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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0 ULapproved(E83335)
EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTCEasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VCES = 1200VIC nom = 100A / ICRM = 200A
TypischeAnwendungen TypicalApplications• •3-Level-Applikationen 3-Level-Applications• •Motorantriebe MotorDrives• •SolarAnwendungen SolarApplications• •USV-Systeme UPSSystems
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •HighSpeedIGBTH3 HighSpeedIGBTH3• •NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses• •Tvjop=150°C Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology• •RoHSkonform RoHScompliant
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
ImplementierterKollektor-StromImplementedcollectorcurrent ICN 200 A
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 400 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 600 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,551,701,75
1,75 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,05 5,80 6,45 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,60 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 11,5 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,70 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGon = 1,1 Ω
td on0,140,1550,16
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGon = 1,1 Ω
tr0,0250,030,03
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGoff = 1,1 Ω
td off0,320,400,42
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGoff = 1,1 Ω
tf0,030,0550,06
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3700 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 1,1 Ω
Eon
1,202,002,25
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 1,1 Ω
Eoff
3,505,305,90
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 800 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,20 0,25 K/W
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,20 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
ImplementierterDurchlassstromImplementedforwardcurrent IFN 125 A
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 100 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 250 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1450
1400 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 VIF = 100 A, VGE = 0 VIF = 100 A, VGE = 0 V
VF
1,551,501,45
1,70 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
IRM
90,0100100
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
Qr
3,255,906,40
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 3700 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
Erec
0,951,551,65
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,65 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,60 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 100 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A
Gesamt-VerlustleistungTotalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 250 W
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 VIC = 100 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,451,601,70
1,90 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,95 5,80 6,45 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGon = 3,3 Ω
td on0,0550,060,065
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGon = 3,3 Ω
tr0,0250,030,03
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGoff = 3,3 Ω
td off0,250,270,28
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 400 VVGE = ±15 VRGoff = 3,3 Ω
tf0,0350,050,06
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 3800 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 3,3 Ω
Eon
1,852,803,30
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 400 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 4600 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 3,3 Ω
Eoff
3,104,104,60
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
700500
AA
Tvj = 25°CTvj = 150°C
tP ≤ 8 µs, tP ≤ 6 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,50 0,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proIGBT/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 75 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 150 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1050
985 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 VIF = 75 A, VGE = 0 V
VF
1,651,651,65
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
IRM
120140150
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
Qr
8,5017,019,0
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 75 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 400 VVGE = -15 V
Erec
2,855,706,30
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuseThermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörperThermalresistance,casetoheatsink
proDiode/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,50 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 14 nH
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N
GewichtWeight G 36 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 120
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=400V
IC [A]
E [m
J]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V
RG [Ω]
E [m
J]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100
1
2
3
4
5
6
7
8Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4ZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,001
0,01
0,1
1ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,0120,0005
20,0440,005
30,0320,05
40,3120,2
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 14000
50
100
150
200
250IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(IF)RGon=1.1Ω,VCE=400V
IF [A]
E [m
J]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)switchinglossesDiode,D2/D3(typical)Erec=f(RG)IF=100A,VCE=400V
RG [Ω]
E [m
J]
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3transientthermalimpedanceDiode,D2/D3ZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,0350,0005
20,1490,005
30,3110,05
40,6550,2
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 120
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=400V
IC [A]
E [m
J]
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 2000
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=100A,VCE=400V
RG [Ω]
E [m
J]
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3ZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,030,0005
20,110,005
30,080,05
40,780,2
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=3.3Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 100 200 300 400 500 600 700 8000
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,40
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(IF)RGon=3.3Ω,VCE=400V
IF [A]
E [m
J]
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 1500
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
12
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
preparedby:CMapprovedby:AKDA
dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)switchinglossesDiode,D1/D4(typical)Erec=f(RG)IF=75A,VCE=400V
RG [Ω]
E [m
J]
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 300
1
2
3
4
5
6
7
8Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4transientthermalimpedanceDiode,D1/D4ZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,0420,0005
20,0930,005
30,3870,05
40,5280,2
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
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dateofpublication:2014-12-04revision:3.0
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L200R12W2H3_B11IGBT-ModulIGBT-Module
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