誌 謝
雖然我們只跟隨老師做了 1 年左右的專題而已,不過這 1 年來讓我們學習
了很多的學識,也加強了解決問題的能力,對於自己看不懂的論文或是電路分
析方面他老師總是不會像我們一樣矇混過去,他會盡一切所能的把答案找出來
然後整理成筆記之後再為我們解答,這反而讓跟隨著他做專題的我們這三個學
生感到羞愧,也正是我們所缺乏的能力之一,也或許是老師之所以能夠被稱呼
為老師的原因吧。
老師總是一直對我們強調一句話〔要學習如何去讀書〕,這句話讓我們有很
深刻的印象,可能比所學的印象還深刻,打從一開始跟隨老師做專題至今他仍
然不忘提醒著我們,在和老師做專題之前就有學長們說黃文昌老師幾乎是沒有
脾氣的,他們從沒見過他生氣的樣子,可是由於大三太過混了所以第一次見過
老師生氣的樣子,從那之後就我們就開始改變自己對讀書的態度和觀念,即使
如此,從大四開始每一次和老師 meeting 報告論文 paper 時,遇到不懂的問題他
會要我們中斷報告回去找答案下次在繼續,不希望我們像半桶水一樣,含糊籠
統的報告似懂非懂,等到下次 meeting 時深怕答案沒有找出來會被責備,不過
結果總是出乎我們意料之外,老師都是一附笑咪咪的臉對我們說那我們一起來
把問題解決吧,這席話讓我們蠻感動的,在我的讀書過程中從來不會有老師會
這麼有耐心的教導我。
經由老師這 1 年的訓練我們對如何把 PowerPoint 的內容格式以及如何把一
篇英文的 paper 整理成自己所要的中文內容有了更深入的了解,對自己處理問
題的能力也有了進一步的認知,這都是黃文昌老師教導的,所以我們最後要說
一句﹙老師謝謝您^^ 。
2005 年初夏
吳廷祐 洪偉嘉 林志謙 謹致於
崑山電子系 GS Lab
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目 錄
誌 謝 .............................................................................................................................. 1 第一章 緒論 .................................................................................................................. 4
1.1. 研究動機 ......................................................................................................... 4 1.2. 研究目的 ......................................................................................................... 5 1.3. 專題報告結構 ................................................................................................. 5
第二章 Charge Pump 觀念概要 ................................................................................... 6 2.1. 基本 Charge Pump 介紹 ................................................................................. 6 2.2. 基本 Charge Pump 原理分析 ......................................................................... 6 2.3. 加上負載之 Charge Pump 原理分析 .............................................................. 7
第三章 各類 Charge Pump 介紹與分析 ...................................................................... 9 3.1. Dickson Charge Pump 介紹 ............................................................................ 9 3.2. Dickson Charge Pump 原理分析 .................................................................... 9 3.3. 實際 Dickson Charge Pump 原理分析 ......................................................... 10 3.4. NCP-1( New Charge Pump-1 ) 介紹 .............................................................. 11 3.5. NCP-1( New Charge Pump-1 ) 原理分析 ..................................................... 12 3.6. NCP-2( New Charge Pump-2 ) 介紹 ............................................................. 13 3.7. NCP-2( New Charge Pump-2 ) 原理分析 ..................................................... 14 3.8. NCP-3( New Charge Pump-3 ) 介紹 ............................................................. 15 3.9. NCP-3( New Charge Pump-3 ) 原理分析 ..................................................... 15 3.10. CCTS-1( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-1 ) 介紹 ......................... 16 3.11. CCTS-1( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-1 ) 原理分析 ................. 17 3.12. CCTS-2( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-2 ) 介紹 ......................... 18 3.13. 傳統 Heap Pump 介紹 ................................................................................ 19 3.14. 傳統 Heap Pump 原理分析 ........................................................................ 19 3.15. 傳統四級 Heap Pump 原理分析 ................................................................ 20 3.16. 改良之 Heap Pump 介紹 ............................................................................ 21 3.17. 改良之 Heap Pump 原理分析 .................................................................... 22
第四章 結論 ................................................................................................................ 23
4.1. 研究心得 ....................................................................................................... 23 參考文獻 ...................................................................................................................... 25
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圖目錄
圖 2-1-1 倍壓電路基本架構 ....................................................................................... 6 圖 2-3-1 加上負載之倍壓基本電路 ........................................................................... 8 圖 3-1-1 Dickson Charge Pump 電路基本架構圖 ...................................................... 9 圖 3-3-1 將二極體改由 NMOS 電晶體替代之 Dickson Charge Pump ................... 10
圖 3-3-2 Dickson Charge Pump 級與級之間電壓變動圖 ......................................... 11
圖 3-4-1 加上 CTS 之 NCP-1 電路圖 ........................................................................ 12
圖 3-5-1 加上 CTS 之 NCP-1 各級電壓變動圖 ........................................................ 13
圖 3-6-1 在 CTS 下加上 PMOS 與 NMOS 元件之 NCP-2 電路圖 .......................... 14
圖 3-8-1 將 NCP-2 之 M D5 以 Cross-Coupled Voltage Doubler 代替之 NCP-3 電路 15
圖 3-10-1 CCTS-1 電路圖 .......................................................................................... 16
圖 3-12-1 CCTS-2 電路圖 .......................................................................................... 19
圖 3-13-1 傳統 Heap Pump 電路圖 ............................................................................ 20
圖 3-15-1 傳統四級 Heap Pump 電路圖 .................................................................... 21
圖 3-16-1 改良之 Heap Pump 電路圖 ........................................................................ 21
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第一章 緒論
1-1 研究動機
在這全球都邁向高科技的世代裡,電子產業往往都是最被關注的,已經可
以說電子產業發達就是高科技國的代表,而台灣的電子業近期蓬勃發展,電子
業在台灣可說是目前最具有經濟影響力的一種高科技產業,例如:數位電視、家
用電腦、PDA、各種電子家電等等的各種高科技電子產品,這些各式各樣的電子
產品的心臟就是所謂的電子 IC晶片,所以電子 IC晶片的發展就是更重要的一
個環節了,然而目前在各種電子 IC晶片上的供應電壓是以低電壓低耗損工率為
趨勢,像常見的 64Mb DRAM 、16Mb SRAM 、64Mb FLASH [1] 晶片上的供應電
壓都是 3.3V,而且隨著晶圓製程不斷的進步更新,IC上的供應電壓越來越低,
供應損耗越來越低,速度的要求也越來越快。
但是 IC 電路上有些部分的電路動作在目前為止,並沒有能夠很有效的以低
電壓來驅動,例如 EEPROM,或是 Flash memory 其寫入動作的電壓就必須要以
Vpp=12V 或 Vpp=12.5[1]的高壓來執行,另外一般 Driver IC 上的輸出驅動電壓,
像是 TFT-LCD Driver IC 也是需要數倍於供應電壓的高壓,我們的研究動機就
是研究使用 On Chip High Voltage Generation 的方式將 supply voltage 提升到數倍
之多,這種電路結構一般我們稱之為 Charge Pump 或是 Voltage Doubler,比較
著名的有 Dickson Charge Pump,從這個早期的電路的啟發,後來才陸陸續續的
衍生出各式各樣的 Charge Pump,其目的都是想要改良 Charge Pump 的 Pumping
gain,或者是成串接更多級的 Charge Pump 以提供更高的電壓,以便於應用在各
種的 On Chip High Voltage Circuit。
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1-2 研究目的
我們的研究目的就是把各種的 Charge Pump拿來研究與分析,其研究的內
容包含 Charge Pump 的倍壓電路、加上負載的 Charge Pump 的倍壓電路、Dickson
Charge Pump 的電路、New Charge Pump 的電路、CCTS 電路、傳統的 Heap Pump
電路,我們仔細的分析各的電路的電路特性,進而分析各種電路的差異加以分
析,然而我們最終的目標就是了解了各種的 Charge Pump 電路的特性優缺點,
電路的優點保留改善電路的缺點進而希望能自行創造出一種新型的 Charge
Pump。
1-3 專題報告架構
第一章 緒論
主要是在說明我們的研究動機與目的
第二章 Charge Pump 觀念概要
簡單的介紹一下最基本的倍壓電路的原理概念
第三章 各類 Charge Pump介紹與分析
在此章介紹各類 Charge Pump 的演進,並對各個電路加以分析
第四章 結論
敘述了我們做完此專題後的心得與感想
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第二章 Charge pump 觀念概要
2-1 基本Charge Pump介紹
Charge Pump 是能夠將供應電壓利用電路上的特點,將輸出的電壓提升到倍壓
於供應電源。因此,我們可以用幾個電子式的開關跟電容,就可以達到輸出電壓
倍壓於供應電源的結果,如圖 2-1-1 所示[2]。
圖 2-1-1 倍壓電路基本架構
2-2基本Charge Pump 原理分析
• ψ=1, =0
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φ
– S1,S3接通,S2,S4 開路
– 此時稱為 Setup Time
– 因此電容 C 被充電至 VDD
• ψ=0, =1
– S1,S3 開路,S2,S4接通
– 此時 C上電壓為 VDD 稱 Pumping time
– VOUT=VDD(輸入電壓)+VDD(C上電壓)
• 我們可以簡單的分析得到 :
– (VOUT - VDD).C= VDD.C (2-2-1)
– VOUT =2.VDD (2-2-2)
2-3 加上負載之 Charge Pump 原理分析
若加上負載如圖 2-3-1 我們可以得到以下之導論
• ψ=1, =0
– S1,S3接通,S2,S4 開路
– 電容 C 被充電至 VDD
• ψ=0, =1
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φ
φ
φ
– S1 , S3 開路, S2,S4接通
– 電容 C上電壓為 VDD,則VOUT =VDD (輸入電壓)+ VDD (C上電壓
)
• 但因電路上加上了負載我們由公式(Vout- VDD).C = V.C 分析得到:
– Q = C.V
– VDD.C = VOUT.Cout+( VOUT - VDD)C
– 2 VDD C= VOUT (C+ COUT)
– VOUT =OUTCC
C+ .2 VDD (2-3-1)
• 若是 COUT =C 則 VOUT = VDD 由式,可看出 OUTCC
C+ <1,因而得知
VOUT 一定無法達到 2 V
圖 2-3-1 加上負載之倍壓基本電路
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第三章 各類CHARGE PUMP 介紹與分析
3-1 Dickson Charge Pump介紹
Dickson Charge Pump 是一種最基本的 Charge Pump,主要是利用Diode
Like[3] [4] [5] [6]的方式,再加上兩個互補的脈波對電容交互 Pre Charge(Set up)-
Pumping Capacitor[3] [4]而達到倍壓的效果,如下圖 3-1-1。
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圖 3-1-1 Dickson Charge Pump 電路基本架構圖
3-2 Dickson Charge Pump 原理分析
• 當 ψ=0 時
– D1 ON,直至 C充電至 Vin-Vd(二極體上的電壓約為 0.7V)此
為 Node1上的電壓
• 當 ψ=1 (VDD) 時
– Node 1上的電壓變成 Vin+( VDD-Vd)
– 因為 = 0,所以此電壓會使 D2 ON,直到 Node 2上的 電壓變
成 Vin+( VDD-Vd) -Vd(第二個二極體上電壓)
• 依此類推當 ψ=1 時,經過 N級的電路
– VOUT =Vin+N.(VDD-Vd) -Vd (3-2-1)
• 若考慮雜散電容 CS 的影響
– VOUT =Vin+N.〔( CsCC+ ) VDD-Vd〕-Vd (3-2-2)
• 若再考慮負載的效應
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φ
– VOUT =Vin+N.〔( CsCC+ ) VDD-Vd- CsC
I out+ .fOSC〕-
Vd (3-2-
3)
• (3-2-3)若要成立則下列公式要成立
– ( CsCC+ ) VDD-Vd-N. CsC
I out+ .fOSC>0
– 將 (1-6) 改寫為 VOUT = VO-IOUT.RS (3-2-4)
– VO = Vin+N.[( CsCC+ )VΦ-Vd]-Vd (3-2-5)
– Rs = CsCN+ .fOSC (3-2-6)
– VR = OSC
OUT
fI
.COUT = OSC
OUT
fV
.RL.COUT (3-2-7)
– 想要將VR漣波電壓降低的方法可以增加 fOSC 的頻率,或
者加大 COUT輸出電容
3-3 實際Dickson Charge Pump 原理分析
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圖 3-3-1將原本電路上的二極體改由 NMOS 電晶體替代
• 當 ψ= 0 時
– C1上的 V1= VDD , MD1=OFF .
• 當 ψ= VDD 時
– V1= VDD + (前一級V1 的電壓) =2 VDD .
– C2 經 MD2 被 VIN充電到 2 VDD , C2上的 V2=2 VDD , MD2 會 OFF
– V3=3 VDD 得VOUT =(N+1).Vin (3-3-1)
• 我們可由 CS , C , Vtn(臨限電壓)及 Clock速度 fOSC影響可得 :
– VOUT=Vin + N[ CsCC+ .Vψ-Vtn- CsC
I out+ .fOSC]-Vtn (3-3-2)
– △V=[ CsCC+ .Vψ – CsC
I out+ .fOSC ] (3-3-3)
• GV 是電壓增益應用於 Dickson Charge Pump上
– (GV = V△ -Vtn)>0 兩倍壓的條件
• Dickson Charge Pump Gaing.受到下列因素而使輸出電壓比理論值小
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– △V降低 , 另外 Vtn 要小 , 不然△V 也會降低
– 如圖 3-3-2
圖 3-3-2 Dickson Charge Pump級與級之間電壓輸出變動圖
3-4 NCP-1 ( New Charge Pump )介紹
New Charge Pump 電路只要是將Dickson Charge Pump 再加上 Charge Transfer
Switching ( CTS ) [5] [6]此電路元件,將Dickson Charge Pump 在脈波 Pulse Clock
交替間因為臨限電壓Vtn所造成的電壓損失作一個補償,而不會降低 Pumping
Voltage。
圖 3-4 加上 CTS 之 NCP-1 電路圖
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3-5 NCP-1 ( New Charge Pump )原理分析
• 此時的 Pumping Gain Voltage 變成 GV=V2-V1= V△
• 當 ψ=VDD 時
– V1= V2 , V3=2.△V
– VGS (MS2) =2.△V
• 讓 MS2 ON 的條件
– 2.△V>Vtn
• 比較 2.△V>Vtn (NPC-1) 及 (GV = V-Vtn)>0 (DCP)△
– 得知 NCP-1 比 DCP 更適合低電壓下操作
– 其節點輸出電壓變動,如圖 3-5-1
• 當 ψ= 0 時
– V2= V3 , V2-V1=2.△V
– VGS(MS2) =2.△V
• 讓 MS2 OFF 的條件
– 2.△V<Vtn
– VGS(MS2) =2.△V
• 但在 2.△V>Vtn 恆成立情況下,則 2.△V<Vtn 不可能同時成立
– 因此得知 MS2 不會完全截止
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– 造成 Node2 與 Node1 間有反向漏電流
圖 3-5-1 加上 CTS 之 NCP-1各級電壓變動圖
3-6 NCP-2 ( New Charge Pump-2 ) 介紹
NCP-2主要是在 CTS 下又加上了一個 NMOS與一個 PMOS,我們稱之為
Backward Control Switch ( BCS )跟 Forward Control Switch ( FCS ) [5] [6],它的
Pumping Gain 比之前的 DCP 跟 NCP-1 還要更加完善,其改善了 NCP-1 反向漏
電流的問題,因此幾乎不會有壓降的產生。
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圖 3-6-1 在 CTS 下加上 PMOS與NMOS元件之 NCP-2 電路圖
3-7 NCP-2 ( New Charge Pump-2 ) 原理分析
• 當 ψ= 1 時
– MN2 OFF,MP3 因為 Node3驅動 ON
– 2 V △ >VTP 而 MS3 ON
• 當 ψ= 0 時
– MP2 OFF,MS2 因為 Node1 的低壓而 OFF
– 2 V △ >VTN 而 MN2 ON
– 解決 NCP-1 的反向漏電流
但是 MS2 不管是在 ON 或是 OFF 時的訊號都必須經過 NMOS 或 PMOS 的延遲
傳送,因此 Node1與Node2 還是存在微小的反向漏電流,因此實際上還是會有
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為小的壓降產生。
3-8 NCP-3 ( New Charge Pump-3 ) 介紹
NCP-3主要是為了改善NCP-1與NCP-2 不能應用在多級電路上的缺點,再圖
3-6-1 的 NCP-2 電路中,MD5 的輸出電壓是要控制MS4 的導通與截止,當 ψ= 1
時,要導通MS4 的條件為 2.△V>Vtn(V4)+Vtn(MD5) [5] [6],由於 MD5上的
電壓較高,因此 MS4 可能會無法正常工作,如此將會限制最大輸出電壓的大小,
而使其無法在多級電路上工作,因此 NCP-3 是將NCP-2 的最後一級加上
Bootstrap Output stage,使其能夠在多級電路上工作。[5] [7]
圖 3-8-1將NCP-2 之 MD5 以 Cross-Couple Voltage Doubler代替之 NCP-3 電路圖
3-9 NCP-3 ( New Charge Pump-3 ) 原理分析
由於前述NCP-2 已有電路之分析,因此我們只分析 NCP-3 最後一級的動作,
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探討 Bootstrap Output stage[5][6]的動作原理。
• 當 = = 2.VDD
• 當 = 1, =0
– MB1 ON,MB2 OFF
– CB1充電至 VHH
• 當 = 0, =1
– MS4 ON
– △V+2VDD >VTN (V4)+ VTN (MD0)
3-10 CCTS-1 ( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-1 ) 介紹
CCTS-1 是採用 Cross-Coupled 的電路技巧,以 Dual Pulse Clock交互對電容充
放電,如此將減少電容的漏電,使輸出電壓比較穩定,而且 CCTS 比較不會受
到 MOS 的臨限電壓大小的影響[7],在此同時其還能有效的防止MOS 的反向漏
電流,在多級串接時每一個 MOS 電晶體的 VDS ≤ V△ ,這樣就不會有 Break
down 的問題摟。
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•1φ
V •2φV
•2φ •
1φ
•2φ •
1φ
圖 3-10-1 CCTS-1 電路圖
3-11 CCTS-1 ( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-1 ) 原理分析
• ψ=1, =0
– △V >﹙ VGS(NTS4) - VTN(NTS4) , NTS4 ON
– 此低態電壓推動 VG(MP2)使 MP2 ON
– VCC 對 CPUMP 在 V(4)上開始充電至 VCC
– V(1)上的 CPUMP 已經充電到 VCC
– V(1)= VCC+Vψ
– V(1) - V(4) >Vψ>〔﹙VSG(PTS1) - VTP(PTS1)= V SG(PBS1) -
VTP(PBS1) 〕
– PTS1、PBS1 ON,NTS1、PTS4、PBS4 OFF
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φ
– V(7)= VCC+Vψ
• ψ=0, =1
– 同理可知 NTS4、 PTS1、PBS1 OFF,NTS1、PTS4、PBS4 ON
– V(7)= VCC+Vψ
– 因此得知 V(7)在 ψ=1 或 ψ=0其輸出電壓都在 VCC+Vψ
3-12 CCTS-2 ( Cross-Coupled Charge Transfer Switch-2 ) 介紹
若要將電路應用在多級串接上,前述的 DCP、NCP-1、NCP-2、CCST-1 都不適用
這些電路都會因為 Body Effect 的影響而使最高輸出電壓受到壓抑,因此在此將
CCST-1 的 NTS( NMOS Transfer Switch )加上NBS( NMOS Bulk Switches )[7],
將其輸入級改成與輸出級互補對稱的 NMOS with VBB,如此能將 Body Effect減
低,能更有效的防止反向漏電流所造成的 gain loss。
但由於此電路有製程上的問題,所以並無法真正的作出此電路[8]。
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φ
圖 3-12-1 CCTS-2 電路圖
3-13 傳統 Heap Pump介紹
此電路是以 Single Clock 來驅動 Charge Pump,但它只能用於電壓要求不高,
串接電路在四級左右的電路,但其效率很高接近 90%,且電路簡單,如圖 3-13-
1。
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圖 3-13-1 傳統 Heap Pump 電路圖
3.14 傳統 Heap Pump 原理分析
• 當 ψ=1 時
– M2 ON,MP3 OFF,輸出端為低態電壓
– 此低態電壓推動 VG(MP2)使 MP2 ON
– VDD 對 CP充電至 VDD
• 當 ψ=0 時
– M2 OFF,MP3 ON,輸出端為高態電壓
– 此高態電壓推動 VG(MP2)使 MP2 OFF
– Vi串聯在 VCP , VCP=VDD
– VO=2.VDD
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3-15傳統四級Heap Pump 原理分析
圖 3-15-1 為四級的傳統 Heap Pump 電路,分析如下
• 當 ψ=1 時,setup state
– VDD 對 CP充電至 VDD → VO(4)= VDD
– VPP上的電壓開始對 CG 充電→ VG(MO1)= VDD ,此時 MO1 OFF →
VD(MW2)= VPP
– VG(MO2)= VO(4)= VDD, MW2 OFF,此時 MW1 ON →使 VS(MW1)= VPP
– 此最高態正電壓提供給MO1、MO2 的 Bulk端偏壓,減少 Body
Effect 的影響
• 當 ψ=0 時,pumping state,此時每一級的 CP串聯在一起
– VO(4)= 5.VDD , VG(MO1)= VPP- VDD , VG(MO2)= VO(4) = 5.VDD
– MO2 OFF → VS(MO1)= VO(4) = 5.VDD > VG(MO1)= VPP-VDD
– 此時, VO(4)= 5.VDD順利經由 MO1傳送至 VPP端
– VO(4) = 5.VDD >前一次的 VPP 下,MW2 ON,MW1 OFF → VS(MW2)=
5.VDD
– 此最高態正電壓提供給MO1、MO2 的 Bulk端偏壓,減少 Body
Effect 的影響
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圖 3-15-1 傳統四級Heap Pump 電路圖
3-16 改良之 Heap Pump介紹
此改良電路與原本Heap Pump 所不同之處如圖 3-16-1,是將輸入元件M3
PMOS 改成 M3 NMOS,理由是 NMOS除了有較快速的電子載子,元件面積可
大幅減少及較佳的 Power consumption 外,最重要的原因是 ENMOS 它能有效的
阻止接面上的反向漏電流。
圖 3-16-1 改良之 Heap Pump 電路圖
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3-17 改良之 Heap Pump 原理分析
• ψ=1 時
– M2 ON,MP3 OFF,輸出端為低態電壓
– 此低態電壓推動 VG(MP2)使 MP2 ON
– VDD 對 CP充電至 VDD
• ψ=0 時
– M2 OFF,MP3 ON,輸出端為高態電壓
– 此高態電壓推動 VG(MP2)使 MP2 OFF
– Vi串聯在 VCP, VCP=VDD
– VO=2.VDD
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第四章 結論
4-1 研究心得
我們研究和探討電路的每一種特性功能,從最傳統原始的(1)倍壓基本電路
→(2)加上負載的 Charge Pump 電路→(3)Dickson Charge Pump 電路→(4)NCP-
1(New Charge Pump-1)電路→(5)NCP-2 電路→(6)NCP-3 電路→(7)3級串聨
CCTS-1 電路→(8)三級串聯 CCTS-2 電路→(9)傳統的 Heap Pump單級電路→(10)
傳統的 4級Heap Pump→ (11)改良之 Heap Pump
從這些電路中察覺到其實它們之間都是有關聯性的,像是(3)電路因為受到了
GV(級與級之間的電壓增益)和△V(電壓變動值)影響使得效能不能達到顛峰狀態,
因而發展出(4)電路,但是(4)電路又有缺點所以便又發明出(5)電路,就這樣層層
遞進、一點一點地慢慢修正到最完整電路,不過仔細推敲和探索可以得知其實每
一個電路之間的變化是很微小的,就像是在旁邊加上一顆負載電容或是多接上
幾顆Diode 而已就能夠改變它的電路特性並且是工作效能提升到最完美的境界。
其實研究這 11 個電路可以發現每一個電路幾乎都是以 Dickson Charge Pump
電路為基礎而下去進行改變、擴充並且調整它們之間的電壓增益值或是 MOS 的
臨限電壓等等之類的因素。我們研究升壓電路主要目的是如何把要把電壓升級到
倍壓而不會影響到整個電路的整體效能,我們研究的這些電路題材取自於 2002
26/29
年中興的碩士論文,由於這些電路是算新發明出來的所以還是有一些沒有被應
用在科技上,不過在未來幾年之後,相信它一定可以再科技應用上大放異彩。
參考文獻
1 Kiyco Itoh, VLSI memeory chip design , Springer-Verlag New York,
Incorpoated, April 2001
2 Louie Pylarinos, Edward S. Rogers Sr. , Charge Pumps :An overview,
Deparrment of Electrical and Computer Engineering University of Toronto.
3 Johan S. Witters , Guido Groesenken and Herman E. Maes , “Analysis and
modeling of on-chip high-voltage generator circuits for use in EEPROM
circuits”
IEEE J. of Solid-Stage Circuits , vol. 24 , no. 5 , pp. 1372=1380 , Oct. 1989 .
4 Jongshin Shin , In-Young Chung , Young June Park , and Hong Shick Min, “A
New charge pump without degradation in threshold voltage due to body effect
, ”
IEEE J. of Solid-Stage Circuits , vol. 35 , no. 8 , pp. 1227-1230 , Aug. 2000.
5 Jieh-Tsorng Wu and Kuen-Long Chang , “Low supply voltage CMOS charge
Pump , ”Symposium on VLSI Circuits Design of Technical Papers , pp. 81-82
, June 1997.
27/29
6 Jieh-Tsorng Wu and Kuen-Long Chang ,“MOS charge pumps for low-voltage
Operation,”IEEE J. of Solid-Stage Circuits ,vol. 33 , no. 4, pp. 592-597,April
1998.
7 Kyeong-Sik MIN and Jin-Hong AHN , “MOS charge pumps using cross-
Coupled charge transfer switches with improved voltage pumping gain and
low Gate-oxide stress for low-voltage memory circuits , ”IEICE Trans
Electron , Vol. e85-c , no. 1 , pp. 225-229 , January 2002.
8 Jongson KIM , Yongfong KIM and Shiho KIM , “A heap-pump circuit for
positive high voltage generators , ”IEICE Trans Electron , vol. e85-c, no. 3 ,
pp. 859-861 , March 2002.
9 Wang Qi , Shao Bingxian , “A design of CMOS voltage doubler for 1v
Operation , ”proceegings of 4th International Confernce on ASIC , pp.
255-258 , Oct. 2001
10 Pierre Favrat , Philippe Deval and Michel J. Declercq , “An improved voltage
Doubler in a standardv CMOS technology ,”Proceedings of IEEE International
Symposium on Circuits and Systems , vol. 1 , pp. 249-252,Hong Kong , June
1997.
1 1 Pierre Favrat , Philippe Deval and Michel J. Declercq , “A new high efficiency
CMOS voltage doubler , ”Proceedings of the IEEE Conference on Custom
Integrated Circuits , pp. 259-262 , May 1997 .
12 Pierre Favral, Philippe Deval and Michel J. Declercq, ”A high-efficiency
28/29
CMOS voltage doubler, ”IEEE J. of Solid-State Circuits, vol.33, no.3 pp.410-
416, March 1998.
13 Shang-Jyh Shieh Introduction to hspice, 國立中正大學電機研究所講義.
pp.1-15..
14 張清文,蔡佩珊編注, Spice 電子電路模擬,鼎茂圖書出版公司, May.2001.
15 糖經洲, 王立洋編注, VLSI設計概論/實習,高立圖書有限公司, July.2001.
16 Hongchin ongchin Lin, Jainhao Lu and Yen-Tai Lin, ”A new 4-phase change
pump without body effect for low supply voltages, ”Proceedings of IEEE
Asia-Pacific Conference on ASIC, pp.53-56, Aug.2202.
17 Y. Moisiadus, I. Bouras, A. Arapoyanni, ”A COMS change pump for low
voltage operation, ”IEEE International Symposium on Circuits and
Systems,vol.5,pp.577-580,Geneva,Switzerland,May 2000.
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