Delagnes 15/11/07 1

Resist MeetingSaclay 15/11/07

E. Delagnes + S. Turnbull

Delagnes 15/11/07 2

~20µm ProtectiveLayer

GazCD

Cc CRCL

Protection par Silicium amorphe

Eps R = 10Resistivity ~ 1010 Ohm.cm

sur une tranche de 50µm x 50µm:la resistance verticale est de l’ordre de 1 GOhm.la capa verticale est de 50 fF=> 50 µs time constant à comparer avec le shaping de Medipix (<100ns)=> le signal est couplé capacitivement à l’électronique!!!=> La résistance sert essentiellement à polariser (et protéger) le détecteur

Delagnes 15/11/07 3

Modèle électrique du pauvre avec Cadence

•Pour une tranche correspondante à un pad, le volume de Si amorphe est divisé en 10x10 carrés (cubes) de schéma équivalent:

•Les R et C sont totalement paramétrables (épaisseur, résistivité, Eps).•Conditions aux limites => géométrie des zones interpads de Medipix.•Modèle simplifié du préampli de Medipix•Pas de modélisation électrostatique => C est identique pour toutes les mailles.

Delagnes 15/11/07 4

Modèle électrique: « ligne » de 16 pads

Injection Position (PAD/10 steps)

Medipix PAD i Medipix PAD i+1Medipix PAD i-1

Delagnes 15/11/07 5

Réponse temporelle simulée

Pad sur lequel le signal est injecté

Pad voisin

Undershoot invisible

Delagnes 15/11/07 6

Pad response fonction

1 pad = 10 units