TIPOS DE MEMORIAS

SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso Aleatorio

es un tipo de memoria basada en semiconductores que, al contrario que la memoria

DRAM, es capaz de almacenar los datos mientras est alimentada, haciendo

innecesario refrescar los datos que almacenan sus celdas. Sin embargo, son

voltiles en el sentido de que los datos que almacena se pierden una vez se

interrumpe la alimentacin elctrica.

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual

el circuito est en reposo, reading o lectura, durante el cual los datos son ledos

desde la memoria, y writing o escritura, durante el cual se actualizan los datos

almacenados en la memoria.

Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6

desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1

M4 mantendrn los datos almacenados mientras dure la alimentacin elctrica.

Asumimos que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo

de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL

y los transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se

transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a

travs de M1 y M5 al 0 lgico. En el caso del dato contenido en la memoria fuera 0,

se produce el efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si

queremos escribir un 0, ajustaremos BL to 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta

con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el

dato queda almacenado.

DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria electrnica de

acceso aleatorio, que se usa principalmente en los mdulos de memoria RAM y en

otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya

que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo,

cada cierto periodo de tiempo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la

posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que

todava funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con

millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por

segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la

memoria no guarda la informacin

La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar

un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el funcionamiento

de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto

de campo y un condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una

carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El

transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador.

Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho

muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en

arreglos de celdas transistor-condensador.

Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices

de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.

En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la

superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. En

el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas horizontales

conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las lneas

verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas.

Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero

en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan por

mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el

mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Las direcciones se

diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingles Row

Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada

parte de la direccin.

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO RAM

La memoria de acceso aleatorio, (en ingls: Random Access Memory cuyo

acrnimo es RAM) es la memoria desde donde el procesador recibe las

instrucciones y guarda los resultados.

Se trata de una memoria de estado slido tipo DRAM en la que se puede tanto leer

como escribir informacin. Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema

operativo, los programas y la mayora del software. En el sentido estricto, estos

dispositivos contienen un tipo entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que

las ROM, memorias Flash, cach (SRAM), los registros en procesadores y otras

unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de presentar retardos de

acceso iguales para cualquier posicin.

Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados

integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacin DRAM

se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades

altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de cientos o

miles de Kilobits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten

la identificacin de los mismos ante el computador por medio del protocolo de

comunicacin SPD. La conexin con los dems componentes se realiza por medio

de un rea de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el

modulo al ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buena

conexin elctrica con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin.

Los primeros mdulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario,

es decir no haba un estndar entre distintas marcas. La necesidad de hacer

intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo

al establecimiento de estndares de la industria como los JEDEC.

Mdulos DIMM Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por

tener un bus de datos de 64 bits.

Mdulos SO-DIMM Usado en computadores porttiles. Formato

miniaturizado de DIMM.

Mdulos SIMM Un formato usado en computadores antiguos. tenan un bus

de datos de 16 o 32 bits

MEMORIA DE SLO LECTURA ROM

Memoria de slo lectura (normalmente conocida por su acrnimo, Read Only

Memory) es una clase de medio de almacenamiento utilizado en las computadoras

y otros dispositivos electrnicos. Los datos almacenados en la ROM no se pueden

modificar -al menos no de manera rpida o fcil- y se utiliza principalmente para

contener el firmware (software que est estrechamente ligada a hardware

especfico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes).

En su sentido ms estricto, se refiere slo a ROM mscara ROM -en ingls MROM-

(el ms antiguo tipo de estado slido ROM), que se fabrica con los datos

almacenados en forma permanente, y por lo tanto, nunca puede ser modificada. Sin

embargo, las ms modernas, como EPROM y Flash EEPROM se puede borrar y

volver a programar varias veces, an siendo descritos como "memoria de slo

lectura (ROM), porque el proceso de reprogramacin en general es poco frecuente,

relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de

la memoria.

Una razn de que todava se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la

velocidad ya que los discos son ms lentos. An ms importante, no se puede leer

un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo

tanto, la BIOS, o el sistema de arranque oportuno de la computadora normalmente

se encuentran en una memoria ROM.

La memoria RAM normalmente es ms rpida para lectura que la mayora de las

memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a

la memoria RAM cuando se utiliza.

Memoria de Solo Lectura Programable y Borrable (EPROM)

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM

programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil inventado por

el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS (Floating Gate

Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante",

cada uno de los cuales viene de fbrica sin carga, por lo que son ledos como 1 (por

eso, una EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan

mediante un dispositivo electrnico que proporciona voltajes superiores a los

normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben carga

se leen entonces como un 0.

Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposicin

a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los

electrones de las celdas provocando que se descarguen. Para sobrescribir una

EPROM, tienes que borrarla primero. El problema es que no es selectivo, lo que

quiere decir que borrar toda la EPROM. Para hacer esto, hay que retirar el chip del

dispositivo en el que se encuentra alojado y puesto debajo de la luz ultravioleta

comentada anteriormente.

MEMORIA PROM

La PROM es una memoria programable de solo lectura. Estas no vienen

programadas de fabrica sino que es el propio usuario el que se encarga de grabar

la informacin, y una vez que los datos se han grabado no se pueden borrar. Si

Grabamos mal alguna informacin esta no se podr modificar.

La escritura de la memoria PROM tiene lugar fundiendo los fusibles necesarios por

lo que la memoria PROM solo puede ser programada una vez.

Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto

de fbrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0.

La programacin se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran

durante operaciones normales (12 a 21 voltios).

El proceso de programacin de una PROM generalmente se realiza con un equipo

especial llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores

electrnicos controlados por software que permiten cargar las direcciones, los datos

y genera los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria

Las arquitecturas generales pueden variar pero normalmente consisten en una o

ms matrices de puertas AND y OR para implementar funciones lgicas. Muchos

dispositivos tambin contienen combinaciones de flip-flops y latches que pueden

usarse como elementos de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo.

EEPROM O E2PROM

Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (programable y borrable

elctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programado, borrado

y reprogramado elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse

mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no voltiles.

La principal caracterstica es permitir el almacenamiento y la sobre-escritura de

datos por medio de los voltajes de operacin, adems sostienen la informacin por

muchos aos sin fuente de alimentacin. Estos dispositivos suelen comunicarse

mediante protocolos como IC, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra

dentro de chips como micro controladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.

Caracteristicas

Se pueden conectar fcilmente con microprocesadores o micro

controladores, algunas de estas memorias tienen pines para realizar esta

labor.

Transferencia de datos de manera serial , lo que permite ahorro del micro

para dedicarlo a otras funciones.

El consumo de corriente es mucho menor que en las memorias que trabajan

en paralelo.

Un aspecto que podra significar una limitante para las memorias seriales es

la velocidad de lectura, si se comparan con la EEPROM paralelas, aunque

las velocidades que se logran son aceptables para la mayoras de las

aplicaciones.

Tres hilos maneja datos de 8 a 16 bits, mientras que

Dos hilos maneja 8 bits;

Dos hilos la proteccin contra escritura es por el hardware,

Tres hilos se protege a travs de el software;

la operacin de la de tres hilos es de hasta 6 MHz y la de

Dos hilos es de 100 KHz y 400 KHz con opcin de 1 MHz;

Tres hilos tiene 4 pines de comunicacin,

Dos hilos tiene solamente dos pines.

Memoria flash

La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y escritura de

mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias a ello, la

tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite velocidades de

funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa EEPROM primigenia, que slo

permita actuar sobre una nica celda de memoria en cada operacin de

programacin.

Memoria flash de tipo NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG

(Floating Gate), modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que generara

CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma, dependiendo de si la celda

est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe o no. Entonces, cuando se lee

la celda poniendo un determinado voltaje en CG, la corriente elctrica fluye o no en

funcin del voltaje almacenado en la celda. La presencia/ausencia de corriente se

detecta e interpreta como un 1 un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En

los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para

controlar el nmero de electrones almacenados en FG e interpretarlos

adecuadamente.

Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite

el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se

coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo

elctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrn injection. Para borrar

(poner a 1, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar

estos electrones, se emplea la tcnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso

de tunelado mecnico cuntico. Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al

empleado para atraer a los electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de

electrones que permite, abriendo el terminal sumidero, que los electrones

abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al

aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.

Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques (en

ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques

enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del proceso. Por esta

razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las EEPROM

convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es

necesario limpiar el bloque primero para despus reescribir su contenido.

Memorias flash de tipo NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma

ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el borrado

un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen, adems de la

evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior, unas diez veces

de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso secuencial (ms

orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las memorias flash

basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido

las NAND las que han permitido la expansin de este tipo de memoria, ya que el

mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque tambin se borre por bloques) lo

que ha proporcionado una base ms rentable para la creacin de dispositivos de

tipo tarjeta de memoria.

http://www.monografias.com/trabajos18/memorias-programables/memorias-

programables.shtml

http://es.wikipedia.org/wiki/EEPROM

http://www.aquihayapuntes.com/indice-practicas-pic-en-c/memoria-eeprom-

interna-del-pic.html