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X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) ó Electron Spectroscopy for Chemical Analysis (ESCA) LSAP del Centro de Astrobiología (CAB, CSIC-INTA), Ctra. de Ajalvir, km 4, 28850 Torrejón de Ardoz, Madrid, España ¿Que es? Se trata de una técnica de análisis, para obtener información química, en superficies de materiales sólidos Porta muestras Horno -100º C < T < 500º C Circuito de refrigeración Muestra ~ 1cm 2 Fuente de Rayos-X hν Detector Manipulador Objetivo de la técnica Determinar la composición y el estado químico, de los elementos presentes en la superficie de materiales sólidos. Materiales aislantes y conductores pueden ser analizados en superficie, en áreas de unas pocas micras Requisitos La muestra a estudiar se debe encontrar en condiciones de Ultra Alto Vacío (<10 -9 mbar.). Y ser expuesta en estas condiciones frente a una fuente de Rayos-X, que ofrezca una radiación monocromática de baja energía. Funcionamiento La superficie de la muestra es irradiada por los fotones que provienen de una fuente de Rayos-X, en condiciones de UHV. La fotoionización que tiene lugar y los electrones (fotoelectrones) con una energía cinética E k serán recolectados. E k y hv están relacionadas mediante la expresión de Einstein E k = hv – E B , donde E B es la energía de ligadura por debajo del nivel de Fermi (E F ). La energía de estos electrones es función directa de la energía de ligadura característica de los átomos presentes en dicha superficie. De esta manera los foto-electrones de interés, poseen relativamente poca energía cinética. Puesto que los niveles están cuantizados la distribución en energía cinética que proporciona N(E) consiste en una serie de bandas discretas que, esencialmente refleja la estructura electrónica de los átomos en la muestra. Esta energía determina el espectro XPS de un compuesto químico. XPS es una técnica de superficies, ya que solamente los electrones que se encuentran en los átomos en la superficie, pueden escapar y ser detectados. Los que se deben a las colisiones inelásticas dentro de la superficie (20 a 50 Ángstrom), no pueden escapar con la suficiente energía para ser detectados. Información Analítica Análisis elemental Se determina un espectro que identifica, los elementos atómicos presentes en la superficie, en una profundidad de hasta 20 Ángstrom. Todos los elementos, excepto el hidrogeno y el helio, son detectados. Análisis químico Se determina además el estado químico de cada elemento a través de su energía de ligadura. Se pueden detectar concentraciones elementales muy bajas (0.1%. )De este modo se puede determinar el estado de oxidación del átomo, los enlaces químicos y la estructura cristalina. Existen tablas con las energías de ligadura de todos los elementos químicos presentes en la naturaleza. Composición en sistemas multicomponente Se puede identificar la concentración de los elementos en los espectros, y determinar el área que ocupan cada uno de los máximos de esos espectros. Por medio de estos patrones de estudio, se determina la concentración química de los constituyentes presentes en la superficie. Espesores en el crecimiento y de capas delgadas y moleculares Aplicaciones Análisis de contaminantes en películas delgadas Medida de la composición química Cuantificación de los perfiles de concentración de compuestos en superficies Identificación del estado químico de la superficie en películas delgadas E Fermi E Kin E Vac E B E 1 E 2 hv Sistema de XPS en Ultra Alto Vacío Manipulador de precisión, XY ±12.5mm, Z ± 155mm, θ (0º a 360º) Porta muestras con horno y sistema de refrigeración Fuente de Rayos-X Detector de 9 canales Ventajas 1. Información química a partir de corrimientos en energía de fotoelectrones 2. Daño al haz mínimo. Mínimos efectos de carga 3. Rápida recogida de espectros (<5 min) 4. Cuantificación con precisión mejor que el 10% 5. Gran reproducibilidad, estrecho rango de sensibilidad 6. Accesible base de datos Desventajas 1. Posibilidades limitadas para análisis de áreas muy pequeñas 2. No se puede utilizar en muestras muy aislantes 3. Información solo superficial hv 10 nm muestra Emisión de electrones Espectro PNA sobre Au C 1s O 2p N 1s Au 4f Au 4d Muestra de PNA, depositada sobre una capa de Au. Espectro XPS, con ánodo de Magnesio, hv = 1253.6 eV Plasmón de Au Bande de valencia Au Entrada Entrada Agua Agua Salida Salida Agua Agua Entrada Entrada Agua Agua Salida Salida Agua Agua Cabeza Cabeza del del Anodo Anodo Especificaciones técnicas fuente de Rayos-X Ánodo: Al, Mg Voltaje del Ánodo: +15kV; 0 a 40 mA Potencia: AL 400W; Mg 300W Refrigeración: Agua > 3.5 bar; >2.5 l/min. Distancia de focalización (regular): 15mm Cátodo: Tungsteno Presión de funcionamiento: 5xE-5 mbar Ventana de radiación: Aluminio Bakeout: 250ºC Peso: 10 Kg. Information depth = Information depth = dsin dsin θ θ d = Escape depth ~ 3 d = Escape depth ~ 3 λ λ θ θ = = Ángulo ngulo de de emisi emisión relativo relativo a la a la superficie superficie λ λ = Inelastic Camino Inelastic Camino libre libre medio medio XPS Resuelto en ángulo θ =15° θ = 90° More Surface More Surface Sensitive Sensitive Less Surface Less Surface Sensitive Sensitive θ θ

X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY

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que es ? Fundamentos. Objetivos de la técnica. Aplicaciones. Información analítica. Ventajas y deventajas

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Page 1: X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY

X-Ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) ó Electron Spectroscopy forChemical Analysis (ESCA)

LSAP del Centro de Astrobiología (CAB, CSIC-INTA), Ctra. de Ajalvir, km 4, 28850 Torrejón de Ardoz, Madrid, España

¿Que es?Se trata de una técnica de análisis, para obtener información química, en superficies de materiales sólidos

Porta muestras

Horno

-100º C < T < 500º C

Circuito de refrigeración

Muestra ~ 1cm2

Fuente de Rayos-X

Detector

Manipulador

Objetivo de la técnicaDeterminar la composición y el estado químico, de los elementos presentes en la superficie de materiales sólidos. Materiales aislantes y conductores pueden ser analizados en superficie, en áreas de unas pocas micras

RequisitosLa muestra a estudiar se debe encontrar en condiciones de Ultra Alto Vacío (<10-9 mbar.). Y ser expuesta en estas condiciones frente a una fuente de Rayos-X, que ofrezca una radiación monocromática de baja energía.

FuncionamientoLa superficie de la muestra es irradiada por los fotones que provienen de una fuente de Rayos-X, en condiciones de UHV. La fotoionización que tiene lugar y los electrones (fotoelectrones) con una energía cinética Ekserán recolectados. Ek y hv están relacionadas mediante la expresión de Einstein Ek = hv – EB, donde EB es la energía de ligadura por debajo del nivel de Fermi (EF). La energía de estos electrones es función directa de la energía de ligadura característica de los átomos presentes en dicha superficie. De esta manera los foto-electrones de interés, poseen relativamente poca energía cinética. Puesto que los niveles están cuantizados la distribución en energía cinética que proporciona N(E) consiste en una serie de bandas discretas que, esencialmente refleja la estructura electrónica de los átomos en la muestra. Esta energía determina el espectro XPS de un compuesto químico. XPS es una técnica de superficies, ya que solamente los electrones que se encuentran en los átomos en la superficie, pueden escapar y ser detectados. Los que se deben a las colisiones inelásticas dentro de la superficie (20 a 50 Ángstrom), no pueden escapar con la suficiente energía para ser detectados.

Información AnalíticaAnálisis elemental Se determina un espectro que identifica, los elementos atómicos presentes en la superficie, en una profundidad de hasta 20 Ángstrom. Todos los elementos, excepto el hidrogeno y el helio, son detectados.

Análisis químico Se determina además el estado químico de cada elemento a través de su energía de ligadura. Se pueden detectar concentraciones elementales muy bajas (0.1%. )De este modo se puede determinar el estado de oxidación del átomo, los enlaces químicos y la estructura cristalina. Existen tablas con las energías de ligadura de todos los elementos químicos presentes en la naturaleza.

Composición en sistemas multicomponente Se puede identificar la concentración de los elementos en los espectros, y determinar el área que ocupan cada uno de los máximos de esos espectros. Por medio de estos patrones de estudio, se determina la concentración química de los constituyentes presentes en la superficie.

Espesores en el crecimiento y de capas delgadas y moleculares

AplicacionesAnálisis de contaminantes en películas delgadas

Medida de la composición química

Cuantificación de los perfiles de concentración de compuestos en superficies

Identificación del estado químico de la superficie en películasdelgadas

EFermi

EKin

EVac

EB

E1

E2

hv

Sistema de XPS en Ultra Alto Vacío

Manipulador de precisión, XY ±12.5mm, Z ± 155mm, θ (0º a 360º)

Porta muestras con horno y sistema de refrigeración

Fuente de Rayos-X

Detector de 9 canales

Ventajas1. Información química a partir de corrimientos en energía

de fotoelectrones

2. Daño al haz mínimo. Mínimos efectos de carga

3. Rápida recogida de espectros (<5 min)

4. Cuantificación con precisión mejor que el 10%

5. Gran reproducibilidad, estrecho rango de sensibilidad

6. Accesible base de datos

Desventajas1. Posibilidades limitadas para análisis de áreas muy

pequeñas

2. No se puede utilizar en muestras muy aislantes

3. Información solo superficial

hv

10 nmmuestra

Emisión de electrones

Espectro PNA sobre Au

C 1s

O 2p

N 1s

Au 4fAu 4d

Muestra de PNA, depositada sobre una capa de Au. Espectro XPS, con ánodo de Magnesio, hv = 1253.6 eV

Plasmónde Au

Bande de valencia

Au

EntradaEntrada AguaAguaSalidaSalida AguaAgua

EntradaEntrada AguaAgua

SalidaSalida AguaAgua

CabezaCabeza del del AnodoAnodo

Especificaciones técnicas fuente de Rayos-XÁnodo: Al, Mg

Voltaje del Ánodo: +15kV; 0 a 40 mA

Potencia: AL 400W; Mg 300W

Refrigeración: Agua > 3.5 bar; >2.5 l/min.

Distancia de focalización (regular): 15mm

Cátodo: Tungsteno

Presión de funcionamiento: 5xE-5 mbar

Ventana de radiación: Aluminio

Bakeout: 250ºC

Peso: 10 Kg.

Information depth = Information depth = dsindsinθθd = Escape depth ~ 3 d = Escape depth ~ 3 λλθ θ = = ÁÁngulongulo de de emisiemisióónn relativorelativo a la a la superficiesuperficieλ λ == Inelastic Camino Inelastic Camino librelibre mediomedio

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