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* TEXAS INSTRUMENT
XTR110
SBOS141C - ENERO 1984 - REVISADO SETIEMBRE 2009
TRANSMISOR/CONVERTIDOR DE TENSION A CORRIENTE DE BUENA PRECISION
CARACTERISTICAS• TRANSMISOR DE 4mA A 20mA
• RANGOS DE ENTRADA SELECCIONABLES: Entradas de 0V a +5V, ó de 0V a +10V
• RANGOS DE SALIDA SELECCIONABLES:Salidas de 0mA a 20mA, 5mA a 25mA Otros Rangos de corriente más.
• NO LINEALIDAD MAX 0.005%, 14 BIT
• TIENE UNA SALIDA DE REFERENCIA DE +10V
PRECISA
• OPERACIÓN CON FUENTE DE ALIMENTACION DE
UNA SOLA POLARIDAD. +VCC
• ACEPTA AMPLIO RANGO DE VALORES DE FUENTE
DE ALIMENTACION Vcc: 13.5V a 40V
DESCRIPCIONEl XTR110 es un convertidor monolítico (en una sola pieza) de voltaje-a-corriente de buena precisión diseñado para la transmisión de señales analógicas. Acepta entradas de 0 a 5V ó de 0 a 10V y puede ser conectado para obtener salidas de 4mA a 20mA, de 0mA a 20mA, de 5mA a 25mA, y muchos otros rangos de corriente que son muy comúnmente usados.
Tiene una red de resistencias de película metálica incorporada en el chip que permiten escalar la entrada y desplazar la corriente (la puesta a cero de la corriente). Posee una referencia de tensión interna 10 V que se puede utilizar para energizar alguna otra circuitería externa.
Comercialmente se vende en los siguientes tipos de envoltura: plástica DIP de 16-pines, cerámica DIP de 16 pines y de montaje superficial SOL-16. También se encuentra en el mercado modelos con rango de temperatura industrial y con rango de temperatura comercial. DIP= Dual in Line Package = envoltura con doble fila de patillas; SOL= Small Outline-Large paquete= plano con 2 filas de pines.
El transistor MOSFET externo requerido, mantiene la disipación de calor fuera de la envoltura del XTR110 para optimizar su desempeño bajo todas las condiciones de salida. Tiene una referencia de voltaje interna de +10V de
alta precisión que se puede usar para excitar circuitos
APLICACIONESCONTROL DE PROCESOS INDUSTRIALES
TRANSMISORES DE PRESION/TEMPERATURA
EXCITACION PARA PUENTES EN MODO
CORRIENTE
ACEPTA CIRCUITOS TRANSDUCTORES CON
PUESTA A TIERRA (ATERRADOS)
ES FUENTE DE CORRIENTE DE REFERENCIA PARA ADQUISICION DE DATOS
FUENTE DE CORRIENTE PROGRAMABLE PARA EQUIPO DE PRUEBA
FABRICACION AUTOMATIZADA
MONITOREO DE SISTEMAS DE ENERGIA Y DE PLANTAS DE
GENERACION DE ENERGIA ELECTRICA
VRFF Force 15
V,N2 (5V)
externos de hasta 10 mA. Se le puede agregar un transistor externo para obtener más corriente, por ejemplo 33 mA para puentes de 300 ohmios. El XTR110 es un componente clave en la adquisición de datos diseñado para transmisión de señales ya que tiene alta inmunidad al ruido causado por modo-corriente. También es ideal como una fuente de corriente programable de alta precisión para circuitos transductores y equipos de prueba.
Proceso de prueba a altas temperaturas.- El proceso de prueba a altas temperaturas es una opción disponible tanto para los envase plásticos como para los envases cerámicos del XTR110. La duración de este proceso de prueba es de 160 horas a las temperaturas que se indican a continuación (o un equivalente de la combinación tiempo y temperatura). Envase plástico- modelos con las letras “-BI” : +85ºC. Envase cerámico- modelos con las letras “-BI” : +125ºC. Todas las unidades son probadas después de este examen de quemado a altas temperatura para garantizar que se cumplan estas especificaciones para este grado. Para comprar con esta opción de esta prueba de quemado, agregar las letras “BI” al número base del modelo.
Por favor tenga en cuenta que al final esta hoja de datos aparece una nota importante sobre los productos semiconductores de la Texas Instruments en lo que respecta a su disponibilidad comercial, garantía estándar y su uso en aplicaciones críticas, y la no- responsabilidad legal de las mismas.
Todas las marcas registradas son propiedad de sus respectivos propietarios.
Copyright © 1984-2009, Texas Instruments IncorporatedPRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
* M TEXAS
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VALORES ABSOLUTOS MAXIMOS<1>
Fuente de Alimentación, +VCC................................................................40VTensión de Entrada, V,N1, V,N2, VREF ,N....................................................+VCC
Ver en el texto lo concerniente al rango de tensiones de entrada negativas que se puede aplicar sin dañar el IC.
Rango de temperaturas de almacenamiento: A, B ........-55°C a +125°CK, U ..................................-40°C a +85°C
Duración del corto circuito en la salida, entre la excitación de la compuertadel MOSFET y VREF Force.................Continuo cuando es al común y a +VCC
Corriente de salida usando una Resistencia interna de 50 Q..........40mA
NOTA: (1) Valores por encima de estos máximos pueden causar daño permanente. Si el dispositivo permanece sometido por periodos de tiempo extendido a las condiciones de valores máximos, se puede degradar la confiabilidad del dispositivo.
SENSIBILIDAD A LA DESCARGA ELECTROSTATICA
Este circuito integrado se puede malograr por ESD(ElectrosStaticDischarge, descarga electrostatica). Texas Instruments recomienda manipular todos los circuitos integrados con las precauciones adecuadas. El no observar los procedimientos adecuados de manipulación e instalación pueden causar daño.
El daño por ESD puede variar desde la degradacion sutil (difíciles de detectar, no permanentes) del desempeño hasta la falla total o permanente del dispositivo. Los circuitos integrados de precisión pueden ser mas suceptibles de dañarse por ESD, porque inclusive cambios muy pequeños de sus parámetros podrían originar que el dispositivo no cumpla con sus especificaciones publicadas en la hoja de datos tecnicos.
INFORMACION SOBRE ENVOLTURA/COMPRA(1)DENOMINACION DE LA RANGO DE
PRODUCTO ENVASE-PINES ENVOLTURA TEMPERATURAS
XTR110AG DIP-16 Ceramic JD -40°C a +85°CXTR110BG DIP-16 Ceramic JD -40°C a +85°CXTR110KP DIP-16 Plastic N 0°C a +70°CXTR110KU SOL-16 Surface-Mount DW 0°C a +70°C
NOTA: (1)Para obtener la infotrmacion mas actual sobre las envolturas y forma de compra ver el apéndice de opciones de envolturas que esta al final de este documento o ir a la pagina o sitio web www.ti.com.
CONFIGURACION DE LAS PATILLASVISTA DESDE ARRIBA
WSource Resistor 1 16 +VCC
Common 2 15 VREF Force
VREF ln 3 14 Gate Drive
VIN1 (10V) 4 13 Source Sense
VIN2 (5V) 5 12 VREF Sense
Zero Adjust 6 11 VREF Adjust
Zero Adjust 7 10 4mA Span
Span Adjust 8 9 16mA Span
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SBOS141C
CARACTERISTICAS ELECTRICASA TA = +25°C y Vcc = +24V y RL = 250Q**,a menos que se indique lo contrario.
PARAMETRO CONDICIONES XTR110AG, KP, KU XTR110BG UNIDADES
MIN TYP MAX MIN TYP MAX
TRANSMISOR
Funcion de Transferencia l0 = 10 [(VREFln/16) + (VIN1/4) + (VIN2/2)] /RSPAN
Rango de Entrada: V!N1(5) Desempeño Especificado 0 + 10 * * VV|N2 Desempeño Especificado 0 +5 * * V
Corriente, l0 Desempeño Especificado( 1) 4 20 * * mAOperac a valores menores*1' 0 40 * * mA
Nolinealidad 16mA/20mA Span<2> 0.01 0.025 0.002 0.005 % of SpanCorr. de desplazamiento, los l0 = 4mA<1>
Inicial (1) 0.2 0.4 0.02 0.1 % of Spanvs Temperatura (1) 0.0003 0.005 * 0.003 % of Span/°Cvs Fuente, Vcc (1) 0.0005 0.005 * * % of Span/V
Error de Max Rango l0 = 20mAInicial (1) 0.3 0.6 0.05 0.2 % of Span
vs Temperatura (1) 0.0025 0.005 0.0009 0.003 % of Span/°Cvs Alimentacion, Vcc (1) 0.003 0.005 * * % of Span/V
Resistencia de Salida Desde el Drenaje del (QEXT)(3) 10 X 109 * aResistencia de Entrada V|N1 V|N2
VREF I"27 22 19
* k£2kn kn
Respuesta DinamicaTiempo de Asentamiento a 0.1% del Rango
a 0.01% del Rango15 20
. US
USVelocidad de cambio 1.3 * mA/|is
VOLTAGE REFERENCIA
Voltage de Salida +9.95 + 10 + 10.05 +9.98 * + 10.02 Vvs Temperatura 35 50 15 30 ppm/°Cvs Fuente, Vcc Line Regulation 0.0002 0.005 * * %/Vvs Corriente de salida Load Regulation 0.0005 0.01 * * %/mAvs Tiempo 100 * ppm/1 k hrs
Rango de Ajuste -0.100 +0.25 * * VCorriente de salida Specified Performance 10 * mA
FUENTE DE ALIMENTAC.
Voltage de Entrada, Vcc + 13.5 +40 * * VCorriente de reposo Excluding l0 3 4.5 * * mA
RANGOTEMPERATURAS
Especificacion: AG, BG -40 +85 * * °CKP, KU 0 +70 °C
Operacion: AG, BG -55 + 125 * * °cKP, KU -25 +85 °c
* Las especificaciones son las mismas que las de los grados AG/KP ** Las especificaciones son validas para el rango de valores de RL mostrados en las curvas de desempeño tipicas
NOTAS: (1) Incluyendo la referencia interna. (2) El Alcance o Span es el cambio que se produce en la corriente de salida cuando el voltage de entrada cambia en todo su rango. (3) Dentro de la observancia o cumplimiento del rango, limitado por (+VCC-2V) +VDS que es requerido para la operación lineal del FET. (4) Para el circuito del ajuste de VREF vea la Figura 3. (5) Para el circuito de excitacion extendida de lREF vea la Figura 4. (5) Se puede dañar la unidad. Ver la seccion Rango de tensiones de entrada.
XTR110 SBOS141C
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CURVAS DE DESEMPEÑO TIPICASOBTENIDAS A TA = +25°C, Vcc = 24VDC, RL = 25CK2, a menos que se indique otros valores.
10
0.1
0.01
0.001
REGULACION DE LINEA DE VREF vs REQUENCY >
<3
REGULACION DE LA FUENTE vs FREQUENCIA
10 100 1k 10k
Frequencia de Rizado (Hz)
100k 10 100 1k 10k
Frequencia de Rizado (Hz)
100k
AUMENTO DE LA TEMPERATURA vs LA CORRIENTE DE SALIDA DE VREF ERROR TOTAL EN LA SALIDA vs TEMPERATURA
Incremento de la temperatura de la unión por encima de la temperatura ambiente
ME x. Temp. R
+85°C Amb
se
80
60
40
20
0
for ent
Max.Tj = +175°C 9JA =
70°C/W
Vcc = +40V ^
Vcc = +24V
VCC = +15V
10
Corriente de Salida de VREF (mA) (l0UT tiene un efecto minimo sobre T,)
0.01
0.001
< 2E
lcc vs TEMPERATURE
"o = 2 0mA
'o=_ 4 mA
RL MAXIMO vs vcc
1500
1000
500
0
'oiw xx = 20mA
'oi* i,x = 40mA_
-40 -20 0 20 40
Temperature (°C)
60 80 15 20 25 30
+VCC(V)
35 40
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CURVAS DE DESEMPEÑO TIPICAS (Continua)Obtenidas a TA = +25°C, Vcc = 24VDC, RL = 250C2, a menos que se indique otros valores.
TIEMPO DE ASENTAMIENTO CON UN ESCALON NEGATIVO EN VINV,N
OV
ovl0 Error
(0.01% of
MM
Span/Box)
RESPUESTA AL PULSO
TIEMPO DE ASENTAMIENTO CON UN ESCALON POSITIVO EN VIN ^MB M;.i
0V
0V
l0 Error (0.01% of Span/Box)
XTR110SBOS141C
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INFORMACION SOBRE LAS APLICACIONESEn la Figura 1 se muestran las conexiones básicas que se requiere hacer para convertir una entrada de OV a 10V en una salida de 4ma a 20mA. En la tabla que está dentro de la Figura 1 se muestra que cambiando las conexiones de las patillas 3, 4, 5, 9 y 10 se pueden obtener otros rangos de corriente de salida para otros rangos de voltaje de entrada.
La función de transferencia completa del XTR110 es:
REF IN) CMNI.)
(.MN2.)------- + ------ + --------16
(1)R,
RSPAN es la impedancia total, vista desde el emisor del transistor NPN interno con respecto al común. Esta impedancia varía dependiendo de cómo se configuren las patillas 8, 9 and 10. En la Figura 1 se muestran configuraciones de las regiones de operación típicas. Tal como se explica más adelante, se puede conectar una resistencia externa RSPAN para obtener otros rangos de corriente de salida.
TRANSISTOR EXTERNO
Como se muestra en la Figura 1, se requiere un transistor de paso externo, QEXT. Este transistor conduce la corriente de la señal de salida. Se recomienda usar un transistor MOSFET de canal P. Este transistor MOSFET debe
tener un valor máximo de voltaje igual o mayor que el valor máximo del voltaje de la fuente de alimentación Vcc. En la Tabla I se recomiendan varios tipos de transistores MOSFET.
FABRICANTE PART NO. BVDSS<1> BVGS(D PACKAGE
Ferranti ZVP1304A
ZVP1304B
ZVP1306A
ZVP1306B
40V
40V
60V
60V
20V
20V
20V
20V
TO-92
TO-39
TO-92
TO-39
International
Rectifier
IRF9513 60V 20V TO-220
Motorola MTP8P08 80V 20V TO-220
RCA RFL1P08
RFT2P08
80V
80V
20V
20V
TO-39 TO-
220
Siliconix
(preferred)
VP0300B
VP0300L
VP0300M
VP0808B
VP0808L
VP0808M
30V
30V
30V
80V
80V
80V
40V
40V
40V
40V
40V
40V
TO-39 TO-
92
TO-237
TO-39 TO-
92
TO-237
Supertex VP1304N2
VP1304N3
VP1306N2
VP1306N3
40V
40V
60V
60V
20V
20V
20V
20V
TO-220
TO-92
TO-220
TO-92
NOTA: (1) BVDSS—voltaje de ruptura entre el Drenador-Surtidor del MOSFET. BVGS—
voltaje de ruptura entre la Compuerta-Surtidor del MOSFET.
TABLA I. MOSFETs de canal-P disponibles en el mercado.
O-
V|N
0 to 10VForce 15
Sense 12
Adj.
5k£2
6250Q RR 1562.5Q
10
O 4mA Span 9 16mA
Span
f (V,10
QEXT
P-Channel MOSFET (see text)
16.25k£2
4 to 20mARL ; (250Q
typ)-O Span Adjust
i 0 / io j ( R?
RANGO RANGO
DE ENT (V) DE SAL(mA) PIN 3 PIN 4 PIN 5 PIN 9 PIN 10
0-10 0-20 Com Input Com Com Com
2-10 4-20 Com Input Com Com Com0-10 4-20 +10V Ref Input Com Com Open0-10 5-25 +10V Ref Input Com Com Com0-5 0-20 Com Com Input Com Com1-5 4-20 Com Com Input Com Com0-5 4-20 + 10V Ref Com Input Com Open0-5 5-25 +10V Ref Com Input Com Com
FIGURA 1. Conexiones Circuitales Basicas.
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Si el voltaje de la fuente de alimentación, +VCC, excede el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador VGD del QEXT, o si se rompe la conexión en la salida (drenador de QEXT), podría malograrse el transistor QEXT. Si en caso el voltaje de ruptura de la compuerta-drenador del QEXT en menor que +VCC, QEXT puede ser protegido con un diodo zener de 12V conectado entre la compuerta y el drenador del MOSFET.
En vez del MOSFET QEXT, se puede usar dos transistores PNP discretos (conectados como Darlington) —vea la Figura 2. Observe que en este caso es necesario usar un condensador adicional por consideraciones de estabilidad. No se recomienda usar transistores Darlington en circuito integrado porque sus resistencias internas entre la base y el emisor originan errores muy grandes.
DISIPACION DEL TRANSISTOR EXTERNO QEXT
La disipación máxima de potencia de QEXT depende del voltaje de la fuente de alimentación y de la corriente de salida máxima. Asumiendo que la Resistencia de carga es pequeña, la potencia disipada por QEXT está dada por:
PMAX = (+Vcc) IFS (2)
Para evitar sobrecalentamiento del transistor Qext, se debe elegir el tipo de transistor y el disipador según la máxima disipación de potencia. En la Tabla II se dan recomendaciones generales según el tipo de envoltura.
TIPO DE ENVOLTURA
DISIPACION DE POTENCIA PERMISIBLE
TO-92TO-237TO-39TO-220TO-3
La más baja: Use la Fuente mínima y a +25°C. Aceptable: Compromiso entre fuente y temperatura. Buena: Adecuada para la mayoría de diseños. Excelente: Cuando se usan los valores máximos por tiempo prolongado. Usar este envase si se require un envase hermetico.
TABLA II. Tipo de envoltura del Transistor externo Qext y Disipación que puede soportar.
RANGO DE VOLTAGES DE ENTRADA
El XTR110 se malogra si a las entradas se le aplica un tensión menor que la del pin 2 que es el COMUN. Se puede malograr el op amp Al si a la entrada no inversora (la entrada +, es un nodo interno) del op amp Al se le coloca una tension negativa mayor de 0.5V por debajo del comun (0V). Esta situacion podria ocurrir si las patillas de entrada 3, 4 or 5 fueran excitadas con un amplificador operacional cuya salida podria tener excursions negativas bajo condiciones anormales. El voltage en la entrada de Al es:
' "cc
16 1 47nF
XTR110 13 I *-
TIP30B
14 T ji etc.
2 0.047uF
h2N2907 , " 'OUT etc.
>L
Common
FIGURE 2. QEXT usando dos Transistores PNP.
+Vn,
VoFF Force
"REF
O
-
20k£2
Adjust Range ±5% Optimum
NOTA: (1) Rs da mas resolución con rango reducido, para un rango más grande ajustar Rs = 0Q.
FIGURE 3. Ajuste opcional del Voltaje de referencia.Force 15
-o+vr
(VREFIN) (VIN1) (VJvA, =---------+----------+
16(3)
HOVo XTR110
Este voltaje VA1 no debe ser más negativo que -0.5V. Si fuera necesario, se le puede conectar un diodo sujetador conectado entre la entrada que puede tener excursiones negativas y el común, para sujetar la tensión de entrada. Viendo la función de transferencia, por ejemplo, asuma que se se esta usando la configuración estándar que se muestra en la figura 1. En este caso, VREF IN = 10V y VIN2 =0V. La ecuación se transforma en:(10/16) + (VIN1/4) + (0/2)=0Re arreglando nos da: Vin1= -2.5V, el cual es el máximo
voltaje negativo el caul se le puede aplicar. Sin embargo note que esto solo se aplica únicamente sies que en VREF IN hay+10V presentes.Asi si por ejemplo por algún motivo se interrumpe la fuente de alimentación del XTR110 , ya no se generaran los +10V en VREF y cualquier entrada negativa en VIN1 podria dañar la unidad.
COMUN (Tierra)
1516
12VREF Adjust
-----AV^1
XTR110
R<1>
C
'Al
Se debe de prestar bastante atención a la conexión adecuada de los comunes del circuito (las tierras). Todos los comunes deben de unirse en un punto que sea lo más cercano posible al pin 2 del XTR110 que es el común del integrado. La excepción es el retorno de IOUT. Este común (de IOUT) puede ser retornado a cualquier punto que no module al común del XTR10 que es el pin 2.
Para 100mA con Vcc hasta 40V use el 2N3055 como QREF.
FIGURA 4. Aumentando la corriente de referencia.
el pin 3 (VREF IN) del divisor de tensión debe de conectarse a este punto. El circuito de la Figura 4 muestra como se puede variar el valor del voltaje de referencia usando el pin 11, aquí también se muestra como realizar los ajustes fino y grueso del voltaje de referencia.
La corriente máxima de la referencia interna del XTRllO es 10mA. Esta corriente se puede hacer mayor, si es que se desea, adicionándole un transistor externo del tipo NPN entre los pines 15 y 12 tal como se muestra en la Figura 4.
ADJUSTE DEL DESPLAZAMIENTO (CERO)
Se puede variar la corriente de desplazamiento (del cero de corriente) usando el potenciómetro , R1, (entre los pines 6 y 7), tal como se muestra en la Figura 5. El procedimiento consiste en hacer el voltaje de entrada (en el pin 4) igual a cero y luego variar la resistencia R1 hasta obtener 4mA en la salida. Esto en caso de un cero vivo. Para rangos que van a empezar en 0 mA, se recomienda seguir el siguiente procedimiento especial: colocar en la entrada (el pin 4) un pequeño valor de tensión, muy cercano a cero pero que no sea cero, y luego variar el valor de la resistencia R1 hasta obtener la corriente de salida que se necesita. Cuando la entrada sea cero, la salida también debe ser cero. En las figuras 6 y 7 se muestra gráficamente como se ajusta el desplazamiento o cero.
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VOLTAGE DE REFERENCIA
El voltaje de referencia de 10V está regulado con mucha exactitud en el pin 12 (VREF SENSE)- PARA SEGUIR MANTENIENDO ESTA EXACTITUD, cualquier carga incluyendo oad including pin
XTR110SBOS141C
Offset Adjust
XTR110
Span Adjust
1 |jF Tantalum
13
^ Third Wire
24V .
Z
FIGURA 6. Recta que muestra el Cero y el Máximo para la siguiente configuración: entrada de 0V a +10V, Salida de 4mA a 20mA (vea la Figura 5).
FIGURA 5. Circuito para el ajuste del cero y del máximo cuando la entrada es OV a +10V , y la salida es 4mA a 20mA.
AJUSTE DEL ALCANCE O MAXIMO
El alcance o rango es ajustado hasta obtener la máxima corriente de salida usando el potenciómetro, R2, tal como se muestra en la Figura 5. Este ajuste interactúa con el ajuste del cero, y será necesario realizar unas cuantas iteraciones hasta ajustar los dos valores, el cero y el máximo correctamente. Para el circuito mostrado, coloque el voltaje de entrada al máximo que es +10V y luego varié R2 hasta obtener una salida máxima de 20mA. Las Figuras 6 y 7 muestran gráficamente como se ajusta el alcance o máximo.
Los valores de R2, R3, y R4 para ajustar el máximo de la corriente de salida son determinados de la siguiente manera: elija un R4 en serie para que disminuya ligeramente el valor máximo de la corriente; luego elija R2 y R3 para que aumenten el máximo de tal manera que se pueda ajustar en torno a su valor central.
OPERACION CON RESISTENCIAS DE BAJO COEFICIENTE DE TEMPERATURA
Aunque las resistencias de precisión en el XTR110 están dentro del rango de l ppm/°C, la corriente de salida depende del coeficiente de temperatura absoluto (TC) de cualquiera de las resistencias, R6, R7, R8, y R9. Como el coeficiente de temperatura absoluto (TC) de las resistencias es 20ppm/°C, como máximo, entonces el TC de la corriente de salida puede tener un corrimiento de 20ppm/°C. Si se quiere operar con bajos coeficientes de temperatura TC, se pueden cambiar las resistencias internas (R6 or R7) que se usan para ajustar el máximo y el mínimo del rango, por resistencias con cero TC, o también la Resistencia de surtidor (Re,) por una resistencia con cero TC pero no las dos al mismo
tiempo.20
^
<E
15
> 20mA Span3 10
Ajust
e del cero
0mA Offset
2 4 6
Input Voltage, V,N1 (V)
FIGURA 7. Recta que muestra el Cero y el Máximo para la siguiente configuración : Entrada 0V a +10VIN, Salida 0mA a 20mA (Vea la
Figura 5).
COMO AGRANDAR EL RANGO
Para rangos máximos mayores de 40mA, se puede reemplazar la Resistencia interna de 50Ω (R9) por una resistencia externa conectada entre los pines 13 y16.
Su valor puede ser calculado como sigue:
REXT = R9 (SpanViejo/SpanNuevo)
Como las resistencias internas de película-delgada tienen un 20% de tolerancia en valor absoluto, antes de determinar el valor final de REXT hay que medir R9. El auto calentamiento de REXT puede originar no-linealidades. Por lo tanto, elegir un REXT que tenga un coeficiente de temperatura TC bajo y un valor de potencia adecuado. En la figura 10 se muestra esta aplicación de rango extendido.
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Vea valores en la Figura 6.Ademas junte los pines 9 y 10.
Adjuste del maximo
10
APPLICACIONES TIPICASEl XTR110 es ideal para una gran variedad de aplicaciones que requieran transmisión de señales con alta inmunidad al ruido causado por el modo común. La referencia de precisión de +10V se puede usar para excitar circuitos puente y transductores. El hecho que se puedan seleccionar los rangos lo hacen muy útil como una fuente de corriente programable de alta precisión. Su diseño compacto
y su bajo precio hacen que el XTR110 sea muy versátil con un mínimo de componentes externos y con un mínimo de tiempo para el diseño de ingeniería.
Las figuras de la 8 a la 10 muestran aplicaciones tipicas del XTR110.
Q +15V
2MQ
T, '-H
R4 2k£2
15
12
+ 10V Reference
-V\AA--W\A- R1
\2n
I—-1 T.
Span Adjust
"•-In
200 l0 <mA)-200
16
WW^
14
Offset Adjust
RH 50k£2 Coarse Trim J
402Q
Ri, R2:
R8. Rio. RnR6. R7:
A1 - A4: Tr T2:
VIN(V)
Resistencias de bajo TC para disipar 0.32W de potencia continuamente.Para otros rangos de corriente, escale las dos resistencias proporcionalmente.Usar potenciómetro de 10 vueltas para obtener mayor sensibilidad.Resistencias de bajo TC .1/4 LM324 (alimentado con ±15V).International Rectifier IR9513(1).International Rectifier IR513(1).International Rectifier IRFF9113(1).
NOTA: (1)U OTRO transistor MOS con valor máximo de potencia adecuado.
FIGURE 8. Bomba de Corriente de +- 200mA.
XTR110SBOS141C
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Barrera de aislamiento Isolation Barrier
4-15VO
Fuente de Alimentacion Aislada Isolated Power Supply (722)
</ I I : I t
-15V+15V ! -15V+15V
1uF
0 to-10V
15
16
XT
13
14 G Salid
a de 4mA a
2 0mA
^
FIGURA 9. Canal de 4mA a 20mA aislado.
+24VQ
' ^EXT
:o.m
O-------0Vto+10V
Q
XTR110
14 G
OAto 10AOut
See extended span section. \/
FIGURA 10. Salida de OA a 10A del convertidor de voltaje a corriente.
10
^rww
XSB
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9/09 C 6 Pagina Frontal Se cambio la hoja frontal a formato estándar.
Informacion de Aplicaciones Se cambio el texto del tercer párrafo.
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INSTRUMENTS*
APENDICE SOBRE LAS OPCIONES DE ENVOLTURAS QUE EXISTENwww.ti.com 8-Sep-2009
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device Status (1) Package Type
Package Drawing
Pins Package Eco Plan (2)
QtyLead/Ball Finish MSL Peak Temp <3)
XTR110AD OBSOLETE DIESALE Y 0 TBD Call Tl Call Tl
XTR110AG NRND CDIPSB JD 16 1 Green (RoHS & no Sb/Br)
AU N /A for Pkg Type
XTR110BG NRND CDIPSB JD 16 1 Green (RoHS & no Sb/Br)
AU N /A for Pkg Type
XTR110KP ACTIVE PDIP N 16 25 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU N /A for Pkg Type
XTR110KPG4 ACTIVE PDIP N 16 25 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU N /A for Pkg Type
XTR110KU ACTIVE SOIC DW 16 40 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU Level-3-260C-168HR
XTR110KU/1K ACTIVE SOIC DW 16 1000 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU Level-3-260C-168HR
XTR110KU/1KG4 ACTIVE SOIC DW 16 1000 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU Level-3-260C-168HR
XTR110KUG4 ACTIVE SOIC DW 16 40 Green (RoHS & no Sb/Br)
CU NIPDAU Level-3-260C-168HR
(1) The marketing status values are defined as follows:ACTIVE: Product device recommended for new designs.LIFEBUY: Tl has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but Tl does not recommend using this part ina new design.PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.OBSOLETE: Tl has discontinued the production of the device.
(2) Eco Plan - The planned eco-friendly classification: Pb-Free (RoHS), Pb-Free (RoHS Exempt), or Green (RoHS & no Sb/Br) - please checkhttp://www.ti.com/productcontent for the latest availability information and additional product content details.TBD: The Pb-Free/Green conversion plan has not been defined.Pb-Free (RoHS): Tl's terms "Lead-Free" or "Pb-Free" mean semiconductor products that are compatible with the current RoHS requirementsfor all 6 substances, including the requirement that lead not exceed 0.1 % by weight in homogeneous materials. Where designed to be solderedat high temperatures, Tl Pb-Free products are suitable for use in specified lead-free processes.Pb-Free (RoHS Exempt): This component has a RoHS exemption for either 1) lead-based flip-chip solder bumps used between the die andpackage, or 2) lead-based die adhesive used between the die and leadframe. The component is otherwise considered Pb-Free (RoHScompatible) as defined above.Green (RoHS & no Sb/Br): Tl defines "Green" to mean Pb-Free (RoHS compatible), and free of Bromine (Br) and Antimony (Sb) based flameretardants (Br or Sb do not exceed 0.1 % by weight in homogeneous material)
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak soldertemperature.
Important Information and DisclaimenThe information provided on this page represents Tl's knowledge and belief as of the date that it is provided. Tl bases its knowledge and belief on information provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. Tl has taken and continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals. Tl and Tl suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall Tl's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the Tl part(s) at issue in this document sold by Tl to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
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INSTRUMENTSPACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
8-Sep-2009
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS
k-KO -P1-
I 4> & <J> # & ® & $ "1 'i
0 ,* O (BO W
) I*1 ) / J
Cavity -/-I AO
4-
Dimension designed to accommodate the component widthDimension designed to accommodate the component length
Dimension designed to accommodate the component thicknessOverall width of the carrier tape
Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1) QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Pocket Quadrants
*AII dimensions are nominalDevice Package
TypePackage Drawing
Pins SPQ ReelDiameter
(mm)
ReelWidth
W1 (mm)
AO (mm)
BO (mm)
KO (mm)
P1 (mm)
W (mm)
Pin1 Quadrant
XTR110KU/1K SOIC DW 16 1000 330.0 16.4 10.85 10.8 2.7 12.0 16.0 Q1
*
Reel Diameter
AOB
O
K
O
W
Sprocket Holes
User Direction of Feed
Pack Materials-Page 1
71 TEXAS
INSTRUMENTSPACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
8-Sep-2009
*AII dimensions are nominalDevice Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm)
XTR110KU/1K SOIC DW 16 1000 346.0 346.0 33.0
*
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Pack Materials-Page 2
MECHANICAL DATA
JD (R-CDIP-T**) CERAMIC SIDE-BRAZE DUAL-IN-LINE PACKAGE20 PINS SHOWN
20
0.290 (7,37) TYP
0
.
0
6
5
(
1
,
6
5
)
~
0
.
0
4
5
(
1
,
1
4
)
0.075 (1,91) MAX 4 Places
0.175 (4,45) 0.140
(3,56)
0.320 (8,13) 0.290
(7,36)"
X 1
JL.
rxSeating Plane
0.020 (0,51)
i i i i i i I I 0.021 (0,53)"*1^_ 0.015 (0,38) 0.125(3,1
0.100 (2,54)
0.012 (0,30) 0.008 (0,20)
^\PINS **
DIM ^\
8 14 16 18 20 24
A MAX0.405 (10,29)
0.757 (19,23)
0.810 (20,57)
0.910 (23,11)
1.010 (25,65)
1.100 (27,94)
4040086-2/F 07/03
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters).B. This drawing is subject to change without notice.C. This package is hermetically sealed with a metal lid.D. The terminals are gold plated.
E. Falls within MIL STD 1835 CDIP2 - T8, T14, T16, T18, T20 and T24 respectively.
TEXAS
INSTRUMENTSwww.ti.com
*
MECHANICAL DATA
N (R-PDIP-T**) PLASTIC DUAL-IN-LINE PACKAGE16 PINS SHOWN
16 9
r-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir^-ir-n
10.070 (1,78)
0.045 (1,14)
T0.260 (6,60) 0.240 (6,10)
AAA
DIM ^\ 14 16 18 20
A MAX 0.775 (19,69)
0.775 (19,69)
0.920 (23,37)
1.060 (26,92)
A MIN 0.745 (18,92)
0.745 (18,92)
0.850 (21,59)
0.940 (23,88)
MS-001 VARIATION
AA BB AC AD
0.045 (1,14) 0.030 (0,76)
0.015 (0,38)
0.020 (0,51) MIN
T
0.325 (8,26) 0.300 (7,62)
0.015 (0,38)| -i
—Gauge Plane
0.010 (0,25) NOM
0.010 (0,25)®
14/18 Pin Only20 Pin vendor option /D\
4040049/E 12/2002
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters).
B. This drawing is subject to change without notice.
A Falls within JEDEC MS-001, except 18 and 20 pin minimum body length (Dim A).
/D\ The 20 pin end lead shoulder width is a vendor option, either half or full width.
TEXAS
INSTRUMENTSwww.ti.com
Af 0.200 (5,08)
MAX
X_____Seating Plane
1.125 (3,1
|*—H 0.100 (2,54)1
0.021 (0,53)
0.430 (10,92) MAX
*
MECHANICAL DATA
DW (R-PDS0-G16) PLASTIC SMALL-OUTLINE PACKAGE
0.413 (10,50)0.398 (10,10)
16
Pin 1 Index Area
| 0.050 (1,27)|
0.419 (10,63) 0.393 (9,97)
0.299 (7,60) 0.291 (7,40)
0.020 (0,51)0.012 (0,31)
|-0-10.010 (0,25) @ |
F§-0.104 (2,65) Max
1LI
0.012 (0,30) 0.004 (0,10)
| 0.010 (0,25)|
T
^i 0.004 (0,10)
Seating Plane
0.050 (1,27) 0.016 (0,40)
NOTES: A. All linear dimensions are in inches (millimeters).B. This drawing is subject to change without notice.C. Body dimensions do not include mold flash or protrusion not to exceed 0.006 (0,15).D. Falls within JEDEC MS-013 variation AA.
^ TEXAS INSTRUMENTSwww.ti.com
0.013 (0,33)
0.008 (0,20) ~|
Gauge Plane —~ - £
4040000-2/F 06/2004
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Los productos de la TI no han sido diseñados ni han sido hechos para usarse en las aplicaciones o medio ambientes militares/aeroespaciales a no ser que los productos de la TI sean designados especificamente por la TI como que son de grado militar o que son fabricados de “plastico mejorado”. Solamente los productos que la TI ha designado como de grado-militar cumplen con las normas y especificaciones militares. Los compradores reconocen y aceptan que cualquiera de tales usos de los productos de la TI los cuales la TI no ha designado como de grado-militar es a cuenta y riezgo propio de los compradores, y que ellos son los unicos responsables de la observancia y cumplimiento de todos los requerimientos gubernamentales y legales en conexion con tal tipo de uso.
Los productos de la TI no han sido diseñados ni hechos para usarse en las aplicaciones o medio ambientes automotrices a no ser que explicitamente estos productos especificos de la TI sean designados por la TI como que cumplen los requerimientos de la norma ISO/TS 16949. Los compradores reconocen y aceptan que, si ellos usan cualquier producto de la TI que no ha sido designado para usarse en aplicaciones automotrices, la TI no sera responsable por cualquier falla por no haber cumplido con tales requerimientos.
Los siguientes son los URLs donde se puede obtener informacion sobre otros productos y soluciones de aplicacion de la TI.
Productos
Amplifiers Data
Converters DLP®
Products
DSP
Clocks and Timers
Interface
Logic
Power Mgmt
Microcontrollers
RFID
amplifier.ti.com
dataconverter.ti.com
www.dlp.com
dsp.ti.com
www.ti.com/clocks
interface.ti.com
logic.ti.com
power.ti.com
microcontroller.ti.com
www.ti-rfid.com
RF/IF and ZigBee® Solutions www.ti.com/lprf
Applicaciones
Audio
Automotive
Communications and Telecom
Computers and Peripherals
Consumer
Electronics
Energy
Industrial
Medical
Security
Space, Avionics & Defense
Video and Imaging
Wireless
www.ti.com/audio
www.ti.com/automotive
www.ti.com/
communications
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www.ti.com/consumer-
apps
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