8/17/2019 Test Semiconductor

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ELECTRONICA GENERALTema 1. Introducción a los Semiconductores Cuestiones teóricas tipo test.

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Tema 1. Introducción a los Semiconductores.

1.- Si en un semiconductor intrínseco se aumenta mucho la temperaturaa) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos b) Su resistividad aumentac) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.

2.- En un semiconductor intrínsecoa) No e isten impure!as de ning"n tipo b) #a concentraci$n de electrones y huecos depende de la temperatura.c) #a concentraci$n de electrones y huecos depende de si es tipo p o tipo n

%.- &'u(l de los siguientes conceptos describe me or a un semiconductor tipo n*a) 'argado positivamente b) 'argado negativamentec) Neutro

+.- En un semiconductor e trínseco tipo na) Est( dopado con impure!as trivalentes b) #a concentraci$n de huecos depende de la concentraci$n de impure!as donadorasc) No habr( huecos por ser de tipo n

,.- na estructura semiconductora conduce corriente el ctrica en ambos sentidos

a) si e iste una uni$n pn b) tanto si es de tipo p como si es de tipo nc) s$lo si no est( dopada

/.- na muestra de un semiconductor intrínseco tiene una concentraci$n intrínseca de10,⋅1 1 (tomos cm%a temperatura ambiente. 3icha muestra se dopa con (tomosde 4$s4oro. 5ras un an(lisis de la misma se comprueba que la concentraci$n dehuecos es de 6, huecos cm%. &'u(l es la concentraci$n de impure!as que se hanintroducido en la muestra*

a) , ⋅1 7 (tomos cm% b) %⋅1 18 (tomos cm%

c) 6, (tomos cm%

6.- 'uando un electr$n libre se recombina con un hueco en la regi$n de la base0 elelectr$n libre se convierte en

a) un electr$n de la capa de conducci$n b) un electr$n de valenciac) un portador mayoritario

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8.- Elegir la a4irmaci$n correcta acerca de las características de metales0semiconductores y aislantes9

a) :l aumentar la temperatura los metales conducen peor0 y por el contrario0 lossemiconductores conducen me or. #os aislantes se comportan de manera parecidaa los semiconductores0 pero su banda prohibida es mucho m(s ancha.

b) :l aumentar la temperatura los metales conducen me or0 y por el contrario0 lossemiconductores conducen peor. #os aislantes se comportan de manera parecida alos semiconductores0 pero su banda prohibida es mucho m(s ancha.

c) :l aumentar la temperatura los metales conducen peor0 y por el contrario0 lossemiconductores conducen me or. #os aislantes no tienen banda prohibida y no pueden conducir la corriente.

d) :l aumentar la temperatura los metales conducen me or0 y por el contrario0 lossemiconductores conducen peor. #os aislantes no tienen banda prohibida y no pueden conducir la corriente.

7.- n semiconductor de silicio tiene una concentraci$n intrínseca de10+,× 1 1 portador cm%a temperatura ambiente. 3opamos este semiconductor con(tomos de galio ;el galio tiene tres electrones en la "ltima capa electr$nica...)0siendo la concentraci$n de impure!as dopantes de 11/ (tomo cm%.&3e qu tipo es la impure!a de galio*9

a) tipo n b) tipo pc) donadorad) no tiene in4luencia en el silicio

1 .- Para el enunciado de la pregunta 70 la concentraci$n de electrones9a) 1 1/ e- cm% b) 201× 1 + e- cm%c) 10+,× 1 1 e- cm%d) ninguna de stas

11.- Para el enunciado de la pregunta 70 la concentraci$n de huecos9a) 1 1/ h< cm% b) 201× 1 + h< cm%c) 10+,× 1 1 h< cm%d) ninguna de stas

12.- &'u(l tiene mayor conductividad*9a) Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura = b) Semiconductor de silicio dopado con 11/ (tomos cm%de boro0 a temperatura

ambientec) Semiconductor de silicio dopado con 11+ (tomos cm%de boro0 a temperatura

ambiented) Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura ambiente

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1%.- &'u(l tiene m(s ancha su banda prohibida*a) n metal b) n semiconductor c) n aislanted) 5odos los anteriores tienen la misma anchura de banda prohibida

1+.- El boro tiene % electrones de valencia. Si dopamos un semiconductor de siliciocon boro0 el semiconductor resultante es9

a) >eterog neo b) 5ipo nc) 5ipo pd) ?ntrínseco

1,.- Si un semiconductor intrínseco se dopa con impure!as tipo p0 el n"mero deelectrones libres9

a) :umenta por encima del que tenía el semiconductor intrínseco b) 3isminuye por deba o del que tenía el semiconductor intrínsecoc) No varíad) Es mayor que el n"mero de huecos

1/.- En un cristal semiconductor9a) #a polaridad depender( de la concentraci$n de huecos y electrones libres b) #a concentraci$n de electrones libres es siempre igual al de huecosc) #a concentraci$n de cargas positivas es igual a la de cargas negativasd) Ninguna de las anteriores es cierta

16.- n material semiconductor ha sido dopado con (tomos de boro ;impure!aaceptadora). Si estamos a temperatura ambiente podemos a4irmar9

a) Se trata de un semiconductor intrínseco. b) #a concentraci$n de cargas positivas ser( igual a la de cargas negativas.c) #a concentraci$n de electrones ser( superior a la de huecos.

18.- &'u(l tiene mayor resistividad*9a) Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura = b) Semiconductor de silicio dopado con 11/ (tomos cm%de boro0 a temperatura

ambiente

c) Semiconductor intrínseco de silicio a temperatura ambiente.17.- En un cristal semiconductor9a) Si es tipo p hay m(s cargas positivas que negativas b) Si es tipo n las cargas positivas se pueden despreciar porque son muy pocas.c) Ninguna de las anteriores es cierta.

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2 .- na muestra de un semiconductor intrínseco tiene una concentraci$n intrínseca de2@11 (tomos cm%a temperatura ambiente. 3icha muestra se dopa con (tomosde boro. 5ras un an(lisis de la misma se comprueba que la concentraci$n deelectrones es de , electrones cm%.&'u(l es la concentraci$n de impure!as quese han introducido en la muestra*a) 2@11 (tomos cm%

b) 8@118 (tomos cm%c) , (tomos cm%

21.- n semiconductor tipo p contiene huecos y ea) ?ones positivos b) ?ones negativosc) Atomos donadores

22.- Si en un semiconductor intrínseco se aumenta mucho la temperaturaa) Se puede romper el equilibrio entre electrones y huecos b) Su resistividad aumentac) Puede llegar a comportarse como un buen conductor.

2%.- : la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco tienea) Pocos electrones libres b) Buchos huecosc) Ni huecos ni electrones libres.

2+.- Se aplica una tensi$n de una 4uente e terna a un semiconductor tipo p. Si en ele tremo i!quierdo del cristal se aplica el terminal positivo de la tensi$n0 &en qusentido circulan los portadores mayoritarios*

a) >acia la i!quierda b) >acia la derechac) ?mposible predecir

2,.- Si desearas producir un semiconductor tipo p0 &cu(l de los siguientes emplearías*a) Atomos aceptadores b) Atomos donadoresc) ?mpure!as pentavalentes.

2/.- En un semiconductor e trínseco tipo na) Est( dopado con impure!as trivalentes b) #a concentraci$n de huecos depende de la concentraci$n de impure!as donadorasc) No habr( huecos por ser de tipo n

26.- : temperatura ambiente0 en una !ona semiconductora e trínseca0 &cu(ntasimpure!as est(n ioni!adas*

a) 'asi ninguna b) 3epende de si la !ona es n o pc) 'asi todas

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28.- En la conducci$n por huecos se producea) #a eliminaci$n de un par electr$n-hueco b) El despla!amiento de electrones de valencia hacia tensiones positivasc) El despla!amiento de electrones de conducci$n hacia tensiones positivas

27.- Si quiero obtener un semiconductor de silicio tipo n0 las impure!as dopantesser(n9

a) Calio b) Doroc) $s4oro

% .- Elige la a4irmaci$n correcta. :l aumentar la temperatura9a) #os semiconductores conducen peor al igual que los metales0 porque los

portadores chocan m(s entre sí y disminuye su movilidad b) #os metales conducen me or al igual que los semiconductores0 porque hay m(s

portadoresc) #os semiconductores conducen me or porque hay m(s portadores0 aunque

disminuya su movilidad

%1.- Se aplica una tensi$n de una 4uente e terna a un semiconductor tipo p 4uertementedopado. Si el terminal positivo de la tensi$n se aplica en el e tremo i!quierdo delcristal y el negativo en el derecho9

a) Por mucho que aumentemos la tensi$n la corriente ser( insigni4icante0 ya que los portadores mayoritarios son huecos y stos no pueden circular por el cable.

b) :parece un campo el ctrico que tiende a mover a los electrones hacia la i!quierda

c) No puede haber campo el ctrico ya que apenas hay electrones libres que lo4ormen

%2.- En un material semiconductor a) #a anchura de la banda prohibida es mayor si es de tipo n b) #a anchura de la banda prohibida es mayor si es e trínsecoc) #a anchura de la banda prohibida no depende del tipo de impure!as.

%%.- En un cristal semiconductor a) Si es tipo n hay m(s cargas negativas que positivas b) Si es tipo p las cargas negativas se pueden despreciar porque son muy pocas.

c) #a carga el ctrica total es cero%+.- En un semiconductor e trínseco tipo n0 a una temperatura insu4iciente para

obtener la energía ECa) #a concentraci$n de huecos viene dada por ni2 N: b) No e isten portadores libresc) Fnicamente tenemos portadores mayoritarios

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%,.- : % = se puede asegurar a) #a pr(ctica totalidad de los e- que se encuentran en la banda de conducci$n y

huecos en la banda de valencia proceden de la ioni!aci$n de impure!as b) Solamente se dispone de portadores mayoritarios procedentes de la ioni!aci$n de

impure!as en la banda de conducci$nc) #os portadores mayoritarios ocupan niveles permitidos dentro de la banda prohibida