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TEORÍA DEL DIODO. 1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar 2.- Polarización del diodo. 2.1.- Polarización inversa. 2.2.- Polarización directa. 3.- Curva característica del diodo. 4.- El diodo como elemento de un circuito. 5.- Aproximaciones del diodo. 5.1.- Primera aproximación. 5.2.- Segunda aproximación. 5.3.- Tercera aproximación. 5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal 6.- Capacidades y tiempo de conmutación en el diodo. 7.- Diodos LED y diodos Zener. Tema 2 1

Tema 2 Traspas

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Page 1: Tema 2 Traspas

TEORÍA DEL DIODO.

1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar2.- Polarización del diodo.

2.1.- Polarización inversa.2.2.- Polarización directa.

3.- Curva característica del diodo.4.- El diodo como elemento de un circuito.5.- Aproximaciones del diodo.

5.1.- Primera aproximación.5.2.- Segunda aproximación.5.3.- Tercera aproximación.5.4.- Cuarta aproximación. Diodo ideal

6.- Capacidades y tiempo de conmutación en el diodo.7.- Diodos LED y diodos Zener.

Tema 2

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Tema 2.- Teoría del Diodo

1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar

2

Huecos

Electrones

Proceso de difusión de portadores debido a las diferencias de concentraciones

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3

1.- Unión p-n. Diodo sin polarizar

Al poner en contacto una zona p con una zona n, aparece en las proximidades de la unión una zona en la que no existen cargas libres. Es la zona de carga espacial

En la zona de carga aparece un campo eléctrico que se opone al movimiento por difusión de h+ y e-

Tema 2.- Teoría del Diodo

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2.- Polarización del diodo.2.1.- Polarización inversa.

4

La polarización inversa aplicada aleja a los portadores de la unión

+

nFr

Er

-pFr

La zona de carga espacial aumenta hasta que la tensión interna que aparece se iguale a la externa aplicada

Tema 2.- Teoría del Diodo

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5

La zce penetra más en las zonas menos dopadas

Hay una pequeña corriente debida a los portadores minoritarios

Corriente inversa de saturaciónCorriente de fugas

Perfiles de minoritarios en inversa

Tema 2.- Teoría del Diodo

2.- Polarización del diodo.2.1.- Polarización inversa.

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6

2.- Polarización del diodo.2.2.- Polarización directa.

extEr

extnFr

-+ ext

pFr

+intnFr

intEr

-

intpFr

Campo eléctricodebido a la polarizaciónaplicada

Campo eléctricoexistente en la zce.

La zce es má estrecha que la que teníamos con la unión sin polarizar

extnFr

+ extpFr

intnFr

-

intpFr

Tema 2.- Teoría del Diodo

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7

2.- Polarización del diodo.2.2.- Polarización directa.

Cuando V > Vγ ; Eext > Eint ⇒ habrá circulación de corriente

Para que por un diodo circule corriente, no basta con polarizarlo en directa. La tensión aplicada debe superar la tensión umbral

Perfiles de minoritarios en directa

Tema 2.- Teoría del Diodo

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8 Tema 2.- Teoría del Diodo

3.- Curva Característica del diodo.

DD S

q VI I exp 1K T

⎡ ⎤⋅= −⎢ ⎥η⋅ ⋅⎣ ⎦

Ecuación de Shockley

p nÁnodo Cátodo

ID

VD

ID = Corriente que atraviesa el diodoVD = Caída de tensión en el diodoq = Carga del electrón = 1,6 E-19 CK = Cte. de Boltzman = 8,62 E-5 eV/KT = Temperatura en Kelvin

η = 2 valores bajos de tensiónη = 1 zona de ascenso rápido(Si)(Ge) η = 1 en toda la curva

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9 Tema 2.- Teoría del Diodo

4.- El diodo como elemento de un circuito.

vi = vo + v

vo = RL · i

ST

i L

vi I exp 1V

v R i v

⎫⎛ ⎞= − ⎪⎜ ⎟η ⎬⎝ ⎠

⎪= ⋅ + ⎭

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10 Tema 2.- Teoría del Diodo

5.- Aproximaciones del diodo.5.1.- Primera aproximación.

Diodo en inversa (VD ≤ 0)

Diodo en corte (0≤ VD ≤ Vγ)

Diodo en conducción (VD ≥ Vγ)

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11 Tema 2.- Teoría del Diodo

5.- Aproximaciones del diodo.5.2.- Segunda aproximación.

Diodo en conducción (VD≥ Vγ)Diodo en corte (VD ≤ Vγ)

Page 12: Tema 2 Traspas

12 Tema 2.- Teoría del Diodo

5.- Aproximaciones del diodo.5.3.- Tercera aproximación.

Diodo en corte (VD ≤ Vγ) Diodo en conducción (VD≥ Vγ)

Page 13: Tema 2 Traspas

13 Tema 2.- Teoría del Diodo

5.- Aproximaciones del diodo.5.4.- Cuarta aproximación. Diodo Ideal

Diodo en corte (VD ≤ 0) Diodo en conducción (VD≥ 0)

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14 Tema 2.- Teoría del Diodo

6.- Capacidades y tiempos de conmutación.

Modelos de pequeña señal

Diodo en inversaDiodo en directa

rd = resistencia incremental o dinámica en directa.rr = resistencia incremental o dinámica en inversa.CD = capacidad de difusiónCT = capacidad de transición o de unión.

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15 Tema 2.- Teoría del Diodo

6.- Capacidades y tiempos de conmutación.6.1.- Capacidad de transición o de unión.

6.2.- Capacidad de difusión.

⋅=T

ACWε

Td QCd V

=

=DT

ICV

τη

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Tema 2.- Teoría del Diodo16 Tema 2.- Teoría del Diodo

6.- Capacidades y tiempos de conmutación.6.3.- Tiempo de conmutación del diodo.

tiempode almacenamiento

tiempode transición

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Tema 2.- Teoría del Diodo17 Tema 2.- Teoría del Diodo

7.- Diodos led y diodos zener.

LED = Light Emitter Diode

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Tema 2.- Teoría del Diodo18 Tema 2.- Teoría del Diodo

7.- Diodos led y diodos zener.

Z r r ZV V R I= + ⋅ Z rV V=

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Tema 2.- Teoría del Diodo

Característica directa.

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Tema 2.- Teoría del Diodo

Característica inversa.

6

V 800R 5 333 MI (0,2 0,05) 10−= = = Ω

− ⋅

6

V 995R 5 527 MI (0,2 0,02) 10−= = = Ω

− ⋅

6

V 1000R 5 236 MI (0,2 0,01) 10−= = = Ω

− ⋅