Upload
trandang
View
227
Download
2
Embed Size (px)
Citation preview
1
RINGKASAN PENELITIAN
Penelitian ini secara umum bertujuan melakukan preparasi dan karakterisasi
sambungan p-n dalam merealisasikan piranti sel surya. Piranti sel surya direalisasikan
dengan dua bahan lapisan tipis yang masing- masing polikristalin. Realisasi Sel surya
tersebut dirancang menggunakan teknik sambungan dua semikonduktor lapisan tipis SnSe
yang memiliki tipe p dan lapisan tipis kedua adalah SnS atau CdS yang memiliki jenis
pembawa muatan tipe n. Pada penelitian tahun pertama ini target khusus penelitian ini
adalah berupa preparasi dan karakterisasi lapisan tipis SnSe dan SnS dengan teknik
evaporasi termal. Riset ini dilakukan atas dasar pengalaman riset sebelumnya yaitu telah
berhasil melakukan hal yang sama pada lapisan tipis Cd(Se,S). Karakterisasi yang
dilakukan pada penelitian ini meliputi sifat- sifat listrik, sifat- sifat optik, struktur Kristal
yang terbentuk pada lapisan tipis dan komposisi kimia serta merfologi permukaan bahan.
Sifat- sifat listrik dan optik tersebut menjadi informasi penting dalam terapan bahan pada
teknologi yang sesuai misalnya pada sel surya.
Preparasi bahan semikonduktor lapisan tipis yang dihasilkan pertama- tama dari
bentuk paduan SnSe dan SnS. Seperti telah disebutkan bahwa, penelitian ini lebih
difokuskan pada studi material dalam bentuk lapisan tipis kedua bahan tersebut. Oleh
karena itu sampel hasil preparasi selanjutnya dilakukan karakterisasi untuk mengetahui
sifat fisis dari bahan tersebut. Pertama- tama Struktur kristal dan parameter kristal akan
ditentukan menggunakan sinar-X yang dikenakan pada sampel, kemudian sinar mengalami
difraksi sehingga teknik pengukuran ini dikenal dengan sebutan Difraksi Sinar- X (X - Ray
Difraction (XRD). Selanjutnya sifat sifat optik yang dalam hal ini adalah lebar bandgap
setiap sampel ditentukan dengan UV- VIS Spektroscopi dan sifat- sifat listrik kedua bahan
yang dalam hal ini konduktivitas akan diketahui dengan teknik empat probe. Berikutnya
komposisi kimia lapisan tipis akan ditentukan dengan teknik Energy Dispersive Analysis of
X- Ray (EDAX) yang terintegrasi dengan teknik Scanning Electron Microscop (SEM) untuk
menentukan bentuk morfologi permukaan sampel.
Hasil karakterisasi tersebut menunjukkan bahwa lapisan SnSe dan SnS berbentuk
polikristalin mengikuti system ortorombik dengan parameter kisi masing- masing a= 11,47
Å, b= 4,152 Å dan c = 4,439 Å untuk SnSe dan a= 4,317 Å , b= 11,647 Å dan c = 3,981
Å untuk SnS. Selanjutnya bandgap (Eg) baik SnSe maupun SnS ditentukan dengan UV-
VIS Spectroscopy memberikan hasil sebesar 2,58 eV untuk SnSe dan 2,9 eV untuk SnS.
Komposisi Kimia yang telah ditentukan dengan Energy Dispersive analysis of X- Ray dan
menghasilkan paduan non stoichiometri dengan komposiis kimia berturu- turut Sn : Se
adalah 1;0,97 dan Sn : S adalah 1:0,85. Morfologi permukaan menggambarkan ukuran
butir (grain) kristal pada lapisan tipis tersebut dan hasilnya tampak jelas berkisar antara 0,2
sampai 0,5 mikron. Temuan mengenai kuantitas fisis sangat diperlukan sehingga dapat
diketahui bagaimana aplikasi bahan SnSe dan SnS pada teknologi khususnya pada sel
surya berbasis selain silikon. Oleh karena itulah dapat dikatakan bahwa penelitian ini masih
merupakan penelitian dasar yang membuthkan penelitian lanjutan untuk merealisasikan sel
surya.
2
BAB 1. PENDAHULUAN
Dewasa ini kebutuhan manusia dalam hal energi listrik terus mengalami peningkatan
karena tuntutan penggunaan piranti- piranti di era kemajuan teknologi. Dalam era
kemajuan teknologi ini memungkinkan manusia dapat memilih sumber energi listrik mana
yang akan dikembangkan sesuai dengan tuntutan kehidupannya. Sebagai gambaran dewasa
ini riset mengenai energi terbarukan menjadi sangat intensif mengingat sumber daya
konvensional terutama bahan bakar minyak yang sumber dayanya semakin menipis.
Disamping itu sumber energi jenis ini menimbulkan problem polusi udara yang harus
dihindari dalam kehidupan modern sekarang ini. Salah satu sumber energi terbarukan yang
harus dikembangkan terutama di Indonesia adalah konversi energi surya menjadi energi
listrik. Sudah sangat paham bahwa untuk itu diperlukan sebuah piranti yang disebut sel
surya yang karena efek fotovoltaik sel surya tersebut dapat mengubah energi surya secara
langsung menjadi energi listrik.
Sel surya merupakan sebuah piranti terdiri dari sambungan dua bahan semikonduktor
dengan tipe konduktivitas berbeda. Jika dua buah semikonduktor tipe p dan tipe n
disambungkan dalam rekayasa fisika dapat dihasilkan sel surya. Banyak bahan
semikonduktor yang dapat dijadikan sebagai bahan sel surya. Namun dalam penelitian
akan dilakukan studi bahan semikonduktor tipe p/n yaitu Sn(Se,S) yang sangat promotif
menjadi bahan sel surya. Ketertarikan para peneliti untuk meneliti bahan ini disebabkan
karena telah diketahui energi gap bahan sebesar 1,3 eV untuk SnS (O.E Ogah,2008) dan
1,92 eV untuk SnSe (N.Kumar, 2011), merupakan energi gap yang sesuai dengan spektrum
energi surya, karena nilai tersebut diantara nilai energi dimana efisiensi konversi energi
surya teoritis mencapai puncaknya yaitu pada 1,5 eV (A. Goetzberger, 2000).
Setelah melakukan riset ini dapat ditunjukkan bahwa riset ini tetap penting dilakukan
karena pertimbangan berikut ini.
- Pertama, masih diperlukanya data- data semikonduktor untuk meningkatkan efisiensi
konversi sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se), yaitu bahan sel surya selain silikon.
- Kedua, keberhasilan penelitian ini akan menjadi dasar penelitian lebih lanjut dalam
merealisasikan peningkatan efisiensi konversi sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se,Te)
dengan teknik evaporasi.
- Ketiga, keberhasilan penelitian ini akan mendorong pada penelitian lanjutan yaitu realisasi
sel surya berbasis Sn(Se,S)/Cd(S,Se,Te) yang selaras dengan RIP UNY dalam bidang energy
baru dan terbarukan.
3
- Keempat, penelitian ini telah memberikan kontribusi kepada 2 (dua) mahasiswa tingkat
sarjana (S1) dalam menyelesaikan tugas akhir studinya. Tidak menutup kemungkinan
membantu mahasiswa program S2 bidang Fisika di seluruh Indonesia yang ingin membuat
tugas akhir/skripsi dalam bidang Fisika Material khususnya semikonduktor sel surya.
BAB 2. TINJAUAN PUSTAKA
Sesuai dengan tujuan penelitian ialah menentukan struktur Kristal, sifat- sifat optic
dalam bentuk energi gap, serta sifat- sifat listrik dalam hal rapat pembawa muatan dan
konduktivitas listrik bahan semikonduktor lapisan tipis SnSe dan SnS . Penelitian ini
sangat penting dilakukan, oleh karena bahan tersebut sangat promotif dalam aplikasi
material dalam teknologi sel surya (S.S. Hegde, 2011). Bahan SnS dan SnSe memiliki
efisiensi konversi yang layak untuk diteliti mengingat besarnya absorbsi yang sesuai
dengan celah energi yang dimiliki sebesar 1.3 eV- 1,92 eV. Disamping itu keunggulan
yang dimiliki kedua bahan ini telah banyak diketahui merupakan bahan semikonduktor
yang memiliki stabilitas yang sangat bagus, dan yang terpenting adalah proses
pembuatannya dapat didanai dalam orde laboratorium..
Studi awal realissi sel surya berbasis SnS telah dilakukan oleh . A. Akkari, (2010) dan
SnSe oleh N.A Okereke (2010) yang menunjukkan bahwa material ini terus menjadi pusat
perhatian para peneliti sebagaimana bahan promotif yang lain seperti Cu(In,Ga)Se2.
Sementara itu telah dipahami bahwa kualitas sel surya ditentukan oleh kemampuan sel
surya tersebut menkonversi energi surya langsung menjadi energi listrik.
Sel surya tersebut merupakan persambungan (junction) yang kualitas persambungan
ditentukan oleh kesesuaian konstanta kisi (a
a 0.01) ( G. Hanna, 2001), sedangkan
efisiensi energi surya salah satunya tergantung pada energi gap (A. Goetzberger,2000).
A. Goetzberger telah menemukan hubungan antara efisiensi konversi energi matahari
sebagai fungsi dari energi gap bahan seperti ditunjukkan pada gambar 1.
4
Gambar 1. Efisiensi konversi energi surya sebagai fungsi dari energi gap (A.
Goetzberger, 2000)
Studi tentang besarnya efisiensi konversi sebagai fungsi dari energi gap (gambar1),
meyakinkan pada para peneliti bahwa semikonduktor Sn(Se,S) merupakan bahan yang
sangat promotif untuk sel surya karena energy gap kedua material memiliki efisisensi
konversi yang dekat dengan nilai efisiensi teoritis maksimal. Penelitian yang telah
dilakukan sebatas pada bahan SnS lapisan tipis dengan teknik Close Spaced Vapor transpot
(Yanuar, 2001), penentuan mikrostruktur pada SnS dan sifat- sifat listrik bahan SnSe (Katy
Hartman,2011), sedangkan pada system Sn(S,Se) dengan teknik evaporasi vakum belum
banyak informasi yang diperoleh dari para peneliti Fisika Material.
Penentuan Struktur Kristal
Bahan padat merupakan zat yang tersusun oleh atom-atom, ion-ion, atau molekul-
molekul yang sangat berdekatan dan ikatannya membentuk padatan. Zat padat memiliki
beberapa sifat antara lain memiliki volum dan bentuk tetap, jarak antar partikel sangat
rapat, gerak partikel tetap dan gaya tarik antar partikel sangat kuat. Zat padat juga
cenderung mempertahankan bentuknya ketika gaya luar mempengaruhinya. Dilihat dari
struktur atom penyusunnya, zat padat dibedakan menjadi tiga yaitu kristal tunggal
(monocrystal), polikristal (polycrystal), dan amorf. Kristal tunggal (monocrystal)
merupakan suatu zat padat yang memiliki susunan atom atau molekul yang teratur, dimana
(
Energi gap
( eV)
5
keteraturannya dalam pola tiga dimensi dan berulang secara periodik dalam rentang yang
panjang tak berhingga. Polikristal didefinisikan sebagai kumpulan dari kristal-kristal yang
memiliki ukuran terbatas dan saling menumpuk yang membentuk benda padat. Amorf
memiliki pola susunan atom-atom, ion-ion atau molekul-molekul yang tidak teratur dengan
jangka yang pendek. Amorf bisa saja terbentuk karena proses pendinginan yang terlalu
cepat sehingga atom-atom tidak dapat dengan tepat menempati lokasi kisinya.
Penentuan struktur krital di atas dapat dilakukan dengan difraksi sinar-X. Sinar-X
monokromatis dengan panjang gelombang berorde beberapa angstrom yang dilewatkan
pada suatu bahan maka akan terjadi beberapa fenomena yaitu penyerapan (absorbsi) dan
penghamburan (scaterring) berkas sinar oleh atom-atom dalam bahan tersebut. Berkas
sinar- X yang jatuh dihamburkan ke segala arah, akan tetapi karena keteraturan letak atom-
atom, pada arah-arah tertentu gelombang hambur menjadi gelombang yang terdefraksikan
dan akan mengalami interferensi konstruktif (penguatan), sedang yang lainnya akan
mengalami interferensi deskruktif (saling menghilangkan).
Seberkas sinar-X terarah jatuh pada kristal dengan sudut θ dan sebuah detektor
diletakkan untuk mencatat sinar yang sudut defraksinya sebesar 2θ. Ketika 2θ diubah,
detektor akan mencatat puncak intensitas yang bersesuaian dengan orde-n yang
divisualisasikan dalam bentuk difraktogram. Menurut Bragg berkas yang terdifraksi oleh
kristal terjadi jika pemantulan oleh bidang sejajar atom menghasilkan interferensi
konstruktif. Pemantulan sinar-X oleh sekelompok bidang paralel dalam kristal pada
hakekatnya merupakan gambaran dari difraksi atom-atom kristal, seperti terlihat pada
Gambar 2. Arah difraksi sangat ditentukan oleh geometri kisi yang sangat bergantung pada
orientasi dan jarak antar bidang Kristal. Seberkas sinar mengenai kisi pada atom A dan di
atom B pada bidang
Selanjutnya seperti yang ditunjukkan pada gambar 2, bila Jarak antara bidang kisi
adalah d, sedangkan sudut datang pada bidang kristal tertentu adalah yaitu merupakan
sudut difraksi. Berkas-berkas sinar x tersebut mempunyai panjang gelombang λ, maka
detektor akan mencacah berkas difraksi sinar x yang maksimum ketika berkas- berkas sinar
x itu memenuhi hukum Bragg, yaitu
2 d sin = λ (1)
6
Gambar 2. Difraksi sinar- X dalam penurunan Hukum Bragg
Sementara itu untuk struktur ortorombik jarak antar bidang kristal d memenuhi persamaan
(2)
Dari persamaan (1) dan (2) dapat ditentukan parameter kisi a, b, c, dengan cara
menyatukan dua persaman di atas dan diperoleh (disebut metode analitik):
( C. Suryanarayana and M. Grant Norton, 1998).
(3)
dengan
Scanning Electron Microscopy (SEM)
Karakterisasi SEM digunakan untuk melihat struktur morfologi permukaan, ukuran butiran,
cacat struktural, dan komposisi pencemaran suatu bahan. Hasil yang didapatkan dari
karakterisasi ini dapat dilihat secara langsung pada hasil SEM yaitu berupa Scanning Electron
Micrograph yang menyajikan gambar atau foto. SEM digunakan untuk mempelajari struktur
permukaan objek, yang secara umum diperbesar antara 1.000-40.000 kali. SEM merupakan jenis
mikroskop elektron yang gambar sampelnya diperoleh dari pembacaan menggunakan berkas
electron datang yang kemudian menghasilkan elektron sekunder.
Seperti telah dijelaskan bahwa prinsip kerja SEM adalah munculnya elektrom sekunder
ketika sampel ditumbuk oleh berkas elektron datang. Hasilnya berupa foto- foto yang merupakan
citra yang terjadinya elektron sekunder tersebut. Scanning pada permukaan bahan yang
dikehendaki dapat dilakukan dengan mengatur scanning generator dan scanning coils. Elektron
sekunder hasil interaksi antara berkas electron datang dengan permukaan bahan ditangkap oleh
detector kemudian diubah menjadi sinyal listrik. Sinyal listrik ini diperkuat oleh penguat
(amplifier) yang kemudian divisualisasikan dalam monitor sinar katoda (CRT).
7
EDAX (Energy Dispersive of Analysis X-Ray)
Karakterisasi bahan semikonduktor untuk menentukan komposisi kimia suatu
bahan dapat dilakukan menggunakan Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX).
Sistem analisis EDAX bekerja sebagai fitur yang terintegrasi dengan SEM dan tidak dapat
bekerja tanpa SEM (Scanning Electron Microscopy). Prinsip kerja dari alat ini adalah
menangkap dan mengolah sinyal fluoresensi sinar-X yang keluar apabila berkas electron
mengenai daerah tertentu pada bahan (specimen). Sinar-X tersebut dapat dideteksi dengan
detektor zat padat, sehingga menghasilkan pulsa intensitas yang sebanding dengan panjang
gelombang sinar-X.
Komposisi kimia suatu bahan dapat diketahui dengan melihat interaksi yang terjadi ketika
specimen dikenai berkas electron datang. Berkas elektron yang mengenai specimen akan
menghasilkan sejumlah energy dalam bentuk sinar-X yang akan diterima oleh detektor
kemudian diproses melalui MCA (Multi Channel Analizer), ADC (Analog To Digital
Converter), interface selanjutnya diproses dalam komputer yang menampilkan output
dalam bentuk spektrum berupa plot yang menggambarkan seberapa intensitas sinar-X
diterima untuk setiap level energi. Spektrum pada EDAX menunjukkan hubungan dengan
puncak tingkat energi dari sinar-X yang diterima. Puncak energi adalah unik untuk setiap
atom yang menunjukkan elemen tertentu, sehingga pada energy tertentu dimana
menghasilkan intesitas maka dapat diketaui atom apa yang terdapat pada sampel.
Sementara intu tinggi pulsa pada sinar x yang terjadi menggambarkan berapa konsentrasi
atom tersebut pada sampel.
BAB 3. METODE PENELITIAN
Bahan yang diperlukan untuk preparasi paduan masif adalah Tin Sulfida (SnS) dan Tin
Selenida (SnSe) masing- masing memiliki derajat kemurnian 99.99 %. Penelitian ini
dibedakan dalam tiga langkah :
- Pertama, preparasi lapisan tipis dengan teknik vakum evaporasi, dengan skema preparasi
seperti tampak pada gambar 3.
8
Gambar 3. Skema teknik Evaporasi
Sistem evaporasi terbuat dari tabung kuarsa diameter 30 cm ditempatkan di atas sistem
vakum yang terdiri dari pompa primer dan pompa sekunder. Sumber adalah paduan SnS dan
SnSe terlebih dulu digerus sehingga berbentuk serbuk. Serbuk ditempatkan pada cawan
pemanasan sumber berbentuk perahu yang bisa dipanaskan sampai suhu diatas 1500o C
terbuat dari bahan Molybdenum (Mo). Suhu cawan tersebut dapat diketahui menggunakan
termokopel. Antara sumber dan substrat dipisahkan oleh suatu pemisah yang jaraknya dapat
divariasi namun dalam penelitian ini dipilih pada nilai 15 cm. Sementara itu di sekitar
substrat dipasang pemanas substrat karena kristalisasi lapisan tipis akan terjadi dengan suhu
substrat di atas 300oC (A. Zouaoui, 1999). Variasi suhu substrat juga dilakukan pada
peelitian ini yaitu pada kisaran antara tanpa pemanas substrat sampai suhu mencapai 500oC.
Kelebihan teknik ini adalah bahwa hasil lapisan tipis memiliki komposisi dan struktur yang
mirip/ sama dengan sumber target paduan masifnya dan tekanan kerja berorde 10-6
Torr,
sehingga tekanan sebesar itu dapat dicapai dengan menggunakan pompa primer dan
sekunder.
- Kedua, karakterisasi massif dan lapisan tipis yang meliputi :
1. X-Ray Difraction (XRD), untuk menentukan struktur dan parameter kisi (a, b dan c).
Penentuan parameter kisi dihitung dengan metode Analitis, sehingga dihasilkan
perhitungan yang akurat. Prinsip metode analitis adalah perhitungan parameter kisi
Catu
Daya
Pompa
Primer Pompa
Sekunder
Tabung vakum
yang di dalamnya
terdapat target
dan substrat
9
dilakukan dengan melibatkan seluruh bidang (hkl) dari hasil difraksi sinar X, sehingga
hasil perhitungan tersebut memenuhi seluruh puncak - puncak difraksi. Hal ini jelas
memungkinkan interpretasi hasil XRD menggambarkan material yang riil terjadi dalam
preparasi bahan.
2. Karakterisasi lainnya adalah Energy Dispersive Analysis of X- Ray (EDAX) dapat
memastikan senyawa yang terbentuk pada lapisan tipis dengan komposisi yang
direncanakan sesuai dengan bahan masifnya.
3. Sedangkan untuk mengetahui bagaimana ukuran grain yang terbentuk pada lapisan tipis
digunakan Scanning Electronic Microscopy (SEM). SEM mampu memperbesar sampai
40.000 kali, sehingga dapat diketahui pula tingkat homogenitas sampel.
4. UV- VIS Spektroscopy yang hasilnya berupa Spektrum Absorbansi dan Transmitansi
sebagai fungsi panjang gelombang (energi) foton yang dikenakan pada bahan khususnya
lapisan tipis. Data ini dapat digunakan untuk menentukan bagaimana tanggap bahan
terhadap energi foton yang dikenakan dan selanjutnya dengan data tersebut dapat
ditentukan lebar bandgap bahan hasil preparasi penelitian.
5. Resistivitas atau konduktivitas ditentukan dengan menggunakan metode empat probe
karakterisasi ini dapat dilakukan di BATAN Yogyakarta
BAB 4. HASIL DAN PEMBAHASAN
A. PREPARASI SAMPEL
Preparasi sampel telah selesai dilakukan dengan teknik Evaporasi vakum yaitu menyangkut
pengambilan beberapa variable berikut ini. Variable kontrol meliputi tekanan vakum,
massa bahan, dan temperature sumber (cawan) dan jarak antara cawan dan substrat.
Sedangkan variabel bebas dalam penelitian ini yaitu variasi temperature substrat yaitu
dengan memiilih empat variasi antara tanpa pemanas substrat sampai temperature 500oC .
Perlakuan tersebut untuk menentukan variable terikat yaitu struktur dan kualitas kristalisasi
lapisan tipis SnSe dan SnS.
10
B. KARAKTERISASI STRUKTUR
Hasil XRD Lapisan Tipis SnSe
Seperti telah disebutkan di atas XRD (X-Ray Diffraction) dapat digunakan untuk
mengetahui parameter kisi dan struktur kristal lapisan tipis SnSe dan SnS. Karakterisasi
XRD ini menggunakan sumber Cu yang memiliki panjang gelombang Cu (K) sebesar
1,54060 Å. Data yang diperoleh dari analisis XRD berupa difraktogram yaitu grafik
hubungan antara intensitas (I) puncak spektrum dan sudut difraksi (2θ). Difraktogram
menunjukkan puncak-puncak spektrum yang muncul pada sampel. Setelah menganalisis
XRD maka dapat diketahui jarak antara bidang hkl (dhkl). Pola difraksi yang terbentuk dari
sampel penelitian selanjutnya dibandingkan dengan data pada JCPDS (Join Committee on
Powder of Diffraction Standard) sehingga dapat ditentukan indeks miller pada puncak
difraksi yang terbentuk. Perhitungan parameter secara manual juga dapat dilakukan setelah
struktur kristal diketahui. Berikut beberapa gambar grafik yang merupakan difraktogram
dari tiap sampel penelitian dengan bantuan software Microcal Origin. Sedangkan mesin
XRD yang digunakan bermerk Miniflex 600 Rigaku.
Hasil-hasil empat sampel yang diperoleh dengan melakukan variasi suhu substrat
ditunjukkan pada gambar 4 . berikut ini.
(a). SnSe, suhu substrat 250oC
Meas. data:Sampel I 250 C/Data 1
BG data:Sampel I 250 C/Data 1
Calc. data:Sampel I 250 C/Data 1
2-theta (deg)
Inte
nsi
ty (
cou
nts
)
20 40 60 80
0
500
1000
1500
2000
11
(b). SnSe, pada suhu substrat 350oC
( c).SnSe, pada suhu substrat 500oC
Meas. data:Sampel sn seII 350C/Data 1
BG data:Sampel sn seII 350C/Data 1
Calc. data:Sampel sn seII 350C/Data 1
2-theta (deg)
Inte
nsity
(co
un
ts)
20 40 60 80
0
100
200
300
400
500
600
Meas. data:Sn se III 500C/Data 1
BG data:Sn se III 500C/Data 1
Calc. data:Sn se III 500C/Data 1
2-theta (deg)
Inte
nsity (
co
un
ts)
20 40 60 80
0
500
1000
1500
2000
2500
12
( d) SnSe, pada tanpa pemanas substrat
Gambar 4.. Hasil XRD sampel SnSe dengan temperatut substrat berbeda
Meas. data:Sn Se IV TP/Data 1
BG data:Sn Se IV TP/Data 1
Calc. data:Sn Se IV TP/Data 1
2-theta (deg)
Inte
nsity (
co
un
ts)
20 40 60 80
0
500
1000
1500
13
Puncak- puncak difraksi SnSe dicocokkan dengan data JCPDS kemudian diperoleh
puncak- puncak difrkasi dan dapat ditunjukkan dalam table 1 berikut ini.
Tabel 1. Hasil XRD sampel Lapisan Tipis SnSe dengan variasi suhu substrat.
No. Sampel SnSe ke
I (250oC) II (350
oC)
2 Int. hkl 2 Int. hkl
1. 29,40 21 011 - - -
2. 30,45 100 111 30,42 100 111
3. - - - 31,40 52 400
4. 37,71 6 311 - - -
5. 43,49 9 020 - - -
6. - - - 38,70 13 410
7. 47,11 2 112 44,34 5 501
III (500oC) IV (Kamar)
2 Int. hkl 2 Int. hkl
1 - - - 29,43 22 011
2 30,59 100 111 30,50 100 111
3 31,16 52 400 - - -
4 37,87 5 311 - - -
5 43,56 12 020 43,57 14 020
Parameter kisi Kristal dihitung dengan persamaan 3 dan diperoleh bahwa bahan SnSe
lapisan tipis merupakan Kristal dengan mengikuti system orthorombik dengan parameter
kisi Kristal masing- masing sampel ditunjukkan pada table berikut ini.
14
Tabel 2. Parameter kisis kristal SnSe hasil preparasi dengan beberapa temperatur substrat.
Parameter
kisi
(Å)
Sampel
1
250°C
Sampel
2
350°C
Sampel
3
500°C
Sampel 4
Tanpa
Pemanas
Substrat
JCPDS
a 11,7 11,384 11,47 11,32 11,49
b 4,158 4,042 4,152 4,151 4,153
c 4,442 4,608 4,439 4,439 4,440
Berdasarkan perhitungan dan distribusi nilai sudut difraksi tampak bahwa bidang yang
memberikan intensitas tertinggi pada bidang 111 untuk semua sampel dan nilai parameter
kisi hampir sama. Namun demikian dalam riset berikutnya tentu akan dipilih variable
preparasi bahan dengan suhu substrat 500oC mengingat hasil perhitungan sangat dekat
dengan hasil pada JCPDS.
Identik dengan pengukuran pada SnSe, sampel SnS dikarakterisasi dengan XRD
dengan peralatan yang sama hasilnya ditunjuukan pada gambar 5 berikut ini.
(a). SnS pad suhu substrat 200oC
15
(b). SnS pada suhu substrat 300oC
(c ). SnS, pada suhu substrat 450oC
16
(d). SnS pada tanpa pemanas
Gambar 5. Hasil XRD sampel SnS hasil preparasi dengan teknik evaporasi termal dengan
temperature substrat berbeda- beda.
Seperti halnya SnSe, puncak- puncak difraksi SnS dapat dinyataakan daam table 2 berikut ini.
Tabel 2. Hasil XRD SnS
No. Sampel SnSe ke
I (200oC) II (300
oC)
2 Int. hkl 2 Int. hkl
1 27,36 100 021 26,76 5 120
2 30,52 53 101 28,08 69 021
3 31,49 87 111 31,14 63 111
4 38,89 15 131 32,18 100 040
5 45,26 34 002 39,62 9 131
6 51.02 40 211 49,29 3 211
7 53,01 67 122 51,75 9 151
8 56,47 43 042 53,78 19 160
9 63,97 11 202 57,30 16 042
10 75,07 32 113 64,60 7 251
17
No. Sampel SnS ke
III (450oC) IV (Kamar)
2 Int. hkl 2 Int. hkl
1. 26,60 72 120 26,0 67 120
2. 28,24 100 021 27,46 70 021
3. 32,51 20 040 31,52 100 111
4. 39,78 13 131 31,97 69 040
5. 57,35 21 042 45,51 26 002
6. 59,94 7 250 48,53 27 211
Identik dengan perhitungan pada SnSe di atas, parameter kisi Kristal dihitung dengan
persamaan 3 dan diperoleh bahwa bahan SnSe lapisan tipis merupakan Kristal dengan mengikuti
system orthorombik dengan parameter kisi Kristal masing- masing sampel ditunjukkan pada
table 3 berikut ini.
Tabel 3. Hasil perhitungan parameter kisi SnS klapisan tipis hasil preparasi teknik
Evaporasi Vakum.
Param
eter
kisi
(A)
Sampel I
Suhu
Substrat
200oC
Sampel II
Suhu Substrat
300oC
Sampel III
Suhu
Substrat
450oC
Sampel IV
Tanpa
Pemanas
Substrat
JCPDS
a 4,317 4,226 4,321 4,203 4,334
b 11,647 11,165 11,007 11,070 11,200
c 3,981 4,870 3,064 4,169 3,987
18
Berdasarkan perhitungan dan distribusi nilai sudut difraksi tampak bahwa bidang yang
memberikan intensitas tertinggi pada bidang 021 pada temperature substrat 200oC dan 450
oc,
namun berubah pada bidang 040 pada suhu substrat 300oC dan tanpa pemanas substrat. Semua
sampel dan nilai parameter kisi hampir sama. Namun demikian dalam riset berikutnya tentu akan
dipilih variable preaparsi bahan dengan suhu substrat antar 200oC dan 300
oC mengingat hasil
perhitungan sangat dekat dengan hasil pada JCPDS.
C. KARAKTERISASI SEM DAN EDAX
HASIL SEM dan EDAX PADA SAMPEL SnSe
Riset ini dilakukan dengan variasi temperature substrat pada variable kontrol tekanan operasi,
massa bahan, temperature sumber (cawan), jarak antara sumebr dan substrat. Namun demikian
mengingat keterbatasan yang ada karakterisasi SEM hanya dilakukan pada satu sampel yaitu atas
pertimbangan hasil karakterisasi XRD.
Scanning Electron Microscopy (SEM) merupakan instrumen yang digunakan untuk
mengetahui morfologi permukaan lapisan tipis SnSe. Bentuk morfologi dari permukaan lapisan
tipis SnSe diperoleh dari penangkapan dan pengolahan electron sekunder yang dipancarkan oleh
lapisan tipis tersebut. Hasil dari karakterisasi SEM berupa foto permukaan suatu kristal yang
terbentuk. Pada karakterisasi dengan menggunakan SEM ini, sampel lapisan tipis yang dianalisis
adalah sampel dengan suhu substrat 500°C. Pemilihan sampel ini karena sampel ini memiki
tingkat keteraturan atom pada kristal yang paling baik dan nilai parameter kisinya yang paling
mendekati dengan data standar JCPDS dibanding sampel lainnya. Morfologi permukaan hasil
karakterisasi sampel SnSe dengan perbesaran 40.000 kali dan 10.000 kali serta komposisi kimia
EDAX ditunjukkan pada Gambar 6 berikut ini.
19
(a) . SEM ( 40.000 x)
(b). SEM SnSe (30.000 x)
(c).EDAX lapisan tipis SnSe
20
Gambar 6. Hasil SEM dan EDAX sampel SnSe
(a). Hasil SEM dengan perbesaran 40.000 kali. (b) Perbesaran 30.000 kali dan (c ). Hasil
EDAX berupa Komposisi Kimia sampel SnSe
21
Berdasarkan foto yang dihasilkan dari karakterisasi SEM pada Gambar 6 dapat diketahui
homogenitas dari kristal lapisan tipis SnSe yang terbentuk. Pada gambar terlihat bahwa struktur
sampel berupa butiran butiran (grain) yang berbentuk balok dan bersiku yang tersebar secara
teratur dan sesuai dengan struktur kristal orthorombik yang memiliki sumbu saling tegak lurus
dan memiliki salah satu parameter yang panjang. Dari hasil karakterisasi SEM terlihat bahwa
semakin diperbesar ukuran foto, maka semakin tampak butiran kristal yang terdapat dalam
lapisan tipis SnSe yang terbentuk sehingga dapat diketahui ukuran grain (butiran) sekitar 0,1-
0,5μm dengan homogenitas bahan yang ditandai dengan warna yang seragam pada permukaan
lapisan.
Karakterisasi dengan menggunakan Energy Dispersive of Analysis X-Ray (EDAX)
dilakukan untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis SnSe hasil preparasi dengan teknik
evaporasi vakum. EDAX bekerja sebagai fitur yang terintegrasi dengan SEM dan tidak dapat
bekerja tanpa SEM karena perangkat EDAX menjadi satu dengan perangkat SEM. Sampel yang
dianalisi dengan menggunakan EDAX sama dengan sampel yang dianalisis menggunakan SEM
yaitu sampel 3 dengan suhu 500°C. Pemilihan sampel 3 untuk di karakterisasi dengan EDAX
karena sampel 3 mempunyai nilai parameter kisi yang paling mendekati dengan standar JCPDS
dan mempunyai keteraturan atom yang paling baik. Hasil analisis EDAX berupa spektrum
hubungan antara energi dengan intensitas yang dihasilkan dari penembakan berkas elektron pada
sampel. Dari hasil pengujian EDAX terdapat dua hasil yang ditampilkan yaitu analisa kualitatif
dan analisa kuantitatif. Analisa kualitatif digunakan untuk menentukan jenis unsur yang ada pada
sampel. Pada analisa ini akan muncul puncak-puncak energi pada kurva yang telah dianalisis.
Sedangkan analisa kuantitatif digunakan untuk mengetahui komposisi unsur-unsur penyusun
material yang telah dianalisis. Dari analisa kuantitatif ini akan ditampilkan unsur-unsur yang
teridentifikasi lengkap dengan persentase massa dan persentase atomik. Berdasarkan teori
perbandingan presentase atomik Sn dan Se adalah 50% : 50%, dan perbandingan mol Sn dan Se
adalah 1 : 1. Hasil karakterisasi EDAX lapisan tipis SnSe ditunjukkan pada gambar 6 di atas..
Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX untuk lapisan tipis SnSe yang ditunjukkan dapat diketahui
bahawa preparasi lapisan tipis SnSe mengandung unsur Tin (Sn) dan Selenium (Se). Adapun
perbandingan presentase komposisi kimia bahan dasarnya, yaitu Sn dan dan Se adalah 50,82% :
49,18%. Persentase komposisi kimia dan mol suatu unsur merupakan perbandingan yang
berdasarkan presentase atomiknya, karena nilai mol berkaitan dengan jumlah partikel atau atom
pada suatu unsur.
Berdasarkan hasil penentuan EDAX, dapat dilihat bahwa komposisi unsur lapisan tipis
SnSe memiliki perbandingan mol sebesar 1 : 0,97. Perbandingan mol unsur ini sedikit
22
menyimpang secara teori yaitu 1 :1. Hasil karakterisasi dengan EDAX menunjukkan bahwa
komposisi kimia lapisan tipis SnSe yang terbentuk hasilnya hampir sama dengan teori.
SEM dan EDAX sampel SnS
Seperti telah disebutkan di atas bahwa SEM merupakan instrumen yang digunakan untuk
mengetahui morfologi permukaan lapisan tipis SnS. Karakterisasi yang dihasilkan dari SEM
berupa foto permukaan dari kristal yang terbentuk. Pada penelitian ini, lapisan tipis yang
dianalisis dengan SEM adalah sampel 4 dengan suhu substrat 450˚C. Pemilihan sampel ini
dikarenakan dilihat dari hasil perbandingan secara fisik dan hasil analisis data XRD pada suhu
450˚C memiliki suhu tertinggi dibanding dengan sampel yang lain. Dari foto yang dihasilkan
dengan alat SEM dapat diketahui homogenitas dari lapisan tipis SnS yang terbentuk. Gambar 4
berikut menunjukkan hasil karakterisasi sampel dengan perbesaran 30.000x dan 40.000x.
Selanjutnya EDAX merupakan instrumen yang digunakan untuk mengetahui komposisi
kimia lapisan tipis SnS yang terbentuk. Hasil analisis EDAX berupa spektrum yang
menunjukkan grafik hubungan antara intensitas dengan energi yang menyatakan hasil spektrum
energi snar-X karakteristik dari bahan sampel yang dikarakterisasi. Pada penelitian ini, lapisan
tipis SnS yang dianalisis dengan EDAX adalah sampel 4 dengan suhu substrat 450˚C karena
perangkat EDAX bekerja secara terintegritas dengan SEM. Hasil EDAX berupa spektrum yang
menunjukkan hubungan antara energi dan intensitas yang menyatakan hasil spektrum energi
sinar-X karakteristik dari bahan yang dikarakterisasi. Berdasarkan hasil karakterisasi EDAX
dapat berupa spektrum yang menunjukkan hubungan antara energi dan intensitas. Spektrum
terjadi sebagai akibat dari penembakan berkas elektron pada target, sehingga atom-atom pada
target mengalami ionisasi dan atau eksitasi. Hal tersebut menyebabkan atom-atom menjadi tidak
stabil. Untuk menjadi kembali stabil, maka sejumlah energy dilepas agar elektron dapat kembali
pada keadaan dasar atau groundstate. Elektron yang berada tingkat energi lebih tinggi akan
melakukan transisi ke tingkat energi yang berada di bawahnya. Pada saat transisi elektron akan
melepaskan energi dalam bentuk sinar-X yang akan ditangkap oleh detector dan ditampilkan
dalam bentuk spektrum. Gambar 7 merupakan hasilkarakterisasi EDAX lapisan tipis SnS pada
sampel 4 dengan suhu 450oC.
23
(a). SEM SnS (40.000 x)
(b). SEM SnS
( c). EDS SnS (30.000 x)
24
Gambar 7. Hasil SEM dan EDAX sampel SnS
(a). Hasil SEM dengan perbesaran 40.000 kali. (b) Perbesaran 10.000 kali dan (c ). Hasil
EDAX berupa Komposisi Kimia sampel SnSe
25
Berdasarkan foto SEM pada Gambar 7, foto yang dihasilkan terlihat butiran (grain) yang
berbentuk balok bersiku dengan ukuran 0,1-0,5 μm. Hal ini sesuai dengan struktur kristal
orthorombik yaitu memiliki salah satu parameter kisi yang panjang dimana a≠b≠c. Terlihat
juga homogenitas pada permukaan yang terbentuk. Homogenitas ini ditunjukkan dari bentuk dan
warna kristal yang hampir seragam.
Berdasarkan gambar 7 tersebut juga dapat diketahui bahwa preparasi lapisan tipis SnS
mengandung unsur Sn (Stannum/Tin) dan S (Sulfur). Adapun persentase komposisi kimia unsur
penyusunnya, yaitu unsur Sn = 55% dan S = 45%. Perbandingan mol unsur Sn dan S dapat
dilihat bahwa komposisi unsur lapisan tipis SnS memiliki perbandingan molaritas 1 : 0,8.
Sedangkan perbandingan mol secara teori adalah 1 : 1. Hasil karakterisasi EDAX menunjukkan
bahwa hasil komposisi kimia ada perbedaan dibandingkan dengan teori namun telah muncul fase
SnS dengan penyimpangan yang tidak terlalu besar. Tetapi ada perbedaan perbandingan mol
pada unsur S yang hanya 0,8 sedangkan secara teori yakni 1. Hal ini menunjukkan bahwa sampel
hasil preparasi adalah non stoichiometry. Hal ini disebabkan diantaranya uap atom sulfur yang
bergerak ke atas lebih cepat dibandingkan dengan uap atom Sn, sehingga sangat mungkin uap
atom S tidak sampai menempel ke substrat, karena uap atom S memiliki kecepatan yang tinggi
dan akhirnya terpental dari substrat dan tidak menempel pada substrat.
D. KARAKTERISASI OPTIK
Dalam hal karakterisasi optic riset ini menggunakan UV- VIS spektroskopi dengan renatng
panjang gelombang dari 200 nm sampai dengan 900 nm. Sistem peralatan ini memang belum
sempurna karena tidak bisa menjangkau sampai NIR yaitu panjang gelombang sekitar 4000 nm.
Namun demikian khusus pada bahan SnSe dan SnS dapat dipergunakan mengingat lebar
bandgap kedua material pada rentang panjang gelombang system peralatannya.
Pada pengukurannya peralatan disesuaikan sehingga panjang gelombang diatur dari Ultra
Violet (UV) sampai dengan Visible (VIS). Pada rentang panjang gelombnag tersebut absorbs
dapat terjadi ketika melewati lebar bandgap materialnya. Fenomena yang muncul adalah ketiga
energy di bawah lebar bandgap, maka energy diteruskan sehingga absorbs sangat kecil. Ketika
energy foton sama atau lebih besar dari lebar bandgap maka akan terjadi serapan sehingga
absorbansi A akan naik secara signifikan. Hasil Spektrum Absorbansi sebagai fungsi energy
foton dapat ditunjukkan pada gambar 8 berikut ini.
26
(a). Absorbansi Lapisan Tipis SnSe pada variasi suhu substrat
sebagai fungsi energy foton
(b). ). Absorbansi Lapisan Tipis SnS pada variasi suhu substrat
sebagai fungsi energy foton
Gambar 8. Absorbansi sebagai fungsi panjang gelombang foton
(a). Untuk SnSe dan (b). SnS
27
Hasil eksperimen menunjukkan juga adanya efek interferensi pada lapisan tipis, namun
karena panjang gelombang yang kurang menjangkau sampai panjang gelombang panjang di
sekitar dekat infra merah (keterbatasan system peralatan) efek interferensi belum bisa sebagai
data dalam perhitungan ketebalan lapisan tipis. Berdasarkan data Absorbasi dapat diturunkan
fungsi koefisien serapan dengan melakukan asumsi kontata bebas sehingga pada grafik
dimasukkan sebagai satuan bebas. Oleh karena konstanta- konstanta tersebut tidak berpengaruh
pada bentuk grafik ( hf)2 sebagai fungsi dari energy foton (hf). Hal ini dapat dijelaskan berikut
ini.
Absorbansi A dapat dinyatakan dalam bentuk :
A = log (1/T) = log (exp d) = .d log e = C , dengan C adalah konstanta yang
diturunkan sehingga C= d. log (e ). Dari bentuk terakhir dapat dinyatakan bahwa
sehingga dapat menyatakan keberlakukan persamaan 4 berikut ini.
(H. Sakata, and H. Ogawa, 2000)
(hf )2 = B
2 ( hf – Eg). (4)
Persamaan terkahir inilah yang dipakai untuk ektrapolasi fungsi dimana akhirnya dipeoleh
lebar celah (band gap), yaitu dengan melakukan ektrapolasi dan memilih ketika ( . hf)2 = 0.
Langkah ini akan memperoleh nilai lebar celah pita (Band Gap Eg), karena ketika itu berlaku Eg
= hf, seperti ditampilkan pada gambar berikut ini.
Hasil penelitian ini disampaikan dengan keterbatasan pengukuran absorbansi dengan
panjang gelombang tidak dimulai pada panjang gelombang 900 nm namun pada panjang
gelombnag 800 nm (dengan energi foton sekitar 1,5 eV), sehingga respon spektral muncul pada
panjang gelombang di sekitar 700 nm atau pada energo foton 1,7 eV. Pada material SnSe respon
spektral menunjukkan bahwa serapan mulai naik secara cepat pada energi sekitar 2,3 eV dan
mengalami konstanta pada energi sekitar 3,0 eV, sehingga bandgap bahan SnSe lapisan tipis
nilainya diantara 2,3 eV dan 3,0 eV. Hasilnya tampak pada gambar 9.a yaitu sebesar antara 2,58
eV dan 2,93 eV. Begitu pula pada bahan SnS respon spektral mulai naik secara tajam pada
energi 2,5 eV dan mencapai konstan energi foton sekitar 3,5 eV. Hasil ektrapolasi sesuia dengan
rentang itu yaitu sebesar 2,9 eV. Meskipun bentuk kurva (.hf)2 terhadap energi foton hf berbeda
namun memberikan nilai ektrapolasi yang sama yaitu pada energi 2,9 eV.
28
(a)
Gambar 9. Ektrapolasi untuk material Lapisan Tipis variasi temperatur substrat
(a). Untuk sampel SnSe; dan (b) Sampel SnS
(b)
.
29
Berdasarkan data UV- VIS spektoscopy dapat diperoleh bagaimana bentuk spectrum
absorbansi sebagai fungsi energy foton hf. Bentuk garfik memang sudah menunjukkan adanya
perubahan serapan dari sangat rendah pada energy di bawah lebar bandgap, kemudian naik
secara tajam pada panjang gelombang mendekati panjang gelombang yang sesuai dengan energy
gap (lebar band gap) material yang bersangkutan. Berdasarkan data tersebut dapat dilakukan
ekstrapolasi karena pada fungsi persamaan 4, apabila (. hf)2 = 0, maka memang Eg = hf.Teknik
ekstrapolasi telah memberikan hasil yang berbeda dari peneliti lain yaitu bandgap SnSe dan SnS
berturut- turut sebesar !,76 eV dan 1,3 eV tentu memerlukan analisa dengan karakterisasi lain
yang lebih lengkap.
E. KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK
Hasil karakterisasi dengan teknik empat probe ( Four Point Probe) sifat listrik diukur dengan
FPP 5000 dan hasilnya seperti ditunjukkan pada table berikut ini.
Tabel 4. Hasil pengukuran FPP pada sampel SnSe dengan preparasi pada temperature
berbeda.
a. Tempertur substrat 350oC dengan posisi Tegak
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1 2,660 P
2 2,620 P
3 2,580 P
30
b. Suhu substrat 350oC dengan posisi Melintang
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1 3,420 P
2 2,960 P
3 3,050 P
c. Suhu Substrat 500oC, dengan posisi Tegak
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1 0,181 P
2 0,178 P
3 0,157 P
d. Suhu Substrat 500oC, dengan posisi melintang
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1 0,023 P
2 0,169 P
3 0,177 P
31
Pengukuran FPP pada bahan Sn S untuk berbagai temperature substrat ditunjukkan pada table 5
berikut ini.
Tabel 5. Hasil PPP pada lapisan tipis SnS berbagai temperature substrat.
(a ). Temperatur 300oC, dengan posisi melintang
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1
1,267
N
2
1,537
N
3
1,585
N
b. Temperatur 300oC, dengan posisi tegak
Pengukuran Resistansi (x Ω) Tipe
1
1,899
N
2
1,825
N
3
1,821
N
Berdasarkan pengukuran sifat- sifat listrik dapat diketahui bahwa seluruh sampel SnSe memiliki
tipe konduktivitas p dengan hambatan rata-rata sebesar 2,88. 105
ohm pada sampel dengan suhu
substrat 350oC, dan turun menjadi sekitar sekitar 1,47 . 10
4 ohm pada suhu substrat 500
oC.
Sedangkan pada SnS memiliki tipe konduktivitas n dengan hambatan rata- rata sebesar
1,65. 105 ohm pada preparasi dengan temperatur substrat sebesar 300
oC.
32
F. KESIMPULAN
Setelah melakukan penelitian ini dapat disimpulkan berikut ini.
1. SnSe dan SnS keduanya tersusun oleh atom- atom dalam struktur kristal orthorombik
dengan parameter kisi terbaik berturut- turut a= 11,47 A; b= 4,152 A dan c = 4,439 A untuk
SnSe yaitu dengan preparasi pada temperatur substrat 500oC dan parameter kisi SnS adalah
sebesari a= 4,314 A , b= 11,647 A dan c = 3,981 A yang diperoleh pada preparasi dengan
temperatur sustrat 300oC.
2. Hasil SEM menunjukkan adanya butiran dengan warna homogen menunjukkan homogenitas
lapisan tipis dengan komposisi kimia non stoichiometri masing- masin dengan perbandingan
mole Sn dibanding Se sebesar 1:0,97 untuk SnSe dan Sn berbanding S sebesar 1: 0,8 untuk
SnS
3. Kedua bahan dapat sesuai dengan terapannya pada sel surya oleh karena memiliki band-gap
berturut- turut sebesar sekitar 2,58 eV untuk SnSe dan SnS sebesar 2,98 eV.
4. SnSe memiliki sifat kondutivitas tipe p dengan hambatan rata- rata sebesar 1,47 . 104 ohm
sedangkan SnS memiliki sifat konduktivitas tipe n dengan hambatan rata-rata sebesar
1,65. 105 ohm.
G. UCAPAN TERIMA KASIH
Peneliti menyampaikan terimakasih kepada UNY yang telah membiayai penelitian ini
sehingga hasil- hasilnya dapat diperoleh dengan baik. Peneliti berharap dari hasil- hasil
penelitian ini bisa dimuat pada jurnal Internasional sehingga menambah jumlah publikasi
internasional sebagai tangungjawab peneliti pada institusi.
33
H. DAFTAR PUSTAKA
A. Akkari, C. Guasch, N. Kamoun-Turki, (2010), Journal of Alloys and Compounds 490 (2010)
180
C. Suryanarayana and M. Grant Norton. 1998. X- Ray Diffraction A Practical Approach. Plenum
Press- New York and London, 1998.
Goetzberger, A; Hebling,C.(2000), Solar Energy Materials and solar cells, 62 (2000) p.1
Hanna, G; Jasenek, A. ; Rau, U and Schock,H.W. (2001), Thin Solid Films 387 (2001) p.71
H. Sakata, and H. Ogawa, Optical and electrical properties of flash- evaporated amorphous
CuInSe2 films. Solar Energy Materials and Solar Cells 63, 2000. P.259
Katy Hartman ,, J.L. Johnson , Mariana I. Bertoni , Daniel Recht , Michael J. Aziz , Michael A.
Scarpulla, Tonio Buonassisi, (2011), Thin Solid Films 519 (2011) 7421–7424
O.E Ogah,G. Zoppi, I. Forbes, R.W Milles. 2008, Properties of Thin Films of Tin Sulphide
Produced Using The Thermal Evaporation Method. 23rd European Photovoltac Solar
Energy Conference, September 2008.
N. Kumar, V. Sharma, U.Parihar, R. Sachdewa, N.Padha, C.J. Panchal. Journal. of Nano
Electron. Physics 3 (2011) p. 117-126
N.A. Okereke, A.J.Ekpunobi, Journal of Chalcogenide Letters, Vol.7, No.9 , 2010 p.531
S.S. Hegde, A.G. Kunjomana, K. Ramesh, K.A. Chandrasekharan, M. Prashantha, International
Journal of Soft Computing and Engineering (IJSCE) ISSN: 2231-2307, Volume-1,
Issue-NCRAMT2011, July 2011
Yanuar, F.Guastavino, C. Llinares,(2001), Jurnal of Materials Sciences, 2001
Zouaoui, A; Lachab,M ; Hidalgo,M.L; Chaffa, A, Llinares,C; and Kesri,N, (1999)
Thin Solid Films 339 (1999)p.10