62
Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур М.С.Жолудев научные руководители: д.ф.-м.н. В.Я.Алешкин д.ф.-м.н. В.И.Гавриленко

Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

  • Upload
    brosh

  • View
    125

  • Download
    9

Embed Size (px)

DESCRIPTION

Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур. М.С.Жолудев научные руководители: д.ф.-м.н . В.Я.Алешкин д.ф.-м.н . В.И.Гавриленко. Содержание. Введение Описание однородных полупроводников kp- метод модель Кейна Учет неоднородностей плавное поле - PowerPoint PPT Presentation

Citation preview

Page 1: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Использование модели Кейна для расчета

энергетического спектра полупроводниковых структур

М.С.Жолудев

научные руководители:д.ф.-м.н. В.Я.Алешкин

д.ф.-м.н. В.И.Гавриленко

Page 2: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Содержание• Введение• Описание однородных полупроводников

– kp-метод– модель Кейна

• Учет неоднородностей– плавное поле– гетероструктуры

• Примеры расчетов

Page 3: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

1. Введение

Page 4: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Введениегамильтониан электрона в кристалле:

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

R – вектор прямой решетки

Page 5: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теорема Блоха

1,, ),()( krr kkr

k ni

n ue

гамильтониан электрона в кристалле:

собственная функция:

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

R – вектор прямой решетки

медленнаяогибающая

быстро осциллирующаяпериодическая часть

Page 6: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теорема Блоха

)()(

)ˆ(ˆ

rRr

kp

uu

EuuH

гамильтониан электрона в кристалле:

собственная функция:

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

уравнение дляблоховских функций:

R – вектор прямой решетки

1,, ),()( krr kkr

k ni

n ue

Page 7: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

)()(

)ˆ(ˆ

rRr

kp

uu

EuuH ),(,),(

),(,),(

,,1

1

rr

kk

kk n

n

uu

EE

гамильтониан электрона в кристалле:

собственная функция:

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

уравнение дляблоховских функций: … и его решения:

Теорема Блоха

R – вектор прямой решетки

1,, ),()( krr kkr

k ni

n ue

Page 8: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теорема Блоха

)()(

)ˆ(ˆ

rRr

kp

uu

EuuH ),(,),(

),(,),(

,,1

1

rr

kk

kk n

n

uu

EE

гамильтониан электрона в кристалле:

собственная функция:

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

уравнение дляблоховских функций: … и его решения:

R – вектор прямой решетки

частично можем получитьиз эксперимента

1,, ),()( krr kkr

k ni

n ue

Page 9: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Выводы

• Нельзя вычислить зонную структуру непосредственно решая уравнение Шредингера, т.к. периодический потенциал неизвестен

• Часть информации о зонной структуре можно получить из эксперимента, а остальное «достроить» с помощью приближенных методов

Page 10: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

2. kp-метод

Page 11: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

kp-гамильтониан

σkrσpr

rkpkp

kp

)(4

ˆ)(4

)(2

ˆ

2

ˆ)ˆ(ˆ

22

2

22

222

Vcm

Vcm

Vmmm

H

ee

eee

)()(

)ˆ(ˆ

rRr

kp

uu

EuuH

Page 12: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

kp-гамильтониан

)()(

)ˆ(ˆ

rRr

kp

uu

EuuH

Page 13: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис блоховских функций

kk kkpk

p ,,

22

)(2

ˆ)ˆ(ˆ nnn

ee

uEumm

H

Page 14: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис блоховских функций

)()( ,, rr kkr

k ci

c ue

kk kkpk

p ,,

22

)(2

ˆ)ˆ(ˆ nnn

ee

uEumm

H

Page 15: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис блоховских функций

)()( ,, rr kkr

k ci

c ue

,2,1),(, nun rk

Базис для периодических функций:

kk kkpk

p ,,

22

)(2

ˆ)ˆ(ˆ nnn

ee

uEumm

H

По нему можно разложить любуюпериодическую функцию

Page 16: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис Кона-Латтинжера

,2,1),(0, nun r

Базис для периодических функций:

0,0, )0()ˆ(ˆ nnn uEuH p

)()( ,, rr kkr

k ci

c ue

0k

По нему можно разложить любуюпериодическую функцию

– в точке с высокой симметрией знаем о функциях больше

Page 17: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис Кона-Латтинжера

,2,1),(0, nun r

Базис для периодических функций:

n

nnc uCu )()( 0,, rrk

По нему можно разложить любуюпериодическую функцию:

)()( ,, rr kkr

k ci

c ue

0,0, )0()ˆ(ˆ nnn uEuH p

0k – в точке с высокой симметрией знаем о функциях больше

Page 18: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Базис Кона-Латтинжера

n

ni

nc ueC )()( 0,, rr krk

,2,1),(0, nun r

Базис для периодических функций:

Базис Кона-Латтинжера:

0,0, )0()ˆ(ˆ nnn uEuH p

0k – в точке с высокой симметрией знаем о функциях больше

Page 19: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теория возмущений

cn

ni

nci

c ueCue )()()( 0,)1(

0,, rrr krkrk

возмущение

возмущение

Page 20: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теория возмущений

)()( 0,)0(, rr krk c

ic ue

)0()()0( cc EE k

ecn nc

nc

c mEE

uuE

2)0()0(

ˆ)(

222

0,0,)1( kpkk

kk kkpk

p ,,

22

)(2

ˆ)ˆ(ˆ nnn

ee

uEumm

H

2-й порядок 1-й порядок

Page 21: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Теория возмущений

)()( 0,)0(, rr krk c

ic ue

)0()()0( cc EE k

ecn nc

nc

c mEE

uuE

2)0()0(

ˆ)(

222

0,0,)1( kpkk

kk kkpk

p ,,

22

)(2

ˆ)ˆ(ˆ nnn

ee

uEumm

H

2-й порядок 1-й порядок

kmkk 12

2)0()( T

cc EE

или

зона проводимостивсегда получается параболической

Page 22: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

kp-метод

• Зависимость энергии от k рассматривается как возмущение, вызванное влиянием других зон

• Эта зависимость аппроксимируется некоторой функцией, параметры которой извлекают из экспериментальных результатов.

• Невырожденная зона всегда получается параболической

Page 23: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

3. Модель Кейна

Evan O. Kane,“Band structure of indium antimonide”,J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957)

Page 24: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Модель Кейна

cn

ni

nci

c ueCue )()()( 0,)1(

0,, rrr krkrk

возмущение

возмущение

Page 25: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Модель Кейна

in

nni

iii

ic uCeuCe )()()( 0,

)1(0,

)0(, rrr krkrk

возмущение

возмущение

Page 26: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Модель Кейна

in

nni

iii

ic uCeuCe )()()( 0,

)1(0,

)0(, rrr krkrk

возмущение

возмущение

cci ,

hhhhi ,

lhlhi ,

shshi ,

Page 27: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейна – матрица

8

1

C

C

ψ

)(

)(

8

1

r

r

u

u

u

ψukr Tie

ψuψukp TT EH )ˆ(ˆ

EH ˆУравнение Шредингера:

Векторная запись волновой функции:

где

ψψukpu EH T )ˆ(ˆ

Page 28: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейна

ee mmH

2

ˆ)ˆ(ˆ

22kpkp

em

pk ̂возмущение

em

pk ̂возмущение

Page 29: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейна (фрагмент)

H

c

c

hh

lh

lhhhcc

cE

cE

vE

vE

энергияв Г-точке

Page 30: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейна (фрагмент)

H

c

c

hh

lh

lhhhcc

энергияв Г-точке

взаимодействиебазисныхфункций

+

ec m

kE

2

22

ec m

kE

2

22

ev m

kE

2

22

ev m

kE

2

22

Pk2

1zPk

3

2

Pk6

1

Pk6

1

Pk2

1

zPk3

2

Page 31: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейна (фрагмент)

H

c

c

hh

lh

lhhhcc

энергияв Г-точке

взаимодействиебазисныхфункций

+

e

c m

kE

2

22

e

c m

kE

2

22

e

v m

kE

2

22

e

v m

kE

2

22

Pk2

1zPk

3

2

Pk6

1

Pk6

1

Pk2

1

zPk3

2

+ возмущение

Page 32: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейнаc

c

c

c

hh lh sh

hh

lh

sh

lh hh

lh

hh

sh

sh

T Pk2

1

T

zPk3

2

Pk6

1zPk

3

2

Pk6

1

Pk2

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

zPk3

1

VU

VU

VU

VU

U

U

R

R

*S

*S

V2

V2

R2

R2 S2

1

*

2

1S

*

3

2S

S3

2

Pk2

1

zPk3

2

zPk3

2

V2

V2

Pk6

1

zPk3

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

Pk2

1

S

*R

*R S

S2

1

*2R S3

2

*

3

2S *2R

*

2

1S

Pk6

1

Page 33: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейнаc

c

c

c

hh lh sh

hh

lh

sh

lh hh

lh

hh

sh

sh

T Pk2

1

T

zPk3

2

Pk6

1zPk

3

2

Pk6

1

Pk2

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

zPk3

1

VU

VU

VU

VU

U

U

R

R

*S

*S

V2

V2

R2

R2 S2

1

*

2

1S

*

3

2S

S3

2

Pk2

1

zPk3

2

zPk3

2

V2

V2

Pk6

1

zPk3

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

Pk2

1

S

*R

*R S

S2

1

*2R S3

2

*

3

2S *2R

*

2

1S

Гамильтониан Кона-Латтинжера

Pk6

1

Page 34: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гамильтониан Кейнаc

c

c

c

hh lh sh

hh

lh

sh

lh hh

lh

hh

sh

sh

T Pk2

1

T

zPk3

2

Pk6

1zPk

3

2

Pk6

1

Pk2

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

zPk3

1

VU

VU

VU

VU

U

U

R

R

*S

*S

V2

V2

R2

R2 S2

1

*

2

1S

*

3

2S

S3

2

Pk2

1

zPk3

2

zPk3

2

V2

V2

Pk6

1

zPk3

1

Pk3

1

Pk3

1

zPk3

1

Pk2

1

S

*R

*R S

S2

1

*2R S3

2

*

3

2S *2R

*

2

1S

Pk6

1

Точный учет взаимодействиязоны проводимостии валентной зоны

Page 35: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Модель Кейна• Явно учитывает несколько зон, которые имеют

разную энергию даже в нулевом приближении• Взаимодействие между этими зонами входит в

гамильтониан точно• Поправки к энергии, связанные с влиянием

далеких зон рассматриваются как возмущение• Модель учитывает непараболичность зоны

проводимости

Page 36: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

kp-методдля зоны проводимости модель Кейна

базис – одна функция базис – 8 функций

периодическая часть ψне зависит от k

периодическя часть ψзависит от k

непосредственного взаимодействия между базисными функциями

нет

непосредственное взаимодействие между базисными функциями

учитывается точно

влияние далеких зон учитывается как kp-возмущение

влияние далеких зон учитывается как kp-возмущение

зона проводимости параболическая

зона проводимости непараболическая

валентная зонане рассматривается

валентная зонаучитывается 3 зоны

Page 37: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

kp-методдля валентной зоны модель Кейна

базис – 4 или 6 функций базис – 8 функций

периодическая часть ψзависит от k

периодическя часть ψзависит от k

непосредственного взаимодействия между базисными функциями

нет

непосредственное взаимодействие между базисными функциями

учитывается точно

влияние далеких зон учитывается как kp-возмущение

влияние далеких зон учитывается как kp-возмущение

зона проводимостине рассматривается

зона проводимости непараболическая

валентная зонаучитывается 2 или 3 зоны

валентная зонаучитывается 3 зоны

Page 38: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

4. Неоднородные системы

Page 39: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Плавный потенциал

)()(

)()(2

ˆ)ˆ(ˆ

2

rRr

rrp

p

VV

UVm

He

1

)(~

)(k

kr kr UeU i

Плавный потенциал можно разложитьпо плоским волнам из 1-й зоны Бриллюэна:

Кулоновский потенциал мелкой примесиявляется плавным вдали от центра

Page 40: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Плавный потенциал

)(

)(

)(

8

1

r

r

8

1

C

C

ee ii krkrψ

1

)()(k

kr kr ii

i Ceогибающие – плавные функции:

J. M. Luttinger and W. Kohn,“Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields”,Phys. Rev. 97, 869 (1955)

Page 41: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гетероструктура

• Блоховские функции материалов, образующих структуру, отличаются

• Потенциал, нарушающий периодичность, не является плавным

Page 42: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Кусочно-гладкое решениеМатериал A Материал B

1. Находим огибающие для каждой однородной области

2. Сшиваем решения на границах

правильно – сшивать полные волновые функции:

граничные условия:непрерывность полной волновой функции и ее производной

Page 43: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Кусочно-гладкое решениеМатериал A Материал B

1. Находим огибающие для каждой однородной области

2. Сшиваем решения на границах

приходится сшивать огибающие

граничные условия – основная проблема

Page 44: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Опорный кристалл

Page 45: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Опорный кристалл

)()(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

00

022

02

0

rRr

σprrp

p

VV

Vcm

Vm

Hee

Опорный потенциал V0 является периодическим для всей структуры.Его блоховские функции – базис, по которому раскаладываетсяволновая функция электрона.

Page 46: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Опорный кристалл

)()(

ˆ)(4

)(

ˆ)(4

)(2

ˆ)ˆ(ˆ

00

22

022

02

rRr

σprr

σprrp

p

VV

Vcm

V

Vcm

Vm

H

e

ee

возмущение

Page 47: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Разложение волновой функции

)(

)(

08

01

r

r

u

u

u

Блоховские функции опорного потенциалаодинаковы для всей структуры

M. G. Burt,“The justification for applying the effective-massapproximation to microstructures”,J. Phys.: Condens. Matter 4, 6651 (1992)

Page 48: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Разложение волновой функции

)(

)(

)(

8

1

r

r

1

)()(k

kr kr ii

i Ce

)(

)(

08

01

r

r

u

u

u

Блоховские функции опорного потенциалаодинаковы для всей структуры

Волновая функция имеет тот же вид,что и в случае плавного потенциала:

Page 49: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Разложение волновой функции

)(

)(

)(

8

1

r

r

1

)()(k

kr kr ii

i Ce

)(

)(

08

01

r

r

u

u

u

Блоховские функции опорного потенциалаодинаковы для всей структуры

Волновая функция имеет тот же вид,что и в случае плавного потенциала:

Уравнение Шредингеразаписывается для всей структуры

Page 50: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Полный гамильтониан

Вместо волнового вектора используетсядифференциальный оператор.

Он не коммутирует с эффективной массой, которая зависит от координат.

Граничные условия для огибающейсодержатся в гамильтониане.

Page 51: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Полный гамильтониан

Явный вид гамильтониана неизвестен,поэтому используются простые модели:

2*

2

2 zkm

izm

i)(

1

2 *

2

12

),()()(2

2

zmizmizm

Page 52: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Расчет для неоднородной системы

• В случае плавного потенциала достаточно перейти от алгебраический уравнений к дифференциальным заменой k на

• В гетероструктуре нет общего базиса блоховских функций

i

Page 53: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Кусочно-гладкое решение• Можно решать уравнение отдельно для

каждого материала• Граничные условия неизвестны как и

блоховские функции• Граничные условия нужно выбирать исходя

из каких-нибудь дополнительных соображений

Page 54: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Опорный кристалл• Можно выбрать опорный кристалл и

использовать его блоховские функции, рассматривая различия материалов как возмущение

• Гамильтониан описывает всю структуру и не нужно сшивать решения на границах

• Правильный гамильтониан неизвестен, и потому используются различные модели (эквивалентно выбору граничных условий)

Page 55: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Гетероструктура

• Блоховские функции материалов, образующих структуру, отличаются

• Потенциал, нарушающий периодичность, не является плавным

• Это существенно для узких ям высокого качества (например GaAs/AlAs)

Page 56: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

5. Примеры расчетов

Page 57: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Уровни энергии в квантовой яме HgTe/CdTe

40 50 60 70 80 90 100 110 120-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

Эне

ргия

при

k=

0, м

эВ

Ширина квантовой ямы, Å

1-я подзона зоны проводимости

1-я валентная подзона 2-я валентная подзона 3-я валентная подзона

Page 58: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Зонная структура КЯ Hg0.86Cd0.14Te/Cd0.7Hg0.3Te

0,000 0,005 0,010 0,015 0,020-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

En

erg

y, m

eV

k, Angstrom-1

E(-3) E(-2) E(-1) E(0) E(1)

Page 59: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Методы расчета зонной структуры квантовых ям

Кусочно-гладкое решение

Полный гамильтониан

трансфер-матрица

матрица рассеяния

разложение по полномуортонормированномубазису

Page 60: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

трансфер-матрица матрица рассеяния

связывает амплитуды огибающих на правой и левой

границе структуры

связывает амплитуды огибающих для решений,

распространяющихся внутрь структуры и наружу

используется умножение матриц используется умножение и обращение матриц

метод неустойчив метод устойчив

Page 61: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Применение различных методов

дискретныйспектр

непрерывныйспектр

метод матрицы рассеяния

требует поиска нулей функции

позволяет найти решение с любой наперед заданной

энергией

разложение по полному базису

дает сразувсе уровни

всегда получается дискретный спектр

Page 62: Использование модели Кейна для расчета энергетического спектра полупроводниковых структур

Другие пути

• Разложение по большому числу зонбез kp-возмущения (гамильтониан 14x14, 20x20, … иногда 8x8)

• Разложение по блоховским функциям нескольких точек Γ, X, L, …

• Учет поправок, связанных с резким потенциалом

• Расчеты из первых принципов – попытка подобрать вид периодического потенциала