Contato
Site (em andamento)• www.lee.eng.uerj.br/~germano
– Ainda não finalizei o site do curso. Assim que eu terminar, adicionarei links para os cursos deste
período
MicroeletronicaUerj2015
Pauta
ÁQUILA ROSA FIGUEIREDO 201110256011ALLAN DANILO DE LIMA 201110063911DAVID XIMENES FURTADO 200810343411HUGO LEONARDO RIOS DE ALMEIDA 201210076411JEFERSON DA SILVA PESSOA 201010067611LAIS DA PAIXAO PINTO 200710030011LEONARDO SOARES FARIA 200820515511PEDRO DA COSTA DI MARCO 201020582111VINICIUS DE OLIVEIRA ALVES DA SILVA 201110066811
Isadora
Visão geral do curso
• Introdução CMOS• Substrato• Cálculo de resistência• Junção PN• Regras de design – poço• Camada metálica• Regras de design – camada metálica• Resistência de contato• Exemplos de leiaute• Camada ativa e de polisilício• Conectando os fios• Regras de design – MOSIS• Dispositivos (resistores, capacitores, MOSFETs)• Características do MOSFET• Técnicas de fabricação e processamento
Níveis de abstração
CMOS – semicondutor metal óxido complementar
• Tecnologia dominante para a fabricação de CIs• Tecnologia confiável, manufaturável, de baixo
consumo, baixo custo e escalonável– Lei de Moore: número de transistores em um chip dobra
aprox. a cada 2 anos– Comprimento de porta de transistores atingindo a
dimensão de poucos nanometros
Lei de Moore
http://en.wikipedia.org/wiki/Moore%27s_law
286386
Pentium 4
Transistores com dimensões menores que 20 nm!
Lei de Moore
http://en.wikipedia.org/wiki/Moore%27s_law
286386
Pentium 4
Transistores com dimensões menores que 20 nm!
http://cvseventh.com/111569/images-bacteria-viruses/
Introdução ao projeto de circuitos integrados CMOS
• VLSI – Escala de integração muito alta (~106
MOSFETs)• ULSI – Escala de integração ultra alta (~109
MOSFETs)
http://en.wikipedia.org/wiki/Very-large-scale_integrationhttp://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit
Projetando CMOSEspecificação do circuito
(entradas e saídas)
Cálculos e esquemático
Simulação do circuito
Leiaute
Simulação com parasitics*
Circuito dentro das especificações?
Fabricação do protótipo
Testes e avaliações
Circuito dentro das especificações?
Produção
Circuito dentro das especificações?
*Parasitics – capacitância e indutância parasíticas; junções pn e seus problemas
Problemaespec.
Problemafabricação.
Fabricação
• Circuitos integrados CMOs são fabricados em bloachas (wafers) de Si.
• Cada bolacha contém diversos Chips (die)
http://en.wikipedia.org/wiki/Wafer_%28electronics%29
O diâmetro mais comum de bolacha de Si é de 300 mm (12 in)
Ex. de bolachas de 2, 4, 6 e 8 in
MOSFETShort channel e long channel
http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mosfet.html
http://educypedia.karadimov.info/electronics/javaanalogsemi.htm
CMOS - histórico
• Inventado por Frank Wanlass em 1963 na Fairchild Semiconductor– Circuitos podem ser feitos de dispositivos MOS complementares -
NMOS (MOSFET de canal n) e PMOS (MOSFETs de canal p) • Acrônimos:
– Atualmente, material de porta não é mais metálico, mas sim polisilício (CPOS)
– MOSFET não é rigorosamente correto!– Transistores de efeito de campo isolados (IFET), Transistores de efeito
de campo de porta isolada (IGFET) são termos mais corretos.– Continuaremos ao longo do curso usando MOSFET e CMOS, por eles
serem termos comuns para indicar os dispositivos, os projetos, e a tecnologia que usa dispositivos de efeito de campo complementares.
CMOS - histórico• Primeiro circuito CMOS foi fabricado em 1968• Década de 1970 – uso em relógio de pulso por
causa do baixo consumo e início do desenvolvimento de processadores
• Década de 1980 – computadores pessoais (100.000 transistores)
• Década de 1990 – ~1.000.000 transistores • Década de 2000 - ~100.000.000 transistores• Década de 2010 - ~2.500.000.000 transistores• Um dos dispositivos que mais foi fabricado na
história da humanidade!
CMOS - Presente
• 95% dos CIs são de tecnologia CMOS• Fabricados em área pequena• Baixo consumo• Alta frequência• Manufaturabilidade (baixíssimos defeitos
de fabricação)• Baixo custo• Escalonamento
SPICESimulation program with an integrated circuit enphasis
Simulador open source (licença BDS*) de circuitos analógicos desenvolvido na Universdade da Califórnia, Berkeley
Usado em projetos de circuitos integrados e também de dispositivos discretos para prever o funcionamento do circuito
Projeto de CI-Não é possível usar um breadboard-Alto custo de etapas fotolitográficas e outras etapas de manufatura-SPICE é importante para diminuir os custos de processamento. Verifica-se o funcionamento do circuito antes da sua fabricação.
*http://pt.wikipedia.org/wiki/Licen%C3%A7a_BSD
SPICE
- SPICE simula esses efeitos parasíticos em circuitos integrados e ainda pode simular variações das propriedades dos componentes devido à manufatura, analisando a performance do circuito independente da complexidade.
- breadboards são usados antes da fabricação da placa em circuitos de componentes discretos. Ainda assim, resistências e capacitâncias parasíticas só são observadas na placa impressa final.
- SPICE analisa os componentes do circuito e suas conexões e resolve as equações que governam o circuito (geralmente equações diferenciais não lineares).
- Padrão mundial na simulação de circuitos integrados
SPICE
SPICE analisa:• AC (sinais pequenos no domínio de frequência)• DC (cálculo do ponto quiescente)• Ruído • Função de transferência (impedâncias, ganho)• Transiente• …
Modelos de dispositivos:• Resistores• Capacitores• Indutores• Fontes de corrente e tensão• linhas de transmissão• MOSFETs• BJTs• JFETs• Diodos de junção• …
SPICE3 inclui modelos de MOSFETs recentes (BSIM).
BSIMBerkeley short-channel IGFET model
A medida que os MOSFETs foram ficando cada vez menores a cada nova geração, novos modelos computacionais eram necessários para reproduzir o comportamento dos transistores com acurácia.
O compact model coalition (CMC) foi criado para definir, manter e promover um padrão para os novos modelos poderem ser usados em simuladores diferentes. O BSIM, criado em Berkeley, é um desses modelos (BSIM3, BSIM4, BSIM6,…)
http://www-device.eecs.berkeley.edu/bsim/?page=BSIM3
Mosis.comMetal Oxide Semiconductor Implementation Service
Uma das primeiras empresas de fabricação de CI
• Bolachas multiprojetos de Si para dividir os custos de fabricação (modelo de máscaras compartilhadas)• Mosis recebe a bolacha processada depois da fabricação, corta e separa os chips. Os chips são empacotados e submetidos aos criadores do design.• fornece regras para o projeto de fabricação e parâmetros de simulação para o SPICE