Embed Size (px)
Citation preview
Yarımkeçiricilər
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov 2011
Yarımkeçirici elementlər
B, C,Si,P,S,Ge,As,Se,Sn,Sb,Te,İ - 12 elementLənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilər və onların əsas xüsusiyyətləri
• Yarımkeçiricinin keçiriciliyinə xarici elektrik və maqnit sahələri, rentgen və radioaktiv şüalanmalar və s. təsir edir.
• Yarımkeçiricinin müqaviməti temperaturdan kəskim asılıdır.
• Yarımkeçiricilər elektrik xassələrinə görə metallar və dielektriklər arasında aralıq mövqe tutur.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilər və onların əsas xüsusiyyətləri
Yarımkeçiricinin keçiriciliyi işıqlanmadan asılıdır.
Yarımkeçiricilər D.Mendeleyev cədvəlində orta qrupun 12 elementi (B, C, Si, P, S, Cl, Ge, As, Se, Br, Sn, Sb, Te, I ), habelə bir sıra üzvü və qeyri üzvü birləşmələrdir.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin məxsusi keçiriciliyi
Yarımkeçiricilərin quruluşu atomar kristal qəfəs quruluş formasındadır.
4 valentli Ge kristalının müstəvi kəsiyi belə görünür.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Hər bir atom qonşuları ilə elektron əlaqəsindədir- valent elektron onlardan biri ola bilər
Otaq temperaturunda metallarda hər atoma bir sərbəst elektron düşdüyü halda yarımkeçiricilərdə bu say bir neçə milyadr dəfə azdır.
Metallarda temperaturun artması sərbəst elektronların sayına təsir etmədyi halda yarımkeçiricilərin sərbəst elektronlarının sayı temperatura çox həssasdır: temperatur artdıqca sərbəst elektronların sayı kəskin artır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti metallardan fərqli olaraq temperaturla tərs mütənasıbdır.
Yarımkeçiricilərin xüsusi müqaviməti metallarla dielektriklərin müqavimətləri arasında aralıq yer tutur.
Mütləq sıfra yaxın yarımkeçiricilərin müqaviməti çox böyükdür.
Yarımkeçiricilərin keçiriciliyini artırmaq üçün onlara aşqarlayır - digər yarımkeçirici qatırlar.
Qatılan yarımkeçiricinin valentindən asılı olaraq alınan aşqarlar iki cür olur.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Ge ilə 5 valentli As qarışığı zamanı donor aşqarlar – n-tip aşqar – elektron keçiriciliyi yaranır.
Ge ilə 3 valentli İn qarışığı zamanı akseptor aşqar – p-tip aşqar- deşik keçiriciliyi yaranır.
P-tip aşqarlarda rabitələrdən biri boş qalır – deşik adlanır.
n-tip aşqarlarda sərbəst elektronlar yaranır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi
P-n keçidi
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi
Kimyəvi təmiz yarımkeçiricinin elektrik keçiriciliyi zəifdir. Yarımkeçiriciyə aşqar qatıldıqda elektrik keçiriciliyi kəskin artır.
Yarımkeçiriciyə qatılan aşqardan asılı olaraq elektron (n), yaxud
deşik (p) tip keçiricilik üstünlük təşkil edir.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin məxsusi keçiriciliyi Germanium 4 valentli
elementdir. Elementin elektronları nüvə ilə
zəif rabirədədir. Onlar germanium atomları arasında kovalent (cüt elektron) kimyəvi rabitə yaradır.
Kimyəvi təmiz yarımkeçiricidə sərbəst elektronların hərəkəti ilə yaranan keçiricilik məxsusi elektron keçiriciliyi adlanır.
Kimyəvi təmiz yarımkeçiricidə deşiklərin hərəkəti ilə yaranan keçiricilik məxsusi deşik keçiriciliyi adlanır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi. p-n keçidi
Qatılan aşqar atomunun valent elektronların sayı yarımkeçiricinin valent elektronlarının sayndan çox olarsa, o donor aşqar adlanır.
Qatılan aşqar atomunun valent elektronların sayı yarımkeçiricinin valent elektronlarının sayndan az olarsa, bu aşqar akseptor aşqar adlanır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçiricilərin aşqar keçiriciliyi.
p-n keçidi Donor aşqarlı yarımkeçirici
Akseptor aşqarlı yarımkeçirici
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
p-n keçidi
Iki müxtəlif növ keçiriciliyə malik yarımkeçirici kristalların toxunma sərhəddində yaranan birtərəfli keçid p-n keçidi adlanır.
Təmas sərhəddində neytral zona yaranır: elektronlar deçiklərdə oturur.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçirici diod.
Yarımkeçirici diodun volt amper xarakteristikası
Düz keçid
Tərs keçid
p-n keçidi bir tərəfli keçiriciliyə malikdir. Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
P-n keçidi
Elektrik cərəyanı p-n istiqamətdə keçir, n-p istiqamətdə demək olar ki keçmir.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
P-n keçidi
Tərs keçid
Düz keçid
Düz keçid
Tərs keçidLənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Diodlar
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Bir periodlu düzləndiricinin sxemi
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Ikiperiodlu düzləndirici transformatorla
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Yarımkeçirici cihazlarTermistorlar – yarımkeçiricilərin müqavimətinin temperatur əhəmiyyətli asılılığına əsaslanmışdır.
Fotorezistorlar – yarımkeçiricilərin müqavimətinin işıqlanmaya həssaslığına əsaslanır.
Işıq diodları - p-n keçidindən cərəyan keçərkən işıqlanır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Tranzistorlar
Tranzistorların əsas vəzifəsi p-n keçidindən istifadə edərək elektrik rəqslərinin alınması və gücləndirilməsidir. 3 oblastdan ibarətdir: emittor, kollektor və müştərək olan hissə - bazadan ibarətdir.
Je=Jk+Jb
Tranzistor dövrəyə iki cərəyan mənbəyi ilə qoşulur. Emittor baza keçidi düz keçid, baza kollektor keçidi tərs keçid istiqamətdə qoşulur. Gücləndiriləcək siqnal emittor dövrəsinə verilir və gücləndirilmiş siqnal kollektor dpvrəsində alınır.
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Tranzistorların növü
Bipolyar tranzistorlar
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Lənkəran DövlətUniversiteti.
MirNamik Bəşirov
Resursu hazırladı:
Bəşirov Mirnamiq Mirəhmədağa oğlu-
- fiz.-riy.e.n.,dosent, Lənkəran Dövlət Universiteti
