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PRACTICA No 1 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO DE UNIÓN Alumno: Rodrigo Urtiaga Ramírez Código: 213217459 Materia: Laboratorio de Electrónica I Profesor: José Antonio López Ruiz OBJETIVOS 1. Medir los efectos de las polarizaciones directas e inversa en la corriente de un diodo de unión. 2. Determinar de manera experimental las características de voltaje y corriente de un diodo de unión y graficarlas.

Reporte de Practica 1 - Caracteristicas Del Diodo

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Diodos

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PRACTICA No 1

CARACTERSTICAS DEL DIODO DE UNIN

Alumno: Rodrigo Urtiaga RamrezCdigo: 213217459Materia: Laboratorio de Electrnica I Profesor: Jos Antonio Lpez Ruiz

OBJETIVOS

1. Medir los efectos de las polarizaciones directas e inversa en la corriente de un diodo de unin.2. Determinar de manera experimental las caractersticas de voltaje y corriente de un diodo de unin y graficarlas.3. Hacer pruebas a un diodo de unin con un hmetro.

RESUMEN / MARCO TEORICO

1. En electrnica se prefiere utilizar semiconductores para controlar la corriente debido a su reducido tamao y a su mnimo consumo de energa y por que permiten lograr la micro miniaturizacin de dispositivos y circuitos electrnicos.

2. Los materiales bsicos semiconductores son el silicio y el germanio, que en su estado puro son aislantes. Estos materiales se contaminan con impurezas para disminuir su resistividad y aumentar su conductividad.

3. Cuando se unen una pieza del semiconductor tipo N (portadores de corriente negativos, electrones) y una tipo P (portadores positivos, huecos) lo cual est determinado por el material de contaminacin- se forma un diodo de unin.

4. Un diodo de unin tiene caractersticas de corriente unidireccional; es decir, permite el flujo de la corriente en una direccin (cuando tiene polarizacin directa), pero no en la contraria (cuando tiene polarizacin inversa).

5. Existe un limite para el voltaje mximo directo(terminal negativa de una fuente de alimentacin conectada con el material N) y el voltaje mximo inverso (terminal negativa conectada con el material P) que se aplica a un diodo de unin.

6. El voltaje de activacin o umbral de un diodo de silicio es 0.7 V y 0.3 V para un diodo de germanio. Una vez que este voltaje se aplica al diodo, ste conducir de manera apreciable un aumento de la corriente en el diodo.

7. Un diodo de unin se puede probar con un hmetro. ste mide la corriente que pasa por el dispositivo en funcin del voltaje que se aplica con el medidor. Con la aplicacin elctrica dela Ley de Ohm, la lectura de la corriente se convierte en una lectura de resistencia. Cuando las puntas del hmetro se conectan al diodo de manera que quede polarizado directamente el flujo de corriente es elevado, lo que indica una baja resistencia. Al invertir las puntas de conexin del hmetro se polariza inversamente al diodo, con lo que se impide el flujo de la mayor parte de la corriente y en consecuencia el valor ledo de la resistencia es alto.

8. Debido al comportamiento unidireccional del diodo, podra considerarse de manera ideal como un corto circuito cuando tiene polarizacin directa y como un circuito abierto cuando tiene polarizacin inversa. Esto se conoce como aproximacin de diodo ideal.

9. la segunda aproximacin de un diodo tiene en cuenta el voltaje de umbral. Es decir, el comportamiento en polarizacin directa del diodo se considera como un corto circuito conectado en serie con una batera de 0.7 V.

10. En la tercera aproximacin de las caractersticas de un diodo. La resistencia msica, responsable de un consumo adicional del potencial del voltaje, se tiene en el circuito de diodo.SIMULACION

RESULTADOS

Polarizacin Directa

La corriente fluye constantemente en un solo sentido dentro del circuito.

La Resistencia del circuito es baja

Polarizacin Inversa

La corriente no fluye en el circuito, Simplemente se estanca.

La Resistencia del circuito tiende a infinito.