El circuito a estudiar es el siguiente:
Se realiza un barrido en continua con la tensin y un barrido
paramtrico con la
tensin . Se han tomado valores de 0 Vdc a -1.4 Vdc con
incrementos de 200mV de
la tensin y para el barrido en continua de la tensin valores de
0 Vdc a
+10Vdc con incrementos de 0.1 Vdc.
El resultado obtenido es la siguiente grfica.
Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.6
3. Diseo y simulacin de la caracterstica de salida del Fet de
canal n
Figura 1. Circuito electrnico simulado en el Tema 3
Figura 2. Caracterstica de salida del FET de canal N
Vamos a explicar la grfica obtenida, las grficas dibujadas son
los distintos valores que
obtenemos de , cada una de ests graficas corresponden a un valor
de , que
toma valores entre 0 Vdc y -1.4 Vdc con un incremento de 200mV
tal y como se explico
anteriormente. La variacin que obtenemos en el eje X corresponde
al barrido en
continua realizado por .
Cuando =0, en el momento que se aplica un voltaje , los
electrones son atrados al terminal de drenaje, se establece una
corriente convencional . El flujo de carga se
encuentra relativamente sin inhibicin y limitado nicamente por
la resistencia del
canal-n entre el drenaje y la fuente. Esta resistencia antes de
que llegue al voltaje
de estrechamiento, , unos 1.4 V para este tipo de transistor, se
mantiene constante.
A partir de este instante obtenemos , corriente de drenaje mximo
de un JFET que
est definida mediante las condiciones =0 y >||. Est corriente
para este tipo
de FET es de unos 18.5mA. Esto corresponde con la primera grfica
de mayor valor de
de color rosa.
El voltaje de la compuerta a la fuente denotado por , es el
voltaje de control del
JFET. Cuando tenemos una tensin negativa de mayor que ,
obtenemos regiones
de agotamiento similares a las obtenidas con =0, a un nivel
menor de , como
podemos observar en la Figura 5. El nivel de saturacin
resultante para se va
reduciendo a medida que se hace ms y ms negativo. El nivel de
saturacin lo
alcanzamos cuando se mantiene constante. Cuando = , es lo
suficientemente negativo como para establecer un nivel de
saturacin de 0mA.
Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.6
