralel terjadi saat kondisi arus dan tegangan tidak mempunyai
perbedaan fase [5]. Persamaan frekuensi resonansi dapat dinyatakan dengan
persamaan
LCf
π21
0 = (2.3)
2.3. Transformator Frekuensi Tinggi
Penggandengan induktif timbal balik merupakan dasar dari transformator
frekuensi tinggi [1]. Rangkaian ekivalen transformator frekuensi tinggi ditunjukkan
Gambar 2.3.
Gambar 2.3. Rangkaian ekivalen transformator frekuensi tinggi
Induktansi timbal balik antar Lp dan Ls dapat dinyatakan dengan
sp LLkM = (2.4)
2.4. Mixer Dioda
Rangkaian mixer dioda ditunjukkan pada Gambar 2.4. Rangkaian ini
menghasilkan jumlah maupun selisih dari dua frekuensi masukan, sehingga dapat
digunakan sebagai modulator dan demodulator [2]. Mixer dioda mempunyai
kerugian, yaitu rugi-rugi konversi yang tinggi [1]. Penguatan konversi sebuah mixer
adalah perbandingan daya keluaran pada IF terhadap daya masuk, dan rugi-rugi
konversi adalah hal yang sebaliknya.
Dengan mengasumsikan bahwa impedansi rangkaian keluaran dapat diabaikan
pada frekuensi masukan, maka tegangan yang melewati dioda dapat dinyatakan
dengan
sigoscbiasd vvVv ++≅ (2.5)
Dengan anggapan bahwa kurva karakteristik dioda dapat diperluas dalam
persamaan seri Taylor dan hanya sampai suku kedua yang perlu diperhitungkan,
maka arus dioda dapat dinyatakan dengan
2ddd bvavi +≅ (2.6)
Perluasan suku kuadrat pada persamaan (2.6) menunjukkan bahwa suku ini
mengandung suku perkalian dan substitusi dari persamaan (2.1) memberikan nilai
puncak arus IF yang dapat dinyatakan dengan
sigoscIF VbVI ≅ (2.7)
Jika diasumsi bahwa, impedansi transfer rangkaian keluaran diketahui, maka
tegangan masukan puncak dapat dinyatakan dengan
TsigoscIF ZVbVV ≅ (2.8)
Gambar 2.4. Mixer Dioda [1].
2.5. Mixer BJT
Salah satu aplikasi mixer yang paling umum adalah pada penerima radio [6].
Mixer digunakan untuk menggeser sinyal yang datang agar frekuensinya lebih rendah
sehingga lebih mudah memperoleh penguatan yang tinggi dan kemampuan pemilihan
yang dibutuhkan. Biasanya mixer ini disusun dari sebuah transistor tunggal yang
diberi prasikap pada jangkauan nonlinear sehingga menghasilkan perkalian dua sinyal
analog. Keuntungan utama mixer transistor dibanding mixer dioda adalah
penguatannya. Contoh rangkaian mixer transistor adalah seperti ditunjukkan pada
Gambar 2.5.
Transistor bipolar biasanya diberi prasikap seperti sebuah penguat linear, tetapi
prasikap diatur sehingga arus kolektor tidak berubah secara linear terhadap perubahan
arus basis. Penguat bekerja pada kelas AB. Kedua masukan diumpankan ke basis
transistor. Hasilnya adalah perkalian dua sinyal analog yang menghasilkan frekuensi
jumlah dan frekuensi selisih. Pada keluaran, rangkaian tala digunakan untuk memilih
selisih frekuensi.
( )tV soIF ωω −sin
tV ss ωsin
tV oo ωsin
Gambar 2.5. Mixer BJT [6].
2.6. Mixer FET
Hasil yang lebih baik dapat diperoleh dengan cara mengganti transistor
bipolar dengan transistor efek medan (FET), seperti pada Gambar 2.6. [6]. Seperti
pada transistor bipolar, FET juga diberi prasikap sedemikian rupa sehingga bekerja
secara nonlinear. Sinyal masukan diumpankan ke gate, sementara sinyal dari osilator
lokal digandengkan ke source. Drain menggunakan rangkaian tala untuk memilih
selisih frekuensi.
Field Effect Transistor (FET) digunakan dalam proses pencampuran
(mixing) frekuensi tinggi [2]. Transistor FET menghasilkan keluaran distorsi
intermodulasi maupun distorsi modulasi silang lebih kecil. Kapasitansi umpan balik
yang kecil memberikan stabilitas rangkaian yang lebih baik.
Gambar 2.6. Mixer FET [6].
2.7. Modulasi Amplitudo
Modulasi artinya meregulasi atau mengatur parameter suatu gelombang
carrier frekuensi tinggi dengan sinyal informasi frekuensi yang lebih rendah. Dalam
modulasi amplitudo, suatu tegangan yang sebanding dengan sinyal modulasi
ditambahkan kepada amplitudo pembawa [1]. Sinyal pemodulasi dapat
direpresentasikan dengan
tEe mmm ωsinmax,= (2.9)
dengan mm fπω 2= dan fm adalah frekuensi pemodulasi.
Bila suatu gelombang pembawa dimodulasi amplitudo, maka amplitudo
tegangan pembawa dibuat berubah sebanding dengan tegangan yang memodulasi,
sehingga:
( ) teEe cmc ω+= max, (2.10)
dengan e adalah tegangan sesaat sinyal yang dimodulasi, Ec,max adalah tegangan
puncak pembawa tanpa modulasi dan em adalah tegangan pemodulasi sesaat
(instantaneous).
Gambar 2.7. memperlihatkan perubahan sinyal yang dimodulasi terhadap
waktu, dengan memisalkan sinyal pembawa maupun sinyal modulasi adalah
terbentuk sinusoida. Puncak-puncak dari siklus pembawa dapat dihubungkan
sehingga membentuk sebuah gelombang selubung (envelope wave) yang diberikan
mcenv eEe += max, (2.11)
Gambar 2.7. Modulasi Amplitudo [3].
Dengan mensubstitusikan em dari persamaan (2.9) ke persamaan (2.10) dan eenv
dari persamaan (2.12) ke persamaan (2.11), maka tegangan sinyal-sinyal yang
dimodulasi menjadi
tee cenv ωsin= (2.12)
( ) ttEE cmmc ωω sinsinmax,max, +=
suatu ukuran modulasi adalah indek modulasi yang didifinisikan sebagai
max,
max,
c
m
EE
m = (2.13)
Persen modulasi digunakan untuk menggambarkan jumlah modulasi yang telah
terjadi. Persen modulasi dapat dinyatakan dengan
Persen modulasi %100.m= (2.14)
dengan m adalah indeks modulasi. Sebuah gelombang termodulasi mempunyai
bentuk seperti Gambar 2.8. Tegangan puncak ke puncak maksimum adalah 2 Vmax
dan tegangan puncak ke puncak minimum adalah 2Vmin. Persamaan untuk
menghitung m dapat dinyatakan dengan
minmax
minmax
2222VVVV
m+−
= (2.15)
Gambar 2.8. Tegangan keluaran mixer [4].
2.8 Parameter Mixer
Untuk mengetahui kinerja sebuah mixer dapat diketahui dari spektrum
frekuensi yang dihasilkan. Spektrum frekuensi memperlihatkan frekuensi jumlah
EC
dan selisih. Untuk melihat spektrum frekuensi menggunakan Spectrum Analyzer.
Pada perancangan mixer
CEm2
CEm
2
SC ff − Cf SC ff +
Gambar 2.9 Spektrum Frekuensi
Parameter yang kedua adalah persen modulasi (% m). Persen modulasi
digunakan untuk mengetahui jumlah modulasi yang telah terjadi. Untuk
menghitung persen modulasi dapat menggunakan Rumus 2.12. Keluaran mixer akan
mempunyai bentuk gelombang seperti terlihat pada Gambar 2.8. Untuk melihat
bentuk gelombang keluaran mixer menggunakan osiloskop digital.
BAB III
PERANCANGAN
Langkah-langkah perancangan mixer adalah sebagai berikut;
3.1 Merancang Mixer Dioda
Trafo yang digunakan dalam rangkaian tala adalah trafo IF. Nilai induktansi
diukur menggunakan LCR meter. Hasil dari pengukuran adalah sebagai berikut.
Gambar 3.1 Trafo IF AM
Tabel 3.1 Hasil Pengukuran Induktansi Pin Induktansi A-B 17,5 μH C-E 0,3 mH C-D 0,29 mH D-E 14,2 μH
Frekuensi resonansi (f0) yang dikehendaki rangkaian mixer pada Gambar 2.4
adalah sebesar 100kHz dan 50MHz. Frekuensi resonansi 100kHz untuk rangkaian
tala masukan sinyal (X1), frekuensi 50MHz untuk rangkaian tala masukan LO (X2)
dan 49,9MHz untuk rangkaian tala keluaran (X3). Dengan demikian, dengan
menggunakan rumus (2.7) untuk menghitung nilai induktansi trafo IF dan rumus
(2.3) untuk menghitung nilai C.
Induktansi timbal balik trafo IF
21LLkM =
Hμ764,1510.764,15
10.5,248
10.2,14.10.5,171
6
12
66
==
=
=
−
−
−−
Nilai C untuk rangkaian tala (X1)
( ) 622 10.764,1510041
−=
kHzC
π
nF684,160=
Nilai C untuk rangkaian tala (X2)
622 10.764,15)50(41
−=MHz
Cπ
pF643,0=
Nilai C untuk rangkaian tala (X3)
622 10.764,15)9,49(41
−=MHz
Cπ
pF645,0=
Simulasi dari rangkaian mixer Dioda menggunakan software Micro-Cap 8.0
dengan hasil simulasi tampak pada gambar 3.3. Seluruh komponen sistem yang
sudah dirancang dirangkaikan menjadi sebuah rangkaian mixer Dioda dengan
16
gambar rangkaian yang dapat dilihat pada Gambar 3.1. Tegangan sumber DC yang
digunakan sebesar 1 V.
Gambar 3.2. Rangkaian Lengkap Mixer Dioda
Gambar 3.3. Gelombang AM keluaran Mixer Dioda
17
3.2 Merancang Mixer BJT
Frekuensi resonansi (f0) yang dikehendaki pada rangkaian tala keluaran
mixer pada Gambar 2.5 adalah sebesar 49,9MHz. Dengan demikian, rumus (2.3)
untuk menghitung nilai C. Rangkaian tala mengunakan induktor (L) dan kapasitor
(C). Nilai L yang digunakan adalah 1 μH.
Nilai C untuk rangkaian tala
622 10.5,1)50(41
−=MHz
Cπ
pF7,6=
Transistor diberi prasikap pada jangkauan nonlinear sehingga menghasilkan
perkalian dua sinyal analog. Transistor yang digunakan adalah transistor 2SC829
dengan alasan bahwa transistor tersebut dapat bekerja pada daerah frekuensi tinggi
dan memiliki IC max sebesar 30 mA (data sheet). Transistor yang yang digunakan
memiliki hFE sebesar 100 (sesuai pengukuran). Dengan nilai hFE sebesar itu, agar
transistor aman maka perlu diberikan RE dan ICQ diatur sedemikian rupa agar
berada jauh di bawah nilai IC max. Perancangan prasikap transistor ditunjukkan
dalam Gambar 3.4.
Gambar 3.4. Rangkaian prasikap pembagi tegangan
18
Vcc =12 V
ICQ = 6 mA
β = 100
a. Menghitung nilai IB
BC II .β=
βC
BI
I =
AI B μ6010010.6 3
==−
b. Menghitung nilai RE
VCE = ½ Vcc (titik kerja transistor)
VCE = ½ . 12 V
VCE = 6 V
Dengan nilai VCE tersebut di atas transistor akan bekerja pada titik kerja
maksimum. Maka,
ECCE VVV −=
EECCCCCE RIRIVV −−=
E
CCCECCE I
RIVVR
−−=
( )3
3
10.610010.6612
−
−−−=ER
Ω= 900ER
19
c. Menghitung nilai RTH
EEBEBBCC RIVRIV ++=
B
EEBECCTH I
RIVVR
−−=
6
3
10.60900)10.6(7,012
−
−−−=THR
Ω≈Ω= kRTH 98333,98333
d. Menghitung nilai R2
RTH = R1//R2
tentukan R2 = 300k
TH
TH
RRRRR
−=
1
12
.
kk
kk98300
300.98−
=
Ω= 55,145544
Ω≈ k5,145
Simulasi dari rangkaian mixer BJT menggunakan software Micro-Cap 8.0
dengan hasil simulasi tampak pada gambar 3.6. Seluruh komponen sistem yang
sudah dirancang dirangkaikan menjadi sebuah rangkaian mixer BJT dengan gambar
rangkaian yang dapat dilihat pada Gambar 3.5. Tegangan sumber DC yang
digunakan sebesar 12 V.
20
Gambar 3.5. Rangkaian Mixer BJT
Gambar 3.6. Gelombang AM keluaran Mixer BJT
21
3.3 Merancang Mixer FET
Frekuensi resonansi (f0) yang dikehendaki pada rangkaian mixer pada
Gambar 2.6 adalah sebesar 100kHz dan 49,9MHz. Frekuensi resonansi 100kHz
untuk rangkaian tala masukan sinyal, frekuensi 50MHz untuk rangkaian tala
masukan LO. Dengan demikian, rumus (2.3) untuk menghitung nilai C.
Nilai C untuk rangkaian tala masukan sinyal
( ) 622 10.764,1510041
−=
kHzC
π
nF684,160=
Nilai C untuk rangkaian tala keluaran
622 10.764,15)9,49(41
−=MHz
Cπ
pF645,0=
Rangkaian mixer FET, seperti pada transistor bipolar, FET juga diberi
prasikap sedemikian rupa sehingga bekerja secara nonlinear [6]. Sinyal masukan
diumpankan ke gate, sementara isyarat dari osilator lokal digandengkan ke source.
Sedangkan pada drain digunakan untai tala untuk memilih selisih frekuensi.
Simulasi dari rangkaian mixer FET menggunakan software Micro-Cap 8.0
dengan hasil simulasi tampak pada gambar 3.8. Seluruh komponen sistem yang
sudah dirancang dirangkaikan menjadi sebuah rangkaian mixer FET dengan gambar
rangkaian yang dapat dilihat pada Gambar 3.7. Tegangan sumber DC yang
digunakan sebesar 12 V.
22
Gambar 3.7. Rangkaian Mixer FET
Gambar 3.8. Gelombang AM keluaran Mixer FET
23
BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 Perangkat Keras Hasil Perancangan
Perangkat keras hasil perancangan terdiri dari tiga bagian alat, yaitu blok
mixer dioda, mixer BJT, mixer FET. Gambar berikut menampilkan foto dari alat
yang telah dibuat. Gambar 4.1. menampilkan foto Mixer Dioda.
Gambar 4.1 Mixer Dioda
Ket Gambar 4.1 :
23
1
54
1. Masukan sinyal carrier
2. Masukan sinyal informasi
3. Keluaran sinyal
4. Catu
5. Gnd (Ground)
Gambar 4.2. menampilkan foto Mixer BJT.
Gambar 4.2 Mixer BJT
Ket Gambar 4.2 :
2 41
5 3
1. Masukan sinyal informasi
2. Masukan sinyal carrier
3. VCC
4. Keluaran sinyal
5. Gnd (Ground)
25
Gambar 4.3. menampilkan foto Mixer FET
Gambar 4.3 Mixer FET
3 1
5 24
1. Masukan sinyal informasi
2. Masukan sinyal carrier
3. Keluaran sinyal
4. VDD
5. Gnd (Ground)
4.2 Hasil Pengujian Alat
Pengujian alat dengan memberi masukan sinyal pembawa (carrier) dan
sinyal informasi seperti Gambar 4.4. Sinyal pembawa (carrier) dengan frekuensi
50MHz dan sinyal informasi dengan frekuensi 100kHz. Spektrum frekuensi seperti
pada Gambar 4.5.
26
Gambar 4.4 Pengujian Alat
Sinyal informasi 100kHz seperti Gambar 4.6 dan sinyal osilator lokal
(carrier) seperti Gambar 4.7. Sinyal informasi dari AFG diperoleh sinyal sinus yang
halus atau tidak cacat, sedangkan sinyal carrier dari RF Generator tidak sinus murni
atau cacat.
Gambar 4.5 Sinyal Informasi
Sinyal Informasi
Keluaransinyal MIXER
Sinyal carrier
27
Gambar 4.6 Sinyal Osilator Lokal (carrier)
Gambar 4.7 Spektrum frekuensi AM mixer
28
Gambar 4.8 adalah spektrum frekuensi sinyal termodulasi keluaran mixer BJT.
Dari Gambar 4.8 terlihat bahwa proses modulasi antara sinyal informasi dan carrier
berhasil seperti yang diharapkan. Frekuensi resonansi berada pada 50 MHz seperti dalam
gambar yang ditunjuk dengan anak panah.
Gambar 4.8 Spektrum sinyal informasi
Gambar 4.8 memperlihatkan keadaan saat sinyal pembawa (carrier) dari RF
Generator “off”. Sehingga yang terlihat hanya spektrum dari sinyal informasi saja. Jika
dibandingkan dengan Gambar 4.7 maka amplitudo sinyal jauh lebih kecil.
29
Gambar 4.9 Spektrum Sinyal Pembawa
Gambar 4.9 memperlihatkan keadaan saat sinyal informasi dari AFG “off”.
Sehingga yang terlihat hanya spektrum dari sinyal pembawa (carrier) saja. Jika
dibandingkan dengan Gambar 4.7 maka frekuensi lebih sempit dan mempunyai
amplitudo yang sama.
30
Gambar 4.10 Saat catu mixer “off”
Gambar 4.10 memperlihatkan keadaan saat catu mixer “off”. Sehingga tidak
terlihat spektrum dari sinyal pembawa (carrier) maupun spektrum dari sinyal informasi.
Hal ini menunjukkan mixer bekerja sesuai dengan harapan. Pada saat catu “off” dan “on”
terjadi perubahan yang menunjukkan mixer bekerja.
31
BAB V
KESIMPULAN DAN SARAN
5.1 Kesimpulan
Setelah melakukan analisa dan pembahasan berdasarkan hasil
perhitungan dan hasil simulasi, maka ada beberapa hal yang dapat disimpulkan
sebagai berikut:
1. Mixer Dioda dan FET yang telah dibuat bekerja kurang sempurna dan tidak
sesuai dengan perancangan. Mixer BJT dapat bekerja seperti yang diharapkan
meskipun sinyal masukan dari RF Generator terdapat cacat.
2. Proses modulasi akan menghasilkan gelombang AM dengan frekuensi
50 MHz.
3. Untuk melihat keberhasilan dalam proses modulasi yaitu menghasilkan
frekuensi jumlah dan selisih.
5.2 Saran
1. Pemancar AM yang baik mutlak diperlukan dalam penelitian seperti ini.
2. Perancangan rangkaian mixer dapat dikembangkan lebih lanjut yang sangat
berguna dalam suatu sistem komunikasi.
32
Daftar Pustaka
1. Roddy. Dennis dan Coolen. John, Komunikasi Elektronik, PT Prenhallindo,
Jakarta, 2001. 2. Krauss. Herbert L, Bostian. Charles W dan Raab. Frederick H., Teknik Radio
Benda Padat, Universitas Indonesia (UI-Press), 1990. 3. http://elka.brawijaya.ac.id/praktikum/analog/analog.php?page=2 diakses bulan
Juli 2007. 4. Malvino. Albert Paul, Prinsip-prinsip Elektronika, Edisi kedua, Erlangga, 1986. 5. D. Lenk. John, Optimizing Wireless / RF Circuits, Mc Graw-Hill. 6. Widyanto. Nanang Dani, Pembuatan Penaik Frekuensi Pembawa Isyarat
Termodulasi, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta 2005.
33
LAMPIRAN II
DATASHEETS KOMPONEN
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A1, December 2002
2N3819
Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings* TC=25°C unless otherwise noted
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted
Thermal Characteristics TA=25°C unless otherwise noted
* Device mounted on FR-4 PCB 1.5” × 1.6” × 0.06”
Symbol Parameter Ratings UnitsVDG Drain-Gate Voltage 25 VVGS Gate-Source Voltage -25 VID Drain Current 50 mAIGF Forward Gate Current 10 mATSTG Storage Temperature Range -55 ~ 150 °C
Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. UnitsOff CharacteristicsV(BR)GSS Gate-Source Breakdwon Voltage IG = 1.0µA, VDS = 0 25 VIGSS Gate Reverse Current VGS = -15V, VDS = 0 2.0 nAVGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage VDS = 15V, ID = 2.0nA 8.0 VVGS Gate-Source Voltage VDS = 15V, ID = 200µA -0.5 -7.5 VOn CharacteristicsIDSS Zero-Gate Voltage Drain Current VDS = 15V, VGS = 0 2.0 20 mASmall Signal Characteristicsgfs Forward Transfer Conductance VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0KHz 2000 6500 µmhosgoss Output Conductance VDS= 15V, VGS = 0, f = 1.0KHz 50 µmhosyfs Reverse Transfer Admittance VDS= 15V, VGS = 0, f = 1.0KHz 1600 µmhosCiss Input Capacitance VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0KHz 8.0 pFCrss Reverse Transfer Capacitance VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0KHz 4.0 pF
Symbol Parameter Max. UnitsPD Total Device Dissipation
Derate above 25°C3502.8
mWmW/°C
RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 125 °C/WRθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 357 °C/W
2N3819
N-Channel RF Amplifier• This device is designed for RF amplifier and mixer applications
operating up to 450MHz, and for analog switching requiring low capacitance.
• Sourced from process 50.
TO-92
1. Drain 2. Gate 3. Source1
0.46 ±0.10
1.27TYP
(R2.29)
3.86
MA
X
[1.27 ±0.20]
1.27TYP
[1.27 ±0.20]
3.60 ±0.20
14.4
7 ±0
.40
1.02
±0.
10
(0.2
5)4.
58 ±
0.20
4.58+0.25–0.15
0.38+0.10–0.05
0.38
+0.1
0–0
.05
TO-92
Package Dimensions2N
3819
Dimensions in Millimeters
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. A1, December 2002
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation Rev. I1
TRADEMARKS
The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is notintended to be an exhaustive list of all such trademarks.
DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANYPRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANYLIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN;NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.
LIFE SUPPORT POLICY
FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORTDEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTORCORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systemswhich, (a) are intended for surgical implant into the body,or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to performwhen properly used in accordance with instructions for useprovided in the labeling, can be reasonably expected toresult in significant injury to the user.
2. A critical component is any component of a life supportdevice or system whose failure to perform can bereasonably expected to cause the failure of the life supportdevice or system, or to affect its safety or effectiveness.
PRODUCT STATUS DEFINITIONS
Definition of Terms
Datasheet Identification Product Status Definition
Advance Information Formative or In Design
This datasheet contains the design specifications forproduct development. Specifications may change inany manner without notice.
Preliminary First Production This datasheet contains preliminary data, andsupplementary data will be published at a later date.Fairchild Semiconductor reserves the right to makechanges at any time without notice in order to improvedesign.
No Identification Needed Full Production This datasheet contains final specifications. FairchildSemiconductor reserves the right to make changes atany time without notice in order to improve design.
Obsolete Not In Production This datasheet contains specifications on a productthat has been discontinued by Fairchild semiconductor.The datasheet is printed for reference information only.
FACT™FACT Quiet series™FAST®
FASTr™FRFET™GlobalOptoisolator™GTO™HiSeC™I2C™
ImpliedDisconnect™ISOPLANAR™LittleFET™MicroFET™MicroPak™MICROWIRE™MSX™MSXPro™OCX™OCXPro™OPTOLOGIC®
OPTOPLANAR™
PACMAN™POP™Power247™PowerTrench®
QFET™QS™QT Optoelectronics™Quiet Series™RapidConfigure™RapidConnect™SILENT SWITCHER®
SMART START™
SPM™Stealth™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SyncFET™TinyLogic™TruTranslation™UHC™UltraFET®
VCX™
ACEx™ActiveArray™Bottomless™CoolFET™CROSSVOLT™DOME™EcoSPARK™E2CMOS™EnSigna™Across the board. Around the world.™The Power Franchise™Programmable Active Droop™
This datasheet has been download from:
www.datasheetcatalog.com
Datasheets for electronics components.
1
Transistor
2SC829Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification
Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage
of FM/AM radios.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter2:Collector3:BaseJEDEC:TO–92EIAJ:SC–43A
5.0±0.2 4.0±0.2
5.1±
0.2
13.5
±0.5
0.45+0.2–0.10.45
+0.2–0.1
1.27 1.27
2.3±
0.2
2.54±0.15
21 3
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj
Tstg
Ratings
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mW
˚C
˚C
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Common emitter reverse transfer capacitance
Reverse transfer impedance
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
hFE*
fT
Cre
Zrb
Conditions
IC = 10µA, IE = 0
IC = 2mA, IB = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCE = 10V, IC = 1mA
VCB = 10V, IC = 1mA, f = 200MHz
VCE = 10V, IC = 1mA, f = 10.7MHz
VCB = 10V, IE = –1mA, f = 2MHz
min
30
20
5
70
150
typ
230
1.3
max
250
1.6
60
Unit
V
V
V
MHz
pF
Ω
*hFE Rank classification
Rank B C
hFE 70 ~ 160 110 ~ 250
2
Transistor 2SC829
PC — Ta IC — VCE IC — VBE
IB — VBE VCE(sat) — IC hFE — IC
fT — IE Zrb — IE Cre — VCE
0 16040 12080 14020 100600
500
400
300
200
100
450
350
250
150
50
Ambient temperature Ta (˚C)
Col
lect
or p
ower
dis
sipa
tion
PC
( mW
)
0 186 120
12
10
8
6
4
2
Ta=25˚C
IB=100µA
80µA
60µA
40µA
20µA
Collector to emitter voltage VCE (V)
Col
lect
or c
urre
nt
I C
( mA
)
0 2.01.60.4 1.20.80
60
50
40
30
20
10
VCE=10V
Ta=75˚C –25˚C
25˚C
Base to emitter voltage VBE (V)
Col
lect
or c
urre
nt
I C
( mA
)
0 1.80.6 1.20
120
100
80
60
40
20
VCE=10VTa=25˚C
Base to emitter voltage VBE (V)
Bas
e cu
rren
t I B
( µ
A)
0.1 1 10 1000.3 3 300.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100IB/IB=10
Ta=75˚C25˚C
–25˚C
Collector current IC (mA)
Col
lect
or to
em
itter
sat
urat
ion
volta
ge
VC
E(s
at)
( V)
0.1 1 10 1000.3 3 300
300
250
200
150
100
50
VCE=10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
Collector current IC (mA)
For
war
d cu
rren
t tra
nsfe
r ra
tio
h FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –300
600
500
400
300
200
100
Ta=25˚C
VCB=10V
6V
Emitter current IE (mA)
Tra
nsiti
on fr
eque
ncy
fT
( MH
z)
– 0.1 – 0.3 –1 –3 –100
80
60
20
50
70
40
10
30
f=2MHzTa=25˚C
VCB=6V
10V
Emitter current IE (mA)
Rev
erse
tran
sfer
impe
danc
e Z
rb
( Ω)
0.1 1 10 1000.3 3 300
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
IC=1mAf=10.7MHzTa=25˚C
Collector to emitter voltage VCE (V)
Com
mon
em
itter
reve
rse
trans
fer c
apac
itanc
e C
re
( pF)
3
Transistor 2SC829
Cob — VCB bie — gie bre — gre
bfe — gfe boe — goe
1 3 10 30 1000
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
IE=–1mAf=1MHzTa=25˚C
Collector to base voltage VCB (V)
Col
lect
or o
utpu
t cap
acita
nce
Cob
( p
F)
0 20164 1280
12
10
8
6
4
2
yie=gie+jbieVCE=10V
f=0.45MHz
–1mA–2mA–4mA–7mA
58
25
10.7
100
IE=– 0.4mA
Input conductance gie (mS)
Inpu
t sus
cept
ance
b i
e (
mS
)
– 0.5 0– 0.1– 0.4 – 0.2– 0.3–3.0
0
– 0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
yre=gre+jbreVCE=10V
f=0.45MHz
IE=–7mA
–2mA
–4mA
–1mA– 0.4mA
25
58
100
10.7
Reverse transfer conductance gre (mS)
Rev
erse
tran
sfer
sus
cept
ance
b r
e (
mS
)
0 1008020 6040–120
0
–20
–40
–60
–80
–100
yfe=gfe+jbfeVCE=10V
IE=–7mA
–4mA–2mA
– 0.
1mA
–0.4mA
–1mA
0.45 0.4510.7
10.7
f=10.7MHz25
25
2558100
100
100
100
58
58
58
Forward transfer conductance gfe (mS)
For
war
d tr
ansf
er s
usce
ptan
ce
b fe
(m
S)
0 1.00.80.2 0.60.40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
yoe=goe+jboeVCE=10V
f=0.45MHz
IE=– 0.1mA
–7mA
–4mA–2mA
–1mA
– 0.4mA
58
10.7
25
100
Output conductance goe (mS)
Out
put s
usce
ptan
ce
b oe
(m
S)
LAMPIRAN II
GAMBAR
SPEKTRUM SINYAL OUTPUT MIXER
Gambar 1 Sinyal Informasi
Gambar 2 Sinyal pembawa (carrier signal)
Gambar 3 Spektrum output mixer
Gambar 4 Spektrum sinyal informasi
Gambar 5 Spektrum Sinyal Pembawa
Gambar 6 Saat catu mixer “off”