UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOSFAC. DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA
NOTAS DEL CURSO DECIRCUITOS DIGITALES II
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS
Profesor: Guillermo Tejada Muoz. Fecha: setiembre 2014
Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*
Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz
__________ DEFINICIONES ____________
Memoria semiconductora: Dispositivo LSI y VLSI que almacena gran cantidad de informacin en nmeros binarios.
Celda de memoria: Dispositivo semiconductor o circuito elctrico utilizados para almacenar un slo bit de informacin ( 0 1). Ejemplo: un FF, un capacitor.
Palabra de memoria: Son agrupaciones de 4 bits, 8 bits, 16 bits, etc.
Byte: es una palabra de 8 bits.
Capacidad de memoria: Nmero total de bits que es capaz de almacenar una memoria.
Ejemplos:.
Memoria de 1Kx32 (1024 palabras de 32 bits cada una), equivale a tener una capacidad de 1024 x 32 bits=32768 bits o celdas de memoria.
Memoria de 1Mbyte (1048526 palabras de 8 bits cada una), equivale a tener una capacidad de = 8388208 bits o celdas de memoria.
Densidad: Nmero de bits almacenados por unidad de espacio.
Direccin: Nmero binario que identifica la ubicacin de una palabra en la memoria.
*Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CMO CARGAR Y RETIRAR CARGA DE LA PUERTA FLOTANTE
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CELDA SRAMSRAM - STATIC RANDOM ACCESS MEMORY
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CARACTERSTICAS MEMORIA SRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*SRAM 6116
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CICLO DE LECTURA SRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CICLO DE ESCRITURA SRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*DRAM - DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY
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*Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada MuozCELDA DRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*ORGANIZACIN INTERNADEL CHIP
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CICLO DE LECTURA DRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*CICLO DE ESCRITURA DRAM
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*Memoria 64KB con pines de datos en paraleloMemoria 64KB con pin de datos en serie
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*EJEMPLO DE CONEXIN CON MEMORIA SERIE
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*DDR: Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz* EJERCICIOS1. Describa, con esquemas del sustrato semiconductor, el proceso de almacenamiento y borrado de datos en una celda de memoria: FAMOS, FLOTOX y FLASH. 2. De acuerdo a la figura 1: (a) Determine el rango de direcciones que el CPU necesita enviar para leer toda la informacin del mdulo 2 de memoria. ( b ) Qu modificaciones hara en el circuito si se adicionan dos mdulos? ( c ) Cuntas lneas de direccin se necesitarn si las memorias fueran de 1Gigax 8?Fig. 1 Ejercicio 2
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*3. Muestre cmo se puede organizar con mdulos de memorias de 16Kx4 una capacidad de 64Kx8.4. Utilizando memorias y otros circuitos que considere necesarios, disee un circuito lgico que controle tres display de 7 segmentos para que progresivamente aparezca letra por letra la palabra FIE y desaparezca del mismo modo. La secuencia se muestra en la Fig. 2. Cuando se llega a la secuencia mostrada en (a6) se debe repetir nuevamente las secuencias desde ( a1 ). Especificar el tamao y contenido de la(s) memoria(s).
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*5. Cierta memoria tiene una capacidad de 1 Gigax32bits, responder: a) Cuntas palabras puede almacenar?, b) Cul es el nmero de Bytes de cada Palabra?, b) Cul es el nmero de lneas de direccin?, c) Cul es el nmero de lneas de datos?, d) Cuntas celdas posee?. 6. Encontrar las palabras que se tienen que grabar en la PROM que se muestra en la figura 3, si se desea obtener por D2 y D5 la formas de ondas mostradas. Tambin encontrar el valor de T de la seal del clock. (5 pts.)
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Memorias Semiconductoras- CDII- Guillermo Tejada Muoz*7. Disear un circuito combinacional con una memoria EEPROM. El circuito acepta un nmero de 3 bits y genera un nmero binario igual al cuadrado del nmero introducido. Se pide realizar la tabla lgica, enumerar los requerimientos de la memoria y dibujar el circuito.
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