Upload
buikien
View
224
Download
2
Embed Size (px)
Citation preview
Electronics
Процессы металлизации сквозных отверстий (PTH)для современных базовых материалов
Москва, Россия 24-25 июня 2014 г.
Proprietary and Confidential
Coдержание
Серия продуктов для PTH
Процесс очистки отверстий
Процесс Printoganth PV
2 2014-June Moscow Russia
Proprietary and ConfidentialElectronics
Серия продуктов для PTH
Proprietary and Confidential
Серия продуктов для PTHУказания по применению
Указания по применению процессов PTH Сегментпр-ва
Применение/ Технология
Рекомендуемый процесс
Вертикальныйметод
Горизонтальныйметод
Прямаяметаллизация
Основыдля ИС
SAP (GX92, GX13, GX3,
Printoganth MV Plus Printoganth SAP Plus Неопределено
MSAP, AMSAP (BT PCF, ...)
Printoganth MV Plus Printoganth P Plus
HDI (платы свысокоплотныммонтажом) иMLB(многослойныеплаты)
ОсобыеМатериалы(Тефлон, BT, High TgFR4,
Printoganth PV (E) Printoganth P Plus Neopact
Seleo CP Plus
Стандартныематериалы(standard FR4,…)
Noviganth LS Plus Printoganth U Plus или Printoganth U
Seleo CP E
4 2014-June Moscow Russia
Proprietary and ConfidentialElectronics
Процесс очистки отверстийСовременные базовые материалы
специального назначения
Proprietary and Confidential
6 2014-June Moscow Russia
Очистка отверстийВ прошлом и сегодня
1. Серная кислота, 98% H2SO4Образует гидрофильную поверхность из сульфоновых групп, (-SO3H)На сегодняшний день не применяется, т.к. при концентрации ~ 80% неактивнаСложность применения, проблемная обработка стоков
2. Хромовая кислота - CrO3 x H2OСлишком сильное травлениеОпасность для здоровья операторов и окружающей среды, проблемная обработкастоков
3. ПлазмаОпасное применение тетрафторметана CF4, смеси азота/кислорода в мощномэлектрическом полеПодходит только для специфических базовых материалов (тефлон, полиимид ит.п.)Обработка партиями, снижение объемов выработки
4. Щелочной перманганат MnO4-/OH-
Очень эффективный процесс, самый распространенный в мире сегодня
Proprietary and Confidential
Очистка отверстий базовых материалов специального назначенияТипы смол
Ламинат Tg (температурастеклования) (°C)
ПТФЭ (Тефлон) -
Эпоксидн.смола со стандартн. Tg (дифункциональн.) 130-150
Эпокс. смола с высокой Tg(мультифункциональная)
150-180
Полифениленовый эфир 175
Эпокс. смола/полифенилена оксид 180
Эпокс.смола/бисмалеимид триазин (BT) 180-210
Эфир эпоксидн. цианата 210
Эфир цианата 240
Полиимид 260-280
Углеводород/керамический > 280
Полимер из жидких кристаллов 280
7 2014-June Moscow Russia
Смолы с низкой Tg образуютбольше наволакивания
Типичная скорость травлениястандартного FR4 >0,45 мг/cм2.
Скорость травления смол свысокой Tg обычно <0,25 мг/cм2.
Обработка смешанныхматериалов – сложная задачадля процесса очистки.
Proprietary and Confidential
8 2014-June Moscow Russia
Методы очистки отверстий базовых материалов специальногоназначенияМатериалы с высокой Tg
Стандартн. FR-4
Tg < 150°C
Негомогенность(Перекрестн.связь)
Гомогенность
(Перекрестн.связь)
Очисткаотверстий
Высокая TgTg > 150°C
Proprietary and Confidential
Продукты Teмп. (°C)
Продолж.(мин.)
Securiganth Sweller P или HP 70 – 80 5-6
Securiganth Permanganate Etch (KMnO4) 75 – 85 10-15
Securiganth PРаствор восстановителя
илиP500 Reduction- кондиционера
30
50
4
9 2014-June Moscow Russia
Перманганатное
травление
Восстановление
Набухание
…
Процесс Securiganth – гарантия оптимальнойочистки и кондиционирования
Методы очистки отверстий базовых материалов специальногоназначенияПоследовательность очистки
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материаловспециального назначенияСистема набухания компании Atotech
Стандартная система набухания (компании Atotech) основана наэфире гликоля, она пригодна для применения на разных типахматериалов основы. Atotech накопил огромный опыт применения этогопроцесса и постоянно совершенствует свои знания и практику.
10 2014-June Moscow Russia
Securiganth Sweller P
Концентрация(мл/л)
NaOH (г/л) Teмпература (°C)
250 - 500 8 – 12 65 – 80
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материаловспециального назначенияСистема набухания AtotechБолее агрессивная система набухания разработана на основе смеси
эфира гликоля и циклического амина, разработана для применениятехнологий SBU.
11 2014-June Moscow Russia
Securiganth Sweller HP
Концентрация(мл/л)
Na2CO3 (г/л) Teмпература (°C)
350 - 500 3 – 5 70 – 90
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материаловспециального назначенияПример: зависимость скорости травления смолы от примененногоагента набуханияХимическая стойкость
12 2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
13 2014-June Moscow Russia
Перманганатное травлениеПосле набухания, без травления
Proprietary and Confidential
14 2014-June Moscow Russia
Перманганатное травлениеПосле 150 сек. травления
Proprietary and Confidential
15 2014-June Moscow Russia
Перманганатное травлениеПосле 240 сек. травления
Board passed through Uniplate P line (H)
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материалов специальногоназначенияBT(термопластичн.поли-1-бутен )
16 2014-June Moscow Russia
Поставщик Наименование TgPolyclad PCL-GI 1800 200 oCAllied Signal G200 185 oCIsola Duraver BT 185 oCNelco 5000 185 oCMatsushita CCL-HL 8xx 170-230 oCОбработка Uniplate P Продолжительность/продукты серии Securiganth
Набухание 110 сек.Перманганатное травление 220 сек.Восстановитель 40 сек.
Требуется ультразвуковая обработка - в стадии набухания иперманганатного травления!Примечание: В случае применения CO2 лазерного сверления, процессвыполняется дважды
Поставщики и характеристики
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материаловспециального назначенияПрименение ультразвука в перманганатном модуле
Применение ультразвука – повышение адгезии к стенкам отверстий
Определенный диапазон частот УЗ обеспечивает оптимальную очистку (40 и120 кГц)
17 2014-June Moscow Russia
Чистая поверхность – Oптимальная адгезия
Без ультра-звука,увелич.2000
С ультразвуком,увелич.2000
BT Material
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материалов специальногоназначенияНепокрытый ламинат Ajinomoto ABF для применения SAP
После очистки – шероховатость поверхности обеспечиваетоптимальную адгезию
18 2014-June Moscow Russia
Перед обработкой После обработки
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материалов специальногоназначенияПотеря веса при стандартных параметрах процесса
19 2014-June Moscow Russia
Isola Duraver 104 Tg 135°C, FR4 Epoxy
Isola 620Tg 215oC
Rogers 4350BTg 280oC
Потеря веса 45мг/дм2 Потеря веса- 10 мг/дм2 Потеря веса - 3 мг/дм2
Высокая степеньвоздействия приперманганатном травлении
Средняя степеньвоздействия приперманганатном травлении
Низкая степень воздействияпри перманганатномтравлении
Proprietary and Confidential
Методы очистки отверстий базовых материаловспециального назначенияBMV(слепые микроотверстия) на непокрытом ламинате, Ajinomoto
20 2014-June Moscow Russia
После очистки слепых микроотверстий –чистая поверхность медного покрытия и стенки BMV
Перед очисткой После очистки
Electronics
Printoganth PV
2014-June Moscow Russia
Вертикальный метод химического меднения для п-ва современных MLB/HDI плат печатного монтажа
Proprietary and Confidential
Вертикальный метод покрытия PTH (сквозных металлизированных
отверстий)Указания по применениюСегмент Нанесение / Teхнология Рекомендуют процесс Толщина
покрытия[мкм]
Подложки
кристалловИС
SAP. Modified SAP
(GX13, GX92, BT-PCF, ..)
Printoganth MV Plus 0,8-1,2
КлассическоепокрытиеPTH
(HDI, MLB, …)
Новейшие материалыи гибкие/гибко-жесткие ПП
(PI, PTFE, BT, High Tg FR4, …)
Printoganth PV 0,3-2,0
Стандартныематериалы
(standard FR4, High Tg FR4)
Noviganth LS Plus 0,3-0,4
22 2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
Printoganth PVСвойства и преимущества
Универсальный процесс вертикального химического меднения дляпроизводства современных MLB/HDI плат
Отличная адгезия к большинству базовых материалов, в т.ч. PI, РТFE, BT и т.д., благодаря оптимальным характеристикамвнутренних напряжений медного покрытия :‒Отсутствие вздутия‒Отсутствие отслаиванияВысоконадежный процесс‒Отвечает всем требованиям к надежности согласно стандартам
SST, IST, TCT‒ Низкое ICT, даже в жестких условиях пайки – напр., 9x 326ºC
Возможность регулирования скорости осаждения от низкой довысокой .
- Скорость осаждения - 0,3 – 0,6 мкм за 10 мин.
Экологичность процесса‒ На основе тартрата‒ Не содержит цианида
23 2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
Продукты Teмп. (°C) Продолжит(мин.)
Securiganth Cleaner 902 60 4
SPS 30 1
Neoganth B Pre Dip RT 1
Neoganth Activator 834 40 4
Neoganth WA Reducer S 30 3
Printoganth PV (E) 34 10 -30
24
Чисткатравлением
Хим.меднение
Aктиватор
Пред-окунание
Очистка
Восстановит.
…
Последовательность процессаAктивирование и химическое меднение
2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
2014-June Moscow Russia25
Aктиватор
… Neoganth Activator 834
Tип ионный
Характеристики
ванны
200 ppm (>150 ppm)pH = 11,3
Концентрат5 г/л PdpH = 0
ПополнениеПредв.перемешивание воизбежание осаждения
Расход Pd 0,053 г/м²
Последовательность процессаAктивирование - Neoganth 834
Proprietary and Confidential
2014-June Moscow Russia26
Ионноеактивирование Коллоидное активирование PTC Pd / Sn
Neoganth Activator 834
Activation Neoganth 834Сравнение систем активирования
Proprietary and Confidential
Ионное активирование• Хорошее и равномерноераспределение частиц Pd
• Отсутствие точечных непрокрытийотверстий
• Не вызывает коррозии
Pd/Sn коллоидноеактивирование• Неравномерное по величинечастиц и распределению•Вероятность точечныхнепрокрытий отверстий•Вызывает коррозию.
Activator Neoganth 834 - значительное повышениеэффективности процесса
Сравнение ионного и Pd/Sn активированияРаспределение Pd на PI
2014-June Moscow Russia27
Proprietary and Confidential
Tипичный график абсорбции Pd Ионное активирование
0
20
40
60
80
100
120
U/WAH/WA834/WAH/H U/WAH/WA834/WAH/H U/WAH/WA834/WAH/H U/WAH/WA834/WAH/H U/WAH/WA834/WAH/H U/WAH/WA834/WAH/H
R 1566 R 1755 NP 170 NP 175 ISOLA 420 M C 100 EX
Pd C
onc.
[µg/
dm²]
Обычно абсорбция Pd с применениемионного активатора значительно < 0,1 мг/дм²
2014-June Moscow Russia28
Proprietary and Confidential
29
Tипичная абсорбция Pd PTC Aктиватор
catalyst Pd absorption on different base materials
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
A B C D E F G H I
mg/
dm2
FR-4 Htg
ionic activators
Применение РТС(коллоидного активатора)показывает более высокую адсорбцию Pd по
сравнению с ионным активатором
2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
Activator Neoganth
Activation Neoganth 834Сравнение систем активирования
2014-June Moscow Russia30
Proprietary and Confidential
…
Printoganth PV
Главные характеристики ванны химическогомеднения:
Раствор на основе винной кислоты
Нецианистый стабилизатор
Процесс проходит со средней скоростью
Низкое напряжение осадка
Прочная, плотная кристаллическая структура
Printoganth PVРаствор для вертикального метода химического меднения
2014-June Moscow Russia31
Proprietary and Confidential
Printoganth V (E) BasicPrintoganth V CopperPrintoganth PV Starter
Printoganth PV StabilizerNaOH, Cu Reduction Solution
…
Printoganth PVРаствор для вертикального метода химического меднения
Printoganth PV
2014-June Moscow Russia32
Proprietary and Confidential
33 2014-June Moscow Russia
PV E на DuPont Pyralux APпосле плазменной обработки
Покрытие без вздутия на полиимиде споследующим кислым меднением (толщина слоя -
15 мкм) + 1 ч. отжига при темп. 120°C
PV на DuPont Pyralux AP послеплазменной обработки
Printoganth PV Адгезия в сквозных отверстиях
Proprietary and Confidential
34 2014-June Moscow Russia
Подвергающийся обработкеверхний слой полиимида гибко-жестких ПП, без плазменнойобработки.
Исключительное хорошая адгезия –результат применения Printoganth PV!
Printoganth PV Адгезия поверхности
Proprietary and Confidential
Результаты термоциклических испытаний гибких-жестких ПП
С перманганатной очисткой
70/140 сек.
Данные пройденных испытаний:Испытание горячего масла: окунан., 5 сек.при 260°C, 10 сек. при 25°C, 100 цикловTермошок B: 60 сек. при 65°C, 60 сек. при 125 °C, 250 циклов
Плотное покрытие – отсутствие разрывов
Слой полиимида
Слой полиимида
Слой полиимидаЭпоксидн.клей
Эпоксидн.клей
35
Printoganth PVПроизводственные результаты
2014-June Moscow Russia
Proprietary and Confidential
36 2014-June Moscow Russia
Arlon Diclad/Cuclad (ПТФЭ тканное стекловолокно)Nelco 4000 (смола с высоким Tg ) и 9000 series (ПТФЭ)Dielektra G10Hitachi BE 67 G – 679FG – BE 67G HV – E-679Isola IS 420 – IS 620 – TS104Isola P97/27 (Полиимид)Iteq IT180 – IT158 Kapton AP/LFLG LGF-2000GMatsushita R-1566W – R1566 – R-1551W – 1755C – 1755S Polyclad PCL-LD-621 (эфир полифенилена, Tg=190°C)PolycladPCL 370HRPolycladPCL-GI-180 (BT/эпоксидн.ламинат, Tg=200°C)Rogers RO 4003 (не эпоксинное, армированная стекловолокном)Rogers RO 4350 (не эпоксидное, керамические наполнители)Rogers RO 4403 (не эпоксидное, Tg=280°C)Rogers RO 3000 (ПТФЭ, с керамическими наполнителями)Rogers RT /Duroid 5880 (стекловолокно, армированное ПТФЭ) и 6000 (ПТФЭ/ керамика)Sumitomo ELC-4765 GSTaconic TSM 30 Taconic RF 35 (стекловолокно армированное тефлоном, Tg>315°C)
Printoganth PV Материалы основ, испытанные на производстве
Proprietary and Confidential
37 2014-June Moscow Russia
Вертикальный процесс химического меднениядля классической металлизации ПП(PTH)
Пригоден для производства плат HDI(высокаяплотность монтажа) и MLB (МПП)
Применим как для низкой так и высокой скоростиосаждения
Отличное сцепление с основами из специальныхматериалов:
С высокой Tg, гибкие, ПТФЭОчень надежный процессПриемлемая стоимость процесса
Printoganth PV Резюме
Proprietary and Confidential
Printoganth PVИнформация о внедренном процессе
38 2014-June Moscow Russia
Cтрана Линии Объем п-ва[м²/год]
Материалыосновы
Область применения
Taйван 4 600.000 High Tg, Teflon Высокочастотных соединений
Корея 1 120.000 PI, FR4 Микросхемы, полиграфия, мобильные устройства
Koрея 1 60.000 Специфический Военная промышленность
Германия 1 R 30.000 FR4, HTg, PI, PTFE Aвтомобильнаяпромышленность
Бельгия 1 R 25.000 FR4, HTg, PI, PTFE Военная, автомобильнаяпромышленность
Франция 1 R 10.000 FR4, HTg, PI Военная, автомобильнаяпромышленность
ОбъединенноеКоролевство
1 B 24.000 FR4, High Tg, BT Электроника
США 1 15.000 FR4, PI П-во гибких- жестких ПП
Status 2012-06