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セレクションガイド 2017.12
イメージセンサ幅広い波長範囲に対応した計測用イメージセンサ
CMOSエリアイメージセンサS13101
産業機器用CMOSリニアイメージセンサS10226 -10, S10227-10
InGaAsエリアイメージセンサG13393 -0909W
I m a g e s e n s o r
イメージセンサ幅広い波長範囲に対応した計測用イメージセンサ浜松ホトニクスは、赤外から可視・紫外・真空紫外・軟X線・硬X線までの広い波長/エネルギー範囲の計測用として、イメージセンサを開発・製造してきました。波長・使用目的に応じたイメージセンサを幅広くそろえ、窓材の変更、フィルタ付き、ファイバカップリングなど、きめ細かな対応も行っています。評価用や組み込み (OEM)用の駆動回路やマルチチャンネル検出器ヘッドも提供しています。
Contentsイメージセンサのラインアップ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 1
浜松ホトニクスのイメージセンサ技術 ‥‥‥‥‥‥‥ 5
エリアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 7
・ 裏面入射型CCDエリアイメージセンサ ‥‥‥‥‥ 7
・ 表面入射型CCDエリアイメージセンサ ‥‥‥‥‥13
・ CMOSエリアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥14
リニアイメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥15
・ 分光測光用CMOSリニアイメージセンサ ‥‥‥‥16
・ 分光測光用CCDリニアイメージセンサ ‥‥‥‥‥19
・ 分光測光用NMOSリニアイメージセンサ ‥‥‥‥20
・ 産業機器用CCDリニアイメージセンサ ‥‥‥‥‥22
・ 産業機器用CMOSリニアイメージセンサ ‥‥‥‥23
アンプ付フォトダイオードアレイ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥26
測距イメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥27
近赤外用イメージセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥28
X線イメージセンサ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥32
X線フラットパネルセンサ ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥35
イメージセンサ関連製品 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥37
・ マルチチャンネル検出器ヘッド ‥‥‥‥‥‥‥‥37
・ イメージセンサ用駆動回路 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥40
1
イメージセンサのラインアップ
製品名 特徴 ラインアップ ページ
エリアイメージセンサ
裏面入射型CCDエリアイメージセンサ
可視域から真空紫外域まで高い量子効率を実現したCCDエリアイメージセンサです。
分光分析用 分光分析用 (高解像度タイプ) 分光分析用 (低エタロニングタイプ) 分光分析用 (赤外高感度タイプ) 分光分析用 (大飽和電荷量タイプ) ICP分光分析用 科学計測用 完全空乏型
7~12
表面入射型CCDエリアイメージセンサ
科学計測機器に適した低暗電流・低ノイズのCCDエリアイメージセンサです。
分光分析用 科学計測用 13, 14
CMOSエリアイメージセンサ 近赤外域で高感度を実現したAPS (Active Pixel Sensor)タイプのCMOSエリアイメージセンサです。
SXGAフォーマット VGAフォーマット 14
リニアイメージセンサ
分光測光用CMOSリニアイメージセンサ 分光測光用に適したCMOSリニアイメージセンサです。
高感度タイプ 蓄積時間可変タイプ 標準タイプ
16~18
分光測光用CCDリニアイメージセンサ
裏面入射型CCDリニアイメージセンサは、電子シャッタ内蔵、高い紫外感度を特長としています。表面入射型CCDリニアイメージセンサは、表面入射型でありながら紫外域 (200 nm帯)において裏面入射型CCDに近い高感度を実現しています。
裏面入射型 表面入射型 19, 20
分光測光用NMOSリニアイメージセンサ
紫外感度が高く、出力直線性が優れているため精密測光に適しています。
電流出力タイプ (標準タイプ) 電流出力タイプ (赤外高感度タイプ) 電圧出力タイプ
20, 21
産業機器用CCDリニアイメージセンサ 産業機器用に適したCCDリニアイメージセンサです。 TDI-CCDイメージセンサ
表面入射型 22, 23
産業機器用CMOSリニアイメージセンサ
CMOSリニアイメージセンサは、タイミング回路や信号処理アンプを同一チップ上に搭載しており、簡単な入力パルスと単一電源によって駆動できます。そのため、外部回路を簡略化することがでます。
樹脂封止型パッケージ 高速読み出しタイプ 高感度タイプ デジタル出力タイプ RGBカラーフィルタ付き
23~25
測距イメージセンサ
測距イメージセンサTOF (Time-of-Flight)方式で対象物までの距離を測定するセンサです。パルス変調した光源と組み合わせて使用し、発光・受光タイミングの位相差情報を出力します。
測距リニアイメージセンサ 測距エリアイメージセンサ 27
近赤外用イメージセンサ
InGaAsリニアイメージセンサ近赤外域用のイメージセンサです。CMOS IC内蔵により、取り扱いが容易になっています。
分光分析用 高速タイプ 29, 30
InGaAsエリアイメージセンサ 熱画像モニタ 近赤外画像検出用 31
アンプ付フォトダイオードアレイ
アンプ付フォトダイオードアレイ
Siフォトダイオードアレイと信号処理ICを組み合わせたセンサです。複数配列によって、長尺イメージセンサを構成することができます。
長尺タイプ 26
2
製品名 特徴 ラインアップ ページ
X線フラットパネルセンサ
X線フラットパネルセンサ 高感度・高画質のX線画像をリアルタイムにとらえることができるデジタルX線イメージセンサです。
ラジオグラフィ用 (回転型) ラジオグラフィ用 (生化学) 一般タイプ (オフライン) 低ノイズタイプ
35, 36
イメージセンサ関連製品
マルチチャンネル検出器ヘッド 各種イメージセンサに対応した駆動回路を放熱性に配慮した筐体に内蔵した製品です。
表面入射型CCDエリアイメージセンサ用 裏面入射型CCDエリアイメージセンサ用 NMOSリニアイメージセンサ用 InGaAsリニアイメージセンサ用 InGaAsエリアイメージセンサ用
37~39
イメージセンサ用駆動回路 各種イメージセンサに合わせた駆動回路を用意しています。
CCDイメージセンサ用 NMOSリニアイメージセンサ(電流出力タイプ)用 CMOSリニアイメージセンサ用 InGaAsリニアイメージセンサ用
40, 41
X線イメージセンサ
CCDエリアイメージセンサ、CMOSエリアイメージセンサ、アンプ付フォトダイオードアレイ
FOS (X線シンチレータ付ファイバ)や蛍光紙と組み合わせて使用することにより、高品質X線画像の撮像が可能なイメージセンサ、フォトダイオードアレイです。
X線ラジオグラフィ用CCD/CMOSエリアイメージセンサ TDI-CCDエリアイメージセンサ 非破壊検査用アンプ付フォトダイオードアレイ
33, 34
KMPDC0106JE
10-8
10-14 10-12 10-10 10-8 10-6 10-4
10-6 10-4 10-2 100 102
10-2
104照度 (lx)放射照度 (W/cm2)
高感度フィルム (ISO 1000)
NMOS/CMOSリニアイメージセンサ(S3901/S8377シリーズ)
InGaAsリニアイメージセンサ(G11508/G11620シリーズ)
冷却型CCDエリアイメージセンサ(S9971/S7031シリーズ)
非冷却型CCDエリアイメージセンサ(大飽和電荷量タイプ: S7033シリーズ)
非冷却型CCDエリアイメージセンサ(S9970/S7030シリーズ)
検出可能な光量範囲の例
3
[ CCDエリアイメージセンサ (窓なし) ] [ CMOSリニアイメージセンサ ]
イメージセンサのラインアップ
KMPDB0251JE KMPDB0252JG
量子効率 (%)
波長 (nm)
(Typ. Ta=25 °C)
0200 400 600 800 1000 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100S7030/S7031シリーズなど
S9972/S9973シリーズ
S11510シリーズ
S10420-01シリーズ
S9970/S9971シリーズ
0.4
0.3
0.2
0.1
0200 400 600 800 1000 1200
波長 (nm)
受光感度 (A/W)
(代表例, Ta=25 °C)
S8377/S8378シリーズ
S10121~S10124シリーズ (-01)
浜松ホトニクスは、独自のSi・化合物半導体プロセス技術を用いて、2.6 µmの近赤外域から、可視、紫外、真空紫外 (VUV)、軟X線、さらには硬X線までの広いエネルギー/波長範囲に対応したイメージセンサを製造しています。また、各種イメージセンサの駆動回路として設計されたモジュール製品も用意しています。
Si プロセス技術
•CCD•CMOS
MEMS 技術
・裏面入射型・3 次元実装 狭ピッチバンプボンディング Si 貫通電極 (TSV)
化合物半導体プロセス技術
•InGaAs
分光感度特性
4
[ NMOSリニアイメージセンサ ] [ InGaAsリニアイメージセンサ ]
0.1 eV
InGaAsリニアイメージセンサ(長波長タイプ)
1 eV10 eV100 eV1 keV10 keV100 keV
0.01 nm 0.1 nm 1 nm 10 nm 100 nm 1 m 10 m
1 MeV
InGaAsリニア/エリアイメージセンサ
NMOSリニアイメージセンサ
CMOSリニアイメージセンサ
CMOSエリアイメージセンサ
測距イメージセンサ
裏面入射型CCD
フォトンエネルギー
波長
表面入射型CCD表面入射型CCD (窓なしタイプ)
NMOSリニアイメージセンサ(窓なしタイプ)
X線イメージング用CCD
裏面入射型CCD (窓なしタイプ)
波長 [nm] =1240
フォトンエネルギー [eV]
フラットパネルセンサ
KMIRB0068JG
KMPDC0105JH
注) NMOSリニアイメージセンサ (窓なしタイプ)を使用してX線ダイレクト検出を行う場合は、使用条件について営業にお問い合わせください。
検出可能なエネルギー/感度波長範囲の例
浜松ホトニクスは、2.6 µmの近赤外域 (NIR)から可視、紫外、真空紫外 (VUV)、軟X線、さらには百数十keVの硬X線までの広い波長範囲に対応したイメージセンサを開発、製造しています。
0200 400 600 800 1000 1200
波長 (nm)
受光感度 (A/W)
(代表例, Ta=25 °C)
S3901/S3904シリーズ
S8380/S8381シリーズ(赤外高感度タイプ)
0.4
0.3
0.2
0.1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00
0.5
1.0
1.5
波長 (µm)
受光感度 (A/W)
(Typ. Ta=25 °C)
Tchip=25 °CTchip=-10 °CTchip=-20 °C
G11477シリーズ
G11478シリーズ
G11476シリーズ
G13913シリーズG11135シリーズG11620シリーズ
G11608シリーズ
G11508シリーズ
G11475シリーズ
KMPDB0161JD
5
CMOS技術
測距イメージセンサ
構成例
CMOS技術による高機能化の例
浜松ホトニクスのイメージセンサ技術
分析機器や医療機器などの計測装置を中心とした用途に合わせて、当社は独自に培ってきたアナログCMOS技術を核としたCMOSイメージセンサを製品化しています。市場要求に合ったアナログ・デジタル機能を受光部と同一チップに内蔵することで、システムの高性能化・多機能化・低コスト化を実現しています。
TOF (Time-of-Flight)方式を用いて対象物の距離情報を検出可能なイメージセンサです。パルス変調した光源と信号処理部を組み合わせて距離計測システムを構成できます。
・さまざまな形状の受光部に対応 (Si・化合物半導体、1次元/2次元アレイ、大面積) ・高機能 (高速/部分読み出し、A/D変換器内蔵、グローバルシャッタなど) ・用途に合わせたカスタム対応
KMPDC0417JA
ターゲット(人、対象物)
光源(LEDアレイまたはLD)
PC
Ethernet
駆動パルス
評価キット
照射光
反射光測距イメージセンサ
受光レンズ
距離画像 (距離情報 + 画像)の例 (近→中→遠: 赤→黄→緑)
近赤外高感度CMOSエリアイメージセンサ
分光感度特性 (代表例) 近赤外高感度CMOSエリアイメージセンサを用いた指静脈の撮像例
当社独自の受光面技術により、近赤外域で高感度を実現しています。
KMPDB0489JA
400 600 800 1000 1200
受光感度 (A/W)
波長
(Ta=25 °C)
S13102
一般的な可視用イメージセンサ
0
6
CCDの断面構造[ 裏面入射型 ] [ 表面入射型 ]
入射光
Poly-Si電極
ポテンシャルウェル
ゲート酸化膜
BPSG膜
Si
入射光
Poly-Si電極
アキュムレーション層
BPSG膜
Siポテンシャルウェル
ゲート酸化膜
KMPDB0179JB
KMPDB0180JB
小型・薄型COB (Chip on Board)パッケージ技術CMOSイメージセンサチップを同程度のサイズの小型・薄型COBパッケージに搭載することによって、小さな実装面積にすることができます。COBパッケージでは、チップが樹脂モールドで封止され、高信頼性とともに取り扱いやすさを実現しています。本技術を採用したCMOSイメージセンサは、幅広い用途への応用が可能で、機器の低コスト化・小型化・量産性に貢献します。当社が誇る「3.3 V単一電源動作・低消費電力・高感度」のCMOSイメージセンサが、さらに使いやすくなります。
一般的にCCDは、パターンが形成されている側から光を入射させる構造になっています。このような構造のCCDを表面入射型CCDといいます。表面入射型CCDの光入射面は、BPSG膜・Poly-Si電極・ゲート酸化膜などが堆積したSi基板の表面にあるため、入射光はその部分で大きく反射・吸収されます。このため量子効率は可視域で最大40%程度になり、紫外域には感度がありません。このような問題を解決するために開発されたのが裏面入射型CCDです。裏面入射型CCDでもSi基板の表面にはBPSG膜・Poly-Si電極・ゲート酸化膜などがありますが、 Si基板の裏面から光を入射する構造になっています。このため裏面入射型CCDは、広い波長域で高い量子効率を実現しています。裏面入射型CCDは、CCDが本来もっている高感度・低ノイズといった特長をそのまま生かした上に、電子線・軟X線・紫外・可視・近赤外域に感度をもっています。
裏面入射技術
近赤外用のInGaAsイメージセンサでは、受光部のフォトダイオードアレイとCMOS信号処理回路を別チップで構成し、それらをバンプで3次元実装するハイブリッド構造を採用しています。受光部と信号処理回路のモノリシック化が困難な場合に用いられます。また、受光部の形状や分光感度特性などを容易に変更できるメリットもあります。
フロントエンド基板
裏面入射型InGaAsフォトダイオードアレイInバンプROIC (Si)
KMIRC0036JB
ハイブリッド技術 (3次元実装)
狭ピッチバンプを用いたInGaAsエリアイメージセンサの概念図
7
エリアイメージセンサ
分光分析用
裏面入射型CCDエリアイメージセンサ裏面入射型CCDエリアイメージセンサは、VUV (真空紫外域)まで高い量子効率を実現しています (ピーク時90%以上)。また、紫外線の照射に対して、感度の劣化が小さくなっています。その上、低ノイズを実現しており、微弱光の検出に適しています。
浜松ホトニクスのCCDエリアイメージセンサは、極めて低ノイズであることから高S/Nの画像信号が得られます。FFT型を採用しているため、開口率 (fill factor)は100%を実現しており、ロスなく光を収集することから、分光測光などの高精度計測において優れた性能を発揮します。Si基板のパターンが形成されている側から光を入射させる表面入射型と、裏面から光を入射させる裏面入射型の2種類があり、豊富な画素サイズ、画素配列から選択できます。裏面入射型は薄形化した裏面に理想的な受光面を形成することにより、高い量子効率と広い感度波長範囲を実現しています。CMOSエリアイメージセンサは、近赤外に高い感度をもつAPS (Active Pixel Sensor)タイプです。
高量子効率 (ピーク時90%以上)を実現しており、高精度な分光分析が可能です。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*1
(ライン/s) 冷却*2 写真 専用駆動回路*3(P.37)
S7030-0906
24 × 24
512 × 58 418
非冷却 C7040
S7030-0907 512 × 122 316
S7030-1006 1024 × 58 213
S7030-1007 1024 × 122 160
S7031-0906S 512 × 58 418
1段電子冷却 C7041
S7031-0907S 512 × 122 316
S7031-1006S 1024 × 58 213
S7031-1007S 1024 × 122 160
*1: フルラインビニング時 (typ.)*2: 2段電子冷却型 (S7032-1006/-1007)にも対応しています (受注生産品)。*3: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
8
エリアイメージセンサ
優れた低ノイズ特性を実現したCCDエリアイメージセンサです。低ノイズタイプ [S10140/S10141シリーズ (-01)]と高速タイプ (S13240/S13241シリーズ)を用意しました。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*4
(ライン/s) 冷却*5 写真 専用駆動回路
S10140-1107-01
12 × 12
2048 × 122 107
非冷却
S10140-1108-01 2048 × 250 80
S10140-1109-01 2048 × 506 40
S13240-1107 2048 × 122 921
S13240-1108 2048 × 250 539
S13240-1109 2048 × 506 203
S10141-1107S-01 2048 × 122 107
1段電子冷却
S10141-1108S-01 2048 × 250 80
S10141-1109S-01 2048 × 506 40
S13241-1107S 2048 × 122 921
S13241-1108S 2048 × 250 539
S13241-1109S 2048 × 506 203
*4: フルラインビニング時 (typ.)*5: 2段電子冷却型 [S10142シリーズ (-01)]にも対応しています (受注生産品)。注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
分光分析用 (高解像度タイプ)
9
エタロニング特性を改善したタイプです。低ノイズタイプ (S10420シリーズ, S11850-1106)と高速タイプ (S11071シリーズ, S11851-1106)を用意しました。S11850/S11851-1106は、動作中のチップの温度変化を抑制するため、パッケージ内に電子冷却素子を内蔵しています。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*1
(ライン/s) 冷却 写真 専用駆動回路*2(P.40)
S10420-1004-01
14 × 14
1024 × 16 221
非冷却
C11287
S10420-1006-01 1024 × 64 189
S10420-1104-01 2048 × 16 116
S10420-1106-01 2048 × 64 106
S11071-1004 1024 × 16 1777
C11288
S11071-1006 1024 × 64 751
S11071-1104 2048 × 16 1303
S11071-1106 2048 × 64 651
S11850-1106
2048 × 64
106
1段電子冷却
C11860
S11851-1106 651
*1: フルラインビニング時 (typ.)*2: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
低エタロニングタイプ
エタロニングは、入射した光がCCDの表面と裏面で反射と減衰を繰り返す間に、干渉により感度に強弱が現れる現象です。裏面入射型CCDの場合、Si厚とSiの吸収長との関係から、入射光が長波長の場合、エタロニングが発生します。当社では干渉を起こしにくい独自の構造を採用することでエタロニングを大幅に軽減した裏面入射型CCD (S10420/S11071シリーズ, S11850/S11851-1106)を実現しました。
KMPDB0284JB
波長 (nm)
相対感度 (%)
900 1000960 980940920
(Ta=25 °C)
0
40
30
20
10
50
60
70
80
90
100
110
従来品
低エタロニングタイプ
エタロニング特性 (代表例)
分光分析用 (低エタロニングタイプ)
10
近赤外域で高感度を実現しています [QE=40% (λ=1000 nm)]。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*3
(ライン/s) 冷却 写真 専用駆動回路*4(P.37, 40)
S11500-1007
24 × 24 1024 × 122 160
非冷却 C7040
S11501-1007S 1段電子冷却 C7041
S11510-1006
14 × 14
1024 × 64 189
非冷却 C11287
S11510-1106 2048 × 64 106
S11511-1006 1024 × 64 189
1段電子冷却 C11860
S11511-1106 2048 × 64 106
*3: フルラインビニング時 (typ.)*4: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
赤外高感度タイプ
赤外高感度タイプ裏面入射型CCDは、MEMS構造を形成することで800 nm以上の近赤外域で大幅な高感度化を実現しました。近赤外高感度の特性を生かし、ラマン分光器への応用が期待されています。
KMPDB0329JA
量子効率 (%)
波長 (nm)
(Typ. Ta=25 °C)
0200 400 600 800 1000 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
100
90
表面入射型CCD
赤外高感度タイプ裏面入射型CCD
裏面入射型CCD
分光感度特性
分光分析用 (赤外高感度タイプ)
エリアイメージセンサ
11
広いダイナミックレンジを実現しています。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*1
(ライン/s) 冷却 写真 専用駆動回路*2(P.38)
S7033-0907
24 × 24
512 × 122 316
非冷却 C7043
S7033-1007 1024 × 122 160
S7034-0907S 512 × 122 316
1段電子冷却 C7044
S7034-1007S 1024 × 122 160
*1: フルラインビニング時 (typ.)*2: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*3
(フレーム/s) 冷却 写真 専用駆動回路
S12071 24 × 24 1024 × 1024 Tap A: 0.1Tap B: 1.5
1段電子冷却
S12101 12 × 12 2048 × 2048 Tap A: 0.02Tap B: 2.4
*3: エリアスキャン時 (typ.)注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
裏面入射型構造により紫外から可視域にわたって高感度をもち、広ダイナミックレンジ・低暗電流・アンチブルーミング機能を実現したCCDエリアイメージセンサです。
高速読み出しタイプや低ノイズタイプなどの豊富なラインアップを用意しています。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*4
(フレーム/s) 冷却 写真 専用駆動回路*6(P.38)
S7170-0909
24 × 24
512 × 512 0.9
非冷却*5 C7180
S7171-0909-01 1段電子冷却*5 C7181
S9037-0902 512 × 4 16300
非冷却
S9037-1002 1024 × 4 8100
S9038-0902S 512 × 4 16300
1段電子冷却
S9038-1002S 1024 × 4 8100
*4: エリアスキャン時 (typ.)。ただしS9037/S9038シリーズはフルラインビニング時 (max.)。*5: 2段電子冷却型 (S7172-0909)にも対応しています (受注生産品)。*6: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
分光分析用 (大飽和電荷量タイプ)
ICP分光分析用
科学計測用
12
分光感度特性 (窓なし時)
エリアイメージセンサ
空乏層を厚くすることにより、近赤外域の感度を飛躍的に向上させた裏面入射型CCDエリアイメージセンサです。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 空乏層の厚さ
(µm) 冷却 写真 専用駆動回路
S10747-0909 24 × 24 512 × 512 200 非冷却
完全空乏型CCD (裏面入射型)の構造
通常の裏面入射型CCDは、Si基板が数十µmと薄いため近赤外光が基板を通過しやすく、近赤外域の量子効率は低くなります [図1]。Si基板を厚くすることで、近赤外域の量子効率を高くすることができますが、バイアスを印加しない場合は中性領域の電荷拡散により解像度が劣化してしまいます [図2]。完全空乏型CCD (裏面入射型)は厚くしたSi基板にバイアスを印加し中性領域をなくすことで、良好な解像度を実現しつつ近赤外域で高い量子効率を実現しています [図3]。ただし、暗電流が大きいため、通常は-70 °C程度に冷却して使用します。
空乏層
中性領域
電荷拡散
GND
青色光 近赤外光
受光面
CCD面
空乏層
BIAS青色光 近赤外光
受光面
CCD面
青色光 近赤外光GND受光面
CCD面
空乏層
KMPDC0332JA
図1 通常の裏面入射型CCD 図2 厚いSiにバイアス電圧を印加しない場合
図3 厚いSiにバイアス電圧を印加した場合 [完全空乏型CCD (裏面入射型)]
KMPDB0313JA
0
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
200 400 600 800 1000 1200
波長 (nm)
量子効率 (%)
S10747-0909
標準タイプ裏面入射型CCD
(Typ. Ta=25 °C)
完全空乏型
13
分光分析用
表面入射型CCDエリアイメージセンサ科学計測機器に適した低暗電流・低ノイズのCCDエリアイメージセンサです。
分光分析用に適したCCDです。ビニング動作を行うことにより、受光面の高さ方向に長いリニアイメージセンサとして使用できます。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ラインレート*1
(ライン/s) 冷却 写真 専用駆動回路*2(P.37)
S9970-0906
24 × 24
512 × 60 169
非冷却 C7020
S9970-1006 1024 × 60 86
S9970-1007 1024 × 124 66
S9970-1008 1024 × 252 34
S9971-0906 512 × 60 169
1段電子冷却
C7021S9971-1006 1024 × 60 86
S9971-1007 1024 × 124 66
S9971-1008 1024 × 252 34 C7025
S9972-1007*3 1024 × 124 66
非冷却 C7020-02
S9972-1008*3 1024 × 252 34
S9973-1007*3 1024 × 124 66
1段電子冷却
C7021-02
S9973-1008*3 1024 × 252 34 C7025-02
*1: フルラインビニング時 (typ.)*2: 別売*3: 赤外高感度タイプ注) セラミックパッケージの場合 (S9970/S9972シリーズ)、窓なしタイプ・UVコート・FOPカップリングにも対応が可能です (受注生産品)。
14
エリアイメージセンサ
CMOSエリアイメージセンサ近赤外に高い感度をもつ APS (Active Pixel Sensor)タイプのCMOS エリアイメージセンサです。タイミング発生回路、バイアス発生回路、アンプ、A/D変換器を内蔵しており、オールデジタル入出力のため取り扱いが容易です。
高精度の測定が可能なタイプです。特に、有効画素数 512 × 512、1024 × 1024のCCDは2次元画像の取得にも適しています。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*4
(フレーム/s) 冷却 パッケージ 写真 専用駆動回路
S9736-01
24 × 24 512 × 512 0.3
非冷却
セラミックDIP
S9736-03 プレートタイプ
S9737-01
12 × 12 1024 × 1024 0.09
セラミックDIP
S9737-03 プレートタイプ
S9979 48 × 48 1536 × 128 9 セラミックDIP
*4: エリアスキャン時 (typ.)注) セラミックパッケージの場合 (S9736-01, S9737-01, S9979)、窓なしタイプ、UVコート、FOPカップリングにも対応が可能です (受注生産品)。
科学計測用
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート
(フレーム/s) パッケージ 写真 専用駆動回路
S13101
7.4 × 7.4
1280 × 1024 146
セラミック
S13102 640 × 480 78
分光感度特性 (S13101, S13102, 代表例) ブロック図 (S13101)
画素制御
垂直シフトレジスタ
タイミング発生回路
水平シフトレジスタ
シリアル ペリフェラルインターフェース
MCLKTG_ResetPll_resetMST
SPI_SCLKSPI_CSSPI_RSTBSPI_MOSI
シリアライザ
バイアス回路
LVDS出力 Vsync
outA [2:0]outB [2:0]outC [2:0]outD [2:0]outE [2:0]
HsyncPclkCTR
15
フォトダイオードアレイ
昇圧回路
SPI_MISO
KMPDC0529JC
相対感度 (%)
波長 (nm)
0
100
80
60
40
20
(Ta=25 °C)
400 600 800 1000 1200
KMPDB0528JA
15
等価回路
[ CMOSリニアイメージセンサ (S9227-03) ]
[ NMOSリニアイメージセンサ (S3901シリーズ) ]
[ CCDリニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) ]
リニアイメージセンサ
CMOSリニアイメージセンサは、分光測光・産業機器用として広く利用されています。CMOS技術の技術革新による集積度の向上によって簡便な取り扱いを可能にし、小型パッケージとリーズナブルな価格を実現しています。必要とされる信号処理回路はすべて、センサチップに搭載されています。裏面入射型CCDリニアイメージセンサは、高い紫外感度のため、分光測光に適しています。低ノイズ・低暗電流・広ダイナミックレンジを実現しており、蓄積時間を長くすることにより、微弱光検出が可能です。表面入射型CCDリニアイメージセンサは、紫外域において裏面入射型CCDに近い感度を実現しています。NMOSリニアイメージセンサは、電荷蓄積量が大きく出力の直線性が高いため、高精度を必要とする科学計測機器に適しています。出力電荷を外部読み出し回路で電圧に変換することが可能です。CMOSリニアイメージセンサとNMOSリニアイメージセンサは、CCDと比較すると取り扱う電荷量が大きく、光量の強い環境下で使用されます。
シフトクロック(2相)
オールリセットゲートオールリセットドレイン
ビデオFDA
アナログシフトレジスタ
トランスファーゲート
Vss
VISH
VSTG
VREGHVREGL
VIG VSG VOG VRET VRD VOD VRG
KMPDC0352JA
スタート stクロッククロック
12
アクティブフォトダイオード
飽和コントロールゲート飽和コントロールドレイン
ダミーダイオード
ダミービデオ
アクティブビデオ
エンドオブスキャンデジタルシフトレジスタ
VssKMPDC0020JC
KMPDC0121JC
デジタルシフトレジスタ
ホールド回路タイミング発生回路スタート
クロックビデオ
Vdd Vss
16
高感度タイプ
紫外~近赤外域で高感度 動作が容易
S11639-01の特長
分光測光用CMOSリニアイメージセンサ分光測光用に適したCMOSリニアイメージセンサです。
暗電流や暗状態のショットノイズを小さくするために、受光部は埋め込み型フォトダイオード構造を採用しています。さらに当社独自の受光部形成技術により、高感度な縦長画素でありながら低イメージラグを実現した受光部となっています。また、紫外光に対しても高感度を実現しています。
5 V単一電源と2種類の外部クロックパルスで動作します。クロック端子の入力端子容量は5 pFのため、簡易な外部回路で動作が可能です。Video出力は正極性で、読み出しタイミング用Trig信号を出力しており、信号処理が容易です。
縦長画素の受光部を採用した高感度CMOSリニアイメージセンサです。紫外域においても、高感度・高耐性を実現しています。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*1(P.40)
S11639-01200
14 2048 4672C13015-01
S13496 7 4096 2387
*1: 別売
分光感度特性 (代表例)
KMPDB0445JB
波長 (nm)
相対感度 (%)
200 400 500 700300 600 800 900 10000
20
40
60
80
100 (Ta=25 °C)
APS (Active Pixel Sensor)タイプ画素ごとに高感度アンプを配置したAPSタイプのイメージセンサです。CCDよりも高い電荷-電圧変換効率 25 µV/e-を実現しています。
電子シャッタ、全画素で同時蓄積電子シャッタ機能を内蔵しており、外部クロックパルスに同期して、蓄積時間の開始タイミングと長さを制御することが可能です。全画素の信号は同時にホールド容量回路に移され、1画素ごとに順次読み出されます。
1画素の出力波形 [f(CLK)=VR=10 MHz]
GND
GND
0.6 V (出力オフセット電圧)
2.6 V (飽和出力電圧=2.0 V)
GND
CLK
Trig
Video
5 V/div.
5 V/div.
1 V/div.
20 ns/div.
17
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*1(P.40)
S10121-128Q-01
2.5
50
128 1923
C10808シリーズ
S10121-256Q-01 256 969
S10121-512Q-01 512 486
S10122-128Q-01
0.5
128 3846
S10122-256Q-01 256 1938
S10122-512Q-01 512 972
S10123-256Q-01
0.5
25
256 1938
S10123-512Q-01 512 972
S10123-1024Q-01 1024 487
S10124-256Q-01
2.5
256 969
S10124-512Q-01 512 486
S10124-1024Q-01 1024 243
*1: 別売
蓄積時間の可変機能をもち、高い紫外感度となめらかな分光感度特性を特長とした電流出力タイプのリニアイメージセンサです。
KMPDB0442JA KMPDB0443JA
0.2
0.3
200 600 1000400 800 1200
波長 (nm)
受光感度 (A/W)
0
0.4
0.1
(Ta=25 °C)
0.04
0.06
0.08
200 220 240 260 280 300
波長 (nm)
受光感度 (A/W)
0
0.12
0.10
0.02
(Ta=25 °C)
従来品
S10121~S10124シリーズ (-01)
蓄積時間可変タイプ
分光感度特性 (代表例) 紫外域の分光感度特性 (代表例)
18
リニアイメージセンサ
標準タイプ読み出し回路を内蔵したリニアイメージセンサです。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*2(P.40)
S8377-128Q
500
50
128 3846
C9001
S8377-256Q 256 1938
S8377-512Q 512 972
S8378-256Q
25
256 1938
S8378-512Q 512 972
S8378-1024Q 1024 487
S9226-03
125 7.8 1024 194
S9226-04
S9227-03
250 12.5 512 9434
S9227-04
*2: 別売
19
分光測光用CCDリニアイメージセンサ裏面入射型CCDリニアイメージセンサは、電子シャッタ内蔵、高い紫外感度を特長としています。表面入射型CCDリニアイメージセンサは、表面入射型でありながら紫外域 (200 nm帯)において裏面入射型CCDに近い高感度を実現しています。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数
ラインレート(ライン/s) 冷却 写真 専用駆動回路*1
(P.40)Typ. Max.
S11155-2048-02 14 × 500
2048 × 1 2327 4633
非冷却 C11165-02S11156-2048-02 14 × 1000
S13255-2048-02 14 × 5001段電子冷却
S13256-2048-02 14 × 1000
S11490 24 × 500 1024 × 1 10000 30000非冷却
S11491 12 × 500 2048 × 1 30000 70000
*1: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
電子シャッタ機能を内蔵した分光測光用の裏面入射型CCDリニアイメージセンサです。レジスティブゲート構造の採用により、高速転送が可能です。
レジスティブゲート構造
通常のCCDの場合、1画素内に複数の電極があり、異なったクロックパルスを印加することで信号電荷を転送します (図1)。レジスティブゲート構造の場合、受光部に単一の高抵抗電極があり、その両端に異なる電圧を印加してポテンシャルスロープを形成することで信号電荷を転送します (図2)。CCDエリアイメージセンサをラインビニングし1次元のセンサとして使用する場合に比べると、1次元CCDイメージセンサの受光部においてレジスティブゲート構造を採用することによって、高速転送が可能になり、画素高さが大きい場合でも読み残しの少ない読み出しを行うことができます。
KMPDC0321JBKMPDC0320EA
P1V P2V P1V P2V
N N
P
N N-N-N-N- N NN-P+ N
P
REGL REGH STG TG
ポテンシャルスロープ
レジスティブゲート
図1 通常の2相CCDの概念図と電位 図2 レジスティブゲート構造の概念図と電位
裏面入射型
20
分光測光用NMOSリニアイメージセンサNMOSリニアイメージセンサは、マルチチャンネル分光測光用の検出器として開発された自己走査型フォトダイオードアレイです。広い受光面、紫外線に対して高感度で感度劣化が少ない、低暗電流・大飽和電荷量による広いダイナミックレンジ、優れた出力直線性とユニフォミティ、低消費電流といった特長をもっています。
リニアイメージセンサ
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)]
画素ピッチ(µm) 有効画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*2(P.40)
S11151-2048 14 × 200 14 2048 × 1 484 C11160
*2: 別売注) 窓なしタイプにも対応が可能です。
紫外域の光に対して高感度と高耐性を実現した表面入射型CCDリニアイメージセンサです。
出力直線性に優れ、分光測光用として最適なリニアイメージセンサです。
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 冷却 写真 専用駆動回路*4
(P.39, 40)
S3901シリーズ 2.5 50
128, 256, 512
非冷却
C7884シリーズC8892
1024
S3902シリーズ
0.5
50 128, 256, 512
C7884シリーズC8892
S3903シリーズ 25 256, 512, 1024
*4: 別売 (S5930/S5931シリーズを除く)
KMPDB0372JA
波長 (nm)
(Ta=25 °C)
量子効率 (%)
0
100
80
90
60
70
40
50
20
30
10
1100200 300 400 500 600 700 800 900 1000*3: 石英ガラスの透過率特性により分光感度は低下します。
表面入射型
電流出力タイプ (標準タイプ)
分光感度特性 (窓なし時, 代表例)*3
21
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 冷却 写真 専用駆動回路*1
(P.39, 40)
S3904シリーズ
2.5
25
256, 512, 1024
非冷却
C7884シリーズC8892
2048
S5930シリーズ 50 256, 512
1段電子冷却 C5964シリーズ(センサ内蔵)
S5931シリーズ 25 512, 1024
*1: 別売 (S5930/S5931シリーズを除く)
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 冷却 写真 専用駆動回路*2
(P.39, 40)
S8380シリーズ
2.5
50 128, 256, 512
非冷却 C7884シリーズC8892
S8381シリーズ 25 256, 512, 1024
S8382シリーズ 50 256, 512
1段電子冷却 C5964シリーズ(センサ内蔵)
S8383シリーズ 25 512, 1024
*2: 別売 (S8382/S8383シリーズを除く)
近赤外域で高い感度をもつNMOSリニアイメージセンサです。
電圧出力タイプは、電流出力タイプに比べ、読み出し回路の構成を簡単にすることができます。
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 冷却 写真 専用駆動回路
S3921シリーズ 2.5
50 128, 256, 512
非冷却
S3922シリーズ 0.5
S3923シリーズ 0.5
25 256, 512, 1024
S3924シリーズ 2.5
電流出力タイプ (赤外高感度タイプ)
電圧出力タイプ
22
リニアイメージセンサ
産業機器用CCDリニアイメージセンサ産業機器用に適したCCDリニアイメージセンサです。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ポート数 ピクセルレート
(MHz/ポート)ラインレート(ライン/s) 垂直転送 写真 対応カメラ*3
S10200-02-01
12 × 12
1024 × 128 2
30
50000
双方向
S10201-04-01 2048 × 128 4 C10000-801C10000-A01
S10202-08-01 4096 × 128 8
S10202-16-01 4096 × 128 16 100000
*3: 別売カメラ C10000シリーズは当社システム事業部の製品です。
高速撮像時などの低照度下においても十分な明るさの画像が得られる裏面入射型TDI-CCDです。TDI動作により、移動する対象物を積分露光することで、飛躍的に高い感度を得ることができます。裏面入射型のため、紫外~近赤外の幅広い波長域 (200~1100 nm)で高い量子効率を実現しています。
TDI (Time Delay Integration)動作
FFT型CCDは、電荷読み出しの際、列単位で電荷の垂直転送を行います。その転送のタイミングと、CCDに入射する被写体の移動タイミングを合わせ、CCD画素の垂直段数分の積分露光をする方式をTDI動作といいます。
KMPDC0139JA
被写体移動
・信号転送
電荷量
Time1 Time2 Time31段目・・・・・M段目
TDI-CCD イメージセンサ
分光感度特性 (窓なし時) センサ構造図 (S10201-04-01)
裏面入射型のため、表面入射型と比較して紫外~近赤外域 (200~1100 nm)で高感度を実現しています。
KMPDB0268JB
複数のアンプを配置し、出力をマルチポート化することで、画像の読み出しを並列化して高速ラインレートを実現しました。
KMPDC0260JA
波長 (nm)
受光感度 [V/(µJ · cm2 )]
0
1000
2000
3000
4000
5000
200 400 600 900800 1000300 500 700 1100
7000
6000
(Typ. Ta=25 °C)
TGbP3VP2VP1VTGa
RGRDOD
AGNDOGSG
P2H
P1H
OSa1
OSa2
OSb1
OSb2
OSa3
OSb3
OSa4
OSb4
OFDOFGDGND
Bポート側
512画素
Aポート側
双方向転送
128画素
23
表面入射型
産業機器用CMOSリニアイメージセンサCMOSリニアイメージセンサは、タイミング回路や信号処理アンプを同一チップ上に搭載しており、簡単な入力パルスと単一電源によって駆動できます。そのため、外部回路を簡略化することができます。
型名 画素サイズ[µm (H) × µm (V)] 有効画素数 ポート数
ピクセルレートmax.
(MHz/ポート)
ラインレートmax.
(ライン/s)写真 専用駆動回路
S12551-2048 14 × 14
2048 × 1
1
40
19000
S12379 8 × 8 4 72000
選別機などの用途に合わせて設計された高速ラインレートの表面入射型CCDリニアイメージセンサです。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路
S10226-10 125 7.8 1024 194
S10227-10 250 12.5 512 9434
S11106-10 63.5 63.5 128 64935
S11107-10 127 127 64 111111
S12443 125 7 2496 3924
小型/表面実装型の量産タイプです。
樹脂封止型パッケージ
24
10 MHz (S11637/S12198シリーズ)、50 MHz (S11105/-01)の高速読み出しが可能です。同時蓄積、蓄積時間可変機能も備えています。
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路
S11637-1024Q
0.5
12.5
1024 9487
S11637-2048Q 2048 4812
S12198-512Q-01
25
512 18450
S12198-1024Q-01 1024 9487
S11105
0.25 12.5 512 88495
S11105-01
高速読み出しタイプ
リニアイメージセンサ
画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現しています。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*1(P.40)
S11108 14 14 2048 4672
S12706 7 7 4096 2387 C13015-01
*1: 別売
8ビット・10ビットA/D変換器を内蔵したリニアイメージセンサです。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路
S10077 50 14 1024 972
高感度タイプ
デジタル出力タイプ
25
RGBカラーフィルタ付
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路
S13488 42 14 2048 4672
Red (630 nm)、Green (540nm)、Blue (460 nm)に感度をもつCMOSリニアイメージセンサです。画素にRGBの順でフィルタが付いています。
分光感度特性 (代表例)
KMPDB0483JB
注 ) 赤外域にも感度があるため、必要に応じて赤外線の入射を遮断してください。
波長 (nm)
相対感度 (%)
300 400 600500 800700 10009000
20
40
60
80
100(Ta=25 °C)
Red
Green
Blue
26
アンプ付フォトダイオードアレイ
構成図 (S11865-64/-128) ブロック図 (S11865-64/-128)
KMPDC0186JA
KMPDC0153JA
工業用検査に適しています。
型名 画素高さ(mm)
画素ピッチ(mm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*1
S11865-64 0.8 0.8 64 14678 C9118 C9118-01
S11865-128 0.6 0.4 128 7568
S11865-256 0.3 0.2 256 3844
S11866-64-02 1.6 1.6 64 14678 C9118 C9118-01
S11866-128-02 0.8 0.8 128 7568
*1: 別売注) 蛍光紙付タイプも用意しています。
1
4
RESET
EXTSP Vms Vdd GND
CLK
Vref
Vgain
Vpd
2
10
11
12
5 6 7
タイミング発生回路
シフトレジスタ
ホールド回路
チャージアンプアレイ
フォトダイオードアレイ
3 TRIG
8 EOS
9 Video
1 2 3 4 5 N-1 N
CMOS信号処理チップ
フォトダイオードアレイチップ 基板
アンプ付フォトダイオードアレイは、等倍光学系を用いた長尺検出システム用に適したCMOSリニアイメージセンサです。フォトダイオードアレイチップによる受光部とCMOS信号処理チップによる読み出し部から構成されています。複数を配列することによって、長尺イメージセンサを構成することができます。
型名 特徴 接続 写真 適合センサ
C9118単一電源 (+5 V)、2つの入力信号 (M-CLK, M-RESET)で動作
シングル/並列接続用 S11865-64S11865-64GS11865-128S11865-128GS11866-64-02S11866-64G-02S11866-128-02S11866-128G-02
C9118-01 シリアル接続用
長尺タイプ
アンプ付フォトダイオードアレイ用駆動回路
27
測距イメージセンサ
測距リニアイメージセンサ
測距エリアイメージセンサ
測距イメージセンサは、TOF方式で対象物までの距離を測定するセンサです。パルス変調した光源と組み合わせて使用し、発光・受光タイミングの位相差情報を出力します。その信号を外付けの信号処理回路またはPCで演算することによって、距離データが得られます。
KMPDC0417JA
ターゲット(人、対象物)
光源(LEDアレイまたはLD)
PC
Ethernet
駆動パルス
評価キット
照射光
反射光測距イメージセンサ
受光レンズ
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数ビデオデータレート
max.(MHz)
写真 専用駆動回路
S11962-01CR 40 40 64 × 64
10
S11963-01CR 30 30 160 × 120 *
* 評価キットについては、営業までお問い合わせください。
型名 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数ビデオデータレート
max.(MHz)
写真 専用駆動回路
S11961-01CR
50
20 256
5
*
S12973-01CT 22 64
距離計測の構成例
28
[ G11475~G11478シリーズなど ] [ G12230-512WB ]
InGaAsイメージセンサは、近赤外域における幅広い用途に用いられています。CMOS ROICによる読み出し回路を内蔵しているため、信号処理が容易になっています。チャージアンプ方式を採用し、電荷を蓄積して出力信号を大きくすることが可能なため、微弱光の検出に適しています。
受光感度 (A/W)
波長 (µm)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
0.2
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 2.42.22.01.8
Tchip=25 °CTchip=-20 °C
(Typ. Ta=25 °C)
KMIRB0094JBKMIRB0068JG
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.00
0.5
1.0
1.5
波長 (µm)
受光感度 (A/W)
(Typ. Ta=25 °C)
Tchip=25 °CTchip=-10 °CTchip=-20 °C
G11477シリーズ
G11478シリーズ
G11476シリーズ
G13913シリーズG11135シリーズG11620シリーズ
G11608シリーズ
G11508シリーズ
G11475シリーズ
近赤外用イメージセンサ
KMIRC0016JB
クロック
Vdd
Vref
INP
Vss
リセットデジタルシフトレジスタ
信号処理回路
ビデオライン
Si
チャージアンプ
ワイヤボンディング
フォトダイオードInGaAs
等価回路 (InGaAsリニアイメージセンサ)
分光感度特性
29
表面入射型
分光分析用InGaAsリニアイメージセンサ
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 ラインレート(ライン/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路
G9203-256D
非冷却 500
50 256 1910
0.9 ~ 1.7 0
G9204-512D 25 512 960*1
G11608-256DA 50 256 17200
0.5 ~ 1.7 1% max.
G11608-512DA 25 512 9150*1
G11508-256SA1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 500
50 256 17200
0.9 ~ 1.67 0
G11508-512SA 25 512 9150*1
G11475-256WB
2段電子冷却(Tchip=-20 °C) 250
50 256 17200
0.9 ~ 1.85
5% max.G11476-256WB 0.9 ~ 2.05
G11477-256WB 0.9 ~ 2.15
G11478-256WB 0.9 ~ 2.55
G11475-512WB
25 512 9150*1
0.9 ~ 1.85
4% max.G11477-512WB 0.9 ~ 2.15
G11478-512WB 0.9 ~ 2.55
*1: 2本のビデオラインで読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 ラインレート(ライン/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路*2
(P.41)
G11620-128DA
非冷却 500
50
128 30800
0.95 ~ 1.7 1% max. C11513
G11620-256DA 256 17200
G11620-256DF
25
256 17200
G11620-512DA 512 9150
G12230-512WB 2段電子冷却(Tchip=-20 °C) 250 25 512 9150 0.95 ~ 2.15 2% max.
G13913-128FB非冷却 250
50 128 136000.95 ~ 1.7
1% max. G13913-256FG 25 256 7290
G11620-256SA 1段電子冷却(Tchip=-10 °C) 500
50 256 172000.95 ~ 1.67
G11620-512SA 25 512 9150
*2: 別売
裏面入射型
30
近赤外用イメージセンサ
産業計測装置に適した高速リニアイメージセンサです。
裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS-ROICをバンプ接続しており、1つの出力端子となっています。
高速タイプInGaAsリニアイメージセンサ
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 ラインレート(ライン/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路*5
(P.41)
G11135-256DD
非冷却
50 50 256 14000
0.95 ~ 1.7
1% max. C11514G11135-512DE 25 25 512 8150
G14006-512DE 25 25 512 8150 1.12 ~ 1.9
*5: 別売
多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024画素、近赤外/高速リニアイメージセンサです
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 ラインレート(ライン/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路*5
(P.39)
G10768-1024D
非冷却
100
25 1024 39000 0.9 ~ 1.7 1% max. C10854
G10768-1024DB 25
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 ラインレート(ライン/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路*3
(P.41)
G9494-256D
非冷却
50 50 256 7100
0.9 ~ 1.7 1% max. C10820
G9494-512D 25 25 512 3720*4
*3: 別売*4: 2本のビデオラインで読み出した場合、256画素と同じラインレートになります。
表面入射型
裏面入射型
31
裏面入射型InGaAsフォトダイオードとCMOS読み出し回路 (ROIC: Readout Integrated Circuit)を内蔵したハイブリッド構造のイメージセンサです。
ブロック図 (G11097-0606S, G12460-0606S)
KMIRC0067JB
Video
シフトレジスタ
シフトレジスタ
開始
終了
信号処理回路
64 × 64画素(G11097-0606S, G12460-0606S)
オフセット補償回路
読み出し回路の一連の動作について説明します。フレームスキャン信号である、マスタースタートパルス(MSP)のLow期間を蓄積時間として、全画素同時にチャージアンプ出力電圧をサンプルホールドします。その後、画素の走査とビデオ出力を行います。画素の走査は右図左上を起点に始まります。垂直方向のシフトレジスタが右図上→下へと走査し、各行を順に選択します。選択された行の各画素において、以下の動作を行います。
① サンプルホールドされた光信号情報を信号電圧として信号処理回路へ転送します。
② 信号電圧の転送後、各画素内のアンプをリセットし、リセット電圧を信号処理回路へ転送します。
③ 信号処理回路において①信号電圧と②リセット電圧がサンプルホールドされます。
④ 水平方向のシフトレジスタが右図左→右へと走査され、オフセット補償回路にて、①、②の電圧差分を計算します。これによって、各画素内のアンプのオフセット電圧が除去されます。①、②の電圧差が出力信号としてシリアルデータの形で出力されます。
続いて垂直方向のシフトレジスタが次の行を選択し、①~④の動作を繰り返します。垂直方向のシフトレジスタが64行目まで進んだ後は、フレームスキャン信号であるMSPはHigh状態です。その後、MSPがHigh→Lowになると、全画素同時にリセットスイッチが開放され、次フレームの蓄積動作が始まります。
型名 冷却 画素高さ(µm)
画素ピッチ(µm)
画素数 フレームレート*1
(フレーム/s)
感度波長範囲λ(µm)
不良画素の割合 写真 専用駆動回路*2
(P.39)
G11097-0606S 1段電子冷却(Tchip=25 °C)
50 50 64 × 64 10250.95 ~ 1.7
1% max. C11512G12460-0606S 1段電子冷却
(Tchip=0 °C) 1.12 ~ 1.9
G12242-0707W
2段電子冷却(Tchip=15 °C) 20 20
128 × 128 258
0.95 ~ 1.7
1% max. C11512-02
G13393-0808W 320× 256 2280.37% max.
G13393-0909W 640 × 512 62
G13544-01 2段電子冷却(Tchip=-10 °C)
50 50 192 × 96 8671.12~1.9
1% max.G13441-01 2段電子冷却
(Tchip=-20 °C) 1.3~2.15
*1: 蓄積時間 1 µs (min.)*2: 別売
InGaAsエリアイメージセンサ
32
X線イメージセンサ
X線撮像例
[ S10810-11による撮像例 ]
[ S7199-01による撮像例 ][ S8658-01による撮像例 ]
CsIタイプのFOS (X線シンチレータ付FOP)付CCDは、FOPがシールドの役目を果たすためCCDのX線損傷を抑制することができます。FOS以外に、FOPのカップリングにも対応可能です。なお低価格タイプとして、シンチレータにGOSを用いた製品も用意しています。TDI-CCD S7199-01、S8658-01は、TDI動作により大きな被写体の断層面のX線イメージングが可能で、X線ラジオグラフィ装置に加え、産業用インラインの非破壊検査用にも利用できます。受光面上に蛍光紙を貼ったアンプ付フォトダイオードアレイは、インラインの工業製品検査装置用、缶詰/レトルト食品の異物混入検査用など、さまざまな検査装置に使用できます。
33
受光部
[ S10830, S10834 ] [ S10831, S10835 ]
X線ラジオグラフィ装置に使用される大面積・高解像度CCDイメージセンサです。
型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*1
(フレーム/s) 写真 専用駆動回路
S8980
CsI(+ FOP)
20 × 20
1500 × 10002
S10810-11 1
S10814
1700 × 1200
1
S10811-11 1 (max.)
S8984-02 なし*2 1
*1: エリアスキャン時*2: FOPをカップリング
X線ラジオグラフィに使用される大面積・高解像度CMOSイメージセンサです。
型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート
(フレーム/s) 写真 専用駆動回路
S10830
CsI(+ FOP) 20 × 20
1000 × 1500 0.9
S10834
S10831
1300 × 1700 0.6
S10835
KMPDC0327JA
KMPDC0328JB
114画素 114画素上部遮光画素(766, 768, 770画素)
114画素
1500画素
X線照射モニタ用フォトダイオード
下部遮光画素(1000 × 3画素)
有効画素数(1000 × 1500画素)
水平シフトレジスタ走査方向
垂直シフトレジスタ走査方向
269画素 269画素
269画素
1700画素
上部遮光画素(756, 758, 760画素)
X線照射モニタ用フォトダイオード
垂直シフトレジスタ走査方向
水平シフトレジスタ走査方向
下部遮光画素(1300 × 3画素)
有効画素数(1300 × 1700画素)
X線ラジオグラフィ用CCDエリアイメージセンサ
X線ラジオグラフィ用CMOSエリアイメージセンサ
34
アンプ付フォトダイオードアレイ用駆動回路
FFT-CCDにFOSをカップリングした長尺タイプのCCDです。CCDチップの近接配置により、長尺型のセンサ形状を実現しています。X線ラジオグラフィや非破壊X線検査などに使用されています。
型名 シンチレータ 画素サイズ [µm (H) × µm (V)] 有効画素数 フレームレート*3
(フレーム/s) 写真 専用駆動回路
S7199-01*4CsI
(+ FOP) 48 × 48
1536 × 128(× 2チップバタブル)
15
S8658-01*4 1536 × 128(× 3チップバタブル)
*3: エリアスキャン時*4: FOPをカップリングしたタイプ (S7199-01F, S8658-01F)も用意しています。
TDI-CCDエリアイメージセンサ
X線イメージセンサ
アンプ付フォトダイオードアレイの受光部上に蛍光紙を貼った非破壊検査用のイメージセンサです。
型名 シンチレータ 画素高さ(mm)
画素ピッチ(mm) 画素数 ラインレート
(ライン/s) 写真 専用駆動回路*5
S11865-64G
蛍光紙
0.8 0.8 64 14678 C9118 C9118-01
S11865-128G 0.6 0.4 128 7568
S11865-256G 0.3 0.2 256 3844
S13885-128G 0.6 0.4 128 7568
S13885-256G 0.3 0.2 256 3844
S13886-128G 0.8 0.8 128 7568
S11866-64G-02 1.6 1.6 64 14678 C9118 C9118-01
S11866-128G-02 0.8 0.8 128 7568
*5: 別売
型名 特徴 接続 写真 適合センサ
C9118単一電源 (+5 V)、
2つの入力信号 (M-CLK, M-RESET)で動作
シングル/パラレル接続用
S11865-64S11865-64GS11865-128S11865-128GS11866-64-02S11866-64G-02S11866-128-02S11866-128G-02
C9118-01 シリアル接続用
非破壊検査用アンプ付フォトダイオードアレイ
35
X線フラットパネルセンサ
型名 スキャンモード
フレームレート(フレーム/s)
有効画素数[(H) × (V)]
画素数[(H) × (V)]
画素サイズ(µm) 出力 解像度
(line pairs/mm) 写真
C10900D-40
Fast mode 35 608 × 616624 × 624 200 × 200 デジタル
(13ビット) 2.5Partial mode 70 608 × 310
Fine mode 17 1216 × 12321248 × 1248 100 × 100 デジタル
(12ビット) 4.5Panoramic mode 280 1216 × 72
C10901D-40
Fast mode 60 496 × 336 504 × 341 200 × 200 デジタル(13ビット) 2.5
Fine mode 30 992 × 6721008 × 682 100 × 100 デジタル
(12ビット) 4.5Panoramic mode 265 992 × 72
C12902D-40
Fast mode 80 600 × 494 600 × 498 240 × 240
デジタル(16ビット)
2.1
Fine mode 30 1200 × 9881200 × 996 120 × 120
4.2Panoramic mode 400 1200 × 50 4.2
Rtbin panoramic mode 600 1200 × 25 1200 × 498 120 × 240
C12903D-40
Fast mode 60 696 × 606 700 × 614 200 × 200 2.5
Fine mode 19 1400 × 12121400 × 1228 100 × 100 4.5Panoramic
mode 350 1400 × 60
Rtbin panoramic mode 600 1400 × 30 1400 × 614 100 × 200
C12504D-56Normal mode 400 1234 × 50 1248 × 50 120 × 120
デジタル(14ビット)
4.2
Rtbin mode 780 1234 × 25 1248 × 25 120 × 240
C10500D-70Normal mode 310 1480 × 60 1512 × 60 100 × 100 4.5
Rtbin mode 500 1480 × 30 1512 × 30 100 × 200
C12505D-56Normal mode 400 1860 × 50 1872 × 50 120 × 120 4.2
Rtbin mode 780 1860 × 25 1872 × 25 120 × 240
C10502D-70Normal mode 310 2232 × 60 2268 × 60 100 × 100 4.5
Rtbin mode 500 2232 × 30 2268 × 30 100 × 200
注) インターフェースは、Gigabit Ethernetです。
高速動作に対応したタイプです。
X線フラットパネルセンサは、回転型ラジオグラフィ (CT)や高感度・高品位のリアルタイムイメージングのキーデバイスとして開発されたデジタルX線イメージセンサです。センサボードとコントロールボードから構成され、コンパクトで薄型の形状となっています。
ラジオグラフィ用 (回転型)
36
X線撮像例
[ ハチ (一般タイプX線フラットパネルセンサを使用) ]
高品質CsIシンチレータを搭載したフラットパネルセンサです。非破壊検査用に適した高解像度を実現しています。密封型マイクロフォーカスX線源 (50 kVp~100 kVp)と組み合わせた使用に適しています。
型名 フレームレート*3(フレーム/s)
画素数[(H) × (V)]
画素サイズ(µm) 出力 解像度
(line pairs/mm) インターフェース 写真
C7921CA-29 4 1056 × 1056
50 × 50 デジタル(12ビット) 8 RS-422
(差動)
C7942CA-22 2 2400 × 2400
*3: シングル動作時
型名 フレームレート(フレーム/s)
画素数[(H) × (V)]
画素サイズ(µm) 出力 ノイズ
(electrons) インターフェース 写真
C9728DK-10 3 1056 × 1056 50 × 50 デジタル(14ビット) 80 USB 2.0
C9728DK-10は、X線回折などの用途に適しています。
KACCC0269JB
ビデオ出力Vsync, Hsync,Pclk
ビニング(bin0, bin1)IntExtExtTrgGrb
X線源
フレームグラバ
モニタ
PC/AT
(背面部)
フラットパネルセンサ
ExtTrgLemo
OS +画像取得ソフトウェア
電圧源[A.vdd, D.vdd, V (±7.5)]
MOS Image Sensor for X-Ray
低エネルギーX線に対応したタイプです。
型名 フレームレート*2 (フレーム/s)
画素数[(H) × (V)]
画素サイズ(µm) 出力 解像度
(line pairs/mm) インターフェース 写真
C7942CK-22 2 2400 × 2400
50 × 50
デジタル(12ビット) 8 RS-422
(差動)
C9730DK-10 4 1056 × 1056
デジタル(14ビット) 10 USB 2.0
C9732DK-11 1 2400 × 2400
*2: シングル動作時
ラジオグラフィ用 (生化学)
一般タイプ (オフライン)
低ノイズタイプ
[ 魚 (ラジオグラフィ用X線フラットパネルセンサを使用) ]
フラットパネルセンサの接続例 (インターフェース:LVDS, RS-422)
37
浜松ホトニクスのイメージセンサを簡単に評価・試用できるように、主要なイメージセンサに対応した駆動回路やマルチチャンネル検出器ヘッドを用意しています。駆動回路はボードタイプで、イメージセンサの評価を安価に行うことができ、装置への内蔵も可能です。マルチチャンネル検出器ヘッドは、駆動回路を放熱性に配慮した筐体に内蔵した製品です。
マルチチャンネル検出器ヘッドイメージセンサは優れた性能をもつ一方で、単素子の場合に比べて駆動のためのエレクトロニクスや信号処理が複雑になります。そのため、InGaAs/NMOS/CCDイメージセンサの主要な製品には、センサを組み込んで使用できるマルチチャンネル検出器ヘッドを用意しています。コントローラおよびソフトウェアと合わせて、簡単にデータ収集ができ、センサの性能を評価することが可能です。また、システムにOEMとして組み込んでセンサの性能を最大限に利用することができます。
型名 出力 写真 適合センサ
C7020
アナログ
S9970シリーズ
別売
C7020-02 S9972シリーズ
C7021 S9971-0906/-1006/-1007
C7021-02 S9973-1007
C7025 S9971-1008
C7025-02 S9973-1008
型名 出力 写真 適合センサ
C7040
アナログ
S7030シリーズ, S11500-1007
別売
C7041 S7031シリーズ, S11501-1007S
表面入射型CCDエリアイメージセンサ用
裏面入射型CCDエリアイメージセンサ用
イメージセンサ関連製品
38
型名 出力 写真 適合センサ
C7043
アナログ
S7033シリーズ
別売
C7044 S7034シリーズ
C7180 S7170-0909
C7181 S7171-0909-01
注) 2段電子冷却型CCDエリアイメージセンサ (裏面入射型) S7032シリーズ用のマルチチャンネル検出器ヘッドにも対応しています。
付属品· 予備のフューズ (2.5 A)· ACケーブル· 2-3ピン変換アダプタ· USBケーブル· 専用接続ケーブル (マルチチャンネル検出器ヘッドの“SIGNAL I/O”“TE CONTROL I/O”端子用)· CD-R (MCD USBドライバ、ソフトウェア、取扱説明書)· MOSアダプタ
CCD/NMOS/InGaAsマルチチャンネル検出器ヘッドの主な製品をサポートしています。
型名 インターフェース 写真 適合マルチチャンネル検出器ヘッド
C7557-01 USB 2.0 C7020/-02, C7021/-02, C7025/-02, C7040, C7041, C7043, C7044C7180, C7181, C5964シリーズ, C8892
マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラ
KACCC0402JE
ACケーブル (100~240 V, C7557-01に付属)
PC (USB 2.0/3.0) [Windows®7 (32-bit, 64-bit)/ Windows®8 (32-bit, 64-bit)/Windows®8.1 (32-bit, 64-bit)/Windows®10 (32-bit, 64-bit)]
C7557-01
USBケーブル(C7557-01に付属)
イメージセンサ+
マルチチャンネル検出器ヘッド
シャッタ*タイミングパルス
専用ケーブル(C7557-01に付属)
* シャッタなどは用意していません。
Trig.
TE CONTROL I/O
SIGNAL I/O
POWER
接続図 (C7557-01)
注) Windowsは米国Microsoft Corporationの米国およびその他の国における登録商標です。
39
型名 出力 写真 適合センサ
C5964シリーズ
アナログ
S5930/S5931/S8382/S8383シリーズ センサ内蔵
C8892 S3901~S3904/S8380/S8381シリーズ (S3901-1024Q, S3904-2048Qを除く) 別売
注) マルチチャンネル検出器ヘッド用コントローラも用意しています。詳細は38ページを参照してください。
型名 出力 写真 適合センサ
C10854 CameraLink G10768-1024DG10768-1024DB 別売
型名 出力 写真 適合センサ
C11512
CameraLink
G11097-0606SG12460-0606S
別売
C11512-02 G12242-0707W
NMOSリニアイメージセンサ用
InGaAsリニアイメージセンサ用
InGaAsエリアイメージセンサ用
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イメージセンサ関連製品
イメージセンサ用駆動回路CCDイメージセンサ、NMOS/CMOS/InGaAsリニアイメージセンサ用の駆動回路です。
型名 信号周波数 インターフェース 写真 適合センサ
C11287 250 kHz
USB 2.0
S10420-01シリーズS11510シリーズ
別売
C11288 4 MHz S11071シリーズ
C11160 1 MHz S11151-2048
C11165-02 6 MHz S11155-2048-02S11156-2048-02
C11860 250 kHz S11850-1106S11511シリーズ
型名 特徴 写真 適合センサ
C7884 高精度駆動回路S3901~S3904シリーズS8380/S8381シリーズ(S3901-1024Q,S3904-2048Qを除く)
C7884-01 低ノイズ駆動回路
型名 特徴 写真 適合センサ
C9001 単一 (+5 V)電源動作、2つの入力信号 (クロック、スタート)で動作 S8377/S8378シリーズ
C10808シリーズ 蓄積時間の可変機能付き、高速読み出しタイプ (C10808)と低ノイズタイプ (C10808-01)を用意 S10121~S10124シリーズ
C13015-01 16-bit A/D変換器内蔵、インターフェース: USB 2.0、単一電源動作: USBバスパワー (+5 V)
S11639-01, S12706, S13496
CMOSリニアイメージセンサ用
CCDイメージセンサ用
NMOSリニアイメージセンサ (電流出力タイプ)用
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型名 特長 写真 適合センサ
C10820 微弱光に対応した高ゲイン設定 G9494-256DG9494-512D
C11513 USB 2.0インターフェース (USBバスパワー)G11620シリーズ(G11620-256SA/-512SA: 非対応)
C11514 CameraLink対応 G11135シリーズG14006-512DE
InGaAsリニアイメージセンサ用
接続例 (C11514)
KACCC0869JA
DC +5 V
外部トリガ入力
外部トリガ出力
[C11514]
PC + フレームグラバCameraLink
付属品 (C11514)・アプリケーションソフトウェア (DCam-CL)・関数ライブラリ (SSDic.dll)・ACアダプタ注) 付属のアプリケーションソフトウェア (DCam-CL) および関数ライブラリ (SSDic.dll) を使用するためには、National Instruments社製のフレームグラバボードとNI-IMAQを用意する必要があります。なお、以下のフレームグラバボードでの動作が確認されています。
メーカー 型番 対応OS ドライバ
National Instruments
PCIe-1427
Windows® 7 (32-bit, 64-bit),Windows® 10 (32-bit, 64-bit)
National Instrument社製ツール(NI-IMAQに同梱)
PCIe-1429PCIe-1430PCIe-1433
注) Windowsは米国Microsoft Corporationの米国およびその他の国における登録商標です。
弊社の製品は、一般電子機器 (計測機器、事務機器、情報通信機器、家電機器など)に使用されることを意図しており、個別製品資料に記載されている場合を除き、極めて高い信頼性や安全性を要求する特殊用途 (原子力制御機器、航空宇宙機器、人命に直接影響を与える医療機器や輸送機器および防災・安全装置など)には使用しないでください。 絶対最大定格や使用上の注意などを遵守して製品を使用してください。 弊社は品質・信頼性の向上に努めていますが、製品の完全性を保証するものではありません。弊社の製品を用いて製造されたお客様の機器において万一製品が故障した場合にも、人身事故、火災事故、その他、社会的な損害などを生じさせないよう、十分な安全設計 (冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計など)を施してください。特に製品の誤動作や故障により人の生命・身体への危害または重大な財産的損害の発生の恐れのある機器で使用する場合には、発生し得る不具合を十分に考慮した安全設計を施さなければ危険です。このような機器での使用については、事前に仕様書などの書面による弊社の同意を得ていない場合は、弊社はその責を負いません。 最終需要者に対して、製品およびこれを使用した機器の機能・性能や取り扱いの説明、ならびに適切な警告・表示などを十分に実施してください。 製品の保証は、納入後1年以内に瑕疵が発見され、かつ弊社に通知された場合、製品の修理または代品の納入を限度とします。ただし、保証期間内であっても、天災および不適切な使用 (改造、弊社製品資料に記載された環境・適用分野・使用方法・保管・廃棄などに関する諸条件に反したことなど)に起因する損害については、弊社はその責を負いません。なお、納入仕様書などで製品ごとに保証期間を定めている場合は、その期間を保証期間とします。 弊社製品の輸出など (技術の提供を含む)を行う場合は、外国為替および外国貿易法などの輸出関連法規を遵守し、輸出許可証、役務取引許可証などが必要であれば確実に取得してください。なお、輸出関連法規に関する製品の該当/非該当については弊社営業にお問い合わせください。 弊社製品資料に記載された応用例は、製品の代表的な使用例を説明するためのものであり、特定の使用目的への適合性や商業的利用の成否を保証するものではありません。また、知的財産権の実施に対する保証または許諾を行うものでもありません。なお、その使用により第三者と知的財産権にかかわる問題が発生した場合、弊社はその責を負いません。 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。弊社製品資料は正確を期するため慎重に作成されたものですが、まれに誤記などによる誤りがある場合があります。製品を使用する際には、必ず納入仕様書をご用命の上、最新の仕様をご確認ください。 弊社製品資料の記載内容について、弊社の許諾なしに転載または複製することを禁じます。
浜松ホトニクス製品に関する注意事項とお願い
受 光 素 子
光通信用デバイス ミニ分光器
LED 光半導体モジュール
主な光半導体製品営業品目
APD
フォトIC
MPPC
赤外線検出素子イメージセンサ
Siフォトダイオード
● 本資料の記載内容は、平成29年12月現在のものです。● 製品の仕様は、改良などのため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、納入仕様書をご用命の上、最新の内容をご確認ください。
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